Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • REPLACEMENT GATE MOSFET WITH A HIGH PERFORMANCE GATE ELECTRODE

REPLACEMENT GATE MOSFET WITH A HIGH PERFORMANCE GATE ELECTRODE

Номер патента: US20130175641A1
Опубликовано: 11-07-2013
Автор(ы): Guo Dechao, Knarr Randolph F., Li Zhengwen, Pei Chengwen, Wang Gan, Wang Yanfeng, Wong Keith Kwong Hon, Yu Jian, Yuan Jun
Принадлежит: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Thin film transistor with a high impurity region overlapping the gate electrode

Номер патента: US8263982B2. Автор: Hidenori Kawata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Yip Li Juin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US20210265503A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AN INSULATED GATE ELECTRODE

Номер патента: DE2060333B2. Автор: John Martin Reigate Surrey Shannon (Grossbritannien). Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-10-13.

Replacement gate MOSFET with a high performance gate electrode

Номер патента: US09337289B2. Автор: Gan Wang,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Jun Yuan,Jian Yu,Yanfeng Wang,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Randolph F. Knarr. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Gate electrode having a work-function layer including materials with different average grain sizes

Номер патента: US12113120B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Integration of floating gate memory and logic device in replacement gate flow

Номер патента: US09899397B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Deep depleted channel mosfet with minimized dopant fluctuation and diffusion levels

Номер патента: US20130341639A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: US09660030B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20130092957A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Replacement gate structure with low-K sidewall spacer for semiconductor devices

Номер патента: US09431507B2. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20130270656A1. Автор: HAO Zhang,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Structure and method for replacement gate integration with self-aligned contacts

Номер патента: US09627510B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Internal spacer formation from selective oxidation for fin-first wire-last replacement gate-all-around nanowire fet

Номер патента: US20170005180A1. Автор: Michael A. Guillorn,Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertical replacement-gate silicon-on-insulator transistor

Номер патента: US20030064567A1. Автор: Samir Chaudhry,Paul Layman,J. Thomson,Jack Zhao,John McMacken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Formation of the dielectric cap layer for a replacement gate structure

Номер патента: US20140299924A1. Автор: Balasubramanian Pranatharthi Haran,David V. Horak,Ruilong Xie,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuit product with a gate height registration structure

Номер патента: US09412740B2. Автор: Michael Wedlake,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Integration of floating gate memory and logic device in replacement gate flow

Номер патента: US20180053773A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: WO2014149378A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger,Marc A. Bergendahl. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor Device Comprising Metal Gates and Semiconductor Resistors Formed on the Basis of a Replacement Gate Approach

Номер патента: US20110266633A1. Автор: Klaus Hempel,Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow,Andy Wei,Andreas Kurz,Roland Stejskal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: US20140363941A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Split trench-gate mosfet with integrated schottky diode

Номер патента: US20130328122A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Rongyao Ma. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Methods of forming a nano-sheet transistor device with a thicker gate stack and the resulting device

Номер патента: US09991352B1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier,Steven Bentley,Ali Razavieh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Gap fill of metal stack in replacement gate process

Номер патента: US09935174B2. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN,Shangbin KO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Gap fill of metal stack in replacement gate process

Номер патента: US09748358B2. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN,Shangbin KO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fully-depleted SOI MOSFET with U-shaped channel

Номер патента: US09748348B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: WO2013012453A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods of stressing transistor channel with replaced gate and related structures

Номер патента: SG137804A1. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Brian Lee Tessier. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Methods of forming replacement gate structures on finfet devices and the resulting devices

Номер патента: US20160133719A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Replacement gate structure on finfet devices with reduced size fin in the channel region

Номер патента: US20150364595A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US09741823B1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of forming FinFET semiconductor devices with self-aligned contact elements using a replacement gate process and the resulting devices

Номер патента: US09515163B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming replacement gate structures on finFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09478634B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Replacement gate process

Номер патента: US09385044B2. Автор: Tom Lii. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09911592B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09812321B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Replacement gate structure for enhancing conductivity

Номер патента: US09508826B2. Автор: Arvind Kumar,Anthony I. Chou,Sungjae Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Replacement gate structure for enhancing conductivity

Номер патента: US09450072B2. Автор: Arvind Kumar,Anthony I. Chou,Sungjae Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Ultra-short channel recessed gate MOSFET with a buried contact

Номер патента: US6034396A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

High performance semiconductor devices fabricated with strain-induced processes and methods for making same

Номер патента: US20050079677A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Raised source drain mosfet with amorphous notched gate cap layer with notch sidewalls passivated and filled with dielectric plug

Номер патента: US7700425B2. Автор: Sadanand V. Deshpande,Werner A. Rausch,Tina J. Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Transistor with a sub-fin dielectric region under a gate

Номер патента: US20180337235A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity

Номер патента: US09768272B2. Автор: Hong He,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Trench-gate mosfet with electric field shielding region

Номер патента: US20230039141A1. Автор: Kuang Sheng,Na Ren. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-02-09.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US20160276457A1. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US09876091B2. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US09356121B2. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

High-K gate electrode structure formed after transistor fabrication by using a spacer

Номер патента: US8470661B2. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Uwe Griebenow,Heike Berthold. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Application of gate edge liner to maintain gate length CD in a replacement gate transistor flow

Номер патента: US20060035425A1. Автор: Hong Lin,Richard Carter,Wai Lo,Sey-Shing Sun,Verne Hornback. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Fin Cut to Prevent Replacement Gate Collapse on STI

Номер патента: US20180211955A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: EP4430669A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Dielectric preservation in a replacement gate process

Номер патента: US09916982B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160163824A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

Номер патента: US20110104880A1. Автор: Thomas Werner,Frank Richter,Jens Heinrich,Frank Seliger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Partially recessed channel core transistors in replacement gate flow

Номер патента: US20160284596A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for manufacturing a MOSFET with a surrounding gate of bulk Si

Номер патента: US7960235B1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-06-14.

Method for manufacturing a mosfet with a surrounding gate of bulk si

Номер патента: US20110159656A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-06-30.

Fringe capacitance reduction for replacement gate CMOS

Номер патента: US09780192B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353589A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353590A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Silicon Carbide Trench Gate MOSFET and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230130726A1. Автор: Hongyi Xu,Kuang Sheng,Na Ren,Chongyu JIANG. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-04-27.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122708A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122801A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Verfahren zum Bilden von Replacement-Gate-Strukturen für vertikale Transistoren

Номер патента: DE102019208418A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Sic shielded gate trench mosfet with improved performance

Номер патента: US20240363698A1. Автор: LIN Xu,Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US20100301421A1. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Self-aligned contact for replacement gate devices

Номер патента: US20130175587A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Richard S. Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

High performance hkmg stack for gate first integration

Номер патента: US20130020656A1. Автор: Frank Jakubowski,Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making a high performance small area, thin film transistor

Номер патента: CA1228180A. Автор: Meera Vijan. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Fet with replacement gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: CA2757818A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

Shield contacts in a shielded gate mosfet

Номер патента: EP4295407A1. Автор: Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for wrapped-gate mosfet

Номер патента: WO2003025977A2. Автор: Jack Mandelman,Toshiharu Furukawa,Byeongju Park. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-03-27.

Mosfet with a thin gate insulating film

Номер патента: US20010042873A1. Автор: Shinichi Nakamura,Hiroshi Iwai,Masanobu Saito,Hisayo Momose,Takashi Yoshitomi,Tatsuya Ohguro,Mizuki Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Mosfet with a thin gate insulating film

Номер патента: US20020145157A1. Автор: Shinichi Nakamura,Hiroshi Iwai,Masanobu Saito,Hisayo Momose,Takashi Yoshitomi,Tatsuya Ohguro,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method and structure for forming MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09985107B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming metal gate electrode

Номер патента: US09449828B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Jian-Hao Chen,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets

Номер патента: WO2005124871A2. Автор: MIN Yang,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Meikei Ieong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor structures using replacement gate and methods of manufacture

Номер патента: US20130228835A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Jed H. Rankin,John J. Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor array substrate having a gate electrode comprising two conductive layers

Номер патента: US09748282B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Joohee Jeon,Jaewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor component with a monocrystalline semiconductor region arranged in a via region

Номер патента: US09634101B2. Автор: Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nanosheet channel post replacement gate process

Номер патента: US20190229218A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of fabricating a high performance power mos

Номер патента: US20100197098A1. Автор: Yu Wen Chen,Fu-Hsin Chen,Tsung-Yi Huang,Yt Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Methods for forming a high-voltage super junction by trench and epitaxial doping

Номер патента: US09614031B2. Автор: Tai-I Yang,Shao-Chi Yu,Kun-Ming Huang,Hong-Seng Shue,Po-Tao Chu,Shou-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20010038122A1. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide layer with a concentration gradient of oxygen and an insulating layer with excess oxygen

Номер патента: US11817508B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US7195980B2. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Rf sic mosfet with recessed gate dielectric

Номер патента: EP4378005A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-06-05.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20230022394A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Castellated gate MOSFET tetrode capable of fully-depleted operation

Номер патента: US8664071B2. Автор: John James Seliskar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-04.

Display device with a static electricity discharging circuit

Номер патента: US12113058B2. Автор: KANG Moon Jo,June Whan Choi,An Su LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: US09576971B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

MOSFET with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US09484359B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Bruce B Doris. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Graded well implantation for asymmetric transistors having reduced gate electrode pitches

Номер патента: US09449826B2. Автор: Jan Hoentschel,Andy Wei,Vassilios Papageorgiou,G Robert Mulfinger. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing insulated gate MOSFET employing polysilicon mask

Номер патента: US4914047A. Автор: Yasukazu Seki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-03.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Eric Huang,Ruey-Hsin Liu,Puo-Yu Chiang,Fu-Hsin Chen,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Chyi-Chyuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: WO2023154636A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Transistor arrangement and electronic circuit with a transistor arrangement

Номер патента: WO2020182721A1. Автор: Björn Fischer,Hans Weber,Franz Hirler,Matteo-Alessandro Kutschak,Andreas Riegler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-09-17.

Mosfet with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US20150228489A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

MOSFETs with Multiple Dislocation Planes

Номер патента: US20160211362A1. Автор: Wei-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

MOSFETs with Multiple Dislocation Planes

Номер патента: US20190245077A1. Автор: Wei-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for producing a gate electrode structure

Номер патента: US20120083081A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Kurt Sorschag,Roman Knoefler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-04-05.

Castellated gate MOSFET tetrode capable of fully-depleted operation

Номер патента: US20120228710A1. Автор: John James Seliskar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit components with high performance thin film transistor material

Номер патента: US20240332285A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu,Kalyan C. Kolluru,Chu-Hsin Liang,Bashir Uddin Mahmud. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon-carbide trench gate MOSFETs

Номер патента: US09893176B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

MOSFETs with multiple dislocation planes

Номер патента: US09853157B2. Автор: Wei-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

High performance new channel materials precision aligned 3d cfet device architecture

Номер патента: US20230253259A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of fabricating transistors with a protection layer to improve the insulation between a gate electrode and a junction region

Номер патента: US09786766B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High performance power cell for RF power amplifier

Номер патента: US09418992B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09812551B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of and apparatus for driving a dual gated MOSFET

Номер патента: US20040135201A1. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of driving a dual gated mosfet

Номер патента: US20070152729A1. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of driving a dual gated MOSFET

Номер патента: US7195979B2. Автор: Alan Elbanhawy. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

High performance ldmos device having enhanced dielectric strain layer

Номер патента: US20120119293A1. Автор: Guowei Zhang,Yisuo Li,Sanford Chu,Verma Purakh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Gallium nitride nmos on si (111) co-integrated with a silicon pmos

Номер патента: US20200286789A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Valluri R. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20220223714A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US9793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a gate region having overlapping first conduction type and second conduction type dopants

Номер патента: US20080087964A1. Автор: Hirotsugu Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US09793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

High voltage metal-oxide-semiconductor (HVMOS) device integrated with a high voltage junction termination (HVJT) device

Номер патента: US11862675B2. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High voltage metal-oxide-semiconductor (hvmos) device integrated with a high voltage junction termination (hvjt) device

Номер патента: US20200044014A1. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

SiC trench MOSFET with low on-resistance and switching loss

Номер патента: US11777000B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US8828819B2. Автор: Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou,Stephen Kronholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

High voltage semiconductor device including a doped gate electrode

Номер патента: US11908916B2. Автор: Yu Shin RYU,Soon Yeol PARK,Yoon Hyung KIM. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US20130130449A1. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of making a semiconductor device with a stressor

Номер патента: US20080261355A1. Автор: Sinan Goktepeli,Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Adaptive duo-gate MOSFET

Номер патента: US09602099B2. Автор: Hung-Wen Chou,Jiong-Guang Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Adaptive duo-gate mosfet

Номер патента: US20160344383A1. Автор: Hung-Wen Chou,Jiong-Guang Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230269931A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

3d nano sheet method using 2d material integrated with conductive oxide for high performance devices

Номер патента: US20230253261A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Ferroelectric tunnel junction devices with a sparse seed layer and methods for forming the same

Номер патента: US12057471B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Ferroelectric Tunnel Junction Devices with a Sparse Seed Layer and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240347581A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Epitaxial channel with a counter-halo implant to improve analog gain

Номер патента: US09899475B2. Автор: Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Shih-Syuan Huang,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Power MOSFET with seperate gate and field plate trenches

Номер патента: US09680004B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device including a trench with a corner having plural tapered portions

Номер патента: US09368609B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device including a high-breakdown voltage MOS transistor

Номер патента: US20060027880A1. Автор: Masatoshi Taya. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of forming metal gate electrode

Номер патента: US20160064223A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Jian-Hao Chen,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Inverted thin channel mosfet with self-aligned expanded source/drain

Номер патента: US20130299897A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor structure having a high voltage well region

Номер патента: US20190229206A1. Автор: Manoj Kumar,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chung-Te Chou,Ya-Han Liang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Shielded gate trench mosfets with hexagonal deep trench layouts and multiple epitaxial layers

Номер патента: US20240186265A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US20140339604A1. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for producing vertical trench-gate mosfets or igbts and corresponding semiconductor device

Номер патента: WO2023143921A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Trench mosfet with trench contact holes and method for fabricating the same

Номер патента: US20120091523A1. Автор: Gang Ji,Jianping Gu,Kaibin Ni,Tianbing Zhong. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100176452A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100317168A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor devices with gate electrodes and with monocrystalline silicon regions that contain atoms of nitrogen and one or more of chlorine, bromine, sulfur, fluorine, or phosphorus

Номер патента: US8283733B2. Автор: Zhong Dong,Ching-Hwa Chen. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Lateral drain MOSFET with improved clamping voltage control

Номер патента: US7998819B2. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Self aligned trench MOSFET with integrated diode

Номер патента: US09911840B2. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-03-06.

FinFETs suitable for use in a high density SRAM cell

Номер патента: US09825055B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5338961A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-08-16.

Fabricating method for a thin film transistor with a negatively sloped gate

Номер патента: US5766988A. Автор: Jong Moon Choi,Seok Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5598018A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for making a high performance transistor integrated circuit

Номер патента: US4573256A. Автор: John S. Lechaton,Gurumakonda R. Srinivasan,Philip M. Pitner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-03-04.

Silicon controlled rectifier with a gate electrode for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220181474A1. Автор: RAUNAK Kumar,Prantik Mahajan,Kyong Jin HWANG,Robert Jr Gauthier Jr. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

HEMT with a metal film between the gate electrode and the drain electrode

Номер патента: US09548383B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

LAYOUT DESIGN FOR A HIGH POWER, GaN-BASED FET

Номер патента: US20110316045A1. Автор: Milan Pophristic,Boris Peres,Linlin Liu. Владелец: Velox Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Layout design for a high power, gan-based fet

Номер патента: EP2400553A3. Автор: Milan Pophristic,Boris Peres,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09793371B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09419093B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

SEMI-CONDUCTOR COMPONENT WITH A FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AN INSULATED GATE ELECTRODE, AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: DE2436517A1. Автор: Andrew Gordon Francis Dingwall. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-03-06.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Hybrid high-k first and high-k last replacement gate process

Номер патента: US09960162B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Hybrid high-k first and high-k last replacement gate process

Номер патента: US09397100B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Replacement gate electrode with multi-thickness conductive metallic nitride layers

Номер патента: US09881797B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of using a metal protection layer to form replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09425103B2. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A2. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A4. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,Cyril Cabral Jr,Victor Ku,An L Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-05.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: WO2005024906A2. Автор: Ying Li,Yun-Yu Wang,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-03-17.

Methods of forming replacement gate structures on FinFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09412839B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

High quality dielectric for hi-k last replacement gate transistors

Номер патента: US20150187659A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09960252B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09484438B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09472643B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09466692B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09972697B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Replacement gate electrode with multi-thickness conductive metallic nitride layers

Номер патента: US20130224939A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Electronic device including a HEMT with a segmented gate electrode

Номер патента: US09929261B2. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Johan Camiel Julia Janssens,Marnix Tack. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Si recess method in HKMG replacement gate technology

Номер патента: US09865610B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chin-Yi Huang,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Inner L-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US09768078B2. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit and method for fabricating the same having a replacement gate structure

Номер патента: US09666690B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Inner L-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US09362375B2. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US9391164B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device comprising a high dielectric constant insulating film including nitrogen

Номер патента: US7872312B2. Автор: Hisashi Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Ztcr poly resistor in replacement gate flow

Номер патента: US20140167182A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Amitabh Jain,Deborah J. Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Metal resistor using FinFET-based replacement gate process

Номер патента: US09478625B1. Автор: Huang Liu,Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Growth of high-performance III-nitride transistor passivation layer for GaN electronics

Номер патента: US09490356B2. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-08.

Tunable poly resistors for hybrid replacement gate technology and methods of manufacturing

Номер патента: US20150228708A1. Автор: Peter Baars,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods and Apparatus for MOS Capacitors in Replacement Gate Process

Номер патента: US20190341310A1. Автор: Chung-Hui Chen,Yimin Huang,Tung-Heng Hsieh,Pai-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods and Apparatus for MOS Capacitors in Replacement Gate Process

Номер патента: US20130126953A1. Автор: Chung-Hui Chen,Yimin Huang,Tung-Heng Hsieh,Pai-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Electronic device including a hemt with a segmented gate electrode and a process of forming the same

Номер патента: US20170294530A1. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Johan Camiel Julia Janssens,Marnix Tack. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-12.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150069516A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150311304A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150279966A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Inner L-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US9178037B2. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

CMOS Vt control integration by modification of metal-containing gate electrodes

Номер патента: US09698020B2. Автор: Toshio Hasegawa,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Gate electrode with a shrink spacer

Номер патента: US20150091068A1. Автор: Sven Beyer,Alexander Ebermann,Tom Hasche,Gerhard Lembach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Bidirectional device provided with a stack of two high electron mobility transistors connected head-to-tail

Номер патента: US20220336651A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-20.

Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof

Номер патента: EP1502305A1. Автор: Zoran Krivokapic,Witold P. Maszara. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory cell comprising a metal control gate with a work function for an enlarged operation window

Номер патента: US10879258B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Enhanced Patterning Uniformity of Gate Electrodes of a Semiconductor Device by Late Gate Doping

Номер патента: US20120156865A1. Автор: Sven Beyer,Martin Mazur,Hans-Juergen Thees,Steffen Laufer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of forming a high-frequency transistor T gate electrode

Номер патента: US5776820A. Автор: Yamato Ishikawa,Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: WO2022235364A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20230282730A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Gate electrode layout

Номер патента: US20200258992A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Gate electrode layout

Номер патента: WO2020167788A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device including a floating gate electrode having stacked structure

Номер патента: US20080171429A1. Автор: Kazuo Hatakeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09984934B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09640440B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of forming a nanometer-gate mosfet device

Номер патента: US20030235990A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for making a high performance transistor

Номер патента: US6117742A. Автор: Mark I. Gardner,Fred Hause. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US09543203B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

CMOS Vt CONTROL INTEGRATION BY MODIFICATION OF METAL-CONTAINING GATE ELECTRODES

Номер патента: US20160111290A1. Автор: Toshio Hasegawa,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Integrated circuits with recessed gate electrodes

Номер патента: US10651093B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J. Weeks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20150041880A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for the manufacture of gate electrodes formed of double layers of metal silicides having a high melting point and doped polycrystalline silicon

Номер патента: CA1228681A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl,Konrad Hieber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-10-27.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09704968B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589839B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Akira MATSUDAIRA,Yusuke Ikawa,Eisuke Takii,Seiji Shimabukuro,Kengo Kajiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing a t-shaped gate electrode

Номер патента: US5139968A. Автор: Takuji Sonoda,Iwao Hayase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

A method of forming a tantalum-containing gate electrode structure

Номер патента: WO2005104197A1. Автор: Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Vijay Narayanan,Kazuhito Nakamura,Gert Leusink,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of fabricating gate electrode using a treated hard mask

Номер патента: US09881840B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09922884B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US10553498B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US20180102294A1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for preparing high-performance tantalum target

Номер патента: US09957603B2. Автор: Kai Wang,Wenming Chen,Zhaobo Li,Jingming Zhong. Владелец: Ningxia Orient Tantalum Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Removal of nitride bump in opening replacement gate structure

Номер патента: US8927356B1. Автор: Huey-Ming Wang,Tsung-Liang Chen,Puneet Khanna,Hsin-Neng Tai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Process for integrating in a same chip a non-volatile memory and a high-performance logic circuitry

Номер патента: EP1005079B1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Alfonso Maurelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-12-26.

Process for integrating in a same chip a non-volatile memory and a high-performance logic circuitry

Номер патента: US20020140047A1. Автор: Alfonso Maurelli,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor structure including a high performance fet and a high voltage fet on an soi substrate

Номер патента: US20120132992A1. Автор: Zhong-Xiang He,Hanyi Ding,Xuefeng Liu,Kai D. Feng,Zhenrong Jin,Yun Shi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Carbon nanotube biofet with a local amplifier in a system array for analysis of biomarkers and method of analysis of same

Номер патента: US09810661B2. Автор: Josh Shachar. Владелец: Sensor Kinesis Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with a semiconductor chip bonded between a first, plate-shaped electrode with a groove and a second electrode

Номер патента: EP4156247A3. Автор: Masato Nakamura,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kisho Ashida,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

High-performance heterojunction and preparation method thereof

Номер патента: NL2034051A. Автор: Li Jingbo,Sun Yiming,Wang Xiaozhou. Владелец: Zhejiang Xinke Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

High-performance heterojunction and preparation method thereof

Номер патента: NL2034051B1. Автор: Li Jingbo,Sun Yiming,Wang Xiaozhou. Владелец: Zhejiang Xinke Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-02.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

High performance PFET header in hybrid orientation technology for leakage reduction in digital CMOS VLSI designs

Номер патента: US20060226493A1. Автор: Shih-Hsien Lo,Ching-Te Chuang,Koushik Das. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

High-performance repair tape for backboard of photovoltaic module, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12024639B2. Автор: Xiaoping Wu,KEIICHI Uno,Hongye CHEN,Qiquan ZHOU. Владелец: Cybrid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of a high performance metal-oxide-metal

Номер патента: US8507355B2. Автор: Feng Ji,Lei Li,YOUCUN Hu,Yuwen Chen,Chaos Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

High performance DRAM structure employing multiple thickness gate oxide

Номер патента: US6009023A. Автор: Nicky C. Lu,Kun-Zen Chang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Dual gate mosfet devices and pre-charging techniques for dc link capacitors

Номер патента: US20240007084A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Piezoelectronic transistor with co-planar common and gate electrodes

Номер патента: US09444029B2. Автор: Josephine B. Chang,Marcelo A. Kuroda,Brian A. Bryce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Quality Control of High Performance Superconductor Tapes

Номер патента: US20190198745A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Goran Majkic. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-06-27.

Quality Control of High Performance Superconductor Tapes

Номер патента: US20220406986A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Goran Majkic. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2022-12-22.

Quality Control of High Performance Superconductor Tapes

Номер патента: US20220406985A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Goran Majkic. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2022-12-22.

Doppel-Gate-MOSFET-Vorrichtungen und Vorladungstechniken für DC-Zwischenkreiskondensatoren

Номер патента: DE102023117149A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Grönvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Liquid crystal display device having a composite data line with a line opening exposing the top surface and sidewalls

Номер патента: US20110300655A1. Автор: Jung Il Lee,Seung Kwang Roh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

High performance heat sink for printed circuit boards

Номер патента: EP1393369A1. Автор: Mihalis Michael. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Systems and methods for advanced ultra-high-performance InP solar cells

Номер патента: US09590131B2. Автор: Mark Wanlass. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

High performance bipolar transistors fabricated by post emitter base implantation process

Номер патента: US4242791A. Автор: Cheng T. Horng,Harold V. Lillja,David K. Seto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-01-06.

Photosensitive Detector with Composite Dielectric Gate MOSFET Structure and Its Signal Readout Method

Номер патента: US20110215227A1. Автор: FENG Yan,LIN Pu,YUE Xu,Yi Shi,Rong Zhang,Fuwei Wu,Xiaofeng Bo,Haoguang Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-09-08.

Carbon nanotube biofet with a local amplifier in a system array for analysis of biomarkers and method of analysis of same

Номер патента: US20180038823A1. Автор: Josh Shachar. Владелец: Sensor Kinesis Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Carbon nanotube biofet with a local amplifier in a system array for analysis of biomarkers and method of analysis of same

Номер патента: US20180031521A1. Автор: Josh Shachar. Владелец: Sensor Kinesis Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Carbon nanotube biofet with a local amplifier in a system array for analysis of biomarkers and method of analysis of same

Номер патента: US20180038824A1. Автор: Josh Shachar. Владелец: Sensor Kinesis Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Dual gate MOSFET devices and pre-charging techniques for DC link capacitors

Номер патента: US11955974B2. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Realtime wireless synchronization of live event audio stream with a video recording

Номер патента: US20190363171A1. Автор: Neil C. MARCK,Anthony Sharick. Владелец: Bygge Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

A semiconductor light source with a high efficiency and a method for its manufacture

Номер патента: WO2002089275A1. Автор: Markus Pessa,Mika Saarinen,Ning Xiang,Mihail Dumitrescu. Владелец: Optoelectronics Research Centre. Дата публикации: 2002-11-07.

Image sensors with a tunable floating diffusion structure

Номер патента: US20240250110A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Devis CONTARATO,Abbas Haddadi. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

High Bandwidth Memory Package For High Performance Processors

Номер патента: US20200098715A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: EP3776650A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

High bandwidth memory package for high performance processors

Номер патента: WO2019199471A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

High performance on-chip vertical coaxial cable, method of manufacture and design structure

Номер патента: US20120193121A1. Автор: Essam Mina,Guoan Wang,Wayne Harvey Woods, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Realtime wireless synchronization of live event audio stream with a video recording

Номер патента: US20240213345A1. Автор: Neil C. MARCK,Anthony Sharick. Владелец: Bygge Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Image sensors with a tunable floating diffusion structure

Номер патента: WO2024158603A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Devis CONTARATO,Abbas Haddadi. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-08-02.

Real-time wireless synchronization of live event audio stream with a video recording

Номер патента: US09888296B2. Автор: Neil C. MARCK,Anthony Sharick. Владелец: Bygge Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

System with a high power chip and a low power chip having low interconnect parasitics

Номер патента: US09728481B2. Автор: Jun Zhai,John Y. Chen,Abraham F. Yee,Joe Greco,Joseph Minacapelli. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing substrate with a multilayer reflective film, method of manufacturing a reflective mask blank, substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09507254B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Process for producing a high performance bipolar structure

Номер патента: US6004855A. Автор: Larry Joseph Pollock,George William Brown. Владелец: Synergy Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-12-21.

High-performance on-module caching architectures for non-volatile dual in-line memory module (NVDIMM)

Номер патента: US10672474B2. Автор: David A. Roberts,Amin Farmahini Farahani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Metamaterial based metal gate mosfet detector with gate rasterized

Номер патента: US20200203550A1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-25.

High-performance on-module caching architectures for non-volatile dual in-line memory module (nvdimm)

Номер патента: US20190189210A1. Автор: David A. Roberts,Amin Farmahini Farahani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized gate

Номер патента: LU101404B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage

Номер патента: WO2000036638A1. Автор: Eric A. Hudson,Jaroslaw W. Winniczek,Joel M. Cook,Helen L. Maynard. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-06-22.

High performance dielectric stack for DRAM capacitor

Номер патента: US8415227B2. Автор: Hiroyuki Ode,Mitsuhiro Horikawa,Kenichi Koyanagi,Sandra Malhotra,Hanhong Chen,Wim Deweerd,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

High-performance microbolometer using VOx, CNT and graphene for longwave infrared (LWIR) applications

Номер патента: US11674851B1. Автор: John W. Zeller,Ashok K. Sood. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Cd1-xZnxS high performance TCR material for uncooled microbolometers used in infrared sensors and method of making same

Номер патента: US20070128361A1. Автор: Yael Nemirovsky,Sara Stolyarova,Yehuda Sinai,Moshe Weinstein,Avi Shai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device including a high voltage P-channel transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9129841B2. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

High temperature superconductor-based interconnect systems with a lowered thermal load for interconnecting cryogenic electronics with non-cryogenic electronics

Номер патента: US12027361B2. Автор: David B. Tuckerman,Dawson Yee,Craig S. Ranta,Douglas P. Kelley,Matthew David TURNER,Cliff C. Lee. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6949425B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6664577B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

A bicmos device having a cmos gate electrode and a bipolar emitter each containing two imurities of the same conductivity type

Номер патента: US20020145167A1. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Dispense pattern for thermal interface material for a high aspect ratio thermal interface

Номер патента: US09839159B1. Автор: Bahareh Banijamali. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor with a current-induced channel

Номер патента: US09515273B2. Автор: Baquer Mazhari,Ankita Gangwar. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-12-06.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Flexible synchronous/asynchronous cell structure for a high density programmable logic device

Номер патента: US5489857A. Автор: Om P. Agrawal,Kerry A. Ilgenstein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-06.

Flexible synchronous/asynchronous cell structure for a high density programmable logic device

Номер патента: US5811986A. Автор: Om P. Agrawal,Kerry A. Ilgenstein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized drain

Номер патента: LU101401B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Sputter deposition of metal alloy targets containing a high vapor pressure component

Номер патента: US20090166181A1. Автор: Christopher J. Jezewski,Juan Dominguez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of fabricating an integrated circuit with a pattern density-outlier-treatment for optimized pattern density uniformity

Номер патента: US09552964B2. Автор: BURN JENG LIN,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Cheng-Hung Chen,Jyuh-Fuh Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of assembling and efficient manufacture of high performance electronic device with cabled interconnects

Номер патента: US20230012133A1. Автор: Michael D. Long. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Low cost high performance multiband cellular antenna with cloaked monolithic metal dipole

Номер патента: US20240266758A1. Автор: Niranjan Sundararajan,Wengang Chen,Andrew LITTEER,Charles BUONDELMONTE. Владелец: PPC Broadband Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for adapting the voltage supplied by a high-performance electrochemical storage device, and a system for operating a load

Номер патента: US20190245367A1. Автор: Michael Donotek,Mathias Widmaier,Severin Hahn,Lars BOMMER,Tobias Schonhardt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-08-08.

Material for lithium secondary battery of high performance

Номер патента: US09590243B2. Автор: Jens M. Paulsen,Hong-Kyu Park,Sun Sik SHIN,Sin young PARK,Ho suk SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

A high-performance calcium titanate-type la2nio4 electrode material, its preparation method, and application.

Номер патента: ZA202311447B. Автор: Jiayu Ma,Tong HU,Mingwen Xiong,Xiaoqi Jin. Владелец: Univ Bengbu. Дата публикации: 2024-07-31.

Graphene oxide as a sulfur immobilizer in high performance lithium/sulfur cells

Номер патента: US09853284B2. Автор: Yuegang Zhang,Liwen Ji,Elton J. CAIRNS,Mumin Rao. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-12-26.

Graphene oxide as a sulfur immobilizer in high performance lithium/sulfur cells

Номер патента: US09673452B2. Автор: Yuegang Zhang,Liwen Ji,Elton J. CAIRNS,Mumin Rao. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of making a high performance ultracapacitor

Номер патента: US6059847A. Автор: C. Joseph Farahmandi,John M. Dispennette. Владелец: Maxwell Energy Products Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

High-performance composite coating and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240263292A1. Автор: Peng Li,Ming Liu,Zhiguo XING,Haidou WANG,Guozheng Ma,Lihong Dong,Weiling Guo. Владелец: Academy of Armored Forces of PLA. Дата публикации: 2024-08-08.

High performance electrolyte for molten carbonate fuel cells

Номер патента: WO2012012251A3. Автор: Mohammad Farooque,Abdelkader Hilmi,Chao-Yi Yuh. Владелец: FuelCell Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

High-Performance Lithium-Containing Organic Sulfur Electrode Material and Preparation Method of Integrated Flexible Electrode

Номер патента: US20210367239A1. Автор: Fei Dong,Shiyou Zheng,Junhe YANG,Yuepeng Pang. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-11-25.

Mechanism for manual disconnection of the drive of a high-voltage vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2756294C1. Автор: Евгений Юрьевич Парамонов,Станислав Евгеньевич Парамонов. Владелец: Акционерное Общество "Электротехнические заводы "Энергомера". Дата публикации: 2021-09-29.

Preparation method and use of high-performance modified lithium-nickel-manganese-cobalt oxide (lnmco) nickel 55 material

Номер патента: US20230395795A1. Автор: Changdong LI,Xuemei Zhang,Haijun YU,Yinghao Xie,Banglai MING,Jianxiao Tang,Yannan OU. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Preparation method and application of high-performance nickel 55-type modified nickel cobalt lithium manganate material

Номер патента: GB2618685A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,OU Yannan,LI Changdong,XIE YINGHAO,Tang Jianxiao,MING Banglai. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

High-performance ceramic-polymer separators for lithium batteries

Номер патента: US20210066750A1. Автор: Jitendra Kumar,Guru Subramanyam. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2021-03-04.

High-performance rechargeable batteries having a spalled and textured cathode layer

Номер патента: US20190103626A1. Автор: Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Protective device for a high-voltage cable, high-voltage cable, high-voltage on-board power supply and motor vehicle

Номер патента: US12112910B2. Автор: Thomas Kronenberger,Benedikt Nies. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Battery with a voltage regulation device

Номер патента: US12068460B2. Автор: Andrew James WIGNEY. Владелец: Volt Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

High performance integrated tunable impedance matching network with coupled merged inductors

Номер патента: US09667217B2. Автор: Tero Tapio Ranta,Chih-Chieh Cheng,Vikram Sekar,Richard Bryon Whatley. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for producing a high-performance neodymium—iron—boron rare earth permanent magnetic material

Номер патента: US09427804B2. Автор: Haotian Sun. Владелец: China North Magnetic & Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Cable fittings for connecting a high-voltage cable with a high-voltage component

Номер патента: RU2681643C1. Автор: Ян ЧИЗЕВСКИЙ,Виктория МАУРЕР,Радим ЛИЧИ,Тобйёрн СЁРКВИСТ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-03-12.

Low cost high performance multiband cellular antenna with cloaked monolithic metal dipole

Номер патента: US11855359B2. Автор: Niranjan Sundararajan,Wengang Chen,Andrew LITTEER,Charles BUONDELMONTE. Владелец: PPC Broadband Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

A high voltage connector assembly having improved female and male housings with a female terminal position assurance (tpa) device, and an improved method for improving clearance and creepage in the high voltage connector assembly

Номер патента: EP4385101A1. Автор: David Demaratos. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Vehicle With a High-Voltage Store, and High-Voltage Store

Номер патента: US20210331011A1. Автор: Daniel Hielscher,Norman Geissler,Maximilian Rampf. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2021-10-28.

A system and a method for adjusting a length of an insulating rod for a high voltage circuit breaker and a high voltage circuit breaker

Номер патента: EP4381532A1. Автор: Nils FURRER,Guenter Steding. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

A method for manufacturing a perforated, sheet-like high-voltage insulating spacer for a high-voltage component and a high-voltage component comprising a spacer manufactured according to the method

Номер патента: WO2015158532A3. Автор: Ansgar Dais,Urs Kruesi,Jan Czyzewski. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-12-10.

A method for manufacturing a high-voltage insulating spacer for a high-voltage component and a high-voltage component comprising a spacer manufactured according to the method

Номер патента: EP3132454A2. Автор: Ansgar Dais,Urs Kruesi,Jan Czyzewski. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-02-22.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: US20240261798A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-08.

High voltage module, controller with a high voltage module, and a method of manufacturing a high voltage module

Номер патента: EP4415008A1. Автор: Per Holm Hansen,Anders Høxbro Larsen,Brian Rene Nielsen. Владелец: Exodraft As. Дата публикации: 2024-08-14.

Generating a highly ionized plasma in a plasma chamber

Номер патента: US09840770B2. Автор: Andrzej Klimczak,Rafal Bugyi,Pawel Ozimek. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2017-12-12.

Antenna device including a phase shifter and a feeding portion configured as a triplate line with a center conductor

Номер патента: US09583819B2. Автор: Tomoyuki Ogawa,Nobuaki Kitano,Naoki Iso,Yoshiaki Ishigami. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

High-performance distributionally integrated subarray antenna

Номер патента: US3631503A. Автор: Raymond Tang,Nam San Wong. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1971-12-28.

High-entropy alloy for high-performance direct ethanol fuel cells

Номер патента: WO2024015280A1. Автор: Yang Yang,Jinfa Chang. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-01-18.

High-entropy alloy for high-performance direct ethanol fuel cells

Номер патента: US20240014410A1. Автор: Yang Yang,Jinfa Chang. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-01-11.

High performance single barrel power connection

Номер патента: US11799252B2. Автор: Andrew Thomas Sultenfuss,Wei-Cheng Yu,Tsung-Cheng Liao,Chi-Che Wu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate electrode and ion mobility spectrometer

Номер патента: US20180246061A1. Автор: Hideaki Izumi,Akiko IMAZU. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

High performance single barrel power connection

Номер патента: US20230238750A1. Автор: Andrew Thomas Sultenfuss,Wei-Cheng Yu,Tsung-Cheng Liao,Chi-Che Wu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-07-27.

Temperature sensing device for a high voltage disconnecting switch and high voltage disconnecting switch including a temperature sensing device

Номер патента: US20230420196A1. Автор: Wei Lu,Juntao Deng. Владелец: Weinert Industries Ag. Дата публикации: 2023-12-28.

Spinodal-based co-continuous composites for high performance battery electrodes

Номер патента: US20200303745A1. Автор: Ali MOHRAZ,Jessica WITT,Daniel MUMM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-09-24.

High performance mobility network with autoconfiguration

Номер патента: EP2294874A2. Автор: Eric Johnson,Chris Williams,Stephen Rayment,Roland A. Smith,Dave Park,Marcel Cheneir. Владелец: BelAir Networks Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

High performance mobility network with autoconfiguration

Номер патента: US20120236786A1. Автор: Eric Johnson,Chris Williams,Stephen Rayment,Roland A. Smith,Dave Park,Marcel Chenier. Владелец: BelAir Networks Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Transformer with a casting embedding a winding arrangement and method of manufacturing a winding arrangement for a transformer

Номер патента: US12125632B2. Автор: Thomas Gradinger,Uwe Drofenik. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Battery system with a battery, which is designed to supply a high-voltage network with electric energy, and a measuring device for measuring at least one insulation resistance of the battery

Номер патента: US09931957B2. Автор: Chrysanthos Tzivanopoulos,Thomas SCHAEDLICH. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing high-performance NdFeB rare earth permanent magnetic device

Номер патента: US09920406B2. Автор: Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High-performance rechargeable batteries with fast solid-state ion conductors

Номер патента: US09692078B2. Автор: Joseph C. Farmer. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

High-performance rechargeable batteries with nanoparticle active materials, photochemically regenerable active materials, and fast solid-state ion conductors

Номер патента: US09614251B2. Автор: Joseph C. Farmer. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Mold for impregnating a prefabricated condenser core of a high-voltage bushing and device for forming a condenser core of a high-voltage bushing

Номер патента: US09601242B2. Автор: Walter Odermatt,Ansgar Dais,Jan Czyzewski,Victoria Maurer. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Global navigation satellite system antenna with a hollow core

Номер патента: US09520651B2. Автор: Dmitry Vitalievich Tatarnikov,Andrey Vitalievich Astakhov,Pavel Petrovich SHAMATULSKY. Владелец: Topcon Positioning Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

High-power diode laser and method for producing a high-power diode laser

Номер патента: US09450375B2. Автор: Rudolf Moritz,Marc Kelemen,Jürgen Gilly,Patrick Friedmann. Владелец: M2K Laser GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of preparing material for lithium secondary battery of high performance

Номер патента: US09416024B2. Автор: Jens M. Paulsen,Hong-Kyu Park,Sun Sik SHIN,Sin young PARK,Ho suk SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High performance card edge connector

Номер патента: US5580257A. Автор: Frank A. Harwath. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1996-12-03.

Low cost high performance portable phased array antenna system for satellite communication

Номер патента: US6297774B1. Автор: Hsin- Hsien Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-02.

Sealing ring made of a high-performance thermoplastic material and liquid silicone

Номер патента: US11808358B2. Автор: Stefan Lehmann,Kathy Hartmann-Bax. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2023-11-07.

High-performance cathode catalyst for metal-air battery and preparation method thereof

Номер патента: US11658310B2. Автор: Wei Zhang,Junhao ZHANG,Xingmei GUO,Xiaohan WAN. Владелец: JIANGSU UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-05-23.

Lithium nickel manganese cobalt oxide positive electrode material of high-performance power battery and preparation method therefor

Номер патента: GB2617724A. Автор: Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

High performance fluorescent lamp

Номер патента: US20120091880A1. Автор: Qin Kong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

High-performance sintered neodymium-iron-boron magnet and preparation method therefor

Номер патента: EP4358103A1. Автор: Ting Zhang,Zhiqiang Li,Nan Zhao,Lingwen XUE. Владелец: Nantong Zhenghai Magnet Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

High performance stretchable electrode with full area coverage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115161A1. Автор: Sang Yeop LEE,Yong Min Lee,Soong Ju Oh,Jun Sung BANG,Jun Hyuk AHN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2022-04-14.

High performance stretchable electrode with full area coverage and method for manufacturing the same

Номер патента: US11749800B2. Автор: Sang Yeop LEE,Yong Min Lee,Soong Ju Oh,Jun Sung BANG,Jun Hyuk AHN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-05.

Sealing ring made of a high-performance thermoplastic material and liquid silicone

Номер патента: US20200080644A1. Автор: Stefan Lehmann,Kathy Hartmann-Bax. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2020-03-12.

Sealing ring made of a high-performance thermoplastic material and liquid silicone

Номер патента: US20220034405A1. Автор: Stefan Lehmann,Kathy Hartmann-Bax. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for preparing high performance lithium iron phosphate nanopowder

Номер патента: US20240034626A1. Автор: Robert Brian Huang,Richard Brian HUANG. Владелец: Watix Technology LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

High voltage disconnect switch with switch interrupter having an actuating arm actuated by an arc horn with a spring catch

Номер патента: CA3182979A1. Автор: Timothy Joseph Takacs. Владелец: Cleaveland/Price Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Spinodal-based co-continuous composites for high performance battery electrodes

Номер патента: US20180375104A1. Автор: Ali MOHRAZ,Jessica WITT,Daniel MUMM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-12-27.

Preparation method for and use of high-performance hard carbon material

Номер патента: GB2625211A8. Автор: LI Changdong,RUAN Dingshan,Fan Xia,Zheng Shuang,MAO Linlin,FENG Maohua. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electrical plug-in connector with a housing and a high-current contact

Номер патента: US6979235B2. Автор: Jürgen Lappöhn. Владелец: ERNI Electronics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-27.

High-frequency substrate and manufacturing method for high-performance, high-frequency applications

Номер патента: US20200067161A1. Автор: Christian Pinta,Mathias Nagel,Bertrand Thomas. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-27.

Motor vehicle with a high voltage battery

Номер патента: US20240313324A1. Автор: Bernhard Hofer,Thomas Mokina,Werner Schwarzl. Владелец: Magna Steyr Fahrzeugtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-19.

Connector cover structure for casing housing a high-voltage component

Номер патента: US09849847B2. Автор: Koji Katano,Akiyoshi Furuzawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Circuit board equipped with a high-frequency component emitting interference waves

Номер патента: US09801268B2. Автор: Thomas Blödt. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2017-10-24.

Material for lithium secondary battery of high performance

Номер патента: US09590235B2. Автор: Jens M. Paulsen,Hong-Kyu Park,Sun Sik SHIN,Sin young PARK,Ho suk SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

High voltage transformer having a sensor system, method for monitoring physical characteristic variables of a high voltage transformer and sensor system for monitoring physical characteristic variables

Номер патента: US09484146B2. Автор: Ansgar Hinz,Frank Micksch. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2016-11-01.

Material for lithium secondary battery of high performance

Номер патента: US20070298512A1. Автор: Hong-Kyu Park,Jens Paulsen,Sun Shin,Sin PARK,Ho SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

High-performance lithium-nickel-manganese-cobalt oxide (lnmco) cathode material for power batteries and preparation method thereof

Номер патента: US20240018014A1. Автор: Changdong LI,Haijun YU,Yinghao Xie. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

High-voltage lead-through device and arrangement for handling data of a high-voltage lead-through device

Номер патента: CA3122380A1. Автор: Andrew Maxwell,Joachim Schiessling,Cecilia Forssen,Peter SJÖBERG. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-05-22.

A high temperature superconducting coil with a resistive impregnated winding and its manufacturing method

Номер патента: EP4390982A1. Автор: Françoise RONDEAUX,Thibault LECREVISSE,Philippe FAZILLEAU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-26.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US11187671B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2021-11-30.

A system and a method for adjusting a length of an insulating rod for a high voltage circuit breaker and a high voltage circuit breaker

Номер патента: US20240266128A1. Автор: Nils Henrik FURRER,Guenter Steding. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

A high temperature superconducting coil with a resistive impregnated winding and its manufacturing method

Номер патента: WO2024133920A1. Автор: Françoise RONDEAUX,Thibault LECREVISSE,Philippe FAZILLEAU. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for monitoring an operating condition of a component of a high voltage device

Номер патента: WO2024133895A1. Автор: Thomas Christen,Kai Yuan,Angelos Garyfallos,Bernhard Deck,Lennart MERKERT,Felipe MACEDO,Caio DOREA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Automatic brightness control circuit for a high voltage electrical power supply

Номер патента: US4412128A. Автор: Richard L. C. McDonald. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-10-25.

A high voltage pulse generator and a method of operating a high voltage pulse generator

Номер патента: WO2023073114A1. Автор: Peter Coenen,Guido Heremans,Stijn JANSSEN,Nico VAN DE POL. Владелец: VITO NV. Дата публикации: 2023-05-04.

Multiplexer design using a 2D passive on glass filter integrated with a 3D through glass via filter

Номер патента: US09954267B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Lithium-ion cell having a high-capacity anode and a high-capacity cathode

Номер патента: US09437370B2. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Qing Fang,Guorong Chen,Yanbo Wang,Xiging Wang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Mesoporous carbon and method for manufacture thereof, as well as fuel cell with a polymer electrolyte

Номер патента: RU2761216C1. Автор: Наоки ХАСЭГАВА,Кадзухиса ЯНО,Томохиро ТАКЭСИТА,Руи ИМОТО,Кумико НОМУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-12-06.

CNT X-ray source apparatus including cathode electrode, emitter, gate electrode, focusing electrode and base portion having groove for accommodating cathode electrode

Номер патента: US11791122B2. Автор: Han Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for preparing high-performance soft magnetic composite and magnetic toroidal core thereof

Номер патента: US20220270818A1. Автор: Jing Li,Bo Hong,Xiaoling Peng,Xinqing Wang,Hongliang Ge,Yanting YANG,Jingcai Xu,Hongxiao Jin,Dingfeng Jin. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for Producing a High-Voltage Battery Unit and a High-Voltage Battery Unit

Номер патента: US20220029236A1. Автор: Philip Raettich,Alexander Heiser,Andreas Obermaier,Matthias RAMBOUSEK. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2022-01-27.

Gas-insulated high-voltage circuit breaker with a relief duct which is controlled by an overflow valve

Номер патента: US20100219161A1. Автор: Christian Franck,Martin Seeger,Arthouros Iordanidis,Lutz Niemeyer. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2010-09-02.

Plasma display panel structure with a high open ratio

Номер патента: US20030197662A1. Автор: Jih-Fon Huang,Yu-Ting Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for heat treating an object containing at least one rare-earth element with a high vapor pressure

Номер патента: US20240261856A1. Автор: Matthias Katter,Christoph Brombacher,Kaan ÜSTÜNER,Daniela Benedikt. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-08.

Motor vehicle with a high voltage battery

Номер патента: US20240313323A1. Автор: Bernhard Hofer,Werner Schwarzl. Владелец: Magna Steyr Fahrzeugtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-19.

High performance silicon electrodes having improved interfacial adhesion between binder and silicon

Номер патента: US09564639B2. Автор: Xiaosong Huang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication

Номер патента: US5414588A. Автор: Troy W. Barbee, Jr.,Gary W. Johnson,Dennis W. O'Brien. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1995-05-09.

Method for manufacturing high performance multi layer ceramic capacitors

Номер патента: WO2012093081A1. Автор: Robert Mamazza Jr.,Glyn Jeremy Reynolds. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2012-07-12.

High performance diplexer and method

Номер патента: US6597258B2. Автор: Glen Var Rosenbaum. Владелец: Spectrum Astro Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Isolation method for high-performance computer system, and high-performance computer system

Номер патента: US20240073100A1. Автор: YUAN Li,Yang Ou,ZHANG Luo,Jianmin Zhang,Yan Sun,Jinbo Xu,Mingche LAI,Junsheng CHANG,Pingjing LU,Xingyun QI,Zeyu XIONG,Zicong WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-29.

High-performance power supply of wide output voltage range, and control method therefor

Номер патента: EP4033651A1. Автор: Shiqiang Yu,Biao LEI,Shoudong FU. Владелец: Shenzen Infypower Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Architecture of cloud computing oriented high-performance blockchain

Номер патента: US20240356766A1. Автор: Minghui Xu,Shuo Liu,Dongxiao Yu,Jinfeng Dou,Yifei Zou. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-10-24.

A High-performance Computing and Cloud Computing Hybrid Algorithm System and Its Resource Management Method

Номер патента: AU2021102275A4. Автор: Yijun Liu. Владелец: Xuzhou University of Technology. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing high-performance indoor photovoltaic cell using self-assembled monolayers and indoor photovoltaic cell manufactured thereby

Номер патента: US20240147742A1. Автор: Jae Won Shim,Tae Hyuk Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

A high speed and high gain operational amplifier

Номер патента: WO1999003197B1. Автор: Niaxiong Tan. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-05-14.

High performance architecture for converged security systems and appliances

Номер патента: US12101356B2. Автор: Mark Birman,Rajan Sharma,Laxminarasimha Rao Kesiraju. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods and systems for alignment of a high performance heater

Номер патента: US09860940B2. Автор: Arsalan Emami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Cooling System for High-Performance Computer

Номер патента: US20190029146A1. Автор: Harvey J. Lunsman,Bret M. Cuda. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

High performance, flexible, and compact low-density parity-check (ldpc) code

Номер патента: US20230275599A1. Автор: Thomas Joseph Richardson,Shrinivas KUDEKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

High performance resonant element

Номер патента: US20070286293A1. Автор: Christian Schuster,Brian P. Gaucher,Young Hoon Kwark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Operating a dual chipset network interface controller (‘NIC’) that includes a high performance media access control chipset and a low performance media access control chipset

Номер патента: US09634895B2. Автор: Breno H. Leitão,Tiago N. Santos,Rafael C. Folco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Operating a dual chipset network interface controller (‘NIC’) that includes a high performance media access control chipset and a low performance media access control chipset

Номер патента: US09628333B2. Автор: Breno H. Leitão,Tiago N. Santos,Rafael C. Folco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Data streaming scheduler for dual chipset architectures that includes a high performance chipset and a low performance chipset

Номер патента: US09948564B2. Автор: Rafael Camarda Silva Folco,Tiago Nunes dos Santos,Breno Henrique Leitão,Murilo Opsfelder Araújo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Data streaming scheduler for dual chipset architectures that includes a high performance chipset and a low performance chipset

Номер патента: US09577945B2. Автор: Rafael Camarda Silva Folco,Tiago Nunes dos Santos,Breno Henrique Leitão,Murilo Opsfelder Araújo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Data streaming scheduler for dual chipset architectures that includes a high performance chipset and a low performance chipset

Номер патента: US09419905B2. Автор: Rafael Camarda Silva Folco,Tiago Nunes dos Santos,Breno Henrique Leitão,Murilo Opsfelder Araújo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

High performance, flexible, and compact low-density parity-check (ldpc) code

Номер патента: CA3092706C. Автор: Thomas Joseph Richardson,Shrinivas KUDEKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

High-performance power supply of wide output voltage range, and control method therefor

Номер патента: US11594975B2. Автор: Shiqiang Yu,Biao LEI,Shoudong FU. Владелец: Shenzhen Infypower Co ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Optimization of all software modem using flexible configuration parameters for high-performance computing (hpc)

Номер патента: US20210135782A1. Автор: Richard Davis,Michael Geist,Michael Beeler,Cris Mamaril,Jason DUCHEZ,Jakob HARMON. Владелец: Envistacom LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Optimization of all software modem using flexible configuration parameters for high-performance computing (hpc)

Номер патента: US20240195526A1. Автор: Richard Davis,Michael Geist,Michael Beeler,Cris Mamaril,Jason DUCHEZ,Jakob HARMON. Владелец: Apothym Technologies Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Optimization of all software modem using flexible configuration parameters for high-performance computing (HPC)

Номер патента: US11831432B2. Автор: Richard Davis,Michael Geist,Michael Beeler,Cris Mamaril,Jason DUCHEZ,Jakob HARMON. Владелец: Apothym Technologies Group LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

High-performance computing-oriented method for automatically deploying execution environment along with job

Номер патента: US11809303B2. Автор: Wei Zhang,Kai Lu,Wenzhe Zhang,Ruibo Wang,Huijun Wu,Yong Dong,Wanqing CHI,Mingtian SHAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

High-performance computing-oriented method for automatically deploying execution environment along with job

Номер патента: US20220179774A1. Автор: Wei Zhang,Kai Lu,Wenzhe Zhang,Ruibo Wang,Huijun Wu,Yong Dong,Wanqing CHI,Mingtian SHAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-06-09.

An expansion module for a computing unit for a high-performance computer cabinet and a method for the tool-less replacement of an expansion card of an expansion module

Номер патента: EP3979041A8. Автор: Jithendra BANGERA,Sakthivel MOHANASUNDARAM,Vishwas BS,Amit HATTANGADI. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2022-12-07.

Expansion module for a computing unit for a high-performance computer cabinet and a method for the tool-less replacement of an expansion card of an expansion module

Номер патента: US20220104375A1. Автор: Jithendra BANGERA,Sakthivel MOHANASUNDARAM,Vishwas BS,Amit HATTANGADI. Владелец: Atos Global IT Solutions and Services Pvt Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Systems and methods for forming and maintaining a high performance FRC

Номер патента: US09997261B2. Автор: Michl Binderbauer,Michel Tuszewski,Sergei Putvinski,Artem SMIRNOV,Dan Barnes,Eusebio Garate,Houyang Guo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-06-12.

Managing nodes in a high-performance computing system using a node registrar

Номер патента: US09747130B2. Автор: Gregory Wray Teather. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of operating a cellular network, including a high-frequency packet transmission

Номер патента: RU2713410C1. Автор: Лили ЧЖАН,Бин ЛЮ,Нейтан Эдвард ТЕННИ,Ричард СТЁРЛИНГ-ГАЛАХЕР. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

Method of forming a spatially-distributed masking system of a high-speed object

Номер патента: RU2739903C1. Автор: Алексей Ростиславович Мурлага,Григорий Васильевич Ершов,Вадим Михайлович Пахомов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2020-12-29.

Rotor of a high speed electric machine

Номер патента: RU2746266C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Руслан Динарович Каримов,Оксана Алексеевна Юшкова,Ильнар Ильдарович Ямалов,Рустем Равилевич Ахмеров,Аяз Азатович Бакиров,Ильмир Альбертович Аюпов,Елизавета Дмитриевна Пестерева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЭТК». Дата публикации: 2021-04-12.

High-performance communication link and method of operation

Номер патента: WO2023244853A1. Автор: Praveen Raju Kariyanahalli,Andrey TERENTYEV,Praveen Vannarath,Shiva SUNDARRAJAN. Владелец: Aviatrix Systems, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for selectable high performance or low power processor system

Номер патента: US11755096B2. Автор: Venkata Rao Gunturu,Partha Sarathy Murali,Subba Reddy Kallam,Suryanarayana Varma Nallaparaju,Kriyangbhai Vinodbhai Shah,Mani Kumar KOTHAMASU. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Soft-switching, high performance single-phase ac-dc converter

Номер патента: US20200395839A1. Автор: Rajapandian Ayyanar. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2020-12-17.

Hybrid high-speed and high-performance switch system

Номер патента: AU2022223110A1. Автор: Thomas Wayne Beglin,Farooq Ul Amin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Hybrid high-speed and high-performance switch system

Номер патента: CA3207554A1. Автор: Thomas Wayne Beglin,Farooq Ul Amin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Hybrid high-speed and high-performance switch system

Номер патента: AU2022223110B2. Автор: Thomas Wayne Beglin,Farooq Ul Amin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Hybrid high-speed and high-performance switch system

Номер патента: EP4295487A1. Автор: Thomas Wayne Beglin,Farooq Ul Amin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Hybrid high-speed and high-performance switch system

Номер патента: WO2022177660A1. Автор: Thomas Wayne Beglin,Farooq Ul Amin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-08-25.

Systems, methods, and devices to prevent overheating from high performance device configurations in wireless networks

Номер патента: US09860773B2. Автор: Christian Pacha,Youn Hyoung Heo,Georg Walter,Christian Drewes,Kenan Kocagoez,Ralph Hasholzner,Sabine ROESSEL. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin composition and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09596753B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin compositions and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09332637B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Nonvolatile semicondutor memory with metallic silicide film electrically connected to a control gate electrode layer

Номер патента: US7705394B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Quality control of high performance superconductor tapes

Номер патента: EP3507840A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Goran Majkic. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-07-10.

Quality Control of High Performance Superconductor Tapes

Номер патента: US20240172567A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Goran Majkic. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-05-23.

High performance connection scheduler

Номер патента: EP4351101A1. Автор: Abhishek Agarwal,Weihuang Wang,Srinivas Vaduvatha,Jiazhen Zheng,Weiwei JIANG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20030232136A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2003-12-18.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20040213920A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-10-28.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: EP1371752A3. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-01-14.

High-performance static programmable logic array

Номер патента: US20070194808A1. Автор: Dong-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Hybrid asynchronous gray counter with non-gray zone detector for high performance phase-locked loops

Номер патента: US20210208621A1. Автор: YU Chen,Shaobo Liu,Meei-Ling Chiang,Dabin Zhang,Dennis M. Fischette, Jr.,Samed Maltabas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

System and method for using infiniband routing algorithms for ethernet fabrics in a high performance computing environment

Номер патента: US20210226851A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Ajoy Siddabathuni,David Brean. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

System and method for using infiniband routing algorithms for ethernet fabrics in a high performance computing environment

Номер патента: US20240179069A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Ajoy Siddabathuni,David Brean. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for using infiniband routing algorithms for ethernet fabrics in a high performance computing environment

Номер патента: US11916745B2. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Ajoy Siddabathuni,David Brean. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Device and method for switching a frequency range of a high frequency amplifier

Номер патента: US20230103586A1. Автор: Sebastian Stempfl. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-04-06.

Reduction of voltage stress across a gate oxide and across a junction within a high voltage transistor of an erasable memory device

Номер патента: US6275424B1. Автор: Binh Quang Le,Pauling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US20180212524A1. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-26.

Computerized apparatus with a high speed data bus

Номер патента: US20170187546A1. Автор: Alon Regev,Zvi Regev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985453B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985452B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US09960692B2. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and apparatus for initiating a high-power connection via a low-power interface

Номер патента: US09906600B2. Автор: Yong Liu,Sriram Hariharan,Christiaan A. Hartman,Su Khiong Yong,Chiu Ngok E. Wong,Daniel R. Borges. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Computerized apparatus with a high speed data bus

Номер патента: US09871672B2. Автор: Alon Regev,Zvi Regev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Bootstrapped switch with a highly linearized resistance

Номер патента: US09621149B2. Автор: Benedict C. K. Choy,James T. Walker,Ming-Yuan Yeh. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Computerized apparatus with a high speed data bus

Номер патента: US09544164B2. Автор: Alon Regev,Zvi Regev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Gas turbine generator with a pre-combustion power turbine

Номер патента: US09431875B2. Автор: Gregory Thomas,Rory Colm Keogh. Владелец: SCALED POWER CORP. Дата публикации: 2016-08-30.

High performance induction plasma torch with a water-cooled ceramic confinement tube

Номер патента: AU1640192A. Автор: Jerzy Jurewicz,Maher I Boulos. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 1992-11-17.

Technologies for ethernet gateway congestion management in high-performance computing architectures

Номер патента: US20190044864A1. Автор: Michael A. Parker,Robert Žak,Thomas Lovett,Gary Muntz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Bundling of wired and wireless interfaces in a redundant interface of a high-availability cluster

Номер патента: US20210160140A1. Автор: Unni DILIP,Ashok Babu VASTHOLIL. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

High-performance and low-latency implementation of a wavelet-based image compression scheme

Номер патента: WO2024049632A3. Автор: Juraj Obert,Kevin Hawkins,Aravind Srinivasa RAGHAVAN,Rex Perkins,Mark Dale HAACK,Janardhan HARYADI RAMESH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-11.

System and method for supporting scalable representation of switch port status in a high performance computing environment

Номер патента: EP3408983A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Dag Georg Moxnes,Line Holen. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-12-05.

Energy conserving (stand-by mode) power saving design for battery chargers and power supplies with a control signal

Номер патента: US12019488B2. Автор: Harry Leonard Perper,James Randall Beckers. Владелец: Chemtron Research LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Testing a communication network with a shared test port

Номер патента: US20040142687A1. Автор: Gregory Wolfe,Douglas Richards,Kevin Hansen. Владелец: Sprint Communications Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

High performance compute IP encryption using unique set of application attributes

Номер патента: AU2020319088A1. Автор: Michael Geist,Michael Beeler,Kasra TOYSERKANI,Chris MAMARIL. Владелец: Apothym Technologies Group LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

High performance network adapter (hpna)

Номер патента: EP2198570A1. Автор: Kaiyuan Huang,Michael F. Kemp,Kenneth E. Neudorf. Владелец: Liquid Computing Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Device for operating a high-pressure discharge lamp

Номер патента: EP1417869A1. Автор: D.H.J. Intern. Octrooibureau B.V. VAN CASTEREN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Improvements for inter-layer communications in wireless networks including a high latency connection

Номер патента: WO2019231830A1. Автор: Channasandra Ravishankar,Charles Barnett,Sandeep Ahluwalia. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

High-performance and flexible loudspeaker apparatus usable in various scenes

Номер патента: US20230209248A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Minoru Tsuruta,Yoshihito Yamada,Takao KAKIZAKAI. Владелец: Canon Electronics Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method for supporting configurable legacy P_Key table abstraction using a bitmap based hardware implementation in a high performance computing environment

Номер патента: US11770349B2. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Line Holen,Prabhunandan NARASIMHAMURTHY. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for operating a high-intensity discharge lamp, lamp driver and projection system

Номер патента: WO2007031900A1. Автор: Carsten Deppe. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2007-03-22.

Tower, particularly for a high-voltage overhead electric transmission line, equipped with switchgear unit and related protection, command and control system

Номер патента: US12051889B2. Автор: Roberto SPEZIE,Evaristo Di Bartolomeo,Dario Polinelli. Владелец: Terna SpA. Дата публикации: 2024-07-30.

Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel

Номер патента: US20010055818A1. Автор: BRUCE Scott,Alejandro Schrott,James Misewich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

System, method, and apparatus providing isolation for a high-speed communication interface with optimized signal integrity

Номер патента: US20210194721A1. Автор: Wai Mun Lee,Peter J. Bartels,Yoke Peir Lim,Kah Khoon Khoo. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Energy conserving (stand-by mode) power saving design for battery chargers and power supplies with a control signal

Номер патента: US20240302880A1. Автор: Harry Leonard Perper,James Randall Beckers. Владелец: Chemtron Research LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Switched-capacitor type modular direct-current power supply with a high step-down ratio

Номер патента: US20240339927A1. Автор: LIN ZHU,Xiangning HE,Wuhua Li,Jing SHENG,Chengmin LI,Chushan LI,Shengdao REN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

High performance linear LED driving circuit

Номер патента: US09967929B1. Автор: Chung-hsin Huang,Chun-Chieh Kuo,Cheng-Po HSIAO,Shih-Ping Tu,Bo-En Yan. Владелец: Anwell Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Valuation of and marketplace for inter-network links between a high-altitude network and terrestrial network

Номер патента: US09848335B1. Автор: Eric Teller,Richard Wayne DeVaul,Joshua WEAVER,Clifford L. BIFFLE,Anton Valdemar Staaf. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Flow-control within a high-performance, scalable and drop-free data center switch fabric

Номер патента: US09485191B2. Автор: Pradeep Sindhu. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

High-performance, scalable and drop-free data center switch fabric

Номер патента: US09479457B2. Автор: Pradeep Sindhu. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

System and method for supporting scalable bit map based p_key table in a high performance computing environment

Номер патента: WO2017132392A1. Автор: Arvind Srinivasan,Bjørn Dag Johnsen,Line Holen,Prabhunandan NARASIMHAMURTHY. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2017-08-03.

High performance cache eviction

Номер патента: EP4322506A1. Автор: Abhishek Agarwal,Weihuang Wang,Srinivas Vaduvatha,Jiazhen Zheng,Weiwei JIANG,Prashant R. Chandra,Hugh McEvoy Walsh,Ajay VENKATESAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-14.

System and method of reserving a specific queue pair number for proprietary management traffic in a high-performance computing environment

Номер патента: US20170214601A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Line Holen,Harald Høeg. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

System and method for supporting scalable bit map based p_key table in a high performance computing environment

Номер патента: US20170214636A1. Автор: Arvind Srinivasan,Bjørn Dag Johnsen,Line Holen. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

System and method for allowing multiple global identifier (GID) subnet prefix values concurrently for incoming packet processing in a high performance computing environment

Номер патента: US11824749B2. Автор: Arvind Srinivasan,Bjørn Dag Johnsen,Brian Manula. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

System and method for supporting rdma bandwidth restrictions in a private fabric in a high performance computing environment

Номер патента: EP4062604A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Ajoy Siddabathuni,Avneesh Pant,Amarnath Jolad. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

System and method for supporting rdma bandwidth restrictions in a private fabric in a high performance computing environment

Номер патента: WO2021101599A1. Автор: Bjørn Dag Johnsen,Ajoy Siddabathuni,Avneesh Pant,Amarnath Jolad. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-27.

High Performance Cache Eviction

Номер патента: US20240045800A1. Автор: Abhishek Agarwal,Weihuang Wang,Srinivas Vaduvatha,Jiazhen Zheng,Weiwei JIANG,Prashant R. Chandra,Hugh McEvoy Walsh,Ajay VENKATESAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

A high performance architecture for converged network and security systems and appliances

Номер патента: EP4221084A1. Автор: Mark Birman,Rajan Sharma,Laxminarasimha Rao Kesiraju. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

High performance cache eviction

Номер патента: US12019542B2. Автор: Abhishek Agarwal,Weihuang Wang,Srinivas Vaduvatha,Jiazhen Zheng,Weiwei JIANG,Prashant R. Chandra,Hugh McEvoy Walsh,Ajay VENKATESAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Improvements for inter-layer communications in wireless networks including a high latency connection

Номер патента: EP3804169A1. Автор: Channasandra Ravishankar,Charles Barnett,Sandeep Ahluwalia. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

High performance outdoor edge server

Номер патента: EP3618596A1. Автор: Chao-Jung Chen,Yu-Nien Huang,Ching-Yu Chen,Kuo-Wei Lee. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2020-03-04.

High performance compute ip encryption using unique set of application attributes

Номер патента: EP4004716A1. Автор: Michael Geist,Michael Beeler,Kasra TOYSERKANI,Chris MAMARIL. Владелец: Envistacom LLC. Дата публикации: 2022-06-01.

High performance compute ip encryption using unique set of application attributes

Номер патента: CA3148111A1. Автор: Michael Geist,Michael Beeler,Kasra TOYSERKANI,Chris MAMARIL. Владелец: Envistacom LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

System and method for supporting shared multicast local identifiers (mild) ranges in a high performance computing environment

Номер патента: US20200228636A1. Автор: Arvind Srinivasan,Bartosz Bogdanski,Bjørn Dag Johnsen. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

High-performance analog switch

Номер патента: WO2010062704A1. Автор: Hong Sun Kim,Babak Soltanian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-03.

System and method for a multicast send duplication instead of replication in a high performance computing environment

Номер патента: US20190319874A1. Автор: Predrag Hodoba,Bjørn Dag Johnsen,Stephen Mckinty. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

High performance electric generators boosted by nuclear electron avalanche (NEA)

Номер патента: US11646679B2. Автор: Sang H. Choi,Adam J. Duzik,Dennis M. Bushnell. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2023-05-09.

Using a low-latency network to allocate return-link bandwidth on a high-latency network

Номер патента: US11968030B2. Автор: James E. Petranovich,Matthew J. MacFreier. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Systems and methods for improving frequency response of a high-speed data acquisition device

Номер патента: US11758308B2. Автор: Erin C. Mcphalen. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Flow-control within a high-performance, scalable and drop-free data center switch fabric

Номер патента: EP2928132A3. Автор: Pradeep Sindhu. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Reference signaling for a high-mobility wireless communication device

Номер патента: WO2011057257A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Wanshi Chen,Xiaoxia Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-12.

High-temperature superconducting ribbon conductor composite provided with a cooling layer

Номер патента: US20110045988A1. Автор: Michael Schwarz,Christian Schacherer. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2011-02-24.

Architectures and methods for computation in memory (cim) with backside memory using high performance (hp) thin film transistor (tft) material

Номер патента: US20240324167A1. Автор: Weimin Han,Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High Performance Electric Generators Boosted by Nuclear Electron Avalanche (NEA)

Номер патента: US20190288614A1. Автор: Sang H. Choi,Adam J. Duzik,Dennis M. Bushnell. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2019-09-19.

High performance electric generators boosted by nuclear electron avalanche (nea)

Номер патента: US20230318492A1. Автор: Sang H. Choi,Adam J. Duzik,Dennis M. Bushnell. Владелец: National Insititute Of Aerospace. Дата публикации: 2023-10-05.

High Performance Electric Generators Boosted by Nuclear Electron Avalanche (NEA)

Номер патента: US20210242810A1. Автор: Sang H. Choi,Adam J. Duzik,Dennis M. Bushnell. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2021-08-05.

Techniques for multiplexing sidelink feedback on a high priority physical uplink shared channel

Номер патента: US12120729B2. Автор: Tien Viet NGUYEN,Seyedkianoush HOSSEINI,Gabi SARKIS. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Architectures and methods for computation in memory (cim) with backside memory using high performance (hp) thin film transistor (tft) material

Номер патента: WO2024205629A1. Автор: Weimin Han,Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

High performance electric generators boosted by nuclear electron avalanche (NEA)

Номер патента: US11979100B2. Автор: Sang H. Choi,Adam J. Duzik,Dennis M. Bushnell. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2024-05-07.

Valuation of and marketplace for inter-network links between a high-altitude network and terrestrial network

Номер патента: US10045223B2. Автор: Eric Teller,Richard Wayne DeVaul,Joshua WEAVER,Clifford L. BIFFLE,Anton Valdemar Staaf. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-08-07.

Method and apparatus for managing application state in a network interface controller in a high performance computing system

Номер патента: US09973417B2. Автор: Michael Redeker,Jan Norden,Jaroslaw Topp,Keith D. Underwood,Steffen Kosinski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Particle accelerator with a heat pipe supporting components of a high voltage power supply

Номер патента: US09603233B2. Автор: Luke Perkins. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

High-resolution single-viewpoint panoramic camera and method of obtaining high-resolution panoramic images with a single viewpoint

Номер патента: US09503638B1. Автор: Sheng Liu,Hieu Nguyen,Joseph Yadegar. Владелец: UtopiaCompression Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for managing application state in a network interface controller in a high performance computing system

Номер патента: US09436651B2. Автор: Michael Redeker,Jaroslaw Topp,Keith D. Underwood,Steffen Kosinski,Jan Uerpmann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

High performance voice coil motor

Номер патента: US20080164771A1. Автор: David Huang. Владелец: TRICORE Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

High performance architecture for converged security systems and appliances

Номер патента: US20230247054A1. Автор: Mark Birman,Rajan Sharma,Laxminarasimha Rao Kesiraju. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Concurrent transaction processing in a high performance distributed system of record

Номер патента: EP3732865A1. Автор: David C. Carver,Leen Khalid A. Al Shenibr,Vladmir SHTOKMAN. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Concurrent transaction processing in a high performance distributed system of record

Номер патента: WO2019133577A1. Автор: David C. Carver,Leen Khalid A. Al Shenibr,Vladmir SHTOKMAN. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

High performance, flexible, and compact low-density parity-check (LDPC) code

Номер патента: US11831332B2. Автор: Thomas Joseph Richardson,Shrinivas KUDEKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Managing power in a high performance cpmputing system for resiliency and cooling

Номер патента: EP3295275A2. Автор: Andrew Warner,Eng Lim Goh,Patrick DONLIN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-21.

Multiplexing a high priority acknowledgment/ negative acknowledgment and high priority scheduling request with a low priority communication

Номер патента: WO2023154140A1. Автор: WEI YANG,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Yi Huang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-17.

Direct wireless control of lighting systems for use in a high-moisture environment

Номер патента: CA3086364A1. Автор: David John Sanson. Владелец: Pal Lighting LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Direct wireless control of lighting systems for use in a high-moisture environment

Номер патента: AU2021229200A1. Автор: David John Sanson. Владелец: Pal Lighting LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Direct wireless control of lighting systems for use in a high-moisture environment

Номер патента: CA3086364C. Автор: David John Sanson. Владелец: Pal Lighting LLC. Дата публикации: 2021-03-23.

Direct wireless control of lighting systems for use in a high-moisture environment

Номер патента: AU2020205322A1. Автор: David John Sanson. Владелец: Pal Lighting LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for compiling from a high-level scripting language to a blockchain native scripting language

Номер патента: US20240211222A1. Автор: Stephane SAVANAH,Craig Steven WRIGHT. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for operating a high-resolution projection headlight, and projection headlight for a motor vehicle

Номер патента: US12043165B2. Автор: Philipp Roeckl. Владелец: PSA Automobiles SA. Дата публикации: 2024-07-23.

Ignition circuit for a high pressure gas discharge lamp

Номер патента: AU6741196A. Автор: Kai Arbinger,Roman Ploner. Владелец: Tridonic Bauelemente GmbH. Дата публикации: 1997-03-19.

Multi-pole high speed generator with a modular rectifier circuit

Номер патента: EP1386384A1. Автор: Ming Xu,Kieran Doherty,Gregor McDowall,Jim Lengel,Gerald Tornquist,Raymond W. Borden. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

System and Method of Powering an External Device with a Vehicular Battery System

Номер патента: US20220016982A1. Автор: Keith Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

High-performance current-limited pyrotechnic initiator drive circuits

Номер патента: US20190190510A1. Автор: Gregory Harris Smith,Kenneth A. Seidner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-06-20.

Wireless device, method, and computer readable media for a high efficiency signal-a field in a high efficiency wireless local- area network

Номер патента: EP3178207A1. Автор: Rongzhen Yang,Xiaogang Chen,Peng Meng,QingHu Li,Pokai HUANG. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Station placed on a high-altitude platform and telecommunications system comprising at least one such station

Номер патента: US20190238215A1. Автор: Jean-Didier Gayrard,Per-Yann LE ROUX. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2019-08-01.

Synchronization of rrc status of a multi-sim user equipment with a base station

Номер патента: EP4233489A1. Автор: Dawei Zhang,Haijing Hu,Longda Xing,Yuqin Chen,Fangli XU,Sethuraman Gurumoorthy,Zhibin Wu,Birgit Breining,Srirang A LOVLEKAR,Naveen Kumar R PALLE VENKATA,Adesh Kumar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Thin film transistor with a current-induced channel

Номер патента: WO2014102625A9. Автор: Baquer Mazhari,Ankita Gangwar. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2014-09-12.

Reference signaling for a high-mobility wireless communication device

Номер патента: EP2499749A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Wanshi Chen,Xiaoxia Zhang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Synchronization signal block groups associated with multiple waveforms for a wireless communication network supporting a high frequency range

Номер патента: US20240365260A1. Автор: Ali Ali,Ankit BHAMRI,Sher Ali CHEEMA. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Wireless device, method, and computer readable media restriction of upload traffic in a high-efficiency wireless local area network

Номер патента: US09826069B2. Автор: Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Device for treating a surface with a plasma

Номер патента: US09756712B2. Автор: Dirk Wandke,Leonhard Trutwig,Mirko Hahnl,Karl-Otto Storck. Владелец: CINOGY GMBH. Дата публикации: 2017-09-05.

System for relayed data transmission in a high-speed serial link

Номер патента: US09536495B2. Автор: Wei Xiong,Amir Amirkhany. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

LED retrofit lamp with shunt capacitors across rectifier diodes for use with a ballast

Номер патента: US09526133B2. Автор: HAIMIN TAO,William Peter Mechtildis Marie Jans. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2016-12-20.

PCIE lane aggregation over a high speed link

Номер патента: US09430437B1. Автор: SREENIVAS Krishnan,Nirmal Raj Saxena. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method for high-quality call recording in a high-availability environment

Номер патента: US09420091B2. Автор: Shmuel Shaffer,Thomas Moran,Oliver Daniels. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Balloon power sources with a buoyancy trade-off

Номер патента: US09329600B2. Автор: Eric Teller,Richard Wayne DeVaul,Joshua WEAVER,Clifford L. BIFFLE. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Architecture and organization of a high performance metropolitan area telecommunications packet network

Номер патента: CA1311037C. Автор: Gaylord Warner Richards,Jayant Gurudatta Hemmady,William Paul Lidinsky,Robert Kells Nichols,Gary Arthur Roediger,Scott Blair Steele,Ronald Clare Weddige,Bruce Ronald Zelle. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

High-performance and reliable thin film transistor (TFT) using plasma hydrogenation with a metal shield on the TFT channel

Номер патента: US5796150A. Автор: Mong-Song Liang,Shou-Gwo Wuu,Kan-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

High performance distributed system of record with secure interoperability to external systems

Номер патента: WO2020118007A1. Автор: Mark A. ROMAN,David C. Carver,Talmai OLIVEIRA,Samuel Erb. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Architecture of the control of a high performance packet switching distribution network

Номер патента: CA1321818C. Автор: Gary Arthur Roediger. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-08-31.

High performance distributed system of record with key management

Номер патента: WO2020106802A1. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

High performance distributed system of record with distributed random oracle

Номер патента: WO2019133621A3. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-08-08.

High performance distributed system of record with hosted origin services

Номер патента: US11829351B2. Автор: David C. Carver. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

High performance distributed system of record

Номер патента: WO2019133568A1. Автор: Andrew F. Champagne,Thomas Houman,David C. CRAVER,Vladmir SHTOKMAN,Patrick Alexander Deegan,Ramanath Mallikarjuna. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

High performance distributed system of record with key management

Номер патента: US20230102181A1. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

High performance distributed system of record with cryptographic service support

Номер патента: US20230239135A1. Автор: Andrew F. Champagne,Thomas Houman,David C. Carver,Ramanath Mallikarjuna. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

High performance compute infrastructure as a service

Номер патента: US20230308368A1. Автор: Andrew Richardson. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-09-28.

A web-based video-editing method and system using a high-performance multimedia software library

Номер патента: WO2000036774A9. Автор: Brian C Smith,Wei-Tsang Ooi. Владелец: Cornell Res Foundation Inc. Дата публикации: 2001-03-29.

High performance distributed system of record with key management

Номер патента: US11985223B2. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

High-performance vehicle-architecture-agnostic gateway

Номер патента: US20240042950A1. Автор: Xinlei Qiu,Francis Pang,Ziyang (Brian) XIONG. Владелец: Electroknox Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High performance distributed system of record with distributed random oracle

Номер патента: WO2019133621A2. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: AKAMAI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

High performance distributed system of record with key management

Номер патента: EP3884649A1. Автор: David C. Carver,Samuel Erb. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

High performance distributed system of record

Номер патента: US20210227040A1. Автор: Andrew F. Champagne,Thomas Houman,David C. Carver,Vladimir Shtokman,Patrick Alexander Deegan,Ramanath Mallikarjuna. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

High performance distributed system of record

Номер патента: EP3732864A1. Автор: Andrew F. Champagne,Thomas Houman,David C. Carver,Vladmir SHTOKMAN,Patrick Alexander Deegan,Ramanath Mallikarjuna. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

High performance distributed system of record with conference-based consensus

Номер патента: EP3888290A1. Автор: Thomas Houman,Leen K. Al Shenibr,David C. Carver,Samuel Erb,Vladimir Shtokman,Samuel Delaughter,Patrick A. DEEGAN. Владелец: Akamai Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

A web-based video-editing method and system using a high-performance multimedia software library

Номер патента: WO2000036774A1. Автор: Brian C. Smith,Wei-Tsang Ooi. Владелец: Cornell Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2000-06-22.

System and method for automatic deskew across a high speed, parallel interconnection

Номер патента: EP1028369A3. Автор: Hirotaka Tamura,Yoichi Koyanagi,Raghu Sastry,Richard L. Schober Jr.. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Beam specific pre-compensation for wireless devices in a high speed single frequency network

Номер патента: US20230268958A1. Автор: Tao Luo,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li,Danlu Zhang,Wooseok Nam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Fluid dynamic bearing motor for use with a range of rotational speed rated disc drive memory device products

Номер патента: SG168501A1. Автор: Chris M Woldemar,PohLye Lim,PowMing Yap,Chunhong D Jing,Weirhen S Hoon,Gregor Paco Flores,Anthony J Aiello. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-02-28.

Vehicle or environment-controlled unit having a multiphase alternator with a protected high-voltage bus

Номер патента: US09431820B2. Автор: Christopher P. Henze,Ashok Muralidhar,Matthew S. Nelson,Gregory R. Truckenbrod,Robert N. Neddermeyer, III. Владелец: Thermo King Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Micro-polarimeter for high performance liquid chromatography

Номер патента: US4498774A. Автор: Larry E. Steenhoek,Steven D. Woodruff,Edward E. Yeung,Jeng-Chung Kuo. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1985-02-12.

Code generation tool for cloud-native high-performance computing

Номер патента: US20230385039A1. Автор: Philipp Andre Witte. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Code generation tool for cloud-native high-performance computing

Номер патента: EP4295232A1. Автор: Philipp Andre Witte. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

High-performance optical absorber comprising functionalized, non-woven, cnt sheet and texturized polymer film or texturized polymer coating and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2022146563A1. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for quantitative determination of the content of 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl in the air of the working area by high performance liquid chromatography

Номер патента: RU2756549C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Татьяна Дмитриевна Карнажицкая,Мария Олеговна Старчикова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2021-10-01.

High-performance optical absorber comprising functionalized, non-woven, cnt sheet and texturized polymer film or texturized polymer coating and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4272021A1. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

High-performance computer platform based on processors with heterogeneous architecture

Номер патента: RU2635896C1. Автор: Марк Игоревич Чельдиев,Василий Николаевич Лобанов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт вычислительных комплексов им. М.А. Карцева" (АО "НИИВК им. М.А. Карцева"). Дата публикации: 2017-11-16.

Injection molding nozzle with replaceable gate insert

Номер патента: CA1261577A. Автор: Jobst U. Gellert,Robert R. Freier,James S. Sheffield. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 1989-09-26.

High-performance fingerprint image-processing method

Номер патента: US20100303310A1. Автор: Li-Kuo Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

High-performance tyre

Номер патента: US20240253395A1. Автор: Francesca Baione,Valeria Rosaria CIPOLLETTI,John Nazareno HOUSE,Ivan Mangili. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2024-08-01.

System having an extended life high performance sensor

Номер патента: EP3816577A1. Автор: Alan Bruce Touchberry,Dean Eivind Johnson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: WO2004071179A3. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Elizabeth Janet Glass. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: WO2004071179A2. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Roslin Institute (Edinburgh). Дата публикации: 2004-08-26.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: CA2514678A1. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: EP1592969A2. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Roslin Institute Edinburgh. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: US20060257846A1. Автор: Stephen Bishop,Elizabeth Glass. Владелец: Roslin Institute Edinburgh. Дата публикации: 2006-11-16.

High performance plastic magnetic materials and preparation method thereof

Номер патента: US11707923B2. Автор: Xiaoming Wang,Zhiqiang Chen,Guoming Wu,Ronggen Ye. Владелец: Guangzhou Newlife New Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

High performance plastic magnetic materials and preparation method thereof

Номер патента: US11192347B2. Автор: Xiaoming Wang,Zhiqiang Chen,Guoming Wu,Ronggen Ye. Владелец: Guangzhou Newlife New Material Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

High performance plastic magnetic materials and preparation method thereof

Номер патента: US20190054722A1. Автор: Xiaoming Wang,Zhiqiang Chen,Guoming Wu,Ronggen Ye. Владелец: Guangzhou Newlife Magnet Electricity Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

High performance plastic magnetic materials and preparation method thereof

Номер патента: US20220048281A1. Автор: Xiaoming Wang,Zhiqiang Chen,Guoming Wu,Ronggen Ye. Владелец: Guangzhou Newlife New Material Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Centralized parallel burst engine for high performance computing

Номер патента: US09558192B2. Автор: Bret S Weber. Владелец: Datadirect Networks Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

High performance hair dryer

Номер патента: US20150237984A1. Автор: Edgar Antônio Figueiredo Souza. Владелец: ENGEREUS DO BRASIL ENGENHARIA E IND ELETRO ELETRONICA IMPORTACAO E EXPORTACAO Ltda. Дата публикации: 2015-08-27.

High performance hair dryer

Номер патента: US10034528B2. Автор: Edgar Antônio Figueiredo Souza. Владелец: Engereus Do Brasil Engenharia Industria E Comercio De Electronicos Ltda. Дата публикации: 2018-07-31.

High performance peripheral interface

Номер патента: WO1994009426A1. Автор: Anthony Kozaczuk,Kenneth C. Curt,Edward J. Chejlava, Jr.. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 1994-04-28.

High-performance tyre for a motor vehicle

Номер патента: US09873290B2. Автор: Giuseppe Matrascia,Vito Bello,Mauirizio Boiocchi. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2018-01-23.

Modular high performance bioswale and water treatment system and method

Номер патента: US09487421B2. Автор: Jeff Howard Coffman,Guy Stivers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

High performance refrigerator having sacrificial evaporator

Номер патента: US09310121B2. Автор: Jose R. Bonet. Владелец: Thermo Fisher Scientific Asheville LLC. Дата публикации: 2016-04-12.

High performance luminaire with a lamp and a reflector

Номер патента: US20090268456A1. Автор: Andree Mehrtens,Harry Wagener,Steffen Körner,Dirk Tedeschi. Владелец: Auer Lighting Gmbh. Дата публикации: 2009-10-29.

High performance aeronautic container

Номер патента: EP4392344A1. Автор: Marco MARTIN,Eduard Seligman. Владелец: Swiss Airtainer Sa. Дата публикации: 2024-07-03.

High-performance internal-combustion engine with direct fuel injection

Номер патента: WO2008044130A1. Автор: Mauro Rioli,Nicola Pini. Владелец: FERRARI S.P.A.. Дата публикации: 2008-04-17.

Method to control a high performance road vehicle equipped with a rear spoiler having at least one adjustable aerodynamic profile

Номер патента: US09849922B2. Автор: Marco De Luca. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2017-12-26.

High-temperature high-performance hp electrolyser that operates in allothermal mode

Номер патента: RU2455396C2. Автор: Патрик ОЖОЛЕ. Владелец: Коммиссариат А Л' Энержи Атомик. Дата публикации: 2012-07-10.

High performance pci with backward compatibility

Номер патента: CA2273719C. Автор: Richard A. Kelley,Steven Mark Thurber,Bruce L. Beukema,Danny M. Neal,Ronald E. Fuhs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

A high-performance concrete permanent template square steel tube composite beam and its manufacturing method

Номер патента: LU506030B1. Автор: Xiaodong Wang. Владелец: Univ Harbin Science & Tech. Дата публикации: 2024-07-05.

Proportional resizing of a logical partition based on a degree of performance difference between threads for high-performance computing on non-dedicated clusters

Номер патента: US09600344B2. Автор: Pradipta De,Ravi Kothari,Vijay Mann,Rajiv Sachdev. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Assessment of a high performance computing application in relation to network latency due to the chosen interconnects

Номер патента: US09465712B2. Автор: Daniel Thomas,John Baron. Владелец: Silicon Graphics International Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Almost-symmetric multiprocessor that supports high-performance and energy-efficient execution

Номер патента: WO2005062180A1. Автор: William C. Athas,Michael F. Culbert,Lynn R. Youngs,Robert L. Mansfield. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 2005-07-07.

Coding for quad-level memory cells having a replacement gate configuration

Номер патента: US20240045611A1. Автор: Curtis Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for detecting cmpf content in plasma by high performance liquid chromatography tandem mass spectrometry

Номер патента: NL2033320B1. Автор: Wang Wei,Wang Jiao,LI Yongsheng,Ji Xiaohui,Wang Shuaiqi,Lei Haike,Zhao Huakan,He Yongpeng. Владелец: Chongqing Univ Cancer Hospital. Дата публикации: 2024-01-18.

High performance machine vision system

Номер патента: WO2024159126A1. Автор: Michael Corbett,Andreas Savvides,Caitlin WURZ,Deepak SURANA,Gyula Mate MOLNAR,Divya THANIGAI ARASU,Nicolas TUTUIANU. Владелец: Cognex Corporation. Дата публикации: 2024-08-02.

Kernel functions for inter-processor communications in high performance multi-processor systems

Номер патента: WO2008054941A3. Автор: Kaiyuan Huang,Ernst Munter,Venkatesh Bathala,Damodharan Narayanan,Michael F Kemp. Владелец: Michael F Kemp. Дата публикации: 2008-06-26.

Kernel functions for inter-processor communications in high performance multi-processor systems

Номер патента: WO2008054941A2. Автор: Kaiyuan Huang,Michael F. Kemp,Ernst Munter,Venkatesh Bathala,Damodharan Narayanan. Владелец: Liquid Computing Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

High performance machine vision system

Номер патента: WO2024159126A8. Автор: Michael Corbett,Andreas Savvides,Caitlin WURZ,Deepak SURANA,Gyula Mate MOLNAR,Divya THANIGAI ARASU,Nicolas TUTUIANU. Владелец: Cognex Corporation. Дата публикации: 2024-09-12.

High-performance optical absorber comprising functionalized, non-woven, cnt sheet and texturized polymer film or texturized polymer coating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240045119A1. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of Manufacturing a High-Performance Optical Absorber Using Capillary Force Lamination

Номер патента: US20230244007A1. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

High-performance optical absorber comprising functionalized, non-woven, CNT sheet and texturized polymer film or texturized polymer coating and manufacturing method thereof

Номер патента: US11988853B2. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing a high-performance optical absorber using capillary force lamination

Номер патента: US11835740B2. Автор: Edward M. Silverman,John A Starkovich. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

High-performance pps fiber structure and production method and use thereof (as amended)

Номер патента: US20180251920A1. Автор: Jie Xu,Lili Yang,Yanfang Shi. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-09-06.

METHOD OF HEAT TREATMENT OF COLD-ROLLED STEEL TAPE OF 0,30-1,5 mm FROM STRUCTURE STEEL WITH A TENSILE STRENGTH OF 800-1,200 MPa

Номер патента: RU2679786C1. Автор: Сергей Александрович Ненашев,Алексей Юрьевич Кузьмин,Дмитрий Викторович Нефедов. Владелец: Дмитрий Викторович Нефедов. Дата публикации: 2019-02-12.

Control means for a high-temperature and high pressure device

Номер патента: RU2652534C1. Автор: Синья МОРИОКА,Таканобу ХОСИКАВА. Владелец: Мицубиси Хеви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2018-04-26.

Use of high-performance ultra-thin double-sided adhesive tape in wireless charging

Номер патента: US20220127502A1. Автор: Shaoyu FAN. Владелец: Jiangsu Enoel New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

A high-performance computing system

Номер патента: US20230325315A1. Автор: Romain DOLBEAU. Владелец: Sipearl. Дата публикации: 2023-10-12.

Automatic reconfiguration of high performance computing job schedulers based on user behavior, user feedback, and job performance monitoring

Номер патента: US20180260244A1. Автор: Khalid Ahmed,Renato Luiz De Freitas Cunha,Marco A.S. Netto,Eduardo R. Rodrigues. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

High-performance ultra-thin double-sided adhesive tape

Номер патента: US20220127501A1. Автор: Shaoyu FAN. Владелец: Jiangsu Enoel New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

A high-performance computing system

Номер патента: EP4204971A1. Автор: Romain DOLBEAU. Владелец: Sipearl. Дата публикации: 2023-07-05.

A high-performance computing system.

Номер патента: GB2612514A. Автор: DOLBEAU Romain. Владелец: Sipearl. Дата публикации: 2023-05-03.

A high-performance computing system.

Номер патента: WO2022023500A1. Автор: Romain DOLBEAU. Владелец: Sipearl. Дата публикации: 2022-02-03.

High quality and high performance three-dimensional graphics architecture for portable handheld devices

Номер патента: EP1671273A2. Автор: Bruce Holmer. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

High quality and high performance three-dimensional graphics architecture for portable handheld devices

Номер патента: WO2005029406A3. Автор: Bruce Holmer. Владелец: Bruce Holmer. Дата публикации: 2009-02-19.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

High-performance polyoxometalate catalyst and method of preparing the same

Номер патента: US09919295B2. Автор: Byung Yul Choi,Duk Ki Kim,Hyo Sang YOU,Hyun Jong Shin,Young Hyun Choe,Hyun Sub Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High performance polyoxometal catalyst and method for producing the same

Номер патента: US09433931B2. Автор: Byung Yul Choi,Duk Ki Kim,Young Hyun Choi,Hyun Jong Shin,Hyun Sub Lim,Ju Yeon Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Process oil based on distilled aromatic extracts with high performance characteristics

Номер патента: RU2733842C2. Автор: Джон Кристофер ПАТРИК,Крейг Алан БАСБИ,Эдвард Уиллиам КАССЕРЛИ,Ховард Дон ДЭВИС. Владелец: Эргон, Инк.. Дата публикации: 2020-10-07.

Method of preventing a person falling when ascent and descent on a high-rise object (versions)

Номер патента: RU2711385C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Владимир Евгеньевич Юданов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мзва" (Ооо "Мзва"). Дата публикации: 2020-01-16.

Short-process high-performance forming method of high-strength aluminum alloy, and use thereof

Номер патента: US11913104B2. Автор: Lin Hua,Zhili Hu,Pengfei WEI. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2024-02-27.

Advanced methods for automated high-performance identification of carbohydrates and carbohydrate mixture composition patterns and systems therefore as well as methods for calibration of multi wavelength fluorescence detection systems therefore, based on new fluorescent dyes

Номер патента: EP3914912A1. Автор: Stefan Hell,Udo Reichl,Erdmann Rapp,Vladimir Belov,Kirill Kolmakov,Matthias Bischoff,Laura Thomas,Dirk MEINEKE,Gyuzel Mitronova,Elizaveta SAVICHEVA,René HENNIG. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2021-12-01.

Advanced methods for automated high-performance identification of carbohydrates and carbohydrate mixture composition patterns and systems therefore as well as methods for calibration of multi wavelength fluorescence detection systems therefore, based on new fluorescent dyes

Номер патента: WO2020151799A1. Автор: Stefan Hell,Udo Reichl,Erdmann Rapp,Vladimir Belov,Kirill Kolmakov,Matthias Bischoff,Laura Thomas,Dirk MEINEKE,Gyuzel Mitronova,Elizaveta SAVICHEVA,René HENNIG. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2020-07-30.

Short-process high-performance forming method of high-strength aluminum alloy, and use thereof

Номер патента: US20230416895A1. Автор: Lin Hua,Zhili Hu,Pengfei WEI. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2023-12-28.

Ultra-fine high-performance microcrystalline cellulose product and preparation method therefor

Номер патента: AU2021256240A1. Автор: Limin YIN. Владелец: Mudanjiang Linrun Pharma Excipients LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

A High Performance Sparse Matrix Algorithm Analysis System for CFD Numerical Simulation Of Aviation

Номер патента: LU500496B1. Автор: Fang Yan,Litao Zhang,Wenjie Wang,Yingchao Zhao,Yongwei Zhou,Erbao Feng,shuai Huo,Jinghuai Liu,Haochen Zhao. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2022-02-02.

A high performance isocyanate free polyurethane resin coating

Номер патента: AU2022204302B2. Автор: Stephen Bailey,Fu Rong JIANG. Владелец: A & I Coatings Group Pty Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High-performance optical surface

Номер патента: WO2021194549A1. Автор: John P. Schaefer,Paul J. Gasloli. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-09-30.

Preparation method of high-performance resin asphalt material in cold areas

Номер патента: NL2034184A. Автор: Zhang Yong,Wang Xing,Yuan Ming,Zhang Long,Yi Junyan,CHEN Yuheng,LIU Jiwei,Cai Hancheng,XIONG Yali,Zhu Liming,Liu Heye,Abdukadir Abduhaibir. Владелец: China Railway Northwest Science Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-28.

Device for acquiring deep information by using high-performance transient electromagnetic sensor

Номер патента: AU2021100787A4. Автор: Guoqiang Xue,Nannan Zhou,Weiying Chen. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2021-05-13.

High-performance shear friction damper

Номер патента: US20140326557A1. Автор: Jae Hyouk Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2014-11-06.

Imaging stabilization apparatus and method for high-performance optical systems

Номер патента: US20040074895A1. Автор: Steve Shannon,Evan Mapoles,David Gaines,Michael Newcomb. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Imaging stabilization apparatus and method for high-performance optical systems

Номер патента: US6989515B2. Автор: Steve Shannon,Evan R. Mapoles,Michael A. Newcomb,David P. Gaines. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2006-01-24.

Method and apparatus for managing nodal power in a high performance computer system

Номер патента: US09933826B2. Автор: Andrew Warner,Patrick DONLIN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Process for obtaining a high performance integral nixtamal product

Номер патента: US09801402B2. Автор: Roberto Leopoldo CASTRO GENERA,Alicia Olga Lobo IRUEGAS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing high performance butterfly valve liner

Номер патента: US09403321B2. Автор: Sang Seon Lee. Владелец: FLUONICS CORP. Дата публикации: 2016-08-02.

Substrate for a method for selectively synthesizing a high-quality kerosene fraction from synthesis gas, catalyst for this method and method of their manufacturing

Номер патента: RU2654205C1. Автор: Ли Сюй,Юлян ШИ,Ваньвань ВАН. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-17.

High-performance data lake system and data storage method

Номер патента: NL2033534A. Автор: Chen Wei,Zhang Tao,WANG Peng,Liu Hao,LIU Yinlong,Yu Chenxi,Chen Zhiling,Wang Qiuye,Liu Zhefeng,Tu Yonggang. Владелец: Advanced Inst Of Big Data Beijing. Дата публикации: 2023-06-12.

High-performance data lake system and data storage method

Номер патента: NL2033534B1. Автор: Chen Wei,Zhang Tao,WANG Peng,Liu Hao,LIU Yinlong,Yu Chenxi,Chen Zhiling,Wang Qiuye,Liu Zhefeng,Tu Yonggang. Владелец: Advanced Inst Of Big Data Beijing. Дата публикации: 2024-01-08.

High performance data analytics system for automated investment management

Номер патента: US20240193692A1. Автор: Arun Iyengar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Bisphenols and high-performance resins from terpenes

Номер патента: US10000433B1. Автор: Benjamin G. Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for carrying out a computing job on a high performance computing (hpc) machine and hpc machine for carrying out such a method

Номер патента: US20240272950A1. Автор: Holger GANTIKOW,Nijat ALIYEV. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Mitigating busy time in a high performance cache

Номер патента: US20150378916A1. Автор: Arthur J. O'Neill,Robert J. Sonnelitter, III,Deanna P. Berger,Michael F. Fee,Christine C. Jones,Diana L. Orf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

A method for carrying out a computing job on a high performance computing, hpc, machine and hpc machine for carrying out such a method

Номер патента: EP4418155A1. Автор: Holger GANTIKOW,Nijat ALIYEV. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2024-08-21.

Mitigating busy time in a high performance cache

Номер патента: US09792213B2. Автор: Arthur J. O'Neill,Robert J. Sonnelitter, III,Deanna P. Berger,Michael F. Fee,Christine C. Jones,Diana L. Orf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Foaming generator with a mesh cutter

Номер патента: RU2642647C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for controlling the transport system when performing a flight to a high-energy orbit

Номер патента: RU2759372C1. Автор: Рафаил Фарвазович Муртазин,Никита Алексеевич Чудинов. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2021-11-12.

Nozzle with an injection hole in the form of a slot and a method for silicification of a steel strip with a high silicon content by means of a nozzle

Номер патента: RU2766911C1. Автор: Синдзи КОСЭКИ,Такаси ДОЙ,Тэрухико ТОБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-03-16.

High performance thin film magnetic write element having high Bsat poles and method for making same

Номер патента: US6381095B1. Автор: Kyusik Sin,Ronald Barr. Владелец: Read Rite Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Low power environment for high performance processor without low power mode

Номер патента: US20240094287A1. Автор: Edmundo De la Puente,Mei-Mei Su,Linden Hsu,Marilyn Kushnick. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High performance liquid chromatography method for detecting long-chain fatty aldehyde in vegetable oil by fluorescence probe pre-column derivatization

Номер патента: NL2031352B1. Автор: Xu Jian,Liu Sheng,FAN XIAO,Wang Litao,LV Mei,Zhang Minna,Ding Ruifang. Владелец: Univ Jining Medical. Дата публикации: 2023-10-03.

High-performance tyre

Номер патента: US20240198730A1. Автор: Roberto Bolzoni,Diego Ettore Speziari. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2024-06-20.

Tools and methods for use with a high power laser transmission system

Номер патента: WO2012116189A3. Автор: Mark S. Land,Mark S. Zediker,Charles C. Rinzler,Joel F. Moxley,Paul D. Deutch,Ronald A. De Witt,Brian O. Faircloth,William C. Gray. Владелец: FORO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

Bearing unit having a high-performance retention device

Номер патента: US20240077110A1. Автор: Piero Santangelo. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2024-03-07.

Aircraft power plant with a transmission to drive an electrical machine

Номер патента: CA3169395A1. Автор: Patrick Valois. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2023-03-24.

A high-performance object detection system using hdr images obtained from ldr cameras in autonomous vehicles

Номер патента: WO2023129079A1. Автор: Abdullah Aydin Alatan,Alan Chalmers,Alper Koz,İsmail Hakkı KOÇDEMIR,Sinan KALKAN,Ahmet Oğuz AKYÜZ. Владелец: ORTA DOGU TEKNIK UNIVERSITESI. Дата публикации: 2023-07-06.

Data update of shared fabric memory in a high performance computing system

Номер патента: US10565037B2. Автор: Charles Johnson,Robert Schreiber,Harumi Kuno,Onkar Patil,Mesut Kuscu,James Hyungsun Park. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-02-18.

Mitigating busy time in a high performance cache

Номер патента: US20130060997A1. Автор: Arthur J. O'Neill,Robert J. Sonnelitter, III,Deanna P. Berger,Michael F. Fee,Christine C. Jones,Diana L. Orf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

High performance fragrance compositions for rinse-off conditioner

Номер патента: WO2024192221A1. Автор: Clémentine MARTEAU-ROUSSY,Fredeique TERRANOVA. Владелец: International Flavors & Fragrances Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

High performance steam power topping cycle

Номер патента: US20140311147A1. Автор: Gregory S. Mungas. Владелец: Firestar Engineering LLC. Дата публикации: 2014-10-23.

Data update in a high performance computing system

Номер патента: US20190187924A1. Автор: Charles Johnson,Robert Schreiber,Harumi Kuno,Onkar Patil,Mesut Kuscu,James Hyungsun Park. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-06-20.

Testing device and method for testing a high or medium-voltage cable

Номер патента: US20240319257A1. Автор: Stefan Baldauf,Joseph KRUIJEN,Christian MATIES. Владелец: B2 ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2024-09-26.

High-performance protein-based adhesive, preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034662A. Автор: Wang Hui,Zhou Xiaojian,DU Guanben. Владелец: Univ Southwest Forestry. Дата публикации: 2023-11-10.

Method for providing a foundation for a high-voltage electricity tower, network of high-voltage electricity towers provided with a foundation, and high-voltage electricity tower provided with a foundation

Номер патента: EP2799623A3. Автор: Arthur Lucas Adrianus van Noort,Arend Jan Tibbe. Владелец: Koninklijke BAM Groep NV. Дата публикации: 2014-11-19.

High performance steam cycle

Номер патента: US09926810B2. Автор: Gregory S. Mungas. Владелец: MUNGAS CAROL E. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for prepping bores and curved inner surfaces with a rotating high-frequencey forced pulsed waterjet

Номер патента: US09757756B2. Автор: Mohan M. Vijay,Andrew Hung Tieu,Wenzhuo Yan,Bruce R. Daniels. Владелец: VLN Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Food-retaining net for use with a food tray and high chair

Номер патента: US09706856B1. Автор: Greg Nevitt,Cari Bradley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Distributed metadata in a high performance computing environment

Номер патента: US09703788B1. Автор: Zhenhua Zhang,Sorin Faibish,John M. Bent,Haiying Tang,Xuezhao Liu. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

High performance, durable polymers including poly(phenylene)

Номер патента: US09580541B1. Автор: Cy Fujimoto,Harry Pratt,Travis Mark Anderson. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

High performance in-line roller skate wheels

Номер патента: US5655784A. Автор: Charles J. Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for forming a high-performance aqueous-phase polymer fluid and system for drilling wellbores in low-gradient formations

Номер патента: CA2960662C. Автор: Carlos Ferrusquia Hernández. Владелец: Tecnologia Integral En Fluidos De Perforacion SA de CV. Дата публикации: 2018-10-30.

High-performance tyre

Номер патента: EP4347275A1. Автор: Francesca Baione,Valeria Rosaria CIPOLLETTI,John Nazareno HOUSE,Ivan Mangili. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2024-04-10.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Method for producing a steel strip with a multiphase structure, and related steel strip

Номер патента: US20230077921A1. Автор: Ingwer Denks,Konstantin Molodov,Jan Roik. Владелец: SALZGITTER FLACHSTAHL GMBH. Дата публикации: 2023-03-16.

Audio coding of tonal components with a spectrum reservation flag

Номер патента: US12062379B2. Автор: Jiawei Li,Zhe Wang,Bingyin XIA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Radial press and method for producing a high-pressure hydraulic line

Номер патента: US12130208B2. Автор: Hubert Poth. Владелец: Uniflex Hydraulik GmbH. Дата публикации: 2024-10-29.

Thermopile infrared sensor structure with a high filling level

Номер патента: US09945725B2. Автор: Michael Muller,Bodo Forg,Jörg SCHIEFERDECKER,Karlheinz Storck,Marion Simon,Wilhelm Leneke,Frank Herrmann. Владелец: Heimann Sensor GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of generating a high-speed airflow

Номер патента: US09650920B2. Автор: Angfeng Liu. Владелец: Shandong Natergy Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Blank of titanium-doped glass with a high silica content for a mirror substrate for use in EUV lithography and method for the production thereof

Номер патента: US09416040B2. Автор: Bodo Kuehn. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-16.

High performance wall assembly

Номер патента: WO2012174377A1. Автор: Michael J. SIEVERS,Michael J. Mcnulty,Michael Drewery,Rick Davenport,Mary POMA,Paul J. FOX,Colby A. SWANSON. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-12-20.

High-performance, superscalar-based computer system with out-of-order instruction execution

Номер патента: US5539911A. Автор: Yoshiyuki Miyayama,Yasuaki Hagiwara,Johannes Wang,Le T. Nguyen,Derek J. Lentz,Sanjiv Garg,Te-Li Lau,Sze-Shun Wang,Quang H. Trang. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Method for producing a highly purified tetradecapeptide

Номер патента: RU2759377C1. Автор: Елена Васильевна Ткаченко. Владелец: Открытое акционерное общество "Авексима". Дата публикации: 2021-11-12.

Apparatus for secondary positioning of a high-precision mobile robot

Номер патента: RU2756190C1. Автор: Фан Хиаопу,Сонг Нинг. Владелец: Шэньсиский Университет Науки И Техники. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for producing a high-strength flat steel product

Номер патента: RU2675183C2. Автор: Андреас Керн,Элена ШАФНИТ,Ханс-Йоахим ЧЕРЗИХ,Александер ГАГАНОВ,Вольфганг ГЕРФЕРС,Габриель КОЛЕК. Владелец: Тиссенкрупп Стил Юроп Аг. Дата публикации: 2018-12-17.

Apparatus and method for heat treatment of a long-length product with an l-shaped profile with a sole, neck, head

Номер патента: RU2755713C1. Автор: Валерий Сергеевич Фадеев,Юрий Леонидович Чигрин,Олег Викторович Штанов,Николай Михайлович Паладин,Олег Викторович Довгаль,Григорий Дмитриевич Павлушко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Информационные технологии" (ООО "ИнфоТех"). Дата публикации: 2021-09-20.

Computer network of a high-performance computer system

Номер патента: RU2754605C1. Автор: Владимир Геннадиевич Басалов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-09-03.

Method for finishing a quarry with a high vertical bench

Номер патента: RU2766068C1. Автор: Антон Юрьевич Чебан. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Хабаровский Федеральный исследовательский центр Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2022-02-07.

Method for emergency cooling and shutdown of a high-temperature gas-cooled nuclear reactor of a space unit and apparatus for implementation thereof (variants)

Номер патента: RU2771224C1. Автор: Владимир Владимирович Кудинов,Михаил Александрович Петрушин. Владелец: Акционерное Общество "Ордена Ленина Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Энерготехники Имени Н.А. Доллежаля". Дата публикации: 2022-04-28.

Method of processing signals in scanning devices with a highly focused electron beam

Номер патента: RU2713090C1. Автор: Кирилл Николаевич Смирнов,Дмитрий Олегович Новиков,Алексей Владимирович Бородин,Вячеслав Васильевич Казьмирук,Татьяна Николаевна Савицкая,Илья Геннадьевич Курганов,Александр Владимирович Веретенников,Максим Николаевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук. Дата публикации: 2020-02-03.

Mode of projectile throwing with a high initial speed with the help of condensed gas

Номер патента: RU2256140C2. Автор: А.Я. Коган. Владелец: Коган Андрей Яковлевич. Дата публикации: 2005-07-10.

High-strength brass alloy and article from a high-strength brass alloy

Номер патента: RU2764687C1. Автор: Герман ГУММЕРТ,Томас ПЛЕТТ,Бьёрн РЕЕТЦ. Владелец: Отто Фукс - Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2022-01-19.

Obtaining a tetracyclic compound contained in a high dose

Номер патента: RU2724056C2. Автор: Такаси ТОМИМАЦУ,Кенсуке ОКАДЗАКИ,Юми ОГАВА,Такахиро ЯМАМУРА. Владелец: Чугаи Сейяку Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-06-19.

High-performance, superscalar-based computer system with out-of-order instruction execution

Номер патента: US6959375B2. Автор: Yoshiyuki Miyayama,Yasuaki Hagiwara,Johannes Wang,Derek J. Lentz,Sanjiv Garg,Te-Li Lau,Sze-Shun Wang,Quang H. Trang,Le Trong Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Compact, sound-attenuating muffler for high-performance, internal combustion engine

Номер патента: US4574914A. Автор: Ray T. Flugger. Владелец: Flowmaster Inc. Дата публикации: 1986-03-11.

High-performance, superscalar-based computer system with out-of-order instruction execution and concurrent results distribution

Номер патента: US5560032A. Автор: Yoshiyuki Miyayama,Yasuaki Hagiwara,Johannes Wang,Derek J. Lentz,Sanjiv Garg,Te-Li Lau,Sze-Shun Wang,Quang H. Trang,Le Trong Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1996-09-24.

High performance green concrete mixer and high performance mixing method for green concrete

Номер патента: US20110103172A1. Автор: Chao-Lung Hwang,Sung-Yi Lin. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2011-05-05.

High performance, superscalar-based computer system with out-of-order instruction execution

Номер патента: US5961629A. Автор: Yoshiyuki Miyayama,Yasuaki Hagiwara,Johannes Wang,Derek J. Lentz,Sanjiv Garg,Te-Li Lau,Sze-Shun Wang,Quang H. Trang,Le Trong Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

A high-temperature, dual rail heat pump cycle for high performance at high-temperature lift and range

Номер патента: WO2024091616A1. Автор: Timothy J. Held. Владелец: Supercritical Storage Company, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Electromagnetically actuatable intake valve for a high-pressure pump, and high-pressure pump

Номер патента: US10634104B2. Автор: Gabriel Cichon. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for monitoring a high resistance condition at an electrosurgical generator, electrosurgical generator and electrosurgical generator system

Номер патента: US20230320774A1. Автор: Daniel Ramin,Thomas Faehsing. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

LOW ENERGY CONSUMPTION COOLING SYSTEM WITH A ROTARY PRESSURE EXCHANGER THAT REPLACES THE MAIN FLOW COMPRESSOR AND THE HIGH PRESSURE EXPANSION VALVE

Номер патента: DK181605B1. Автор: Mihir Thatte Azam,Joseph Pattom Matthew. Владелец: Energy Recovery Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Electromagnetically actuatable intake valve for a high-pressure pump, and high-pressure pump

Номер патента: US20180347528A1. Автор: Gabriel Cichon. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

High-performance optical absorber comprising functionalized, non-woven, cnt sheet and texturized polymer film or texturized polymer coating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220206194A1. Автор: John A. Starkovich,Edward M. Silverman. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

High performance synchronous transmission

Номер патента: EP3728907A1. Автор: Walter Mariotti,Luca NUTI. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2020-10-28.

Capacitance detection circuit and electrostatic capacitance sensor device with a high-pass filter having first and second passive circuit elements for outputting an attenuated current signal

Номер патента: US11086437B2. Автор: HIROSHI Haga,Daisuke Sugimoto. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

High dynamic range imaging of environment with a high intensity reflecting/transmitting source

Номер патента: EP3213107A1. Автор: Ofer David,Yoav GRAUER,Eyal LEVI,Haim Garten,Ezri SONN. Владелец: Brightway Vision Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Hydraulic fracturing system for driving a plunger pump with a turbine engine

Номер патента: US12065916B2. Автор: SHENG Chang,Peng Zhang,Liang LV,Yipeng WU,Rikui Zhang,Xiaolei Ji,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Weipeng Yuan,Xiance LI. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

High-Pressure Connection and Method for Manufacturing a High-Pressure Connection

Номер патента: US20080290608A1. Автор: Armin Glock,Juergen Hackenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Scheduling in a high-performance computing (hpc) system

Номер патента: WO2006055028A1. Автор: Anthony N. Richoux. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2006-05-26.

Prefabricated partition wall structure and installation method for high-performance grain storage

Номер патента: ZA202304886B. Автор: Ren Yu,CHI Siyuan,Lin Zhenshan,Xu Peitao. Владелец: Fcec Prefabricated Building Res Institute Company Limited. Дата публикации: 2023-11-29.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: US10878926B2. Автор: Mohan DUNGA,Pitamber Shukla,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-29.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: WO2019112675A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

High performance non-invasive analyte sensor

Номер патента: WO2024178385A1. Автор: Steven Kent,Steve Lowe,Dominic KLYVE. Владелец: Know Labs, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Preparation of a high purity and high concentration hydroxylamine free base

Номер патента: US20050163694A1. Автор: Wei Lin,Kaung-Far Lin,Jin-Fu Chen,Ruey-Shing Chen,K. Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

High-Pressure Compressor and System with a High-Pressure Compressor

Номер патента: US20230095491A1. Автор: Matthias Bohm,Joachim Löffler. Владелец: Kyros Hydrogen Solutions GmbH. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and device for determining a highly precise position of a vehicle

Номер патента: US12078492B2. Автор: Tobias Strauss,Carsten Hasberg,Jan-Hendrik Pauls,Philipp Rasp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-09-03.

Geared turbofan engine with a high ratio of thrust to turbine volume

Номер патента: US20190107047A1. Автор: Frederick M. Schwarz,Daniel Bernard Kupratis. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Fault tolerance and recovery in a high-performance computing (hpc) system

Номер патента: EP1815341A1. Автор: Shannon V. Davidson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2007-08-08.

Hydraulic fracturing system for driving a plunger pump with a turbine engine

Номер патента: US12091953B2. Автор: SHENG Chang,Peng Zhang,Yipeng WU,Rikui Zhang,Xiaolei Ji,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Xiance LI. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Antibacterial agent, antibacterial high-performance pom composite material and preparation method therefor

Номер патента: EP4458895A1. Автор: XIAO Li,Guisheng Yang,Anqi WU,Bin Fei,Chenguang YAO,Chaojie JIANG. Владелец: Hefei Genius New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Fluid delivery system including a high crack pressure valve and methods for its use

Номер патента: US12011568B2. Автор: Mark Trocki,Arthur Uber, Iii. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and diagnostic facility for checking high-pressure tank valves, high-pressure tank system and motor vehicle with a high-pressure tank system

Номер патента: US09976523B2. Автор: Thorsten Bender,Andreas Jauss,Ayhan SARIKAYA. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Two-spool design for a turboshaft engine with a high-pressure compressor connected to a low-pressure turbine

Номер патента: US09964033B2. Автор: Remy Princivalle. Владелец: Turbomeca SA. Дата публикации: 2018-05-08.

High-performance gridded data storage, arrangement and extraction

Номер патента: US09922062B2. Автор: John J. Mewes,Leif Pedersen,Kristopher A. Zarns,Dustin SALENTINY,Douglas K. Rand. Владелец: Clearag Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

High-performance sports car

Номер патента: US09725020B2. Автор: Marco Fainello. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for determining the position of a component in a high lift system of an aircraft, high lift system of an aircraft and aircraft

Номер патента: US09701421B2. Автор: Eugen Neb,Jorg Wyrembek,Vincent MAIRE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for determining a state of a component in a high lift system of an aircraft

Номер патента: US09701419B2. Автор: Michael Brady,Wolfgang Hartwig,Jan-Arend Van Bruggen,Eugen Neb,Olivier Criou,Stefan Latzel,Mark Heintjes. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Disposable cover for a high chair

Номер патента: US09622591B2. Автор: Richard Lipson. Владелец: Baby Solutions LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Scalable high performance 3D graphics

Номер патента: US09478001B2. Автор: Michael G. Lavelle,Michael F. Deering. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Projectile launcher with a permanent high-low pressure system

Номер патента: US09448033B2. Автор: Paul T. Jackson. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2016-09-20.

Agent for treating human body conditions associated with a decrease in the level of expression of the prok 1 gene and/or a decrease in the amount of prokineticin 1 protein on the basis of gene-therapeutic substances with prok 1 gene, method for obtaining and using

Номер патента: RU2662944C1. Автор: Наталиа Савелиева,Елена Викторовна Титова. Владелец: Дармина Десигн Лтд. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of acetate hydrocortizone, acetate cortisone, methylparagyroxibenzoate, propylparaghyroxibenzoate chromatographic separation by reverse phase high performance liquid chromatography

Номер патента: RU2653191C1. Автор: Павел Владимирович Алексенко,Александр Анатольевич Сорокин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Трейдсервис". Дата публикации: 2018-05-07.

Method of sealing a high performance automotive engine and engine assembly

Номер патента: US5275139A. Автор: Gerald A. Rosenquist. Владелец: Fel Pro Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Agent for treating human body conditions associated with a decrease in the level of expression of the prok 2 gene and/or a decrease in the amount of prokineticin 2 protein on the basis of gene-therapeutic substances with prok 2 gene, method for obtaining and using

Номер патента: RU2677695C2. Автор: Наталиа Савелиева,Елена Викторовна Титова. Владелец: Дармина Десигн Лтд. Дата публикации: 2019-01-21.

Impression chamber for additive manufacturing of high performance plastics

Номер патента: EP3501799A1. Автор: Bernardo Lopez Romano,Enrique GUINALDO FERNÁNDEZ,Guillermo HERNAIZ LÓPEZ,Alvaro Jara Rodelgo,Alvaro TORRES SALAS,Alejandro PICO BOLAÑO,Fernando GARCIA MOSTOLES. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2019-06-26.

High performance tape path for a 19 inch tape recorder

Номер патента: US4176382A. Автор: Roy Hennings,Frederick B. Froehlich,William J. Schaffer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

High performance semipermeable composite membrane and process for producing the same

Номер патента: US4559139A. Автор: Tadahiro Uemura,Masaru Kurihara. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1985-12-17.

High performance sports car and corresponding control method

Номер патента: WO2021234630A1. Автор: Fabrizio Favaretto. Владелец: FERRARI S.P.A.. Дата публикации: 2021-11-25.

High performance door

Номер патента: US20030200714A1. Автор: Kenneth West,G. Templeton,Ronald Minke,David Redding,William Pagryzinski,David Sentel,W. Barker,Steven Kepler. Владелец: TT Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

High-performance euv microscope device with free-form illumination system structure having elliptical mirror

Номер патента: US20240045338A1. Автор: Dong Gun Lee. Владелец: Esol Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

High-performance tyre for a motor vehicle

Номер патента: US20170008348A9. Автор: Giuseppe Matrascia,Maurizio Boiocchi,Vito Bello. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2017-01-12.

Accessing protected data by a high-performance computing cluster

Номер патента: US20190130122A1. Автор: Peter Barnes,Daniel Fedor-Thurman,Kyle D. Halliday. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

High-performance sports car and corresponding control method

Номер патента: US11975586B2. Автор: Fabrizio Favaretto. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2024-05-07.

High-temperature, dual rail heat pump cycle for high performance at high-temperature lift and range

Номер патента: US20240142143A1. Автор: Timothy J. Held. Владелец: Supercritical Storage Company Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

High-performance euv microscope with free form illumination system

Номер патента: US20240011922A1. Автор: Dong Gun Lee. Владелец: Esol Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

High-performance tyre for a motor vehicle

Номер патента: EP1768860A1. Автор: Maurizio Pirelli Pneumatici S.p.A. BOIOCCHI,Giuseppe Pirelli Pneumatici S.p.A. MATRASCIA,Vito PIRELLI PNEUMATICI S.p.A. BELLO. Владелец: Pirelli SpA. Дата публикации: 2007-04-04.

High performance yo-yo

Номер патента: WO2000050139B1. Автор: Dana E Chicca. Владелец: Yomega Corp. Дата публикации: 2000-12-21.

High-performance euv microscope device with free-form illumination system structure

Номер патента: US20240219699A1. Автор: Dong Gun Lee. Владелец: Esol Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a high strength steel plate and high strength steel plate

Номер патента: US20240218475A1. Автор: Isabelle Tolleneer,Philippe Hernaut. Владелец: NLMK Clabecq SA. Дата публикации: 2024-07-04.

A high performance isocyanate free polyurethane resin coating

Номер патента: EP4388024A1. Автор: Stephen Bailey,Fu Rong JIANG. Владелец: A & I Coatings Group Pty Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Reconfigurable small area bandgap with a novel technique for switching between ultra low power mode and high accuracy mode

Номер патента: US20240118723A1. Автор: Moises E Robinson,Hazem Hassan Mohamed Hammam,Sameh Ahmed Assem Ibrahim,Bishoy Milad HELMY ZAKY. Владелец: Vidatronic Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Composite capping beam with steel beam and ultra-high-performance concrete plate and construction method therefor

Номер патента: US20230349114A1. Автор: Xudong SHAO,Huaqiao ZENG,Minghong QIU. Владелец: Hunan University. Дата публикации: 2023-11-02.

Cache structure for high performance hardware based processor

Номер патента: WO2024124004A3. Автор: Anthony D. Amicangioli. Владелец: Hyannis Port Research, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of manufacturing a high molecular weight heparin compound

Номер патента: US20230321137A1. Автор: Li Fu,Zhenyu Wang,Jessica PAX. Владелец: Nexeos Diagnostics Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of manufacturing a high molecular weight heparin compound

Номер патента: CA3217273A1. Автор: Li Fu,Zhenyu Wang,Jessica PAX. Владелец: Nexeos Diagnostics Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of producing a high-energy hydroformed structure from a 7xxx-series alloy

Номер патента: NL2023766A. Автор: KHOSLA Sunil,Meyer Philippe,Bürger Achim,Maria Spangel Sabine,Harald Bach Andreas. Владелец: Aleris Rolled Prod Germany Gmbh. Дата публикации: 2020-04-24.

High Performance Guitar Bridge Pins

Номер патента: US20140311317A1. Автор: William Gray,Allen Chance. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-23.

A high performance isocyanate free polyurethane resin coating

Номер патента: US20240254361A1. Автор: Stephen Bailey,Fu Rong JIANG. Владелец: A & I Coatings Group Pty Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High-density optical disk with a polymer film featuring thermochromism

Номер патента: US20030108709A1. Автор: Jin Kim,Kyung Park,Bum Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for inducing a psychotic state in an animal and a high throughput assay method for identifying a candidate agent having anti-psychotic properties

Номер патента: US7767195B2. Автор: Andre A. Fenton. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2010-08-03.

Deflectable catheter with a flexibly attached tip section

Номер патента: WO2007076312A3. Автор: Shiva Sharareh,Seth J Worley. Владелец: Seth J Worley. Дата публикации: 2007-12-06.

Geared turbofan engine with a high ratio of thrust to turbine volume

Номер патента: US12055093B2. Автор: Frederick M. Schwarz,Daniel Bernard Kupratis. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Scheduling in a high-performance computing (HPC) system

Номер патента: EP1580661A1. Автор: Anthony N. Richoux. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2005-09-28.

Arrangement and method for dynamic control of the movements and course of a high-speed ship hull

Номер патента: EP1058645B1. Автор: Björn Svensson. Владелец: LA ME Srl. Дата публикации: 2004-10-06.

Arrangement and method for dynamic control of the movements and course of a high-speed ship hull

Номер патента: WO1999044885A1. Автор: Björn Svensson. Владелец: La.Me S.R.L.. Дата публикации: 1999-09-10.

Memory based computation systems and methods for high performance and/or fast operations

Номер патента: US20070244947A1. Автор: Bipul PAUL. Владелец: Toshiba America Research Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for inducing a psychotic state in an animal and a high throughput assay method for identifying a candidate agent having anti-psychotic properties

Номер патента: US20070274920A1. Автор: Andre Fenton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Geared turbofan engine with a high ratio of thrust to turbine volume

Номер патента: US20150114002A1. Автор: Frederick M. Schwarz,Daniel Bernard Kupratis. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

High performance non-invasive analyte sensor.

Номер патента: US20240315610A1. Автор: Steven Kent,Steve Lowe,Dominic KLYVE. Владелец: Know Labs Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

High temperature sensor with a moulded protective tube

Номер патента: US09958334B2. Автор: Heiko Lantzsch. Владелец: Tesona GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for measuring a high accuracy height map of a test surface

Номер патента: US09881400B2. Автор: Johannes Anna Quaedackers,Harm Visscher,Adriaan Tiemen ZUIDERWEG. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Laquinimod for the treatment of relapsing-remitting multiple sclerosis (RRMS) patients with a high disability status

Номер патента: US09662322B2. Автор: Volker KNAPPERTZ. Владелец: Teva Pharmaceutical Industries LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Laser processing device with a high speed vibration unit

Номер патента: US09616523B2. Автор: Chao-Yung YEH,Chen-Bin Chou. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2017-04-11.

Gas compressor formed with a high-pressure supply hole

Номер патента: US09556872B2. Автор: Keisuke Nakazawa,Eiki Yanagawa. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and device for functional control of a high pressure fuel pump

Номер патента: US09518527B2. Автор: Kim KYLSTRÖM. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-12-13.

High performance slicing apparatus with at least one removable conveyor belt unit

Номер патента: US09457487B2. Автор: Josef Mayer. Владелец: Textor Maschinenbau GmbH. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of treating a high-temperature well with a fluid containing a viscosifier and a stabilizer package

Номер патента: US09410070B2. Автор: Rajendra A. Kalgaonkar,Prerana U. Suryawanshi,Achala V. Danait. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

High frequency surgical device and high frequency surgical system with a voltage limiter

Номер патента: US09393038B2. Автор: Uwe Fischer,Timo STRAUSS,Stefan SCHIDDEL,Antonios Patelis. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for determination of ciprofloxacin by reversed-phase high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2751338C1. Автор: Александр Николаевич Куличенко,Сергей Владимирович Писаренко,Ирина Владимировна Кузнецова,Николай Андреевич Шапаков,Дмитрий Анатольевич Ковалев,Андрей Михайлович Жиров,Диана Васильевна Ульшина,Ольга Викторовна Бобрышева,Юлия Владимировна Сирица,Анна Юрьевна Евченко,Алла Геннадьевна Рязанова,Людмила Юрьевна Аксенова,Ольга Викторовна Семенова,Наталья Геннадьевна Варфоломеева. Владелец: Федеральное казённое учреждение здравоохранения "Ставропольский научно-исследовательский противочумный институт" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2021-07-13.

Method of determination of styrene concentration in atmospheric air by high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2648018C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Татьяна Дмитриевна Карнажицкая,Татьяна Сергеевна Пермякова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2018-03-21.

Neck protection device with occupant of a high performance vehicle

Номер патента: US4638510A. Автор: Robert P. Hubbard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-01-27.

Method for creating a solid immersion medium for observing the internal structure of transparent objects with a high refractive index

Номер патента: RU2759509C1. Автор: Сергей Викторович Кузнецов,Сергей Иванович Кудряшов,Алексей Олегович Левченко,Никита Александрович Смирнов,Павел Александрович Данилов,Роман Абрамович Хмельницкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Микролазер» (ООО «Микролазер»). Дата публикации: 2021-11-15.

Method and system for making high performance epoxies, and high performance epoxies obtained therewith

Номер патента: CA2541648C. Автор: Minh-Tan Ton-That,Weiping Liu,Van Suong Hoa,Martin Pugh. Владелец: Valorbec SC. Дата публикации: 2011-11-01.

High performance path for command processing

Номер патента: US9021178B2. Автор: Chandra M. Guda. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Multi-media processor architecture with high performance-density

Номер патента: WO1997004401A2. Автор: Peter Hendrik Nelis De With,Alphonsius Anthonius Jozef De Lange. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-02-06.

High performance aluminum alloys having high amounts of recycled material and methods of making the same

Номер патента: CA3068470C. Автор: Duane E. BENDZINSKI,Sazol Kumar DAS,Milan FELBERBAUM,Simon William Barker,Tudor PIROTEALA. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2022-07-19.

High-performance Rubber Damping Material and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20210395423A1. Автор: Zheng Peng,Hongchao LIU,Qifang Wang,Heping YU,Yongzhen Li. Владелец: Agricultural Products Processing Research Inst Chinese Academy Of Tropical Agricultural Sciences. Дата публикации: 2021-12-23.

High-performance rubber damping material and method for preparing the same

Номер патента: US11661467B2. Автор: Zheng Peng,Hongchao LIU,Qifang Wang,Heping YU,Yongzhen Li. Владелец: Agricultural Products Processing Research Inst Chinese Academy Of Tropical Agricultural Sciences. Дата публикации: 2023-05-30.

High performance aramid braided hose

Номер патента: US11898662B2. Автор: Steven Morgan Powell,Ty Anthony Henry,Paul Howard Webster,Gerald Kuzmiak. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

High performance cross-linked triblock cationic functionalized polymer for electrochemical applications, methods of making and methods of using

Номер патента: US20190100633A1. Автор: E. Bryan Coughlin,Andrew M. Herring,Mei-Chen Kuo,Nora Buggy,Yifeng Du. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2019-04-04.

High performance cross-linked triblock cationic functionalized polymer for electrochemical applications, methods of making and methods of using

Номер патента: US20210171725A1. Автор: E. Bryan Coughlin,Andrew M. Herring,Mei-Chen Kuo,Nora Buggy,Yifeng Du. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2021-06-10.

High performance solid-state based computer data storage array

Номер патента: US9268501B1. Автор: Thomas Z. Isakovich. Владелец: Nimbus Data Systems Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

High performance relational database management system

Номер патента: WO2002025481A3. Автор: Lore Christensen. Владелец: Linmor Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Distributed high performance pool

Номер патента: US20140379766A1. Автор: Juan A. Coronado,Lisa R. MARTINEZ,Jennifer S. SHIOYA,Todd M. TOSSETH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Erase cycle healing using a high voltage pulse

Номер патента: US20210035642A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Mixtures of high fructose corn syrup (hfcs 42 or hfcs 55) and high-intensity sweeteners with a taste profile of pure sucrose

Номер патента: EP1841334A1. Автор: Susanne Rathjen,Susanne Schwarz. Владелец: Nutrinova Nutrition Specialties and Food Ingredients GmbH. Дата публикации: 2007-10-10.

A method and apparatus for a high resolution downhole spectrometer

Номер патента: WO2005103636A1. Автор: Rocco DiFoggio,Arnold Walkow,Paul Bergren. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-03.

A high precision oil test device

Номер патента: NL2033974A. Автор: Liu Yi,Tan Wei,LI Yudong,WANG Xiangwei,ZHANG Chenghui,Li Guipeng,WU Huanyu,Tong Jihong. Владелец: Huaneng Renewables Corporation Ltd Hebei Branch. Дата публикации: 2023-02-10.

Method for producing a plant with a high-growth rate

Номер патента: US20040123348A1. Автор: Ju-Kon Kim,Baek-Hie Nahm,In-Cheol Jang,Sang-Ik Song,Yoon-Mok Pahk. Владелец: GreenGene BioTech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for producing a plant with a high-growth rate

Номер патента: US7060873B2. Автор: Ju-Kon Kim,Baek-Hie Nahm,In-Cheol Jang,Sang-Ik Song,Yoon-Mok Park. Владелец: GreenGene BioTech Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Device and method for producing liquids with a high nuclear spin polarisation

Номер патента: AU2003269676A1. Автор: Heinz Julius Jansch. Владелец: Transmit Gesellschaft fuer Technologietransfer mbH. Дата публикации: 2004-03-11.

Method and system for providing a high precision system clock

Номер патента: GB201204158D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-25.

Middle distillate hydrocracking catalyst with a base extrudate having a high nanopore volume

Номер патента: CA2946285C. Автор: Theodorus Ludovicus Michael Maesen,Yihua Zhang. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Process and apparatus for reforming a high sulfur-containing liquid fuel

Номер патента: US20160257563A1. Автор: Dennis E. Walsh,Subir Roychoudhury,Christian Junaedi,Saurabh Vilekar. Владелец: Precision Combustion Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Process and apparatus for reforming a high sulfur-containing liquid fuel

Номер патента: EP2624937A1. Автор: Dennis E. Walsh,Subir Roychoudhury,Christian Junaedi,Saurabh Vilekar. Владелец: Precision Combustion Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

High-density optical disk with a polymer film featuring thermochromism

Номер патента: US20030108758A1. Автор: Jin Kim,Kyung Park,Bum Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-12.

Middle distillate hydrocracking catalyst with a base extrudate having a high nanopore volume

Номер патента: AU2022202785B2. Автор: Theodorus Ludovicus Michael Maesen,Yihua Zhang. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

High-performance, dynamically specifiable knowledge graph system and methods

Номер патента: US12038974B2. Автор: Jason Crabtree,Richard Kelley. Владелец: Qomplx Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

High-performance on-chip memory controller

Номер патента: US20240248642A1. Автор: ZHENG Qi,Yi Wang,Yanfeng Wang. Владелец: Black Sesame Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Cosmetic product with a high concentration of metal ions with simultaneous incorporation of a piece of white quartz and water of high metal ions content and method for the production thereof

Номер патента: US20210290502A1. Автор: Ioannis Mourtzinos,Aikaterini VASILATOU,Vasileios ROUMELIOTIS,Anas PUTRISS. Владелец: Anas Co BV. Дата публикации: 2021-09-23.

Ink for thermal ink jet printing with high performance at high ejection frequencies

Номер патента: EP1363978A1. Автор: Alessandra Olivetti Tecnost S.p.A. PISTAGNA,Luigina Olivetti Tecnost S.p.A. GINO. Владелец: Olivetti Tecnost SpA. Дата публикации: 2003-11-26.

Filter medium for high-performance air filter, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4417291A1. Автор: Masashi Sato,Nozomi Tashiro. Владелец: Hokuetsu Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Electronic Device for Regulating the Voltage Across a High-Side Load

Номер патента: US20090148140A1. Автор: Klaus Zametzky. Владелец: Sitronic Gesellschaft fuer Elektrotechnische Ausruestung mbH and Co KG. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for producing a high resolution resist pattern on a semiconductor wafer

Номер патента: US20080292996A1. Автор: Thomas Wallow,Uzodinma Okoroanyanwu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

High-Pressure Pump in a High-Pressure Injection System of a Vehicle

Номер патента: US20210285410A1. Автор: Tet Kong Brian Chia,Dmitriy Kogan. Владелец: CPT Group GmbH. Дата публикации: 2021-09-16.

Recombinant bacterium with a high PHA yield and the construction method thereof

Номер патента: US12084648B2. Автор: Yu Wang,Jin Yin,Huayu ZHANG,Yingzi Li. Владелец: Shenzhen Bluepha Biosciences Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods of fusing computer-generated predicted image frames with captured images frames to create a high- dynamic-range video having a high number of frames per second

Номер патента: WO2023081440A1. Автор: Vikas Chandra,Ingrid Anda COTOROS. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Electrified motor vehicle with a display unit for displaying at least one residual range

Номер патента: US12109908B2. Автор: Hajo Meinert,Andreas Ertlmeier,Julian Wiesmeier. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and methods of fusing computer-generated predicted image frames with captured images frames to create a high- dynamic-range video having a high number of frames per second

Номер патента: EP4430558A1. Автор: Vikas Chandra,Ingrid Anda COTOROS. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

A high precision oil test device

Номер патента: NL2033974B1. Автор: Liu Yi,Tan Wei,LI Yudong,WANG Xiangwei,ZHANG Chenghui,Li Guipeng,WU Huanyu,Tong Jihong. Владелец: Huaneng Renewables Corporation Ltd Hebei Branch. Дата публикации: 2024-09-18.

System and method for controlling the cleaning of a feeder housing in a high-pressure feeder

Номер патента: WO2024225954A1. Автор: Roland Bengtsson,Robert Carlström. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2024-10-31.

High-pressure control valve for high-performance liquid chromatography

Номер патента: US09939415B2. Автор: Hermann Hochgraeber,Adolf Satzinger,Joachim Wiechers. Владелец: DIONEX SOFTRON GMBH. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for developing a coating having a high light transmission and/or a low light reflection

Номер патента: US09909208B2. Автор: Manuela Junghähnel,Ullrich Hartung,Thomas Preuβner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and electronic device for high performance modulo multiplication

Номер патента: US20240361984A1. Автор: Sandesh Kanchodu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating a biocompatible material having a high carbide phase and such material

Номер патента: US09776246B2. Автор: Haitong Zeng,Aiguo Wang,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Golf balls having a multi-layered core with a thermoset rubber center

Номер патента: US09750984B2. Автор: Michael J. Sullivan. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Modular headlamp assembly with a heating element for removing water based contamination

Номер патента: US09709238B2. Автор: Timothy Dunn,Timothy Dipenti,Jeffrey L. Church,Michael Marley,Nedim Hamzic,Barry C. Johnson. Владелец: Truck Lite Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method for calibrating a high resolution data acquisition system with a low resolution digital to analog converter

Номер патента: US09671485B2. Автор: Ramesh Babu Srinivasa,V. s. s Kumar Vennelakanti. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for testing a component in a high lift system of an aircraft

Номер патента: US09630725B2. Автор: Jan-Arend Van Bruggen,Andreas Fleddermann,Vincent MAIRE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2017-04-25.

Optical article coated with a sub-layer and with a heat-resistant, multilayered antireflection coating, and method for producing same

Номер патента: US09625620B2. Автор: Olivier Beinat,Jean-Louis Sirjean,Michele Thomas. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2017-04-18.

Fixing device with nip forming member having a high thermal-conductive layer with a low thermal conductive portion

Номер патента: US09599940B2. Автор: Kenji Ishii,MOTOYOSHI Yamano,Takayuki Seki,Yuji Arai,Shohei Saito,Hideo Nagafuji,Hiromasa Takagi,Yutaka Ikebuchi,Arinobu YOSHIURA,Keitaro SHOJI,Kohichi Utsunomiya,Qifeng CUI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Substrate provided with a multilayer coating having thermal properties, in particular for production of a heated glazing unit

Номер патента: US09599752B2. Автор: Robert Drese,Stephane Laurent. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Process for upgrading a high endpoint gas oil containing high concentrations of thiophenes and nitrogen and providing for a reduced hydrogen consumption rate

Номер патента: US09546327B2. Автор: John Anthony Smegal,Karl Marvin Krueger,Lawrence Stephen KRAUS. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2017-01-17.

Shift register unit, gate electrode drive circuit and display apparatus

Номер патента: US09524686B2. Автор: Seung Woo Han,Xing Yao,Jiayang ZHAO,Yuanbo Zhang,Haifeng Jin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Managing power savings in a high availability system at a redundant component level of granularity

Номер патента: US09471137B2. Автор: Chad J. Larson,Manjunath B. Muttur,Daniel G. Thornton,Deepti Umarani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Low pulse rate cochlear implant stimulation in conjunction with a separate representation of fundamental frequencies and voiced/unvoiced distinctions

Номер патента: US09463319B2. Автор: Blake S. Wilson. Владелец: MED EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for laser processing of metal material with a high level of dynamic control of the axes of movement of the laser beam along a pre-selected processing path, as well as a machine and a computer program for implementing this method

Номер патента: RU2750313C2. Автор: СБЕТТИ Маурицио. Владелец: Адиге С.П.А.. Дата публикации: 2021-06-25.

Optical fiber for recording the bragg grating with laser with a wave length in the near and middle uv range, method of producing the protective fluoropolymer coating of optical fiber and method of applying the coating to quartz fiber

Номер патента: RU2650787C1. Автор: Игорь Касьянович Мешковский,Андрей Владимирович Куликов,Алексей Владимирович Токарев,Гордей Глебович Анчуткин,Сергей Владимирович Варжель. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-04-17.

Device for lateral adjustment of lenses in a high-performance lens system

Номер патента: US5521764A. Автор: Istvan Balogh,Joerg-Peter Schmidt. Владелец: Jenoptik AG. Дата публикации: 1996-05-28.

High-performance fenestration system

Номер патента: CA2988692C. Автор: Gregory A. Header. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-03.

High performance tire tread rubber composition

Номер патента: US5994448A. Автор: Wen-Liang Hsu,Paul Harry Sandstrom,Edward John Blok,Adel Farhan Halasa. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1999-11-30.

High-performance pretreatment system for desulfurized wastewater for reverse osmosis membrane

Номер патента: EP4317084A1. Автор: Kazuki Kobayashi,Yoshiaki Ito,Kazuhisa Takeuchi,Kyohei Matsukawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for mechanochemical preparation of high-performance iron red/clay mineral hybrid pigment

Номер патента: US11767432B2. Автор: Wenbo Wang,Qin Wang,Bin MU,Aiqing WANG,Aiping HUI,Yuru KANG. Владелец: Lanzhou Institute of Chemical Physics LICP of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Dynamic tuning of hypervisor for high-performance virtual machines

Номер патента: US20200310848A1. Автор: Yaniv Kaul. Владелец: Red Hat Israel Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for manufacturing solid-state composite additive for high performance structural component

Номер патента: GB2615443A. Автор: Zhao Bing,Li Zhiqiang,Chen Fulong. Владелец: AVIC Manufacturing Technology Institute. Дата публикации: 2023-08-09.

A Display Device for High Performance Electrode Materials and Research Results of Electrochemical Properties

Номер патента: LU500311B1. Автор: Peng Li,Kun Xu,Pei Xu,Zhanjun Yu,Yinxiao Du. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2021-12-22.

Oral pharmaceutical composition for drugs with a high-dosage regimen

Номер патента: EP2937078A1. Автор: José Luís FÁBREGAS VIDAL,Núria RUIZ XIVILLÉ. Владелец: Laboratorios Rubio SA. Дата публикации: 2015-10-28.

Procedure for the preparation of a highly durable composite textile material workable at high temperature, and the composite textile material thus obtained

Номер патента: EP1323859A3. Автор: Salvatore Consoli,Andrea Bellucci,Walter Cardinali,Enzo Cicotti. Владелец: Alcantara Spa. Дата публикации: 2003-07-16.

Variable pressure inventory control of closed cycle system with a high pressure tank and an intermediate pressure tank

Номер патента: AU2020273366A1. Автор: Raj Apte,Philippe Larochelle. Владелец: Malta Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Internal combustion engine with a high-pressure fuel pump

Номер патента: US20230366332A1. Автор: Yuri Gavriluk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

Ultra-high performance fiber reinforced grout

Номер патента: EP4414337A1. Автор: Juan Antonio CALAMA. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Improved synthesis of severely sterically hindered amino-ether alcohols and diaminopolyalkenyl ethers using a high activity powder catalyst

Номер патента: WO2005081778A3. Автор: Andrzej Malek,Adeana Richelle Bishop,Michael Siskin,Michael Charles Kerby,Edmund John Mozeleski,Christine Nicole Elia. Владелец: Christine Nicole Elia. Дата публикации: 2006-02-16.

Improved synthesis of severely sterically hindered amino-ether alcohols and diaminopolyalkenyl ethers using a high activity powder catalyst

Номер патента: EP1718597A4. Автор: Andrzej Malek,Adeana Richelle Bishop,Michael Siskin,Michael Charles Kerby,Edmund John Mozeleski,Christine Nicole Elia. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2008-02-27.

Improved synthesis of severely sterically hindered amino-ether alcohols and diaminopolyalkenyl ethers using a high activity powder catalyst

Номер патента: CA2556770A1. Автор: Andrzej Malek,Adeana Richelle Bishop,Michael Siskin,Michael Charles Kerby,Edmund John Mozeleski,Christine Nicole Elia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-09.

Improved synthesis of severely sterically hindered amino-ether alcohols and diaminopolyalkenyl ethers using a high activity powder catalyst

Номер патента: EP1718597A2. Автор: Andrzej Malek,Adeana Richelle Bishop,Michael Siskin,Michael Charles Kerby,Edmund John Mozeleski,Christine Nicole Elia. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2006-11-08.

Systems and methods for predicting outcomes and conditions of chemical reactions with high reliability based on a highly diverse and accurate dataset

Номер патента: EP4420131A1. Автор: Stanislaw Jastrzebski,Michal Sadowski,Mateusz BRUNO-KAMINSKI,Jan BUSZ,Piotr BYRSKI,Artur Choluj,Pawel DABROWSKI-TUMANSKI,Tomasz DYBOWSKI,Piotr HELM,Marek Pietrzak,Szymon PILKOWSKI,Jan RZYMKOWSKI,Lukasz SZCZUPAK,Mikolaj SACHA,Filip ULATOWSKI,Ruard VAN WORKUM,Paulina WACH,Przemyslaw POBROTYN,Pawel WLODARCZYK-PRUSZYNSKI. Владелец: Molecule One Sp Z OO. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for the production of vitamin E with a high purity, vitamin E produced by said method, and a composition comprising said vitamin E

Номер патента: US09963438B2. Автор: Tomone SASAYAMA,Kousuke Hiromori,Naomi SHIBASAKI-KITAKAWA,Kousei KANUMA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-08.

Control for a high or fully automatic driving function

Номер патента: US09463799B1. Автор: Arne Bartels,Eckart Donner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-10-11.

Hydromechanical transmission with hydrodynamic retarder of a high-power vehicle

Номер патента: RU184458U9. Автор: Дмитрий Сергеевич Белабенко,Алексей Николаевич Абрамов,Александр Сергеевич Башарков,Алексей Александрович Сташкевич. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Минский Завод Колёсных Тягачей". Дата публикации: 2018-11-23.

Method of making high performance superabsorbent material

Номер патента: US5849816A. Автор: Stuart P. Suskind,Leonard Pearlstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-15.

High performance armor protection system for tank crews and fighting vehicles

Номер патента: US5866839A. Автор: Shalom Ohayon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-02-02.

Semi-finished fish product with a high vitamin d content

Номер патента: RU2745575C1. Автор: Инна Марковна Титова,Алина Сергеевна Куликова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Калининградский государственный технический университет». Дата публикации: 2021-03-29.

High-performance pipelined stack with over-write protection

Номер патента: US4674032A. Автор: Wayne A. Michaelson. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1987-06-16.

Process for high speed, multi-end polyester high performance tire and industrial yarn

Номер патента: CA1328156C. Автор: Hugh Harvey Rowan,James Gordon Neal. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1994-04-05.

Metallic seal for high performance butterfly valve

Номер патента: US4796857A. Автор: Allan K. Shea,William R. Hayes. Владелец: White Consolidated Industries Inc. Дата публикации: 1989-01-10.

High performance phosphate ester hydraulic fluid

Номер патента: CA2611874C. Автор: Terry Calvin Wolfe. Владелец: Solutia Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

AN ENGINE WITH A DESIGN PROVIDING HIGH PERFORMANCE AND LOW FUEL CONSUMPTION

Номер патента: TR201817377A2. Автор: Çeli̇kyürek İbrahi̇m. Владелец: Eskisehir Osmangazi Ueniversitesi. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

REPLACEMENT GATES TO ENHANCE TRANSISTOR STRAIN

Номер патента: US20120003798A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Control Apparatus for Controlling a High-Pressure Fuel Supply Pump

Номер патента: US20120000445A1. Автор: Tokuo Kenichiro,Watanabe Masanori,BORG Jonathan. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High performance data cable and a ul 910 plenum non-fluorinated jacket high performance data cable

Номер патента: MY125970A. Автор: Galen M Gareis,Gregory J Deitz. Владелец: Belden Wire & Cable Co. Дата публикации: 2006-09-29.

High-performance uhf field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2393589C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2010-06-27.

High performance horizontal diffusion furnace system

Номер патента: WO1993026137B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1994-02-17.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Grading Devices For A High Voltage Apparatus

Номер патента: US20120002339A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR OXYGEN TRANSPORT COMPRISING A HIGH OXYGEN AFFINITY MODIFIED HEMOGLOBIN

Номер патента: US20120004396A1. Автор: Vandegriff Kim D.,WINSLOW Robert M.. Владелец: SANGART, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SHAPED CELLULOSE MANUFACTURING PROCESS COMBINED WITH A PULP MILL RECOVERY SYSTEM

Номер патента: US20120000621A1. Автор: Stigsson Lars. Владелец: KIRAM AB. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND PROCESS FOR RECOGNIZING AND GUIDING INDIVIDUALLY PACKAGED PRODUCTS WITH A CODE

Номер патента: US20120004763A1. Автор: Freudelsperger Karl. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of a high-enriched isotope - silicon-28

Номер патента: RU2265476C2. Автор: В.В. Сенченко,И.И. Пульников,бухин А.В. Р,А.В. Рябухин,Г.А. Шарин,А.А. Палиенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "ПО Электрохимический завод". Дата публикации: 2005-12-10.

METHOD FOR ESTABLISHING THE IP FLOW MAP UPDATING CONNECTION IN A HIGH RATE PACKET DATA NETWORK

Номер патента: US20120002667A1. Автор: Zhao Xiaowu,Wei Dong. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WIND TURBINE BLADE WITH A LIGHTNING PROTECTION SYSTEM

Номер патента: US20120003094A1. Автор: . Владелец: LM GLASFIBER A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

ACID CATALYST COMPOSITION HAVING A HIGH LEVEL OF CONJUNCT POLYMER.

Номер патента: US20120004095A1. Автор: . Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for inserting a high resolution image into a low resolution interactive image to produce a realistic immersive experience

Номер патента: WO1998046014B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-11-19.

Method of production of a filler with a zigzag corrugated structure

Номер патента: RU2256556C2. Автор: В.И. Халиулин,И.В. Двоеглазов,шкин Д.Г. Мен,Д.Г. Меняшкин,В.В. Батраков. Владелец: Двоеглазов Игорь Владимирович. Дата публикации: 2005-07-20.

Optical fiber with a coating, a device and a method of its production

Номер патента: RU2260570C2. Автор: Коити ХАРАДА,Мунехиса ФУДЗИМАКИ,Кодзи ЦУРУСАКИ. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2005-09-20.

DOOR WITH A BUILT-IN BURNER FOR A HEATING APPLIANCE

Номер патента: US20120000456A1. Автор: Le Mer Joseph. Владелец: GIANNONI FRANCE. Дата публикации: 2012-01-05.

Electric Motor Integrated with a Wheel

Номер патента: US20120001018A1. Автор: Cox Rodney T.,Gilleran Neal,Sweet Robert M.,Edelson Jonathan Sidney,Cox Isaiah Watas. Владелец: BOREALIS TECHNICAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Lamp With A Truncated Reflector Cup

Номер патента: US20120002423A1. Автор: . Владелец: OSRAM SYLVANIA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining thiacloprid in biological objects using high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2517075C1. Автор: Татьяна Владимировна Бойко,Людмила Карповна Герунова,Марина Николаевна Гонохова,Елена Александровна Лукша,Дмитрий Сергеевич Гончаров,Илья Сергеевич Погодин,Елена Валентиновна Темерова,Татьяна Владимировна Урусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2014-05-27.

Method of determining imidacloprid in biological objects using high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2484458C1. Автор: Татьяна Владимировна Бойко,Людмила Карповна Герунова,Татьяна Владимировна Урусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2013-06-10.

A High Speed Engine.

Номер патента: GB189915733A. Автор: Gabriel Purdy Betts Hoyt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-23.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR THE INJECTION MOULDING OF PLASTIC MATERIAL, PARTICULARLY SUITABLE FOR BEING ASSOCIATED WITH A BLOWING UNIT OF THE MOULDED PLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing high performance potato products and product produced thereby

Номер патента: CA2017317A1. Автор: Bernie M. Panchot,Robert S. Wright. Владелец: Universal Frozen Foods Inc. Дата публикации: 1991-06-08.

Method for creating a system of cultural lawn with a lighting construction part

Номер патента: RU2642083C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2018-01-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.