Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

结晶锗的等离子体增强化学气相沉积

Номер патента: CN102959680A
Опубликовано: 06-03-2013
Автор(ы): D·R·威蒂, M·巴尔塞努, V·T·恩古耶, 夏立群
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Methods and devices for graphene formation on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11823895B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin,Nai-Chang Yeh,Chi-Fu Tseng,Chen-Hsuan LU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-21.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: US20070003696A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2007-01-04.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: EP1608799A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2005-12-28.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: WO2004085717A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zuerich. Дата публикации: 2004-10-07.

Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN100345254C. Автор: H·冯卡内尔. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2007-10-24.

Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2002335310A1. Автор: Hans Von Känel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2003-06-10.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20220119953A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma- enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022086708A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

SINGLE-STEP DIRECT GROWTH OF LARGE-AREA GRAPHENE AND GRAPHENE-BASED NANOSTRUCTURES ON SILICON BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200325574A1. Автор: YEH Nai-Chang,Tseng Wei-Shiuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition

Номер патента: US09793116B2. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Particle reduction in physical vapor deposition of amorphous silicon

Номер патента: WO2024081221A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films

Номер патента: WO2013109369A1. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Particle Reduction in Physical Vapor Deposition of Amorphous Silicon

Номер патента: US20240128075A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Pecvd apparatus for in-situ deposition of film stacks

Номер патента: US20230366094A1. Автор: Dong Niu,Pramod Subramonium,Bart J. van Schravendijk,George Andrew Antonelli,Jennifer L. Petraglia,Joseph L. Womack,Keith Fox,John B. Alexy,Jason Dirk Haverkamp,Patrick G. Breiling,Mandyam A. Sriram. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films

Номер патента: TWI271803B. Автор: Raymond Joe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-01-21.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW593737B. Автор: Douglas J Guerrero,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-06-21.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11854771B2. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240105427A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition methods for graphene deposition

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Zhihong Chen,Sunny Chugh,Ruchit Mehta. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: US20210217584A1. Автор: Kuyel Birol. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Deposition of an inter layer dielectric formed on semiconductor wafer by sub atmospheric CVD

Номер патента: US5872401A. Автор: Farhad Moghadam,Brett E. Huff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Plasma-enhanced chemical vapor deposited SIO2 /SI3 N4 multilayer passivation layer for semiconductor applications

Номер патента: US6017614A. Автор: Ing-Ruey Liaw,Yeur-Luen Tu,Shiang-Peng Cheng,Kwong-Jr Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

TEOS based plasma enhanced chemical vapor deposition process for deposition of silicon dioxide films.

Номер патента: EP0272140A2. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David Nin-Kou Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-06-22.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS FOR GRAPHENE DEPOSITION

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Chen Zhihong,Chugh Sunny,Mehta Ruchit. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: KR101357181B1. Автор: 복헌 김,수드하 라티,디네쉬 파디,광덕 더글라스 이,타카시 모리,요이치 스즈키,마틴 제이 시몬스,신시아 파간가난. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-01-29.

Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: TW201026877A. Автор: Deenesh Padhi,Bok Hoen Kim,Yoichi Suzuki,Takashi Morii,Sudha Rathi,Kwangduk Douglas Lee,Martin Jay Seamons,Cynthia Pagdanganan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-16.

Plasma-induced charge damage control for plasma enhanced chemical vapor deposition processes

Номер патента: TW200849342A. Автор: Bok Hoen Kim,Amir Al-Bayati,Mohamad Ayoub,Matthew Spuller,Martin Jay Seamons,Derek R Witty,Saad Hichem M,Wendy H Yeh,Kwangduk-Douglas Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF FILMS FOR IMPROVED VERTICAL ETCH PERFORMANCE IN 3D NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190185996A1. Автор: Kim Bok Hoen,Kim Sang Hyuk,Jha Praket P.,HAN Xinhai,KWON Thomas Jongwan,KO Allen,KIL Byung Ho,KIM Ryeun. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF FILMS FOR IMPROVED VERTICAL ETCH PERFORMANCE IN 3D NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160293609A1. Автор: Kim Bok Hoen,Kim Sang Hyuk,Jha Praket P.,HAN Xinhai,KWON Thomas Jongwan,KO Allen,KIL Byung Ho,KIM Ryeun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3d nand memory devices

Номер патента: KR102456460B1. Автор: 프라켓 피. 자,알렌 코,신하이 한,토마스 종완 권,복헌 김,병호 길,륜관 김,상혁 김. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-19.

Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers

Номер патента: KR100878170B1. Автор: 디네마니스리니바스,씨아리-쿤,이에엘리. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-01-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices

Номер патента: CN106057636A. Автор: S·H·金,韩新海,R·金,金柏涵,P·P·贾,A·阔,T·J·权,B·H·祁. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Method for making of Polymer thin films by low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition using

Номер патента: KR100392840B1. Автор: 이은석,강병구. Владелец: 주식회사 우광케미칼. Дата публикации: 2003-07-28.

ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20130181331A1. Автор: Srinivasan Guruvenket,Sailer Robert. Владелец: NDSU RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-07-18.

Mono- and Multilayer Silicene Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20190043718A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-02-07.

FILM STRESS CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200194233A1. Автор: WON Tae Kyung,CHOI Soo Young,KURITA Shinichi,SORENSEN Carl A.,KAO Chien-Teh,LEE Young Dong,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

FILM STRESS CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20210280392A1. Автор: WON Tae Kyung,CHOI Soo Young,KURITA Shinichi,SORENSEN Carl A.,KAO Chien-Teh,LEE Young Dong,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

GRAPHENE PRODUCTION USING PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190345609A1. Автор: Chen Zhihong,Zhang Shengjiao. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-11-14.

Ultra low dielectric materials using hybrid precursors containing silicon with organic functional groups by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20110206857A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) apparatus and method of operating the same

Номер патента: KR102363241B1. Автор: 윤정수,이장희,홍종원,김민종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-16.

Structure of susceptor inside plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR100750968B1. Автор: 권용철. Владелец: 주식회사 알지비하이텍. Дата публикации: 2007-08-22.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR102415003B1. Автор: 이영진,임종혁,전창엽,황두섭. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2022-07-01.

Ultra low dielectric materials using hybrid precursors containing silicon with organic functional groups by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR20130043096A. Автор: 알렉산드로스 티. 데모스,강 섭 임. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-04-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR100989316B1. Автор: 이창경. Владелец: 이창경. Дата публикации: 2010-10-25.

New low dielectric (low k) barrier films with oxygen doping by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: US20060246737A1. Автор: Li-Qun Xia,Chi-I Lang,Peter Lee,Dian Sugiarto,Kang Yim,Melissa Tam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

High density plasma enhanced chemical vapor deposition method

Номер патента: US20010048980A1. Автор: Koji Kishimoto,Kenichi Koyanagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition(pecvd)

Номер патента: KR101221582B1. Автор: 강 섭 임,리후아 리 후앙,프란시말 슈미트,리-콴 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-01-14.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP3662505A4. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-04-07.

Low dielectric (low k) barrier films with oxygen doping by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: US7465659B2. Автор: Li-Qun Xia,Kang Sub Yim,Chi-I Lang,Dian Sugiarto,Peter Wai-Man Lee,Melissa M. Tam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2020123150A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2019027645A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-02-07.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP3662505B1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-10-18.

Deposition of Thick Layers of Silicon Dioxide

Номер патента: US20240096616A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Deposition of thick layers of silicon dioxide

Номер патента: EP4343019A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of plasma enhanced chemical vapour deposition of films

Номер патента: EP0046059B1. Автор: Kanetake Takasaki,Mikio Takagi,Mamoru Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-11-06.

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) Process for forming Borophosphosilicate Glass (BPSG) with low flow temperature

Номер патента: EP0624660A1. Автор: William James King,Mark Douglas Bouffard,Cheryl Murphy Martin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

Physical vapor deposition of an aluminum nitride film

Номер патента: US09484198B1. Автор: Yung-Chin Yang,Chen-Te Chang,Jyh-Wei Lee. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: CA1328796C. Автор: Bernard Steele Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09410247B2. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon,Hyun Seok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Deposition of amorphous silicon-containing films

Номер патента: WO2004017365A2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: EP2839055A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: WO2013157057A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: FURUKAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for selective deposition of a semiconductor material

Номер патента: US8492273B2. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-07-23.

Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures

Номер патента: US20020037635A1. Автор: Zhuang Li,Kent Rossman,Tzuyuan Yiin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for Selective Deposition of a Semiconductor Material

Номер патента: US20120034762A1. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof

Номер патента: US20170107619A1. Автор: Ding-I Liu,Si-Wen Liao,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Jui-Fu Hsu,Cheng-Tsung WU,Yi-Fang Lai,Yen-Chan LO,Jheng-Uei HSIEH,Shian-Huei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Vapor deposition of chalcogenide-containing films

Номер патента: US09543144B2. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Nathanaelle Schneider. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-01-10.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Thin film vapor deposition method and thin film vapor deposition apparatus

Номер патента: US09506146B2. Автор: Ju-Hwan Park,Byung-Chul Cho,In-Hwan Yi. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and apparatus for the continuous vapor deposition of silicon on substrates

Номер патента: US11862462B2. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Номер патента: US09850573B1. Автор: Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer

Номер патента: US09502240B2. Автор: Wei Zhang,Cong Wang,Xiaoyuan Chen,Hui Yang,Dongfang Liu,Linfeng LU. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for deposition of silicon films from azidosilane sources

Номер патента: US5013690A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-05-07.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process

Номер патента: US5000113A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US11661655B2. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-05-30.

Metal organic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP3652358A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-05-20.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Vapor phase epitaxial growth method by organometallic chemical vapor deposition

Номер патента: CA1242623A. Автор: Yoshinobu Matsuda,Akio Sasaki,Shigeo Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: WO2021127470A9. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-08-19.

Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: MY161000A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-31.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20080194104A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20060094218A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof

Номер патента: US20210355581A1. Автор: Hongping Zhao,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for realizing monoatomic layers of crystalline silicium upon a substrate of crystalline "beta" - silicium nitride

Номер патента: WO2014002123A1. Автор: Roberto Flammini,Daniele Maria Trucchi. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2014-01-03.

Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10208398B2. Автор: Daisuke Muto,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-19.

Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interactions

Номер патента: KR20210024673A. Автор: 보 공,쩌 구이,매튜 스캇 웨이머,브하드리 엔. 바라다라잔. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-03-05.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: US20240363407A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: WO2024226145A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Номер патента: US09714466B2. Автор: Satoshi Inoue,Satoshi Hashimoto,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Toposelective vapor deposition using an inhibitor

Номер патента: US20220181163A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-09.

Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes

Номер патента: US09633839B2. Автор: Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Thanh X. Nguyen,Srinivas Guggilla,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for realizing monoatomic layers of crystalline silicium upon a substrate of crystalline "beta" - silicium nitride

Номер патента: US20150194308A1. Автор: Roberto Flammini,Daniele Maria Trucchi. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2015-07-09.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor deposition of molybdenum using a bis(alkyl-arene) molybdenum precursor

Номер патента: EP3740600A1. Автор: Thomas H. Baum,Shuang Meng,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen,JR. Robert WRIGHT. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: EP4078657A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-10-26.

Vapor deposition routes to nanoporous silica

Номер патента: US6022812A. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,Kevin H. Roderick. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Unitary wafer plasma enhanced chemical vapor deposition holding device

Номер патента: US5478399A. Автор: Calvin K. Willard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20080295771A1. Автор: Kuan-Chou Chen,Fu-Ching Tung,Yuan-Yuan Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-12-04.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposited vertical resistor

Номер патента: GB2186116A. Автор: Leopoldo D Yau,Shih-Ou Chen,Yih Shung Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1987-08-05.

Plasma enhanced chemical vapor reactor with shaped electrodes

Номер патента: US5628869A. Автор: Thomas G. Mallon. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Plasma enhanced chemical vapour deposition apparatus; producing carbon nanotubes

Номер патента: GB2380494A. Автор: Jin Pyo Hong,Chae Ok Kim,Ho Suck Kang,Hyoung Joo Yoon. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689049A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: US20060008594A1. Автор: Sung Kang,Woo Bae. Владелец: JAPAN ASIA INVESTMENT Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: WO2006017340A2. Автор: Sung Gu Kang,Woo Kyung Bae. Владелец: Cdream Corporation. Дата публикации: 2006-02-16.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: NL2031257B1. Автор: Didden Arjen,Kudlacek Pavel. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2023-09-20.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: WO2023172140A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma-enhanced chemical vapour deposition apparatus

Номер патента: WO2023128764A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V. Дата публикации: 2023-07-06.

Device for performing atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature

Номер патента: WO2018050758A1. Автор: Mathieu Gerard,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Kamal Baba,Simon Bulou,Miguel Quesada Gonzalez. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2018-03-22.

Electrode active material grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB2595877A. Автор: Paul Shashi. Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2021-12-15.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US09875890B2. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100293961B1. Автор: 데쓰야 다구와. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-08-07.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A4. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Deposition of dopant impurities and pulsed energy drive-in

Номер патента: US5918140A. Автор: Paul Wickboldt,Patrick M. Smith,Paul G. Carey,Albert R. Ellingboe. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-06-29.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A9. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A1. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-05-31.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US20160284541A1. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Equipment for chemical vapor deposition

Номер патента: KR20070002277A. Автор: 나민재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-05.

Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same

Номер патента: US20210351059A1. Автор: Shigehiro Fujino,Shoichi Murakami,Yusuke Osawa,Masaaki Higashitani,Syo FUKATA,Shigeru NAKATSUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same

Номер патента: US20210351058A1. Автор: Shigehiro Fujino,Shoichi Murakami,Yusuke Osawa,Masaaki Higashitani,Syo FUKATA,Shigeru NAKATSUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD OF LOW TEMPERATURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TiN FILM OVER TITANIUM FOR USE IN VIA LEVEL APPLICATIONS

Номер патента: KR100421574B1. Автор: 힐만조셉티.,아민마이클에스.. Владелец: 도쿄 일렉트론 아리조나 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-03-19.

Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications

Номер патента: GB9917373D0. Автор: . Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 1999-09-22.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer

Номер патента: US6656831B1. Автор: Wei Ti Lee,Ted Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia

Номер патента: KR100356264B1. Автор: 리크히트 아로라,로버트 에프. 포스터,조세프 티. 힐만. Владелец: 머티리얼스 리퀴데이션 코포레이션. Дата публикации: 2002-11-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of metal oxide

Номер патента: CA2562914A1. Автор: Christopher M. Weikart,Dmitry P. Dinega. Владелец: Dmitry P. Dinega. Дата публикации: 2005-12-01.

Forming method of metal oxide layer and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR102416568B1. Автор: 정석원,김우진,김인교,고동균,박근희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-07-04.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100988354B1. Автор: 크리스토프 모엘레,토마스 쿠에퍼,라르스 베이그,라르스 브란트,토마스 니클로스. Владелец: 쇼오트 아게. Дата публикации: 2010-10-18.

Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching

Номер патента: WO2009009611A2. Автор: Ganesh Balasubramanian,Amir Al-Bayati,Visweswaren Sivaramakrishnan,Ashish Shah,Mark A. Fodor,Thomas Nowak,Karthik Janakiraman,Jianhua Zhou,Chiu Chan,Mohamad Ayoub,Dale R. Du Bois,Eui Kyoon Kim,Joseph C. Werner. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-01-15.

Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20160049323A1. Автор: Xing Lin,Hari K. Ponnekanti,Hiroji Hanawa,Ganesh Balasubramanian,Bok Hoen Kim,Mukund Srinivasan,Jianhua Zhou,Kwangduk Douglas Lee,Ren-Guan Duan,II Jay D. Pinson,Sungwon Ha,Prashant Kumar KULSHRESHTHA,Zheng John Ye,Swayambhu P. BEHERA,Juan Carlos ROCHA- ALVAREZ,Jason K. Foster,Uwe P. Haller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for forming metal oxide layer, and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: US20190051520A1. Автор: Dong Kyun KO,Woo Jin Kim,In Kyo KIM,Keun Hee PARK,Suk Won Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

MULTI-ZONE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210351058A1. Автор: Higashitani Masaaki,Fukata Syo,OSAWA Yusuke,Murakami Shoichi,NAKATSUKA Shigeru,FUJINO Shigehiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor

Номер патента: US5665640A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman,Rene E. LeBlanc. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Metal oxide layer forming method and plasma enhanced chemical vapor deposition unit

Номер патента: CN109385617A. Автор: 郑石源,金友镇,高东均,金仁教,朴瑾禧. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Forming method of metal oxide layer and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR20190018589A. Автор: 정석원,김우진,김인교,고동균,박근희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-02-25.

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition apparatus for flat panel display device

Номер патента: KR101087624B1. Автор: 이준석. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for forming metal oxide layer, and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: US11004677B2. Автор: Dong Kyun KO,Woo Jin Kim,In Kyo KIM,Keun Hee PARK,Suk Won Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit manufacturing procedure includes preparation of plasma-enhanced chemical vapor deposition chamber with compound containing at least one oxygen atom

Номер патента: FR2866470A1. Автор: Laurent Paisant. Владелец: Atmel Nantes SA. Дата публикации: 2005-08-19.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6167836B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: KR20170042359A. Автор: 주안 카를로스 로차-알바레즈,무쿤드 스리니바산,가네쉬 발라수브라마니안,싱 린,지안후아 조우,복 헌 김,프라산트 쿠마르 쿨쉬레쉬타,히로지 하나와,광덕 더글라스 리,청 존 예,제이 디. 2세 핀슨,렌-관 두안,스와얌브후 피. 베헤라,성원 하,제이슨 케이. 포스터,우베 피. 할러,하리 케이. 폰네칸티. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-04-18.

Rf powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: KR100388529B1. Автор: 폴 스미스,수히트 사란,거테히에스. 산두. Владелец: 미크론 테크놀로지,인코포레이티드. Дата публикации: 2003-06-25.

Method and apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor

Номер патента: TW261689B. Автор: F Foster Robert,T Hillman Joseph,E Leblanc Rene. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: JP2012062579A. Автор: Thomas Kuepper,Lars Bewig,Christoph Moelle,Lars Brandt,キュッパー トマス,ベヴィグ ラース,メレ クリストフ,ブラント ラース,Thomas Niklos,二クロス トーマス. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2012-03-29.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US7947337B2. Автор: Thomas Kuepper,Lars Bewig,Christoph Moelle,Lars Brandt,Thomas Niklos. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2011-05-24.

Plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: CN1189859A. Автор: 罗恩·范奥斯,威廉·J·德宾,理查德·H·马西森,丹尼斯·C·芬斯克,埃里克·D·罗斯. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1998-08-05.

A plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: WO1997003224A1. Автор: Ron van Os,Richard H. Matthiesen,William J. Durbin,Dennis C. Fenske,Eric D. Ross. Владелец: Watkins Johnson Company. Дата публикации: 1997-01-30.

A plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: EP0839217A1. Автор: Ron van Os,Richard H. Matthiesen,William J. Durbin,Dennis C. Fenske,Eric D. Ross. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1998-05-06.

Metal-silicide deposition using plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB2148946B. Автор: Richard Stephen Rosler,George Martin Engle. Владелец: Advanced Semiconductor Materials America Inc. Дата публикации: 1986-02-26.

Plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: TW283250B. Автор: Richard H Matthiesen,Eric D Ross,Os Ron Van,William J Durbin,Dennis C Fenske. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1996-08-11.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Process for direct deposition of graphene or graphene oxide onto a substrate of interest

Номер патента: EP4426876A1. Автор: MUSTAPHA Jouiad,Michael Lejeune,Mimoun EL MARSSI. Владелец: UNIVERSITE DE PICARDIE JULES VERNE. Дата публикации: 2024-09-11.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6705246B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6395128B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6235646B1. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-22.

Organic opto-electronic component i.e. organic LED, manufacturing method, involves applying barrier layers on organic functional layer by plasma enhanced atomic layer deposition and by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: DE102008019900A1. Автор: Christian Schmid,Tilman Dr. Schlenker,Heribert Dr. Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-08-06.

Method and system for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200932068A. Автор: Chun Wah FAN. Владелец: Dongguan Anwell Digital Machinery Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Process for direct deposition of graphene or graphene oxide onto a substrate of interest

Номер патента: CA3235547A1. Автор: MUSTAPHA Jouiad,Michael Lejeune,Mimoun EL MARSSI. Владелец: UNIVERSITE DE PICARDIE JULES VERNE. Дата публикации: 2023-05-11.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200400417A. Автор: Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF POLYMER COATINGS

Номер патента: US20150291830A1. Автор: Hill Alexander,Storey Daniel,Galbreath Herbert Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160372715A1. Автор: SEO JUNGHAN,HUR SUNGMIN,LEE Hyungjong,Ku Gyoseung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for optimizing uniformity of polycrystalline PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating

Номер патента: CN112760614B. Автор: 张伟,王菲,王路路,贾慧君,李文敏,聂文君. Владелец: Jinneng Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for reducing TMA consumption of PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) machine

Номер патента: CN108470800B. Автор: 彭平,陈庆发,李鹏云,夏中高,陈伟兵,李旭杰,马岳辉,梁红菲. Владелец: Pingmei Longji New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US10006120B2. Автор: Junghan Seo,Sungmin Hur,Gyoseung Ku,Hyungjong LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Mono anti-reflection silicon nitride layer for use on switching circuits with e.g. photodiodes, by single-step plasma enhanced chemical vapor deposition method, is designed as protective layer against data degradation of elements

Номер патента: DE102009012546A1. Автор: Uwe Eckoldt,Dietrich Peters,Rüdiger Vehlgut. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

RF powered plasma enhanced chemical vapour deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: EP1764822A3. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Materials grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB202008726D0. Автор: . Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2020-07-22.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: WO2006057706A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: EP1815043A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-08.

Catalyst-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024137050A1. Автор: Robert Clark,Tadahiro Ishizaka,Hiroaki Niimi,Kai-Hung YU. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring

Номер патента: US5328722A. Автор: Steve Ghanayem,Virendra Rana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-07-12.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof

Номер патента: US09476121B2. Автор: Chul Soo Byun,Man Cheol Han. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: US11987878B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US6903462B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US20090039517A1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US20240096631A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Low-pressure deposition of ruthenium and rhenium metal layers from metal-carbonyl precursors

Номер патента: WO2006038954A1. Автор: Kenji Suzuki,Sandra G. Malhotra,Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Emmanuel Guidotti,Fenton R. McFeely,Gert J. Leusink,Enrico Mosca. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-04-13.

Physical vapor deposition of low-stress nitrogen-doped tungsten films

Номер патента: US09938616B2. Автор: Michael Ng,Michael Rumer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Deposition of tungsten films from mixtures of tungsten hexafluoride organohydrosilanes and hydrogen

Номер патента: US5433975A. Автор: David A. Roberts,Diwakar Garg,Arthur K. Hochberg,Andre Lagendijk,Stephen M. Fine. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1995-07-18.

Deposition of tungsten films from mixtures of tungsten¹hexafluoride, organohydrosilanes and hydrogen

Номер патента: IE914016A1. Автор: . Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 1992-05-20.

Catalyst-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240213093A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Robert D. Clark,Kai-Hung YU,Hiroak Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition chamber

Номер патента: CA1209330A. Автор: James D. Parsons. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapor deposition (AP-CVD)

Номер патента: US11624114B2. Автор: Patricio HÄBERLE TAPIA,Christian ORELLANA GÓMEZ. Владелец: Universidad Tecnica Federico Santa Maria USM. Дата публикации: 2023-04-11.

Wafer carrier for metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP3907308A1. Автор: Yuxi Wan,Zetao PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

A PROCESS FOR IN-SITU DEPOSITION OF A Ti/TiN/Ti ALUMINUM UNDERLAYER

Номер патента: WO1996026537A1. Автор: Paul R. Besser,Khanh Q. Tran. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-08-29.

Method for changing physical vapor deposition film form

Номер патента: US20100022101A1. Автор: Yi-Hao Ting. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Chemical vapor deposition coating, article, and method

Номер патента: US09777368B2. Автор: David A. Smith,James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: US5298452A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09825210B2. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09544998B1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09508613B2. Автор: Jin-Woo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Chemical vapor deposition of perovskite thin films

Номер патента: US20190074439A1. Автор: Xiao Chen,Parag Banerjee,Peifu Cheng,Yoon Myung. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2019-03-07.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Etching of III-V semiconductor materials with H2 S in the preparation of heterodiodes to facilitate the deposition of cadmium sulfide

Номер патента: US4039357A. Автор: Sigurd Wagner,Ernest Buehler,Klaus Jurgen Bachmann,Manfred Hermann Bettini,Joseph Leo Shay. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: US20160329456A1. Автор: Moon Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: WO2016182824A1. Автор: Moon Chun. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: MY170105A. Автор: Russell Weldon Black,Christopher Rathweg,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol,Edwin Jackson Little,Brian Robert Murphy. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-07-05.

Vapor Deposition Apparatus and Process for Continuous Indirect Deposition of a Thin Film Layer on a Substrate

Номер патента: US20130122630A1. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: US09412892B2. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Process-specific wafer carrier correction to improve thermal uniformity in chemical vapor deposition systems and processes

Номер патента: US20170053049A1. Автор: Sandeep Krishnan,Lukas Urban. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation

Номер патента: US11846024B2. Автор: Hongping Zhao,Yuxuan ZHANG,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

Cleaning apparatus of a high density plasma chemical vapor deposition chamber and cleaning thereof

Номер патента: US20050211279A1. Автор: Sung Hwang,Kyoung Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Chemical vapor deposition method for fabricating two-dimensional materials

Номер патента: EP3443138A1. Автор: Nigel Pickett,Ombretta Masala,Nicky Prabhudas SAVJANI. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emittng material

Номер патента: US20190355938A1. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Номер патента: US09786671B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-10.

Tantalum-containing film forming compositions and vapor deposition of tantalum-containing films

Номер патента: US09748249B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-29.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691771B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691770B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for evaluating strain of crystalline devices

Номер патента: US09581506B1. Автор: Jie Zhu,Binghai Liu,Jeffrey Lam,Si Ping Zhao,Eddie Er. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: AU2011201680A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Chemical vapor condensation deposition of photoresist films

Номер патента: WO2022177704A1. Автор: Kelvin Chan,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method

Номер патента: US09893283B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vapor deposition method for producing an organic EL panel

Номер патента: US09947904B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for stretching vapor deposition mask, method for producing frame-equipped vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching apparatus

Номер патента: US09705083B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09458532B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09614155B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Yoshiyuki Isomura,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Scan vapor deposition metal mask, vapor deposition device, vapor deposition method, and electroluminescence display device

Номер патента: US20190071762A1. Автор: Satoshi Inoue,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Manabu Niboshi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Multiple-surface imposition vapor deposition mask

Номер патента: US09548453B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for producing multiple-surface imposition vapor deposition mask, multiple-surface imposition vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09343679B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Vapor deposition device

Номер патента: US09315893B2. Автор: Chunyun Huang. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emitting material

Номер патента: US10553834B2. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device

Номер патента: US20190106781A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: US20210189146A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-06-24.

Passivation against vapor deposition

Номер патента: US20210115559A1. Автор: Varun Sharma,Eva E. Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20220220600A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Kozo Yano,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases

Номер патента: US3969163A. Автор: Gene Felix Wakefield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-07-13.

Method of measuring degree of crystallinity of polycrystalline silicon substrate, method of fabricating organic light emitting display using the same, and organic light emitting display fabricated using the same

Номер патента: EP1906173A3. Автор: Hong-Ro c/o Samsung SDI Co. Ltd. Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-05.

Microwave CVD method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: EP1252822A2. Автор: Masatsugu Izu,Buddie Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Vacuum deposition of coating materials on powders

Номер патента: WO2006083725A3. Автор: John A Carlotto. Владелец: John A Carlotto. Дата публикации: 2007-09-27.

Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: WO1996032846A1. Автор: Masatsugu Izu,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-10-24.

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Structurally-Complex Substrates

Номер патента: US20230420219A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area

Номер патента: US09637838B2. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Matthew Lee Markham,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US6412437B1. Автор: Sujit Sharan,Craig M. Carpenter,Philip H. Campbell,Allen P. Mardian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for plasma-enhanced chemical vapor deposition and apparatus for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US7833587B2. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Akira Yamada,Kenji Tagashira,Hiroshi Mashima,Keisuke Kawamura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: US09406487B2. Автор: William A. Meredith, Jr.,Patrick Lawrence Morse,Daniel Theodore CROWLEY,John Robert GERMAN,Michelle Lynn Neal. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein

Номер патента: US5433786A. Автор: Ing-Feng Hu,James C. Tou. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-07-18.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150002021A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140216343A1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Plasma Source And Methods For Depositing Thin Film Coatings Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: CN104498898A. Автор: P·马诗威茨. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2015-04-08.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: PH12015500542B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2015-10-12.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101602517B1. Автор: 피터 마슈비츠. Владелец: 에이쥐씨 글래스 유럽. Дата публикации: 2016-03-10.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: PH12015500540B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2015-10-12.

Plasma source and method for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition and method thereof

Номер патента: EP2316252B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW201012308A. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition for structurally- complex substrates

Номер патента: WO2024006229A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Austin Lo. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US11898244B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

RIBBON BEAM PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM FOR ANISOTROPIC DEPOSITION OF THIN FILMS

Номер патента: US20210189566A1. Автор: Hautala John,Kurunczi Peter F.,Ma Tristan Y.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-24.

AUXILIARY DEVICE FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) REACTION CHAMBER AND FILM DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20180073145A1. Автор: CHANG Yu-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

DIRECTING PLASMA DISTRIBUTION IN PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140272193A1. Автор: Chen Chia-Ho,Lin Bo-Hung,Lin Hsiang-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2014-09-18.

APPARATUS FOR SUPPRESSING PARASITIC PLASMA IN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER

Номер патента: US20190378696A1. Автор: Hammond,Addepalli Sai Susmita,PRABHAKAR Vinay K.,Rocha Juan Carlos,IV Edward P.,PANAVALAPPIL KUMARANKUTTY Hanish Kumar,Kulkarni Mayur Govind,KATAMBLI Satish. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method of plasma enhanced chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO2000048435A9. Автор: Yonhua Tzeng. Владелец: Univ Auburn. Дата публикации: 2002-01-10.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE

Номер патента: US20150214010A1. Автор: Lee Man Ho,HONG Charlie. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

System for low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2006000846A1. Автор: Hans Von Kaenel,Reinhard Haid. Владелец: Epispeed S.A.. Дата публикации: 2006-01-05.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI498936B. Автор: Charlie Hong,Man Ho Lee. Владелец: Charlie Hong. Дата публикации: 2015-09-01.

Apparatus for coating optical glasses by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: DE102004030344B4. Автор: Lothar Holz,Dr. Neuffer Andreas. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: EP3270406B1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-11.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING LITHIUM-BASED FILM BY USING THE SAME

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Lim Sungjin,Kim Yongsung,LEE Changseung,LEE Jooho,SONG Sanghoon,YANG Wooyoung,HWANG Junsik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

MAGNET ARRAY FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20170040140A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20160097118A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.,Tong Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) SOURCE

Номер патента: US20140184073A1. Автор: JR. William A.,MEREDITH,Crowley Daniel Theodore,Morse Patrick Lawrence,German John Robert,Neal Michelle Lynn. Владелец: SPUTTERING COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION EQUIPMENT

Номер патента: US20190211452A1. Автор: Kim Ji Hoon,WU Qingyou. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

TEMPERATURE SENSOR FOR END POINT DETECTION DURING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER CLEAN

Номер патента: US20210292894A1. Автор: JOSHI HIMANSHU,CHOI Soo Young,PARK Beom Soo,CHOI Young-Jin,Peng Fei,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

PROCESS FOR PREPARING CONTACT LENS WITH FILM BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Lin Wen-Pin,WANG Meng-Jiy. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

COIL FILAMENT FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SOURCE

Номер патента: US20170365448A1. Автор: Ma Xiaoding,Fan Zhaohui,Ata Romulo,Tanaka Samuel,Platt Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: CN105008585A. Автор: D.T.克罗利,P.L.摩斯,W.A.小梅雷迪思,J.R.格尔曼,M.L.尼亚尔. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR101552726B1. Автор: 이승윤,안세원,황두섭. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2015-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR100448718B1. Автор: 이종구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposition(pecvd) source

Номер патента: KR20150102020A. Автор: 패트릭 로렌스 모르스,다니엘 테오도르 크라울리,주니어 윌리암 에이. 메레디스,존 로버트 저먼,미쉘 린 닐. Владелец: 스퍼터링 컴포넌츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-09-04.

System, method and apparatus for filament and support used in plasma-enhanced chemical vapor deposition for reducing carbon voids on media disks in disk drives

Номер патента: US8028653B2. Автор: Eric Hwang,Jinliu Wang,Richard Longstreth White. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-10-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: TWM490189U. Автор: Patrick Lawrence Morse,Daniel Theodore CROWLEY,John Robert GERMAN,William A Meredith,Michelle Lynn Neal. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994A1. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US6289842B1. Автор: Gary Steven Tompa. Владелец: Structured Materials Industries Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of forming coating using plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: TWI578854B. Автор: 彼得 馬斯克維茲. Владелец: Ａｇｃ北美平面玻璃公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for simultaneous multi-sided coating of optical thin film designs using dual-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: JP2002515941A. Автор: ルドヴィック マルティヌ,ジョランタ イー クレンベルグ―サピーハ,ナンシー リー シュルツ ヤマサキ,クリストファー ウェイン ラントマン. Владелец: オプティカル コーティング ラボラトリー インコーポレイテッド. Дата публикации: 2002-05-28.

plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: KR101904942B1. Автор: 이장우,김정규,오정근,이광호,신진혁. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2018-10-08.

High frequency plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and method of implementing the same

Номер патента: JP2002504748A. Автор: ガーテ， エス． サンデュ，,スジット シャラン，,ポール スミス，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-02-12.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010092482A3. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Kenneth Scott Alexander Butcher. Дата публикации: 2010-11-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for forming nitride layer usig it

Номер патента: KR100443908B1. Автор: 김경석,김화식,신승목,박홍배,안병호,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-09.

Plasma enhanced chemical vapor deposition technology for large-size processing

Номер патента: US8114484B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Takako Takehara,Tae Kyung Won,Ya-Tang Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100658239B1. Автор: 존 엠. 화이트,수영 최,로버트 아이. 그린. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-12-14.

A device for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN205088301U. Автор: 栗田真一,S·安瓦尔,R·L·蒂纳. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA2553122A1. Автор: Paul H. Mcclelland,Marvin S. Keshner. Владелец: Gen 3 Solar, Inc.. Дата публикации: 2006-03-23.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: WO2014051331A1. Автор: 홍성철,이만호. Владелец: (주)비엠씨. Дата публикации: 2014-04-03.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: NL2031258B1. Автор: Didden Arjen,Kudlacek Pavel. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: WO2023172141A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma enhanced chemical vapor grower

Номер патента: CN107043926A. Автор: 中田博道,佐藤羊治,佐藤贵康,橘和孝. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrode active material grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB202008725D0. Автор: . Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2020-07-22.

Device for performing atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature

Номер патента: US20190259583A1. Автор: Mathieu Gerard,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Kamal Baba,Simon Bulou,Miguel Quesada Gonzalez. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2019-08-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: US09617156B2. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition

Номер патента: US12116281B2. Автор: Jie Xu,Libo GAO,Guowen Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of manufacturing self-healing polymer that can control physical character according to composition using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US11680124B2. Автор: Yujin Lee,SungGap IM,Moon Jin KWAK,Kihoon JEONG,Youson KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-20.

Electrode for vapor deposition and vapor-deposition method using same

Номер патента: US4978556A. Автор: Eduard Pinkahsov. Владелец: Vapor Technologies Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Multiple Chamber System for Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond and Related Materials

Номер патента: US20230392255A1. Автор: William Holber. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Deposition of LiCoO2

Номер патента: US09887414B2. Автор: Hongmei Zhang,R. Ernest Demaray. Владелец: Demaray LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: WO2021250499A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: EP4143363A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Method for high volume manufacture of electrochemical cells using physical vapor deposition

Номер патента: US09303315B2. Автор: Chia-Wei Wang,Ann Marie Sastry,Fabio Albano. Владелец: Sakti3 Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

System for chemical vapor deposition at ambient temperature using electron cyclotron resonance and method for depositing metal composite film using the same

Номер патента: US20030000827A1. Автор: Byung-Won Cho,Joong-Kee Lee,Dal-Keun Park,Joo-Man Woo,Bup-Ju Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2003-01-02.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Gachemical vapor deposition apparatus with cleaning gas flow guiding member

Номер патента: US20230098570A1. Автор: Tung-Ching Tseng,Tsung-Lin Lee,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Chih-Hung Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Conductive flakes by sputtering and vapor deposition

Номер патента: WO2004070733A2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Laboratories Of Arizona, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

In situ and tunable deposition of a film

Номер патента: US20230374654A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang,Jen-Hao Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: EP4441059A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-09.

Physical vapor deposition chamber with capacitive tuning at wafer support

Номер патента: US09593411B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Karl M. Brown,Ying Rui,John Pipitone. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods for depositing amorphous silicon layers or silicon oxycarbide layers via physical vapor deposition

Номер патента: US20180142343A1. Автор: Yong Cao,Huixiong Dai,Khoi Phan,Xianmin Tang,Christopher Ngai,Rongjun Wang,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Co-deposition of conductive material at the diffusion media/plate interface

Номер патента: US09653737B2. Автор: Thomas A. Trabold,Chunxin Ji,Paul D. Nicotera. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Lamp with particles coated by vapor deposition

Номер патента: US20030057824A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Physical vapor deposition tile arrangement and physical vapor deposition arrangement

Номер патента: US20150114824A1. Автор: Klaus Schneider,Christoph Kaiser,Bernd Teichert,Michael Rivkin,George Arthur Proulx. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition

Номер патента: US7754106B2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Labs Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Bulk nanofabrication with single atomic plane precision via atomic-level sculpting of crystalline oxides

Номер патента: US20180066376A1. Автор: Qian He,Stephen Jesse,Sergei V. Kalinin,Albina Y. Borisevich,Andrew R. Lupini,Raymond R. UNOCIC. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2018-03-08.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Electrical insulator for a plasma enhanced chemical vapor processor

Номер патента: US4761301A. Автор: Charles E. Ellenberger,Hayden K. Piper. Владелец: Pacific Western Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, and manufacturing method of nano-structured particles

Номер патента: KR100779082B1. Автор: 정우석,백문철,유용구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CARBON-BASED COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20200017960A1. Автор: Tudhope Andrew,Gennaro Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of barrier coatings

Номер патента: CA2709717A1. Автор: Shahid Pirzada,Paul Mcclelland,Erik Vaaler,Marvin Keshner. Владелец: Marvin Keshner. Дата публикации: 2009-07-02.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11956884B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20220377871A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2022-11-24.

Vapor deposition method and vapor deposition container

Номер патента: US20240110274A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Mitsuru Iwata,Yasunori Yonekuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Rapid thermal chemical vapor deposition procedure for a self aligned, polycide contact structure

Номер патента: US5763303A. Автор: Jhon Jhy Liaw,Kuo Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-06-09.

Ion vapor deposition of aluminum on non-metallic materials

Номер патента: US09909207B1. Автор: Timothy Cranford. Владелец: Cametoid Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Chemical vapor deposition process for producing diamond

Номер патента: US11905594B2. Автор: Neil Fox,Hugo DOMINGUEZ ANDRADE,Thomas B SCOTT,Edward JD MAHONEY,Alexander CROOT. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2024-02-20.

Surface-selective deposition of organic thin films

Номер патента: EP1746671A3. Автор: Pierre-Marc Allemand. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-06-02.

Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films

Номер патента: US5015492A. Автор: THIRUMALAI VENKATESAN,Xin D. Wu. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-05-14.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electronic device

Номер патента: EP3822388A1. Автор: Shinichiro Kobayashi,HIROSHI Miyazaki,Hiroshi Fujimoto. Владелец: Fukuoka Industry Science and Technology Foundation. Дата публикации: 2021-05-19.

Manufacturing method for vapor deposition mask device and manufacturing apparatus for vapor deposition mask device

Номер патента: US12128500B2. Автор: Hideyuki Okamoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Vacuum vapor deposition method

Номер патента: US09863034B2. Автор: Yuji Yanagi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, plasma enhanced chemical vapor deposition chamber and gas distribution showerhead assembly

Номер патента: KR101019766B1. Автор: 존 엠. 화이트,수영 최,로빈 엘. 티너,범수 박,에른스트 켈러,지리 쿠쎄라,마이클 스타. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-03-08.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20200048769A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190093227A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11111584B2. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-07.

Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials

Номер патента: US8920361B2. Автор: Tsung-Chan TSAI,David Staack. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2014-12-30.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003223582A1. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

Multi-parameter optimization method for PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating process based on LSTM (localized surface plasmon resonance) and NSGA-II (non-uniform gas chromatography-tandem chemical vapor deposition)

Номер патента: CN114525497A. Автор: 陈志立,梁帅,司文,杜广煜,李全伟,刘宇泰. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2022-05-24.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024220210A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240352584A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of coating surfaces using initiated plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09884341B2. Автор: Karen K. Gleason,Anna M. Coclite. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-02-06.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150004330A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140220361A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

METHOD OF DEPOSITION OF HIGHLY SCRATCH-RESISTANT DIAMOND FILMS ONTO GLASS SUBSTRATES BY USE OF A PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150159268A1. Автор: CIRALDO John P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Method of deposition of highly scratch-resistant diamond films onto glass substrates by use of a plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2015088681A1. Автор: John P. CIRALDO. Владелец: RUBICON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

REMOTE PLASMA GENERATOR OF REMOTE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) SYSTEM

Номер патента: US20180073147A1. Автор: CHANG Yu-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Plasma Treatment and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition onto Temperature Sensitive Biological Materials

Номер патента: US20150079300A1. Автор: Tsai Tsung-Chan,STAACK DAVID. Владелец: The Texas A&M University System. Дата публикации: 2015-03-19.

Double-sided plasma enhanced chemical vapor deposition structure and deposition device

Номер патента: CN112831772B. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-14.

Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials

Номер патента: US9381056B2. Автор: Tsung-Chan TSAI,David Staack. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2016-07-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200420749A. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-10-16.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003223582A8. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF POLYMER COATINGS

Номер патента: US20140141221A1. Автор: Storey Daniel,Chrysostomou Demetrius,Galbreath Vincent,Hill Alex,McPhail Daniel. Владелец: Liquipel, LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIELECTRIC/POLYMER COATINGS

Номер патента: US20140141674A1. Автор: Hill Alexander,Storey Daniel,Chrysostomou Demetrius,Galbreath Herbert Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CARBON-BASED COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20220170157A1. Автор: Tudhope Andrew,Gennaro Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Process for plasma-enhanced chemical vapor deposition of anti-fog and anti-scratch coatings onto various substrates

Номер патента: AU1508695A. Автор: Eugene S. Lopata,John S. Nakanishi. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1995-10-26.

Process for plasma-enhanced chemical vapor deposition of anti-fog and anti-scratch coatings onto various substrates

Номер патента: AU678681B2. Автор: Eugene S. Lopata,John S. Nakanishi. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1997-06-05.

MIGRATION AND PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140037865A1. Автор: Butcher Kenneth Scott Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20170002468A1. Автор: Kim Min Soo,JUNG Suk Won,JOO Hyun Woo,HUH Myung Soo,Lee Byeong Chun,CHOI Jai Hyuk,PARK Won Woong,KEY Sung Hun. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING SYSTEM

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Nagy Attila,Zambov Ludmil,Lawrence Benjamin,Pulsipher Daniel,Chaubey Pravin,Winterroth John. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Self-leveling plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN115233192B. Автор: 戴建波,陆北源. Владелец: Advanced Materials Technology and Engineering Inc. Дата публикации: 2023-02-03.

Plasma enhanced chemical vapor deposition unit

Номер патента: CN107675144A. Автор: 张佳纯. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Novel silicon precursors to make ultra low-k films with high mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI388687B. Автор: Kang Sub Yim,Alexandros T Demos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-03-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus capable of supplying process gas using multichannel

Номер патента: KR101121202B1. Автор: 김형준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2012-03-23.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101732712B1. Автор: 이승훈,김병준,정성훈,김도근. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2017-05-04.

Multi-wall plastic sheet having an internal plasma-enhanced chemical vapor deposition coating and process for manufacturing the same

Номер патента: TW200801231A. Автор: Aaron M Gabelnick,Paul D M Haemhouts. Владелец: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-01-01.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20140014038A1. Автор: Shin Jinhyouk,Lee MoonKap,Oh Junggeun,Kim Jeonggyu,LEE JANGWOO,Lee Kwangho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

PROCESS GAS FLOW GUIDES FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20140030056A1. Автор: PARK Beom Soo,Cui Yi,LEE Dongsuh,STERLING William N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20150024147A1. Автор: Lee Jung-Sik,Heo Myung-Su,Jung Seok-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD AND SYSTEM FOR GROWTH OF GRAPHENE NANOSTRIPES BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200048769A1. Автор: YEH Nai-Chang,Hsu Chen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

METHOD AND SYSTEM FOR GROWTH OF GRAPHENE NANOSTRIPES BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190093227A1. Автор: YEH Nai-Chang,Hsu Chen-Chih. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION OF GRAPHENE BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20160102402A1. Автор: Bedworth Peter V.,SINTON Steven W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

GAS DIFFUSION SHOWER HEAD DESIGN FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140230730A1. Автор: CHOI Soo Young,WHITE John M.,GREENE Robert I.. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION OF GRAPHENE BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Bedworth Peter V.,SINTON Steven W.. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PE-CVD) APPARATUS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160281225A1. Автор: Lee Jang-hee,Hong Jongwon,Kim Minjong,YOON Jung-soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Biodegradable stent using plasma enhanced chemical vapor deposition and its manufacturing method

Номер патента: KR102191557B1. Автор: 심재원,김재운,심우신,임경섭,김자운. Владелец: 심재원. Дата публикации: 2020-12-15.

Massive synthesis of highly purified carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition.

Номер патента: KR19990073590A. Автор: 이철진. Владелец: 이철진. Дата публикации: 1999-10-05.

Device for Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: KR101002327B1. Автор: 김성훈,문성호. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-12-17.

Apparatus for performing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PCVD) process and method for manufacturing an optical fiber

Номер патента: JP5164137B2. Автор: ヨハンネス・アントーン・ハルトサイカー,マルコ・コルステン,マテーウス・ヤコブス・ニコラース・フアン・ストラーレン,ロブ・フーベルトウス・マテウス・デツケルス. Владелец: ドラカ・コムテツク・ベー・ベー. Дата публикации: 2013-03-13.

Method for improving adhesion of PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) fluorocarbon coating on gold surface

Номер патента: CN114703465A. Автор: 陈军,倪海鹰,周天楠. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-07-05.

Exposed metal protection liquid and protection method in PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) process

Номер патента: CN111910165A. Автор: 吴敏,王志彬,潘宇,陆剑峰,马聚沙,雷刚,沈一,沈静曼,姜德鹏. Владелец: Shanghai Institute of Space Power Sources. Дата публикации: 2020-11-10.

A kind of method of plasma enhanced chemical vapor deposition growth graphene

Номер патента: CN106756870B. Автор: 张振宇,王博,郭东明,杜岳峰,郭梁超. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2019-04-23.

Manufacturing method for tio2 film on fine particles by using plasma enhanced chemical vapor deposition(pecvd) in a circulating fluidized bed(cfb) reactor

Номер патента: KR100772493B1. Автор: 박성희,김상돈,김국희. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2007-11-01.

Producing bactericidal layer on base body made of titanium/titanium based alloy, comprises forming silver-containing silicon oxide layer on base body by plasma enhanced chemical vapor deposition method under atmospheric pressure conditions

Номер патента: DE102012210807A1. Автор: Andreas Pfuch,Jürgen Schmidt,Oliver Beier,Christian Schrader,Louis Friedrich,Dr. Horn Kerstin. Владелец: Innovent eV Technologieentwicklung. Дата публикации: 2014-01-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparutus

Номер патента: KR20050116230A. Автор: 서풍부,황하용. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-12.

Monocrystalline silicon battery PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating process

Номер патента: CN115838915A. Автор: 欧文凯,董思敏,向亮睿. Владелец: Pule New Energy Technology Taixing Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Plastic substrate coating method for manufacture of display plates or lenses involves plasma enhanced chemical vapor deposition application of an intermediate layer onto a substrate before application of functional layers

Номер патента: DE20122625U1. Автор: . Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2006-09-14.

Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN201560236U. Автор: 左凯峰,季徐华,王根江. Владелец: Wuxi Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CA2060917A1. Автор: Joseph Countrywood,Milam Pender. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1992-09-13.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101264695B1. Автор: 안상언. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-05-16.

Remediation device of plate type PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating anomalies

Номер патента: CN105895551A. Автор: 沈凯锋. Владелец: BRIGHT SOLAR ENERGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN112030144A. Автор: 钱锋,姚飞,王小东,陈进福,廖运华,梁锦东. Владелец: Dongguan Plasma Electronic Equipment Co ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Preparation method of plasma enhanced chemical vapor deposition metal film

Номер патента: CN110396675B. Автор: 邵涛,章程,刘泽慧,黄邦斗. Владелец: Institute of Electrical Engineering of CAS. Дата публикации: 2021-12-31.

The chamber structure of plasma enhanced chemical vapor deposition and equipment with it

Номер патента: CN110042369A. Автор: 李伟,陈政,孟慧文. Владелец: Yungu Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Process gas flow guides for large area plasma enhanced chemical vapor deposition systems and methods

Номер патента: WO2014018480A1. Автор: Yi Cui,Beom Soo Park,Dongsuh Lee,William N. Sterling. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Shadow frame for plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR101037189B1. Автор: 김형준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2011-05-26.

method for coating precious metal by using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100996159B1. Автор: 이충훈. Владелец: 이충훈. Дата публикации: 2010-11-23.

Serial-type equipment for manufacture of double-faced heterojunction solar cell in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method and process

Номер патента: CN103094403A. Автор: 李红波,王凌云,郭群超,张滢清,张愿成,柳琴. Владелец: Shanghai Solar Energy Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Cluster-type device for preparing double-sided heterojunction solar battery by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method

Номер патента: CN202308007U. Автор: 李红波,王凌云,郭群超,张滢清,张愿成,柳琴. Владелец: Shanghai Solar Energy Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition wafer holding fixture

Номер патента: EP0377708A4. Автор: George M. Engle. Владелец: Stackpole Corp. Дата публикации: 1991-05-22.

Method for making antireflection film by using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN103614703A. Автор: 李云峰,仇展炜,韩玮智,牛新伟. Владелец: Zhejiang Chint Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013130380A1. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-09-06.

Method of cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090056743A1. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Liwei Li,Beom Soo Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2004094693A3. Автор: Soo Young Choi,Quanyuan Shang,Li Hou,Robert I Greene. Владелец: Robert I Greene. Дата публикации: 2005-02-10.

Multilayer coatings by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2006036461A1. Автор: Aaron M. Gabelnick,Christina A. Lambert. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Particle trap / filter for recirculating a dilution gas in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2008036849A2. Автор: John M. White. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for judging inner leakage and outer leakage of tubular PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) furnace tube

Номер патента: CN112323047A. Автор: 郭鹏,秦鹏,杨飞飞,王玉,张云鹏,赵科巍. Владелец: Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR20120077546A. Автор: 박정호,김지훈,문종원,이종철. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-07-10.

Production of porous silicon oxide film useful as antireflection coating on glass or transparent plastics, involves using self-shading or atoms and molecules in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: DE19912737A1. Автор: Henning Nagel,Axel Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-21.

Vacuum exhaust system of five-tube PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN108118310B. Автор: 王锦. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: EP1144132A1. Автор: John D. Affinito. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Abrasion Resistant Coatings by Plasma Enhanced Chemical Vapor Diposition

Номер патента: US20070264508A1. Автор: John Warakomski,Aaron Gabelnick,Christina Lambert,Ludo Aerts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Plasma enhanced chemical vapour deposition of a layer

Номер патента: GB9608565D0. Автор: . Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Densification method of porous materials by plasma enhanced chemical vapor infiltration

Номер патента: JP2825783B2. Автор: カムルシュウォー・ウパディヒャ,ウェスリー・ピー・ホフマン. Владелец: HYUUZU MISAIRU SHISUTEMUZU CO. Дата публикации: 1998-11-18.

Densification of porous articles by plasma enhanced chemical vapor infiltration

Номер патента: EP0719746B1. Автор: Wesley P. Hoffman,Kamleshwar Upadhya. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-10-20.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: US20040009306A1. Автор: Peter Martin,Paul Burrows,John Affinito,Mark Gross,Linda Sapochak,Gordon Graff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: TW458811B. Автор: John D Affinito. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2001-10-11.

Deposition of graphene layers by means of plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: EP3312137B1. Автор: Roberto MUÑOZ GÓMEZ,María del Mar GARCÍA HERNÁNDEZ,Cristina GÓMEZ-ALEIXANDRE FERNÁNDEZ. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2021-02-24.

Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Номер патента: US6207239B1. Автор: John D. Affinito. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Номер патента: US6544600B2. Автор: John D. Affinito,Gordon L. Graff,Mark E. Gross. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds

Номер патента: CN1272142A. Автор: J·D·阿菲尼托. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2000-11-01.

Method and apparatus for coating a workpiece by means of a plasma enhanced chemical reaction

Номер патента: TW201000669A. Автор: Tobias Vogt,John Fahlteich,Matthias Fahland,Waldemar Schoenberger,Steffen Guenther,Alexander Schoenberger. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2010-01-01.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Surface aluminising with pre-deposition of platinum and nickel ply

Номер патента: RU2563070C2. Автор: Дени МАНЕСС,Фредерик ЛАГРАНЖ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Vacuum generation process for deposition of biomedical implant materials

Номер патента: US20210402351A1. Автор: Sheng Ma,William Macdonald,Edward M. Willis,Ashley Lutero Abanilla,Mrugesh Shroff,Delroy F. Green. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Selective deposition of diamond

Номер патента: WO2024196395A1. Автор: John P. CIRALDO,Jonathan Levine-Miles,Joshua Blackketter. Владелец: M7D Corporation. Дата публикации: 2024-09-26.

Chemical vapor deposition method, and chemical vapor deposition treatment system and chemical vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US5338363A. Автор: Toshihiko Minami,Yoshinobu Kawata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Deposition of silica coatings on a substrate

Номер патента: EP1663893A1. Автор: Douglas Nelson,Michael P. Remington, Jr.,Thomas Kemmerley. Владелец: Pilkington North America Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: WO2024138229A1. Автор: . Владелец: Great Lakes Crystal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327986A1. Автор: Xueqin Pan,Xiaoliang Jin,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US20240359430A1. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Gas shower device, chemical vapor deposition device and method

Номер патента: US09945031B2. Автор: Yong Jiang,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for deposition of noble metal nanoparticles on catalysts to promote same, and the compositions so produced

Номер патента: US09873110B2. Автор: Yadollah Mortazavi,Abbas Ali Khodadadi,Mohammad Javad Parnian,Ali Taheri Najafabadi. Владелец: Sensiran. Дата публикации: 2018-01-23.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride films using azidosilane sources

Номер патента: US4992306A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate

Номер патента: US6015917A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: US5071677A. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,John L. Margrave,C. Judith Chu. Владелец: Houston Advanced Research Center HARC. Дата публикации: 1991-12-10.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO1992019791A1. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,Judith C. Chu,John L. Margrave. Владелец: Houston Advanced Research Center. Дата публикации: 1992-11-12.

Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Номер патента: WO2012112795A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Deposition of diamond films

Номер патента: US4948629A. Автор: Nigel P. Hacker,George W. Tyndall, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-08-14.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: CA3217114A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022232583A8. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn, Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20240209567A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US09701541B2. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Synthesis of ordered microporous carbons by chemical vapor deposition

Номер патента: US09604194B2. Автор: Cemal Ercan,Minkee Choi,Rashid M. Othman,Yuguo Wang,Seokin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-28.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Process for the elaboration of powders uniformly coated with ultrafine silicon-base particles using chemical vapor decomposition in the presence of core powders

Номер патента: US5298296A. Автор: Jean-Marie Friedt,Masahiko Matsukata,Toshinori Kojima,Eiichi Ozawa. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1994-03-29.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films

Номер патента: US6045877A. Автор: Karen K. Gleason,Michael C. Kwan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-04.

Chemical vapor deposition reactor in polysilicon production process

Номер патента: US20240084480A1. Автор: David Keck,Chad Fero. Владелец: Advanced Material Solutions. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with orientation and growth facets

Номер патента: US5437891A. Автор: Thomas R. Anthony,James F. Fleischer,David E. Slutz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-08-01.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Metal organic chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240167159A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Tool, especially cutting tool and method for the cvd deposition of a two phase layer on a substrate body

Номер патента: CA2524643A1. Автор: Volkmar Sottke,Hartmut Westphal,Hendrikus van den Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1087040A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

Plasma Chemical Vapor Deposition Process

Номер патента: US20230312392A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Deposition metalizing bulk material by chemical vapor

Номер патента: US4606941A. Автор: William C. Jenkin. Владелец: Jenkin William C. Дата публикации: 1986-08-19.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Nozzle for the continuous depositing of a layer of solid material on a substrate

Номер патента: US4361284A. Автор: Reinhard Kalbskopf,Otto Baumberger. Владелец: Societa Italiana Vetro SIV SpA. Дата публикации: 1982-11-30.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4250210A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: International Nickel Co Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Process for chemical vapor deposition of zirconium carbide

Номер патента: US3804664A. Автор: K Iwamoto,K Ikawa,F Kobayashi. Владелец: Japan Atomic Energy Research Institute. Дата публикации: 1974-04-16.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Directed vapor deposition and assembly of polymer micro - and nanostructures

Номер патента: WO2023081751A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN,Tien Hong NGUYEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Novel combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition

Номер патента: US20120177545A1. Автор: Abdulaziz A. Bagabas,Mohammed Abdullah Bahattab,Ibrahim M. Al-Najjar. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-07-12.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: EP4208583A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Fixtures for Chemical Vapor Deposition Gradient Coatings

Номер патента: US20240093359A1. Автор: Sean CLANCY,James Tosh. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Device and methods for chemical vapor deposition

Номер патента: US20230257882A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Chih-Tsung Lee,Kuang-Wei Cheng,Yung-Tsun LIU,Sung-Ju Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: CA3193161A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Sputter deposition of composite film with compositional uniformity

Номер патента: WO2024211129A1. Автор: Terry Bluck. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: US20240287675A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Resin composition for direct vapor deposition, molded articles made by using the same, and surface-metallized lamp housing

Номер патента: US20100159134A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Takahiro Ikebe,Hideyuki Shigemitsu,Keiji Obata. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

METHOD FOR PREPARING THICKNESS-CONTROLLED GRAPHENE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND Cu-Ni THIN FILM LAMINATE CATALYST

Номер патента: KR101999564B1. Автор: 조길원,이효찬,유민석. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2019-07-12.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20040200413A1. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Thermal ink jet with chemical vapor deposited nozzle plate

Номер патента: CA2506728C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods for the photo-initiated chemical vapor deposition (picvd) of coatings and coatings produced by these methods

Номер патента: EP2989229A1. Автор: Christopher Alex DORVAL DION,Jason Robert TAVARES. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2016-03-02.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A3. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: US20240175132A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: US4694778A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same

Номер патента: US9481944B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Ed Lindow,Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4608063A. Автор: Takashi Kurokawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange

Номер патента: US6080241A. Автор: Tingkai Li,Dane C. Scott,Brian Wyckoff. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US7217326B2. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Chemical vapor deposition system cleaner

Номер патента: US5109562A. Автор: John W. Albrecht. Владелец: C V D System Cleaners Corp. Дата публикации: 1992-05-05.

Precursor for chemical vapor deposition and thin film formation process using the same

Номер патента: US20040086643A1. Автор: Hiroki Sato,Kazuhisa Onozawa. Владелец: Asahi Denka Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-06.

Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness

Номер патента: US4992301A. Автор: Masao Mikami,Fumitoshi Toyokawa,Seiichi Shishiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels

Номер патента: US6146461A. Автор: Tae-Chul Kim,Chang-Zip Yang,Jae-Hyuck An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-14.

Chemical vapor deposition apparatus of in-line type

Номер патента: US5288329A. Автор: Kazuyuki Ito,Masanori Hashimoto,Michio Ishikawa,Yoshifumi Ota,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1994-02-22.

Compounds for use as chemical vapor deposition precursors, thermochromic materials light-emitting diodes, and molecular charge-transfer salts and methods of making these compounds

Номер патента: US6103459A. Автор: Bruce Diel. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-08-15.

Chemically vapor deposited saw guides

Номер патента: US5415069A. Автор: Jerry Collins,John Hoover,Al Latham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Deposition of magnesium fluoride films

Номер патента: WO1993002981A1. Автор: Dennis R. Platts. Владелец: Ford Motor Company Limited Of Canada Limited. Дата публикации: 1993-02-18.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US4638762A. Автор: Montri Viriyayuthakorn,Myung K. Kim. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Номер патента: CN101016622A. Автор: 金南珍,金俊洙. Владелец: SFA Engineering Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10480065B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor

Номер патента: US5181964A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US11851763B2. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A2. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-11.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: US20240060178A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: EP4328351A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: WO2013135631A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: MEMC Electronic Materials S.p.A.. Дата публикации: 2013-09-19.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: US20190136033A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-05-09.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US20240076779A1. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for growing halide perovskite nanocrystals through in-situ chemical vapor deposition

Номер патента: US20240035194A1. Автор: Chao FAN,Haiping He,Xingliang DAI. Владелец: Wenzhou Xinxin Taijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2024118468A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: WO2024118472A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: US20240175133A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG153849A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2009-07-29.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: WO2017181108A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for recycling organic ruthenium compound for chemical vapor deposition

Номер патента: US20150087851A1. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-03-26.

Species controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US20170327950A1. Автор: Keith Daniel Humfeld,De'Andre James Cherry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-16.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2825350A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2015-01-21.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: EP3442901A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-02-20.

In-situ heated deposition of parylene to enhance pore penetration into silicone

Номер патента: US09469778B2. Автор: Yu-Chong Tai,Dongyang Kang. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-10-18.

Compositions and methods for oral delivery of crystalline PRX-3140 potassium salt

Номер патента: US11725016B1. Автор: James David Talton,Otto Joseph Geoffroy,Lianhao ZHANG,Mianji Zhang,Daniel Gerard MORGAN. Владелец: Nanopharmaceutics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of crystalline diamond particles obtaining

Номер патента: RU2628617C2. Автор: Александр Яковлевич Вуль,Фёдор Михайлович Шахов,Сергей Викторович Кидалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2017-08-21.

8-cyano-1-cyclopropyl-7-(1s,6s-2,8-diazabicyclo-[4,3,0]-nonane-8-yl)-6- flu oro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid of crystalline modification b and medicinal agent based on thereof eliciting effect against pathogenic microorganisms

Номер патента: RU2248355C2. Автор: Томас Химмлер,Вернер Халленбах,Хуберт РАСТ. Владелец: Байер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2005-03-20.

Composition of toners for fixation by cold pressure on basis of mixtures of crystalline polyester and amorphous organic compound

Номер патента: RU2710594C1. Автор: Гуерино Дж. САКРИПАНТЕ,Кэ ЧЖОУ,Кэнтаро Моримицу,Нань-Син ХУ,Ричард Филип Нельсон ВЕРЕГИН. Владелец: Зирокс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-12-30.

8-cyano-1-cyclopropyl-7-(1s,6s-2,8-diazabicyclo-[4,3,0]-nonane-8-yl)-6- flu oro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid of crystalline modification c and medicinal agent eliciting effect against pathogenic microorganisms

Номер патента: RU2248356C2. Автор: Томас Химмлер,Хуберт РАСТ. Владелец: Байер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2005-03-20.

Piston crank agitation mechanism for physical vapor deposition conformal coatings on powder

Номер патента: US20230143154A1. Автор: Jonathan Lake Priedeman,Gregory Bruce Thompson. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 2023-05-11.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Group 5 cyclopentadienyl transition metal-containing precursors for deposition of group 5 transition metal-containing films

Номер патента: US09518075B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-12-13.

Orthopedic implant having coating of crystalline hydroxyapatite containing gallium and its manufacturing methods

Номер патента: RU2764748C2. Автор: Раджендра КАСИНАТХ,Крэйг ЭРНСБЕРГЕР,Стефани ВАСС,Стивен Н. ДЖАЙНН,Хайбо КЬЮ,Вэйдун ТУН. Владелец: Депуи Синтез Продактс, Инк.. Дата публикации: 2022-01-20.

Dna fragment corresponding to replication start region isolated from plasmid of microorganism bacillus thuringiensis hd73, expression vector of crystalline protein toxin b thuringiensis, method of preparing an exogeneous crystalline protein toxin of b thuringiensis in b thuringiensis cells and an insecticide agent containing b thuringiensis bacteria

Номер патента: RU2114909C1. Автор: Хоуп Геймел Памела,Пиот Жан-Кристоф. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 1998-07-10.

Method of synthesis of crystalline solvate, crystalline solvate of 6-hydroxy-2-(4-hydroxyphenyl)-3-[4-(2-piperidineeth- -oxy)benzoyl]benzo[b]thiophene hydrochloride

Номер патента: RU2108331C1. Автор: Смит Лабелль Элизабет,Дуглас Люк Вейн,Макнейлл Макджилл Джон III,Скот Миллер Рендал. Владелец: Эли Лилли Энд Компани. Дата публикации: 1998-04-10.

Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films

Номер патента: US09790591B2. Автор: Julien Gatineau,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII,Changhee Ko. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of vacuum ion-plasma low-temperature deposition of noncrystalline coating from aluminum oxide

Номер патента: RU2676720C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Пётр Васильевич Третников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of producing high-module zeolite mcm-22 with high degree of crystallinity

Номер патента: RU2740667C1. Автор: Антон Львович Максимов,Эдуард Аветисович Караханов,Вера Александровна Остроумова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2021-01-19.

Method of producing articles by vapor deposition of multiconstituent material

Номер патента: CA1209949A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US11009493B2. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-05-18.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US20190234923A1. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-08-01.

Production of crystalline carbon structure networks

Номер патента: AU2022204309B2. Автор: Daniela Sordi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx IP 3 BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Vapor deposition of LiF thin films

Номер патента: US09909211B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen,Miia Mäntymäki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Orthopedic implant with a coating made of crystalline calcium phosphate and methods for production thereof

Номер патента: RU2766113C2. Автор: Раджендра КАСИНАТХ,Крэйг ЭРНСБЕРГЕР,Стефани ВАСС,Стивен Н. ДЖАЙНН,Хайбо КЬЮ,Вэйдун ТУН. Владелец: Депуи Синтез Продактс, Инк.. Дата публикации: 2022-02-08.

Installation for vacuum deposition of coatings and method for coating substrate

Номер патента: RU2755323C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Тиаго РАБЕЛО НУНЕС КАМПОС,Негар ГИЛАНИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-09-15.

Suspensions of crystalline pyrimidine nucleoside derivatives in capsules

Номер патента: RU2428972C2. Автор: Роберт ВЕСТВУД,Алистер СЕЛКИРК. Владелец: Сайкласел Лимитед. Дата публикации: 2011-09-20.

Molded article of crystalline thermoplastic resin with high gas barrier property and production thereof

Номер патента: CA2064862C. Автор: Tomonori Takahashi,Takashi Ishida,Masato Kimura. Владелец: Nippon Petrochemicals Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Compositions And Methods For Oral Delivery Of Crystalline PRX-3140 Potassium Salt

Номер патента: US20230391791A1. Автор: James David Talton,Otto Joseph Geoffroy,Lianhao ZHANG,Mianji Zhang,Daniel Gerard MORGAN. Владелец: Nanopharmaceutics Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Compositions and methods for oral delivery of crystalline PRX-3140 potassium salt

Номер патента: US11993609B2. Автор: James David Talton,Otto Joseph Geoffroy,Lianhao ZHANG,Mianji Zhang,Daniel Gerard MORGAN. Владелец: Nanopharmaceutics Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for production of crystalline white sugar

Номер патента: RU2763788C1. Автор: Анатолий Анатольевич Славянский,Наталья Николаевна Лебедева,Дарья Петровна Митрошина. Владелец: Дарья Петровна Митрошина. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for preparing drug composition based on increasing active agent affinity of crystalline microparticle surfaces

Номер патента: RU2443414C2. Автор: Кит А. ОБЕРГ. Владелец: Маннкайнд Корпорейшн. Дата публикации: 2012-02-27.

A method for producing a microstructure of crystalline SiC

Номер патента: EP2258655B1. Автор: Christian Vieider,Adolf SCHÖNER. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2012-04-25.

Laminated structure comprising a substrate layer of crystalline propylene resin and heat-sealable layer of propylene random copolymer composition

Номер патента: CA1266817A. Автор: Norio Kashiwa,Masaki Kohyama,Takeshi Muranaka,Kunisuke Fukui. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1990-03-20.

Photochemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA1181719A. Автор: John W. Peters,Frank L. Gebhart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Process for the preparation of drospirenone as a fine powder through a double change of crystalline form

Номер патента: GB2620876A. Автор: LENNA Roberto,Baldrighi Michele. Владелец: Industriale Chimica SRL. Дата публикации: 2024-01-24.

Degree-of-crystallinity measurement apparatus, degree-of-crystallinity measurement method, and information storage medium

Номер патента: US11852597B2. Автор: Hideo Toraya. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Degree-of-crystallinity measurement apparatus, degree-of-crystallinity measurement method, and information storage medium

Номер патента: US20240167969A1. Автор: Hideo Toraya. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Degree-of-crystallinity measurement apparatus, degree-of-crystallinity measurement method, and information storage medium

Номер патента: US20220390392A1. Автор: Hideo Toraya. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Physical vapor deposition target assemblies, and methods of forming physical vapor deposition target assemblies

Номер патента: EP1335994A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-20.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Aqueous dispersions of crystalline polymers and uses

Номер патента: US20010014310A1. Автор: Loc Phan,Steven Bitler,Natarajan Balachander,Ray Stewart,Valentine Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09958425B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US09829805B2. Автор: Timothy W. Weidman,Paul Deaton,Timothy Michaelson,Barry Lee Chin,Majeed Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Vapor-deposited film having barrier performance

Номер патента: US09650191B2. Автор: Shigenobu Yoshida,Koji Yamauchi,Shigeto Kimura,Tooru Hachisuka. Владелец: MITSUBISHI PLASTICS INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Quantum dot—polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09599564B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Pharmaceuticals microencapsulated by vapor deposited polymers and method

Номер патента: US5393533A. Автор: Ronald J. Versic. Владелец: Dodge Ronald T Co. Дата публикации: 1995-02-28.

Molded article of crystalline thermoplastic resin with high gas barrier property and production thereof

Номер патента: US5256491A. Автор: Masato Kimura,Tomonori Takahashi,Takashi Ishida. Владелец: Nippon Petrochemicals Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-26.

Methods for controlling physical vapor deposition metal film adhesion to substrates and surfaces

Номер патента: AU2019217883B2. Автор: Akhil Srinivasan,Yifei Wang. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for the co-evaporation and deposition of materials with differing vapor pressures

Номер патента: US20170356080A1. Автор: Derek D. Hass. Владелец: Directed Vapor Technologies International Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Automated conveyance of articles in chemical vapor processing

Номер патента: US11946141B2. Автор: Michael Anthony Crockett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-02.

A method for the preparation of submicron and/or micron fibers formed by a mixture of crystalline tio2 and v2o5 and the submicron and/ or micron fibers prepared by this method

Номер патента: WO2024037679A1. Автор: Jan Macák,Luděk Hromádko,Roman Bulánek,Veronika Čičmancová,Stanislav SLANG. Владелец: UNIVERZITA PARDUBICE. Дата публикации: 2024-02-22.

Process for the preparation of drospirenone as a fine powder through a double change of crystalline form

Номер патента: WO2022215048A1. Автор: Roberto Lenna,Michele Baldrighi. Владелец: INDUSTRIALE CHIMICA S.R.L.. Дата публикации: 2022-10-13.

Process for the preparation of drospirenone as a fine powder through a double change of crystalline form

Номер патента: US20240199684A1. Автор: Roberto Lenna,Michele Baldrighi. Владелец: Industriale Chimica SRL. Дата публикации: 2024-06-20.

Vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US20110005460A1. Автор: Yuji Yanagi,Tatsuya Hirano,Nobuyuki Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon

Номер патента: US20150185167A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Device for vapor depositing metal

Номер патента: US20210348260A1. Автор: Lixia RUAN,Daoxu LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US20190233930A1. Автор: Jian Xu,Yaoyang Liu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Coating particles in a fluidized bed by vapor deposition

Номер патента: EP1298182A3. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith-A Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of coating particles by vapor deposition

Номер патента: US20030059530A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US8654298B2. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US20110242447A1. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Chromium -free passivation process of vapor deposited aluminum surfaces

Номер патента: EP2539488A1. Автор: John R. Kochilla,Jacob Grant Wiles. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-01-02.

Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material

Номер патента: US09849650B2. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Physical vapor deposition apparatus and physical vapor deposition method

Номер патента: US09447494B2. Автор: Atsushi Yumoto,Fujio Hiroki,Naotake Niwa,Takashisa Yamamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Vapor-deposited film

Номер патента: CA2453596A1. Автор: Noboru Sasaki,Hiroshi Suzuki,Takayuki Nakajima,Takeshi Kanetaka,Miki Oohashi,Ryoji Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Vapor deposition method for depositing a film of fluorine-containing glass on a substrate

Номер патента: US5454847A. Автор: Olivier Perrot,Charles Jacoboni,Brigitte Boulard. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-10-03.

Chemical vapor trap and vacuum drying system including same

Номер патента: US5289641A. Автор: Richard C. Fuksa,John Balamuta. Владелец: Welch Vacuum Technology Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Enlarged powder particles of crystalline polyolefin and method of producing the same

Номер патента: CA1176810A. Автор: Hisaya Sakurai,Hiroshi Hachiya,Koichi Matsumoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 1984-10-30.

Vapor deposition of photoconductive selenium onto a metallic substrate having a molten metal coating as bonding layer

Номер патента: US4094675A. Автор: Hans-Hermann Beschoner,Gottfried Guder,Hartmut Dulken,Karl-Heinz Kassel. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-06-13.

Incense and Chemical Vaporization Method Using Incense

Номер патента: MY195165A. Автор: Kawamori Hideo,Sugiura Masaaki,NISHIGUCHI Taihei. Владелец: Fumakilla Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Apparatus for producing mechanically-worked vapor-deposited bulk alloys

Номер патента: US4245823A. Автор: William N. Mair,Robert L. Bickerdike,Garyth Hughes. Владелец: UK Secretary of State of. Дата публикации: 1981-01-20.

Use of crystalline forms of copper salicylate for the control of phytopathogenic bacteria

Номер патента: US20200281208A1. Автор: Marilena Gusmeroli,Silvia Mormile,Paolo Bellandi,Matteo Vazzola,Christian Badaracco,Riccardo LIGUORI. Владелец: Isagro SpA. Дата публикации: 2020-09-10.

Deposition of iodine-containing carbon films

Номер патента: WO2023114210A1. Автор: Phong Nguyen,Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-06-22.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: US20130084669A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: MY165560A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: EP4355926A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-04-24.

Vapor deposition material

Номер патента: US6143437A. Автор: Yoshitaka Kubota,Satoshi Kondou. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for forming organic thin films

Номер патента: US20030131796A1. Автор: Toshitaka Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Base paper for vapor deposition paper and vapor deposition paper

Номер патента: US20240309588A1. Автор: Yasutomo Noishiki,Yuta SHAMOTO,Miyoko Tanaka,Misaki Wakabayashi. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic device, vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US09650709B2. Автор: Jie Yin,Dejiang Zhao,Jianwei Yu,Haoran GAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for combined removal of viscoelastic from capsule of crystalline lens during phacoemulsification

Номер патента: RU2714161C1. Автор: Алексей Владимирович Васильев,Анна Викторовна Егорова,Лина Бай. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-02-13.

Composition of crystalline molecular sieve mcm-65, method for its synthesis and using

Номер патента: RU2282588C2. Автор: К.Т. Кресдж,Стивен Г. КАСМЕР,Сандип ДИНГРА,К.Т. Кресдж (Us),Стивен Г. КАСМЕР (US),Сандип ДИНГРА (US). Владелец: Эксонмобил Кемикэл Пейтентс Инк.. Дата публикации: 2006-08-27.

Method of substituting heteroatom of crystalline lattice on borosilicate zeolites with large and very large pores

Номер патента: RU2283277C2. Автор: Сонг-Ян ЧЕН,Стейси И. ЗОУНС. Владелец: Шеврон Ю.Эс.Эй. Инк.. Дата публикации: 2006-09-10.

Method of synthesis of crystalline 7-[2-(2- aminothiazole-4-yl) -2-(z)-methoxyiminoacetamido]-3- [(-1-methyl-1- pyrrolidinio) -methyl]- ceph-3-em -4-carboxylate mono- or dihydrate dihydrochloride essentially free from antiisomer and δ2-isomer

Номер патента: RU2042681C1. Автор: М.Ф.Лим Гари,М.Раубай Джон,Энн Гэрофало Элизабет. Владелец: Бристоль Мейерз Сквибб Компани. Дата публикации: 1995-08-27.

Process for the preparation of crystalline nano-particle dispersions

Номер патента: CA2492709C. Автор: Tommy Urban Skantze,Per Lennart Lindfors,Sara Forssen. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2012-01-24.

Synthesis of crystalline ZSM-23

Номер патента: US5332566A. Автор: Ahmad Moini. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Process for producing spherical particles of crystalline polymers

Номер патента: GB2067209A. Автор: . Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1981-07-22.

Synthesis of crystalline ZSM-11 structure

Номер патента: US4941963A. Автор: Ernest W. Valyocsik. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1990-07-17.

Synthesis of crystalline ZSM-23

Номер патента: US5405596A. Автор: Ahmad Moini,Kirk D. Schmitt. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Visualization and enhancement of latent fingerprints using low pressure dye vapor deposition

Номер патента: US8507028B2. Автор: Calvin Thomas Knaggs. Владелец: Linde North America Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Synthesis of crystalline mordenite-type material

Номер патента: US5173282A. Автор: Stuart D. Hellring,Randy F. Striebel. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Synthesis of crystalline silicate ZSM-12

Номер патента: US4585746A. Автор: Ernest W. Valyocsik. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1986-04-29.

Method of phylegmatization of crystalline explosives and other explosive srystalline substances, as well as a method of producing plastic bond explosives and substances produced according to the method

Номер патента: CA1267288A. Автор: Jan-Olof Nyqvist,Per Ericsson,Sigurd Back. Владелец: Nobel Kemi Ab. Дата публикации: 1990-04-03.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Production of crystalline carbon structure networks

Номер патента: US20240117193A1. Автор: Daniela Sordi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx IP 3 BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Production of crystalline carbon structure networks

Номер патента: US11859089B2. Автор: Daniela Sordi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx IP 3 BV. Дата публикации: 2024-01-02.

Measure of the degree of crystallinity of a polymer coating on a metal substrate

Номер патента: CA3116836A1. Автор: Nathalie LABBE,Morgan FERTE. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2020-06-25.

Installation with distribution mask for vapor deposition of a coating on optical articles on a rotary support

Номер патента: US11821072B2. Автор: Vicente ESTEVEZ RODRIGUEZ. Владелец: BNL Eurolens SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Synthesis method of lactide by confinement effect catalysis of crystalline porous polymer material

Номер патента: US11987567B2. Автор: Hui Liu,Yingjie Zhao,Wenqi QIU,Zhenxiu ZHANG,Jinyu ZHAO. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-05-21.

Measure of the degree of crystallinity of a polymer coating on a metal substrate

Номер патента: EP3899499A1. Автор: Nathalie LABBE,Morgan FERTE. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2021-10-27.

Measure of the degree of crystallinity of a polymer coating on a metal substrate

Номер патента: WO2020128687A1. Автор: Nathalie LABBE,Morgan FERTE. Владелец: ArcelorMittal. Дата публикации: 2020-06-25.

Measure of the degree of crystallinity of a polymer coating on a metal substrate

Номер патента: CA3116836C. Автор: Nathalie LABBE,Morgan FERTE. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2023-08-22.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2001268412A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2002-08-19.

A method for improving the consistence of L-L capacitance of the high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDP-CVD) layer

Номер патента: TW408370B. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-10-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor

Номер патента: TWI256864B. Автор: Chien-Pang Lee. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-06-11.

Plasma Treatment and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition onto Temperature Sensitive Biological Materials

Номер патента: US20120259272A1. Автор: Tsai Tsung-Chan,STAACK DAVID. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

TIN OXIDE DEPOSITED BY LINEAR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20130029123A1. Автор: Madocks John E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Planar magnetron ECR (Electron Cyclotron Resonance)-PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) plasma source device

Номер патента: CN203200337U. Автор: 夏世伟,吴长川. Владелец: JOVIS NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for depositing thin film on inner surface of long tube by virtue of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: CN103388129A. Автор: 于宝海,肖金泉,赵彦辉. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2013-11-13.

Reaction chamber for PECVD (plasma enhance chemical vapor deposition) film deposition

Номер патента: CN104805417B. Автор: 刘爽,刘云飞,刘永,钟智勇,周湘,唐海华,王继岷,熊流峰. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-01-25.

LOW TEMPERATURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CONFORMAL SILICON CARBON NITRIDE AND SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130183835A1. Автор: Xia Li-Qun,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Witty Derek R.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

SYSTEMS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND BEVEL EDGE ETCHING

Номер патента: US20120211164A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120260856A1. Автор: . Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition electrode assembly

Номер патента: CN209397262U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-17.

Cleaning device for chip loading box of amorphous silicon solar cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) system

Номер патента: CN201930946U. Автор: 汪洋,郭增良,曹丽冉. Владелец: TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101880867B. Автор: 韦刚. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Magnetic fluid seal transmission device for multi-cavity PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN212080166U. Автор: 张松华,雷世友. Владелец: HANGZHOU BOLIYA PRECISION MACHINERY CO Ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20120164353A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120240856A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Large Area Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20120255492A1. Автор: . Владелец: ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENETGY RESEARCH. Дата публикации: 2012-10-11.

Methods of Coating Surfaces Using Initiated Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130040102A1. Автор: Gleason Karen K.,Coclite Anna M.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-02-14.

Single-Unit Reactor Design for Combined Oxidative, Initiated, and Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130224380A1. Автор: Gleason Karen K.,Barr Miles C.,Bhattacharyya Dhiman. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974739B. Автор: 陈金元,刘传生,马哲国,董家伟,杨飞云. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Discharging component, cavity device and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device of substrate processing device

Номер патента: CN103187235A. Автор: 张彦召. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

A kind of plasma enhanced chemical vapor deposition processing unit

Номер патента: CN204342876U. Автор: 张欣,金懿,丁小弟. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Amorphous-silicon film plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN201801589U. Автор: 刘强,黄振华,李文江,陈五奎,任陈平. Владелец: Shenzhen Topray Solar Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: CN210458364U. Автор: 王家平,霍冬冬. Владелец: Intel Semiconductor Dalian Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Silicon chip carrying mechanism of automatic loading and unloading system of plate type PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) device

Номер патента: CN102530546A. Автор: 陈平,陈世强. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition multi-channel electrode device

Номер патента: CN209397263U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-17.

Silicon wafer transportation mechanism of automatic loading and unloading system of plate type PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) equipment

Номер патента: CN202414765U. Автор: 陈平,陈世强. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974739A. Автор: 陈金元,刘传生,马哲国,董家伟,杨飞云. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Plate type PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) heating carrying plate

Номер патента: CN202688446U. Автор: 林大成,王虎,姚骞,胡嫚. Владелец: Altusvia Energy Taicang Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-23.

Control system for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN103834934A. Автор: 王春柱,何祝兵,苏奇聪. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-06-04.

Device for improving uniformity of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) coating films

Номер патента: CN203049033U. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,姜言森. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-10.

Horizontal plasma enhanced chemical vapor deposition structure

Номер патента: CN214937793U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-30.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974738A. Автор: 陈金元,刘传生. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI411701B. Автор: Gwo Shii Yang,Cheng Yi Yu,Hsiao Ching Lee,Hsuan Jen Chen. Владелец: Archers Inc. Дата публикации: 2013-10-11.

High-frequency vibration coupled micro plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN104195528A. Автор: 郑高峰,郑建毅,庄明凤,杨群峰,陈新敏. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-10.

Mixed heating vacuum resistance furnace applied to tubular PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN210974870U. Автор: 李明,郭艳,肖洁,张春成,成秋云,吴得轶,曹明旺. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

Method for improving performance of plasma enhance chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN102560438A. Автор: 徐强,张文广,郑春生,陈玉文. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition vacuum equipment

Номер патента: CN102534573B. Автор: 马强,刘嘉,张维佳,张冷,孙月峰,吴然嵩. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-23.

Apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW201243096A. Автор: Gwo-Shii Yang,Hsiao-Ching Lee,Cheng-Yi Yu,Hsuan-Jen Chen. Владелец: Archers Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: TW200423231A. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Silicon wafer automatic material charging and discharging system for plate-type PECVD (plasma enhanced chemical vapor device)

Номер патента: CN102437251B. Автор: 陈平,刘晓平,陈世强,陶凌,胡文全. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Device for enhancing uniformity of PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) coating film

Номер патента: CN102943251B. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,姜言森. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Chemical vapor deposition of metal compound coatings utilizing metal sub-halide

Номер патента: CA1224091A. Автор: M. Javid Hakim. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of continuous selective deposition of cover on belt-type base in vacuum

Номер патента: RU2019573C1. Автор: Л.А. Захарова,Л.Д. Харитонова,С.М. Манякин,Р.И. Терешкина. Владелец: Государственный научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт сплавов и обработки цветных металлов. Дата публикации: 1994-09-15.

Masking techniques in chemical vapor deposition

Номер патента: CA1199715A. Автор: Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1986-01-21.

Low Temperature Deposition of Polycrystalline Silicon and Amorphous Silicon Using Silicon Anions

Номер патента: KR970065494A. Автор: 김성인. Владелец: 김성인. Дата публикации: 1997-10-13.

Form c of crystalline m-(trans-4-iso-propyl cyclohexil carbonyl)-b-phenylalanine for type 2 diabetes mellitus therapy and mode of obtaining it

Номер патента: RU2324676C2. Автор: Чандрашекар АСУАТХАНАРАЯНАППА,Том Томас ПУТИАПАРАМПИЛ,Шанмугхасами РАДЖАМАХЕНДРА,Ганеш САМБАСИВАМ,Мадхаван СРИДХАРАН. Владелец: Байокон Лимитид. Дата публикации: 2008-05-20.

Method of laser fragmentation of crystalline lens nucleus

Номер патента: RU2375998C1. Автор: Владимир Алексеевич Старостин. Владелец: Владимир Алексеевич Старостин. Дата публикации: 2009-12-20.

Method for bienergetic fragmentation of nucleus of crystalline lens

Номер патента: RU2544458C1. Автор: Владимир Алексеевич Старостин. Владелец: Владимир Алексеевич Старостин. Дата публикации: 2015-03-20.

Method of intraocular vision correction in case of crystalline lens ectopia of i-ii degree

Номер патента: RU2345741C1. Автор: Олег Борисович Фечин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза". Дата публикации: 2009-02-10.

Apparatus for production of crystalline agents

Номер патента: RU2287354C1. Автор: Сергей Михайлович Чистовалов,Никита Сергеевич Чистовалов. Владелец: Никита Сергеевич Чистовалов. Дата публикации: 2006-11-20.

Method for correcting support apparatus of crystalline lens with intracapsular lens

Номер патента: RU2531926C1. Автор: Мухаррам Мухтарамович Бикбов,Ринат Рустамович Файзрахманов,Рустем Маратович Бикбулатов. Владелец: Государственное бюджетное учреждение "Уфимский научно-исследовательский институт глазных болезней Академии наук Республики Башкортостан". Дата публикации: 2014-10-27.

Method of laser fragmentation of crystalline lens core

Номер патента: RU2423958C1. Автор: Сергей Каренович Вартапетов,Константин Эдуардович Лапшин,Алексей Захарович Обидин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосистемы". Дата публикации: 2011-07-20.

Method for preparation of crystalline potassium titanate

Номер патента: RU2366609C1. Автор: Лидия Григорьевна Панова,Александр Владиленович Гороховский,Игорь Николаевич Бурмистров,Анатолий Иванович Палагин,Владимир Николаевич Олифиренко. Владелец: Александр Владиленович Гороховский. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for prevention of contracture of capsular sac of crystalline lens following intracapsular implantation of intraocular lens

Номер патента: RU2539008C1. Автор: Олег Львович Фабрикантов,Инна Валерьевна Михина. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of crystalline suspension filtration

Номер патента: RU2463096C2. Автор: Нориаки ХАРА,Хатсутаро ЯМАЗАКИ,Хироюки ТОЁШИМА. Владелец: Хитачи Плант Текнолоджиз, Лтд.. Дата публикации: 2012-10-10.

Electrolyte for deposition of copper-base coating

Номер патента: RU2135646C1. Автор: В.В. Поветкин,Р.Р. Муслимов. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 1999-08-27.

Dressing of crystalline quartz of natural deposits

Номер патента: RU2557589C2. Автор: Анатолий Александрович Гончаров,Юрий Дмитриевич Калашников. Владелец: ЭкоЛайв Текнолоджис Лимитед. Дата публикации: 2015-07-27.

Method for ultrasonic diagnosis of quality of crystalline and electric insulating materials and compounds

Номер патента: RU2594626C2. Автор: Виктор Михайлович Тимохин. Владелец: ФГБОУ ВПО "Государственный морской университет имени адмирала Ф.Ф. Ушакова". Дата публикации: 2016-08-20.

Recombinant plasmid dna pbtn 11 determining synthesis of crystalline insecticide delta-endotoxin cry iiia-type, method of its construction and strain of bacterium pseudomonas putida containing recombinant plasmid dna pbtn 11 - a producer of crystalline insecticide delta-endotoxin cry iiia-type showing activity against insects of coleoptera order

Номер патента: RU2103363C1. Автор: А.П. Добрица,О.И. Лосева,В.В. Кочетков,Н.Г. Корецкая,О.Е. Светоч. Владелец: Государственное Федеральное предприятие Государственный научный центр прикладной микробиологии. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of crystalline lens capsule fixation in case of defect of zinn ligaments

Номер патента: RU2484796C2. Автор: Мухаррам Мухтарамович Бикбов,Ринат Рустамович Файзрахманов,Тимур Риксович Гильманшин. Владелец: Государственное бюджетное учреждение "Уфимский научно-исследовательский институт глазных болезней Академии наук Республики Башкортостан" (ГБУ "Уф НИИ ГБ АН РБ"). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of surgical treatment of cataract by method of phacoemulsification in case of failure of crystalline lens ligamentous apparatus

Номер патента: RU2437639C1. Автор: Дмитрий Иванович Иванов,Дмитрий Борисович Бардасов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза". Дата публикации: 2011-12-27.

Method of microinvasive intracapsular extraction of cataract in case of crystalline lens subluxation

Номер патента: RU2458658C1. Автор: Виктор Васильевич Егоров,Юрий Николаевич Дьяченко,Ярослав Владимирович Белоноженко. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2012-08-20.

Method for production of nano- and microstructural powders and/or fibres of crystalline and/or x-ray amorphous silicon

Номер патента: RU2486290C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Олег Николаевич Виноградов-Жабров,Олег Владимирович Чемезов,Илья Моисеевич Поволоцкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of diagnosing first degree subluxation of crystalline lens

Номер патента: RU2547075C1. Автор: Евгений Леонидович Сорокин,Ярослав Владимирович Белоноженко. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-04-10.

Device for analysing perfection of structure of crystalline layers

Номер патента: RU2370758C2. Автор: Игорь Аркадьевич Зельцер,Сергей Александрович Кукушкин,Евгений Николаевич Моос. Владелец: Санкт-Петербургская академия управления и экономики. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of intraocular lens fixation in ciliary furrow and sclera in absence of crystalline lens capsule and instrument for its realisation

Номер патента: RU2471456C1. Автор: Виктор Петрович Фокин,Александр Михайлович Марухненко,Наталья Валентиновна Кадатская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2013-01-10.

Method to determine morphometric ocular properties at subluxation of crystalline lens

Номер патента: RU2092842C1. Автор: Василий Викторович Пятлин,Ольга Валентиновна Светлова,Иван Николаевич Кошиц,Александр Абрамович Крепкович,Андрей Борисович Качанов. Владелец: Андрей Борисович Качанов. Дата публикации: 1997-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.