• Главная
  • SEMICONDUCTOR DEVICE SILICIURATION METHOD, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE

SEMICONDUCTOR DEVICE SILICIURATION METHOD, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200266191A1. Автор: Mark Griswold,Amit Paul,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Optical proximity correction method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US11921419B2. Автор: Bong-Soo Kang,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods and configuration to simplify connections between polysilicon layer and diffusion area

Номер патента: US20040080017A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Buried hard mask for embedded semiconductor device patterning

Номер патента: US09673206B2. Автор: Simon S. Chan,Scott A. Bell,Angela Tai Hui. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090057770A1. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US9076886B2. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09647129B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Ryota Hodo,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058559A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312720A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096892A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having wire loop and method and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290372A1. Автор: Won-Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12027597B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321985A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US11935834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US20230343841A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326991A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240038858A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411474A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Conductive layer stack and semiconductor device with a gate contact

Номер патента: US11876051B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11862694B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197805A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, corresponding methods of production and use and corresponding apparatus

Номер патента: US20170140944A1. Автор: Alberto ARRIGONI,Alberto Da Dalt. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, corresponding methods of production and use and corresponding apparatus

Номер патента: US09893001B2. Автор: Alberto ARRIGONI,Alberto Da Dalt. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, corresponding methods of production and use and corresponding apparatus

Номер патента: US09698087B2. Автор: Alberto ARRIGONI,Alberto Da Dalt. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and system for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210013036A1. Автор: Yu Yan,Yuanming MENG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and apparatus for molding a semiconductor device

Номер патента: US20050287236A1. Автор: Yi Lin,Shu Ho,Teng Kuah,Chun Li,Zhi Zhang,Shuai Lee. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device resistant to soft errors and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020076913A1. Автор: Joo-hern Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Method and Apparatus of Patterning a Semiconductor Device

Номер патента: US20200064740A1. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and High Gapfill Capability for Semiconductor Devices

Номер патента: US20090075454A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369060A1. Автор: Yao-Hwan Kao,Ching-Hai Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09640624B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US20150311149A1. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230343638A1. Автор: Chun-Hung LIAO,Huang-Lin Chao,Chia-Hao Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20210036157A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices comprising nickel-and copper-containing interconnects

Номер патента: US20180358263A1. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device having insulating film

Номер патента: US4621277A. Автор: Takashi Ito,Takao Nozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-04.

Local interconnection method and structure for use in semiconductor device

Номер патента: US20040248406A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sung-Un Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220223521A1. Автор: Tse-Yao Huang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4318559A1. Автор: Sun Jung Lee,Jung Gun YOU,Gi Gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150054171A1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038841A1. Автор: Sun Jung Lee,Jung Gun YOU,Gi Gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of routing an electrical connection on a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY134889A. Автор: Hun Kwang Lee,Hong Ing Ooi. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-12-31.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US7122448B2. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor Devices with Counter-Doped Nanostructures

Номер патента: US20220352311A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Method and apparatus for cooling a semiconductor device

Номер патента: US09917034B2. Автор: Choon Meng Chua,Lian Ser Koh,Sze Wei CHOONG. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Driving method and apparatus for a pnpn semiconductor device

Номер патента: US5153758A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Kenichi Kasahara,Takahiro Numai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: WO2001011680A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and power supply control processing method for control circuit of semiconductor device

Номер патента: US20230403009A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020019134A1. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6503836B2. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09633941B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices

Номер патента: WO2008021935A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905703B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09349593B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method and apparatus for cleaning semiconductor device structure with gas flow

Номер патента: US20190019671A1. Автор: Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09859258B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with discrete blocks

Номер патента: US09543278B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2005091361A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US12087840B2. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US20240204070A1. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US20230282719A1. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device manufacturing method, coating formation method, and coating formation device

Номер патента: US20170294344A1. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US12027418B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190371782A1. Автор: Jaeseung Choi,Sang-Yeop BAECK,Inhak LEE,Hyunsu Choi,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US09799553B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US09646849B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09455319B2. Автор: Wei-Shan Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Packaged semiconductor devices and packaging methods

Номер патента: US09418969B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Yen-Chang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Contact formation method and related structure

Номер патента: US12074063B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Shih-Che Lin,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and system for reducing ARC layer removal bamd providing a capping layer for the ARC layer

Номер патента: US20010010976A1. Автор: Marina Plat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-02.

Method and system for reducing ARC layer removal by providing a capping layer for the ARC layer

Номер патента: US6420280B2. Автор: Marina V. Plat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor Device, Method of Fabricating the Same, and Apparatus for Fabricating the Same

Номер патента: US20080237593A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Ikumi Itsumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Underfill of bumped or raised die using a barrier adjacent to the sidewall of semiconductor device

Номер патента: US5973404A. Автор: Salman Akram,James M. Wark. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric

Номер патента: US20020158247A1. Автор: Mohammad Massoodi,Mehrdad Mahanpour,Jose Hulog. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US11984427B2. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Three-dimensional semiconductor device structures and methods

Номер патента: US20110298047A1. Автор: Qi Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Forming a semiconductor device

Номер патента: GB2411289B. Автор: Ping Mei. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-02-13.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Selective depopulation of gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: EP4148776A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard GULER,Clifford Ong,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055326A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for coating semiconductor device using droplet deposition

Номер патента: US20070161135A1. Автор: Bernd Keller,Ban Loh. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Compound semiconductor devices combined in a face-to-face arrangement

Номер патента: US20230299156A1. Автор: Daniel Piedra,James G. Fiorenza et al.. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Compound semiconductor devices combined in a face-to-face arrangement

Номер патента: EP4214753A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307550A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Shigeki Komori,Yoshinori Ando,Ryota Hodo,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066753A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8420409B2. Автор: Yuugo Goto,Teruyuki Fujii. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110291182A1. Автор: Seung Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160254387A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor devices having adjoined via structures formed by bonding and methods for forming the same

Номер патента: US11887954B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of packaging a semiconductor device with a clip

Номер патента: US20130285249A1. Автор: Chee Chian Lim,Yoke Chin Goh,Boon Huat Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device manufacturing method, wafer, and wafer manufacturing method

Номер патента: US7345003B2. Автор: Ryou Nakamura,Takae Sukegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240087895A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20230386842A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device manufacturing method, wafer, and wafer manufacturing method

Номер патента: US20080122046A1. Автор: Ryou Nakamura,Takae Sukegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device manufacturing method, wafer, and wafer manufacturing method

Номер патента: US20060141801A1. Автор: Ryou Nakamura,Takae Sukegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Anti-reflective coating layer for semiconductor device

Номер патента: US5986344A. Автор: Suzette K. Pangrle,John G. Pellerin,Ramkumar Subramanion,Ernesto A. Gallardo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US20190319103A1. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US11380764B2. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-07-05.

Crystal growth method and a substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20220122839A1. Автор: Takehiro Nishimura,Chiaki DOUMOTO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: US20130099851A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100078773A1. Автор: Shigeo Ishikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Separation of Semiconductor Devices from a Wafer Carrier

Номер патента: US20130084658A1. Автор: Adolf Koller,Mathias Vaupel,Stefan Martens,Sebastian Bernrieder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11784111B2. Автор: HUNG-YI LIN,Wu Chou HSU,Chin-Cheng Kuo,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: EP4145497A2. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: EP2502267A2. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: WO2011063292A2. Автор: Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135929A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor devices including a narrow active pattern

Номер патента: US20200111781A1. Автор: Ki Tae Lee,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Byung Gook Park,Si Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Crack Stops for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110244658A1. Автор: Michael Beck,Erdem Kaltalioglu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: EP4145497A3. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: CA1162797A. Автор: Akira Abiru,Masahiro Sugimoto,Juro Inomata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-28.

Methods of forming semiconductor devices and devices formed using such methods

Номер патента: US8445388B2. Автор: Robert V. Fox,Rene G. Rodriguez,Joshua Pak. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11791284B2. Автор: Akira Yamakawa,Katsuhiko Sumita,Naoko Tsuji. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326836A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US11894328B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with interconnect part and method for preparing the same

Номер патента: US11881451B2. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device with discrete blocks

Номер патента: US11855045B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261880A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200212209A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor Device with Discrete Blocks

Номер патента: US20240113080A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Thin-type semiconductor device and die pad thereof

Номер патента: US20020027267A1. Автор: Chia-Yi Lin,Chih-Tsung Hou,Kung-Ming Huang,Ching-Kun Yeh. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US20210296465A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11955423B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080045019A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Chang-ki Hong,Sung-Jun Kim,Ho-Young Kim,Seong-Kyu Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Surface modifying material for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20170345648A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220084967A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20070273050A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090101994A1. Автор: Kyoung-Mi Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20230075754A1. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290714A1. Автор: Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US20140167073A1. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER DEVICE CO. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230138505A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US11942528B2. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US20170200633A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268198A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210335742A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US11854832B2. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10475931B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230411304A1. Автор: Junghoon Kim,KyungMoon Kim,KyoWang Koo,YoungSang KIM,HeeYoun Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW201125046A. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-07-16.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220028801A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230317454A1. Автор: Ji Hoon Kim,Jae Han Park,Chang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284435A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160043030A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and system for developing semiconductor device fabrication processes

Номер патента: US20200241512A1. Автор: Kei-Kang Hung. Владелец: Aicp Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and apparatus for incorporating in-situ sensors

Номер патента: WO2002082534A3. Автор: Christopher A Bode,Thomas J Sonderman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09570625B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09666723B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09704868B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a guard ring

Номер патента: US09659879B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09627545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09508861B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09391027B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20010013646A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20020045292A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502580B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204948A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151720A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4199117A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929276B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09812466B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Jun Koyama,Masayuki Sakakura,Tomoaki Atsumi,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09608124B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100233853A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices

Номер патента: US20160011058A1. Автор: Frank Wolter,Holger Ruething,Andreas Kiep. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20040135200A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Hiroaki Hazama,Hirohisa Iizuka,Norihisa Arai,Akira Goda,Naoki Koido,Tohru Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021752A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09705004B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Nano-tube semiconductor device and shear force sensor comprising same

Номер патента: EP4135058A1. Автор: Gyuchul Yi,Hongseok Oh. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2023-02-15.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US09761710B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09484308B2. Автор: Chao-Wen Shih,Ming-Kai Liu,Yung-Ping Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: EP4404275A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods and apparatus for a flexible circuit interposer

Номер патента: US7271016B2. Автор: Douglas C Chambers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-18.

Methods and apparatus for a flexible circuit interposer

Номер патента: US20060220228A1. Автор: Douglas Chambers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: US20240298435A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US10971591B2. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200066860A1. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240260257A1. Автор: Yuki Ito,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09966945B2. Автор: Hiroshi Inada,Tatsuo Morita,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608122B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device comprising an aperture array and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Method and system for developing semiconductor device fabrication processes

Номер патента: US11347210B2. Автор: Kei-Kang Hung. Владелец: Alcp Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

A stacked semiconductor device

Номер патента: WO2023151950A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method and apparatus for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20100231253A1. Автор: Hiroki Kitagawa,Hiroaki Katsura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

System for developing semiconductor device fabrication processes

Номер патента: US11467567B2. Автор: Kei-Kang Hung. Владелец: Aicp Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163872A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US5889295A. Автор: John Rennie,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Multi-directional light emitting semiconductor device

Номер патента: US5844257A. Автор: Tony K. T. Chen. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9768314B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming directional rf coupler with ipd for additional rf signal processing

Номер патента: SG169928A1. Автор: Kai Liu,Robert C Frye. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080048180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Yuji Iwaki,Yasuyuki Arai,Yoshitaka Moriya,Yasuko Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4243079A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP3730567A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362113B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888071B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11972996B2. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128273A1. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240113229A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Optical semiconductor device

Номер патента: US9704840B2. Автор: Makoto Murata,Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for inspecting semiconductor device

Номер патента: WO2006132485A1. Автор: Sang-yoon Lee,Hyun-Min Lee,Il-Nam Kim,Ssang-Gun Lim,Min-Gu Kang. Владелец: Intekplus Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194786A1. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11894387B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US20160204200A1. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US9966436B2. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and electric device

Номер патента: EP3817069A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Thin profile power semiconductor device package having face-to-face mounted dice and no internal bond wires

Номер патента: US11296017B2. Автор: Nathan Zommer. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Method of making a semiconductor device using a nanochannel glass matrix

Номер патента: US5306661A. Автор: Brian L. Justus,Ronald J. Tonucci. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1994-04-26.

Semiconductor device with temperature regulation

Номер патента: US20020030239A1. Автор: Thomas Der Ropp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: EP3690938A1. Автор: Hiroyuki Ito,Hiromi Shimazu,Hisashi Tanie. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US11894489B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20130037859A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035897A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20240128300A1. Автор: Yusuke Otake,Tomoaki Kudou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20200203241A1. Автор: Hiroyuki Ito,Hiromi Shimazu,Hisashi Tanie. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and crack detection method

Номер патента: US20210223305A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of making high voltage semiconductor device

Номер патента: US5213994A. Автор: Earl D. Fuchs. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US20230335512A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9508817B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Huan-Just Lin,Chi-Cheng Hung,Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US11939497B2. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4350779A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234554A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Antenna-incorporated semiconductor device

Номер патента: US20050093130A1. Автор: Kimito Horie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411318A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device including fuse having form of capacitor

Номер патента: US8633565B2. Автор: Seong-Ho Kim,Ho-ju Song,Gil-sub Kim,Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240049458A1. Автор: KANG Yang,Yi Zhou,Ziyu ZHANG,Zhiyong Cai,Hsing-An LO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855017B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796104B2. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11997846B2. Автор: Ryo Tokumaru,Satoru Okamoto,Ryota Hodo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor Device Including Fuse Having Form of Capacitor

Номер патента: US20110049670A1. Автор: Seong-Ho Kim,Ho-ju Song,Gil-sub Kim,Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093054A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device and method for packaging

Номер патента: US20230110402A1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: EP4007063A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device, system, and method for operating system

Номер патента: US20170358254A1. Автор: Takeshi Aoki,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: US20220173490A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Method and apparatus transporting charges in semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US7550800B2. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299078A1. Автор: Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11791293B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150102405A1. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210013163A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20090174074A1. Автор: Kenichi Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220302091A1. Автор: Kazuto Mikami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor device with reduced loss and manufacturing method the same

Номер патента: US20230317837A1. Автор: Chongman Yun,Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240138138A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180166392A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9595590B2. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having a resistor and structure therefor

Номер патента: US11984471B2. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with reduced power

Номер патента: US20240020453A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device socket, assembly and methods

Номер патента: US20010000304A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12062764B2. Автор: Kei Takahashi,Hiroki Inoue,Ryota Tajima,Munehiro KOZUMA,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW200304676A. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Systems, methods, and apparatus for controlling power semiconductor devices

Номер патента: US20140097886A1. Автор: Alan Carroll Lovell,Todd David Greenleaf,Mark E. Shepard. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240314999A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and phase locked loop including the same

Номер патента: US09473154B2. Автор: Ji-Hyun Kim,Woo-Seok Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and systems of impedance source semiconductor device protection

Номер патента: US09431819B2. Автор: Ian Wallace,Christopher Harper,Jeffery Fischer. Владелец: DRS Power and Control Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11980096B2. Автор: In-Shiang CHIU,Kuang-Chu Chen,Peng-Chan HSIAO,Han-YING LIU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170006007A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device, broadcasting system, and electronic device

Номер патента: US20180109835A1. Автор: Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of identifying peripheral device employed in a semiconductor device

Номер патента: US6032254A. Автор: Hiroshi Kume. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for isolating faulty semiconductor devices in a multiple stream graphics system

Номер патента: US20040073857A1. Автор: Tyvis Cheung,Nathaniel Naegle. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240295810A1. Автор: Yao-Hwan Kao,Wei-Han Huang,Hao Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device for improving performance in continuous read and operation method of semiconductor device

Номер патента: US20240274188A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for testing a semiconductor device

Номер патента: US20230358784A1. Автор: Wonjung Kim,KyouYong HAN,ZunBae MOON. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Method and apparatus for coupling a semiconductor device with a tester

Номер патента: US5440231A. Автор: Maureen Sugai. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Method and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12019370B2. Автор: Yao-Hwan Kao,Wei-Han Huang,Hao Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Method and system for measuring laser induced phenomena changes in a semiconductor device

Номер патента: US20060284625A1. Автор: Jacob Phang,Soon Tan,Choon Chua,Lian Koh,Hoo Ng. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US20150084667A1. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US20120153984A1. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-21.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US8922235B2. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device, correlation value operation method, and recording medium

Номер патента: US20240303077A1. Автор: Atsushi Yamazaki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and mobile terminal device

Номер патента: US09471530B2. Автор: Satoshi Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Test system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20240183878A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chih-Kang TOH. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US11754621B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US12066484B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and device for wafer-level testing

Номер патента: US20240361380A1. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240143281A1. Автор: Shinji Tanaka,Daiki Kitagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and display comprising the same

Номер патента: US20020140663A1. Автор: Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device testing memory cells and test method

Номер патента: US20100254196A1. Автор: Jung-Sik Kim,Joung-Wook Moon,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device

Номер патента: US10936357B2. Автор: Yasuhiro Sugita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09587994B2. Автор: Kosuke YAYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and system for wafer-level testing

Номер патента: US20240310434A1. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for wafer-level testing

Номер патента: US12025655B2. Автор: Jun He,Yu-Ting Lin,Yung-Liang Kuo,Wei-Hsun LIN,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for clock power saving in multiport latch arrays

Номер патента: US20140177344A1. Автор: Saravanan MARIMUTHU,Sachin BAPAT,Sakthivel PACKIRISAMY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Exposure equipment, exposure method, and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20090040484A1. Автор: Shouichirou HAYASHI. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Temperature control method and apparatus and test method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20070296434A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Morimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method and device for regulating a voltage supply to a semiconductor device

Номер патента: WO2005050425B1. Автор: Boris Bobrov,Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Smolyansky. Владелец: Leonid Smolyansky. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device module

Номер патента: AU2012227357A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Active matrix semiconductor device

Номер патента: US7084862B2. Автор: Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Active matrix semiconductor device

Номер патента: US20030089916A1. Автор: Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20020036514A1. Автор: Kouji Matsunaga,Takahiro Kimura,Hirobumi Inoue,Toru Taura,Michinobu Tanioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device and mobile terminal device

Номер патента: US20130238824A1. Автор: Satoshi Sasaki. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150332744A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US11714122B2. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160141011A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US20170330606A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20190122711A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20110289339A1. Автор: Shigehiro Asano,Yutaka Yamada,Takashi Yoshikawa,Yohei Hasegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device with impedance controllable output buffer

Номер патента: US20020034103A1. Автор: Nobuaki Otsuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US11054462B2. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20180217202A1. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20210293876A1. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device having turn-on and turn-off capabilities

Номер патента: CA1201214A. Автор: Victor A.K. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-25.