Integrated circuit on semiconductor substrate .

Integrated circuit on semiconductor substrate

Номер патента: RU2092932C1
Опубликовано: 10-10-1997
Автор(ы): Принс Бетти, Херман Виллем Салтерс Рулоф
Принадлежит: Филипс Электроникс Н.В.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Integrated circuit suitable for use in radio receivers

Номер патента: WO2005034179A3. Автор: Charles D Thompson,Andrew W Dornbusch. Владелец: Silicon Lab Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

High q transformer disposed at least partly in a non-semiconductor substrate

Номер патента: EP2319078A1. Автор: ZHANG Jin,Yiwu Tang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

System and method of galvanic isolation in digital signal transfer integrated circuits utilizing conductivity modulation of semiconductor substrate

Номер патента: US8390093B1. Автор: Peter Smeys,Andrei Papou,Peter J. Hopper,William French,Aditi Dutt Chaudhuri. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US20200365532A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for containing a silicided gate within a sidewall spacer in integrated circuit technology

Номер патента: US20100219486A1. Автор: Kelley Kyle Higgins,Ibrahim Khan Burki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Integrated circuit, package structure, and manufacturing method of package structure

Номер патента: US12132023B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Ball amount process in the manufacturing of integrated circuit

Номер патента: US09997483B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods and apparatus for high voltage integrated circuit capacitors

Номер патента: US09741787B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and apparatus for high voltage integrated circuit capacitors

Номер патента: US09525021B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Clock distribution networks and conductive lines in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20050051887A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Arrangement for back-biasing multiple integrated circuit substrates at maximum supply voltage among all circuits

Номер патента: US20030183922A1. Автор: Leonel Enriquez,Douglas Youngblood. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-10-02.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Heterogenous Integration Scheme for III-V/Si and Si CMOS Integrated Circuits

Номер патента: US20230154912A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Stacking arrangement for integration of multiple integrated circuits

Номер патента: US09741644B2. Автор: Romney R. Katti,James L. Tucker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe

Номер патента: US09449957B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaged IC device comprising an embedded flex circuit on leadframe, and methods of making same

Номер патента: US8217505B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choo Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for forming integrated circuits on a strained semiconductor substrate

Номер патента: US09525067B2. Автор: Daniel-Camille Bensahel,Aomar Halimaoui. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-12-20.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit component and package structure having the same

Номер патента: US10957610B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Chao-Hsiang Yang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US8017512B2. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US20110039398A1. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Method and apparatus for performing a circuit edit through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: US6150718A. Автор: Richard H. Livengood,Jeffrey K. Greason,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Semi-custom integrated circuit provided with standardized capacitor cells

Номер патента: US4841352A. Автор: Akira Aso. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Offset integrated circuit packaging interconnects

Номер патента: US09478482B2. Автор: Leilei Zhang,Zuhair Bokharey. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Integrated circuit chip package that does not utilize a leadframe

Номер патента: US20230245992A1. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US20240304569A1. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Laurence Brendan O'Sullivan,Ramji Sitaraman Lakshmanan et al.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Removable substrate for controlling warpage of an integrated circuit package

Номер патента: US09425171B1. Автор: Joseph Minacapelli,Teckgyu (Terry) Kang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor integrated circuit having multiple-layered connection

Номер патента: US4694320A. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Integrated circuit component and package structure having the same

Номер патента: US11869819B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Chao-Hsiang Yang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor substrate with islands of diamond and resulting devices

Номер патента: US20090065788A1. Автор: Kramadhati V. Ravi,Rajashree Baskaran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, integrated circuit element, and method for manufacturing integrated circuit element

Номер патента: US20240170475A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Guard ring for photonic integrated circuit die

Номер патента: US20200066656A1. Автор: Andreas D. Stricker,Nicholas A. Polomoff,Anupam I. Arora. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20220302108A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20210343707A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Thermally coupling electrically decoupling cooling device for integrated circuits

Номер патента: US6646340B2. Автор: Daniel Murray,Thomas Marieb,Daniel Pantuso,Timothy L. Deeter,Sarangapani Sista. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09543228B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09478492B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate

Номер патента: US09847298B2. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Hideki KIRITANI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate

Номер патента: US09508648B2. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Hideki KIRITANI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate

Номер патента: US20170033050A1. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Hideki KIRITANI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Hybrid microwave integrated circuit

Номер патента: US09721909B1. Автор: Mahesh Kumar. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect

Номер патента: US6140150A. Автор: Charles E. Williams,Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,Quang X. Mai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit (IC) including semiconductor resistor and resistance compensation circuit and related methods

Номер патента: US09704624B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro MOTTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US09627337B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit

Номер патента: US7202532B2. Автор: ERWE Reinhard,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2007-04-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US09881892B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit having formed therein low contact leakage and low contact resistance integrated circuit device electrode

Номер патента: US6025634A. Автор: Su Ping Teong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Integrated circuit

Номер патента: US20040178506A1. Автор: ERWE Reinhard,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2004-09-16.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with protective antenna diodes integrated therein

Номер патента: US11862624B2. Автор: Sujeong Kim,Daeseok Byeon,Taemin OK,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit device, semiconductor substrate, and test system including the integrated circuit device

Номер патента: US11747393B2. Автор: Donghee Kim,Daehyun KWON,Sungoh Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Power gating for three dimensional integrated circuits (3DIC)

Номер патента: US09799639B2. Автор: Po-Hsiang Huang,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chien-Ju Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit with backside power delivery network and backside transistor

Номер патента: US20200373242A1. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-26.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for direct power delivery to integrated circuit package

Номер патента: US12107047B2. Автор: Joel Richard Goergen,Victor Liu,Stephen Aubrey Scearce,Louis Smidt,Kadin Stephens. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit die decoupling system with reduced inductance

Номер патента: US09548288B1. Автор: Jun Zhai,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles,Huabo Chen,Young Doo Jeon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Statistical integrated circuit package modeling for analysis at the early design phase

Номер патента: WO2010144829A1. Автор: Xiaoming Chen,Jack Monjay Yao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-16.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240312836A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yi-Hsiu Chen,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: US20240290660A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit (IC) structure protection scheme

Номер патента: US12068257B1. Автор: Yun Wu,Myongseob Kim,Henley Liu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit including a passive component in an interconnection part, and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240178053A1. Автор: Houssein EL DIRANI,Marouane Mastari,Mohamed Ali Nsibi. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US09620456B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US09607912B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US09419071B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-08-16.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US09972603B2. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09871008B2. Автор: Paul W. Sanders,Michael F. Petras,Robert A. Pryor,Thuy B. Dao,Xiaowei Ren,Wayne R. Burger,Joel E. Keys. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of making a monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US09508599B2. Автор: Paul W. Sanders,Michael F. Petras,Robert A. Pryor,Thuy B. Dao,Xiaowei Ren,Wayne R. Burger,Joel E. Keys. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit backside radiation/resonator

Номер патента: US20220406738A1. Автор: Baher Haroun,Adam Fruehling,Scott Robert Summerfelt,Swaminathan Sankaran,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20070093057A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Integrated circuit chip with discontinuous guard ring

Номер патента: US20140312457A1. Автор: QIANG LI,Olin L. Hartin,Sateh Jalaleddine,Radu M. Secareanu,Michael J. Zunino. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-23.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: US11908852B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuits including organic interlayer dielectric layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09576894B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Xusheng Wu,Teck Jung Tang,Ravi Prakash Srivastava,Akshey Sehgal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Integrated circuit assembly with cushion polymer layer

Номер патента: US20150279779A1. Автор: Sarah H. Knickerbocker,Paul S. Andry,Cornelia K. Tsang,Melvin P. Zussman,Ron R. Legario. Владелец: Hitachi Chemical DuPont Microsystems LLC. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated circuit assembly with cushion polymer layer

Номер патента: US20150357283A1. Автор: Sarah H. Knickerbocker,Paul S. Andry,Cornelia K. Tsang,Melvin P. Zussman,Ron R. Legario. Владелец: Hitachi Chemical DuPont Microsystems LLC. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for making integrated circuits

Номер патента: US5015600A. Автор: Frederick C. Livermore,John G. Hogeboom,Go S. Sunatori. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit including a plurality of components including a transformer

Номер патента: US10367539B2. Автор: Sebastien Robert,Guy Le Moal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-07-30.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit including a capacitive structure of the metal-insulator-metal type and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240312977A1. Автор: Pascal Fornara,Roberto Simola. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-hierarchical metal layers for integrated circuits

Номер патента: US09543193B2. Автор: Dian-Hau Chen,Shyue-Shyh Lin,Li-Chun Tien,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit having a periphery of input/output cells

Номер патента: US20200350265A1. Автор: Sumeet AGGARWAL,Kiranrao KUDUREGUNDI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Transmission line for 3D integrated circuit

Номер патента: US09472513B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20180047705A1. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09379059B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Methods of fabricating integrated circuit devices having raised via contacts

Номер патента: US20210082821A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09698102B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for making stacked and borderless via structures for multilevel metal interconnections on semiconductor substrates

Номер патента: US5891799A. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1999-04-06.

Method for creating a decoy of an operation of an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20180373899A1. Автор: Alexandre Sarafianos,Thomas Ordas. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-12-27.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Drive current enhancement for integrated circuit memory structures

Номер патента: US09583168B1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Jacob Chenchen Wang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US20100140748A1. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-10.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Monolithically integrated multi-sensor device on a semiconductor substrate and method therefor

Номер патента: US09758368B2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Versana Micro Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Monolithically integrated multi-sensor device on a semiconductor substrate and method therefor

Номер патента: US09890038B2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Versana Micro Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit configuration for testing transistors, and a semiconductor wafer having such a circuit configuration

Номер патента: US20010052789A1. Автор: Valentin Rosskopf,Günter Gerstmeier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-20.

Monolithic integrated circuit based on semiconductor compound

Номер патента: RU2601203C1. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Екатерина Валентиновна Анищенко,Евгений Викторович Ерофеев,Валерий Алексеевич Кагадей,Сергей Владимирович Ишуткин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран". Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12148746B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Jam-Wem Lee,Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit protected from short circuits caused by silicide

Номер патента: US09666484B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Integrated circuit transistor structure with high germanium concentration SiGe stressor

Номер патента: US09660082B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih Chieh Yeh,Jeff J. Xu,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal routed through the integrated circuit

Номер патента: EP3869555A3. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-01.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal routed through the integrated circuit

Номер патента: EP3869555A2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220085008A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190378833A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11929362B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic sensor integrated circuit and motor component

Номер патента: US20170317559A1. Автор: Guang Jie CAI,Chun Fai WONG,Hui Min Guo,Shu Zuo LOU,Xiao Ming Chen. Владелец: Johnson Electric SA. Дата публикации: 2017-11-02.

Input protection structure for integrated circuits

Номер патента: US5170240A. Автор: Burkhard Becker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-08.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with improved silicide contacts

Номер патента: US20140197498A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Nicolas Sasiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with improved silicide contacts

Номер патента: US9029214B2. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Methods of Determining X-Y Spatial Orientation of a Semiconductor Substrate Comprising an Integrated Circuit, Methods of Positioning a Semiconductor Substrate Comprising an Integrated Circuit, Methods of Processing a Semiconductor Substrate, and Semiconductor Devices

Номер патента: US20110204526A1. Автор: Kyle Kirby,Dave Pratt,Mark Hiatt,Steve Oliver. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240071771A1. Автор: Youngwoo KIM,Jiho Park,Geumjung Seong,Yonghan PARK,Seunguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Composition having suppressed alumina damage and production method for semiconductor substrate using same

Номер патента: US20210002591A1. Автор: Kenji Yamada,Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Takahiro Kikunaga. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuit structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113188A1. Автор: Chun-Jun Lin,Wen-Li Chiu,Chi-hsin Chang,Yi-Juei LEE,Yu-Jie YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Via contact structures and methods for integrated circuits

Номер патента: US20110074036A1. Автор: Man Hua Chen,Lien Hung Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for forming integrated circuits on a strained semiconductor substrate

Номер патента: US20120094470A1. Автор: Aomar Halimaoui,Daniel Bensahel. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FORMING INTEGRATED CIRCUITS ON A STRAINED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150054141A1. Автор: HALIMAOUI Aomar,Bensahel Daniel-Camille. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit that includes patterning a semiconductor substrate with a first photomask that uses metal for blocking light and patterning the same substrate with a second photomask that uses organic resin for blocking light

Номер патента: US20070155052A1. Автор: Toshihiko Tanaka,Kazutaka Mori,Tsuneo Terasawa,Norio Hasegawa,Ko Miyazaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Multiple integrated circuit test method on semiconductor wafer

Номер патента: KR100486396B1. Автор: 리챠드 더블유. 오코넬. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2005-08-11.

METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE HAVING COMPLEMENTARY ISOLATED GRID FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT AND INJECTION-INTEGRATED LOGIC CIRCUIT ON THE SAME SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: FR2533367A1. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-23.

DEVICE HAVING COMPLEMENTARY INSULATED GRID FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT AND INJECTION-INTEGRATED LOGIC CIRCUIT ON THE SAME SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2514200A1. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-04-08.

METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE HAVING A COMPLEMENTARY ISOLATED GRID FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT AND AN INTEGRATED INJECTION LOGIC CIRCUIT ON THE SAME SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: FR2533367B1. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-01-24.

Integrated circuit stress sensor

Номер патента: WO2021142051A1. Автор: Baher Haroun,Ernst Muellner,Michael Szelong,Tobias Bernhard Fritz. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Integrated circuit stress sensor

Номер патента: EP4088322A1. Автор: Baher Haroun,Ernst Muellner,Michael Szelong,Tobias Bernhard Fritz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: EP2614524A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-07-17.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: WO2012033641A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of making thermally-isolated silicon-based integrated circuits

Номер патента: US09824932B1. Автор: Roy Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit package

Номер патента: US09685425B2. Автор: Matthias Sauer. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Air-cooled heatsink for cooling integrated circuits

Номер патента: US09609785B1. Автор: Gerhard I. Meijer,Eric A. Eckberg,Matthew A. Butterbaugh,David R. Motschman,Raymond F. Babcock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor substrate having alignment marks for locating circuitry on the substrate

Номер патента: US5805421A. Автор: Valluri R. Rao,Richard H. Livengood,Paul Winer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US20210351105A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Abhishek Anil Sharma,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US11830788B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Abhishek Anil Sharma,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US20200194338A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Metallization in integrated circuits

Номер патента: US20230352311A1. Автор: Frances Ooi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Backside contacts for integrated circuit devices

Номер патента: US09633910B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method of forming copper interconnections for semiconductor integrated circuits on a substrate

Номер патента: EP1466352A1. Автор: Hyung-Sang Park,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A2. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

Electrical leakage reduction in stacked integrated circuits having through-silicon-via (tsv) structures

Номер патента: US20150004749A1. Автор: Joyce C. Liu,Mukta G. Farooq,Gerd Pfeiffer,Troy L. Graves-Abe,Christopher N. Collins,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A3. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Fill pattern in kerf areas to prevent localized non-uniformities of insulating layers at die corners on semiconductor substrates

Номер патента: US20010001502A1. Автор: George Wong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit with device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20110279936A1. Автор: Sergio Pernici,Pierangelo Confalonieri,Riccardo Martignone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method and circuit for lowering standby current in an integrated circuit

Номер патента: US20020021163A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods for fabricating integrated circuits with stressed semiconductor material

Номер патента: US20140017903A1. Автор: Abhijeet Paul,Abner Bello. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Integrated circuit device that can suppress undesired inter-device effects

Номер патента: US20020167027A1. Автор: Takeshi Fukuda,Junji Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: US20240345229A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US09881841B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: EP4447472A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Integrated circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09620589B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Method for detecting a thinning of the semiconductor substrate of an integrated circuit from its back face and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09916902B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuits with resistor structures formed from gate metal and methods for fabricating same

Номер патента: US09530770B2. Автор: Christian Schippel,Alexandru Romanescu,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same

Номер патента: US09425319B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with active area protection

Номер патента: US09419126B2. Автор: Xiaodong Yang,Yanxiang Liu,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240282773A1. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Process for producing a contact on an active zone of an integrated circuit, for example produced on an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09922871B2. Автор: Emmanuel Petitprez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Process for producing a contact on an active zone of an integrated circuit, for example produced on an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09590064B2. Автор: Emmanuel Petitprez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit with cavity-based electrical insulation of a photodiode

Номер патента: US09536918B2. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Double-disc structure for self-biased circulators monolithically integrated on semiconductors

Номер патента: US12040525B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Soack Dae Yoon. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit including a directional light sensor

Номер патента: US09419043B2. Автор: Roel Daamen,Erik Jan Lous,Nebojsa NENADOVIC. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-16.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Method and device for limiting the substrate potential in junction isolated integrated circuits

Номер патента: US20010017398A1. Автор: Filippo Alagi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Integrated circuit including a FET device and Schottky diode

Номер патента: US5665993A. Автор: Rajiv R. Shah,Stephen A. Keller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit comprising a gas sensor

Номер патента: US09865647B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Roel Daamen,Aurelie Humbert. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit product with bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09608003B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated chip with micro-electro-mechanical system and integrated circuit mounted therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US09334159B2. Автор: WEI Hu,Gang Li,Jia-Xin Mei,Rui-Fen Zhuang. Владелец: Memsensing Microsystems Suzhou China Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: MY138321A. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Shunichi Saeki,Yasushi Goto. Владелец: Hitachi Device Eng. Дата публикации: 2009-05-29.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691667B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US09431408B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit on complementary mos transistors

Номер патента: RU2025829C1. Автор: Nl],Йозефиус Мари Вендрик Хендрикус,Йозефиус Мария Вендрик Хендрикус,Антониус Йоханнес Мария Ван Ден Элсхоут Андреас,Антониус Йоханнес Мари Ван Ден Элсхоут Андреас,Виллем Харбертс Дирк. Владелец: Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен. Дата публикации: 1994-12-30.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit

Номер патента: US20220358274A1. Автор: Guan-Yu Chen,Ming-Fang Lai,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit having latch-up immunity

Номер патента: US11775726B2. Автор: Guan-Yu Chen,Ming-Fang Lai,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Integrated circuit die having reduced defect group III-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: US09922826B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit product comprising lateral and vertical FinFet devices

Номер патента: US09443976B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuits with gaps

Номер патента: US09899527B2. Автор: Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09525058B2. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of fabricating integrated circuits

Номер патента: US09472465B2. Автор: Bharat Krishnan,Jin Ping Liu,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Substrate, integrated circuit device including the substrate, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20200043728A1. Автор: Yeon-Sook Kim,Doek-gil Ko,In-ji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Method and apparatus for image sensing using an integrated circuit-based compound eye

Номер патента: US20030111593A1. Автор: John Mates. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and device for removing integrated circuits

Номер патента: US09987836B2. Автор: Wei Wang,LONG Yan,Jun Zhang,Yong Sun,Daocheng Zhu,Zhiyu QIAN,Xianzhen TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09437701B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Latch-up protection circuit fo integrated circuits using complementarymos circuit technology

Номер патента: CA1275456C. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-23.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130135036A1. Автор: Toshio Sasaki,Yoshihiko Yasu,Kazuki Fukuoka,Yasuto Igarashi,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing an integrated circuit comprising a pressure sensor

Номер патента: US09481570B2. Автор: Axel Nackaerts,Willem Frederik Adrianus Besling,Klaus Reimann. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body

Номер патента: US5643804A. Автор: Michio Arai,Katsuto Nagano,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-01.

Method for attaching optical components onto silicon-based integrated circuits

Номер патента: US8313962B2. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledentsov,James A. Lott. Владелец: CONNECTOR OPTICS LLC. Дата публикации: 2012-11-20.

High-power microwave field transistor on semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2599275C1. Автор: Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-10-10.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride structures and methods associated therewith

Номер патента: EP3235008A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly

Номер патента: US20160027685A1. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Guillaume Bouche,Richard A. Farrell,Deniz Elizabeth Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Integrated circuit including a capacitive structure of the metal-insulator-metal type and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12021074B2. Автор: Pascal Fornara,Roberto Simola. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-25.

Nmos device, production method thereof, and integrated circuit

Номер патента: EP4141913A1. Автор: Fengjie Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Compound semiconductor monolithic integrated circuit device with transistors and diodes

Номер патента: US20200013774A1. Автор: Hsi-Tsung Lin,Yan-Cheng Lin,Sheng-Hsien LIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for fabricating integrated circuits with narrow, metal filled openings

Номер патента: US20130224927A1. Автор: HAO Zhang,Robert Binder,Sven Schmidbauer,Dina H. Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150091088A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Testing multiple levels in integrated circuit technology development

Номер патента: US6875560B1. Автор: Paul J. Steffan,Shivananda S. Shetty,Jeffrey P. Erhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

Integrated circuit device with ferroelectric capacitor

Номер патента: US20240349510A1. Автор: Haowen Bu,Matthew Richards,Roger C. McDermott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Single and double diffusion breaks on integrated circuit products comprised of FinFET devices

Номер патента: US09865704B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Kwan-Yong Lim,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US09508588B2. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor substrate-on-semiconductor substrate package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799579B2. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Passive probing of various locations in a wireless enabled integrated circuit (IC)

Номер патента: US9075105B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Complementary silicon-insulator-semiconductor field effect transis tor integrated circuit and a method for its manufacture

Номер патента: GB1363581A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1974-08-14.

Method for detecting a differential fault analysis attack and a thinning of the substrate in an integrated circuit, and associated integrated circuit

Номер патента: US11942440B2. Автор: Alexandre Sarafianos,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates

Номер патента: US20070197050A1. Автор: Hiroyuki Mori,Paul Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Programmable integrated circuit (IC) containing an integrated optical transducer for programming the IC, and a related IC programming system and method

Номер патента: US09893817B2. Автор: Petrus Johannes Venter,Marius Eugene GOOSEN,Christo JANSE VAN RENSBURG,Nicolaas Matteus Fauré. Владелец: Insiava Pty Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09548086B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit device testing

Номер патента: US5065091A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US4163245A. Автор: Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-31.

Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates

Номер патента: US6780782B1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Tsang Jiuh Wu,Ju Wang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal routed through the integrated circuit

Номер патента: US20210242116A1. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20190051692A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal routed through the integrated circuit

Номер патента: US11854954B2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170301717A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170221955A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates

Номер патента: US20090068848A1. Автор: Hiroyuki Mori,Paul D. Shirley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US9000501B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20200365642A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20160211300A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US10269856B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Method for forming an integrated circuit with high voltage and low voltage devices

Номер патента: US20070102759A1. Автор: Fu-Hsin Chen,You-Kuo Wu,Kuo-Ting Lee,Wen-Hua Huang,An-Ming Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Work-in-progress substrate processing methods and systems for use in the fabrication of integrated circuits

Номер патента: US09632499B2. Автор: William Fosnight,Detlef Pabst,Chinmay Oza,Gero Grau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates

Номер патента: US7294528B2. Автор: Thomas H. Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-13.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US7474139B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Integrated circuit with precision current source

Номер патента: US09608626B1. Автор: Gabriel E. Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US5388054A. Автор: Takeji Tokumaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Method of forming a three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US4954458A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for fabricating a merged integrated circuit device

Номер патента: US20010016391A1. Автор: William Cochran,Isik Kizilyalli,Morgan Thoma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Bipolar transistor as protective element for integrated circuits

Номер патента: US5148250A. Автор: Josef Winnerl,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-15.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents

Номер патента: WO2008094494A1. Автор: Mark Ian Wagner. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US20180113168A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-26.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US09880219B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit and related integrated circuit

Номер патента: US10324256B2. Автор: LI ZHANG,Bing Wang,Eng Kian Kenneth LEE,Siau Ben CHIAH,Wenjia Zhang,Zhaomin Zhu,Jurgen Michel,Soo-Jin Chua,Li-Shiuan Peh. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for mounting an integrated circuit from a tape carrier package on a printed circuit board

Номер патента: US6138892A. Автор: Woo-Sik Kim,Choul-Su Kim,Sung-Beom Sim,Masaharu Sukue,Byung-Woo Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US4143391A. Автор: Yasoji Suzuki,Tomohisa Shigematsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6720214B2. Автор: Yoshiteru Ono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7923283B2. Автор: Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Methods for fabricating integrated circuits with semiconductor substrate protection

Номер патента: US20140273375A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US9312189B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: US20180226478A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Biasing isolation region in semiconductor substrate

Номер патента: WO2023200661A1. Автор: Orlando LAZARO,Timothy Bryan Merkin,John Russell Broze. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-19.

Biasing isolation region in semiconductor substrate

Номер патента: US20230335547A1. Автор: Orlando LAZARO,Timothy Bryan Merkin,John Russell Broze. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of producing a semiconductor integrated circuit device and the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020094610A1. Автор: Makoto Yoshida,Hiroyuki Enomoto,Hiroyuki Maruyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor integrated circuit apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US20030034493A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09502430B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240055497A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for fabricating integrated circuits with robust gate electrode structure protection

Номер патента: US20150132914A1. Автор: Markus Lenski,Joanna WASYLUK,Dominic Thurmer,Ardechir Pakfar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11837641B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US7276752B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatus and method for aligning integrated circuit layers using multiple grating materials

Номер патента: US20200152498A1. Автор: Dongyue YANG,Xintuo Dai,Xueli Hao,Keith H. Tabakman,Guanchen He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of producing a semiconductor integrated circuit device and the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030045065A1. Автор: Makoto Yoshida,Hiroyuki Enomoto,Hiroyuki Maruyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

MOSFET integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US8580665B2. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US12068308B2. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and integrated circuit

Номер патента: US20210327879A1. Автор: Shih-Ping Lee,Bo-An Tsai,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Mosfet integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US20130089980A1. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Spatial light modulator disposed on a semiconductor substrate with a microprocessor circuit for driving the modulator disposed on the opposed side of the substrate

Номер патента: WO2003040813A1. Автор: Kannan Raj,Ronald Smith. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-05-15.

Spatial light modulator disposed on a semiconductor substrate with a microprocessor circuit for driving the modulator disposed on the opposed side of the substrate

Номер патента: EP1449022A1. Автор: Kannan Raj,Ronald Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-08-25.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating integrated circuits, integrated circuit component mask layout set, and component photomask set

Номер патента: US09443838B2. Автор: Ran-Hong Yan,Han-Chang Kang,Li-Ping Yang,Pi-Cheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA1130472A. Автор: Mitsuo Matsuyama,Junjiro Kitano,Ichiro Ohhinata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-08-24.

Integrated circuit with bottom dielectric insulators and fin sidewall spacers for reducing source/drain leakage currents

Номер патента: US20230420513A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Heterolithic integrated circuits including integrated devices formed on semiconductor materials of different elemental composition

Номер патента: US11817450B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20170098691A1. Автор: Zhao Wang,Hang Yin,WenBo TIAN. Владелец: Vimicro Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Photonic integrated circuit package

Номер патента: US20170194309A1. Автор: Jiaming Zhang,Fred A. Kish, Jr.,John W. Osenbach,Peter W. Evans,Miguel Iglesias Olmedo,Maria Anagnosti. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Номер патента: US09941458B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Substrate target for in-situ lithography metrology, metrology method for in-situ lithography, and method of manufacturing integrated circuit device by using in-situ metrology

Номер патента: US09927720B2. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Hwa Jeong,Ji-myung Kim,Gyu-min Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits and molding approaches therefor

Номер патента: US09842776B2. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Tonny Kamphuis,John Suman Nakka. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US09748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit manufacture using direct write lithography

Номер патента: US09672316B2. Автор: Gregory Munson Yeric. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Architectures for an implantable stimulator device having a plurality of electrode driver integrated circuits with shorted electrode outputs

Номер патента: US09656081B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Göran MARNFELDT,Paul J. Griffith,Jess Shi,Robert Tong. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Номер патента: US09559283B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA2250352A1. Автор: Norbert Stath,Hans-Ludwig Althaus,Werner Späth,Werner Kuhlmann. Владелец: Werner Kuhlmann. Дата публикации: 1997-10-09.

Integrated circuit layout wiring for multi-core chips

Номер патента: US10102327B2. Автор: Chetan BISHT,Harry Scrivener, III. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6140686A. Автор: Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Hiroyuki Mizuno,Masayuki Miyazaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11973082B2. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Optical Integrated Circuit Systems, Devices, and Methods of Fabrication

Номер патента: US20200013771A1. Автор: Luca Maggi,Piero ORLANDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-01-09.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20020106824A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Optical integrated circuit systems, devices, and methods of fabrication

Номер патента: US10714468B2. Автор: Luca Maggi,Piero ORLANDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-07-14.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising an N-type laterally diffused metal oxide semiconductor (NLDMOS) transistor

Номер патента: US11823947B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Self-powered integrated circuit with photovoltaic cell

Номер патента: US20120126298A1. Автор: Yuanning Chen,Nagarajan Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Method of manufacturing modules with an integrated circuit

Номер патента: US20030087474A1. Автор: Christian Brugger,Reinhard Fritz,Johannus Weekamp,Anthonie De Lange,Johannes Van Roosmalen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09741672B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Amplifiers and related integrated circuits

Номер патента: US09419566B2. Автор: Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones,Jean-Christophe Nanan,Gerard J. Bouisse,Jaime A. Pla. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: US09401346B2. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09401334B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Forming glass layers on semiconductor substrates

Номер патента: GB2168340A. Автор: Peter Denis Scovell,Stephen Robert Jennings. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1986-06-18.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having a signal transmission line pair interconnected by propagation delay time control resistance

Номер патента: US5214318A. Автор: Masakazu Yamamoto,Minoru Yamada,Mitsuo Usami,Akira Masaki,Keiichirou Nakanishi,Mararu Osanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-25.

Backside isolation for integrated circuit

Номер патента: EP3391416A1. Автор: Paul B. Fischer,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods for fabricating finfet integrated circuits using laser interference lithography techniques

Номер патента: US20150200140A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Carsten Grass,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Structure and method of integrated circuit having decouple capacitance

Номер патента: US11756959B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Photonics Integrated Circuit Optical Amplifier

Номер патента: US20240248265A1. Автор: Jun Han,Yajun Wang,Xiangfei Wang. Владелец: Ii Vi Photonics Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Monolithic integrated quantum dot photonic integrated circuits

Номер патента: US20210208336A1. Автор: Chen Shang,John E. Bowers,Justin NORMAN,Arthur GOSSARD,Daehwan JUNG,Yating WAN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-08.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuit device with protection against malicious attacks

Номер патента: EP4179446A1. Автор: Pascal Aubry,Sylvain PELISSIER. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US3760200A. Автор: K Taniguchi,T Kaji,A Masaki,A Hayasaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1973-09-18.

Integrated circuit semiconductor devices including channel trenches and related methods of manufacturing

Номер патента: US8686393B2. Автор: Daewon HA,Jihyung Yu,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Methods and systems of power management for an integrated circuit

Номер патента: US20210273560A1. Автор: Ivo Leonardus Coenen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit including multiple transmitters and near field communication system including the circuit

Номер патента: US09985693B2. Автор: II Jong Song,Sang Hyo Lee,Byeong Taek MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: EP1537467A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: WO2004019192A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2004-03-04.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of forming magnetoresistive devices and integrated circuits

Номер патента: US12075630B2. Автор: THOMAS Andre,Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods and circuits for protecting integrated circuits from reverse engineering

Номер патента: US09479176B1. Автор: Scott C. Best,John C. Eble, III,Hanson Quan. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Techniques for handling high voltage circuitry in an integrated circuit

Номер патента: US9755647B1. Автор: Herman Schmit,Andy Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Signal transmission circuit on semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: US20010004217A1. Автор: Noboru Masuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-21.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Wireless Communication Unit, Integrated Circuit and Biasing Therefor

Номер патента: US20080204146A1. Автор: Jean-Jacques Bouny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-08-28.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Radio-frequency integrated circuit (RFIC) chip(s) for providing distributed antenna system functionalities, and related components, systems, and methods

Номер патента: US09948329B2. Автор: Isaac Shapira,Ofer Saban. Владелец: Corning Optical Communications Wireless Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Radio-frequency integrated circuit (RFIC) chip(s) for providing distributed antenna system functionalities, and related components, systems, and methods

Номер патента: US09485803B2. Автор: Isaac Shapira,Ofer Saban. Владелец: Corning Optical Communications Wireless Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US10782330B2. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US20190049498A1. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including an SRAM

Номер патента: US5856216A. Автор: Ryuichi Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Systems for provisioning universal integrated circuit cards

Номер патента: US09886690B2. Автор: David K. Smith,Walter Cooper Chastain,David Harber,Brian Keith Rainer,Shih-Ming Wang,Stephen Emille Chin,Clifton Ashman Campbell. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit having flexible reference

Номер патента: US09661248B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Level shifters and integrated circuits thereof

Номер патента: US09634665B2. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Frequency specific closed loop feedback control of integrated circuits

Номер патента: US09548725B2. Автор: James B. Burr,Kleanthes G. Koniaris. Владелец: INTELLECTUAL VENTURES HOLDING 81 LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuits for and methods of controlling power within an integrated circuit

Номер патента: US09438244B2. Автор: Steven P. Young,Brian C. Gaide,Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Socket for integrated circuit component

Номер патента: WO1986003647A1. Автор: Timothy Brian Billman,James Ray Coller,Gary Ray Marpoe, Jr.. Владелец: Amp Incorporated. Дата публикации: 1986-06-19.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrical equipment, integrated circuit's loop thereof and circuit connecting method

Номер патента: US09730350B2. Автор: Lun LV,Lifa Wu. Владелец: SHENZHEN SIGMA MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Method for integrated circuit layout

Номер патента: EP1089204A3. Автор: Walter Stadler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of outputting signals on semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006100792A1. Автор: Takeshi Ishigaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-09-28.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040029369A1. Автор: Koji Yamamoto,Yoshiyuki Miyamoto,Tetsuji Yokouchi,Kazuyuki Tokorozuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Integrated circuit with nanowire ChemFET-sensors, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09823218B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-21.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Integrated circuit comprising a gas sensor

Номер патента: US09523651B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Hermetically-covered photonic integrated circuit (pic) on a substrate having an integrated laser diode

Номер патента: US20240295690A1. Автор: Rahul Agarwal,Giuseppe Calafiore,Zhujun Shi,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Petr Markov,John Michael Goward,Dusan Coso,Shermin Arab. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of rear surface treatment, analysis method of integrated circuit from rear surface side, and rear surface treatment apparatus

Номер патента: US20100193374A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Integrated circuit with CO2 sensor, composition and manufacturing method of such an IC

Номер патента: US09683099B2. Автор: Rafael Sablong,Aurelie Humbert,Cornelis Bastiaansen,Dimitri Soccol,Jan KOLIJN,Dirk Gravesteijn,Bjorn Tuerlings. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods and device for forming thin-film nanocrystalline integrated circuits on ophthalmic devices

Номер патента: RU2637967C2. Автор: Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-12-08.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit on chip instrument controller

Номер патента: US10871517B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Evert-Jan Pol,Richard Morren,Johannes Petrus Wilhelmus van Beers,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-12-22.

Device and thermal tester for thermal testing dies of an integrated circuit

Номер патента: WO2023048644A2. Автор: See Jean Chan. Владелец: Aem Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and apparatus for designing a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US7949984B2. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Tetsufumi Tanamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Photonic integrated circuit and light detection and ranging system

Номер патента: EP4405707A1. Автор: Richard Jones,Pierre Doussiere,George Rakuljic,Eduardo Temprana Giraldo,Animesh BANERJEE,William HAYENGA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5270584A. Автор: Takahiro Hara,Yasuji Koshikawa,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Photonic integrated circuit and light detection and ranging system

Номер патента: EP4399553A1. Автор: George Rakuljic,Eduardo Temprana Giraldo,William HAYENGA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Monolithically framed pellicle membrane suitable for lithography in the fabrication of integrated circuits

Номер патента: US20220075259A1. Автор: Guojing Zhang,John Magana. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

System for and method of manufacturing optical/electronic integrated circuits

Номер патента: US20050152632A1. Автор: Franklin Dabby. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for optical coupling between a photonic integrated circuit and an external optical element

Номер патента: US09529154B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Geert Van Steenberge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US20230324949A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: WO2023200533A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for the characterization and monitoring of integrated circuits

Номер патента: US09568540B2. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: US5975912A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier

Номер патента: WO2010019980A1. Автор: Joseph Tharion,William Granger,Jason Mark Thelander,Graeme Kenneth Bowyer,Ralph Lewis Ranger. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US11983032B2. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US09588174B1. Автор: Raphael Peter ROBERTAZZI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit

Номер патента: US20240319266A1. Автор: Takahiro Yoneda. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit generation with improved interconnect

Номер патента: US20240338329A1. Автор: David Parry,Henry Cook,Robert P. Adler,Rick H. Y. Chen. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Timing analysis of a digital integrated circuit using intent based timing constraints

Номер патента: US20240330551A1. Автор: Hemlata Gupta,Kerim Kalafala,Eric Foreman,Manish Verma,Adil Bhanji,Jack DiLullo,Jennifer Elizabeth Basile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US12086527B2. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit modeling method using resistive capacitance information

Номер патента: US09996643B2. Автор: Chin-Sheng Chen,Tsun-Yu YANG,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Ching-Shun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09953121B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Machine-learning accelerator (MLA) integrated circuit for extracting features from signals and performing inference computations

Номер патента: US09691034B2. Автор: Kyong Ho Lee,Naveen Verma. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-27.

High diagnosability, quality managed-compliant integrated circuit for implementing ASIL B-compliant automotive safety-related functions

Номер патента: US09677480B2. Автор: Giovanni Dallara,Piero Carbonaro,Loris Lambertini,Alberto Pezzoli,Alessandro Fusari,Francesco Traversi. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus, system and method for a common unified debug architecture for integrated circuits and SoCs

Номер патента: US09632895B2. Автор: Sridhar Valluru,Sankaran M Menon,Ramana Rachakonda,Eyal Dolev,Rajendra S Yavatkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US09613175B2. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US09965579B2. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit design systems and methods

Номер патента: US09959380B2. Автор: Ji xU,Bharath Rangarajan,Vito Dai,Edward Kah Ching Teoh. Владелец: Motivo Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit with on-chip power profiling

Номер патента: US09696775B2. Автор: Thuyen Le,Tian Yan Pu,Lars MELZER,Chenbo Liu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US09588171B2. Автор: Nikolay Ilkov,Winfried Bakalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit and associated methods for measurement of an external impedance

Номер патента: US09575103B2. Автор: Wei Zhang,Glenn A. Forrest. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for selling pre-owned integrated circuit manufacturing equipment online

Номер патента: WO2003012597A3. Автор: Tsutomu Tanaka,Koichi Usui,Masanori Svc Takahashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US09435857B2. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Cell library and method for designing an asynchronous integrated circuit

Номер патента: US09430600B2. Автор: Pascal Vivet,Yvain Thonnart. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of processing test patterns for an integrated circuit

Номер патента: EP1382976A1. Автор: Eric Liau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-21.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120205747A1. Автор: HATA Masahiko,Urabe Yuji,TAKENAKA Mitsuru,TAKAGI Shinichi,TAKAGI Hideki,Yasuda Tetsuji,Yokoyama Masafumi,YAMADA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

SYSTEM AND METHOD OF GALVANIC ISOLATION IN DIGITAL SIGNAL TRANSFER INTEGRATED CIRCUITS UTILIZING CONDUCTIVITY MODULATION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130062725A1. Автор: French William,Hopper Peter J.,Papou Andrei,Smeys Peter,Adilti Chaudhuri Dutt. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of separation of integrated circuits

Номер патента: RU2278392C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Иван Иванович Рубцевич,Дмитрий Юрьевич Смирнов (RU),Митрофан Иванович Горлов (RU),Иван Иванович Рубцевич (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-06-20.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.