Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED THEREBY

METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20180261622A1
Опубликовано: 13-09-2018
Автор(ы): Chiou Jia-Rong, HUNG Min-Feng, Jiang Yu-Wei
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bonding structure for forming a package on package (PoP) structure and method for forming the same

Номер патента: US09691745B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,James Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods for forming transistor devices with different source/drain contact liners and the resulting devices

Номер патента: US09502308B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: US09543424B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US11887859B2. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US20210343537A1. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for the production of a polymer coated graphene layer structure and graphene layer structure

Номер патента: US20220290296A1. Автор: SIMON Thomas,Martin Tyler,Hugh Glass,Robert Wallis,Ivor GUINEY. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09911676B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09905492B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Overlay-shift measurement system and method for manufacturing semiconductor structure and measuring alignment mark of semiconductor structure

Номер патента: US20190148123A1. Автор: Yu-Ching Lee,Yu-Piao Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for manufacturing semiconductor structure with core and peripheral regions and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11864373B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

A semiconductor package and a method of forming the semiconductor package for flip chip integration

Номер патента: WO2023167637A2. Автор: Ser Choong Chong,Teck Guan Lim,Srinivasa Rao Vempati. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-09-07.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing the growth of a semiconductor material

Номер патента: US09719187B2. Автор: Sylvain Paltrier. Владелец: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor cell structure, igbt cell structure and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4220733A1. Автор: Haiping Wu,Baowei Huang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230380140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods for forming pattern layout, mask, and semiconductor structure

Номер патента: US20230367946A1. Автор: Chun-Yen Lin,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and light-emitting device with semiconductor structures

Номер патента: WO2019091912A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230413520A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Structure and Light-Emitting Device with Semiconductor Structures

Номер патента: US20190144746A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for thin film encapsulation (TFE) of a microelectromechanical system (MEMS) device and the MEMS device encapsulated thereof

Номер патента: US09505612B2. Автор: Navab Singh,Jae-Wung Lee,Jaibir Sharma. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for monitoring abnormal sensors during fabrication of semiconductor structure, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087390A1. Автор: Xiaojun Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a semiconductor device comprising a conductor layer in the semiconductor body and semiconductor body

Номер патента: US09443759B2. Автор: Jochen Kraft,Rainer Minixhofer,Jordi Teva,Martin Schrems,Ewald Stückler,Günther Koppitsch. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Organic silica-based film, method of forming the same, composition for forming insulating film for semiconductor device, interconnect structure, and semiconductor device

Номер патента: US20080246153A1. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for growing iii-v epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: EP2735031A1. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2014-05-28.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for manufacturing an underfill in a semiconductor chip package

Номер патента: GB201213365D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942467B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US20240178171A1. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240194663A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US11929335B2. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

A semiconductor device of grey tin and the manufacture thereof

Номер патента: GB2077489B. Автор: . Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1984-04-26.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for manufacturing a bump on a semiconductor chip

Номер патента: US5418186A. Автор: Jong-han Park,Chun-Geun Park,Seon-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-23.

Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction

Номер патента: US3939047A. Автор: Hideo Tsunemitsu,Hiroshi Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271852A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A2. Автор: Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Method for the production of a polymer coated graphene layer structure and graphene layer structure

Номер патента: WO2021008938A1. Автор: SIMON Thomas,Martin Tyler,Hugh Glass,Ivor GUINEY,Rob WALLIS. Владелец: PARAGRAF LIMITED. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for producing organic electronic devices with bank structures, bank structures and electronic devices produced therewith

Номер патента: US09923035B2. Автор: Li Wei Tan,Rashmi BHINTADE,Tomas Backlund. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Methods for controlling dopant concentration and activation in semiconductor structures

Номер патента: US20060024928A1. Автор: Michael Jung,Edmund Seebauer,Richard Braatz,Rudiyanto Gunawan. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Method for fabricating semiconductor device comprising a deep trench isolation structure and a trap rich isolation structure in a substrate

Номер патента: US20200006117A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Process for reflow bonding a semiconductor die to a substrate and the product produced by the product

Номер патента: US5811317A. Автор: Sunil Thomas,Abhay Maheshwari,Chris Thornton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device

Номер патента: US10978305B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Method producing a contact connection between a semiconductor chip and a substrate and the contact connection

Номер патента: US20030201452A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler,Barbara Vasquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for increasing a surface area of epitaxial structures in a mixed N/P type fin semiconductor structure by forming multiple epitaxial heads

Номер патента: US9275906B2. Автор: Xiang Hu,Xusheng Wu,Changyong Xiao,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for producing a package for a semiconductor device

Номер патента: US4710250A. Автор: Hidehiko Akasaki,Haruo Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Manufacturing method for heat dissipation structure of electronic element, heat dissipation structure, and electronic device

Номер патента: EP4195897A1. Автор: Junjie Yang,Erliang LI,Hanghang DONG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Manufacturing method for heat dissipation structure of electronic component, heat dissipation structure, and electronic device

Номер патента: EP4221477A1. Автор: Zhiqiang Wang,Junjie Yang,Xiaofeng Hu,Hanghang DONG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Stretchable substrate, method for manufacturing stretchable substrate, device for manufacturing stretchable substrate structure, and method for manufacturing stretchable substrate structure

Номер патента: US20210368620A1. Автор: Sang Il Kim,Bo Sung Kim,Ho Won YOON,Mun Pyo Hong,Kyung Uk HA,Yun O IM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-25.

Stretchable substrate, method for manufacturing stretchable substrate, device for manufacturing stretchable substrate structure, and method for manufacturing stretchable substrate structure

Номер патента: US20210329780A1. Автор: Sang Il Kim,Bo Sung Kim,Ho Won YOON,Mun Pyo Hong,Kyung Uk HA,Yun O IM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-10-21.

Stretchable substrate, method for manufacturing stretchable substrate, device for manufacturing stretchable substrate structure, and method for manufacturing stretchable substrate structure

Номер патента: US20200229301A1. Автор: Sang Il Kim,Bo Sung Kim,Ho Won YOON,Mun Pyo Hong,Kyung Uk HA,Yun O IM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor Structures Including Dielectric Layers and Capacitors Including Semiconductor Structures

Номер патента: US20110095397A1. Автор: Jae-soon Lim,Suk-Jin Chung,Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for preparing dielectric layer on surface of wafer, wafer structure, and method for shaping bump

Номер патента: US20240162161A1. Автор: Guanmeng Xu. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device

Номер патента: US5147822A. Автор: Shunpei Yamazaki,Shigenori Hayashi,Kazuo Urata,Itaru Koyama,Noriya Ishida,Mari Sasaki,Naoki Hirose,Mitsunori Tsuchiya,Shinji Imatou,Kouhei Wada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for removing a resist mask with high selectivity to a carbon hard mask used for semiconductor structuring

Номер патента: US7005385B2. Автор: Srivatsa Kundalgurki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-28.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A3. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20180061656A1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09905430B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11521975B2. Автор: Ying-Chu YEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Memory and method for forming same

Номер патента: US20230301054A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: EP1093669A2. Автор: Arto Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus RANTALA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2001-04-25.

Semiconductor structure and procedure for minimizing non-idealities

Номер патента: US6501126B1. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A3. Автор: Arto Rantala. Владелец: Arto Rantala. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US12068395B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US20240363729A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20210351079A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Isolated interconnect studs and method for forming the same

Номер патента: WO2000013231A1. Автор: Bradley J. Howard,David L. Dickerson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-09.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A3. Автор: George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A2. Автор: George Valliath. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160079346A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure

Номер патента: US09583640B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Tom Herrmann,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure

Номер патента: US09368618B2. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240088279A1. Автор: Po-Wen Su,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US09780051B2. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

White led chip and method for manufacturing same

Номер патента: WO2014094619A1. Автор: Minggang Li. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243163A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Yang-Che CHEN,Chi-Hui Lai,Wei-Yu Chou,Yi-Lun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems for tunable nanocube plasmonic resonators and methods for forming

Номер патента: US09804303B1. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Nathan P. Myhrvold,David R. Smith,Clarence T. Tegreene,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Tom Driscoll,Yaroslav A. Urzhumov,Victoria Y. H. Wood,Robert C. Petroski,Nicholas W. Touran,Charles Whitmer,Jesse R. Cheatham, III,Tony S. Pan. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US09595583B2. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for fabricating abrupt source/drain extensions with controllable gate electrode overlap

Номер патента: US20020025639A1. Автор: Peter Smeys,Paul Agnello. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170294484A1. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Systems and methods for forming finFET analog designs having a modular memory-like layout

Номер патента: US10978592B1. Автор: HUI Wang,Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09842881B2. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Mechanisms for Forming Patterns Using Multiple Lithography Processes

Номер патента: US20170372891A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240023317A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for preparing same, and storage apparatus

Номер патента: US20220076994A1. Автор: FANG Rong,Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09875906B2. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09761436B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4310889A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure and a process for forming the same

Номер патента: US20170084705A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US20040053469A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US6730531B2. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230061322A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230422466A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8466069B2. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244672A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094764B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240304735A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal lines for interconnect structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09735052B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for fabricating semiconductor device with fin-shaped structure

Номер патента: US09461150B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Hsin-Kuo Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230116155A1. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210280709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12062655B2. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Pixel Element of Liquid Crystal Display and Method for Producing the Same

Номер патента: US20100245746A1. Автор: Po-Yang Chen,Po-Sheng Shih,Chao-Hui Wu,Tsu-Chiang Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming a vertical mos transistor

Номер патента: US20110275187A1. Автор: Jingjing Chen,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Pixel element of liquid crystal display and method for producing the same

Номер патента: US20120115264A1. Автор: Po-Yang Chen,Po-Sheng Shih,Chao-Hui Wu,Tsu-Chiang Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Pixel element of liquid crystal display and method for producing the same

Номер патента: US8854566B2. Автор: Po-Yang Chen,Po-Sheng Shih,Chao-Hui Wu,Tsu-Chiang Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for forming openings and trenches in insulating layer by first LDA and second LDA for RDL formation

Номер патента: US09607958B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for protecting copper wire bonds on aluminum pads of a semiconductor device from corrosion

Номер патента: US09508622B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

A Semiconductor Structure and a Method of Making the Same

Номер патента: US20240215224A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Multilayer mos device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200211910A1. Автор: Huaxiang Yin,XIANG Lin,Qingzhu ZHANG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20130217192A1. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for direct chip attach by solder bumps and an underfill layer

Номер патента: US20020062556A1. Автор: Peter Gruber,Michael Liehr,David Danovitch,Carlos Sambucetti,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US8871578B2. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Korea Aerospace University. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for silicide formation

Номер патента: US09859390B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230395682A1. Автор: Tai-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204080A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Substrate stripping method for semiconductor structure

Номер патента: US20230317873A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359269A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US11764103B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Top-down method for fabricating nanowire device

Номер патента: US10304926B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US12107001B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240371681A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768281B2. Автор: Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096691A1. Автор: Mingming Ma,Zhikai WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for forming photomask and photolithography method

Номер патента: US20210080822A1. Автор: Minfeng CHEN,Shao-Chi Wei,Shih-Ming Chang,Min-An Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09960255B2. Автор: Jiangbo Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture

Номер патента: US09673341B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Adrian Bruce Turner,Bonneville Dudgeon Eggleston,Douglas Edward Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180122854A1. Автор: Hyung-Suk Lee,Do-Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabricating semiconductor device horizontally shifted contact plug pattern

Номер патента: US09524879B2. Автор: Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Young-Wook Park,Jin-Su Lee,Dong-Bok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a semiconductor storage device

Номер патента: US09515174B2. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210083041A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230006062A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8169086B2. Автор: Hui-Heng Wang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Through-silicon-via structure and method for preparing same, through-silicon-via interconnection structure and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230197572A1. Автор: Xiaowei Li,Weiwen Zheng,Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Kanglin Xiong,Kunliang BU,Jiagui FENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods for semiconductor passivation by nitridation

Номер патента: US09711350B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for fabricating semiconductor device with programmable anti-fuse feature

Номер патента: US11735520B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355821A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Wei-Hung Wang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor substrate structures, semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09978867B1. Автор: Manoj Kumar,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711603B2. Автор: Tae-Wan Lim,Hojong KANG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09620618B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Fixed abrasive-grain processing device, method of fixed abrasive-grain processing, and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US09550264B2. Автор: Yoshiaki Kurosawa,Tomohiro Hashii,Yuichi Kakizono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming spacers for a transistor gate

Номер патента: US09437418B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Sensor package and method for forming the same

Номер патента: US20240363368A1. Автор: Myungho JUNG,BumRyul MAENG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11637196B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for forming semiconductor structure by patterning resist layer having inorganic material

Номер патента: US20200365398A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220190144A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for processing semiconductor structure

Номер патента: EP3951837A1. Автор: Shin-Hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206181A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180197975A1. Автор: Yasuhiro Jinbo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Thin film transistor and manufacturing method for thin film transistor

Номер патента: US20230335648A1. Автор: Jin Jang,Hae Su Hong. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114508B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Vertical power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US09905674B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Faceted structure formed by self-limiting etch

Номер патента: US09812394B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Werner A Rausch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210286269A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20140077276A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20150035026A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130082354A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Preparation method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP3965143A1. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Logic cell structure and method

Номер патента: US09972571B1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US09847252B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming tunnel MOSFET with ferroelectric gate stack

Номер патента: US09768030B2. Автор: Min-Hung Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180076109A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Manufacturing method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4254475A1. Автор: TING Li,Hou-Hong Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Conductive bump of a semiconductor device and fabricating method thereof cross reference to related applications

Номер патента: US20240055377A1. Автор: Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20130323911A1. Автор: Young Man Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing electronic component device and electronic component device

Номер патента: US20240112941A1. Автор: Masaaki Takekoshi,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Liquid composition for forming knn film and method for forming knn film using said liquid composition

Номер патента: US20210188657A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Naoto Tsujiuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component, and an optoelectronic arrangement

Номер патента: US20230369550A1. Автор: Norwin von Malm,Matthias Goldbach,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Systems and methods for selective metal compound removal

Номер патента: US11769671B2. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing pixel structure and pixel structure

Номер патента: US20170033132A1. Автор: Wu-Liu Tsai,Pei-Lin Huang,Kun-Lung HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Self-aligned air spacers and methods for forming

Номер патента: US12107146B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Passivated contact structure and preparation method thereof, and solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240347647A1. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Dongyun LV,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing pixel structure and pixel structure

Номер патента: US09679926B2. Автор: Wu-Liu Tsai,Pei-Lin Huang,Kun-Lung HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US09536940B2. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478673B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11882682B2. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for forming semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US11862732B2. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20220223599A1. Автор: Hsing-Hao Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220037333A1. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for servering an epitaxially grown semiconductor body, and semiconductor chip

Номер патента: US20210217663A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate

Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Photodetector and method for forming the same

Номер патента: US11769846B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating a MOS transistor

Номер патента: US6423587B1. Автор: Yong-Hong Chen. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-23.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, wafer work piece and method for manufacturing semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: MY193426A. Автор: Fujiwara Takenori,Tomikawa Masao,Arimoto Shinji. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Power stack structure and method

Номер патента: EP2774178A1. Автор: Xiaodan ZHANG,Fan Zhang,Junfeng SHENG,Richard Zhang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-09-10.

Device and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20240332245A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09991337B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for passivating surfaces, functionalizing inert surfaces, layers and devices including same

Номер патента: US09761443B2. Автор: Jun Hong Park,Andrew C. Kummel. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for overcoming broken line and photoresist scum issues in tri-layer photoresist patterning

Номер патента: US09583345B2. Автор: Wen-Yen Chen,Kuan-Nan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230354575A1. Автор: Jiawei Zhang,Changli Zhu,Jinguo FANG. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for electrochemically etching a semiconductor structure

Номер патента: US20210057601A1. Автор: Peter Griffin,Tongtong ZHU,Yingjun Liu,Rachel A. OLIVER. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Self-aligned contact and method for forming the same

Номер патента: US20190305110A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Chien-Ting Chen,Sih-Han Chen,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130122675A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Jhi-Cherng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20210057286A1. Автор: Po-Nien Chen,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin,Zhen Geng,Kitchun Kwong,Taicheng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for fabricating semiconductor transistor device

Номер патента: US20030119269A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Heat dissipation device for a converter for a vehicle, power converter, electric axle drive, vehicle and method for producing a heat dissipation device

Номер патента: US20240030094A1. Автор: Thomas Bösch,Manuel Raimann. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for Preparing a Gate Oxide Layer

Номер патента: US20080102597A1. Автор: Andy Wu,Su Chen Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices

Номер патента: US7713853B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Ferrucio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-05-11.

Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element

Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for cleaning semiconductor wafers

Номер патента: US11752529B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Yinuo JIN,Zhaowei Jia,Xiaoyan Zhang,Xuejun Li,Fuping CHEN,Liangzhi Xie,Fufa Chen. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating image sensor

Номер патента: US12080746B2. Автор: Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming ultra-shallow junction

Номер патента: US20220254903A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12113115B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240363716A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and methods

Номер патента: US09728470B1. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device including a finfet structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220301938A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130240958A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Manufacturing Contact Hole, Semiconductor Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20230043575A1. Автор: RAN Li,Xinru HAN,Leilei DUAN,Ching-Lun Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220293611A1. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for Simultaneously Forming Features of Different Depths in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130295773A1. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for simultaneously forming features of different depths in a semiconductor substrate

Номер патента: US8901005B2. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10438893B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chih-Sheng Chang,Shih-Hsien Chen,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Metal film resistor structure and manufacturing method

Номер патента: WO2013056523A1. Автор: Xiaoxu KANG,Shaohai Zeng,Qingyun Zuo. Владелец: SHANGHAI IC R&D CENTER CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

Wireless communication system, a radar system and a method for determining a position information of an object

Номер патента: US09910145B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Rudolf Lachner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847423B1. Автор: Huang-Ren Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634160B2. Автор: Kyoungsoo Lee,Jiweon Jeong,Myungjun SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US09508909B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Ki Bum Nam,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Young Wug Kim,Da Hye KIM,Tae Hyuk IM,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor structure with air gaps for buried semiconductor gate and method for forming the same

Номер патента: US11812605B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220013644A1. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20100190305A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20230386935A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Yi-Fang Pai,Kuo-Hua Pan,Hou-Ju Li,Chun-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11935925B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

FinFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140213031A1. Автор: Hung-Ta Lin,Meng-Ku Chen,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20210366911A1. Автор: Ying-Chu YEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Chip-interconnect arrangement, method for forming a chip-interconnect arrangement, document structure and method for forming a document structure

Номер патента: US20230298989A1. Автор: Jens Pohl,Uwe Wagner,Frank Püschner,Thomas Spöttl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304665A1. Автор: Masakazu Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09911752B2. Автор: Masahiro Fukuda,Takayuki Kashima,Takashi Hirotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Film-forming composition, film formed thereby, and method for manufacturing organic semiconductor element using same

Номер патента: US09842993B2. Автор: Yoshiharu Terui,Fumito Kobayashi,Haruhiko Komoriya,Ikunari Hara,Yukari Hara. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for electronically pinning a back surface of a back-illuminated imager fabricated on a UTSOI wafer

Номер патента: US09520441B2. Автор: Pradyumna Kumar Swain,David Jay Cheskis,Mahalingam Bhaskaran. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047358A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Fan-out antenna packaging structure and preparation thereof

Номер патента: US20190172802A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chengtar WU,Jangshen LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047359A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming wells of semiconductor device

Номер патента: US5981327A. Автор: Jin-Ho Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7736990B2. Автор: Hiroshi Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Point contacts for semiconductors and the production thereof

Номер патента: WO2002056339A2. Автор: Dieter Meissner. Владелец: Dieter Meissner. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency

Номер патента: US12046687B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka,Ryo Mitta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Structure, methods for producing a structure and optoelectronic device

Номер патента: WO2021185848A1. Автор: Brian Theobald,Joseph Treadway,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-09-23.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230231005A1. Автор: BO Yang,Xiaoyu Yang,Kai Cao,Juncai Li,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US20150171035A1. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US20230268176A1. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20240038866A1. Автор: Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-I Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4167276A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

GaN-containing semiconductor structure

Номер патента: US20150102357A1. Автор: YI Chang,Yuen Yee Wong,Chi Feng HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods for Forming Microlenses

Номер патента: US20130323933A1. Автор: Rao V. Annapragada,Tinghao Frank Wang,Cecilia Laura Quinteros,Linda Nancy Marquez,Steven M. Kennedy. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119314B2. Автор: Tadatsugu Yamamoto,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100123204A1. Автор: Eun Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11901403B2. Автор: Jun Hyuk Seo,Myoung Sik CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20130023114A1. Автор: John Power. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor structure including scribe line structures and method for fabricating the same

Номер патента: US11767219B2. Автор: Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210126039A1. Автор: Han-Liang Tseng,Hsin-Hui Lee,Chin-Cheng Li,Hsueh-Jung LIN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2023231745A1. Автор: HAO Zhang,Ya Wang,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145527A1. Автор: Jun Hyuk Seo,Myoung Sik CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240206147A1. Автор: HAO Zhang,Ya Wang,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2023231745A9. Автор: HAO Zhang,Ya Wang,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20070241420A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130196503A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Manufacturing method for display device, manufacturing method for light emitting element, and display device

Номер патента: US20240113151A1. Автор: Seul Ki Kim,Ji Eun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Source and drain structures and manufacturing methods

Номер патента: US20080185665A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting module, and method for manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20240282901A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US09620601B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US9312183B1. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230365403A1. Автор: Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9818735B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method, semiconductor device mounting method, and pressing tool

Номер патента: US20100181667A1. Автор: Yuichiro Yamada,Kazuhiro Nobori,Yoshihiro Tomura,Teppei Iwase,Kentaro Kumazawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12046561B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for thermal conduction interfacing

Номер патента: US20080286502A1. Автор: Dean Frederick Herring,Timothy Samuel Farrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339415A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09570613B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor device and method for preparing same, and storage apparatus

Номер патента: US11869805B2. Автор: FANG Rong,Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Device Metal-Insulator-Semiconductor Contacts with Interface Layers and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160181380A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean Barstow,Ashish Bodke,Amol Joshi,Paul Besser,Zhendong Hong,Abhijit Pethe,Salil Mujumdar,Nobumichi Fuchigami,Shaoming Koh,Albert Sanghyup Lee,Mark Victor Raymond. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for fabricating finfets and semiconductor structure fabricated using the method

Номер патента: US20130207122A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: WO2022203703A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: WO2021055032A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Systems for tunable nanocube plasmonic resonators and methods for forming

Номер патента: US20170293053A1. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Nathan P. Myhrvold,David R. Smith,Clarence T. Tegreene,Lowell L. Wood, JR.,Victoria Y.H. Wood,Jordin T. Kare,Tom Driscoll,Yaroslav A. Urzhumov,Robert C. Petroski,Nicholas W. Touran,Charles Whitmer,Jesse R. Cheatham, III,Tony S. Pan. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor structure with overlay mark and system for manufacturing the same

Номер патента: US20240071843A1. Автор: Tsai-Wei Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure with overlay mark, method of manufacturing the same, and system for manufacturing the same

Номер патента: US20240071842A1. Автор: Tsai-Wei Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor die package with thermal management features and method for forming the same

Номер патента: US20220336318A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for forming semiconductor device contact

Номер патента: US20180166329A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Cheng-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US20150348870A1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: US20210090891A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: EP4032121A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US12027475B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Interconnection structure and its design method

Номер патента: US20110180940A1. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200013750A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Yun Chen Hsieh,Yi-Yang Lei,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200051949A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Yun Chen Hsieh,Yi-Yang Lei,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US20240312931A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package structure and semiconductor process

Номер патента: US09978715B2. Автор: Chun-Hung Lin,Yi-Ting Chen,Wen-Hsin Lin,Shih-Ming Huang,Yung-Hsing Chang,Shih-Wei CHAN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Mechanisms for forming image sensor device

Номер патента: US09431446B2. Автор: Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Yi-Hsing CHU,Fu-Cheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Sawing device and method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: US11935764B2. Автор: Mark Hermans. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of forming a semiconductor structure including laterally etching semiconductor material in fin recess region and depositing metal gate therein

Номер патента: US11355396B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor structure and memory

Номер патента: EP4322218A1. Автор: Ning Li,Xiangyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Transistor Device and Method for Forming a Recess for a Trench Gate Electrode

Номер патента: US20200111896A1. Автор: Thomas Feil,Olaf Kuehn,Heimo Hofer,Ravi Keshav Joshi,Christoph Gruber,Juergen Steinbrenner,Jyotshna Bhandari. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US20190259600A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of Providing An Implanted Region In A Semiconductor Structure

Номер патента: US20160196975A1. Автор: Zheng Tao,Kaidong Xu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of providing an implanted region in a semiconductor structure

Номер патента: US9520291B2. Автор: Zheng Tao,Kaidong Xu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for dividing semiconductor wafer along streets

Номер патента: US20060073705A1. Автор: Takashi Ono,Kazuhisa Arai,Shinichi Fujisawa,Ryo Matsuhashi,Akihito Kawai,Toshihiro Funanaka,Jun Hachiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a FinFET device

Номер патента: US09590076B1. Автор: Tao Yang,Qing Liu,Jinbiao Liu,Yao Wang,Junfeng Li,Guilei Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing twin bit structure cell with hafnium oxide and nano-crystalline silicon layer

Номер патента: US20110156129A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210013104A1. Автор: Li-Ting Wang,Kai Jen,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming a semiconductor structure with a metal gate

Номер патента: US20210035865A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated Circuit Structure, Design Structure, and Method Having Improved Isolation and Harmonics

Номер патента: US20100032796A1. Автор: Edward J. Nowak,James R. Elliott,Brennan J. Brown,Alvin A. Joseph. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor light-emitting structure and semiconductor package structure thereof

Номер патента: US20170155018A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Chao-Hsien Lin,Ya-Ru Yang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210057550A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230095867A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, transistor, and memory

Номер патента: US20220231146A1. Автор: Xiaobo Mei. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for forming a semiconductor device having a silicide layer

Номер патента: WO2005119752A1. Автор: Dharmesh Jawarani,Tab A. Stephens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for doping a semiconductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: WO2012063078A1. Автор: Jonathan Major,Kenneth Durose,Yuri Proskuryakov. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2012-05-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Microelectronic fet device including large contact surfaces between the conduction channel and the source and drain regions

Номер патента: US20240234573A1. Автор: Sylvain Barraud,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-11.

Ferroelectric thin-film structure and electronic device including the same

Номер патента: US11646375B2. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Ferroelectric thin-film structure and electronic device including the same

Номер патента: US20210280720A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for fabricating semiconductor element

Номер патента: US20080081435A1. Автор: Teruhisa Fukuda,Tetsumi Tominaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for improving semiconductor surfaces

Номер патента: US20100009524A1. Автор: Amlan Majumdar,Dinkar Singh,Judson Robert Holt,Zhibin Ren,Renee Tong Mo,Ashima B. Chakravarti,Woo-Hyeong Lee,Suk Hoon Ku,Jeremy John Kempisty,Ryan Matthew Mitchell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09806191B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for growing III-V epitaxial layers

Номер патента: US09748331B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09627268B2. Автор: Ching-Yu Chang,Hsin-Yu Chen,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Yi-Ren CHEN,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US09516753B2. Автор: Koichi Hara,Toshihisa Yoda. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09431239B1. Автор: Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Ming-Yen Liu,Nien-Chung Li,Shih-Teng HUANG,Ching-Nan Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150001604A1. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor package, base station, mobile device and method for forming a semiconductor package

Номер патента: US20240006350A1. Автор: Giacomo Cascio,Marc Jan Georges Tiebout,Ellis NEASE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Process Including a Re-etching Process for Forming a Semiconductor Structure

Номер патента: US20230352442A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Yun Chen Hsieh,Yi-Yang Lei,Tai Min CHANG,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Image sensor device and manufacturing method for improving shutter efficiency

Номер патента: US20200144319A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220293732A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20170141034A1. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230352592A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods of fabricating semiconductor devices and semiconductor devices formed thereby

Номер патента: US8796127B2. Автор: Chang-sun Hwang,Hoyoung Kim,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Bo Kyeong Kang,Sukhoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-05.

Methods of fabricating semiconductor devices and semiconductor devices formed thereby

Номер патента: US20130237045A1. Автор: Chang-sun Hwang,Hoyoung Kim,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Bo Kyeong Kang,Sukhoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4135035A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9105504B2. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230292530A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor Structure Having Through-Substrate Via (TSV) in Porous Semiconductor Region

Номер патента: US20210111101A1. Автор: David J. Howard. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming features and system for forming devices in a semiconductor substrate

Номер патента: TWI348071B. Автор: Robert Charatan. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170330956A1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Hydrogen plasma treatment for forming logic devices

Номер патента: US20240304495A1. Автор: Zhen Liu,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Michael S. Jackson,Yongqian Gao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347382A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953982B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for local isolation between transistors produced on an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09876076B2. Автор: Emmanuel Perrin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for making a light-emitting device

Номер патента: US09793454B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Shiuan-Leh Lin. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09711625B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabrication method of semiconductor structure

Номер патента: US20210335671A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure with resistor and capacitor

Номер патента: US20230335488A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chen-Bin Lin,I-Shan Huang,Po-Ying Chen,Jie Jay Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Epitaxial Growth Method for FDSOI Hybrid Region

Номер патента: US20220415707A1. Автор: Qiang Yan,Yongyue Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US20230197832A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor packaged device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024000475A1. Автор: Lei Zhang,Jianping Zhang,Kai Cao,Bangxing CHEN,Shangqing QIU,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11967550B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor power module and method for manufacturing a semiconductor power module for a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230420271A1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US11978785B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US11895826B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230395535A1. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US11963345B2. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure fabrication method, semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230015307A1. Автор: Shuangshuang WU,Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US20230232610A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220037331A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for doping a semi-conductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: GB201019039D0. Автор: . Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2010-12-22.

Methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer

Номер патента: US20210336332A1. Автор: Anthony James LoBianco,Hoang Mong Nguyen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods for nitride planarization using dielectric

Номер патента: US09966272B1. Автор: Laertis Economikos,Jinping Liu,Jiehui SHU,Haigou Huang,Tai Fong Chao,Haifeng Sheng,Xingzhao Shi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing organic light-emitting device

Номер патента: US09705085B2. Автор: Minsoo Kang,Young Kyun MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

A method for production of nanofibres and/or nanofibrous structures of phospho-olivines, nanofibres of phospho-olivines and nanofibrous structure formed of nanofibres of phospho-olivines

Номер патента: WO2010063244A3. Автор: Jiri Duchoslav,Lukas Rubacek. Владелец: Elmarco S.R.O.. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Conductive resin composition, method for manufacturing electronic component using same, bonding method, bonding structure, and electronic component

Номер патента: US09491868B2. Автор: Masaaki Hirayama,Tomoaki Onoue,Yoshiki Aburatani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography

Номер патента: US09448473B2. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: FI20225453A1. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-11-25.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: US20230386694A1. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: EP4293697A2. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: EP4293697A3. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2024-01-24.

Preparation method for nickel phosphide@carbon negative electrode material having porous structure, and use thereof

Номер патента: GB2619643A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for the preparation of a solid oxide fuel cell single cell and the named cell

Номер патента: EP2160785A1. Автор: Enn Lust,Gunnar Nurk,Priit MÖDLER,Indrek Kivi,Silvar Kallip,Alar JÄNES,Heisi Kurg. Владелец: Elcogen As. Дата публикации: 2010-03-10.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for producing quantum cascade laser and quantum cascade laser

Номер патента: US20170170633A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for producing quantum cascade laser and quantum cascade laser

Номер патента: US9941666B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100151611A1. Автор: Nozomi Ohashi,Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor laser device and method for suppressing injection current

Номер патента: EP1284532A3. Автор: Naoki Tsukiji,Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Semiconductor laser device and method for suppressing injection current

Номер патента: CA2369704A1. Автор: Naoki Tsukiji,Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-06.

Fabrication method for metal battery electrode with pyrolyzed coating

Номер патента: US09627671B2. Автор: Long Wang,Jong-Jan Lee,Yuhao Lu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Interface between coaxial cable and connector and method for forming same

Номер патента: US09768522B2. Автор: Jeffrey D. Paynter,James P. Fleming,Frank A. Harwath,David J. Smentek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12100929B2. Автор: Yasushi Sakuma,Ryosuke Nakajima,Shigetaka Hamada. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for forming interface between coaxial cable and connector

Номер патента: US09859625B2. Автор: Jeffery D. Paynter. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150063391A1. Автор: Tatsuya Takeuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Flexible backlight, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20190204682A1. Автор: Dongxiu Li,Shuangliang Qin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for producing a cover assembly for a cell housing of a prismatic battery cell having a sealing element, and battery cell

Номер патента: US12107281B2. Автор: Seokyoon Yoo,Niclas Emrich. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing a trench channel for vacuum transistor device and vacuum transistor device

Номер патента: US10102996B2. Автор: Antonino FIUMARA,Marcello Frazzica,Giuseppe Digrazia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Interconnection pin/socket components for electrically connecting two circuit boards and method for mounting said components in a circuit board

Номер патента: EP1486105A1. Автор: Min Li,Richard William Brown,Richard Franklin Schwartz,Charles J. Buondelmonte,Joseph Patrick Mendelsohn,Sanjay Sudhakar Upasani. Владелец: Andrew LLC. Дата публикации: 2004-12-15.

Interconnection pin/socket components for electrically connecting two circuit boards and method for mounting said components in a circuit board

Номер патента: WO2003081969A1. Автор: Min Li,Richard William Brown,Richard Franklin Schwartz,Charles J. Buondelmonte,Joseph Patrick Mendelsohn,Sanjay Sudhakar Upasani. Владелец: ANDREW CORPORATION. Дата публикации: 2003-10-02.

Interconnection pin/socket components for electrically connecting two circuit boards and method for mounting said components in a circuit board

Номер патента: EP1486105B1. Автор: Min Li,Richard William Brown,Richard Franklin Schwartz,Charles J. Buondelmonte,Joseph Patrick Mendelsohn,Sanjay Sudhakar Upasani. Владелец: Andrew LLC. Дата публикации: 2009-09-30.

Negative electrode plate, method for preparing same, secondary battery containing same, and electrical device

Номер патента: US20240291118A1. Автор: Feng Liu,Xiaoming Ge,Manman Wang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing solid-state secondary battery

Номер патента: US20240332589A1. Автор: Takashi Nakagawa,Hayato Takahashi,Katsutoshi Sakurai,Kyohei IZUMI,Yohei NOJI,Hiroki Ichihara,Fumika Fujisaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing silver nanoparticles, silver nanoparticles, and silver coating material composition

Номер патента: US09656322B2. Автор: Kazuki Okamoto,Hiroyoshi KODUMA. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing silver nano-particles and silver nano-particles

Номер патента: US20150217375A1. Автор: Yuki Iguchi,Kazuki Okamoto. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for producing silver nano-particles and silver nano-particles

Номер патента: WO2014024901A1. Автор: Yuki Iguchi,Kazuki Okamoto. Владелец: Daicel Corporation. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for producing silver nano-particles and silver nano-particles

Номер патента: EP2882552A1. Автор: Yuki Iguchi,Kazuki Okamoto. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2015-06-17.

Lithium secondary battery and method for producing lithium secondary battery

Номер патента: EP4456221A1. Автор: Yun Jung Kim,Kyung Sik Hong,Sueng Hoon Han. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing silver nano-particles and silver nano-particles

Номер патента: US09776250B2. Автор: Yuki Iguchi,Kazuki Okamoto. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Battery rupture vent structure and method for manufacturing same, battery cover, and battery

Номер патента: US20220059900A1. Автор: Jianju LI,Zhongtao Zhang. Владелец: Shenzhen Kedali Industry Co., Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for the adjustment of a colour filter for a ditigial sensor and the associated filter

Номер патента: US09521379B2. Автор: Fabien Blondeau,Pascal Richard,Oliver Gress,Jens Hermann MUELLER. Владелец: Swiss Timing Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US20110221308A1. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

A system and a method for determining a relative pose between a primary winding structure and a secondary winding structure of a system for inductive power

Номер патента: GB2587800A. Автор: DRÄGER Tobias,Sotiriou Sotirios,Cichon Daniel. Владелец: Bombardier Primove GmbH. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for wireless smart control of lighting, electrical appliances and smart systems and the control-r software and hardware complex for its implementation

Номер патента: RU2752423C2. Автор: Алексей Петрович КИРИЛОВ,Дмитрий Александрович ЕРМАКОВ. Владелец: ИВАНИЛОВ Кирилл Вячеславович. Дата публикации: 2021-07-28.

Method for generation of the authorized electronic signature of the authorized person and the device to perform the method

Номер патента: WO2008113302A3. Автор: Bretislav Endrys. Владелец: Monet & A S. Дата публикации: 2008-11-13.

Apparatus and method for monitoring an article dispensing device such as a seed planter and the like

Номер патента: US5635911A. Автор: Gregry C. Miller,David J. Landers,Kevin P. McEnaney,Scott A. Holmstrom. Владелец: Dickey John Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method for managing in an adaptive and joint way the routing policy and the retransmission policy of a node in an underwater network, and means for its implementation

Номер патента: CA3010110C. Автор: Chiara Petrioli,Francesco Lo Presti,Valerio DI VALERIO,Daniele SPACCINI,Luigi PICARI. Владелец: Wsense SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for imei verification and unauthorized device detection using control plane message and the system thereof

Номер патента: US20240107316A1. Автор: Cheoljun PARK,Yongdae Kim,Sangwook BAE,Beomseok OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for balancing a charge pump output current, charge pump structure and wireless communication device

Номер патента: EP1014586A3. Автор: Shervin Moloudi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-10-15.

System and a method for determining a relative pose between a primary winding structure and a secondary winding structure of a system for inductive power transfer

Номер патента: US11850962B2. Автор: Werner Kober,Sotirios Sotiriou. Владелец: Bombardier Primove GmbH. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for producing planar metallised textile structures, planar metallised textile structure and use of the thus produced planar metallised textile structure

Номер патента: CA2631180A1. Автор: Norbert Schneider,Norbert Wagner,Bettina Sobotka,Ralf Noerenberg,Tibor Duris,Rene Lochtman,Juergen Pfister,Antonino Raffaele Addamo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for producing organic electronic devices with bank structures, bank structures and electronic devices produced therewith

Номер патента: EP2917948A1. Автор: Li Wei Tan,Rashmi BHINTADE,Tomas Backlund. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2015-09-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230225216A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Wind turbine, a generator, a rotor housing, and a method for making the rotor housing

Номер патента: US09601962B2. Автор: Thomas Soerensen,Ashkan Vaziri Tehrani,Anders Sylvester Bjerg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Liquid composition for forming knn film and method for forming knn film using said liquid composition

Номер патента: EP3813131A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Naoto Tsujiuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-04-28.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11696435B2. Автор: Hsing-Hao Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Wireless communication terminal and method for wireless communication

Номер патента: US09860924B2. Автор: YANNICK Lair,Iskren Ianev,Thomas Delsol. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory and method for forming same

Номер патента: EP4277448A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for forming a recess array device structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US8178440B1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chang Ming Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20090001457A1. Автор: Tzung-Han Lee,Chung-Yuan Lee,Chih-Hao Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods and processes for forming electrical circuitries on three-dimensional geometries

Номер патента: US20210345494A1. Автор: Reza Abbaspour. Владелец: Dujud LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Device and method for aerosol generation

Номер патента: RU2749137C2. Автор: Чон Хо ХАН,Чан Ук ЛИ,Хен Иль ЛИМ,Чжон Соп ЛИ,Дэ Нам ХАН,Чжин Ён ЮН,Ён Леа КИМ,Чи Су Чан,Ван Соп ЛИМ,Мун Бон ЛИ,Сон Хо ЧЖУ,ДУ Чжин ПАК,Сон Вон ЮН. Владелец: Кей Ти Энд Джи Корпорейшн. Дата публикации: 2021-06-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor chip and method for generating digital value using process variation

Номер патента: US20120037711A1. Автор: Dong Kyue Kim,Byong-Doek Choi. Владелец: CQTRON Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

method for simplifying the calculations for pre-whitening in a g-rake receiver

Номер патента: US20100074300A1. Автор: Ulf Lindgren. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12082394B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Computer hardware for a computer-controlled medical device and method for controlling a computer-controlled medical device

Номер патента: US20220311739A1. Автор: Lars Fiedler,Jens Bojko. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: EP4391782A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for Manufacturing MEMS Microphone

Номер патента: US20200213796A1. Автор: Zhenkui Meng,Zhengyan Liu. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Electronic component and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US12070800B2. Автор: Hiroshi Masuda,Yoshiaki Kurihara,Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Keita Sone,Masaya TOBA,Yuki Kawana,Takaaki Nohdoh,Motoki YONEKURA,Shinichirou Sukata,Kosuke URASHIMA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for conferencing enterprise and non-enterprise callers

Номер патента: US09544157B1. Автор: Andrew Nelson,Myron P. Sojka,Srinivas Maganti,Mark Steven Jarzynka. Владелец: West Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US12058818B2. Автор: Satoru Kawai. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for programming antifuse-type one time programmable memory cell

Номер патента: US09799410B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11856754B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230389295A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic component and method for manufacturing electronic component

Номер патента: EP3852507A1. Автор: Hiroshi Masuda,Yoshiaki Kurihara,Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Keita Sone,Masaya TOBA,Yuki Kawana,Takaaki Nohdoh,Motoki YONEKURA,Shinichirou Sukata,Kosuke URASHIMA. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Impeller machine and method for mounting an impeller machine

Номер патента: CA3194596A1. Автор: Daniel Schübeler. Владелец: MdGroup Germany GmbH. Дата публикации: 2022-04-14.

Discharge control method for bus capacitor in power converter

Номер патента: US20180152097A1. Автор: Peng Xiao,Jianping Ying,Hailong Wang,Boyu Pu,Lifeng Qiao,Hongwei Xiao. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

System and method for secure storage and distribution of encryption keys

Номер патента: US20230275750A1. Автор: Mark Rodney Anson. Владелец: Wildfi Pty Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for Manufacturing MEMS Microphone

Номер патента: US20200213775A1. Автор: Zhenkui Meng,Zhengyan Liu. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

System and method for secure storage and distribution of encryption keys

Номер патента: US11671248B2. Автор: Mark Rodney Anson. Владелец: Wildfi Pty Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for producing methylasic acid hydrogel with properties of supramolecular structures and hydrogel obtained by this method

Номер патента: RU2756828C2. Автор: Александр Михайлович Мартыненко,Александр Викторович Чигирик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Биолайн Продактс. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Systems and methods for monitoring the surface temperature of an object using an imager and the temperature-dependent absorption properties of semiconductors

Номер патента: US20240295440A1. Автор: Axel Scherer,Jack Jewell,John Richard ORDONEZ-VARELA,Paromita MITCHELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatus and method for on-demand retention, release, and positioning of space structures and components of same

Номер патента: US12030672B1. Автор: Othmane Benafan,Allen T. Guzik,Yu Hin Hau,Linda H. Yoon,Chip Redding. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for the formation of dust removing holes for the turbine blade and the coupled ceramic core

Номер патента: RU2745073C2. Автор: Адриен Бернар Винсен РОЛЛИНЖЕ,Мирна БЕШЛАНИ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for preparing functionally graded thermal barrier coatings based on failure modes and the method of preparation

Номер патента: LU506144B1. Автор: Kun Liu,Xing Guo. Владелец: Univ Zhengzhou Light Ind. Дата публикации: 2024-07-22.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure, and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: AU2020405840A1. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2022-06-02.

Systems and methods for the in-line measurement of alkali metal-containing structures and alkali ion-containing structures

Номер патента: US20230160821A1. Автор: Subramanya P. HERLE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing moulded then forged parts comprising one or more recesses and the implementation installation thereof

Номер патента: AU9728401A. Автор: Emile Di Serio. Владелец: Saint Jean Industries SAS. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: US12077324B2. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for reducing the voltage of the setting tape in the machine for the tobacco industry, the method for reducing the clearance in the machine for the tobacco industry and the setting device for the machine for the tobacco industry

Номер патента: RU2747031C2. Автор: Роберт СКЕРЧЫНСКИЙ,Мирослав ЗАЯЦ. Владелец: Интернешнл Тобакко Машинери Поланд Сп. З О.О.. Дата публикации: 2021-04-23.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for manufacturing moulded then forged parts comprising one or more recesses and the implementation installation thereof

Номер патента: AU784683B2. Автор: Emile Di Serio. Владелец: Saint Jean Industries SAS. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for predicting a favourable long-term result of restoring the function and the aesthetics during treatment of a longitudinal fracture of a multi-rooted tooth

Номер патента: RU2766777C1. Автор: Владимир Иванович Семенников,Нина Владимировна Семенникова,Геннадий Владимирович Сиволап,Анастасия Геннадьевна Зрюмова,Ольга Юрьевна Сартакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО АГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for making dental implant of nanotitanium using laser surface structuring and nanostructured composite coating and implant

Номер патента: RU2724437C1. Автор: Иван Анатольевич Фадеев,Алексей Сергеевич Дюрягин,Василий Сергеевич Дюрягин,Алексей Георгиевич Гашков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НС ТЕХНОЛОГИЯ". Дата публикации: 2020-06-23.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240229307A9. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Application and methods for fasting programs and lifestyle practice based on ayurvedic elements, doshas and the practice for integral life, wellness and psychic growth

Номер патента: US20200185081A1. Автор: Anal Patel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-11.

Process for reducing the restart pressure of streams selected from waxy crude oils, water-in-crude emulsions and dispersions of hydrocarbon hydrates, and method for measuring the profile of the inner diameter of a pipeline and the instant viscosity of the fluid contained therein.

Номер патента: MY158103A. Автор: Thomas Paul Lockhart,Alberto Di Lullo,Paolo D Antona. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2016-08-30.

A hot press forming apparatus and a method for hot press forming a blank

Номер патента: EP3962673A1. Автор: Lars Sandberg,Joakim INNALA,Petter ULFBERG. Владелец: Autotech Engineering SL. Дата публикации: 2022-03-09.

A method for making an elasticised pants article for persons suffering from incontinence and the pants made thereby

Номер патента: AU6531099A. Автор: Giorgio Mantovani. Владелец: Corman Srl. Дата публикации: 2000-06-29.

A method for making an elasticised pants article for persons suffering from incontinence and the pants made thereby

Номер патента: EP1016746B1. Автор: Giorgio Mantovani. Владелец: Corman Srl. Дата публикации: 2004-02-11.

Method for estimating a measure of the friction coefficient between the stator and the rotor in a breaking device

Номер патента: WO2005058665A1. Автор: Jan-Inge Svensson. Владелец: VOLVO LASTVAGNAR AB. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for predicting at least one of the total serum bilirubin level and the hemoglobin level by using the artificial intelligence and the non-invasive measurement

Номер патента: US20220095966A1. Автор: Sheng-Hao Tseng,Chun-Yen Kuo,Shih-Yu Tzeng,Nan-Yu CHENG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for transportation of the reactor components of a photob i oreactor and the photobioreactor

Номер патента: WO2009051480A3. Автор: Marco Van De Ven,Johannes Maria Franciscus Van De Ven. Владелец: Algaelink N.V.. Дата публикации: 2009-10-29.

System and method for using reversed backup operation for minimizing the disk spinning time and the number of spin-up operations

Номер патента: WO2009055175A1. Автор: Nikolai Joukov. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for determining automatically the offset angle between the needle cylinder zero and the encoder zero in a circular knitting machine for hosiery or other articles

Номер патента: WO2008011998A1. Автор: Ettore Lonati,Fausto Lonati,Tiberio Lonati. Владелец: SANTONI S.p.A.. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for performing knots of retaining nets such as rocks retaining nets and the like, knot obtained by the method and junction for a knot of a retaining net

Номер патента: US20040149976A1. Автор: Vitaliano Russo. Владелец: Sincron Srl. Дата публикации: 2004-08-05.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254600A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254599A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Apparatus for forming a cone for housing a needle in a syringe, method for making a cone for housing a needle in a syringe, and the syringe thereof

Номер патента: WO2021260524A1. Автор: Fabiano Nicoletti,Alberto CHILLON,Fabio CHINELLATO. Владелец: STEVANATO GROUP S.P.A.. Дата публикации: 2021-12-30.

Apparatus for forming a cone for housing a needle in a syringe, method for making a cone for housing a needle in a syringe, and the syringe thereof

Номер патента: CA3183333A1. Автор: Fabiano Nicoletti,Alberto CHILLON,Fabio CHINELLATO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-30.

Apparatus for forming a cone for housing a needle in a syringe, method for making a cone for housing a needle in a syringe, and the syringe thereof

Номер патента: US20230271871A1. Автор: Fabiano Nicoletti,Alberto CHILLON,Fabio CHINELLATO. Владелец: Stevanato Group SpA. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for the precision saturation of substrates in preparation for digital printing, and the substrates produced therefrom

Номер патента: EP1713967A1. Автор: Robert Allen Janssen,Gary Staley,Fred Noll,E. Tim Mccraw,Alison Sayler Bagwell,Jr. Jerome James Workman. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for the precision saturation of substrates in preparation for digital printing, and the substrates produced therefrom

Номер патента: WO2005080662A1. Автор: Robert Allen Janssen,Gary Staley,Fred Noll,E. Tim Mccraw,Alison Sayler Bagwell,Jr. Jerome James Workman. Владелец: KIMBERLY-CLARK WORLDWIDE, INC.. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods for the production and isolation of D-chiro-inositol from kasugamycin and the use of D-chiro-inositol obtained therefrom

Номер патента: US20010044560A1. Автор: Mark Sleevi,Robert Plourde,Rachel Longo. Владелец: Insmed Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for ascertaining the absolute injection quantity in an internal combustion engine and the system for this purpose

Номер патента: US09915216B2. Автор: CHRISTIAN Horn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for determining the activity of a driver of a motor vehicle and the adaptive response time and a corresponding assistance system

Номер патента: US09908532B2. Автор: Stefan Milch,Benjamin Maus,Frank Schroven. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing a master mixture based on carbonaceous nanofillers and superplasticiser, and the use thereof in hardenable inorganic systems

Номер патента: US09850363B2. Автор: Jean-Marc Suau,David Platel,Alexander Korzhenko,Christophe Vincendeau,Anna Lushnikova,Grigoriy Nikolayevich Pervushin,Grigory Ivanovich Yakovlev. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2017-12-26.

System and method for impregnating, with a solvent, a fabric for cleaning the blanket and the metal printing cylinder of a printing machine

Номер патента: US20140283317A1. Автор: Luca PAVAN. Владелец: PAVAN FORNITURE GRAFICHE SpA. Дата публикации: 2014-09-25.

System and method for impregnating, with a solvent, a fabric for cleaning the blanket and the metal printing cylinder of a printing machine

Номер патента: EP2699422A1. Автор: Luca PAVAN. Владелец: PAVAN FORNITURE GRAFICHE SpA. Дата публикации: 2014-02-26.

System and method for impregnating, with a solvent, a fabric for cleaning the blanket and the metal printing cylinder of a printing machine

Номер патента: WO2013045309A1. Автор: Luca PAVAN. Владелец: PAVAN FORNITURE GRAFICHE S.P.A.. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for deposition of noble metal nanoparticles on catalysts to promote same, and the compositions so produced

Номер патента: US09873110B2. Автор: Yadollah Mortazavi,Abbas Ali Khodadadi,Mohammad Javad Parnian,Ali Taheri Najafabadi. Владелец: Sensiran. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for the identification and targeting of brain regions and structures and treatments related thereto

Номер патента: US09597007B2. Автор: Alejandro Covalin,Antonio Alfonso Ferreira Desalles. Владелец: US Department of Veterans Affairs VA. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing L-theanine via fermentation by a genetically engineered bacterium and the application thereof

Номер патента: US12065682B2. Автор: Jing Li,Ning Chen,Xiaodong Liu,Qingyang Xu,Shuai LIU,Yongchao LIU,Xiaoguang Fan,Bochao Liu,Chaochao Sun,Jiajia Teng,Mengtao Zhang,Yuanqing Ji,Yuhang Zhou. Владелец: Henan Julong Biological Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them

Номер патента: US5411826A. Автор: Yuichi Yashiki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-02.

Method for isolating and purifying transferrin and lactoferrin receptor proteins from bacteria and the preparation of vaccines containing the same

Номер патента: CA2051808A1. Автор: Anthony B. Schryvers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-28.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A2. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Apparatus and method for high speed forming a hinged carton

Номер патента: US4549876A. Автор: Thomas R. Baker,William H. Hittenberger,Boris J. Posen. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1985-10-29.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for estimating a measure of the friction coefficient between the stator and the rotor in a breaking device

Номер патента: EP1692027B1. Автор: Jan-Inge Svensson. Владелец: VOLVO LASTVAGNAR AB. Дата публикации: 2011-02-23.

System and Method for the Production, Formulation and Use of Conditioned Media, Cultured Cells and the Factors Included Therein

Номер патента: US20200316169A1. Автор: Nathan Newman,Dodanim Talavera-Adame,Alex Rajangam,Harpreet Sidhu. Владелец: Rinati Skin LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for estimating a measure of the friction coefficient between the stator and the rotor in a breaking device

Номер патента: EP1692027A1. Автор: Jan-Inge Svensson. Владелец: VOLVO LASTVAGNAR AB. Дата публикации: 2006-08-23.

Method for induction bend forming a pressure-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: CA2965580C. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Calibratable magnetic field sensor and method for calibrating same and usage of an exciter conductor structure and method for determining an exciter conductor spacing from a magnetic field sensor

Номер патента: CA2797574C. Автор: Roland Ernst,Hans-Peter Hohe,Markus Stahl-Offergeld. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-03-15.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: US11919223B2. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Device and method for the transmission of data and electric energy between a key and the cylinder of a lock

Номер патента: WO2003058016A1. Автор: Ennio Bandini. Владелец: Iseo Serrature S.P.A.. Дата публикации: 2003-07-17.

Device and method for the transmission of data and electric energy between a key and the cylinder of a lock

Номер патента: AU2003202549A1. Автор: Ennio Bandini. Владелец: Iseo Serrature SpA. Дата публикации: 2003-07-24.

A method for organizing data and generating images of reference biological structures and related materials and the images and materials so generated

Номер патента: WO2013061019A1. Автор: Bernard De Bono. Владелец: De Bono Bernard. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: WO2022212843A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: CA3215873A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: EP4313601A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: US20240208133A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for determining the dynamic biomechanical characteristics of a musculoskeletal structure and for treatment of musculoskeletal disorders

Номер патента: US5897510A. Автор: Tony S. Keller,Arlan W. Fuhr,James B. Lehneman. Владелец: Activator Methods Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for producing a mini-vial with a reduced number of components and the mini-vial thus obtained

Номер патента: WO2015036909A3. Автор: Massimo Scagliarini,William PANDOLFO. Владелец: GVS S.p.A.. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for manufacturing a connecting device for a tower-like structure, and tower-like structure

Номер патента: AU2022302919A1. Автор: David Moeller,Alexander Lindner. Владелец: Rosen 2 Holding Ag. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing a connecting device for a tower-like structure and tower-like structure

Номер патента: CA3224098A1. Автор: David Moeller,Alexander Lindner. Владелец: Rosen 2 Holding Ag. Дата публикации: 2023-01-05.

METHOD FOR PREPARING ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20220396729A1. Автор: Yang Liu,Zhuo Chen,Haizheng Zhong,Gaoling YANG,Kai GU,Zhiwei LONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for producing an optical component having a coated internal structure and optical component produced by said method

Номер патента: US11892650B2. Автор: Joerg-Peter Schmidt,Tina Rabis,Benjamin HOEHN. Владелец: Jenoptik AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing a composite material part having a cellular structure and corresponding part

Номер патента: US20230364868A1. Автор: Patrick Dunleavy,Nicolas Pierre LANFANT. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing an optical component having a coated internal structure and optical component produced by said method

Номер патента: US20230213776A1. Автор: Joerg-Peter Schmidt,Tina Rabis,Benjamin HOEHN. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method for reducing the twisting tire load on the vehicle driver actuator and the relevant computing device

Номер патента: RU2681998C1. Автор: Йенс КРИСТИАНСЕН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-03-14.

Application and methods for fasting programs and lifestyle practice based on ayurvedic elements, doshas and the practice for integral life, wellness and psychic growth

Номер патента: WO2020118072A3. Автор: Anal Patel. Владелец: Anal Patel. Дата публикации: 2020-07-23.

Application and methods for fasting programs and lifestyle practice based on ayurvedic elements, doshas and the practice for integral life, wellness and psychic growth

Номер патента: WO2020118072A2. Автор: Anal Patel. Владелец: Anal Patel. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240133084A1. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for heat transfer in the embedded structure of a heat regenerator and the design thereof

Номер патента: WO2020050780A1. Автор: Franc Majdic,Andrej Kitanovski,Urban TOMC,Katja KLINAR,Joško VALENTINČIČ,Izidor Sabotin,Jure MENCINGER. Владелец: GORENJE GOSPODINJSKI APARATI, D.D.. Дата публикации: 2020-03-12.

A method for making an elasticised pants article for persons suffering from incontinence and the pants made thereby

Номер патента: EP1016746A3. Автор: Giorgio Mantovani. Владелец: Corman Srl. Дата публикации: 2001-01-31.

Method for heat transfer in the embedded structure of a heat regenerator and the design thereof

Номер патента: EP3847361A1. Автор: Andrej Kitanovski,Urban TOMC,Katja KLINAR,Izidor Sabotin,Jure MENCINGER,Jo ko VALENTIN I,Franc MAJDI. Владелец: Gorenje gospodinjski aparati dd. Дата публикации: 2021-07-14.

A method for making an elasticised pants article for persons suffering from incontinence and the pants made thereby

Номер патента: AU761864B2. Автор: Giorgio Mantovani. Владелец: Corman Srl. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for continuous hot forming a honeycomb filler from prepreg

Номер патента: RU2673049C1. Автор: Вячеслав Юрьевич Шестопалов,Андрей Геннадьевич Вопилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "РБ-Композит". Дата публикации: 2018-11-21.

Method for calculating risk of collision between an x-ray imaging apparatus and the patient

Номер патента: WO2017058345A1. Автор: Yves Trousset,Thomas Mc Carthy. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-04-06.

Compositions comprising dkk2 and methods for use thereof for the stimulation or enhancement of bone formation and the self-renewal of cells

Номер патента: CA2566848C. Автор: Peng Liu,Dianqing Wu,Xiaofeng Li,Dean Engelhardt,Wenzhong Liu. Владелец: Enzo Therapeutics Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for producing a heat insulating material composed of a hydrophobic aerogel and the application thereof

Номер патента: US11767670B2. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen,Sheng-Hong PONG. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Dynamic light emitting diode driving current compensation method for ensuring cross-panel backlight illumination uniformity in a display device and the display device

Номер патента: WO2012029890A1. Автор: Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for gender identification of eagles with probe-based real-time PCR and the sequences used for gender identification of eagles

Номер патента: US8158358B2. Автор: Chien-Chung Cheng,Hsueh-Wei Chang,De-Leung Gu,San-Hua Su. Владелец: KAOHSIUNG MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for the setting of ornamental stones in jewelry products, costume jewelry and the like and products obtained by such method

Номер патента: WO2014147050A1. Автор: Adelio Rossini. Владелец: STILNOVO Srl. Дата публикации: 2014-09-25.

Method for strengthening a structure of a tubular bridge or a culvert and the strengthened tubular bridge or culvert

Номер патента: WO2015067851A1. Автор: Jukka Siekkeli,Janne TIKKAMÄKI. Владелец: Skanska Infra Oy. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for precipitating mono and multiple layers of organophosphoric and organophosphonic acids and the salts thereof in addition to use thereof

Номер патента: AU2001289859A1. Автор: Marcus Textor,Michael Pawlak,Markus Ehrat,Rolf Hofer,Samuele Tosatti,Eveline Schürmann-Mader. Владелец: Zeptosens Ag. Дата публикации: 2002-03-22.

Method for precipitating mono and multiple layers of organophosphoric and organophosphonic acids and the salts thereof in addition to use thereof

Номер патента: US20100280601A1. Автор: Marcus Textor,Michael Pawlak,Markus Ehrat,Rolf Hofer,Samuele Tosatti,Eveline Schürmann-Mader. Владелец: Schuermann-Mader Eveline. Дата публикации: 2010-11-04.

3d image acquisition system for optical inspection and method for optical inspection of objects, in particular electronic assemblies, electronic boards and the like

Номер патента: EP4176228A1. Автор: Daniele Guido Allegri,Roberto GARDENGHI. Владелец: Scuola Universitaria Professionale Della Svizzera Italiana Supsi. Дата публикации: 2023-05-10.

Manufacturing method for a slip-proof glass plate which can be stepped upon and the plate obtained thereby

Номер патента: EP1384520A3. Автор: Fernando Figuerola Gili. Владелец: Cristales Curvados SA CRICURSA. Дата публикации: 2004-03-03.

Pre-paid identification data intermediating system and a method for putting the intermediating server between the point of sales terminal and the issuing server

Номер патента: MY152405A. Автор: Ryoo Chang Wan,Kang Jun Young. Владелец: Galaxia Comm. Дата публикации: 2014-09-30.

Systems and methods for dynamic blocks forming a passageway

Номер патента: US9795866B2. Автор: Jeb Belcher,Earl Wilson Belcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for improving determination of mode shapes for a mechanical structure and applications hereof

Номер патента: WO2012130237A1. Автор: Rune Brincker. Владелец: Rune Brincker. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Systems and methods for generating personalized dynamic presentations from non-personalized presentation structures and contents

Номер патента: WO2009037282A3. Автор: Nicolas Rauber,Davy Ea,Eric Chatry. Владелец: Moet Hennessy. Дата публикации: 2009-07-23.

Foamable gel with an aqueous blowing agent expandable to form a unimodal styrenic polymer foam structure and a process for making the foam structure

Номер патента: US5380767A. Автор: Kyung W. Suh,Andrew N. Paquet. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-01-10.

Method for preparing peptide-polymer conjugate with stabilized α-helix secondary structure and peptide-polymer conjugate prepared thereby

Номер патента: US10266631B2. Автор: Young-Joo Lee,Yong-Beom Lim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-04-23.

Heat exchange structure, method for producing same, heat exchange device comprising such a structure and uses of same

Номер патента: US20160131444A1. Автор: Olivier Poncelet,Philippe Marty,Jean-Antoine Gruss,Nadia Caney,Remi Bertossi,Antoine Voirand. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for forming an interated resister having aligned body and contact

Номер патента: US6737327B2. Автор: Murty S. Polavarapu,Jonathan Maimon. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: WO2018187486A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix, Inc.. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: US20180282154A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming optical waveguide structure

Номер патента: US20240310579A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Hau-yan Lu,Wei-Kang Liu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming proximal anastomosis in prostheusing aorta in patients with occlusion of infrarenal division of atherosclerositic genesis

Номер патента: RU2664164C2. Автор: Михаил Сергеевич Михайлов,Владимир Юрьевич Ридель,Анар Бахрам оглы Мусаев. Владелец: Анар Бахрам оглы Мусаев. Дата публикации: 2018-08-15.

Method for building a timbre sample databank for a waveform table

Номер патента: US6020550A. Автор: Ming-Che Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for forming roller wheel tire

Номер патента: WO1999003663A1. Автор: Daniel Huang. Владелец: Daniel Huang. Дата публикации: 1999-01-28.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09965065B2. Автор: Zhen Liu,Tao Gao,Zhijun LV,Fangzhen Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Heat transfer element, method for forming the same and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US12111114B2. Автор: Po-Cheng Huang,Shin-Luh Tarng,Ian HU,Hung-Hsien Huang,Chien-Neng Liao,Jui-Cheng Yu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for forming nanoparticles using semiconductor manufacturing infrastructure

Номер патента: WO2014078789A1. Автор: Joy Cheng,Matthew E. Colburn,Alshakim Nelson,James L. Hedrick,Daniel J. Coady,Steven J. Holmes,Hareem T. MAUNE,Blake W. Davis. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Apparatus for forming an article

Номер патента: US6296466B2. Автор: Donald E. Weder,Frank Craig,Michael J. King. Владелец: Southpac Trust International Inc, Highland. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Systems and methods for optical tracking

Номер патента: US20240353532A1. Автор: Lu Lu,Xuan Wang,JIANG Zhu,Mengfei WANG,Junren WANG,Andrew John Ouderkirk,Tingling Rao,John Ho,Kimberly Kay CHILDRESS,Yuge HUANG,Xiayu FENG,Hsien-Hui Cheng,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Zhexin ZHAO,Zhaoyu Nie,Sawyer Miller,Prathmesh DESHMUKH,Zhaocheng LIU,Boon SHIU,Ali Altaqui,Paurakh Rajbhandary,Amir Shariffar,Sadegh Aghaei,II Raymond Smith,Zhuoliang Ni. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Photonic structure and method for forming the same

Номер патента: US20210088726A1. Автор: Chan-Hong Chern,Min-Hsiang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

A heated mould and use of said mould for forming fibre reinforced composites

Номер патента: EP2547499A1. Автор: Flemming Sorensen. Владелец: SSP Technology AS. Дата публикации: 2013-01-23.

Device for creating a stiffened region on an outer structure of an aircraft for subsequently providing a service access if required, and method for producing and using such a service access

Номер патента: US12116145B2. Автор: Christoph Meisner,Kay Dittrich,Sven Brinkmann,Mircea Calomfirescu. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing confectionery product

Номер патента: RU2670011C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2018-10-17.

Tester and method for calibrating probe card and device under testing (DUT)

Номер патента: US11852657B2. Автор: You-Hsien Lin,Shan ZHANG,wei chou Wang,Yung-Shiuan Chen,Tzu-Chia LIU,Hsin-Hsuan CHEN,Zhenzheng JIANG,Mingxiu ZHONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Device and method for fluid pressure forming of large-diameter thin-walled tubular part

Номер патента: NL2031228B1. Автор: Liu Gang,Wang Xiaosong,Wang Kehuan. Владелец: Harbin Inst Technology. Дата публикации: 2024-10-14.

Method for manufacturing laminated glass

Номер патента: RU2745956C1. Автор: Штефан ГИР,Уве Ван Дер Мелен,Рихард БРОККЕР,Роберт БЕСЛЕР,Рене БИШОФ,Штефан ЛУККЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-04-05.

Method for stent positioning in ostial stenting of renal artery from radial approach

Номер патента: RU2739274C1. Автор: Геннадий Григорьевич Хубулава,Сергей Сергеевич Михайлов,Андрей Николаевич Шишкевич,Кирилл Ленарович Козлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова" Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2020-12-22.

Method for reducing the interlayer interference in multilayer holograms

Номер патента: EP4088092A2. Автор: Fatih Omer Ilday,Onur TOKEL,Denizhan Koray KESIM,Ahmet TURNALI,Ozgun YAVUZ,Serim Kayacan ILDAY,Ghaith MAKEY,Parviz ELAHI. Владелец: Ihsan Dogramaci Bilkent Universitesi. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for reducing the interlayer interference in multilayer holograms

Номер патента: WO2021141565A3. Автор: Fatih Omer Ilday,Onur TOKEL,Denizhan Koray KESIM,Ahmet TURNALI,Ozgun YAVUZ,Serim Kayacan ILDAY,Ghaith MAKEY,Parviz ELAHI. Владелец: Ihsan Dogramaci Bilkent Universitesi. Дата публикации: 2022-01-06.

Pressurized gas introducing device, and injection molding method for moldings having hollow portion

Номер патента: US20050226954A1. Автор: Yoshihiro Kayano,Hiroyuki Imaizumi,Akimasa Kaneishi. Владелец: Mitsubishi Engineering Plastics Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Photonic structure and method for forming the same

Номер патента: US20240345322A1. Автор: Chan-Hong Chern,Min-Hsiang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for surgical removal of corneal pterygium with defect repair by intact bulbar conjunctiva

Номер патента: RU2736914C1. Автор: Алексей Викторович Тихонов,Мария Константиновна Сафонова. Владелец: Мария Константиновна Сафонова. Дата публикации: 2020-11-23.

Light-sensitive cross-linked polymeric structure (variations), method for preparation thereof, photoreactive component, their use, and a method for programming such a structure

Номер патента: RU2296141C2. Автор: Андреас ЛЕНДЛЯЙН,Хун нь ЦЗЯН,Хунянь ЦЗЯН,Оливер ЮНГЕР. Владелец: Мнемосайенс Гмбх. Дата публикации: 2007-03-27.

System and method for magnetohydrodynamic (MHD) printhead/nozzle

Номер патента: US12109615B2. Автор: Chu-heng Liu. Владелец: Additive Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for fastening structures

Номер патента: US09676469B2. Автор: Kent W. Benner. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for producing brake disc and brake disc

Номер патента: RU2678539C2. Автор: Иван БРЮГГЕН,Томаш Павел ГРАБЕЦ,Клеменс Мария ВЕРПОРТ,Томас ШЛЕФЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-01-29.

Composite material, method for manufacturing a product made of a composite material, and machine for manufacturing a product made of a composite material

Номер патента: US20230407040A1. Автор: Anthony Mahe,Charles Poisson. Владелец: STOROPACK HANS REICHENECKER GMBH. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for mounting a valve needle and a bearing bush in an expansion valve for an air conditioning system

Номер патента: US20210031313A1. Автор: Werner Schadler,Daniel Dobernig,Mario Wetzl. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2021-02-04.

System and method for magnetohydrodynamic (mhd) printhead/nozzle

Номер патента: US20220324031A1. Автор: Chu-heng Liu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

System and method for hydraulically removing socket from main shaft of gyrational crusher

Номер патента: RU2650557C2. Автор: Дэвид Фрэнсис БИГГИН. Владелец: Метсо Минералз Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2018-04-16.

Liner for a shaped charge and method for manufacturing a liner

Номер патента: CA3216006A1. Автор: Marcus Gustafsson,Victor BJÖRKGREN. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2022-10-27.

Liner for a shaped charge and method for manufacturing a liner

Номер патента: WO2022225438A1. Автор: Marcus Gustafsson,Victor BJÖRKGREN. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2022-10-27.

Nanocatalyst for partial oxidation of methane, method for preparing the nanocatalyst and method for partial oxidation of methane using the nanocatalyst

Номер патента: US11878295B2. Автор: Sang-Yup Lee,Hyesung Lee,Junsang Lee,Jeewon JU,Sukjun LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-23.

Nanocatalyst for partial oxidation of methane, method for preparing the nanocatalyst and method for partial oxidation of methane using the nanocatalyst

Номер патента: US20230139887A1. Автор: Sang-Yup Lee,Hyesung Lee,Junsang Lee,Jeewon JU,Sukjun LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for producing hydrogel having porous structure

Номер патента: US20240270911A1. Автор: Takamasa Sakai,Hiroyuki Kamata,Shohei Ishikawa,Kosuke Masui. Владелец: Gellycle Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for bonding rubber and adhesive for bonding rubber

Номер патента: US20230405941A1. Автор: Edgar Jakob. Владелец: HEJATEX GMBH. Дата публикации: 2023-12-21.

Toroidal mixed nanoparticle, method for preparing the same, and method for multifunctional delivery using the same

Номер патента: US20240165262A1. Автор: Yi-Ting CHIANG,Guan-Jhong Huang,Hui-Chang Lin. Владелец: CHINA MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for determining an isolated operating point associated with an isolated regime, method for determining an optimal set of parameters of a measurement means and system therefor

Номер патента: US20230196170A1. Автор: Tristan Meunier,Pierre-André MORTEMOUSQUE,Baptiste JADOT,Matias URDAMPILLETA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-22.

Substrate unit, preservation device and method for the cryopreservation of a biological sample

Номер патента: US09781918B2. Автор: Heiko Zimmermann,Axel Beier,Guenter R. Fuhr,Julia Neubauer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-10-10.

Filter device and method for operating a filter device

Номер патента: US09649580B2. Автор: Bernd Böhnke. Владелец: Outotec Finland Oy. Дата публикации: 2017-05-16.

Electrochemical method for producing micro-mesoporous copper with developed surface

Номер патента: RU2751399C1. Автор: Алексей Владимирович Руденко,Эдуард Алексеевич Карфидов,Евгения Валерьевна Никитина,Наталья Александровна Казаковцева,Анна Олеговна Руденко,Павел Николаевич Черненький. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-07-13.

System and method for feeding cardboards

Номер патента: WO2024138325A1. Автор: YIN Tian,Yuhao ZHAO,Wenyong ZHOU. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for bonding rubber and adhesive for bonding rubber

Номер патента: US20200180232A1. Автор: Edgar Jakob. Владелец: HEJATEX GMBH. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20150290939A1. Автор: Satoshi Ibe,Jun Yamamuro,Toshiaki Kurosu,Shiro Sujaku. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Compliant stamping tools, systems and methods for stamp forming a workpiece

Номер патента: US20240342974A1. Автор: Michael P. Matlack,Evan LLOYD,Emma L. Morrissey,Gregory J. Hickman,Andrew Gutknecht. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Compliant stamping tools, systems and methods for stamp forming a workpiece

Номер патента: EP4446099A1. Автор: Michael P. Matlack,Evan LLOYD,Emma L. Morrissey,Gregory J. Hickman,Andrew Gutknecht. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for checking the function of a sensor for detecting particles, and a sensor for detecting particles

Номер патента: US09964529B2. Автор: Michael Bessen,Mathias Klenk,Benjamin Gaertner,Karola Herweg. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-05-08.

Device and method for forming an immersion agent film

Номер патента: US09939625B2. Автор: Hendrik Herrmann,Reinold Wischnewski. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US09604454B2. Автор: Satoshi Ibe,Jun Yamamuro,Toshiaki Kurosu,Shiro Sujaku. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods for sealing a plurality of reservoirs of a microchip element with a sealing grid

Номер патента: US20190366335A1. Автор: Robert Farra. Владелец: Microchips Biotech Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Erecting method for corridor removal and suspension working platform reinforcement after super high-rise fire

Номер патента: LU506428B1. Автор: YAN Gao,PENG Wang,HUI Zhang,Chao Shi,Zhi Zheng,Jia Zhao,Han LV,Nanxiang LI,Dongyu Chen,Fugang YANG,Zhishun ZHOU,Honglei YANG,Junmei ZHANG,Xiaofan Lu,Xianchao LI,Baozuo Liu,Yirui Zhang,Tianzuo Sun. Владелец: China Railway No 9 Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for continuously casting a member from a settable material

Номер патента: US20230286188A1. Автор: Joseph Norris,Roderick Mcdonald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for providing virtual exhibition space utilizing 2.5 dimensional image

Номер патента: US20200082604A1. Автор: In Je CHO,Dong Ree KIM,Chi Hyung PARK. Владелец: Dift Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

System and method for providing virtual exhibition space utilizing 2.5 dimensional image

Номер патента: US20210312700A1. Автор: In Je CHO,Dong Ree KIM,Chi Hyung PARK. Владелец: Dift Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic head and method for producing the same

Номер патента: US20090239098A1. Автор: Tsutomu Komuro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Moulded product of thermoplastic and method for its manufacture

Номер патента: RU2143978C1. Автор: А.Г. Вонкен Хюб,Мюнтендам Хендрик-Ян,Ван Дер Хувен Йос,Пикве Удо. Владелец: Депрон Б.В.. Дата публикации: 2000-01-10.

Systems and methods for fabricating metallic microchannels

Номер патента: US20230042108A1. Автор: Brian Jensen,Henry Davis,Robert C. Davis,Richard Vanfleet,Nathan B. Crane,James Harkness,Isa Kohls. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for improving the appearance of the submandibular area of the human face

Номер патента: US20070167890A1. Автор: Sharon Ford Metters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for operating health-care device

Номер патента: US20220313550A1. Автор: Ching-Fu Tsai. Владелец: Tao Mining Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Hydrogel and method for preparing the same

Номер патента: US20200405608A1. Автор: Yudan YIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Sulfoxidation catalysts and methods for their preparation and use

Номер патента: US09982002B2. Автор: Rajan Deepan CHAKRAVARTHY,Dillip Kumar CHAND. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for reducing corrosion in a reactor system using fluid encasement

Номер патента: US09896633B2. Автор: Edwin X. Graf,Robert Thomas Kery. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing a beam shaping holographic optical element

Номер патента: US09541900B2. Автор: Friedrich-Karl Bruder,Marc-Stephan Weiser,Thomas Rölle,Dennis Hönel,Horst Berneth,Hyungseok Bang,Rainer Hagen,Günther Walze,Heejin Im,Guensik Lee,Thomas Peter FACKE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for braze joining of carbonate PCD

Номер патента: US09422770B2. Автор: Liang Zhao,Youhe Zhang,Yahua Bao,J. Daniel Belnap,Zhijun LIN. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for the manufacture of a fibre composite component, a supporting core, and also a fibre composite component

Номер патента: US09415552B2. Автор: Hermann Benthien,Axel Soeffker. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory built in self test circuit and method for generating a hardware circuit comprising the routing boxes thereof

Номер патента: US20070260924A1. Автор: Che-Chiang Chang,Jian-Dai Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for building stages of centrifugal radial turbines

Номер патента: EP2917497A1. Автор: Claudio SPADACINI,Dario RIZZI. Владелец: Exergy SpA. Дата публикации: 2015-09-16.

Method for building stages of centrifugal radial turbines

Номер патента: WO2014064567A1. Автор: Claudio SPADACINI,Dario RIZZI. Владелец: EXERGY S.P.A.. Дата публикации: 2014-05-01.

System and method for calibrating a laser scanning system

Номер патента: EP3046747A1. Автор: Sam Coeck,Kurt Renap. Владелец: Materialise NV. Дата публикации: 2016-07-27.

System and method for calibrating a laser scanning system

Номер патента: WO2015040185A1. Автор: Sam Coeck,Kurt Renap. Владелец: MATERIALISE N.V.. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for modifying thiol group

Номер патента: US20100022753A1. Автор: Yu-Wei Wu,Yu-Hui Tsai. Владелец: Taipei Medical University TMU. Дата публикации: 2010-01-28.

Microlens arrays and method for fabricating the same

Номер патента: US20240319411A1. Автор: Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing non-fluorine water repellent and fabric

Номер патента: US20200216585A1. Автор: Yi-Hsuan Chang,Hsiang-Chin Tsai,Pang-Chin LIU. Владелец: Far Eastern New Century Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

System and method for calibrating a laser scanning system

Номер патента: US09993976B2. Автор: Sam Coeck,Kurt Renap. Владелец: Materialise NV. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for Building stages of centrifugal radial turbines

Номер патента: US09932833B2. Автор: Claudio SPADACINI,Marco Rizzi. Владелец: Exergy SpA. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for searching faulty block in continuous dynamical system

Номер патента: RU2762532C1. Автор: Сергей Викторович Шалобанов,Сергей Сергеевич Шалобанов,Владислав Дмитриевич Блощинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2021-12-21.

Low pressure therapy device and methods for use thereof

Номер патента: RU2596054C2. Автор: Сара Дженни КОЛЛИНСОН,Кристофер Джон ФРАЙЕР,Дерек НИКОЛИНИ,Янник Луис ПЕРОН,Джули ЭЛЛЕН,Гордон Кэмпбэлл АДИ,Виктория БИДЛ,Эдвард Ербури ХАРТВЕЛЛ,Элизабет Энн Фиф ДЖЕННИНГС. Владелец: Смит Энд Нефью Плс. Дата публикации: 2016-08-27.

Design and method for underwater activity

Номер патента: RU2605471C1. Автор: Евгений Лыков. Владелец: Уотербокс Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for quantitative determination of the content of trichloroethylene and tetrachloroethylene in atmospheric air by gas chromatography with electron capture detection

Номер патента: RU2757237C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Татьяна Валентиновна Нурисламова,Нина Анатольевна Попова,Ольга Андреевна МАЛЬЦЕВА. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for production of biocomposite spheroids for bone restoration

Номер патента: RU2747087C1. Автор: Алексей Вячеславович Ковалев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Международный Центр Медицинских Исследований И Разработок" (Ооо "Мц Миир"). Дата публикации: 2021-04-26.

Method for determining physical parameters of drop sample of metal melt and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2757008C1. Автор: Аркадий Моисеевич Поводатор,Владимир Викторович Вьюхин,Владимир Степанович Цепелев,Екатерина Александровна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2021-10-08.

Method for solid maltitol production from starch

Номер патента: RU2631825C2. Автор: Луиджи НАТАЛОНИ,Тициано ФУРЛАН,Патрициа ТОЛОМЕЛЛИ. Владелец: Карджилл, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-09-26.

System and method for increasing force on downhole tool

Номер патента: CA3236412A1. Автор: Matthew Carroll McCarthy,Sean Gray BORSCHNECK. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Liner for a shaped charge and method for manufacturing a liner

Номер патента: SE545269C2. Автор: Marcus Gustafsson,Victor BJÖRKGREN. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2023-06-13.

Pool cover attachment features and methods for frameless pool covers

Номер патента: US20240254792A1. Автор: Clint Martin,Ryan Gemmell,Brett Milliman. Владелец: Sentry Covers LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for forming variable spaced relief patterns with a single tool pair and articles produced thereby

Номер патента: US20070084360A1. Автор: Steve Dewitt. Владелец: Northwest Door Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Trailer hitch assembly and method for connecting a tractor vehicle and a trailer vehicle with force dampening capabilities

Номер патента: US20030030248A1. Автор: Smith Jerry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

System and method for increasing force on downhole tool

Номер патента: EP4423362A1. Автор: Matthew Carroll McCarthy,Sean Gray BORSCHNECK. Владелец: Services Petroliers Schlumberger SA. Дата публикации: 2024-09-04.

Devices, systems, and methods for combining and/or delivering injectable materials

Номер патента: US20240358922A1. Автор: Benjamin Cleveland,Rohit Bhardwaj,Nitesh Ghananil BAVISKAR,Junaid Mohammed Shaikh,Sanjay Kumar Chandra,Katie KNOWLES,Marshall O'Hearn. Владелец: Boston Scientific Medical Device Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for production of biuret with usage carbamide as the source product and the device for the method realization

Номер патента: RU2292335C2. Автор: Чун-хьюк ЛИ,Санг-Йин ХАН. Владелец: Й энд Й КЕМИКАЛ КО.,ЛТД.. Дата публикации: 2007-01-27.

Improvements in and relating to Appliances for Manufacturing Tobacco Pipes, and for Forming Rolls for making Tobacco Pipes, Artist's Crayons, and the like.

Номер патента: GB190126124A. Автор: Robert Henry Laing. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-03-21.

Improvement for Forming Joints in India-rubber Tubes for Bicycle Tyres and the like.

Номер патента: GB189910835A. Автор: James Henry Medlock. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-01-20.

Method for changing over switch-type high-voltage semiconductor structures (options)

Номер патента: RU2113744C1. Автор: Алексей Федорович Кардо-Сысоев,Владимир Михайлович Ефанов. Владелец: Владимир Михайлович Ефанов. Дата публикации: 1998-06-20.

Method for production of concrete and reinforced concrete items, monolithic structures and works

Номер патента: RU2378229C1. Автор: Олег Альбертович Жупник,Виктор Рудольфович Кялов. Владелец: Виктор Рудольфович Кялов. Дата публикации: 2010-01-10.

Method for determining thermo-physical properties of multi-layered building structures and products

Номер патента: RU2287807C1. Автор: Алексей Владимирович Чернышов,Алена Сергеевна Слонова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" (ГОУ ВПО ТГТУ). Дата публикации: 2006-11-20.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCTION OF RIGID POLYURETHANE FOAMS AND THE USE THEREOF

Номер патента: US20120004334A1. Автор: KRAMER HANS. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR SEPARATING SURFACE LAYERS IN PRODUCTS OF THE FOOD INDUSTRY

Номер патента: US20120000331A9. Автор: Grabau Thomas. Владелец: NORDISCHER MASCHINENBAU RUD. BAADER GMBH + CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

AQUEOUS FORMULATION FOR AN ANTIFOULING COATING SYSTEM FOR SUBMERGED SUBSTRATES, METHOD FOR TREATING SAME, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120004357A1. Автор: Roulleaux Veronique,Frangoulis Patrick. Владелец: SEAWAX MARINE COATINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for increasing reliability of liquid industrial waste storage unit

Номер патента: RU2442857C1. Автор: Василий Петрович Ягин. Владелец: Василий Петрович Ягин. Дата публикации: 2012-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.