• Главная
  • Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same

Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning device and method of application

Номер патента: DE19740996B4. Автор: Itaru Kanno,Mitsuhiro Ogawa,Masuo Tada. Владелец: Taiyo Toyo Sanso Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US11916120B2. Автор: Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU,Seung Man LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a solar cell and the solar cell manufactured by the same (as amended)

Номер патента: US20110214737A1. Автор: Yoshinori Suga,Shintaro Inoue,Noriyuki KITAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor package and wire bonding apparatus for performing the same

Номер патента: US09484323B2. Автор: Seok-Won JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: EP4310917A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20240021676A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming copper interconnection in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050263892A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of detecting defects in a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US8952716B2. Автор: Yong Min Cho,Dong-ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Method and system for fabrication semiconductor device

Номер патента: US20180158725A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Charging control method of electric vehicle, and charging control device and electric vehicle using the same

Номер патента: US11465526B2. Автор: Young-chan BYUN. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Charging control method of electric vehicle, and charging control device and electric vehicle using the same

Номер патента: EP3885179A1. Автор: Young-chan BYUN. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Charging control method of electric vehicle, and charging control device and electric vehicle using the same

Номер патента: US20210300196A1. Автор: Young-chan BYUN. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of using mobile device as dashboard of motorcycle and motorcycle using the same

Номер патента: US20230339322A1. Автор: Hsien Chung Chen,Yu Chi Chen,Sheng-Chang Wu. Владелец: Kinpo Electronics Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020105085A1. Автор: Noriyuki Sakuma,Kenji Hinode,Takeshi Furusawa,Daisuke Ryuzaki,Shuntaro Machida,Ryou Yoneyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7736990B2. Автор: Hiroshi Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040124479A1. Автор: TAKAGI Takeshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same

Номер патента: US20020066727A1. Автор: Min-O Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: US5326717A. Автор: Osamu Oda,Toyoaki Imaizumi,Hironobu Sawatari. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Номер патента: US20230411263A1. Автор: Soohan Park,KyungEun Kim,Hyesun Kim,Youjin Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor device and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US11744073B2. Автор: Keun Lee,Kyungwook Park,Hauk Han,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290621A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12082404B2. Автор: Seongjun Seo,Kang-Sup Roh,Wookhyoung LEE,Youngmo Ku,Yongin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

A Semiconductor Device and a Method Making the Same

Номер патента: US20220262750A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12089407B2. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12125791B2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US12119299B2. Автор: Sho Nakagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and electronic component using the same

Номер патента: US09997432B2. Автор: Takeo Yamamoto,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09780039B2. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09673159B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09496365B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09397171B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of fabricating an rf semiconductor device with an enclosed cavity

Номер патента: EP4290562A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157198A1. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Joon-Nyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same

Номер патента: US20020081754A1. Автор: Tomohiro Hosokawa,Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130062695A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Cleaning solution for cleaning semiconductor device and cleaning method using the same

Номер патента: US5876509A. Автор: Jae-woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US11830740B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20170133360A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20150349048A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US9577027B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180323299A1. Автор: Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20230268248A1. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP3819932A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210143102A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230326863A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230009932A1. Автор: Sunyoung Lee,Seokcheon Baek,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20170345760A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A3. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230371254A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Boun Yoon,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100001348A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240047214A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US11670568B2. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20020153534A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US7235830B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US8896129B2. Автор: Kazuki Fukuoka,Naozumi Morino,Yoshinori Deguchi,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20160163649A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20240096689A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20200312666A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150287726A1. Автор: Hideyuki Akanuma,Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12010846B2. Автор: Sungkweon Baek,Hakseon KIM,Jaehwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20130087862A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110227168A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US11996367B2. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and solar battery using the same

Номер патента: EP2417636A1. Автор: Shigenori Yuuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Semiconductor device and solar battery using the same

Номер патента: US20120017993A1. Автор: Shigenori Yuuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240196622A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A2. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US12020939B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040259319A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20060054944A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20030119296A1. Автор: Takehiko Maeda,Jun Tsukano,Tomoko Takizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240357806A1. Автор: Youngho KWON,Jea-Yeon Lee,Seonkyung Kim,Hyunkook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20120108000A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09654027B2. Автор: Takashi Hirao,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224532A1. Автор: Sunggil Kim,Jumi Bak,Eun- Young LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240298441A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20110133290A1. Автор: Satoru Muramatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315057A1. Автор: Dahhye Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240347455A1. Автор: Hyunho Kim,Jang-Gn Yun,Jeehoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240341094A1. Автор: Sangho Rha,Daeho Kim,Jiyoun Seo,Byung-Sun Park,Su Jong Kim,Mingyu JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical alignment method of vertical type micro led and led assembly manufacturing method using the same

Номер патента: US20210098430A1. Автор: Chi-Young YOON,Bae-Gun JUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US09887147B2. Автор: Masamichi Ishihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US09847321B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US09728243B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716089B2. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US09595958B1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09502384B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09461122B2. Автор: Hisashi Saito,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Capacitor of semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020125519A1. Автор: Hyuk Kim,Seung Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US4860087A. Автор: Toshimasa Kihara,Kiyoshi Matsubara,Tadashi Yamaura,Norishige Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-08-22.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20170110159A1. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220344368A1. Автор: Sangmin Kang,Sunggil Kim,Jeeseung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230402097A1. Автор: Yongjin Cho,Sooyong Lee,Kyung Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Stacked semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US10153006B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US9076894B2. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20080315369A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7071500B2. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US20140332821A1. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20170069836A1. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11842780B2. Автор: Kenji Noguchi,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device and circuit arrangement using the same

Номер патента: US20160308529A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6163071A. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US6853019B2. Автор: Masaharu Mizuno,Shigeo Noda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-08.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6734545B1. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060192229A1. Автор: Takeshi Osada,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5569935A. Автор: Yasuhiko Takemura,Hiroki Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-29.

Electrical interconnect structure for a semiconductor device and an assembly using the same

Номер патента: WO2021158339A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240071907A1. Автор: Woo Sung Yang,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG,Ji Mo GU,Jao Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20160013187A1. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US20160329336A1. Автор: Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Integrally bonded semiconductor device and power converter including the same

Номер патента: US11887904B2. Автор: Daisuke Oya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4262335A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20170077066A1. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230354604A1. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim,Joonsung Lim,Youngbum Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240040792A1. Автор: Bongtae Park,Youngshik Yun,Dongsik LEE,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240038660A1. Автор: Jaeho Kim,Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230328987A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US20170077924A1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A3. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device and semiconductor package containing the same

Номер патента: US20080122082A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Eiji Takeichi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11817475B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230329012A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device and production method for the same

Номер патента: US6803628B1. Автор: Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US8450734B2. Автор: Masao Takahashi,Noriyuki Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100148173A1. Автор: Masao Takahashi,Noriyuki Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098990A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230170295A1. Автор: Jaeduk LEE,Sejun Park,Joonam KIM,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240103070A1. Автор: Jongmin Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US11967623B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and radio receiver using the same

Номер патента: US20200411700A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12002511B2. Автор: Jinwoo Park,Geunwon LIM,Ilgyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12009325B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258842A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US11950423B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20220181458A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230117682A1. Автор: Junghyun Roh,Seungweon Ha,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344378A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240196617A1. Автор: Seungmin Lee,Bonghyun Choi,Jihwan Yu,Byungman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240206174A1. Автор: Yunji Park,Seulye KIM,Sunggil Kim,Moohyun Kim,Sunhwa LIM,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240222267A1. Автор: Byoungil Lee,Jongyoon Choi,Seungbeom KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of obtaining wide dynamic range image and image pickup device performing the same

Номер патента: US20180167544A1. Автор: Jin-Ho Seo,Young-Kyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of Removing Perchlorate from Water and Vessels and Systems for Practicing the Same

Номер патента: US20200317539A1. Автор: Scott Oliver,Ian COLINAS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-10-08.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of removing particles from a display panel and apparatus for performing the same

Номер патента: US9263708B2. Автор: Joo-Nyung Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Methods of Removing Perchlorate from Water and Vessels and Systems for Practicing the Same

Номер патента: US20180050932A1. Автор: Scott Oliver,Ian COLINAS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20070295918A1. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US7521697B2. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Method of manufacturing electrode for lithium secondary battery and electrode manufactured using the same

Номер патента: US09673444B2. Автор: Jae Hyun Lee,Daehong Kim,Tae Jin Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing electrode for lithium secondary battery and electrode manufactured using the same

Номер патента: US09780359B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jihyun Kim,Daehong Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US6707839B1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1104060A3. Автор: Yasutaka NEC Corporation Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Method of manufacturing membrane-electrode assembly and membrane-electrode assembly manufactured using the same

Номер патента: US11495812B2. Автор: Yong Min Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Tray for transporting semiconductor device and tray system comprising the same

Номер патента: US20240286788A1. Автор: Jae Hong Park,Tae-Geon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of indicating a paper insertion direction and a printer driver using the same

Номер патента: US20050105947A1. Автор: Eun-hui Jung,So-hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of Manufacturing Objects Made Of Plastics Material And Installation For Performing The Same

Номер патента: GB1151651A. Автор: . Владелец: N G T. Дата публикации: 1969-05-14.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of reducing interconnect line to line capacitance by using a low k spacer

Номер патента: WO2007126911A1. Автор: Jun He,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-11-08.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US09865611B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor fabricated by the same method

Номер патента: US7465614B2. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

MIS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5891766A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Mis semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5523257A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhika Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

반도체장치의 캐패시터의 제조방법(Method of fabricating capacitor of semiconductor device)

Номер патента: KR970024154A. Автор: 박동철,김봉현,오영선,황두현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of packet retransmission and reception and wireless device employing the same

Номер патента: US09397779B2. Автор: Jianfeng Wang,Monisha Ghosh,Vasanth Gaddam. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of dynamic frequency selection and an electronic device employing the same

Номер патента: US09775103B2. Автор: Shu-Hao Chang. Владелец: Ambit Microsystems Shanghai Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and method for setting broadcasting program as a background image, and portable device using the same

Номер патента: WO2007100194A1. Автор: Sang-Hyun Kim. Владелец: Ktf Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-09-07.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of setting scanner-controlling input signal and display apparatus applied with the same

Номер патента: US20090073506A1. Автор: Kyu-Bum Han. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of splitting a signal and signal processing circuitry and apparatus utilizing the same

Номер патента: US7200163B2. Автор: Christopher J. Goodings. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-04-03.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20140348281A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of controlling group chatting in portable device and portable device performing the same

Номер патента: US09866506B2. Автор: Eunyeung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of generating discovery code for network entity and network entity using the same

Номер патента: US09661487B2. Автор: Pei-Jung Chen. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of managing power of RF circuits and wireless communication device utilizing the same

Номер патента: US09560580B2. Автор: Chun-Nan Chen. Владелец: Athentek Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating cover window, cover window and display device including the same

Номер патента: EP3919455A1. Автор: Min Ki Kim,Yu Ri Kim,Hoi Kwan Lee,Byeong Beom Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20240260256A1. Автор: Taeyoung EOM,Sunghoon Bae,Halim Noh,Heecheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of estimating the position of a device and an apparatus implementing the same

Номер патента: US09560619B2. Автор: Marten Jeroen Pijl. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20090050871A1. Автор: Yuichi Matsui. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150042385A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of allocating time slots for wireless headset, and wireless headset using the same

Номер патента: US11382099B2. Автор: Haipeng Jin,Mingjian Zheng. Владелец: Telink Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of assessing a biometric during a video call, and system implementing the same

Номер патента: US20240073363A1. Автор: David Tyler,Scott Lien. Владелец: Grandpad Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315034A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432806A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12120882B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4447632A1. Автор: Sujin PARK,HongSoo KIM,Hee-Sung KAM,Byungjoo Go,Janghee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US12126352B2. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of calculating discontinuity of motion vector and fallback performing method using the same

Номер патента: US09998754B2. Автор: Daehyun Kim,Tae Jin Kim,Jae Hun Lee. Владелец: Anapass Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and test system including the same

Номер патента: US09874604B2. Автор: Min-Su Kim,Jin-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of executing fast association function of camera and portable device including the same

Номер патента: US09819871B2. Автор: Jung Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of link adaptation in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: US09674890B2. Автор: Dae Won Lee,Yong Ho Seok,Kyoung Young Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09489992B2. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of executing fast association function of camera and portable device including the same

Номер патента: US09503630B2. Автор: Jung Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Ac consumption controller, method of managing ac power consumption and a battery plant employing the same

Номер патента: US20100312411A1. Автор: John C. Brooke. Владелец: Lineage Power Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Methods of processing images using future frames and image processing devices performing the same

Номер патента: US20240257314A1. Автор: Dongbum CHOI,Jinwoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20080315851A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of controlling battery power, power control apparatus, and portable device using the same

Номер патента: US20090051223A1. Автор: Jae Ho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of determining a filter of a relay and relay for performing the same

Номер патента: US9712264B2. Автор: Inkyu Lee,Han Bae Kong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of responding to a call and mobile communication terminal for implementing the same

Номер патента: US20080132253A1. Автор: Sang Hyun Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of regional color processing based on video content and system using the same

Номер патента: US11516450B1. Автор: Wenjun Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320097A1. Автор: Soo Yong Lee,Jung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Semiconductor System Having The Same

Номер патента: US20230396241A1. Автор: Jae-Woo Seo,Garoom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240099012A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422509A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, system, and device using the same

Номер патента: US11838664B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190138389A1. Автор: Masaaki Hirano,Toru Kawanishi,Tadashi Teranuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344382A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240170067A1. Автор: Changyeon Yu,Jeunghwan Park,Hanmin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor package using the same

Номер патента: US20170033780A1. Автор: Jong Joo SHIM,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074203A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240215248A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Jihong Kim,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160254802A1. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of link adaptation in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: WO2012047067A2. Автор: Dae Won Lee,Yong Ho Seok,Kyoung Young Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of assembling an optical device and optical device assembled according to the same

Номер патента: EP4290850A1. Автор: Arkadiusz Rafalowski,Pawel Hebda. Владелец: Aptivtechnologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of assembling an optical device and optical device assembled according to the same

Номер патента: US20230396866A1. Автор: Arkadiusz Rafalowski,Pawel Hebda. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of allocating time slots for wireless headset, and wireless headset using the same

Номер патента: EP3820128A1. Автор: Haipeng Jin,Mingjian Zheng. Владелец: Telink Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of controlling pop-ups, image forming apparatus, and user terminal using the same

Номер патента: US9883058B2. Автор: Soo-Young Kang. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of controlling pop-ups, image forming apparatus, and user terminal using the same

Номер патента: US20150100921A1. Автор: Soo-Young Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating semiconductor device and apparatus for fabricating the same

Номер патента: KR101779566B1. Автор: 정준호,이장은,김우진,오세충,신희주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating semiconductor devices having alloyed junctions

Номер патента: US3671339A. Автор: Hideo Tateno,Kuniharu Nemoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-06-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Slurry Transfer Device and Slurry Transfer Method Using the Same

Номер патента: US20240339583A1. Автор: Chan Woo Park,Min Gyu Park,Woo Seok Oh. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A2. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Cooking Utensil And Method Of Making The Same

Номер патента: US20240260786A1. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A3. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Cooking Utensil And Method Of Making The Same

Номер патента: US20240262081A1. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167738A2. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167738A3. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of driving a display panel and display device employing the same

Номер патента: US20190172381A1. Автор: Sehyuk PARK,HongSoo KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of fabricating color filter substrate and infrared heating apparatus for the same

Номер патента: US8669024B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulho Kim,Jonggo Lim,Samyeoul Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of fabricating color filter substrate and infrared heating apparatus for the same

Номер патента: US20080226993A1. Автор: Taeyoung Oh,Chulho Kim,Jonggo Lim,Samyeoul Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of diagnosing the lifetime of a structure and system for diagnosing the same

Номер патента: EP3945316A2. Автор: Sung Soo Kim,Young Suk Kim. Владелец: Mactec Corp. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of diagnosing the lifetime of a structure and system for diagnosing the same

Номер патента: EP3945316A3. Автор: Sung Soo Kim,Young Suk Kim. Владелец: Mactec Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of Transferring Power to an Implanted Medical Device Employing a Prosthetic Rib Segment

Номер патента: US20200171228A1. Автор: Kevin Bourque. Владелец: TC1 LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US20150179249A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US09536587B2. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of diagnosing the chances of pregnancy and the diagnostic kit for the same

Номер патента: EP1738167A1. Автор: Jeong-Heon Ko,Cheorl-Ho Kim,Dong-Mok Lee,Tae-Wook Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-03.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US11994226B2. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20230376334A1. Автор: Masahiro Hasegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060038277A1. Автор: Tetsuya Katoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US20240288077A1. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of computer vision based localisation and navigation and system for performing the same

Номер патента: EP4318397A3. Автор: Andrew Maloney. Владелец: Idv Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of preparing sample for amino acid analysis and kit for analyzing the same

Номер патента: EP1033576A3. Автор: Petr Husek. Владелец: Phenomenex Inc. Дата публикации: 2002-04-10.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09870813B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Automatic method of setting a desktop background color and electronic device for using the same

Номер патента: US09761017B2. Автор: Kim-Yeung Sip. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09747113B2. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09696750B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, radio communication terminal using the same, and inter-circuit communication system

Номер патента: US09632568B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US09453202B2. Автор: Theodore T Sand,Robert J Harman, Jr.. Владелец: Vet-Stem Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of controlling erase operation of a memory and memory system implementing the same

Номер патента: US09443599B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn,Hyun-Ju Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of operating a gas recovery system and apparatus for employing the method

Номер патента: CA1259902A. Автор: Gustaaf A.J.M. Van Ditzhuijzen. Владелец: Hoogovens Groep Bv. Дата публикации: 1989-09-26.

Cu-based alloy and method of manufacturing high strength and high thermal conductive forged article using the same

Номер патента: CA2418492C. Автор: Kazuaki Mino. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Apparatus and method for production of fabrics

Номер патента: US6640591B1. Автор: Eugene Haban. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Phase correcting apparatus and method of transmission signal of vehicle radar, and vehicle radar apparatus with the same

Номер патента: US11802960B2. Автор: Kyung Jin You. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated optical semiconductor device and optical gyroscope usinng the same

Номер патента: US5724462A. Автор: Ryoji Suzuki,Toshiya Yuhara,Shigehisa Tanaka,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US10942674B2. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190187933A1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6339342B1. Автор: Masayuki Yoshizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US11455703B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of detecting sleep disorder based on eeg signal and device of the same

Номер патента: US20240081732A1. Автор: Phone Lin,Xin-Xue Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20210183006A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and memory card having the same

Номер патента: WO2006038470A1. Автор: Nobuyoshi Nara. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10360105B2. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Method of computer vision based localisation and navigation and system for performing the same

Номер патента: EP4318397A2. Автор: Andrew Maloney. Владелец: Idv Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

System and method for data structuring for artificial intelligence and a user interface for presenting the same

Номер патента: US11853911B1. Автор: Noam Brezis,Zohar Z. Bronfman. Владелец: Pecan Ai Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160064049A1. Автор: Byung Deuk Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160179377A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160372178A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor Device and Processor System including the Same

Номер патента: EP2793137A3. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device and memory system having the same

Номер патента: US20150026364A1. Автор: Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150221395A1. Автор: Tae Kyun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and processor system including the same

Номер патента: US20140310452A1. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141687A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150332744A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160336058A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Error correction methods and semiconductor devices and semiconductor systems using the same

Номер патента: US20210304807A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20200357445A1. Автор: Yoo Jong Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods of treating a subject for fibromyalgia and compositions for use in the same

Номер патента: WO2023192361A1. Автор: Bruce K. Patterson. Владелец: IncellDx, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20170196912A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. Harman, JR.. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20190255120A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. HARMAN. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20200306317A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. Harman, JR.. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US20230304589A1. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of providing graphical user interface (gui), and multimedia apparatus to apply the same

Номер патента: WO2009131285A1. Автор: Tae-jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-10-29.

A method of operating a coordinator system, coordinator system, and a vehicle with the same

Номер патента: WO2024083321A1. Автор: John Newman. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of custom-defined functions of input device and electronic device using the same

Номер патента: US20140145963A1. Автор: yun-feng Yan,Lin-Yan Yang. Владелец: ASUS TECHNOLOGY PTE LTD. Дата публикации: 2014-05-29.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for enabling maximum performance operation within an extended ambient temperature range

Номер патента: US09432033B2. Автор: Jaideep Dastidar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of mapping physical random access channels

Номер патента: RU2488981C2. Автор: Бо ДАЙ,Пэн ХАО,Чуньли ЛЯН,Бинь ЮЙ,Шуцян СЯ. Владелец: Зте Корпарейшен. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of fabricating a buried bit line and memory device including the same

Номер патента: TWI220315B. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

METHOD OF DYNAMIC FREQUENCY SELECTION AND AN ELECTRONIC DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20170064595A1. Автор: CHANG Shu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

METHOD OF DYNAMIC FREQUENCY SELECTION AND AN ELECTRONIC DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20170353916A1. Автор: CHANG Shu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Method of packet retransmission and reception and wireless device employing the same

Номер патента: CN101933274A. Автор: J·王,M·戈什,V·加达姆. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-12-29.

Ultrasonic systems and methods for locating and/or characterizing intragastric devices

Номер патента: US09895248B2. Автор: Mark C. Brister,Neil R. DRAKE,Sheldon Nelson. Владелец: Obalon Therapeutics Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Reagents and methods for normalization

Номер патента: WO2024173880A1. Автор: Siyuan Chen,Ramsey Ibrahim ZEITOUN,Xuan Yu Elian LEE. Владелец: Twist Bioscience Corporation. Дата публикации: 2024-08-22.

Crystalline forms of n,n-dimethyltryptamine and methods of using the same

Номер патента: US20240199544A1. Автор: Majed Fawaz,Setu KASERA. Владелец: Atai Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, test board for testing the same, and test system and method for testing the same

Номер патента: TWI308964B. Автор: Woo-seop Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-21.

Method of performing color gamut conversion and display device employing the same

Номер патента: US20190147832A1. Автор: Haneul Kim,Byungki CHUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF DRIVING A DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190172381A1. Автор: KIM HONGSOO,PARK Sehyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

METHOD OF DRIVING A DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20200211440A1. Автор: Lee Joo-Young,YUN Young Nam. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120268159A1. Автор: Cho Yong Min,Lee Dong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Machine and Method for Installing Curved Hardwood Flooring

Номер патента: US20120000159A1. Автор: Young Julius. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO EQUIPMENT AND A SIGNAL PROCESSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002824A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Two-fluid cleaning and drying device for small and micro-sized screen

Номер патента: CN209956948U. Автор: 高军鹏. Владелец: Shenzhen Etmade Automatic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-17.

Method of fabricating resistance-reduced semiconductor device

Номер патента: TW200527666A. Автор: Neng-Tai Shih,Yu-Chang Lin,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING QUASI-RESONANT INVERTER AND ELECTRIC HEATING DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120187107A1. Автор: . Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.