原子層沉積法用薄膜形成原料及薄膜之製造方法
Номер патента: TW202225172A
Опубликовано: 01-07-2022
Автор(ы): 満井千瑛, 畑瀨雅子
Принадлежит: 日商Adeka股份有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-07-2022
Автор(ы): 満井千瑛, 畑瀨雅子
Принадлежит: 日商Adeka股份有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film
Номер патента: US11760771B2. Автор: Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-19.