Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Sense amplifier having offset cancellation

Номер патента: US20200227111A1
Опубликовано: 16-07-2020
Автор(ы): Bok-yeon Won, Hyuk-joon Kwon, Sang-keun HAN, Young-Wook Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Data sense amplifier and a memory device with open or folded bit line structure

Номер патента: US09990962B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Single column select architecture for sense amplifier circuity

Номер патента: US12106820B2. Автор: Huy Thanh Vo,Christopher John Kawamura,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Single column select architecture for sense amplifier circuity

Номер патента: US20240144983A1. Автор: Huy Thanh Vo,Christopher John Kawamura,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Sense amplifier having offset cancellation

Номер патента: US10692565B2. Автор: Hyuk-joon Kwon,Young-Wook Kim,Bok-yeon Won,Sang-keun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-23.

Sense amplifier having offset cancellation

Номер патента: US20210272618A1. Автор: Hyuk-joon Kwon,Young-Wook Kim,Bok-yeon Won,Sang-keun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929111B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Guanglei Wen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sub-sense amplifier and semiconductor memory device

Номер патента: US20220399051A1. Автор: Hisayuki Nagamine. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US11862283B2. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US20210407558A1. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929112B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US10020038B1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-10.

Sense amplifier circuit and data read method

Номер патента: US12112824B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense amplifier circuit and data read method

Номер патента: US20230162762A1. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Reversed bias compensation for sense amplifier operation

Номер патента: US20200098402A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Vertical access line in a folded digitline sense amplifier

Номер патента: US12114489B2. Автор: Anton P. Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense amplifier circuit, memory device including the same and sensing method of memory device

Номер патента: US20230420034A1. Автор: Hyun-Chul Yoon,Kyu-Chang KANG,Changyoung Lee,Donghak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: WO2017136106A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-10.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: EP3411879A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11823763B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US11901036B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Sense amplifier and semiconductor memory device including the sense amplifier

Номер патента: US11776588B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310133A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US20230290386A1. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with memory banks and sense amplifier arrays

Номер патента: US20200365191A1. Автор: Hyung Sik WON,Seung Han OAK,Jun Phyo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having sense amplifier

Номер патента: US20230352061A1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having sense amplifier

Номер патента: US11984188B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20240005967A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12112825B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Random access memory and sense-amplifying compensation circuit thereof

Номер патента: US20240170030A1. Автор: Miao Xie,Shaoxu JIA. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Apparatuses and methods for single-ended sense amplifiers

Номер патента: US12051460B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US09418713B2. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US20230352080A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Transistor voltage threshold mismatch compensated sense amplifiers and methods for precharging sense amplifiers

Номер патента: US20140085992A1. Автор: Howard C. Kirsch,Charles L. Ingalls,J. Wayne Thompson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Pre-Sense Gut Node Amplification in Sense Amplifier

Номер патента: US20230395130A1. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Pre-sense gut node amplification in sense amplifier

Номер патента: US11967362B2. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US12073870B2. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US8009496B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US20100074041A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US12033690B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for bias sensing in DRAM sense amplifiers through voltage-coupling/decoupling devices

Номер патента: US09633714B2. Автор: David J. McElroy,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

High speed dram local bit line sense amplifier

Номер патента: US20020105846A1. Автор: Robert Dennard,Ronald Knepper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11894101B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11869624B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310142A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Single-Ended Sense Amplifier for Solid-State Memories

Номер патента: US20140119093A1. Автор: Sahilpreet Singh,Disha Singh. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Sense amplifiers for wider i/o memory devices

Номер патента: US20200227110A1. Автор: Yutaka Nakamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09552850B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Sense amplifier, memory and control method of sense amplifier

Номер патента: US11862285B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Jianqing Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Layout for equalizer and data line sense amplifier employed in a high speed memory device

Номер патента: US20070041256A1. Автор: Chi-wook Kim,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Apparatuses including temperature-based threshold voltage compensated sense amplifiers and methods for compensating same

Номер патента: US20210012818A1. Автор: Jonathan Hawkins,Boon Hor Lam,Karl L. Major,Galaly Ahmad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US20150262629A1. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Bit line sense amplifier control circuit

Номер патента: US20070070751A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US10692564B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Sense amplifier, memory and data readout method

Номер патента: US11862284B2. Автор: YING Wang,Weibing SHANG,Kanyu Cao,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier by configuring structures using switches

Номер патента: US11887655B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200335152A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200118613A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Sense amplifier ciruit and semiconductor device

Номер патента: US20130315018A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Sense amplifier ciruit and semiconductor device

Номер патента: US20130301364A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2013-11-14.

Sense amplifier circuit and semiconductor device

Номер патента: US20140293721A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-10-02.

Isolation of local lines of sense amplifiers

Номер патента: US20230206990A1. Автор: John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Sense amplifier, method for driving sense amplifier, and memory

Номер патента: US20230223072A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Isolation of local lines of sense amplifiers

Номер патента: US12002504B2. Автор: John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220319579A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US20240233782A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US11942178B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US20230267970A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San KWHA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Local sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060291313A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor memory device with sense amplifier and bitline isolation

Номер патента: US20130265839A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US20230298660A1. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: US09589604B1. Автор: Juergen Pille,Alexander Fritsch,Shankar Kalyanasundaram,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: EP4092673A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09761286B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20220310134A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled N-type transistors

Номер патента: US12080336B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12094562B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US11848046B2. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US09761285B1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: WO2021021288A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US20170249976A1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US20200202904A1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US10679681B1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US11783872B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US20200219543A1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US20210035615A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: EP4004920A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sense amplifier control circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: US7675798B2. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-09.

Memory using dual sense amplifiers for error detection and correction

Номер патента: US11935612B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20150348602A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Sense amplifier

Номер патента: US20130214868A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20140159820A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09466341B2. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Current-Mode Sense Amplifier

Номер патента: US20170316812A1. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled n-type transistors

Номер патента: US20230360690A1. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US9552851B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Vertical access line in a folded digitline sense amplifier

Номер патента: US20230180467A1. Автор: Anton P. Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US20020191461A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: WO1997008700A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-03-06.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: US20020110015A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Dram with hybrid sense amplifier

Номер патента: US20080266992A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device with improved sense margin of sense amplifier

Номер патента: US09613680B2. Автор: Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure in which a sense amplifier array shared between a dummy array and normal array,comparing one bit line of the normal array with two or more bit lines of the dummy array

Номер патента: US09666254B1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device with sub-amplifiers having a variable current source

Номер патента: US7304910B1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Kazuhiko Kajigaya,Satoru Hanzawa,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US6577523B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-10.

Programmable Sense Amplifier Multiplexer Circuit with Dynamic Latching Mode

Номер патента: US20080151647A1. Автор: Christopher Miller,Michael Killian. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Shared sense amplifier

Номер патента: US9640231B1. Автор: Chulmin Jung,Fahad Ahmed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Asymmetric sensing amplifier, memory device and designing method

Номер патента: US20140269110A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory Sense Amplifier And Column Pre-Charger

Номер патента: US20150269990A1. Автор: Dharmendra Kumar Rai,Rahul Sahu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

DRAM sensing control; connecting bitlines to sense amplifier

Номер патента: GB2242768A. Автор: Atsushi Wada,Peter Bruce Gillingham,Masami Mitsuhashi,Richard Charles Foss,Robert Harland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-10-09.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080316840A1. Автор: Chang-Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US11798617B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US20230307035A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: US20140269025A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210287725A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for controlling sense amplifier and control device using the same

Номер патента: US20240055031A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Voltage sense amplifier and methods for implementing the same

Номер патента: WO1998048424A1. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-10-29.

Sense amplifier of semiconductor device

Номер патента: US09767871B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Input-output line sense amplifier having adjustable output drive capability

Номер патента: US20130141993A1. Автор: Chulmin Jung,Kang Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: EP2834817A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-02-11.

Semiconductor memory apparatus having sense amplifier

Номер патента: US20120026773A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: EP4405947A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Circuit for generating a sense amplifier enable signal with variable timing

Номер патента: US09685209B1. Автор: Ashish Kumar,Vinay Kumar,Kedar Janardan Dhori. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-20.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210118477A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Sense amplifier sleep state for leakage savings without bias mismatch

Номер патента: US11854652B2. Автор: Russell J. Schreiber,Ryan T. Freese,Eric W. Busta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier sleep state for leakage savings without bias mismatch

Номер патента: US20220208234A1. Автор: Russell J. Schreiber,Ryan T. Freese,Eric W. Busta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Local sensing amplifier and memory

Номер патента: US20230274770A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: GB2558829A. Автор: Pille Juergen,Fritsch Alexander,Kalyanasundaram Shankar,B Kugel Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-18.

Sense amplifier with mini-gap architecture and parallel interconnect

Номер патента: US09542980B1. Автор: Adam Saleh El-Mansouri,Adrian Jay Drexler,Ryan Martin Hofstetter. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Skewed sense amplifier for single-ended sensing

Номер патента: US20200342918A1. Автор: Puneet Suri,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Anoop Delampady. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20140140144A1. Автор: Takaaki Nakazato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Sense amplifier drivers, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US20220051712A1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Read techniques for sense amplifier in fdsoi technology

Номер патента: US20200105313A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young,Sing-Kai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: US11894050B2. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier with pulsed control

Номер патента: WO2016175969A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-03.

Sense amplifier with pulsed control

Номер патента: EP3289589A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Sense amplifier drivers, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11935584B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Sense amplifier signal boost

Номер патента: US20180330766A1. Автор: Charles Ingalls,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

System, apparatus, and method for an offset cancelling single ended sensing circuit

Номер патента: US09406354B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Tri-level-cell DRAM and sense amplifier with alternating offset voltage

Номер патента: US09478277B1. Автор: BO LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-25.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US20030026153A1. Автор: Greg Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US6618308B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-09.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Circuit providing compensated power for sense amplifier and driving method thereof

Номер патента: US20090161463A1. Автор: Jun Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Sense amplifier optimized lay-out from dynamic random access memories on complementary metal oxide semicondutor

Номер патента: US4825417A. Автор: Seung M. Seo. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Sense amplifier drive circuit

Номер патента: US20020079931A1. Автор: Young Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-27.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for controlling sense amplifier and electronic device

Номер патента: US20240071474A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US09659631B2. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

Capacitively isolated mismatch compensated sense amplifier

Номер патента: WO2010074833A1. Автор: John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device including sense amplifier having enhanced sensing margin and method of controlling the same

Номер патента: US11763878B2. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Byungjun Kang,Yunhee Lee,Daehyun KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Номер патента: US09916883B2. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Bitline sense amplifier and a memory device

Номер патента: US20240221824A1. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US12094521B2. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US09627033B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Layouts for sense amplifiers and related apparatuses and systems

Номер патента: US20210407578A1. Автор: Yuko Watanabe,Takefumi Shirako. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Fast sense amplifier for small voltage differences

Номер патента: US5905686A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: WO2023215382A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset compensation and methods of operating same

Номер патента: US20240029782A1. Автор: Sun Young Kim,Dongil LEE,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Dram architecture with combined sense amplifier pitch

Номер патента: WO1998033185A1. Автор: Brian M. Shirley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-07-30.

DRAM with edge sense amplifiers which are activated along with sense amplifiers internal to the array during a read cycle

Номер патента: US6011737A. Автор: Michael A. Murray,Li-Chun Li,Lawrence C. Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Semiconductor device with a sense amplifier unit responsive to a voltage change of input signals and a sense control signal

Номер патента: US09536576B2. Автор: Hyung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

SENSE AMPLIFIER HAVING OFFSET CANCELLATION

Номер патента: US20200118614A1. Автор: KIM Young-Wook,WON Bok-Yeon,KWON Hyuk-Joon,HAN SANG-KEUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

SENSE AMPLIFIER HAVING OFFSET CANCELLATION

Номер патента: US20190180811A1. Автор: KIM Young-Wook,WON Bok-Yeon,KWON Hyuk-Joon,HAN SANG-KEUN. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US20170249985A1. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory circuit having data lines selectively coupled to a sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US09881655B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: EP2507795A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US20120230134A1. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-09-13.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Sense amplifier, control method for sense amplifier, and memory

Номер патента: EP4198983A1. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor memory device with sense amplifiers

Номер патента: US4748596A. Автор: Yasuo Itoh,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Circuit and Method for a Sense Amplifier with Instantaneous Pull Up/Pull Down Sensing

Номер патента: US20090251975A1. Автор: Shine Chung,Jonathan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Apparatuses and methods for controlling sense amplifier operation

Номер патента: US20230410885A1. Автор: Christopher G. Wieduwilt,John P. Behrend. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Sense amplifier, control method of sense amplifier, and equipment

Номер патента: US11854604B2. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Bit line sense amplifier for inhibiting increase of offset voltage and method for fabricating the same

Номер патента: US20050213407A1. Автор: Kwang Myoung Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Sample and hold memory sense amplifier

Номер патента: US20060044907A1. Автор: Leonard Forbes,David Cuthbert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US20240055044A1. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Layout of a sense amplifier with accelerated signal evaluation

Номер патента: US20010048620A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Markert,Helmut Schneider,Sabine Schöniger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-06.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20020131311A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US20160307618A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Sense amplifier for sensing multi-level cell and memory device including the sense amplifer

Номер патента: US20200294574A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bitline sense amplifier and a memory device with an equalizer

Номер патента: US11961551B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20030081476A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Hybrid sense amplifier and method, and memory device using same

Номер патента: US7990792B2. Автор: Keiichiro Abe,Yukata Ito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Sense-amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20150046723A1. Автор: Sang Il Park,Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Sense amplifier and nonvolatile memory device

Номер патента: US20240161813A1. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: US20230363150A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20210319820A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20200051606A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: EP3837687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier

Номер патента: US20150016197A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Sense amplifier and method for controlling the same

Номер патента: US11854606B2. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US10998028B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: WO2020036744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Sense amplifier and method for controlling the same

Номер патента: US20230377630A1. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and circuit for determining sense amplifier sensitivity

Номер патента: US6862233B2. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-03-01.

Power supply circuit for sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US20080123457A1. Автор: Kang Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Sense amplifier circuit and method for a DRAM

Номер патента: US20060262619A1. Автор: Michel Bouche,Marc Vernet. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2006-11-23.

Offset cancellation for latching in a memory device

Номер патента: WO2019018462A3. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Offset cancellation for latching in a memory device

Номер патента: US20190147933A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Offset cancellation for latching in a memory device

Номер патента: US20200265885A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Offset cancellation for latching in a memory device

Номер патента: EP3655950A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Offset cancellation for latching in a memory device

Номер патента: WO2019018462A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US09437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Power line compensation for flash memory sense amplifiers

Номер патента: US20190355420A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: EP3433859A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: WO2017165086A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense amplifier enabling scheme

Номер патента: US09978444B2. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Cmos regenerative sense amplifier with high speed latching

Номер патента: US5057718A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Handshaking sense amplifier

Номер патента: US09418730B2. Автор: Andreas J. GOTTERBA,Jesse S. WANG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Pseudo-Differential De-Glitch Sense Amplifier

Номер патента: US20240257868A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12040009B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20200168266A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Pseudo-differential de-glitch sense amplifier

Номер патента: WO2024163176A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-08.

High speed and low offset sense amplifier

Номер патента: US20140355360A1. Автор: Hsi-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Memory device having I/O sense amplifier with variable current gain

Номер патента: US6314029B1. Автор: Sang-Jae Rhee,Tae-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-06.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5604451A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-18.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20220270653A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4042422A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated memory comprising a sense amplifier

Номер патента: CA2017607C. Автор: Evert Seevinck. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-24.

Sense amplifier with multiple bits sharing a common reference

Номер патента: WO2007143268A3. Автор: Joseph J Nahas,Thomas W Andre,Brad J Garni. Владелец: Brad J Garni. Дата публикации: 2008-06-19.

Circuit to generate a sense amplifier enable signal

Номер патента: US09564193B2. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20220084580A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: US20240127868A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: EP4358086A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor memory device for minimizing mismatch of sense amplifier

Номер патента: US20120213025A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Sense amplifier

Номер патента: CA1262477A. Автор: Mitsuo Soneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-10-24.

Sense amplifier circuit architecture

Номер патента: US20230162782A1. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Latch type sense amplifier for non-volatile memory

Номер патента: US20240161811A1. Автор: Hsin-Chan PENG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Sense amplifier with multiple bits sharing a common reference

Номер патента: WO2007143268A2. Автор: Joseph J. Nahas,Thomas W. Andre,Brad J. Garni. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-12-13.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset cancellation and methods of operating same

Номер патента: US20240062806A1. Автор: Eunki Hong,Minsoo Jang,Seungki HONG,Jaeseong Lim,Jinsol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20160372176A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US09659629B2. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having sense amplifiers

Номер патента: US20110205821A1. Автор: Akira Ichinose. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory having a first and second sense amplifier for sensing a memory cell voltage during a normal mode and a refresh mode

Номер патента: US7009902B2. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Sense amplifier power supply circuit

Номер патента: US20090109777A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US20230307034A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US11978504B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Sense amplifier control circuit for semiconductor memory device and method for controlling sense amplifier control circuit

Номер патента: US7813200B2. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

SENSE AMPLIFIER HAVING OFFSET CANCELLATION

Номер патента: US20200372948A1. Автор: KIM Young-Wook,WON Bok-Yeon,KWON Hyuk-Joon,HAN SANG-KEUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Latch offset cancelation for magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09691462B2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byungkyu SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: WO2004086406A8. Автор: Geirr I Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Robert Schweickert. Дата публикации: 2006-04-20.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Reciprocal quantum logic (RQL) sense amplifier

Номер патента: US09646682B1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Sense structure based on multiple sense amplifiers with local regulation of a biasing voltage

Номер патента: US09679618B2. Автор: Antonino Conte,SantiNunzioAntonino Pagano,Mario Micciche′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US09460759B2. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Shared Sense Amplifier and Write Driver

Номер патента: US20170345465A1. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Shared sense amplifier and write driver

Номер патента: US09934828B2. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: US20140104924A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: WO2014062554A4. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: WO2014062554A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Input/output sense amplifier

Номер патента: US20140062598A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A3. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A4. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-05-30.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: WO2017204977A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Sense Amplifiers

Номер патента: US20210319812A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier and memory apparatus using the same

Номер патента: US09646658B1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144778A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: EP3465685A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-04-10.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: CA3022780C. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144809A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US11923036B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Sense structure based on multiple sense amplifiers with local regulation of a biasing voltage

Номер патента: US20170278552A1. Автор: Antonino Conte,Mario Micciche',Santi Nunzio Antonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense Amplifier Used in the Write Operations of SRAM

Номер патента: US20100165749A1. Автор: Jui-Jen Wu,Yi-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US12106797B2. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-01.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20230036684A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-02-02.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160284391A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Single-ended CMOS sense amplifier

Номер патента: US4598389A. Автор: Charvaka Duvvury,Russel W. Strawn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Fin field effect transistor sense amplifier circuitry and related apparatuses and computing systems

Номер патента: US20240112724A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device including bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20220020423A1. Автор: Jong-Ho Moon,Sung-hwan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Dynamic Random Access Memory System Including Single-Ended Sense Amplifiers And Methods For Operating Same

Номер патента: US20240221823A1. Автор: Richard S. Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A3. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A2. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A4. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-26.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Stored charge differential sense amplifier

Номер патента: CA1088668A. Автор: Scott C. Lewis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Parameter independent fet sense amplifier

Номер патента: CA1084597A. Автор: Howard L. Kalter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-08-26.

Sense amplifier arrangement for semiconductor memory

Номер патента: GB2227109A. Автор: Soo-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-07-18.

Semiconductor device having sense amplifier equipped with compensation circuit

Номер патента: US12125521B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Bitline sense amplifier and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240371431A1. Автор: Taeyun Kim,Donghwee Kim,Junmyung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240105253A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US11935582B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US20230386560A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Sense amplifier, semiconductor memory device using thereof and read method thereof

Номер патента: US09672895B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Negative Pull-Down Voltage in a Sense Amplifier

Номер патента: US20240203482A1. Автор: Charles L. Ingalls,Shizhong Mei,Huy T. Vo,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Charge integrating sense amplifier

Номер патента: GB2390201A. Автор: Simon Tam. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-31.

CMOS sense amplifier with N-channel sensing

Номер патента: US4608670A. Автор: Charvaka Duvvury,Adin E. Hyslop. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

System and method for detecting mismatch of sense amplifier

Номер патента: US11862233B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20100118633A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device having the same, and method of testing bit-line micro-bridge defect

Номер патента: US20110199836A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Jun-Phyo Lee,Sang-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230260567A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor memory device equipped with step-down power voltage supply system for sense amplifier circuit arrays

Номер патента: US5272677A. Автор: Ryuji Yamamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Sense amplifier with reduced instantaneous power

Номер патента: US4627033A. Автор: Charvaka Duvvury,Adin E. Hyslop. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-12-02.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230230633A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Sense amplifier, operating method thereof, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240105254A1. Автор: Younghun Seo,Duckyoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

High performance dynamic sense amplifier with active loads

Номер патента: US4370575A. Автор: Lionel S. White, Jr.,Joseph C. McAlexander, III,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-01-25.

Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells

Номер патента: US4031522A. Автор: John Anthony Reed,Joel Allen Karp. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1977-06-21.

CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines

Номер патента: US5132930A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Sense amplifier and operating method of the same

Номер патента: US20240112726A1. Автор: Shigeki Shimomura,Yongxi LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory

Номер патента: US4286178A. Автор: Lionel S. White, Jr.,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-08-25.

Semiconductor device having sense amplifier equipped with compensation circuit

Номер патента: US20240071472A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sense amplifier

Номер патента: US4274013A. Автор: Donald G. Clemons,William R. Huber, Iii. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-06-16.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US20110079858A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US7876627B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160380596A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160204746A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Sense amplifier

Номер патента: WO2015042752A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier

Номер патента: US09621112B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier

Номер патента: US09444408B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Programmable logic device having a sense amplifier with varying capabilities

Номер патента: WO1998003976A1. Автор: Howard Benjamin Ashmore, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Sense amplifier read line sharing

Номер патента: US20090190425A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Andreas Gotterba. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Sense amplifier in low power and high performance SRAM

Номер патента: US09799395B2. Автор: Vinod Menezes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: WO2007076414A3. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2007-09-27.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: EP1966801A2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Method and apparatus for measuring the offset voltages of SRAM sense amplifiers

Номер патента: US5896332A. Автор: Jeffery C. Brauch. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-04-20.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Sense amplifier and input/output circuit of semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09875775B2. Автор: Jong Su Kim,Yong Sung Lee,Dong Jae Lee,Deok Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-timed, single-ended sense amplifier

Номер патента: US09542981B2. Автор: Igor Arsovski,Travis R. Hebig. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell

Номер патента: US09406353B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device having sensing circuitry with automatic latching of sense amplifier output node

Номер патента: US20130215685A1. Автор: Md Rahim Chand Sk. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Sense Amplifier Circuit

Номер патента: US20120307571A1. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: EP4392973A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US8503252B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US09697891B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130293300A1. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Sense amplifier screen circuit and screen method thereof

Номер патента: US20080159028A1. Автор: Won Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Differential sense amplifier circuit and dynamic logic circuit using the same

Номер патента: EP1111782A2. Автор: Koji Hirairi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Single ended output sense amplifier circuit with reduced power consumption and noise

Номер патента: US20040004881A1. Автор: Naren Sahoo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-01-08.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Single-ended sense amplifier

Номер патента: US10971196B1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-06.

Using sense amplifier as a write booster in memory operating with a large dual rail voltage supply differential

Номер патента: US09966131B2. Автор: Niranjan Behera,Dharmesh Kumar Sonkar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Sense amplifier with local write drivers

Номер патента: US6088270A. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Sense amplifier structure for non-volatile memory with neighbor bit line local data bus data transfer

Номер патента: US11901018B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Chia-kai Chou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Data bus sense amplifier circuit

Номер патента: US7639553B2. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Single ended bitline current sense amplifiers

Номер патента: EP4278352A1. Автор: Rajiv Joshi,Holger Wetter,Alexander Fritsch,Sudipto Chakraborty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Methods of operating sense amplifier circuits

Номер патента: US09502100B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Dual Sensing Current Latched Sense Amplifier

Номер патента: US20110235449A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: EP2550654A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: WO2011119643A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier systems and methods

Номер патента: US20060209608A1. Автор: Allen White,Louis Cruz. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Systems and methods for controlling a sense amplifier

Номер патента: US09830979B1. Автор: Shawn Chen,Shao-Yu Chou,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Sense amplifier with transistor threshold compensation

Номер патента: US09418714B2. Автор: John W. Poulton,Mahmut E. Sinangil. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Dynamic sense amplifier for SRAM

Номер патента: US20070097765A1. Автор: Patrick Chuang,Mu-Hsiang Huang,Jae-Hyeong Kim. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US9997238B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device and sense amplifier

Номер патента: US20130064028A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor memory device and method with two sense amplifiers

Номер патента: US8050124B2. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Sense amplifier for a memory device

Номер патента: US5126974A. Автор: Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Katsuhiro Shimohigashi,Shoji Hanamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-06-30.

Sense-amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9117545B1. Автор: Jang Geun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Sense amplifier providing low capacitance with reduced resolution time

Номер патента: US20080143390A1. Автор: Mudit Bhargava,Ankur Goel,Shishir Kumar. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: US11854609B2. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier circuit and flip-flop

Номер патента: US11979121B2. Автор: Dandan Shi,Qifan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: WO2023027857A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Sense amplifier circuit and flip-flop

Номер патента: US20240014789A1. Автор: Dandan Shi,Qifan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Combined sense amplifier and latching circuit for high speed roms

Номер патента: US5204560A. Автор: Pierre Coppens,Thierry Cantiant,Francis Bredin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Sense amplifier and method thereof

Номер патента: US11961580B2. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Sense Amplifier and Method Thereof

Номер патента: US20230395100A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense amplifier driver circuits configured to track changes in memory cell pass transistor characteristics

Номер патента: US20030128608A1. Автор: Tae-Joong Song,Eun-Kyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-10.

Sense Amplifier and Method Thereof

Номер патента: US20240212723A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US09830987B2. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

High performance sense amplifier

Номер патента: US09437282B1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Krishnan S. Rengarajan,George M. Braceras. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Asymmetric Sense Amplifier

Номер патента: US20100165767A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Shu-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US8797068B2. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Memory device having a simplified sense amplifier with a buffer conductive during both precharge and read operations

Номер патента: US4811300A. Автор: Michel Lanfranca. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Sense amplifier circuit, memory circuit, and sensing method thereof

Номер патента: US20230420041A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Resetable control circuit devices for sense amplifiers

Номер патента: US20050083088A1. Автор: Tao-Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device including sense amplifier and operation method of semiconductor device

Номер патента: US11984147B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Toshiki HAMADA,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Sense amplifier calibration

Номер патента: US20180342273A1. Автор: Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Novel sense amplifier scheme

Номер патента: US20150055426A1. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20240062815A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20200388333A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20220359008A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US11837287B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Sense amplifier architecture providing reduced program verification time

Номер патента: US20230402111A1. Автор: Hiroki Yabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Circuit and method for generating a sense amplifier enable signal based on a voltage level of a tracking bitline

Номер патента: US20130155758A1. Автор: Jack Liu,Yi-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Sense Amplifier Mapping and Control Scheme for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220406342A1. Автор: FENG Lu,Ohwon KWON,Jongyeon KIM. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Low voltage data path and current sense amplifier

Номер патента: US20070177442A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Sense amplifier scheme

Номер патента: US09858987B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Sense amplifier with current regulating circuit

Номер патента: US09679619B2. Автор: Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Sense amplifier of virtual ground flat-cell

Номер патента: US5898632A. Автор: Tae-Sun Hwang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Sense amplifier circuit using then film transistors

Номер патента: US5036231A. Автор: Minoru Kanbara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Low-voltage low-power dynamic folded sense amplifier

Номер патента: US5506524A. Автор: Jyhfong Lin. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5293088A. Автор: Yasushi Kasa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Testing one-time programmable (otp) memory with data input capture through sense amplifier circuit

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Hochul Lee,Keejong Kim,Anil Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Sense amplifier with transistor threshold compensation

Номер патента: US20150016183A1. Автор: John W. Poulton,Mahmut E. Sinangil. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for Asymmetric Sense Amplifier

Номер патента: US20110317506A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Shu-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Voltage shifting sense amplifier for sram vmin improvement

Номер патента: US20130148452A1. Автор: Russell J. Schreiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Sense amplifier and operating method for non-volatile memory with reduced need on adjusting offset to compensate the mismatch

Номер патента: US11688436B2. Автор: Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US20160254048A1. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US7304903B2. Автор: Kaushik Roy,Saibal Mukhopadhyay,Hamid Mahmoodi. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2007-12-04.

Sense Amplifiers in Memory Cells

Номер патента: KR930006727A. Автор: 장성준. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1993-04-21.

Sense amplifier

Номер патента: US20240046968A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Sense amplifier

Номер патента: US20220319558A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Sense amplifier

Номер патента: US11783870B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Latch type sense amplifier method and apparatus

Номер патента: US20040264276A1. Автор: Osamu Takahashi,Toru Asano,Sang Dhong,Takaaki Nakazato. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Sense amplifier

Номер патента: US10783969B2. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20190279717A1. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Narrow range sense amplifier with immunity to noise and variation

Номер патента: WO2020251699A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo,Angada B. Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari-Sangamalli,Blessy Alexander. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-17.

High speed deglitch sense amplifier

Номер патента: US20150294697A1. Автор: Chulmin Jung,Rui Li,Sei Seung Yoon,David Li,Tahseen Shakir. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Narrow range sense amplifier with immunity to noise and variation

Номер патента: EP3984034A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo,Angada B. Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari-Sangamalli,Blessy Alexander. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09564188B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Self-timed integrating differential current sense amplifier

Номер патента: US20090059672A1. Автор: Thomas Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040213065A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040151046A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Sense amplifier precharge control

Номер патента: US4879682A. Автор: Bruce E. Engles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Selective sense amplifier enablement

Номер патента: WO2016007372A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Noise reduction in sense amplifiers for non-volatile memory

Номер патента: US20240331741A1. Автор: Yonggang Wu,Iris LU,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Tunable sense amplifier reference for single-ended bit lines

Номер патента: US09754641B1. Автор: Jimmy Lee Reaves. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Sense amplifier

Номер патента: US20010026490A1. Автор: Yukiharu Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20070195625A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US7423896B2. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-09.

Sense amplifier and method for generating variable reference level

Номер патента: US20050201171A1. Автор: Hong-Seok Kim,Sang-Won Kim,Jeong-Un Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-15.

Data line control for sense amplifiers

Номер патента: US20150117124A1. Автор: Tae H. Kim,Howard Kirsch,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Regulator of a sense amplifier

Номер патента: US20230110870A1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Vivek Tyagi,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-04-13.

Circuit structure and related method to compensate for sense amplifier leakage

Номер патента: US20240038283A1. Автор: Wei Zhao,Xiaohua Cheng,Xiaoli Hu,Xiaoxiao LI,Yuqing Sun,Xueqiang Dai. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20060013051A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-19.

Sense amplifier, control method for sense amplifier, and memory

Номер патента: EP4198983A4. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Sensing amplifier applied to at least a memory cell, memory device, and enhancement method for boosting sensing amplifier thereof

Номер патента: TW201113898A. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Data-dependent self-biased differential sense amplifier

Номер патента: US20160217832A1. Автор: Krishnan S. Rengarajan,Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Data-dependent self-biased differential sense amplifier

Номер патента: US09460760B2. Автор: Krishnan S. Rengarajan,Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device employing bitline sense amplifier having sensing direction by gate bias control and bitline sensing method

Номер патента: KR100604824B1. Автор: 이병재,김규홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Nmos-offset canceling current-latched sense amplifier

Номер патента: US20150228322A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Ji-Su Kim,Seong-Ook Jung,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-08-13.

Three-dimensional memory device including sense amplifiers having a common width and separation

Номер патента: US11925027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masayuki Hiroi,Masatoshi Okumura,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A3. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A2. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US20220084590A1. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Reference Averaging for MRAM Sense Amplifiers

Номер патента: US20130176773A1. Автор: Pokang Wang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Sense amplifier

Номер патента: US09601165B1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Sense amplifier for high speed sensing, memory apparatus and system including the same

Номер патента: US20180233178A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Threshold voltage mismatch compensation sense-amplifiers for static random access memories with multiple differential inputs

Номер патента: US09542995B2. Автор: Manoj Sachdev,Jaspal Singh Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Input Circuit Devices for Sense Amplifier Circuits

Номер патента: US20200372942A1. Автор: El Mehdi Boujamaa,Cyrille Nicolas Dray. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Fast and low-power sense amplifier and writing circuit for high-speed MRAM

Номер патента: US09672886B2. Автор: Kang L. Wang,Pedram Khalili Amiri,Hochul Lee,Juan G. Alzate. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM

Номер патента: US4843264A. Автор: Douglas C. Galbraith. Владелец: VISIC Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US9349428B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20190172514A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-06-06.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US10839880B2. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-11-17.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20170352394A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-07.

Static type semiconductor memory with multi-stage sense amplifier

Номер патента: US4891792A. Автор: Katsuro Sasaki,Takao Oono,Kiyotsugu Ueda,Shoji Hanamura,Masaaki Kubotera. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1990-01-02.

Differential sense amplifier for multilevel non-volatile memory

Номер патента: US20040047184A1. Автор: Hieu Tran,Jack Frayer,William Saiki,Michael Briner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Compact high speed sense amplifier for non-volatile memory with reduced layout area and power consumption

Номер патента: US09558836B2. Автор: Jongmin Park,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US11328771B2. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09741417B1. Автор: Michael A. Sadd,Michael Garrett Neaves,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09741435B1. Автор: Michael A. Sadd,Michael Garrett Neaves,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Sense amplifier layout designs and related apparatuses and methods

Номер патента: US11948657B2. Автор: Christopher G. Wieduwilt,Eric J. Schultz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US11854617B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier and method for performing a read operation in a MRAM

Номер патента: US20040001383A1. Автор: THOMAS Andre,Mark Durlam,Bradley Engel,Mark DeHerrera,Chitra Subramanian,Joseph Nahas,Bradley Garni. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20240127887A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Complementary bit pcram sense amplifier and method of operation

Номер патента: EP1454325A2. Автор: Glen Hush,Jake Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

Open collector bit driver/sense amplifier

Номер патента: CA1128207A. Автор: Shashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-20.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220358973A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: US20160099040A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

MRAM device including analog sense amplifiers

Номер патента: US6128239A. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-03.

Sense amplifier

Номер патента: US20170092337A1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Sense amplifier

Номер патента: WO2017052835A1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Single path memory sense amplifier circuit

Номер патента: US20200211610A1. Автор: Wuyang Hao,Yentsai Huang,Chunsung CHIANG,Jack T. Wong,Lejan Pu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Sense amplifier

Номер патента: US10127959B2. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Monolithic memory sense amplifier/bit driver

Номер патента: US3676704A. Автор: Nicholas M Donofrio,Jehoshua N Pomeranz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Sense amplifier, semiconductor storage device, information processing apparatus, and reading method

Номер патента: US10902888B2. Автор: Masami Kuroda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20210134333A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

High speed semiconductor memory device having a high gain sense amplifier

Номер патента: USRE34060E. Автор: Sho Yamamoto,Isao Akima,Kazuo Yoshizaki,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-09-08.

Non-volatile memory device with current injection sensing amplifier

Номер патента: EP2831885A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US09576653B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

CMOS Memory sense amplifier

Номер патента: US4247791A. Автор: Alexander Rovell. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1981-01-27.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Reference generation for narrow-range sense amplifiers

Номер патента: WO2022225678A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Current sense amplifier

Номер патента: EP1787301A1. Автор: Hans-Heinrich Viehmann,Dietmar Gogl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-23.

Compact High Speed Sense Amplifier for Non-Volatile Memory with Reduced Layout Area and Power Consumption

Номер патента: US20160035430A1. Автор: Jongmin Park,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220270681A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Current sense amplifier circuit

Номер патента: US20020057597A1. Автор: Tomoo Kimura,Ikuo Fuchigami,Satoshi Kohtaka,Tomonori Kataoka,Youichi Nishida,Jyunji Michiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Reference generation for narrow-range sense amplifiers

Номер патента: US11854590B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier with fast bitline precharge means

Номер патента: US20130064021A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: WO2013154991A2. Автор: THOMAS Andre,Chitra Subramanian,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-10-17.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US9812198B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Multi-state sense amplifier

Номер патента: US20080007992A1. Автор: Min-Chuan Wang,Chih-Sheng Lin,Chia-Pao Chang,Keng-Li Su. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-10.

Offset canceling dual stage sensing circuit

Номер патента: EP3039684A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-07-06.

Offset cancellation

Номер патента: US12027231B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Offset cancellation

Номер патента: EP3867907A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Offset cancellation

Номер патента: US20200118609A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Offset cancellation

Номер патента: WO2020081539A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-23.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Settable digital cmos differential sense amplifier

Номер патента: US20020030514A1. Автор: Daniel Bailey,Mark Matson. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-03-14.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Apparatus and method for controlling a bit line sense amplifier having offset compensation

Номер патента: US5754488A. Автор: Jeung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: EP1516341A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Sense Amplifier Column Redundancy

Номер патента: US20140269104A1. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device with improved sense amplifier driver

Номер патента: US6075736A. Автор: Tae-Hyoung Kim,Jae-Goo Lee,Chang-Man Khang,Ha-Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-13.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: EP2973587A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: WO2014150548A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: WO2004003920A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics, Inc.. Дата публикации: 2004-01-08.

Driving voltage controller of sense amplifiers for memory device

Номер патента: US20040213063A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Sense amplifier for single-ended sensing

Номер патента: US09564184B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Sense amplifier having a timing circuit for a presearch and a main search

Номер патента: US09564183B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Latch type sense amplifier and method for operating thereof

Номер патента: US20010005150A1. Автор: In Eum. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Sense amplifier output control circuit

Номер патента: US20020041521A1. Автор: Kyu-Ha Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Reconfigurable sense amplifier for a memory device

Номер патента: US09761316B2. Автор: Francois Tailliet,Victorien Brecte. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Single-ended sense amplifier circuit

Номер патента: US20100124089A1. Автор: Shahid Ali,Raviprakash Suryanarayana Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US12094543B2. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09595304B1. Автор: Juergen Pille,Ulrich Krauch,Alexander Fritsch,Michael B. Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Sense amplifier for complementary or non-complementary data signals

Номер патента: US6005816A. Автор: Troy A. Manning,Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sense amplifier design

Номер патента: US5737274A. Автор: Satish C. Saripella,Jeffery Scott Hunt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Sense amplifier

Номер патента: US20010038564A1. Автор: Michael Verbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Sense Amplifier Scan Capture Circuit with Reduced Sense Amplifier Offset

Номер патента: US20240321376A1. Автор: Rahul Sahu,Debarghya DUTTA,Ramakoti NIMMAKAYALA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Current mode sense amplifier with load circuit for performance stability

Номер патента: US09484074B2. Автор: Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: EP2308049A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-13.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US20110019456A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Chung Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09484073B1. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Floating Boosted Pre-Charge Scheme for Sense Amplifiers

Номер патента: US20200058360A1. Автор: Antonino Conte,Loredana CHIARAMONTE,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-02-20.

Mismatch-compensated sense amplifier for highly scaled technology

Номер патента: US09466394B1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Sense amplifier circuitry

Номер патента: US5528543A. Автор: Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Sense-amplifier monotizer

Номер патента: US20120154188A1. Автор: Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe,Srikanth Arekapudi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Differential sense amplifier circuit for high speed ROMS, and flash memory devices

Номер патента: US4903237A. Автор: Kameswara K. Rao. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 1990-02-20.

Low-power sense amplifier

Номер патента: US20160049179A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-02-18.

Clocked sense amplifier with positive source feedback

Номер патента: WO1997031375A1. Автор: Albert Mu. Владелец: Hal Computer Systems, Inc.. Дата публикации: 1997-08-28.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: US20080170454A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre,Gabriele Pelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: WO2008089159A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre',Gabriele Pelli. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-30.

Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory

Номер патента: WO2014200776A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Sensing amplifier utilizing bit line clamping devices and sensing method thereof

Номер патента: US09520195B2. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Lower power sense amplifier for reading non-volatile memory cells

Номер патента: US09460761B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier with improved margin

Номер патента: US09419596B2. Автор: Su-Chueh Lo,Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US6813206B2. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Current-Sense Amplifier With Low-Offset Adjustment and Method of Low-Offset Adjustment Thereof

Номер патента: US20120294090A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Current source evaluation sense-amplifier

Номер патента: WO2003096032A9. Автор: Anthony Levi,Panduka Wijetunga. Владелец: Univ Southern California. Дата публикации: 2004-04-29.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US20030107934A1. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09940978B2. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09478308B1. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Temperature compensated sense amplifier

Номер патента: US4727269A. Автор: Thomas M. Luich. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-02-23.

Sense Amplifier having a Timing Circuit for a Presearch and a Main Search

Номер патента: US20160148688A1. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Sense amplifier circuit with temperature compensation

Номер патента: US20230343379A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Chia-Wei Lee,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Sense amplifier circuit with temperature compensation

Номер патента: US11955154B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Chia-Wei Lee,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Sense amplifier with feedback-controlled bitline access

Номер патента: US20040130353A1. Автор: Ashish Kumar,Vivek Nautiyal. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2004-07-08.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Sense amplifier configuration with fused diffusion regions and a distributed driver system

Номер патента: US6240005B1. Автор: Helmut Schneider,Robert Feurle,Athanasia Chrysostomides,Doominique Savignac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-05-29.

Silicon-on-insulator sense amplifier for memory cell

Номер патента: US20060170460A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Sense amplifier and methods thereof for single ended line sensing

Номер патента: US09620179B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier with overvoltage protection

Номер патента: US5559455A. Автор: Richard J. McPartland. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1996-09-24.

BICMOS sense amplifier with reverse bias protection

Номер патента: US5287314A. Автор: Stephen T. Flannagan,Taisheng Feng. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

High-speed current sense amplifier

Номер патента: US5345111A. Автор: Vincent L. Fong. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Sense amplifier powered from bit lines and having regeneratively cross-coupling means

Номер патента: US5384504A. Автор: Mehdi Hatamian,Alexander G. Dickinson,Sailesh K. Rao. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Method and apparatus for determining mismatch of sense amplifier, storage medium, and electronic equipment

Номер патента: US11928355B2. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and apparatus for determining mismatch of sense amplifier, storag medium, and electronic equipment

Номер патента: US20220308786A1. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier with negative threshold sensing for non-volatile memory

Номер патента: US20190164616A1. Автор: Hao Nguyen,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods and apparatus for charging a sense amplifier

Номер патента: US5767737A. Автор: Li-Chun Li,Michael Murray,Lawrence Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Sense amplifier for flash memory

Номер патента: US5999454A. Автор: Malcolm H. Smith. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Sense amplifier for programmable logic device having selectable power modes

Номер патента: US5631583A. Автор: Napoleon W. Lee,Wei-Yi Ku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Low power multiple bit sense amplifier

Номер патента: EP1915759A1. Автор: Giulio Marotta,Girolamo Gallo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

Signal line sense amplifying circuit and integrated circuit capable of calibrating driving strength of mos transistors

Номер патента: US20240014790A1. Автор: Gi Moon HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Sense amplifiers and exemplary applications

Номер патента: US20130010561A1. Автор: Atul Katoch,Mayank TAYAL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Sense amplifier control

Номер патента: US20240249780A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yu-Der Chih,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-speed mos sense amplifier

Номер патента: US3648071A. Автор: Dale A Mrazek. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Sense amplifier with configurable voltage swing control

Номер патента: WO2004034400A2. Автор: Nicola Telecco. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-04-22.

Dynamic dram sense amplifier

Номер патента: US20030043668A1. Автор: Curtis Wickman. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Control clocks generator and method thereof for a high speed sense amplifier

Номер патента: US6839296B2. Автор: Yu-Wei Lee,Hsiao-Yang Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-04.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US20230307064A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Leakage tolerant sense amplifier

Номер патента: US6052307A. Автор: Theodore T. Pekny,Brian W. Huber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Sense amplifier

Номер патента: US4553053A. Автор: Richard H. Ong,Peter C. Economopoulos. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1985-11-12.

Sense amplifier with configurable voltage swing control

Номер патента: CA2499408A1. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Circuit for controlling sense amplifier over-driving voltage

Номер патента: US6043685A. Автор: Jun-Pyo Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Apparatus and method for a direct-sense sense-amplifier with decoded read and write Y-select

Номер патента: US5831919A. Автор: Brent S. Haukness,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

CMOS eprom sense amplifier

Номер патента: US4725984A. Автор: Gust Perlegos,William W. Ip. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-02-16.

Dual port memory sense amplifier isolation

Номер патента: US4586168A. Автор: James Ward,Richard H. Adlhoch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: WO2010013192A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-02-04.

Integrated circuit memory devices having sense amplifier driver circuits therein that improve writing efficiency

Номер патента: US6154404A. Автор: Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-28.

Sense amplifier with offset current injection

Номер патента: US20130148432A1. Автор: Erwin Castillon,Uday Mudumba. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Data memory with sense amplifier and method of operation

Номер патента: US5602787A. Автор: Harry E. Oldham. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1997-02-11.

Latch-type sense amplifier for a non-volatile memory with reduced margin between supply voltage and bitline-selection voltage

Номер патента: US20210020237A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-21.

Current-Mode Sense Amplifying Method

Номер патента: US20100202213A1. Автор: Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US20120224443A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Trimmable reference generator for sense amplifier

Номер патента: EP2831887A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guangming Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Sense amplifier

Номер патента: US20060192595A1. Автор: Michael Sommer,Rainer Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-31.

Lower power consuming sense amplifier

Номер патента: US20040013004A1. Автор: Kwok Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20100149896A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Davide Manfre,Alex Pojer. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US12080375B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Trimmable reference generator for sense amplifier

Номер патента: US09564235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guangming Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: US09431072B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

High speed differential sense amplifier for use with single transistor memory cells

Номер патента: CA1325474C. Автор: Bernard Emoto,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Current sense amplifier

Номер патента: US7262638B2. Автор: Jae-Yoon Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor memory device having a develop reference voltage generator for sense amplifiers

Номер патента: US20070047331A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Sense amplifier with bit-line derived clocking

Номер патента: US4810910A. Автор: Jean-Pierre Schoellikopf,Yann Boyer-Chammard. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1989-03-07.

Sense amplifier power-gating technique for integrated circuit memory devices and those devices incorporating embedded dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US7248522B2. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Self adjusting sense amplifier clock delay circuit

Номер патента: US5682353A. Автор: Boaz Eitan,Larry Willis Petersen,Yaron Slezak. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Memory device comprising double cascode sense amplifiers

Номер патента: US9564181B2. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US11810635B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Bipolar primary sense amplifier

Номер патента: US20130235686A1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20230179186A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20230057357A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20240038281A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Sense amplifier circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US4658159A. Автор: Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: US4758748A. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

Sense amplifier circuit for large-capacity semiconductor memory

Номер патента: US5051957A. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Sense amplifier control

Номер патента: US11978518B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yu-Der Chih,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

High-speed cross-coupled sense amplifier

Номер патента: US20040155682A1. Автор: Yukio Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Highly sensitive high performance sense amplifiers

Номер патента: CA1226908A. Автор: Wilbur D. Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Sensing Amplifiers in Semiconductor Devices

Номер патента: KR960025743A. Автор: 나병철,송호준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-20.

Self referenced sense amplifier

Номер патента: US4584493A. Автор: Donald T. Y. Lee. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1986-04-22.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: EP2831877A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US9093130B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US11783873B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: US10546646B2. Автор: Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Xiaozhou Qiang,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Current mirror sense amplifier

Номер патента: US6483352B1. Автор: Sheng-Chang Kuo,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-19.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20210142832A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20230386528A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20220262409A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3807881A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: WO2019240892A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20190385685A1. Автор: Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Xiaozhou Qiang,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for controlling sensing amplifier driver

Номер патента: US6128235A. Автор: Woong Sik Jung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Offset cancellation voltage latch sense amplifier for non-volatile memory

Номер патента: US11295788B2. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Latch offset cancellation sensing amplifier

Номер патента: CN107077880A. Автор: B·宋,J·P·金,S·H·康,S-O·郑,T·那. Владелец: Ind Academic Coop. Дата публикации: 2017-08-18.

Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation

Номер патента: US09704572B2. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Sense amplifier with efficient use of data latches

Номер патента: US09552882B2. Автор: Kwang Ho Kim,Tai-Yuan Tseng,Cynthia Hsu,YenLung Li,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

SENSE AMPLIFIER HAVING OFFSET CANCELLATION

Номер патента: US20180182449A1. Автор: KIM Young-Wook,WON Bok-Yeon,KWON Hyuk-Joon,HAN SANG-KEUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Dc sense amplifier

Номер патента: US3573496A. Автор: Hannon S Yourke,Joseph A Lake Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-06.

PMOS THRESHOLD COMPENSATION SENSE AMPLIFIER FOR FeRAM DEVICES

Номер патента: US20230386545A1. Автор: Tong Liu,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: EP2973570A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kaiman YUE. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Ferroelectric FET nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US12087344B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: US09620235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kai Man Yue. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Ferroelectric fet nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US20220383926A1. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-01.

2-step sensing sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20240257862A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Yanggyoon Loh,Junmyung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device having offset cells and method to form same

Номер патента: US09496486B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus for time domain offset cancellation to improve sensing margin of resistive memories

Номер патента: US20150155036A1. Автор: Liqiong Wei,Nathaniel J. August. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Sense amplifier for semiconductor memory cells having a device to compensate for threshold voltage differences in the sense amplifier transistors

Номер патента: TW373176B. Автор: Werner Weber,Roland Thewes,Thomas Kopley. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-01.

Sense amplifier and data sensing method thereof

Номер патента: US20090273999A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Yi-Te Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Sense amplifier with offset compensation

Номер патента: US20170236563A1. Автор: Saim Ahmad Qidwai,Stephen Keith Heinrich-Barna,Robert Antonio GLAZEWSKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

OFFSET CANCELLATION VOLTAGE LATCH SENSE AMPLIFIER FOR NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20210050039A1. Автор: Ku Wei-Ming. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

System, apparatus, and method for sense amplifiers

Номер патента: EP3281201A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2018-02-14.

Automatic Bias Circuit for Sense Amplifier

Номер патента: US20090002058A1. Автор: Shine Chung,Fu-Lung Hsueh,Po Yao Ker. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US6667898B2. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US20030161176A1. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Sense amplifier design for ramp sensing

Номер патента: US09543030B1. Автор: Anirudh Amarnath,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Sense amplifier soft-fail detection circuit

Номер патента: US20140126312A1. Автор: Greg M. Hess,II James E. Burnette. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: WO2018071107A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09837152B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09564215B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier

Номер патента: US20180012639A1. Автор: George McNeil Lattimore,Robert Campbell Aitken,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: US09881676B1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen,Yen-Lung Jason Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Sense amplifier layout for FinFET technology

Номер патента: US09466493B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Current sense amplifier

Номер патента: US12081182B2. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: US09602317B1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Current sensing type sense amplifier and method thereof

Номер патента: US20130155777A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Sense amplifier offset voltage reduction using test code stored in latches

Номер патента: EP3025350A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Daeik D. KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Sense amplifier offset voltage reduction

Номер патента: WO2015013023A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Daeik D. KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Latch type sense amplifier for testing

Номер патента: US20240242772A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Low power sense amplifier for programmable logic device

Номер патента: US4851720A. Автор: Hal Kurkowski,Jagdish Pathak,Stephen M. Douglas,Dov-Ami Vider. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices

Номер патента: US5243573A. Автор: Hiroyasu Makihara,Kenji Kohda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20130336066A1. Автор: André Luis VILAS BOAS,Walter Luis Tercariol,Fernando Zampronho NETO. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-19.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20170110189A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-20.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20160232969A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-08-11.

Sense amplifier layout for finfet technology

Номер патента: US20200227095A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi Linus TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory device with first and second sense amplifiers

Номер патента: US20230410916A1. Автор: Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Temperature compensated sense amplifier for PROMs and the like

Номер патента: US4215282A. Автор: George W. Brown,Thomas L. Reynolds. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Sense amplifier layout for finfet technology

Номер патента: US20170032827A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi Linus TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US7292479B2. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Current sense amplifier

Номер патента: US20240146266A1. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Time controllable sensing scheme for sense amplifier in memory IC test

Номер патента: US20070011508A1. Автор: Shi-Huei Liu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: WO2018048682A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-03-15.

Managing sense amplifier latch and data latch voltage to reduce standby current

Номер патента: US20240170075A1. Автор: Kwang Ho Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: EP3485494A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Systems and methods for a current sense amplifier comprising a sample and hold circuit

Номер патента: US20190312549A1. Автор: Daniel J. Black,Brian A. Miller,Antoine D. Fifield. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US20050286316A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-29.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: EP3363118A1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-22.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: WO2017065909A1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-20.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20180061460A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20190287579A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20180294015A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Sense amplifier with leakage compensation for electrical fuses

Номер патента: US20070139843A1. Автор: Hung-jen Liao,Fu-Lung Hsueh,Sung-Chieh Lin,Jiann-Tseng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Sense amplifier and method for bit line voltage compensation thereof

Номер патента: US09881677B1. Автор: Ji-Yu Hung,Kai-Hsiang Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Offset compensation for sense amplifiers

Номер патента: US09509255B2. Автор: Bharath Upputuri,Shreekanth Sampigethaya. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: US10957681B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Selecting programming voltages in response to at least a data latch in communication with a sense amplifier

Номер патента: US20120113722A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Sense Amplifier Circuit in Flash Memory Device

Номер патента: KR19990076160A. Автор: 차병권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Sensing amplifier for floating gate memory devices

Номер патента: US4223394A. Автор: Saroj Pathak,George Perlegos. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1980-09-16.

Dynamic sense amplifier supply voltage for power and die size reduction

Номер патента: US11978516B2. Автор: Yonggang Wu,Tai-Yuan Tseng,Yanjie Wang,Guirong Liang,Ohwon KWON,Yasue Yamamoto,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Encoder, data detecting semiconductor integrated circuit applicable to the same and dynamic sense amplifier

Номер патента: CA2086996C. Автор: Hiroshi Sasama,Masato Yoneda,Naoki Kanazawa. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Dynamic sense amplifier supply voltage for power and die size reduction

Номер патента: US20230326531A1. Автор: Yonggang Wu,Tai-Yuan Tseng,Yanjie Wang,Guirong Liang,Ohwon KWON,Yasue Yamamoto,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Ultraviolet erasable nonvolatile memory with current mirror circuit type sense amplifier

Номер патента: US5198997A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Phase tolerant magnetic bubble memory sense amplifier

Номер патента: US4318187A. Автор: Stephen R. Schenck,Jerold A. Seitchik,Thomas A. Closson,David B. Oxford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-03-02.

Sense amplifier constructions

Номер патента: US10580464B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-03.

Sense amplifier constructions

Номер патента: EP3507802A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Sense amplifier

Номер патента: US09767877B2. Автор: Jon S. Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Sense amplifier

Номер патента: US09659622B1. Автор: Jon S. Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Mos transistor offset-cancelling differential current-latched sense amplifier

Номер патента: EP3516654B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-10-21.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: EP3284089A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-21.

Low power and high speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: WO2016167862A1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-10-20.

3d memory device with page register not like sense amplifier circuits and sense amplifier interface underneath memory array

Номер патента: EP2513903B1. Автор: Tz-yi Liu,Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-04.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US20150170726A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Sense amplifier with offset cancellation and charge-share limited swing drivers

Номер патента: US20050018510A1. Автор: Esin Terzioglu,Morteza Afghahi. Владелец: Esin Terzioglu. Дата публикации: 2005-01-27.

Disk drive read circuit comprising an ac coupled sense amplifier for amplifying a read signal

Номер патента: US20140334038A1. Автор: Michael L. Mallary,Yiao-Tee Hsia,William D. Huber. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Disk drive slider with sense amplifier for coupling to a preamp through a supply/bias line and a read signal line

Номер патента: US9047917B1. Автор: Dennis W. Hogg. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Focus servomechanism control system of optical disc system having offset setting means

Номер патента: CA1261467A. Автор: Akira Minami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-09-26.

Quasi-statically tilted head having offset reader/writer transducer pairs

Номер патента: US20160055871A1. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Glass laser amplifier having a number of trigger members

Номер патента: US4417341A. Автор: Kunio Yoshida,Eiji Yoshida,Yoshiaki Kato,Chiyoe Yamanaka. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 1983-11-22.

LATCH OFFSET CANCELATION SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20160093350A1. Автор: Jung Seong-Ook,Kim Jung Pill,Kang Seung Hyuk,Na Taehui,SONG Byungkyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

NMOS-OFFSET CANCELING CURRENT-LATCHED SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20150228322A1. Автор: Jung Seong-Ook,Kim Jung Pill,Kang Seung Hyuk,Na Taehui,KIM Ji-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Offset-Cancelling Self-Reference STT-MRAM Sense Amplifier

Номер патента: US20150294706A1. Автор: DeBrosse John K.,MAFFITT Thomas M.,Bonaccio Anthony R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

High speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range

Номер патента: US09443567B1. Автор: Tat Hin Tan,Lip Khoon Teh,Chenchu Punnarao Bandi,Pankaj Vinayak Dudulwar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Flash memory with sensing amplifier using load transistors driven by coupled gate voltages

Номер патента: US20040017695A1. Автор: Hong-Ping Tsai,Yu-Ming Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: WO2024006848A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: US20230417806A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High Precision Current Sensing using Sense Amplifier with Digital AZ Offset Compensation

Номер патента: US20190128932A1. Автор: Philippe Deval,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Aging compensation for poly-resistor based current sense amplifier

Номер патента: US20230417854A1. Автор: Ryan Desrosiers. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Current sense amplifier and method

Номер патента: US20020180418A1. Автор: David Jones,Heinz-Juergen Metzger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Sense amplifier decoding in a memory device to reduce power consumption

Номер патента: US5848428A. Автор: Michael J. Collins. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Current sense amplifier circuit and trimming method of offset referred to input voltage

Номер патента: US20240063767A1. Автор: Hao-Yu Li,Chia-Tseng Chiang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-02-22.

Dc restore scheme for capacitive sensing amplifiers with optimal noise filtering

Номер патента: US20240186971A1. Автор: Federico Mazzarella,Luca Collamati. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Supply voltage sense amplifier

Номер патента: CA1182167A. Автор: James R. Kuo. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Transistor arrangement, sense-amplifier arrangement and methods of manufacturing the same via a phase shift mask

Номер патента: US20080042171A1. Автор: Mario Hennig,Rainer Pforr,Karsten Zeiler,Jörg Thiele,Sebastian Mosler,Thi Phuong Hoa Nguyen. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Frequency independent offset cancellation scheme in touch receiver channel

Номер патента: US9430105B2. Автор: Ahmad Al-Dahle,Yingxuan Li,Weijun Yao,Taif A. Syed. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Output buffer with offset cancellation structure and offset cancellation method using the same

Номер патента: US09602104B2. Автор: Chern-Lin Chen,Ming-Wei Hsu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-21.

Offset cancellation device for micro-electromechanical system

Номер патента: US20180188285A1. Автор: Fabio Romano. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-07-05.

Offset cancellation device for micro-electromechanical system

Номер патента: US20200033379A1. Автор: Fabio Romano. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-01-30.

Offset cancellation device for micro-electromechanical system

Номер патента: US09921239B2. Автор: Fabio Romano. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for offset cancellation for driving a display panel

Номер патента: US09762191B1. Автор: Jun Chen,Cheung Fai Lee,Yiu Sang Lei,Wei Jun Koh. Владелец: Solomon Systech Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Picture image display device with improved switch feed through offset cancel circuit and method of driving the same

Номер патента: US6784865B2. Автор: Hajime Akimoto,Hideo Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-08-31.

Output Buffer with Offset Cancellation Structure and Offset Cancellation Method Using the Same

Номер патента: US20160269027A1. Автор: Chern-Lin Chen,Ming-Wei Hsu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-15.

Switched capacitor integrator circuit with reference, offset cancellation and differential to single-ended conversion

Номер патента: US20240094310A1. Автор: Tony Ray Larson,Dimitar Trifonov Trifonov,Partha Sarathi BASU,Chao-Hsiuan TSAY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Offset cancel circuit of voltage follower equipped with operational amplifier

Номер патента: US7358946B2. Автор: Chikara Tsuchiya,Shinya Udo,Masatoshi Kokubun. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-15.

Switched capacitor integrator circuit with reference, offset cancellation and differential to single-ended conversion

Номер патента: US11867773B2. Автор: Tony Ray Larson,Dimitar Trifonov Trifonov,Partha Sarathi BASU,Chao-Hsiuan TSAY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Switched capacitor integrator circuit with reference, offset cancellation and differential to single-ended conversion

Номер патента: WO2020257392A1. Автор: Tony Ray Larson,Dimitar Trifonov Trifonov,Partha Sarathi BASU,Chao-Hsiuan TSAY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

Two-bit offset cancelling a/d converter with improved common mode rejection and threshold sensitivity

Номер патента: WO2006053204B1. Автор: Rabih Makarem,Kwai-Kwong K Lam. Владелец: Kwai-Kwong K Lam. Дата публикации: 2006-07-13.

Differential lateral magnetic field sensor system with offset cancelling and implemented using silicon-on-insulator technology

Номер патента: US09696390B2. Автор: Victor Zieren,Olaf Wunnicke,Klaus Reimann. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-04.

A method for improving threshold accuracy in an rfid-device through offset cancellation

Номер патента: EP3633854A1. Автор: Robert R. Rotzoll,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2020-04-08.

Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) Amplified Having de-Q'ing Section With Resistive Via

Номер патента: US20170271281A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-21.

Optically pumpable waveguide amplifier with amplifier having tapered input and output

Номер патента: US20170187166A1. Автор: Ibrahim Murat Soganci,Gabriele Raino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Optically pumpable waveguide amplifier with amplifier having tapered input and output

Номер патента: US20160156147A1. Автор: Ibrahim Murat Soganci,Gabriele Raino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Optically pumpable waveguide amplifier with amplifier having tapered input and output

Номер патента: US09929534B2. Автор: Ibrahim Murat Soganci,Gabriele Raino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Superconducting output amplifier having return to zero to non-return to zero converters

Номер патента: EP4320727A1. Автор: Randall M. Burnett,Derek Leslie Knee. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-02-14.

Sense amplifier latch with offset correction

Номер патента: US09973179B2. Автор: KANNAN Krishna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Operational amplifier having offset cancel function

Номер патента: US20030034833A1. Автор: Shinya Udo,Masatoshi Kokubun. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Bidirectional current sense amplifier

Номер патента: US20190068144A1. Автор: Razvan PUSCASU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Phase locked loop with sense amplifier circuitry

Номер патента: US09871527B2. Автор: James D. Strom,Michael A. Sperling,Grant P. Kesselring,David M. Friend. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Operational transconductance amplifier, reconfigurable fully differential voltage sensing amplifier and reconfigurable fully differential capacitive sensing amplifier

Номер патента: US9337779B2. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Min-Rui Lai. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2016-05-10.

Clocked half-rail differential logic with single-rail logic and sense amplifier

Номер патента: US20040041589A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Clocked half-rail differential logic with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040036503A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Current feedback amplifier having trimcircuitry and method for controlling and equalizing stator winding current

Номер патента: US5959417A. Автор: Rolf Lagerquist,Kenneth J. Maggio. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Cardiac sense amplifier for capture verification

Номер патента: WO2000067842A1. Автор: Paul Haefner,Qingsheng Zhu,Scot C. Boon,Michael Lyden,Mark Gryzwa. Владелец: Cardiac Pacemakers, Inc.. Дата публикации: 2000-11-16.

Sense-amplifier control circuit and controlling method of sense amplifier

Номер патента: US8067963B2. Автор: Tsuneaki Fuse,Seiro Imai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-29.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US09621176B2. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US09485119B1. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Sense amplifier

Номер патента: US5276407A. Автор: Federico Faggin,Carver A. Mead. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Reduction of Charge Injection Noise in Sense Amplifiers of High-Speed Data Interfaces

Номер патента: US20240313708A1. Автор: Chieh-Yuan Chao,Jenghung Tsai. Владелец: Parade Technologies Ltd USA. Дата публикации: 2024-09-19.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US20170019119A1. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Driver circuit for use with a sensing amplifier in a memory

Номер патента: US5844428A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Cascode array cell partitioning for a sense amplifier of a programmable logic device

Номер патента: US5491433A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-13.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: CA1044334A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Low-Offset Current-Sense Amplifier and Operating Method Thereof

Номер патента: US20120293260A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: US3980898A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1976-09-14.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US11671062B2. Автор: Marco Berkhout,Quino Sandifort,Gayatri Agarwal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for clock control of clocked full-rail differential logic circuits with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040066214A1. Автор: Edgardo Klass,Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20220069782A1. Автор: Marco Berkhout,Quino Sandifort,Gayatri Agarwal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-03-03.

Offset nulling for high-speed sense amplifier

Номер патента: US20190173440A1. Автор: Todd Morgan Rasmus,Minhan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Gain stage with offset cancellation circuit for a fixed high-pass pole

Номер патента: EP3734837A1. Автор: Siamak Delshadpour. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-04.

Self-biasing sense amplifier

Номер патента: US6169424B1. Автор: Nasser A. Kurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Bonded assembly with vertical power and control signal connection adjacent to sense amplifier regions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021154325A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Variable Gain Amplifier Having Variable Gain DC Offset Loop

Номер патента: US20090072903A1. Автор: Hyeon Min Bae,Naresh Ramnath Shanbhag,Jonathan B. ASHBROOK. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Compensation of common mode voltage drop of sensing amplifier output due to decision feedback equalizer (dfe) taps

Номер патента: WO2022055697A3. Автор: Jing Wu,Ying DUAN,Zhi Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-14.

Compensation of common mode voltage drop of sensing amplifier output due to decision feedback equalizer (dfe) taps

Номер патента: US20220077830A1. Автор: Jing Wu,Ying DUAN,Zhi Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Differential amplifier stage with integrated offset cancellation circuit

Номер патента: US20130271217A1. Автор: Fuad E. Doany,Alexander V. Rylyakov,Clint L. Schow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Differential amplifier stage with integrated offset cancellation circuit

Номер патента: US20120001697A1. Автор: Fuad E. Doany,Alexander V. Rylyakov,Clint L. Schow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Differential amplifier stage with integrated offset cancellation circuit

Номер патента: US20120313704A1. Автор: Fuad E. Doany,Alexander V. Rylyakov,Clint L. Schow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

High sensitivity sense amplifier using different threshold valued MOS devices

Номер патента: US4494020A. Автор: Satoshi Konishi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-15.

Current-mirror type sense amplifier

Номер патента: US4697112A. Автор: Mitsuo Isobe,Akira Aono,Nobuaki Urakawa,Takayuki Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-09-29.

High-speed soft-edge sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US10038429B1. Автор: Manish Srivastava,Venkat Narayanan,Venugopal Boynapalli,Qi Ye. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

High-speed serial link receiver with centrally controlled offset cancellation and method

Номер патента: US8059756B2. Автор: Fangxing Wei,Arif Mahmud. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Devices and methods for offset cancellation

Номер патента: EP3890188A1. Автор: Riju Biswas. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-10-06.

Devices and methods for offset cancellation

Номер патента: US20210313933A1. Автор: Riju Biswas. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-10-07.

DC offset cancellation circuit, differential amplification circuit with DC offset cancellation circuit, photo-electric pulse conversion circuit, pulse shaping circuit, and pulse generation circuit

Номер патента: US20020109075A1. Автор: Akihiko Ono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Dc offset cancellation circuit and programmable gain amplifier using the same

Номер патента: US20070216476A1. Автор: Sang Gyu Park,Chang Soo Yang,Kwang Du Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

DC offset cancellation circuit and programmable gain amplifier using the same

Номер патента: US7557649B2. Автор: Sang Gyu Park,Chang Soo Yang,Kwang Du Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-07.

Analog offset cancellation circuit and operating method

Номер патента: US20240186968A1. Автор: Donghyuk LIM,Taiji An,Kyeong-Joon Ko,Hyogyuem Rhew,Byoung Joo Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

High-speed serial link receiver with centrally controlled offset cancellation

Номер патента: WO2004107692A1. Автор: Fangxing Wei,Arif Mahmud. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2004-12-09.

Method and apparatus for correlation canceller for interference mitigation with adaptive dc offset cancellation

Номер патента: US20160134444A1. Автор: Mark Rozental,Kevin G. Doberstein,Baruh Hason,Nir Corse,Josh E. Dorevitch,Claudine Tordjman. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Frequency Synthesizer with Built-in Carrier and Crystal Oscillation Frequency Offset Cancellation

Номер патента: US20120176202A1. Автор: Yun-Hsueh Chuang,Yi-Chun Lu,Chun-Chin Chen. Владелец: Uniband Electronic Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

DC offset cancel circuit, semiconductor device, and receiving device

Номер патента: US20110080204A1. Автор: Shigeya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

DC offset cancel circuit, semiconductor device, and receiving device

Номер патента: US8400204B2. Автор: Shigeya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

DC offset cancellation in direct conversion receivers

Номер патента: US8638883B2. Автор: Alexander Zaslavsky,Rony Ashkenazi,Gregory Uehara,Brian Brunn. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Comparator circuit with offset cancellation

Номер патента: US20060226878A1. Автор: Dacheng Zhou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-10-12.

Temperature compensated offset cancellation for high-speed amplifiers

Номер патента: US09780736B1. Автор: Yonggang Chen,Kevin FRONCZAK,Murat Ozbas. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

DC offset cancellation for a trans-impedance amplifier

Номер патента: EP1881600A3. Автор: Brad Anthony Natzke. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2008-04-23.

Devices and methods for offset cancellation

Номер патента: US20220407481A1. Автор: Riju Biswas. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-12-22.

Offset cancellation and slice adjust amplifier circuit

Номер патента: US20050134371A1. Автор: Kevin Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Offset cancelling amplifier circuit having Miller integrator as offset detector

Номер патента: US5798664A. Автор: Soichiro Araki,Kazunori Miyoshi,Takeshi Nagahori,Ichiro Hatakeyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Integrated dsp for a dc offset cancellation loop

Номер патента: WO2007089276A1. Автор: Swee-Ann Teo,Shunfang Wu. Владелец: Shunfang Wu. Дата публикации: 2007-08-09.

Communication apparatus and offset canceling method

Номер патента: US8320482B2. Автор: Osamu Inagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Communication apparatus and offset canceling method

Номер патента: US20100118999A1. Автор: Osamu Inagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Sampler with built-in DFE and offset cancellation

Номер патента: US11677593B1. Автор: VINOD KUMAR,Thomas Evan Wilson. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Dc offset cancellation circuit

Номер патента: US20110121880A1. Автор: Young Jae Lee,Sang Sung Lee,Snag-Gun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-05-26.

System and method of background offset cancellation for flash adcs

Номер патента: US20030016149A1. Автор: Ojas Choksi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Improved relaxation oscillator with low drift and native offset cancellation

Номер патента: EP3100129A1. Автор: Jiyuan Luan,Michael J. DIVITA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

High speed comparator with offset cancellation

Номер патента: WO1991007012A1. Автор: Edward Wai Yeung Liu. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1991-05-16.

Mailer set having offset thumb notches

Номер патента: CA1172210A. Автор: James M. Turner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Offset Cancellation Scheme

Номер патента: US20190097593A1. Автор: Gerd Schuppener,Yanli Fan,Jikai CHEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Direct current offset canceling circuit of trans-impedance amplifier and automatic gain control trans-impedance amplifier thereof

Номер патента: US20060290432A1. Автор: Li-Ren Huang,Chien-Fu Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

DC offset cancellation in a differential amplifier

Номер патента: GB2320987A. Автор: Hiroshi Kudou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-08.

Differential converter with offset cancelation

Номер патента: US11611351B2. Автор: Maher Mahmoud Sarraj. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

Offset cancellation

Номер патента: US20200280291A1. Автор: Mohsen Naghed. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Offset cancellation scheme

Номер патента: US10644664B2. Автор: Gerd Schuppener,Yanli Fan,Jikai CHEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Calibration and synchronization of ground current sensing amplifier with wireless power transmitter controller

Номер патента: US20230291365A1. Автор: Gustavo James Mehas,Giovanni FIGLIOZZI,Marcin Kamil Augustyniak. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Power amplifier having biasing with selectable bandwidth

Номер патента: US09774307B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Amplifier having orthogonal tuning elements

Номер патента: US09548705B2. Автор: Abhijit Chatterjee,Shreyas Sen. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Current sensing circuit with integrated resistor and dual sense amplifiers

Номер патента: US20240003941A1. Автор: Mark Rutherford,Ryan Desrosiers,Jay Ackerman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Trimming method for current sense amplifiers

Номер патента: US09503039B2. Автор: Cornel D. Stanescu,Razvan PUSCASU,Laurentiu O. CREOSTEANU,Pavel BRINZOI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Power amplifier having improved gate oxide integrity

Номер патента: US20230163726A1. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method And Apparatus For Reducing Power Consumption In A Memory Bus Interface By Selectively Disabling And Enabling Sense Amplifiers

Номер патента: US20130103867A1. Автор: Jeffrey R. Wilcox,Noam Yosef. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Traveling-wave amplifier having a II -type output transmission line structure

Номер патента: US20020047754A1. Автор: Jung Lee,Jong Song. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2002-04-25.

Amplifier having bias circuit self-compensating for vgs process variation and ids aging

Номер патента: EP1205025A1. Автор: Steven J. Laureanti. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2002-05-15.

Amplifier having distributed differential positive feedback

Номер патента: US12052000B2. Автор: Xu Zhang,Dan Liu,Mingming Zhang,Xuan Li,Hanqing ZHAO,Lukun Zhai. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Switched-capacitor variable gain amplifier having high voltage gain linearity

Номер патента: US20090091387A1. Автор: Jong Dae Kim,Young Kyun Cho,Jong Kee Kwon,Young Deuk Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-04-09.

Erbium doped fibre amplifier having a tuneable pump laser

Номер патента: WO2002075976A1. Автор: Stephen John Taylor,Lloyd Langley. Владелец: Bookham Technology. Дата публикации: 2002-09-26.

Amplifier having bias circuit self-compensating for vgs process variation and ids aging

Номер патента: WO2001008298A1. Автор: Steven J. Laureanti. Владелец: Nokia Inc.. Дата публикации: 2001-02-01.

Gain amplifier having switched-capacitor structure for minimizing settling time

Номер патента: US20090091383A1. Автор: Jong Dae Kim,Kwi Dong Kim,Young Kyun Cho,Jong Kee Kwon,Young Deuk Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-04-09.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US12063014B2. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Doherty power amplifier having reduced size

Номер патента: US09923523B2. Автор: Philip John Lehtola. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Power amplifier having staggered cascode layout for enhanced thermal ruggedness

Номер патента: US09787260B2. Автор: Philip John Lehtola. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Regulated cascode (RGC)-type burst mode optic pre-amplifier having extended linear input range

Номер патента: US09762186B2. Автор: Young Ho Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-09-12.

Low-noise amplifier having high linearity for multi-band

Номер патента: US09692369B2. Автор: Dong Hyun Ko,Myung Woon HWANG. Владелец: FCI Inc Korea. Дата публикации: 2017-06-27.

Power amplifier having stack structure

Номер патента: US09680427B2. Автор: Chang Kun Park,Ho Yong Hwang. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-06-13.

Power amplifier having stack structure

Номер патента: US09503036B2. Автор: Chang Kun Park,Ho Yong Hwang. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-11-22.

Transconductance amplifier having a digitally variable transconductance as well as a variable gain stage and an automatic gain control circuit comprising such a variable gain stage

Номер патента: WO1996007927A2. Автор: Arnoldus Gerardus Wilhelmus Venes. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-03-14.

Power amplifier having analog pre-distortion by adaptive degenerative feedback

Номер патента: US20220231640A1. Автор: Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Digital audio amplifier having a high power output level and low distortion

Номер патента: USRE33333E. Автор: Larry E. Hand,Wilson E. Taylor, Jr.. Владелец: Peavey Electronics Corp. Дата публикации: 1990-09-11.

Low noise microwave amplifier having optimal stability, gain, and noise control

Номер патента: CA1284360C. Автор: Joseph S. Wong. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-05-21.

Amplifier having distortion compensation and base station for radio communication using the same

Номер патента: US5870668A. Автор: Yasuyuki Oishi,Eisuke Fukuda,Hideto Furukawa,Takeshi Takano,Kazuo Nagatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Confined jet amplifier having a receiver characterized by having a plurality of flow openings

Номер патента: US3628551A. Автор: Endre A Mayer,Donald E Frericks. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1971-12-21.

Gain-clamped semiconductor optical amplifier having horizontal lasing structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7081643B2. Автор: Jeong-seok Lee,Seong-taek Hwang,Jung-Koo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-25.

Power amplifier having improved gate oxide integrity

Номер патента: WO2023092101A4. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-07-13.

Power amplifier having improved gate oxide integrity

Номер патента: WO2023092101A1. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Power amplifier having improved gate oxide integrity

Номер патента: WO2023092101A9. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-10-19.

Push-pull pulse amplifier having improved turn-on and turn-off times

Номер патента: CA1089543A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-11-11.

Sample amplifiers having automatic regulation of the amplification factor by discrete values

Номер патента: US3742489A. Автор: G Lefevre,P Angelle. Владелец: RECH CONST ELECTRONIQUES SOC E. Дата публикации: 1973-06-26.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Power amplifier having negative feedback circuit for transmitter

Номер патента: US6693956B1. Автор: Hiroyuki Yamamoto. Владелец: Hitachi Denshi KK. Дата публикации: 2004-02-17.

Differential amplifier having balanced output

Номер патента: CA1199984A. Автор: Thomas C. Hana,Kenneth J. Henrich. Владелец: Hazeltine Corp. Дата публикации: 1986-01-28.

Compensated amplifier having pole zero tracking

Номер патента: US4458212A. Автор: John A. Fisher,Kevin E. Brehmer. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Amplifier having digital micro processor control apparatus

Номер патента: US20020109550A1. Автор: Peter King,Graham Dolman,Andrew John Booth. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US20220140792A1. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Power amplifier having stack structure

Номер патента: US20170040957A1. Автор: Chang Kun Park,Ho Yong Hwang. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-02-09.

Transimpedance amplifier having t-network feedback architecture and method thereof

Номер патента: WO2023167885A1. Автор: James M. Bock,Gregory S. Notaro. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Low-noise amplifier having programmable-phase gain stage

Номер патента: GB2576805A. Автор: Lee Junhyung,Jacobus Emile Maria Hageraats Johannes,Haeseok Cho Joshua. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Amplifier having input power protection

Номер патента: US11888452B2. Автор: Paul Raymond Andrys. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Transimpedance amplifier having t-network feedback architecture and method thereof

Номер патента: US20230283244A1. Автор: James M. Bock,Gregory S. Notaro. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Mmic driver amplifier having zig-zag rf signal flow

Номер патента: EP1396080A1. Автор: Kenneth V. Buer,Deborah S. Dendy. Владелец: US Monolithics LLC. Дата публикации: 2004-03-10.

Broadband amplifier having individual input circuits with pluralities of capacitors and resistors

Номер патента: US5367267A. Автор: Hans-Peter Fuchs. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 1994-11-22.

MMIC driver amplifier having zig-zag RF signal flow

Номер патента: US20020180530A1. Автор: Kenneth Buer,Deborah Dendy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Mmic driver amplifier having zig-zag rf signal flow

Номер патента: EP1396080B1. Автор: Kenneth V. Buer,Deborah S. Dendy. Владелец: US Monolithics LLC. Дата публикации: 2005-11-09.

Mmic driver amplifier having zig-zag rf signal flow

Номер патента: WO2002099965A1. Автор: Kenneth V. Buer,Deborah S. Dendy. Владелец: U.S. Monolithics, L.L.C.. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and system for testing data signal amplifier having output signal power dependent upon multiple power control parameters

Номер патента: WO2010120478A3. Автор: Carsten Andersen,Christian Volf Olgaard,Wassim El-Hassan. Владелец: LITEPOINT CORPORATION. Дата публикации: 2011-03-31.

Signal receiving apparatus and programmable gain amplifier having mode-switching mechanism

Номер патента: US20230179156A1. Автор: Yun-Tse Chen,Kai-Yin Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Operational amplifier having low power consumption

Номер патента: US20130127533A1. Автор: Ping-Lin Liu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-05-23.

Implantable medical device (imd) including sensing amplifier circuitry

Номер патента: WO2024086315A1. Автор: Michael Fortner. Владелец: ADVANCED NEUROMODULATION SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Implantable medical device (imd) including sensing amplifier circuitry

Номер патента: US20240181260A1. Автор: Michael Fortner. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

DIFFERENTIAL AMPLIFIER STAGE WITH INTEGRATED OFFSET CANCELLATION CIRCUIT

Номер патента: US20120001697A1. Автор: RYLYAKOV ALEXANDER V.,Schow Clint L.,Doany Fuad E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Operational amplifier having gain adjustment circuit

Номер патента: RU2459348C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-08-20.

Transistorized single ended push-pull amplifier having no cross-over distortion

Номер патента: CA1148222A. Автор: Hiroshi Horinaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-06-14.

SENSE AMPLIFIER HAVING AN ISOLATED PRE-CHARGE ARCHITECTURE, A MEMORY CIRCUIT INCORPORATING SUCH A SENSE AMPLIFIER AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20130114361A1. Автор: JR. John E.,Barth,Plass Donald W.,Vehabovic Adis. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.