Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Compound semiconductor devices combined in a face-to-face arrangement

Compound semiconductor devices combined in a face-to-face arrangement

Номер патента: US20230299156A1
Опубликовано: 21-09-2023
Автор(ы): Daniel Piedra, James G. Fiorenza et al.
Принадлежит: Analog Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Compound semiconductor devices combined in a face-to-face arrangement

Номер патента: EP4214753A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Compound semiconductor-based devices with stress-reduction features

Номер патента: US20240021716A1. Автор: Francois Hebert,Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Lawrence Selvaraj SUSAI,Hendro MARIO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Compound semiconductor-based devices with stress-reduction features

Номер патента: EP4307350A2. Автор: Francois Hebert,Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Lawrence Selvaraj SUSAI,Hendro MARIO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Compound semiconductor-based devices with stress-reduction features

Номер патента: EP4307350A3. Автор: Francois Hebert,Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Lawrence Selvaraj SUSAI,Hendro MARIO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor devices including a gate structure in a substrate

Номер патента: US10050038B2. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Package with memory die and logic die interconnected in a face-to-face configuration

Номер патента: WO2015199817A1. Автор: Jun Zhai,Mengzhi Pang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-12-30.

Semiconductor device with surrounding gate transistors in a NAND circuit

Номер патента: US09716092B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11239344B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11935943B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Compound semiconductor device comprising compound semiconductor layered structure having buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496380B2. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954091B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing compound semiconductor device with gate electrode forming before source electrode and drain electrode

Номер патента: US8569124B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140021513A1. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Compound semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9099545B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor device including GaN-based compound semiconductor stacked layer and method for producing the same

Номер патента: US8981428B2. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Masaki Ueno,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230378313A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10008572B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US20180090575A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120217543A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Integrated circuit package having a face-to-face IC chip arrangement

Номер патента: US5438224A. Автор: Marc V. Papageorge,Frank J. Juskey,John R. Thome,Bruce J. Freyman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Spin-qubit semiconductor devices with quantum dots embedded in a 28-silicon enriched device layer on a non-enriched substrate and a barrier superlattice and related methods

Номер патента: WO2024054282A3. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8816408B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125885B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030134494A1. Автор: Masahiro Ikehara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047554A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378275A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352557A1. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240222437A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20170365608A1. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180331111A1. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US10748905B2. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-18.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: US20180277671A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: EP3602611A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Compound semiconductor field effect transistor gate length scaling

Номер патента: WO2018174998A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

High Voltage Vertical Semiconductor Device with Multiple Silicon Pillars in a Racetrack Arrangement

Номер патента: US20180061947A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Jiankang Bu,Alexei Ankoudinov,Sorin Georgescu,Kelly Marcum. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device with surrounding gate transistors in a NOR circuit

Номер патента: US09646991B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-13.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Normally-Off Compound Semiconductor Tunnel Transistor with a Plurality of Charge Carrier Gases

Номер патента: US20140034962A1. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230144657A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653569B1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US10700189B1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20200058783A1. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming ohmic contacts on compound semiconductor devices

Номер патента: US20230369436A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Group iii-v compound semiconductor device

Номер патента: US20190267453A1. Автор: Hyunsu Ju,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190267484A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11784223B2. Автор: Hirofumi Kida. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Compound semiconductor device

Номер патента: US10734508B2. Автор: Taku Sato,Jun'ichi OKAYASU. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Method of manufacturing semiconductor devices by filling grooves formed in a front side surface of a wafer with a side face protection material

Номер патента: US12094837B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with emitter contact holes in a first layer not overlaid by emitter through holes in a second layer

Номер патента: US7880271B2. Автор: Kazuya Takahashi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9653590B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997612B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030107101A1. Автор: Kaoru Inoue,Hiroyuki Masato,Yoshito Ikeda,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Patterned back-barrier for III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09559161B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US9123791B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-09-01.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130075787A1. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899492B2. Автор: Atsushi Yamada,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160197174A1. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Makoto Kuwahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Compound semiconductor substrate and compound semiconductor device

Номер патента: US20230343865A1. Автор: Keisuke Kawamura,Sumito OUCHI,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8399361B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Compound semiconductor devices with a conductive component to control electrical characteristics

Номер патента: EP4256615A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Joshua Andrew PEROZEK. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072154A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Compound semiconductor devices with a conductive component to control electrical characteristics

Номер патента: US20240097016A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Joshua Andrew PEROZEK. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090166815A1. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9117891B2. Автор: LEI Zhu,Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7948062B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210257466A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yung-Hao Lin,Chia-Ching HUANG,Chia-hao Lee,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140084344A1. Автор: LEI Zhu,Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240274704A1. Автор: Hiroki Sugiyama,Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210320196A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Tsung-Hsiang Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11527606B2. Автор: Yu-Chieh Chou,Tsung-Hsiang Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20180108768A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Compound semiconductor substrate

Номер патента: EP3605595A1. Автор: Hiroki Suzuki,Keisuke Kawamura,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2020-02-05.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069113A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150372125A1. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Compound Semiconductor Substrate and Method of Forming a Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170365464A1. Автор: Simone Lavanga,Uttiya Chowdhury. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426892B2. Автор: Kenji Imanishi,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Source down semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09911686B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Andreas Meiser,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices having an insulation layer in a recess and an impurity barrier layer extending along the insulation layer

Номер патента: US11742401B2. Автор: Daehyun Kim,Chunhyung Chung,Donghyun IM,Sungmi YOON,Jooyub Kim,Juhyung We. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20140097445A1. Автор: Yoshinao Miura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Three-dimensional memory device containing iii-v compound semiconductor channel and contacts and method of making the same

Номер патента: US20210375909A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Group iii-v compound semiconductor device and passivation structure adapted therein

Номер патента: US20230290837A1. Автор: Cheng Liu,Jie Zhao,Nien-Tze Yeh,Lige Wang,Xiaoyuan Wang,Zhidong Lin,Dexiao GUO,Junlei HE. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High-power component based on iii nitride compound semiconductors, intermediate product and process for production of a high-power component

Номер патента: US20240347629A1. Автор: Richard Reiner,Philipp Döring. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatuses comprising semiconductor dies in face-to-face arrangements

Номер патента: WO2019009936A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Dai Sasaki,Satoshi Isa. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-10.

Apparatuses Comprising Semiconductor Dies in Face-To-Face Arrangements

Номер патента: US20190304955A1. Автор: SASAKI Dai,KATAGIRI Mitsuaki,Isa Satoshi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses comprising semiconductor dies in face-to-face arrangements

Номер патента: TWI658561B. Автор: 片桐光昭,佐佐木大,伊佐聰. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2019-05-01.

Semiconductor device with a connection pad in a substrate and method for production thereof

Номер патента: US9269680B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150004783A1. Автор: Jong-ho Lee,Sung-Won Choi,Bum-Joon Youn,Min-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074200B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

SGT-including semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613827B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US20170092657A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US9660095B2. Автор: Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US20090073736A1. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282518A1. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935792B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798993B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11038019B2. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100163977A1. Автор: Sang-Hyun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237544A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014270A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210074540A1. Автор: Tatsuya Shiraishi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144366A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method to transfer two dimensional film grown on metal-coated wafer to the wafer itself in a face-to face manner

Номер патента: US09758381B2. Автор: Kian Ping Loh,Antonio Helio CASTRO NETO,Libo GAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2017-09-12.

Method to transfer two dimensional film grown on metal-coated wafer to the wafer itself in a face-to-face manner

Номер патента: US09966250B2. Автор: Kian Ping Loh,Antonio Helio CASTRO NETO,Libo GAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-05-08.

Method To Transfer Two Dimensional Film Grown On Metal-Coated Wafer To The Wafer Itself In a Face-To-Face Manner

Номер патента: US20160176713A1. Автор: Kian Ping Loh,Antonio Helio CASTRO NETO,Libo GAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2016-06-23.

Method to transfer two dimensional film grown on metal-coated wafer to the wafer itself in a face-to-face manner

Номер патента: WO2015020610A1. Автор: Kian Ping Loh,Antonio Helio CASTRO NETO,Libo GAO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2015-02-12.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Low external resistance channels in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09812323B2. Автор: Effendi Leobandung,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Electronic device including a polycrystalline compound semiconductor layer and a process of forming the same

Номер патента: US09728629B1. Автор: Brice De Jaeger,Abhishek Banerjee,Aurore Constant,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190020318A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kozo Makiyama,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nitride compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140084298A1. Автор: Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Tatsuyuki Shinagawa,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09548365B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150028391A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Economical and environmentally friendly chemical mechanical polishing for III-V compound semiconductor device fabrication

Номер патента: US09601482B1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Iii-v compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US20160049477A1. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923049B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

III-V compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US09685514B2. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09564524B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Compound semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US8709886B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Kozo Makiyama,Toyoo Miyajima,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09478539B1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167081A1. Автор: Atsushi Hasuike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Integrated circuit device having III-V compound semiconductor region comprising magnesium and N-type impurity and overlying III-V compound semiconductor layer formed without Cp2Mg precursor

Номер патента: US09660031B2. Автор: Hung-Ta Lin,Meng-Ku Chen,Pang-Yen Tsai,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230282645A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG,Walter Wohlmuth. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20100052015A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Gate stack for normally-off compound semiconductor transistor

Номер патента: US09553183B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Compound semiconductor device

Номер патента: US11916140B2. Автор: Hokyun Ahn,Hyunwook Jung,Sungjae CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of forming a III-V compound semiconductor channel post replacement gate

Номер патента: US09735273B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP2701200A3. Автор: Atsushi Yamada,Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8809860B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Nitride compound semiconductor

Номер патента: US09773864B2. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Ogawa,Manabu TOHSAKI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

III-V compound semiconductor channel material formation on mandrel after middle-of-the-line dielectric formation

Номер патента: US09627271B1. Автор: Effendi Leobandung,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Compound semiconductor device and manufacture process thereof

Номер патента: US20120146134A1. Автор: Yoichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Structure for integration of an III-V compound semiconductor on SOI

Номер патента: US09548319B2. Автор: Alexander Reznicek,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160172478A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2575180A3. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Three-dimensional memory device including iii-v compound semiconductor channel layer and method of making the same

Номер патента: US20210408033A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Kumar BARASKAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20170148883A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120139630A1. Автор: Norikazu Nakamura,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Integration of compound-semiconductor-based devices and silicon-based devices

Номер патента: EP4210088A1. Автор: Mark Levy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Compound semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20190006503A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160190278A1. Автор: Atsushi Yamada,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Iii-v compound semiconductor channel post replacement gate

Номер патента: US20170358679A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200373407A1. Автор: Yi-Chun Shih,Shun-Min Yeh. Владелец: Glc Semiconductor Group Cq Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device for sensing impedance changes in a medium

Номер патента: US11598742B2. Автор: Vikas Gupta,Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device for sensing impedance changes in a medium

Номер патента: WO2020081711A1. Автор: Vikas Gupta,Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SURROUNDING GATE TRANSISTORS IN A NAND CIRCUIT

Номер патента: US20170047328A1. Автор: MASUOKA Fujio,ASANO MASAMICHI. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with field electrode structures in a cell area and termination structures in an edge area

Номер патента: US09620636B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170098649A1. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09905563B2. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Heterostructure of an electronic circuit having a semiconductor device

Номер патента: US12094964B2. Автор: Alexander Ruf,Stefan SCHMULT,Andre Wachowiak. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US10242936B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Compound semiconductor device, method for manufacturing the same and amplifier

Номер патента: US20210036139A1. Автор: Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Heterostructure of an Electronic Circuit Having a Semiconductor Device

Номер патента: US20230327012A1. Автор: Alexander Ruf,Stefan SCHMULT,Andre Wachowiak. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional memory device containing iii-v compound semiconductor channel and contacts and method of making the same

Номер патента: US20210375910A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method To Transfer Two Dimensional Film Grown On Metal-Coated Wafer To The Wafer Itself In a Face-To-Face Manner

Номер патента: US20170263447A1. Автор: Gao Libo,Loh Kian Ping,Castro Neto Antonio Helio. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

PACKAGE WITH MEMORY DIE AND LOGIC DIE INTERCONNECTED IN A FACE-TO-FACE CONFIGURATION

Номер патента: US20150380392A1. Автор: PANG Mengzhi,Zhai Jun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090256195A1. Автор: Jun Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09887284B1. Автор: Shinsuke Watanabe,Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with semiconductor mesa including a constriction

Номер патента: US09666665B2. Автор: Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices having field electrode trenches

Номер патента: US10403728B2. Автор: Michael Hutzler,Christoph Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2014086479A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151758A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2018172977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Matteo Dainese,Markus Bina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230107025A1. Автор: Po-Yu Chen,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing the same

Номер патента: US8080831B2. Автор: Masatoshi Morikawa,Tetsuo Uchiyama,Yutaka Hoshino,Fumitaka Nakayama. Владелец: Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230292494A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240055490A1. Автор: Alessandro Ferrara,Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9356138B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20150243777A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361215A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Kiseok LEE,Gyeom KIM,HyunSu Shin,DaeHong KO,Daeseop Byeon,Seran Park,Chunghee Jo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20160240664A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170365711A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor Device Including a Dielectric Structure in a Trench

Номер патента: US20140027812A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Franz Hirler,Hans-Peter Felsl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device with a dielectric structure in a trench

Номер патента: DE102013107758B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Franz Hirler,Hans-Peter Felsl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device to reduce signal loss in a transmission line

Номер патента: US20230361020A1. Автор: Eduardo Mariani,Pablo Jesús Gardella,Brenda Rossi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: US20190189533A1. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-06-20.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: EP3234985A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-10-25.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: WO2016096556A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2016-06-23.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10297526B2. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-05-21.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130126897A1. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09515063B2. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A3. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Takashi Udagawa. Дата публикации: 2004-12-23.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A2. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2004-06-17.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US12131973B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09450049B2. Автор: Jung-Dal Choi,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290888A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Aluminum alloys for low resistance, ohmic contacts to iii-nitride or compound semiconductor

Номер патента: US20070228418A1. Автор: Thomas Herman. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-10-04.

Manufacturing method of compound semiconductor device

Номер патента: EP2575177A3. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: US20170271235A1. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194669A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Po-Heng Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US20230420328A1. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673377B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149118A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2609786A. Автор: Nishimura Kunihiko,Nishimura Shinya,YAGYU Eiji,HIZA Shuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140291725A1. Автор: Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Compound semiconductor film structure

Номер патента: US20170117368A1. Автор: Chung-Chieh Yang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Single column compound semiconductor bipolar junction transistor fabricated on iii-v compound semiconductor surface

Номер патента: US20190157416A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor Device and Method of Making the Same

Номер патента: US20150255597A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-10.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180040579A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315726A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9812417B2. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764296B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Esd-protection device, a semiconductor device and an integrated system in a package comprising such a device

Номер патента: EP2130226A1. Автор: Stephane Bouvier,Emmanuel Savin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-12-09.

Apparatuses Comprising Semiconductor Dies in Face-To-Face Arrangements

Номер патента: US20190013294A1. Автор: SASAKI Dai,KATAGIRI Mitsuaki,Isa Satoshi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-10.

Compound semiconductor device with mesa structure

Номер патента: US20140057401A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

High-speed compound semiconductor device having a minimized parasitic capacitance and resistance

Номер патента: US5939737A. Автор: Hidenori Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of producing compound semiconductor device

Номер патента: EP1363167A3. Автор: Hiroshi Kobayashi,Takanori Matsumoto,Akiyoshi Kudo. Владелец: EKC Technology KK. Дата публикации: 2007-06-06.

Group iii-v compound semiconductor substrate and group iii-v compound semiconductor substrate with epitaxial layer

Номер патента: US20200052075A1. Автор: Shinya Fujiwara,Tomoaki Miyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20180158898A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Group iii-v compound semiconductor substrate and group iii-v compound semiconductor substrate with epitaxial layer

Номер патента: US20210057527A1. Автор: Shinya Fujiwara,Tomoaki Miyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20130307065A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US8921932B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US20230395427A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of singulating semiconductor devices

Номер патента: US09887134B2. Автор: Kong-Beng Thei,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having buried channel array

Номер патента: US09685519B2. Автор: Ji-Young Kim,Sung-hee Lee,Seung-Hwan Kim,Dae-Sin Kim,Dong-Soo Woo,Na-Ra Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming spacers for semiconductor devices including backside power rails

Номер патента: US11915972B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030305A1. Автор: Jaehyun Lee,Jonghan LEE,Taegon Kim,Jonghoon Baek,Yujin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Spacers for Semiconductor Devices Including a Backside Power Rails

Номер патента: US20220037193A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of Forming Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20240186179A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11856752B2. Автор: Ki-hyung NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200161305A1. Автор: Ki-hyung NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: EP3234984A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-10-25.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10319580B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-06-11.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: US20170263448A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-09-14.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20080237638A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

III-V compound semiconductor device having metal contacts and method of making the same

Номер патента: US09391153B2. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device comprising an isolation trench

Номер патента: US09825148B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349834B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond with improved near-substrate thermal conductivity

Номер патента: US09679764B2. Автор: Firooz Nasser-Faili. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09525043B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US12009364B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20230275096A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20240332303A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a strain feature in a gate spacer and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09496395B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490159B2. Автор: Yang Bok Lee,Seung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for growing epitaxies of a chemical compound semiconductor

Номер патента: US09287122B2. Автор: YI Chang,Hung-Wei Yu,Tsun-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films

Номер патента: US09752252B1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-09-05.

Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films

Номер патента: US09461112B1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178309A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Li-Fan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Compound Semiconductor Transistor with Gate Overvoltage Protection

Номер патента: US20160247794A1. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Compound semiconductor transistor with gate overvoltage protection

Номер патента: US09735141B2. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Compound semiconductor substrate, epitaxial substrate, processes for producing compound semiconductor substrate and epitaxial substrate

Номер патента: EP1732110A3. Автор: Takayuki Nishiura,Osamu Ohama,Mitsutaka Tsubokura,Yusuke Horie. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10256135B2. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160268397A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240063216A1. Автор: Anton Mauder,Digvijay Raghunathan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180130900A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220085208A1. Автор: Kouta Tomita,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US12009268B2. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150311317A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20230369137A1. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Doping method for semiconductor device

Номер патента: US20110027964A1. Автор: Won-Kyu Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: SG10201810718VA. Автор: YOO Jongryeol,Jung Sujin,YOO JEONGHO,Cho Youngdae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20190252526A1. Автор: Youngdae CHO,Sujin JUNG,Jongryeol YOO,Jeongho Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384623A1. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang,Minyi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150349122A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160049512A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9130013B2. Автор: Yang Bok Lee,Seung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160218214A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7786013B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11929403B2. Автор: Tatsuya Shiraishi,Masaharu Shimabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: US11769829B1. Автор: Eiji Yasuda,Masahide Taguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093750A1. Автор: Tatsuya Shiraishi,Masaharu Shimabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230290878A1. Автор: Eiji Yasuda,Masahide Taguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-14.

Doping method for semiconductor device

Номер патента: US8232187B2. Автор: Won-Kyu Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US11990534B2. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang,Minyi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13

Номер патента: US5760426A. Автор: Diethard Marx,Zempei Kawazu,Norio Hayafuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

A manufacturing method of a semiconductor device and semiconductor device with improved filling performance in a corner fillet-based exchange gate method based on a sacrificial filler material

Номер патента: DE102009047890B4. Автор: Jens Heinrich,Fernando Koch,Johann Steinmetz. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-02-02.

Compound semiconductor and compound semiconductor device using the same

Номер патента: US20060138448A1. Автор: Hideo Nakanishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Compound semiconductor substrate

Номер патента: US20220069090A1. Автор: Hiroki Suzuki,Keisuke Kawamura,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Channel Region in a Trench

Номер патента: US20140370693A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Hirler Franz,Felsl Hans Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Method of manufacturing semiconductor devices by filling grooves formed in a front side surface of a wafer with a side face protection material

Номер патента: US20230187381A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-15.

Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films epitaxially grown on a grooved Si substrate

Номер патента: US8313967B1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2012-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A STRAIN FEATURE IN A GATE SPACER AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20160087102A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device having silicide film formed in a part of source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US6770942B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-03.

Semiconductor device haivng silicide film formed in a part of source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040007745A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Compound semiconductor substrate and control for electrical property thereof

Номер патента: US20090230513A1. Автор: Hyun Min Shin,Jun Sung Choi,Young Zo Yoo. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor

Номер патента: US6093965A. Автор: Shuji Nakamura,Takao Yamada,Masayuki Senoh,Motokazu Yamada,Kanji Bando. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Three-dimensional memory device containing iii-v compound semiconductor channel and contacts and method of making the same

Номер патента: US20210375908A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Compound semiconductor esd protection devices

Номер патента: US20140183544A1. Автор: Shinichiro Takatani,Jung-Tao CHUNG,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Chi-Wei WANG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for growing epitaxies of a chemical compound semiconductor

Номер патента: US20150262810A1. Автор: YI Chang,Hung-Wei Yu,Tsun-Ming Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-09-17.

Compound semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CA1222330A. Автор: Naoki Yokoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-05-26.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Resin-sealed semiconductor device and lead frame used in a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5648682A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234570A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including trimmed-gates and method for generating layout of same

Номер патента: US20180342523A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device having a channel separation trench

Номер патента: US09893178B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with recombination region

Номер патента: US09543389B2. Автор: Johannes Georg Laven,Peter Kanschat,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875897B2. Автор: Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including trimmed-gates

Номер патента: US20190341389A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device including data storage pattern

Номер патента: US11974437B2. Автор: Yonghoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12087711B2. Автор: Satoshi Goto,Shunji Yoshimi,Mikiko Fukasawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Compound semiconductor device

Номер патента: US11869957B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20210066479A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20220199558A1. Автор: Satoshi Goto,Shunji Yoshimi,Mikiko Fukasawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20200006536A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for production of compound semiconductor devices

Номер патента: CA1277779C. Автор: Masaru Miyazaki,Akihisa Terano,Yoshinori Imamura,Hiroshi Yanazawa,Nobutoshi Matsunaga. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1990-12-11.

Semiconductor device having hall elements formed in a semiconductor substrate and a magnetic body flux concentrator

Номер патента: US10290677B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Matsuo Kishi,Takaaki Hioka,Mika Ebihara,Miei TAKAHAMA (nee SATO). Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685442B2. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor device with pad with less diffusible contacting surface and method for production of the semiconductor device

Номер патента: US8368222B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220328483A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11894379B2. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210028173A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190363086A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230238383A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120064677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Koji Dairiki,Ryo Arasawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor Device with an Electrode Buried in a Cavity

Номер патента: US20140327103A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Ahrens Carsten,Baumgartl Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20020050604A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160269024A1. Автор: Toshiyuki Naka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device with driver for switching element

Номер патента: US9621150B2. Автор: Toshiyuki Naka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with driver for switching element

Номер патента: US09621150B2. Автор: Toshiyuki Naka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20160336438A1. Автор: Susumu HATAKENAKA,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20190348394A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20200266173A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09564525B2. Автор: Susumu HATAKENAKA,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Minority carrier semiconductor devices with improved reliabilty

Номер патента: US20020003237A1. Автор: Daniel A. Steigerwald,Changhua Chen,Stephen A. Stockman. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2002-01-10.

Compound semiconductor monolithic integrated circuit device with transistors and diodes

Номер патента: US20200013774A1. Автор: Hsi-Tsung Lin,Yan-Cheng Lin,Sheng-Hsien LIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Compound semiconductor epitaxial wafer and devices using the same

Номер патента: US20030057437A1. Автор: Takeshi Tanaka,Mineo Washima,Tatsushi Hashimoto. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2021225818A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-11-11.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces to avoid packaging-induced fractures, and related methods

Номер патента: US20210351095A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4147271A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device and solid state relay using same

Номер патента: US20130069082A1. Автор: Hiroshi Okada,Takuya Sunada,Takeshi Oomori. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Crystal defect observation method for compound semiconductor

Номер патента: US12038396B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure for reducing compound semiconductor wafer distortion

Номер патента: US10158212B1. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Structure for reducing compound semiconductor wafer distortion

Номер патента: US20180366913A1. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4120340A2. Автор: Takayuki Igarashi,Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230010383A1. Автор: Takayuki Igarashi,Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with multiple polarity groups

Номер патента: US20200105738A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09673147B2. Автор: Kenro Nakamura,Hirokazu Ezawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09607882B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09515081B2. Автор: Yukio Hayakawa,Yukihiro Utsuno. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859294B2. Автор: Kwang Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773798B2. Автор: Kwang Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150255396A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160314979A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US11983475B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with multiple polarity groups

Номер патента: US11842993B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor Devices with Frontside and Backside Power Rails

Номер патента: US20240008243A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming semiconductor device including deep vias

Номер патента: US11854966B2. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming semiconductor device including deep vias

Номер патента: US20210384121A1. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268279A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR SENSING IMPEDANCE CHANGES IN A MEDIUM

Номер патента: US20200116663A1. Автор: Gupta Vikas,Tuncer Enis. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing backside metalized compound semiconductor wafer

Номер патента: US20200152445A1. Автор: Houng-Chi Wei,Tsung-Te CHIU,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for producing a semiconductor device, semiconductor device and support

Номер патента: US20190206713A1. Автор: Patrick Waltereit,Richard Reiner,Thomas Gerrer,Dirk Meder,Beatrix Weiss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-07-04.

Bonded semiconductor devices having programmable logic device and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11996389B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11659702B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Bonded semiconductor devices having processor and NAND flash memory and methods for forming the same

Номер патента: US11864367B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US9461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US20150303202A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US09461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905703B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09349593B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device using etchant composition having high etching selectivity

Номер патента: US20230260797A1. Автор: Fang-Wei Lee,Huan-Chieh Su,Meng-Huan Jao,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09837551B2. Автор: Shinya Sasagawa,Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US7569895B2. Автор: Shinichiro Wada,Hideaki Nonami,Mitsuri Arai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160254387A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20090160016A1. Автор: Mitsuru Arai,Shinichiro Wada,Hideaki Nonami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230337438A1. Автор: Bongyong Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11888024B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179638A1. Автор: Seiji Noguchi,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20190319091A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20210376068A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

High Voltage Vertical Semiconductor Device with Multiple Silicon Pillars in a Racetrack Arrangement

Номер патента: US20180061947A1. Автор: Ankoudinov Alexei,Parthasarathy Vijay,Bu Jiankang,Georgescu Sorin,Marcum Kelly. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor Devices with Trench Gate Structures in a Semiconductor Body with Hexagonal Crystal Lattice

Номер патента: US20180294260A1. Автор: Rupp Roland,Peters Dethard,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor Devices with Trench Gate Structures in a Semiconductor Body with Hexagonal Crystal Lattice

Номер патента: US20170345818A1. Автор: Rupp Roland,Peters Dethard,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US9997515B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Vertical compound semiconductor field effect transistor on a group IV semiconductor substrate

Номер патента: US09343569B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09966375B2. Автор: Seong-Ju Kim,Mirco Cantoro,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Woong-Ki Hong,Do-hyoung Kim,Dong-Hoon KHANG,Chang-Jae Yang,Seung-Mo Ha,Tae-yong Kwon,Woo-Ram KIM,Seung-Jin MUN,So-Ra YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Channel strain control for nonplanar compound semiconductor devices

Номер патента: US09502565B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon-based substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966259B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Compound semiconductor device and method

Номер патента: US20190189746A1. Автор: Yuichi Minoura,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

P-type ZnO based compound semiconductor layer, a ZnO based compound semiconductor element, and an N-type ZnO based compound semiconductor laminate structure

Номер патента: US09496350B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Chizu Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190207020A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Rare-earth element-doped III-V compound semiconductor schottky diodes and device formed thereby

Номер патента: US5847437A. Автор: Liann-Be Chang,Hang-Thung Wang. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US6188090B1. Автор: Takashi Eshita,Shinji Miyagaki,Kazuaki Takai,Satoshi Ohkubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Thermal processing of oxide-compound semiconductor structures

Номер патента: US5902130A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-11.

Compound semiconductor device with a particular gate structure

Номер патента: US5391899A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Compound semiconductor device and fabrication method therefor, and amplifier

Номер патента: US11088044B2. Автор: Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Compound semiconductor device and fabrication method therefor, and amplifier

Номер патента: US20200203519A1. Автор: Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for producing p-type ZnO based compound semiconductor layer, method for producing ZnO based compound semiconductor element, p-type ZnO based compound semiconductor single crystal layer, ZnO based compound semiconductor element, and n-type ZnO based compound semiconductor laminate structure

Номер патента: US9064790B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Chizu Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Semiconductor device with reduced stress applied to gate electrode

Номер патента: US5448096A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Unpinned oxide-compound semiconductor structures and method of forming same

Номер патента: CA1308818C. Автор: Sandip Tiwari,Steven L. Wright,John Batey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-10-13.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Process for fabrication of ohmic contacts in compound semiconductor devices

Номер патента: US4426765A. Автор: Iradj Shahriary,Thomas G. Mills. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1984-01-24.

Compound semiconductor substrate manufacturing method and compound semiconductor substrate

Номер патента: EP3544045A1. Автор: Hiroki Suzuki,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2019-09-25.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8524614B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Iii-v compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US20130168834A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

III-V Compound Semiconductor Material Passivation With Crystalline Interlayer

Номер патента: US20120132913A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: US09640603B2. Автор: Seung Wook Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190378810A1. Автор: Hiroyuki Harada,Taishi Sasaki,Yuki Yoshioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and a semiconductor package including the same

Номер патента: US20190363535A1. Автор: Jang Hoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210134713A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yuuichi Tatsumi,Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US11227868B2. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20200212054A1. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Inductor Over Insulating Material Filled Trench in Substrate

Номер патента: US20140327107A1. Автор: Seung Wook Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Manufacturing methods for semiconductor devices

Номер патента: US20140004655A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Robert Dwayne Gossman,Scott Daniel Feldman-Peabody,Stephen Lorenco Araujo,Hongying Peng. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-01-02.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09831329B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09825156B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7294900B2. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US10892350B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yuichi Sano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

High power, compound semiconductor device and fabrication process

Номер патента: WO1992002954A1. Автор: Guo-Gang Zhou. Владелец: Zhou Guo Gang. Дата публикации: 1992-02-20.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20190214489A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20180006144A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150162219A1. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Mamoru Terai,Yoshiyuki Suehiro,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor devices including a channel pad, and methods of manufacturing semiconductor devices including a channel pad

Номер патента: US09525065B1. Автор: Woong Seop Lee,Dong Min Kyeon,Jin Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09837548B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196590A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230217642A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of making semiconductor device electrostatic discharge diode

Номер патента: US12100702B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Wun-Jie Lin,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Esd-protection device, a semiconductor device and integrated system in a package comprising such a device

Номер патента: US20100085672A1. Автор: Stephane Bouvier,Emmanuel Savin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20230412935A1. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with monosilicon layer

Номер патента: US5574292A. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Tadao Iwaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-12.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170098576A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20180277429A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US9984924B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150235956A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120080746A1. Автор: Se Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of making semiconductor device electrostatic discharge diode

Номер патента: US20240047453A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Wun-Jie Lin,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11943910B2. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SURROUNDING GATE TRANSISTORS IN A NAND CIRCUIT

Номер патента: US20160056173A1. Автор: MASUOKA Fujio,ASANO MASAMICHI. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SURROUNDING GATE TRANSISTORS IN A NOR CIRCUIT

Номер патента: US20160056174A1. Автор: MASUOKA Fujio,ASANO MASAMICHI. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor Device with Field Electrode Structures in a Cell Area and Termination Structures in an Edge Area

Номер патента: US20160064547A1. Автор: Hirler Franz,Hutzler Michael,Poelzl Martin,Blank Oliver,Siemieniec Ralf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor Devices with Trench Gate Structures in a Semiconductor Body with Hexagonal Crystal Lattice

Номер патента: US20160260709A1. Автор: Rupp Roland,Peters Dethard,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595594B2. Автор: LEI Zhu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of producing semiconductor wafer

Номер патента: US20140008698A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Masao Shimada,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Sadanori Yamanaka,Taro Itatani,Eiji Kume. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device, antenna switch circuit, and radio communication apparatus

Номер патента: US09496340B2. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Satoshi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices with an ohmic contact to n-type group iii-v semiconductors

Номер патента: CA1124410A. Автор: Shohei Nakahara,Felix Ermanis,Robert J. McCoy,Chuan C. Chang,Tan T. Sheng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140218992A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5670800A. Автор: Toshihiko Mori,Hiroshi Nakao. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Three-dimensional memory device including III-V compound semiconductor channel layer and method of making the same

Номер патента: US11778817B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Kumar BARASKAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory device containing iii-v compound semiconductor channel and contacts and method of making the same

Номер патента: WO2021242328A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140370683A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140367745A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: CA1179071A. Автор: Michiharu Nakamura,Tadashi Fukuzawa,Eizaburo Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-12-04.

Metallic base semiconductor device

Номер патента: CA1307053C. Автор: Takeshi Sekiguchi,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-09-01.

Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device

Номер патента: EP1155452A1. Автор: Marcel R. Bohmer,Nicolaas Kooyman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09443762B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Semiconductor Device and Method of Forming a Thin Wafer Without a Carrier

Номер патента: US20160336230A1. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050167794A1. Автор: Peter Wilhelmus Van De Water,Hendrik Kloen,Gerardus Henricus Franciscus Steenbruggen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor device having a spacer structure in a conductive layer and a contact structure in the spacer structure

Номер патента: US11562945B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE ENCAPSULATED TYPE IN A RESIN AND DIE SYSTEM FOR THIS METHOD

Номер патента: FR2755539B1. Автор: Yukihiro Kato,Hiroshi Nomura,Michitake Kuroda,Kan Kinouchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-08-15.

Semiconductor device with bit line structure in a trench, and package, module and system including the same

Номер патента: KR102057073B1. Автор: 김명수,정진기. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device and passive component integration in a semiconductor package

Номер патента: US9147644B2. Автор: Martin Standing. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device capable of suppressing warping in a wafer state and manufacturing method thereof

Номер патента: US7863750B2. Автор: Osamu Okada,Osamu Kuwabara,Junji Shiota,Nobumitsu Fujii,Taisuke Koroku. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-04.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Copper interconnects having a titanium-platinum-titanium assembly between copper and compound semiconductor

Номер патента: US09553049B2. Автор: Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Rf, optical, photonic, analog, and digital functions in a semiconductor structure

Номер патента: WO2003009355A1. Автор: Bruce Allen Bosco,Rudy M. Emrick,Steven James Franson,Nestor Javier Escalera,Bryan K. Farber. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US12040161B2. Автор: Masanori Nakayama,Tatsushi Ueda,Katsunori Funaki,Hiroto Igawa,Yuki Yamakado,Yuichiro Takeshima,Keita Ichimura,Yasutoshi Tsubota,Eiko Takami. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, liquid discharge head, liquid discharge cartridge, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20140139590A1. Автор: Tatsuya Suzuki,Kazunari Fujii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US09953922B2. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09754785B2. Автор: Eun-Jung Kim,Yoo-Sang Hwang,Yong-Kwan Kim,Sung-Un Kwon,Young-Sik Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7642203B2. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-01-05.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070148987A1. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9966261B1. Автор: Naofumi Ohashi,Katsuhiko Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Formation of oxynitride and polysilicon layers in a single reaction chamber

Номер патента: US5998270A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Method for fabricating semiconductor device capable of decreasing critical dimension in peripheral region

Номер патента: US7179749B2. Автор: Kyung-Won Lee,Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11152345B2. Автор: Kizashi Tanioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200161307A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Mi-Ri Lee,Bong-Seok Jeon,Il-Sik JANG,Ji-Hwan Park,Yong-Soo JOUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180175042A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Mi-Ri Lee,Bong-Seok Jeon,Il-Sik JANG,Ji-Hwan Park,Yong-Soo JOUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10559569B2. Автор: Sun-Hwan Hwang,Mi-Ri Lee,Bong-Seok Jeon,Il-Sik JANG,Ji-Hwan Park,Yong-Soo JOUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US20170162499A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200258877A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US20170162498A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230335517A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor device having a soi layer in a required region of bulk silicon wafer using a leg process

Номер патента: KR101642834B1. Автор: 최길현,강필규,배대록,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising semiconductor elements formed in a top layer of a silicon wafer situated on a buried insulating layer

Номер патента: CN100382277C. Автор: R·德克,H·G·R·马尔斯,C·E·蒂梅林,P·H·L·班肯. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-16.

Fabrication method of semiconductor device for reducing design rule in a core region

Номер патента: KR101039136B1. Автор: 윤형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685338B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425268B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US09337265B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246474A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor stack and semiconductor device

Номер патента: US20180062019A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Suguru Arikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor stack and semiconductor device

Номер патента: US09929301B2. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Suguru Arikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Growing III-V compound semiconductors from trenches filled with intermediate layers

Номер патента: US09870920B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Dislocation free compound semiconductor wafer

Номер патента: CA2028808A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yoshiki Miura,Naoyuki Yamabayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-18.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US20160254147A1. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Compound semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1714323A1. Автор: Aled Owen Morgan,Maurice Howard Fisher,Benoit Alfred Louis Roumiguieres. Владелец: IQE SILICON COMPOUNDS LTD. Дата публикации: 2006-10-25.

Compound semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: WO2005081320A1. Автор: Aled Owen Morgan,Maurice Howard Fisher,Benoit Alfred Louis Roumiguieres. Владелец: IQE SILICON COMPOUNDS LTD. Дата публикации: 2005-09-01.

Selective Oxidation of Transition Metal Nitride Layers Within Compound Semiconductor Device Structures

Номер патента: US20180174833A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-21.

Selective oxidation of transition metal nitride layers within compound semiconductor device structures

Номер патента: EP3555906A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-23.

High κ gate stack on III-V compound semiconductors

Номер патента: US09805949B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing compound semiconductor junction substrate, and compound semiconductor junction substrate

Номер патента: EP4350738A1. Автор: Tomohiro Akiyama,Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Compound semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US11888033B2. Автор: Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having unhomogeneous distribution of impurity concentration

Номер патента: US4668306A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-05-26.

III-V Compound Semiconductor Epitaxy From a Non-III-V Substrate

Номер патента: US20140159208A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ding-Yuan Chen,Chia-Lin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

GaAs semiconductor substrate for group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US8044493B2. Автор: Takayuki Nishiura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Compound semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: US5236854A. Автор: Yukio Higaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-17.

Method for making II-VI group compound semiconductor device

Номер патента: US6033929A. Автор: Masanori Murakami,Yasuo Koide,Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050040497A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kazuhiro Mochizuki,Hiroyuki Uchiyama,Hiroji Yamada,Tomonori Tanoue,Chisaki Takubo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Cu-metalized compound semiconductor device

Номер патента: US20060292785A1. Автор: Edward Chang,Shang-Wen Chang,Cheng-Shih Lee. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device comprising a lead electrode including a through hole

Номер патента: US11804414B2. Автор: Kazuhisa Osada,Satoru Ishikawa,Shohei Ogawa,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240087978A1. Автор: Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Shunsuke Arai,Naruhiro INOUE. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device package with multi-chips in a side-by-side arrangement and the associated method

Номер патента: DE102008014736A1. Автор: Wen-Kun Yang,Diann-Fang Hukou Lin,Tung-Chuan Yangmei Wang,Hsien-Wen Lujhou Hsu,Chih-Ming Sinpu Chen. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20050263787A1. Автор: Eitaro Ishimura,Nobuyuki Tomita,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP1134807A3. Автор: Toru c/o Mitsubishi Denki K.K. Kimura,Dai c/o Mitsubishi Denki K.K. Nakajima,Tatsuya c/o Mitsubishi Denki K.K. Okuda,Takeshi c/o Mitsubishi Denki K.K. Ohi,Takanobu c/o Mitsubishi Denki K.K. Yoshida,Yuuji c/o Mitsubishi Denki K.K. Kuramoto,Masakazu c/o Mitsubishi Denki K.K. Fukada,Majumdar c/o Mitsubishi Denki K.K. Gourab,Naoki c/oFukuryo Semi-con Engineering Yoshimatsu,Toshinori c/o Mitsubishi Electric Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-03-30.

Method for producing semiconductor device, and wire-bonding apparatus

Номер патента: US09922952B2. Автор: Nobuo Takahashi,Yoshihito HAGIWARA. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20140312347A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device, liquid discharge head, liquid discharge cartridge, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US9302478B2. Автор: Tatsuya Suzuki,Kazunari Fujii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device including pixels, microlenses, and a monitoring structure, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9276028B2. Автор: Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170005123A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device

Номер патента: WO2003035763A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-01.

Curable Organopolysiloxane Composition, Use Of The Cured Product Of The Composition, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070273051A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device

Номер патента: EP1442081A1. Автор: Tomoko Dow Corning Toray Silicone Co.Ltd KATO,Minoru Dow Corning Toray Silicone Co.Ltd Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

High voltage semiconductor device

Номер патента: WO2002061836A9. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G Curcio. Владелец: Daniel G Curcio. Дата публикации: 2004-04-01.

High voltage semiconductor device

Номер патента: US20040113231A1. Автор: David Hoag,Timothy Boles,Daniel Curcio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

High voltage semiconductor device

Номер патента: EP1364405A1. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G. Curcio. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2003-11-26.

Semiconductor device for radiation detection

Номер патента: WO2007105159A3. Автор: Anco Heringa,Noort Wibo D Van,Johannes A Luijendijk,Joost W C Veltkamp. Владелец: Joost W C Veltkamp. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device for radiation detection

Номер патента: WO2007105159A2. Автор: Anco Heringa,Wibo D. Van Noort,Johannes A. Luijendijk,Joost W. C. Veltkamp. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and layout method of semiconductor device

Номер патента: US20120061828A1. Автор: Junichi Konishi,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12047041B2. Автор: Satoshi Goto,Satoshi Arayashiki,Shunji Yoshimi,Yuji Takematsu,Yukiya Yamaguchi,Takanori Uejima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7589371B2. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20210247633A1. Автор: Yi-Chen Chen,Ming Chyi Liu,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and converter device

Номер патента: US20030042592A1. Автор: Ilia Zverev,Marco Purschel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203402A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246053A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070105308A1. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Fabrication of Semiconductor Device Using a Shared Material in a Phase-Change Material (PCM) Switch Region and a Resonator Region

Номер патента: US20200058703A1. Автор: Howard David J.,Slovin Gregory P.,Rose Jefferson E.,El-Hinnawy Nabil. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device structure with compound semiconductor and method for producing the same

Номер патента: US20210035915A1. Автор: Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage semiconductor device

Номер патента: EP1364405A4. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G Curcio. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140054608A1. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US20240096792A1. Автор: Satoshi Goto,Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20130099325A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Compound semiconductor device, manufacturing method for compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251585A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, manufacturing method for compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20240039486A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Group III-V interdiffusion prevented hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US5521404A. Автор: Toshihide Kikkawa,Hirosato Ochimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-05-28.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Quantum box semiconductor device

Номер патента: US5608229A. Автор: Nobuyuki Ohtsuka,Kohki Mukai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Vertical compound semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US6818939B1. Автор: Peyman Hadizad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-11-16.

Notched compound semiconductor wafer

Номер патента: US20060113558A1. Автор: Ryuichi Toba,Naoya Sunachi. Владелец: Dowa Mining Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Compound semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6133592A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Naoki Takahashi,John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Semiconductor device with a super lattice buffer

Номер патента: US20020088994A1. Автор: Takeshi Igarashi,Fumikazu Yamaki. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Compound semiconductor device and electric power converting apparatus using such device

Номер патента: US5479030A. Автор: Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-12-26.

Semiconductor device with plate heat sink free from cracks due to thermal stress and process for assembling it with package

Номер патента: US6133071A. Автор: Keiji Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240087877A1. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823891B2. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

High Temperature Resistant Backside Metallization for Compound Semiconductors

Номер патента: US20190096755A1. Автор: Chang-Hwang Hua,Walter Tony WOHLMUTH,Huang-Wen WANG,Shu Chen Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

High voltage capacitor having a dual tantalum anode/cathode current collector electrode assembly housed in a dual separator envelope design

Номер патента: US09978528B2. Автор: Todd C. Sutay,Barry C. Muffoletto,Jason T. Hahl,Glenn A. Dumais,Wendy J. Baumler. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020111034A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6924162B2. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243121A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20170346258A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20190027900A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Optical semiconductor device

Номер патента: US10109984B2. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: EP3167491A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: US11527666B2. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Group-III nitride compound semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09444009B2. Автор: Koji Hirata,Takahiro Mori,Takashi Kawai,Koichi Goshonoo,Masao Kamiya,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Substrates for semiconductor devices

Номер патента: EP2936550A1. Автор: Wang Nang Wang,Timothy Mollart,Quanzhong Jiang,Christopher Rhys Bowen,Michael John Edwards,Duncan ALLSOPP. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for growing a nitride compound semiconductor

Номер патента: USRE38613E1. Автор: Fumihiko Nakamura,Hiroji Kawai,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150333135A1. Автор: Naoya Okamoto,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for manufacturing compound semiconductor epitaxial substrates including heating of carrier gas

Номер патента: US09711353B2. Автор: Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Techniques for increased dopant activation in compound semiconductors

Номер патента: US09576819B2. Автор: Kevin Jones,Christopher R. HATEM,Benjamin Colombeau,Aaron Lind. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

Номер патента: US20160035851A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Douglas S. Katzer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275132A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing III-IV group compound semiconductor layer, method for producing semiconductor light emitting element, and vapor phase growing apparatus

Номер патента: US20040142550A1. Автор: Junichi Nakamura,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Methods of forming a compound semiconductor device including a diffusion region

Номер патента: US20100144123A1. Автор: Yong-Hwan Kwon,Mi-Ran Park,Dae Kon Oh,Bongki Mheen,Jae-Sik SIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for diffusing an n type impurity from a solid phase source into a iii-v compound semiconductor

Номер патента: US5182229A. Автор: Satoshi Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09793686B2. Автор: Huiyun Liu,Alwyn John Seeds,Andrew David LEE. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Compound semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080061303A1. Автор: Akira Tanaka,Seiji Iida,Takayuki Matsuyama,Tadaaki Hosokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Group iii nitride compound semiconductor device

Номер патента: US20100184273A1. Автор: Hong Jae Yoo,Jae Bin CHOI. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for producing a compound semiconductor, and thin-film solar cell

Номер патента: US09899561B2. Автор: Stefan Jost,Robert Lechner,Thomas Dalibor,Patrick ERAERDS. Владелец: CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and structure having monolithic heterogeneous integration of compound semiconductors with elemental semiconductor

Номер патента: US8575666B2. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-11-05.

Structure having monolithic heterogeneous integration of compound semiconductors with elemental semiconductor

Номер патента: WO2013048693A1. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11756793B2. Автор: Yohei Ishii,Kathryn Maier,Medhat Khalil. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for the production of a nitride compound semiconductor layer

Номер патента: US09786498B2. Автор: Werner Bergbauer,Matthias Peter,Thomas Lehnhardt,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230326748A1. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Ryuji Sugiura,Daisuke Kawaguchi,Toshiki Yui,Jun Kojima,Keisuke Hara,Chiaki Sasaoka,Shosuke Nakabayashi,Tomomi Aratani. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Selective crystal growth method of compound semiconductor

Номер патента: US5704975A. Автор: Ryuji Kobayashi,Hitoshi Hotta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Czts-based compound semiconductor and photoelectric conversion device

Номер патента: US20140332080A1. Автор: Seiji Takahashi,Takenobu Sakai,Taro Ueda,Ryosuke MAEKAWA,Hiroki Awano. Владелец: Japan Fine Ceramics Center. Дата публикации: 2014-11-13.

Compound semiconductor precursor ink composition, method for forming a chalcogenide semiconductor film, and method for forming a photovoltaic device

Номер патента: US20140335649A1. Автор: Ching Ting,Feng-Yu Yang,Yueh-Chun Liao. Владелец: Neo Solar Power Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Compound semiconductor layered structure and process for preparing the same

Номер патента: CA3210208A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-09.

Compound semiconductor layered structures and processes for making the same

Номер патента: US20240258105A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-08-01.

Antiphase domain boundary-free III-V compound semiconductor material on semiconductor substrate and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9218964B2. Автор: Gang Wang,Matty Caymax,Niamh Waldron,Wei-E Wang,Maarten Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-12-22.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US6036772A. Автор: Satoshi Ito,Satoshi Taniguchi,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US5057880A. Автор: Kanetake Takasaki,Takashi Eshita,Toshikazu Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-10-15.

Method for producing group III nitride compounds semiconductor

Номер патента: US20040169192A1. Автор: Makoto Asai,Hisaki Kato,Katsuhisa Sawazaki,Naoki Kaneyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for producing compound semiconductor crystal, method for producing electronic device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20120228627A1. Автор: Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

Номер патента: US20050205873A1. Автор: Yasuo Sato,Hironobu Narui,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD OF MANUFACTURING AN InGaNAs COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THE THIN FILM MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: WO2003041137A1. Автор: Sang-Kyu Kang. Владелец: Vichel Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Process for making semiconductor devices which involve gaseous etching

Номер патента: WO1986006546A1. Автор: Dale Edward Ibbotson,Charles Wuching Tu. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-11-06.

Method of growing group III-V compound semiconductor, and method of manufacturing light-emitting device and electronic device

Номер патента: EP2086003A3. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Toshio Ueda,Eiryo Takasuka,Yasuhiko Senda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates

Номер патента: US09418833B2. Автор: Timothy Peter Mollart. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110204417A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060177953A1. Автор: Tatsuya Takeuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A3. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nitride compound semiconductor element and production method therefor

Номер патента: US20130122693A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Nitride compound semiconductor element and production method therefor

Номер патента: US20110304025A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Compound semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP1233492A2. Автор: Katsumi Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Sugiura,Chikashi Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Anayama,Akira Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Furuya. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of making a compound semiconductor device

Номер патента: US5346581A. Автор: Won-Tien Tsang. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-09-13.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080070419A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for fabricating compound semiconductor laser

Номер патента: US5789273A. Автор: Tadashi Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of activating P-type compound semiconductor by using lasers for reducing the resistivity thereof

Номер патента: US6432847B1. Автор: Tsung-Yu Chen,Chia-Hung Hsu,Wei-Chih Lai,Jian-Shihn Tsang,Wen-Chung Tsai. Владелец: Advanced Epitaxy Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: EP1719160A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Crystal growth method of III - V compound semiconductor

Номер патента: US5294565A. Автор: Yasushi Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Substrates for semiconductor devices

Номер патента: US20160186362A1. Автор: Wang Nang Wang,Timothy Mollart,Quanzhong Jiang,Christopher Rhys Bowen,Michael John Edwards,Duncan ALLSOPP. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Optical semiconductor device

Номер патента: US10700497B2. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Nitride compound semiconductor and process for producing the same

Номер патента: WO2006011675A8. Автор: Makoto Sasaki,Masaya Shimizu,Kenji Kasahara. Владелец: Kenji Kasahara. Дата публикации: 2007-03-08.

Nitride compound semiconductor and process for producing the same

Номер патента: WO2006011675A1. Автор: Makoto Sasaki,Masaya Shimizu,Kenji Kasahara. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for generating luminescence from a buried layer in a multilayer compound semiconductor material using a liquid contact

Номер патента: US6063642A. Автор: Peter S. Zory, Jr.,Douglas A. Hudson, Jr.,Michael J. Grove,Craig C. Largent. Владелец: Peter S. Zory. Дата публикации: 2000-05-16.

A crystal-growth substrate and a ZnO-containing compound semiconductor device

Номер патента: EP1349203A3. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-07.

Epitaxial growth of nitride semiconductor device

Номер патента: US20030071276A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140092635A1. Автор: Kenji Kiuchi,Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140369080A1. Автор: Kenji Kiuchi,Youichi Kamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2018104741A1. Автор: Jiang Wu,Alwyn Seeds,Huiyun Liu,Siming Chen,Mingchu TANG,Mengya LIAO. Владелец: UCL Business PLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180308831A1. Автор: Hiroshi Uemura,Hideto Furuyama,Yoichiro Kurita,Fumitaka ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024094613A1. Автор: Adrian Avramescu. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-05-10.

Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same

Номер патента: CA1321121C. Автор: Takao Yonehara,Kenji Yamagata,Hiroyuki Tokunaga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Selective area oxidation of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3929589A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-12-30.

Method and System for Manufacturing III-V Group Compound Semiconductors

Номер патента: GB2376694A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Masaya Shimizu,Yasushi Iyechika,Tomoyuki Takada,Toshihisa Katamine. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Semiconductor device having diffusion-preventing layer between III-V layer and IV layer

Номер патента: US5341006A. Автор: Tatsuya Hirose. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-23.

Process and device for producing a chalcogen-containing compound semiconductor

Номер патента: US11885010B2. Автор: Joerg Palm,Thomas Niesen,Erik TRABITZSCH. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20020186736A1. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: EP4350909A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Process and device for producing a chalcogen-containing compound semiconductor

Номер патента: EP3962620A1. Автор: Joerg Palm,Thomas Niesen,Erik TRABITZSCH. Владелец: CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Process and device for producing a chalcogen-containing compound semiconductor

Номер патента: US20220228255A1. Автор: Joerg Palm,Thomas Niesen,Erik TRABITZSCH. Владелец: CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Process and device for producing a chalcogen-containing compound semiconductor

Номер патента: WO2020224572A1. Автор: Joerg Palm,Thomas Niesen,Erik TRABITZSCH. Владелец: (CNBM) BENGBU DESIGN & RESEARCH INSTITUTE FOR GLASS INDUSTRY CO., LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for preparing gan based compound semiconductor crystal

Номер патента: US20040171253A1. Автор: Shinichi Sasaki,Keiji Kainosho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the semiconductor substrate

Номер патента: US20060043419A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Masaaki Onomura,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

A manufacturing method of a monocrystal of a compound semiconductor

Номер патента: GB1279538A. Автор: Masami Yokozawa. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1972-06-28.

Manufacturing method of a group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US11417524B2. Автор: Eiji Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3898141A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

Compound semiconductor light emitting device

Номер патента: CA1313247C. Автор: Kiyoshi Ichimura,Hideo Kawanishi,Akihito Tsushi. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-26.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160307998A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of implanting a workpiece to improve growth of a compound semiconductor

Номер патента: US20120286285A1. Автор: Ludovic Godet,Morgan D. Evans. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of implanting a workpiece to improve growth of a compound semiconductor

Номер патента: WO2012158619A1. Автор: Ludovic Godet,Morgan D. Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same

Номер патента: US20040150003A1. Автор: Jamal Ramdani,Ravindranath Droopad,Lyndee Hilt,Kurt Einsebeiser. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of epitaxially growing compound semiconductor materials

Номер патента: US4891091A. Автор: Shambhu K. Shastry. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Horizontal reactor for compound semiconductor growth

Номер патента: US20030005886A1. Автор: Keunseop Park,Seung-Jae Nam,Cheul-Ro Lee,Byung-Joon Baek. Владелец: HAN VAC CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230154756A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020068468A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020119587A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for passivating III-V compound semiconductors

Номер патента: US4172906A. Автор: Ranjeet K. Pancholy. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1979-10-30.

Reflective electrode and compound semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: EP1646093A2. Автор: Mi-Yang Kim,Joon-seop 860 Banwol-ri Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-12.

Method for cleaning compound semiconductor and solution for cleaning of compound semiconductor

Номер патента: EP3174087A1. Автор: Kenichi Nakamura,Kenji Nagao,Akinobu Teramoto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-05-31.

Compound semiconductor layered structure and process for preparing the same

Номер патента: EP4302319A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-01-10.

Compound semiconductor, method for producing the same, semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060081872A1. Автор: Toshikazu Onishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Compound semiconductor layered structure and process for preparing the same

Номер патента: US20240128080A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Compound semiconductor layered structures and processes for making the same

Номер патента: CA3220595A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2022-11-24.

Compound semiconductor layered structures and processes for making the same

Номер патента: EP4341985A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-03-27.

Manufacture method for ZnO based compound semiconductor crystal and ZnO based compound semiconductor substrate

Номер патента: US20070152233A1. Автор: Hiroyuki Kato,Takafumi YAO,Hiroshi Yoneyama,Katsumi Maeda,Michihiro Sano,Meoung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of activating implanted impurities in broad area compound semiconductors by short time contact annealing

Номер патента: US4472206A. Автор: Thomas N. Jackson,Jerry M. Woodall,Rodney T. Hodgson,Hans S. Rupprecht. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Apparatus for producing compound semiconductor

Номер патента: CA1325160C. Автор: Kiyoshi Ichimura,Hideo Kawanishi,Akihito Tsushi. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

Method and device for preparing compound semiconductor film

Номер патента: EP2414556A1. Автор: YONG ZHOU,Wenyu Cao,Zhanfeng Jiang,Beijun Zhong. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

Compound semiconductor device including a multilevel carrier

Номер патента: US09754862B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with DC/DC converter circuit

Номер патента: US09667147B2. Автор: Yoshinao Miura,Ryohei NEGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Compound semiconductor device including a sensing lead

Номер патента: US09952273B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Compound semiconductor device including diffusion preventing layer to suppress current collapse phenomenon, method of manufacturing compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10217829B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20170222559A1. Автор: Yoshinao Miura,Ryohei NEGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20160190930A1. Автор: Yoshinao Miura,Ryohei NEGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING Si-SUBSTRATE AND PROCESS TO FORM THE SAME

Номер патента: US20120025204A1. Автор: Fumikazu Yamaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691890B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor layered structure, method for producing semiconductor layered structure, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09887310B2. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Nitride based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1195866A2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Masaru Kuramoto,Masaaki Nido. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Compound semiconductor device, method for producing the same, power-supply unit, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09831310B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

3-5 Group compound semiconductor and light emitting device

Номер патента: US20020105013A1. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Yasushi Iyechika,Yasuyuki Kurita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Compound semiconductor solar cell

Номер патента: WO2013129275A3. Автор: Masato Kurihara. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2013-11-07.

Optoelectronic semicondcutor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024179842A1. Автор: Christian Lauer,Simon BAUMANN,Agnieszka GOCALINSKA. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-06.

Nitride-based III-V group compound semiconductor

Номер патента: US09911894B2. Автор: Takaaki Ami,Takao Miyajima,Hironobu Narui,Katsunori Yanashima,Izuho Hatada,Tomonori Hino,Michinori Shiomi,Shigetaka Tomiya,Akira Ohmae,Nobukata Okano,Noriyuki Futagawa,Yuuji Hiramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20220336703A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi,Keisuke Yamane,Akihiro Wakahara,Shota Kitamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor wafer, radiation detection element, radiation detector, and production method for compound semiconductor monocrystalline substrate

Номер патента: US12021160B2. Автор: Akira Noda,Koji Murakami,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240196594A1. Автор: Dongsik Park,GaEun Lee,Jihoon Chang,Joonsuk Park,Yujin Cho,Hyeri AN,Sooho Shain,Keonhee Park,Hana Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: EP4383978A1. Автор: Dongsik Park,GaEun Lee,Jihoon Chang,Joonsuk Park,Sooho Shin,Yujin Cho,Hyeri AN,Keonhee Park,Hana Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09634184B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Alvaro Gomez-Iglesias,Teresa Wurm,Jelena Ristic. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20100193913A1. Автор: Takahisa Kusuura. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US8026155B2. Автор: Takahisa Kusuura. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2011-09-27.

Transparent compound semiconductor and production method therefor

Номер патента: US20150048282A1. Автор: Jisoon Ihm,Kookrin Char. Владелец: RFTRON CO Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Photoelectric converter having chalcopyrite compound semiconductor layer partitioned into pixels and shielding layer arranged around each pixel

Номер патента: US8963272B2. Автор: Osamu Matsushima,Takuji Maekawa,Toshihisa Maeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20230395733A1. Автор: Yoshiki Sakurai,Daiki Yasuda. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Compound semiconductor device, power supply device, high-frequency amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20190043976A1. Автор: Hisao Shigematsu,Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US5889295A. Автор: John Rennie,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Semiconductor layered structure, method for producing semiconductor layered structure, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20160351742A1. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Compound semiconductors and their application

Номер патента: US20130009112A1. Автор: Tae-hoon Kim,Cheol-Hee Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacturing compound semiconductor solar cell

Номер патента: US20170110620A1. Автор: Mitsuru Ichikawa,Masashi Hino,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Compound semiconductors and their application

Номер патента: US20130009114A1. Автор: Tae-hoon Kim,Cheol-Hee Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacturing compound semiconductor solar cell

Номер патента: US09893228B2. Автор: Mitsuru Ichikawa,Masashi Hino,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Compound semiconductors and their applications

Номер патента: US09561959B2. Автор: Tae-hoon Kim,Cheol-Hee Park,Kyung-Moon Ko,O-Jong Kwon,Chan-Yeup Chung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244042A1. Автор: Yoshiki Saito,Yasuhisa Ushida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer

Номер патента: US5488233A. Автор: Shinji Saito,Masayuki Ishikawa,Yukie Nishikawa,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi,Masaaki Onomura,Peter J. Parbrook. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

Light emitting heterojunction semiconductor device

Номер патента: US5010376A. Автор: Kazuo Sakai,Kohsuke Nishimura. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1991-04-23.

Method for forming a cleaved facet of semiconductor device

Номер патента: US20130217209A1. Автор: Young Hun Han,Dong Han Yoo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

LIDAR sensor using compound semiconductor materials for mobile device

Номер патента: US12107108B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6323059B1. Автор: Hiroshi Yoshida,Tsuyoshi Tojo,Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-27.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453A1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

III-V compound semiconductor device with a polycrystalline structure with minimum grain size of 0.6 μm and printer and display device utilizing the same

Номер патента: US5659184A. Автор: Hiroyuki Tokunaga,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-08-19.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453B1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Device for attaching temples on a face-to-face weaving machine

Номер патента: US20020170614A1. Автор: Johnny Debaes,Ferdi Dejaegere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Device for separating warp yarns on a face-to-face weaving machine

Номер патента: US6769456B2. Автор: Dominique Maes,Johnny Debaes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-03.

Device for separating warp yarns on a face-to-face weaving machine

Номер патента: US20020166596A1. Автор: Dominique Maes,Johnny Debaes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Device for separating warp yarns on a face-to-face weaving machine

Номер патента: EP1260621A1. Автор: Dominique Maes,Johny Debaes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-27.

Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN

Номер патента: US5903017A. Автор: Mariko Suzuki,Kazuhiko Itaya,Hidetoshi Fujimoto,Johji Nishio,Lisa Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Compound semiconductor substrate, a pellicle film, and a method for manufacturing a compound semiconductor substrate

Номер патента: US11626283B2. Автор: Hidehiko Oku,Ichiro Hide. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-04-11.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170125563A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180248059A1. Автор: Hyun Lee,Soohyun KIM,Wonseok Choi,Younho HEO,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-08-30.

3-5 group compound semiconductor and light emitting device

Номер патента: MY129337A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Yasushi Iyechika,Yasuyuki Kurita. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2007-03-30.

Compound semiconductor x-ray detector tiles and method of dicing thereof

Номер патента: US12046623B2. Автор: Francis Joseph KUMAR,Michael K. Jackson,Pramodha MARTHANDAM. Владелец: Redlen Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20060054923A1. Автор: Tsuyoshi Nakano,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Multi-junction solar cell, photoelectric conversion device, and compound-semiconductor-layer lamination structure

Номер патента: US09905719B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Masao Ikeda,Masaru Kuramoto,Shiro Uchida,Hui Yang,Takashi Tange,Masayuki Arimochi,Shulong Lu,Xinhe Zheng. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Compound semiconductor device with bipolar transistor and laser diode

Номер патента: US5181085A. Автор: Seung H. Moon,Yung S. Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-01-19.

p-type semiconductor, method for manufacturing the p-type semiconductor, semiconductor device, photovoltaic element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6153895A. Автор: Takayuki Watanabe,Hiroshi Yoshida,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170125516A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and light source provided with said light emitting element

Номер патента: US20130126898A1. Автор: Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Compound semiconductors and semiconductor light-emitting devices using the same

Номер патента: US5427716A. Автор: Yoshio Morita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of making compound semiconductor films and making related electronic devices

Номер патента: US5985691A. Автор: Bulent M. Basol,Craig R. Leidholm,Vijay K. Kapur,Arvind T. Halani,Robert A. Roe. Владелец: International Solar Electric Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Light-emitting device comprising a gallium-nitride-group compound-semiconductor

Номер патента: US20030132440A1. Автор: Yasunari Oku,Hidenori Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

P-n junction semiconductor devices

Номер патента: US3735212A. Автор: Z Kun. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1973-05-22.

Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180309017A1. Автор: Wonseok Choi,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and device for producing semiconductor device

Номер патента: EP4394903A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kosuke MISHIMA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964884B2. Автор: Jong-Lam Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device

Номер патента: US8188495B2. Автор: Noritaka Muraki,Munetaka Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-05-29.

Gallium nitride group compound semiconductor laser diode

Номер патента: US5247533A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Group III-V type nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5917196A. Автор: Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Compound semiconductor solar cell

Номер патента: US20180301580A1. Автор: Hyun Lee,Soohyun KIM,Wonseok Choi,Younho HEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-18.

Photodetector device having avalanche photodiodes two-dimensionally arranged on a compound semiconductor layer and quenching element connected in series to the photodiodes

Номер патента: US11860032B2. Автор: Takashi Baba,Kenji Makino,Takuya Fujita,Koei Yamamoto,Yusei Tamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A3. Автор: Andrew T Ping,Dominic J Ogbonnah. Владелец: Dominic J Ogbonnah. Дата публикации: 2008-05-02.

Electrostatic discharge protection circuit for compound semiconductor devices and circuits

Номер патента: WO2008027802A2. Автор: Andrew T. Ping,Dominic J. Ogbonnah. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Transparent compound semiconductor and production method therefor

Номер патента: US9755025B2. Автор: Jisoon Ihm,Kookrin Char. Владелец: RFTRON CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Lancet device for a face-to-face weaving machine and face-to-face weaving machine provided with such a lancet device

Номер патента: EP1524345B1. Автор: Johny Debaes,Jos Mertens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-03.

Lancet device for a face-to-face weaving machine and face-to-face weaving machine provided with such a lancet device

Номер патента: US20050109416A1. Автор: Johny Debaes,Jos Mertens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

System and Method for Transferring Funds Over Mobile Technology Platforms Between Participants in a Face-to-Face Transaction

Номер патента: US20130254107A1. Автор: Joshua Mcclure. Владелец: Joshua Mcclure. Дата публикации: 2013-09-26.

Device for adjusting the tension in pile warp yarns in a face-to-face weaving machine

Номер патента: US20020148523A1. Автор: Johnny Debaes,Ferdi Dejaegere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Apparatus for processing plasma and method of processing plasma and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240128055A1. Автор: Jihwan Kim,Juho Lee,SeungBo SHIM,Hyunjae Lee,Sangki NAM,Hyunbae Kim,Daeun Son,Hyunhak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for authenticating a user of a payment instrument during a face-to-face payment transaction

Номер патента: EP4369270A1. Автор: Francois Lemaire. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for authenticating a user of a payment instrument during a face-to-face payment transaction

Номер патента: WO2024099757A1. Автор: Francois Lemaire. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for authenticating a user without a face-to-face contact by using mobile id based on blockchain and merkle tree structure related thereto, and terminal and server using the same

Номер патента: KR101877335B1. Автор: 송주한,어준선,홍재우,이준섭,현상훈,박종은. Владелец: 주식회사 코인플러그. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor Device Comprising Magnetic Tunneling Junctions in a Magnetoresistive Random Access Memory

Номер патента: US20240090233A1. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device for emitting highly spin-polarized electron beam

Номер патента: CA2067843A1. Автор: Toshihiro Kato,Tsutomu Nakanishi,Takashi Saka,Hiromichi Horinaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-03.

Optical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060219996A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuru Ekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of efficient controllable and repeatable wet oxidation in a phosphorous-rich III-V material system

Номер патента: US20020127758A1. Автор: Frederick Johnson,Bikash Koley,Mario Dagenais. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of efficient controllable and repeatable wet oxidation in a phosphorous-rich iii-v material system

Номер патента: WO2002054482A3. Автор: Bikash Koley,Mario Dagenais,Frederick G Johnson. Владелец: Frederick G Johnson. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device, method and apparatus for producing semiconductor device, and electronic instrument

Номер патента: EP4358324A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for forming a compound semiconductor device using a buffer layer over a corrugated surface

Номер патента: US6083813A. Автор: Yasumasa Kashima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device manufacturing method, template substrate, semiconductor device, electronic equipment, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: EP4379977A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20090034567A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: GB2293485A. Автор: Tatsuya Kimura,Nariaki Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-03-27.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090028203A1. Автор: Takeshi Sakashita,Masanori Saito. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor laser, optical pickup, and optical disk device with nitride type group III-V compound semiconductor layer

Номер патента: US8202750B2. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-19.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20230378716A1. Автор: Nobuaki Hatori. Владелец: Fujitsu Optical Components Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Compound semiconductor laser device

Номер патента: US20060239320A1. Автор: Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same

Номер патента: US20010040908A1. Автор: Tsutomu Munakata,Kashima Yasumasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Group III Nitride Compound Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20080303017A1. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Group III nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7737431B2. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Improved compound semiconductor ohmic contact

Номер патента: WO2023079311A1. Автор: Ross Kennedy,Antonio Samarelli,Graeme MASTERTON,Graeme GLEN. Владелец: Sivers Photonics Limited. Дата публикации: 2023-05-11.

Group III nitride compound semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020150136A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura,Hirokazu Takahashi,Atsuya Ito,Mamoru Miyachi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

System and method for generation of a signature certificate in a public key infrastructure

Номер патента: EP1162781A3. Автор: Kenneth W. Aull. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2003-05-28.

Method and device for shedding jacquard patterned pile warp yarns in a face to face weaving machine

Номер патента: EP1607501B1. Автор: Martin Burkert,Rainer Dr. Göss. Владелец: Schoenherr Textilmaschinenbau GmbH. Дата публикации: 2007-07-25.

System for support of the cutting bench in a face-to-face weaving machine

Номер патента: EP1614784B1. Автор: Johny Debaes,Stéphan Vanneste. Владелец: NV MICHEL VAN DE WIELE. Дата публикации: 2010-12-01.

Dismountable seat for an automobile capable of being automatically tumbled and mounted in a face-to-face manner

Номер патента: CA2407882A1. Автор: Ki-Jong Park,Jae-Myung Hur. Владелец: Dae Won Industries Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-01-27.

Method and device for shedding jacquard patterned pile warp yarns in a face to face weaving machine

Номер патента: CN1710168A. Автор: M·布尔克特,R·格斯尔. Владелец: SCHOENHERR TEXTILMASCHB GmbH. Дата публикации: 2005-12-21.

One-side laminate in which filter media sheets with flutes are laminated on one side of a face-to-face filter media sheet, method for forming the same, and filter element

Номер патента: JP5607624B2. Автор: テッド， アンソニー モエ，,ベニー， ケヴィン ネルソン，,ブラッドリー， アレン グロス，. Владелец: ドナルドソン カンパニー，インコーポレイティド. Дата публикации: 2014-10-15.

Method for authenticating a user without a face-to-face contact by using mobile id based on blockchain, and terminal and server using the same

Номер патента: KR101877333B1. Автор: 송주한,어준선,홍재우,이준섭,현상훈,박종은. Владелец: 주식회사 코인플러그. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of manufacturing a face to face pile fabric on a double-plush loom

Номер патента: EP1489211B1. Автор: Rainer Dr. Gössl. Владелец: Schoenherr Textilmaschinenbau GmbH. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of manufacturing a face to face pile fabric

Номер патента: EP1217114A1. Автор: Rainer Dr. Gössl. Владелец: Schoenherr Textilmaschinenbau GmbH. Дата публикации: 2002-06-26.

Method of manufacturing a face to face pile fabric on a double-plush loom

Номер патента: CN1594696A. Автор: R·格斯尔. Владелец: SCHOENHERR TEXTILMASCHB GmbH. Дата публикации: 2005-03-16.

Method for manufacturing a face to face pile fabric

Номер патента: EP0805227A2. Автор: Andre Dewispelaere,Nico Gheysen,Jos Mertens. Владелец: N.V. MICHEL VAN DE WIELE. Дата публикации: 1997-11-05.

Method of manufacturing a face to face pile fabric on a double-plush loom

Номер патента: CN1594696B. Автор: R·格斯尔. Владелец: SCHOENHERR TEXTILMASCHB GmbH. Дата публикации: 2010-12-08.

Device for attaching temples on a face-to-face weaving machine

Номер патента: EP1251197B1. Автор: Johny Debaes,Ferdi Dejaegere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device with DRAM cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US7265020B2. Автор: Takahito Nakajima,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20160071566A1. Автор: Shintaro Sakai,Hiromi Noro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device with DRAM cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060068544A1. Автор: Takahito Nakajima,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014813A1. Автор: Yuki KUMAZAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320097A1. Автор: Soo Yong Lee,Jung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with source lines extending in a different direction

Номер патента: US20100246241A1. Автор: Shuichi Tsukada,Akiyoshi Seko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Organic semiconductor compound, semiconductor device, solar cell and producing method of organic semiconductor compound

Номер патента: US8710263B2. Автор: YUKA Kobayashi,Kazuhiko Saigo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-04-29.

Compound semiconductor photonic integrated circuit with dielectric waveguide

Номер патента: US09880352B2. Автор: William Ring,Miroslaw Florjanczyk. Владелец: BB Photonics Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Device for receiving information on two parallel communication channels in a system for transmitting data with crucial feedback

Номер патента: RU2696329C2. Автор: Владимир Сергеевич Савватеев,Леонид Феодосиевич Головаха,Илья Андреевич Прудников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-01.

Pressure roller in a sanding device

Номер патента: US3553899A. Автор: Katsuji Hasegawa. Владелец: Meinan Machinery Works Inc. Дата публикации: 1971-01-12.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device for reducing power consumption in low power mode and system including same

Номер патента: US20160041604A1. Автор: OH Sung Kwon,Kwang Hee Choi,Tae Min JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device for reducing power consumption in low power mode and system including same

Номер патента: US09804987B2. Автор: OH Sung Kwon,Kwang Hee Choi,Tae Min JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatuses and methods for coupling semiconductor devices of a memory module in a memory system

Номер патента: US09524756B2. Автор: Koji Matsuo,Yoji Nishio,Tadaaki YOSHIMURA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Terminal device combining mails stored in a storage and transmitting the combined mail to an information apparatus

Номер патента: US20020156856A1. Автор: Masakatsu Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240185800A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US20240142497A1. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for growing crystals of III-V compound semiconductors

Номер патента: US4004953A. Автор: Mutsuyuki Otsubo,Hidejiro Miki,Kiyoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Method for preparing compound semiconductor crystal by combining continuous lec and vgf after injection synthesis

Номер патента: US20240209545A1. Автор: Yang Wang,Zheng Liu,Shujie Wang,Xiaolan Li,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Aimin BU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-06-27.

Detection of organic free radicals and reactive oxygen substances using chemically-stimulated luminescence from structured compound semiconductors

Номер патента: US20180364172A1. Автор: William L. Boatright. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2018-12-20.

Detection of hydroperoxides using chemically-stimulated luminescence from structured compound semiconductors

Номер патента: US20190376901A1. Автор: William L. Boatright. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2019-12-12.

Compound semiconductor crystal

Номер патента: US5612014A. Автор: Tetsuya Inoue,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-18.

Compound-semiconductor waveguides with airgap cladding

Номер патента: EP4369065A1. Автор: Yusheng Bian,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Compound-semiconductor waveguides with airgap cladding

Номер патента: US20240159962A1. Автор: Yusheng Bian,Mark Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Crucible for preparing compound semiconductor crystal

Номер патента: US5656077A. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-08-12.

Optical processing in III-V and II-VI compound semiconductors

Номер патента: US4948212A. Автор: Li-Jen Cheng,Gregory O. Gheen. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1990-08-14.

Ammonia for use in manufacture of gan-type compound semiconductor and method for manufacturing gan-type compound semiconductor

Номер патента: US20030033973A1. Автор: Taizo Ito,Hideki Hayashida,Yasuyuki Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer

Номер патента: US5433169A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Process for the growth of III-V group compound semiconductor crystal on a Si substrate

Номер патента: US4840921A. Автор: Takashi Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Apparatus for growing compound semiconductor single crystals

Номер патента: US4734267A. Автор: Masakatu Kojima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-29.

Method for growing single crystals of dissociative compound semiconductor

Номер патента: US4750969A. Автор: Koichi Sassa,Kenji Tomizawa. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1988-06-14.

Method for fabricating micro-lens and micro-lens integrated optoelectronic devices using selective etch of compound semiconductor

Номер патента: WO2007061271A1. Автор: Alameh Kamal,Yong-Tak Lee,Ki-Soo Chang. Владелец: Edith Cowan University. Дата публикации: 2007-05-31.

Compound semiconductor vapor phase epitaxial device

Номер патента: US5370738A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Isamu Akasaki,Kazumasa Hiramatsu,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1994-12-06.

Apparatus for performing solution growth of group ii- vi compound semiconductor crystal

Номер патента: CA1212019A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1986-09-30.

Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus

Номер патента: EP1574602A1. Автор: Toshiaki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT ASAHI,Kenji NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT SATO,Takayuki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT YABE,Atsutoshi NIKKO MATERIALS CO LTD ISOHARA ARAKAWA. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Method for growing compound semiconductor crystal

Номер патента: US4853066A. Автор: Toshio Kikuta,Seikoh Yoshida,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Compound semiconductor single crystal and production process thereof

Номер патента: WO2005035837A1. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Single crystal of compound semiconductor of groups III-V with low dislocation density

Номер патента: US4584174A. Автор: Atsushi Shimizu,Mikio Morioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-04-22.

Method and apparatus for producing group iii nitride based compound semiconductor

Номер патента: WO2007117032A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Apparatus for Producing Group III Nitride Based Compound Semiconductor

Номер патента: US20090169444A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

My invention is a face to face interactive maths based sports game where two teams of five students go head to head in answering addition, subtraction & multiplication based questions in an attempt to have the highest score after four 2 minute quarters. Along with this we have student volunteers who are responsible for commentating, timekeeping, goal umpires and operating the live scoreboard. This is played in a Fast Footy, Fast Netball and Fast Basketball format on a miniaturised court/field (4 metres x 0.5 metres).

Номер патента: AU2017903096A0. Автор: John Daniel Zadok Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-17.

A Face-to-Face Identity Verification System

Номер патента: AU2013903768A0. Автор: Sean Simmons,Franki Simmons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

System and Method for Transferring Funds Over Mobile Technology Platforms Between Participants in a Face-to-Face Transaction

Номер патента: US20130254107A1. Автор: McClure Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MICROSTRUCTURE DEVICE COMPRISING A FACE TO FACE ELECTROMAGNETIC NEAR FIELD COUPLING BETWEEN STACKED DEVICE PORTIONS AND METHOD OF FORMING THE DEVICE

Номер патента: US20120256290A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-10-11.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Portable display device combined with cover

Номер патента: CA139716S. Автор: . Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-02-13.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to Protect Compound Semiconductor from Electrostatic Discharge Damage

Номер патента: US20120003762A1. Автор: CHANG LIANN-BE,Lin Cheng-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Compound semiconductor device

Номер патента: CA2078940C. Автор: Yoshikazu Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1996-11-12.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Electronic biosensors having metal-nonmetal compound semiconductor nanobridge array

Номер патента: WO2024220344A1. Автор: Sungho Jin,Carl Fuller,Chulmin Choi,Paul MOLA,Barry Merriman,Prem Sinha. Владелец: Roswell Me, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2507634C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Виктор Алексеевич Курмачев,Надежда Борисовна Гладышева,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.