Self aligned block masks for implantation control.

Self aligned block masks for implantation control

Номер патента: US20210005459A1
Опубликовано: 07-01-2021
Автор(ы): Ardasheir Rahman, Brent A. Anderson, Junli Wang, Liying Jiang, Romain LALLEMENT
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of semiconductor manufacture using an inverse self-aligned mask

Номер патента: US5132236A. Автор: Trung T. Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

Gate patterning scheme with self aligned independent gate etch

Номер патента: US20090203200A1. Автор: Matthew E. Colburn,Bruce B. Doris,Thomas W. Dyer,Scott D. Halle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for forming a self-aligned twin well region with simplified processing

Номер патента: US20070212840A1. Автор: Gayle Miller,Bryan Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Process for providing self-aligned doping regions

Номер патента: CA1116313A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Self-aligned contact etch for fabricating a FinFET

Номер патента: US09905473B1. Автор: Guillaume Bouche,Vimal Kamineni,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Self-aligned polysilicon emitter and contact structure for high performance bipolar transistors

Номер патента: US4871684A. Автор: Reinhard Glang,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-10-03.

Zero drain overlap and self-aligned contacts and contact methods for mod devices

Номер патента: CA1197926A. Автор: Gary F. Derbenwick,James R. Adams,Matthew V. Hanson,William D. Ryden,Alfred P. Gnadinger. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1985-12-10.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US09698022B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with self-aligned contact

Номер патента: US09679812B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having sidewall spacers manifesting a self-aligned contact hole

Номер патента: US20010017423A1. Автор: Jae Roh,Woun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US9443864B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150187785A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Self-aligned top via structure

Номер патента: US20210225705A1. Автор: CHENG Chi,Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Self-Aligned Metal Gate for Multigate Device

Номер патента: US20240347391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method to make self-aligned vertical field effect transistor

Номер патента: US09899529B2. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned sacrificial epitaxial capping for trench silicide

Номер патента: US09812453B1. Автор: HAO Zhang,George R. Mulfinger,Timothy J. McArdle,Judson R. Holt,Scott Beasor,Lakshmanan H. VANAMURTHY. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Introducing self-aligned dopants in semiconductor fins

Номер патента: US09698018B1. Автор: Xintuo Dai,Jinping Liu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-aligned implant under transistor gate

Номер патента: US6043535A. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Self-aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size and improved electrical characteristics

Номер патента: US5061986A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Methods, apparatus and system for forming a dielectric field for dual orientation self aligned vias

Номер патента: US9530691B1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: WO2021009579A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-21.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: GB2600316A. Автор: Radens Carl,Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Basker Veeraraghavan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for manufacturing self-aligned titanium salicide using two two-step rapid thermal annealing steps

Номер патента: US5953633A. Автор: Chun-Cho Chen,Jui-Lung Hsu. Владелец: Utek Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Lateral diffusion field effect transistor with drain region self-aligned to gate electrode

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Xuefeng Liu,Steven H. Voldman,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Fabrication method of self-aligned ferroelectric gate transistor using buffer layer of high etching selectivity

Номер патента: US20050142667A1. Автор: Yong-Tae Kim,Sun-Il Shim,Seong-Il Kim,Chun-Keun Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of making an soi semiconductor device having enhanced, self-aligned dielectric regions in the bulk silicon substrate

Номер патента: EP1509950A2. Автор: Derick J. Wristers,Andy C. Wei,Mark B. Fuselier. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

LDMOS with self-aligned body and hybrid source

Номер патента: US12113106B2. Автор: Christoph Ellmers,Manoj Chandrika Reghunathan,Gary M Dolny,William R Richards,Stefan EISENBRANDT,Brendan TONER,Zhengchao Liu. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Self-aligned contact for trench MOSFET

Номер патента: US09735266B2. Автор: Hsiao-Chin Tuan,Alex Kalnitsky,Kuo-Ming Wu,Wei Tsung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned mask for ion implantation

Номер патента: US09780250B2. Автор: Prerna Goradia,Timothy J. Miller,Tapash Chakraborty,Robert J. Visser,Vikram M. Bhosle. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Deep trench with self-aligned sinker

Номер патента: US09431286B1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,John P. Erdeljac,Sameer P Pendharkar,Jarvis Benjamin Jacobs,Britton Robbins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Self aligned CCD element including two levels of electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US3931674A. Автор: Gilbert F. Amelio. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-01-13.

Self-aligned gate isolation

Номер патента: WO2007046920A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-04-26.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US20140332880A1. Автор: John Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Self-aligned gate-first VFETs using a gate spacer recess

Номер патента: US09536793B1. Автор: John H. Zhang,Chanro Park,Kwan-Yong Lim,Steven John Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Completing middle of line integration allowing for self-aligned contacts

Номер патента: US9093557B2. Автор: Haiting Wang,Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method for fabricating y-direction, self-alignment mask rom device

Номер патента: US20030235955A1. Автор: Jen-Chuan Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers

Номер патента: US4135954A. Автор: Augustine W. Chang,Arun K. Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Split-polysilicon CMOS process incorporating self-aligned silicidation of conductive regions

Номер патента: US5021353A. Автор: Trung T. Doan,Mark E. Tuttle,Tyler A. Lowrey,Gordon A. Haller,Dermot M. Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: CA2034075C. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Frank Tsu-Wei Lee,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1996-01-02.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Integrated injection logic cell having self-aligned collector and base with reduced base resistance and method of making same

Номер патента: GB2081508A. Автор: . Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-02-17.

Self-aligned double patterning process for two dimensional patterns

Номер патента: US09437481B2. Автор: Lei Yuan,Jongwook Kye,Youngtag Woo,Jia ZENG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Self-aligned register structure for base polysilicon and preparation method thereof

Номер патента: US20200066649A1. Автор: Hongjun Liu,Yangyang ZHAO,Xianwei Ying,Guoxing SHENG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2020-02-27.

Self-aligned register structure for base polysilicon and preparation method thereof

Номер патента: US11011472B2. Автор: Hongjun Liu,Yangyang ZHAO,Xianwei Ying,Guoxing SHENG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-05-18.

Self-aligned gate cap including an etch-stop layer

Номер патента: US20200006137A1. Автор: Marc Bergendahl,Victor W. C. Chan,Jeffrey C. SHEARER,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Iterative self-aligned patterning

Номер патента: US09685332B2. Автор: De-Fang Chen,Chao-Cheng Chen,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Lift-off process for fabricating self-aligned contacts

Номер патента: CA1204224A. Автор: Alvin Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-05-06.

Self-aligned formation and method for semiconductors

Номер патента: US6165896A. Автор: Rainer F. Schnabel,Zhijian Lu,Jeffrey Gambino. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Self-aligned block patterning with density assist pattern

Номер патента: US09941164B1. Автор: Seong Jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a pattern for interconnection lines in an integrated circuit wherein the pattern includes gamma and beta block mask portions

Номер патента: US09691626B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-aligned double patterning (sadp) method

Номер патента: US20200098580A1. Автор: Jui-Yu Pan,Kuo-Chyuan Tzeng,Lee-Chuan Tseng,Ying-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

FinFET standard cell with double self-aligned contacts and method therefor

Номер патента: US12062659B2. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned dynamic pattern generator device and method of fabrication

Номер патента: US09536706B2. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for mechanical self-alignment and slip-resistance in bonding semiconductor substrates, and semiconductor devices comprising mechanical self-alignment structures

Номер патента: US20240258244A1. Автор: Joanna NASSAR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-aligned quadruple patterning (SAQP) for routing layouts including multi-track jogs

Номер патента: US09991156B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Roger A. Quon,Yann A. M. Mignot,Sean D. Burns,Nicole A. Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure with self-aligned spacers and method of fabricating the same

Номер патента: US09691665B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Using a same mask for direct print and self-aligned double patterning of nanosheets

Номер патента: US12080559B2. Автор: Eric Miller,Daniel James Dechene,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Номер патента: US09570442B1. Автор: Jun Yuan,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Self-aligned epitaxy layer

Номер патента: US12040386B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Versatile system for self-aligning deposition equipment

Номер патента: US09698006B2. Автор: Martin Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with vertical sidewalls

Номер патента: US20240243202A1. Автор: Kiran Chikkadi,Ritesh K. Das,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned short-channel electronic devices and fabrication methods of same

Номер патента: US20200395473A1. Автор: Mark C. Hersam,Vinod K. Sangwan,Megan E. BECK. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2020-12-17.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240243203A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with improved cap

Номер патента: US20240347618A1. Автор: André BARAN,Christopher Kenyon,Devin Merrill,Tongtawee Wacharasindhu,Kiran Chikkadi,David J. Towner,Christine RADLINGER,Nilesh Dendge. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with improved cap

Номер патента: EP4425553A2. Автор: André BARAN,Christopher Kenyon,Devin Merrill,Tongtawee Wacharasindhu,Kiran Chikkadi,David J. Towner,Christine RADLINGER,Nilesh Dendge. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Middle of the line (MOL) contacts with two-dimensional self-alignment

Номер патента: US09929048B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Lars Liebmann,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Self-aligned interconnection structure and method

Номер патента: US09818690B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Chien-Hua Huang,Kai-Fang CHENG,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self aligned embedded gate carbon transistors

Номер патента: US09472640B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-aligned trench isolation in integrated circuits

Номер патента: US09437470B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Multiple gate length device with self-aligned top junction

Номер патента: US20190206743A1. Автор: YI Qi,Hui Zang,Ruilong Xie,Jerome Ciavatti,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

FinFET STANDARD CELL WITH DOUBLE SELF-ALIGNED CONTACTS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20230051161A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Self-alignment layer with low-k material proximate to vias

Номер патента: US20240105635A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-aligned quadruple patterning (SAQP) for routing layouts including multi-track jogs

Номер патента: US10546774B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Roger A. Quon,Yann A. M. Mignot,Sean D. Burns,Nicole A. Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Self-aligned dynamic pattern generator device and method of fabrication

Номер патента: US20160233054A1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2016-08-11.

Self-aligned quadruple patterning (saqp) for routing layouts including multi-track jogs

Номер патента: US20180233403A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Roger A. Quon,Sean D. Burns,Nicole A. Saulnier,Yann A.M. Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Self-aligned dynamic pattern generator device and method of fabrication

Номер патента: US9312103B2. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2016-04-12.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09659820B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU,Akil K. Sutton,Terry Allen Spooner. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-alignment technique for semiconductor devices

Номер патента: WO1996030936A1. Автор: James C. Moyer,Martin J. Alter,Martin E. Garnett. Владелец: Micrel, Incorporated. Дата публикации: 1996-10-03.

Manufacturing methods to apply stress engineering to self-aligned multi-patterning (samp) processes

Номер патента: WO2019125791A1. Автор: Akiteru Ko,David L. O'Meara,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-27.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Selective gas etching for self-aligned pattern transfer

Номер патента: US20210183653A1. Автор: Yongan Xu,Sean D. Burns,John Christopher Arnold,Yann Alain Marcel MIGNOT. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US20180284059A1. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning

Номер патента: US09818611B2. Автор: Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Self-aligned low defect segmented III-V finFET

Номер патента: US09627276B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating density intensive non-self-aligned stacked CMOS

Номер патента: US4555843A. Автор: Satwinder D. S. Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-12-03.

Self-aligned complementary HFETS

Номер патента: US5411903A. Автор: Faivel Pintchovski,Jenn-Hwa Huang,Schyi-Yi Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Method for fabricating diffusion self-aligned short channel MOS device

Номер патента: US4062699A. Автор: William Eddie Armstrong. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1977-12-13.

Self-aligned method for integrated circuit manufacture

Номер патента: US3948694A. Автор: B. David Mills, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1976-04-06.

Fabrication method for forming a self-aligned contact window and connection in an epitaxial layer and device structures employing the method

Номер патента: CA1244559A. Автор: Brian J. Machesney,Nicky C-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-08.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US20230064608A1. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US11901440B2. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Self-aligned stacked ge/si cmos transistor structure

Номер патента: EP3675157A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak,Brennen Mueller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-01.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150364486A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Manufacturing methods to apply stress engineering to self-aligned multi-patterning (samp) processes

Номер патента: US20190189445A1. Автор: Akiteru Ko,David L. O'Meara,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US10388874B2. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Selective gas etching for self-aligned pattern transfer

Номер патента: US20200083045A1. Автор: Yongan Xu,Sean D. Burns,John Christopher Arnold,Yann Alain Marcel MIGNOT. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-12.

Selective gas etching for self-aligned pattern transfer

Номер патента: US20220262636A1. Автор: Yongan Xu,Sean D. Burns,John Christopher Arnold,Yann Alain Marcel MIGNOT. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Selective gas etching for self-aligned pattern transfer

Номер патента: US20180096846A1. Автор: Yongan Xu,Sean D. Burns,John Christopher Arnold,Yann Alain Marcel MIGNOT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09972640B1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation

Номер патента: US09923087B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Niloy Mukherjee,Niti Goel,Sanaz Kabehie GARDNER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Reverse tone self-aligned contact

Номер патента: US09812536B2. Автор: Ching-Feng Fu,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09806174B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Topological method to build self-aligned MTJ without a mask

Номер патента: US09666791B2. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09658523B2. Автор: Carl Radens,Terry Spooner,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of forming self-aligned device level contact structures

Номер патента: US09653356B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation

Номер патента: US09590069B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Niloy Mukherjee,Niti Goel,Sanaz Kabehie GARDNER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-aligned punch through stopper liner for bulk FinFET

Номер патента: US09559014B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Theodorus Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09553018B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09484454B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Reverse tone self-aligned contact

Номер патента: US09412656B2. Автор: Ching-Feng Fu,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods for fabricating self-aligning semiconductor hetereostructures using nanowires

Номер патента: US09406823B2. Автор: Axel Scherer,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-08-02.

Formation of self-aligned stacked cmos structures by lift-off

Номер патента: CA1252222A. Автор: Nicholas J. Szluk,Gayle W. Miller. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-04-04.

Self-alignment technique for junction isolation and wells

Номер патента: WO1996036067A8. Автор: Martin E Garnett,Michael R Hsing. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 1999-07-08.

Process for making self-aligning thin film transistors

Номер патента: CA1278883C. Автор: William Dinan Hinsberg,Carlton Grant Willson,Webster Eugene Howard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-08.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Semiconductor apparatus manufacturing method employing gate side wall self-aligning for masking

Номер патента: US5591657A. Автор: Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Yoshihiko Nagayasu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: US5656861A. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen,Tsu-Wei Frank Lee. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Self aligned schottky guard ring

Номер патента: CA1123121A. Автор: John J. Lajza, Jr.,Richard F. Dreves,John F. Fresia,Sang U. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-05-04.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Methods for fabricating self-aligned bipolar transistors having polysilicon base contacts with polysilicon or metal emitter contacts

Номер патента: CA1118534A. Автор: Tak H. Ning,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-16.

Self aligned embedded gate carbon transistors

Номер патента: US20150228753A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Self-aligned liner method of avoiding pl gate damage

Номер патента: US20150228661A1. Автор: Hong-Ji Lee,Zusing Yang,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for forming a self-aligned contact in a damascene structure used to form a memory device

Номер патента: US20160163593A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Middle of the line (mol) contacts with two-dimensional self-alignment

Номер патента: US20180182668A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Lars Liebmann,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240030348A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US11855223B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Source-body self-aligned method of a vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230361195A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming self-aligned via

Номер патента: US10923396B2. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A3. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Self-aligned double patterning with mandrel manipulation

Номер патента: US20240162090A1. Автор: David Pritchard,Elizabeth Strehlow,Hongru Ren,James Mazza,Romain Feuillette. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Self-aligned gate edge trigate and finfet devices

Номер патента: US20210249411A1. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Christopher N. Kenyon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Self-aligned masks and methods of use

Номер патента: US20150054135A1. Автор: Paul S. Ho,Zhuojie Wu. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming epitaxial source/drain features using a self-aligned mask and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230395433A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Self-aligned vertical pnp transistor for high performance sige cbicmos process

Номер патента: SG153807A1. Автор: Zhang Shaoqiang,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Self-aligned epitaxial method for the fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US4101350A. Автор: Glen G. Possley,Robert G. Massey,Billy B. Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-07-18.

Self-aligned semiconductor trench structures

Номер патента: US8685859B2. Автор: Juengling Werner,Richard Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of forming a self aligned contact (SAC) window

Номер патента: US5920780A. Автор: Chung-Cheng Wu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor contacts self-aligned two dimensions

Номер патента: US09660040B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Jia ZENG,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-aligned source/drain contacts

Номер патента: US09576957B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Praneet Adusumilli,Emre Alptekin,Shom S. Ponoth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Self aligned active trench contact

Номер патента: US20150171091A1. Автор: Steven Alan Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Self aligned active trench contact

Номер патента: US09640539B2. Автор: Steven Alan Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Self-aligned ldmos and method

Номер патента: WO1984003997A1. Автор: Antonio R Alvarez. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-10-11.

Methods, apparatus and system for self-aligned retrograde well doping for finfet devices

Номер патента: US20180090391A1. Автор: Kwan-Yong Lim,Amitabh Jain,Steven Bentley,Mira PARK. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US12057491B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US20240355903A1. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods, apparatus and system for self-aligned retrograde well doping for finFET devices

Номер патента: US09960086B2. Автор: Kwan-Yong Lim,Amitabh Jain,Steven Bentley,Mira PARK. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09892967B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US09741868B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US09553186B2. Автор: John Kim. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09508821B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09466565B2. Автор: Mark T Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz,Nadia M. Rahhai-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Transistor contacts self-aligned in two dimensions

Номер патента: US20170221886A1. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Jia ZENG,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: US20240203786A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo,Sean W. King. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes

Номер патента: CA1241770A. Автор: Yun B. Koh,Frank Chien,Madhu Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Self-aligned SOI device with body contact and NiSi2 gate

Номер патента: US6091123A. Автор: Shekhar Pramanick,Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Self-aligned gate last III-N transistors

Номер патента: US09837499B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Seung Hoon Sung,Robert Chau,Sanaz Gardner,Marko Radosavlijevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Self-aligned bipolar transistor using selective polysilicon growth

Номер патента: US4980739A. Автор: David P. Favreau. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-12-25.

Closed cell lateral MOSFET using silicide source and body regions with self-aligned contacts

Номер патента: US09853143B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of fabricating self-aligned FETS using multiple sidewall spacers

Номер патента: US09449833B1. Автор: Keisuke Shinohara,Miroslav Micovic,Yan Tang,Dean C. Regan. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Self-aligned metal process for integrated circuit metallization

Номер патента: CA1166760A. Автор: Ingrid E. Magdo,Shashi D. Malaviya,George R. Goth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-01.

Method of fabricating self-aligned FET structure having a high temperature stable T-shaped Schottky gate contact

Номер патента: US5550065A. Автор: Saied N. Tehrani,Majid M. Hashemi,Patricia A. Norton. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-08-27.

Self aligned active trench contact

Номер патента: US20170194332A1. Автор: Steven Alan Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Self aligned active trench contact

Номер патента: US20190057969A1. Автор: Steven Alan Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-Aligned Contact and Method

Номер патента: US20160027689A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Self-aligned contact with metal-insulator transistion materials

Номер патента: US20200135882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Extended drain lateral DMOS transistor with reduced gate charge and self-aligned extended drain

Номер патента: US8609490B2. Автор: David R. Zinn. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Extended drain lateral dmos transistor with reduced gate charge and self-aligned extended drain

Номер патента: US20130244390A1. Автор: David R. Zinn. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US20170221808A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Mosfet having self-aligned gate and buried shield

Номер патента: EP1103074B1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Rovec Acquisitions Ltd LLC. Дата публикации: 2010-01-06.

Self-aligned silicide gate technology for advanced deep submicron MOS device

Номер патента: US6239452B1. Автор: Qi Xiang,Ming-Ren Lin,Shekhar Pramanick. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Self Aligned Contact Scheme

Номер патента: US20240258168A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-aligned trench mosfet and igbt structures and methods of fabrication

Номер патента: US20210226041A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jong Oh Kim. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2021-07-22.

Solid-state wafer bonding of functional materials on substrates and self-aligned contacts

Номер патента: WO2016073460A1. Автор: Shadi A. DAYEH,Renjie Chen. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-05-12.

Devices, structures, and methods using self-aligned resistive source extensions

Номер патента: WO2011035331A3. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Sacrificial fin for contact self-alignment

Номер патента: US20210328041A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Su Chen Fan,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Sacrificial fin for contact self-alignment

Номер патента: US20220262923A1. Автор: Yann Mignot,Su Chen Fan,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz,Eric Miller, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20140070282A1. Автор: Shom Ponoth,David L. Rath,Muthumanickam Sankarapandian,David V. Horak,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Opto-electronic device with self-aligned ohmic contact layer

Номер патента: US20010054716A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Masaharu Nobori,Masumi Koizumi. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Self-aligned method for vertical recess for 3d device integration

Номер патента: US20230036597A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Paul Gutwin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Self-aligned contacts

Номер патента: WO2014039166A1. Автор: Shom Ponoth,David L. Rath,Muthumanickam Sankarapandian,David V. Horak,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: US09754940B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Raised metal semiconductor alloy for self-aligned middle-of-line contact

Номер патента: US09754935B2. Автор: Effendi Leobandung,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Gate with self-aligned ledged for enhancement mode GaN transistors

Номер патента: US09748347B2. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US09698101B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-aligned contact process enabled by low temperature

Номер патента: US09634117B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Three-dimensional memory structure having self-aligned drain regions and methods of making thereof

Номер патента: US09543320B2. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: US09515181B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating self-aligned contact

Номер патента: US6107175A. Автор: Han Lin,Sun-Chieh Chien,Jengping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Self-aligned N+/P+ doped polysilicon plugged contacts to N+/P+ doped polysilicon gates and to N+/P+ doped source/drain regions

Номер патента: US5718800A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11600524B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned contact regions

Номер патента: US4830971A. Автор: Tadashi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-16.

Formation of self-aligned overlapping bitline contacts with sacrificial polysilicon fill-in stud

Номер патента: US5723381A. Автор: Bernhard Poschenrieder,Virinder Grewal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-03-03.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Method for fabricating a bipolar transistor having self aligned base and emitter

Номер патента: US4824794A. Автор: Motoshu Miyajima,Akira Tabata,Kazushi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Method for fabricating a MOSFET device, with local channel doping, self aligned to a selectively deposited tungsten gate

Номер патента: US5688706A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: WO2018148170A1. Автор: SUNG Won Jun,Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-16.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20240030067A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11887891B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Copper interconnects with self-aligned hourglass-shaped metal cap

Номер патента: US20230110587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Self-aligned trench filling with high coupling ratio

Номер патента: EP1815519A1. Автор: Jack H. Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Self-aligned contact

Номер патента: US20170372957A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180233359A1. Автор: Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon,Sungwon JUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Fabrication of self-aligned, t-gate hemt

Номер патента: US5053348A. Автор: Mark A. Thompson,Umesh K. Mishra,Linda M. Jelloian. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-10-01.

Process for high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4587711A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1986-05-13.

Self-alignment of gate contacts at local or remote sites

Номер патента: US4221044A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.,Gary L. Heimbigner. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1980-09-09.

Process for and structure of high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4506437A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Dual Pad Cell Semiconductor Device Using Self Align and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR970003472A. Автор: 조상연,박재관. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of self-aligned double patterning

Номер патента: US10734284B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Method of forming salicided self-aligned contact for SRAM cells

Номер патента: US5573980A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Self-aligned fabrication process for gaas mesfet devices

Номер патента: CA1252226A. Автор: John R. Hayes. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1989-04-04.

Method of manufacturing self-aligned silicide

Номер патента: US6150264A. Автор: Chih-Ching Hsu,Shu-Jen Chen,Ruoh-Haw Chang. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Self-aligned tin formation by N2+ implantation during two-step annealing Ti-salicidation

Номер патента: US5656546A. Автор: Mong-Song Liang,Chii-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of fabricating self-aligned contact pad using chemical mechanical polishing process

Номер патента: US20100124817A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Joon-Sang Park,Ho-Young Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Self-aligning process method and self-aligning process apparatus for reducing critical dimension variation of sic trench gate mosfet structure

Номер патента: US20230326992A1. Автор: Sang Woo Kim,Min Seok Jang,Ho Jun Lee,Jee Hun Jeong,O Gyun Seok. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US20050260821A1. Автор: Bart Van Zeghbroeck,John Torvik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Self aligned mosfet devices and associated fabrication methods

Номер патента: WO2023163855A1. Автор: Sudarsan Uppili,David Lee Snyder,Scott Joseph Alberhasky. Владелец: Scdevice LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Field-effect-transistor with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US20140008731A1. Автор: Charles William Koburger, III,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Raised isolation structure self-aligned to fin structures

Номер патента: US8586449B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Effendi Leobandung,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Double self aligned via patterning

Номер патента: US20140363969A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: US09837314B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Double self-aligned via patterning

Номер патента: US20150364372A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Apparatus with self-aligned connection and related methods

Номер патента: US20240194529A1. Автор: David H. Wells,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligned multiple spacer patterning schemes for advanced nanometer technology

Номер патента: US09978596B2. Автор: Ying Zhang,Srinivas D. Nemani,Praburam Gopalraja,Uday Mitra,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Self-aligned non-mandrel cut formation for tone inversion

Номер патента: US09905424B1. Автор: Shao Beng Law. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Self-Aligned Top Via Formation at Line Ends

Номер патента: US20210125865A1. Автор: Ashim Dutta,John Arnold,Dominik Metzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Cut first self-aligned litho-etch patterning

Номер патента: US09698016B2. Автор: Ming-Chung Liang,Kuan-Wei Huang,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Self-aligned multiple spacer patterning schemes for advanced nanometer technology

Номер патента: US09548201B2. Автор: Ying Zhang,Srinivas D. Nemani,Praburam Gopalraja,Uday Mitra,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: WO2017136577A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20180366370A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-20.

Self-aligned contact hole and pillar array patterning

Номер патента: EP3671822A1. Автор: Jae Uk Lee. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-24.

Self-aligned spatial frequency doubling

Номер патента: US20110127235A1. Автор: Dong Li,Steven R.J. Brueck,Alexander K. Raub,Andrew Frauenglass. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2011-06-02.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20160181156A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US10157788B2. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Method for producing self-aligned line end vias and related device

Номер патента: US09741613B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for producing self-aligned line end vias and related device

Номер патента: US20170352591A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Multi-Metal Fill with Self-Align Patterning

Номер патента: US20200051853A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flash memory chip with self aligned isolation fill between pillars

Номер патента: US20230136139A1. Автор: John Hopkins,Prasanna Srinivasan,Anil CHANDOLU,Nancy LOMELI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Multi-metal fill with self-align patterning

Номер патента: US20180308749A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Self aligned trench MOSFET with integrated diode

Номер патента: US09911840B2. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: WO2009054936A3. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Scott T Becker. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Self-Aligning Pick-up Head and Method for Manufacturing a Device with the Self-Aligning Pick-up Head

Номер патента: US20140174652A1. Автор: Konrad Roesl,Horst Groeninger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-26.

Selective gate cap for self-aligned contacts

Номер патента: US20230187549A1. Автор: Kangguo Cheng,Ekmini Anuja De Silva,Ruilong Xie,Chanro Park,Eric Miller,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Two-step self-aligned source etch wtih large process window

Номер патента: US20080128777A1. Автор: Xue Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Two-Step Self-Aligned Source Etch With Large Process Window

Номер патента: US20100123179A1. Автор: Xue Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of increasing oxide/oxynitride etching selectivity ratio in fabrication of self-aligned borderless contact

Номер патента: US20020039842A1. Автор: Pei-Humg Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Self-aligned litho-etch-litho-etch mandrel cut process for advanced finfet interconnect

Номер патента: US20240321587A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Xiaoming Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Pre-spacer self-aligned cut formation

Номер патента: US09966338B1. Автор: Xunyuan Zhang,Shao Beng Law. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making self-aligned continuity cuts in mandrel and non-mandrel metal lines

Номер патента: US09953834B1. Автор: Xunyuan Zhang,Lei Sun,Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Self aligned interconnect structures

Номер патента: US09922929B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Roderick A. Augur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of making self-aligned continuity cuts in mandrel and non-mandrel metal lines

Номер патента: US09859120B1. Автор: Xunyuan Zhang,Lei Sun,Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Self-aligned pitch split for unidirectional metal wiring

Номер патента: US09786597B2. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned nanowire formation using double patterning

Номер патента: US09633907B2. Автор: De-Fang Chen,Ching-Feng Fu,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-aligned gate tie-down contacts with selective etch stop liner

Номер патента: US09570573B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Self-aligned airgap interconnect structures

Номер патента: US09490202B2. Автор: Qinghuang Lin,Cyril Cabral,Benjamin L. Fletcher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Self-aligned pitch split for unidirectional metal wiring

Номер патента: US09472499B2. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-aligned laterally extended strap for a dynamic random access memory cell

Номер патента: US09461050B2. Автор: Dan M. Mocuta,Byeong Y. Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Self-aligned process

Номер патента: US09343272B1. Автор: Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Mandar B. Pandit. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Flip chip self-alignment features for substrate and leadframe applications

Номер патента: US20230369182A1. Автор: Marc Alan Mangrum. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Flip chip self-alignment features for substrate and leadframe applications

Номер патента: US20190043789A1. Автор: Marc Alan Mangrum. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Self-aligned trench filling for narrow gap isolation regions

Номер патента: EP1949443A1. Автор: Jack H. Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Self-aligned via structure by selective deposition

Номер патента: US11756878B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Self-aligned top via

Номер патента: US20210151377A1. Автор: Nelson Felix,Ashim Dutta,John C. Arnold,Chi-chun Liu,Dominik Metzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Self-aligned via to metal line for interconnect

Номер патента: US12080640B2. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating mos device with self-aligned contacts

Номер патента: CA1210528A. Автор: Tarsaim L. Batra. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Self-aligned lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220344202A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1340264A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L. Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Self-aligned trench mosfet structure and method of manufacture

Номер патента: WO2007114863A3. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Nathan Lawrence Kraft. Владелец: Nathan Lawrence Kraft. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming a self-aligned contact opening

Номер патента: US20010029097A1. Автор: Kei-Yu Ko,Dave Pecora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793163B2. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Self-aligned repairing process for barrier layer

Номер патента: US09640428B2. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09406512B2. Автор: Kanwal Jit Singh,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of fabricating a lateral semiconductor structure including field plates for self-alignment

Номер патента: US4966858A. Автор: David N. Okada,Michael P. Masquelier. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

Semiconductor fabrication technique using local planarization with self-aligned transistors

Номер патента: US5340774A. Автор: Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Method of forming a narrow self-aligned, annular opening in a masking layer

Номер патента: US5047117A. Автор: Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-09-10.

Bonding substrates using solder surface tension during solder reflow for three dimensional self-alignment of substrates

Номер патента: US9704822B2. Автор: John U. Knickerbocker,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Deposition film orientation and reflectivity improvement using a self-aligning ultra-thin layer

Номер патента: US6120844A. Автор: LIANG Chen,Ted Guo,Fusen Chen,Roderick C. Mosely. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Self-aligned contact and contact over active gate structures

Номер патента: US20200279773A1. Автор: Susmit Singha Roy,Regina FREED,Madhur Sachan,Sanjay Natarajan,Yuriy Shusterman. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Fully self-aligned subtractive etch

Номер патента: US11869807B2. Автор: Regina FREED,Ho-Yung David Hwang,Madhur Sachan,Lili Feng,Yuqiong Dai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023066796A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Fully self-aligned subtractive etch

Номер патента: WO2021252229A1. Автор: Regina FREED,Ho-Yung David Hwang,Madhur Sachan,Lili Feng,Yuqiong Dai. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Method for fabricating a capacitor by using self-aligned etaching process

Номер патента: US20020132489A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: US20020063278A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan Renninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Self-aligned two-time forming method capable of preventing sidewalls from being deformed

Номер патента: US11244833B1. Автор: Aimei Lin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-08.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate contacts

Номер патента: US11935892B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Fully self aligned via integration processes

Номер патента: WO2023027827A1. Автор: Xintuo Dai. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Self-aligned contact set

Номер патента: US8058733B2. Автор: Chan-Lon Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: WO2002045176B1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Self-aligned contact based via to backside power rail

Номер патента: US20240290657A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Richard C. Johnson,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-aligned trench mosfet structure and method of manufacture

Номер патента: MY146754A. Автор: Kraft Nathan Lawrence,KOCON Christopher Boguslaw. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2012-09-14.

Method of fabricating self-aligned polysilicon via plug

Номер патента: US6291338B1. Автор: JHY-JYI SZE,Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Device threshold control of front-gate silicon-on-insulator mosfet using a self-aligned back-gate

Номер патента: EP1661158A2. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Inverse taper via to self-aligned gate contact

Номер патента: EP4109503A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Self-aligned sti sonos

Номер патента: EP1875500A1. Автор: Yu Sun,Hidehiko Shiraiwa,Mark Randolph. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-09.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Self-aligned air spacers and methods for forming

Номер патента: US12107146B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09876009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US09842801B2. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Self-aligned three dimensional chip stack and method for making the same

Номер патента: US09837394B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-12-05.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793159B2. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned low resistance metallic interconnect structures

Номер патента: US09793156B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Compact self-aligned implantation transistor edge resistor for SRAM SEU mitigation

Номер патента: US09773808B2. Автор: Paul S. Fechner. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Self-aligned deep contact for vertical FET

Номер патента: US09761491B1. Автор: John H. Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal fill optimization for self-aligned double patterning

Номер патента: US09735029B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Myung-Hee Na,Albert M. Chu,Ximeng Guan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned back end of line cut

Номер патента: US09679805B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09666451B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09627373B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09553047B2. Автор: Yu-Min Hung,Tzung-Ting Han,Miao-Chih Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for creating self-aligned SDB for minimum gate-junction pitch and epitaxy formation in a fin-type IC device

Номер патента: US09524911B1. Автор: Min-Hwa Chi,Yong Meng Lee,Hao-Cheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Line layout and method of spacer self-aligned quadruple patterning for the same

Номер патента: US09524878B2. Автор: Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Self-aligned back end of line cut

Номер патента: US09508642B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for producing self-aligned vias

Номер патента: US09484258B1. Автор: Lei Sun,Wenhui Wang,Ryan Ryoung-Han Kim,Yulu Chen,Erik Verduijn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for creating self-aligned transistor contacts

Номер патента: US09461128B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Self-aligned semiconductor fabrication with fosse features

Номер патента: US09362169B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang,Ken-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Self aligned contact formation

Номер патента: US8921136B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Self-aligned patterning methods which implement directed self-assembly

Номер патента: US20190221428A1. Автор: Ankit Vora,Kafai Lai,Sivananda K. Kanakasabapathy,Kristin Schmidt,Sean D. Burns,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming a self-aligned copper structure with improved planarity

Номер патента: US6080656A. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor

Номер патента: US4318751A. Автор: Cheng T. Horng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-09.

Method of forming a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US5268314A. Автор: George W. Conner. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Method for providing self-aligned conductor in a v-groove device

Номер патента: CA1166761A. Автор: Donald M. Kenney,Richard R. Garnache. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-01.

Dielectric liner for a self-aligned contact via structure

Номер патента: US9318384B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Self-aligned dual damascene beol structures with patternable low- k material and methods of forming same

Номер патента: US20100314767A1. Автор: Qinghuang Lin,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Sampath Purushothaman,Shawn M. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of manufacturing a self-aligned contact from a conductive layer that is free of voids

Номер патента: US20020090808A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Jeong-sic Jeon,Wan-Jae Park,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of forming a self-aligned contact of a DRAM cell

Номер патента: US5885895A. Автор: Chuck Chen,Ming-Hua Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Self-aligned contact process for complementary field-effect integrated circuits

Номер патента: US5283203A. Автор: Manzur Gill,Danny Shum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Self-aligned contact for MOS processing

Номер патента: US4795718A. Автор: Bruce A. Beitman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1989-01-03.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: MY182653A. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Milton Clair Webb,Szuya S LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Gate cap last for self-aligned contact

Номер патента: US20200381306A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Dual self-aligned gate endcap (sage) architectures

Номер патента: US20220077302A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Mark Liu,Szuya S. LIAO,Christopher Kenyon,Nick Lindert,Sridhar Govindaraju,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Pre-spacer self-aligned cut formation

Номер патента: US20180301413A1. Автор: Xunyuan Zhang,Shao Beng Law. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Formation of self-aligned passivation for interconnect to minimize electromigration

Номер патента: EP1317770A2. Автор: LU You,Amit Marathe,Pin-Chin C. Wang,Joffre Bernard. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-11.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353589A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20210210596A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190259831A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20230299134A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Self-aligned bottom spacer epi last flow for vtfet

Номер патента: US20220005935A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Heng Wu,Sung Dae Suk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures without fin end gap

Номер патента: US11869889B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO,Matthew V. Metz,Rami HOURANI,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Self-Aligned Nanowire Formation Using Double Patterning

Номер патента: US20190122936A1. Автор: De-Fang Chen,Ching-Feng Fu,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Self-aligned encapsulation hard mask to separate physically under-etched MTJ cells to reduce conductive re-deposition

Номер патента: US11818961B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353590A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Self-aligned trench mosfet structures and methods

Номер патента: US20190273157A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2019-09-05.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: WO2011160922A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

Back end of line integration for self-aligned vias

Номер патента: US11916010B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Self-aligned encapsulation hard mask to separate physically under-etched mtj cells to reduce conductive re-deposition

Номер патента: US20230389435A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US9263548B2. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-16.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: US20240088143A1. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO,Matthew V. Metz,Rami HOURANI,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with low-k gate cap and self-aligned contact

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Self-aligned bottom spacer epi last flow for VTFET

Номер патента: US11923434B2. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Heng Wu,Sung Dae Suk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: EP4328978A2. Автор: Florian Gstrein,Matthew Metz,Rami HOURANI,Scott Clendenning,Martin Mitan,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER,Szuya Liao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: EP4328978A3. Автор: Florian Gstrein,Matthew Metz,Rami HOURANI,Scott Clendenning,Martin Mitan,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER,Szuya Liao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US20080254587A1. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Self aligned via dual damascene

Номер патента: US5795823A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Ming-Ren Lin,Rich Klein,Scott D. Luning. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Self-aligned contact openings for backside through substrate vias

Номер патента: US11973006B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Self-aligned metallization for semiconductor device and process using selectively deposited tungsten

Номер патента: US4937657A. Автор: Janet M. DeBlasi,Paulus Z. A. van der Putte. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Novel self-align via structure by selective deposition

Номер патента: US20240021517A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US11860550B2. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Self-Aligned Via to Metal Line for Interconnect

Номер патента: US20230077878A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US20240085803A1. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US20200124985A1. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Interconnect integration scheme with fully self-aligned vias

Номер патента: US20210118733A1. Автор: Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Planarization method for self-aligned contact process

Номер патента: US6110827A. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Kun-Cho Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of making self-aligned recessed oxide isolation regions

Номер патента: US4675982A. Автор: Roy E. Scheuerlein,Wendell P. Noble, Jr.,William W. Walker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-06-30.

Manufacturing method of self-aligned silicide load for static random access memory

Номер патента: US5854103A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers

Номер патента: US5756394A. Автор: H. Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Method of fabricating sidewall spacers for a self-aligned contact hole

Номер патента: US6033962A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Ming-Horn Tsai,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Self-aligned contact process

Номер патента: US5500382A. Автор: Che-Chia Wei. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-03-19.

Self-aligned contacts for semiconductor device

Номер патента: US6165910A. Автор: Joel M. Cook,Janet M. Flanner,Ian J. Morey,Linda N. Marquez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

SELF-ALIGNED ION BEAM ETCH SPUTTER MASK FOR MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20200119261A1. Автор: Doris Bruce B.,Holmes Steve,Lee Hyun K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Fabrication and design methods using selective etching and dual-material self-aligned multiple patterning processes to reduce the cut-hole patterning yield loss

Номер патента: US09679771B1. Автор: Yijian Chen. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for semiconductor self-aligned patterning

Номер патента: US09318412B2. Автор: An Hsiung Liu,Ya Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of manufacture for self-aligned floating gate memory cell

Номер патента: US4355455A. Автор: Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Self-aligned block for vertical FETs

Номер патента: US12009395B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Self aligned symmetric intrinsic process and device

Номер патента: WO2000021125A1. Автор: Paul M. Enquist. Владелец: Research Triangle Institute. Дата публикации: 2000-04-13.

Self aligned symmetric intrinsic process and device

Номер патента: US20020100916A1. Автор: Paul Enquist. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Self-aligned under bump metal

Номер патента: US09865555B2. Автор: Manoj K. Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Self-aligned under bump metal

Номер патента: US09478510B2. Автор: Manoj K. Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for allowing formation of self-aligned base contacts

Номер патента: US20050029625A1. Автор: Tahir Hussain,Mary Montes,Rajesh Rajavel. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2005-02-10.

Eeprom cell with self-aligned tunneling window

Номер патента: US20010042883A1. Автор: Sunil D. Mehta,Xiao Yu Li,Christopher O. Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Injection pillar definition for line MRAM by a self-aligned sidewall transfer

Номер патента: US09536925B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Self-aligned metal oxide thin-film transistor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564536B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Kelson D Chabak,Andrew J Green,Gregg H Jessen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-11-12.

Encapsulation Topography-Assisted Self-Aligned MRAM Top Contact

Номер патента: US20210083179A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nanowire/nanosheet device having self-aligned isolation portion and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230317838A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Vertical field effect transistors (vfets) with self-aligned wordlines

Номер патента: US20200020805A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US20150270480A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts

Номер патента: US09496415B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US09344345B2. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Transistor with self-aligned gate and self-aligned source/drain terminal(s) and methods

Номер патента: US11916119B2. Автор: Zhong-Xiang He,Jeonghyun Hwang,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US09917194B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Self-Aligned Structure For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386933A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-aligned structure for semiconductor devices

Номер патента: US11837504B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US8895371B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

System and method for establishing a self-aligning mounting system for mounting photovoltaic modules

Номер патента: EP2780950A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Sader Power Enterprises. Дата публикации: 2014-09-24.

Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap

Номер патента: US09577134B2. Автор: Timothy Weidman. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with thin self-aligned dielectric layer

Номер патента: US20230413691A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming poly insulator poly capacitors by using a self-aligned salicide process

Номер патента: US20050085046A1. Автор: Hao Fang,Jung-Cheng Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Self-aligned schottky-barrier clamped planar DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20060131619A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

N-channel clamp for ESD protection in self-aligned silicided CMOS process

Номер патента: US5262344A. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: US20110306194A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Self-aligned contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200052096A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Junli Wang,Su Chen Fan,Steven Bentley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Self-aligned gated emitter tip arrays

Номер патента: US20140285084A1. Автор: Arash Akhavan Fomani,Luis Fernando Velasquez-Garcia,Akintunde Ibitayo Akinwande. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Method for manufacturing a self-aligned MOS transistor

Номер патента: US20030082881A1. Автор: Ting-Chang Chang,Cheng-Jer Yang,Huang-Chung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: US20020019098A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Self-aligned isolation dielectric structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09859363B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Chun-Ming Wang,Makoto Yoshida,Tong Zhang,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Kota Funayama,Chenche Huang,Lauren MATSUMOTO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Field effect transistors with self-aligned extension portions of epitaxial active regions

Номер патента: US09761721B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09735162B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553128B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

N-channel clamp for esd protection in self-aligned silicided cmos process

Номер патента: CA2039777A1. Автор: Kaizad Rumy Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-10-28.

Test circuit for measuring specific contact resistivity of self-aligned contacts in integrated circuits

Номер патента: CA1288526C. Автор: William Thomas Lynch,Kwok Kwok Ng. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-09-03.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Self-aligned split gate flash memory

Номер патента: US9536969B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Self-aligned CMOS process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: US4047284A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1977-09-13.

Triple self-aligned bipolar junction transistor

Номер патента: US5382828A. Автор: Rashid Bashir,Gerold W. Neudeck. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1995-01-17.

Epitaxy Everywhere Based Self-Aligned Direct Backside Contact

Номер патента: US20240105799A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Self-aligned thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9252241B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-02.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Self-aligned precise high sheet RHO resistor for mixed-signal application

Номер патента: EP1075016A3. Автор: Kai Shao,Shao-Fu Sanford Chu,Cerdin Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-07-21.

Structures and methods of self-aligned gate for sb-based fets

Номер патента: US20130075822A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Han-Chieh Ho. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-03-28.

Self aligned gate jfet structure and method

Номер патента: WO2007146734A3. Автор: Ashok Kumar Kapoor. Владелец: Ashok Kumar Kapoor. Дата публикации: 2008-02-21.

Self-aligned precise high sheet rho resistor for mixed-signal application

Номер патента: SG87076A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Kai Shao,Lee Cerdin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-19.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Block copolymer self-alignment on isolated chemical stripes

Номер патента: US20230036175A1. Автор: Michael Arnold,Paul F. Nealey,Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-02-02.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Vertical DRAM punchthrough stop self-aligned to storage trench

Номер патента: US6833305B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Self-aligned contact (sac) in nanosheet transistors

Номер патента: US20230290821A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and system for reducing short channel effects in a memory device formed using a self-aligned source

Номер патента: US20010050400A1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Tommy Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for self-aligned source for high density memory

Номер патента: WO1997003470A1. Автор: Steven W. Longcor,James Hsu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-01-30.

Finfet with self-aligned punchthrough stopper

Номер патента: WO2014035556A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Self-aligned crossbar-compatible electrochemical memory structure

Номер патента: US20230165015A1. Автор: John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Self-aligned process for fabricating memory cells with two isolated floating gates

Номер патента: US20030218204A1. Автор: Yakov Roizin,Christopher Cork,Ruth Shima-Edelstein,Efraim Aloni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Quasi self-aligned single polysilicon bipolar active device with intentional emitter window undercut

Номер патента: US20040248357A1. Автор: Daniel Hahn,Steven Leibiger,Laurence Szendrei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Self-aligned patterning method by using non-conformal film and etch for flash memory and other semiconductor applications

Номер патента: US20100230743A1. Автор: Fei Wang,Calvin Gabriel,Mark Chang,Phillip Jones,Zubin Patel,Minh-Van Ngo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Jihwan Choi,Angela Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices having epitaxial source or drain structures

Номер патента: US20220254893A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

A self-aligned pattering method by using non-conformal film and etch back for sonos memory

Номер патента: WO2008133817A1. Автор: Fei Wang,Calvin Gabriel,Mark Chang,Phillip Jones,Zubin Patel,Minh-Van Ngo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Jihwan Choi,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-06.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Self aligning soldering

Номер патента: US09825194B2. Автор: Slava Hasin,Ron HELFAN. Владелец: Essence Solar Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ultra-sensitive biosensor based on lateral bipolar junction transistor having self-aligned epitaxially grown base

Номер патента: US09726631B1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell

Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Self-aligned contact for trench power MOSFET

Номер патента: US09691863B2. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Self-aligned cross-point phase change memory-switch array

Номер патента: US09590012B2. Автор: Jong Won Lee,DerChang Kau,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Self aligned patterning with multiple resist layers

Номер патента: US09581900B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Ken-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09564443B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553257B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Solder self-alignment methods

Номер патента: US5249733A. Автор: Michael F. Brady,Rajan D. Deshmukh. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Self-aligned split gate eprom process

Номер патента: US4795719A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1989-01-03.

Method for making a thin film transistor panel used in a liquid crystal display having a completely self-aligned thin film transistor

Номер патента: US5719078A. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Method of fabricating a self-aligned double recess gate profile

Номер патента: US5556797A. Автор: Danny Li,Tom Y. Chi,Liping D. Hou,Kusol Lee,Ishver K. Naik,Tom Quach. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-09-17.

Self-aligning, self-loading semiconductor clamp

Номер патента: CA1218766A. Автор: Richard M. Beabes,Merle Morozowick,Kenneth G. Longenecker. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1987-03-03.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: US8168486B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of making improved aluminum metallization in self-aligned polysilicon gate technology

Номер патента: US4514233A. Автор: Katsuhiro Kawabuchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-30.

Method for fabricating a self-aligned double-gate MOSFET by selective lateral epitaxy

Номер патента: US5646058A. Автор: Yuan Taur,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Method and fabricating a self-aligned node contact window

Номер патента: US6140176A. Автор: J. S. Jason Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

SOI transistor having a self-aligned body contact

Номер патента: US5962895A. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Louis Lu-Chen Hsu,Chang-Ming Hsieh,Taqi Nasser Buti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor having self-aligned polysilicon electrode layer

Номер патента: US5880496A. Автор: Min-Liang Chen,Nan-Hsiung Tsai. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method for making a self-aligned impurity induced disordered structure

Номер патента: US5061656A. Автор: Stephen P. Rogers,Curtis D. Moyer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-10-29.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Method of fabricating self-aligned zener diode

Номер патента: US4835111A. Автор: Philip Shiota,James R. Wright. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1989-05-30.

Self aligned LOD antiblooming structure for solid-state imagers

Номер патента: US6051852A. Автор: Eric G. Stevens. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2000-04-18.

Poly tip formation and self-align source process for split-gate flash cell

Номер патента: US6117733A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Yai-Fen Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Self-aligned power mosfet with integral source-base short and methods of making

Номер патента: CA1197023A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-19.

Self-aligned vertical solid state devices fabrication and integration methods

Номер патента: US11830868B2. Автор: Gholamreza Chaji,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-aligned tunable metamaterials

Номер патента: US20160194786A1. Автор: Arturo A. Ayon,Ramakrishna Kotha,Diana Strickland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-07.

Self-aligned and misalignment-tolerant landing pad for magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20190207099A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Self-aligned tunable metamaterials

Номер патента: US10501867B2. Автор: Ramakrishna Kotha,Diana Strickland,Arturo A Ayon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-10.

Self-aligned and misalignment-tolerant landing pad for magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20200266342A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Chandrasekara Kothandaraman,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Self-aligned shield structure for realizing high frequency power mosfet devices with improved reliability

Номер патента: WO2000049663A1. Автор: Francois Hebert,Szehim Daniel Ng. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2000-08-24.

Method and system for a gallium nitride vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20140203328A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Self-aligned vertical solid state devices fabrication and integration methods

Номер патента: US20240063209A1. Автор: Gholamreza Chaji,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Method and system for a gan vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20130299873A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Vertical fet with self-aligned source/drain regions and gate length based on channel epitaxial growth process

Номер патента: US20180331213A1. Автор: Julien Frougier,Steven Bentley,Bartlomiej Jan Pawlak,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Self-aligning support structure for optical components

Номер патента: CA1085950A. Автор: Michael J. Brady,Liam D. Comerford,John D. Crow,Robert A. Laff,Eric G. Lean. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-09-16.

Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process

Номер патента: US6091021A. Автор: James M. Gee,Douglas S. Ruby,William K. Schubert,Saleem H. Zaidi. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: US20240021653A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming self aligned grids in BSI image sensor

Номер патента: US11776985B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US20130130446A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Transistor employing vertically stacked self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: US20130126830A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: GB2496964B. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes

Номер патента: EP2005499A2. Автор: Henning Sirringhaus,Paul A. Cain,Yong-Young Noh. Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Ic chips with self-aligned thin film resistors

Номер патента: WO1989003121A1. Автор: Paul A. Ruggerio,Cynthia E. Anderson. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: GB201220281D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Monolithically integrated lateral bipolar device with self-aligned doped regions

Номер патента: WO2023161389A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Self-aligned memory decks in cross-point memory arrays

Номер патента: US20200075858A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Self-aligned memory decks in cross-point memory arrays

Номер патента: US20210328142A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Self-aligned etching techniques for memory formation

Номер патента: US20230395704A1. Автор: John Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Deep Implant Self-Aligned To Polysilicon Gate

Номер патента: US20080237653A1. Автор: David Cohen,Vladimir Korobov,Assaf Lahav,Clifford Ian Drowley,Anatoly Sergienko,Shai Kfir,Naor Inbar. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Vertical field effect transistor with self-aligned backside trench epitaxy

Номер патента: WO2024134280A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Albert Chu,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Nicholas LANZILLO. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical field effect transistor with self-aligned backside trench epitaxy

Номер патента: US20240204100A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (SALDE) solar cell

Номер патента: US5928438A. Автор: Akio Shibata,Jalal Salami,Daniel L Meier,Edgar L Kochka. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (salde) solar cell

Номер патента: CA2232857C. Автор: Akio Shibata,Jalal Salami,Daniel L. Meier,Edgar L. Kochka. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Junction field-effect transistor with self-aligning gate

Номер патента: GB2172747A. Автор: Franz-Josef Tegude. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-24.

MOSFETs with recessed self-aligned silicide gradual S/D junction

Номер патента: US5994747A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same

Номер патента: CA2479024C. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Phaedon Avouris,Kevin K. Chan,Philip G. Collins,Richard Martel,Joerg Appenzeller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Methods of making self-aligned power MOSFET with integral source-base short

Номер патента: US4598461A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-08.

SOI transistor having self-aligned body contact and forming method thereof

Номер патента: KR960002808A. Автор: 디. 바이어 클라우스,엔. 부티 타키,시 창-밍,루-센 수 루이스. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1996-01-26.

Method of manufacturing an emitter base self alignment structure

Номер патента: US5376563A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Self-aligned isolation for nanosheet transistor

Номер патента: US11152464B1. Автор: Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Robert Robison,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Magnetically connectable device with self-aligning connector

Номер патента: US09876311B2. Автор: Timothy Jing Yin SZETO,Jeremy Zhi-Qiao Chan. Владелец: Nanoport Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligning connector

Номер патента: US09774136B2. Автор: Timothy Jing Yin SZETO,Jeremy Zhi-Qiao Chan. Владелец: Nanoport Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and system for self-alignment of signals in large-scale phased array systems

Номер патента: US12046829B2. Автор: Shahriar SHAHRAMIAN,Rosanah Murugesu. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-aligning mechanical mount and electrical connection system for electronic modules with features for robotic assembly

Номер патента: US12075586B2. Автор: Christian Schaefer,David R. Peterson,Kurt P. Seifert,Jeffrey S. Campbell,Wesley W. Weber, JR.,Jared Bilas. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-08-27.

Waveguide connector for connecting first and second waveguides, where the connector includes a male part, a female part and a self-alignment feature and a test system formed therefrom

Номер патента: US12046787B2. Автор: Roger A. Sinsheimer. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for self - aligning hub connector

Номер патента: CA3205989A1. Автор: Jiri Slaby,James Rowe,Greg Nielan,Vincent KHAU,David GORGI. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Self-alignment for wireless charging

Номер патента: US20230077596A1. Автор: Jonathan D. Hurwitz,Christina L. Gilbert. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

Self-aligning board-to-board connectors

Номер патента: US20240266768A1. Автор: George Tziviskos,Mahmoud R. Amini,Ross L. Jackson,Jason S. Sloey,Aaron N. Miletich,Daren L. Rimando,Mohammed Nasser Khamis Al Jashmi,Logan T. Fikrig. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Self-alignment systems for stackable batteries

Номер патента: US20240178504A1. Автор: Sam Hoff,Raj Sohmshetty,Ireneusz TRYBULA. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for self-aligning hub connector

Номер патента: US12095203B2. Автор: Jiri Slaby,James Rowe,Greg Nielan,Vincent KHAU,David GORGI. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Optically pumped solid state laser device with self aligning pump optics and enhanced gain

Номер патента: RU2654303C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-17.

Self-aligning components for electrochemical cells

Номер патента: WO2004051765A3. Автор: ANDREWS Craig,James Evans,Chris Boyer,Brad Fiebig,James Layton,Jim Chepin. Владелец: Lynntech Power Systems Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Method and system for self-alignment of signals in large-scale phased array systems

Номер патента: WO2020167300A1. Автор: Shahriar SHAHRAMIAN,Rosanah Murugesu. Владелец: Nokia of America Corporation. Дата публикации: 2020-08-20.

Self-aligning mechanical fastener

Номер патента: WO2023215160A1. Автор: Ankit Srivastava. Владелец: Ample Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Self-aligning mechanical mount and electrical connection system for electronic modules with features for robotic assembly

Номер патента: US20230087909A1. Автор: Christian Schaefer,David R. Peterson,Kurt P. Seifert,Jeffrey S. Campbell,Wesley W. Weber, JR.,Jared Bilas. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Process for making a self-aligned waveguide

Номер патента: US10312568B2. Автор: David P. Pappas. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2019-06-04.

Apparatus and method for self-aligning a cover ring in a sputter chamber

Номер патента: US20030075433A1. Автор: Chung-En Kao,Min-Te Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Self-aligning mechanical mount and electrical connection system for electronic modules with features for robotic assembly

Номер патента: EP3846295A1. Автор: Christian Schaefer,David R. Peterson,Kurt P. Seifert,Jeffrey S. Campbell,JR. Wesley W. Weber,Jared Bilas. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Process for making a self-aligned waveguide

Номер патента: US20190051966A1. Автор: XIAN Wu,Mustafa Bal,David P. Pappas. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2019-02-14.

Self-aligning mate assurance modular docking electrical connector system

Номер патента: EP4148914A1. Автор: Jeffrey S. Campbell,Wesley W. Weber. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Self-aligned ion guide construction

Номер патента: EP1485938A1. Автор: Roger C. Tong. Владелец: Varian Inc. Дата публикации: 2004-12-15.

Self-aligned ion guide construction

Номер патента: US20030173515A1. Автор: Roger Tong. Владелец: Varian Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Self-Aligning Connector Interface

Номер патента: US20170271817A1. Автор: Thomas Binder,Augustin PICKEL. Владелец: Spinner GmbH. Дата публикации: 2017-09-21.

Self-aligning connector interface

Номер патента: WO2016075157A1. Автор: Thomas Binder,Augustin PICKEL. Владелец: Spinner GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Demountable cathode glow discharge tube, particularly for self-aligning spectroscopic devices

Номер патента: US3633990A. Автор: George Baierlein. Владелец: BAIR ATOMIC Inc. Дата публикации: 1972-01-11.

Self-aligning connector interface

Номер патента: US09929507B2. Автор: Thomas Binder,Augustin PICKEL. Владелец: Spinner GmbH. Дата публикации: 2018-03-27.

Self-aligning terminal block for battery pack

Номер патента: US7659694B2. Автор: Paul W Griffin. Владелец: Snap On Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Self-aligning portable actuator for remotely operating a power circuit breaker

Номер патента: US9117597B2. Автор: Charles Mark McClung,Russell Richard Safreed, III. Владелец: Martek Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Self-aligning connector assembly

Номер патента: US11831103B1. Автор: James Feister,Christopher Leighton Brown. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-aligned process for gated field emitters

Номер патента: US5378182A. Автор: David Nan-Chou Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-01-03.

System and method for self - aligning hub connector

Номер патента: EP4271443A1. Автор: Jiri Slaby,James Rowe,Greg Nielan,Vincent KHAU,David GORGI. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

System and method for self - aligning hub connector

Номер патента: AU2021413226A1. Автор: Jiri Slaby,James Rowe,Greg Nielan,Vincent KHAU,David GORGI. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Self-aligning rf push-on connector

Номер патента: CA2025609A1. Автор: Clifton Quan,Mark Olson. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-03-30.

Self-alignment process usable in microelectronics, and application to creating a focusing grid for micropoint flat screens

Номер патента: US5981304A. Автор: Brigitte Montmayeul,Aime Perrin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-11-09.

Methods and systems for self-aligned vertical cavity surface emitting laser (vcsel)-array beam shaping

Номер патента: US20240006855A1. Автор: Hod Finkelstein,James Carter,Scott Burroughs. Владелец: Sense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Self-aligning LCD connector assembly

Номер патента: US6293804B2. Автор: Stacy Neil Smith. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Magnetic self-aligning electrical connector

Номер патента: US3786391A. Автор: W Mathauser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-01-15.

Self-aligning components for electrochemical cells

Номер патента: WO2004051765A2. Автор: ANDREWS Craig,James Evans,Chris Boyer,Brad Fiebig,James Layton,Jim Chepin. Владелец: Lynntech Power Systems,Ltd.. Дата публикации: 2004-06-17.

Self-aligning radio frequency connector

Номер патента: WO2022125178A1. Автор: Noah Goldberg,Dennis W. MERCIER,Caroline MANTEIGA,Todd E. SOUTHARD,Dennis PROULX. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-06-16.

Self-aligning radio frequency connector

Номер патента: CA3201831A1. Автор: Noah Goldberg,Dennis W. MERCIER,Caroline MANTEIGA,Todd E. SOUTHARD,Dennis PROULX. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-16.

Self-aligning radio frequency connector

Номер патента: AU2021395158A1. Автор: Noah Goldberg,Dennis W. MERCIER,Caroline MANTEIGA,Todd E. SOUTHARD,Dennis PROULX. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-06.

Self-aligning radio frequency connector

Номер патента: EP4260411A1. Автор: Noah Goldberg,Dennis W. MERCIER,Caroline MANTEIGA,Todd E. SOUTHARD,Dennis PROULX. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-18.

Self-aligning radio frequency connector

Номер патента: US11990715B2. Автор: Noah Goldberg,Dennis W. MERCIER,Caroline MANTEIGA,Todd E. SOUTHARD,Dennis PROULX. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-21.

Self-aligned transition from ridge to buried heterostructure waveguide, especially for multi-wavelength laser array integration

Номер патента: US5805755A. Автор: Chung-En Zah,Martin Amersfoort. Владелец: Tellium Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Integrated installation assembly with self aligning connector

Номер патента: US5128830A. Автор: Jeffrey M. Lewis,Alfred E. Deluca,David T. Symmes. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-07-07.

Self-aligning drive with a virtual ellipse

Номер патента: RU2753017C1. Автор: Роберт Дж. АТМУР,Уильям Патрик САРДЖЕНТ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-08-11.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: EP4360268A1. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: WO2015142614A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Wirelessly powered self-aligning lamp

Номер патента: US20240297537A1. Автор: Xiaobing Wang,Liangqing LI. Владелец: Goodwell International Hong Kong Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

BGA Element Self-Alignment Structure and Alignment Method

Номер патента: US20240334592A1. Автор: Dongdong Shao. Владелец: Shenzhen Siptory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-Aligning Lens Holder and Camera Assembly

Номер патента: US20190293896A1. Автор: Dincer Bozkaya,Dragan Pajevic,Matthew Anthony Brady,Douglas Scott Crow,Seth A. Savage. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Self-aligning and self-orientating swivel lock mechanism for desktop monitors

Номер патента: US20240125424A1. Автор: Ghee Beng Ooi,Surendran Ramachanthiran,Fong Tien Chee. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-18.

Self-aligning virtual elliptical drive

Номер патента: AU2018202183B2. Автор: Robert J. Atmur,William Patrick SARGENT. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Coupled quantum dots with self-aligned gates

Номер патента: US20240196767A1. Автор: Peter Mueller,Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Oxygen implant self-aligned, floating gate and isolation structure

Номер патента: US6066530A. Автор: Michael K. Templeton,Kathleen R. Early. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Self-alignment protection device for permanent-magnet coupling

Номер патента: CA2945372C. Автор: Junfeng Xu,Fuxing Qi. Владелец: Jiangsu Magnet Valley Technologies Co ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: US11843486B2. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for making self-aligned node contacts to bit lines for capacitor-over-bit-line structures on dynamic random access memory (DRAM) devices

Номер патента: US5837577A. Автор: George Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Integrated circuit self-aligning process and apparatus

Номер патента: US5691216A. Автор: Wu-An Weng,Lee-Wei Yen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-25.

System and method for real-time streaming of well logging data with self-aligning satellites

Номер патента: CA2804650C. Автор: Thomas H. Selman,Matthew J. Jennings. Владелец: Selman and Associates Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Nonvolatile trench memory device and self-aligned method for making such a device

Номер патента: US5229312A. Автор: Satyendranath Mukherjee,Manjin Kim. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Self-aligned techniques for forming connections in a memory device

Номер патента: US20240045604A1. Автор: Dale W. Collins,Muralikrishnan Balakrishnan,Zhuo Chen,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of making a self-aligned recessed container cell capacitor

Номер патента: US6258660B1. Автор: Karl M. Robinson,Michael A. Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Self-aligning lens holder and camera assembly

Номер патента: GB2587717A. Автор: Bozkaya Dincer,Pajevic Dragan,Anthony Brady Matthew,Scott Crow Douglas,A Savage Seth. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-07.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Crossbar array with self-formed micro channel insulator metal transition and self-aligned to rram filament

Номер патента: WO2023211509A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

Hybrid induction electric motor with self-aligning inner rotor based on permanent magnets

Номер патента: RU2638829C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2017-12-18.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: RU2669206C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2018-10-09.

Self-aligned thin barrier high temperature superconductor edge junction

Номер патента: US5939730A. Автор: Dale J. Durand,Kei F. Lau. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array

Номер патента: MY118306A. Автор: Howard Leo Kalter,Stuart Mcallister Burns Jr,Hussein Ibrahim Hanafi,Waldemar Walter Kocon,Jeffrey J Welser. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films

Номер патента: EP2006930A3. Автор: Klaus Dimmler,Siddharth Mohapatra,Patrick H Jenkins. Владелец: Weyerhaeuser Co. Дата публикации: 2011-03-23.

Pattern reversal process for self aligned imprint lithography and device

Номер патента: US7585424B2. Автор: Ping Mei. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-09-08.

Precise self-aligning chamfer method and apparatus

Номер патента: US5871313A. Автор: Anton Nenadic,James Edward Tersigni,William A. Cavaliere,David Scott Graboski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20100019793A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20110234248A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US8004300B2. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Self-aligning antifriction bearing and its cage

Номер патента: RU2319047C2. Автор: Райнер ШРЁДЕР,Мартин ГРЕН. Владелец: Шефлер Кг. Дата публикации: 2008-03-10.

Self-aligning and self-spacing tile system

Номер патента: US09783994B2. Автор: Noel Edmonds Chase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligning cutter with fastening device on machine executive body

Номер патента: RU2672071C1. Автор: Леонид Иванович Старков,Дмитрий Игоревич Шишлянников,Алексей Борисович Максимов,Кристина Викторовна Биринцева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2018-11-09.

Tattoo machine and self-aligning support of tattoo machine motor shaft

Номер патента: RU2644698C1. Автор: Сергей Николаевич Низов. Владелец: Сергей Николаевич Низов. Дата публикации: 2018-02-13.

Magnetic self-aligning manufacturing fixture

Номер патента: EP3094205A1. Автор: YongSeon LEE. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2016-11-23.

Self-aligning fitting assemblies and systems and methods including the same

Номер патента: WO2015053836A1. Автор: Tibor A. Koncz. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2015-04-16.

Self-aligning photonic interconnections for photonic integrated circuits

Номер патента: US12038608B2. Автор: Dirk Robert Englund,Saumil Bandyopadhyay. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Self alignment structure for applications joining extruded members

Номер патента: US09915046B2. Автор: Bryan Matthew Tweedy,Casey Dean Allen. Владелец: Hfw Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Angular contact self-aligning toroidal rolling element bearing

Номер патента: US09784309B2. Автор: Magnus Kellstrom,Arne Lars Jonas Kullin,Andreas LÖFQVIST. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligning sailing unit for outfeed of flow energy

Номер патента: RU2518763C2. Автор: Виктор Федорович Орлов,Игорь Александрович Каменщиков. Владелец: Игорь Александрович Каменщиков. Дата публикации: 2014-06-10.

Self-aligning support device for rotary cylindrical elements

Номер патента: RU2511899C2. Автор: Джон Мэттью САССАТЕЛЛИ,Гари К ПОПЭМ,Вирджил ВЭЙЛЛАНКОРТ,Майкл Р КОЛК. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2014-04-10.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: US20240191827A1. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management Lp. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligning mechanisms in passive and powered exoskeletons

Номер патента: US12048668B2. Автор: Tommaso LENZI,Sergei V. SARKISIAN,Dante Amico Bennett ARCHANGELI. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2024-07-30.

Holder for self-aligning roller bearing and self-aligning roller bearing

Номер патента: US20240271661A1. Автор: Tao Cheng,Rong Gao,Yunsheng Huang,Jixuan LIU,Yaofeng LV,Hougiao XIA. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-08-15.

Self-aligning deburring tool for cnc machining centers

Номер патента: WO2023112054A1. Автор: Manjunath Laxman Kamadolli. Владелец: Manjunath Laxman Kamadolli. Дата публикации: 2023-06-22.

A self-aligning interface

Номер патента: US20210404440A1. Автор: Nicolaj Biltoft Kristensen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2021-12-30.

Self-aligning mechanisms in passive and powered exoskeletons

Номер патента: US20240325230A1. Автор: Tommaso LENZI,Sergei V. SARKISIAN,Dante Amico Bennett ARCHANGELI. Владелец: University of Utah Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US09821545B2. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Self-aligning travelling collimating lens for sweeping laser

Номер патента: EP3529652A2. Автор: Kebin Li,Russell Gruhlke,Khurshid Alam,Robert Holman,John Wyrwas. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-28.

Self-aligning travelling collimating lens for sweeping laser

Номер патента: WO2018075291A2. Автор: Kebin Li,Russell Gruhlke,Khurshid Alam,Robert Holman,John Wyrwas. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-04-26.

Apparatus for aligning a to-be-aligned display panel by self-alignment exposure and method for fabricating retardation plate

Номер патента: US20150226993A1. Автор: Yanbing WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Press with self aligning tooling

Номер патента: WO1989002845A1. Автор: Dean W. Martin. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

Fiber optic connector microlens with self-aligning optical fiber cavity

Номер патента: US20110286698A1. Автор: Subhash Roy,Igor Zhovnirovsky,Reid Greenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

System for self-aligning vehicle headlamps

Номер патента: WO1997013118A1. Автор: Mohinder Kumra,Michael F. Scherrer. Владелец: Egs, Inc.. Дата публикации: 1997-04-10.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A3. Автор: Sanjay Tandon,Kurt H Weiner,Peter D Nunan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A2. Автор: Kurt H. Weiner,Peter D. Nunan,Sanjay Tandon. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for sealing the wellhead operated by the installation of a downhole sucker rod pump with product lifting along the production string, and a self-aligning wellhead seal sealing device for sealing the wellhead when replacing stuffing box seals

Номер патента: RU2769792C1. Автор: Константин Владимирович Показаньев,Рамиль Рустемович Шагидуллин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2022-04-06.

Bearing with self-aligning segment pads and method of its manufacturing

Номер патента: RU2717302C1. Автор: Лоренцо НАЛЬДИ,Элис ИННОЧЕНТИ. Владелец: Нуово Пиньоне Текнолоджи Срл. Дата публикации: 2020-03-19.

Self-aligning riveting tools and methods of operating thereof

Номер патента: US20180264539A1. Автор: Pradeepan Kuniyil,Blair Larsson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-09-20.

Interlocking, self-aligning and torque transmitting coupler assembly, systems and methods for connecting, installing, and supporting foundation elements

Номер патента: US09863114B2. Автор: Kevin Kaufman,Michael D. Wilkis. Владелец: Pier Tech Systems LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Interlocking, self-aligning and torque transmitting coupler assembly

Номер патента: US09506214B1. Автор: Kevin Kaufman,Michael D. Wilkis. Владелец: Pier Tech Systems LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligning plating system and method

Номер патента: US20240108387A1. Автор: Arthur Alfaro,Gordon D. Donald. Владелец: Medcom Advisors LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Self-aligning coupler

Номер патента: US20240240676A1. Автор: Tushar Anandrao Jadhav,Sheela Tushar Jadhav. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned, sub-wavelength optical lithography

Номер патента: US8268534B2. Автор: Jason Blackstock,David Fattal. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-09-18.

Method for forming a self-aligned pixel electrode of an lcd

Номер патента: US20040017530A1. Автор: Hsin-Ming Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Self-aligning apparatus

Номер патента: US20170030152A1. Автор: Gjerulf Ottersland. Владелец: MHWIRTH AS. Дата публикации: 2017-02-02.

Self-aligning roller bearing

Номер патента: EP1092883A3. Автор: Akira c/o Minebea Co. Ltd Karuizawa Shoji,Shinichi c/o Minebea Co. Ltd Karuizawa Akao,Gen c/o Minebea Co. Ltd Karuizawa Sasaki. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-18.

Self-aligning coupler

Номер патента: EP4409152A1. Автор: Tushar Anandrao Jadhav,Sheela Tushar Jadhav. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-07.

Self-aligning roller bearing

Номер патента: US20230287930A1. Автор: Rainer Schröder,Andreas Bierlein,Christoph Schicke. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-Aligned Side Gap Insulator For A Perpendicular Magnetic Recording Writer

Номер патента: US20240312483A1. Автор: Yuhui Tang,Yue Liu,Jiun-Ting Lee,Weisheng HU,Yu-Hsia Chen,Weihao Xu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-aligning escape system anchor

Номер патента: US6968924B1. Автор: William E. Henson. Владелец: American Escape Systems Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20240299947A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-09-12.

Drill with a boom arm and a self-aligning support system

Номер патента: US20190309574A1. Автор: Lynn Allan Buckner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-10.

Truck unloader self aligning interface

Номер патента: EP4450233A1. Автор: John Simons,Nathan Blough,Dean Roper,Steven W. GRIGGS,Michael L Girtman. Владелец: INTELLIGRATED HEADQUARTERS LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Self-aligning deflector device for transmission line offset correction

Номер патента: US10162138B2. Автор: Ali Zolfaghari,Alexandros GERAKIS,Michael G. GOMEZ,Cara A. BAGLEY,Benjamin J. TOBIAS,Mary Angelique DEMETILLO. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-25.

Retractable self-aligning aircraft stablizer strut assembly and aircraft including the same

Номер патента: US09868521B2. Автор: Carlos Rogulski Filho,Claudio De Martino,Mario Tadeu Crema,Andreas Michael Eckert. Владелец: Embraer SA. Дата публикации: 2018-01-16.

Gas turbine engine, machine and self-aligning foil bearing system

Номер патента: US09657594B2. Автор: Steven A. Klusman. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-aligning safety belt

Номер патента: US09656752B2. Автор: Robert W. Trimble,Aamir JAFRI,Armando Valdes. Владелец: Zodiac Seats US LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-alignment due to wettability difference of an interface

Номер патента: US09651736B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jay Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Self-aligning axially constrained regulator valve assembly

Номер патента: US09639093B2. Автор: Daniel P. Morgan. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Self-aligning pipe gripping assembly and method of making and using the same

Номер патента: US09452535B2. Автор: Lawrence E. Wells,Preston R. Fox,Neil E. West. Владелец: National Oilwell Varco LP. Дата публикации: 2016-09-27.

Fully floating, self -aligning, self-adjusting gimbal assembly for an active human-machine interface

Номер патента: WO2008064117A2. Автор: Joseph M. Walling,Keith D. Larson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2008-05-29.

Self-aligning optical connector systems and methods

Номер патента: US20080292245A1. Автор: Thomas L. Weaver. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-11-27.

Reducing Streaming ASR Model Delay With Self Alignment

Номер патента: US20240371379A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Self-aligning valve plug

Номер патента: CA2885747C. Автор: Biao Zhou,Jason S. Mevius,Guolei FAN. Владелец: Emerson Process Management Regulator Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Self-aligning idler wheel assembly

Номер патента: US5312176A. Автор: Elmer R. Crabb. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 1994-05-17.

Self-aligning tools and seating assemblies

Номер патента: US8061178B2. Автор: Douglas W. Glenn. Владелец: Fatigue Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Reducing streaming ASR model delay with self alignment

Номер патента: US12057124B2. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Self aligning window regulator

Номер патента: US5832667A. Автор: David A. Hill,Dennis J. Buening,Kevin A. McKenna. Владелец: Excel Industries Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Self-aligning material, self-aligning liquid crystal material, and liquid crystal display panel

Номер патента: US20210324273A1. Автор: Yu Zhang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Self-aligning fitting assemblies and systems and methods including the same

Номер патента: EP3055202A1. Автор: Tibor A. Koncz. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-17.

Pool cue self-aligning joint assembly

Номер патента: US20030096656A1. Автор: Jerrold Pechauer,Joseph Pechauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Self-aligning axial drive coupling

Номер патента: US20160169292A1. Автор: Brandon C. Cherry. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Self-aligning optical connector and method for using the same

Номер патента: US20070196052A1. Автор: Thomas Weaver. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-08-23.

Self-alignment filling level detecting device

Номер патента: US20140264098A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Bo-Yi Wu,Chi-Fan Liao,Ciu-Hsing Liu. Владелец: FineTek Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Self-aligning axial drive coupling

Номер патента: US09512884B2. Автор: Brandon C. Cherry. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Ratcheting, self-aligning load-support device

Номер патента: US09469513B2. Автор: II James O Rogers,James O Rogers, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-18.

Support device with lateral self-alignment and attachment of semirailer railway car coupling rod

Номер патента: RU2394711C2. Автор: Жан-Люк АНДРЕ,Жак ОБЕР,Мэтьё ШВЕРЕР. Владелец: Лор Индустри. Дата публикации: 2010-07-20.

Self-aligning tripod joint tulip cover and constant velocity joint incorporating same

Номер патента: CA1239802A. Автор: Steven C. Hahn,Patrick L. Kurzeja,Noel W. Sutton. Владелец: GKN Automotive Components Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Self-aligning safety sensors

Номер патента: CA2369289C. Автор: Gerald H. Williams,Robert Schram. Владелец: LYNX INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Anti-backlash, self-aligning nut

Номер патента: US3977269A. Автор: Francis M. Linley, Jr.. Владелец: UNIVERSAL THREAD GRINDING Co. Дата публикации: 1976-08-31.

Transport jig and transport method for double-row self-aligning roller bearing

Номер патента: US11111963B2. Автор: Natsumi MIYATA. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Self-aligning power transmission belts and systems incorporating the same

Номер патента: WO2024050008A1. Автор: Kyle Spring,Thomas S. Moss, III,Walt LIFSEY. Владелец: Gates Corporation. Дата публикации: 2024-03-07.

Transport jig and transport method for double-row self-aligning roller bearing

Номер патента: US20190390716A1. Автор: Natsumi MIYATA. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Self-aligning power transmission belts and systems incorporating the same

Номер патента: US20240068546A1. Автор: Kyle Spring,Thomas S. Moss, III,Walt LIFSEY. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fluid thrust assembly with self-aligning thrust bearings

Номер патента: CA2460475C. Автор: George A. Thomson,Keith Laskey. Владелец: Thordon Bearings Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Self-aligning eeg sensor system

Номер патента: WO2024129787A1. Автор: Benjamin Arcand,David Yonce,Ryan TETRO. Владелец: Cogwear, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Self-aligning bearing support assembly

Номер патента: CA3189522A1. Автор: Fernando Porchas Iniguez,Luis Felipe Gonzalez,Jamie Moreno Terrazas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-09-01.

Self-aligning articulated joint for use in a hot runner system

Номер патента: WO2006039784A1. Автор: Arnold Mai. Владелец: Husky Injection Molding Systems Ltd.. Дата публикации: 2006-04-20.

A self-aligning bearing support assembly for supporting a rotary or slide bearing and a selfaligning rotary bearing

Номер патента: DK201970774A1. Автор: Juul Rasmussen Janus,Meyhoff Crone Alexander. Владелец: Component 2 0 As. Дата публикации: 2021-08-04.

A self- aligning bearing support assembly for supporting a radial load rotary or linear bearing

Номер патента: EP4077959A1. Автор: Janus Juul Rasmussen,Alexander Meyhoff CRONE. Владелец: Component 20 AS. Дата публикации: 2022-10-26.

400g silicon photonic package with self-aligned fiber

Номер патента: US20240280766A1. Автор: Mark Tieu Ming Seng. Владелец: Shunyun Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Auto-boresight technique for self-aligning phase conjugate laser

Номер патента: WO1987003955A1. Автор: Robert W. Byren. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1987-07-02.

Angular contact self-aligning roller bearing

Номер патента: US12104647B2. Автор: Kai Cheng,HongJun GUO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-01.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: ZA202311212B. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Der Meij Jelmer Gerhard Jan Van,Haan Roelof De. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Tech B V. Дата публикации: 2024-08-28.

Self-aligning five-satellite planetary gear

Номер патента: RU2701296C1. Автор: Леонид Трофимович Дворников,Семен Павлович Герасимов,Кирилл Валерьевич Торушпанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный индустриальный университет", ФГБОУ ВО "СибГИУ". Дата публикации: 2019-09-25.

Multi-purpose self-aligning system with foundations common not changed axis of rotation

Номер патента: RU2626434C2. Автор: Александр Васильевич Дегтярев. Владелец: Александр Васильевич Дегтярев. Дата публикации: 2017-07-27.

Self-aligning automatic lash adjuster with extended service life

Номер патента: RU2521454C2. Автор: Джон ЛУИС,Золтан ТОРМАШИ. Владелец: Бендикс Спайсер Фаундейшн Брейк Ллк. Дата публикации: 2014-06-27.

Improvements relating to a self-aligning rolling bearing assembly

Номер патента: GB1102429A. Автор: Frank Anton Kocian. Владелец: International Harverster Corp. Дата публикации: 1968-02-07.

Self-aligning spring seat for fluid regulator and fluid regulator comprising self-aligning spring seat

Номер патента: CA2758970A1. Автор: Daniel Gunder Roper,Harold Joe Mckinney,Douglas J. Scheffler. Владелец: Emerson Process Management Regulator Technologies Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Self-tapping, self-aligning thread repair insert

Номер патента: CA1282985C. Автор: David Diperstein,Joseph D. Pagliuca. Владелец: Groov Pin Corp. Дата публикации: 1991-04-16.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: WO2022221690A3. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management, L.P.. Дата публикации: 2022-12-29.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US20140047988A1. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2014-02-20.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US20150202860A1. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Self-aligning system

Номер патента: US20180135671A1. Автор: William L. McCollum. Владелец: Toshiba International Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: CA3215386A1. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management Lp. Дата публикации: 2022-10-20.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: WO2022221690A2. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,James Quentin LOGAN. Владелец: Gr Energy Services Management, L.P.. Дата публикации: 2022-10-20.

Self-aligning connection device of detachable type

Номер патента: EP1222045A1. Автор: Alessandro Piana,Cristina Caprioli. Владелец: Auges Srl. Дата публикации: 2002-07-17.

Self-aligning holographic optical system and related methods

Номер патента: US20050195454A1. Автор: Rene Helbing,Kenneth Wildnauer,Thomas Mikes. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-08.

Self-aligning bearing assembly capable of reacting radial and axial loads

Номер патента: WO2006099363A1. Автор: Aldo Arena. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-21.

Self-aligning articulated joint for use in a hot runner system

Номер патента: EP1802435A4. Автор: Arnold Mai. Владелец: Husky Injection Molding Systems SA. Дата публикации: 2008-10-22.

Self-aligning articulated joint for use in a hot runner system

Номер патента: AU2005294079A1. Автор: Arnold Mai. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Self-aligning mud pump assembly

Номер патента: US20180010404A1. Автор: Robert Berthaud,Pascal Berthaud. Владелец: Cameron International Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

A self- aligning bearing support assembly for supporting a radial load rotary or linear bearing

Номер патента: WO2021121498A1. Автор: Janus Juul Rasmussen,Alexander Meyhoff CRONE. Владелец: Component 2.0 A/S. Дата публикации: 2021-06-24.

Self-aligning linear bearing

Номер патента: WO1996041962A1. Автор: Alonzo Wireman. Владелец: Reedrill Corp.. Дата публикации: 1996-12-27.

A large sealed self aligning roller bearing

Номер патента: EP2800915A1. Автор: Lars Stigsjöö,Bengt Engstrom,Pär STRAND. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2014-11-12.

Self-aligning molecular junctions for electronic biosensors

Номер патента: WO2024151976A2. Автор: Joshua Hihath. Владелец: Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University. Дата публикации: 2024-07-18.

Self aligning system

Номер патента: US20240286766A1. Автор: Ian Moore,Dan Edwards. Владелец: Manufacturing Technology Centre Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-Aligning Light Source and Detector Assembly

Номер патента: US20110299289A1. Автор: William H. Wynn. Владелец: Endress and Hauser Conducta Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: US20240278976A1. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Jelmer Gerhard Jan VAN DER MEIJ,Roelof DE HAAN. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Technology BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-aligning belt pulley

Номер патента: US20230373727A1. Автор: Jamie C. Brehmer,Joey R. Brehmer. Владелец: Brehmer Manufacturing Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Self aligning system

Номер патента: GB2627511A. Автор: Moore Ian,Edwards Dan. Владелец: Manufacturing Tech Centre Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: US20210261287A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH,Sophie LEFBVRE. Владелец: Weltraum GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: CA3073668A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Sophie Lefebvre,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH. Владелец: Cosmo International Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

An inner ring for a self-aligning roller bearing

Номер патента: WO2024199666A1. Автор: Peter Frijlink,Bo Niclas Thim,Lars Eric Mikael STIGSJÖÖ,Eduardo Daniel Ortega Perdomo. Владелец: AKTIEBOLAGET SKF. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-aligning wheeled trailer connecting mechanism

Номер патента: US09770954B1. Автор: Donald P. Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for forming a self-aligned Mach-Zehnder interferometer

Номер патента: US09696604B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin,Robb Johnson. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-aligning sensor array

Номер патента: US09554724B2. Автор: James Schuessler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-aligning, double wire corner bead for fireproofing structural steel member and method of using same

Номер патента: US09540813B2. Автор: Philip Glen Miller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Conflict detection for self-aligned multiple patterning compliance

Номер патента: US09449140B2. Автор: Chin-Chang Hsu,Ken-Hsien Hsieh,Wen-Ju Yang,HungLung Lin,Ying-Yu Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Welding Electrode Assembly Having Self-Aligning Features

Номер патента: US20090173720A1. Автор: Alexander D. Khakhalev,Vitaly V. Neverovich. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Methods for self-aligned self-assembled patterning enhancement

Номер патента: US20120190205A1. Автор: Timothy J. Dalton,Carl J. Radens,Larry Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Self-aligning attachment system and method of securing unit of equipment to surface

Номер патента: RU2706672C2. Автор: Роберт ЧИНН,Тимоти Пол ШРЕДЕР,Джеймс С. ВЕСТ,Питер СМОЛАН,Майкл ВАКУЛА,Ладислав ТУРЕК. Владелец: Ферно-Вашингтон, Инк.. Дата публикации: 2019-11-19.

Self-aligning clutch release bearing

Номер патента: CA1098460A. Автор: Eli M. Ladin. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 1981-03-31.

Self-aligning, self-sealing vacuum bag

Номер патента: US5688298A. Автор: Mark D. Bosses. Владелец: Home Care Industries Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Self-aligning coupler for a laser endoscope

Номер патента: US5251612A. Автор: Charles C. Negus. Владелец: Laser Engr Inc. Дата публикации: 1993-10-12.

Self aligning inking roll for a printer

Номер патента: US5048986A. Автор: James A. Michael,Marek W. Czesnik,Anthony J. Boon. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-09-17.

Modular foundation support systems and methods including shafts with interlocking, self-aligning and torque transmitting couplings

Номер патента: CA3065170A1. Автор: Kevin Kaufman,Michael D. Wilkis. Владелец: Pier Tech Systems LLC. Дата публикации: 2020-06-21.

Self-aligning coupler for a laser endoscope

Номер патента: CA2121894C. Автор: Charles C. Negus. Владелец: PLC Medical System Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Apparatus for patterning a self-aligned coil using a damascene process

Номер патента: US20050047014A1. Автор: Son Nguyen,Quang Le,Vladimir Nikitin,Edward Lee,Murali Ramasubramanian,Daniel Bedell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Self-alignment device for ballscrew arrangement

Номер патента: US4787260A. Автор: Edward J. Bailey. Владелец: Milacron Inc. Дата публикации: 1988-11-29.

Self-aligning biaxial load frame

Номер патента: US5279166A. Автор: Michael B. Ward,Jonathan S. Epstein,W. Randolph Lloyd. Владелец: EG&G Idaho Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Self aligning coupling

Номер патента: US20110049871A1. Автор: Kyle Geary Miller. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Interlocking, self-aligning and torque transmitting coupler assembly, systems and methods for connecting, installing, and supporting foundation elements

Номер патента: US20170037590A1. Автор: Kevin Kaufman,Michael D. Wilkis. Владелец: Pier Tech Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-09.

Projector having a self-aligning replaceable projection lamp mechanism

Номер патента: EP1019782A1. Автор: Ernesto M. Rodriguez, Jr.,Paul A. Muller. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2000-07-19.

Self-aligning fixture for pre-loading and aligning pivot bearing assemblies

Номер патента: US20030126739A1. Автор: Walter Prater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods of fabricating self-aligned metal layer structure and optic

Номер патента: US20150337449A1. Автор: Chia-Ming Chung,Chien-Pang Lin. Владелец: Omnivision Optoelectronic Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Self-aligning valve of bottom hole pump

Номер патента: RU2616145C1. Автор: Марат Мирсатович Нагуманов,Фанис Кашипович Ахметшагиев,Тимербай Сабирьянович Камильянов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Пакер". Дата публикации: 2017-04-12.

Crooked connecting rod fitted by at least one self-alignment element

Номер патента: RU2524831C2. Автор: Ги Бернар ВОШЕЛЬ,Андре БАЙАР,Петер СЕГА,Жорж Ален БУРЕ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-08-10.

Self-aligning open-hole tractor

Номер патента: US8770303B2. Автор: Franz Aguirre,Todor K. Sheiretov,Keith R. Nelson. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Self-aligning inertia sensor assembly

Номер патента: CA1160198A. Автор: Munir J. Ahad. Владелец: American Safety Equipment Corp. Дата публикации: 1984-01-10.

Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip

Номер патента: US6158107A. Автор: Thomas Young Chang,Jyh-shuey Jerry Lo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Self-aligning quarter-turn fastener assembly

Номер патента: US4207655A. Автор: Edward MacMaster. Владелец: Rexnord Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Self-aligning coupling

Номер патента: CA1314445C. Автор: Ernest F. Kulikowski,Alan R. Allread,Paul J.E. Fournier. Владелец: Aeroquip Corp. Дата публикации: 1993-03-16.

Self aligning mounting feature of a bearing outer race

Номер патента: EP2977627A1. Автор: Philippe Charmillot. Владелец: Schaublin SA. Дата публикации: 2016-01-27.

Self-aligning coupling

Номер патента: US3899199A. Автор: Robert B Garey. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1975-08-12.

Self aligning stuffing box

Номер патента: US3887196A. Автор: William Neil Renfrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-06-03.

Self-aligning quadrant fairlead

Номер патента: CA1291672C. Автор: James L. Montgomery,Geoffrey B.H. Breese,Peter G.S. Dove. Владелец: Smith Berger Marine Inc. Дата публикации: 1991-11-05.

Self-aligning idler

Номер патента: CA1046306A. Автор: Gene R. Fowler. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 1979-01-16.

Self-alignment apparatus for molds of a tire vulcanizing press

Номер патента: CA1227307A. Автор: Hideo Miyauchi,Yasuhiko Fujieda,Bryan E. Nixon,Itaru Amano,Larry E. Steidl,Hisaaki Onishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1987-09-29.

Self-alignment clip for aligning hubs to flat shafts

Номер патента: US4175881A. Автор: John H. Loos. Владелец: White Consolidated Industries Inc. Дата публикации: 1979-11-27.

Large sealed self aligning rolling bearing with improved sealing

Номер патента: EP2984358A1. Автор: Wolfgang Swete,Lars Stigsjöö,Emmanuel Pichlmaier,Andreas LÖFQVIST. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2016-02-17.

Self-aligning valve disc assembly

Номер патента: US5709369A. Автор: Daniel Gunder Roper,James Chester Hawkins,David Blair Davis,Justin Wade HART,David Edward Woollums,Shane Nicholson. Владелец: FISHER CONTROLS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 1998-01-20.

Self aligning truck trailer

Номер патента: CA1167083A. Автор: Arthur D. Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-05-08.

Multi-purpose construction vehicle with at least two subframes and a self-aligning bearing between the subframes

Номер патента: US5778569A. Автор: Hans Schaeff. Владелец: Karl Schaeff GmbH and Co Maschinenfabrik. Дата публикации: 1998-07-14.

Self-aligning bearing assembly

Номер патента: CA1276961C. Автор: Don W. Vermillion. Владелец: Ryobi Motor Products Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Self-aligned, sub-wavelength optical lithography

Номер патента: US20110207054A1. Автор: Jason Blackstock,David Fattal. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-08-25.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US11850600B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligning roller bearing

Номер патента: US11773901B2. Автор: Takashi Yamamoto,Masaki Nakanishi,Kazumasa Seko. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20230330681A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-10-19.

Self-Aligning, Compactable Chair

Номер патента: US20150091336A1. Автор: Christopher Loney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-02.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: EP4210873A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-07-19.

Self-aligning plating system and method

Номер патента: US11779378B2. Автор: Gordon D Donald,Arthur A Alfaro. Владелец: Medcom Advisors LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Self-Aligning Jamb Jack Screw

Номер патента: US20230287692A1. Автор: Charles James SPOFFORD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for Fabricating a Self-Aligned Vertical Comb Drive Structure

Номер патента: US20140126031A1. Автор: Han-Tang Su,Jer-Wei Hsieh. Владелец: Asia Pacific Microsystems Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Microfluidics system, instrument, and cartridge including self-aligning optical fiber system and method

Номер патента: US20240094488A1. Автор: Krishna Iyer,Eikky Lim Eng KUAN,Gordon H. HALL. Владелец: Advanced Instrument Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Carton unloader with self-aligning interface

Номер патента: US20180257878A1. Автор: Michael L. Girtman,John Simons,Nathan Blough,Dean Roper,Steven W. GRIGGS. Владелец: INTELLIGRATED HEADQUARTERS LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Self-aligned, sub-wavelength optical lithography

Номер патента: US20080165338A1. Автор: Jason Blackstock,David Fattal. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-07-10.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: AU2021339095B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-05-23.

Self-alignment due to wettability difference of an interface

Номер патента: US20140212627A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jay Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Wind power plants having elastic self-aligning ball bearings

Номер патента: US12018713B2. Автор: Franz Mitsch. Владелец: FM Energie GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-25.

Self-aligning syringe and syringe interface

Номер патента: RU2705609C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кевин П. КОУЭН,Барри Л. ТАККЕР,III Артур И. УБЕР,Эдвард Дж. РАЙНХАРТ. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2019-11-11.

Self-aligning pivot bolt

Номер патента: US4750851A. Автор: Henry W. Thomey. Владелец: Dyneer Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Self-aligning aerosol dispensing device

Номер патента: CA1128020A. Автор: Klaas J. Van Lit. Владелец: SC Johnson and Son Inc. Дата публикации: 1982-07-20.

Low cost self aligning strapdown attitude and heading reference system

Номер патента: CA1131053A. Автор: Robert W. Maughmer. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1982-09-07.

Self aligning and self adjusting thrust bushing assembly

Номер патента: US3677613A. Автор: Kenneth E Houtz. Владелец: International Harverster Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Hierarchical trim management for self-aligned double patterning

Номер патента: US20190179994A1. Автор: David Wolpert,Laura R. Darden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: WO2022203735A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Self-aligning ivus catheter rotational core connector

Номер патента: EP2124755A2. Автор: Peter Thornton. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2009-12-02.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: EP4295356A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Self aligning latching mechanism on a cargo container spreader

Номер патента: US3677599A. Автор: James William Shannon. Владелец: Vickers Hoskins Pty Ltd. Дата публикации: 1972-07-18.

Archery bow with self-aligning combination handgrip and forearm protector

Номер патента: CA1285190C. Автор: Emil Vyprachticky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-06-25.

Self-aligning arrangement for the eccentric mounting shaft of a vibratory compactor

Номер патента: US4398843A. Автор: John J. Bloom, Jr.. Владелец: Caterpillar Tractor Co. Дата публикации: 1983-08-16.

Self-aligning swivel assembly for push-pull cable control lever assembly

Номер патента: CA1176139A. Автор: Jacob Kobelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-10-16.

Self-aligning stuffing box for pumpjack units

Номер патента: CA2228157C. Автор: Grey Bassinger. Владелец: Auto Pax Products LLC. Дата публикации: 2002-01-15.

Self aligning mud saver valve seat

Номер патента: CA2771350C. Автор: Albert Augustus Mullins,Tace Parley Hart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Springless self-aligning clutch release bearing assembly

Номер патента: US4506774A. Автор: Dennis A. Block. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 1985-03-26.

Self aligning stuffing box for pumpjack units

Номер патента: US5636688A. Автор: Grey Bassinger. Владелец: Bassinger; Grey. Дата публикации: 1997-06-10.

Tracking in belt on belt architecture through self-alignment

Номер патента: US8899583B2. Автор: Joannes N. M. de Jong,Barry P. Mandel. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Self-aligning clamping apparatus

Номер патента: CA1121286A. Автор: Norman A. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-04-06.

Method for self-alignment of a lambda sensor and exhaust gas system

Номер патента: GB2621229A. Автор: Klink Yannik,Möllenhof Tobias,Weißmann Tobias. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Radially repulsive magnetic bearing for self-aligning elements of coupled platforms

Номер патента: EP3823571A1. Автор: Kulangara SIVADAS. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Self aligning wall rail for enclosure wall mounting

Номер патента: US20230194573A1. Автор: Maxime Lefort. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Retinal cameras having variably sized optical stops that enable self-alignment

Номер патента: US11826105B2. Автор: Eliezer Glik,Honglei Wu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-aligning thrust reverser system lock assembly

Номер патента: EP1620643A2. Автор: Donald J. Christensen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Self-aligned aiming system and technique for a laser rangefinder incorporating a retroreflector

Номер патента: WO2014043113A1. Автор: Jeremy G. Dunne. Владелец: Kama-Tech (Hk) Limited. Дата публикации: 2014-03-20.

Retinal cameras having variably sized optical stops that enable self-alignment

Номер патента: US20240081644A1. Автор: Eliezer Glik,Honglei Wu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Self-aligning stuffing box

Номер патента: WO2024086917A1. Автор: Dietmar SEDENS,Werner Harder. Владелец: Domino Machine Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks

Номер патента: WO2002075454A2. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Pneumatic operation and self-alignment of linear actuator

Номер патента: US12000415B1. Автор: Blake SESSIONS. Владелец: Liftwave Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Dental implant, abutment for dental implant and their combination, and set for implantation

Номер патента: RU2567596C2. Автор: Кристоф СОЛЕР,Давид ЗОЛЬБЕРГЕР,Алекс ШЕР. Владелец: Камлог Байотекнолоджиз Аг. Дата публикации: 2015-11-10.

Intersomatic cage, intervertebral prosthesis, fixing device and instruments for implantation

Номер патента: RU2489992C2. Автор: Жером АЛЕН,Жан ЛОМБАРД,Джеф ФЕЛПС,Пирс Д. НАНЛИ,Чарльз ГОРДОН,Винсент Дж. ЛЕОН,Майкл М. Д. ХАЙСИ. Владелец: Лдр Медикал. Дата публикации: 2013-08-20.

Self-aligning four-satellite planetary gear

Номер патента: RU2583320C1. Автор: Леонид Трофимович Дворников,Семен Павлович Герасимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2016-05-10.

Six-wheel bogie with self-aligning axles

Номер патента: RU2278040C2. Автор: Вольфганг АУЕР. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2006-06-20.

Self-aligning swirler with ball joint

Номер патента: US5916142A. Автор: Charles A. Snyder,Harold R. Hansel,George E. Cook. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-06-29.

Self-aligning devices and methods for lifting and securing structures

Номер патента: US5492437A. Автор: Leo P. Ortiz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-02-20.

Self-aligning anchor line thimble

Номер патента: RU2541615C2. Автор: Пьер-Франсуа БАРОН,Бенжамен КУТА,Серж БИССЕГЛИ. Владелец: Арселормитталь Уайр Франс. Дата публикации: 2015-02-20.

Self-aligning rod end coupler

Номер патента: US5711709A. Автор: Christopher B. McCoy. Владелец: DOUVILLE JOHNSTON CORP. Дата публикации: 1998-01-27.

Applicator for implant introduction

Номер патента: RU2361628C2. Автор: ДЕР ГРАФ Ирис Эпкьен Хобо ВАН,Морис Петрус Вильхельмус ТАК,Хендрикус Йоханнес ВЕРТЕГАЛ,Виллем ЯНСЕН. Владелец: Н.В. Органон. Дата публикации: 2009-07-20.

Interspinous implant and instrument for implanting interspinous implant

Номер патента: RU2601105C2. Автор: Эрве ДИНВИЛЬ,Самюэль ЛЕКЕТ,Александр ЖОДЕТИ,Ричард ВОНС,Филипп ТИССЕРАН,Лоран ЗАБЕ. Владелец: Лдр Медикал. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for implantation of intrastromal corneal segments in pellucid corneal degeneration

Номер патента: RU2663651C1. Автор: Виктор Васильевич Егоров,Алексей Владимирович Васильев,Ирина Витальевна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-08-07.

Method to provide preset radial clearance between operating shaft and self-aligning segment shells in manufacture of bearing (versions)

Номер патента: RU2298114C1. Автор: Валентин Андреевич Смирнов,Владимир Николаевич Бесчастных. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2007-04-27.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of making self-aligned high-voltage integrated transistor

Номер патента: RU2492546C1. Автор: Николай Михайлович Манжа,Виктор Юрьевич Пустовит,Борис Николаевич Рыгалин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2013-09-10.

High-voltage self-aligned integrated transistor

Номер патента: RU2492551C1. Автор: Николай Михайлович Манжа,Борис Николаевич Рыгалин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2013-09-10.

Method for self-aligned formation of insulation of integral microchip elements and polysilicon contacts to substrate and hidden layer

Номер патента: RU2356127C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-05-20.

Self-aligning flexible screw pair

Номер патента: RU2331806C1. Автор: Павел Валентинович Колпаков. Владелец: Павел Валентинович Колпаков. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Номер патента: RU2509977C1. Автор: Илья Леонидович Рабинович. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный научно-производственный ракетно-космический центр "ЦСКБ-Прогресс" (ФГУП "ГНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"). Дата публикации: 2014-03-20.

Номер патента: RU2342310C1. Автор: Павел Иванович Иванищев,Владимир Александрович Нилов,Алексей Викторович Великанов,Павел Владимирович Танчук. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт). Дата публикации: 2008-12-27.

Номер патента: RU2371621C1. Автор: Анатолий Леонтьевич Шанаурин,Геннадий Александрович Заславский,Вячеслав Алексеевич Рязанов,Ильгиз Рашитович Чиняев,Рашид Михайлович Караев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "МКТ". Дата публикации: 2009-10-27.

Self Aligning Pressurised Oil (SAPO) Seal The SAPO Seal utilises pressurised oil as the sealing medium. It has the capacity to maintain parallel alignment with the shaft when the housing that it is mounted on is misaligned radially, vertically and horizontally. The SAPO Seal uses pressurised oil (0.5 Bar/50kPa – minimum) between two oil seals to provide a contamination barrier from the external environment to maintain clean lubricant within the bearing housing.

Номер патента: AU2018100118A4. Автор: David Beattie,Jim Kendrick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Self aligned block masks for implantation control

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты