Semiconductor storage device
Номер патента: US20200286902A1
Опубликовано: 10-09-2020
Автор(ы): Natsuki Fukuda, Noritaka ISHIHARA, Satoshi Nagashima, Tetsu Morooka
Принадлежит: Toshiba Memory Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-09-2020
Автор(ы): Natsuki Fukuda, Noritaka ISHIHARA, Satoshi Nagashima, Tetsu Morooka
Принадлежит: Toshiba Memory Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor storage device and manufacturing method of the same
Номер патента: US20210074721A1. Автор: Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.