Improved horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (dfb) lasers fabricated by growth over a patterned substrate with multiple overgrowth
Номер патента: WO2007065005A2
Опубликовано: 07-06-2007
Автор(ы): Claude C.A. Weisbuch, Shuji Nakamura
Принадлежит: The Regents of University of California
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-06-2007
Автор(ы): Claude C.A. Weisbuch, Shuji Nakamura
Принадлежит: The Regents of University of California
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing patterned substrate and method of manufacturing semiconductor device using the same
Номер патента: US20190006552A1. Автор: Kei Murakami,Yuki Kanagawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-03.