Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Edge termination for semiconductor devices and corresponding fabrication method

Edge termination for semiconductor devices and corresponding fabrication method

Номер патента: US20160300904A1
Опубликовано: 13-10-2016
Автор(ы): Chiara Corvasce, Florin Udrea, Iulian NISTOR, Marina Antoniou, Munaf Rahimo
Принадлежит: ABB Schweiz AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Edge Termination Structure Having a Termination Charge Region Below a Recessed Field Oxide Region

Номер патента: US20160020308A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Rajeev Krishna Vytla,Russell Turner,Nicholas Limburn. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2016-01-21.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240145532A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2024092179A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160064477A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180166543A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: lnfineon Technologies Austria AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Adaptive edge termination by design for efficient and rugged high voltage silicon carbide power device

Номер патента: WO2023154046A1. Автор: Ayman SHIBIB,Jinman Yang,Misbah Azam. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Support shield structures for trenched semiconductor devices

Номер патента: WO2023183215A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with an electric field modification structure, and corresponding integrated circuit, fabrication method and method of increasing breakdown voltage

Номер патента: EP2824710B1. Автор: Edward John Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Seamus P. Whiston,William Alan Lane,Donal P. Mcauliffe. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-05-27.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: WO2024092176A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20240154032A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: WO2009039014A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: MICROSEMI CORPORATION. Дата публикации: 2009-03-26.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: EP2195846A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Silicon carbide integrated device and method for manufacturing an integrated device

Номер патента: US20240170568A1. Автор: Leonardo Fragapane. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide integrated device and method for manufacturing an integrated device

Номер патента: EP4376089A1. Автор: Leonardo Fragapane. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-29.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: WO2023102324A9. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US12009389B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

MOSFET active area and edge termination area charge balance

Номер патента: US09484451B2. Автор: Kyle Terrill,Sharon Shi,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20150021670A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-01-22.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried edge terminations and related methods

Номер патента: US11837629B2. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Edge termination in mos transistors

Номер патента: EP1430538A2. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Erwin A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Super junction semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243167A1. Автор: Kihwan Kim,Chanho Park,Jungyeon Lee,Suyoung MOON,Jiyong LIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190148485A1. Автор: Kenji Hamada,Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US09548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Adaptive charge balanced edge termination

Номер патента: US09842911B2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395440A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Process for manufacturing a charge-balance power diode and an edge-termination structure for a charge-balance semiconductor power device

Номер патента: US20080001223A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Saggio,Domenico Murabito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09793392B2. Автор: Masahito Otsuki,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US10032861B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device with field threshold mosfet for high voltage termination

Номер патента: US20180026094A1. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9793346B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with thresholdmosfet for high voltage termination

Номер патента: US20170236895A1. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device comprising electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US9991252B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor Device Comprising Auxiliary Trench Structures and Integrated Circuit

Номер патента: US20160293752A1. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-06.

Reverse-Blocking IGBT Having a Reverse-Blocking Edge Termination Structure

Номер патента: US20180033627A1. Автор: Matteo Dainese,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US09666671B2. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US20150333177A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US20150333177A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED FLOATING BODY EFFECTS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210210605A1. Автор: Xing Su,YAO HAI BIAO. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED FLOATING BODY EFFECTS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200194555A1. Автор: Xing Su,YAO HAI BIAO. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Power semiconductor device using semi-insulating polycrystalline silicon and fabrication method thereof

Номер патента: US6346444B1. Автор: Jae-Hong Park,Chan-ho Park,Jin-kyeong Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-02-12.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240194779A1. Автор: Markus Kahn,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Thomas Kurzmann,Christian ZMÖLNIG,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20110291241A1. Автор: Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device having a positive temperature coefficient structure

Номер патента: US09660029B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2022098627A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-12.

Edge termination for trench gate FET

Номер патента: US09553184B2. Автор: Edouard de Fresart,Moaniss Zitouni,Pon Sung Ku,Ganming Qin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Electric fields relaxation for semiconductor apparatus

Номер патента: US10043791B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268342A1. Автор: Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20200052065A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170301753A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10903312B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8278682B2. Автор: Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-02.

Method for manufacturing an edge termination for a silicon carbide power semiconductor device

Номер патента: EP3180799A1. Автор: Jan Vobecky. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162285A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Tohru SHIRAKAWA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180308974A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US10381474B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor component with edge termination region

Номер патента: US11848377B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Component with Edge Termination Region

Номер патента: US20210257489A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-19.

Power Semiconductor Component with Plate Capacitor Structure and Edge Termination

Номер патента: US20110133262A1. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Power semiconductor component with plate capacitor structure and edge termination

Номер патента: US8258573B2. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20160204237A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device comprising trench structures

Номер патента: US09496339B2. Автор: Minghao Jin,Oliver Blank,Rudolf Rothmaler,Joerg Ortner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Edge termination for super-junction MOSFETs

Номер патента: US9882044B2. Автор: Deva Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20240014218A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Kiyofumi Ogino,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices having faceted silicide contacts, and related fabrication methods

Номер патента: US7994014B2. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael J. Hargrove. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor devices having faceted silicide contacts, and related fabrication methods

Номер патента: CN102177573A. Автор: 法兰克·斌·杨,罗希特·波尔,迈克尔·哈格罗夫. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device and method

Номер патента: US09431490B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure with an electric field stop layer for improved edge termination capability

Номер патента: WO2010039207A2. Автор: Ty R. McNutt,John Victor D. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing A Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150008447A1. Автор: Roland Rupp,Christian Hecht,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Super junction semiconductor device including edge termination

Номер патента: US09520463B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a semiconductor device termination and structure therefor

Номер патента: US09490372B2. Автор: Zia Hossain,Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device having an edge termination region comprising a first edge termination region of a second conductivity type adjacent to a second edge termination region of a first conductivity type

Номер патента: US11094779B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Thomas Auer,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US9941402B2. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Electronic device with auto aligned csl and edge termination structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297249A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Electronic device with autoaligned csl and edge termination structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4425563A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method and Contact Structure for Coupling a Doped Body Region to a Trench Electrode of a Semiconductor Device

Номер патента: US20150179752A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Coupled guard rings for edge termination

Номер патента: US20220238643A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US11854809B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US11018008B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone Rascuna,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-25.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20190172715A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone Rascuna,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-06.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20210249268A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-12.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20240162040A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20230099610A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device structure and method of manufacture

Номер патента: US20190165111A1. Автор: Soenke Habenicht,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Martin ROEVER. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20180006027A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor to Metal Transition for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160372539A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor to metal transition for semiconductor devices

Номер патента: US09685504B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288060A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Negative charge extraction structure for edge termination

Номер патента: US20240120417A1. Автор: Andrew J. Walker,Andrew P. Edwards,Kyoung Wook SEOK,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Trench insulated gate bipolar transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502511B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having a recessed gate electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR100689840B1. Автор: 이상현,하대원,이공수,이성삼,심민영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device including a recessed insulation region and fabrication method thereof

Номер патента: US10411115B2. Автор: Lei Fang,Dae-Sub Jung,Guang Li YANG,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Power semiconductor device and corresponding module

Номер патента: US09455340B2. Автор: Munaf Rahimo. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of producing a junction termination for a power semiconductor device and corresponding power semiconductor device

Номер патента: EP2717314A1. Автор: Jan Vobecky,Virgiliu Botan. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: TW201232669A. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Semiconductor Devices Including A Lateral Bipolar Structure And Fabrication Methods

Номер патента: US20140239451A1. Автор: ITO Akira,Yau Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device with split gate memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20100041194A1. Автор: Wen-Ting Chu,Yue-Der Chih,Shine Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

A semiconductor device having single crystal ferroelectric film and fabrication method of the same

Номер патента: KR100219522B1. Автор: 강상범. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Power semiconductor device

Номер патента: US9865676B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170148870A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Igbt with edge termination structures

Номер патента: EP4210108A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US09553187B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09412868B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502496B2. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258420A1. Автор: Kung-Yen Lee,yi-xuan Li,Ruei-Ci WU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502512B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Edge termination region

Номер патента: US20120037980A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-16.

Edge termination for trench gate fet

Номер патента: US20160064546A1. Автор: Edouard de Fresart,Moaniss Zitouni,Pon Sung Ku,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180040688A1. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240063258A1. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure

Номер патента: US20150340494A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for producing an edge termination suitable for high voltages in a basic material wafer prefabricated according to the principle of lateral charge compensation

Номер патента: US20020037636A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240213311A1. Автор: Shinsuke Harada,Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Channel structures including doped 2D materials for semiconductor devices

Номер патента: US12100755B2. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US09608060B2. Автор: Shen-Ping Wang,Yu-Chieh Chou,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chun-Yi Yang,Tsai-Feng YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Edge termination structure for a power integrated device and corresponding manufacturing process

Номер патента: US09515136B2. Автор: Leonardo Fragapane. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device including a vertical edge termination structure and method of manufacturing

Номер патента: US09570542B2. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser,Holger Schulze,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10886407B2. Автор: Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Dielectric equivalent thickness and capacitance scaling for semiconductor devices

Номер патента: US20140138781A1. Автор: Devendra K. Sadana,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Alessandro Callegari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Contact for semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US12046677B2. Автор: Yi-Lii Huang,Huei-Shan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Contact for Semiconductor Device and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240339539A1. Автор: Yi-Lii Huang,Huei-Shan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176814A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for edge termination of super-junction (sj) devices

Номер патента: US20180166531A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-14.

System and method for edge termination of super-junction (sj) devices

Номер патента: US20190140048A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-09.

System and method for edge termination of super-junction (sj) devices

Номер патента: EP3555923A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-10-23.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Twin monos memory cell and corresponding fabrication method

Номер патента: EP1237192A2. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

FINFET semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09570589B2. Автор: Bing Wu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having a flash memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US6803276B2. Автор: Dong-Jun Kim,Jin-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Min-Soo Cho,Eui-Youl Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230108668A1. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with self-protecting fuse and method of fabricating the same

Номер патента: US20150255394A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Chin-Chia Chang,Che-Chia Hsu,Ying-Chieh Liao,Gwo-Chyuan Kuoh,Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED STRESSOR REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20130187209A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device for high-k gate dielectrics and fabrication method thereof

Номер патента: TWI278039B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US7378713B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-27.

Semiconductor devices having encapsulated isolation regions and related fabrication methods

Номер патента: TWI469255B. Автор: Ricardo P Mikalo,Frank W Wirbeleit. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2015-01-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304673A1. Автор: Tomohiro Moriya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device including step index gate electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR101848244B1. Автор: 이종민,강동민,김성일,윤형섭,민병규,임종원,문재경,안호균,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN JUNCTION

Номер патента: EP1016142A2. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2000-07-05.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20180175017A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20190348493A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer

Номер патента: US10096619B2. Автор: Shosuke Fujii,Seiji Inumiya,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US09929135B2. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Power semiconductor device and method therefor

Номер патента: US09865590B2. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: Xenogenic Development LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and crack detection method

Номер патента: US20210223305A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: CA3053962C. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-08-01.

Heat dissipation for semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240266285A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with first and second portions that include silicon and nitrogen

Номер патента: US20210287954A1. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device with first and second portions that include silicon and nitrogen

Номер патента: US11804415B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09991259B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100059800A1. Автор: Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

LAYOUT DESIGN SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE LAYOUT DESIGN SYSTEM, AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170255735A1. Автор: KIM Hyo Jin,PARK Chul Hong,Kim Su Hyeon,RAHEEL Azmat. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and a method for production thereof

Номер патента: US20020094667A1. Автор: Heinz Lendenmann,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2002-07-18.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20200395215A1. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Configuration and method to generate saddle junction electric field in edge termination

Номер патента: US09520464B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with selectively grown field oxide layer in edge termination region

Номер патента: US20230420577A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,Woongsun Kim,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge

Номер патента: US6002159A. Автор: Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson,Kurt Rottner,Susan Savage. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-12-14.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150187871A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-02.

Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device

Номер патента: US09412808B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11955567B2. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of Forming Junction Termination Extension Edge Terminations for High Power Semiconductor Devices and Related Semiconductor Devices

Номер патента: US20150021742A1. Автор: Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Gate stack structure suitable for semiconductor flash memory device and manufacturing method of gate stack structure

Номер патента: CN102208442B. Автор: 张卫,丁士进,苟鸿雁. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-17.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240379767A1. Автор: Sadanori ARAE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with rear-side insert structure

Номер патента: US09997359B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member

Номер патента: US20090045422A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yutaka Mori,Masanori Yamazaki,Hanako Kato,Mari Abe,Tsubasa Tomura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Multi-chip semiconductor device with high withstand voltage, and a fabrication method of the same

Номер патента: US20060220618A1. Автор: Hiroshi Fujito,Yasuhiro Takamori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Double guard ring edge termination for silicon carbide devices

Номер патента: US09640609B2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Multi-Layer Hybrid Edge Termination for III-N Power Devices

Номер патента: US20230030549A1. Автор: Karl D. Hobart,Mona A. Ebrish,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Daniel G. Georgiev,Matthew A. Porter,Alan G. Jacobs,Raghav Khanna,Prakash Pandey,Tolen Michael Nelson,Michael Robert Hontz. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Manufacturing method for semiconductor device, annealing device, and annealing method

Номер патента: US09449848B2. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

A method for forming rectangular-shape spacers for semiconductor devices

Номер патента: WO2005069362A1. Автор: Huicai Zhong,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

SiC Schottky barrier semiconductor device

Номер патента: US20080169475A1. Автор: Takuma Suzuki,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Edge termination structure employing recesses for edge termination elements

Номер патента: US20130062619A1. Автор: Scott Allen,Qingchun Zhang,Jason Patrick Henning,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Edge termination structure employing recesses for edge termination elements

Номер патента: WO2013036723A1. Автор: Scott Allen,Qingchun Zhang,Jason Patrick Henning,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

Edge termination structure employing recesses for edge termination elements

Номер патента: EP2754180A1. Автор: Scott Allen,Qingchun Zhang,Jason Patrick Henning,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Kumar Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-07-16.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09416004B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method making the same

Номер патента: US20220139700A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Ground shields for semiconductors

Номер патента: WO2007120322A2. Автор: Robert A. Pryor,Daniel J. Lamey,Xiaowei Ren. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: WO2024151385A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Light extraction product for semiconductor light emitting device and light emitting device

Номер патента: US09419249B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Aya Takagiwa. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011058998A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,崇司 川守,一行 満倉,増子　崇. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-05-19.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201130942A. Автор: Shigeki Katogi,Takashi Masuko,Takashi Kawamori,Shinjiro Fujii,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Adhesive for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing said device

Номер патента: TW201726863A. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Keishi Ono,Kouichi CHABANA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITE SHEET

Номер патента: US20180138141A1. Автор: OKAMOTO Naoya,Horigome Katsuhiko,Ikeda Ryohei. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Image sensor for semiconductor light-sensing device and image processing apparatus using the same

Номер патента: TWI306308B. Автор: Joo Yul Ko,Deuk Hee Park,Won Tae Choi,Shin Jae Kang. Владелец: Samsung Electro Mech. Дата публикации: 2009-02-11.

Fabrication method for semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014662A1. Автор: Kazuo Yamazaki,Masahiro Tadokoro,Shinji Kuniyoshi,Takenobu Ikeda,Kousuke Kusakari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-07.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20160197236A1. Автор: HATTA Yoshihisa,Dai Kotaro,Shinotsuka Kei,Kajita Yasuhito. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Substrate for semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150221824A1. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

TRANSFER HEAD AND TRANSFER SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR TRANSFERRING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20180277524A1. Автор: Chang Younghak,Yee Youngjoo,YUH Hwankuk,MOON Sunghyun,JEON Jina,KIM Seonhoo. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170309784A1. Автор: HATTA Yoshihisa,Dai Kotaro,Shinotsuka Kei,Kajita Yasuhito. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member

Номер патента: KR101086650B1. Автор: 히로시 고바야시,하나코 가토,유타카 모리,츠바사 도무라,마사노리 야마자키,마리 아베. Владелец: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-24.

Member for semiconductor package and semiconductor package using the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030102548A1. Автор: Joong-Ha You. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

DETECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20130087788A1. Автор: Nakamura Tomonori. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2013-04-11.

INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20140234994A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-21.

OPTICAL SUBSTRATE, SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20180254380A1. Автор: KOIKE Jun,Maekawa Tomofumi,Yamaguchi Fujito,MUROO Hiroyuki,KIYAMA Tomonori. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-09-06.

Structure of package for semiconductor image pickup device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100539082B1. Автор: 김종헌,송치중. Владелец: 주식회사 네패스. Дата публикации: 2006-01-10.

Package for semiconductor image pickup device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100673354B1. Автор: 김종헌. Владелец: 주식회사 네패스. Дата публикации: 2007-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE SILICIURATION METHOD, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR3084773A1. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-02-07.

Detection method for semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8937310B2. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-01-20.

Epitaxial wafer for semiconductor light-emitting devices, and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7449720B2. Автор: Ryoji Suzuki,Akio Ohishi. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Semiconductor light emitting device, protect film for semiconductor light emitting device and manufacturing method for the same

Номер патента: KR101234376B1. Автор: 도시히또 후지와라,도시히꼬 니시모리,세이지 니시까와,유우이찌 가와노,다다시 시마즈. Владелец: 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-18.

Detection method for semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: WO2011158797A1. Автор: 共則 中村. Владелец: 浜松ホトニクス株式会社. Дата публикации: 2011-12-22.

Epitaxial wafer for semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using same

Номер патента: CN101447540B. Автор: 竹内隆,助川俊光. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE SILICIURATION PROCESS, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR3084773B1. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-12.

Apertured terminal for a sealed semiconductor device

Номер патента: GB2250379A. Автор: Toshifusa Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-03.

Semiconductor device, busbar, and power converter

Номер патента: US20230231487A1. Автор: Eiichi Ide,Masahito Mochizuki,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

LIGHT EXTRACTION PRODUCT FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20150076468A1. Автор: KOIKE Jun,Yamaguchi Fujito,Takagiwa Aya. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants

Номер патента: US8835952B2. Автор: Nicholas W. Medendorp, JR.,Peter S. Andrews,Bernd P. Keller,Ban P. Loh. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants

Номер патента: US7834375B2. Автор: Peter Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-11-16.

Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants

Номер патента: US20110053297A1. Автор: Peter Andrews. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants

Номер патента: US8202745B2. Автор: Peter Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants

Номер патента: US20080191237A1. Автор: Peter Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Package for semiconductor light emitting device, and light emitting device

Номер патента: KR101342287B1. Автор: 유타카 모리,다케시 오츠,유키나리 하라구치,다다히로 가츠모토. Владелец: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-12-16.

Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same

Номер патента: TW200516788A. Автор: Ban Loh,Gerald H Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same

Номер патента: CN1849712A. Автор: G·H·尼格利,B·洛. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same

Номер патента: CA2537972A1. Автор: Ban Loh,Gerald H. Negley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Failure analysis memory for semiconductor memory testing devices and its storage method

Номер патента: KR100319512B1. Автор: 신야 사토,가츠히코 다카노. Владелец: 오우라 히로시. Дата публикации: 2002-02-19.

Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same

Номер патента: KR20060079214A. Автор: 제랄드 에이치. 네글리,밴 로. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-07-05.

Substrate for semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101323778B1. Автор: 김종원,정광원,박은현,전수근. Владелец: 주식회사 세미콘라이트. Дата публикации: 2013-10-31.

Substrate for semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20130065680A. Автор: 김종원,정광원,박은현,전수근. Владелец: 주식회사 세미콘라이트. Дата публикации: 2013-06-19.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Assembly structure of semiconductor device and heat-dissipating plate and fabricating method thereof

Номер патента: KR100759497B1. Автор: 정운범. Владелец: 주식회사 운영. Дата публикации: 2007-09-18.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor device having anti-reflective cap and spacer, fabrication method therefor, and fabrication method for photoresist pattern using thereof

Номер патента: KR100269330B1. Автор: 조한구,이중현,김인성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-01.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402394A1. Автор: Jing Liu,Jing Gao,Zhaosong Li,Chuanhai SHAN,Zhouyang LU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140147970A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181314A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device using emc wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US20200203331A1. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device with localized carrier lifetime reduction and fabrication method thereof

Номер патента: US20170271199A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Jun Cai,Hsiao-Chin Tuan,Alex Kalnitsky,Chih-Wen Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170271315A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20050212137A1. Автор: Motoshu Miyajima,Tamotsu Yamamoto,Hirofumi Watani,Hideki Kitada,Hiroshi Horiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US7416985B2. Автор: Motoshu Miyajima,Tamotsu Yamamoto,Hirofumi Watani,Hideki Kitada,Hiroshi Horiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

Semiconductor device including a through-via electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR102422244B1. Автор: 강필규,박병률,정덕영,김지황,박지순,손성민,안진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Semiconductor device having metal-insulator-metal capacitor and fabrication method for the same

Номер патента: KR100806034B1. Автор: 곽성호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-26.

Semiconductor device having dual damascen pattern structure and fabricating method thereof

Номер патента: KR100366625B1. Автор: 류성호,이경태. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-09.

A semiconductor device having self-aligned contact hole and fabrication method thereof

Номер патента: KR100487951B1. Автор: 김형섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-06.

Nonvolatile semiconductor device to preparing multi bit cell and fabricating method thereof

Номер патента: KR100760926B1. Автор: 김동욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-21.

Semiconductor device having multiple insulation layer structure and fabricating method thereof

Номер патента: KR100327324B1. Автор: 권오현,송윤흡. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-22.

Semiconductor device having improved wire bonding reliability and fabrication method thereof

Номер патента: KR100714478B1. Автор: 김광진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-04.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US10388643B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor device with isolation trench liner, and related fabrication methods

Номер патента: KR101810111B1. Автор: 리챠드 카터,죠지 크루쓰,마이클 하그로브. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-12-18.

Shaped lead terminals for packaging a semiconductor device for electric power

Номер патента: US10658284B2. Автор: Hiroyuki Harada,Junji Fujino,Mikio Ishihara,Masayoshi Shinkai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device including a charge-dispersing region and fabricating method thereof

Номер патента: TW556306B. Автор: Heon-Jong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11742269B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12094808B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Wide bandgap semiconductor device with vertical superjunction edge termination for the drift region

Номер патента: US09978832B1. Автор: Christopher Adrian Martino. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: EP4246566A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20240021767A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Номер патента: US20180012821A1. Автор: Toyohide TAKAHASHI,Takuji YAMASHIRO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Radiation protection for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2023033950A1. Автор: Lu Fu Lin,Yung Sheng Zou,Chong Leong Gan,Li Jao,Min Hua Chung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Presumably defective portion decision apparatus, presumably defective portion decision method, fabrication method for semiconductor device and program

Номер патента: US09435643B2. Автор: Shunichi Shibuki,Kyoko Izuha,Tatsushiro Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device

Номер патента: US20240203849A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Packaging substrate for semiconductor devices, corresponding device and method

Номер патента: US20190172782A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Data processing apparatus for semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20030168171A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Shoji Ikuhara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Test apparatus for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240345156A1. Автор: Takuya Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US12062634B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device, display device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180097019A1. Автор: Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Nano through substrate vias for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20230386970A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Hybrid mold chase surface for semiconductor bonding and related systems and methods

Номер патента: US20230268198A1. Автор: Byung Hoon Moon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US10354715B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device, and life prediction circuit and life prediction method for semiconductor device

Номер патента: US20070296040A1. Автор: Takashi Igarashi,Fumitaka Tametani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352379A1. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220077035A1. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: WO2015033209A9. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-04-14.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Micro Heat Transfer Arrays, Micro Cold Plates, and Thermal Management Systems for Semiconductor Devices, and Methods for Using and Making Such Arrays, Plates, and Systems

Номер патента: US20230207426A1. Автор: JIA Li,Dennis R. Smalley,Richard T. Chen,Uri Frodis,Onnik Yaglioglu,Will J. Tan,Nina C. Levy. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100136716A1. Автор: Hisashi Okuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US20030098467A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US6806121B2. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-19.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Solder pad for semiconductor device package

Номер патента: US09548280B2. Автор: Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Vijay Sarihan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: US20030091909A1. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Patterning methods for semiconductor devices

Номер патента: US12074058B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Shing-Chyang Pan,Wei-Ren Wang,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Alignment mark for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20070257288A1. Автор: Hiroshi Fukuda,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Edge termination for an electrical circuit device

Номер патента: CA1151257A. Автор: John E. Bartley,Orville R. Penrod. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1983-08-02.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Inductor for semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070152300A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Microwave excursion detection for semiconductor processing

Номер патента: WO2014003893A1. Автор: Juan Carlos Rocha-Alvarez,Sanjeev Baluja,Scott A. Hendrickson,Liliya Krivulina. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Insulating substrate for mounting semiconductor devices

Номер патента: GB2260650A. Автор: Masahide Miyagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-21.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Vertical digit lines for semiconductor devices

Номер патента: US20240172420A1. Автор: Sangmin Hwang,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Plasma dicing for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2024228887A1. Автор: Yichen WANG,Tsung Che Tsai,Raj K. Bansal,Vibhav GUPTA,Wie Chang WONG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for semiconductor testing at low temperature

Номер патента: US09385053B2. Автор: Manuschai Manuschai,Prasit Prasit,Santi BUTSOONGNOEN,Yutthana JITTABUT,Phisanu SOMBATKLUNG. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device

Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

System for providing information on quality and reliability of optical semiconductor device by using communication network

Номер патента: US20020081757A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US09947570B2. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

PECVD protective layers for semiconductor devices

Номер патента: US09761439B2. Автор: Zoltan Ring,Daniel Namishia,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Quantum dot material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: US20190062634A1. Автор: LEI QIAN,Zheng Liu,Yixing YANG. Владелец: TCL Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4016590A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method for dividing semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US20090197393A1. Автор: Kazuhiro Noda,Akira Nakagawa,Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Edge seals for semiconductor devices

Номер патента: US20230361139A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US09972562B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-15.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for thermo-mechanical stress reduction in semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US09960131B2. Автор: Antonella Milani,Paolo Colpani,Andrea Paleari,Lucrezia Guarino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Contact pad for semiconductor device

Номер патента: US09691686B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Tsung-Shu Lin,Cheng-chieh Hsieh,Chang-Chia HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8975620B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Spacers for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240063166A1. Автор: Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140042404A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Organic solvents having ozone dissolved therein for semiconductor processing utilizing sacrificial materials

Номер патента: WO2006025969A2. Автор: Steven Verhaverbeke. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-03-09.

Training method for semiconductor process prediction model, semiconductor process prediction device, and semiconductor process prediction method

Номер патента: US20230236553A1. Автор: Ming-Wei Chen,Chia-Wei Chen,Ching-Pei Lin,Chung-Yi Chiu,Hsiao-Ying Yang,Te-Hsuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US20210407894A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-30.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010027028A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Device and method for wafer map pattern detection using hierarchical clustering

Номер патента: US20240248959A1. Автор: Yoonsuh JUNG,Joowon JEONG. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for positioning semiconductor devices and corresponding positioning apparatus

Номер патента: EP4439078A1. Автор: Giuliano FILPI,Fabrice Coste,Pedro Jr Santos PERALTA,Alex GRIMA,Moise AVOCI UGWIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device and corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240371738A1. Автор: Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Capacitor structures for semiconductor device

Номер патента: US09793338B2. Автор: Peng Yang,Tsui Ping Chu,Evie Siaw Hei Kho,Yong Kheng Ang,Swee Hua Tia. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method

Номер патента: US09659985B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US8017440B2. Автор: Yuichi Machida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Lead frame routed chip pads for semiconductor packages

Номер патента: WO2005004200A3. Автор: Shafidul Islam,Anang Subagio,San Antonio Romarico Santos. Владелец: San Antonio Romarico Santos. Дата публикации: 2006-02-16.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Mass transfer method and system for semiconductor element

Номер патента: US20210249553A1. Автор: Tzu Ping Lin,Chia-Hua Huang,Peng Yue ZHANG,Po Fu CHEN. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device, imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3940766A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: PH12020551276A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-31.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP3745450A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210043599A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Dizo ODA. Владелец: Nippon Street Chemical & Matertial Corp Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Optical device for semiconductor based lamp

Номер патента: US20140204579A1. Автор: Keh Shium Liu,Yun Yuan Chu. Владелец: Pinecone Energies Inc Virgin Islands. Дата публикации: 2014-07-24.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Device and method for on-line measurement of wafer grinding force

Номер патента: US11404329B2. Автор: Pei Chen,Fei Qin,Shuai ZHAO,Tong An,Lixiang ZHANG,Yanwei Dai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-02.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding apparatus

Номер патента: EP3832702A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-09.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Gripper for semiconductor devices

Номер патента: WO2017172646A1. Автор: Emmanuel Chua Abas,Vergil Rodriguez Sandoval. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Evaluation method for semiconductor devices

Номер патента: US5850149A. Автор: Yukari Imai,Toshiharu Katayama,Naoko Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: WO2024177811A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240282731A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US20220181525A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US10985130B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US20190348350A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Giovanni Graziosi,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-14.

Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US10818610B2. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Hee Jung Kim,Nu Ri Na. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Device And Method For On-line Measurement Of Wafer Grinding Force

Номер патента: US20210407863A1. Автор: Pei Chen,Fei Qin,Shuai ZHAO,Tong An,Lixiang ZHANG,Yanwei Dai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-12-30.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: WO2024172878A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Lateral high-Q inductor for semiconductor devices

Номер патента: US20010043136A1. Автор: Jerome Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US12087886B2. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Bonding member for semiconductor device

Номер патента: US12119322B2. Автор: Akira Fukui,Toshie FUKUI. Владелец: SUPERUFO291 TEC. Дата публикации: 2024-10-15.

Intelligent uniform masks for semiconductor fabrication

Номер патента: US20160161843A1. Автор: Tammy DongLei ZHENG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor packaging device and manufacturing method for semiconductor packaging device

Номер патента: US20240347484A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US20220068666A1. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US11682563B2. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: US09768327B2. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device

Номер патента: US09738763B2. Автор: Kazuyuki Matsumura,Toshihisa Nonaka,Yoichi Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

EMI/RFI shielding for semiconductor device packages

Номер патента: US09673150B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device metallization systems and methods

Номер патента: US09548241B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Tung-Ching Tseng,Hsiang-Huan Lee,Wen-Cheng Yang,Hai-Ching Chen,Chung-En Kao,Hsin-Yen Huang,Keith Kuang-Kuo Koai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Packaging process tools and systems, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09543185B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09524865B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US09515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Lead frame for semiconductor device

Номер патента: US09472494B2. Автор: Jung Soo Park,Gi Jeong Kim,Joon Su Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Power supply arrangement for semiconductor device

Номер патента: US09406648B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Sen-Kuei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20200303317A1. Автор: Shinichi Arakawa,Teruyuki Sato,Takayuki Enomoto,Yohei Chiba. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Optical device for semiconductor based lamp

Номер патента: US20130058084A1. Автор: Yun-Yuan Chu,Keh Shium Liu. Владелец: Pinecone Energies Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-03-07.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190273109A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210118888A1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Guoliang Zhu,Tongqing CHEN,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09911778B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of forming RF FEM with LC filter and IPD filter over substrate

Номер патента: US09704857B2. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09443802B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Passivation equipment and passivation method for semiconductor device

Номер патента: US20240162003A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li,Chun-Hung Hung. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US20220146571A1. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US11604220B2. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Connecting terminal for wire

Номер патента: RU2740638C2. Автор: Ханс-Йозеф КЕЛЛЬМАНН,Вольфганг ГЕРБЕРДИНГ. Владелец: Ваго Фервальтунгсгезелльшафт Мбх. Дата публикации: 2021-01-19.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method and terminal for connection to network access device, and computer readable storage medium

Номер патента: EP4164326A4. Автор: Hao Wu,Fang Xie,Yang LIAO. Владелец: Chengdu XGIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for testing performance of a storage device and and corresponding device

Номер патента: EP3232675A1. Автор: Thierry Quere,Renaud Rigal,François-Xavier Seingier. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2017-10-18.

Method for testing performance of a storage device and and corresponding device

Номер патента: KR102381802B1. Автор: 르노 리갈,프랑수아-사비에 생지에,티에리 케르. Владелец: 인터디지털 매디슨 페턴트 홀딩스 에스에이에스. Дата публикации: 2022-03-31.

Probe head for semiconductor LSI inspection device and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH0640106B2. Автор: 正男 三谷,毅 藤田,豊 秋庭,彰夫 藤原,博信 沖野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-05-25.

Communication method using audio signals, mobile terminal for use in an audio communication method and corresponding communication system

Номер патента: WO2015082599A1. Автор: Ulrich M. Kipper. Владелец: It-Werke Technology Gmbh. Дата публикации: 2015-06-11.

Terminal for transmitting reference signal transmission device and method thereof

Номер патента: US11621744B2. Автор: Min Soo Na,Chang Soon Choi,Seung Young BAN. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2023-04-04.

Terminal for transmitting reference signal transmission device and method thereof

Номер патента: US20210336739A1. Автор: Min Soo Na,Chang Soon Choi,Seung Young BAN. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Terminal for transmitting reference signal transmission device and method thereof

Номер патента: US20230216549A1. Автор: Min Soo Na,Chang Soon Choi,Seung Young BAN. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

BIOLOGICAL-ELECTRODE PROTECTION MODULES, MEDICAL DEVICES AND BIOLOGICAL IMPLANTS, AND THEIR FABRICATION METHODS

Номер патента: US20220354408A1. Автор: Voiron Frédéric,NORMAND Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

METHOD, SYSTEM AND INTELLIGENT TERMINAL FOR PAIRING BETWEEN INTELLIGENT WEARABLE DEVICE AND INTELLIGENT TERMINAL

Номер патента: US20190104406A1. Автор: Huang Mian,Li Xiaofeng,Meng Fei,WANG Xiaochen,SUN Yuanbo. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-04-04.

Method, system and intelligent terminal for pairing between intelligent wearable device and intelligent terminal

Номер патента: US10798568B2. Автор: FEI Meng,Xiaofeng Li,Mian HUANG,Xiaochen WANG,Yuanbo Sun. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method, system and intelligent terminal for pairing between intelligent wearable device and intelligent terminal

Номер патента: PH12018502408B1. Автор: FEI Meng,Xiaofeng Li,Mian HUANG,Xiaochen WANG,Yuanbo Sun. Владелец: Advanced New Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-08.

Illumination apparatus, method of controlling an illumination apparatus, terminal for communicating with an illumination device and wireless lighting system

Номер патента: US20160029461A1. Автор: Jaemyoung Lee,Inhwan RA,Seunghyup Noh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-01-28.

ILLUMINATION APPARATUS, METHOD OF CONTROLLING AN ILLUMINATION APPARATUS, TERMINAL FOR COMMUNICATING WITH AN ILLUMINATION DEVICE AND WIRELESS LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20160029461A1. Автор: LEE Jaemyoung,NOH Seunghyup,Ra Inhwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Impedance calibration device for semiconductor device

Номер патента: US09998123B2. Автор: Hae Kang Jung,Yong Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Cloud-edge-terminal collaborative method and system applied in comprehensive management of coal transportation intelligent monitoring system

Номер патента: LU505168B1. Автор: Li Jia,Gang Li,Nan Jiang,Kun Zhao,Ji Zhang,Yong Zhu,Deyong Li,Liyong Yang,Renjing Cheng,Baiming Sun,An ZHENG,Yongsheng Bao,Shuxue Li,Teer Ba,Guangsan Li. Владелец: Huaneng Yimin Coal Electricity Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Cooling device for semiconductor device

Номер патента: US20240188253A1. Автор: Hideko Mukaida,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Yusuke Higashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Device and method for short-circuit protection of semiconductor switch

Номер патента: RU2212098C2. Автор: Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-09-10.

Driving method and driving device for semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20240235542A1. Автор: Yukihiko Wada,Takayoshi Miki,Yasutaka Imamura,Yohei MITSUI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20190165767A1. Автор: Woongrae Kim,Tae-Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Audio and video interface and method for communication between display device and audio-video information source

Номер патента: RU2559769C2. Автор: Синь Ду,Кэхуа Лю,Дяньюн Оуян. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US10530341B2. Автор: Woongrae Kim,Tae-Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-07.

Assisting local service management on edge terminal devices

Номер патента: EP4427441A1. Автор: Xu Li,LU LIU,Dale Seed. Владелец: Convida Wireless LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Integrated circuit structure comprising capacitor element and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6511874B2. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-01-28.

Transport protocol for communication between edge termination points

Номер патента: US20200267243A1. Автор: Dirk Trossen,Sebastian Robitzsch,Scott C Hergenhan. Владелец: IDAC Holdings Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Transport protocol for communication between edge termination points

Номер патента: US11765255B2. Автор: Dirk Trossen,Sebastian Robitzsch,Scott C Hergenhan. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: EP1078452A1. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: AU4000999A. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-12-06.

System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus

Номер патента: WO1999060699A1. Автор: Istvàn Novak,Wai-Yeung Yip. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 1999-11-25.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US20020046881A1. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US6498306B2. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Device configured to charge aerosol delivery device, and corresponding method

Номер патента: RU2724682C2. Автор: Фредерик Филипп ЭМПОЛИНИ,Джеймс Уильям РОДЖЕРС,Джеймс ДЕМОПУЛОС,Брюс Аллен БЕНГТССОН,Майкл Эдвард ЛАУТ,Стивен Уэйн БОКМАНН. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2020-06-25.

Cooling device, in particular for cooling components housed in a switchgear cabinet, corresponding use and corresponding method

Номер патента: RU2672853C2. Автор: Хуан-Карлос КАЧО-АЛОНСО,Даниэль РОЗЕНТАЛЬ,Торстен ХАЙМБЕРГ,Йёрг КНЕЧ. Владелец: Ритталь Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-11-20.

Hybrid automatic request for repeating with the polar code method and device and a wireless communication device

Номер патента: RU2669743C1. Автор: Бинь ЛИ,Хой ШЭНЬ,Юйчэнь СИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-15.

Data acquisition method, device, and system for semiconductor process equipment

Номер патента: EP4398127A1. Автор: Jiajia CHAI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20020079969A1. Автор: Yoshiyuki Hojo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES AND CORRESPONDING TEST ARCHITECTURE

Номер патента: FR2965645B1. Автор: Alberto Pagani,Jean-Michel Bard. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2012-10-12.

TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES AND CORRESPONDING TEST ARCHITECTURE

Номер патента: FR2965645A1. Автор: Alberto Pagani,Jean-Michel Bard. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2012-04-06.

Filtering device and filtering method and semiconductor fabricating method thereof

Номер патента: TW200734030A. Автор: Hung-Hu Hao,Kuo-Pang Tseng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Filtering device and filtering mthod and semiconductor fabricating method thereof

Номер патента: TWI308083B. Автор: Kuo Pang Tseng,Hung Hu Hao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20140210995A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for managing fonts in a radio-communication terminal for restoring multimedia contents on a screen, and corresponding terminal

Номер патента: WO2008090227A1. Автор: Cedric Gegout,Jean-Claude Dufourd. Владелец: Streamezzo. Дата публикации: 2008-07-31.

APPARATUS FOR CLEANING EXHAUST PASSAGE FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR CLEANING SAME

Номер патента: US20130306109A1. Автор: OKITA Kenji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Quality data managing device for semiconductor product manufacturing device and method therefor

Номер патента: JPH1165646A. Автор: Tatsuhiko Okuda,龍彦 奥田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Apparatus for cleaning exhaust passage for semiconductor crystal manufacturing device and method for cleaning same

Номер патента: KR101401310B1. Автор: 켄지 오키타. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Color film substrate, display device and color film substrate fabricating method

Номер патента: US20210373397A1. Автор: Lei Guo,Xianshu YU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: US9983391B2. Автор: Akihiko Obama,Tomoyuki Sashima. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

MICROELECTRONIC DEVICE AND MEMS PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130119441A1. Автор: Wang Chuan-Wei,Lee Sheng-Ta,Hsu Hsin-Hui. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

PIVOT ASSEMBLY BEARING DEVICE AND PIVOT ASSEMBLY BEARING DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20200176025A1. Автор: Kaneko Atsushi,TSUCHIYA Kunihiro,UCHIDA Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

VARIABLE POWER OPTICAL ASSEMBLY, OPTICAL DEVICE, AND VARIABLE POWER OPTICAL ASSEMBLY FABRICATION METHOD

Номер патента: US20150234162A1. Автор: OBAMA Akihiko,SASHIMA Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: US20180252902A1. Автор: Akihiko Obama,Tomoyuki Sashima. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Mobile terminal for connection with terminal guide device and Method for automatically applying terminal environment

Номер патента: KR101630812B1. Автор: 이승우,이정욱,강유진,차재욱. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2016-06-27.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: CN104769476A. Автор: 幸岛知之,小滨昭彦. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-07-08.

WEARABLE TERMINAL FOR DISPLAYING NAVIGATION INFORMATION, NAVIGATION DEVICE AND DISPLAY METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170227655A1. Автор: KIM Jung Eun,KIM Jong Gon,YU Bo Mi. Владелец: HYUNDAI MNSOFT, INC.. Дата публикации: 2017-08-10.

System and method for acceleration of deep-learning computing with edge-terminal collaboration

Номер патента: US20240330699A1. Автор: Hai Jin,Dezhong Yao,Sifan ZHAO. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-03.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Voltage-driven intelligent characterization bench for semiconductor

Номер патента: US09772371B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Charles J. Montrose. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for task writing in edge terminal, terminal, and readable storage medium

Номер патента: WO2023055295A3. Автор: Yang Zhang,Jialin QIAN,Changdong CUI,Meng CHAI. Владелец: Spic Envision Digital (Jiangsu) Co. Ltd.. Дата публикации: 2023-05-11.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device, control method for semiconductor device and control program

Номер патента: US20240296901A1. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US20190103142A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Coordinate transformation system for semiconductor device, coordinate transformation method and coordinate transformation program

Номер патента: US6721935B2. Автор: Hiroyuki Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method and apparatus for task writing in edge terminal, terminal, and readable storage medium

Номер патента: WO2023055295A2. Автор: Yang Zhang,Jialin QIAN,Changdong CUI,Meng CHAI. Владелец: Spic Envision Digital (Jiangsu) Co. Ltd.. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of manufacturing semiconductor device and system for same

Номер патента: US12093629B2. Автор: Ke-Ying Su,Ze-Ming Wu,Po-Jui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Device and method for outputting bioinformation and bioinformation report

Номер патента: RU2334455C2. Автор: Кодзи ТАКАХАСИ,Мотой НАГАЯ,Цунео СУЗУКИ. Владелец: Фукуда Денси Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-09-27.

Egg tray identification system and corresponding method

Номер патента: RU2685726C1. Автор: Джон Гилберт ХЕБРАНК,Уилльям Дуглас САМСОН. Владелец: ЗОИТИС СЕРВИСЕЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-23.

Design of photomasks for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2001042996A2. Автор: Henning Haffner,Scott M. Mansfield,Lars W. Liebmann,Shahid Butt. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Optical coupling structure for semiconductor device

Номер патента: US20240369783A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia,Chih-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Ignition control device and method

Номер патента: RU2230930C2. Автор: Мартин ХАУССМАНН,Харри ФРИДМАНН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2004-06-20.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of processing credit score, device, and electronic equipment

Номер патента: CA3170098A1. Автор: Peibin Liu,Xuyue Li. Владелец: 10353744 Canada Ltd. Дата публикации: 2023-02-10.

Method, system and computer program product for generating layout for semiconductor device

Номер патента: US09659133B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Yuan-Te Hou,Chi Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for distribution of banknotes, banknote distribution device and equipment for financial self-service

Номер патента: RU2656831C1. Автор: Цзюнь СЮЙ,Цинхуа ВАН,Сюэвэнь ДУН. Владелец: Джи Ар Джи БЭНКИНГ ЭКВИПМЕНТ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-06-06.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US11972719B2. Автор: Seung Ho Park,Sang Jae Yeo,Su Min Yang,Sung Hoon Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Triple redundant control device and method

Номер патента: US20030069649A1. Автор: Masayoshi Tahira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Learning device, and learning method

Номер патента: US12073301B2. Автор: Takuya Tanaka,Ryosuke Kasahara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2003261834A. Автор: 範行 大東,Noriyuki Daito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

TESTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES AND CORRESPONDING TEST ARCHITECTURE

Номер патента: US20120081137A1. Автор: PAGANI Alberto,Bard Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: JP5040252B2. Автор: 敏央 野中. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5040247B2. Автор: 敏央 野中,浩一 藤丸. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TWI292632B. Автор: Fen Ren Chien,Liang Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2008-01-11.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TW200721533A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Epitaxial wafer for semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4039204B2. Автор: 泰一郎 今野,優洋 新井. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-01-30.

Supporting substrates for semiconductor light emitting device and method of manufacturing vertical structured semiconductor light emitting device using the supporting substrates

Номер патента: KR100916366B1. Автор: 성태연. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2009-09-11.

Supporting substrates for semiconductor light emitting device and high-performance vertical structured semiconductor light emitting devices using supporting substrates

Номер патента: KR101231118B1. Автор: 성태연. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-02-07.

Reliability verification method for semiconductor integrated circuit device and placement and routing method thereof

Номер патента: JP4216936B2. Автор: 龍一 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Submounts for Semiconductor Light Emitting Devices and Methods of Forming Packaged Light Emitting Devices Including Dispensed Encapsulants

Номер патента: US20120061702A1. Автор: Medendorp,Keller Bernd P.,JR. Nicholas W.,Loh Ban P.,Andrews Peter S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20130056788A1. Автор: KATSUMOTO TADAHIRO,MORI Yutaka,Otsu Takeshi,HARAGUCHI Yukinari. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for repairing defective contact of open-type socket for semiconductor evaluation test device and grinding sheet for repairing defective contact

Номер патента: JPH11233220A. Автор: Yutaka Otsubo,誠 松村,豊 大坪,Makoto Matsumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-27.

P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING TYPE-2 QUANTUM WELL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007045A1. Автор: Shin Sang Hoon,CHANG Joonyeon,KIM Hyung-Jun,KOO Hyun Cheol,HAN Suk Hee,SONG JIN-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED STRESSOR REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED ISOLATION REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120292734A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROLLER, MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND GAS FLOW RATE ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120000542A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SAMPLING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20120000296A1. Автор: WENG Yanwen. Владелец: SHENZHEN MINDRAY BIO-MEDICAL ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTION ANALYSIS DEVICE AND ACTION ANALYSIS METHOD

Номер патента: US20120004887A1. Автор: Kawaguchi Kyoko,Tanabiki Masamoto. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

SENSING DEVICE AND IMAGE SENSOR MODULE THEREOF

Номер патента: US20120001054A1. Автор: Wang Wei Chung,Shen Chi Chih,Li Kuo Hsiung,Chen Hui Hsuan,Chuang Jui Cheng. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM INCLUDING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE AND ELECTRONIC VALVE INDICATOR AND LOCATOR DEVICE

Номер патента: US20120004538A1. Автор: Bertrand William J.,Speckman Lori C.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE COMMUNICATIONS DEVICE, AND METHOD OF UPDATING TELEPHONE DIRECTORY OF MOBILE COMMUNICATIONS DEVICE

Номер патента: US20120003963A1. Автор: ORMSON Richard. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROCESSING 3D IMAGES, AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20120001904A1. Автор: EYMARD FRANKIE. Владелец: STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Constant temperature chamber in a handler for semiconductor device testing apparatus

Номер патента: MY112337A. Автор: Fukumoto Keiichi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Network configuration method and apparatus, device, and medium

Номер патента: ZA202310594B. Автор: Jing Zhao,Tao HOU,Zongxin Yang,Jibing PENG,Lina MENG,Junjie Kong. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR STRIPPING A WAFER FROM A CARRIER

Номер патента: US20120000613A1. Автор: Thallner Erich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.