Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films

Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films

Номер патента: TWI271803B
Опубликовано: 21-01-2007
Автор(ы): Raymond Joe
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: KR101357181B1. Автор: 복헌 김,수드하 라티,디네쉬 파디,광덕 더글라스 이,타카시 모리,요이치 스즈키,마틴 제이 시몬스,신시아 파간가난. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-01-29.

Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: TW201026877A. Автор: Deenesh Padhi,Bok Hoen Kim,Yoichi Suzuki,Takashi Morii,Sudha Rathi,Kwangduk Douglas Lee,Martin Jay Seamons,Cynthia Pagdanganan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-16.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF FILMS FOR IMPROVED VERTICAL ETCH PERFORMANCE IN 3D NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190185996A1. Автор: Kim Bok Hoen,Kim Sang Hyuk,Jha Praket P.,HAN Xinhai,KWON Thomas Jongwan,KO Allen,KIL Byung Ho,KIM Ryeun. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF FILMS FOR IMPROVED VERTICAL ETCH PERFORMANCE IN 3D NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160293609A1. Автор: Kim Bok Hoen,Kim Sang Hyuk,Jha Praket P.,HAN Xinhai,KWON Thomas Jongwan,KO Allen,KIL Byung Ho,KIM Ryeun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3d nand memory devices

Номер патента: KR102456460B1. Автор: 프라켓 피. 자,알렌 코,신하이 한,토마스 종완 권,복헌 김,병호 길,륜관 김,상혁 김. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-19.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices

Номер патента: CN106057636A. Автор: S·H·金,韩新海,R·金,金柏涵,P·P·贾,A·阔,T·J·权,B·H·祁. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Method of plasma enhanced chemical vapour deposition of films

Номер патента: EP0046059B1. Автор: Kanetake Takasaki,Mikio Takagi,Mamoru Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-11-06.

Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films

Номер патента: WO2013109369A1. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20220119953A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma- enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022086708A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: WO2021127470A9. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-08-19.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: EP4078657A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-10-26.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS FOR GRAPHENE DEPOSITION

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Chen Zhihong,Chugh Sunny,Mehta Ruchit. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and devices for graphene formation on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11823895B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin,Nai-Chang Yeh,Chi-Fu Tseng,Chen-Hsuan LU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-21.

Pecvd apparatus for in-situ deposition of film stacks

Номер патента: US20230366094A1. Автор: Dong Niu,Pramod Subramonium,Bart J. van Schravendijk,George Andrew Antonelli,Jennifer L. Petraglia,Joseph L. Womack,Keith Fox,John B. Alexy,Jason Dirk Haverkamp,Patrick G. Breiling,Mandyam A. Sriram. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

TEOS based plasma enhanced chemical vapor deposition process for deposition of silicon dioxide films.

Номер патента: EP0272140A2. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David Nin-Kou Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-06-22.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11854771B2. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240105427A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: US20210217584A1. Автор: Kuyel Birol. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers

Номер патента: KR100878170B1. Автор: 디네마니스리니바스,씨아리-쿤,이에엘리. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-01-12.

FILM STRESS CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200194233A1. Автор: WON Tae Kyung,CHOI Soo Young,KURITA Shinichi,SORENSEN Carl A.,KAO Chien-Teh,LEE Young Dong,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

FILM STRESS CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20210280392A1. Автор: WON Tae Kyung,CHOI Soo Young,KURITA Shinichi,SORENSEN Carl A.,KAO Chien-Teh,LEE Young Dong,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) apparatus and method of operating the same

Номер патента: KR102363241B1. Автор: 윤정수,이장희,홍종원,김민종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-16.

Structure of susceptor inside plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR100750968B1. Автор: 권용철. Владелец: 주식회사 알지비하이텍. Дата публикации: 2007-08-22.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR100989316B1. Автор: 이창경. Владелец: 이창경. Дата публикации: 2010-10-25.

New low dielectric (low k) barrier films with oxygen doping by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: US20060246737A1. Автор: Li-Qun Xia,Chi-I Lang,Peter Lee,Dian Sugiarto,Kang Yim,Melissa Tam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

High density plasma enhanced chemical vapor deposition method

Номер патента: US20010048980A1. Автор: Koji Kishimoto,Kenichi Koyanagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition(pecvd)

Номер патента: KR101221582B1. Автор: 강 섭 임,리후아 리 후앙,프란시말 슈미트,리-콴 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-01-14.

Low dielectric (low k) barrier films with oxygen doping by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: US7465659B2. Автор: Li-Qun Xia,Kang Sub Yim,Chi-I Lang,Dian Sugiarto,Peter Wai-Man Lee,Melissa M. Tam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2020123150A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

Plasma-induced charge damage control for plasma enhanced chemical vapor deposition processes

Номер патента: TW200849342A. Автор: Bok Hoen Kim,Amir Al-Bayati,Mohamad Ayoub,Matthew Spuller,Martin Jay Seamons,Derek R Witty,Saad Hichem M,Wendy H Yeh,Kwangduk-Douglas Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Deposition of thick layers of silicon dioxide

Номер патента: EP4343019A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Deposition of Thick Layers of Silicon Dioxide

Номер патента: US20240096616A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) Process for forming Borophosphosilicate Glass (BPSG) with low flow temperature

Номер патента: EP0624660A1. Автор: William James King,Mark Douglas Bouffard,Cheryl Murphy Martin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Номер патента: US09850573B1. Автор: Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process

Номер патента: US5000113A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Particle reduction in physical vapor deposition of amorphous silicon

Номер патента: WO2024081221A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interactions

Номер патента: KR20210024673A. Автор: 보 공,쩌 구이,매튜 스캇 웨이머,브하드리 엔. 바라다라잔. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-03-05.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Номер патента: US09714466B2. Автор: Satoshi Inoue,Satoshi Hashimoto,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Particle Reduction in Physical Vapor Deposition of Amorphous Silicon

Номер патента: US20240128075A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Toposelective vapor deposition using an inhibitor

Номер патента: US20220181163A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor deposition of molybdenum using a bis(alkyl-arene) molybdenum precursor

Номер патента: EP3740600A1. Автор: Thomas H. Baum,Shuang Meng,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen,JR. Robert WRIGHT. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition methods for graphene deposition

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Zhihong Chen,Sunny Chugh,Ruchit Mehta. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Mono- and Multilayer Silicene Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20190043718A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-02-07.

SINGLE-STEP DIRECT GROWTH OF LARGE-AREA GRAPHENE AND GRAPHENE-BASED NANOSTRUCTURES ON SILICON BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200325574A1. Автор: YEH Nai-Chang,Tseng Wei-Shiuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

GRAPHENE PRODUCTION USING PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190345609A1. Автор: Chen Zhihong,Zhang Shengjiao. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-11-14.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP3662505A4. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-04-07.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2019027645A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-02-07.

Mono- and multilayer silicene prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP3662505B1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-10-18.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: US20070003696A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2007-01-04.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: EP1608799A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2005-12-28.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: WO2004085717A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zuerich. Дата публикации: 2004-10-07.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: CA1328796C. Автор: Bernard Steele Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09410247B2. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon,Hyun Seok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US11661655B2. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-05-30.

Metal organic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP3652358A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-05-20.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Deposition of amorphous silicon-containing films

Номер патента: WO2004017365A2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures

Номер патента: US20020037635A1. Автор: Zhuang Li,Kent Rossman,Tzuyuan Yiin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: EP2839055A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: WO2013157057A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: FURUKAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: MY161000A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-31.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof

Номер патента: US20170107619A1. Автор: Ding-I Liu,Si-Wen Liao,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Jui-Fu Hsu,Cheng-Tsung WU,Yi-Fang Lai,Yen-Chan LO,Jheng-Uei HSIEH,Shian-Huei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20080194104A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20060094218A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof

Номер патента: US20210355581A1. Автор: Hongping Zhao,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-11-18.

Physical vapor deposition of an aluminum nitride film

Номер патента: US09484198B1. Автор: Yung-Chin Yang,Chen-Te Chang,Jyh-Wei Lee. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10208398B2. Автор: Daisuke Muto,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-19.

Vapor deposition of chalcogenide-containing films

Номер патента: US09543144B2. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Nathanaelle Schneider. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-01-10.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Thin film vapor deposition method and thin film vapor deposition apparatus

Номер патента: US09506146B2. Автор: Ju-Hwan Park,Byung-Chul Cho,In-Hwan Yi. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vapor deposition routes to nanoporous silica

Номер патента: US6022812A. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,Kevin H. Roderick. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Method and apparatus for the continuous vapor deposition of silicon on substrates

Номер патента: US11862462B2. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20160083836A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Method and system for conditioning a vapor deposition target

Номер патента: EP2013373B1. Автор: Robert Huff,Milan Ilic,George McDonough. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: MY166009A. Автор: Brenninger Georg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-05-21.

Method for making of Polymer thin films by low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition using

Номер патента: KR100392840B1. Автор: 이은석,강병구. Владелец: 주식회사 우광케미칼. Дата публикации: 2003-07-28.

Deposition of an inter layer dielectric formed on semiconductor wafer by sub atmospheric CVD

Номер патента: US5872401A. Автор: Farhad Moghadam,Brett E. Huff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

METHOD OF LOW TEMPERATURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TiN FILM OVER TITANIUM FOR USE IN VIA LEVEL APPLICATIONS

Номер патента: KR100421574B1. Автор: 힐만조셉티.,아민마이클에스.. Владелец: 도쿄 일렉트론 아리조나 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-03-19.

Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications

Номер патента: GB9917373D0. Автор: . Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 1999-09-22.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor

Номер патента: US5665640A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman,Rene E. LeBlanc. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Method and apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor

Номер патента: TW261689B. Автор: F Foster Robert,T Hillman Joseph,E Leblanc Rene. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Unitary wafer plasma enhanced chemical vapor deposition holding device

Номер патента: US5478399A. Автор: Calvin K. Willard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A4. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for deposition of silicon films from azidosilane sources

Номер патента: US5013690A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-05-07.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition

Номер патента: US09793116B2. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Vapor phase epitaxial growth method by organometallic chemical vapor deposition

Номер патента: CA1242623A. Автор: Yoshinobu Matsuda,Akio Sasaki,Shigeo Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma enhanced chemical vapor reactor with shaped electrodes

Номер патента: US5628869A. Автор: Thomas G. Mallon. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Plasma-enhanced chemical vapor deposited SIO2 /SI3 N4 multilayer passivation layer for semiconductor applications

Номер патента: US6017614A. Автор: Ing-Ruey Liaw,Yeur-Luen Tu,Shiang-Peng Cheng,Kwong-Jr Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20130181331A1. Автор: Srinivasan Guruvenket,Sailer Robert. Владелец: NDSU RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-07-18.

Ultra low dielectric materials using hybrid precursors containing silicon with organic functional groups by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20110206857A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR102415003B1. Автор: 이영진,임종혁,전창엽,황두섭. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2022-07-01.

Ultra low dielectric materials using hybrid precursors containing silicon with organic functional groups by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR20130043096A. Автор: 알렉산드로스 티. 데모스,강 섭 임. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-04-29.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: CN1189859A. Автор: 罗恩·范奥斯,威廉·J·德宾,理查德·H·马西森,丹尼斯·C·芬斯克,埃里克·D·罗斯. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1998-08-05.

A plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: WO1997003224A1. Автор: Ron van Os,Richard H. Matthiesen,William J. Durbin,Dennis C. Fenske,Eric D. Ross. Владелец: Watkins Johnson Company. Дата публикации: 1997-01-30.

A plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: EP0839217A1. Автор: Ron van Os,Richard H. Matthiesen,William J. Durbin,Dennis C. Fenske,Eric D. Ross. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1998-05-06.

Plasma enhanced chemical processing reactor and method

Номер патента: TW283250B. Автор: Richard H Matthiesen,Eric D Ross,Os Ron Van,William J Durbin,Dennis C Fenske. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1996-08-11.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW593737B. Автор: Douglas J Guerrero,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-06-21.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of crystalline germanium

Номер патента: CN102959680A. Автор: 夏立群,M·巴尔塞努,D·R·威蒂,V·T·恩古耶. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN100345254C. Автор: H·冯卡内尔. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2007-10-24.

Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2002335310A1. Автор: Hans Von Känel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2003-06-10.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Physical vapor deposition of low-stress nitrogen-doped tungsten films

Номер патента: US09938616B2. Автор: Michael Ng,Michael Rumer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Plasma enhanced chemical vapour deposition apparatus; producing carbon nanotubes

Номер патента: GB2380494A. Автор: Jin Pyo Hong,Chae Ok Kim,Ho Suck Kang,Hyoung Joo Yoon. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689049A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: NL2031257B1. Автор: Didden Arjen,Kudlacek Pavel. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2023-09-20.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: WO2023172140A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

Device for performing atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature

Номер патента: WO2018050758A1. Автор: Mathieu Gerard,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Kamal Baba,Simon Bulou,Miguel Quesada Gonzalez. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2018-03-22.

Electrode active material grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB2595877A. Автор: Paul Shashi. Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2021-12-15.

Equipment for chemical vapor deposition

Номер патента: KR20070002277A. Автор: 나민재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-05.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A9. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A1. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-05-31.

Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same

Номер патента: US20210351059A1. Автор: Shigehiro Fujino,Shoichi Murakami,Yusuke Osawa,Masaaki Higashitani,Syo FUKATA,Shigeru NAKATSUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer

Номер патента: US6656831B1. Автор: Wei Ti Lee,Ted Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia

Номер патента: KR100356264B1. Автор: 리크히트 아로라,로버트 에프. 포스터,조세프 티. 힐만. Владелец: 머티리얼스 리퀴데이션 코포레이션. Дата публикации: 2002-11-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of metal oxide

Номер патента: CA2562914A1. Автор: Christopher M. Weikart,Dmitry P. Dinega. Владелец: Dmitry P. Dinega. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming metal oxide layer, and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: US20190051520A1. Автор: Dong Kyun KO,Woo Jin Kim,In Kyo KIM,Keun Hee PARK,Suk Won Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Forming method of metal oxide layer and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR102416568B1. Автор: 정석원,김우진,김인교,고동균,박근희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-07-04.

Metal oxide layer forming method and plasma enhanced chemical vapor deposition unit

Номер патента: CN109385617A. Автор: 郑石源,金友镇,高东均,金仁教,朴瑾禧. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Forming method of metal oxide layer and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: KR20190018589A. Автор: 정석원,김우진,김인교,고동균,박근희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-02-25.

Method for forming metal oxide layer, and plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: US11004677B2. Автор: Dong Kyun KO,Woo Jin Kim,In Kyo KIM,Keun Hee PARK,Suk Won Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit manufacturing procedure includes preparation of plasma-enhanced chemical vapor deposition chamber with compound containing at least one oxygen atom

Номер патента: FR2866470A1. Автор: Laurent Paisant. Владелец: Atmel Nantes SA. Дата публикации: 2005-08-19.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: JP2012062579A. Автор: Thomas Kuepper,Lars Bewig,Christoph Moelle,Lars Brandt,キュッパー トマス,ベヴィグ ラース,メレ クリストフ,ブラント ラース,Thomas Niklos,二クロス トーマス. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2012-03-29.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US7947337B2. Автор: Thomas Kuepper,Lars Bewig,Christoph Moelle,Lars Brandt,Thomas Niklos. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2011-05-24.

Method and apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100988354B1. Автор: 크리스토프 모엘레,토마스 쿠에퍼,라르스 베이그,라르스 브란트,토마스 니클로스. Владелец: 쇼오트 아게. Дата публикации: 2010-10-18.

Metal-silicide deposition using plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB2148946B. Автор: Richard Stephen Rosler,George Martin Engle. Владелец: Advanced Semiconductor Materials America Inc. Дата публикации: 1986-02-26.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: US20240363407A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: WO2024226145A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes

Номер патента: US09633839B2. Автор: Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Thanh X. Nguyen,Srinivas Guggilla,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US09875890B2. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US20160284541A1. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20080295771A1. Автор: Kuan-Chou Chen,Fu-Ching Tung,Yuan-Yuan Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-12-04.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for selective deposition of a semiconductor material

Номер патента: US8492273B2. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-07-23.

Method for Selective Deposition of a Semiconductor Material

Номер патента: US20120034762A1. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-09.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: US20060008594A1. Автор: Sung Kang,Woo Bae. Владелец: JAPAN ASIA INVESTMENT Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: WO2006017340A2. Автор: Sung Gu Kang,Woo Kyung Bae. Владелец: Cdream Corporation. Дата публикации: 2006-02-16.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: WO2006057706A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: EP1815043A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-08.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring

Номер патента: US5328722A. Автор: Steve Ghanayem,Virendra Rana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-07-12.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof

Номер патента: US09476121B2. Автор: Chul Soo Byun,Man Cheol Han. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US20240096631A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Low-pressure deposition of ruthenium and rhenium metal layers from metal-carbonyl precursors

Номер патента: WO2006038954A1. Автор: Kenji Suzuki,Sandra G. Malhotra,Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Emmanuel Guidotti,Fenton R. McFeely,Gert J. Leusink,Enrico Mosca. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-04-13.

Deposition of tungsten films from mixtures of tungsten hexafluoride organohydrosilanes and hydrogen

Номер патента: US5433975A. Автор: David A. Roberts,Diwakar Garg,Arthur K. Hochberg,Andre Lagendijk,Stephen M. Fine. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1995-07-18.

Deposition of tungsten films from mixtures of tungsten¹hexafluoride, organohydrosilanes and hydrogen

Номер патента: IE914016A1. Автор: . Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 1992-05-20.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition chamber

Номер патента: CA1209330A. Автор: James D. Parsons. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Wafer carrier for metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP3907308A1. Автор: Yuxi Wan,Zetao PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

Method for changing physical vapor deposition film form

Номер патента: US20100022101A1. Автор: Yi-Hao Ting. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Physical vapor deposition system and methods of operating the same

Номер патента: US20240271271A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6705246B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6395128B2. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6235646B1. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-22.

Method and system for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200932068A. Автор: Chun Wah FAN. Владелец: Dongguan Anwell Digital Machinery Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160372715A1. Автор: SEO JUNGHAN,HUR SUNGMIN,LEE Hyungjong,Ku Gyoseung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for optimizing uniformity of polycrystalline PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating

Номер патента: CN112760614B. Автор: 张伟,王菲,王路路,贾慧君,李文敏,聂文君. Владелец: Jinneng Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US10006120B2. Автор: Junghan Seo,Sungmin Hur,Gyoseung Ku,Hyungjong LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Mono anti-reflection silicon nitride layer for use on switching circuits with e.g. photodiodes, by single-step plasma enhanced chemical vapor deposition method, is designed as protective layer against data degradation of elements

Номер патента: DE102009012546A1. Автор: Uwe Eckoldt,Dietrich Peters,Rüdiger Vehlgut. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

RF powered plasma enhanced chemical vapour deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: EP1764822A3. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Mei Chang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Materials grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB202008726D0. Автор: . Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2020-07-22.

Plasma enhanced chemical vapor deposited vertical resistor

Номер патента: GB2186116A. Автор: Leopoldo D Yau,Shih-Ou Chen,Yih Shung Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1987-08-05.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: US11987878B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US6903462B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US20090039517A1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapor deposition (AP-CVD)

Номер патента: US11624114B2. Автор: Patricio HÄBERLE TAPIA,Christian ORELLANA GÓMEZ. Владелец: Universidad Tecnica Federico Santa Maria USM. Дата публикации: 2023-04-11.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09508613B2. Автор: Jin-Woo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Chemical vapor deposition of perovskite thin films

Номер патента: US20190074439A1. Автор: Xiao Chen,Parag Banerjee,Peifu Cheng,Yoon Myung. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2019-03-07.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Etching of III-V semiconductor materials with H2 S in the preparation of heterodiodes to facilitate the deposition of cadmium sulfide

Номер патента: US4039357A. Автор: Sigurd Wagner,Ernest Buehler,Klaus Jurgen Bachmann,Manfred Hermann Bettini,Joseph Leo Shay. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: MY170105A. Автор: Russell Weldon Black,Christopher Rathweg,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol,Edwin Jackson Little,Brian Robert Murphy. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-07-05.

Vapor Deposition Apparatus and Process for Continuous Indirect Deposition of a Thin Film Layer on a Substrate

Номер патента: US20130122630A1. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: US09412892B2. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation

Номер патента: US11846024B2. Автор: Hongping Zhao,Yuxuan ZHANG,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

Cleaning apparatus of a high density plasma chemical vapor deposition chamber and cleaning thereof

Номер патента: US20050211279A1. Автор: Sung Hwang,Kyoung Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emittng material

Номер патента: US20190355938A1. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: AU2011201680A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method

Номер патента: US09893283B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09458532B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Vapor deposition method for producing an organic EL panel

Номер патента: US09947904B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for stretching vapor deposition mask, method for producing frame-equipped vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching apparatus

Номер патента: US09705083B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09614155B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Yoshiyuki Isomura,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Scan vapor deposition metal mask, vapor deposition device, vapor deposition method, and electroluminescence display device

Номер патента: US20190071762A1. Автор: Satoshi Inoue,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Manabu Niboshi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Vapor deposition device

Номер патента: US09315893B2. Автор: Chunyun Huang. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20220220600A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Kozo Yano,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases

Номер патента: US3969163A. Автор: Gene Felix Wakefield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-07-13.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emitting material

Номер патента: US10553834B2. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device

Номер патента: US20190106781A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Indium electroplating on physical vapor deposition tantalum

Номер патента: US11753736B2. Автор: Eric R. Miller,Michael J. Rondon,Jon Sigurdson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-12.

Mask for vapor deposition apparatus, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescence element

Номер патента: US09845530B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09670581B2. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Vapor phase deposition of organic films

Номер патента: US20220388031A1. Автор: Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-12-08.

Vapor deposition carrier plate and method for performing vapor deposition on substrate by using vapor deposition carrier plate

Номер патента: US20210180181A1. Автор: Zhiqiao LIU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and Apparatus for Deposition of Multilayer Device with Superconductive Film

Номер патента: US20200303616A1. Автор: Nag B. Patibandla,Ludovic Godet,Yong Cao,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Zhebo CHEN,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

A vapor deposition apparatus

Номер патента: US20170037508A1. Автор: Peng Zhang,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: EP3717675A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: WO2019104727A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2019-06-06.

Plasma-enhanced chemical vapour deposition apparatus

Номер патента: WO2023128764A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V. Дата публикации: 2023-07-06.

Vacuum deposition of coating materials on powders

Номер патента: WO2006083725A3. Автор: John A Carlotto. Владелец: John A Carlotto. Дата публикации: 2007-09-27.

Process for direct deposition of graphene or graphene oxide onto a substrate of interest

Номер патента: EP4426876A1. Автор: MUSTAPHA Jouiad,Michael Lejeune,Mimoun EL MARSSI. Владелец: UNIVERSITE DE PICARDIE JULES VERNE. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for plasma-enhanced chemical vapor deposition and apparatus for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US7833587B2. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Akira Yamada,Kenji Tagashira,Hiroshi Mashima,Keisuke Kawamura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US6412437B1. Автор: Sujit Sharan,Craig M. Carpenter,Philip H. Campbell,Allen P. Mardian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-02.

Process for direct deposition of graphene or graphene oxide onto a substrate of interest

Номер патента: CA3235547A1. Автор: MUSTAPHA Jouiad,Michael Lejeune,Mimoun EL MARSSI. Владелец: UNIVERSITE DE PICARDIE JULES VERNE. Дата публикации: 2023-05-11.

RIBBON BEAM PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM FOR ANISOTROPIC DEPOSITION OF THIN FILMS

Номер патента: US20210189566A1. Автор: Hautala John,Kurunczi Peter F.,Ma Tristan Y.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area

Номер патента: US09637838B2. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Matthew Lee Markham,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150002021A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

AUXILIARY DEVICE FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) REACTION CHAMBER AND FILM DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20180073145A1. Автор: CHANG Yu-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140216343A1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Plasma Source And Methods For Depositing Thin Film Coatings Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: CN104498898A. Автор: P·马诗威茨. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2015-04-08.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: PH12015500542B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2015-10-12.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101602517B1. Автор: 피터 마슈비츠. Владелец: 에이쥐씨 글래스 유럽. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of plasma enhanced chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO2000048435A9. Автор: Yonhua Tzeng. Владелец: Univ Auburn. Дата публикации: 2002-01-10.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: PH12015500540B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2015-10-12.

Plasma source and method for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition and method thereof

Номер патента: EP2316252B1. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW201012308A. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200400417A. Автор: Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF POLYMER COATINGS

Номер патента: US20150291830A1. Автор: Hill Alexander,Storey Daniel,Galbreath Herbert Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING LITHIUM-BASED FILM BY USING THE SAME

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Lim Sungjin,Kim Yongsung,LEE Changseung,LEE Jooho,SONG Sanghoon,YANG Wooyoung,HWANG Junsik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

MAGNET ARRAY FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20170040140A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20160049323A1. Автор: Xing Lin,Hari K. Ponnekanti,Hiroji Hanawa,Ganesh Balasubramanian,Bok Hoen Kim,Mukund Srinivasan,Jianhua Zhou,Kwangduk Douglas Lee,Ren-Guan Duan,II Jay D. Pinson,Sungwon Ha,Prashant Kumar KULSHRESHTHA,Zheng John Ye,Swayambhu P. BEHERA,Juan Carlos ROCHA- ALVAREZ,Jason K. Foster,Uwe P. Haller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20160097118A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.,Tong Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE

Номер патента: US20150214010A1. Автор: Lee Man Ho,HONG Charlie. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION EQUIPMENT

Номер патента: US20190211452A1. Автор: Kim Ji Hoon,WU Qingyou. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

TEMPERATURE SENSOR FOR END POINT DETECTION DURING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER CLEAN

Номер патента: US20210292894A1. Автор: JOSHI HIMANSHU,CHOI Soo Young,PARK Beom Soo,CHOI Young-Jin,Peng Fei,YADAV Sanjay D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

PROCESS FOR PREPARING CONTACT LENS WITH FILM BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Lin Wen-Pin,WANG Meng-Jiy. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

COIL FILAMENT FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SOURCE

Номер патента: US20170365448A1. Автор: Ma Xiaoding,Fan Zhaohui,Ata Romulo,Tanaka Samuel,Platt Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

APPARATUS FOR SUPPRESSING PARASITIC PLASMA IN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER

Номер патента: US20190378696A1. Автор: Hammond,Addepalli Sai Susmita,PRABHAKAR Vinay K.,Rocha Juan Carlos,IV Edward P.,PANAVALAPPIL KUMARANKUTTY Hanish Kumar,Kulkarni Mayur Govind,KATAMBLI Satish. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein

Номер патента: US5433786A. Автор: Ing-Feng Hu,James C. Tou. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-07-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR101552726B1. Автор: 이승윤,안세원,황두섭. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2015-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR100448718B1. Автор: 이종구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposition(pecvd) source

Номер патента: KR20150102020A. Автор: 패트릭 로렌스 모르스,다니엘 테오도르 크라울리,주니어 윌리암 에이. 메레디스,존 로버트 저먼,미쉘 린 닐. Владелец: 스퍼터링 컴포넌츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-09-04.

System, method and apparatus for filament and support used in plasma-enhanced chemical vapor deposition for reducing carbon voids on media disks in disk drives

Номер патента: US8028653B2. Автор: Eric Hwang,Jinliu Wang,Richard Longstreth White. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-10-04.

System for low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2006000846A1. Автор: Hans Von Kaenel,Reinhard Haid. Владелец: Epispeed S.A.. Дата публикации: 2006-01-05.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994A1. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: KR20170042359A. Автор: 주안 카를로스 로차-알바레즈,무쿤드 스리니바산,가네쉬 발라수브라마니안,싱 린,지안후아 조우,복 헌 김,프라산트 쿠마르 쿨쉬레쉬타,히로지 하나와,광덕 더글라스 리,청 존 예,제이 디. 2세 핀슨,렌-관 두안,스와얌브후 피. 베헤라,성원 하,제이슨 케이. 포스터,우베 피. 할러,하리 케이. 폰네칸티. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-04-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US6289842B1. Автор: Gary Steven Tompa. Владелец: Structured Materials Industries Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of forming coating using plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd)

Номер патента: TWI578854B. Автор: 彼得 馬斯克維茲. Владелец: Ａｇｃ北美平面玻璃公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for simultaneous multi-sided coating of optical thin film designs using dual-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: JP2002515941A. Автор: ルドヴィック マルティヌ,ジョランタ イー クレンベルグ―サピーハ,ナンシー リー シュルツ ヤマサキ,クリストファー ウェイン ラントマン. Владелец: オプティカル コーティング ラボラトリー インコーポレイテッド. Дата публикации: 2002-05-28.

plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: KR101904942B1. Автор: 이장우,김정규,오정근,이광호,신진혁. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2018-10-08.

High frequency plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and method of implementing the same

Номер патента: JP2002504748A. Автор: ガーテ， エス． サンデュ，,スジット シャラン，,ポール スミス，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-02-12.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010092482A3. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Kenneth Scott Alexander Butcher. Дата публикации: 2010-11-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for forming nitride layer usig it

Номер патента: KR100443908B1. Автор: 김경석,김화식,신승목,박홍배,안병호,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-09.

Plasma enhanced chemical vapor deposition technology for large-size processing

Номер патента: US8114484B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Takako Takehara,Tae Kyung Won,Ya-Tang Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

A device for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN205088301U. Автор: 栗田真一,S·安瓦尔,R·L·蒂纳. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI498936B. Автор: Charlie Hong,Man Ho Lee. Владелец: Charlie Hong. Дата публикации: 2015-09-01.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA2553122A1. Автор: Paul H. Mcclelland,Marvin S. Keshner. Владелец: Gen 3 Solar, Inc.. Дата публикации: 2006-03-23.

Apparatus for coating optical glasses by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: DE102004030344B4. Автор: Lothar Holz,Dr. Neuffer Andreas. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: WO2014051331A1. Автор: 홍성철,이만호. Владелец: (주)비엠씨. Дата публикации: 2014-04-03.

Plasma enhanced chemical vapor grower

Номер патента: CN107043926A. Автор: 中田博道,佐藤羊治,佐藤贵康,橘和孝. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Chemical vapor deposition coating, article, and method

Номер патента: US09777368B2. Автор: David A. Smith,James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electrode active material grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB202008725D0. Автор: . Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2020-07-22.

Device for performing atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature

Номер патента: US20190259583A1. Автор: Mathieu Gerard,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Kamal Baba,Simon Bulou,Miguel Quesada Gonzalez. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2019-08-22.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: US5298452A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Process-specific wafer carrier correction to improve thermal uniformity in chemical vapor deposition systems and processes

Номер патента: US20170053049A1. Автор: Sandeep Krishnan,Lukas Urban. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691771B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: US20210189146A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-06-24.

Passivation against vapor deposition

Номер патента: US20210115559A1. Автор: Varun Sharma,Eva E. Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Vapor deposition mask, and manufacturing method and manufacturing device for organic EL element using vapor deposition mask

Номер патента: US09580791B2. Автор: Satoshi Inoue,Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: US5975912A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US11898244B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100658239B1. Автор: 존 엠. 화이트,수영 최,로버트 아이. 그린. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-12-14.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: EP3270406B1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-11.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100293961B1. Автор: 데쓰야 다구와. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-08-07.

Deposition of dopant impurities and pulsed energy drive-in

Номер патента: US5918140A. Автор: Paul Wickboldt,Patrick M. Smith,Paul G. Carey,Albert R. Ellingboe. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-06-29.

Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same

Номер патента: US20210351058A1. Автор: Shigehiro Fujino,Shoichi Murakami,Yusuke Osawa,Masaaki Higashitani,Syo FUKATA,Shigeru NAKATSUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

MULTI-ZONE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210351058A1. Автор: Higashitani Masaaki,Fukata Syo,OSAWA Yusuke,Murakami Shoichi,NAKATSUKA Shigeru,FUJINO Shigehiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition apparatus for flat panel display device

Номер патента: KR101087624B1. Автор: 이준석. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-11-30.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6167836B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Rf powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: KR100388529B1. Автор: 폴 스미스,수히트 사란,거테히에스. 산두. Владелец: 미크론 테크놀로지,인코포레이티드. Дата публикации: 2003-06-25.

Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching

Номер патента: WO2009009611A2. Автор: Ganesh Balasubramanian,Amir Al-Bayati,Visweswaren Sivaramakrishnan,Ashish Shah,Mark A. Fodor,Thomas Nowak,Karthik Janakiraman,Jianhua Zhou,Chiu Chan,Mohamad Ayoub,Dale R. Du Bois,Eui Kyoon Kim,Joseph C. Werner. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-01-15.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition

Номер патента: US12116281B2. Автор: Jie Xu,Libo GAO,Guowen Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Multiple Chamber System for Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond and Related Materials

Номер патента: US20230392255A1. Автор: William Holber. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: WO2021250499A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: EP4143363A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Method for high volume manufacture of electrochemical cells using physical vapor deposition

Номер патента: US09303315B2. Автор: Chia-Wei Wang,Ann Marie Sastry,Fabio Albano. Владелец: Sakti3 Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

System for chemical vapor deposition at ambient temperature using electron cyclotron resonance and method for depositing metal composite film using the same

Номер патента: US20030000827A1. Автор: Byung-Won Cho,Joong-Kee Lee,Dal-Keun Park,Joo-Man Woo,Bup-Ju Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2003-01-02.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: US20160329456A1. Автор: Moon Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: WO2016182824A1. Автор: Moon Chun. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Gachemical vapor deposition apparatus with cleaning gas flow guiding member

Номер патента: US20230098570A1. Автор: Tung-Ching Tseng,Tsung-Lin Lee,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Chih-Hung Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Chemical vapor deposition method for fabricating two-dimensional materials

Номер патента: EP3443138A1. Автор: Nigel Pickett,Ombretta Masala,Nicky Prabhudas SAVJANI. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

In situ and tunable deposition of a film

Номер патента: US20230374654A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang,Jen-Hao Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Номер патента: US09786671B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-10.

Tantalum-containing film forming compositions and vapor deposition of tantalum-containing films

Номер патента: US09748249B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-29.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691770B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Physical vapor deposition chamber with capacitive tuning at wafer support

Номер патента: US09593411B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Karl M. Brown,Ying Rui,John Pipitone. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Chemical vapor condensation deposition of photoresist films

Номер патента: WO2022177704A1. Автор: Kelvin Chan,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for depositing amorphous silicon layers or silicon oxycarbide layers via physical vapor deposition

Номер патента: US20180142343A1. Автор: Yong Cao,Huixiong Dai,Khoi Phan,Xianmin Tang,Christopher Ngai,Rongjun Wang,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Physical vapor deposition tile arrangement and physical vapor deposition arrangement

Номер патента: US20150114824A1. Автор: Klaus Schneider,Christoph Kaiser,Bernd Teichert,Michael Rivkin,George Arthur Proulx. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Multiple-surface imposition vapor deposition mask

Номер патента: US09548453B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for producing multiple-surface imposition vapor deposition mask, multiple-surface imposition vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09343679B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: CA3239265A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Electron beam physical vapor deposition apparatus and processes

Номер патента: EP1939924A3. Автор: Richard S. Mullin,Igor V. Belousov,Yurity M. Barabash,Yurity G. Kononenko. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed rf power

Номер патента: WO2011139439A3. Автор: Keith Miller,Alan Ritchie. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230175113A1. Автор: Sangwook Park,Kyuhee Han,Jaesuk KIM,Gukrok YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Vapor deposition mask with metal plate

Номер патента: US09527098B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Takashi Takekoshi,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for physical-vapor deposition of material layers

Номер патента: US5354443A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-10-11.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Niobium, vanadium, tantalum film forming compositions and deposition of group v (five) containing films using the same

Номер патента: US20230323530A1. Автор: Wontae NOH,DaeHyeon Kim,Jooho Lee,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and apparatus for deposition of multilayer device with superconductive film

Номер патента: US11778926B2. Автор: Nag B. Patibandla,Ludovic Godet,Yong Cao,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Zhebo CHEN,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of reducing particles in a physical vapor deposition (pvd) chamber

Номер патента: WO2022197723A1. Автор: Yong Cao,Mingdong Li,Chengyu Liu,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: AU2022254712A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of reducing particles in a physical vapor deposition (pvd) chamber

Номер патента: US20220301828A1. Автор: Yong Cao,Mingdong Li,Chengyu Liu,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Apparatus for gas injection in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US20140261177A1. Автор: Alan A. Ritchie,Keith A. Miller,Muhammad Rasheed,Kirankumar Savandaiah,Isaac Porras. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Microwave CVD method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: EP1252822A2. Автор: Masatsugu Izu,Buddie Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: WO1996032846A1. Автор: Masatsugu Izu,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-10-24.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: EP4441059A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-09.

Lithium precursors for deposition of lithium-containing layers, islets or clusters

Номер патента: US20240102161A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco,Keishi Yamamoto,Sunao KAMIMURA. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-03-28.

Lithium precursors for deposition of lithium-containing layers, islets or clusters

Номер патента: EP4041934A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco,Keishi Yamamoto,Sunao KAMIMURA. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-08-17.

Organic opto-electronic component i.e. organic LED, manufacturing method, involves applying barrier layers on organic functional layer by plasma enhanced atomic layer deposition and by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: DE102008019900A1. Автор: Christian Schmid,Tilman Dr. Schlenker,Heribert Dr. Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for reducing TMA consumption of PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) machine

Номер патента: CN108470800B. Автор: 彭平,陈庆发,李鹏云,夏中高,陈伟兵,李旭杰,马岳辉,梁红菲. Владелец: Pingmei Longji New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Catalyst-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024137050A1. Автор: Robert Clark,Tadahiro Ishizaka,Hiroaki Niimi,Kai-Hung YU. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Catalyst-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240213093A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Robert D. Clark,Kai-Hung YU,Hiroak Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

A PROCESS FOR IN-SITU DEPOSITION OF A Ti/TiN/Ti ALUMINUM UNDERLAYER

Номер патента: WO1996026537A1. Автор: Paul R. Besser,Khanh Q. Tran. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-08-29.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Method of manufacturing self-healing polymer that can control physical character according to composition using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US11680124B2. Автор: Yujin Lee,SungGap IM,Moon Jin KWAK,Kihoon JEONG,Youson KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: US09617156B2. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Deposition of LiCoO2

Номер патента: US09887414B2. Автор: Hongmei Zhang,R. Ernest Demaray. Владелец: Demaray LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Conductive flakes by sputtering and vapor deposition

Номер патента: WO2004070733A2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Laboratories Of Arizona, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Lamp with particles coated by vapor deposition

Номер патента: US20030057824A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition

Номер патента: US7754106B2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Labs Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Electrical insulator for a plasma enhanced chemical vapor processor

Номер патента: US4761301A. Автор: Charles E. Ellenberger,Hayden K. Piper. Владелец: Pacific Western Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, and manufacturing method of nano-structured particles

Номер патента: KR100779082B1. Автор: 정우석,백문철,유용구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

Method for forming integrated circuit by low-temperature plasma enhancement

Номер патента: JP3404536B2. Автор: エフ フォスター ロバート,ティー ヒルマン ジョセフ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: CA2191458A1. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-14.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: KR970703443A. Автор: 로버트 에프 포스터,조셉 터 힐만. Владелец: 머티어리얼즈 리서치 코포레이션. Дата публикации: 1997-07-03.

Low temperature plasma enhanced CVD ceramic coating process for metal, alloy and ceramic materials

Номер патента: US6482476B1. Автор: Shengzhong Frank Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-19.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: AU2238595A. Автор: Joseph T Hillman,Robert F Foster. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1996-01-04.

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Structurally-Complex Substrates

Номер патента: US20230420219A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: US09406487B2. Автор: William A. Meredith, Jr.,Patrick Lawrence Morse,Daniel Theodore CROWLEY,John Robert GERMAN,Michelle Lynn Neal. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition for structurally- complex substrates

Номер патента: WO2024006229A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Austin Lo. Дата публикации: 2024-01-04.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) SOURCE

Номер патента: US20140184073A1. Автор: JR. William A.,MEREDITH,Crowley Daniel Theodore,Morse Patrick Lawrence,German John Robert,Neal Michelle Lynn. Владелец: SPUTTERING COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

DIRECTING PLASMA DISTRIBUTION IN PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140272193A1. Автор: Chen Chia-Ho,Lin Bo-Hung,Lin Hsiang-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2014-09-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: CN105008585A. Автор: D.T.克罗利,P.L.摩斯,W.A.小梅雷迪思,J.R.格尔曼,M.L.尼亚尔. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: TWM490189U. Автор: Patrick Lawrence Morse,Daniel Theodore CROWLEY,John Robert GERMAN,William A Meredith,Michelle Lynn Neal. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: NL2031258B1. Автор: Didden Arjen,Kudlacek Pavel. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: WO2023172141A1. Автор: Pavel KUDLACEK,Arjen DIDDEN. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09825210B2. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09544998B1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

2H/1T phase contact engineering for high performance transition metal dichalcogenide chemical vapor sensors

Номер патента: US10436744B2. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-08.

2H/1T Phase Contact Engineering for High Performance Transition Metal Dichalcogenide Chemical Vapor Sensors

Номер патента: US20170299544A1. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-10-19.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CARBON-BASED COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20200017960A1. Автор: Tudhope Andrew,Gennaro Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of barrier coatings

Номер патента: CA2709717A1. Автор: Shahid Pirzada,Paul Mcclelland,Erik Vaaler,Marvin Keshner. Владелец: Marvin Keshner. Дата публикации: 2009-07-02.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Co-deposition of conductive material at the diffusion media/plate interface

Номер патента: US09653737B2. Автор: Thomas A. Trabold,Chunxin Ji,Paul D. Nicotera. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11956884B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20220377871A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2022-11-24.

Vapor deposition method and vapor deposition container

Номер патента: US20240110274A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Mitsuru Iwata,Yasunori Yonekuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Ion vapor deposition of aluminum on non-metallic materials

Номер патента: US09909207B1. Автор: Timothy Cranford. Владелец: Cametoid Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Chemical vapor deposition process for producing diamond

Номер патента: US11905594B2. Автор: Neil Fox,Hugo DOMINGUEZ ANDRADE,Thomas B SCOTT,Edward JD MAHONEY,Alexander CROOT. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films

Номер патента: US5015492A. Автор: THIRUMALAI VENKATESAN,Xin D. Wu. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-05-14.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electronic device

Номер патента: EP3822388A1. Автор: Shinichiro Kobayashi,HIROSHI Miyazaki,Hiroshi Fujimoto. Владелец: Fukuoka Industry Science and Technology Foundation. Дата публикации: 2021-05-19.

Manufacturing method for vapor deposition mask device and manufacturing apparatus for vapor deposition mask device

Номер патента: US12128500B2. Автор: Hideyuki Okamoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Vacuum vapor deposition method

Номер патента: US09863034B2. Автор: Yuji Yanagi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Vapor deposition source for vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230279536A1. Автор: Toshimitsu Nakamura,Jungo Onoda. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09481929B2. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Vapor phase deposition of organic films

Номер патента: US20230249217A1. Автор: Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, plasma enhanced chemical vapor deposition chamber and gas distribution showerhead assembly

Номер патента: KR101019766B1. Автор: 존 엠. 화이트,수영 최,로빈 엘. 티너,범수 박,에른스트 켈러,지리 쿠쎄라,마이클 스타. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-03-08.

Multi-parameter optimization method for PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating process based on LSTM (localized surface plasmon resonance) and NSGA-II (non-uniform gas chromatography-tandem chemical vapor deposition)

Номер патента: CN114525497A. Автор: 陈志立,梁帅,司文,杜广煜,李全伟,刘宇泰. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2022-05-24.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

METHOD OF DEPOSITION OF HIGHLY SCRATCH-RESISTANT DIAMOND FILMS ONTO GLASS SUBSTRATES BY USE OF A PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150159268A1. Автор: CIRALDO John P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Method of deposition of highly scratch-resistant diamond films onto glass substrates by use of a plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2015088681A1. Автор: John P. CIRALDO. Владелец: RUBICON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials

Номер патента: US8920361B2. Автор: Tsung-Chan TSAI,David Staack. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2014-12-30.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20200048769A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190093227A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11111584B2. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-07.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024220210A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240352584A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20150004330A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Double-sided plasma enhanced chemical vapor deposition structure and deposition device

Номер патента: CN112831772B. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-14.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIELECTRIC/POLYMER COATINGS

Номер патента: US20140141674A1. Автор: Hill Alexander,Storey Daniel,Chrysostomou Demetrius,Galbreath Herbert Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CARBON-BASED COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20220170157A1. Автор: Tudhope Andrew,Gennaro Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Process for plasma-enhanced chemical vapor deposition of anti-fog and anti-scratch coatings onto various substrates

Номер патента: AU1508695A. Автор: Eugene S. Lopata,John S. Nakanishi. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1995-10-26.

Process for plasma-enhanced chemical vapor deposition of anti-fog and anti-scratch coatings onto various substrates

Номер патента: AU678681B2. Автор: Eugene S. Lopata,John S. Nakanishi. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1997-06-05.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20140014038A1. Автор: Shin Jinhyouk,Lee MoonKap,Oh Junggeun,Kim Jeonggyu,LEE JANGWOO,Lee Kwangho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

MIGRATION AND PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140037865A1. Автор: Butcher Kenneth Scott Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20170002468A1. Автор: Kim Min Soo,JUNG Suk Won,JOO Hyun Woo,HUH Myung Soo,Lee Byeong Chun,CHOI Jai Hyuk,PARK Won Woong,KEY Sung Hun. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20150024147A1. Автор: Lee Jung-Sik,Heo Myung-Su,Jung Seok-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD AND SYSTEM FOR GROWTH OF GRAPHENE NANOSTRIPES BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200048769A1. Автор: YEH Nai-Chang,Hsu Chen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

REMOTE PLASMA GENERATOR OF REMOTE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) SYSTEM

Номер патента: US20180073147A1. Автор: CHANG Yu-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Plasma Treatment and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition onto Temperature Sensitive Biological Materials

Номер патента: US20150079300A1. Автор: Tsai Tsung-Chan,STAACK DAVID. Владелец: The Texas A&M University System. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD AND SYSTEM FOR GROWTH OF GRAPHENE NANOSTRIPES BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190093227A1. Автор: YEH Nai-Chang,Hsu Chen-Chih. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION OF GRAPHENE BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20160102402A1. Автор: Bedworth Peter V.,SINTON Steven W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING SYSTEM

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Nagy Attila,Zambov Ludmil,Lawrence Benjamin,Pulsipher Daniel,Chaubey Pravin,Winterroth John. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

GAS DIFFUSION SHOWER HEAD DESIGN FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140230730A1. Автор: CHOI Soo Young,WHITE John M.,GREENE Robert I.. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PE-CVD) APPARATUS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160281225A1. Автор: Lee Jang-hee,Hong Jongwon,Kim Minjong,YOON Jung-soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Biodegradable stent using plasma enhanced chemical vapor deposition and its manufacturing method

Номер патента: KR102191557B1. Автор: 심재원,김재운,심우신,임경섭,김자운. Владелец: 심재원. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for improving adhesion of PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) fluorocarbon coating on gold surface

Номер патента: CN114703465A. Автор: 陈军,倪海鹰,周天楠. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-07-05.

Exposed metal protection liquid and protection method in PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) process

Номер патента: CN111910165A. Автор: 吴敏,王志彬,潘宇,陆剑峰,马聚沙,雷刚,沈一,沈静曼,姜德鹏. Владелец: Shanghai Institute of Space Power Sources. Дата публикации: 2020-11-10.

A kind of method of plasma enhanced chemical vapor deposition growth graphene

Номер патента: CN106756870B. Автор: 张振宇,王博,郭东明,杜岳峰,郭梁超. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2019-04-23.

Self-leveling plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN115233192B. Автор: 戴建波,陆北源. Владелец: Advanced Materials Technology and Engineering Inc. Дата публикации: 2023-02-03.

Manufacturing method for tio2 film on fine particles by using plasma enhanced chemical vapor deposition(pecvd) in a circulating fluidized bed(cfb) reactor

Номер патента: KR100772493B1. Автор: 박성희,김상돈,김국희. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2007-11-01.

Producing bactericidal layer on base body made of titanium/titanium based alloy, comprises forming silver-containing silicon oxide layer on base body by plasma enhanced chemical vapor deposition method under atmospheric pressure conditions

Номер патента: DE102012210807A1. Автор: Andreas Pfuch,Jürgen Schmidt,Oliver Beier,Christian Schrader,Louis Friedrich,Dr. Horn Kerstin. Владелец: Innovent eV Technologieentwicklung. Дата публикации: 2014-01-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparutus

Номер патента: KR20050116230A. Автор: 서풍부,황하용. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CA2060917A1. Автор: Joseph Countrywood,Milam Pender. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1992-09-13.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101264695B1. Автор: 안상언. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-05-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition unit

Номер патента: CN107675144A. Автор: 张佳纯. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN112030144A. Автор: 钱锋,姚飞,王小东,陈进福,廖运华,梁锦东. Владелец: Dongguan Plasma Electronic Equipment Co ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Preparation method of plasma enhanced chemical vapor deposition metal film

Номер патента: CN110396675B. Автор: 邵涛,章程,刘泽慧,黄邦斗. Владелец: Institute of Electrical Engineering of CAS. Дата публикации: 2021-12-31.

Novel silicon precursors to make ultra low-k films with high mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI388687B. Автор: Kang Sub Yim,Alexandros T Demos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-03-11.

Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials

Номер патента: US9381056B2. Автор: Tsung-Chan TSAI,David Staack. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2016-07-05.

The chamber structure of plasma enhanced chemical vapor deposition and equipment with it

Номер патента: CN110042369A. Автор: 李伟,陈政,孟慧文. Владелец: Yungu Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus capable of supplying process gas using multichannel

Номер патента: KR101121202B1. Автор: 김형준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2012-03-23.

Process gas flow guides for large area plasma enhanced chemical vapor deposition systems and methods

Номер патента: WO2014018480A1. Автор: Yi Cui,Beom Soo Park,Dongsuh Lee,William N. Sterling. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Shadow frame for plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR101037189B1. Автор: 김형준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2011-05-26.

method for coating precious metal by using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR100996159B1. Автор: 이충훈. Владелец: 이충훈. Дата публикации: 2010-11-23.

Plasma enhanced chemical vapor deposition wafer holding fixture

Номер патента: EP0377708A4. Автор: George M. Engle. Владелец: Stackpole Corp. Дата публикации: 1991-05-22.

Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: KR101732712B1. Автор: 이승훈,김병준,정성훈,김도근. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2017-05-04.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013130380A1. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-09-06.

Method of cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090056743A1. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Liwei Li,Beom Soo Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2004094693A3. Автор: Soo Young Choi,Quanyuan Shang,Li Hou,Robert I Greene. Владелец: Robert I Greene. Дата публикации: 2005-02-10.

Multilayer coatings by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2006036461A1. Автор: Aaron M. Gabelnick,Christina A. Lambert. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Particle trap / filter for recirculating a dilution gas in a plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2008036849A2. Автор: John M. White. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for judging inner leakage and outer leakage of tubular PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) furnace tube

Номер патента: CN112323047A. Автор: 郭鹏,秦鹏,杨飞飞,王玉,张云鹏,赵科巍. Владелец: Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: KR20120077546A. Автор: 박정호,김지훈,문종원,이종철. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-07-10.

Production of porous silicon oxide film useful as antireflection coating on glass or transparent plastics, involves using self-shading or atoms and molecules in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: DE19912737A1. Автор: Henning Nagel,Axel Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-21.

Vacuum exhaust system of five-tube PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN108118310B. Автор: 王锦. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Multi-wall plastic sheet having an internal plasma-enhanced chemical vapor deposition coating and process for manufacturing the same

Номер патента: TW200801231A. Автор: Aaron M Gabelnick,Paul D M Haemhouts. Владелец: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-01-01.

Abrasion Resistant Coatings by Plasma Enhanced Chemical Vapor Diposition

Номер патента: US20070264508A1. Автор: John Warakomski,Aaron Gabelnick,Christina Lambert,Ludo Aerts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Densification method of porous materials by plasma enhanced chemical vapor infiltration

Номер патента: JP2825783B2. Автор: カムルシュウォー・ウパディヒャ,ウェスリー・ピー・ホフマン. Владелец: HYUUZU MISAIRU SHISUTEMUZU CO. Дата публикации: 1998-11-18.

Densification of porous articles by plasma enhanced chemical vapor infiltration

Номер патента: EP0719746B1. Автор: Wesley P. Hoffman,Kamleshwar Upadhya. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-10-20.

Plasma enhanced chemical vapour deposition of a layer

Номер патента: GB9608565D0. Автор: . Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Deposition of graphene layers by means of plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: EP3312137B1. Автор: Roberto MUÑOZ GÓMEZ,María del Mar GARCÍA HERNÁNDEZ,Cristina GÓMEZ-ALEIXANDRE FERNÁNDEZ. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2021-02-24.

Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Номер патента: US6207239B1. Автор: John D. Affinito. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Номер патента: US6544600B2. Автор: John D. Affinito,Gordon L. Graff,Mark E. Gross. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds

Номер патента: CN1272142A. Автор: J·D·阿菲尼托. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2000-11-01.

Method and apparatus for coating a workpiece by means of a plasma enhanced chemical reaction

Номер патента: TW201000669A. Автор: Tobias Vogt,John Fahlteich,Matthias Fahland,Waldemar Schoenberger,Steffen Guenther,Alexander Schoenberger. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2010-01-01.

Rapid thermal chemical vapor deposition procedure for a self aligned, polycide contact structure

Номер патента: US5763303A. Автор: Jhon Jhy Liaw,Kuo Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-06-09.

Surface-selective deposition of organic thin films

Номер патента: EP1746671A3. Автор: Pierre-Marc Allemand. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-06-02.

PLASMA SOURCE AND METHODS FOR DEPOSITING THIN FILM COATINGS USING PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140220361A1. Автор: MASCHWITZ Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION OF GRAPHENE BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Bedworth Peter V.,SINTON Steven W.. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Apparatus for performing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PCVD) process and method for manufacturing an optical fiber

Номер патента: JP5164137B2. Автор: ヨハンネス・アントーン・ハルトサイカー,マルコ・コルステン,マテーウス・ヤコブス・ニコラース・フアン・ストラーレン,ロブ・フーベルトウス・マテウス・デツケルス. Владелец: ドラカ・コムテツク・ベー・ベー. Дата публикации: 2013-03-13.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Surface aluminising with pre-deposition of platinum and nickel ply

Номер патента: RU2563070C2. Автор: Дени МАНЕСС,Фредерик ЛАГРАНЖ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Vacuum generation process for deposition of biomedical implant materials

Номер патента: US20210402351A1. Автор: Sheng Ma,William Macdonald,Edward M. Willis,Ashley Lutero Abanilla,Mrugesh Shroff,Delroy F. Green. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Chemical vapor deposition method, and chemical vapor deposition treatment system and chemical vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US5338363A. Автор: Toshihiko Minami,Yoshinobu Kawata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: WO2024138229A1. Автор: . Владелец: Great Lakes Crystal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327986A1. Автор: Xueqin Pan,Xiaoliang Jin,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US20240359430A1. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Gas shower device, chemical vapor deposition device and method

Номер патента: US09945031B2. Автор: Yong Jiang,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for deposition of noble metal nanoparticles on catalysts to promote same, and the compositions so produced

Номер патента: US09873110B2. Автор: Yadollah Mortazavi,Abbas Ali Khodadadi,Mohammad Javad Parnian,Ali Taheri Najafabadi. Владелец: Sensiran. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride films using azidosilane sources

Номер патента: US4992306A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate

Номер патента: US6015917A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: US5071677A. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,John L. Margrave,C. Judith Chu. Владелец: Houston Advanced Research Center HARC. Дата публикации: 1991-12-10.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO1992019791A1. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,Judith C. Chu,John L. Margrave. Владелец: Houston Advanced Research Center. Дата публикации: 1992-11-12.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Номер патента: WO2012112795A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Deposition of diamond films

Номер патента: US4948629A. Автор: Nigel P. Hacker,George W. Tyndall, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-08-14.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US09701541B2. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Process for the elaboration of powders uniformly coated with ultrafine silicon-base particles using chemical vapor decomposition in the presence of core powders

Номер патента: US5298296A. Автор: Jean-Marie Friedt,Masahiko Matsukata,Toshinori Kojima,Eiichi Ozawa. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1994-03-29.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with orientation and growth facets

Номер патента: US5437891A. Автор: Thomas R. Anthony,James F. Fleischer,David E. Slutz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-08-01.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Metal organic chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240167159A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Deposition metalizing bulk material by chemical vapor

Номер патента: US4606941A. Автор: William C. Jenkin. Владелец: Jenkin William C. Дата публикации: 1986-08-19.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Tool, especially cutting tool and method for the cvd deposition of a two phase layer on a substrate body

Номер патента: CA2524643A1. Автор: Volkmar Sottke,Hartmut Westphal,Hendrikus van den Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1087040A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4250210A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: International Nickel Co Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Fixtures for Chemical Vapor Deposition Gradient Coatings

Номер патента: US20240093359A1. Автор: Sean CLANCY,James Tosh. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

Plasma Chemical Vapor Deposition Process

Номер патента: US20230312392A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Nozzle for the continuous depositing of a layer of solid material on a substrate

Номер патента: US4361284A. Автор: Reinhard Kalbskopf,Otto Baumberger. Владелец: Societa Italiana Vetro SIV SpA. Дата публикации: 1982-11-30.

Process for chemical vapor deposition of zirconium carbide

Номер патента: US3804664A. Автор: K Iwamoto,K Ikawa,F Kobayashi. Владелец: Japan Atomic Energy Research Institute. Дата публикации: 1974-04-16.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: EP4208583A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Device and methods for chemical vapor deposition

Номер патента: US20230257882A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Chih-Tsung Lee,Kuang-Wei Cheng,Yung-Tsun LIU,Sung-Ju Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: CA3193161A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: US20240287675A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Sputter deposition of composite film with compositional uniformity

Номер патента: WO2024211129A1. Автор: Terry Bluck. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: US4694778A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4608063A. Автор: Takashi Kurokawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange

Номер патента: US6080241A. Автор: Tingkai Li,Dane C. Scott,Brian Wyckoff. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

METHOD FOR PREPARING THICKNESS-CONTROLLED GRAPHENE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND Cu-Ni THIN FILM LAMINATE CATALYST

Номер патента: KR101999564B1. Автор: 조길원,이효찬,유민석. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2019-07-12.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US7217326B2. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Chemical vapor deposition system cleaner

Номер патента: US5109562A. Автор: John W. Albrecht. Владелец: C V D System Cleaners Corp. Дата публикации: 1992-05-05.

Precursor for chemical vapor deposition and thin film formation process using the same

Номер патента: US20040086643A1. Автор: Hiroki Sato,Kazuhisa Onozawa. Владелец: Asahi Denka Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-06.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels

Номер патента: US6146461A. Автор: Tae-Chul Kim,Chang-Zip Yang,Jae-Hyuck An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-14.

Chemical vapor deposition apparatus of in-line type

Номер патента: US5288329A. Автор: Kazuyuki Ito,Masanori Hashimoto,Michio Ishikawa,Yoshifumi Ota,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1994-02-22.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20040200413A1. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US4638762A. Автор: Montri Viriyayuthakorn,Myung K. Kim. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Номер патента: CN101016622A. Автор: 金南珍,金俊洙. Владелец: SFA Engineering Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10480065B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor

Номер патента: US5181964A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US11851763B2. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for the photo-initiated chemical vapor deposition (picvd) of coatings and coatings produced by these methods

Номер патента: EP2989229A1. Автор: Christopher Alex DORVAL DION,Jason Robert TAVARES. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2016-03-02.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A2. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-11.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: US20240060178A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: EP4328351A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A3. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-02-29.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US20240076779A1. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for growing halide perovskite nanocrystals through in-situ chemical vapor deposition

Номер патента: US20240035194A1. Автор: Chao FAN,Haiping He,Xingliang DAI. Владелец: Wenzhou Xinxin Taijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2024118468A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: WO2024118472A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: US20240175133A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG153849A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for recycling organic ruthenium compound for chemical vapor deposition

Номер патента: US20150087851A1. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-03-26.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: US20240175132A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Species controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US20170327950A1. Автор: Keith Daniel Humfeld,De'Andre James Cherry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-16.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

Piston crank agitation mechanism for physical vapor deposition conformal coatings on powder

Номер патента: US20230143154A1. Автор: Jonathan Lake Priedeman,Gregory Bruce Thompson. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 2023-05-11.

Group 5 cyclopentadienyl transition metal-containing precursors for deposition of group 5 transition metal-containing films

Номер патента: US09518075B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-12-13.

Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films

Номер патента: US09790591B2. Автор: Julien Gatineau,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII,Changhee Ko. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of vacuum ion-plasma low-temperature deposition of noncrystalline coating from aluminum oxide

Номер патента: RU2676720C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Пётр Васильевич Третников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-10.

Installation for vacuum deposition of coatings and method for coating substrate

Номер патента: RU2755323C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Тиаго РАБЕЛО НУНЕС КАМПОС,Негар ГИЛАНИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-09-15.

Method of producing articles by vapor deposition of multiconstituent material

Номер патента: CA1209949A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Vapor deposition of LiF thin films

Номер патента: US09909211B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen,Miia Mäntymäki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Photochemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA1181719A. Автор: John W. Peters,Frank L. Gebhart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Physical vapor deposition target assemblies, and methods of forming physical vapor deposition target assemblies

Номер патента: EP1335994A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-20.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Vapor-deposited film having barrier performance

Номер патента: US09650191B2. Автор: Shigenobu Yoshida,Koji Yamauchi,Shigeto Kimura,Tooru Hachisuka. Владелец: MITSUBISHI PLASTICS INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Vapor-deposited film

Номер патента: CA2453596A1. Автор: Noboru Sasaki,Hiroshi Suzuki,Takayuki Nakajima,Takeshi Kanetaka,Miki Oohashi,Ryoji Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Apparatus for producing mechanically-worked vapor-deposited bulk alloys

Номер патента: US4245823A. Автор: William N. Mair,Robert L. Bickerdike,Garyth Hughes. Владелец: UK Secretary of State of. Дата публикации: 1981-01-20.

Methods for controlling physical vapor deposition metal film adhesion to substrates and surfaces

Номер патента: AU2019217883B2. Автор: Akhil Srinivasan,Yifei Wang. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for the co-evaporation and deposition of materials with differing vapor pressures

Номер патента: US20170356080A1. Автор: Derek D. Hass. Владелец: Directed Vapor Technologies International Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Automated conveyance of articles in chemical vapor processing

Номер патента: US11946141B2. Автор: Michael Anthony Crockett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-02.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: EP4355926A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-04-24.

Vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US20110005460A1. Автор: Yuji Yanagi,Tatsuya Hirano,Nobuyuki Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Device for vapor depositing metal

Номер патента: US20210348260A1. Автор: Lixia RUAN,Daoxu LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US20190233930A1. Автор: Jian Xu,Yaoyang Liu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Coating particles in a fluidized bed by vapor deposition

Номер патента: EP1298182A3. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith-A Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of coating particles by vapor deposition

Номер патента: US20030059530A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Vapor deposition material

Номер патента: US6143437A. Автор: Yoshitaka Kubota,Satoshi Kondou. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for forming organic thin films

Номер патента: US20030131796A1. Автор: Toshitaka Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Chromium -free passivation process of vapor deposited aluminum surfaces

Номер патента: EP2539488A1. Автор: John R. Kochilla,Jacob Grant Wiles. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-01-02.

Base paper for vapor deposition paper and vapor deposition paper

Номер патента: US20240309588A1. Автор: Yasutomo Noishiki,Yuta SHAMOTO,Miyoko Tanaka,Misaki Wakabayashi. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic device, vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US09650709B2. Автор: Jie Yin,Dejiang Zhao,Jianwei Yu,Haoran GAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Physical vapor deposition apparatus and physical vapor deposition method

Номер патента: US09447494B2. Автор: Atsushi Yumoto,Fujio Hiroki,Naotake Niwa,Takashisa Yamamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Vapor deposition method for depositing a film of fluorine-containing glass on a substrate

Номер патента: US5454847A. Автор: Olivier Perrot,Charles Jacoboni,Brigitte Boulard. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-10-03.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Deposition of iodine-containing carbon films

Номер патента: WO2023114210A1. Автор: Phong Nguyen,Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Fabrizio MARCHEGIANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-06-22.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: US20130084669A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: MY165560A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor

Номер патента: EP1015659A1. Автор: John Vincent Schmitt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

System and Method for Sealing a Vapor Deposition Source

Номер патента: US20110255950A1. Автор: Joseph D. LoBue,Robert A. Enzenroth,Lawrence J. Knipp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US20190169747A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Sung-Chul Kim,Seung-Yong Song,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatus and method for introducing small amounts of refractory elements into a vapor deposition coating

Номер патента: US20030140856A1. Автор: Reed Corderman,Melvin Jackson,Richard Nardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327987A1. Автор: Wenjun Xie,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: US09822440B2. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Vapor-deposited foamed body

Номер патента: CA2861849C. Автор: Takeshi Aihara,Kentarou Ichikawa,Nobuhisa Koiso. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same

Номер патента: WO2018122603A3. Автор: Jean-Marc Girard,Satoko GATINEAU,Wontae NOH,DaeHyeon Kim,Julie GATINEAU. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2019-01-10.

Zirconium-containing film forming compositions for vapor deposition of zirconium-containing films

Номер патента: WO2016106090A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-06-30.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US5264039A. Автор: Raymond W. Gobush,Bryan J. Lovejoy. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1993-11-23.

A vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1531189A1. Автор: Dennis R. Christensen. Владелец: Specialty Coating Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-18.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US11866818B2. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A2. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-06-29.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US20230265553A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Niobium vanadium, tantalum film forming compositions and deposition of group v (five) containing films using the same

Номер патента: WO2023200429A1. Автор: Wontae NOH,DaeHyeon Kim,Jooho Lee,Venkateswara R. Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-10-19.

Vacuum deposition apparatus and vapor deposition method

Номер патента: US20170283938A1. Автор: Peng Xu,Gu Yao,Suwei ZENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US11697873B2. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US20220056579A1. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: EP4211288A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-07-19.

Group 5 cyclopentadienyl transition metal-containing precursors for deposition of group 5 transition metal-cointaining films

Номер патента: US20140106071A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2014-04-17.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A3. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-08-17.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: WO2022184585A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2022-09-09.

Vacuum vapor-deposition apparatus

Номер патента: US20090314212A1. Автор: Chung-Pei Wang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Graphene vapor deposition system and process

Номер патента: US20230416908A1. Автор: Richard Tracy McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Process for manufacturing multi-layered thin film by dry vacuum vapor deposition

Номер патента: WO2009017376A3. Автор: Hong Chul Kim,Jeong Rae Kim,Hyun Joong Kim. Владелец: CEKO Corp Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Set comprising a physical vapor deposition machine and an obstruction device, method for coating and obstruction device

Номер патента: EP4296401A1. Автор: Francis Henky,Mark Mildebrath. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2023-12-27.

Films including a water-soluble layer and a vapor-deposited inorganic coating

Номер патента: US20210362924A1. Автор: Emily Charlotte Boswell,Srinivas Krishnaswamy Mirle,Vesselin Nikolov Shanov,Rachit MALIK,Colin William MCCONNELL. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-11-25.

Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films

Номер патента: US6045877A. Автор: Karen K. Gleason,Michael C. Kwan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-04.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US8654298B2. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US20110242447A1. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material

Номер патента: US09849650B2. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003223582A1. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

Methods of coating surfaces using initiated plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09884341B2. Автор: Karen K. Gleason,Anna M. Coclite. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-02-06.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW200420749A. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-10-16.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003223582A8. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

APPARATUS AND METHODS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF POLYMER COATINGS

Номер патента: US20140141221A1. Автор: Storey Daniel,Chrysostomou Demetrius,Galbreath Vincent,Hill Alex,McPhail Daniel. Владелец: Liquipel, LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

PROCESS GAS FLOW GUIDES FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20140030056A1. Автор: PARK Beom Soo,Cui Yi,LEE Dongsuh,STERLING William N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Massive synthesis of highly purified carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition.

Номер патента: KR19990073590A. Автор: 이철진. Владелец: 이철진. Дата публикации: 1999-10-05.

Device for Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: KR101002327B1. Автор: 김성훈,문성호. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-12-17.

Monocrystalline silicon battery PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating process

Номер патента: CN115838915A. Автор: 欧文凯,董思敏,向亮睿. Владелец: Pule New Energy Technology Taixing Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Plastic substrate coating method for manufacture of display plates or lenses involves plasma enhanced chemical vapor deposition application of an intermediate layer onto a substrate before application of functional layers

Номер патента: DE20122625U1. Автор: . Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2006-09-14.

Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN201560236U. Автор: 左凯峰,季徐华,王根江. Владелец: Wuxi Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-25.

Remediation device of plate type PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) coating anomalies

Номер патента: CN105895551A. Автор: 沈凯锋. Владелец: BRIGHT SOLAR ENERGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Serial-type equipment for manufacture of double-faced heterojunction solar cell in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method and process

Номер патента: CN103094403A. Автор: 李红波,王凌云,郭群超,张滢清,张愿成,柳琴. Владелец: Shanghai Solar Energy Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Cluster-type device for preparing double-sided heterojunction solar battery by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method

Номер патента: CN202308007U. Автор: 李红波,王凌云,郭群超,张滢清,张愿成,柳琴. Владелец: Shanghai Solar Energy Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for making antireflection film by using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN103614703A. Автор: 李云峰,仇展炜,韩玮智,牛新伟. Владелец: Zhejiang Chint Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: TW458811B. Автор: John D Affinito. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2001-10-11.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: EP1144132A1. Автор: John D. Affinito. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers

Номер патента: US20040009306A1. Автор: Peter Martin,Paul Burrows,John Affinito,Mark Gross,Linda Sapochak,Gordon Graff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Selective deposition of diamond

Номер патента: WO2024196395A1. Автор: John P. CIRALDO,Jonathan Levine-Miles,Joshua Blackketter. Владелец: M7D Corporation. Дата публикации: 2024-09-26.

Deposition of silica coatings on a substrate

Номер патента: EP1663893A1. Автор: Douglas Nelson,Michael P. Remington, Jr.,Thomas Kemmerley. Владелец: Pilkington North America Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022232583A8. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn, Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20240209567A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Synthesis of ordered microporous carbons by chemical vapor deposition

Номер патента: US09604194B2. Автор: Cemal Ercan,Minkee Choi,Rashid M. Othman,Yuguo Wang,Seokin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-28.

Chemical vapor deposition reactor in polysilicon production process

Номер патента: US20240084480A1. Автор: David Keck,Chad Fero. Владелец: Advanced Material Solutions. Дата публикации: 2024-03-14.

Novel combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition

Номер патента: US20120177545A1. Автор: Abdulaziz A. Bagabas,Mohammed Abdullah Bahattab,Ibrahim M. Al-Najjar. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-07-12.

Resin composition for direct vapor deposition, molded articles made by using the same, and surface-metallized lamp housing

Номер патента: US20100159134A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Takahiro Ikebe,Hideyuki Shigemitsu,Keiji Obata. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same

Номер патента: US9481944B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Ed Lindow,Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness

Номер патента: US4992301A. Автор: Masao Mikami,Fumitoshi Toyokawa,Seiichi Shishiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Compounds for use as chemical vapor deposition precursors, thermochromic materials light-emitting diodes, and molecular charge-transfer salts and methods of making these compounds

Номер патента: US6103459A. Автор: Bruce Diel. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-08-15.

Deposition of magnesium fluoride films

Номер патента: WO1993002981A1. Автор: Dennis R. Platts. Владелец: Ford Motor Company Limited Of Canada Limited. Дата публикации: 1993-02-18.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: US20190136033A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-05-09.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: WO2017181108A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-10-19.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: EP3442901A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-02-20.

In-situ heated deposition of parylene to enhance pore penetration into silicone

Номер патента: US09469778B2. Автор: Yu-Chong Tai,Dongyang Kang. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-10-18.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09958425B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Quantum dot—polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09599564B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Installation with distribution mask for vapor deposition of a coating on optical articles on a rotary support

Номер патента: US11821072B2. Автор: Vicente ESTEVEZ RODRIGUEZ. Владелец: BNL Eurolens SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09970939B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for manufacturing optical fiber preforms using the outside vapor deposition process

Номер патента: US20050076680A1. Автор: Hyung-Soo Shin,Chan-Yong Park,Man-Soo Choi,Bong-hun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Functionalization of porous materials by vacuum deposition of polymers

Номер патента: US20040213918A1. Автор: Angelo Yializis,Michael Mikhael. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Organic film vapor deposition method and a scintillator panel

Номер патента: US20020190223A1. Автор: Toshio Takabayashi,Hiroto Sato,Takuya Homme. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-12-19.

Organic film vapor deposition method and a scintillator panel

Номер патента: US20020192372A1. Автор: Toshio Takabayashi,Hiroto Sato,Takuya Homme. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-12-19.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: CA3217114A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Directed vapor deposition and assembly of polymer micro - and nanostructures

Номер патента: WO2023081751A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN,Tien Hong NGUYEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Chemically vapor deposited saw guides

Номер патента: US5415069A. Автор: Jerry Collins,John Hoover,Al Latham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Thermal ink jet with chemical vapor deposited nozzle plate

Номер патента: CA2506728C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: WO2013135631A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: MEMC Electronic Materials S.p.A.. Дата публикации: 2013-09-19.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2825350A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2015-01-21.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US11009493B2. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-05-18.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US20190234923A1. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-08-01.

Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US09829805B2. Автор: Timothy W. Weidman,Paul Deaton,Timothy Michaelson,Barry Lee Chin,Majeed Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Pharmaceuticals microencapsulated by vapor deposited polymers and method

Номер патента: US5393533A. Автор: Ronald J. Versic. Владелец: Dodge Ronald T Co. Дата публикации: 1995-02-28.

Chemical vapor trap and vacuum drying system including same

Номер патента: US5289641A. Автор: Richard C. Fuksa,John Balamuta. Владелец: Welch Vacuum Technology Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Incense and Chemical Vaporization Method Using Incense

Номер патента: MY195165A. Автор: Kawamori Hideo,Sugiura Masaaki,NISHIGUCHI Taihei. Владелец: Fumakilla Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Visualization and enhancement of latent fingerprints using low pressure dye vapor deposition

Номер патента: US8507028B2. Автор: Calvin Thomas Knaggs. Владелец: Linde North America Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Vapor deposition of photoconductive selenium onto a metallic substrate having a molten metal coating as bonding layer

Номер патента: US4094675A. Автор: Hans-Hermann Beschoner,Gottfried Guder,Hartmut Dulken,Karl-Heinz Kassel. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-06-13.

Method and apparatus for measuring the insect repellent properties of chemical vapors

Номер патента: US3572131A. Автор: Robert H Wright,Francis E Kellogg,Donald J Burton,Philip N Daykin. Владелец: USA. Дата публикации: 1971-03-23.

Photoresist pattern formation through etching where the imaging exposure changes in a given direction in the desired pattern and inclined vapor deposition is utilized to deposit a film

Номер патента: US5366849A. Автор: Yoshikazu Nakagawa,Masayuki Sonobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-11-22.

Formation and deposition of sputtered nanoscale particles in cigarette manufacture

Номер патента: US20120012122A1. Автор: Firooz Rasouli,Mohammad Hajaligol,Khaled Saoud,Ramkuber Yadav. Владелец: PHILIP MORRIS USA INC. Дата публикации: 2012-01-19.

LOW TEMPERATURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CONFORMAL SILICON CARBON NITRIDE AND SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130183835A1. Автор: Xia Li-Qun,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Witty Derek R.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

Reaction of silicon-nitrogen containing compounds

Номер патента: CA683171A. Автор: H. Shultz James,G. Zike Clarence. Владелец: Richardson Co. Дата публикации: 1964-03-31.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2001268412A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2002-08-19.

A method for improving the consistence of L-L capacitance of the high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDP-CVD) layer

Номер патента: TW408370B. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-10-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor

Номер патента: TWI256864B. Автор: Chien-Pang Lee. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-06-11.

TIN OXIDE DEPOSITED BY LINEAR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20130029123A1. Автор: Madocks John E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Method for depositing thin film on inner surface of long tube by virtue of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: CN103388129A. Автор: 于宝海,肖金泉,赵彦辉. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2013-11-13.

Reaction chamber for PECVD (plasma enhance chemical vapor deposition) film deposition

Номер патента: CN104805417B. Автор: 刘爽,刘云飞,刘永,钟智勇,周湘,唐海华,王继岷,熊流峰. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-01-25.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20120164353A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

SYSTEMS FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND BEVEL EDGE ETCHING

Номер патента: US20120211164A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120240856A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Large Area Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20120255492A1. Автор: . Владелец: ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENETGY RESEARCH. Дата публикации: 2012-10-11.

Plasma Treatment and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition onto Temperature Sensitive Biological Materials

Номер патента: US20120259272A1. Автор: Tsai Tsung-Chan,STAACK DAVID. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120260856A1. Автор: . Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods of Coating Surfaces Using Initiated Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130040102A1. Автор: Gleason Karen K.,Coclite Anna M.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-02-14.

Single-Unit Reactor Design for Combined Oxidative, Initiated, and Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130224380A1. Автор: Gleason Karen K.,Barr Miles C.,Bhattacharyya Dhiman. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-29.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974739B. Автор: 陈金元,刘传生,马哲国,董家伟,杨飞云. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition electrode assembly

Номер патента: CN209397262U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-17.

Cleaning device for chip loading box of amorphous silicon solar cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) system

Номер патента: CN201930946U. Автор: 汪洋,郭增良,曹丽冉. Владелец: TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Discharging component, cavity device and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device of substrate processing device

Номер патента: CN103187235A. Автор: 张彦召. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101880867B. Автор: 韦刚. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

A kind of plasma enhanced chemical vapor deposition processing unit

Номер патента: CN204342876U. Автор: 张欣,金懿,丁小弟. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Amorphous-silicon film plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN201801589U. Автор: 刘强,黄振华,李文江,陈五奎,任陈平. Владелец: Shenzhen Topray Solar Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Planar magnetron ECR (Electron Cyclotron Resonance)-PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) plasma source device

Номер патента: CN203200337U. Автор: 夏世伟,吴长川. Владелец: JOVIS NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: CN210458364U. Автор: 王家平,霍冬冬. Владелец: Intel Semiconductor Dalian Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Silicon chip carrying mechanism of automatic loading and unloading system of plate type PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) device

Номер патента: CN102530546A. Автор: 陈平,陈世强. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition multi-channel electrode device

Номер патента: CN209397263U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-17.

Silicon wafer transportation mechanism of automatic loading and unloading system of plate type PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) equipment

Номер патента: CN202414765U. Автор: 陈平,陈世强. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974739A. Автор: 陈金元,刘传生,马哲国,董家伟,杨飞云. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Magnetic fluid seal transmission device for multi-cavity PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN212080166U. Автор: 张松华,雷世友. Владелец: HANGZHOU BOLIYA PRECISION MACHINERY CO Ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Plate type PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) heating carrying plate

Номер патента: CN202688446U. Автор: 林大成,王虎,姚骞,胡嫚. Владелец: Altusvia Energy Taicang Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-23.

Control system for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CN103834934A. Автор: 王春柱,何祝兵,苏奇聪. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-06-04.

Device for improving uniformity of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) coating films

Номер патента: CN203049033U. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,姜言森. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-10.

Horizontal plasma enhanced chemical vapor deposition structure

Номер патента: CN214937793U. Автор: 范继良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-30.

Plasma enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN101974738A. Автор: 陈金元,刘传生. Владелец: Ideal Energy Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TWI411701B. Автор: Gwo Shii Yang,Cheng Yi Yu,Hsiao Ching Lee,Hsuan Jen Chen. Владелец: Archers Inc. Дата публикации: 2013-10-11.

High-frequency vibration coupled micro plasma-enhanced chemical vapor deposition device

Номер патента: CN104195528A. Автор: 郑高峰,郑建毅,庄明凤,杨群峰,陈新敏. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-10.

Mixed heating vacuum resistance furnace applied to tubular PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment

Номер патента: CN210974870U. Автор: 李明,郭艳,肖洁,张春成,成秋云,吴得轶,曹明旺. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

Method for improving performance of plasma enhance chemical vapor deposition equipment

Номер патента: CN102560438A. Автор: 徐强,张文广,郑春生,陈玉文. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition vacuum equipment

Номер патента: CN102534573B. Автор: 马强,刘嘉,张维佳,张冷,孙月峰,吴然嵩. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-23.

Apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: TW201243096A. Автор: Gwo-Shii Yang,Hsiao-Ching Lee,Cheng-Yi Yu,Hsuan-Jen Chen. Владелец: Archers Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: TW200423231A. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Silicon wafer automatic material charging and discharging system for plate-type PECVD (plasma enhanced chemical vapor device)

Номер патента: CN102437251B. Автор: 陈平,刘晓平,陈世强,陶凌,胡文全. Владелец: WUXI AMT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Device for enhancing uniformity of PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) coating film

Номер патента: CN102943251B. Автор: 程亮,张春艳,徐振华,任现坤,贾河顺,姜言森. Владелец: Linuo Solar Power Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Chemical vapor deposition of metal compound coatings utilizing metal sub-halide

Номер патента: CA1224091A. Автор: M. Javid Hakim. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of continuous selective deposition of cover on belt-type base in vacuum

Номер патента: RU2019573C1. Автор: Л.А. Захарова,Л.Д. Харитонова,С.М. Манякин,Р.И. Терешкина. Владелец: Государственный научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт сплавов и обработки цветных металлов. Дата публикации: 1994-09-15.

Masking techniques in chemical vapor deposition

Номер патента: CA1199715A. Автор: Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1986-01-21.

Low Temperature Deposition of Polycrystalline Silicon and Amorphous Silicon Using Silicon Anions

Номер патента: KR970065494A. Автор: 김성인. Владелец: 김성인. Дата публикации: 1997-10-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.