Single Crystal Semiconductor Manufacturing Apparatus and Manufacturing Method
Номер патента: US20090133617A1
Опубликовано: 28-05-2009
Автор(ы): Junsuke Tomioka, Tetsuhrio Iida, Yutaka Shiraishi
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-05-2009
Автор(ы): Junsuke Tomioka, Tetsuhrio Iida, Yutaka Shiraishi
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Crystal manufacturing apparatus by Czochralski method, crystal manufacturing method, and crystal manufactured by this method
Номер патента: JP3531333B2. Автор: 昌弘 桜田,友彦 太田. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-31.