Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Disposable gate/replacement gate MOSFETs for sub-0.1 micron gate length and ultra-shallow junctions

Disposable gate/replacement gate MOSFETs for sub-0.1 micron gate length and ultra-shallow junctions

Номер патента: US6180978B1
Опубликовано: 30-01-2001
Автор(ы): Amitava Chatterjee, Richard A. Chapman, Syed Suhail Murtaza
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Source/drain structure for high performance sub 0.1 micron transistors

Номер патента: TW200620485A. Автор: Sheng-Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-06-16.

Integrated multiple gate length semiconductor device including self-aligned contacts

Номер патента: US09466680B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Rajasekhar Venigalla,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Fabrication of ultra-shallow junctions

Номер патента: US20140213047A1. Автор: Li-Ting Wang,Chun-Feng Nieh,Chong-Wai LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for forming an ultra-shallow junction in a semiconductor substrate using a nuclear stopping layer

Номер патента: US20050287778A1. Автор: Yuan-Chang Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for forming ultra-shallow junction

Номер патента: US20220254903A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for producing vertical trench-gate mosfets or igbts and corresponding semiconductor device

Номер патента: WO2023143921A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Layered spacer formation for ultrashort channel lengths and staggered field plates

Номер патента: US20200066889A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Layered spacer formation for ultrashort channel lengths and staggered field plates

Номер патента: WO2018063399A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Ion implantation to reduce nanosheet gate length variation

Номер патента: US20220359723A1. Автор: Wei Zou,Sipeng Gu,Qintao Zhang,Kyuha Shim,Baonian Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Ion implantation to reduce nanosheet gate length variation

Номер патента: US20220157968A1. Автор: Wei Zou,Sipeng Gu,Qintao Zhang,Kyuha Shim,Baonian Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Ion implantation to reduce nanosheet gate length variation

Номер патента: US11955533B2. Автор: Wei Zou,Sipeng Gu,Qintao Zhang,Kyuha Shim,Baonian Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure including field effect transistor with scaled gate length and method

Номер патента: US20240047555A1. Автор: Hong Yu,Jagar Singh,Anton V. Tokranov,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

CMOS device structure with reduced risk of salicide bridging and reduced resistance via use of a ultra shallow, junction extension, ion implantation

Номер патента: US5757045A. Автор: Chaochieh Tsai,Shun-Liang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Metal Silicide Thin Film, Ultra-Shallow Junctions, Semiconductor Device and Method of Making

Номер патента: US20140284728A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shi-Li Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-09-25.

Novel silicide structure for ultra-shallow junction for MOS devices

Номер патента: TWI264761B. Автор: Chien-Hsueh Shih,Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Shih-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-10-21.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Novel silicide structure for ultra-shallow junction for MOS devices

Номер патента: TW200632999A. Автор: Chien-Hsueh Shih,Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Shih-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-16.

Methods and systems of realizing multiple gate length in transistor

Номер патента: US20200044094A1. Автор: Qing Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: US20180277671A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: EP3602611A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: WO2018174998A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Complementary junction-narrowing implants for formation of ultra-shallow junctions

Номер патента: EP1460680B1. Автор: Amitabh Jain,Stephanie W. Butler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-19.

Complementary junction-narrowing implants for ultra-shallow junctions

Номер патента: US20040185633A1. Автор: Amitabh Jain,Stephanie Butler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method and apparatus for fabricating ultra-shallow junction metal-oxide semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: TW200534339A. Автор: Damien Lenoble,Francois Wacquant,Frederic Salvetti,Alexandre Dray,Etienne Robilliart,Ramiro Palla. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2005-10-16.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of mos devices

Номер патента: US20110143512A1. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of MOS devices

Номер патента: US8466050B2. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Ultra-shallow junctions using atomic-layer doping

Номер патента: TW201013787A. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Mechanisms for forming ultra shallow junction

Номер патента: US20130037863A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Yu Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Mechanisms for forming ultra shallow junction

Номер патента: US8536658B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Forming ultra-shallow junctions

Номер патента: US20070287259A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Suman Datta,Mark Y. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Method and apparatus for fabricating ultra-shallow junction metal-oxide semiconductor integrated circuit devices.

Номер патента: WO2005057662A3. Автор: Damien Lenoble,Francois Wacquant,Frederic Salvetti,Alexandre Dray,Etienne Robilliart,Ramiro Palla. Владелец: Ramiro Palla. Дата публикации: 2005-10-13.

Ultra-short channel recessed gate MOSFET with a buried contact

Номер патента: US6034396A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTROLLABLE CHANNEL LENGTH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210028166A1. Автор: SHIN Hyun Kwang. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Silicon Carbide Trench Gate MOSFET and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230130726A1. Автор: Hongyi Xu,Kuang Sheng,Na Ren,Chongyu JIANG. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-04-27.

Trench gate MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: US11075296B2. Автор: Ming-Hung Chou,Nobuyuki Shirai,Chun-Hsu Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Silicon-carbide trench gate MOSFETs

Номер патента: US09893176B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets

Номер патента: WO2005124871A2. Автор: MIN Yang,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Meikei Ieong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-29.

Trench gate mosfet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296493A1. Автор: Ming-Hung Chou,Nobuyuki Shirai,Chun-Hsu Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Trench gate mosfet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355846A1. Автор: Ming-Hung Chou,Nobuyuki Shirai,Chun-Hsu Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Split-gate mosfet with gate shield

Номер патента: US20220165863A1. Автор: David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Jason Appell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Trench-gate mosfet with electric field shielding region

Номер патента: US20230039141A1. Автор: Kuang Sheng,Na Ren. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-02-09.

Self-aligning process method and self-aligning process apparatus for reducing critical dimension variation of sic trench gate mosfet structure

Номер патента: US20230326992A1. Автор: Sang Woo Kim,Min Seok Jang,Ho Jun Lee,Jee Hun Jeong,O Gyun Seok. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of forming gate structures with uniform gate length

Номер патента: US20230387246A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Techniques for improving gate control over transistor channel by increasing effective gate length

Номер патента: EP3084835A1. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Transistors having different channel lengths and comparable source/drain spaces

Номер патента: US20240297218A1. Автор: Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Transistors having different channel lengths and comparable source/drain spaces

Номер патента: WO2024186460A1. Автор: Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Multiple channel length finFETs with same physical gate length

Номер патента: US09466669B2. Автор: RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Shielded gate mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230215932A1. Автор: Shufan YAN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for manufacturing superjunction trench gate mosfet

Номер патента: US20240332402A1. Автор: Zhaozhao XU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Method to controllably etch silicon recess for ultra shallow junctions

Номер патента: US09773907B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method to controllably etch silicon recess for ultra shallow junctions

Номер патента: US09735272B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

N-TYPE III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20150333128A1. Автор: Loh Wei-Yip,TIECKELMANN Robert,LEE Rinus. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for fabricating void-free epitaxial-CoSi2 with ultra-shallow junctions

Номер патента: US6410429B1. Автор: Soo Jin Chua,Chaw Sing Ho,Kheng Chok Tee,Kin Leong Pey,G. Karunasiri,Kong Hean Lee,Alex Kalhung See. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-06-25.

Method for forming ultra-shallow junction using laser annealing process

Номер патента: KR100365414B1. Автор: Yong Sun Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-18.

System for preventing excess silicon consumption in ultra shallow junctions

Номер патента: US6734099B2. Автор: Jin Zhao,Jiong-Ping Lu,Yuqing Xu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for fabricating an ultra-shallow junction with low resistance using a screen oxide formed by poly re-oxidation in a nitrogen containing atmosphere

Номер патента: US6191052B1. Автор: Jyh-Haur Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

A method to babricate dual-metal cmos transistors for sub-0.1 mm ulsi integration

Номер патента: SG99383A1. Автор: Chaw Sing Ho,Chit Hwei Ng. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Integration of bipolar and CMOS devices for sub-0.1 micrometer transistors

Номер патента: US20010031521A1. Автор: YANG Pan,Erzhuang Liu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Integration of bipolar and CMOS devices for sub-0.1 micrometer transistors

Номер патента: EP1030363A2. Автор: YANG Pan,Erzhuang Liu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-08-23.

Integration on bipolar and cmos devices for sub-0.1 micrometer transistors

Номер патента: SG87811A1. Автор: Pan Yang,Er Zhuang Liu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-04-16.

Integration of bipolar and CMOS devices for sub-0.1 micrometer transistors

Номер патента: US6284581B1. Автор: YANG Pan,Erzhuang Liu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Castellated gate MOSFET tetrode capable of fully-depleted operation

Номер патента: US8664071B2. Автор: John James Seliskar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-04.

Castellated gate MOSFET tetrode capable of fully-depleted operation

Номер патента: US20120228710A1. Автор: John James Seliskar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070158762A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070252241A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of making a semiconductor device having a short gate length

Номер патента: US5384273A. Автор: George B. Norris,Robert B. Davies,Charles B. Anderson,Lawrence S. Klingbeil, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Multiple gate length device with self-aligned top junction

Номер патента: US20190206743A1. Автор: YI Qi,Hui Zang,Ruilong Xie,Jerome Ciavatti,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanosheet device with different gate lengths in same stack

Номер патента: US12009267B2. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-11.

A method of fabricating cmos devices with ultra-shallow junctions and reduced drain area

Номер патента: EP1008174A1. Автор: Ognjen Milic-Strkalj. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-14.

SOI transistor having drain and source regions of reduced length and a stressed dielectric material adjacent thereto

Номер патента: US09450073B2. Автор: Casey Scott,Andy Wei,Roman Boschke,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Split-gate MOSFET

Номер патента: US9812564B1. Автор: Hung-Wen Chou,Chih-Cheng Liu,Jiong-Guang Su. Владелец: SILICONGEAR Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a nanometer-gate mosfet device

Номер патента: US20030235990A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for fabricating shield gate MOSFET

Номер патента: US11916141B2. Автор: Hung-I Su,Chang-Chin Ho,Yong-Kang Jiang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Split Gate MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN115394854. Автор: 常虹,苏毅,袁力鹏,完颜文娟,唐呈前. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Trench gate mosfet

Номер патента: US20190267449A1. Автор: Chin-Fu Chen,Yi-Yun Tsai. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Trench gate mosfet

Номер патента: US20150008515A1. Автор: Chien-Ling Chan,Chi-Hsiang Lee. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Vertical fet with self-aligned source/drain regions and gate length based on channel epitaxial growth process

Номер патента: US20180331213A1. Автор: Julien Frougier,Steven Bentley,Bartlomiej Jan Pawlak,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Field effect transistor with gate electrode having multiple gate lengths

Номер патента: US20240105794A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: MY130338A. Автор: Narayanan Meyyappan. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2007-06-29.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: XIAO TianJin. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

MECHANISMS FOR FORMING ULTRA SHALLOW JUNCTION

Номер патента: US20140342537A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Chun Hsiung,HUANG Yu Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: EP1787318A4. Автор: Woo Sik Yoo. Владелец: WaferMasters Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Multiple pulse laser annealing to activate ultra-shallow junctions

Номер патента: SG114678A1. Автор: See Alex,Byung Jin Cho,Chyiu-Hyia Poon,Yong Feng Lu,Bhat Mousumi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of multiple pulse laser annealing to activate ultra-shallow junctions

Номер патента: US6897118B1. Автор: Alex See,Byung Jin Cho,Mousumi Bhat,Chyiu-Hyia Poon,Yong Feng Lu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Ultra-shallow junction dopant layer having a peak concentration within a dielectric layer and process of manufacture

Номер патента: KR100391855B1. Автор: 아카츠히로유키,렌가라잔라제시,도쿠마시오머에이치,헤지서야나라얀지,리유준,론세임폴에이. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션. Дата публикации: 2003-07-16.

End-of-range damage suppression for ultra-shallow junction formation

Номер патента: US6074937A. Автор: Shekhar Pramanick,Che-Hoo Ng,Emi Ishida. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Systems and methods for forming ultra-shallow junctions

Номер патента: US9543150B2. Автор: Yunsang Kim,Ivan Berry,YounGi Hong. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with reduced gate length

Номер патента: US20150097227A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ta-Pan Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Ion implantation to reduce nanosheet gate length variation

Номер патента: US20220359723A1. Автор: Wei Zou,Sipeng Gu,Qintao Zhang,Kyuha Shim,Baonian Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Precise control of vertical transistor gate length

Номер патента: US10297689B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH UNIFORM CHANNEL LENGTHS AND BELOW-CHANNEL ISOLATION ON BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHODS

Номер патента: US20200044069A1. Автор: KNORR Andreas,Xie Ruilong,SAMAVEDAM Srikanth Balaji,Frougier Julien. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

MECHANISMS FOR FORMING ULTRA SHALLOW JUNCTION

Номер патента: US20130334605A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Chun Hsiung,HUANG Yu Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD TO CONTROLLABLY ETCH SILICON RECESS FOR ULTRA SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20160197187A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

METHOD TO CONTROLLABLY ETCH SILICON RECESS FOR ULTRA SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20150333172A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Using sacrificial oxide layer for gate length tuning and resulting device

Номер патента: US9147572B2. Автор: Haiting Wang,Yong Meng Lee,Ashish Kumar JHA,Meng Luo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Replacement gate MOSFET with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US8421077B2. Автор: Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Jay W. Strane,Sameer H. Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Method of manufacturing metal gate mosfet device

Номер патента: KR100333372B1. Автор: 김태균,원대희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-19.

Structure and method for replacement gate mosfet with self-aligned contact using sacrificial mandrel dielectric

Номер патента: US20110298061A1. Автор: Michael P. Chudzik,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Independent gate length tunability for stacked transistors

Номер патента: US12107168B2. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Techniques for vertical fet gate length control

Номер патента: EP3747038A1. Автор: Kristin Schmidt,Zhenxing Bi,Yann Mignot,Chi-chun Liu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Techniques for Vertical FET Gate Length Control

Номер патента: US20200044055A1. Автор: Kristin Schmidt,Zhenxing Bi,Yann Mignot,Chi-chun Liu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Techniques for vertical fet gate length control

Номер патента: WO2019150215A1. Автор: Kristin Schmidt,Zhenxing Bi,Yann Mignot,Chi-chun Liu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-08-08.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Thin film transistors with spacer controlled gate length

Номер патента: US11997847B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Yih Wang,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Vertical Transistor with Reduced Gate Length Variation

Номер патента: US20190371919A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Application of gate edge liner to maintain gate length CD in a replacement gate transistor flow

Номер патента: US20060035425A1. Автор: Hong Lin,Richard Carter,Wai Lo,Sey-Shing Sun,Verne Hornback. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

TECHNIQUES FOR IMPROVING GATE CONTROL OVER TRANSISTOR CHANNEL BY INCREASING EFFECTIVE GATE LENGTH

Номер патента: US20160240534A1. Автор: Lindert Nick,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-18.

INTEGRATED CIRCUITS WITH DEEP AND ULTRA SHALLOW TRENCH ISOLATIONS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170330896A1. Автор: VERMA Purakh Raj,SEE Guan Huei,Zhang Shaoqiang,TOH Rui Tze. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Novel technique to achieve thick silicide film for ultra-shallow junctions

Номер патента: US20030207565A1. Автор: Lap Chan,Randall Cher Liang Cha,Alex See,Cheng Cheh Tan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Novel technique to achieve thick silicide film for ultra-shallow junctions

Номер патента: US20020102802A1. Автор: Cheng Tan,Lap Chan,Alex See,Randall Cha. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor

Номер патента: TW200411766A. Автор: Adibi Babak,WEI Liu,David S L Mui,Arkadii V Samoilov,Lance A Scudder,Paul B Comita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Split trench-gate mosfet with integrated schottky diode

Номер патента: US20130328122A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Rongyao Ma. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Method and structure for forming vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Vertical FET with Various Gate Lengths by an Oxidation Process

Номер патента: US20200043798A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical FET with Various Gate Lengths by an Oxidation Process

Номер патента: US20190198399A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Shielded gate mosfet device with a funnel-shaped trench

Номер патента: US20130234241A1. Автор: Brian Bowers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Vertical trench gate mosfet with deep well region for junction termination

Номер патента: US20200212218A1. Автор: HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Yunlong Liu,Fei Ma,Sunglyong Kim,Ya Ping Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Graben-gate-mosfet und verfahren zu dessen herstellung

Номер патента: ATE515064T1. Автор: Andrew Butler,Christopher Rogers,Philip Rutter,Steven Peake,Miron Drobnis. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-15.

Trench gate mosfet and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2206154A1. Автор: Andrew Butler,Christopher Rogers,Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Miron Drobnis. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-14.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL TRANSISTOR INCLUDING CONTROLLED GATE LENGTH AND A SELF-ALIGNED JUNCTION

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20170323977A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

INTEGRATED MULTIPLE GATE LENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150145057A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-28.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH REDUCED GATE LENGTH VARIATIONS

Номер патента: US20190221667A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

VERTICAL TRANSPORT FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS ON A SUBSTRATE WITH VARYING EFFECTIVE GATE LENGTHS

Номер патента: US20180286980A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

VERTICAL TRANSPORT FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS ON A SUBSTRATE WITH VARYING EFFECTIVE GATE LENGTHS

Номер патента: US20180294352A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH REDUCED GATE LENGTH VARIATIONS

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Vertical transport fin field effect transistors on a substrate with varying effective gate lengths

Номер патента: US10381476B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190221667A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Adaptive duo-gate MOSFET

Номер патента: US09602099B2. Автор: Hung-Wen Chou,Jiong-Guang Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-21.

Adaptive duo-gate mosfet

Номер патента: US20160344383A1. Автор: Hung-Wen Chou,Jiong-Guang Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-24.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

Номер патента: CN114121662B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Shielded gate mosfet-schottky rectifier-diode integrated circuits with trenched contact structures

Номер патента: US20130020576A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Dual-gate MOSFET with channel potential engineering

Номер патента: US6696725B1. Автор: Bin Yu,Judy X. An. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-24.

Strained-silicon-on-insulator single- and double-gate mosfet and method for forming the same

Номер патента: WO2004114383A3. Автор: Guy Moshe Cohen,Patricia May Mooney. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-04-21.

Strained-silicon-on-insulator single-and double-gate MOSFET and method for forming the same

Номер патента: US8409974B2. Автор: Guy Moshe Cohen,Patricia May Mooney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-02.

Strained-silicon-on-insulator single-and double-gate MOSFET and method for forming the same

Номер патента: CN1836313A. Автор: 盖伊·莫谢·科恩,帕特里夏·梅·穆尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

METHOD TO CONTROLLABLY ETCH SILICON RECESS FOR ULTRA SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20160197189A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

A method of ultra-shallow junction formation using si film alloyed with carbon

Номер патента: KR101170210B1. Автор: 이환 김,마제드 에이. 포어드,요나흐 초,치유안 예,아리 조자지,에롤 산체즈. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for fabricating a self-aligned double-gate MOSFET by selective lateral epitaxy

Номер патента: US5646058A. Автор: Yuan Taur,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

HYBRID SUBSTRATE TECHNOLOGY FOR HIGH-MOBILITY PLANAR AND MULTIPLE-GATE MOSFETs

Номер патента: KR100962947B1. Автор: 민 양,부르스 비. 도리스,메이케이 이에옹,에드워드 제이. 노워크. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-06-09.

Silicon carbide split gate MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field Effect transistor) integrated with high-speed freewheeling diode and preparation method

Номер патента: CN114122123A. Автор: 高巍,顾航,戴茂州. Владелец: Chengdu Rongsi Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets

Номер патента: CN101310386B. Автор: 杨敏,E·J·诺瓦克,B·B·多里斯,M·艾昂. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

SILICON-CARBIDE TRENCH GATE MOSFETS

Номер патента: US20170012119A1. Автор: Konstantinov Andrei. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD OF FORMING TRENCH GATE MOSFET

Номер патента: US20150072493A1. Автор: Chan Chien-Ling,Lee Chi-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon-carbide trench gate MOSFETs

Номер патента: US9466709B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making trench-gated MOSFET having cesium gate oxide layer

Номер патента: US6509233B2. Автор: Sik Lui,Mike Chang,Sung-Shan Tai. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate MOSFETS

Номер патента: US7485506B2. Автор: MIN Yang,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Meikei Ieong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-03.

Silicon-carbide trench gate mosfets

Номер патента: KR102154689B1. Автор: 안드레이 콘스탄티노브. Владелец: 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for wrap gate MOSFET

Номер патента: JP2005504435A. Автор: パーク、バイオンジュ,フルカワ、トシハル,マンデルマン、ジャック. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Vertical trench gate mosfet with integrated schottky diode

Номер патента: US20230246107A1. Автор: HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Sunglyong Kim,Thomas Eugene Grebs,Ya Ping Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of making trench-gated MOSFET having cesium gate oxide layer

Номер патента: US20020123196A1. Автор: Sik Lui,Mike Chang,Sung-Shan Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method for wrapped-gate MOSFET

Номер патента: TWI255529B. Автор: Toshiharu Furukawa,Jack A Mandelman,Byeongju Park. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-05-21.

Method for wrapped-gate mosfet

Номер патента: WO2003025977A2. Автор: Jack Mandelman,Toshiharu Furukawa,Byeongju Park. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-03-27.

METHODS OF FORMING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH DIFFERENT EFFECTIVE GATE LENGTHS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Techniques for Vertical FET Gate Length Control

Номер патента: US20200044055A1. Автор: SCHMIDT Kristin,Liu Chi-chun,Mignot Yann,Yeung Chun Wing,Bi Zhenxing,CHAO ROBIN HSIN KUO. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20170288039A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

IGFET with epitaxial layer on substrate - has layered gate electrode of lower and top parts, with top one of greater gate length

Номер патента: DE4234528A1. Автор: Akihisa Taniguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-15.

Nanosheet transistor with uniform effective gate length

Номер патента: US10297664B2. Автор: Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Fabrication of abrupt ultra-shallow junctions

Номер патента: US20040077157A1. Автор: Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices

Номер патента: TW200903596A. Автор: Robert Kaim,Jose I Arno,James A Dietz. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2009-01-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20160365251A1. Автор: Kim Yunsang,Berry Ivan,Hong YounGi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Ultra-shallow junction forming method and semiconductor device forming method

Номер патента: CN103972102A. Автор: 邱裕明. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for forming ultra-shallow junction by boron plasma doping

Номер патента: US6531367B2. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-11.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: KR100926390B1. Автор: 지웨이 팡,존 보르란트,수잔 펠치,본웅 구. Владелец: 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.. Дата публикации: 2009-11-11.

Guard electrode device for ultra-shallow junction deep-ultraviolet laser annealing apparatus

Номер патента: WO2012119280A1. Автор: 刘朋,周卫,严利人,窦维治. Владелец: 清华大学. Дата публикации: 2012-09-13.

Formation of ultra-shallow junctions by gas-cluster ion irridation

Номер патента: WO2006062536A3. Автор: John O Borland,John J Hautala,Wesley J Skinner. Владелец: Epion Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Formation of ultra-shallow junctions by gas-cluster ion irridation

Номер патента: EP1787321A4. Автор: John O Borland,John J Hautala,Wesley J Skinner. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Method of and apparatus for driving a dual gated MOSFET

Номер патента: US20040135201A1. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of driving a dual gated mosfet

Номер патента: US20070152729A1. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of driving a dual gated MOSFET

Номер патента: US7195979B2. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Doppel-Gate-MOSFET-Vorrichtungen und Vorladungstechniken für DC-Zwischenkreiskondensatoren

Номер патента: DE102023117149A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Grönvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual gate mosfet devices and pre-charging techniques for dc link capacitors

Номер патента: US20240007084A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual gate MOSFET devices and pre-charging techniques for DC link capacitors

Номер патента: US11955974B2. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Trench gate mosfet and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166734A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for forming a fully germano-silicided gate MOSFET and devices obtained thereof

Номер патента: US20070023849A1. Автор: Hongyu Yu,Serge Biesemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-02-01.

Trench gate mosfet power semiconductor device, polycrystalline silicon-filling method therefor, and manurfacturing method therefor

Номер патента: WO2021134889A1. Автор: 杨彦涛,张邵华,郭广兴,隋晓明. Владелец: 杭州士兰微电子股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-08.

Dual fully-silicided gate MOSFETs

Номер патента: TWI231570B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chuan-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-04-21.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: EP0083783B1. Автор: Robert Charles Dockerty,Francisco Homero De La Moneda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-11-11.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: DE3277664D1. Автор: Robert Charles Dockerty,La Moneda Francisco Homero De. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-12-17.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: EP0083783A3. Автор: Robert Charles Dockerty,Francisco Homero De La Moneda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-01-23.

CONTROLLING GATE LENGTH OF VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200075761A1. Автор: SIEG STUART A.,De Silva Ekmini A.,Seshadri Indira,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Nanosheet Device with Different Gate Lengths in Same Stack

Номер патента: US20220301936A1. Автор: Roy Anirban,HALL MARK DOUGLAS,Merchant Tushar Praful. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2022-09-22.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL USING UNIFORMLY DEPOSITED SPACERS

Номер патента: US20190198642A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Mignot Yann,WASKIEWICZ Christopher J.,SIEG STUART A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD OF FABRICATING ULTRA SHORT GATE LENGTH THIN FILM TRANSISTORS USING OPTICAL LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150294908A1. Автор: Bayraktaroglu Burhan. Владелец: Government of the United States, as represented by the Secretary of the Air Force. Дата публикации: 2015-10-15.

Precise control of vertical transistor gate length

Номер патента: US20170323967A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

INTEGRATED MULTIPLE GATE LENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150349075A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

PRECISE CONTROL OF VERTICAL TRANSISTOR GATE LENGTH

Номер патента: US20170358675A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Precise control of vertical transistor gate length

Номер патента: US9812567B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical gate cmos with lithography-independent gate length

Номер патента: WO2005072154A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-08-11.

Vertical gate cmos with lithography-independent gate length

Номер патента: WO2005072154A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Read-amplifier-arrangement with field-effect-transistor with short channel-length and adjustable turn-on voltage

Номер патента: TW498460B. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-11.

Barrier structure for sub-100 nanometer gate length devices

Номер патента: WO2024064326A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Helder Jose DaSilva ANTUNES. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Barrier Structure for Sub-100 Nanometer Gate Length Devices

Номер патента: US20240105824A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Helder Jose DaSilva ANTUNES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

FABRICATION OF ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20140213047A1. Автор: NIEH Chun-Feng,Wang Li-Ting,LO Chong-Wai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

Multiple gate length vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09570356B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Double gate mosfet transistor and method for the production thereof

Номер патента: KR100488844B1. Автор: 볼프강 뢰스너,토마스 슐츠,로타 리쉬. Владелец: 인피네온 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2005-05-11.

Self-aligning double gate MOSFET with separate gates has channel region, first gate above channel region, second gate below channel region; gates are electrically mutually isolated

Номер патента: DE10119411A1. Автор: Guy Cohen,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Self-aligned double gate mosfet with separate gates

Номер патента: KR20010105160A. Автор: 코헨가이,웡혼-섬필립. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-11-28.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20190318965A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20180277444A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: WO2017103752A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: TW200633076A. Автор: Kerry Bernstein,Brent A Anderson,Edward J Nowak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-09-16.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: GB2559935B. Автор: Nowak Edward,Alan Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Vertical field effect transistor with uniform gate length

Номер патента: US09935101B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180005895A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200006553A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH UNIFORM GATE LENGTH

Номер патента: US20180033788A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

METHODS AND SYSTEMS OF REALIZING MULTIPLE GATE LENGTH IN TRANSISTOR

Номер патента: US20200044094A1. Автор: Liu Qing. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2020-02-06.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH UNIFORM GATE LENGTH

Номер патента: US20180061829A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING DIFFERENT GATE LENGTHS

Номер патента: US20180076093A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

MULTIPLE GATE LENGTH VERTICAL FIELD-EFFECT-TRANSISTORS

Номер патента: US20180218949A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

VARIABLE GATE LENGTHS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190318965A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Multiple gate length vertical field-effect-transistors

Номер патента: US10002794B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: US7183142B2. Автор: Kerry Bernstein,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US10665714B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

VARIABLE GATE LENGTHS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: DE112016005805T5. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Sub-micron gate length GaN HEMT device and preparation method thereof

Номер патента: CN104393037A. Автор: 张乃千,邓光敏,裴轶. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Vertical field effect transistor with uniform gate length

Номер патента: US20180061829A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon carbide split gate MOSFET cell integrated with grid-controlled diode and preparation method

Номер патента: CN114551586A. Автор: 高巍,顾航,戴茂州. Владелец: Chengdu Rongsi Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Trench gate mosfet and its manufacturing method

Номер патента: CN109119477A. Автор: 石磊,缪进征,范让萱. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Shielding gate MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113851523A. Автор: 李伟聪,姜春亮,雷秀芳. Владелец: Vanguard Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Double and triple gate mosfet devices and methods for making same

Номер патента: CN100472810C. Автор: H·王,C·E·塔贝里,J·X·安,M·R·林,Z·克里沃卡皮克,B·俞. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Inverted trapezoidal gate MOSFET device structure with inclined sidewall field plate

Номер патента: CN111463266A. Автор: 黄福平,张紫辉,张勇辉. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-07-28.

Double and triple gate mosfet devices and methods for making same

Номер патента: CN1708858A. Автор: H·王,C·E·塔贝里,J·X·安,M·R·林,Z·克里沃卡皮克,B·俞. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Trench gate mosfet and manufacturing method with shield grid

Номер патента: CN109427881A. Автор: 李东升,肖胜安,曾大杰. Владелец: Sanrise Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Manufacturing method of split gate MOSFET

Номер патента: CN111415868A. Автор: 黄健,虞翔,张丽娜,樊君,张朝志,孙闫涛,顾昀浦,宋跃桦,吴平丽. Владелец: Jiejie Microelectronics Shanghai Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US20170222007A1. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Inter-poly dielectric in a shielded gate mosfet device

Номер патента: US20120235229A1. Автор: Dean E. Probst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for fabricating shield gate mosfet

Номер патента: US20220045210A1. Автор: Hung-I Su,Chang-Chin Ho,Yong-Kang Jiang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

TRENCH-GATE MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200075763A1. Автор: Shi Lei,MIAO Jinzheng,FAN Rangxuan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

TERMINATION IMPLANT ENRICHMENT FOR SHIELDED GATE MOSFETS

Номер патента: US20190157383A1. Автор: WU Xiaoli,YEDINAK Joseph. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

TRENCH GATE MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210296493A1. Автор: CHOU MING-HUNG,SHIRAI Nobuyuki,Chang Chun-Hsu. Владелец: UPI SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2021-09-23.

Trench gate mosfet

Номер патента: US20190267449A1. Автор: Chin-Fu Chen,Yi-Yun Tsai. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

TERMINATION IMPLANT ENRICHMENT FOR SHIELDED GATE MOSFETS

Номер патента: US20180315812A1. Автор: WU Xiaoli,YEDINAK Joseph. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

TRENCH GATE MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190355846A1. Автор: CHOU MING-HUNG,SHIRAI Nobuyuki,Chang Chun-Hsu. Владелец: UPI SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2019-11-21.

Trench gate mosfet device and the fabricating method thereof

Номер патента: KR100777593B1. Автор: 방성만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-11-16.

Inverted-T gate MOSFET - uses separate deposition of thin poly:silicon@ layer for gate electrode overlying the lightly doped diffused regions for higher reliability

Номер патента: DE4143115A1. Автор: Youngsuk Choi,Taeyoung Won,Kwangdong Yoo,Guehyung Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-09-03.

Trench gate mosfet and method of forming the same

Номер патента: TWI458097B. Автор: Chien Hsing Cheng. Владелец: Beyond Innovation Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Replacement gate MOSFET with a high performance gate electrode

Номер патента: US8592266B2. Автор: Gan Wang,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Jun Yuan,Jian Yu,Yanfeng Wang,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Randolph F. Knarr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Double and triple gate MOSFET devices and methods for making same

Номер патента: US8222680B2. Автор: Bin Yu,Ming-Ren Lin,HaiHong Wang,Judy Xilin An,Zoran Krivokapic,Cyrus E. Tabery. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-07-17.

Method of producing insulated gate MOSFET employing polysilicon mask

Номер патента: US4914047A. Автор: Yasukazu Seki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-03.

Shield gate mosfet and method for fabricating the same

Номер патента: TWI696288B. Автор: 蘇洪毅,何昌瑾,蔣永康. Владелец: 力晶積成電子製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-11.

Shield contacts in a shielded gate MOSFET

Номер патента: KR101598060B1. Автор: 딕씨 던,폴 쏘럽,딘 이 프롭스트,마이클 디 그루나겐. Владелец: 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2016-02-26.

Method of making salicidation of source and drain regions with metal gate MOSFET

Номер патента: US6326251B1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Thomas E. Spikes, Jr.,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-12-04.

Mixed-signal semiconductor platform incorporating fully-depleted castellated-gate MOSFET device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20070080409A1. Автор: John Seliskar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-12.

Double and triple gate mosfet devices and methods for making same

Номер патента: AU2003282848A1. Автор: Bin Yu,Ming-Ren Lin,HaiHong Wang,Judy Xilin An,Zoran Krivokapic,Cyrus E. Tabery. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Split-gate mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207684A1. Автор: Jinyong Cai,Shida DONG,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Termination implant enrichment for shielded gate MOSFETS

Номер патента: US10446640B2. Автор: Joseph Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-15.

Termination implant enrichment for shielded gate mosfets

Номер патента: US20190157383A1. Автор: Joseph Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Shield contacts in a shielded gate mosfet

Номер патента: EP4295407A1. Автор: Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Interpolydielektrikum in einer Abschirm-Gate-MOSFET-Vorrichtung

Номер патента: DE102012004084A1. Автор: Dean E. Probst. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Replacement gate MOSFET with a high performance gate electrode

Номер патента: US09337289B2. Автор: Gan Wang,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Jun Yuan,Jian Yu,Yanfeng Wang,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Randolph F. Knarr. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CHANGEABLE GATE LENGTH AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170222007A1. Автор: Colinge Jean-Pierre. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-08-03.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058046A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058047A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

CONTROLLING SELF-ALIGNED GATE LENGTH IN VERTICAL TRANSISTOR REPLACEMENT GATE FLOW

Номер патента: US20180090598A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Vertical field effect transistor (fet) with controllable gate length

Номер патента: US20180350695A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Field effect transistors with multiple gate lengths

Номер патента: DE102019206113A1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Device structure and methods of making high density MOSFETs for load switch and DC-DC applications

Номер патента: US09484453B2. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Photodiode with ultra-shallow junction for high quantum efficiency CMOS image sensor and method of formation

Номер патента: US20080096302A1. Автор: Howard Rhodes,Chandra Mouli,Richard Mauritzson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Photodiode with ultra-shallow junction for high quantum efficiency CMOS image sensor and method of formation

Номер патента: US20040251398A1. Автор: Howard Rhodes,Chandra Mouli,Richard Mauritzson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Method and system for junction depth identification for ultra shallow junctions

Номер патента: US20150241506A1. Автор: Tzu-Huan CHENG. Владелец: TSMC SOLAR LTD. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of manufacturing photovoltaic device having ultra-shallow junction layer

Номер патента: US20170110600A1. Автор: Jenq-Yang Chang,Chien-Chieh Lee,Shih-Hung Wang,Ting-Tung LI,Yen-Ho CHU,Teng-Hsiang Chang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2017-04-20.

Multiple gated mosfet for use in dc-dc converter

Номер патента: AU6441198A. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1998-10-22.

Multiple gated MOSFET for use in DC-DC converter

Номер патента: EP0768761A2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-04-16.

Multi-gate MOSFET for use in DC-DC converters

Номер патента: DE69634066D1. Автор: Richard K Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

VERTICAL TRENCH GATE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE

Номер патента: US20200212219A1. Автор: Yang Hong,Kim Sunglyong,Chen Ya ping,Sridhar Seetharaman,Grebs Thomas Eugene. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Floating-shield triple-gate mosfet

Номер патента: US20170236934A1. Автор: Don Rankila. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-08-17.

Edge termination in a trench-gate MOSFET

Номер патента: US6833583B2. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-21.

Edge termination in a trench-gate mosfet

Номер патента: WO2003023862A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-20.

Double-gate MOSFET and method for fabricating the same

Номер патента: KR20020096654A. Автор: 박병국,우동수,이종덕. Владелец: 이종덕. Дата публикации: 2002-12-31.

The structures and methods of ESD polysilicon layers are integrated in trench gate mosfet

Номер патента: CN108389859A. Автор: 陈正嵘. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-08-10.

Fin Structures with Damage-Free Sidewalls for Multi-Gate Mosfets

Номер патента: US20130193482A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Fin Structures with Damage-Free Sidewalls for Multi-Gate Mosfets

Номер патента: US20130196488A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Metal gate MOSFET by full semiconductor metal alloy conversion

Номер патента: US7151023B1. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Sunfei Fang,Mahender Kumar,Hasan M. NAYFEH,Jakub T Kedzierski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Metal gate mosfet by full semiconductor metal alloy conversion

Номер патента: EP1911088A2. Автор: Sunfei Fang,Mahender Kumar,Hasan M. NAYFEH,Jakub T. Kedzierski,Cyril Cabral, Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Fin Structures with Damage-Free Sidewalls for Multi-Gate Mosfets

Номер патента: US20130196488A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: TW200924196A. Автор: Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-01.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP2160757B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A4. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Jack Hwang,Cory E Weber. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-23.

Method of fabricating a submicron silicon gate mosfet which has a self-aligned threshold implant

Номер патента: GB2227880B. Автор: John E Berg. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1993-03-31.

Method of fabricating a submicron silicon gate mosfet which has a self-aligned threshold implant

Номер патента: GB8923884D0. Автор: . Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1989-12-13.

Vertical FET Process with Controlled Gate Length and Self-aligned Junctions

Номер патента: US20180350951A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

GATE LENGTH CONTROLLED VERTICAL FETS

Номер патента: US20180012993A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistor with One Atomic Layer Gate Length

Номер патента: US20200044083A1. Автор: Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180108754A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,SIEG STUART A.,Hamieh Bassem M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20180138277A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Techniques for Vertical FET Gate Length Control

Номер патента: US20190237562A1. Автор: Kristin Schmidt,Zhenxing Bi,Yann Mignot,Chi-chun Liu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20170288030A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20180342592A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PRECISE GATE LENGTH DEFINITION

Номер патента: US20170373166A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Vertical transport field effect transistor with precise gate length definition

Номер патента: US20170373167A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Vertical Transistor with Reduced Gate Length Variation

Номер патента: US20190371919A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Techniques for forming different gate length vertical transistors with dual gate oxide

Номер патента: US10418288B2. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Formation of semiconductor structures with variable gate lengths

Номер патента: US8999791B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

MOS transistor production with gate length less than that imposed by photolithography comprises forming internal spacers in cavity arranged in pile before deposition of gate material

Номер патента: FR2823597A1. Автор: Thierry Schwartzmann. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-18.

Vertical transistor with one atomic layer gate length

Номер патента: US10593798B2. Автор: Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Techniques for vertical fet gate length control

Номер патента: EP3747038A4. Автор: Kristin Schmidt,Zhenxing Bi,Yann Mignot,Chi-chun Liu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

SiC MOSFET with reduced channel length and high Vth

Номер патента: US11776994B2. Автор: David Sheridan,Madhur Bobde,Arash Salemi. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174B. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

一种一步成型Split Gate MOSFET的制备方法

Номер патента: CN114709174A. Автор: 杨科,常虹,苏毅,袁力鹏. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for reducing gate length bias

Номер патента: US20030082895A1. Автор: Steven Huang,Ching-Chun Huang,Yuan-Li Tsai,Kai-Jen Ko,Ming-Hui Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Robot having arm with unequal link lengths and non-circular pulley

Номер патента: US09840004B2. Автор: Martin Hosek,Christopher Hofmeister. Владелец: Persimmon Technologies Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

SHIELD GATE MOSFET AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210020778A1. Автор: Su Hung-I,Ho Chang-Chin,Jiang Yong-Kang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

Trench-gate MOSFET with capacitively depleted drift region

Номер патента: US7977742B1. Автор: Donald R. Disney. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Shield contacts in a shielded gate mosfet

Номер патента: WO2022204687A1. Автор: Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device including vertical field effect transistors having different gate lengths

Номер патента: US20200020685A1. Автор: Mingyu Kim,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Uniform gate length in vertical field effect transistors

Номер патента: US09893181B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Uniform gate length in vertical field effect transistors

Номер патента: US09728635B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING DIFFERENT GATE LENGTHS

Номер патента: US20200020685A1. Автор: Kim Mingyu,Seo Kang-Ill. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical FET with Various Gate Lengths by an Oxidation Process

Номер патента: US20200043798A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20200098863A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

MULTIPLE GATE LENGTH VERTICAL FIELD-EFFECT-TRANSISTORS

Номер патента: US20170162446A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-08.

Vertical FET with Various Gate Lengths by an Oxidation Process

Номер патента: US20190198399A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

VERTICAL TRANSPORT FET WITH TWO OR MORE GATE LENGTHS

Номер патента: US20190206738A1. Автор: LIE Fee Li,De Silva Ekmini A.,Karve Gauri,Ebrish Mona,Seshadri Indira,Clevenger Leigh Anne H.,SAULNIER Nicole A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

MULTIPLE GATE LENGTH DEVICE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION

Номер патента: US20190206743A1. Автор: Xie Ruilong,Ciavatti Jerome,Qi Yi,Zang Hui,LO Hsien-Ching,PENG Jianwei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

USING SACRIFICIAL OXIDE LAYER FOR GATE LENGTH TUNING AND RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140339612A1. Автор: JHA Ashish Kumar,WANG Haiting,Lee Yong Meng,Luo Meng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

VARIABLE GATE LENGTHS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180277444A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR GATE LENGTH SCALING

Номер патента: US20180277671A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Photosensitive Detector with Composite Dielectric Gate MOSFET Structure and Its Signal Readout Method

Номер патента: US20110215227A1. Автор: FENG Yan,LIN Pu,YUE Xu,Yi Shi,Rong Zhang,Fuwei Wu,Xiaofeng Bo,Haoguang Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240008250A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

A kind of preparation method of high threshold voltage high mobility notched gates MOSFET

Номер патента: CN106298887A. Автор: 刘扬,李柳暗. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-01-04.

Manufacturing method of molded image sensor packaging structure with predetermined focal length and the structure using the same

Номер патента: EP2432017A3. Автор: Chin-Fu Lin,Hsiu-Wen Tu,Chung-Hsien Hsin,Chun-Hua Chuang,Ren-Long Kuo,Young-Houng Shiao. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Programmable word length and self-testing memory in a gate array with bidirectional symmetry

Номер патента: CA1242276A. Автор: Joseph L. Angleton,Jeffery L. Gutgsell. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Shielded Gate MOSFET and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20200105890A1. Автор: TU KAO-WAY,Tsai Po-An,Weng Huan-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

SILICON-CARBIDE TRENCH GATE MOSFETS

Номер патента: US20160190308A1. Автор: Konstantinov Andrei. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Multiple Channel Length Finfets with Same Physical Gate Length

Номер патента: US20150318282A1. Автор: Sengupta Rwik,Rodder Mark S.,Obradovic Borna. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Trench gate MOSFET fabricated by using hydrogen annealing and self-align technique

Номер патента: KR100385859B1. Автор: 이대우,노태문,김종대,조경익,김상기,구진근. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-06-02.

Floating-shield triple-gate MOSFET

Номер патента: US10388783B2. Автор: Don Rankila. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2019-08-20.

The fabricating method of trench gate mosfet device

Номер патента: KR100791773B1. Автор: 김희대. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-04.

METHOD AND DEVICE FOR SELF-ALIGNED PROCESSING TO REDUCE A CRITICAL DIMENSION OF SiC TRENCH GATE MOSFET STRUCTURE

Номер патента: KR102382846B1. Автор: 이호준,김상우,정지훈,장민석,석오균. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-04-05.

GATE LENGTH INDEPENDENT SILICON-ON-NOTHING (SON) SCHEME FOR BULK FINFETS

Номер патента: US20150056781A1. Автор: AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-02-26.

SYSTEM AND METHOD OF VARYING GATE LENGTHS OF MULTIPLE CORES

Номер патента: US20150061037A1. Автор: Cai Ming,SENGUPTA Samit,CHIDAMBARAM PR,Gan Chock Hing. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-05.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

THIN FILM TRANSISTORS WITH SPACER CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20200152635A1. Автор: Ghani Tahir,Wang Yih,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,SHIVARAMAN Shriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH MULTIPLE GATE DIELECTRICS AND DUAL WORK-FUNCTIONS WITH PRECISELY CONTROLLED GATE LENGTHS

Номер патента: US20230008763A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Fabrication of an integrated circuit incorporating a MOSFET with a reduced gate length

Номер патента: FR2847383A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-05-21.

Increasing doping of well compensating dopant region according to increasing gate length

Номер патента: US20060154428A1. Автор: Omer Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Increasing doping of well compensating dopant region according to increasing gate length

Номер патента: TW200636874A. Автор: Omer H Dokumaci. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-10-16.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US09548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIELD THRESHOLD MOSFET FOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: US20180026094A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Metamaterial based metal gate mosfet detector with gate rasterized

Номер патента: US20200203550A1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-25.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized gate

Номер патента: LU101404B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized drain

Номер патента: LU101401B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Ridged word lines for increasing control gate lengths in a three-dimensional memory device

Номер патента: US09893081B1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

High-power shingled photovoltaic string controllable in length and width and method for manufacturing module thereof

Номер патента: US20240007049A1. Автор: Jin Ho Song,Han Jun Kim,Min Joon Park,Chae Hwan Jeong,Sung Min YOUN,Dae Han MOON,Tae Wung JEONG. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2024-01-04.

TRENCH GATE MOSFET AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140159144A1. Автор: Cheng Chien-Hsing. Владелец: BEYOND INNOVATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

TRENCH GATE MOSFET AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140353747A1. Автор: Cheng Chien-Hsing. Владелец: BEYOND INNOVATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-04.

Multiple-gate MOSFET device with lithography independent silicon body thickness and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050093028A1. Автор: James Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-05.

Self-aligned gate MOSFET with separate gates

Номер патента: US6982460B1. Автор: Guy M. Cohen,Hon-Sum P. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Multiple-gate MOSFET device with lithography independnet silicon body thickness and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080142890A1. Автор: James Joseph Chambers. Владелец: James Joseph Chambers. Дата публикации: 2008-06-19.

Multiple-gate MOSFET device and associated manufacturing methods

Номер патента: US20080233697A1. Автор: Weize Xiong,Craig Henry Huffman,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Method utilizing CMP to fabricate double gate MOSFETS with conductive sidewall contacts

Номер патента: US6339002B1. Автор: Kevin K. Chan,Erin C. Jones,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Selbstjustiertes verfahren zur herstellung eines doppel-gate mosfet

Номер патента: EP1481425B1. Автор: Siegfried Mantl,Qing-Tai Zhao. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2008-07-23.

Damascene double-gate MOSFET with vertical channel regions

Номер патента: TW541698B. Автор: Hussein I Hanafi,Wesley C Natzle,Jeffrey J Brown. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-07-11.

Multiple gate MOSFET structure with strained Si fin body

Номер патента: TW200501419A. Автор: Kern Rim. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-01-01.

Selbstjustierendes Verfahren zur Herstellung eines Doppel-Gate MOSFET

Номер патента: DE10208881A1. Автор: Siegfried Mantl,Qing-Tai Zhao. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2003-09-18.

Selbstjustiertes verfahren zur herstellung eines doppel-gate mosfet

Номер патента: ATE402485T1. Автор: Siegfried Mantl,Qing-Tai Zhao. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2008-08-15.

Selbstjustierendes verfahren zur herstellung eines doppel-gate mosfet

Номер патента: EP1481425A1. Автор: Siegfried Mantl,Qing-Tai Zhao. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2004-12-01.

High electron mobility transistor and method of fabrication having reduced gate length and leak current

Номер патента: US10879383B2. Автор: Matthew Charles,Julien Buckley,Alphonse TORRES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-12-29.

VERTICAL FET PROCESS WITH CONTROLLED GATE LENGTH AND SELF-ALIGNED JUNCTIONS

Номер патента: US20190267474A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Vertical FET process with controlled gate length and self-aligned junctions

Номер патента: US10680082B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A2. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-08.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A3. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Дата публикации: 2006-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED GATE LENGTH

Номер патента: US20150097227A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,Guo Ta-Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-04-09.

PRECISE CONTROL OF VERTICAL TRANSISTOR GATE LENGTH

Номер патента: US20180277676A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

PRECISE CONTROL OF VERTICAL TRANSISTOR GATE LENGTH

Номер патента: US20170323968A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

VERTICAL FET WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN REGIONS AND GATE LENGTH BASED ON CHANNEL EPITAXIAL GROWTH PROCESS

Номер патента: US20180331213A1. Автор: Bentley Steven,Frougier Julien,Pawlak Bartlomiej Jan,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

FIELD-EFFECT TRANSISTORS INCLUDING MULTIPLE GATE LENGTHS

Номер патента: US20190371887A1. Автор: Xie Ruilong,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device assemblies including tsvs of different lengths and methods of making the same

Номер патента: US20230139278A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

DEVICES INCLUDING GATES WITH MULTIPLE LENGTHS AND METHODS OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20170040315A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

System and method of varying gate lengths of multiple cores

Номер патента: US20150061037A1. Автор: Ming Cai,Samit Sengupta,PR Chidambaram,Chock Hing Gan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

System and method of varying gate lengths of multiple cores

Номер патента: US09461040B2. Автор: Ming Cai,Samit Sengupta,PR Chidambaram,Chock Hing Gan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

System and method of varying gate lengths of multiple cores

Номер патента: EP3042393A1. Автор: Ming Cai,Samit Sengupta,PR Chidambaram,Chock Hing Gan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-13.

System and method of varying gate lengths of multiple cores

Номер патента: US20150311198A1. Автор: Ming Cai,Samit Sengupta,PR Chidambaram,Chock Hing Gan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

TRENCH GATE MOSFET DEVICE

Номер патента: US20130153999A1. Автор: ZHANG LEI,LI Tiesheng,Ma Rongyao,Disney Donald. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Method for fabricating of the trench gate mosfet

Номер патента: KR101643338B1. Автор: 김종민,손영상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2016-08-10.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH CONTROLLABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20190139833A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

NANOSHEET TRANSISTOR WITH UNIFORM EFFECTIVE GATE LENGTH

Номер патента: US20180301531A1. Автор: Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-10-18.

Extended drain non-planar MOSFETs for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09502883B2. Автор: Walid M. Hafez,Akm Ahsan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

METHOD FOR DUAL ENERGY IMPLANTATION FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION OF MOS DEVICES

Номер патента: US20130264491A1. Автор: Chen John,WU HANMING,Lee Chia Hao. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

SHIELD INDENT TRENCH TERMINATION FOR SHIELDED GATE MOSFETS

Номер патента: US20190006512A1. Автор: WU Xiaoli,YEDINAK Joseph. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-01-03.

TRENCH GATE MOSFET

Номер патента: US20150008514A1. Автор: Chan Chien-Ling,Lee Chi-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

TRENCH GATE MOSFET

Номер патента: US20150008515A1. Автор: Chan Chien-Ling,Lee Chi-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Techniques for Forming Different Gate Length Vertical Transistors with Dual Gate Oxide

Номер патента: US20190214305A1. Автор: Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Method of formation of self-aligned source/drain and ultra-short gate length with wet etching

Номер патента: KR102437939B1. Автор: 이정희,김은진,강승현,김정길. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-08-30.

Insulated gate power device using a MOSFET for turning off

Номер патента: US09806181B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

INSULATED GATE POWER DEVICE USING A MOSFET FOR TURNING OFF

Номер патента: US20160204239A1. Автор: Rodov Vladimir,Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori,Tworzydlo Woytek. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION HAVING REDUCED GATE LENGTH AND LEAK CURRENT

Номер патента: US20190334022A1. Автор: Charles Matthew,Buckley Julien,TORRES Alphonse. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

STRUCTURE AND METHOD FOR REPLACEMENT GATE MOSFET WITH SELF-ALIGNED CONTACT USING SACRIFICIAL MANDREL DIELECTRIC

Номер патента: US20130143377A1. Автор: Chudzik Michael P.,Radens Carl J.,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH RAISED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20130161697A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Yang Chih-Chao. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH A HIGH PERFORMANCE GATE ELECTRODE

Номер патента: US20130175641A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Guo Dechao,Yuan Jun,Wang Yanfeng,Knarr Randolph F.,Wang Gan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

TRENCH GATE MOSFET

Номер патента: US20140015041A1. Автор: Chan Chien-Ling,Lee Chi-Hsiang. Владелец: UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD OF FORMING TRENCH GATE MOSFET

Номер патента: US20140017864A1. Автор: Chan Chien-Ling,Lee Chi-Hsiang. Владелец: UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-01-16.

SILICON-CARBIDE TRENCH GATE MOSFETS AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20180145168A1. Автор: Konstantinov Andrei. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2018-05-24.

ADAPTIVE DUO-GATE MOSFET

Номер патента: US20160344383A1. Автор: Su Jiong-Guang,Chou Hung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

MANUFACTURING OF SCALABLE GATE LENGTH HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130189817A1. Автор: Peroni Marco,Romanini Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

SHORT GATE-LENGTH HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH ASYMMETRIC RECESS AND SELF-ALIGNED OHMIC ELECTRODES

Номер патента: US20130295757A1. Автор: Xu Dong,Chao Pane-chane,Chu Kanin. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

FORMATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH VARIABLE GATE LENGTHS

Номер патента: US20140329380A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of independent P and N gate length control of FET device made by sidewall image transfer technique

Номер патента: US6998332B2. Автор: Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,William H-L Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

A mosfet for high voltage applications and a method of fabricating same

Номер патента: EP1815527B1. Автор: Adrianus W. Ludikhuize,Alfred Grakist,Jan-Harm Nieland,Jan J. Koning,Johannes H. H. A. Egbers,Maarten J. Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-23.

A mosfet for high voltage applications and a method of fabricating same

Номер патента: WO2006040736A1. Автор: Adrianus W. Ludikhuize,Alfred Grakist,Jan-Harm Nieland,Jan J. Koning,Johannes H. H. A. Egbers,Maarten J. Swanenberg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-20.

A mosfet for high voltage applications and a method of fabricating same

Номер патента: EP1815527A1. Автор: Adrianus W. Ludikhuize,Alfred Grakist,Jan-Harm Nieland,Jan J. Koning,Johannes H. H. A. Egbers,Maarten J. Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-08-08.

Depleted silicon-on-insulator capacitive MOSFET for analog microcircuits

Номер патента: US09813024B2. Автор: VINOD KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming semiconductor devices using gate electrode length and spacer width for controlling drivecurrent strength

Номер патента: US5863824A. Автор: Mark I. Gardner,Jim H. Fulford,Anthony Toprac. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-01-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage MOSFET for Portable Electronic Devices and Data Processing Centers

Номер патента: US20120161248A1. Автор: Samuel J. Anderson,Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIELD THRESHOLD MOSFET FOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: US20160013265A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTROLLABLE CHANNEL LENGTH AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTROLLABLE CHANNEL LENGTH

Номер патента: US20210028298A1. Автор: Lee Jung Hwan,SHIN Hyun Kwang. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

EXTENDED DRAIN NON-PLANAR MOSFETS FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION

Номер патента: US20170040793A1. Автор: Hafez Walid M.,AHSAN AKM. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH A HIGH PERFORMANCE GATE ELECTRODE

Номер патента: US20150137269A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Guo Dechao,Yuan Jun,Wang Yanfeng,Knarr Randolph F.,Wang Gan. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Structure and method for Vt tuning and short channel control with high K / metal gate MOSFETs.

Номер патента: JP5669954B2. Автор: ワン、シンリン,チェン、シャンドン,カイ、チン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

The structure controlled for the Vt adjustment and short channel with high-k/metal gate mosfet and method

Номер патента: CN103262246B. Автор: 陈向东,蔡劲,王新琳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: WO2012078225A1. Автор: Xiangdong Chen,Xinlin Wang,Jin Cai. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of forming vertical field effect transistors with different gate lengths and a resulting structure

Номер патента: US20190103319A1. Автор: Wei Hong,YI Qi,Hui Zang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Yanping SHEN,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo,Yongjun Shi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD OF FORMING VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH DIFFERENT GATE LENGTHS AND A RESULTING STRUCTURE

Номер патента: US20190103319A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Hong Wei,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Qi Yi,Zang Hui,LO Hsien-Ching,PENG Jianwei,SHI YONGJUN,SHEN Yanping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-04-04.

SYSTEM AND METHOD OF VARYING GATE LENGTHS OF MULTIPLE CORES

Номер патента: US20150311198A1. Автор: Cai Ming,SENGUPTA Samit,CHIDAMBARAM PR,Gan Chock Hing. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Gate length control for semiconductor chip design

Номер патента: CA2431162A1. Автор: Eric E. Vogt,Cheisan J. Yue,Todd N. Handeland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

LAYERED SPACER FORMATION FOR ULTRASHORT CHANNEL LENGTHS AND STAGGERED FIELD PLATES

Номер патента: US20200066889A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Laser device utilizing hollow cathode segments of specific lengths and diameters

Номер патента: CA1129531A. Автор: Shing C. Wang,Randolph W. Hamerdinger. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1982-08-10.

Vertical cavity surface emitting laser design with shorter oxidation length and/or larger number of trenches

Номер патента: US11831129B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for determining the length and/or volume of the purge path within a fuel cell system

Номер патента: US20240055633A1. Автор: Helerson Kemmer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-modal double-transistor light-sensitive detector based on composite dielectric gate MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Номер патента: CN104900667A. Автор: 闫锋,高宏,毛成,杨程,张丽敏,卜晓峰,马浩文. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-09-09.

Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets

Номер патента: US6242350B1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Chang Huang,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Method of making (100) nmos and (110) pmos sidewall surface on the same fin orientation for multiple gate mosfet with dsb substrate

Номер патента: US20080308847A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for increasing the effective well doping in a MOSFET as the gate length decreases

Номер патента: US6432777B1. Автор: Werner Rausch,Ralph W. Young. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Asymmetrical devices for short gate length performance with disposable sidewall

Номер патента: US20020145154A1. Автор: Amitava Chatterjee,Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Uniform turn-on design on multiple-finger MOSFET for ESD protection application

Номер патента: US20040141266A1. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Che-Hao Chuang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Robot Arm With Unequal Link Lengths And Variable Non-Linear Wrist Orientation

Номер патента: US20170028546A1. Автор: Hosek Martin,WILKAS Scott,Lipcon Jacob. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

3d non-volatile memory with control gate length based on memory hole diameter

Номер патента: WO2014197523A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Man L Mui,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-11.

Dual-gate mosfet based memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102086038B1. Автор: 윤영준,강인만. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-03-06.

Manufacturing method memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240006471A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Terahertz sensor based on ring gate MOSFET structure

Номер патента: CN104091851A. Автор: 闫锋,纪小丽,朱颖杰,廖轶明. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-08.

Metamaterial-based metal gate MOSFET grid rasterization detector

Номер патента: CN109781255B. Автор: 马建国,周绍华. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-03-09.

Unit cell with floating gate MOSFET for analog memory

Номер патента: US10217512B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

METAMATERIAL BASED METAL GATE MOSFET DETECTOR WITH GATE RASTERIZED

Номер патента: US20200203550A1. Автор: MA Jianguo,Zhou Shaohua. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Power biased gate MOSFET

Номер патента: DE60009214D1. Автор: Richard K Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

RIDGED WORD LINES FOR INCREASING CONTROL GATE LENGTHS IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180040627A1. Автор: Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.,SHARANGPANI Rahul,KANAKAMEDALA Senaka,Peri Somesh. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BALLISTIC GATE LENGTH STRUCTURE

Номер патента: US20160087232A1. Автор: Han Shu-Jen,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Papa Rao Satyavolu S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device with ballistic gate length structure

Номер патента: US20150194619A1. Автор: Joshua T. Smith,Shu-Jen Han,Satyavolu S. Papa Rao,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device with ballistic gate length structure

Номер патента: US9246112B2. Автор: Joshua T. Smith,Shu-Jen Han,Satyavolu S. Papa Rao,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device with ballistic gate length structure

Номер патента: US9786852B2. Автор: Joshua T. Smith,Shu-Jen Han,Satyavolu S. Papa Rao,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of measuring minority carrier diffusion length and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US7727783B2. Автор: Tsuyoshi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Memory window of MFM MOSFET for small cell size

Номер патента: US12075626B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Improve memory window of mfm mosfet for small cell size

Номер патента: US20240357835A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of processing dummy pattern based on boundary length and density of wiring pattern, semiconductor design apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20120199979A1. Автор: Keisuke Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Devices having a tunable acoustic path length and methods for making same

Номер патента: US20130335166A1. Автор: L. Richard Carley,Rajarishi Sinha,Deok-Yang Kim. Владелец: Cymatics Laboratories Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of processing dummy pattern based on boundary length and density of wiring pattern, semiconductor design apparatus and semiconductor device

Номер патента: US8365127B2. Автор: Keisuke Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

DEVICES HAVING A TUNABLE ACOUSTIC PATH LENGTH AND METHODS FOR MAKING SAME

Номер патента: US20130335166A1. Автор: Sinha Rajarishi,Carley L. Richard,Kim Deok-Yang. Владелец: CYMATICS LABORATORIES CORP.. Дата публикации: 2013-12-19.

MEMORY WINDOW OF MFM MOSFET FOR SMALL CELL SIZE

Номер патента: US20220310635A1. Автор: Trinh Hai-Dang,TSAI Cheng-Yuan,Kuang Hsun-Chung,Lee Bi-Shen,Jiang Fa-Shen,Wei Yi Yang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

ORGANIC LIGHT EMITTING TRANSISTORS INCLUDING ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYERS WITH DIFFERENT LENGTHS AND WIDTHS

Номер патента: US20210265597A1. Автор: Hsieh Hsing-Hung,Wu Kuan-Ting,Liao Super. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2021-08-26.

A kind of measurement method and its device of double-sided solar battery ultra-shallow junctions junction depth

Номер патента: CN110011617A. Автор: 曹志杰,马晓波,杨利利,陈焕铭. Владелец: Ningxia University. Дата публикации: 2019-07-12.

Plasma display panel with a defined relationship between an exhaust hole circumferential length and distances between main and separation barrier ribs and seal layer structures

Номер патента: US8125148B2. Автор: Wontae Kim,Younjin Kim,Hungun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-02-28.

Electrode assembly comprising electrode units with equal lengths and different widths, and battery cell and device comprising same

Номер патента: EP2924794A4. Автор: Soon-Ho Ahn,Seung-Min Ryu,Young-Hoon Kim,Dong-myung Kim,Ki-Woong Kim,Sung-Jin Kwon,Sung-Han Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-21.

SURFACE LASER LASER WITH VERTICAL RESONATOR WITH TUNING OF THE WAVE LENGTH AND METHOD FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: RU2003137773A. Автор: Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ,Виталий Александрович ЩУКИН,Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE),Виталий Александрович ЩУКИН (DE). Владелец: Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE). Дата публикации: 2005-04-10.

Channel electron multiplier having two or more resistive coating layers in different zones along its length and method to produce the same

Номер патента: EP3591687A8. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Case assembly having ripcords with excess length and ripcords attached to tape

Номер патента: EP1220237A3. Автор: Stefan Richter,Christopher L. Johnson,Matthew Barber,Geoffrey Witt,Pierre c/o Alacatel Submarine Networks Gaillard. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-02-05.

ANTENNA MODULE USING TRANSMISSION LINE LENGTH AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200014358A1. Автор: PARK Hyunchul,Park Byungjoon,KIM Kihyun,CHO Yunsung,SON Juho. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

ELECTRODE ASSEMBLY INCLUDING ELECTRODE UNITS HAVING THE SAME WIDTH AND DIFFERENT LENGTHS, AND BATTERY CELL AND DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20140234682A1. Автор: Kim Young-Hoon,KIM Dong-Myung,Kim Ki-Woong,AHN Soon-Ho,Kwon Sung-Jin,Yoon Sung-Han,Ryu Seung-Min. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

SERIAL SERVO SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN OPTICAL PATH LENGTH AND A REPETITION FREQUENCY OF A MODE-LOCKED LASER

Номер патента: US20150200519A1. Автор: Leyva Victor,Knabe Kevin,Daniele Andrew N.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-07-16.

ELECTRODE ASSEMBLY INCLUDING ELECTRODE UNITS HAVING THE SAME LENGTH AND DIFFERENT WIDTHS, AND BATTERY CELL AND DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20150221988A1. Автор: Kim Young-Hoon,KIM Dong-Myung,Kim Ki-Woong,AHN Soon-Ho,Kwon Sung-Jin,Yoon Sung-Han,Ryu Seung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Tuner USING DUAL-GATE MOSFET

Номер патента: KR970031274A. Автор: 심상규. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1997-06-26.

Semiconductor device including inverter gate circuit with connection configuration switch circuit switching real values of gate width and gate length

Номер патента: US9444458B2. Автор: Koichi Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Device for measuring the length and diameter of a container using structured lighting, and method of use

Номер патента: US09729832B2. Автор: Donald E. Dawson,Elmo SCHOENSEE,Terje Hanserud. Владелец: Envipco Holding NV. Дата публикации: 2017-08-08.

Multi-line device for compressing by wave lengths and an optical automatic telephone station

Номер патента: RU2297719C2. Автор: Владимир Моисеевич Дворецкий. Владелец: Владимир Моисеевич Дворецкий. Дата публикации: 2007-04-20.

Apparatus and an accompanying method for use in a long-haul echo control device for detecting changes in path length and compensating the performance of an echo canceller therein

Номер патента: US20030190040A1. Автор: Ronald Tegethoff. Владелец: NMS Communications Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Frame buffer compression using separate aggregation of fixed-length and variable-length components of codewords

Номер патента: US09712848B2. Автор: Xin Guo,Wendy Wai Yin Cheung. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Dual stage compression of bit mapped image data using refined run length and LZ compression

Номер патента: US5627534A. Автор: David J. Craft. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Method of generating parity-check matrix, encoding/decoding method for low density parity-check code with variable information length and variable code rate and apparatus using the same

Номер патента: US20100325511A1. Автор: Seung-Chan Bang,Jong-Ee Oh,Sok-Kyu Lee,Minho Cheong,Heejung Yu,Yu-Ro Lee,Chanho YOON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-12-23.

Cable management device with variable total length and server chassis having the same

Номер патента: US11844187B2. Автор: Chen-Sheng Tang,Chang-Ju Wu. Владелец: Fulian Precision Electronics Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Cable management device with variable total length and server chassis having the same

Номер патента: US20230026480A1. Автор: Chen-Sheng Tang,Chang-Ju Wu. Владелец: Fulian Precision Electronics Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of processing picture signal to increase average run length and apparatus therefor

Номер патента: CA1207885A. Автор: Kazumoto Iinuma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-07-15.

Combined modulated optical reflectance and electrical system for ultra-shallow junctions applications

Номер патента: US20070188761A1. Автор: Lena Nicolaides,Jon Opsal,Alex Salnik. Владелец: Therma Wave Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

METHOD AND SYSTEM FOR JUNCTION DEPTH IDENTIFICATION FOR ULTRA SHALLOW JUNCTIONS

Номер патента: US20150241506A1. Автор: CHENG Tzu-Huan. Владелец: TSMC SOLAR LTD.. Дата публикации: 2015-08-27.

Photothermal ultra-shallow junction monitoring system with uv pump

Номер патента: WO2004113884A1. Автор: Lena Nicolaides,Jon Opsal,Alex Salnik. Владелец: Therma-Wave, Inc.. Дата публикации: 2004-12-29.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Screw with universal length and cutting tools

Номер патента: RU2659017C2. Автор: Андреас АППЕНЦЕЛЛЕР,Даниель ФЛУРИ. Владелец: Депуи Синтез Продактс, Инк.. Дата публикации: 2018-06-26.

Fixing device with adjustable length and fast adjustment, namely for control panel of sanitary fixture

Номер патента: RU2401912C2. Автор: ДЕ ОЛИВЕЙРА Антонио Мануэль МОУРА. Владелец: Оливейра И Ирмао, С.А.. Дата публикации: 2010-10-20.

System for detecting full-length and partially truncated type a neurotoxin

Номер патента: RU2545825C2. Автор: Харольд В. ТЭЙЛОР,Карл-Хайнц АЙЗЕЛЕ,Корнелиа БРЮНН. Владелец: Мерц Фарма Гмбх Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2015-04-10.

Device for measuring length and center of mass of conical workpiece

Номер патента: US20240151605A1. Автор: Lei Yan,Bingtao Gao,Tian Bai,Xiaosan Wang,Yinxiao MIAO,Fengju SUN,Qigang HUANG,Ruidong HUO,Yimeng GUO. Владелец: Beijing Aerospace Institute for Metrology and Measurement Technology. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and device for detecting pedestrian stride length and walking path

Номер патента: EP3418692A3. Автор: Feng Xu,Chi Zhang,Ming Lyu. Владелец: Beijing Fine Way Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Exercise equipment with automatic adjustment of stride length and/or straight height based upon direction of the foot support rotation

Номер патента: EP1557199A3. Автор: Timothy J. Porth. Владелец: Octane Fitness LLC. Дата публикации: 2005-12-21.

Optical fibers with very long polarization correlation length and method for obtaining optical fibers with very long polarization correlation length

Номер патента: WO2006006192A1. Автор: Anna Pizzinat,Paola Griggio,Luca Palmieri,Andrea Galtarossa,Luca Schenato. Владелец: UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PADOVA. Дата публикации: 2006-01-19.

System and method for verifying trace lengths and trace spaces in a circuit

Номер патента: US7367003B2. Автор: Ming-Xiong Liao,Fang An,Gong-Xian Deng. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

System and method for verifying trace lengths and trace spaces in a circuit

Номер патента: US20060015833A1. Автор: Ming-Xiong Liao,Fang An,Gong-Xian Deng. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods of mrna poly(a) tail length and heterogeneity analysis

Номер патента: US20240141429A1. Автор: Matthew A. Lauber,Martin Gilar,Catalin DONEANU,Mame Maissa GAYE. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Optical lens having a tunable focal length and display device including the same

Номер патента: US20220066262A1. Автор: Mikhail Vyacheslavovich POPOV,Nikolay Victorovich Muravev,Dmitriy Evgenyevich PISKUNOV,Svetlana Vladimirovna DANILOVA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Optical fibers with very long polarization correlation length and method for obtaining optical fibers with very long polarization correlation length

Номер патента: WO2006006192B1. Автор: Anna Pizzinat,Paola Griggio,Luca Palmieri,Andrea Galtarossa,Luca Schenato. Владелец: Luca Schenato. Дата публикации: 2006-03-16.

Methods of mrna poly(a) tail length and heterogeneity analysis

Номер патента: WO2024095161A1. Автор: Matthew A. Lauber,Martin Gilar,Catalin DONEANU,Mame Maissa GAYE. Владелец: WATERS TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-10.

2-dimensional polymer nanosheet and width, length, and height tunable method of preparing the same

Номер патента: US11377548B2. Автор: Tae-Lim Choi,Sanghee YANG,Sung-Yun Kang. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2022-07-05.

Flat lens with multiple focal lengths and a passive infrared sensor device with the same

Номер патента: US20130284932A1. Автор: Wen-I Huang. Владелец: IR TEC International Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Variable length and sensor spacing thermistor array

Номер патента: USH240H. Автор: Richard C. Swenson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1987-03-03.

Device for cutting to length and feeding spine strips for a case maker

Номер патента: US20110283854A1. Автор: Gunter Geldmeier,Frank Tautz. Владелец: Kolbus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-11-24.

Polyspecific antibodies containing antibody of full length and one-chain fragments fab

Номер патента: RU2598248C2. Автор: КЛАЙН Кристиан,Томас РЕГУЛА Йёрг,Михаэль ШАНЦЕР Юрген,МЁССНЕР Эккехард,УМАНА Пабло,БРИНКМАНН Ульрих,БРЮНКЕР Петер,КРОАСДЕЙЛ Ребекка,КОПЕТЦКИ Эрхард,Олаф ШТРАККЕ Ян. Владелец: Роше Гликарт Аг. Дата публикации: 2016-09-20.

Modernized device for determining average path length and effective diameter of gas molecules

Номер патента: RU2629132C2. Автор: Игорь Марсельевич Ветров,Александр Борисович Шабаров,Геннадий Викторович Бахмат,Людмила Александровна Пульдас,Иван Михайлович Фролов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2017-08-24.

Device for determination of pipe string length and speed during lowering and lifting operations at well

Номер патента: RU2692330C1. Автор: Андрей Васильевич Попов,Евгений Валерьевич Антипин,Александр Владимирович Долгов,Сергей Владимирович Долгов,Михаил Михайлович Комарницкий. Владелец: Андрей Васильевич Попов. Дата публикации: 2019-06-24.

Differential lock with small stroke length and with large length of locking links

Номер патента: RU2619742C2. Автор: Патрик Джон МакМИЛЛАН,Дэниел Филип ФИШЕР. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 2017-05-17.

Fracture length and fracture complexity determination using fluid pressure waves

Номер патента: WO2019089977A1. Автор: Daniel Moos,Nicola TISATO,Jakub FELKL. Владелец: Seismos, Inc.. Дата публикации: 2019-05-09.

Therapy and diagnosis of conditions related to telomere length and/or telomerase activity

Номер патента: US5489508A. Автор: Michael D. West,Jerry Shay,Woodring Wright. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 1996-02-06.

Therapy and diagnosis of conditions related to telomere length and/or telomerase activity

Номер патента: WO1993023572A1. Автор: Michael D. West,Jerry Shay,Woodring Wright,Elizabeth H. Blackburn. Владелец: University of California San Francisco. Дата публикации: 1993-11-25.

System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter

Номер патента: EP3169477A2. Автор: Garrett Andrew Piech,Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Determining the length and azimuth of fractures in earth formations

Номер патента: US5574218A. Автор: Robert J. Withers. Владелец: Atlantic Richfield Co. Дата публикации: 1996-11-12.

Method and apparatus for producing articles of continuous length and constant cross-section from fluid materials such as latex

Номер патента: GB454469A. Автор: . Владелец: International Latex Processes Ltd. Дата публикации: 1936-10-01.

Child carrier system comprising a simultaneous connection and progressive adjustment system for the length and width of the dorsal support panel

Номер патента: WO2020255112A1. Автор: Monica Rodica OLARIU. Владелец: Olariu Monica Rodica. Дата публикации: 2020-12-24.

Improvements relating to length and/or speed measurement of moving material

Номер патента: GB1073170A. Автор: Peter Raymond Batty. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1967-06-21.

Backflow prevention assembly having a variable lay-length and orientation

Номер патента: US10914412B2. Автор: Joseph Michael Burke,Ian David Baynes,Jason Doughty,Frank DiBenedetto,Muhannad A. Bagegni. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2021-02-09.

Length and temperature measuring apparatus for tank installations

Номер патента: CA1156853A. Автор: Eugen Rapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-11-15.

Therapy and diagnosis of conditions related to telomere length and/or telomerase activity

Номер патента: CA2135648C. Автор: Michael D. West,Jerry Shay,Woodring Wright,Elizabeth H. Blackburn. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2002-06-25.

Photographic camera with motorized focal length and distance adjustment of the objective

Номер патента: US3701309A. Автор: Heinz Thiele,Roland Hochstein,Hans Lieckfeldt,Horst Rockstroh,Dietrich Becker. Владелец: Zeiss Ikon AG. Дата публикации: 1972-10-31.

Apparatus for cutting to length and stacking elongated goods

Номер патента: CA1194762A. Автор: Friedrich W. Elhaus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-10-08.

Packaging machine for forming and filling bags of different lengths and widths

Номер патента: US3553934A. Автор: Kenneth R Johnson,Robert F Lense. Владелец: Riegel Paper Corp. Дата публикации: 1971-01-12.

Device for simultaneously measuring bolt length and diameter

Номер патента: US5515614A. Автор: Jon P. Wing. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-05-14.

Method of calculating actual arm lengths and compensating for angular errors

Номер патента: US4722063A. Автор: Kazuyoshi Yasukawa,Yasuyuki Kitahara. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 1988-01-26.

Device for measuring leg length and off-set for a total hip replacement

Номер патента: US5700268A. Автор: Kim C. Bertin. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Length and angle gauge

Номер патента: US4328619A. Автор: William Lefevre,Robert P. Darlington. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-05-11.

Automatic line length and tension adjuster

Номер патента: GB2343168A. Автор: Mark Anthony Delstanche. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-03.

Electronic device for determining the height, width, length and volume of a container

Номер патента: US3819918A. Автор: E Hale. Владелец: Kratos LLC. Дата публикации: 1974-06-25.

Method and an apparatus for folding pliable material, such as documents, which may differ in quality and length and which are conveyed in assembled form or successively

Номер патента: US4917662A. Автор: Jacobus F. Gombault. Владелец: Hadewe BV. Дата публикации: 1990-04-17.

Laser scanning code symbol reading system providing improved control over the length and intensity characteristics of a laser scan line projected therefrom using laser source blanking control

Номер патента: US9016576B2. Автор: Stephen Colavito,David Wilz, Sr.,Zhipeng Teng,Robert Hugh Brady,Myron Levon Dixon. Владелец: Metrologic Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Apparatus for determining fibre lengths and fibre length distribution from a fibre material sample, especially in spinning preparation

Номер патента: US7093325B2. Автор: Achim Breuer,Arregui Pedro Corrales. Владелец: Truetzschler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-08-22.

A variable length and angle cross-link device

Номер патента: WO1997038640A1. Автор: Joseph P. Errico,Thomas J. Errico,James D. Ralph,James Corin. Владелец: Fastenetix, L.L.C.. Дата публикации: 1997-10-23.

Earth-boring tools having multiple gage pad lengths and related methods

Номер патента: US20190145189A1. Автор: Stephen Manson SLAVENS,Zachary Borders. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Surgical tool support systems including elongate support legs with adjustable lengths and related methods

Номер патента: US11925511B2. Автор: David John Sayler,Rajesh Pandey,Peter G. Piferi,Maxwell Jerad Daly,Kimberly Luu. Владелец: ClearPoint Neuro Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Side Brush With Bristles at Different Lengths and/or Angles for Use in a Robot Cleaner and Side Brush Deflectors

Номер патента: US20180325252A1. Автор: Frederick Karl Hopke,David Xu,Daniel R. Der Marderosian,Alden KELSEY,David Thomas BARKER,Sandy Wang. Владелец: SharkNinja Operating LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Side brush with bristles at different lengths and/or angles for use in a robot cleaner and side brush deflectors

Номер патента: CA3063857C. Автор: Frederick Karl Hopke,David Xu,Alden KELSEY,David Thomas BARKER,Daniel R Der Marderosian,Sandy Wang. Владелец: SharkNinja Operating LLC. Дата публикации: 2023-03-21.

Systems and methods for determining a length and/or a diameter of a conduit

Номер патента: US20230417544A1. Автор: Stephen Mcmahon,Redmond SHOULDICE,Roxana TIRON,Graeme Alexander Lyon,Niall Andrew FOX. Владелец: Resmed Sensor Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Platform for the storage, transport and handling of drilling or prospection rods of different lengths and diameters

Номер патента: US20230313622A1. Автор: Tomas BUTTAZZONI FONTAINE,Eugenio FIERRO AHUMADA. Владелец: SAFEDRILL SpA. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of and device for handling of cut lengths and short lengths in merchant bar finishing lines

Номер патента: US6123202A. Автор: Rainer Hellenbradt. Владелец: Sms Schloemann Siemag AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Tailor{40 s trouser length and trouser cuff marker

Номер патента: US3726016A. Автор: J Sullivan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-04-10.

Method and device for detecting pedestrian stride length and walking path

Номер патента: US20180372500A1. Автор: Feng Xu,Chi Zhang,Ming Lyu. Владелец: Beijing Fine Way Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

An Integrated Measuring Equipment for Body Length and Weight of Fish

Номер патента: NL2031890B1. Автор: Liu Fei. Владелец: Inst Of Fisheries Science Tibet Academy Of Agricultural And Animal Husbandry Sciences. Дата публикации: 2023-11-24.

Methods and reagents for regulating telomere length and telomerase activity

Номер патента: WO1998011204A1. Автор: Robert R. Adams,William H. Andrews,Bryant Villeponteau,Junli Feng. Владелец: Geron Corporation. Дата публикации: 1998-03-19.

Method of influencing a backpressure length and/or a screw return speed

Номер патента: US11738491B2. Автор: Erich Hochreiter,Guenther Klammer,Klaus Fellner,Thomas KOEPPLMAYR. Владелец: ENGEL AUSTRIA GMBH. Дата публикации: 2023-08-29.

A MULTI-ECHO LENGTH AND OFFSET VARIED SATURATION (Me-LOVARS) METHOD FOR CHEMICAL EXCHANGE SATURATION TRANSFER (CEST) MR IMAGING

Номер патента: US20160139228A1. Автор: Michael T. Mcmahon,Xiaolei Song,Jiadi XU. Владелец: Kennedy Krieger Institute Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Planter length-and-shape customizable planter

Номер патента: EP3142478A1. Автор: Ezer Goshen,Ron HAREL,Ran BEN OR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-22.

Friction stir welding (fsw) tool with adjustable probe length and shoulder groove depth

Номер патента: US20210402505A1. Автор: Sung Jong Choi,Ho Chan KIM. Владелец: Andong National University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2021-12-30.

Side brush with bristles at different lengths and/or angles for use in a robot cleaner and side brush deflectors

Номер патента: EP3624634A1. Автор: Alden KELSEY,Frederick Karl HOPKE,David XU,David Thomas BARKER,Daniel R. DER MARDEROSIAN,Sandy WANG. Владелец: SharkNinja Operating LLC. Дата публикации: 2020-03-25.

Side brush with bristles at different lengths and/or angles for use in a robot cleaner and side brush deflectors

Номер патента: WO2018213238A1. Автор: Alden KELSEY,Frederick Karl HOPKE,David XU,David Thomas BARKER,Daniel R. DER MARDEROSIAN,Sandy WANG. Владелец: SharkNinja Operating LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Excavator Four-Bar Linkage Length And Angle Offset Determination Using A Laser Distance Meter

Номер патента: US20180171580A1. Автор: Mark Nicholas Howell,Samuel Joseph Frei. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Device for measuring length and center of mass of conical workpiece

Номер патента: US11988572B1. Автор: Lei Yan,Bingtao Gao,Tian Bai,Xiaosan Wang,Yinxiao MIAO,Fengju SUN,Qigang HUANG,Ruidong HUO,Yimeng GUO. Владелец: Beijing Aerospace Institute for Metrology and Measurement Technology. Дата публикации: 2024-05-21.

Excavator four-bar linkage length and angle offset determination using a laser distance meter

Номер патента: US20180291587A1. Автор: Mark Nicholas Howell,Samuel Joseph Frei. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

A cannula of changeable length and shape

Номер патента: EP1001700A2. Автор: Alexander R. Stefanov,Ivan R. Stefanov. Владелец: EATERTON Corp NV. Дата публикации: 2000-05-24.

Stitch length and feed reversing control for a sewing machine

Номер патента: US4276841A. Автор: William Weisz. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1981-07-07.

Apparatus to measure the bending length and bending rigidity of fabrics

Номер патента: US5142918A. Автор: Frank Scaysbrook,Nhan G. Ly. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 1992-09-01.

Medical treatment devices having adjustable length and/or diameter

Номер патента: US20150094706A1. Автор: LI Wang,Chunlang Hong,Jiun Keat Ong. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2015-04-02.

Device for cutting to length and feeding spine strips for a case maker

Номер патента: US8801351B2. Автор: Gunter Geldmeier,Frank Tautz. Владелец: Kolbus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-08-12.

Nonlinear resistance circuit using floating gate MOSFET

Номер патента: JP4662115B2. Автор: 一幸 合原,徹哉 藤原,喜彦 堀尾. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2011-03-30.

Reconfigurable logic cell made up of double-gate mosfet transistors

Номер патента: EP2171851A2. Автор: Ian D. O'connor,Ilham Hassoune. Владелец: Ecole Centrale De Lyon. Дата публикации: 2010-04-07.

Nonlinear resistance circuit using floating gate MOSFET

Номер патента: JPWO2003063349A1. Автор: 一幸 合原,徹哉 藤原,喜彦 堀尾,合原　一幸. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2005-05-26.

Asymmetric trapezoidal gate mosfet and rf amplifier using same

Номер патента: US20020070806A1. Автор: Shyh-Chyi Wong,Chi-Hung Kao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Nonlinear resistor circuit using floating gate mosfets

Номер патента: WO2003063349A1. Автор: Tetsuya Fujiwara,Kazuyuki Aihara,Yoshihiko Horio. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2003-07-31.

Method and system for interaction between vr application and controller capable of changing length and center of gravity

Номер патента: US20230041922A1. Автор: Seong Ho Kim,Tae Hoon Kim,Sang Youn Kim,Seong Won Jeong,Hyun U Ko. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Korea University of Technology and Education. Дата публикации: 2023-02-09.

Transferring and queueing length and data as one stream

Номер патента: EP1179929A3. Автор: Fan Zhou,Jon Vogel,Veera Reddy. Владелец: Marconi Communications Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Support of robust mobility depending on drx cycle length and terminal speed

Номер патента: WO2017054882A1. Автор: LI ZHANG,Lars Dalsgaard. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2017-04-06.

Method to determine length and area measurements within a smartphone camera image

Номер патента: US09869544B2. Автор: YU GAO,Antanas Matthew Broga,Arnett Ryan Weber. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus and method for length and rate variable LDPC encoder and decoder using shortening set allocator

Номер патента: US09628112B2. Автор: Xingkai Bao. Владелец: ZENITH ELECTRONICS LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Device for measuring sheet length and image forming apparatus

Номер патента: US20070133069A1. Автор: Hidenori Sunada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Apparatus and method for adjusting both a cyclic prefix length and a symbol interval of a complex symbol sequence

Номер патента: US12088436B2. Автор: Ryota Kimura,Ryo Sawai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Dispersed storage with variable slice length and methods for use therewith

Номер патента: US09438675B2. Автор: Andrew Baptist,Greg Dhuse,Wesley Leggette,Jason K. Resch,Ilya Volvovski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

MULTILINEAR SEALING DEVICE FOR WAVE LENGTHS AND OPTICAL AUTOMATIC TELEPHONE STATION

Номер патента: RU2005119955A. Автор: Владимир Моисеевич Дворецкий,Владимир Моисеевич Дворецкий (RU). Владелец: Владимир Моисеевич Дворецкий (RU). Дата публикации: 2007-01-10.

METHOD FOR PROCESSING INFRARED LASER RADIATION WITH A SET WAVE LENGTH AND INTENDED FOR THIS SYSTEM

Номер патента: RU2011125603A. Автор: Дон У. КОЧРАН,Стивен Д. ЧЕХ,Ноэл Едвард Мл. МОРГАН,Денвуд Ф. РОСС III. Владелец: Пресско Текнолоджи Инк.. Дата публикации: 2012-12-27.

Cable length and quality indicator

Номер патента: TW472152B. Автор: Sreen A Raghaven,Doug J Easton. Владелец: Nat Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-01-11.

Systems and methods for loop length and bridged tap length determination of a transmission line

Номер патента: CA2687472C. Автор: Murat Belge. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Systems and methods for loop length and bridged tap length determination of a transmission line

Номер патента: CA2394826C. Автор: Murat Belge. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 2010-03-23.

Network-based method for generating real random numbers, involves requesting lists of random number and/or appropriate bit words and/or appropriate bit lists of definable length, and generating requested bit and/or bit word lists

Номер патента: DE102011014950A1. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Robert Niggl. Дата публикации: 2012-04-26.

N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using selected phase lengths and output impedances

Номер патента: US6791417B2. Автор: Raymond Sydney Pengelly,Simon Maurice Wood. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2004-09-14.

Method and apparatus enabling synchronous transfer mode, variable length and packet mode access for multiple services over a broadband communication network

Номер патента: US6055242A. Автор: Bharat Tarachand Doshi,Subrahmanyam Dravida,George John Kustka,Peter D. Magill,Curtis A. Siller,Kotikalapudi Sriram. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Systems and methods for loop length and bridged tap length determination of a transmission line

Номер патента: AU2632601A. Автор: Murat Belge. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 2001-07-24.

Method and apparatus for producing a data stream of code words of variable lengths and method and apparatus for reading a data stream of code words of variable lengths

Номер патента: CA2363953C. Автор: Michael Schug,Martin Dietz,Ralph Sperschneider,Pierre Lauber. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2004-04-06.

Systems and methods for loop length and bridged tap length determination of a transmission line

Номер патента: CA2687472A1. Автор: Murat Belge. Владелец: Murat Belge. Дата публикации: 2001-07-19.

Device for guiding cables and wires of e.g. mouse of personal computer, has closable H-shaped profile provided with specific width, height and length, and inwardly wired connection unit provided for network connection and telephone

Номер патента: DE102009051396A1. Автор: Stephan Gaßmann,Marc-Oliver Nieraad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Digital information signal encoding method with reduced run length and improved self-clocking

Номер патента: US4677421A. Автор: Seiro Taniyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-06-30.

Method and system for adjusting packet length and mobile device using the method

Номер патента: US20210120520A1. Автор: Pei-Lun Wu,Han-Tiet Goh. Владелец: Ambit Microsystems Shanghai Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method to Determine Length and Area Measurements Within a Smartphone Camera Image

Номер патента: US20160061586A1. Автор: YU GAO,Antanas Matthew Broga,Arnett Ryan Weber. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

A method of rolling superconducting conductor lengths and roller apparatus

Номер патента: NZ501977A. Автор: Zhenghe Han,Peder Skov-Hansen. Владелец: Nordic Superconductor Tech As. Дата публикации: 2001-06-29.

System and method for line coding based on bit flipping to limit the run length and balance dc power

Номер патента: WO2017137436A1. Автор: Guy Regev,Nathan Farrington,Thomas Schrans,Daniel Brunina. Владелец: Rockley Photonics Limited. Дата публикации: 2017-08-17.

Actuator with reduced axial length and accessory incorporating same

Номер патента: US20230336051A1. Автор: Geoffrey William Ryeland,Ercong JI,Matthew VIOLA,Alin POP. Владелец: LITENS AUTOMOTIVE PARTNERSHIP. Дата публикации: 2023-10-19.

A method of rolling superconducting conductor lengths and roller apparatus

Номер патента: WO1999007025A3. Автор: Zhenghe Han,Peder Skov-Hansen. Владелец: Skov Hansen Peder. Дата публикации: 1999-04-08.

A method of rolling superconducting conductor lengths and roller apparatus

Номер патента: EP1021841A2. Автор: Zhenghe Han,Peder Skov-Hansen. Владелец: Nordic Superconductor Technologies AS. Дата публикации: 2000-07-26.

A method of rolling superconducting conductor lengths and roller apparatus

Номер патента: WO1999007025A2. Автор: Zhenghe Han,Peder Skov-Hansen. Владелец: Nordic Superconductor Technologies A/S. Дата публикации: 1999-02-11.

Method and system for reducing trace length and capacitance in a large memory footprint

Номер патента: US20120175160A1. Автор: Rachid M. Kadri,Stephen F. Contreras. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-07-12.

Data communication system, method of optimizing preamble length, and communication apparatus

Номер патента: US20130016762A1. Автор: Hitoshi Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD FOR REDUCING CHANNEL LENGTH AND CORRESPONDING FILTER AND SIGNAL

Номер патента: US20130114770A1. Автор: Crussiere Matthieu,Helard Maryline,Ragoubi Karima. Владелец: Centre National De La Recherche Scientifique. Дата публикации: 2013-05-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOOP LENGTH AND BRIDGED TAP LENGTH DETERMINATION OF A TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20130142315A1. Автор: Belge Murat. Владелец: AWARE, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Two-parallel-channel reflector with focal length and disparity control

Номер патента: US20130250410A1. Автор: Fuhua Cheng. Владелец: AMCHAEL VISUAL Tech CORP. Дата публикации: 2013-09-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOOP LENGTH AND BRIDGED TAP LENGTH DETERMINATION OF A TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20140036979A1. Автор: Belge Murat. Владелец: AWARE, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

VARIABLE BLOCK LENGTH AND SUPERPOSITION CODING FOR HYBRID AUTOMATIC REPEAT REQUEST

Номер патента: US20140071894A1. Автор: Kadous Tamer Adel,KAIROUZ Peter,SADEK Ahmed Kamel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

APPARATUSES FOR SUPPORTING POLAR CODES WITH VARIABLE CODEWORD LENGTHS AND INFORMATION LENGTHS

Номер патента: US20190036552A1. Автор: Lee Wook Bong,SASOGLU Eren. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD AND SYSTEM FOR ADJUSTING PACKET LENGTH AND MOBILE DEVICE USING THE METHOD

Номер патента: US20210036803A1. Автор: Wu Pei-Lun,GOH HAN-TIET. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

ERROR CHECKING AND CORRECTION METHOD FOR DETERMINING AN ERROR CORRECTION CODE LENGTH AND RELATED ERROR CHECKING AND CORRECTION CIRCUIT

Номер патента: US20140122964A1. Автор: Chen Chao-Nan. Владелец: JMicron Technology Corp.. Дата публикации: 2014-05-01.

FABRICATING THERMAL TRANSFER STRUCTURE WITH IN-PLANE TUBE LENGTHS AND OUT-OF-PLANE TUBE BEND(S)

Номер патента: US20150053388A1. Автор: CAMPBELL Levi A.,ELLSWORTH,JR. Michael J.,McKeever Eric J.,Brandon Mark A.,Kemink Randall G.,ARVELO Amilcar R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Optimal Preamble Length And Detection Threshold

Номер патента: US20200052814A1. Автор: Mohammadi Mohammad Sadegh. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Method to Determine Length and Area Measurements Within a Smartphone Camera Image

Номер патента: US20160061586A1. Автор: BROGA Antanas Matthew,GAO Yu,WEBER Arnett Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Pause playback of media content based on closed caption length and reading speed

Номер патента: US20220141541A1. Автор: James Talton,Nixon Cheaz,Troy Cochran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

HYBRID ENERGY GUIDE CHAIN FOR LARGE CANTILEVERED LENGTHS AND IN PARTICULAR A SEPARATING WEB CONFIGURED FOR SAME

Номер патента: US20220145964A1. Автор: HERMEY Andreas,YILMAZ Bilal. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

LENGTH- AND WIDTH-DEFORMABLE PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180110118A1. Автор: LI WEI-XIANG,ZUO MING-LIANG. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOOP LENGTH AND BRIDGED TAP LENGTH DETERMINATION OF A TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20150124860A1. Автор: Belge Murat. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-07.

Hearing device with two or more microphones and two or more resonators having different lengths and the same resonant frequency

Номер патента: US20140205121A1. Автор: Martin LARSÉN. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2014-07-24.

Systems and methods for loop length and bridged tap length determination of a transmission line

Номер патента: US20140211836A1. Автор: Murat Belge. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

FRAME BUFFER COMPRESSION USING SEPARATE AGGREGATION OF FIXED-LENGTH AND VARIABLE-LENGTH COMPONENTS OF CODEWORDS

Номер патента: US20160134878A1. Автор: GUO XIN,Cheung Wendy Wai Yin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

DEVICE FOR MEASURING THE LENGTH AND DIAMETER OF A CONTAINER USING STRUCTURED LIGHTING, AND METHOD OF USE

Номер патента: US20160142678A1. Автор: Dawson Donald E.,SCHOENSEE Elmo,HANSERUD Terje. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

LENGTH AND RATE COMPATIBLE LDPC ENCODER AND DECODER

Номер патента: US20160149590A1. Автор: Bao Xingkai. Владелец: ZENITH ELECTRONICS LLC. Дата публикации: 2016-05-26.

METHOD FOR DETERMINING MEASUREMENT GAP LENGTH AND NETWORK DEVICE

Номер патента: US20170150462A1. Автор: Guo Yi,Zeng Qinghai. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

REDUCING TRACE LENGTH AND INSERTION LOSS OF HIGH SPEED SIGNALS ON A NETWORK SWITCH BOARD

Номер патента: US20160183402A1. Автор: Tamarkin Vladimir,Federer William F.,Genetti Thomas W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

APPARATUS AND METHOD FOR ADJUSTING BOTH A CYCLIC PREFIX LENGTH AND A SYMBOL INTERVAL OF A COMPLEX SYMBOL SEQUENCE

Номер патента: US20210212048A1. Автор: Sawai Ryo,Kimura Ryota. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-08.

Signaling of Training Field Length and Guard Interval Duration

Номер патента: US20180198654A1. Автор: Zhang Hongyuan,Srinivasa Sudhir,Zhang Yan,CAO Rui. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FLEXIBLE HARDWARE FOR HIGH THROUGHPUT VECTOR DEQUANTIZATION WITH DYNAMIC VECTOR LENGTH AND CODEBOOK SIZE

Номер патента: US20210232904A1. Автор: Tomic Aleksandar,AMBARDEKAR Amol Ashok,MCBRIDE Chad Balling,PETRE George,CEDOLA Kent D.,WALL Larry Marvin,BOBROV Boris. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

METHOD FOR DETERMINING MEASUREMENT GAP LENGTH AND NETWORK DEVICE

Номер патента: US20190230609A1. Автор: Guo Yi,Zeng Qinghai. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Effective gate length circuit modeling based on concurrent length and mobility analysis

Номер патента: US8136079B2. Автор: Kanak B. Agarwal,Vivek Joshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

Effective Gate Length Circuit Modeling Based On Concurrent Length And Mobility Analysis

Номер патента: US20110283251A1. Автор: Kanak B. Agarwal,Vivek Joshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Excavator implement length and angle offset determination using a laser distance meter

Номер патента: US09995017B1. Автор: Mark Nicholas Howell,Samuel Joseph Frei. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Excavator limb length and offset angle determination using a laser distance meter

Номер патента: US09995016B1. Автор: Mark Nicholas Howell,Samuel Joseph Frei. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Standard Cells having transistors annotated for gate-length biasing

Номер патента: US20130254734A1. Автор: Gupta Puneet,Kahng Andrew B.. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

CHECKING FOR HIGH BACK-BIAS IN LONG GATE-LENGTH, HIGH TEMPERATURE CASES

Номер патента: US20140095138A1. Автор: Weir Bonnie E.,Bell David Averill,Kuehne Stephen C.. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

GATE LENGTH UPSIZING FOR LOW LEAKAGE STANDARD CELLS

Номер патента: US20170091372A1. Автор: KALASHNIKOV VIACHESLAV,MALASHEVICH DENIS,SEMENOV MIKHAIL. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Gate-Length Biasing for Digital Circuit Optimization

Номер патента: US20140223404A1. Автор: Gupta Puneet,Kahng Andrew B.. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

STANDARD CELLS HAVING TRANSISTORS ANNOTATED FOR GATE-LENGTH BIASING

Номер патента: US20140245245A1. Автор: Gupta Puneet,Kahng Andrew B.. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

STACKED TRANSISTORS WITH DIFFERENT GATE LENGTHS IN DIFFERENT DEVICE STRATA

Номер патента: US20190196830A1. Автор: Mehandru Rishabh,Rachmady Willy,MORROW Patrick,Dewey Gilbert W.,LILAK AARON D.,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-27.

3D Non-Volatile Memory With Control Gate Length Based On Memory Hole Diameter

Номер патента: US20140362642A1. Автор: Higashitani Masaaki,Dong Yingda,Ou Wendy,Mui Man L. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

3D Non-Volatile Memory With Control Gate Length Based On Memory Hole Diameter

Номер патента: US20140362645A1. Автор: Higashitani Masaaki,Dong Yingda,Mui Man L.,Ou Wendy. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-11.

Standard cells having transistors annotated for gate-length biasing

Номер патента: US8949768B2. Автор: Puneet Gupta,Andrew B. Kahng. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for producing prepared slide for fiber length measurement, method for adjusting dispersion liquid for fiber length measurement, method for measuring fiber length, prepared slide for fiber length measurement, device for measuring fiber length, and program that controls device for measuring fiber length

Номер патента: EP3693719A1. Автор: Koji Shiraki,Yuji Hotta,Atsuhiko Yamanaka,Yukitane Kimoto,Daisuke Shimamoto,Mariko Terada. Владелец: Kyowa Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Webbing strap device of adjustable length and functional device having a webbing strap device

Номер патента: AU2019233355B2. Автор: Uwe Friedlein,Bernd Neubauer,Daniel Schemm. Владелец: UVEX ARBEITSSCHUTZ GMBH. Дата публикации: 2024-06-06.

Controlled variable length and illumination pattern light diffusing optical fiber

Номер патента: EP3274749A1. Автор: Peter Gerard Wigley,Jeffrey L Mooney,William Spencer Klubben, III. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Controlled variable length and illumination pattern light diffusing optical fiber

Номер патента: WO2016154098A1. Автор: Peter Gerard Wigley,Jeffrey L Mooney,William Spencer Klubben, III. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-29.

Vehicle with variable overall length and method for selectively changing the length

Номер патента: US20220089244A1. Автор: Eric Fournier,Vincent Froidevaux,Maxime DUMONT. Владелец: BOMBARDIER RECREATIONAL PRODUCTS INC. Дата публикации: 2022-03-24.

Processing machine and method for adjusting a printing length and/or processing length

Номер патента: US20240083161A1. Автор: Thomas Schneider,Torsten Muller,Bastian Deppisch. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Renewable ketone waxes with unique carbon chain lengths and polarities

Номер патента: US20190106371A1. Автор: Michel Daage,Kun Wang,Sarvesh K. Agrawal,Frank C. Wang,Virginia M. REINER. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2019-04-11.

Design structure for estimating and/or predicting power cycle length, method of estimating and/or predicting power cycle length and circuit thereof

Номер патента: US20090268541A1. Автор: Nitin Sharma,Kenneth J. Goodnow,Clarence R. Ogilvie,Sebastian T. Ventrone,Charles S. Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Apparatus with a maximum command queue length and method thereof consolidating commands for accessing storage

Номер патента: EP2764430A1. Автор: QUN ZHAO,Xinhai Kang,Dishi Lai,Kanting Tsai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-08-13.

Apparatus with a maximum command queue length and method thereof consolidating commands for accessing storage

Номер патента: WO2013050979A1. Автор: QUN ZHAO,Xinhai Kang,Dishi Lai,Kanting Tsai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

Vehicle with variable overall length and method for selectively changing the length

Номер патента: EP3947115A1. Автор: Eric Fournier,Vincent Froidevaux,Maxime DUMONT. Владелец: BOMBARDIER RECREATIONAL PRODUCTS INC. Дата публикации: 2022-02-09.

Vehicle with variable overall length and method for selectively changing the length

Номер патента: WO2020201970A1. Автор: Eric Fournier,Vincent Froidevaux,Maxime DUMONT. Владелец: BRP US INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Manufacturing method of needle-shaped bristle having short taper length and toothbrush by same manufacturing method

Номер патента: EP2083653A1. Автор: Sung-Wook Kwon,Young-Jun Kwon,Sung-Hwan Kwon. Владелец: Best Whasung Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Staphyloma supporting device and method for modifying the axial, length and curvature of an eye

Номер патента: US11751989B2. Автор: Levent Akduman. Владелец: La Eye LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Vehicle pneumatic tire with specified carcass length and/or curvature

Номер патента: US6640860B1. Автор: Johannes Josef Baumhofer,Axel Metge,Burkhard Wies,Mario Walczok. Владелец: Continental AG. Дата публикации: 2003-11-04.

Optical fiber having low and uniform optical loss along the entire length and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007069278A3. Автор: Sanket Shah,Sreena Dayanandan,Ravikiran Acharya,Jegan Miras. Владелец: Jegan Miras. Дата публикации: 2007-09-20.

Apparatus for Feeding Sheets with Variable Overlap Length and Sheet Arrival Control and Printing Press Having the Apparatus

Номер патента: US20080230977A1. Автор: Jochen Bechtler,Oliver Nowarra. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Systems for clot length and property characterization

Номер патента: US20240277343A1. Автор: Michael Anderson,Marcin A. Balicki,Alexandru Patriciu,Matthew MAGEE,Roland Wilhelmus Maria BULLENS,James David CEZO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanoparticles and biotemplates with tunable length and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240209382A1. Автор: Kevin Solomon,Kok Zhi Lee,Akash VAIDYA,Mruthula RAMMOHAN. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus for producing a synthetic tensile member with a precise length and enhanced stability

Номер патента: US12077909B2. Автор: Richard V. Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Staphyloma supporting device and method for modifying the axial length and curvature of an eye

Номер патента: US12070387B2. Автор: Levent Akduman. Владелец: La Eye LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Length and diameter adjustable balloon catheter

Номер патента: US09867967B2. Автор: Marc Gianotti,Michael Jetter,Axel Grandt,Sebastian Alisch,Petra Gunde,Christoph Matthias M. Gugl,Tuncay Koc,Anna Haarmann-Thiemann. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for extracting hydrocarbons with medium chain lengths, and the use of the same

Номер патента: US09840447B2. Автор: Andreas Menne,Axel Kraft,Volker Heil,Christoph Unger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and device for measuring the length and weight of a body

Номер патента: US09804019B2. Автор: Marc-Oliver VON MAYDELL. Владелец: SECA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Precise length and area measurements based upon ground-traverse distances and location information

Номер патента: US09803965B2. Автор: Todd E. Thorp,Sean Dusselier. Владелец: Esta-Mate LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods and apparatus for efficiently determining run lengths and identifying patterns

Номер патента: US09734550B1. Автор: Michael ARCHAMBAULT,John Reynolds. Владелец: Accusoft Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Mouthpiece for cleaning teeth with an adjustable arc length and/or arc width

Номер патента: US09517119B2. Автор: Johannes Hotze Bernhard De Vries. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-12-13.

Apparatus for measuring vehicle queue length, method for measuring vehicle queue length, and computer-readable recording medium storing computer program for measuring vehicle queue length

Номер патента: US09361801B2. Автор: Mitsuru Ochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Extended length and higher density packages of bulky yarns and methods of making the same

Номер патента: US09340392B2. Автор: Michael Messinides,John Randall Mattis,William Thomas Riley. Владелец: Invista North America LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of and apparatus for measuring and indicating elapsed operation time or tape length and (or) residual running time for cassette or spool of tape-shaped information supporting body

Номер патента: JPS57186279A. Автор: Shiyuurain Rainharuto. Владелец: GRUNDIG E M V ELEKTRO MECHA VERSUCHSANSTALT. Дата публикации: 1982-11-16.

Connection system with adjustable length and mounting method for said system

Номер патента: WO2023128939A1. Автор: Osman ÇINAR. Владелец: ECZACIBASI YAPI GEREÇLERI SANAYI VE TICARET ANONIM SIRKETI. Дата публикации: 2023-07-06.

Scoring predictions based on prediction length and typing speed

Номер патента: US09524290B2. Автор: Jason Tyler Griffin,Jerome Pasquero,Donald Somerset Mcculloch Mckenzie. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Storage box with adjustable length and volume

Номер патента: US20230322442A1. Автор: Cheng Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and device for detecting pedestrian stride length and walking path

Номер патента: EP3418692B1. Автор: Feng Xu,Chi Zhang,Ming Lyu. Владелец: Beijing Fine Way Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Force-modulated hybridization for visualizing nucleic acid length and function

Номер патента: US12006542B2. Автор: Shoujun Xu,Yuhong Wang,Qiongzheng HU. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-06-11.

Spinning reel with rear adjustable drag, adjustable handle length and universal pivot handle grip

Номер патента: US20040232264A1. Автор: Donald Liu,Robert Koelewyn. Владелец: Van Staal Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Force-modulated hybridization for visualizing nucleic acid length and function

Номер патента: US20240287603A1. Автор: Shoujun Xu,Yuhong Wang,Qiongzheng HU. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of and apparatus for making belts of exact length and with exactly pretensioned cord

Номер патента: PL327398A1. Автор: Douglas Bruce Wood. Владелец: Goodyear Tire & Rubber. Дата публикации: 1998-12-07.

Cutting unit incorporating a helical mechanism for varying a cutting length and method for operating the cutting unit

Номер патента: US20020088322A1. Автор: David Pollock,Charles Svenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Gas measurement device having adjustable path length and method of operating and calibrating same

Номер патента: JPS56104236A. Автор: Esu Zetsutaa Maaku. Владелец: Measurex Corp. Дата публикации: 1981-08-19.

Determining correct drill pipe length and formation depth using measurements from repeater subs of a wired drill pipe system

Номер патента: US09593571B2. Автор: John Rasmus,George Bordakov. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing prepared slide for fiber length measurement, method for adjusting dispersion liquid for fiber length measurement, method for measuring fiber length, prepared slide for fiber length measurement, device for measuring fiber length, and program that controls device for measuring fiber length

Номер патента: EP3693719A4. Автор: Koji Shiraki,Yuji Hotta,Atsuhiko Yamanaka,Yukitane Kimoto,Daisuke Shimamoto,Mariko Terada. Владелец: Kyowa Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Zigzag spring seat back having alternate springs of different lengths and form

Номер патента: US2666477A. Автор: Hyland C Flint. Владелец: American Metal Products Co. Дата публикации: 1954-01-19.

A cannula of changeable length and shape

Номер патента: AU3020599A. Автор: Alexander R. Stefanow,Ivan R. Stefanow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-08.

Container stowing frames for containers of different lengths and widths on board ship

Номер патента: US5215026A. Автор: Fred Cravaack,Hans-Georg Windelberg. Владелец: MTW Schiffwerft GmbH. Дата публикации: 1993-06-01.

Photo lens with a short focal length and larger back interceptor focal length

Номер патента: US3467464A. Автор: Rudolf Ruehl. Владелец: Ernst Leitz Wetzlar GmbH. Дата публикации: 1969-09-16.

Projection zoom lens with a long back focal length and exit pupil position

Номер патента: TW556000B. Автор: Rung-De Lin. Владелец: Acer Comm & Multimedia Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Device for reducing the length, and optionally the width, of a cot

Номер патента: AU3035497A. Автор: Jean-Marc Verslype. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-09.

Apparatus for measuring vehicle queue length, method for measuring vehicle queue length, and computer-readable recording medium storing computer program for measuring vehicle queue length

Номер патента: EP2557551B1. Автор: Mitsuru Ochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

A processor executing script with different length and method thereof

Номер патента: TW200504591A. Автор: ming-quan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

Golf-course structure for limited space - is in sections of same length and width prevented from moving

Номер патента: SE8900970L. Автор: Lars-Gunnar Eriksson. Владелец: Lars Gunnar Eriksson. Дата публикации: 1990-09-21.

Capacitive length and angle measuring process

Номер патента: HK81889A. Автор: Hans Ulrich Meyer. Владелец: Hans Ulrich Meyer. Дата публикации: 1989-10-20.

Capacitive length and angle measuring process

Номер патента: DE3174201D1. Автор: Hans Ulrich Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-30.

Bicycle frame structure capable of adjusting frame length and angle

Номер патента: EP2891595A4. Автор: Hung-Chang Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-10.

Pipe length and related methods of pipe connection

Номер патента: EP4004418A4. Автор: Clarence LEAVITT. Владелец: Aqseptence Group Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Hand-saw adjustable length and height of the saw body

Номер патента: KR970002701Y1. Автор: Nam-Hwee Lee. Владелец: Lee Nam Hwee. Дата публикации: 1997-04-01.

Appliance for holding securely articles of unequal length and thickness.

Номер патента: US764563A. Автор: Peter Robertson,Alfred Joseph Dawson,Alfred Ernest Bradshaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-07-12.

Microcode branch based upon operand length and alignment

Номер патента: KR920001965B1. Автор: Mark R Funk,Vi Chau,Harold E Frye,Lynn A Mcmahon,Bruce R Petz. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1992-03-07.

METHODS AND APPARATUS FOR SPINAL RECONSTRUCTIVE SURGERY AND MEASURING SPINAL LENGTH AND INTERVERTEBRAL SPACING, TENSION AND ROTATION

Номер патента: US20180125598A1. Автор: McAfee Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

METHODS AND APPARATUS FOR SPINAL RECONSTRUCTIVE SURGERY AND MEASURING SPINAL LENGTH AND INTERVERTEBRAL SPACING, TENSION AND ROTATION

Номер патента: US20180228566A9. Автор: McAfee Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Methods and apparatus for spinal reconstructive surgery and measuring spinal length and intervertebral spacing, tension and rotation

Номер патента: US10456211B2. Автор: Paul C. Mcafee. Владелец: Medicrea International SA. Дата публикации: 2019-10-29.

Thermostable DNA polymerase with enhanced thermostability and enhanced length and efficiency of primer extension

Номер патента: US5436149A. Автор: Wayne M. Barnes. Владелец: Barnes; Wayne M.. Дата публикации: 1995-07-25.

Transport container and/or transporter e.g. lorry, configuration, has storage space with lining including protective plates whose length and height have modular dimensions and are adapted to grid arrangement of container and/or transporter

Номер патента: DE102005053044A1. Автор: Thomas Armbruster. Владелец: Thomas Armbruster. Дата публикации: 2007-05-10.

Length and width adjustable wheelchair

Номер патента: US4989890A. Автор: Walter G. Lockard,Herbert J. Hoekstra,Allen J. Boris,Douglas M. Nickles. Владелец: Invacare Corp. Дата публикации: 1991-02-05.

Dock leg with adjustable length and anti-rotation mechanism

Номер патента: US10760232B1. Автор: Steve Uhde. Владелец: Hewitt Machine and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Device for raising seat of bicycle i.e. BMX, has part comprising variable length, and diameter, and external part with diameter and length, where external part is deformable to interior of device, and slot provided at specific length

Номер патента: FR3000461A1. Автор: Hubert Francis Vidal. Владелец: Hubert Francis Vidal. Дата публикации: 2014-07-04.

An instrument for indicating the length and distribution of fibers

Номер патента: GB646608A. Автор: . Владелец: Robertshaw Fulton Controls Co. Дата публикации: 1950-11-22.

Use of acid scavengers for the synthesis of standard length and long-mer nucleic acid arrays

Номер патента: US8318427B2. Автор: Robert G. Kuimelis,Glenn H. McGall,Martin J. Goldberg,Guangyu Xu. Владелец: Affymetrix Inc. Дата публикации: 2012-11-27.

Measurement of Optical Fiber Length and Determination of Chromatic Dispersion Over the Optical Fiber

Номер патента: US20090097014A1. Автор: Stefano Piciaccia,Fabrizio Forghieri,Ornan Gerstel,Gabriele Maria Galimberti. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Continuous casting machine having a variable mold length and adapted for casting in a variety of sizes at high speed

Номер патента: US3598173A. Автор: James E Dore,William O Stauffer. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1971-08-10.

Ruler adjustable in length and/or width

Номер патента: GB2479562A. Автор: Min-Kyu Choi. Владелец: Made In Mind Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Filter element for use in air filter case in engine, has parallel and transverse folds including two lengths and two different widths formed by end folds, where joint is attached to ends of parallel and transverse folds and end folds

Номер патента: FR2977505A1. Автор: Gilles WAYMEL,Philippe Pineau,Jean Pierre Bazin. Владелец: Mecaplast SAM. Дата публикации: 2013-01-11.

Helically formed cylinder of varying length and diameter

Номер патента: US20040050248A1. Автор: David Howard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Method and apparatus for in vitro evaluation of focal length and focal length changes in lenses from human and animals eyes

Номер патента: CA1233976A. Автор: David Gershon,Jacob G. Sivak,Ahuva Dovrat. Владелец: Canadian Industrial Innovation Centre. Дата публикации: 1988-03-15.

Jet orifices in plane bottom and on runway - are takeoff and landing aids giving lift and reducing runway length and stalling speed

Номер патента: DE2506974A1. Автор: Walter Becke. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-09-09.

Method of and apparatus for indicating length and remaining recording capacity of a recording tape

Номер патента: US4280159A. Автор: Masayuki Nakayama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-07-21.

Method and apparatus for forming thin parts of large length and width

Номер патента: US5673581A. Автор: Vladimir Segal. Владелец: Segal; Vladimir. Дата публикации: 1997-10-07.

Automatically continuously variable fold position sheet folding system with automatic length and skew correction

Номер патента: CA2285916C. Автор: Barry P. Mandel,Joseph J. Ferrara. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

Cable driven shuttle system having guideways of different lengths and method for its use

Номер патента: US4397242A. Автор: Paul H. Wyss. Владелец: VSL Corp. Дата публикации: 1983-08-09.

Threaded fastener having minimized length and weight and method to make it

Номер патента: CA1251962A. Автор: Edwin E. Hatter. Владелец: Hi Shear Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Felling and delimbing apparatus allowing to delimb trees in length, and its method of use

Номер патента: CA2057680C. Автор: Jacques Tanguay. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-05.

Bag forming, filling and sealing machine, has control device connected to drive for lifting and lowering bagging machine, and computing bake channel suitable for input during input of bag length and seal time

Номер патента: DE102007007691A1. Автор: Walter Dr. Baur. Владелец: Rovema Verpackungsmaschinen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-08-21.

Transgenic trees exhibiting increased growth, biomass production and xylem fibre length, and methods for their production

Номер патента: US7141422B2. Автор: Thomas Moritz,Maria Eriksson,Maria Israelsson,Olof Olsson. Владелец: SweTree Technologies AB. Дата публикации: 2006-11-28.

Measuring length and velocity of single staple fibers within an airflow

Номер патента: US3816001A. Автор: W Duncan,R Heitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Endoluminal prosthesis deployment device for use with prostheses of variable length and having retraction ability

Номер патента: CA2234951C. Автор: Leonard Pinchuk,Kevin J. Clair. Владелец: Corvita Corp. Дата публикации: 2004-12-07.

Grinding plate for use during working at e.g. garden region, has glued sandpaper and insertable, movable and foldable drilling machines, and hexagonal driving pin molded in full length and thickness as shoulder

Номер патента: DE102009058535A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Heinz Zerfuss. Дата публикации: 2011-12-15.

Sliding door closed loop cable closure system with balanced cable length and varying diameter pulleys

Номер патента: US5319881A. Автор: Howard W. Kuhlman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1994-06-14.

Method and apparatus for measuring target length, and computer readable media storing target length measurement program

Номер патента: EP2518528A3. Автор: Jerome Dubuis. Владелец: Furuno Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

"Macro" Photographic lens having long focal length and vibration compensation

Номер патента: US5825546A. Автор: Sei Matsui. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Method and device for providing measurement of position and length by comparing reference and actual values* particularly for correcting length and radius of tool used for numerical control machine

Номер патента: JPS5566707A. Автор: Ritsupu Uirii. Владелец: Hueller Hille GmbH. Дата публикации: 1980-05-20.

Extended length and higher density packages of bulky yarns and methods of making the same

Номер патента: CA2779295C. Автор: Michael Messinides,John Randall Mattis,William Thomas Riley. Владелец: Invista Textiles UK Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Memories and methods for performing vector atomic memory operations with mask control and variable data length and data unit size

Номер патента: US10026458B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Transgenic trees exhibiting increased growth, biomass production and xylem fibre length, and methods for their production

Номер патента: CA2400986C. Автор: Thomas Moritz,Maria Eriksson,Maria Israelsson,Olof Olsson. Владелец: SweTree Technologies AB. Дата публикации: 2007-07-03.

Device for Measuring Lengths and for Effecting a Correct Measuring of Stretchable Materials.

Номер патента: GB191010185A. Автор: . Владелец: Allg Maschinen & App Ges AG. Дата публикации: 1910-10-27.

Apparatus and method for measuring baluster lengths and replicAting baluster layout from a base surface to a handrail

Номер патента: US5414942A. Автор: Daniel Moore,Brian Challis. Владелец: L J Smith Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Felling and delimbing apparatus allowing to delimb trees in length and its method of use

Номер патента: US5355920A. Автор: Jacques Tanguay. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-10-18.

System and method for the non-contacting measurement of the axis length and/or cornea curvature and/or anterior chamber depth of the eye, preferably for intraocular lens calculation

Номер патента: CA2353921C. Автор: Roland Barth,Lothar Müller,Roland Bergner,Klaus-Ditmar Voigt,Frank Behrendt,Burkhard Dietzel,Siegfried Schubert,Dietmar Steinmetz,Axel Doering. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2009-03-10.

Layer element for use as functional-, constructional and design elements in production of furniture and other articles for cat and human, has rope with arbitrary length and width, where supporting layers are made from materials

Номер патента: DE102012008491A1. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for the measurement of lengths and angles and an equipment therefor

Номер патента: US5628120A. Автор: Jan G. Sergenius. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-13.

Nanoparticles and biotemplates with tunable length and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11820988B2. Автор: Michael Harris,Yu-Hsuan Lee,Kevin Solomon,Kok Zhi Lee,Loretta Sue Loesch-Fries. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-21.

Copolymers of carboxylates and polyethers comprising polyether side chains of different length, and use thereof in mineral binder compositions

Номер патента: EP4306495A1. Автор: Jörg ZIMMERMANN,Jürg Weidmann,Joachim GLAUS. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-01-17.

String trimmer having a curved shaft section for variable length and operator height

Номер патента: US11844309B2. Автор: Douglas Franklin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-19.

Staphyloma supporting device and method for modifying the axial length and curvature of an eye

Номер патента: EP4294338A1. Автор: Levent Akduman. Владелец: La Eye LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Copolymers of carboxylates and polyethers comprising polyether side chains of different length, and use thereof in mineral binder compositions

Номер патента: WO2024012776A1. Автор: Jörg ZIMMERMANN,Jürg Weidmann,Joachim GLAUS. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods for telomere length and genomic dna quality control analysis in pluripotent stem cells

Номер патента: CA2789774C. Автор: Karen B. Chapman,Michael D. West,Walter David Funk. Владелец: Biotime Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Systems and methods for planning screw lengths and guiding screw trajectories during surgery

Номер патента: WO2023183644A1. Автор: Stephen B. Murphy. Владелец: Murphy Stephen B. Дата публикации: 2023-09-28.

Excavator Implement Length And Angle Offset Determination Using A Laser Distance Meter

Номер патента: US20180163363A1. Автор: Mark Nicholas Howell,Samuel Joseph Frei. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Method and apparatus to correct for active write length and bow changes in LED print bars

Номер патента: US5973718A. Автор: James D. Rees,Stephen C. Corona,Robert H. Melino,George A. Charnitski. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

DNA Polymerases with Enhanced Thermostability and Enhanced Length and Efficiency of Primer Extension

Номер патента: CA2156176A1. Автор: Wayne M. Barnes. Владелец: Takara Holdings Inc.. Дата публикации: 1994-11-24.

Pipe length and related methods of pipe connection

Номер патента: WO2021016573A1. Автор: Clarence LEAVITT. Владелец: Aqseptence Group, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

Systems and methods for planning screw lengths and guiding screw trajectories during surgery

Номер патента: US20230301719A1. Автор: Stephen B. Murphy, M.D.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-28.

Optical fiber having low and uniform optical loss along the entire length and method for fabricating the same

Номер патента: EP1957420A2. Автор: Sanket Shah,Sreena Dayanandan,Ravikiran Acharya,Jegan Miras. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Delivery unit for products purchasable by length and method to supply such products

Номер патента: EP2812272A1. Автор: Corrado Maggi,Marco Rispoli. Владелец: Maggi Catene Spa. Дата публикации: 2014-12-17.

Fall arrest device with settable cable length and rollable shell

Номер патента: WO2024061949A1. Автор: Maria Rodriguez,Owain Jones,Victor LEJEUNE. Владелец: Latchways PLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Delivery unit for products purchasable by length and method to supply such products

Номер патента: US20150014470A1. Автор: Corrado Maggi,Marco Rispoli. Владелец: Maggi Catene Spa. Дата публикации: 2015-01-15.

Measuring stride length and running speed ultrasonically

Номер патента: AU5372586A. Автор: Heinz Gerhauser,Armin A. Dassler,Gerhard Pirner. Владелец: Puma AG Rudolf Dassler Sport. Дата публикации: 1986-08-21.

Precise length and area measurements based upon ground-traverse distances and location information

Номер патента: US20170082414A1. Автор: Todd E. Thorp,Sean Dusselier. Владелец: Esta-Mate LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Shuttle agent peptides of minimal length and variants thereof adapted for transduction of cas9-rnp and other nucleoprotein cargos

Номер патента: US20230399661A1. Автор: David Guay,Xavier Barbeau,Thomas DEL'GUIDICE,Jean-Pascal LEPETIT-STOFFAES,Stephanie Hallee. Владелец: Feldan Bio Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Estimation or control of lengths and positions of one or more transversely localized electric current segments flowing between two conductive bodies

Номер патента: US20210286024A1. Автор: Paul E. King,Matthew A. Cibula,Joshua R. Motley,Nathan L. Pettinger. Владелец: Kw Associates LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Fall arrest device with settable cable length and rollable shell

Номер патента: GB2622597A. Автор: Jones Owain,Rodriguez Maria,Lejeune Victor. Владелец: Latchways PLC. Дата публикации: 2024-03-27.

A rice gene, gs3, exerting primary control over grain length and grain weight

Номер патента: EP1969124A1. Автор: Qifa Zhang,Chuchuan Fan,Yongzhong Xing. Владелец: HUAZHONG AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-09-17.

Vehicle queue length and traffic delay measurement using sensor data for traffic management in a transportation network

Номер патента: US11270581B1. Автор: Michael T. Whiting,Allison C. Palumbo,Nader Ayoub. Владелец: Iteris Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Systems for clot length and property characterization

Номер патента: EP4358890A1. Автор: Michael Anderson,Marcin A. Balicki,Alexandru Patriciu,Matthew MAGEE,Roland Wilhelmus Maria BULLENS,James David CEZO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-05-01.

Eddy current array configuration with reduced length and thickness

Номер патента: US20140002072A1. Автор: Benoit Lepage. Владелец: Olympus NDT Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Staphyloma supporting device and method for modifying the axial length and curvature of an eye

Номер патента: WO2022178539A8. Автор: Levent Akduman. Владелец: La Eye LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Staphyloma supporting device and method for modifying the axial length and curvature of an eye

Номер патента: US20230363888A1. Автор: Levent Akduman. Владелец: La Eye LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Processing machine and method for adjusting a printing length and/or processing length

Номер патента: US12005695B2. Автор: Thomas Schneider,Torsten Muller,Bastian Deppisch. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2024-06-11.

Fiber array unit (fau) designs to enable a higher io bandwidth per unit length and higher fiber density

Номер патента: US20240061192A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Kaveh Hosseini,Tim Tri Hoang,Omkar Karhade,Finian Rogers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Truck having an extendable and retractable truck bed to receive truck boxes of different lengths and method of operation thereof

Номер патента: US20020168254A1. Автор: Craig Oliver. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Adjustable length and torque resistant golf shaft

Номер патента: US20100216568A1. Автор: Kim Chol. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Stitch length and width adjusting linkage

Номер патента: US4569299A. Автор: Peter Vogel. Владелец: Fritz Gegauf AG. Дата публикации: 1986-02-11.

Ammunition tuned for a given firearm barrel length and system and method for making the same

Номер патента: US11761742B1. Автор: Michael Young,Frederick Hazzard,Gregory Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods and compositions for extending telomere length and increasing cell lifespan

Номер патента: WO2006066247A3. Автор: Gary Alan Suttle. Владелец: Exvivo Technologies. Дата публикации: 2006-08-31.

Estimation or control of lengths and positions of one or more transversely localized electric current segments flowing between two conductive bodies

Номер патента: EP4121569A1. Автор: Paul E. King,Matthew A. Cibula,Joshua R. Motley,Nathan L. Pettinger. Владелец: Kw Associates LLC. Дата публикации: 2023-01-25.

Estimation or control of lengths and positions of one or more transversely localized electric current segments flowing between two conductive bodies

Номер патента: US20230141555A1. Автор: Paul E. King,Matthew A. Cibula,Joshua R. Motley,Nathan L. Pettinger. Владелец: Kw Associates LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

A rice gene, gs3, exerting primary control over grain length and grain weight

Номер патента: WO2007076727A8. Автор: Qifa Zhang,Chuchuan Fan,Yongzhong Xing. Владелец: HUAZHONG AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-17.

Rice gene, gs3, exerting primary control over grain length and grain weight

Номер патента: US20150082496A1. Автор: Qifa Zhang,Chuchuan Fan,Yongzhong Xing. Владелец: HUAZHONG AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-19.

Optical system with long focal length and optical apparatus having the same

Номер патента: US20120092779A1. Автор: Satoshi Maetaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

High Aspect Ratio Microelectrode Arrays Enabled to Have Customizable Lengths and Methods of Making the Same

Номер патента: US20120138335A1. Автор: Florian Solzbacher,Prashant Tathireddy. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-06-07.

Lens barrel that changes focal length and image pickup apparatus equipped with lens barrel

Номер патента: US20120275036A1. Автор: Toru Ishimasa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

KNITTING MACHINE CAPABLE OF CHANGING PILE LENGTH AND MANUFACTURING METHOD OF KNITTED FABRIC HAVING DIFFERENT PILE LENGTHS

Номер патента: US20130205837A1. Автор: FUKUI Takao. Владелец: OKAMOTO CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

POLYSILANES OF MEDIUM CHAIN LENGTH AND A METHOD FOR THE PRODUCTION OF SAME

Номер патента: US20130216465A1. Автор: Auner Norbert,Bauch Christian,Holl Sven,Deltschew Rumen,Mohsseni Javad. Владелец: Sprawnt Private S.a.r.l.. Дата публикации: 2013-08-22.

LENGTH AND DIAMETER ADJUSTABLE BALLOON CATHETER

Номер патента: US20130237950A1. Автор: Bauer Jochen,Gianotti Marc,Jetter Michael. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

LENGTH AND DIAMETER ADJUSTABLE BALLOON CATHETER

Номер патента: US20130253467A1. Автор: Gianotti Marc,Gugl Christoph Matthias M.,Gunde Petra,Koc Tuncay,Alisch Sebastian,Haarmann-Thiemann Anna,Jetter Michael,Grandt Axel. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Laser Scanning Code Symbol Reading System Providing Improved Control Over the Length and Intensity Characteristics of a Laser Scan Line Projected Therefrom Using Laser Source Blanking Control

Номер патента: US20130306730A1. Автор: Stephen Colavito,David Wilz, Sr.,Zhipeng Teng,Robert Hugh Brady,Myron Levon Dixon. Владелец: Metrologic Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

DEVICE FOR INTERFEROMETRICALLY MEASURING THE EYE LENGTH AND THE ANTERIOR EYE SEGMENT

Номер патента: US20130335706A1. Автор: Bublitz Daniel,Bergner Roland,SCHMITT-MANDERBACH Tobias. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2013-12-19.

EDDY CURRENT ARRAY CONFIGURATION WITH REDUCED LENGTH AND THICKNESS

Номер патента: US20140002072A1. Автор: Lepage Benoit. Владелец: OLYMPUS NDT INC.. Дата публикации: 2014-01-02.

ADJUSTABLE LENGTH AND/OR EXPOSURE ELECTRODES

Номер патента: US20140039481A1. Автор: Ladtkow Casey M.,COE JONATHAN A.. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2014-02-06.

Variable Length and Flexible Forefoot Shoe

Номер патента: US20140059889A1. Автор: Lukongwa Tonny. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Scoring predictions based on prediction length and typing speed

Номер патента: US20140067372A1. Автор: Jason Tyler Griffin,Jerome Pasquero,Donald Somerset Mcculloch Mckenzie. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods for computing a real-time step length and speed of a running or walking individual

Номер патента: US20200000374A1. Автор: Kamiar Aminian,Hooman Dejnabadi,Abolfazl SOLTANI. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2020-01-02.

PARTITION MOUNT SYSTEM INCLUDING HEAD COUPLER WITH ADJUSTABLE HEAD LENGTH AND HEAD POSITION

Номер патента: US20190003193A1. Автор: Whittemore Jeffrey P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

LEG LENGTH AND OFFSET CALCULATION IN COMPUTER-ASSISTED SURGERY USING RANGEFINDER

Номер патента: US20170007329A1. Автор: Pelletier Benoit,Amiot Louis-Philippe,Duval Karine,Li Di,Paradis Francois,MOREAU-BELANGER Laurence. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

WEBBING STRAP DEVICE OF ADJUSTABLE LENGTH AND FUNCTIONAL DEVICE HAVING A WEBBING STRAP DEVICE

Номер патента: US20210007423A1. Автор: NEUBAUER Bernd,SCHEMM Daniel,FRIEDLEIN Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

METHOD OF CHANGING A CONFIGURATION OF A BONE HAVING A LENGTH AND SYSTEM FOR FACILITATING CHANGING OF A CONFIGURATION OF A BONE

Номер патента: US20200008847A1. Автор: Medoff Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD TO QUANTIFY TELOMERE LENGTH AND GENOMIC MOTIFS

Номер патента: US20210010069A1. Автор: Tang Leung Sang Nelson,WOO Jean,Ma Suk Ling. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

DELIVERY UNIT FOR PRODUCTS PURCHASABLE BY LENGTH AND METHOD TO SUPPLY SUCH PRODUCTS

Номер патента: US20150014470A1. Автор: Maggi Corrado,Rispoli Marco. Владелец: MAGGI CATENE S.p.A.. Дата публикации: 2015-01-15.

REDUCED LENGTH AND LOW COBALT CONTENT CUTTERS AND DRILL BIT MADE THEREWITH

Номер патента: US20160017665A1. Автор: Beaton Timothy P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Partition mount system including head coupler with adjustable head length and head position

Номер патента: US20170020322A1. Автор: Jeffrey P. Whittemore. Владелец: Zipwall LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

KNEE BRACE WITH ADJUSTABLE STRUT LENGTH AND DYNAMIC STRUT LENGTHENING

Номер патента: US20160038327A1. Автор: Mason Jeffrey T.,Moir Russell S. Moir S.,Bowman Bryan K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Double drill rod section, double drill rod length and method of producing an electrically conductive connection in a double drill rod section

Номер патента: US20180038170A1. Автор: Boike Volker. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

OPTICAL DEVICE FOR VIRTUAL IMAGE DISPLAY WITH UNEQUAL FOCAL LENGTH AND HIGH MAGNIFICATION

Номер патента: US20140125559A1. Автор: Lu Hsin-Tseng. Владелец: Watchman Tech. Co., Limited. Дата публикации: 2014-05-08.

OPTICAL LENS HAVING A TUNABLE FOCAL LENGTH AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220066262A1. Автор: DANILOVA Svetlana Vladimirovna,PISKUNOV Dmitriy Evgenyevich,MURAVEV Nikolay Victorovich,POPOV Mikhail Vyacheslavovich. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-03.

Lens Having a Fixed Focal Length and Constant Overall Length for Auto Focus Applications

Номер патента: US20220075142A1. Автор: Roth Stefan,STUIBLE Dietmar,KAMMANS Sigrun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

APPARATUS AND METHOD TO CONTROL GOB WEIGHT, LENGTH AND/OR SHAPE

Номер патента: US20200055763A1. Автор: Simon Jonathan S.,Ding Xu. Владелец: Emhart Glass. Дата публикации: 2020-02-20.

DISPERSED STORAGE WITH VARIABLE SLICE LENGTH AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20150067421A1. Автор: Resch Jason K.,BAPTIST ANDREW,LEGGETTE WESLEY,Dhuse Greg,Volvovski Ilya. Владелец: CLEVERSAFE, INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

VEHICLE WITH VARIABLE OVERALL LENGTH AND METHOD FOR SELECTIVELY CHANGING THE LENGTH

Номер патента: US20220089244A1. Автор: DUMONT Maxime,Fournier Eric,FROIDEVAUX Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

RICE GENE, GS3, EXERTING PRIMARY CONTROL OVER GRAIN LENGTH AND GRAIN WEIGHT

Номер патента: US20150082496A1. Автор: Xing Yongzhong,Zhang Qifa,Fan Chuchuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

ELECTROPHYSIOLOGY SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING LOCAL CYCLE LENGTH AND LOCAL DUTY CYCLE

Номер патента: US20220095984A1. Автор: Stewart Brian,Perlman Mordechai,Bennett Nathan H.,Gelb-Bicknell Rudy,Li Suzhou,Herlambang Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SHEET GOODS HAVING A LARGE REPEAT LENGTH AND TILE WITH NUMEROUS PATTERNS

Номер патента: US20140162002A1. Автор: ANSPACH KEAN M.,ESHBACH JOHN R.,FERNBACK Katharine C.. Владелец: ARMSTRONG WORLD INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

PRECISE LENGTH AND AREA MEASUREMENTS BASED UPON GROUND-TRAVERSE DISTANCES AND LOCATION INFORMATION

Номер патента: US20170082414A1. Автор: Thorp Todd E.,Dusselier Sean. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Medical Treatment Devices Having Adjustable Length and/or Diameter

Номер патента: US20150094704A1. Автор: LI Wang,Chunlang Hong,Jiun Keat Ong. Владелец: Covidien Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

MEDICAL TREATMENT DEVICES HAVING ADJUSTABLE LENGTH AND/OR DIAMETER

Номер патента: US20150094705A1. Автор: WANG LI,Hong Chunlang,Ong Jiun Keat. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

MEDICAL TREATMENT DEVICES HAVING ADJUSTABLE LENGTH AND/OR DIAMETER

Номер патента: US20150094706A1. Автор: WANG LI,Hong Chunlang,Ong Jiun Keat. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

VIRTUAL REALITY-BASED VIEWING SYSTEM TO PREVENT MYOPIA WITH VARIABLE FOCAL-LENGTH AND MAGNIFICATION

Номер патента: US20200096764A1. Автор: HWANG Inseok,Liu Su,Lee Jinho,ROZNER Eric J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

METHODS FOR TELOMERE LENGTH AND GENOMIC DNA QUALITY CONTROL ANALYSIS IN PLURIPOTENT STEM CELLS

Номер патента: US20210102251A1. Автор: Chapman Karen B.,WEST Michael G.,FUNK Walter D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

RENEWABLE KETONE WAXES WITH UNIQUE CARBON CHAIN LENGTHS AND POLARITIES

Номер патента: US20190106371A1. Автор: WANG Frank C.,DAAGE Michel,Wang Kun,Reiner Virginia M.,Agrawal Sarvesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

PRODUCTION OF FATTY ACIDS AND DERIVATIVES THEREOF HAVING IMPROVED ALIPHATIC CHAIN LENGTH AND SATURATION CHARACTERISTICS

Номер патента: US20150125933A1. Автор: HU Zhihao,Arlagadda Vikranth,Greenfield Derek L.,Groban Eli S.,Frykman Scott A.. Владелец: LS9, Inc.. Дата публикации: 2015-05-07.

SYSTEMS, METHODS AND DEVICES FOR CALCULATING HIP CENTER OF ROTATION, ADJUSTING PARAMETERS OF JOINT REPLACEMENT FOR PELVIC TILT AND CALCULATING LEG LENGTH AND OFFSET

Номер патента: US20170119475A1. Автор: Fanson Richard Tyler,Hladio Andre Novomir,MORENCY KEVIN,McCABE SAMANTHA,GALEA Kirsten. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

MEASURING METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE MOISTURE CONTENT, THE LENGTH AND/OR AT LEAST ONE DYNAMOMETRIC CHARACTERISTIC OF TEXTILE FIBERS, IN PARTICULAR COTTON FIBERS

Номер патента: US20170122882A1. Автор: MUSESTI Marco,PREOSTI Gianpiero. Владелец: MESDAN S.p.A.. Дата публикации: 2017-05-04.

PIPE LENGTH AND RELATED METHODS OF PIPE CONNECTION

Номер патента: US20220268380A1. Автор: LEAVITT Clarence. Владелец: Aqseptence Group, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Arrow Rest Cord Length And Lock Adjustment Device

Номер патента: US20200116452A1. Автор: Wilson Scott,Munsell Andrew Walther. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF INFLUENCING A BACKPRESSURE LENGTH AND/OR A SCREW RETURN SPEED

Номер патента: US20210162643A1. Автор: KLAMMER Guenther,FELLNER Klaus,KOEPPLMAYR Thomas,HOCHREITER Erich. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

A MULTI-ECHO LENGTH AND OFFSET VARIED SATURATION (Me-LOVARS) METHOD FOR CHEMICAL EXCHANGE SATURATION TRANSFER (CEST) MR IMAGING

Номер патента: US20160139228A1. Автор: Song Xiaolei,McMahon Michael T.,Xu Jiadi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Adjustable length and cross-sectional area variable output endgate torque rod

Номер патента: US20200131827A1. Автор: Himanshu H. Mehta,Alvin N. Standard,James M. Townson,Gregory S. Erwin,Ankita N. Joshi,Spencer T. Seufert. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

LOW PROFILE ENT PROBE WITH DISTAL SHAFT LENGTH AND RIGIDITY ADJUSTMENT

Номер патента: US20210177523A1. Автор: Akbarian Fatemeh,Shameli Ehsan,Ebrahimi Babak,Borjian Roozbeh,Dean Marc. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

EARTH-BORING TOOLS HAVING MULTIPLE GAGE PAD LENGTHS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20190145189A1. Автор: Slavens Stephen Manson,Borders Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Excavator Limb Length And Offset Angle Determination Using A Laser Distance Meter

Номер патента: US20180148904A1. Автор: Howell Mark Nicholas,Frei Samuel Joseph. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-31.

THERMAL TRANSFER STRUCTURE WITH IN-PLANE TUBE LENGTHS AND OUT-OF-PLANE TUBE BEND(S)

Номер патента: US20140246174A1. Автор: CAMPBELL Levi A.,ELLSWORTH,JR. Michael J.,McKeever Eric J.,Brandon Mark A.,ARVELO Amilcar R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

WEARABLE DEVICE WITH OVERLAPPING ENDS COUPLED BY MAGNETS OF A SELECTED WIDTH, LENGTH AND DEPTH

Номер патента: US20140246497A1. Автор: Proud James,Fan Bryan,Shook Robert,Fernandez Joaquin. Владелец: Hello Inc.. Дата публикации: 2014-09-04.

Instrument For Measuring Length, And Method And Device For Controlling The Size Of A Fuel Rod

Номер патента: US20140247041A1. Автор: Rodiac Frédéric. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2014-09-04.

EXTENDED LENGTH AND HIGHER DENSITY PACKAGES OF BULKY YARNS AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20180162681A1. Автор: MESSINIDES Michael,MATTIS John Randall,RILEY William Thomas. Владелец: INVISTA NORTH AMERICA S.A R.L.. Дата публикации: 2018-06-14.

Excavator Implement Length And Angle Offset Determination Using A Laser Distance Meter

Номер патента: US20180163363A1. Автор: Howell Mark Nicholas,Frei Samuel Joseph. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

METHOD FOR EXTRACTING HYDROCARBONS WITH MEDIUM CHAIN LENGTHS, AND THE USE OF THE SAME

Номер патента: US20140249337A1. Автор: Menne Andreas,Kraft Axel,Heil Volker,Unger Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Compact telescope having a plurality of focal lengths and compensated by aspherical optical components

Номер патента: US20180164573A1. Автор: Nicolas Tetaz. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2018-06-14.

FRAC PLUG HAVING REDUCED LENGTH AND REDUCED SETTING FORCE

Номер патента: US20190162044A1. Автор: Dirocco Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Excavator Four-Bar Linkage Length And Angle Offset Determination Using A Laser Distance Meter

Номер патента: US20180171580A1. Автор: Howell Mark Nicholas,Frei Samuel Joseph. Владелец: Caterpillar Trimble Control Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

MEASURING EFFECTIVE FRACTURE HALF-LENGTH AND QUANTIFYING FLUX DISTRIBUTION IN AND AROUND FRACTURES IN PETROLEUM RESERVOIRS

Номер патента: US20180179891A1. Автор: AlThawad Faisal M.,Jamiolahmady Mahmoud. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Stand-Up Paddleboard with interchangeable length and function-adjusting sections.

Номер патента: US20150191225A1. Автор: Addison Corran. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

LENGTH AND DIAMETER ADJUSTABLE BALLOON CATHETER FOR DRUG DELIVERY

Номер патента: US20140276530A1. Автор: Gianotti Marc. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Flexible Poly-P-(Phenyleneethynylene)s with Controlled Conjugation Length and Biodegradable Conjugated Polymers for Target Organelle Specific Labeling and Drug Delivery

Номер патента: US20160206751A1. Автор: MOON JOONG HO,Manian Rajeshkumar,Mendez Eladio. Владелец: THE FLORIDA INTERNATIONAL UNIVERSITY BOARD OF TRUSTEES. Дата публикации: 2016-07-21.

SURGICAL TOOL SUPPORT SYSTEMS INCLUDING ELONGATE SUPPORT LEGS WITH ADJUSTABLE LENGTHS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210236229A1. Автор: Sayler David John,Pandey Rajesh,Daly Maxwell Jerad,Piferi Peter G.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

COVERING FOR AN ARCHITECTURAL STRUCTURE WITH INTERNAL RAIL STORAGE FOR ADJUSTING THE COVERING'S DROP LENGTH AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210238918A1. Автор: Stout Jeffrey Travis,Gonzalez Alberto Alexander,Zhu Justin Lin,Daffon Kevin Macaraeg. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Lens with a Fixed Focal Length and a Constant Structural Length for Autofocus Applications

Номер патента: US20190204566A1. Автор: STUIBLE Dietmar,KAMMANS Sigrun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Lens Having a Fixed Focal Length and Constant Overall Length for Auto Focus Applications

Номер патента: US20190204567A1. Автор: Stefan Roth,Sigrun Kammans,Dietmar Stuible. Владелец: Leica Camera AG. Дата публикации: 2019-07-04.

MEASUREMENT OF CARDIAC CYCLE LENGTH AND PRESSURE METRICS FROM PULMONARY ARTERIAL PRESSURE

Номер патента: US20160220825A1. Автор: CHO Yong K.,Greenhut Saul E.,Taepke Robert T.,Bloem David R.,Salmi Donna M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD TO OPTIMIZE RUN LENGTHS AND PRODUCT QUALITY IN COKING PROCESSES AND SYSTEM FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20140311953A1. Автор: ALBERT Brian D.,STOBER Berne K.,CHIMENTI Robert J.,WOLFE Christopher J.. Владелец: EXXONMOBIL RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY. Дата публикации: 2014-10-23.

Lens with a Fixed Focal Length and a Constant Structural Length for Autofocus Applications

Номер патента: US20190212531A1. Автор: STUIBLE Dietmar,KAMMANS Sigrun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

TRAILER LENGTH AND HITCH ANGLE BIAS ESTIMATION

Номер патента: US20170240204A1. Автор: Kyrtsos Christos,Lavoie Erick Michael,Mattern Donald Jacob,Raad Joseph M.,Daavettila Tyler. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Integration of bipolar and CMOS devices for sub-0.1 micrometer transistors

Номер патента: TW419826B. Автор: YANG Pan,Erzhuang Liu. Владелец: Ghartered Semiconductor Manufa. Дата публикации: 2001-01-21.

Method for manufacturing PMOS transistor with ultra-shallow junction

Номер патента: TW454340B. Автор: Carlos H Diaz,Hsien-Chin Lin,Kuo-Hua Pan,Jyh-Haur Wang,Jr-Chiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-09-11.

A novel technique to achieve thick silicide film for ultra-shallow junctions

Номер патента: SG113510A1. Автор: See Alex,Chan Lap,Cher Liang Cha Randall,Cheh Tan Cheng. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-29.

A method using nitride material as ultra shallow junction

Номер патента: TW461024B. Автор: Shin-Jia Yang,Shu-You Ye. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-10-21.

Manufacturing method for ultra-shallow junction device

Номер патента: TW497162B. Автор: Brian S Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for avoiding ultra shallow junction leakage current of source/drain extension

Номер патента: TW200407991A. Автор: Ming-Sheng Yang,Chin-Cheng Chien,Chia-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD OF FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120100686A1. Автор: NIEH Chun-Feng,Lu Wei-Yuan,Huang Li-Ping,YEH Mao-Rong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-26.

MECHANISMS FOR FORMING ULTRA SHALLOW JUNCTION

Номер патента: US20120112248A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-10.

Process for preparing MOS device with ultra-shallow junction extending area

Номер патента: CN1167113C. Автор: 卢道政,赖汉昭,林宏穗. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片

Номер патента: CN214753773U. Автор: 薛涛,关仕汉. Владелец: Zibo Hanlin Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Device for measuring tension, movement speed, cable length, and for reading magnetic marks

Номер патента: RU2249106C2. Автор: Е.М. Царук,Л.В. Мещеряков,ков Л.В. Мещер. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефтегеофизика". Дата публикации: 2005-03-27.

Method of measuring length and displacement speed of pipe string while its tripping and device for impleneting thereof

Номер патента: RU2324812C1. Автор: Владимир Германович Черменский,Александр Васильевич Емельянов,Виктор Степанович Бортасевич,Виктор Алексеевич Велижанин,нов Александр Васильевич Емель. Владелец: Виктор Степанович Бортасевич. Дата публикации: 2008-05-20.

Method for measuring river basin area on basis of length and dip of feeders

Номер патента: RU2293290C2. Автор: Петр Матвеевич Мазуркин,Светлана Ивановна Михайлова,Алексей Андреевич Иванов,Людмила Олеговна Волкова. Владелец: Марийский государственный технический университет. Дата публикации: 2007-02-10.

Method of removal of defective section of continuous welded rail length and restoration of its integrity by welding

Номер патента: RU2300601C1. Автор: Георгий Григорьевич Жулев,Василий Иванович Новакович. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарская государственная академия путей сообщения" (СамГАПС). Дата публикации: 2007-06-10.

Method of ferromagnetic items length and speed measurement

Номер патента: RU2327103C2. Автор: Александр Ефремович Гольдштейн,Александр Романович Свендровский,Евгений Иванович Уразбеков,Александр Ефремович Гольдштейн (RU),Александр Романович Свендровский (RU),Евгений Иванович Уразбеков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт ЭРМИС". Дата публикации: 2008-06-20.

An Implement for Measuring Limited Lengths and Automatically Calculating certain Fractional Parts of such Lengths.

Номер патента: GB189904817A. Автор: Alfred Julius Boult. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-04-08.

Hose of indefinite length and connectors therefor

Номер патента: AU201716420S. Автор: . Владелец: Telebrands Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Hose of indefinite length and connectors therefor

Номер патента: AU201716418S. Автор: . Владелец: Telebrands Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Hose of indefinite length and connectors therefor

Номер патента: AU201716412S. Автор: . Владелец: Telebrands Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Improvements in Appliances for Securely Holding Articles of Unequal Length and Thickness.

Номер патента: GB190302845A. Автор: Peter Robertson,Alfred Joseph Dawson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-02-06.

Method for evaluation of coordinate, length and depth of open fracture of flexible cantilever

Номер патента: RU2416091C1. Автор: Аким Гайфуллинович Хакимов,Марат Аксанович Ильгамов,Марат Масгутьянович Шакирьянов,Марат Аксанович Ильгамов (RU),Аким Гайфуллинович Хакимов (RU),Марат Масгутьянович Шакирьянов (RU). Владелец: Марат Масгутьянович Шакирьянов. Дата публикации: 2011-04-10.

Atraumatic method for teeth restoration/reconstruction in generalised dental abrasion to 2/3 of crown length and more with reinforced composite application

Номер патента: RU2403887C1. Автор: Меликсет Литвинович Меликян,Гарегин Меликсетович Меликян,Карине Меликсетовна Меликян. Владелец: Карине Меликсетовна Меликян. Дата публикации: 2010-11-20.

Optical speed, length, and motion direction meter

Номер патента: RU2160450C1. Автор: Э.Г. Звенигородский,П.В. Рогов,Ю.Д. Каминский,С.Ю. Проскурнев,В.И. Мартынова. Владелец: Государственный научный центр РФ Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения "НИИтеплоприбор". Дата публикации: 2000-12-10.

Shielding gate MOSFET

Номер патента: CN216288470U. Автор: 李伟聪,姜春亮,雷秀芳. Владелец: Vanguard Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Shielding gate MOSFET device with uniformly doped channel

Номер патента: CN212967713U. Автор: 李泽宏,赵一尚,李伟聪,林泳浩,胡汶金. Владелец: Vanguard Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Based on the color imaging method of photosensitive composite dielectric gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) detector

Номер патента: CN103165630B. Автор: 闫锋,胡悦,吴福伟,卜晓峰,马浩文,夏好广. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-19.

Photosensitive composite dielectric gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) detector

Номер патента: CN101807547B. Автор: 张�荣,施毅,阎锋. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-10.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH A HIGH PERFORMANCE GATE ELECTRODE

Номер патента: US20120104469A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH RAISED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20120104470A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: US20120138953A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

Castellated gate MOSFET tetrode capable of fully-depleted operation

Номер патента: US20120228710A1. Автор: Seliskar John James. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

DOUBLE AND TRIPLE GATE MOSFET DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME

Номер патента: US20120252193A1. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-10-04.

TRENCH-GATE MOSFET DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120280311A1. Автор: ZHANG LEI,DISNEY Donald R.,LI Tiesheng,Ma Rongyao. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-11-08.

SHIELDED GATE MOSFET-SCHOTTKY RECTIFIER-DIODE INTEGRATED CIRCUITS WITH TRENCHED CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20130020576A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO. LTD.. Дата публикации: 2013-01-24.

SPLIT TRENCH-GATE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE

Номер патента: US20130328122A1. Автор: ZHANG LEI,LI Tiesheng,Ma Rongyao. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

MULTI-GATE MOSFET AND PROCESS THEREOF

Номер патента: US20140015056A1. Автор: Fu Ssu-I,Chen Ying-Tsung,Tsai Shih-Hung,Liou En-Chiuan,YANG Chih-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Trench gate mosfet

Номер патента: TWI546956B. Автор: 詹前陵,李祈祥. Владелец: 力祥半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-21.

A method of fabricating short-gate-length electrodes for integrated III-V compound semiconductor devices

Номер патента: TW200949953A. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Kuo Lin,Tsung-Chi Tsai,Ming-Chang Tu,Chia-Liang Chao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

A method of fabricating short-gate-length electrod

Номер патента: TWI358091B. Автор: Yu Chi Wang,Cheng Kuo Lin,Tsung Chi Tsai,Chia Liang Chao,Ming Chang Tu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2012-02-11.

STANDARD CELLS HAVING TRANSISTORS ANNOTATED FOR GATE-LENGTH BIASING

Номер патента: US20130014071A1. Автор: Gupta Puneet,Kahng Andrew B.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

STANDARD CELLS HAVING TRANSISTORS ANNOTATED FOR GATE-LENGTH BIASING

Номер патента: US20130014072A1. Автор: Gupta Puneet,Kahng Andrew B.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

STANDARD CELLS HAVING TRANSISTORS ANNOTATED FOR GATE-LENGTH BIASING

Номер патента: US20130014073A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor plural gate lengths

Номер патента: US20140070414A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,SREENIVASAN Raghavasimhan,Seo Soon-Cheon,Hartig Michael J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of measuring optical lengths and delays of fiber light guides and other fiber-optic elements

Номер патента: RU2031363C1. Автор: А.Г. Данелян,А.Л. Кавалов,С.А. Кравченко,В.В. Фоменков. Владелец: Кавалов Александр Львович. Дата публикации: 1995-03-20.

Method for processing moving paper length and device for carrying out same

Номер патента: RU2051258C1. Автор: В.С. Борисенко,А.Е. Георгиевский,В.Я. Зорин. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Петрозаводский завод бумагоделательного машиностроения". Дата публикации: 1995-12-27.

Method for preparing metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) with extremely short-gate length bulk-silicon surrounding gates

Номер патента: CN102104002B. Автор: 徐秋霞,周华杰,宋毅. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for reducing gate length bias

Номер патента: TW516107B. Автор: Steven Huang,Ming-Huei Wu,Yuan-Li Tsai,Kai-Jen Ko,Ching-Chun Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

Mark'O'Matic a automated measure and marking tool with the ability to work out lengths and distance plotting marks at set or variable frequencies calculating equal spaces or desired off sets to allow accurate predetermined points or spaces for varied tasks including fixing centers weld points datum lines set outs for positioning structures and many other uses within the construction and building and manufacturing industries

Номер патента: AU2017904726A0. Автор: James David Monaghan,Curt Zwol. Владелец: Monaghan James David Mr. Дата публикации: 2017-12-07.

An Improved Frame for Shears for Cutting Metal Plates of Unlimited Length and Width.

Номер патента: GB190109744A. Автор: Hugo John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-08-17.

Improvements in Dies for Pressing Flanged Plates of Variable Length and Profile.

Номер патента: GB190517027A. Автор: . Владелец: PALMERS SHIPBUILDING AND IRON. Дата публикации: 1906-01-11.

Cladding member of indefinite length and indefinite width

Номер патента: AU310023S. Автор: . Владелец: Gary Frencham Pty Ltd. Дата публикации: 2006-09-15.

Cladding member of indefinite length and indefinite width

Номер патента: AU309123S. Автор: . Владелец: Gary Frencham Pty Ltd. Дата публикации: 2006-08-21.

A profiled panel of indefinite length and width

Номер патента: AU320956S. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2008-09-08.

METHOD FOR CUTTING CONTINUOUSLY MOVING WELDED STRAIGHT PIPES AND SHAPED PROFILES FOR DIMENSIONAL LENGTHS AND FLYING TOOTHED DISC SAWS FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2013139825A. Автор: Владимир Александрович Шелементьев,Владимир Васильевич Лариков,Владимир Семенович Зарудный,Виктор Михайлович Волков,Сергей Асафович Федоров,Владимир Иванович Барабанов,Аксана Владимировна Семенова. Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения". Дата публикации: 2015-03-10.

Y Phone Mini is an internet enabled phone of a size sitting comfortably in a child's hand. It can be activated by touching any part of its touch screen which extends the full length and width of the phone. In addition to usual phone features, the phone has an inbuilt projector to create holograms of the user and advanced camera capability.

Номер патента: AU2013902973A0. Автор: Salomon Anderson Sembach. Владелец: Anderson Jennifer Ms. Дата публикации: 2013-08-22.

Improvements in the Manufacture of Metal Cased Metallic Mouldings, and other Hollow Lengths, and in Tools or Means to be Employed in connection therewith.

Номер патента: GB190023619A. Автор: James Turner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-10-19.

Mechanism for tensioning the conveyor belt and holding the excess of its length for use on long belt conveyors, in particular those of variable length, and method of holding the excess of conveyor belt length

Номер патента: PL297451A1. Автор: Józef Suchoń,Jerzy Antoniak,Aleksander Lutynski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1994-07-25.

Length and area partitioning methods and apparatus

Номер патента: CA729477A. Автор: F. Galey William,A. Gulotta Joseph,K. Umbel Forrest. Владелец: Pittsburgh Plate Glass Co. Дата публикации: 1966-03-08.

Seated Travel Bed is a portable metal frame with netting allowing travelers to lie forward to achieve comfortably sleep. It also is a portable stool, luggage carrier and back rest. It is fully adjustable in length and angle to suit multiple users comfort. Straps secures the device to the legs or arm rests of a chair.

Номер патента: AU2016903997A0. Автор: Samuel Birkbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-13.

Apparatus for and method of measuring the length and propagation velocity of us waves in liquids

Номер патента: PL290410A1. Автор: Andrzej Kaczmarski,Krzysztof Sokalski. Владелец: Univ Jagielloński. Дата публикации: 1992-11-30.

Interference estimating apparatus, method and apparatus for determining guard interval length and bit loading

Номер патента: TW201012148A. Автор: Heng-Cheng Yeh. Владелец: AFA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

METHOD FOR DETERMINING THE LENGTH AND THICKNESS OF ICE DEPOSITS ON ELECTRIC TRANSMISSION WIRES

Номер патента: RU2011123066A. Автор: Рамиль Гамилович Мустафин,Эльмир Фердинатович Хакимзянов,Сергей Геннадьевич Ведерников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ). Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD FOR DETERMINING THE COLD LENGTH AND THICKNESS ON ELECTRIC TRANSMISSION LINES WIRES

Номер патента: RU2013133140A. Автор: Рамиль Гамилович Мустафин,Эльмир Фердинатович Хакимзянов,Юрий Валерьевич Писковацкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2015-01-27.

Folding transportation container of which length and height are adjustable

Номер патента: JPS5317485A. Автор: Danji Minami. Владелец: NANBI KOUGIYOU KK. Дата публикации: 1978-02-17.

Apparatus for increasing the length and decreasing the thickness of strip stock

Номер патента: AU264990B2. Автор: Louis Fussell Coffin, Jr. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1963-10-24.

Shipping package for pipe lengths and fittings

Номер патента: CA607515A. Автор: Samuel C. Northington, Jr.,D. Martin James. Владелец: Combustion Engineering Inc. Дата публикации: 1960-10-25.

Improvements in Telescopes of Unvariable Length and Progressively Variable Magnification.

Номер патента: GB191307500A. Автор: . Владелец: Optische Anstalt CP Goerz AG. Дата публикации: 1913-10-23.

Device for plates' length and diameters measuring

Номер патента: CS854986A1. Автор: Valentin F Ionak,Viktor V Borisov,Nikolaj N Aleskin. Владелец: Nikolaj N Aleskin. Дата публикации: 1989-06-13.

Method for measuring wave-length and apparatus for carrying out thereof

Номер патента: HUT38159A. Автор: Gustav Martincek,Milan Pokorny. Владелец: Slovenska Akademia Vied. Дата публикации: 1986-04-28.

Crank component with variable length and capable of operating along track

Номер патента: TWM367153U. Автор: Zhi-Nan Feng. Владелец: Zhi-Nan Feng. Дата публикации: 2009-10-21.

Improvements in the Process of Producing Printed Labels or Tickets in Strips of Any Length, and in Machines to be Used for Part of said Process.

Номер патента: GB189620152A. Автор: William Rodolphus Landfear. Владелец: Individual. Дата публикации: 1896-11-28.

Integrated device for setting location by length and height of driver's seats

Номер патента: HU9200245D0. Автор: Istvan Magai. Владелец: Istvan Magai. Дата публикации: 1992-04-28.

Apparatus for increasing the length and decreasing the thickness of strip stock

Номер патента: AU1682862A. Автор: Louis Fussell Coffin, Jr. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1963-10-24.

Adjusting structure of length and tension of timing belt

Номер патента: TW474375U. Автор: Ching-Wei Huang. Владелец: Kinpo Elect Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

A foldable cane with adjustable length and having shock-absorbing structure

Номер патента: TW201023791A. Автор: Ming-Hsien Lee. Владелец: Ming-Hsien Lee. Дата публикации: 2010-07-01.

Apparatus for coordinating operating wave length and slit size in spectro-photometers

Номер патента: CA534891A. Автор: W. Foreman Robert,M. Fink Melvin. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1956-12-25.

Flying shear providing for multiple minimum cut-lengths and further variable cut-lengths

Номер патента: AU2016967A. Автор: William Halleen Karl. Владелец: Halleen Machine Co. Дата публикации: 1968-10-17.

Flying shear providing for multiple minimum cut-lengths and further variable cut-lengths

Номер патента: AU402447B2. Автор: William Halleen Karl. Владелец: Halleen Machine Co. Дата публикации: 1968-10-17.

Muffler structure capable of adjusting the length and being replaced

Номер патента: TW450313U. Автор: Jin-Chiuan Jang. Владелец: Sound Ware Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-11.

Regulator for control of spray length and flow of water at sprinklers for watering

Номер патента: RS104604A. Автор: Ljubodrag Ivanović. Владелец: Ljubodrag Ivanović. Дата публикации: 2007-06-04.

Load-bearing device with adjustable length and cabinet having the same

Номер патента: TW200614188A. Автор: heng-zhi Yan,Guo-Jr Lin. Владелец: Infortrend Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

Cotton fibre length and weight ascertaining apparatus

Номер патента: CA363347A. Автор: Nanjundayya Chandrashekariya. Владелец: INDIAN CENTRAL COTTON COMMITTEE. Дата публикации: 1937-01-12.

Regulator for control of spray- length and flow of water from sprinklers for watering

Номер патента: RS98204A. Автор: Ljubodrag Ivanović. Владелец: Ljubodrag Ivanović. Дата публикации: 2007-04-10.

Method for producing hot tube with optimized effective length and structure thereof

Номер патента: TW200848686A. Автор: xin-wei He. Владелец: Forcecon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of digitally modulating pulse length and circuitry therefor

Номер патента: PL289603A1. Автор: Mieczyslaw Jessa,Krzysztof Lange,Miroslaw Szykula. Владелец: Miroslaw Szykula. Дата публикации: 1992-10-05.

Can rim folding machine with controllable folding length and angle of can rim

Номер патента: TW465408U. Автор: Yuan-Ching Chen. Владелец: Yuan-Ching Chen. Дата публикации: 2001-11-21.

Interference method measuring distance (length) and device for its realization

Номер патента: RU2228516C2. Автор: ков Н.А. Мещер,Н.А. Мещеряков,польский Ю.В. Подъ,Ю.В. Подъяпольский. Владелец: Сибирская государственная геодезическая академия. Дата публикации: 2004-05-10.

Device for measuring length and tension of cable

Номер патента: RU2132459C1. Автор: Ю.Б. Томус,Н.С. Хамидуллин. Владелец: Акционерное общество "Татнефтегеофизика". Дата публикации: 1999-06-27.

Device for measurement of cable length and tension

Номер патента: RU2178074C2. Автор: А.Г. Корженевский,Ю.Б. Томус,Н.С. Хамидуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефтегеофизика". Дата публикации: 2002-01-10.

Method and apparatus of producing belts with precise cord length and tension

Номер патента: CA2553382C. Автор: Douglas Bruce Wood. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2009-04-14.

PULSE SPEED VARIATOR1 The invention relates to adjustable mechanical transmissions of a pulse action and can 'find. Application in drives of various' Purpose, for example in drives of plastics and rubber processing machines. Pulse velocity amplifiers are known, comprising a housing and a master and the driven shaft, the converting mechanism in the Kvodoshilno-rod-and-pinion mechanism, the freewheel clutch. and the adjusting mechanism. The disadvantages of the known variator are the cumbersome design and the impossibility of getting and the optimal law of motion; Neither the link of the link. With the aim of enhancing the structure and obtaining the optimal value of the law of the motion of the driven link, each transforming mechanism is made in the form of a spreading rocker mechanism, including rollers, installed uniformly around the circumference on the outer ring of the corresponding coupling of the free stroke, and the helical cam interacting with the housing and the rollers. FIG. 1 shows the pulse speed variator, general view; in fig. 2 - the same, section. A - A. FIG. one; in fig. 3 is a graph of the change in the gear ratio from the driven cage of the one-way clutch to vedu-2iB P T BFSH! To the inoperative shaft of the variator depending on the angle φ of rotation of the latter 15 ° and 60 °; in fig. 4 is a graph showing the change in the gear ratio of the variator from the driven shaft to its leader, 5 depending on the angle φ of rotation of the next section at 15 ° and Y 60 °. The variator has a driving shaft 1 installed coaxially with the driven shaft 2 on the bearings in the housing 3, and the disk 4, hingedly connected in the center with the drive shaft 1, rods 5 with different lengths and equal mass m., equally spaced relative to the axis of the driven shaft 2 of the cylindrical surface and set movably in Enclosure 3. When it is 15 M, the free ends of the plugs 5, extending to disk 4, interact with the latter, for example, via hydrostatic slide bearings (or rolling bearing). The other ends of the rods 5 are fastened to the screw cam-20. 6, each of which with its flat surface interacts with the housing 3 through a cyclical roller 7 with a fixed axis of rotation and a screw surface with the outer race 8 of the freewheel through -25 a cylindrical roller 9, the axis of rotation of which is bonded to the freewheel 8 of the overrunning clutch. The hubs 10 of the free-wheeling clutch are fastened with the known shaft 2, and their clips 8 are spring-loaded relative to the building 30 sa 3 in a circular direction, for example.

Номер патента: SU420832A1. Автор: А. П. Чист ков изобретени М. Д. Фурасов. Владелец: резины , искусственной кожи. Дата публикации: 1974-03-25.

High speed and highly accurate method and apparatus for measuring length and positioning combining linear induction and pulse motors

Номер патента: JPS61175514A. Автор: Arata Horinouchi,堀之内　新. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-08-07.

Improvement in Means for Accurate Measuring or Gauging of Lengths and Thicknesses

Номер патента: GB190111767A. Автор: Carl Edward Johansson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-08-03.

PROCESS FOR THE CO-PRODUCTION OF A STREAM OF A FATTY ALCOHOL HAVING A FIRST CARBON CHAIN LENGTH AND A STREAM OF A FATTY ALCOHOL HAVING A SECOND CARBON LENGTH

Номер патента: US20120016163A1. Автор: . Владелец: DAVY PROCESS TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

MEASUREMENT OF CARDIAC CYCLE LENGTH AND PRESSURE METRICS FROM PULMONARY ARTERIAL PRESSURE

Номер патента: US20120029364A1. Автор: CHO Yong K.,Greenhut Saul E.,Taepke Robert T.,Bloem David R.,Salmi Donna M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

MEASUREMENT OF CARDIAC CYCLE LENGTH AND PRESSURE METRICS FROM PULMONARY ARTERIAL PRESSURE

Номер патента: US20120029365A1. Автор: CHO Yong K.,Greenhut Saul E.,Taepke Robert T.,Bloem David R.,Salmi Donna M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING LOW VOLTAGE MOSFET FOR PORTABLE ELECTRONIC DEVICES AND DATA PROCESSING CENTERS

Номер патента: US20120044720A1. Автор: Anderson Samuel J.,Shea Patrick M.. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

Wiring placement method of wirings having different length and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120047726A1. Автор: WATARAI Tamotsu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

MANUFACTURING METHOD OF MOLDED IMAGE SENSOR PACKAGING STRUCTURE WITH PREDETERMINED FOCAL LENGTH AND THE STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20120068288A1. Автор: LIN Chin-Fu,CHUANG Chun-Hua,HSIN Chung-Hsien,TU Hsiu-Wen,Kuo Ren-Long,Shiao Young-Houng. Владелец: KINGPAK TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOOP LENGTH AND BRIDGED TAP LENGTH DETERMINATION OF A TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120072192A1. Автор: . Владелец: AWARE, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INCREASED CHANNEL LENGTH AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120080743A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD FOR COMPOSING THREE DIMENSIONAL IMAGE WITH LONG FOCAL LENGTH AND THREE DIMENSIONAL IMAGING SYSTEM

Номер патента: US20120105596A1. Автор: Li Yun-Chin. Владелец: ALTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMI-AUTOMATICALLY ADJUSTABLE LENGTH AND TORQUE RESISTANT GOLF SHAFT

Номер патента: US20120142444A1. Автор: Chol Kim. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

METHOD OF PROCESSING DUMMY PATTERN BASED ON BOUNDARY LENGTH AND DENSITY OF WIRING PATTERN, SEMICONDUCTOR DESIGN APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120199979A1. Автор: HIRABAYASHI Keisuke. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-09.

INDUCTIVE MEASURING DEVICE FOR DETECTING LENGTHS AND ANGLES

Номер патента: US20120223724A1. Автор: Vasiloiu Victor,Eisschiel Heinz. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

EXTENDED LENGTH AND HIGHER DENSITY PACKAGES OF BULKY YARNS AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120261503A1. Автор: MESSINIDES Michael,MATTIS John Randall,RILEY William Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

MEASUREMENT OF CARDIAC CYCLE LENGTH AND PRESSURE METRICS FROM PULMONARY ARTERIAL PRESSURE

Номер патента: US20120277599A1. Автор: Greenhut Saul E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

MEASUREMENT OF CARDIAC CYCLE LENGTH AND PRESSURE METRICS FROM PULMONARY ARTERIAL PRESSURE

Номер патента: US20120277600A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

MACHINING APPARATUS FOR LONG TUBE LENGTHS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120288343A1. Автор: . Владелец: Smith International, Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

METHODS FOR TELOMERE LENGTH AND GENOMIC DNA QUALITY CONTROL AND ANALYSIS IN PLURIPOTENT STEM CELLS

Номер патента: US20130011918A1. Автор: West Michael,Chapman Karen B.,Funk Walter. Владелец: Biotime Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US20130020635A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

SHIFTER APPARATUS WITH ADJUSTABLE SHIFT STICK LENGTH AND TENSION SELECTION FEATURES

Номер патента: US20130036850A1. Автор: Corey Colin J.,Washburn William,Corey Craig. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

LIGHT HEAD STRUCTURE WITH ADJUSTABLE FOCAL LENGTH AND LIGHTING DEVICE THEREOF

Номер патента: US20130039069A1. Автор: Lan Wen-Ji,Zeng Xiao-Zhen. Владелец: ASIA VITAL COMPONENTS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-14.

APPARATUS FOR MEASURING VEHICLE QUEUE LENGTH, METHOD FOR MEASURING VEHICLE QUEUE LENGTH, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORING COMPUTER PROGRAM FOR MEASURING VEHICLE QUEUE LENGTH

Номер патента: US20130041573A1. Автор: OCHI Mitsuru. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-02-14.

LENS SYSTEM WITH REDUCED LENGTH AND HIGH RESOLUTION

Номер патента: US20130100541A1. Автор: HUANG HAI-JO,PENG FANG-YING,WANG SHENG-AN,LIU XIAO-NA,LEE AN-TZE. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING ROTATION, FOCAL LENGTHS AND RADIAL DISTORTION IN PANORAMIC IMAGE STITCHING

Номер патента: US20130121616A1. Автор: Jin Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

TWO-PARALLEL-CHANNEL REFLECTOR WITH FOCAL LENGTH AND DISPARITY CONTROL

Номер патента: US20130128005A1. Автор: Cheng Fuhua,TU Shang Te. Владелец: AMCHAEL VISUAL TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2013-05-23.

FOOT-LENGTH CALIPER FOR MEASUREMENT OF FOOT LENGTH AND SCREENING OF BIRTH WEIGHT GROUPS

Номер патента: US20130167391A1. Автор: PRATINIDHI Asha Krishna,BAGADE Abhijit,KANHERE Arvind,Kakade Satish Vasant,KSHIRSAGAR Vinayak Yadavrao,PRATINIDHI Aditya Krishna,KALE Hemangi Parag. Владелец: KRISHNA INSTITUTE OF MEDICAL SCIENCES UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-04.

FLAT LENS WITH MULTIPLE FOCAL LENGTHS AND A PASSIVE INFRARED SENSOR DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20130284932A1. Автор: HUANG WEN-I. Владелец: IR-TEC INTERNATIONAL LTD.. Дата публикации: 2013-10-31.

Extended Drain Non-planar MOSFETs for Electrostatic Discharge (ESD) Protection

Номер патента: US20140092506A1. Автор: Hafez Walid M.,AHSAN AKM. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.