Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1
Опубликовано: 18-11-2021
Автор(ы): Teng-Yen Huang
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170213790A1. Автор: Carlos H. Diaz,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Three-dimensional memory device with support structures in slit structures and method for forming the same

Номер патента: US20200395374A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US09978684B2. Автор: Changseop YOON,Boram IM,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Conductive line structures and methods of forming the same

Номер патента: US8884377B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seong-Min Jo,Joon-Hee Lee,Sok-Won LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-11.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20220123020A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Stacked semiconductor devices with topside and backside interconnect wiring

Номер патента: US20230352406A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with multi-layer etch stop structure and method for forming the same

Номер патента: US20210118728A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Po-Cheng Shih,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for cell boundary encroachment and semiconductor devices implementing the same

Номер патента: US09530795B2. Автор: Scott T. Becker,Jonathan R. Quandt,Dhrumil Gandhi. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with microelectromechanical systems (mems) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US20200024135A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with microelectromechanical systems (mems) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US20200346925A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device including joint portion between conductive connection structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20230260956A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307391A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057415B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180145128A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100571401B1. Автор: 김봉준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100536625B1. Автор: 남상우. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with multi-layer connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220020636A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865594B2. Автор: Sang-hoon Ahn,Yong-Kong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device including power grid structure and method of fabricating

Номер патента: US20240258200A1. Автор: Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Ren-Zheng Liao,Yung-Fong Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11942530B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8058137B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8709880B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR101096232B1. Автор: 이현민,이현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100954417B1. Автор: 박반석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-26.

Method for fabricating interconnection of semiconductor device having improved interconnection reliability

Номер патента: KR100660915B1. Автор: 이정은,위영진,김태범,문영준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR100739936B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240274191A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: WO2024172891A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11450595B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202360A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Theuss Horst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328226A1. Автор: Park In-Su,KIM Jong-Gi,KIM Hai-Won,JEONG Hoe-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8557632B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having esd protection structure

Номер патента: US20170062405A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Printed wiring board, method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US09706663B2. Автор: Takashi Kariya,Hajime Sakamoto,Makoto Terui,Masatoshi Kunieda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Structure and method for diminishing delamination of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09627299B1. Автор: Kyle Mitchell Flessner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having a sub-chip-scale package structure and method for forming same

Номер патента: US6064114A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US20170194283A1. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods for fabrication of semiconductor structures including interposers with conductive vias, and related structures and devices

Номер патента: US8970045B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-03-03.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Process for fabricating small geometry semiconductor devices

Номер патента: US3858304A. Автор: Hayden M Leedy,Jr Loren G Mccray,Harry L Stover. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-01-07.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20110199116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Zeev Wurman. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor structure and method for use in fabricating semiconductor structure

Номер патента: WO2018195701A1. Автор: 程凯,向鹏. Владелец: 苏州晶湛半导体有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods for manufacturing and operating a semiconductor device

Номер патента: US09595835B2. Автор: Karl-Heinz Allers,Reiner Schwab. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431281B2. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing an SGT-including semiconductor device

Номер патента: US09514944B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing silicon carbide (SiC) semiconductor device by introducing nitrogen concentration of 5X1019 cm-3 or more at a boundary surface between thermal oxide film and the SiC substrate and then removing the thermal oxide film

Номер патента: US09496366B2. Автор: Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers

Номер патента: US4135954A. Автор: Augustine W. Chang,Arun K. Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Apparatus for polarizing a semiconductor wafer and method for fabricating a magnetic semiconductor device

Номер патента: US20200365797A1. Автор: Keith Kuang-Kuo Koai,Wen-Chih Wang,Jim-Wei Wu,Chia-Hsun Chang,Li Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09530850B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for fabricating a circular printed memory device with rotational detection

Номер патента: US11075210B2. Автор: Markus R. Silvestri,Christopher David Blair. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09536774B2. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: WO2009073773A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having needle-shaped first field plate structures and needle-shaped second field plate structures

Номер патента: US20220376062A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device including pixels, microlenses, and a monitoring structure, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9276028B2. Автор: Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor devices having contact plugs overlapping associated bitline structures and contact holes and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490256B2. Автор: Sung-Un Kwon,Jung-Woo Seo,Jun-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing a sensor device with a buried deep trench structure and sensor device

Номер патента: EP3828932A1. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-02.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor Device Having an Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20180061823A1. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device having vertical mosfet with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150333153A1. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device with asymmetric strained source/drain structure and fabrication method

Номер патента: US10903362B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor Device with Spicular-Shaped Field Plate Structures and a Current Spread Region

Номер патента: US20200373396A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device with spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: EP3742500A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-25.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20160181408A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device

Номер патента: EP1615260A3. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried termination structures and related methods

Номер патента: WO2018106326A1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,David J. LICHTENWALNER. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US20090209067A1. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US7951684B2. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-05-31.

Method of manufacturing semiconductor devices having contact plugs overlapping associated bitline structures and contact holes

Номер патента: US10446558B2. Автор: Sung-Un Kwon,Jung-Woo Seo,Jun-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device including gate electrode having a laminate structure and plug electrically connected thereto

Номер патента: US8203189B2. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-19.

Three-dimensional memory device with drain-select-level isolation structures and method of making the same

Номер патента: US20200251489A1. Автор: Tomohiro Kubo,James Kai,Masanori Tsutsumi,Shigehisa Inoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US20130034936A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US8361839B1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210225795A1. Автор: Otremba Ralf,Frank Paul,HEINRICH Alexander,Langer Gregor,Pedone Daniel,Ludsteck-Pechloff Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242111A1. Автор: Wedi Andre,Unrau Arthur,Ehlers Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Power semiconductor device and method for fabricating a power semiconductor device

Номер патента: EP3859776A1. Автор: Arthur Unrau,Carsten Ehlers,Andre Wedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Methods for reducing heat transfer in semiconductor assemblies, and associated systems and devices

Номер патента: US20210343692A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: EP1239517A3. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: TW541678B. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-11.

Method for fabricating thermally enhanced semiconductor device

Номер патента: US7396700B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: US20030203541A1. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for Manufacturing Heat Dissipation Structure of Electronic Element, Heat Dissipation Structure, and Electronic Device

Номер патента: US20240298424A1. Автор: Junjie Yang,Erliang LI,Hanghang DONG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with a multiple nanowire channel structure and methods of variably connecting such nanowires for current density modulation

Номер патента: US09508712B2. Автор: Nicholas Vincent LICAUSI,Jeremy Austin Wahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Leadframe for optical semiconductor device, method for manufacturing leadframe for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201218463A. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Akira Tachibana,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201029139A. Автор: Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Kazuhiro Koseki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with semiconductor body and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20100078756A1. Автор: Gerhard Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for producing bipyridine derivative, method for producing macrocyclic compound, method for producing metal complex containing macrocyclic compound as ligand, metal complex, electrode for air battery, and air battery

Номер патента: US20240247019A1. Автор: Koji Ishiwata,Norifumi Kobayashi,Kentaro MASE. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing a TEM-lamella and assembly having a TEM-lamella protective structure

Номер патента: US09570269B2. Автор: Lorenz Lechner. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing NdFeB rare earth permanent magnetic device with composite plating

Номер патента: US09938625B2. Автор: Xiaodong Chen,Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material

Номер патента: US09755398B2. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

A method for determining the association of a sensor device with an electric battery unit

Номер патента: SE544597C2. Автор: Gunnar Ledfelt,Per Nordvall,Mathias Eggeling. Владелец: Man Truck & Bus Se. Дата публикации: 2022-09-20.

A method for determining the association of a sensor device with an electric battery unit

Номер патента: US20240069114A1. Автор: Gunnar Ledfelt,Per Nordvall,Mathias Eggeling. Владелец: MAN Truck and Bus SE. Дата публикации: 2024-02-29.

A method for determining the association of a sensor device with an electric battery unit

Номер патента: EP4264775A1. Автор: Gunnar Ledfelt,Per Nordvall,Mathias Eggeling. Владелец: MAN Truck and Bus SE. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: CN102687271A. Автор: 西格弗里德·赫尔曼,曼弗雷德·朔伊贝克. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: EP2499668A1. Автор: Siegfried Herrmann,Manfred Scheubeck. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

Method for fabricating micropump of semiconductor device

Номер патента: KR0169818B1. Автор: 정태경,윤종상. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having vertical channel and air gap, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09634024B2. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jae-Goo Lee,Chung-Jin Kim,Moo-Rym Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for fabricating micro-devices

Номер патента: US09487394B2. Автор: Chris Yu. Владелец: Shanghai Xinshenpai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080850A1. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US12094941B2. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12040412B2. Автор: Jian-Ting CHEN,Yu-Lung Wang,Yao-Ting Tsai,Yuan-Huang Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Device and methods for small trench patterning

Номер патента: US09478459B2. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09818764B2. Автор: Seyeoul Kwon,Heeseok Yang,Sangcheon Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09544994B2. Автор: Seyeoul Kwon,Heeseok Yang,Sangcheon Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20210119010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for forming etch stop layers, semiconductor devices having the same, and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20140197470A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuit devices with protection liner between doped semiconductor regions

Номер патента: US20240105718A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI282604B. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-11.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503170A. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US11895826B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220037331A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of manufacturing semiconductor devices using cavities to distribute conductive patterning residue

Номер патента: US09515255B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Sangmin Lee,Insun Park,Eunsun Noh,Byoungjae Bae,Shin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20130264649A1. Автор: Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9064734B2. Автор: Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-23.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing an electronic device

Номер патента: US09769931B2. Автор: Chrystel Deguet,Franck Fournel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Selection of optimal quantization direction for given transport direction in a semiconductor device

Номер патента: US20060102985A1. Автор: Steven Laux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor strucutre, and memory

Номер патента: US20240074164A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device having electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190057960A1. Автор: Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Materials and methods for the preparation of nanocomposites

Номер патента: WO2012158847A3. Автор: Dmitri V. Talapin,Angshuman Nag. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Materials and methods for the preparation of nanocomposites

Номер патента: US09882001B2. Автор: Dmitri V. Talapin,Angshuman Nag. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-01-30.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US12146092B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabrication of CMOS devices having minimized drain contact area

Номер патента: US5573969A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby

Номер патента: US20140047711A1. Автор: Dongkai Shangguan,Samuel Waising Tam. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for mounting protective covers on image capture devices and devices manufactured thereby

Номер патента: WO2007120587A2. Автор: Dongkai Shangguan,Samuel Waising Tam. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601A3. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601B1. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: EP1815503A2. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Wet cleaning method for cleaning small pitch features

Номер патента: US09558927B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8232596B2. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-31.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230040214A1. Автор: Heung Ju LEE,Jun Seok Oh,Wan Sup SHIN,Jong Gi Kim,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120223383A1. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20100163989A1. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240347635A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure and method for forming the same

Номер патента: US11777004B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Jian-Hao Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material and method of making the same

Номер патента: US11862674B2. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240120329A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures

Номер патента: EP0762510B1. Автор: Ljubisa Ristic,Frank A. Shemansky, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-11-06.

Method for forming LDD CMOS

Номер патента: US6020231A. Автор: Chih-Hsien Wang,Min-Liang Chen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Systems And Methods For Fabricating Nanometric-Scale Semiconductor Devices With Dual-Stress Layers Using Double-Stress Oxide/Nitride Stacks

Номер патента: US20090026548A1. Автор: Seung-Chul Song,Joel Barnett,Byong Sun Ju. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165684A1. Автор: Kai-Kuang Ho,Jen-Hsien Chang,Meng-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Toshihiro Ito,Takahiko Mitsui,Yoshihiro TERAKUBO. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: US09575410B2. Автор: Takahiro Sasaki,Tatsuya Hirata,Satoshi Shibui,Taisuke Yamada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and capacitor fabricated thereby

Номер патента: KR100281906B1. Автор: 이병택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Method for determining a preceding wafer, method for determining a measuring wafer, and method for adjusting the number of wafers

Номер патента: US20030203514A1. Автор: Shigeru Matsumoto,Hiroaki Ishizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device having buried gate electrode structures

Номер патента: US20150145029A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150262996A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for estimating the diffusion length of metallic species within a three-dimensional integrated structure, and corresponding three-dimensional integrated structure

Номер патента: US20150137330A1. Автор: Léa Di Cioccio,Cedrick Chappaz,Laurent-Luc Chapelon,Rachid Taibi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for estimating the diffusion length of metallic species within a three-dimensional integrated structure, and corresponding three-dimensional integrated structure

Номер патента: US20130181220A1. Автор: Léa Di Cioccio,Cedrick Chappaz,Laurent-Luc Chapelon,Rachid Taibi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for estimating the diffusion length of metallic species within a three-dimensional integrated structure, and corresponding three-dimensional integrated structure

Номер патента: US8916393B2. Автор: Léa Di Cioccio,Cedrick Chappaz,Laurent-Luc Chapelon,Rachid Taibi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614090B2. Автор: Ju-youn Kim,Sang-jung KANG,Ji-Hwan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for estimating the diffusion length of metallic species within a three-dimensional integrated structure, and corresponding three-dimensional integrated structure

Номер патента: US09431373B2. Автор: Léa Di Cioccio,Cedrick Chappaz,Laurent-Luc Chapelon,Rachid Taibi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming thin film encapsulation multilayer and method for fabricating flexible organic semiconductor device

Номер патента: KR101207209B1. Автор: 허욱,설영국,이내응. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-12-03.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Method of fabricating a semiconductor device using masked deposition

Номер патента: WO2024039396A1. Автор: Pasi KOSTAMO,Flavio Griggio,David Johannes VAN WOERKOM,Naganivetha Thiyagarajah,Maren Elisabeth KLOSTER,Shivendra UPADHYAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210257246A1. Автор: Hsin-ying Ho,Cheng-Ling Huang,Ying-Chung Chen,Chang Chin TSAI,Wei Ling MA. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243008A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11728456B2. Автор: Meng-yang CHEN,Yuan-Ting Lin. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device

Номер патента: GB2230136A. Автор: Kazushi Kataoka,Takuya Komoda,Masahiko Suzumura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-10-10.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Integrated electronic device with an improved conductive contact structure and related manufacturing process

Номер патента: EP4439674A1. Автор: Magali Gregoire,Simone Dario Mariani,Davide FAGIANI,Theo CABARET. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY

Номер патента: US20130071972A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,NAGAI Hisao. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105798A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130161630A1. Автор: NISHIDA Kenichirou. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054590A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

APPARATUS FOR POLARIZING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365797A1. Автор: KOAI KEITH KUANG-KUO,WANG WEN-CHIH,WU JIM-WEI,TSENG LI,CHANG CHIA-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US6188090B1. Автор: Takashi Eshita,Shinji Miyagaki,Kazuaki Takai,Satoshi Ohkubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for fabricating non-volatile memory unit device with metal nano particle

Номер патента: KR100696965B1. Автор: 김재훈,김은규,윤갑수. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-03-20.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

Vertical field-effect transistor devices with non-uniform thickness bottom spacers for increased device performance

Номер патента: US20200279779A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Process for fabrication of split-gate virtual phase charge coupled devices

Номер патента: US20010031517A1. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20120032294A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EPITAXIAL LAYER AND SILICON LAYER HAVING SAME CRYSTALLINE ORIENTATION

Номер патента: US20170040346A1. Автор: Lin Yu-Ming,Wang Jen-Yu,Huang Cheng-Tung,Yang Ya-Ru,Weng Wen-Yin,Wu Yi-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Flexible Display Device with Side Crack Protection Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20180053790A1. Автор: Youn Sangcheon,Yang HeeSeok,Kwon SeYeoul. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Flexible Display Device with Side Crack Protection Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20180076229A1. Автор: Seyeoul Kwon,Heeseok Yang,Sangcheon Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Flexible Display Device with Side Crack Protection Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20170077147A1. Автор: Seyeoul Kwon,Heeseok Yang,Sangcheon Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104764A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200168450A1. Автор: Lin Chun-Ling,Huang Hsin-Fu,Lin Ko-Wei,Chen Kuan-Hsiang,Su Sheng-Yi,Kao Pei-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257251A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307777A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7986042B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-07-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8148728B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8373230B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8461035B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8298875B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Paul Lim. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US9029173B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Ze'ev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100289064A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8294159B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8378494B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8703597B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100500940B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100533981B1. Автор: 김주성,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244251B1. Автор: 주재현,선정민. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100886641B1. Автор: 박상수,정중택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100818076B1. Автор: 서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100390458B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425826B1. Автор: 유용식,박영진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100318455B1. Автор: 이상익,안기철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308131B1. Автор: 박종범,주재현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Номер патента: KR100546723B1. Автор: 서영훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for fabricating silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100563095B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100286011B1. Автор: 김기범,황철주. Владелец: 주성엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-04-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100437616B1. Автор: 이경원,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582404B1. Автор: 조호진,김해원,이태혁,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100541679B1. Автор: 동차덕,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100588646B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101096230B1. Автор: 이상도,이기준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100368978B1. Автор: 정연우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100548598B1. Автор: 유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881751B1. Автор: 이상익,박형순,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100949901B1. Автор: 박동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20040059848A. Автор: 김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20060001109A. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100516230B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100911675B1. Автор: 최선호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20070002701A. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100585002B1. Автор: 황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-29.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100540476B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for fabricating high-performance semiconductor device by reducing junction capacitance

Номер патента: KR100448090B1. Автор: 임지운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100887052B1. Автор: 김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating high speed semiconductor device

Номер патента: KR20110077966A. Автор: 진승우,주영환,이안배,장일식,차재춘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for fabricating non-volatile semiconductor device

Номер патента: KR100302188B1. Автор: 최용석,김동준,유종원,정칠희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866126B1. Автор: 이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-31.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945921B1. Автор: 신재천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: EP1024523A1. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-08-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100597462B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702134B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100401528B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100425153B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359784B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100506873B1. Автор: 박동수,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100955922B1. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100701779B1. Автор: 박래춘,최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881830B1. Автор: 이성욱,유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of capacitor and avoid loss of oxide layer under capacitor

Номер патента: KR100449179B1. Автор: 이정석,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for fabricating locos of semiconductor device

Номер патента: KR100632684B1. Автор: 성웅제. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100540334B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100552857B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100418924B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100326239B1. Автор: 선호정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636683B1. Автор: 서혜진,김재수,은용석,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881829B1. Автор: 노용주,김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636685B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100607367B1. Автор: 김상욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating hole pattern semiconductor device

Номер патента: KR101708375B1. Автор: 선준협. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating mosfet in semiconductor device

Номер патента: KR100228334B1. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101067022B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-26.

method for fabricating Capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100328597B1. Автор: 구병수,안중일,곽선우,현경호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-15.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20100078496A. Автор: 박종범,송한상,박종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100762236B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR101096256B1. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100679829B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881735B1. Автор: 조광준,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: US6624494B2. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: US20040171258A1. Автор: Nam-kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP0472221A3. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-13.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100744068B1. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520600B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100722997B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811271B1. Автор: 서혜진,박동수,이은아,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20040137679A1. Автор: Sang-Deok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101129021B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100968411B1. Автор: 이종민,신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100849187B1. Автор: 한상엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100732748B1. Автор: 정현진,김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100589495B1. Автор: 최승철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR20110001142A. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100655070B1. Автор: 김동규,심광보,황재희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20010103978A. Автор: 배명광. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811260B1. Автор: 김영대,김해원,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100620659B1. Автор: 신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Номер патента: US3370995A. Автор: Carl J Lowery,Billy B Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-02-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100505397B1. Автор: 홍권,조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: CN1577799A. Автор: 李南宰,朴启淳. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200623338A. Автор: Jong-Min Lee,Jong-Bum Park,Hyung-Bok Choi,Kee-Jeung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100519644B1. Автор: 하승철. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-07.

Method for fabricating contacts of semiconductor device

Номер патента: KR100679941B1. Автор: 박수영,이홍구,박원성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101910499B1. Автор: 임성원,이효석,염승진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for fabricating pattern in semiconductor device using spacer

Номер патента: KR100945928B1. Автор: 서혜진,김수호,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

MIM capacitor and method for fabricating the same, semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR102131078B1. Автор: 이진수,이현석,이종명,김태균,박동균. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: CN1542906A. Автор: ,朴南奎. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-03.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100801306B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP1193771B1. Автор: Takayuki c/o Fujitsu Quantum Devices Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20000039797A. Автор: 이동호,장환수,길명군. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-05.

Method for fabricating bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100670708B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: AU2544900A. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: INTERUNIVERSITAIRE MICROELEKTR. Дата публикации: 2000-08-18.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200411819A. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582352B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6794241B2. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US6936517B2. Автор: Tae Woo Kim,Chee Hong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100364797B1. Автор: 박상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101075528B1. Автор: 홍권,김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100295136A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase capacitance

Номер патента: KR100399917B1. Автор: 김재옥,은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating capasitor of semiconductor device

Номер патента: KR100985409B1. Автор: 구성민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6913963B2. Автор: Sang Ho Woo,Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: KR101070305B1. Автор: 김광옥,강혜란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: EP1433201A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628220B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100612941B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520590B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US7232731B2. Автор: Sang Gi Lee,Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7332761B2. Автор: Nam-Jae Lee,Kye-Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-19.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100361081B1. Автор: 구병수,윤정훈,권수영,곽선우. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-18.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308496B1. Автор: 이정석,백현철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for fabrication of a semiconductor device.

Номер патента: NL1006758C2. Автор: Takayuki Gomi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for fabricating trench of semiconductor device

Номер патента: KR100826790B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for fabricating dual-gate semiconductor device

Номер патента: US20080197420A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mong Song Liang,Chen-Nan Yeh,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20060114180A. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for fabricating capacitors of semiconductor device

Номер патента: GB0027297D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100744038B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor devices

Номер патента: KR100861356B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for fabricating high integrated semiconductor device including floating body transistor

Номер патента: KR101024821B1. Автор: 김중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: GB9512769D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-23.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100361765B1. Автор: 김태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: CN100407407C. Автор: 张世亿,郑台愚,金明玉,李圣权. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN1976008A. Автор: 李起正. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100451515B1. Автор: 김종봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100518235B1. Автор: 김해원,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100507365B1. Автор: 전범진,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

The method for fabricating pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100914295B1. Автор: 박찬하,윤형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to prevent sidewall fence from being collapsed by etch damage

Номер патента: KR100448858B1. Автор: 남기원,이기엽,김광철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100525299B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100337201B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating sidewall of semiconductor device

Номер патента: KR100503748B1. Автор: 정명진. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and structure of the same

Номер патента: CN1158498A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-03.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100358568B1. Автор: 안중진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100273286B1. Автор: 김낙섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for fabricating optical pump semiconductor device

Номер патента: TW200742211A. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Ulrich Steegmueller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702128B1. Автор: 이수재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN101154568A. Автор: 朴东洙,朴哲焕,李银儿,徐惠真. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100879744B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for fabricating RF MOS semiconductor device

Номер патента: KR100613352B1. Автор: 윤여조. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US11791201B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI261351B. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-01.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503237A. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Three-dimensional memory device with electrically isolated support pillar structures and method of making thereof

Номер патента: US09978766B1. Автор: Takeshi Kawamura,Naohiro Hosoda,Kota Funayama,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CHARGE CARRIER COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Willmeroth Armin,Kapels Holger,RUEB Michael. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods for manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US8349671B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device with improved breakdown properties and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014785A1. Автор: Peter Moens,Filip Bauwens,Joris Baele,Marnix Tack. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure and method of forming

Номер патента: KR960032767A. Автор: 버리욘 길버트 퍼시,지. 와이. 쯔이 폴,선 시-웨이,지. 재미슨 스테픈. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1996-09-17.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Formation method of semiconductor device structure with semiconductor nanostructures

Номер патента: US11978773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Device with Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20150294966A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Weyers Joachim,Schmitt Markus,TILKE Armin,Bertrams Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Hybrid bulk/SOI device with a buried doped layer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2477216A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Hoenlein,Gerhard Enders. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-07-18.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device structure with channel and method for forming the same

Номер патента: US11843032B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huang-Siang LAN,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9368412B2. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Device and Methods for Small Trench Patterning

Номер патента: US20140199827A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

Device and Methods for Small Trench Patterning

Номер патента: US20140035054A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Device and methods for small trench patterning

Номер патента: US20130175637A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20210202731A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device structure with channel and method for forming the same

Номер патента: US20240063263A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huang-Siang LAN,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device having a saddle fin shaped gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110306178A1. Автор: Seung Joo Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US12010829B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150371903A1. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Integrated semiconductor device with vertical npn and pnp structures and method for its production

Номер патента: DE2861117D1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-10.

Process for fabricating power-mos semiconductor device and device obtained therewith

Номер патента: KR100202048B1. Автор: 귀세페페르라,카르멜로마르고,파올로란자. Владелец: 에세지에세-톰슨미크로엘렉트로닉수에세.에르.엘. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Method for forming a capacitor for semiconductor devices with diffusion barrier layer on both sides of dielectric layer

Номер патента: US6479364B2. Автор: Dong Woo Shin,Seung Joon Jeon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor device with carbon liner over gate structure and method for forming the same

Номер патента: US11456298B2. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Power semiconductor device with thick top-level metal design and method for producing such a power semiconductor device

Номер патента: CN107636806B. Автор: S.马蒂亚斯,C.帕帕多波洛斯,C.克瓦斯塞,A.科普塔. Владелец: ABB Grid Switzerland AG. Дата публикации: 2021-03-12.

A semiconductor device with have buried gate electrode structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: KR101557861B1. Автор: 염계희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US11908702B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for Manufacturing a Sensor Device with a Buried Deep Trench Structure and Sensor Device

Номер патента: US20210167117A1. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing a sensor device with a buried deep trench structure and sensor device

Номер патента: US11869919B2. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20160372486A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20160156350A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230352482A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230009077A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Shih-Chuan CHIU,Hsu-Kai Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12027583B2. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

METHOD FOR FILLING RECESSED FEATURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A LOW-RESISTIVITY METAL

Номер патента: US20220139776A1. Автор: "OMeara David L.",Leusink Gerrit J.,Wajda Cory,ZANDI Omid,Yu Kai-Hung,Higuchi Hisashi,Aizawa Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD FOR FILLING RECESSED FEATURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A LOW-RESISTIVITY METAL

Номер патента: US20200118871A1. Автор: Wajda Cory,Clark Robert,Tapily Kandabara,"OMeara David",Yu Kai-Hung,Hakamata Takahiro,Joy Nicholas,Pattanaik Gyanaranjan,Leusink Gerrit. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD FOR FILLING RECESSED FEATURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A LOW-RESISTIVITY METAL

Номер патента: US20220301930A1. Автор: Leusink Gerrit J.,Clark Robert D.,Wajda Cory,NIIMI Hiroaki,HAN Yun,Liu Eric Chih-Fang,Chang Shihsheng,Yu Kai-Hung,ZHANG Henan,Trickett Ying,Pattanaik Gyanaranjan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Method for forming gate electrode of semiconductor device with cobalt silicide

Номер патента: KR100548546B1. Автор: 김재영,전범진,송운영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for stamping and integrally molding top cover sheet, battery top cover structure and manufactoring method thereof

Номер патента: SE2330173A1. Автор: Hang Liu,Shiya HE. Владелец: Ningbo Zhenyu Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for operating an energy supply device

Номер патента: US20220302471A1. Автор: Barnaby Law,Ann-Kathrin Henss. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2022-09-22.

Materials and methods for the preparation of nanocomposites

Номер патента: EP2430112A2. Автор: Maksym V. Kovalenko,Jong-Soo Lee,Dmitri V. Talapin,Chengyang Jiang. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2012-03-21.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140321493A1. Автор: Matsumoto Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Method for operating an energy supply device

Номер патента: US11824230B2. Автор: Barnaby Law,Ann-Kathrin Henss. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for use in binding internet of things devices with identities associated with users

Номер патента: US20210021589A1. Автор: Sandeep Malhotra,Prashant Sharma,Rajat Maheshwari. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12082414B2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for providing a gas-insulated high voltage device with increased dielectric strength and gas-insulated high voltage device provided by said method

Номер патента: EP4412010A1. Автор: Michael GATZSCHE,Ulrich Straumann. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for controlling a technical function of a device with a computing unit

Номер патента: WO2024052492A1. Автор: Christian Adler. Владелец: Twinu GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: WO2021144562A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Licensing Limited. Дата публикации: 2021-07-22.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: EP4090513A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Apparatus, system, and method for extending hold-up times for computing devices with redundant power supply units

Номер патента: US20240313573A1. Автор: Jaspal S. Gill,Siri Subrahmanyam Vadlamani,Prakash B. Kamanuri. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus, system, and method for extending hold-up times for computing devices with redundant power supply units

Номер патента: EP4432048A1. Автор: Siri Subrahmanyam Vadlamani,Prakash B KAMANURI,Jaspal S GILL. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for controlling wireless network devices and control device with wireless network function

Номер патента: US09445440B2. Автор: Wei-Cheng Huang,Mei-Yi Tsai,Shang-Yuan YUAN. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for communication of at least one mobile device with a mobile network base station, and vehicle

Номер патента: US20240284261A1. Автор: Osman Aydin. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for supplying uninterrupted power to a PoE device with active power negotiation and extended range

Номер патента: US09735618B2. Автор: Michael Kanarellis,Charles I. Mcandrew. Владелец: Btu Research LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240276725A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Communication server and method for secure authentication and identification of a device with an internet platform

Номер патента: EP3681185A1. Автор: Javier Garcia Puga,José RODRIGUEZ PÉREZ,Antonio José LOPEZ NAVARRO,Arsene LAURENT,Jorge Antonio RIVERA. Владелец: Telefonica Digital Espana SL. Дата публикации: 2020-07-15.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A3. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for controlling a technical function of a device with a computing unit

Номер патента: EP4336772A1. Автор: Christian Adler. Владелец: Twinu GmbH. Дата публикации: 2024-03-13.

Three-dimensional memory devices with drain-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: EP4290998A2. Автор: Jianzhong Wu,Zongke Xu,Jingjing Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: US20230043945A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatus and method for compensating touch error in an electronic device with a touch screen

Номер патента: EP2626773A3. Автор: Jong-Dae Park,Heon-Seok Lee,Hoon-Do Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-19.

Systems and methods for interfacing one or more information technology devices with an application server

Номер патента: US11785523B1. Автор: Mario Di Dio,Eric Winkelman,Richard D. Terpstra,Daryl William Malas,Gregory C. White,Steve Higgins. Владелец: Cable Television Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for monitoring a hearing device and hearing device with self-monitoring function

Номер патента: US20110188683A1. Автор: Evert Dijkstra,Samuel HARSCH. Владелец: PHONAK AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for estimating a location of an electronic device with aid of information carried by responses corresponding to one broadcast request sent to multiple devices, and associated apparatus

Номер патента: US20140315578A1. Автор: Shih-Chang Su. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for estimating a location of an electronic device with aid of information carried by responses corresponding to one broadcast request sent to multiple devices, and associated apparatus

Номер патента: US9229093B2. Автор: Shih-Chang Su. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Bluetooth device and method for controlling a plurality of wireless audio devices with a bluetooth device

Номер патента: US20240007792A1. Автор: Julien GOUPY,Thomas GIRARDIER,Vincent NALLATAMBY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System And Method For Upgrading A Multiprocessor Set-Top Box Device With A Monolithic Firmware Image

Номер патента: US20140007176A1. Автор: Pinar TASKIRAN-CYR. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Micromechanical device with a trimmable resonant frequency structure and method of trimming same

Номер патента: US5144184A. Автор: Paul Greiff. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 1992-09-01.

White light-emitting compound, method for fabricating thereof, and light-emitting device with the same

Номер патента: TW200514837A. Автор: Tadao Nakaya,Ryoji Matsumoto. Владелец: Hirose Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-01.

Systems and methods for establishing communication links between networks and devices with different routing protocols

Номер патента: EP3949292A1. Автор: James Patrick Hanley,Bryce D. Johnson,Chad K. Wolter,Lawrence Harris. Владелец: Landis and Gyr Innovations Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Systems and methods for establishing communication links between networks and devices with different routing protocols

Номер патента: AU2020245205A1. Автор: James Patrick Hanley,Bryce D. Johnson,Chad K. Wolter,Lawrence Harris. Владелец: Landis Gyr Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for operating a domestic cooking appliance and domestic cooking appliance

Номер патента: US12120804B2. Автор: Markus Kuchler,Matthias Vogt,Sebastian Sterz,Kerstin Rigorth. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2024-10-15.

Data processing method for managing replacement of first image processing device with second image processing device using server

Номер патента: US12124752B2. Автор: Takatsugu Yamada. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for synchronized key derivation across multiple conditional access servers

Номер патента: US09887837B2. Автор: Matthew MESSERMAN,Thomas Handal,Matthew FITE,Gerd Mersmann. Владелец: Verimatrix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Mechanism for pairing user's secondary client device with a data center interacting with the users primary client device using QR codes

Номер патента: US09497293B2. Автор: Gurudas Somadder,Haochen Liu,Vinit Sudhakar ADKAR. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus and methods for update of symbol information

Номер патента: EP2269314A1. Автор: Sundeep Rangan,Frank Lane,Ozge Koymen,Atul Maharshi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

System and method for out-of-band pairing of sterile device with non-sterile device

Номер патента: WO2021055590A1. Автор: Barret Daniels. Владелец: CANON U.S.A., INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

System and method for out-of-band pairing of sterile device with non-sterile device

Номер патента: EP4032192A1. Автор: Barret Daniels. Владелец: Canon USA Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Three-dimensional memory device with support structures in slit structures and method for forming the same

Номер патента: EP3909079B1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for a contactless communication between two NFC devices with impact reduction of an external noise emission

Номер патента: US09509373B2. Автор: Achraf Dhayni. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365677A1. Автор: Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Yi-An Shih,I-Fan Chang,Hsiu-Hao Hu,Po Kai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Hardware resource accessing systems and methods for accessing hardware resources in browser-based operating systems and machine-readable storage medium thereof

Номер патента: US09420040B2. Автор: Chien-An Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US09438242B2. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Circuit and method for start-up of reference circuits in devices with a plurality of supply voltages

Номер патента: US20240275282A1. Автор: Asif Iqbal,Shivraj G. Dharne,Dzung T. Tran. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Bluetooth device and method for controlling a plurality of wireless audio devices with a bluetooth device

Номер патента: US20210195330A1. Автор: Julien GOUPY,Thomas GIRARDIER,Vincent NALLATAMBY. Владелец: TAP Sound System SAS. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Communication server and method for secure authentication and identification of a device with an internet platform

Номер патента: EP3681185A4. Автор: Javier Garcia Puga,José RODRIGUEZ PÉREZ,Antonio José LOPEZ NAVARRO,Arsene LAURENT,Jorge Antonio RIVERA. Владелец: Telefonica IoT and Big Data Tech SA. Дата публикации: 2021-03-31.

Systems and methods for establishing communication links between networks and devices with different routing protocols

Номер патента: EP3949292B1. Автор: James Patrick Hanley,Bryce D. Johnson,Chad K. Wolter,Lawrence Harris. Владелец: Landis and Gyr Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Flexible Display Device With Side Crack Protection Structure And Manufacturing Method For The Same

Номер патента: US20160066409A1. Автор: Youn Sangcheon,Yang HeeSeok,Kwon SeYeoul. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Three-dimensional memory device with source structure and methods for forming the same

Номер патента: US11805650B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240215243A1. Автор: Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto,Koichi Matsuno,Masanori Tsutsumi,Takumi Moriyama,Michio Oryoji,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Digital phase-locked loop device for synchronizing signal and method for generating stable synchronous signal

Номер патента: US20030214331A1. Автор: Chris Chang. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for detecting tonal signals, a method for operating a hearing device based on detecting tonal signals and a hearing device with a feedback canceller using a tonal signal detector

Номер патента: US20180007476A1. Автор: Jean-Louis Durrieu. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with carbon liner over gate structure and method for forming the same

Номер патента: TW202230737A. Автор: 吳俊亨. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-01.

Mechanism for pairing user's secondary client device with a data center interacting with the users primary client device using qr codes

Номер патента: US20150271098A1. Автор: Gurudas Somadder,Haochen Liu,Vinit Sudhakar ADKAR. Владелец: Ciinow Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240164099A1. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Chang-Wen Jian. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Extracorporeal blood treatment device for operation with a single patient connection and method for operation of an extracorporeal blood treatment device with a single patient connection

Номер патента: US09821104B2. Автор: Christoph Bocklet. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for producing insulin-producing cells from mesenchymal stem cells, insulin-producing cells, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: EP3708656A1. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2020-09-16.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for producing insulin-producing cell from mesenchymal stem cell, insulin-producing cell, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: US20240287465A1. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing insulin-producing cell from mesenchymal stem cell, insulin-producing cell, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: US12018282B2. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2024-06-25.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for Manufacturing Strain Sensor by Control of Thin-Film Crack Using Stress Concentration Structure and Strain Sensor Manufactured Using Same

Номер патента: US20240142217A1. Автор: Yongtaek Hong,Taehoon Kim,Daesik Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

System and method for retaining DRAM data when reprogramming reconfigurable devices with DRAM memory controllers incorporating a data maintenance block colocated with a memory module or subsystem

Номер патента: US09727269B2. Автор: Timothy J. Tewalt. Владелец: Src Labs LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing a covering structure for a tubular package and said package, covering structure and package

Номер патента: US09718574B2. Автор: Georges Sireix. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method for retaining dram data when reprogramming reconfigurable devices with DRAM memory controllers incorporating a data maintenance block colocated with a memory module or subsystem

Номер патента: US09530483B2. Автор: Timothy J. Tewalt. Владелец: Src Labs LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for protecting an SiO2 coating, and combustion device with protection

Номер патента: US20030118959A1. Автор: Manfred Kobusch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

An scr denitrification device with pipe connection protection structure

Номер патента: LU506588B1. Автор: Yang Geng. Владелец: Univ Wuxi. Дата публикации: 2024-09-16.

Methods for achieving an isolated electrical interface between an anterior surface of a microneedle structure and a posterior surface of a support structure

Номер патента: US12109032B1. Автор: Jared Rylan Tangney,Joshua Windmiller,James Patrick McCanna. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for operation of a functionally modular automation device with a control loop

Номер патента: US20080262639A1. Автор: Frank Marks. Владелец: ABB AG Germany. Дата публикации: 2008-10-23.

Device and method for minimally invasive tendon sheath release using device with retractable blade and hemi-cannula

Номер патента: US09456837B1. Автор: Brian Michael Jurbala. Владелец: SonicSurg Innovations LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and methods for providing service and support to computing devices with boot failure

Номер патента: US09870282B2. Автор: Subramanian Ganesan,Carlton A. Andrews,Yuan-Chang Lo,Todd Erick Swierk,Bruce C. Bell,Michael Todd Boyum,Phillip M. Seibert. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device with pressure relief valve

Номер патента: US09383406B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Method for protection of ground objects from missile device with non-autonomous telecontrol systems

Номер патента: RU2690640C1. Автор: Тимерхан Мусагитович Хакимов,Сергей Владимирович Утемов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-04.

Extracorporeal Blood Treatment Device for Operation with a Single Patient Connection and Method for Operation of an Extracorporeal Blood Treatment Device with a Single Patient Connection

Номер патента: US20170252499A2. Автор: Christoph Bocklet. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for controlling constant air volume of electrical device with air exhaust or air supply function

Номер патента: CA2950794C. Автор: Ge Hu,Yong Zhao,Zheng Zhang,Jizhong Wang,Yiqiao Zhou,Xiansheng ZHANG. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-19.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

System and method for retaining dram data when reprogramming reconfigurable devices with dram memory controllers incorporating a data maintenance block colocated with a memory module or subsystem

Номер патента: US20150364182A1. Автор: Timothy J. Tewalt. Владелец: SRC Computers LLC. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for constructing an image from an optical device with variable focal length

Номер патента: AU2022286641A1. Автор: Tanguy Serrat,Ali Khachlouf. Владелец: Squaremind SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for retaining dram data when reprogramming reconfigureable devices with dram memory controllers incorporating a data maintenance block colocated with a memory module or subsystem

Номер патента: US20190310785A1. Автор: Timothy J. Tewalt. Владелец: Directstream LLC. Дата публикации: 2019-10-10.

System and method for retaining dram data when reprogramming reconfigurable devices with dram memory controllers incorporating a data maintenance block colocated with a memory module or subsystem

Номер патента: US20170102894A1. Автор: Timothy J. Tewalt. Владелец: Src Labs LLC. Дата публикации: 2017-04-13.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

System and method for a hydraulic transmission system of teleoperation device with haptic feedback

Номер патента: WO2024086666A1. Автор: Samuel FRISHMAN,John Peter WHITNEY. Владелец: Medical Devices Corner Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for monitoring the condition of permafrost soils serving as base for buildings and structures, and device for implementing it

Номер патента: RU2743547C1. Автор: Анатолий Иванович Потапов,Александр Игоревич Шихов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2021-02-19.

System and method for atomic access to an input/output device with direct memory access

Номер патента: CA2030021A1. Автор: Brian M. Kelleher,Shu-Shia Chow. Владелец: Shu-Shia Chow. Дата публикации: 1991-05-18.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for identifying capsules in a beverage producing device with magnetically-responsive identifier

Номер патента: EP2448454A1. Автор: Alexandre Kollep,Peter Bucher,Alessandro Brazzola,Andre Jung. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2012-05-09.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Tensioning device for pre-stressing, post-tensioning or providing a confining pressure to a structure, method for pre-stressing a structure, use of a roller for pre-stressing a structure and use of a roller for restressing, detensioning or releasing a confining pressure from a structure

Номер патента: EP4276260A1. Автор: Behzad Dehghan Manshadi,Antonio Caballero jurado,Haifeng FAN. Владелец: BBR VT International Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for the direct synthesis of cu-containing silicoaluminate material with the aei zeolite structure, and the catalytic applications thereof

Номер патента: CA2982672A1. Автор: Avelino Corma Canos,Manuel Moliner Marin,Nuria MARTIN GARCIA. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2016-10-20.

Device and method for producing coated products, for example bituminous coated products, with protection plates

Номер патента: US09957674B2. Автор: Antoine Carrasco. Владелец: Argumat SAS. Дата публикации: 2018-05-01.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Methods for manufacturing and application of ophthalmological devices with power supply, with energy saving mode

Номер патента: RU2641917C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС,Кэмилл ХИГХАМ,Скотт Р. ХАМФРИЗ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for determining deformation in bone tissue of jaw around an orthopedic structure with support on dental implants

Номер патента: RU2717221C1. Автор: Рамаз Шалвович Гветадзе,Станислав Евгеньевич Крючков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт стоматологии и челюстно-лицевой хирургии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-18.

Suspension hinge of rotary nozzle made of composite materials and method for its manufacture

Номер патента: RU2632393C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Вячеслав Викторович Мерзляков,Виктор Иванович Петрусев,Сергей Александрович Бондаренко,Аркадий Витальевич Пашутов,Алексей Майевич Евгеньев. Владелец: Акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2017-10-04.

Hair treatment method and method for imparting smoothness to hair

Номер патента: RU2294681C2. Автор: Присцилла ДЕВЭН-БОДУЭН,Анн САББАГ. Владелец: Л`Ореаль. Дата публикации: 2007-03-10.

Priming enamel for protective anti-corrosion epoxy coating protective layer up to 500 microns, method for protective anti-corrosion epoxy coating formation, and product with protective anti-corrosion epoxy coating

Номер патента: RU2613985C1. Автор: Светлана Орестовна Полякова,Михаил Викторович Поляков. Владелец: Светлана Орестовна Полякова. Дата публикации: 2017-03-22.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

A structure and method for detecting errors in a multilevel memory device with improved programming granularity

Номер патента: EP1435574A3. Автор: Angelo Visconti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-07-28.

Method for providing control data for a processing device, method for controlling a processing device, control device, processing device, computer program and computer-readable medium

Номер патента: US20240277525A1. Автор: Samuel Arba Mosquera,Nico Triefenbach,Mario SHRAIKI. Владелец: Schwind Eye Tech Solutions GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for signaling the position of a safety device, and safety switching system

Номер патента: US20190170296A1. Автор: Simon Davis. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-06.

Calcium carbonate with controlled particle morphology, method for producing the same, and crystal growth method

Номер патента: US12103859B2. Автор: Yuki Kezuka,Maya YOSHIDA. Владелец: Shiraishi Central Laboratories Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for installing a geothermal system, method for utilizing geothermal energy, and geothermal system

Номер патента: US11815293B2. Автор: Antonio Calleri. Владелец: Geolog Srl. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for joining dissimilar engine components

Номер патента: US09586868B2. Автор: Kevin W. Schlichting,Venkatarama K. Seetharaman,Grant O. Cook, Iii. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for producing coating layer with scratch resistance and flex resistance, laminated structure, and coating composition

Номер патента: US20230131409A1. Автор: Chun-Che Tsao,Te-Chao Liao,Yi-Chen Chou. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Apparatus and method for harvesting plankton and other biomass from a dead zone

Номер патента: US09888628B2. Автор: William R. Becker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Devices, systems, and methods for implanting a medical device

Номер патента: US20240189128A1. Автор: Jeff Gray,Ryan V. Wales,Kurt Nicholas ROBAKIEWICZ. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Devices, systems, and methods for implanting a medical device

Номер патента: WO2024129636A1. Автор: Jeff Gray,Ryan V. Wales,Kurt ROBAKIEWICZ. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for high-temperature accumulators for stationary energy storage and for actuating nonsystem-connected land, water and air vehicles

Номер патента: AU1140499A. Автор: Werner Foppe. Владелец: IVON TAVERA. Дата публикации: 1999-03-01.

System and method for tracking customer personal information in a warehouse management system

Номер патента: WO2012061309A1. Автор: Ken Nguyen,Brian Gventer,Joel McCarty,Mike Lowry,Kevin M. Asbury. Владелец: ATC Logistics & Electronics, Inc.. Дата публикации: 2012-05-10.

Touch device and method for controlling the same to perform a power-saving function or a power-on function

Номер патента: US09996117B2. Автор: Wen-Ming Lin. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US09804223B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and method for securing tissue to bone using suture anchors with a pre-loaded piercing structure and sutures

Номер патента: US09566056B2. Автор: Saif Khalil,Miles Ole CURTIS. Владелец: Aevumed Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Air heat and moisture treatment device with heat recovery

Номер патента: RU2607870C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-01-20.

Device having an embedded system including state, and a method for controlling standby of an embedded system

Номер патента: US09886308B2. Автор: Zhenyin SUN. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for editing display information and an electronic device thereof

Номер патента: US09619142B2. Автор: Hyoung-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

SINGULAR METHOD FOR GUARANTEED DETECTION, RECOGNITION AND OPPOSITION TO DEMOCRATOR TERRORISTS WITH PROTECTION OF CONTROLLING PERSONS (BORDER GUARDS, CUSTOMS, POLICEMAN, ALSO ALSO)

Номер патента: RU2014109979A. Автор: Виктор Георгиевич Небабин. Владелец: Виктор Георгиевич Небабин. Дата публикации: 2015-09-20.

Antifouling film equipped with protective film and method for manufacturing same

Номер патента: US11518153B2. Автор: Akinori Terada,Akiko Nishio. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Systems and methods for updating user interfaces of marine electronic devices with activity-based optimized settings

Номер патента: US20240231590A1. Автор: Sergiu Tulgara,Mathew J. Hooper,Adam M. King,Samuel B. Carlisle. Владелец: Navico Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for managing main combustion chamber of gas turbine engine

Номер патента: RU2602705C1. Автор: Петр Сергеевич Тарасов,Тимерхан Мусагитович Хакимов,Андрей Александрович Пахольченко,Сергей Александрович Маяцкий,Тарас Васильевич Грасько. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-11-20.

Maneuvering method for high-speed unmanned aerial vehicle in possible coverage area of anti-missile and air defense means

Номер патента: RU2635022C1. Автор: Евгений Николаевич Захаров,Владимир Васильевич Мальцев,Дмитрий Валериевич Данилочев. Владелец: Евгений Николаевич Захаров. Дата публикации: 2017-11-08.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for producing a control element for an air-diffuser, control element for an air-diffuser, and air diffuser

Номер патента: US20130267158A1. Автор: Steve Kober,Harald Noichl. Владелец: BCS Automotive Interface Solutions GmbH. Дата публикации: 2013-10-10.

System and method for dynamic thermal management in passively cooled device with a plurality of display surfaces

Номер патента: US09964993B2. Автор: Travis C. North,Deeder M. Aurongzeb,Lawrence E. Knepper,Charles D. Hood, III,Jorge A. Abullarade. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for dynamic thermal management in passively cooled device with a plurality of display surfaces

Номер патента: US09619008B2. Автор: Travis C. North,Deeder M. Aurongzeb,Lawrence E. Knepper,Charles D. Hood, III,Jorge A. Abullarade. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for purifying water for household and drinking purposes from lithium compounds

Номер патента: RU2656311C1. Автор: Светлана Викторовна Федорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт мерзлотоведения им. П.И. Мельникова Сибирского отделения Российской академии наук (ИМЗ СО РАН). Дата публикации: 2018-06-04.

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINING FERTILIZER FROM SILT DEPOSIT OF URBAN WATER-WATER TREATMENT STRUCTURES AND FERTILIZER OBTAINED IN SUCH METHOD

Номер патента: RU2013113685A. Автор: Михаил Михайлович Бутусов,Леонид Витальевич Зюбин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Активил". Дата публикации: 2014-10-10.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A4. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

METHOD FOR PRODUCING A CONTROL ELEMENT FOR AN AIR-DIFFUSER, CONTROL ELEMENT FOR AN AIR-DIFFUSER, AND AIR DIFFUSER

Номер патента: US20130267158A1. Автор: Kober Steve,Noichl Harald. Владелец: TRW AUTOMOTIVE ELECTRONICS & COMPONENTS GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2013-10-10.

Device and control method for determining the technical condition of a device with hydraulic or pneumatic drive

Номер патента: RU2017123385A. Автор: Ману ЛЕЙНОНЕН,Харри ПАЛТЕМАА. Владелец: Гидролайн Ой. Дата публикации: 2019-01-11.

Method for producing a workstation for restoring a spinning process on an air jet spinning machine, and air jet spinning machine for carrying out the method

Номер патента: CN106868648B. Автор: E.皮拉. Владелец: Rieter CZ sro. Дата публикации: 2021-09-24.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: WO2001050475A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945919B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: KR100730266B1. Автор: 다까요시 미나미. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for fabricating mask of semiconductor device

Номер патента: KR100266659B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

METHOD FOR IDENTIFYING THE NODES OF AN INFORMATIVE NETWORK IN A MOTOR VEHICLE AIR CONDITIONING INSTALLATION, AND AIR CONDITIONING INSTALLATION USING THE METHOD

Номер патента: FR2821453B1. Автор: Christophe Bruzy,Bertrand Puzenat,Laurent Rede,Vincent Aubry. Владелец: Valeo Climatisation SA. Дата публикации: 2005-07-08.

Magnetic centre-finding device with no magnet on the rotor and with small air gap

Номер патента: US20100026120A1. Автор: Damien Chassoulier. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR101039141B1. Автор: 전병구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: WO2004077155A1. Автор: Takayoshi Minami. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2004-09-10.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Method for burning a preliminarily prepared "lean" fuel-air mixture of liquid and (or) gaseous fuel and air in a three-circuit low-emission burner (variants)

Номер патента: RU2761713C1. Автор: Владимир Юрьевич Иванов,Иван Иванович Кутыш,Алексей Иванович Кутыш,Дмитрий Иванович Кутыш,Дмитрий Анатольевич Лобов. Владелец: Иван Иванович Кутыш. Дата публикации: 2021-12-13.

Air navigation device with inertial sensor units, radio navigation receivers, and air navigation technique using such elements

Номер патента: EP2021822A1. Автор: Jacques Coatantiec,Charles Dussurgey. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2009-02-11.

Air navigation device with inertial sensor units, radio navigation receivers, and air navigation technique using such elements

Номер патента: CA2653123A1. Автор: Jacques Coatantiec,Charles Dussurgey. Владелец: Charles Dussurgey. Дата публикации: 2007-11-29.

Air-navigation device with inertia sensors and radio-navigation receivers and air-navigation method using said elements

Номер патента: RU2434248C2. Автор: Жак КОАТАНТИЕК,Шарль ДЮССЮРЖЕЙ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2011-11-20.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING COATED PRODUCTS, FOR EXAMPLE BITUMINOUS COATED PRODUCTS, WITH PROTECTION PLATES

Номер патента: US20150030767A1. Автор: Carrasco Antoine. Владелец: ARGUMAT. Дата публикации: 2015-01-29.

A method for stiffening the structure of a rock drilling device and a protective structure of a rock drilling device

Номер патента: FI121941B. Автор: Tuomo Pirinen,Pekka Saukko. Владелец: Sandvik Mining & Constr Oy. Дата публикации: 2011-06-15.

Device and method for producing coated products, for example bituminous coated products, with protection plates

Номер патента: EP2807305B1. Автор: Antoine Carrasco. Владелец: ARGUMAT (SAS). Дата публикации: 2016-04-13.

Method and apparatus for performing access management of memory device with aid of serial number assignment timing control

Номер патента: US11899977B2. Автор: Hsin-Hsiang TSENG,Wen-Chi HONG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Apparatuses and methods for redundance match control at refresh to disable wordline activation

Номер патента: US20220199141A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and apparatus for performing access management of memory device with aid of serial number assignment timing control

Номер патента: US20230289097A1. Автор: Hsin-Hsiang TSENG,Wen-Chi HONG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method and apparatus for performing access management of memory device with aid of universal asynchronous receiver-transmitter connection

Номер патента: US20220229788A1. Автор: Chih-Yung Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Gate Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240150192A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Clock adjusting method and electronic device with clock adjusting function

Номер патента: US20060186939A1. Автор: Wen-Kuan Chen. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

THERMAL THERAPY DEVICE WITH INTERCHANGEABLE HOT AND COLD WATER CIRCULATION AND AIR PRESSURE CONTROL

Номер патента: US20180161199A1. Автор: WANG LI,CHIU Gary. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

METHOD FOR PRODUCING A MEDICAL DEVICE OR A DEVICE WITH STRUCTURE ELEMENTS, METHOD FOR MODIFYING THE SURFACE OF A MEDICAL DEVICE OR OF A DEVICE WITH STRUCTURE ELEMENTS, MEDICAL DEVICE AND LAMINATED COMPOSITE WITH A SUBSTRATE

Номер патента: US20160170306A1. Автор: Lima De Miranda Rodrigo. Владелец: ACQUANDAS GMBH. Дата публикации: 2016-06-16.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

AIR NAVIGATION DEVICE WITH INERTIAL SENSOR UNITS, RADIO NAVIGATION RECEIVERS, AND AIR NAVIGATION TECHNIQUE USING SUCH ELEMENTS

Номер патента: US20120004846A1. Автор: Coatantiec Jacques,Dussurgey Charles. Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Method for increasing of life and reliability of devices with nano-disperse magnetic fluid

Номер патента: RU2536863C2. Автор: Сергей Михайлович Перминов,Анастасия Сергеевна Перминова,Владимир Алексеевич Полетаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2014-12-27.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SELECTING AND ARRANGING PROGRAM REPRESENTATIVES AND A COOKING DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20120003364A1. Автор: Kling Judith,Greiner Michael,Wiedemann Peter,Juergens-Heinersdorff Andre,Seemueller Simon,Klimm Karin. Владелец: Rational AG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR FORMING ETCH STOP LAYERS, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME, AND METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120119283A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AS WELL AS DISPLAY

Номер патента: US20120242624A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD FOR PRODUCING NANOPOWDERS OF COMPLEX COMPOUNDS AND MIXTURE COMPOSITIONS WITH A PRESENT CRYSTAL STRUCTURE AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2010151578A. Автор: Юрий Александрович Котов,Максим Геннадьевич Иванов,Олег Мазгарович Саматов,Юрий Александрович Котов (RU),Максим Геннадьевич Иванов (RU),Олег Мазгарович Саматов (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт электрофизики Уральского отделения РАН (ИЭФ УрО РАН) (RU). Дата публикации: 2012-06-20.

METHOD FOR PREPARING FOR THE METALLURGICAL TRANSITION OF BULK HYDROGYTITE IRON ORE OF OLYTIC STRUCTURE AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2014133927A. Автор: Владимир Иванович Лунев. Владелец: Владимир Иванович Лунев. Дата публикации: 2014-12-20.

METHOD FOR MEASURING A LIQUID LEVEL AND A DEVICE WITH AN IRREGULAR BISPIRAL-CONICAL FIBER LIGHT STRUCTURE FOR ITS IMPLEMENTATION (OPTIONS)

Номер патента: RU2014111062A. Автор: Михаил Стефанович Коренев. Владелец: Михаил Стефанович Коренев. Дата публикации: 2015-09-27.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL TRANSITIONS ON THE BASIS OF NANOSIZED METAL-INSULATOR-METAL STRUCTURES AND STRUCTURE OF A MAGNETIC TUNNEL TRANSITION FOR MAGNETIC RESISTANT MAGNETIC MEMORY

Номер патента: RU2007140034A. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский,Александр Юрьевич Гойхман (RU),Андрей Владимирович Зенкевич (RU),Юрий Юрьевич Лебединский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государ. Дата публикации: 2009-05-10.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

buffer insulation layer and semiconductor device having the same and method for fabricating of the semiconductor device

Номер патента: KR101201316B1. Автор: 이기홍. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-11-14.

Method for manufacturing split floating gate flash memory device with sharp tips

Номер патента: TW392360B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie,Chang-Sung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-06-01.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120028436A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,Jong Jan Lodewijk de. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120061739A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120091587A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120107967A1. Автор: . Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120223738A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,de Jong Jan Lodewijk. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130021060A1. Автор: OR-BACH Zvi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

PATTERNING METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137269A1. Автор: Baars Peter,Geiss Erik P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130164903A1. Автор: KIM Su-Young,PARK Hyung-Soon,Lee Jeong-Yeop,Lee Young-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130267046A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140004678A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100250728B1. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method for fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: KR101261629B1. Автор: 김경해,오덕환. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425827B1. Автор: 유용식,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of lower electrode and improve capacitance

Номер патента: KR100399915B1. Автор: 은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating solid state semiconductor device

Номер патента: TW201218424A. Автор: Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Tech. Дата публикации: 2012-05-01.

Filament baking device with dual-setting structure of water cooling and air cooling

Номер патента: TW552862U. Автор: Chuan-Shuen Li. Владелец: Chuan-Shuen Li. Дата публикации: 2003-09-11.

METHODS FOR FABRICATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING INTERPOSERS WITH CONDUCTIVE VIAS, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES

Номер патента: US20130214423A1. Автор: Sadaka Mariam. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2013-08-22.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.