SEMICONDUCTOR DEVICE SILICIURATION METHOD, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE
Номер патента: FR3084773A1
Опубликовано: 07-02-2020
Автор(ы): Denis Monnier, Olivier GONNARD
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2020
Автор(ы): Denis Monnier, Olivier GONNARD
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same
Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.