Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Manufacturing method of a semiconductor structure

Номер патента: US11444206B2
Опубликовано: 13-09-2022
Автор(ы): Chen-Chung Wu, Chia-Ming Chang, De-Zhang Deng, Po-Liang Yeh
Принадлежит: AU OPTRONICS CORP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Crystallization method of metal oxide semiconductor layer, semiconductor structure, active array substrate, and indium gallium zinc oxide crystal

Номер патента: TWI651848B. Автор: 葉家宏,黃景亮. Владелец: 友達光電股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-21.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882055B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240266222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09779937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

LITHOGRAPHIC STACK EXCLUDING SiARC AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20150332934A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu,ZHAO Lun,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

METHOD OF LOCALLY STRESSING A SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150044827A1. Автор: Rideau Denis,Morin Pierre,Nier Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Method of fabricating a lattice-mismatched semiconductor structure with reduced dislocation defect densities

Номер патента: EP2595175B1. Автор: Zhiyuan Cheng,James Fiorenza,Glyn Braithwaite,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09899216B2. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170301541A1. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190385858A1. Автор: Tai-Chun Huang,Bang-Tai Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: US20220093398A1. Автор: Zhenyu Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: US11961737B2. Автор: Zhenyu Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200043806A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893183B2. Автор: Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837533B2. Автор: Chun-yi Lee,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991256B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of manufacturing semiconductor device using single slurry chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20230215926A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Ilyoung Yoon,JaEung Koo,Boun Yoon,Joongsuk Oh,Kangchun LEE,Junhwan Yim,Huiteak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: KR101316959B1. Автор: 폴 그리샴,브렌트 디. 길겐,워너 주엥링,리차드 에이치. 레인. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-10-11.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: TWI396252B. Автор: Werner Juengling,Brent D Gilgen,Paul Grisham,Richard H Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-11.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: EP3082156A1. Автор: Brent D. GILGEN, Paul GRISHAM, Richard H. LANE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: KR20120108066A. Автор: 폴 그리샴,브렌트 디. 길겐,워너 주엥링,리차드 에이치. 레인. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Manufacturing method of semiconductor thin film transistor and display panel using the same

Номер патента: US20200006405A1. Автор: Shin-Chuan Chiang,Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190371942A1. Автор: Baudot Sylvain Henri,Bossu Germain. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038900A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-04-28.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150270375A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Formation of a III-N Semiconductor Structure

Номер патента: US20190362967A1. Автор: Zhao Ming,Guo Weiming. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US20170025442A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

[thin film transistor manufacture method]

Номер патента: US20040166614A1. Автор: Yu-Chou Lee,Yi-Tsai Hsu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor Device Comprising a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240661A1. Автор: Hirler Franz,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Manufacturing method of silicon carbide wafer and semiconductor structure

Номер патента: US11987902B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method and structure of a surface-mounting type diode co-constructed from a silicon wafer and a base plate

Номер патента: US20110272777A1. Автор: Paul Wu,Wen-Ping Huang. Владелец: FORMOSA MICROSEMI Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Structures for power transistor and methods of manufacture

Номер патента: US20120248534A1. Автор: Qin Huang,Yuming Bai. Владелец: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Manufacturing method of semiconductor structure and flash memory

Номер патента: US11877447B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170271504A1. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20130295728A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09583394B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Hon-Huei Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134798A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180342509A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20130252411A1. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US8999855B2. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180277375A1. Автор: Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Transistor, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080768B2. Автор: Mauricio Manfrini,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chang-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371953A1. Автор: Mauricio Manfrini,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chang-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748264B1. Автор: Teng Hao Yeh,Yu Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197163A1. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050142822A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290886A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure having a dummy contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653558B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: US20110306194A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230112037A1. Автор: Chong Chen,Junjun Xing,Peng Sun,Jia Pan,Tongbo Zhang,Jiye Yang,Xuan Huang,Yiping Yao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US12119227B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Misaki Uchida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030067021A1. Автор: Takashi Mimura,Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of forming capacitor hole, and semiconductor structure

Номер патента: US20230019605A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Manufacturing method for epitaxial substrate, epitaxial substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240145628A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of fabrication for a semiconductor structure

Номер патента: US20240170324A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: KR100273070B1. Автор: 레오나르두스 페크 헤르마누스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2000-12-01.

Body-contacted semiconductor structures and methods of fabricating such body-contacted semiconductor structures

Номер патента: US20070045697A1. Автор: Louis Hsu,Kangguo Cheng,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer

Номер патента: WO2015042121A1. Автор: Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek,William Boyd ROGERS. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of selectively doping a semiconductor body

Номер патента: US4029528A. Автор: Wojciech Rosnowski. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-06-14.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US12068409B2. Автор: Kai Cheng,Yu Zhu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210242225A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160365448A1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US20170025442A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786763B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240128341A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Chia-Hao Chang,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8227356B2. Автор: Kouichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor structure with an epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200194252A1. Автор: Chin-Fu Lin,Yu-Cheng Tung,Hsiao-Pang Chou,Ming-Chang Lu,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor structure including metal silicide buffer layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150061030A1. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device with reduced junction leakage and an associated method of forming such a semiconductor device

Номер патента: US20120098042A1. Автор: Ming Cai,Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: US20190148396A1. Автор: LEE Guan-Ru. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140199814A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of accurately doping a semiconductor material layer

Номер патента: US3616527A. Автор: John L Janning. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09691874B2. Автор: Hsin-Liang Chen,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu,Chih-Ling Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060030111A1. Автор: Satoshi Onai,Shinobu Teranaka. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240222489A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09892929B2. Автор: Yumi Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

I-mosfet manufacturing method

Номер патента: EP2118932A2. Автор: Radu Surdeanu. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor component and method of producing it

Номер патента: US6734520B2. Автор: Robert Plikat,Holger Kapels,Dieter Silber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor device comprising unidimensional doping conductors and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0390274A1. Автор: Aart Adrianus Van Gorkum. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-Aligned Contact and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180350927A1. Автор: Chi-Wen Liu,Tung Ying Lee,Yuan-Hung Chiu,Yee-Chia Yeo,Jeng-Ya David Yeh,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773696B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device comprising an aperture array and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming an alignment feature in or on a multi-layered semiconductor structure

Номер патента: US6706609B2. Автор: Nace Layadi,Reginald C. Farrow,Isik C. Kizilyalli,Masis Mkrtchyan,David M. Boulin. Владелец: eLith LLC. Дата публикации: 2004-03-16.

A photomask, the manufacturing method, a patterning method, and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR100798969B1. Автор: 핫토리타카시,타나카토시히코,고토야스코,사토히데토시,시라이시히로시. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2008-01-28.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of aligning semiconductor device and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2005122706A3. Автор: Joon-Mo Kang. Владелец: Joon-Mo Kang. Дата публикации: 2006-08-17.

Manufacturing method and apparatus of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6035111A. Автор: Takeshi Shimazaki,Yoshitaka Uchida,Kiyoshi Saida,Rieko Suzuki,Yoshihiro Kamiya,Takako Murakami,Teruhisa Tsuyuki,Kazunori Kawazoe,Yukimi Nishiwaki,Kazushige Itazu,Eiji Fujine. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 2000-03-07.

Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation

Номер патента: US4400870A. Автор: Safidul Islam. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-08-30.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100216300A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Toshihisa Nozawa,Akinobu Teramoto,Takaaki Matsuoka,Hirokazu Ueda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: CA1144659A. Автор: Wolfgang M. Feist. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1983-04-12.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Manufacturing method of semiconductor wafer and semiconductor wafer manufactured by this method

Номер патента: US20070128836A1. Автор: Syouji Nogami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor line feature and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243547A1. Автор: Po-Chi WU,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integration manufacturing method of high voltage device and low voltage device

Номер патента: US20230170262A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integration manufacturing method of depletion high voltage nmos device and depletion low voltage nmos device

Номер патента: US20230178438A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Manufacturing method for semiconductor substrate

Номер патента: US09761479B2. Автор: Naoki Hatta,Takamitsu Kawahara,Tomoatsu Makino,Motoki Kobayashi,Hideki Takagi,Kuniaki Yagi,Hidetsugu Uchida,Ko Imaoka,Toyokazu Sakata,Akiyuki Minami,Yuuichi KURASHIMA. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8497214B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Toshihisa Nozawa,Akinobu Teramoto,Takaaki Matsuoka,Hirokazu Ueda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375617A1. Автор: Hongbo Zhu,Yongbo FENG,Houyou WANG,Mingyang TSAI. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor-substrate manufacturing method and semiconductor-device manufacturing method in which germanium layer is heat-treated

Номер патента: US09647074B2. Автор: Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893211B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Manufacturing method of semiconductor microwire or nanowire, semiconductor structure including the microwire or nanowire, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: JP6296993B2. Автор: アメリ・デュッサーニュ,フィリップ・ジレ,フランソワ・マルタン. Владелец: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Methods of fabricating defect-free semiconductor structures

Номер патента: US20150123250A1. Автор: Huang Liu,Zhiguo Sun,Jin Ping Liu,Hung-Wei Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of fabricating defect-free semiconductor structures

Номер патента: US20150357292A1. Автор: Huang Liu,Zhiguo Sun,Jin Ping Liu,Hung-Wei Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

A method of epitaxially growing a semiconductor on a highly lattice mismatched substrate

Номер патента: GB2354370B. Автор: Wang Nang Wang,Yurii Georgievich Shreter,Yurii Toomasovich Rebane. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-05.

METHOD FOR REDUCING A LAYERED COMPOUND ON A SUBSTRATE AND ITS APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF A FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2529384B1. Автор: Michel Croset,Louis Mercandalli. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-04-11.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170032957A1. Автор: Costa Julio C.,Shuttleworth David M.,Antonell Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer

Номер патента: US20150079805A1. Автор: Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek,William Boyd ROGERS. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of cleaning in a semiconductor device

Номер патента: KR100474856B1. Автор: 우선웅. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-08.

Method of surface damaging a semiconductor wafer

Номер патента: EP0408341A1. Автор: John Robbins,Ricky L. Boston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-01-16.

Method of chemically grinding a semiconductor wafer on both sides

Номер патента: JP5697368B2. Автор: シュヴァントナー ユルゲン. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2015-04-08.

Method of isolation on a semiconductor device

Номер патента: KR0165453B1. Автор: 김성의. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of heat treating a semiconductor film by laser irradiation

Номер патента: EP1235259A3. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Mitsuki,Tamae Takano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Method of epitaxially depositing a semiconductor material

Номер патента: GB1581457A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-12-17.

METHOD OF FORMING OXIDE LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220139705A1. Автор: Guo Yufeng. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of fabricating a compound nitride semiconductor structure

Номер патента: KR101200198B1. Автор: 산? 니자완,데이비드 보어,로리 와싱톤,자코프 스미쓰,로날드 스티븐스,데이비드 이글샴. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film

Номер патента: US20170226281A1. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, and organic semiconductor film

Номер патента: US10590234B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240341085A1. Автор: Zhi Zhang,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US8969202B2. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip

Номер патента: US7523775B2. Автор: Takayoshi Matsumura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-28.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US6737739B2. Автор: Sang Yee Loong,Ting Cheong Ang,Shyue-Fong Quek,Duay Ing Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-18.

Photonic semiconductor device for enhanced propagation of radiation and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170092787A1. Автор: Rainer Minixhofer,Guenther KOPPITSCH. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-30.

Photonic semiconductor device for enhanced propagation of radiation and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: WO2015176911A1. Автор: Rainer Minixhofer,Günther Koppitsch. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, compound, and oligomer or polymer

Номер патента: US09954172B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090001422A1. Автор: Takuya Oizumi,Junichi Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone

Номер патента: US09906205B2. Автор: Atsushi Isobe,Kengo Asai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142485B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340330A1. Автор: Yi-Ming Chang,Chia-Sheng Lin,Geng-Peng PAN. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020022353A1. Автор: Shuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180331193A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yen-Chen Chen,Wei-Ning Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US20130334650A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee,Yuh-Min Lin,Jei-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

A method of releasably attaching a semiconductor wafer to a carrier substrate, and a structure in which a semiconductor wafer is releasably attached to a carrier substrate

Номер патента: KR101505875B1. Автор: 마이클 케이. 갤러거,마크 에스. 올리버,카렌 알. 브랜틀. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2015-03-25.

Manufacture method and structure of a nonvolatile memory

Номер патента: US20050156228A1. Автор: Erik Jeng,Chih-Hsueh Hung,Wu-Ching Chou,Chien-Cheng Li. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-07-21.

METHOD OF MODIFYING CAPPING LAYER IN SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170125536A1. Автор: Liu Wayne,YU Xiong-Fei,Chen Liang-Yin,CHEN Chun-Heng,Chang Hui-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Chemical mechanical polishing (cmp) slurry, semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230057872A1. Автор: Chang-Yi Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041766B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240282579A1. Автор: Shih-Ping Lee,Mao-Teng Hsu,Kuo-Tung Peng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240297047A1. Автор: TSUNG-WEI Lin,Kun-Che Wu,Chungchen Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09773940B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor wafer evaluation method and manufacturing method and semiconductor wafer manufacturing process management method

Номер патента: US12027428B2. Автор: Masahiro Murakami,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of semiconductor photonic device substrate

Номер патента: US20110003413A1. Автор: Takashi Furuya,Takehiko Tani,Hisataka Nagai,Toshihiro Morisawa. Владелец: Hitach Cable Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9112113B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of nitride semiconductor structure

Номер патента: US20230162975A1. Автор: Yu-Chi CHIAO,Yung-Li Huang,Chun I Chu,Sheng Wei Chou. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09799572B2. Автор: Takehiro Oura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device manufacturing method using a multilayer resist

Номер патента: US09711344B2. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160358787A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060094186A1. Автор: Junichi Mitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010050363A1. Автор: Haruhiko Ono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09760007B2. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027367B2. Автор: Masayuki Kitamura,Takayuki Beppu,Tomotaka Ariga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure comprising an electrically conductive bonding interface, and associated manufacturing method

Номер патента: US20240266172A1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Gweltaz Gaudin,Franck Fournel,Eric Guiot,Frederic Allibert,Julie Widiez. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09754781B2. Автор: Hidekazu Hayashi,Shinya Okuda,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09739943B2. Автор: Hiroyuki Kunishima,Keiji Sakamoto,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160322231A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09831249B2. Автор: Masanori Nakayama,Hiroto Igawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor substrate, and semiconductor substrate manufacturing apparatus

Номер патента: US20240312779A1. Автор: Akihiro Hashimoto,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09679850B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080173873A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW437134B. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE WAFER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220025547A1. Автор: Lin Ching-Shan. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038926A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor chip, and manufacturing method and application of the chip

Номер патента: US20060125060A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor constructions and methods of forming patterns

Номер патента: US8815497B2. Автор: Dan Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Scott L. Light,Yuan He,Lijing Gou,Zishu Zhang,Michael Hyatt,Anton J. DeVillers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor Constructions And Methods Of Forming Patterns

Номер патента: US20130302981A1. Автор: Dan Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Yuan He,Michael D. Hyatt,Lijing Gou,Zishu Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Semiconductor image sensor and the method of operating the same

Номер патента: US4454526A. Автор: Tadahiro Ohmi,Jun-ichi Nishizawa,Takashige Tamamushi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1984-06-12.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN APERTURE ARRAY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Schrank Franz,Schrems Martin,Siegert Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR OPTICAL APPLICATIONS AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160343757A1. Автор: Schrank Franz,Enichlmair Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device for optical applications and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: CN105900247A. Автор: 胡贝特·埃尼赫尔迈尔,弗朗茨·施兰克. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2016-08-24.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

Manufacturing method and structure of a wafer level image sensor module with package structure

Номер патента: US20110241146A1. Автор: Ming-Hui Chen,Chih-Cheng Hsu,Hsiu-Wen Tu,Chung-Hsien Hsin,Han-Hsing Chen,Ren-Long Kuo,Young-Houng Shiao,Tsao-Pin Chen. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing methods of display panels and display panels

Номер патента: US20240332307A1. Автор: Jiaojiao Shi. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230217642A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258115A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor package and method of manufacture

Номер патента: US20240321666A1. Автор: JONGHO LEE,Jinwoo Park,Yeongkwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and its manufacturing method

Номер патента: US20220223468A1. Автор: Yong Lu,Minghung Hsieh. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170200644A1. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09899308B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160086903A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Ching-Wen Chiang,Hsien-Wen Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Substrate manufacturing method, embedded substrate and semiconductor

Номер патента: US20240153819A1. Автор: Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Yejie Hong,Wenjian LIN,Juchen HUANG. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Heat sink material, manufacturing method for the same, and semiconductor laser device

Номер патента: CA2560410C. Автор: Takashi Ishii,Hideaki Morigami. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor package and method of manufacture

Номер патента: US12002726B2. Автор: JONGHO LEE,Jinwoo Park,Yeongkwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for microwave heat-treatment of a semiconductor water

Номер патента: US4667076A. Автор: Haruo Amada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-05-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20150069628A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Surface mount semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: EP3693992A1. Автор: Christine TING,Vegneswary RAMALINGAM,Melvin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor packaging structure and method of fabricating same

Номер патента: US20200294959A1. Автор: Young-Way Liu,Ching-Yu Ni. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of heat-treating a semiconductor wafer

Номер патента: TW200805504A. Автор: Chin-Hsiang Lin,Burn-Jeng Lin,Tsai-Sheng Gau,Kuei-Shun Chen,Hsiao-Tzu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor packaging structure and method of fabricating same

Номер патента: US11569195B2. Автор: Young-Way Liu,Ching-Yu Ni. Владелец: Kore Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Method of resin sealing a semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and forming die for resin sealing the semiconductor device

Номер патента: KR20040087924A. Автор: 하마사키사토시. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2004-10-15.

Method of thermally treating a wafer and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20060154427A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-13.

Silicon Carbide Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20200013722A1. Автор: Matthias Müller,Hans-Joachim Schulze,Roman Roth,Frank Hille,Holger Schulze,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Frank Umbach,Ravi Keshav Joshi,Michael Fugger,Thomas Laska,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20170271268A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schaeffer Carsten,Mueller Matthias,HILLE Frank,SCHULZE Holger,Steinbrenner Juergen,Joshi Ravi Keshav,Humbel Oliver,Umbach Frank,Roth Roman,Fugger Michael,Laska Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device with an element isolation oxide film having a flat surface, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE19606682C2. Автор: Shigeru Shiratake,Hiroshi Matsuo,Kenji Yasumura,Yuichi Yokoyama,Takaaki Murakami,Kaoru Motonami,Satoshi Hamamoto,Kenji Morisawa,Yasuyoshi Itoh,Ritsuko Gotoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-04-19.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2006021906A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-03-02.

METHOD OF ARRANGING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURAL ELEMENTS ON A CARRIER AND CARRIER COMPRISING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURAL ELEMENTS

Номер патента: US20180247896A1. Автор: Meyer Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW200620559A. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Robert Lander,Jacob C Hooker. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-06-16.

Method of laser annealing a semiconductor wafer with localized control of ambient oxygen

Номер патента: US20160343583A1. Автор: Zafiropoulo Arthur W.,McWhirter James. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-11-24.

METHODS OF THERMALLY TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20130171744A1. Автор: Kang Sungho,KANG JONG-HOON,Choi Hanmei,Kim Taegon,Jo Eunyoung,Kang Gonsu,Heo Sungho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130267080A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-10-10.

TWO STEP METHOD OF RAPID CURING A SEMICONDUCTOR POLYMER LAYER

Номер патента: US20160027666A1. Автор: Rogers William Boyd,van den Hoek Willibrordus Gerardus Maria. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD OF RADIATIVELY GROOVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20140213043A1. Автор: VAN DER STAM Karel Maykel Richard. Владелец: Advanced Laser Separation International (ALSI) N.V. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of picking up a semiconductor chip

Номер патента: KR970077453A. Автор: 김용,홍인표,한창훈,정명기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method of radiatively grooving a semiconductor substrate

Номер патента: US9120178B2. Автор: Karel Maykel Richard Van Der Stam. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-09-01.

Method of surface mounting a semiconductor device

Номер патента: US20050189627A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Takashi Miwa,Tokuji Toida,Fujio Ito. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of radiatively grooving a semiconductor substrate

Номер патента: KR101809783B1. Автор: 더 스탬 카렐 메이켈 리차드 반. Владелец: 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디. Дата публикации: 2017-12-15.

Method of radiatively grooving a semiconductor substrate

Номер патента: TW201436917A. Автор: Der Stam Karel Maykel Richard Van. Владелец: Advanced Laser Separation Internat Alsi N V. Дата публикации: 2014-10-01.

System and method of heating up a semiconductor device in a standard test environment

Номер патента: TWI258851B. Автор: Wen-Feng Wu,Steven Sui Hung Chu,Chee-Tong Lau. Владелец: Analog Microelectronics Inc. Дата публикации: 2006-07-21.

SILICON CHALCOGENATE PRECURSORS, METHODS OF FORMING THE SILICON CHALCOGENATE PRECURSORS, AND RELATED METHODS OF FORMING SILICON NITRIDE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180025906A1. Автор: Uhlenbrock Stefan,Quick Timothy A.,Pandey Sumeet C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Silicon chalcogenate precursors, methods of forming the silicon chalcogenate precursors, and related methods of forming silicon nitride and semiconductor structures

Номер патента: US9929006B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

METHOD OF MANUFACTURING METAL SILICIDE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20140154881A1. Автор: Chen Chun-Fu,Shih Yen-Hao,Tsai Shih-Chang,Chen Ying-Tso. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: US20040219765A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Rafael Reif,Chuan Tan,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-11-04.

Methods of forming ⅲ/ⅴ semiconductor materials, and semiconductor structures formed using such methods

Номер патента: KR101353978B1. Автор: 크리스토프 피게,피에르 토마시니. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2014-01-22.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: WO2004061953A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of constructing a stacked-die semiconductor structure

Номер патента: US7901955B2. Автор: Melissa Grupen-Shemansky. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-03-08.

Manufacturing method of semiconductor structure including planarizing a polysilicon layer over an array area and a periphery area

Номер патента: US09754788B2. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12107002B2. Автор: Wei-Ming Liao,Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164973A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Method of forming an electrostatic discharge protecting device and integrated circuit arrangment comprising such a device

Номер патента: WO2004008534A3. Автор: Der Meer Hendrik H Van,Eyup Bayram,Johannes L Cuijpers,Albert J Huitsing,Mathijs A H Aalmers. Владелец: Mathijs A H Aalmers. Дата публикации: 2004-12-16.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200211637A1. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10916296B2. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US09978797B2. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Electronic apparatus and manufacturing method for an electronic apparatus

Номер патента: US20020090800A1. Автор: Yoshimasa Kondo,Hiroyuki Hashimoto,Hirotsuna Miura,Katsumi Tsukada,Eiji Nakaya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220102349A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200006275A1. Автор: Jun Chen,Tao Wang,Xinsheng Wang,Siping Hu,Weihua Cheng,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Jifeng Zhu,Jiawen Wang,Taotao DING,Shining Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and structure for a semiconductor fuse

Номер патента: US20010014509A1. Автор: Jed Rankin,William Motsiff,Timothy Daubenspeck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Manufacturing method for preventing image sensor from undercut

Номер патента: US20080064218A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302127A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20010034073A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Solid-state imaging element, electronic device, and manufacturing method of solid-state imaging element

Номер патента: US12120897B2. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method using the same, and a semiconductor device manufacturing method using this semiconductor wafer

Номер патента: DE102005014156A1. Автор: Yuji Kutsuna. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor and its manufacturing method the invention relats to a semiconductor and its manufacturing method

Номер патента: TW351015B. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-21.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Spiral contactor and manufacturing method for this apparatus, and a semiconductor inspecting equipment and electronical parts using this apparatus

Номер патента: US20030060064A1. Автор: Kouichi Yoshida,Yukihiro Hirai,Chihiro Ueda. Владелец: Yukihiro Hirai. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of vacuum packaging a semiconductor deice assembly

Номер патента: SG117385A1. Автор: Ting Cheong Ang,Puay Ing Ong,Shyue-Fong Quek,San Yee Loong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of diffusion soldering a semiconductor device using a solder preform with varying surface profile

Номер патента: EP4141924B1. Автор: Kirill Trunov,Thomas Hendrix. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-24.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of ultrasonically bonding a semiconductor body terminal to a load

Номер патента: GB1309990A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1973-03-14.

Strain-tolerant die attach with improved thermal conductivity, and method of fabrication

Номер патента: EP3494592A1. Автор: Robert F. Karlicek. Владелец: Soliduv Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

PHOTONIC SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ENHANCED PROPAGATION OF RADIATION AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092787A1. Автор: KOPPITSCH Guenther,MINIXHOFER Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus

Номер патента: US20120091566A1. Автор: Robert Seguin,Peter Engelhart,Wilhelmus Mathijs Marie Kessels,Gijs Dingemans. Владелец: Q Cells SE. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BUMP CONTACT ON A TSV COMPRISING A CAVITY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179056A1. Автор: Schrems Martin,ETSCHMAIER Harald,STERING Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Tunable semiconductor diode laser with distributed reflection and method of manufacturing such a semiconductor diode laser

Номер патента: EP0375021A1. Автор: Teunis Van Dongen,Pieter Ids Kuindersma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-06-27.

Tunable semiconductor diode laser with distributed reflection and method of manufacturing such a semiconductor diode

Номер патента: KR0142587B1. Автор: 이디스 쿠인데르스마 피터,반 돈겐 토이니스. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 1998-08-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0487739A1. Автор: Koji KATO. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-06-03.

Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus

Номер патента: EP2443669A1. Автор: Robert Seguin,Peter Engelhart,Wilhelmus Mathijs Marie Kessels,Gijs Dingemans. Владелец: Q Cells SE. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for removing sacrificial layers of a stack of a three-dimensional semiconductor structure in two steps

Номер патента: US20240172437A1. Автор: Yuan Yuan,ZHIPENG Wu,Lei Li,Wei Xu,ZHEN Guo,Zongliang Huo,Lei Xue,Xiaofen Zheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20060063287A1. Автор: Peter Andrews. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20090315061A1. Автор: Peter Scott Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package

Номер патента: US9147812B2. Автор: Peter Scott Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip

Номер патента: US7432129B2. Автор: Takayoshi Matsumura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Method of electrically connecting a semiconductor chip to at least one contact surface

Номер патента: WO1997012394A1. Автор: Peter Stampka,Josef Kirschbauer,Josef Heitzer. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 1997-04-03.

Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip

Номер патента: US20060000870A1. Автор: Takayoshi Matsumura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

The method of the breakdown voltage of semiconductor structure and test grid oxic horizon

Номер патента: CN106898562A. Автор: 宋永梁,朱月芹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of aligning semiconductor device and semiconductor structure thereof

Номер патента: KR100713579B1. Автор: 강준모. Владелец: 강준모. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of manufacturing hemispherical granular polysilicon semiconductor structure

Номер патента: JP3493627B2. Автор: サクール、ランディール・ピー・エス. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

Method of making lead selenide-based semiconductor structure

Номер патента: RU2493632C1. Автор: Сергей Васильевич Непомнящий,Софья Борисовна Погодина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИКО". Дата публикации: 2013-09-20.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface

Номер патента: WO2004061952A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196590A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Cointegrated semiconductor structures for different voltage transistors

Номер патента: US20210202480A1. Автор: Alessio Spessot,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-07-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Solid picture element manufacturing method

Номер патента: US20010054724A1. Автор: Satoshi Suzuki,Atsushi Kamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US6743647B2. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09812481B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensor manufacturing methods

Номер патента: US09721984B2. Автор: Kuo-Hsiu Wei,Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Mu-Han Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US12119261B2. Автор: Chun-Hung Lin,Kao-Tsair Tsai,Yen-Jui Chu,Tz-Hau Guo,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing non-classical light source device, non-classical light source device, single-photon source device, and random number generator

Номер патента: US20230085370A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, moving body, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: EP4109539A1. Автор: Kosei Uehira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Image sensor, manufacturing method and hand-held device of the same

Номер патента: US20210036042A1. Автор: Meng-Ta Yang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12137294B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09912891B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365597A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Yi-Hao Chien,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09762832B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package manufacturing method

Номер патента: US09818697B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying Ching SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12120867B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240047371A1. Автор: Zhiyuan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240222189A1. Автор: Shih-Ping Lee,Chun-Ta Chen,Ya-Ting Chen,Kuo Hsiung Chen,Chang Tsung Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347379A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment

Номер патента: US20240347449A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347378A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20240290741A1. Автор: Shuji Uehara,Takayuki Ohba,Masaki Takakuwa,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749594B2. Автор: Yu-Min LIANG,Wei-Yu Chen,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268099A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240304498A1. Автор: Rui Ju,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Hongxu Shao. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20150194353A1. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12075610B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of substrate unit, and substrate unit

Номер патента: EP4439644A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Toru Kosaka,Hironori Furuta,Takahiro Ida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20220278054A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of substrate unit, and substrate unit

Номер патента: US20240332080A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Toru Kosaka,Hironori Furuta,Takahiro Ida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20180233472A1. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US10312209B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200066582A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US09953942B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210296143A1. Автор: Satoshi Nakaoka,Shinsuke MURAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266246A1. Автор: Po-Yuan Cheng,Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Li-Hui Cheng,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343674A1. Автор: Jeffrey Wang,Kun-Yung Huang,Jen-I Huang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: US20020018206A1. Автор: Christian Summerer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150249023A1. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799625B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Alexander Kalnitsky,Kuo-Pin Chang,Chin-Yu Ku,Cheng-Yu Kuo,De-Dui Liao,Kuo-Chio Liu,Yi-Yang Lei,Kai-Di Wu,Sheng-Pin Yang,Hsi-Ching Wang,Tsung Lung Huang,Isaac Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150235965A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US11990406B2. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341369A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Shang-Yu Chang Chien,Nan-Chun Lin. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US20240258234A1. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6815318B2. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131979B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US09806021B2. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170303399A1. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240102171A1. Автор: Yuya Takahashi,Shunsuke Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US7122448B2. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Semiconductor package structure comprising rigid-flexible substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040281B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Tin-Hao Kuo,Chih-Yuan Chang,Chuei-Tang Wang,Jiun-Yi Wu,Jeng-Shien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with reinforced integrated circuitry and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019245708A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090117709A1. Автор: Yoshiyuki Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230230853A1. Автор: Masafumi Miyamoto,Takahiro Shimizu,Daisuke Tani. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor package structure comprising rigid-flexible substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321757A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Tin-Hao Kuo,Chih-Yuan Chang,Chuei-Tang Wang,Jiun-Yi Wu,Jeng-Shien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240379491A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09809446B1. Автор: Young Seok Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Eunnara Cho,Dong Hyun Bang,Wook Choi,Byong Jin Kim,Seung Jae Yoo. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240234223A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764115B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11756831B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764114B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157668A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157659A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157669A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157658A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935073B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09741739B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350283A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

A method of manufacturing silicon-on-insulator wafers

Номер патента: WO2013134010A2. Автор: Jeffrey L. Libbert,Guoqiang D. Zhang. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Joint structure in semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339432A1. Автор: Chih-Wei Wu,Shang-Yun Hou,Ying-Ching Shih,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Cheng-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Deposition supporting system, depositing apparatus and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US09966316B2. Автор: Manabu Takakuwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09922858B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275066A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11735487B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210296208A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220199490A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11776873B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Light sensing element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213395A1. Автор: Keng-Ying Liao,Yang-Ting Liu,You-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210313394A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Optical semiconductor element and manufacturing method of the same

Номер патента: US8822247B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Manufacturing method of semiconductor package structure

Номер патента: US12080670B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Light-emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009456B2. Автор: Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu,Chang-Feng TSAI. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Manufacturing method of solar cell

Номер патента: US09685581B2. Автор: Hayato Kohata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150233851A1. Автор: Chia-Chun Yeh,Pei-Chen Yu,Chuang-Chuang Tsai,Ming-Yen Chuang,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9306119B2. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor substrate structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148726B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor sensing device comprising conductive nanowires and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748482B2. Автор: Chia-Chun Yeh,Pei-Chen Yu,Chuang-Chuang Tsai,Ming-Yen Chuang,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6605512B2. Автор: Yukihiro Kiyota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-12.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125824B2. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371828A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Leadless semiconductor packaging structure with inverted flip chip and methods of manufacture

Номер патента: WO2004053985A1. Автор: Antonio Dimaano,Roman Perez,Kee Kwang Lau,Alex Chew,Kim Hwee Tan. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100665B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Light sensing element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222545A1. Автор: Yang-Ting Liu,You-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor apparatus using both surfaces of a wafer and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240371831A1. Автор: Minwoo Lee,Duk Sung Kim,Joonho JUN,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US09812405B2. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Wei Lin,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

LED element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793434B2. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Masaki Ohya,Midori Mori,Tsukasa Kitano,Koichi Naniwae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Cured product production method, laminate production method, semiconductor device manufacturing method, and processing liquid

Номер патента: EP4398289A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of diamond porous grinding block based on 3D printing and application thereof

Номер патента: US12053823B2. Автор: Yangli Xu,Guoqin HUANG,Jinquan Wei,Zhongwei Hu,Yuanqiang Tan,Peihui Luo. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780260B2. Автор: Han Kyu Seong,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor storage device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090085124A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363805A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240250221A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device with inductor

Номер патента: US20240347578A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Alexander Kalnitsky,Hon-Lin Huang,Han-Yi Lu,Chien-Hsien KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2671286C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Иван Сергеевич Васильевский,Александр Николаевич Виниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor package, electronic equipment, and manufacturing method of electronic equipment

Номер патента: EP4220703A1. Автор: Ryo Suzuki,Nobuyuki Sugawara,Asuka Kambayashi. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20080054463A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Methods of forming semiconductor devices including determining misregistration between semiconductor levels and related apparatuses

Номер патента: US09754895B1. Автор: YANG Chao,Keith E. Ypma,Kurt J. Bossart,Joseph L. Hess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170186651A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor capacitor

Номер патента: US20020192907A1. Автор: Hiroki Kuroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of manufacturing semiconductor capacitor

Номер патента: US6849498B2. Автор: Hiroki Kuroki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

Method of manufacturing semiconductor capacitor

Номер патента: US6455917B1. Автор: Hiroki Kuroki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09905470B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing a ferroelectric-capacitor memory device including recovery annealing

Номер патента: US8628981B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230411226A1. Автор: Young Chan Oh,Hee Jong KANG,Young Mok BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332159A1. Автор: Ji Hyun Kim,Min Chul Shin,Chang Hun Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Eunnara Cho,Dong Hyun Bang,Wook Choi,KooWoong Jeong,Byong Jin Kim,Ho Jeong Lim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132077B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of carbon-coated lithium iron phosphate material

Номер патента: AU2023285785A1. Автор: Ya-Hui Wang,Feng-Yen Tsai. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of carbon-coated lithium iron phosphate material

Номер патента: US20240317584A1. Автор: Ya-Hui Wang,Feng-Yen Tsai. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of carbon-coated lithium iron phosphate material

Номер патента: EP4434938A1. Автор: Ya-Hui Wang,Feng-Yen Tsai. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US20170309947A1. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US09935330B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240029940A1. Автор: Haijun Yang,Jiamin Shi,Debao Quan. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Battery cell, battery, power consumption apparatus, and manufacturing method and device of battery cell

Номер патента: US20230118321A1. Автор: Zhijun Guo,Kun FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Battery manufacturing method and battery

Номер патента: EP4401178A1. Автор: Takayuki Hirose,Ryota Okimoto,Shunsuke Uegaki. Владелец: Panasonic Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of production for components of a fuel cell stack

Номер патента: US20240017449A1. Автор: Philipp Hausmann,Hubertus Rehermann. Владелец: Cellcentric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-18.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Semiconductor laser and method of manufacturing same

Номер патента: CA1280498C. Автор: Jan Opschoor. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-02-19.

Edge Emitting Semiconductor Laser and Method of Operating such a Semiconductor Laser

Номер патента: US20200203921A1. Автор: Fuchs Peter. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing such a semiconductor device.

Номер патента: NL184589C. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1989-09-01.

Barrier rib manufacturing method and apparatus of a plasma display panel

Номер патента: KR100406783B1. Автор: 송만호,이병학. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2004-01-24.

The manufacture method and cable of a kind of high electric energy transmission dress cable in stock

Номер патента: CN107154285A. Автор: 沙伟,李斌,宋鹏,裴文,梁福才,周大亮,戴菁伟. Владелец: Jiangsu Shangshang Cable Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: EP1281204A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-05.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11678493B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of preparing exposure data and method of preparing aperture mask data

Номер патента: US6756159B2. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-29.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Multilayer wiring substrate, method of producing the same, and semiconductor product

Номер патента: US09717142B2. Автор: Atsuhiro Uratsuji,Toshiyuki INAOKA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Generating apparatus, method of generation and program for a three-dimensional model

Номер патента: RU2744699C1. Автор: Кеисуке МОРИСАВА,Киваму КОБАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-03-15.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

METHOD OF LAYING OUT A SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON SWITCHING ACTIVITY AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20180131351A1. Автор: LEE Taehee,Yang Joon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having timing-stabilization circuit and method of testing such a semiconductor device

Номер патента: KR100319417B1. Автор: 히로요시 도미타,야스로우 마츠자키,야스히로 후지,노부타카 다니구치. Владелец: 후지쯔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-02-19.

Manufacturing method and apparatus of a colour conversion filter

Номер патента: GB2406954B. Автор: Makoto Kobayashi,Koji Kawaguchi,Kenya Sakurai. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Manufacturing method and stator of a rotating electrical machine with asymmetrical winding

Номер патента: FR3128075A1. Автор: Nicolas Langlard,Sébastien DESURMONT,Cyril Moya. Владелец: Skyazur SAS. Дата публикации: 2023-04-14.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate

Номер патента: US3821039A. Автор: M Ettenberg. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-06-28.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method and structure of a pencil surface

Номер патента: US20050186336A1. Автор: Hsin-Ti Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Manufacture method and products of a funtional glue mixed the grinding-material of a ginkgo(leaves) and a paulownia(leaves)

Номер патента: EP1401980A1. Автор: Man-Gu Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-31.

Manufacture method and products of a funtional glue mixed the grinding-material of a ginkgo(leaves) and a paulownia(leaves)

Номер патента: EP1401980A4. Автор: Man-Gu Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-04.

Electro-active ophthalmic device satisfying a prescription for 5 power correction(s), manufacturing method and use of a semi-finished hybrid lens

Номер патента: US20230185112A1. Автор: Mathieu Meynen,Chafik Habassi,Sira UHALTE NOGUES,Antoine MONVOISIN. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2023-06-15.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Acoustic sensor and manufacturing method of the same

Номер патента: US09674618B2. Автор: Koji Momotani,Yuki Uchida,Takashi Kasai. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240090351A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230403841A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and storage system

Номер патента: EP4440277A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure, manufacturing method thereof, and memory having bit line conducting layers covering the bit line contact layer and the insulating layer

Номер патента: US12069850B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US10112825B2. Автор: Weng-Yi Chen,Kuan-Yu Wang,Te-Huang Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Low-lactose and lactose-free milk product and its manufacture method

Номер патента: RU2551230C2. Автор: Ретта ТИКАНМЯКИ,Харри КАЛЛИОЙНЕН. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2015-05-20.

Defect detection for semiconductor structures on a wafer

Номер патента: US20230260105A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Philipp Huethwohl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130062815A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2013-03-14.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120295088A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2012-11-22.

Manufacturing method and structure of carbon fiber rims

Номер патента: US09770939B2. Автор: Wei-Chin Chen. Владелец: Alex Global Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Vacuum freeze-drying apparatus and frozen particle manufacturing method

Номер патента: US09759485B2. Автор: Masaki Ito,Takao Kinoshita,Katsuhiko Ito,Takashi Hanamoto,Youichi Oohinata. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

MANUFACTURING METHOD FOR A MEMBER FOR A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND MEMBER FOR A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE

Номер патента: US20210253486A1. Автор: MUNEISHI Takeshi,Sekiguchi Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Method of actinically imaging a semiconductor

Номер патента: US20020127492A1. Автор: Howard Fromson,William Rozell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of processing liquid water-nitrate effluent by calcination and vitrification

Номер патента: RU2532413C2. Автор: Ален ЛЁДУ,Жан-Франсуа ОЛЛЕБЕК. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2014-11-10.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Photovoltaic converter manufacturing method

Номер патента: RU2485627C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Светлана Валерьевна Сорокина,Владимир Петрович Хвостиков,Ольга Анатольевна Хвостикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-06-20.

Flame-retardant three-dimension-molded object and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210347959A1. Автор: Teng-Yuan Ou,Ting-Chun Chen. Владелец: Teco Image Systems Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: EP2261741A3. Автор: Marcel Dierichs,Vadim Banine,Joannes De Smit,Theodorus Bisschops,Theodorus Modderman. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2011-05-25.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

IRRADIATION DEVICE, KIT COMPRISING SUCH DEVICE, MANUFACTURING METHOD, AND USE OF A PRECURSOR OR PHARMACEUTICALLY ACCEPTABLE SALT OF A PRECURSOR OF FORMULA (I)

Номер патента: BR112015025474B1. Автор: Morten Groseth. Владелец: PHOTOCURE ASA. Дата публикации: 2022-09-06.

Manufacturing method & Modular construction of a hollow non tubular bamboo bicycle frame

Номер патента: GB201314539D0. Автор: . Владелец: WILLIAMS THOMAS H. Дата публикации: 2013-09-25.

Manufacturing method and use of a foamed plastic, and a disposable absorbent article containing such foamed plastic

Номер патента: DE69825209T3. Автор: Anette Buschka,Andrea Schmid,Eva Strombom,Pia Kalentun. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2011-06-16.

Manufacturing method and plant of a composite structure, such as a floor covering

Номер патента: EP0831166A1. Автор: Daniel Berenger. Владелец: Gerflor SAS. Дата публикации: 1998-03-25.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

MANUFACTURING METHODS AND POLYMORPHS OF A THIAZOLINE ANTI-HYPERALGESIC AGENT

Номер патента: US20220267285A1. Автор: Dax Scott L.. Владелец: ACADIA Pharmaceuticals Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

MANUFACTURING METHODS AND POLYMORPHS OF A THIAZOLINE ANTI-HYPERALGESIC AGENT

Номер патента: US20200354328A1. Автор: Dax Scott L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Lithographic apparatus, device manufacturing method, and use of a radiation collector

Номер патента: US7462841B2. Автор: Johannes Christiaan Leonardus Franken,Alexander Matthijs Struycken,Leon Joseph Marie Van Den Schoor. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-12-09.

Mold Manufacturing Method Utilizing Setting of A Reference Axis And Reference Points

Номер патента: KR101996517B1. Автор: 허만우. Владелец: 허만우. Дата публикации: 2019-07-05.

Manufacturing method and apparatus of a laminated rungs profile

Номер патента: DE60205958T2. Автор: Timothy Bryan Twinsburg McGlinchy. Владелец: GED Integrated Solutions Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Manufacturing methods and polymorphs of a thiazoline anti-hyperalgesic agent

Номер патента: WO2020231496A1. Автор: Scott L. Dax. Владелец: Cersci Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Manufacturing methods and polymorphs of a thiazoline anti-hyperalgesic agent

Номер патента: IL287776A. Автор: . Владелец: Cersci Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-01-01.

Manufacturing method and apparatus of a planar layered material

Номер патента: DE112020002131T5. Автор: Kazumasa Ikushima. Владелец: Musashi Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

The manufacture method and mould of a kind of plastics reduction box shell and the plastics reduction box and waterwheel aerator of water-mill oxygen increasing machine

Номер патента: CN107685424A. Автор: 吴为国. Владелец: ZHEJIANG FORDY MACHINERY Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of self-testing a semiconductor chemical gas sensor including an embedded temperature sensor

Номер патента: US20030037590A1. Автор: Kevin Stark. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of Automatically Creating a Semiconductor Processing Prober Device File

Номер патента: US20060255824A1. Автор: Edward Chen,Chun-Chieh Hsiao,Kevin Liao,Win Hung,Jumbo Chuang,Chang-Chi Hsu,Chia-Ping Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11143817B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US9417264B2. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Mach-Zehnder modulator, method of making optical waveguide structure

Номер патента: US09753350B2. Автор: Hideki Yagi,Masataka Watanabe,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of semiconductor phototransformer manufacturing

Номер патента: RU2349002C1. Автор: Владимир Иванович Поляков,Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,ков Владимир Иванович Пол. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-03-10.

Manufacturing method of transflective LCD and transflective LCD thereof

Номер патента: US20060033868A1. Автор: Jun-ho Song,Yong-Ho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing equipment, and computer readable medium

Номер патента: US20090214964A1. Автор: Takashi Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Pastille product manufacture method

Номер патента: RU2490923C2. Автор: Валентина Андреевна Васькина,Галина Николаевна Горячева,Татьяна Валентиновна Савенкова,Ольга Мардановна Марданян. Владелец: Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение научно-исследовательский институт кондитерской промышленности Россельхозакадемии (ГНУ НИИКП Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-08-27.

Tooth picks stand manufacture method

Номер патента: RU2538544C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2015-01-10.

Iodinated functional food product manufacture method

Номер патента: RU2541412C1. Автор: Людмила Васильевна Антипова,Станислав Андреевич Сторублевцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВПО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2734094C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-12.

Balloon manufacturing method

Номер патента: RU2533603C1. Автор: Алексей Иванович Губин,Николай Васильевич Кутепов,Владимир Дмитриевич Рымаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Российский научно-исследовательский институт трубной промышленности" (ОАО "РосНИТИ"). Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3093906C. Автор: YU Zhou,Qian Sun,Hui Yang,Shuai Su,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao.,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Meixin FENG. Владелец: Jiangxi Yuhongjin Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE, A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE RADIATION-HARDENED SEMICODUCTOR STRUCTURE, AND METHODS OF FORMING THE RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025311A1. Автор: . Владелец: ALLIANT TECHSYSTEMS INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Manufacturing method and structure of a convergent electron-emitting source applied to a field emission display

Номер патента: TW200605134A. Автор: kui-wen Zheng,zhen-zai Yang,jun-yan Xiao. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

Decorative product manufacturing method

Номер патента: RU2546436C1. Автор: Елена Васильевна Виноградова. Владелец: Елена Васильевна Виноградова. Дата публикации: 2015-04-10.

Gummy gingerbread products manufacture method

Номер патента: RU2510170C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ольга Львовна Вершинина,Юрий Федорович Росляков,Виктория Викторовна Гончар,Станислав Евгеньевич Харьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of producing (methylthio)thiophenes

Номер патента: RU2594481C1. Автор: Анна Васильевна Машкина,Людмила Николаевна Хайрулина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-08-20.

Manufacture method and structure of a roman curtain

Номер патента: TW200510623A. Автор: Shui-Hu Chen. Владелец: Mystery Products Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-16.

Gummy gingerbread products manufacture method

Номер патента: RU2501271C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2013-12-20.

Sugar-containing product manufacture method

Номер патента: RU2531278C1. Автор: Олег Анатольевич Новосельцев,Михаил Владиславович ШАМАЛО. Владелец: Олег Анатольевич Новосельцев. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of electrolytically etching a semiconductor element

Номер патента: CA709559A. Автор: Da Costa Harry,H. Knowles Carl. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1965-05-18.

A method of epitaxially growing a semiconductor on a highly lattice mismatched substrate

Номер патента: TW475208B. Автор: Wang-Nang Wang,Yurii Georgievich Shreter,Yurii Toomasovich Rebane. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-01.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明 小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

METHODS OF FORMING ISOLATION STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130017665A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

The manufacture method and capacitor of a kind of niobium shell tantalum electrolytic capacitor

Номер патента: CN104505261B. Автор: 李春,胡志宏,王洪胜,唐江军,熬洪. Владелец: Hunan Huaran Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-08-25.

Structure, manufacturing method, and device of a twin plastic bag

Номер патента: TW304931B. Автор: Ming-Jong Shy. Владелец: Lir Yu Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-11.

METHOD OF PATTERNING FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130196481A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan,Lee Chia Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. ("TSMC"). Дата публикации: 2013-08-01.

Method of accurately doping a semiconductor material layer

Номер патента: CA851398A. Автор: L. Janning John. Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1970-09-08.

METHODS OF PROVIDING ELECTRICAL ISOLATION AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING SAME

Номер патента: US20120181605A1. Автор: Grisham Paul,Lane Richard H.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD OF MANUFACTURING METAL SILICIDE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chen Chun-Fu,Shih Yen-Hao,Tsai Shih-Chang,Chen Ying-Tso. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of determining boundary potential in semiconductor structures

Номер патента: SU1001236A1. Автор: Виктор Анатольевич Петров,Василий Иванович Поляков,Полиевкт Иванович Перов. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср. Дата публикации: 1983-02-28.

Method of reducing carrier lifetime in semiconductor structures

Номер патента: CA915830A. Автор: Yeh Tsu-Hsing,L. Joshi Madhukar,J. Masters Burton,R. Viva Osvaldo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-11-28.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: TW201137982A. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PART MADE OF A COMPOSITE, INCLUDING LIGHTNING PROTECTION MEANS

Номер патента: US20120003495A1. Автор: Cavaliere Frederick,ALIAGA DANIEL. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.