X射线衍射应力测定法
Номер патента: CN1487285A
Опубликовано: 07-04-2004
Автор(ы): , ɽ��һ��, 横山亮一, 远藤上久
Принадлежит: Rigaku Denki Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-04-2004
Автор(ы): , ɽ��һ��, 横山亮一, 远藤上久
Принадлежит: Rigaku Denki Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction
Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.