Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Sidewall interconnect metallization structures for integrated circuit devices

Sidewall interconnect metallization structures for integrated circuit devices

Номер патента: US11776898B2
Опубликовано: 03-10-2023
Автор(ы): Aaron Lilak, Anh Phan, Gilbert Dewey, Patrick Morrow, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

High sheet resistance structure for high density integrated circuits

Номер патента: CA1102011A. Автор: Augustine W. Chang,Narasipur G. Anantha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20220189853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11961787B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Composite structure for gate level inter-layer dielectric

Номер патента: US09595450B2. Автор: William Weilun HONG,Ying-Tsung Chen,Che-Hao Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US12125746B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09881990B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated inductor for integrated circuit devices

Номер патента: US09673268B2. Автор: Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing,Uwe Zillmann,Andreas Duevel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Process for integrated circuit fabrication including a liner silicide with low contact resistance

Номер патента: US09633909B2. Автор: Qing Liu,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Transmission Line Structures for Three-Dimensional Integrated Circuit and the Methods Thereof

Номер патента: US20230050993A1. Автор: Hsiu-Ying Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Interconnect structures and design structures for a radiofrequency integrated circuit

Номер патента: US20120292741A1. Автор: Timothy Dalton,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Ebenezer E. Eshun,Sarah L. Grunow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: EP3692575A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: WO2019070346A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Unique gate cap and gate cap spacer structures for devices on integrated circuit products

Номер патента: US20200052088A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Unique gate cap and gate cap spacer structures for devices on integrated circuit products

Номер патента: US10770566B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US11948874B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Epitaxial structure and gate metal structures with a planar top surface

Номер патента: US20240113116A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Dan S. Lavric,Wonil CHUNG,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: EP3158585A1. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: US09748327B2. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20220254702A1. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US11929304B2. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-03-12.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, method of manufacturing semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, and electronic device

Номер патента: US20230402392A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Through silicon via structure for three-dimensional integrated circuit packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887912B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Bao Zhu,Qingqing Sun. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

UNIQUE GATE CAP AND GATE CAP SPACER STRUCTURES FOR DEVICES ON INTEGRATED CIRCUIT PRODUCTS

Номер патента: US20200052088A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Multilevel interconnect structure for high density integrated circuit devices, integrated circuit memories

Номер патента: FR2770028A1. Автор: Shih Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-04-23.

Interconnect structures and design structures for a radiofrequency integrated circuit

Номер патента: US20120292741A1. Автор: Timothy Dalton,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Ebenezer E. Eshun,Sarah L. Grunow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Intergrated circuit devices including an interfacial dipole layer

Номер патента: US09620612B2. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: US20050095790A1. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: EP1339101A3. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367788A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Structure and fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance

Номер патента: CA1092726A. Автор: Fritz H. Gaensslen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for producing interconnections for 3D integrated circuit

Номер патента: US09793162B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-17.

Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits

Номер патента: CA1183968A. Автор: William I. Lehrer,Bruce E. Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Interconnect structures for integrated circuits and their formation

Номер патента: US20160042995A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Interconnect structures for integrated circuits and their formation

Номер патента: US09972532B2. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Corrosion and/or etch protection layer for contacts and interconnect metallization integration

Номер патента: US20180182708A1. Автор: Vishal Chhabra,Dinesh Koli,Shafaat Ahmed,Benjamin G. Moser,Vimal Kumar Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Capacitor structure for integrated circuit and related methods

Номер патента: US20220139819A1. Автор: Roderick A. Augur,Dewei Xu,Sunil K. Singh,Seung-Yeop KOOK. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Chemical direct pattern plating interconnect metallization and metal structure produced by the same

Номер патента: US09564398B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Wen-Jiun Liu,Chen-Yuan Kao,Mingh-Hsing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Non-conductive etch stop structures for memory applications with large contact height differential

Номер патента: US12087693B2. Автор: Qi Zhou,Chuan Sun,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Mold chase for integrated circuit package assembly and associated techniques and configurations

Номер патента: US09899362B2. Автор: Bogdan M. Simion. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal only post-mask ECO for integrated circuit

Номер патента: US09892966B1. Автор: Sven Trester. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-hierarchical metal layers for integrated circuits

Номер патента: US09543193B2. Автор: Dian-Hau Chen,Shyue-Shyh Lin,Li-Chun Tien,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit devices including metal structures having a curved interface and methods of forming the same

Номер патента: US20230369111A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Wiring connection structure for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5200807A. Автор: Koji Eguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Isolation structure for devices in integrated circuits and fabrication

Номер патента: CA992668A. Автор: David Dewitt,Benjamin Agusta,Raymond P. Pecoraro,Martin S. Hess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-07-06.

BITLINE STRUCTURE FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220102357A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Inductor for integrated circuit and methods of manufacture

Номер патента: WO2001039220A9. Автор: Donald Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Field plates for integrated circuits

Номер патента: US20240332369A1. Автор: Fuchao Wang,Ebenezer Eshun,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Billy Alan WOFFORD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Programmable device for integrated circuits

Номер патента: US5151611A. Автор: Scott R. Rippey. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-29.

Through silicon via structure for three-dimensional integrated circuit packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111769077A. Автор: 张卫,孙清清,朱宝,陈琳. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Integrated circuits and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094880B2. Автор: Min Cao,Shyue-Shyh Lin,Ali Keshavarzi,Chung-Cheng Wu,Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Hsiang-Jen TSENG,Ting Yu CHEN,Yung-Chin Hou,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Die seal ring for integrated circuit system with stacked device wafers

Номер патента: US09305968B2. Автор: YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Hsin-Chih Tai,Cunyu Yang,Tiejun Dai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Structure for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: EP3276662B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-10-28.

Structure for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: EP2290691A1. Автор: Jean Jimenez,Philippe Galy,Christophe Entringer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Assembly structure for electronic power integrated circuit formed on a semiconductor die and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20030209783A1. Автор: Bruno Murari,Paolo Casati,Amedeo Maierna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-11-13.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: WO2021152143A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Rui Manuel LEMOS ALVARES DOS SANTOS,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-08-05.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: US20220365276A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Rui Manuel LEMOS ALVARES DOS SANTOS,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-11-17.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: GB2592906A. Автор: Santos Lemos Alvares Dos Santos Rui,Everard Filippus Kleijn Steven,Johannes Adrianus Thijs Petrus. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2021-09-15.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: EP4097517A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Rui Manuel LEMOS ALVARES DOS SANTOS,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-12-07.

Damascene contact structure for integrated circuits

Номер патента: SG141390A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Ye Jian Hui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Metallization barrier structures for bonded integrated circuit interfaces

Номер патента: US20210098387A1. Автор: Ramanan Chebiam,Mauro Kobrinsky,Richard Vreeland,Jeffery Bielefeld,Carl Naylor,Brennen Mueller,William Brezinski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US20050156196A1. Автор: Jeffrey Hanson,Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US7081379B2. Автор: Derryl D. J. Allman,Jeffrey F. Hanson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Integrated circuit metallization using a titanium/alminum alloy

Номер патента: US20040038453A1. Автор: Robert Long,Ricky Snyder,David Hula,Mark Crook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Package and method for integration of heterogeneous integrated circuits

Номер патента: US09865481B2. Автор: Tien-Yu Huang,Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Package and method for integration of heterogeneous integrated circuits

Номер патента: US09419156B2. Автор: Tien-Yu Huang,Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Interface structure for copper-copper peeling integrity

Номер патента: US8592300B2. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Chung Lin,Chung-Sui Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Interface Structure for Copper-Copper Peeling Integrity

Номер патента: US20130149856A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Cheng-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Copper alloy interconnections for integrated circuits and methods of making same

Номер патента: WO2002045142A9. Автор: Valery M Dubin,Christopher D Thomas. Владелец: Christopher D Thomas. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Laser die backside film removal for integrated circuit (IC) packaging

Номер патента: US09859248B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Edward R. Prack,Lars D. Skoglund,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui,Mihir A. Oka,Sergei L. Voronov,David K. Wilkinson, JR.,Rajen C. Dias. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Active matrix using hybrid integrated circuit and bipolar transistor

Номер патента: US09472607B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Laser die backside film removal for integrated circuit (IC) packaging

Номер патента: US09412702B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Edward R. Prack,Lars D. Skoglund,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui,Mihir A. Oka,Sergei L. Voronov,Rajen C. Dias,David K. Wilkinson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Compositions for improving interconnect metallization performance in integrated circuits

Номер патента: US20020030275A1. Автор: Samit S. Sengupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US09461017B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Coolant distribution structure for monolithic microwave integrated circuits (MMICs)

Номер патента: US09502330B1. Автор: Anurag Gupta,Jason G. Milne,David H. Altman,Christopher R. Koontz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

PROTECTION CIRCUIT FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PROTECTING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2533369B1. Автор: Leslie Ronald Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-10-30.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US20160035644A1. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US09431319B2. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Latch-up immunization techniques for integrated circuits

Номер патента: US20200006339A1. Автор: Vishal Kumar Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for integrating germanides in high performance integrated circuits

Номер патента: US09553031B1. Автор: Thorsten Lill,Paul Raymond Besser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Dual stress liners for integrated circuits

Номер патента: SG149749A1. Автор: Chen Fang,Lee Tae Hoon,Fang Sunfei,TANG Teck Jung,PARK Jae Eon,Scott D Allen,Frank Huebinger,Kim Jun Jung,Kang Dae Kwon. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-02-27.

Electrostatic discharge structure for 3-dimensional integrated circuit through-silicon via device

Номер патента: US8164113B2. Автор: Chih-Wen Hsiao,Chih-Sheng Lin,Keng-Li Su. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-04-24.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Plated metallization structures

Номер патента: US11862518B2. Автор: Jan KUBIK,Michael Noel Morrissey,Bernard P. Stenson. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-02.

Structure for arrayed partial molding of packages

Номер патента: US20210151330A1. Автор: Rajneesh Kumar,Sayok CHATTOPADHYAY,Srikanth Kulkarni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Universal electrically inactive devices for integrated circuit packages

Номер патента: WO2022108644A1. Автор: Xavier Brun,Timothy Gosselin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Universal electrically inactive devices for integrated circuit packages

Номер патента: EP4248492A1. Автор: Xavier Brun,Timothy Gosselin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit formation using a silicon carbon film

Номер патента: WO2009042475A1. Автор: Laura M. Matz,Ting Tsui,Ping N. Jiang,William Wesley Dostalik. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Layout method for integrated circuit and layout of the integrated circuit

Номер патента: US20170365592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Layout structure and version control circuit for integrated circuits

Номер патента: US20110278743A1. Автор: Yang-Ming Chiu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Additive manufacturing for integrated circuit assembly connector support structures

Номер патента: US11842826B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of inducing flow or densification of phosphosilicate glass for integrated circuits

Номер патента: CA1191770A. Автор: Reda Razouk. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Via contact structures and methods for integrated circuits

Номер патента: US20110074036A1. Автор: Man Hua Chen,Lien Hung Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods of forming a masking pattern for integrated circuits

Номер патента: EP2353172A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Planarization for integrated circuits

Номер патента: US20030186558A1. Автор: Michael Brenner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: US20190302051A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: EP3458851A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2019-03-27.

Packaging for integrated circuits

Номер патента: US10634642B2. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: WO2017199009A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: Dnae Group Holding Limited. Дата публикации: 2017-11-23.

Damascene cap layer process for integrated circuit interconnects

Номер патента: EP1276146A3. Автор: Ping Jiang,Guoqiang Xing. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-11.

Damascene cap layer process for integrated circuit interconnects

Номер патента: EP1276146A2. Автор: Ping Jiang,Guoqiang Xing. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of improving adhesion of cap oxide to nanoporous silica for integrated circuit fabrication

Номер патента: US6876063B1. Автор: Rao Venkateswara Annapragada. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-04-05.

Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures

Номер патента: US20040009668A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay,Wei-jen Hsia,Richard Schinella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Fringe capacitor, integrated circuit and manufacturing process for the fringe capacitor

Номер патента: US12113062B2. Автор: Michael Lueders,Naveen Tipirneni,Jungwoo Joh,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US09899355B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US09709524B2. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Protection structure for protection from electrostatic discharge and integrated circuit

Номер патента: US20040218335A1. Автор: Nils Jensen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-04.

Sense amplifier structure for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120154046A1. Автор: Duk Su Chun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES FOR CMOS BASED INTEGRATED CIRCUIT PRODUCTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140367788A1. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES FOR CMOS BASED INTEGRATED CIRCUIT PRODUCTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

GATE STRUCTURES FOR CMOS BASED INTEGRATED CIRCUIT PRODUCTS

Номер патента: US20150348970A1. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Structure for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: EP2348528A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2011-07-27.

Interconnect structures for metal configurable integrated circuits

Номер патента: US8159268B1. Автор: Raminda Udaya Madurawe. Владелец: Raminda Udaya Madurawe. Дата публикации: 2012-04-17.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Protection circuit for integrated circuit devices

Номер патента: CA1179406A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-12-11.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Tunable protection system for integrated circuits

Номер патента: US20070085142A1. Автор: Jae Park,Indrajit Manna,Hin Yap,Keng Lo. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Increasing carrier injection velocity for integrated circuit devices

Номер патента: US20130240838A1. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Transistor cell for integrated circuits and method to form same

Номер патента: US20210159313A1. Автор: Stefan G. Block,Farid Labib,Herbert J. Preuthen. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Methods and apparatus for congestion-aware buffering using voltage isolation pathways for integrated circuit designs with multi-power domains

Номер патента: US20140264715A1. Автор: Rajesh Verma,Paras Gupta,Parissa Najdesamii,Sundararajan Ranganathan,Raghavendra Dasegowda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and apparatus for congestion-aware buffering using voltage isolation pathways for integrated circuit designs with multi-power domains

Номер патента: US20140374873A1. Автор: Rajesh Verma,Paras Gupta,Parissa Najdesamii,Sundararajan Ranganathan,Raghavendra Dasegowda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Methods and apparatus for congestion-aware buffering using voltage isolation pathways for integrated circuit designs with multi-power domains

Номер патента: EP2973705A1. Автор: Rajesh Verma,Paras Gupta,Parissa Najdesamii,Sundararajan Ranganathan,Raghavendra Dasegowda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Methods of forming oxide isolation regions for integrated circuits substrates using mask and spacer

Номер патента: US5940720A. Автор: Jun-Pyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos field-effect transistors

Номер патента: WO2000067325A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars Henrik Mucke,Lars G. Jansson. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Trench isolation process for integrated circuit devices

Номер патента: US4597164A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Back-end-of-line wiring structures with integrated passive elements and design structures for a radiofrequency integrated circuit

Номер патента: US20100025853A1. Автор: Anthony K. Stamper,Peter J. Lindgren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Rolled-up transformer structure for a radiofrequency integrated circuit (RFIC)

Номер патента: US8941460B2. Автор: Wen Huang,Xiuling Li. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2015-01-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Terminal structure for active power device

Номер патента: US09659847B2. Автор: Igor Ivanovich Blednov. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Supply voltage or ground connections including bond pad interconnects for integrated circuit device

Номер патента: US20140009218A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla,Steven Eskildsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods for receiving and transmitting voltage through the use of supply voltage or ground connections including bond pad interconnects for integrated circuit devices

Номер патента: US8860496B2. Автор: Mostafa Naguib Abdulla,Steven Eskildsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US09627337B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuits and interconnect structure for integrated circuits

Номер патента: US20060175709A1. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

SENSE AMPLIFIER STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20150009771A1. Автор: CHUN Duk Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Systems and methods for integrating bootstrap circuit elements in power transistors and other devices

Номер патента: US09530773B2. Автор: Martin Vielemeyer,Martin Poelzl,Sylvain Leomant,Milko Paolucci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Protection circuit for integrated circuit devices

Номер патента: CA1161968A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Protection circuit for integrated circuit devices

Номер патента: CA1195432A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Filler cells for integrated circuit design

Номер патента: US12050850B2. Автор: Krishnan Mohan,Shankar Kalyanasundaram,Ananth Nag Raja Darla,Amit Bipinbhai Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Assembly structure for connecting multiple dies into a system-in-package chip and the method thereof

Номер патента: US20150311094A1. Автор: Tsung Chuan Whang,Yi-Chieh Wang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and leadframe etching and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130249065A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

ROLLED-UP TRANSMISSION LINE STRUCTURE FOR A RADIOFREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC)

Номер патента: US20140246764A1. Автор: Li Xiuling,Huang Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Seal ring structure for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20030122235A1. Автор: Chao-Chieh Tsai,Shih Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Build-up package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09355994B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging

Номер патента: US09991216B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Techniques for integrating thermal via structures in integrated circuits

Номер патента: US09659835B1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sundeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Multi-package assemblies having foam structures for warpage control

Номер патента: US20200402920A1. Автор: Gang Duan,Baris Bicen,Rahul Manepalli,Edvin Cetegen,Mufei Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Multi-package assemblies having foam structures for warpage control

Номер патента: EP3754700A1. Автор: Gang Duan,Baris Bicen,Rahul Manepalli,Edvin Cetegen,Mufei Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Connector structure for hybrid integrated circuit

Номер патента: US5040994A. Автор: Yuichi Itoh,Nagahisa Fujita,Osamu Nakamoto,Takahito Yanagita,Tomoji Izumi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 1991-08-20.

Mechanically improved microelectronic thermal interface structure for low die stress

Номер патента: WO2019212610A1. Автор: Tse E. Wong,Jason G. Milne,Yung-Cheng Lee. Владелец: Kelvin Thermal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2019-11-07.

Mechanically improved microelectronic thermal interface structure for low die stress

Номер патента: US20190341328A1. Автор: Tse E. Wong,Jason G. Milne,Yung-Cheng Lee. Владелец: Kelvin Thermal Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Structure for stacking an integrated circuit on another integrated circuit

Номер патента: EP1875503A4. Автор: Marc A Mangrum. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-01-20.

COMPOSITE METAL TRANSMISSION LINE BRIDGE STRUCTURE FOR MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS (MMICs)

Номер патента: US20150097290A1. Автор: Smith Irl W.,Ryan Paul M.,MacDonald Christopher J.,Liles Barry J.,Tabatabale Kamal,Rose Frederick A.,Smith Kurt V.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-04-09.

INTEGRATED SHIELD STRUCTURE FOR MIXED-SIGNAL INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150108357A1. Автор: Rose James Wilson,Short Jonathan David,Astley Oliver Richard,Sherman Donna Marie. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-04-23.

Integrated shield structure for mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US9960124B2. Автор: James Wilson Rose,Oliver Richard Astley,Donna Marie Sherman,Jonathan David Short. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: GB2592906B. Автор: Santos Lemos Alvares Dos Santos Rui,Everard Filippus Kleijn Steven,Johannes Adrianus Thijs Petrus. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-01-10.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: GB202001404D0. Автор: . Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2020-03-18.

Structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: EP4097517B1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Rui Manuel LEMOS ALVARES DOS SANTOS,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Waveguide structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: EP4066029A1. Автор: Rui Manuel LEMOS ALVARES DOS SANTOS,Erik DEN HAAN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-10-05.

Die sidewall interconnects for 3d chip assemblies

Номер патента: WO2018118299A1. Автор: Digvijay A. Raorane,Mitul Modi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Input protection structure for integrated circuits

Номер патента: US5170240A. Автор: Burkhard Becker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-08.

Improved current sensing for integrated circuit devices

Номер патента: WO2018200693A1. Автор: Gregory Dix,Philippe Deval. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230420934A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20210366804A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20220278678A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2022-09-01.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20230052394A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20230412165A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US11777486B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20210367591A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US20230246641A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US11689198B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-06-27.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230238798A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

ESD protection for integrated circuit devices

Номер патента: US11973342B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Temperature sensor circuits for integrated circuit devices

Номер патента: US11949408B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253784A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Layout for integrated circuit and the integrated circuit

Номер патента: US20200285797A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods, apparatus, and system for using filler cells in design of integrated circuit devices

Номер патента: US09547741B2. Автор: Uwe Paul Schroeder,Sushama Davar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Common Centroid Electrostatic Discharge Protection for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20100127782A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Common centroid electrostatic discharge protection for integrated circuit devices

Номер патента: EP2353181A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Bipolar transistor as protective element for integrated circuits

Номер патента: US5148250A. Автор: Josef Winnerl,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-15.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Rail power density aware standard cell placement for integrated circuits

Номер патента: US20240256753A1. Автор: Haoxing Ren,Sreedhar PRATTY,Shaurakar Das,Santosh Santosh,SeshasaiJyothi Kolli,Muhammad Arif Mirza. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Rail power density aware standard cell placement for integrated circuits

Номер патента: US11972188B2. Автор: Haoxing Ren,Sreedhar PRATTY,Shaurakar Das,Santosh Santosh,SeshasaiJyothi Kolli,Muhammad Arif Mirza. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

System and computer program product for integrated circuit design

Номер патента: US11775725B2. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

System and computer program product for integrated circuit design

Номер патента: US20220075922A1. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Multiple-bit memory latch cell for integrated circuit gate array

Номер патента: US20040169205A1. Автор: Michael Dillon,Bret Oeltjen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: US09608437B2. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrostatic discharge protection for integrated circuits

Номер патента: US5239440A. Автор: Richard B. Merrill. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US20240020451A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang,Meng-Xiang LEE,Ren-Zheng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Layout method and device for integrated circuit

Номер патента: EP4184377A1. Автор: LI TANG,Li Bai,Kang Zhao,Jing Xu,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US11748542B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang,Meng-Xiang LEE,Ren-Zheng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Validation technique for integrated circuit manufacture

Номер патента: US3698072A. Автор: Jeffrey G Koens,Robert D Merillat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Semiconductor integrated circuit device, structure for mounting semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CN101681893A. Автор: 伊藤优辉. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

COMBINED RADIATOR AND TERMINAL STRUCTURE FOR A HYBRID INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME.

Номер патента: FR2681728A1. Автор: Hideo Matsumoto,C O Mitsubishi Denki Ka Kaisha. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-03-26.

Coolant Distribution Structure For Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs)

Номер патента: US20160365300A1. Автор: Gupta Anurag,Altman David H.,KOONTZ Christopher R.,Milne Jason G.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-12-15.

Support structure for large scale integrated circuit mounted in stack formation

Номер патента: FR2743666A1. Автор: Tadayoshi Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-18.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: WO2024035717A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: US20240055407A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: EP2283515A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: WO2009148855A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Multi-layer thick metallization structure for a microelectronic device, integrated circuit containing same, and method of manufacturing an integrated circuit containing same

Номер патента: WO2009155160A2. Автор: Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-12-23.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: WO2023194698A1. Автор: David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Thermal metal ground for integrated circuit resistors

Номер патента: US09930769B2. Автор: Mehdi Saeidi,Alvin Leng Sun Loke,Arpit Mittal,Patrick Drennan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Termination ring for integrated circuit

Номер патента: US20040124521A1. Автор: Bo Shen,Prasad Subbarao,Radoslav Ratchkov,Maad Al-Dabagh,Thomas Antisseril. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Field-aware metal fills for integrated circuit passive components

Номер патента: US12117556B2. Автор: Samala Sreekiran,Zeshan Ahmad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Modular fuses and antifuses for integrated circuits

Номер патента: US09905511B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Yiheng XU,Edem Wornyo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Embedded air core inductors for integrated circuit package substrates with thermal conductor

Номер патента: US09515003B1. Автор: William Lambert,Thomas Fitzgerald,Shrenik Kothari,Aravindha Antoniswamy,Punita Sullhan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Metallization scheme for integrated circuit

Номер патента: US20150221366A1. Автор: Hernan A. Castro,Everardo Torres Flores,Jeremy M. Hirst. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US09406102B2. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Seal ring structure for integrated circuits

Номер патента: US8212323B2. Автор: Tung-Hsing Lee,Tien-Chang Chang,Yuan-Hung Chung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Low capacitance interconnect structure for integrated circuits using decomposed polymers

Номер патента: US5923074A. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with through-semiconductor via

Номер патента: US20150115460A1. Автор: Fen Chen,Timothy D. Sullivan,Minhua Lu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Metal shield for integrated circuits

Номер патента: US20130234303A1. Автор: Roger Carroll,Greg Nelson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-09-12.

Platinum silicide fuse links for integrated circuit devices

Номер патента: US4042950A. Автор: William Louis Price. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1977-08-16.

Power mesh structure for integrated circuit

Номер патента: US11810856B2. Автор: Yi-Shan Li,Chi-Mao CHEN,Duc Anh NGUYEN,Po-Chen Lo,Shung-Ru LIN. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Structure and method of forming electrically blown metal fuses for integrated circuits

Номер патента: EP2433303A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Griselda Bonilla,Sujatha Sankaran,Theodorus E. Standaert,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Kaushik Chanda,Ronald Filippi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-28.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Support structure for integrated circuitry

Номер патента: US09640456B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Chih-Mu Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,I-I Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes

Номер патента: CA1212890A. Автор: Harbans S. Sachdev,Krishna G. Sachdev,Herbert R. Anderson, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Semiconductor structure for inhibiting electrical cross-talk

Номер патента: WO2023187187A1. Автор: Alonso Jesús MILLÁN-MEJÍA,Ludovicus Marie AUGUSTIN,Paul TIEBOT,Netsanet TESSEMA. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2023-10-05.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: TW200834766A. Автор: Cheng-Tang Huang,Jung-Bang Chyi. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-08-16.

ROLLED-UP INDUCTOR STRUCTURE FOR A RADIOFREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC)

Номер патента: US20140103486A1. Автор: FERREIRA Placid M.,Li Xiuling,Huang Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Structure for cooling an integrated circuit

Номер патента: EP0597425B1. Автор: Shinji C/O Nec Corporation Mine,Shinya C/O Nec Corporation Akamatsu,Hideki C/O Y.D.K. Co. Ltd. Seguchi. Владелец: Ydk Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-16.

Programmable test structure for characterization of integrated circuit fabrication processes

Номер патента: US10082535B2. Автор: Esko O. Mikkola,Hans A. R. Manhaeve. Владелец: Ridgetop Group Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Method and structure for forming an integrated circuit pattern on a semiconductor substrate

Номер патента: KR950004370A. Автор: 제이. 로만 베르나드,옌 구옌 비치,라미아 찬드라세카람. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1995-02-17.

Diffusion barrier layer for integrated-circuit devices

Номер патента: IE56850B1. Автор: . Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1992-01-01.

Organic-inorganic hybrid structure for integrated circuit packages

Номер патента: US09754849B2. Автор: Daniel Hsieh,Chee Key Chung,Henry Su,Jones Wang,Ryan Ong,Plory Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Latch-up testing structure for integrated circuit

Номер патента: EP4067917A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Stress shield for integrated circuit package

Номер патента: US09786609B2. Автор: Padraig L FITZGERALD,Michael J Cusack,Patrick Elebert,Frank Poucher,Oliver J Kierse. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-10.

Conductive post protection for integrated circuit packages

Номер патента: US09768108B2. Автор: Jie Fu,Chin-Kwan Kim,Manuel Aldrete,Dwayne Richard Shirley,Milind Pravin Shah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253288A1. Автор: Je-Young Chang,Sandeep Ahuja,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: EP4189740A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: WO2022026078A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: WO2021178078A4. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,David Fraser Rae,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuit device and repair method thereof

Номер патента: US09508717B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic-inorganic hybrid structure for integrated circuit packages

Номер патента: US20160181169A1. Автор: Daniel Hsieh,Chee Key Chung,Henry Su,Jones Wang,Ryan Ong,Plory Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Architecture and packaging for integrated circuits

Номер патента: US20230075607A1. Автор: Jie Xue,D. Brice Achkir,Mark Charles Nowell. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Composite bridge die-to-die interconnects for integrated-circuit packages

Номер патента: US12142570B2. Автор: Bok Eng Cheah,Ping Ping Ooi,Jackson Chung Peng Kong,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Systems and methods for providing electromagnetic interference shielding for integrated circuit modules

Номер патента: US09754896B2. Автор: Hoang Mong Nguyen,Matthew Sean Read,Sergio Joaquin Gonzalez,Luis Eduardo Herrera. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Dummy through vias for Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377905A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Variable-size solder bump structures for integrated circuit packaging

Номер патента: US09385098B2. Автор: Leilei Zhang,Zuhair Bokharey. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof

Номер патента: US09997494B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Integrated circuit package having a redistribution layer above a power management integrated circuit

Номер патента: US20220199595A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Tamper detection arrangement for integrated circuits

Номер патента: US09514308B2. Автор: Raymond Filippi,Jean-Michel Cioranesco. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuit on semiconductor substrate

Номер патента: RU2092932C1. Автор: Херман Виллем Салтерс Рулоф,Принс Бетти. Владелец: Филипс Электроникс Н.В.. Дата публикации: 1997-10-10.

Multi-branch terminal for integrated circuit (IC) package

Номер патента: US10971436B2. Автор: Chii Shang Hong,Edmund Sales Cabatbat,Thomas Stoek,Chiew Li Tai. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Ball arrangement for integrated circuit package devices

Номер патента: US09431361B2. Автор: Arun Ramakrishnan,Hongyu Li. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Active package for integrated circuit

Номер патента: CA2392273C. Автор: Chow-Chi Huang,Dragan Danilo Nebrigic,Milan Marcel Jevtitch,Kendall William Kerr. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-05-01.

Method and Apparatuses for Integrated Circuit Substrate Manufacture

Номер патента: US20130001791A1. Автор: Edward Law,Fan Yeung,Raymond (Kwok Cheung) TSANG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Substrate(s) for an integrated circuit (ic) package employing a metal core for improved electrical shielding and structural strength, and related ic packages and fabrication methods

Номер патента: US20240355712A1. Автор: Hong Bok We,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A substrate(s) for an integrated circuit (ic) package employing a metal core for improved electrical shielding and structural strength, and related ic packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024220253A1. Автор: Hong Bok We,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-24.

Additive manufacturing for integrated circuit assembly connectors

Номер патента: US11887944B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Circuit device and method of manufacturing a circuit device for controlling a transmission of a vehicle

Номер патента: US09472486B2. Автор: Thomas Maier. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Molding Structures for Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230402339A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Chipta Priya Laksana. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Laser-cut lead-frame for integrated circuit (ic) packages

Номер патента: US20230063278A1. Автор: Tiange Xie,Alex Chin Sern Ting,Li Xiang Zheng,Zhenzhen He. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Laser-cut lead frame for integrated circuit (ic) packages

Номер патента: US20240258120A1. Автор: Yuntao Xu,Chong Han Lim,Li Xiang Zheng,Chin Sern Alex TING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607938B2. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Package for integrated circuit die

Номер патента: CA2514515C. Автор: Michael Zimmerman. Владелец: Interplex QLP Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Lead frame cutting apparatus for integrated circuit packages

Номер патента: US5291814A. Автор: Richard H. J. Fierkens. Владелец: Fierkens Richard H J. Дата публикации: 1994-03-08.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect

Номер патента: US6140150A. Автор: Charles E. Williams,Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,Quang X. Mai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: EP4248488A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2022109513A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Test method and structure for integrated circuits before complete metalization

Номер патента: US09859177B2. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Janakiraman VIRARAGHAVAN,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes

Номер патента: US09852899B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Hsin-Hsien Lu,Kuo-Yin Lin,Wen-Kuei Liu,Kuo-Cheng Lien,Chang-Sheng Lin,Yu-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Stacking arrangement for integration of multiple integrated circuits

Номер патента: US09741644B2. Автор: Romney R. Katti,James L. Tucker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Dual sided thermal management solutions for integrated circuit packages

Номер патента: US20210080500A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Johanna Swan,Shawna Liff,Veronica Strong,Brandon Rawlings. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Cmos photodiode for integration in an optical receiver

Номер патента: WO2008050231A3. Автор: Pauw Piet De. Владелец: Pauw Piet De. Дата публикации: 2008-09-04.

Thermal neutron shielded integrated circuits

Номер патента: SG43298A1. Автор: Robert Baumann,Ming Hwang,William R Mckee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-10-17.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: EP2721638A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Structures and process flow for integrated photonic-electric IC package by using polymer waveguide

Номер патента: US11740415B2. Автор: Chien-Te Wu,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen,Hui-Yu Lee,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Backside interconnection interface die for integrated circuits package

Номер патента: US12051679B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and system for integrated circuit packaging

Номер патента: US20050046004A1. Автор: Humberto Mercado. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: US09607914B2. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: WO2012173683A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Stackable tray for integrated circuit chips

Номер патента: EP1766664A1. Автор: Rodney Crisp. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2007-03-28.

Stackable tray for integrated circuit chips

Номер патента: MY139631A. Автор: Rodney Crisp. Владелец: Illinois Tool Works. Дата публикации: 2009-10-30.

Stackable tray for integrated circuit chips

Номер патента: WO2005119740A1. Автор: Rodney Crisp. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2005-12-15.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method and Apparatus for Integrated Shielded Circulator

Номер патента: US20200006833A1. Автор: Jonathan J. Lynch,Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Insulation material for integrated circuits and use of said integrated circuits

Номер патента: US20110297869A1. Автор: Ehrenfried Zschech,Helmut Hermann,Gotthart Seifert,Konstyantyn Zagorodniy. Владелец: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV. Дата публикации: 2011-12-08.

Alignment system for integrated circuit fabrication

Номер патента: WO2004082013A1. Автор: Allan D. Weed,Steven D. Weed. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2004-09-23.

Docking and environmental purging system for integrated circuit wafer transport assemblies

Номер патента: WO1997004479A1. Автор: Glenn A. Roberson, Jr.,Robert M. Genco,G. Kyle Mundt. Владелец: Semifab Incorporated. Дата публикации: 1997-02-06.

Vacuum holder for integrated circuit units

Номер патента: EP1800328A1. Автор: Hae Choon c/o Rokko Systems Pte Ltd YANG. Владелец: ROKKO SYSTEMS PTE LTD. Дата публикации: 2007-06-27.

Vacuum Holder For Integrated Circuit Units

Номер патента: US20080118997A1. Автор: Hae Choon Yang. Владелец: ROKKO SYSTEMS PTE LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Vacuum holder for integrated circuit units

Номер патента: US7540503B2. Автор: Hae Choon Yang. Владелец: ROKKO SYSTEMS PTE LTD. Дата публикации: 2009-06-02.

Vacuum holder for integrated circuit units

Номер патента: WO2006036126A1. Автор: Hae Choon Yang. Владелец: ROKKO SYSTEMS PTE LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for Integrated Circuit Manufacturing with Directed Self-Assembly (DSA)

Номер патента: US20190035630A1. Автор: Joy Cheng,Chih-Jie Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic shields for integrated circuits

Номер патента: EP4421867A1. Автор: Hemant Dixit,Vinayak Bharat Naik,Zishan Ali Syed Mohammed. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Magnetic shields for integrated circuits

Номер патента: US20240292758A1. Автор: Hemant Dixit,Vinayak Bharat Naik,Zishan Ali Syed Mohammed. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for integrated circuit fabrication with protective coating for planarization

Номер патента: US09679781B2. Автор: David Wells,Mirzafer Abatchev,Baosuo Zhou,Krupakar Murali Subramanian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for integrated circuit fabrication

Номер патента: US09548209B2. Автор: Ching-Fang Yu,Ting-Hao Hsu,Chia-Ching HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and configuration for testing electronic circuits and integrated circuit chips using a removable overlay layer

Номер патента: US4884122A. Автор: Charles W. Eichelberger,Robert J. Wojnarowski,II Kenneth B. Welles. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-11-28.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Backside spacer structures for improved thermal performance

Номер патента: US20180076110A1. Автор: Rahul Agarwal,Haojun Zhang,Luke England. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Flying leads for integrated circuits

Номер патента: WO1991000619A1. Автор: Seymour R. Cray,Nicholas J. Krajewski. Владелец: Raychem Corporation. Дата публикации: 1991-01-10.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Integrated circuit chip test and assembly package

Номер патента: US3984620A. Автор: David R. Robillard,Robert L. Michals. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-10-05.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09761514B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: US09686861B2. Автор: Qing Ma,Robert L. Sankman,Valluri R. Rao,Johanna M. Swan,Quan A. Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09420707B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Systems and methods for integrating batteries to maintain volatile memories and protect the volatile memories from excessive temperatures

Номер патента: US20240264648A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Copper structures with intermetallic coating for integrated circuit chips

Номер патента: US09754909B2. Автор: Hunt Hang Jiang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and methods for creating environmentally protective coating for integrated circuit assemblies

Номер патента: US09601451B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Melissa K. Miller,Heidi D. Williams. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: EP4016610A2. Автор: Paul George,James Williams,Je-Young Chang,Michael Crocker,Bradley Smith,Ravindranath Mahajan,Nir Peled,Meir Cohen,Jason Armstrong,Raanan SOVER,Kuang Liu,Kelly Lofgreen,Kyle Arrington,Sergio Antonio Chan Arguedas,Alexey Chinkov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: EP4016610A3. Автор: Paul George,James Williams,Je-Young Chang,Michael Crocker,Bradley Smith,Ravindranath Mahajan,Nir Peled,Meir Cohen,Jason Armstrong,Raanan SOVER,Kuang Liu,Kelly Lofgreen,Kyle Arrington,Sergio Antonio Chan Arguedas,Alexey Chinkov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Multilevel metallization structure for integrated circuit I/O lines for increased current capacity and ESD protection

Номер патента: US5789783A. Автор: Ashok K. Kapoor,Satish Menon,Ratan K. Choudhury. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Method to create flexible connections for integrated circuits

Номер патента: US20080029889A1. Автор: Chirag Patel,Leena Buchwalter,Russell Budd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Low temperature cofired ceramic packages for microwave and millimeter wave gallium arsenide integrated circuits

Номер патента: WO1990007793A1. Автор: Paul W. Polinski, Sr.. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1990-07-12.

Stress relieved thermal base for integrated circuit packaging

Номер патента: US09917040B1. Автор: Craig J. Rotay. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Thermal interface structures for integrated circuit packages

Номер патента: US11869824B2. Автор: Joseph B. PETRINI,Elah Bozorg-Grayeli,Kelly Lofgreen,Kyle J. Arrington,Aaron MCCANN,Aravindha Antoniswamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

A method to provide substrate-ground coupling for semiconductor integrated circuit dice constructed from soi and related materials in stacked-die packages

Номер патента: US20080044947A1. Автор: Ken M. Lam. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Circuit device

Номер патента: US09363894B2. Автор: Masanori Shimizu,Hidefumi Saito,Daisuke Sasaki,Takahisa Makino,Takashi Shibasaki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Powder metal heat sink for integrated circuit devices

Номер патента: US5869778A. Автор: Mark R. Schneider. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-02-09.

Tape automated bonding for integrated circuits

Номер патента: CA1187625A. Автор: William S. Phy. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-05-21.

Substrate connector for integrated circuit devices

Номер патента: US20070001277A1. Автор: Kinya Ichikawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Carrying member for semiconductor chip designed for building into integrated-circuit card

Номер патента: RU2216042C2. Автор: Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-11-10.

Heat Dissipation For Integrated Circuit

Номер патента: US20090250805A1. Автор: Qwai H. Low,Mitchel E. Lohr. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method and apparatus for integrated shielded circulator

Номер патента: EP3815176A1. Автор: Jonathan J. Lynch,Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2021-05-05.

Structure of a pin platform for integrated circuit

Номер патента: US20030132515A1. Автор: Wen-Lo Shieh,Chia-Ming Yang,Shu-Fen Liang,Shu-Min Chou,Chen-Fa Tsai. Владелец: Orient Semiconductor Electronics Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Multi-solder techniques and configurations for integrated circuit package assembly

Номер патента: US20140319682A1. Автор: WEI Hu,Carl L. Deppisch,Rajen S. Sidhu,Martha A. Dudek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Interconnection structure for integrated circuit package

Номер патента: US20240266278A1. Автор: Yi Sun,Heng Yang,Deming Xiao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Lid for integrated circuit package

Номер патента: US09793190B2. Автор: Dwayne Richard Shirley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making integrated circuit die package

Номер патента: US5441918A. Автор: Hiroshi Matsumoto,Maysayuki Morisaki,Shoji Uegaki. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Package for integrated circuit

Номер патента: CA1320006C. Автор: Norio Hidaka,Yasutake Hirachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-06.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: US20160284637A1. Автор: Qing Ma,Robert L. Sankman,Valluri R. Rao,Johanna M. Swan,Quan A. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-29.

Integrated circuits with antennas formed from package lead wires

Номер патента: WO2007089341A3. Автор: Duixian Liu,Brian P Gaucher,Ullrich R Pfeiffer,Thomas M Zwick. Владелец: Thomas M Zwick. Дата публикации: 2008-04-17.

Heat exchanger for integrated circuit packages

Номер патента: CA1193754A. Автор: Grant M. Smith,Samuel R. Romania. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1985-09-17.

Flat package for integrated circuit memory chips

Номер патента: CA1232082A. Автор: Louis E. Gates, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-01-26.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A3. Автор: Lei Li,Edgardo R Hortaleza. Владелец: Edgardo R Hortaleza. Дата публикации: 2005-11-24.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A2. Автор: Lei Li,Edgardo R. Hortaleza. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-10-13.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Horizontal infrastructure handling for integrated circuit devices

Номер патента: US09989585B2. Автор: Dan Littlejohn. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1029249A4. Автор: Charles A Miller,Dean Stanford,John C Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2006-01-18.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1029249A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners,Dean Stanford. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-08-23.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated circuit test structure

Номер патента: CA1049155A. Автор: James H. Lee,Akella V.S. Satya,Bernd K.S. Lessmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Improved connection assembly for integrated circuit sensors

Номер патента: WO2002095801A3. Автор: Thomas L Andrade. Владелец: Thomas L Andrade. Дата публикации: 2003-10-30.

Improved connection assembly for integrated circuit sensors

Номер патента: WO2002095801A8. Автор: Thomas L Andrade. Владелец: Thomas L Andrade. Дата публикации: 2004-01-15.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US20140092576A1. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: WO2014051804A1. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Systems and methods for integrated circuit design

Номер патента: US09436790B1. Автор: Jun Wang,Jun CHAO. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Measuring back-side voltage of an integrated circuit

Номер патента: WO2002084312A3. Автор: Chun-Cheng Tsao,Christopher Shaw,Theodore R Lundquist. Владелец: Nptest Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Measuring back-side voltage of an integrated circuit

Номер патента: WO2002084312A2. Автор: Chun-Cheng Tsao,Christopher Shaw,Theodore R. Lundquist. Владелец: Nptest, Inc.. Дата публикации: 2002-10-24.

Cooling structure for integrated circuit

Номер патента: CA2088821C. Автор: Hironobu Ikeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: US20200408832A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Retention voltages for integrated circuits

Номер патента: US09620200B1. Автор: George McNeil Lattimore,Gus Yeung,Sanjay Mangal,Martin Jay Kinkade,Rahul Mathur,Bal S. Sandhu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Flying sense electrodes for creating a secure cage for integrated circuits and pathways

Номер патента: US09507968B2. Автор: Jared G. Bytheway. Владелец: Cirque Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for making an integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers

Номер патента: US8826531B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Sukianto Rusli. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

Cooling structure for integrated circuits

Номер патента: CA2087742C. Автор: Kazuhiko Umezawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-15.

Graded slope reflective structures for oled display pixels

Номер патента: US20220020951A1. Автор: Robert Jan Visser,Byung-Sung Kwak,Gang Yu,Chung-Chih Wu,Chung-Chia Chen,Wan-Yu Lin,Hyunsung BANG,Lisong Xu,Yi-Jiun Chen,Guo-Dong Su,Hoang Yan Lin,Wei-Kai Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Interconnection structure for integrated circuits and method for making same

Номер патента: WO1994009513A1. Автор: Glenn Leedy. Владелец: Glenn Leedy. Дата публикации: 1994-04-28.

Apparatus for integrating capacitors in stacked integrated circuits

Номер патента: US7781879B1. Автор: Stephen M. Trimberger,Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: US20240345229A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Clock distribution network for integrated circuit

Номер патента: US09939841B1. Автор: Tomas Alexander Dusatko. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Embedded memory device between noncontigous interconnect metal layers

Номер патента: US09893278B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chun-Heng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: EP4447472A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for integrated circuit diagnosis

Номер патента: US8809074B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Mark J. Williamson,Justin R. Arrington. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Method and structure to form capacitor in copper damascene process for integrated circuit devices

Номер патента: US20050146043A1. Автор: Chi Pai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Supply Voltage Control Systems And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20210311537A1. Автор: Scott Weber,Mahesh Iyer,Aravind Dasu,Eriko Nurvitadhi,Ravi Gutala,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method and apparatus for integrating a surface acoustic wave filter and a transceiver

Номер патента: US7460851B2. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Yu-Ling Chiu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-02.

Method and apparatus for integrating a surface acoustic wave filter and a transceiver

Номер патента: US20060105737A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Yu-Ling Chiu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Magnetic self-assembly for integrated circuit packages

Номер патента: CA2600611A1. Автор: Gary Mark Shafer,Ming-Ren Lian,John J. Clark,George Anthony Reynolds, Jr.. Владелец: George Anthony Reynolds, Jr.. Дата публикации: 2006-09-14.

Modifying a manufacturing process of integrated circuits based on large scale quality performance prediction and optimization

Номер патента: US20190243941A1. Автор: Feng Xue,Jung H. Yoon,Steven B. Gold,Wen Wei Low,Yvonne Chii Yeo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Modular periphery tile for integrated circuit device

Номер патента: US20230306173A1. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Sean R. Atsatt,Lai Guan Tang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Flexible input/output (I/O) allocation for integrated circuit scan testing

Номер патента: US12032015B1. Автор: Ilan Strulovici. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

A 3-dimensional printing process for integrated magnetics

Номер патента: US20180286940A1. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI,Rajesh Sankaranarayanan NAIR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

3-dimensional printing process for integrated magnetics

Номер патента: US10825888B2. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI,Rajesh Sankaranarayanan NAIR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-03.

Inductor/core assemblies for integrated circuits

Номер патента: WO2019059897A1. Автор: Han Wui Then,Kevin L. Lin,Nicholas James Harold McKubre. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-28.

Test and burn-in socket for integrated circuits (ICs)

Номер патента: US7874863B1. Автор: Dong Weon Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-25.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Test and burn-in socket for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20110021056A1. Автор: Dong Weon Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Interposers for integrated circuits with multiple-time programming and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806128B2. Автор: Yi Jiang,Danny Shum,Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09672320B2. Автор: Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng,Chien-Fu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Flip-chip package for integrated circuits

Номер патента: US5019673A. Автор: Marc V. Papageorge,Frank J. Juskey,Barry M. Miles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-05-28.

Integrated circuit test socket

Номер патента: US5247250A. Автор: Juan P. Rios. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-09-21.

Flat package for integrated circuit devices

Номер патента: GB2035701B. Автор: Michel Ugon. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1983-06-29.

Integrated circuit controlled ejection system (icces) for massively parallel integrated circuit assembly (mpica)

Номер патента: US20190273303A1. Автор: Michael R. Arneson,William R. Bandy. Владелец: Matrics2 Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Testing device for integrated circuit package

Номер патента: US20230228793A1. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Testing device for integrated circuit package

Номер патента: US11994534B2. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and methods for integrating power and thermal management in an integrated circuit

Номер патента: US20190041923A1. Автор: Sean R. Atsatt,Scott J. Weber,Ravi Prakash Gutala,Aravind Raghavendra Dasu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Testing device and method for integrated circuit package

Номер патента: US20230063518A1. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die

Номер патента: US5596231A. Автор: Edward G. Combs. Владелец: UTAC Hong Kong Ltd. Дата публикации: 1997-01-21.

Chip topography for integrated circuit communication controller

Номер патента: CA1157952A. Автор: George W. Knapp,Bernard B. Spaulding. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1983-11-29.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: US20230352907A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: EP4272024A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: WO2022144217A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2022-07-07.

ROLLED-UP TRANSFORMER STRUCTURE FOR A RADIOFREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC)

Номер патента: US20140104030A1. Автор: Li Xiuling,Huang Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

ROLLED-UP TRANSFORMER STRUCTURE FOR A RADIOFREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC)

Номер патента: US20150137930A1. Автор: Li Xiuling,Huang Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

WAVEGUIDE STRUCTURE FOR A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20220276439A1. Автор: DEN HAAN Erik,LEMOS ALVARES DOS SANTOS Rui Manuel. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Waveguide structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: GB201917186D0. Автор: . Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2020-01-08.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Front/back control of integrated circuits for flash dual inline memory modules

Номер патента: US09905303B2. Автор: Ruban Kanapathippillai,Kenneth Alan Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: US20240178841A1. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-05-30.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A2. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-05.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Horn-like extension for integrated antenna

Номер патента: US09979091B2. Автор: Paulus Thomas Maria Van Zeijl,Hans Brouwer,Jaques Leopold Catharina ROMPEN,Timofey Grigorievich SAVELYEV. Владелец: Omniradar Bv. Дата публикации: 2018-05-22.

Imaging integrated circuits with focused ion beam

Номер патента: US7036109B1. Автор: Chun-Cheng Tsao,William Thompson,Erwan Le Roy,Theodore R. Lundquist,Eugene A. Delenia. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Additive manufacturing for integrated circuit assembly cables

Номер патента: US11895815B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Antenna apparatus employing radiation shield for integrated circuits

Номер патента: AU2021480187A1. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Antenna apparatus employing radiation shield for integrated circuits

Номер патента: CA3241601A1. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Ultra-broadband interface for integrated circuits

Номер патента: WO2024165670A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-08-15.

High-ratio-accuracy capacitor geometries for integrated circuits

Номер патента: CA1121915A. Автор: Michael F. Tompsett,Donald L. Fraser, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-13.

Apparatus and method for managing security domains for a universal integrated circuit card

Номер патента: US09967247B2. Автор: Walter Cooper Chastain. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-05-08.

Reduced bridge structure for a photonic integrated circuit

Номер патента: US20230358952A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Omkar G. Karhade,Kaveh Hosseini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Reference clock architecture for integrated circuit device

Номер патента: US09979403B1. Автор: Weiqi Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Reference clock architecture for integrated circuit device

Номер патента: US09479181B1. Автор: Weiqi Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: EP1145442A2. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: WO2001029970A3. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Methods, circuits, devices and systems for integrated circuit voltage level shifting

Номер патента: US09479171B2. Автор: Yoram Betser,Roni Varkony. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated interface circuitry for integrated vrm power field effect transistors

Номер патента: US20070063737A1. Автор: Frans Schoofs,Adriaan Ludikhuize. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Socket for integrated circuit component

Номер патента: WO1986003647A1. Автор: Timothy Brian Billman,James Ray Coller,Gary Ray Marpoe, Jr.. Владелец: Amp Incorporated. Дата публикации: 1986-06-19.

Voltage detection circuit and method for integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US12072356B2. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc Cayman Island. Дата публикации: 2024-08-27.

Connectors for integrating conductive threads to non-compatible electromechanical devices

Номер патента: US20220201854A1. Автор: George L. Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Connectors for integrating conductive threads to non-compatible electromechanical devices

Номер патента: US20230354516A1. Автор: George L. Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Connectors for integrating conductive threads to non-compatible electromechanical devices

Номер патента: EP4268549A1. Автор: George L. Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Output circuit adapted for integrated circuit and associated control method

Номер патента: US09467146B2. Автор: Shun-Tien Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-10-11.

Power harvesting for integrated circuits

Номер патента: US11937507B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Input/output cell for integrated circuits

Номер патента: US10008985B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Michiel Alexander Hallie,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-26.

Extraction tool for integrated circuits

Номер патента: US3909899A. Автор: Wilbur W Witt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-10-07.

Heterogeneous physical media attachment circuitry for integrated circuit devices

Номер патента: EP2572453A2. Автор: Sergey Shumarayev,Chee Hong Aw,Edwin Yew Fatt Kok,Lip Kai Soh,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Heterogeneous physical media attachment circuitry for integrated circuit devices

Номер патента: WO2011146453A2. Автор: Sergey Shumarayev,Chee Hong Aw,Edwin Yew Fatt Kok,Lip Kai Soh,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2011-11-24.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Systems and methods of integrated circuit clocking

Номер патента: US20110316602A1. Автор: Deanne Tran Vo,Thomas Jeffrey Bingel. Владелец: East West Innovation Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

High sensitivity digital voltage droop monitor for integrated circuits

Номер патента: US09772375B2. Автор: Vijay Srinivasan,Sebastian Turullols,Changku Hwang. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and method for integrated circuit power management

Номер патента: USRE44025E1. Автор: Jon Shiell,Robert Eisenstadt. Владелец: Jr Shadt Electronics LLC. Дата публикации: 2013-02-19.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

System and method for integrated circuit clock distribution

Номер патента: US09490787B1. Автор: Rex Kho,Andreas Weisgerber,Dirk Hesidenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and system for integrating transmit switch functionality in a WLAN radio transceiver

Номер патента: US09397720B2. Автор: Weijun Yao,Albert Chia-Wen JERNG,Jen-Wei KO,Eric Chiyuan LU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Output of multibit data for integrated circuits

Номер патента: EP4373214A1. Автор: Stefan Stark,Fabio Romano,Clemens KUCERA. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Control plane signaling for integrated access nodes and transport network

Номер патента: RU2746604C1. Автор: Эса МАЛЬКАМЯКИ,Теро ХЕНТТОНЕН. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2021-04-16.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402A1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: US20020167435A1. Автор: Charles Lane,David Jarman,Rodney Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402B1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Hierarchical partial reconfiguration for programmable integrated circuits

Номер патента: EP3803675A1. Автор: Hao Yu,Jun Liu,Raymond Kong,Brian S. Martin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Hierarchical partial reconfiguration for programmable integrated circuits

Номер патента: US20200028511A1. Автор: Hao Yu,Jun Liu,Raymond Kong,Brian S. Martin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: EP1537467A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: WO2004019192A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Built-in self test for integrated digital-to-analog converters

Номер патента: EP1151540A1. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-11-07.

Integrated circuit package including floating package stiffener

Номер патента: US09900976B1. Автор: Chung-Hao Chen,Min Keen Tang,Li-Sheng WENG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Sorter for integrated circuit devices

Номер патента: US5394973A. Автор: Scott T. Emmart,Bryan E. Boson,Michael D. Harmon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-03-07.

Graded slope reflective structures for oled display pixels

Номер патента: EP4182981A1. Автор: Gang Yu,Chung-Chih Wu,Chung-Chia Chen,Wan-Yu Lin,Hyunsung BANG,Lisong Xu,Byung Sung Kwak,Robert J. Visser,Yi-Jiun Chen,Guo-Dong Su,Hoang Yan Lin,Wei-Kai Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US20160156359A1. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Noveltek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

IO pad circuitry with safety monitoring and control for integrated circuits

Номер патента: US09632139B2. Автор: Cedric Chillie,Tatiana Kauric. Владелец: Silicon Mobility SAS. Дата публикации: 2017-04-25.

Power safety circuit, integrated circuit device and safety critical system

Номер патента: US09620992B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device with field programmable optical array

Номер патента: US09608728B1. Автор: Jon Long,Sergey Yuryevich Shumarayev,Weiqi Ding,Mike Peng Li,Joel Martinez. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Monitor photodiode multiplexer for integrated photonic switches

Номер патента: US09451341B2. Автор: Mikelis Svilans. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Back-side magnetic shielding of integrated circuit devices

Номер патента: WO2018118084A1. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US9490816B2. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Eosmem Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device

Номер патента: WO2009134199A1. Автор: Peter Lindberg,Christian Braun,Andrei Kaikkonen,Stefen LÖFGREN. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2009-11-05.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09634667B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Bruce E. Byrkett,Hans Van Antwerpen,Mark E. Hastings,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US09573367B2. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for integrated circuit power up

Номер патента: US20040012263A1. Автор: Hakam Hussein,Sam Bhattarai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

Method and apparatus for integrated circuit storage tube retention pin removal and insertion

Номер патента: US20040003576A1. Автор: Jose Estrada,Omar Carlin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Clock grid for integrated circuit

Номер патента: US9660630B1. Автор: Christopher Lane,Ramanand Venkata,Dana How. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Digitally adjustable amplifier for integrated circuit

Номер патента: US7135916B2. Автор: Albrecht Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Personalization device and method for integrated circuit card

Номер патента: US20240354742A1. Автор: Philippe ALARY. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-24.

Clock grid for integrated circuit

Номер патента: US09843332B1. Автор: Christopher Lane,Ramanand Venkata,Dana How. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit device with tamper detection input and having real time clock calendar logging thereof

Номер патента: US09602895B2. Автор: Michael Simmons,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Clock grid for integrated circuit

Номер патента: US09503057B1. Автор: Christopher Lane,Ramanand Venkata,Dana How. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Multiplexer structures for use in making controllable interconnections in integrated circuits.

Номер патента: US5486775A. Автор: Kerry Veenstra. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Voltage detection circuit and method for integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20220357370A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2022-11-10.

Communications channel synchronous micro-cell system for integrating circuit and packet data transmissions

Номер патента: EP1073239A3. Автор: Charles Arthur Witschorik. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-03-10.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Multilayer structure for capacitive pressure sensing

Номер патента: US20160290878A1. Автор: Mikko Heikkinen,Jarmo Sääski,Kari Severinkangas. Владелец: Tacto Tek Oy. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device with protection against malicious attacks

Номер патента: EP4179446A1. Автор: Pascal Aubry,Sylvain PELISSIER. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device, signal processing system, electronic device and method for configuring a signal processing operating mode

Номер патента: US09462556B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Connector for integrated package

Номер патента: US3725842A. Автор: L Feldberg. Владелец: Burndy Corp. Дата публикации: 1973-04-03.

Socket for integrated circuit package with extended leads

Номер патента: US4402561A. Автор: Dimitry G. Grabbe,Iosif Korsunsky. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1983-09-06.

Test system and test structure for testing an integrated circuit and an integrated circuit having a test structure

Номер патента: US20050156612A1. Автор: Peter Pöchmüller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-21.

PROGRAMMABLE TEST STRUCTURE FOR CHARACTERIZATION OF INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION PROCESSES

Номер патента: US20160161548A1. Автор: Mikkola Esko O.,Manhaeve Hans A.R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

FABRICATION OF OPTICAL INTERCONNECT STRUCTURES FOR A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180314151A1. Автор: Peyghambarian Nasser N.,Norwood Robert A.,Koch Thomas L.,PAU STANLEY K. H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

High speed clock cycle rate digital voltage monitor with triggered tracing for integrated circuits

Номер патента: US20140354264A1. Автор: Sebastian Turullols. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US20240345132A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

High speed clock cycle rate digital voltage monitor with triggered tracing for integrated circuits

Номер патента: US09599645B2. Автор: Sebastian Turullols. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Bus control system for integrated circuit device with improved bus access efficiency

Номер патента: US20010010063A1. Автор: Yoshio Hirose,Hiroyuki Utsumi,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US12086527B2. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit design systems and methods

Номер патента: US09959380B2. Автор: Ji xU,Bharath Rangarajan,Vito Dai,Edward Kah Ching Teoh. Владелец: Motivo Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus, system and method for a common unified debug architecture for integrated circuits and SoCs

Номер патента: US09632895B2. Автор: Sridhar Valluru,Sankaran M Menon,Ramana Rachakonda,Eyal Dolev,Rajendra S Yavatkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and apparatus for providing shorted pin information for integrated circuit testing

Номер патента: US7653504B1. Автор: Michael L. Simmons,Tuyet Ngoc Simmons. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Design method for integrated circuit chips

Номер патента: US20030121014A1. Автор: Junichi Goto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Debug trace fabric for integrated circuit

Номер патента: US12093161B2. Автор: Ori Isachar,Tal Lazmi,Charles J. Fleckenstein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Test functionality integrity verification for integrated circuit design

Номер патента: WO2013044122A1. Автор: Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Path delay prediction method for integrated circuit based on feature selection and deep learning

Номер патента: US20240265190A1. Автор: Xu Cheng,Tai Yang,Peng CAO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US12086460B2. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Path delay prediction method for integrated circuit based on feature selection and deep learning

Номер патента: US12093634B2. Автор: Xu Cheng,Tai Yang,Peng CAO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-17.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240134269A1. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240231217A9. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US20210149601A1. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-20.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Generation of dynamic design flows for integrated circuits

Номер патента: US20230222263A1. Автор: Han Chen. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Temperature responsive back bias control for integrated circuit

Номер патента: US20110043255A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Multi-point temperature sensing method for integrated circuit chip and system of the same

Номер патента: US09448122B2. Автор: Chung-Ho Chen,Wen-Yu Su,Chih-Hung Kuo,Chien-Hung Tsai,Guan-Ying Huang,Soon-Jyh Chang,Kuen-Jong Lee,Chia-Min Lin,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2016-09-20.

Masking arrangement and method for producing integrated circuit arrangements

Номер патента: US20060073397A1. Автор: Johannes Freund,Michael Stetter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Predictive circuit design for integrated circuits

Номер патента: US09881117B1. Автор: Nabeel Shirazi,Anindita Patra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

At-speed integrated circuit testing using through silicon in-circuit logic analysis

Номер патента: US09714978B2. Автор: Michael Bruce,Larry Ross. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2020263446A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US11921565B2. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Weight Calibration Check for Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240087653A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Offset-based memory management for integrated circuits and programmable network devices

Номер патента: US20240126456A1. Автор: Brian Waters,Austin Knutson. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A2. Автор: C. Trevor Bowen. Владелец: ADTRAN, INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for integrated circuit layout

Номер патента: EP1089204A3. Автор: Walter Stadler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-06-17.

System and method for integrated circuit design and implementation using mixed cell libraries

Номер патента: US20140019932A1. Автор: William R. Griesbach,Clayton E. Schneider, Jr.. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: WO1999039354A2. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 1999-08-05.

Method and apparatus for integrated circuit testing

Номер патента: US12007439B1. Автор: Kuo-Min Liao,Tien-Yu Liao,Chien-Han Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and apparatus for integrated circuit testing

Номер патента: US20240219465A1. Автор: Kuo-Min Liao,Tien-Yu Liao,Chien-Han Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A3. Автор: C Trevor Bowen. Владелец: C Trevor Bowen. Дата публикации: 2008-09-04.

Devices and methods for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030080362A1. Автор: Simon Dodd,Frank Bryant,Paul Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Assignment of select input/output blocks to banks for integrated circuits using integer linear programming with proximity optimization

Номер патента: US8010924B1. Автор: Guenter Stenz,Parivallal Kannan,Victor Z. Slonim. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Timing closure of circuit designs for integrated circuits

Номер патента: US10366201B1. Автор: Sridhar Krishnamurthy,Aaron Ng,Grigor S. Gasparyan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Fault coverage and simplified test pattern generation for integrated circuits

Номер патента: US6874112B1. Автор: Lawrence Stanton Schmitz. Владелец: Summit Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1050053A2. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-08.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1050053A4. Автор: Bryan J Dinteman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

A bi-modal power delivery scheme for integrated circuits that enables fine grain power management for multiple functional blocks on a single die

Номер патента: WO2013184959A1. Автор: Jeffrey Herbert Fischer,Yeshwant Nagaraj Kolla,Darren P. FLEDERBACH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-12.

A bi-modal power delivery scheme for integrated circuits that enables fine grain power management for multiple functional blocks on a single die

Номер патента: EP2859426A1. Автор: Jeffrey Herbert Fischer,Yeshwant Nagaraj Kolla,William R. Flederbach. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-15.

Handling Engineering Change Orders for Integrated Circuits in a Design

Номер патента: US20230195992A1. Автор: Wilson Li,Roydan N. Ongie,Mackenzie Peterson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Technology migration for integrated circuits with radical design restrictions

Номер патента: US20060101357A1. Автор: Xin Yuan,Robert Allen,Robert Walker,Fook-Luen Heng,Jason Hibbeler,Kevin McCullen,Rani Narayan,Cam Endicott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of producing phase masks in an automated layout generation for integrated circuits

Номер патента: US6485871B1. Автор: Thomas KRÜGER,Werner Schiele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

Handling engineering change orders for integrated circuits in a design

Номер патента: US12124788B2. Автор: Wilson Li,Roydan N. Ongie,Mackenzie Peterson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Thermal simulation device and method for integrated circuits

Номер патента: US09996641B2. Автор: Lih-Yih Chiou,Liang-Ying LU. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-06-12.

Automated layout for integrated circuits with nonstandard cells

Номер патента: US09852253B2. Автор: Rajit Manohar,Robert KARMAZIN,Carlos Tadeo Ortega OTERO. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-26.

Machine-learning frequency and power predictions for integrated hardware circuits

Номер патента: WO2024220146A1. Автор: Xiaoping Xie,Lijun Li. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and structure for multi-core chip product test and selective voltage binning disposition

Номер патента: US09557378B2. Автор: Vikram Iyengar,Jeanne P. Bickford,Pascal A. Nsame,Rahul K. Nadkarni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power-management for integrated circuits

Номер патента: US09430027B2. Автор: Ian Shaeffer,Lei Luo,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF PERMALLOY FILMS Ni81Fe19 FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2710749C1. Автор: Роберт Дмитриевич Тихонов. Владелец: Роберт Дмитриевич Тихонов. Дата публикации: 2020-01-13.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: US20210081016A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: EP4031955A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Stochastic analysis process optimization for integrated circuit design and manufacture

Номер патента: WO2006063359A3. Автор: Jun Li,Meiling Wang,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Anova Solutions Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

An interconnect-aware methodology for integrated circuit design

Номер патента: WO2003075189A2. Автор: Amir Alon,David Goren,Michael Zelikson,Rachel Gordin,Betty Livshitz,Anatoly Sherman. Владелец: Ibm (Schweiz). Дата публикации: 2003-09-12.

Self-test for integrated memories

Номер патента: WO1998039777A3. Автор: Guillaume Elisabeth A Lousberg,Martinus Johannes Verstraelen. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-12-17.

Layout effect characterization for integrated circuits

Номер патента: US09740813B1. Автор: Martin Eckert,Thomas Strach,Otto A. Torreiter,Jens Kuenzer,Antje Mueller,Thomas Gentner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus for tracking integrated circuit devices

Номер патента: US4454413A. Автор: William D. Morton, Jr.. Владелец: Precision Monolithics Inc. Дата публикации: 1984-06-12.

Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080261123A1. Автор: Christopher Progler. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Support metal structure for false ceiling

Номер патента: RU2597345C2. Автор: Джузеппе ЧИПРИАНИ. Владелец: Джузеппе ЧИПРИАНИ. Дата публикации: 2016-09-10.

Integrated circuit test socket having toggle clamp lid

Номер патента: US5647756A. Автор: Richard Dean Twigg,Steven Dale Mitchem. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-07-15.

Command Protocol for Integrated Circuits

Номер патента: US20090158010A1. Автор: Andreas GÄRTNER,Georg Braun,Maurizio Skerlj,Johannes Stecker. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-18.

Test system for integrated circuits with serdes ports

Номер патента: WO2005083622A1. Автор: Gordon Edward Chenoweth,Marc P. Loranger,Steven Robert Payne,James Kaylor Larson,Patricia Renee Justice. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2005-09-09.

Quick simulation method and apparatus for integrated circuit, and storage medium

Номер патента: US20240152674A1. Автор: ZHEN Li. Владелец: Batelab Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of surface preparation and imaging for integrated circuits

Номер патента: US7019530B1. Автор: Terrence Harold Brown,Larry Gene Ferguson. Владелец: National Security Agency. Дата публикации: 2006-03-28.

Interconnect flow graph for integrated circuit design

Номер патента: US11768990B1. Автор: Guy Nakibly,Uri Leder,Ori Ariel,Max Chvalevsky,Benzi Denkberg. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Load circuit for integrated circuit tester

Номер патента: EP1018026A1. Автор: Garry Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-12.

Standard block architecture for integrated circuit design

Номер патента: WO2001069459A3. Автор: Athanassios Katsioulas,Stan Chow,Jacob Avidan,Dimitris Fotakis. Владелец: Ammocore Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Capacitive sensing method for integrated circuit identification, authentication, and tamper detection

Номер патента: US20210110073A1. Автор: Waleed Khalil,Michael Charles Kines. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-04-15.

Method and Apparatus for Integrated Information Technology Services Management Controller

Номер патента: US20240152657A1. Автор: Rohit Mittal,Benjamin James Ogden Kerr. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Standard block architecture for integrated circuit design

Номер патента: EP1287456A2. Автор: Athanassios Katsioulas,Stan Chow,Jacob Avidan,Dimitris Fotakis. Владелец: Ammocore Tech Inc. Дата публикации: 2003-03-05.

Standard block architecture for integrated circuit design

Номер патента: WO2001069459A2. Автор: Athanassios Katsioulas,Stan Chow,Jacob Avidan,Dimitris Fotakis. Владелец: Ammocore Technology, Inc.. Дата публикации: 2001-09-20.

Method and Structure for Fabricating Dark-Periphery Mask for the Manufacture of Semicondutor Wafers

Номер патента: US20090325080A1. Автор: Guang Yea (Simon) Tarng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Temperature Sensing for Integrated Circuits

Номер патента: US20180164163A1. Автор: Koushik De,Santosh Kumar Pandiri,Prasanth Kumar Krishna,Ankush Kumar Dubey. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: WO2000045187A1. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,Badih John Rask. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-08-03.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1149294A1. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,Badih John Rask. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-10-31.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1149294A4. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,John Badih Rask. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

Dynamic scan obfuscation for integrated circuit protections

Номер патента: US12072379B2. Автор: Krishnendu Chakrabarty,Arjun CHAUDHURI,Jonti TALUKDAR. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2024-08-27.

Scan wrapper circuit for integrated circuit

Номер патента: US09568551B1. Автор: Anurag Jindal,Abhishek Mahajan,Mayank Parasrampuria,Sagar Kataria. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Voltage regulation system for integrated circuit

Номер патента: US09436191B2. Автор: Nishant Singh Thakur. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Agent based on oil, wax or fat for corrosion protection of metal structure, especially prestressed steel reinforcement

Номер патента: RU2686185C1. Автор: Мартин ФРЮХАУФ. Владелец: Вертек Гмбх. Дата публикации: 2019-04-24.

Output feedback control circuit for integrated circuit device

Номер патента: US5015891A. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-05-14.

Non-contact tester for integrated circuits

Номер патента: CA2404183C. Автор: Steven Harold Slupsky. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2008-09-02.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and Apparatus for Host Adaptation to a Change of Persona of a Configurable Integrated Circuit Die

Номер патента: US20190146943A1. Автор: Utkarsh Y. Kakaiya,Joshua David Fender. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

System and apparatus for trusted and secure test ports of integrated circuit devices

Номер патента: US09810736B2. Автор: Rodrick Cottrell,Dee C. Neuenschwander. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Control block size reduction through IP migration in an integrated circuit device

Номер патента: US09619610B1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and system for extending the lifetime of multi-core integrated circuit devices

Номер патента: US09488998B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Rinze Ida Mechtildis Peter Meijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Thermal sensor for integrated circuit

Номер патента: WO2023144817A1. Автор: Eyal Fayneh,Shaked Rahamim,Evelyn Landman,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US20220100946A1. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated circuit design systems and methods

Номер патента: US20170277818A1. Автор: Ji xU,Bharath Rangarajan,Vito Dai,Edward Kah Ching Teoh. Владелец: Motivo Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Analogue signal testing system for integrated circuit

Номер патента: US20030132774A1. Автор: Te-Wei Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Apparatus and method for integrated circuit design for circuit edit

Номер патента: WO2009048979A1. Автор: Hitesh Suri,Theodore R. Lundquist,Tahir Malik. Владелец: DCG SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2009-04-16.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20230214571A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Electronic control unit having integrated circuit element and standalone test unit for integrated circuit element

Номер патента: US20140365839A1. Автор: Susumu Tanaka,Yuki Iwagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Physical security protection for integrated circuits

Номер патента: GB2603549A. Автор: PEDERSEN Frode. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-08-10.

Clock crossing interface for integrated circuit generation

Номер патента: US20210011981A1. Автор: Henry Cook,Ryan MacDonald,Wesley Waylon Terpstra. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Electronic apparatus and layout method for integrated circuit

Номер патента: US20200125692A1. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method and software tool for automatic generation of software for integrated circuit

Номер патента: US20090049415A1. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Third party component debugging for integrated circuit design

Номер патента: US20150149973A1. Автор: Krishnamurthy Suresh,Sanjay Gupta,Charles W. Selvidge. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Moat router for integrated circuits

Номер патента: WO1988010472A1. Автор: Richard K. Mcgehee. Владелец: Seattle Silicon Corporation. Дата публикации: 1988-12-29.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Structure for integrating microfluidic devices and optical biosensors

Номер патента: US20170282186A1. Автор: Hsi-Ying Yuan,Chao-Ching Yu,Lin-Ta Chung,Ke-Pan Liao. Владелец: Chip Win Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Testing apparatus for integrated circuit

Номер патента: US20110001506A1. Автор: Masashi Hasegawa,Kenichi Washio. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Zero-pin test solution for integrated circuits

Номер патента: US11041904B2. Автор: Tapan Jyoti Chakraborty,Umesh Srikantiah,Rachana ROUT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Third Party Component Debugging For Integrated Circuit Design

Номер патента: US20130318484A1. Автор: Charles Selvidge. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Method and apparatus for integrated circuit layout

Номер патента: US20160370698A1. Автор: Yi-Fan Chen,Tung-Heng Hsieh,Yu-Bey Wu,Chin-Shan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Multi-height cell library design solution for integrated circuits

Номер патента: US20240202416A1. Автор: Wei-Yi Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US7454678B2. Автор: Burnell G. West,Jamie S. Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US20040255212A1. Автор: Burnell West,Jamie Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing

Номер патента: EP1649503A2. Автор: Richard Novak,Ismail Kashkoush,Gim-Syang Chen. Владелец: Akrion Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Method and apparatus for integrated circuit mask patterning

Номер патента: US11748549B2. Автор: Chien-Wen Lai,Chia-Cheng Chang,Bo-Han Chen,Chin-Min Huang,Cherng-Shyan Tsay,Hua-Tai Lin,Lun-Wen Yeh,Shun-Shing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for integrated circuit design using pin direction optimization

Номер патента: US20240249061A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Frequency Scaled Segmented Scan Chain for Integrated Circuits

Номер патента: US20160266202A1. Автор: Rajesh Kumar Mittal,Vivek Singhal,Wilson Pradeep. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method to optimize general-purpose input/output interface pad assignments for integrated circuit

Номер патента: US9842181B1. Автор: Kyung Suk Oh,Loke Yip Foo,Wai Ling Lee,Yee Huan Yew,Chee Cheong Tan,Mei See Chin,Chooi Ian Loh,Hui Lee Teng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Interface for integrating physically distant modules

Номер патента: US20240281048A1. Автор: Vinayakumar Prakash Mallapur,Shruti HANUMANTHAIAH. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electrically aware routing for integrated circuits

Номер патента: US12086525B2. Автор: Wei-Ming Chen,Hsien YU TSENG,Guan-Ruei Lu,Chih.Chi. Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Interface for integrating physically distant modules

Номер патента: WO2024177733A1. Автор: Vinayakumar Prakash Mallapur,Shruti HANUMANTHAIAH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods and structure for utilizing external interfaces used during normal operation of a circuit to output test signals

Номер патента: US20130257512A1. Автор: Paul J. Smith,Eugene Saghi,Jeffrey K. Whitt,Joshua P. Sinykin. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Integrated Circuit Design Using Dynamic Voltage Scaling

Номер патента: US20160125123A1. Автор: Michael Scott,Raed Moughabghab,Branislav Petrovic. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Electrically aware routing for integrated circuits

Номер патента: US20240370631A1. Автор: Wei-Ming Chen,Hsien YU TSENG,Guan-Ruei Lu,Chih.Chi. Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method and apparatus for integrated circuit layout

Номер патента: US09995998B2. Автор: Yi-Fan Chen,Tung-Heng Hsieh,Yu-Bey Wu,Chin-Shan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method to optimize general-purpose input/output interface pad assignments for integrated circuit

Номер патента: US09842181B1. Автор: Kyung Suk Oh,Loke Yip Foo,Wai Ling Lee,Yee Huan Yew,Chee Cheong Tan,Mei See Chin,Chooi Ian Loh,Hui Lee Teng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Flip-flop clustering for integrated circuit design

Номер патента: US09792398B2. Автор: YUE Xu,Gang Wu,Manoj Kumar RAGUPATHY,Yu-Yen Mo,Dean Wu. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit design using dynamic voltage scaling

Номер патента: US9501610B2. Автор: Michael Scott,Raed Moughabghab,Branislav Petrovic. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for integrated circuit handling and tracking

Номер патента: US09697402B1. Автор: Tze Hern Khor,Wei Yee Jocelyn Teo,Hung Wei Ng,Chen Huat Ng,Hsao Hsien Yang,Mini Padmanabhan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Power multiplexer for integrated circuit power grid efficiency

Номер патента: US09690359B2. Автор: Tauseef Kazi,Lipeng Cao,Alain Dominique Artieri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Contact assembly in a testing apparatus for integrated circuits

Номер патента: US09658253B2. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-05-23.

Third party component debugging for integrated circuit design

Номер патента: US09619600B2. Автор: Krishnamurthy Suresh,Sanjay Gupta,Charles W. Selvidge. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

High unity gain bandwidth voltage regulation for integrated circuits

Номер патента: US09588533B2. Автор: Raed Moughabghab. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Neuron learning type integrated circuit device using a plurality of synapses, a soma, transistors, a zener diode, and condensers

Номер патента: US09501739B2. Автор: Hiroshi Nomura,Yasuo Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit design using dynamic voltage scaling

Номер патента: US09501610B2. Автор: Michael Scott,Raed Moughabghab,Branislav Petrovic. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for integrated circuit mask patterning

Номер патента: US09495507B2. Автор: Ru-Gun Liu,Pi-Tsung Chen,Jue-Chin Yu,Lun Hsieh,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

System and method for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09465906B2. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Test circuits and method for integrated circuit having memory and non-memory circuits by accumulating bits of a particular logic state

Номер патента: US5590134A. Автор: Chenwei J. Yin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Data structures for representing the logical and physical information of an integrated circuit

Номер патента: US20050204315A1. Автор: David Knol,Salil Raje. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Intelligent dummy metal fill process for integrated circuits

Номер патента: US8397196B2. Автор: Alexander Tetelbaum. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Logic analyzer for integrated circuits

Номер патента: EP3658928A1. Автор: Akhilesh Mahajan,Bokka Abhiram Sai Krishna,Keshava Gopal Goud Cheruku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Method and apparatus of temperature compensation for integrated circuit chip using on-chip sensor and computation means

Номер патента: WO2005091869A3. Автор: Arne Aas,Gunnar Gangsto. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Method and apparatus of temperature compensation for integrated circuit chip using on-chip sensor and computation means

Номер патента: WO2005091869A2. Автор: Arne Aas,Gunnar Gangsto. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-06.

Protection devices for integrated circuit boards

Номер патента: US20060170442A1. Автор: Bing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

System And Method For Integrated Circuit Power And Timing Optimization

Номер патента: US20120066658A1. Автор: Georgios Konstadinidis,Salim U. Chowdhury. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Physical security protection for integrated circuits

Номер патента: EP4341706A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-03-27.

Physical security protection for integrated circuits

Номер патента: WO2022243515A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-11-24.

Fiber optic module packaging architecture for integrated circuit and optical subassembly integration

Номер патента: US20050191003A1. Автор: William Dean,Blake Mynatt,Jason Yorks,Bob Arnold. Владелец: Optical Communication Products Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Integrated circuit test socket lid assembly

Номер патента: EP1264187A2. Автор: Heather Y. Kiffe. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-12-11.

Integrated circuit and testing method for integrated circuit

Номер патента: US20020170008A1. Автор: Akimitsu Shimamura,Takayuki Matsubara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit (IC) with primary and secondary networks and device containing such an IC

Номер патента: US09606176B2. Автор: Marc Miller,Steven Teig,Brad Hutchings,Jason Redgrave,Danny Thom. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Reconfigurable integrated circuit device

Номер патента: US09552328B2. Автор: Takashi Hanai,Hayato Higuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Techniques for compiling and generating a performance analysis for an integrated circuit design

Номер патента: US09489480B1. Автор: Benjamin Gamsa,Gordon Raymond Chiu,Paul Mark Leventis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Test circuit arrangement for integrated circuit

Номер патента: CA1138124A. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-12-21.

Method for separating cutting of metal structures and equipment

Номер патента: RU2708442C1. Автор: Юрий Владимирович Сорокин,Владимир Юрьевич Федяков,Олег Станиславович Першин. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "НЦЛСК "Астрофизика". Дата публикации: 2019-12-06.

Test head for integrated circuits

Номер патента: US5982184A. Автор: Yoshiei Hasegawa. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Fault-detecting monitor for integrated circuit units

Номер патента: US3590378A. Автор: Georges Kassabgi. Владелец: General Electric Information Systems SpA. Дата публикации: 1971-06-29.

Improved structure for for integrally formed cover of photo album

Номер патента: TW496298U. Автор: Dung-Yue He. Владелец: Dung-Yue He. Дата публикации: 2002-07-21.

CONDUCTIVE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120309186A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

CONDUCTIVE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120018883A1. Автор: Shen Geng-Shin,Chyi Jhong Bang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

Metal insulated gate field-effect tube structure for high voltage integrated circuit

Номер патента: CN202120920U. Автор: 孙伟锋,陆生礼,时龙兴,钱钦松,祝靖,韩佃香. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-18.

Inspection structure for pins of integrated circuits

Номер патента: TW314194U. Автор: tong-yi Wang. Владелец: Top Forward Science Entpr Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-21.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATED CABLE DROP COMPENSATION OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002451A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR INTEGRATED INTERROGATION OF RFID SENSORS

Номер патента: US20120001730A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Tomlinson,JR. Harold Woodruff,Morris William Guy. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Quality control method for integral circuits

Номер патента: RU2146827C1. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-03-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001Y1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Fault protection for integrated subscriber line interface circuits

Номер патента: CA1230390A. Автор: Gyula Jakab. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-12-15.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.