3D semiconductor device and structure with metal layers.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11961827B1
Опубликовано: 16-04-2024
Автор(ы): Brian Cronquist, Zvi Or-Bach
Принадлежит: Monolithic 3D Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11916045B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240128237A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11967583B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230335535A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH CONDUCTIVE CARBON LAYERS

Номер патента: US20230010280A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Wei-Yen Woon. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Interconnect structures with conductive carbon layers

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230268321A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11784169B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240321832A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240222333A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US09786636B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258388A1. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Minseung LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, structure and methods

Номер патента: US09640531B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230087787A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230197573A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230253296A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US12080630B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US11881443B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230343679A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20240128165A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09947646B2. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and metnod for forming same

Номер патента: US09666545B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same

Номер патента: US09385081B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09812352B2. Автор: Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11923374B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11990462B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395608A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing 3d semiconductor devices and structures with transistors and memory cells

Номер патента: US20240215267A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

3D semiconductor device and structure

Номер патента: US11791222B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

3D semiconductor devices and structures with transistors

Номер патента: US11956976B2. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

3d semiconductor devices and structures with transistors

Номер патента: US20230397441A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

3d semiconductor device and structure with transistors

Номер патента: US20220130905A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

3D semiconductor devices and structures

Номер патента: US11793005B2. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device fabrication methods and structures thereof

Номер патента: US20220093472A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device having structure for improving voltage drop and device including the same

Номер патента: US09799604B2. Автор: Sung Su Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9543401B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US12027518B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240222368A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US11984445B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240120332A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240274523A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12100646B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449966B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20180151511A1. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339517A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204102A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

3D semiconductor device and structure

Номер патента: US09892972B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

3d semiconductor device and structure with bonding and dram memory cells

Номер патента: US20240213073A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

3D semiconductor device having two layers of transistors

Номер патента: US09613844B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with interconnect structure

Номер патента: US09536826B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

System comprising a semiconductor device and structure

Номер патента: WO2011046844A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Sekar Deepak C. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing interconnecting metal layer thereof

Номер патента: US20240145302A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Bor Chiuan Hsieh,Yu-Shien SHIAH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device fabrication methods and structures thereof

Номер патента: US20240312845A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device fabrication methods and structures thereof

Номер патента: US11996334B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing same

Номер патента: US20240243065A1. Автор: Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09627336B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20160372431A1. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09847294B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162505A1. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including liner structure

Номер патента: US12027419B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Chao-Hsien Peng,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Guanyu Luo,Andy Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device including liner structure

Номер патента: US20240321632A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Chao-Hsien Peng,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with source resistor

Номер патента: US20230260902A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230343707A1. Автор: Eui Bok LEE,WooJin Jang,Rakhwan Kim,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor devices including via structures having a via portion and a barrier portion

Номер патента: US11728268B2. Автор: Eui Bok LEE,WooJin Jang,Rakhwan Kim,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US7049703B2. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210391258A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells

Номер патента: US12068187B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US12136562B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

3D semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US11756822B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

3d semiconductor device and structure with nand logic

Номер патента: US20220230906A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US11876011B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

3d semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US20230343632A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

3d semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US20240112942A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240170319A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240105490A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

3D semiconductor device and structure with bonding

Номер патента: US11923230B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

3d semiconductor device and structure with bonding

Номер патента: US20240055291A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

3D semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US11901210B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230307283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230420283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

3d semiconductor device and structure with bonding

Номер патента: US20230386886A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

3D semiconductor device and structure with bonding

Номер патента: US11830757B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11862503B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11854857B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11804396B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

3D semiconductor device and structure with bonding

Номер патента: US11784082B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240178040A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

3d semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers

Номер патента: US20230352333A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230386890A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230260826A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with oxygen blocking layers

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7414291B2. Автор: Satoru Yamada,Yoshitaka Nakamura,Ryoichi Nakamura,Ryo Nagai,Shigetomi Michimata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12074021B2. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240363338A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

FinFET-based ESD devices and methods for forming the same

Номер патента: US09893052B2. Автор: Jen-Chou Tseng,Wun-Jie Lin,Han-Jen Yang,Ching-Hsiung Lo,Arabinda Das. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

FinFET-based ESD devices and methods for forming the same

Номер патента: US09397098B2. Автор: Jen-Chou Tseng,Wun-Jie Lin,Han-Jen Yang,Ching-Hsiung Lo,Arabinda Das. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor system, device and structure

Номер патента: US09613887B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices having conductive pad structures with multi-barrier films

Номер патента: US12051659B2. Автор: Po-Han Wang,Ing-Ju Lee,Cheng-Ming Wu,Chao-Lung Chen,Po-Hsun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050230712A1. Автор: Satoru Yamada,Yoshitaka Nakamura,Ryoichi Nakamura,Ryo Nagai,Shigetomi Michimata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361119A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP4273916A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyen-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343820A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09799745B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP4235775A2. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-30.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP3876265A1. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor Device Fabrication Method and Structure

Номер патента: US20150279837A1. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317812A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20190326219A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with inner spacer last process

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Jui-Chien Huang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

3D semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US12120880B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for producing a 3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230043191A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Three-dimensional (3D) semiconductor device

Номер патента: US09754962B2. Автор: Chan Sun Hyun,Myung Kyu Ahn,Woo June KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structures with improved planarization uniformity, and related methods

Номер патента: US09728449B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160155709A1. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20010045665A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Three-dimensional (3D) semiconductor device

Номер патента: US9224751B2. Автор: Chan Sun Hyun,Myung Kyu Ahn,Woo June KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Three-dimensional (3D) semiconductor device

Номер патента: US9368511B2. Автор: Chan Sun Hyun,Myung Kyu Ahn,Woo June KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US20170069574A1. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134673B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09870987B2. Автор: Akira Nakajima,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09824971B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09660033B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure for encapsulated die having pre-applied protective layer

Номер патента: US09559029B2. Автор: Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09536833B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09514984B1. Автор: Katsumi Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10439034B2. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190165119A1. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134666A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for thermo-mechanical stress reduction in semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US09960131B2. Автор: Antonella Milani,Paolo Colpani,Andrea Paleari,Lucrezia Guarino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using patterning and dry etching

Номер патента: US09627319B2. Автор: Yasuhiro Kawabata,Satoshi Ogawa,Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Junya Tamaki,Norihiko Nakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12051619B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Contact and die attach metallization for silicon carbide based devices and related methods of sputtering eutectic alloys

Номер патента: US12051669B2. Автор: Scott Sheppard,Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136566B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711391B1. Автор: Chih-Hsiang Yao,Yi-Chun Huang,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09972570B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US11296215B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Pillar-shaped semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US12127385B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761683B2. Автор: Weng Chang,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit (ic) device with metal layer including staggered metal lines

Номер патента: US20240105589A1. Автор: Patrick Morrow,Sukru Yemenicioglu,Shao Ming Koh,June CHOI,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200243676A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Song Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semi-damascene structure with dielectric hardmask layer

Номер патента: US20240297072A1. Автор: Hoonseok Seo,Euibok LEE,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Subtractive metal via with metal bridge

Номер патента: US20240282704A1. Автор: Koichi Motoyama,Chanro Park,Yann Mignot,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222465A1. Автор: Hohyun Kim,Kihwan Kim,Chanho Park,Kitae Kang,Jungyeon Lee,Jiyong LIM,Seongchan JEON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12033965B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Yi-Ming Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device protection using an anti-reflective layer

Номер патента: US12046509B2. Автор: Stephan Voss,Alexander Breymesser,Carsten Schaeffer,Mathias Plappert,Eva-Maria Hof. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190198525A1. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor Device and Method for Forming Passive Circuit Elements With Through Silicon Vias to Backside Interconnect Structures

Номер патента: US20130015554A1. Автор: Qing Zhang,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having features to prevent reverse engineering

Номер патента: US09972585B2. Автор: William Eli Thacker, III. Владелец: Verisiti Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Ic package with metal interconnect structure implemented between metal layers of die and interposer

Номер патента: US20150187690A1. Автор: Brian Young. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20090134519A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Contact stacks to reduce hydrogen in semiconductor devices

Номер патента: US20200098874A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Christopher Jezewski,Harold Kennel,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for fabricating semiconductor device with metal spacers

Номер патента: US11756885B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12046645B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339512A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device having field-effect structures with different gate materials, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09773706B2. Автор: Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming ruthenium conductive structures in a metallization layer

Номер патента: US09589836B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351268A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021683A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,JunYoung KWON,Minseok YOO,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190181088A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20190386128A1. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device including source pad region and drain pad region configured to improve current uniformity and reduce resistance

Номер патента: US12062716B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices, through-substrate via structures and methods for forming the same

Номер патента: US09972534B1. Автор: Li-Che Chen,Hsing-Chao Liu,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Structure with two adjacent metal layers in gate structure

Номер патента: US20220005952A1. Автор: Wang Zheng,Jagar Singh,Sudarshan Narayanan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing device substrate with metal back-gate and structure formed thereby

Номер патента: US20040235284A1. Автор: Fenton McFeely,Paul Solomon,Kevin Chan,Lijuan Huang,Hon-Sum Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method for manufacturing device substrate with metal back-gate and structure formed thereby

Номер патента: US7145212B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Kevin K. Chan,Paul M. Solomon,Fenton R. McFeely,Lijuan Huang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608004B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Mayumi Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

3 dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140361233A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

3 dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8927328B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory device

Номер патента: US20240341099A1. Автор: Kohji Kanamori,Kwangyoung Jung,Jeehoon HAN,Sangyoun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09287495B2. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Methods for etching a metal layer to form an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09960052B2. Автор: Sumit Agarwal,Bradley J. Howard,Mark Hoinkis,Chiu-Pien KUO,Ann Chien. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor Device Comprising a Metal System Including a Separate Inductor Metal Layer

Номер патента: US20120068303A1. Автор: Tsui Ping Chu,Hyung Sun Yook,Poh Ching Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor Device Comprising a Metal System Including a Separate Inductor Metal Layer

Номер патента: WO2010131079A1. Автор: Tsui Ping Chu,Hyung Sun Yook,Poh Ching Sim. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09685347B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09595469B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372381A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09576859B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor image sensor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11538844B2. Автор: Ming-Shing Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

3D semiconductor device and structure

Номер патента: US12094829B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230142628A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Back end of line structures with metal lines with alternating patterning and metallization schemes

Номер патента: US20210082714A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Back end of line structures with metal lines with alternating patterning and metallization schemes

Номер патента: US20210151327A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321750A1. Автор: Ryuji Ueno,Keisuke Miyoshi,Yuki Maekawa,Mikihito Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming modular 3d semiconductor package

Номер патента: US20170084577A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040228B2. Автор: Satoshi Wakatsuki,Masakatsu Takeuchi,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino,Misuzu SATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069025A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and a method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20190267283A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

3d semiconductor apparatus manufactured with a plurality of substrates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021113031A1. Автор: H. Jim Fulford,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

3D semiconductor devices including a supporter and methods of forming the same

Номер патента: US10651197B2. Автор: Sang Jun Hong,Joong Shik Shin,Ee Jou Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673215B1. Автор: Shigeki Kobayashi,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Middle of the line (mol) contact formation method and structure

Номер патента: US20180240703A1. Автор: Xiaobo Chen,Xusheng Wu,Guoliang Zhu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Xinyuan Dou,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200135568A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-30.

Metal-dielectric bonding method and structure

Номер патента: US11978719B2. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09972694B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal-dielectric bonding method and structure

Номер патента: US20220238479A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Metal-dielectric bonding method and structure

Номер патента: US11798913B2. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Packaging method and structure

Номер патента: US09754805B1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Chip scale package (csp) semiconductor device having thin substrate

Номер патента: US20230307325A1. Автор: Jun Lu,Long-Ching Wang,Lin LV,Shuhua ZHOU. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having a multi-layer diffusion barrier and method of making the same

Номер патента: US11742393B2. Автор: Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230066265A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363632A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacuring Copany Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Facet-free epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US11901412B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Winne Victoria Wei-Ning CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Facet-free epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240153997A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240334701A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240349504A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

3D semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US12035531B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device package having lead frame structure with integral spring contacts

Номер патента: US3984166A. Автор: Robert V. Hutchison. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1976-10-05.

3D semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US11991884B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240179915A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240090225A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of forming protection and support structure for conductive interconnect structure

Номер патента: US09484259B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

SGT-including semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613827B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406694B1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20230017372A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding

Номер патента: US20240295691A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Desmear with metalized protective film

Номер патента: US09741606B2. Автор: Zheng Zhou,Sri Ranga Sai Boyapati,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

3d semiconductor structure for wide-bandgap semiconductor devices

Номер патента: US20240014176A1. Автор: Jiun-Lei Yu,Chun-Lin Tsai,Man-Ho Kwan,Ting-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09842815B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09490214B2. Автор: Sang Choon KO,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hokyun Ahn,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175781A1. Автор: Tadanori Suto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with sealed through-substrate via and method for producing thereof

Номер патента: WO2022218610A1. Автор: Georg Parteder,Peter JERABEK. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2022-10-20.

Method, device and system for providing etched metallization structures

Номер патента: US20210289638A1. Автор: Arnab Roy,Timothy White,Hsin-Wei Wang,Suddhasattwa NAD,Nicholas Haehn,Oscar Ojeda,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200266168A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Method, device and system for providing etched metallization structures

Номер патента: US11116084B2. Автор: Arnab Roy,Timothy White,Hsin-Wei Wang,Suddhasattwa NAD,Nicholas Haehn,Oscar Ojeda,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4439651A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4451325A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332107A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332108A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210074844A1. Автор: Hidenobu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of manufacturing semiconductor device and method of laminating metal

Номер патента: US20210020504A1. Автор: Kengo Furutani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09496287B2. Автор: Mitsunori Harada,Yasuhiro Kohara,Hijiri Nakahara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20070155175A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: US20240313079A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: WO2024191596A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220130677A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080083990A1. Автор: Junichi Wada,Akitsugu Hatazaki,Tomio Katata,Jota Fukuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157377A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391442A1. Автор: Stan Chen,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074028B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240363352A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230282739A1. Автор: Po-hsun Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010033025A1. Автор: Takeshi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09812526B2. Автор: Seong Soon Cho,Dongseog EUN,Byoungil Lee,Hyunkook LEE,Kyung-Jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070224761A1. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7534712B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7235849B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09659778B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming low interface resistance rare earth metal contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09934976B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Robert S Chau,Matt Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200075101A1. Автор: Sung-Hun Lee,JoongShik SHIN,Young-bae Yoon,Da Woon JEONG,Seokjung Yun,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Integrated multiple gate length semiconductor device including self-aligned contacts

Номер патента: US09466680B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Rajasekhar Venigalla,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for integrally forming an electrical fuse device and a MOS transistor

Номер патента: US20070221966A1. Автор: Liang-Kai Han,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339570A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Kuo-Cheng Hsu,Ker Tai Chu. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4447641A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Kuo-Cheng Hsu,Ker Tai Chu. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312255A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389291A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

3D SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160042960A1. Автор: CHOI Kang Sik,KIM Jin Ha,Lee Young Ho,CHAE Su Jin,KIM Jun Kwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHODS AND STRUCTURES THEREOF

Номер патента: US20220093472A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US10672869B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH INNER SPACER LAST PROCESS

Номер патента: US20210066473A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH INNER SPACER LAST PROCESS

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Huang Jui-Chien,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-27.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH OXYGEN BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATE-ALL-AROUND STRUCTURE WITH OXYGEN BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200243522A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

3d semiconductor device and structure with oxide bonding

Номер патента: US20230223469A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

3D semiconductor device and structure with oxide bonding

Номер патента: US11757030B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Cured resin film, semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240352275A1. Автор: Masaya TOBA,Yu Aoki,Yuki IMAZU,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: EP3729068A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-28.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: WO2019121931A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Isolated 3D semiconductor device package with transistors attached to opposing sides of leadframe sharing leads

Номер патента: US12074160B2. Автор: Jerome Teysseyre,KeunHyuk Lee,Tiburcio A. Maldo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

3D SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170084740A1. Автор: CHOI Kang Sik,KIM Jin Ha,Lee Young Ho,CHAE Su Jin,KIM Jun Kwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and laser marking method

Номер патента: US20240332205A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Kosuke Masuzawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20080006904A1. Автор: Chear-Yeon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100308433A1. Автор: Chear-Yeon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11764164B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Bang Ning Hsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240312878A1. Автор: Hiroaki Aoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with field electrode and contact structure

Номер патента: US9799738B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

STRUCTURE WITH TWO ADJACENT METAL LAYERS IN GATE STRUCTURE

Номер патента: US20220005952A1. Автор: SINGH Jagar,Narayanan Sudarshan,Zheng Wang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device including ferroelectric layer and insulation layer with metal particles and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230099330A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device including surface-treated semiconductor layer

Номер патента: US12046656B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including a gate structure wrapped around a fin structure

Номер патента: US09437698B2. Автор: Tai-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Device with a Super Junction Structure with One, Two or More Pairs of Compensation Layers

Номер патента: US20140327068A1. Автор: Hirler Franz,Gamerith Stefan,Willmeroth Armin. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

High-voltage semiconductor device having silicon-on-insulator structure with reduced on-resistance

Номер патента: EP0382165A3. Автор: Shinichi Kawai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-03-13.

Semiconductor Device Packaging Methods and Structures Thereof

Номер патента: US20130200529A1. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,I-Hsuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device manufacturing method and structure thereof

Номер патента: JP3862411B2. Автор: 篤山崎,照久藤原,健治扇山. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

Liquid crystal panel transportation device and support arm structure with rotatable ancillary arm sections

Номер патента: US9033645B2. Автор: Zhenhua Guo,Chunhao Wu,Kunhsien Lin,Minghu QI,Zenghong Chen,Yunshao Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Methods of packaging and dicing semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09559005B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yu-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method and structure of thin film transistor backplane

Номер патента: US20160240599A1. Автор: Longqiang Shi,Hejing ZHANG,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device with high-k/dual metal gate

Номер патента: US20090039433A1. Автор: Harry Chuang,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Chii-Horng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: US20230042772A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device packages with exposed heat dissipating surfaces and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230421119A1. Автор: Alexander Komposch,Eng Wah Woo,Kok Meng KAM,Soon Lee Liew. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device packages with exposed heat dissipating surfaces and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2023249887A1. Автор: Alexander Komposch,Eng Wah Woo,Kok Meng KAM,Soon Lee Liew. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING PERFORMING A HEAT TREATMENT AFTER FORMING A METAL LAYER AND A HIGH-K LAYER

Номер патента: US20160013107A1. Автор: KIM Weon-Hong,Song Moon-Kyun,WON Seok-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240128116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and structure for reducing cracks in a dielectric layer in contact with metal

Номер патента: EP2140481A1. Автор: Colin S. Whelan,Barry J. Liles. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-01-06.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US11069735B2. Автор: Kaoru Koike,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor

Номер патента: US20100244193A1. Автор: Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US12131973B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and a method of assembling a semiconductor device

Номер патента: US20240079283A1. Автор: Vegneswary RAMALINGAM. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120149157A1. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20190348394A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20200266173A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US12087840B2. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875902B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653604B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

System-in-package having integrated passive devices and method therefor

Номер патента: SG153719A1. Автор: Yaojian Lin,Robert C Frye. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741829B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10157998B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Hsin-Yi Lee,Chi-Cheng Hung,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10629695B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12080775B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen,Wen-Kai Lin,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837507B1. Автор: Yu-Sheng Wang,Hsin-Yi Lee,Chi-Cheng Hung,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods for manufacturing

Номер патента: US20240379754A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN,Chen Yen Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230317852A1. Автор: Chih-I Wu,Ang-Sheng Chou,I-Chih NI,Shun-Siang JHAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09601581B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and structure for metal gate boundary isolation

Номер патента: US20240379773A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

FinFET doping methods and structures thereof

Номер патента: US09960053B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with metal-semiconductor contacts including oxygen insertion layer to constrain dopants and related methods

Номер патента: US20200161426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Daniel Connelly,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of forming a packaged semiconductor device using ganged conductive connective assembly and structure

Номер патента: US20180350735A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7294900B2. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including substrate which is used in display devices

Номер патента: US09583515B2. Автор: Hiroaki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576802B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US12074222B2. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain

Номер патента: WO2008147433A2. Автор: Michael Francis Pas,Zhibo Zhang,Cloves Rinn Cleavelin,Stephanie Watts Butler,Mike Watson Goodwin,Satyavolu Srininas Papa Rao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178005A1. Автор: Lain-Jong Li,Ming-Yang Li,Chih-Piao CHUU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device and method of forming vertical structure

Номер патента: US12062705B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Shi-Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332217A1. Автор: Chiu-Lang Lin. Владелец: Morningrich Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240102171A1. Автор: Yuya Takahashi,Shunsuke Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device with word lines

Номер патента: US20230397409A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: US20240079246A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device fabrication with removal of accumulation of material from sidewall

Номер патента: US20220122850A1. Автор: Yan-Hong Liu,Yeh-Chien Lin,Jin-Huai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device fabrication with removal of accumulation of material from sidewall

Номер патента: US20200075347A1. Автор: Yan-Hong Liu,Yeh-Chien Lin,Jin-Huai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: WO2024049609A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device fabrication with removal of accumulation of material from sidewall

Номер патента: US12014933B2. Автор: Yan-Hong Liu,Yeh-Chien Lin,Jin-Huai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Mesa semiconductor device formed by etch removal of material between two metal layers

Номер патента: CA973975A. Автор: Hendrikus G. Kock. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-09-02.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

SRAM Structure with Reduced Capacitance and Resistance

Номер патента: US20170301394A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

SRAM Structure with Reduced Capacitance and Resistance

Номер патента: US20170154671A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

SRAM Structure with Reduced Capacitance and Resistance

Номер патента: US20190108871A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

SRAM structure with reduced capacitance and resistance

Номер патента: US09704564B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333888A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286827A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: US09977854B2. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200118965A1. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US20200105986A1. Автор: Yasuo Kato,Kazuya Matsuda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Metallic structure for optical semiconductor device, method for producing the same, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US20220005986A1. Автор: Yasuo Kato,Kazuya Matsuda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor Device Packaging Methods and Structures Thereof

Номер патента: US20160133536A1. Автор: Lin Jing-Cheng,PENG I-Hsuan,Lu Szu-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor Device with a Super Junction Structure with Compensation Layers and a Dielectric Layer

Номер патента: US20140327104A1. Автор: Gamerith Stefan,Willmeroth Armin,Schmitt Markus,Fischer Bjoern. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司竹中,克義山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11935949B1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240079488A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20230378339A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11869965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240145289A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional (3d) semiconductor devices and methods of fabricating 3d semiconductor devices

Номер патента: US20160240555A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and photosensitive device

Номер патента: US20240047599A1. Автор: Zhiwei Tan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US12096625B2. Автор: Jiyoung Kim,Junyoung Choi,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691714B2. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

3d semiconductor package with die-mounted voltage regulator

Номер патента: EP4454014A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor structure with anti-efuse device

Номер патента: US09754903B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Ic with thin film resistor with metal walls

Номер патента: US20200381358A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Honglin Guo,Gregory Boyd SHINN,Benjamin James TIMMER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Ic with thin film resistor with metal walls

Номер патента: EP3830865A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Honglin Guo,Gregory Boyd SHINN,Benjamin James TIMMER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Ic with thin film resistor with metal walls

Номер патента: US20200035598A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Honglin Guo,Gregory Boyd SHINN,Benjamin James TIMMER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20170352679A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Ic with thin film resistor with metal walls

Номер патента: WO2020023743A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Honglin Guo,Gregory Boyd SHINN,Benjamin James TIMMER. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-01-30.

IC with thin film resistor with metal walls

Номер патента: US11424183B2. Автор: Qi-Zhong Hong,Honglin Guo,Gregory Boyd SHINN,Benjamin James TIMMER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12120884B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240049458A1. Автор: KANG Yang,Yi Zhou,Ziyu ZHANG,Zhiyong Cai,Hsing-An LO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210287982A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of forming a vertical double gate semiconductor device and structure thereof

Номер патента: EP1476901A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Leo Mathew,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-11-17.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with ferroelectric layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12119402B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240365555A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Interconnect with metal via structures

Номер патента: US20240153866A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device

Номер патента: US12041830B2. Автор: Jong Hyun Choung,Hong Sick Park,Jae Uoon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Trench type power transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20130069143A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chia-Hui Chen,Sung-Shan Tai,Shian-Hau Liao. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US12089444B2. Автор: Takeshi Yaneda,Tohru Okabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290759A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080303161A1. Автор: Akio Hirose,Kojiro Kobayashi,Masanori Yamagiwa. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12119292B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US10777540B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014146A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804449B2. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246539A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor package having partial outer metal layer and packaging method thereof

Номер патента: US20210288003A1. Автор: Ying-Lin Chen,Shih-Chun Chen,Sheng-Tou Tseng,Chin-Ta Wu,Kun-Chi Hsu,Ting-Yeh WU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of producing an etching mask, method of etching a structure into a substrate, use of a tetrel layer and structure for producing a mask

Номер патента: US20240304446A1. Автор: Martin TILKE,Meik PANITZ,Sabine Zybell,Lutz RAUPACH. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Thermal Interface Materials, 3D Semiconductor Packages and Methods of Manufacture

Номер патента: US20220375814A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Li-Chung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Methods of packaging semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09673098B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Yi-Hang Lin,Tsan-Hua Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor element, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09553063B2. Автор: Akira Yamada,Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Kenji Ohtsu,Taku Kusunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of packaging semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09406581B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Yi-Hang Lin,Tsan-Hua Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Thermal interface materials, 3D semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US12021008B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Li-Chung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

High power density 3D semiconductor module packaging

Номер патента: US12068298B2. Автор: Haihui Luo,Yangang WANG,Guoyou Liu. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked 3D semiconductor memory structure

Номер патента: US09911749B2. Автор: Kei Sakamoto,Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

3D semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859299B2. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Oxidation and corrosion prevention in semiconductor devices and semiconductor device assemblies

Номер патента: US12051661B2. Автор: George Chang,Srinivasa Reddy Yeduru. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices and their manufacture

Номер патента: US20020008327A1. Автор: John Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341504A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240112981A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Changoh Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of producing semiconductor wafer

Номер патента: US20140008698A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Masao Shimada,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Sadanori Yamanaka,Taro Itatani,Eiji Kume. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230144657A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032066A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411330A1. Автор: Tatsuo Migita,Masatoshi Shomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate

Номер патента: US09966517B2. Автор: Koichi Suzuki,Akira Sakamoto,Yoshinori Murata,Kazunori Oda,Kenzaburo Kawai,Megumi Oishi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate

Номер патента: US09887331B2. Автор: Koichi Suzuki,Akira Sakamoto,Yoshinori Murata,Kazunori Oda,Kenzaburo Kawai,Megumi Oishi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

SiC semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401411B2. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and structure for detecting physical short-circuit defect between first metal layer and gate below

Номер патента: US11764116B2. Автор: Shuhua Lei. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device including a gate electrode of lower electrical resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048274A1. Автор: Hyun-Young Kim,Jin-gi Hong,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Resin sealed semiconductor device with stress-reducing layer

Номер патента: EP1275148A1. Автор: John R. Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120104400A1. Автор: Yi-Wei Lee,Ching-Yun Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240282589A1. Автор: Chih-Wei Chang,Ting-Yu Yeh,Han-Hsiang Huang,Chun-Hsien Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20240332250A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming flipchip interconnection structure with bump on partial pad

Номер патента: US09345148B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US20210407894A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP3787020A1. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312947A1. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432333A2. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240347496A1. Автор: Ker-Yih Kao,Yen-Fu Liu,Wen-Hsiang Liao,Ming-Hsien Shih,Cheng-Tse TSAI. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

3d semiconductor device, structure and methods

Номер патента: WO2019060798A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

3d semiconductor device, structure and methods

Номер патента: EP3685440A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Bonding Structure With Buffer Layer And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20070056163A1. Автор: Yuan-Chang Huang,Shu-Ming Chang,Su-Tsai Lu,Shyh-Ming Chang,Yao-Sheng Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

3d memory devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240090242A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

3D memory devices and structures with metal layers

Номер патента: US11930648B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Bonding of substrates including metal-dielectric patterns with metal raised above dielectric and structures so formed

Номер патента: US20130307139A1. Автор: David L. Rath,Kuan-Neng Chen,Sampath Purushothaman,Anna W. Topol,Bruce K. Furman,Cornelia K. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230299038A1. Автор: Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110183483A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hyun-Gi Kim,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim,Kang-Uk Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130155358A1. Автор: Jung Ho Son,Kang Il Kim,Jung Il Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243152A1. Автор: Kuem Ju LEE,Jeong Mook CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound sn/sb

Номер патента: US20200105704A1. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound Sn/Sb

Номер патента: US11069644B2. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US11937422B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Power electronics assemblies with metal inverse opal bonding, electrical contact and cooling layers, and vehicles incorporating the same

Номер патента: US20190237425A1. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Pad structure of semiconductor device and formation method

Номер патента: US20070138655A1. Автор: Young Wook Shin. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332344A1. Автор: Masaki Yamada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

3D semiconductor device with reduced chip size

Номер патента: US09837419B2. Автор: Sung Lae OH,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with metal fill by treatment of mobility layers including forming a refractory metal nitride using TMEDT

Номер патента: US6984874B2. Автор: John H. Givens,Russell C. Zahorik,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-10.

Memory device and hybrid spacer thereof

Номер патента: US11469240B2. Автор: Chuan Yang,Shuangshuang PENG,Liheng LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Color image sensor with metal mesh to detect infrared light

Номер патента: US09674493B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Gang Chen,Dyson H. Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Image sensors with metal-covered optical black pixels

Номер патента: US10735672B2. Автор: Jae Park,Emanuele Mandelli,Carey Tanner. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Semiconductor device including bonding pad metal layer structure

Номер патента: US11764176B2. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Chip scale light emitting device with metal pillars in a molding compound formed at wafer level

Номер патента: EP2859597A1. Автор: Salman Akram,Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel,Mooi Guan Ng. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-04-15.

Chip scale light emitting device with metal pillars in a molding compound formed at wafer level

Номер патента: US20150144971A1. Автор: Salman Akram,Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel,Mooi Guan Ng. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-05-28.

Chip scale light emitting device with metal pillars in a molding compound formed at wafer level

Номер патента: US09406857B2. Автор: Salman Akram,Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel,Mooi Guan Ng. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Power electronics assemblies having a semiconductor device with metallized embedded cooling channels

Номер патента: US10121729B2. Автор: Ercan M. Dede,Yuji Fukuoka,Kyosuke Miyagi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

3d memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US20230402098A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

3D memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US11869591B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090101902A1. Автор: Chien-Hung Chen,Han-Tu Lin,Shiun-Chang Jan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-04-23.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120115265A1. Автор: Chien-Hung Chen,Han-Tu Lin,Shiun-Chang Jan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-10.

Thin film anisotropic magnetoresistor device and formation

Номер патента: US12069956B2. Автор: Dok Won Lee,Fuchao Wang,William David French,Christopher Eric Brannon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

CMOS image sensor structure with IR/NIR integration

Номер патента: US09917132B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Kun-Huei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301102A1. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200144345A1. Автор: Yongsu Lee,Sanggun Choi,Myounggeun Cha,Kiseok Choi,Jiyeong SHIN,Sangsub KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253283A1. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Light-emitting chip structure, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20240313037A1. Автор: Zeyao Li,Baohong KANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US8513772B2. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US20130127578A1. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and termination region structure thereof

Номер патента: US20140312452A1. Автор: Wen-Bin Lin. Владелец: Economic Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Stress-releasing solder mask pattern for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20240057265A1. Автор: Ling Pan,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Stacked type semiconductor device and printed circuit board

Номер патента: WO2013051247A1. Автор: Yoshitomo Fujisawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US20010017421A1. Автор: Michael Rother. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US6417564B2. Автор: Michael Rother. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-09.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12074195B1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282865A1. Автор: Mei-Ling Chen,Li-Ming Chang,Hsu-Heng Lee. Владелец: Invinci Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Schottky Barrier Control in Vertically Oriented Semiconductor Devices As Well As a Corresponding Power Device

Номер патента: US20240363768A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006295A1. Автор: Yao-Wen Hsu,Kuang-Ming FAN,Chung-Chun CHENG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240097045A1. Автор: Makoto Mizukami,Yoichi Hori,Yuto Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12046549B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

A semiconductor device

Номер патента: WO2001001485A3. Автор: Henricus G R Maas,Deurzen Maria H W A Van. Владелец: Deurzen Maria H W A Van. Дата публикации: 2001-05-03.

Method for producing package substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: US12119277B2. Автор: Yoshihiro Kato,Syunsuke Hirano,Takaaki Ogashiwa. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device, structure and methods with connectivity structures

Номер патента: US12029050B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

3d semiconductor device and 3d logic array structure thereof

Номер патента: US20150091064A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240215274A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10825868B2. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-03.

3d semiconductor device, structure and methods with connectivity structures

Номер патента: US20240121968A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

LED Packaging Structure With Blind Hole Welding Device

Номер патента: US20100219443A1. Автор: Wen-Joe Song. Владелец: Kingbright Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09419011B2. Автор: Jin-woo Park,Seok-Won Lee,Seungwoo Paek,Kyoung-hoon Kim,Sunyeong LEE,Taekeun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

In-cell OLED touch display panel structure with metal layer for sensing

Номер патента: US09478590B2. Автор: Hsiang-Yu Lee. Владелец: SuperC-Touch Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203970A1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

3d semiconductor memory device and structure

Номер патента: US20240090241A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140248729A1. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsufumi Kondo,Kimitaka Yoshimura,Tokuhiko Matsunaga,Takashi HAKUNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315024A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Yefei HAN,Kazushi Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315016A1. Автор: Teruhisa SONOHARA,Seungkeun BAEK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

3D semiconductor device with enhanced performance

Номер патента: US09524984B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09391036B2. Автор: Hiizu Ootorii,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Vertical light-emitting diode structure with metal layer capable of testing and protecting sidewalls

Номер патента: US20220115571A1. Автор: Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang,Tzeng-Guang Tsai. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same

Номер патента: US20150104657A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same

Номер патента: US09960325B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20170338021A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US10157633B2. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-18.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20190139568A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-09.

3d semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074185A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US09741895B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240243238A1. Автор: Chin-I Lin,Shih-I Chen,Chun-Ming Wu,Ya-Nan Lin,Chun-Ru Yang. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Power module substrate, power module substrate with metal part, power module with metal part, method for producing power module substrate, and method for producing power module substrate with metal part

Номер патента: US9693449B2. Автор: Shuji Nishimoto,Yoshiyuki Nagatomo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180130512A1. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of evaluating core based system-on-a-chip (SoC) and structure of SoC incorporating same

Номер патента: US20020170007A1. Автор: Rochit Rajsuman. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Type configurable memory methodology for use with metal programmable devices

Номер патента: US7143386B2. Автор: Jeffrey Scott Brown. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-11-28.

Type configurable memory methodology for use with metal programmable devices

Номер патента: US20050041511A1. Автор: Jeffrey Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230309348A1. Автор: Yu-gwang Jeong,Subin BAE,SungWon Cho,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dongmin LEE,Sungjoo Kwon,Joonyong Park,Hyunah SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP4436348A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Yi-Cheng Liu,Maochung LIN,Chiu Yen SU. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Increasing response of the quantum semiconductor device by employing metamaterial structure

Номер патента: EP4451345A1. Автор: Vladislovas ČIŽAS,MINKEVIČIUS Linas,Karolis Redeckas,Vytautas Jakstas,Grigelionis Ignas. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2024-10-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865319B2. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

3D memory process and structures

Номер патента: US09859292B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US09553239B2. Автор: Nobuaki Matsui,Takao Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Monolithic integration of optical waveguides with metal routing layers

Номер патента: US11906351B1. Автор: Michael Gehl,Randolph R. Kay,Daniel Stick,Christopher Todd DeRose,Hayden James McGuinness,Matthew G. Blain. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301098A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150349207A1. Автор: Hisashi Kasai,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140091350A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8791498B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Display substrate, display device and manufacturing method of the display substrate

Номер патента: US20240170496A1. Автор: Jianjun Wang,Weitao CHEN,Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Substrate surface structured with thermally stable metal alloy nanoparticles, a method for preparing the same and uses thereof, in particular as a catalyst

Номер патента: US09352278B2. Автор: Joachim P. Spatz,Sebastian Lechner. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal tone decorative sheet and metal tone decorative molded body provided with metal tone decorative sheet

Номер патента: US20230033148A1. Автор: Tsuyoshi Amano,Atsushi Tokumitsu,Yuki Togo. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

Metal tone decorative sheet and metal tone decorative molded body provided with metal tone decorative sheet

Номер патента: EP4082775A1. Автор: Tsuyoshi Amano,Atsushi Tokumitsu,Yuki Togo. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-11-02.

Integrally gated carbon nanotube field ionizer device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20070284631A1. Автор: David S.Y. Hsu,Jonathan L. Show. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Display device and mobile display having a semi-transparent metal layer

Номер патента: US7268488B2. Автор: Seoung-Yoon Ryu. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing a trench channel for vacuum transistor device and vacuum transistor device

Номер патента: US10102996B2. Автор: Antonino FIUMARA,Marcello Frazzica,Giuseppe Digrazia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Card with metal layer and an antenna

Номер патента: US20170300800A1. Автор: David Finn,John Herslow,Michele Logan. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

Card with metal layer and an antenna

Номер патента: US09721200B2. Автор: David Finn,John Herslow,Michele Logan. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Surface mountable laminated circuit protection device and method of making the same

Номер патента: US20020140540A1. Автор: Chih-Yi Chang,Tung-Hsiang Liu,Rei-Yian Chen. Владелец: Protectronics Technology Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US11907791B2. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Amatech Group Lijited. Дата публикации: 2024-02-20.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US20210192312A1. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-24.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US20210056375A1. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for fabricating a carrier with a three dimensional inductor and structure thereof

Номер патента: US20130002387A1. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Coil component, circuit board arrangement, electronic device, and method of manufacturing coil component

Номер патента: US20230197328A1. Автор: Hirotaka WAKABAYASHI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

The professing method for resin-made film with micro through hole in resin film and a device and the micro structure with the same

Номер патента: TW200624238A. Автор: Yoshihiro Hirata,Jun Yorita. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2006-07-16.

Semiconductor device, design method and structure

Номер патента: US7968393B2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Device and method controlling structure with use of signals propagating in mutually antithetical directions to establish localization of disturbances

Номер патента: RU2226270C2. Автор: Эдвард Е. ТАПАНЕС,Джим КАТСИФОЛИС,Джейсон Р. ГУД. Владелец: Фьючер Файбе Текнолоджиз Пти Лтд.. Дата публикации: 2004-03-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Methods of packaging acoustic wave resonator devices on wafers and related wafers and structures

Номер патента: US20240258991A1. Автор: Robert Charles DRY,Mary Winters,Kenneth Fallon,Carlos R. Padilla,Ethan Gram,Westbrook Hoose. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bulk acoustic wave resonator with metal bonding layer

Номер патента: WO2024110844A1. Автор: Guojun WENG. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Display device with metal layer between pixel defining layer and opposite electrode

Номер патента: US20230180535A1. Автор: Soomin Lee,Deokhoi Kim,Minsu Lee,Sanghyun Lim,Changyong Lee,Sungin RO,Soonmyung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

3D semiconductor memory device

Номер патента: US12101937B2. Автор: Youngwoo KIM,Jaesung Kim,Dawoon JEONG,Hyoungryeol IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Bulk acoustic wave device structure with metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20240356529A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Taecheol Shon,David Albert Feld,Zongliang Cao. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US20050224892A1. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US7244653B2. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-17.

Apparatus for providing shared reference device with metal line formed from metal layer with lower resistivity compared to other metal layers in processor

Номер патента: US09768780B2. Автор: Luke A. Johnson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Manufacturing method of metal structure in multi-layer substrate and structure thereof

Номер патента: US20080292892A1. Автор: Chih-Kuang Yang. Владелец: Princo Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Sram device and 3d semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20230337443A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Sang-Yeop BAECK,Dae Young Moon,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Electrode structure for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US20140084233A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic device

Номер патента: US20240324302A1. Автор: Arong Kim,Youngmin Moon,Heemin Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic device

Номер патента: EP4436335A1. Автор: Arong Kim,Youngmin Moon,Heemin Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Display device with metal layer between pixel defining layer and opposite electrode

Номер патента: US11997885B2. Автор: Soomin Lee,Deokhoi Kim,Minsu Lee,Sanghyun Lim,Changyong Lee,Sungin RO,Soonmyung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074286A1. Автор: Changhee Lee,Yung Bin Chung,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Sungjoo Kwon,Taewook Kang,Joonyong Park,Samtae Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and electronic system including the same

Номер патента: US20240324205A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Acoustic Wave Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240305260A1. Автор: Hao-Min Huang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

MEMS device and corresponding micromechanical structure with integrated compensation of thermo-mechanical stress

Номер патента: US09815687B2. Автор: Angelo Antonio Merassi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-14.

Metal dust preheating device and the 3D printing equipment with metal dust preheating device

Номер патента: CN107812945A. Автор: 王飞,李鹏,杨洋,程灵钰,丘廉芳,孟引根. Владелец: Shanghai Aerospace Equipments Manufacturer Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Electrically heatable honeycomb structure with several sheet metal layers which are electrically connected to a connector pin

Номер патента: EP2802752B1. Автор: Peter Hirth,Thomas Harig,Rolf Bruck,Ferdi Kurth. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-05-04.

MEMS DEVICE AND CORRESPONDING MICROMECHANICAL STRUCTURE WITH INTEGRATED COMPENSATION OF THERMO-MECHANICAL STRESS

Номер патента: US20140252509A1. Автор: Merassi Angelo Antonio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2014-09-11.

MEMS DEVICE AND CORRESPONDING MICROMECHANICAL STRUCTURE WITH INTEGRATED COMPENSATION OF THERMO-MECHANICAL STRESS

Номер патента: US20160207757A1. Автор: Merassi Angelo Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Storage Device and Improved Basket Structure with Hooks

Номер патента: US20170259959A1. Автор: NILSSON Peter,TSAI Grand. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Negative stiffness device and seismic isolation structure with the device

Номер патента: TW200804663A. Автор: Osamu Kochiyama,Yukihiro Hosono,Hirokazu Iemura. Владелец: Hirokazu Iemura. Дата публикации: 2008-01-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND A WEARABLE STRUCTURE WITH LIGHT FUNCTION

Номер патента: US20160187574A1. Автор: Tseng Shen-Ko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Negative stiffness device and seismic isolation structure with the device

Номер патента: TWI371516B. Автор: Takahito Nakamura,Osamu Kochiyama. Владелец: Oiles Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-01.

Negative stiffness device and seismic isolation structure with the device

Номер патента: TWI374983B. Автор: Osamu Kochiyama,Yukihiro Hosono. Владелец: Oiles Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-21.

Card with metal layer and electrostatic protection

Номер патента: US09569718B2. Автор: John Herslow. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Diaphragm with metal layer

Номер патента: RU2465144C1. Автор: Яхуа ХОДЖАТ. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-27.

Multi-metal layered card

Номер патента: US20160004944A1. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Multi-metal layered card

Номер патента: EP3061032A1. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Multi-metal layered card

Номер патента: US09547814B2. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Super-resolution microscopy methods and systems enhanced by dielectric microspheres or microcylinders used in combination with metallic nanostructures

Номер патента: US09835870B2. Автор: Vasily N. Astratov,Nicholaos I. Limberopoulos,Augustine M. URBAS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Particle separator with metal layer permeable for exhaust gas flow

Номер патента: RU2568351C2. Автор: Ферди КУРТ,Лудвиг ВИРЕС,Йоахим ЗИТТИГ,Михаэль ФОЙТ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2015-11-20.

A dual interface smart card with metal face layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240242055A1. Автор: Abhay GUPTE,Sushir Rao,Shrikanth N. DEVADIGA,Nishanth N. SHET,Nagabhushan S. BHAT,Sudhish S. RAO. Владелец: Mct Cards & Technology Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Composite laminates with metal layers and methods thereof

Номер патента: US12065742B2. Автор: Eric Alan Bruton,Kenneth W. Young,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Multilayer structures, laminates, and articles with metal layers

Номер патента: EP4247636A1. Автор: Bo Xu,Jingyi Xu. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-27.

Procedure for hardening metal component and structure element with metal component made by this procedure

Номер патента: RU2400347C2. Автор: Кадзуюки ОГУРИ,Такахиро СЭКИГАВА,Акико ИНОЭ. Владелец: Мицубиси Хеви Индастрис, Лтд.. Дата публикации: 2010-09-27.

Material with metallic layer for inflatable safety device

Номер патента: US20240208654A1. Автор: Dan Kline. Владелец: Air Cruisers Co LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Material with metallic layer for inflatable safety device

Номер патента: WO2024137535A1. Автор: Dan Kline. Владелец: Air Cruisers Company, LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Method and structure of monolithically integrated absolute pressure sensor

Номер патента: US09340414B2. Автор: Anthony F. Flannery, JR.,Shingo Yoneoka. Владелец: MCube Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Methods for preparation of overlaid metal layers

Номер патента: CA1257056A. Автор: Koji Hashimoto,Naokazu Kumagai,Katsuhiko Asami. Владелец: Daiki Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Surface treatment method for magnesium alloy object and structure thereof

Номер патента: US12018389B2. Автор: Hsiang-Jui Wang,Shun-jie Yang,Cheng-Ping HSIAO. Владелец: Ju Teng International Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Steel wire with metal layer and roughnesses

Номер патента: US20060292389A1. Автор: Filip Acx. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2006-12-28.

Protective element with metal coating

Номер патента: RU2428316C2. Автор: Манфред ХАЙМ,Мариус ДИХТЛЬ,Марио КЕЛЛЕР,Бернард ВИДНЕР. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2011-09-10.

Device and method of inductive sealing of several sheets of multilayered material

Номер патента: RU2682887C1. Автор: Мартин МАХ. Владелец: Элопак Ас. Дата публикации: 2019-03-22.

Methods of synthesizing chabazite zeolites with controlled aluminum distribution and structures made therefrom

Номер патента: US20170107114A1. Автор: Rajamani P. Gounder,John Rocco Di Iorio. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-20.

Test circuit for 3d semiconductor device and method for testing thereof

Номер патента: US20170300392A1. Автор: Sung Ho Kang,In Geol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-10-19.

Composite fibrous material with metal matrix, and method used for its manufacture

Номер патента: RU2465364C2. Автор: Мартин ЭНГЛЬХАРТ,Ханс КРУГ,Дитрих ЙОНКЕ,Хельмут ПИРИНГЕР,Мартин ЭНГЛЬХАРТ (DE),Ханс КРУГ (DE),Дитрих ЙОНКЕ (DE),Хельмут ПИРИНГЕР (DE). Владелец: Эрбус Сас. Дата публикации: 2012-10-27.

Integrated thin-film resistive sensor with integrated heater and metal layer thermal equalizer

Номер патента: US12066514B2. Автор: Zhong You,Vamsikrishna Parupalli. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Test circuit for 3D semiconductor device and method for testing thereof

Номер патента: US10095591B2. Автор: Sung Ho Kang,In Geol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-10-09.

Embedded-tissue label with metal detection capability

Номер патента: CA3220637A1. Автор: Gourgen AMBARTSOUMIAN. Владелец: 13652611 Canada Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Embedded-tissue label with metal detection capability

Номер патента: US20240169862A1. Автор: Gourgen AMBARTSOUMIAN. Владелец: 13652611 Canada Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Kochetov stand for testing destructive elements of buildings and structures

Номер патента: RU2585794C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-06-10.

Explosion proof panel for protection of industrial buildings and structures from emergency situation

Номер патента: RU2656417C2. Автор: Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-06-05.

Multiple band reflector with metal and dielectric layers

Номер патента: EP2030051A2. Автор: Jaime Li,Steven Barth. Владелец: CPFilms Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Magnetic media access head with metal coating

Номер патента: US20160027454A1. Автор: Richard Henry Dee. Владелец: Quantum Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

Magnetic media access head with metal coating

Номер патента: US09595272B2. Автор: Richard Henry Dee. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods, devices, and support structures for assembling optical fibers in catheter tips

Номер патента: US20210259767A1. Автор: David Gonzalez,Jorge Jimenez,Alexandre Romoscanu,Matthieu Duperron,Juan Sancho Dura,Sara MAS GÓMEZ,Carlos SANZ MORENO. Владелец: Medlumics SL. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods, devices, and support structures for assembling optical fibers in catheter tips

Номер патента: CA3162651A1. Автор: David Gonzalez,Jorge Jimenez,Alexandre Romoscanu,Matthieu Duperron,Juan Sancho Dura,Sara MAS GÓMEZ,Carlos SANZ MORENO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Universal kit for building low-rise buildings and structures

Номер патента: RU2605654C2. Автор: Геннадий Бернардович Вержбовский,Алексей Григорьевич Жданов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2016-12-27.

System for segmenting images of buildings and structures

Номер патента: RU2734058C1. Автор: Анна Александровна Островская,Владимир Вячеславович Хрящев. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2020-10-12.

Anti-explosion proof panel for protection of industrial buildings and structures from emergency situation

Номер патента: RU2657498C2. Автор: Анна Михайловна Стареева. Владелец: Анна Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-06-14.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180081487A1. Автор: Yoshinori Aoki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10303290B2. Автор: Yoshinori Aoki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Method for coating of superabrasive with metal

Номер патента: RU2247794C2. Автор: Дж. Гэри БЭЛДОНИ,Ричард М. ЭНДРЮС,Эрл Г. Мл. ГИЭРИ,Дуглас Х. ШОУ. Владелец: Сент-Гобэн Абразивс, Инк.. Дата публикации: 2005-03-10.

Fluid transporting pipe with metallic layer

Номер патента: GB2328727A. Автор: Jean-Maurice Beurrier,Jer Me Pignatel. Владелец: Draftex Industries Ltd. Дата публикации: 1999-03-03.

Smartcards with metal layers

Номер патента: EP4202763A1. Автор: Jean-Luc Meridiano,Claude COLOMBARD,Sébastien Subra,Stéphanie MILANINI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-06-28.

Smartcards with metal layers

Номер патента: WO2023118268A8. Автор: Jean-Luc Meridiano,Claude COLOMBARD,Sébastien Subra,Stéphanie MILANINI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-08-03.

Liquid crystal display device and method for making the same

Номер патента: US20090190055A1. Автор: Chien-Hung Chen,Li-Kai Chen. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Touch display device and display panel

Номер патента: US20230205375A1. Автор: Dongjoong CHA,Wonchang Do,Taeyeon Yoo,Minseob SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Mode converter, mode conversion device and optical device

Номер патента: US20240353620A1. Автор: Masaaki Ono,Masaya Notomi,Akihiko Shinya. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAINED CHANNELS INDUCED BY HIGH-K CAPPING METAL LAYERS

Номер патента: US20130075826A1. Автор: Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor Devices, Packaging Methods and Structures

Номер патента: US20130026623A1. Автор: LAI Yi-Jen,Tseng Ming Hung,CHEN Yu-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device contact process and structure

Номер патента: TW582094B. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device contact process and structure

Номер патента: TW200421537A. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Storage device and improved basket structure with hook

Номер патента: CN106998907B. Автор: 彼得·尼尔森,蔡正源. Владелец: Elfa International AB. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты