Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing semiconductor device having a soi layer in a required region of bulk silicon wafer using a leg process

Method of manufacturing semiconductor device having a soi layer in a required region of bulk silicon wafer using a leg process

Номер патента: KR101642834B1
Опубликовано: 11-08-2016
Автор(ы): 강필규, 배대록, 이종명, 최길현
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor material, method of making the same, and semiconductor device

Номер патента: US8344356B2. Автор: Tsuneo Ito,Ryo Sakamoto,Takashi Egawa,Jo Shimizu. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2013-01-01.

Alignment Target Contrast in a Lithographic Double Patterning Process

Номер патента: US20140192333A1. Автор: Mircea Dusa,Manfred Gawein Tenner,Harry Sewell,Richard Johannes Franciscus Van Haren,Maya Angelova Doytcheva. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2014-07-10.

Methods of manufacturing thin film transistor, biometric device, and display apparatus

Номер патента: US11830763B2. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing photomask, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230408912A1. Автор: Yongwoo Kim,Jongju Park,Jongkeun OH,Suzy ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240038584A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Optical proximity correction method and method of manufacturing extreme ultraviolet mask by using the optical proximity correction method

Номер патента: US09715170B2. Автор: Sang-hwa Lee,Sung-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of manufacturing optical sheets, organic light emitting display devices having optical sheets and methods of manufacturing organic light emitting display devices having optical sheets

Номер патента: US09627651B2. Автор: Ki-Seo Kim,Jong-In Baek,Rang-Kyun Mok. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Miniaturized lens packaging module, preparation method of the lens packaging module, and electronic device having the lens packaging module

Номер патента: US20240266448A1. Автор: Hsin-Yen Hsu. Владелец: Rayprus Technology Foshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240079275A1. Автор: Takashi Tsuji,Naoto Fujishima,Yuichi Onozawa,Johnny Kin On Sin,Linhua Huang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US7915177B2. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020924B2. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: GB1334494A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-17.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: US3765970A. Автор: T Athanas,A Anastasio. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US09871062B2. Автор: Su Wan WOO,Wan Soon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making liquid crystal display device with oxide thin film transistor

Номер патента: US09847353B2. Автор: Dong Kug KO,Jong Sang PYO,Ji Yong LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US11563086B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US20210005714A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having capacitor element

Номер патента: US7323735B2. Автор: Naotaka Hashimoto,Shuji Ikeda,Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Thermal treatment method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20120241912A1. Автор: Koji Araki,Takeshi Senda. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing element chip, method of manufacturing electronic component-mounted structure, and electronic component-mounted structure

Номер патента: US09780021B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230055587A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing thermal insulation wall body

Номер патента: US09466516B2. Автор: Makoto Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100227472A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Super-junction power device having adjustable resistor connected in parallel between gate and source, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386861A1. Автор: WEI Hu. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers which includes a gas phase etching process, and semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers manufactured by the method

Номер патента: MY119277A. Автор: Hiroshi Oishi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2005-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon wafer heat treatment method

Номер патента: US09708726B2. Автор: wei feng Qu,Fumio Tahara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating an optoelectronic device with a hollow component in epitaxial layer

Номер патента: US09520281B2. Автор: Ai-Sen Liu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4160659A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Yuki Yamakado,Yasutoshi Tsubota. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

Method of providing thinned layer of epitaxial semiconductor material having substantially uniform reverse breakdown voltage characteristic

Номер патента: US4154663A. Автор: Robert L. Adams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-05-15.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of using dual frequency RF power in a process chamber

Номер патента: US12106958B2. Автор: Pramit MANNA,Ganesh Balasubramanian,Anup Kumar Singh,Bhaskar Kumar,Krishna Nittala,Rick Kustra,Vinayak Vishwanath Hassan,Kaushik ALAYAVALLI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09893186B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09431537B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157448A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor growth substrate, semiconductor element, semiconductor light emitting element, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20210257515A1. Автор: Hisayoshi Daicho,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Metal wiring, method of manufacturing the same, TFT substrate having the same, method of manufacturing TFT substrate and display device having the same

Номер патента: US20060086979A1. Автор: Yang-Sun Kim,Taek-Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US09575386B2. Автор: Jae-Sung Kim,Jin-Young Choi,Cha-Dong KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming fins for finFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09337050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of attaching an electronic part to a copper plate having a surface roughness

Номер патента: US09831157B2. Автор: Satoru Kurita,Hideyo Osanai,Naoya Sunachi. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding product and semiconductor device

Номер патента: US20240178105A1. Автор: Mauro Mazzola,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming and electrically connecting a vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor extending between interconnect layers in an integrated circuit

Номер патента: US6251740B1. Автор: Gregory A. Johnson,Kunal N. Taravade. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device having a titanium electrode

Номер патента: US6103566A. Автор: Natsuki Yokoyama,Shinpei Iijima,Tsuyoshi Tamaru,Masayuki Nakata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210083114A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220140142A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11682729B2. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating gates

Номер патента: US12041857B2. Автор: Roy Leonardus Maria OP HET VELD,Jason Petros Heinrich JUNG,Petrus Johannes VAN VELDHOVEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for calibrating a digital optical imaging system having a zoom system, method for correcting aberrations in a digital optical imaging system having a zoom system, and digital optical imaging system

Номер патента: US09652847B2. Автор: Toufic Jabbour,Thomas Milde,Max Funck,Johannes Winterot. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2017-05-16.

Flat fluorescent lamp, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20050269931A1. Автор: Sang-Yu Lee,In-Sun Hwang,Joong-Hyun Kim,Hae-Soo Ha. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Dielectric electrode assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: US20190067438A1. Автор: Michael W. Murray. Владелец: Access Laser Co. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3783640A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yasuaki Hayami,Ryota Tanaka,Keisuke Takemoto,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210159335A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yasuaki Hayami,Ryota Tanaka,Keisuke Takemoto,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing organic light emitting display device having cathode electrode connected with an auxiliary electrode via a gap space between the first and second banks

Номер патента: US20180204894A1. Автор: Jin-Hee Jang,Sejune Kim,SoJung LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US11723240B2. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating an optical device package with an adhesive having a reflective material

Номер патента: US09496469B2. Автор: Ji Haeng Lee,Jee Heum Paik. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device having monochromatic filter layer

Номер патента: US12016234B2. Автор: Ke Liu,Jie Li,Xiaoqi Ding,Jiali WANG,Guoyi Cui,Xinlei YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Compound having thiol anchoring group, method of synthesizing the same, and molecular electronic device having molecular active layer formed using the compound

Номер патента: US20100090210A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Gyeong Sook BANG,Seung Rim Shin,Nak-Jin Choi,Heeyoel Baek,Kun Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Multi die package having a die and a spacer layer in a recess

Номер патента: US09490196B2. Автор: Shan Zhong,John S. Guzek,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of preparing quantum dot layer, qled display device having the quantum dot layer and method of preparing the same

Номер патента: US20170271549A1. Автор: Xiang Zhou,Tian Yang,Zhao Kang,Ning Chen,Xiaoyan Zhu,Biao TIAN,Xiaona Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of preparing quantum dot layer, QLED display device having the quantum dot layer and method of preparing the same

Номер патента: US09780257B1. Автор: Xiang Zhou,Tian Yang,Zhao Kang,Ning Chen,Xiaoyan Zhu,Biao TIAN,Xiaona Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Conductive film, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110095419A1. Автор: Yuichi Matsuda,Michio Horiuchi,Tsuyoshi Kobayashi,Tatsuaki Denda,Yasue Tokutake. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US20210305343A1. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US20230345774A1. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device having a density of second inorganic layer in thickness direction changes in the thickness direction

Номер патента: US09966570B2. Автор: Daisuke Kato,Akinori Kamiya. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display device having thin film transistor

Номер патента: US8964141B2. Автор: Ji-Yong Park,Kyung-Min Park,Jin-Suk Park,Sung-In Ro,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming an array of multi-stack nanosheet structures having a dam structure isolating multi-stack transistors

Номер патента: US11742345B2. Автор: Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and a memory system including a plurality of IC chips in a common package

Номер патента: US20050184380A1. Автор: Yasushi Takahashi,Hirotaka Nishizawa,Toshio Sugano,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Michiaki Sugiyama,Masayasu Kawamura,Kazuki Sakuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device having an insulating film and a trap film joined in a channel region

Номер патента: US5338954A. Автор: Noriyuki Shimoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-08-16.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

SRAM arrays and methods of manufacturing same

Номер патента: US09721645B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of measuring thickness of a ultra-thin film

Номер патента: US11215450B2. Автор: Kyung Joong KIM,Tae Gun Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device

Номер патента: US09729809B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09679770B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Metal-insulator-semiconductor device manufacture

Номер патента: CA1120605A. Автор: William A. Pliskin,Joseph F. Shepard,Martin Revitz,James R. Gardiner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Housing structure and method of manufacturing the same, and electronic device having the same

Номер патента: US20230352776A1. Автор: Hung-Chun Ma,Hai-Peng Yan,Fuh-Feng Tang,Ching-Sheng Sun. Владелец: Fuyu Precision Components Kunshan Co ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of installing a communication tower panel security device around the circumference of an antenna service bay arranged in a communication tower

Номер патента: US09716310B2. Автор: David M. Dundorf,Christopher C. Dundorf,Patrick MELVIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-25.

Plasma display panel having a dielectric layer of a reduced thickness in a sealing portion

Номер патента: US20020111102A1. Автор: Kenji Horio,Kazumi Ebihara,Yoshinori Osaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Color cathode ray tube having a shadow mask structure with curl reduced in a skirt portion thereof

Номер патента: US6255765B1. Автор: Hiroshi Ito,Koji Hagiwara. Владелец: Hitachi Electronic Devices Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Method of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: WO2009096092A1. Автор: Satoshi Shirotori,Masatoshi Sakurai,Yoshiyuki Kamata,Kaori Kimura,Yosuke Isowaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-08-06.

Method of generating write data, multi charged particle beam writing apparatus, and pattern inspection apparatus

Номер патента: US20160103945A1. Автор: Kenichi Yasui,Shigehiro Hara. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming bubble domain system

Номер патента: US3728153A. Автор: D Heinz. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-04-17.

Method of three-dimensional atomic imaging

Номер патента: WO1992012527A1. Автор: David S. Y. Tong. Владелец: Board Of Regents Of The University Of Wisconsin System. Дата публикации: 1992-07-23.

Method of generating write data, multi charged particle beam writing apparatus, and pattern inspection apparatus

Номер патента: US09558315B2. Автор: Kenichi Yasui,Shigehiro Hara. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Touch substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US09830038B2. Автор: Youn-Gu Lee,Bo-Sung Kim,Kyu-Young Kim,Nam-Ok Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of creating compound file and data storage device having the compound file

Номер патента: US9514392B2. Автор: Young-cheul Wee,Young-Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of creating compound file and data storage device having the compound file

Номер патента: US09514392B2. Автор: Young-cheul Wee,Young-Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Cover window, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US11871604B2. Автор: Seung Kim,Byunghoon Kang,Seungho KIM,Gyuin SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetoresistance element including a stack having a sidewall, and an insulating layer in contact with the sidewall

Номер патента: US09502056B1. Автор: Hideyuki Ukita,Takayasu Kanaya,Minoru Ota,Hidekazu Kojima,Kohei Honma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Compound for molecular electronic device having thiol anchoring group, method of synthesizing the compound, and molecular electronic device having molecular active layer obtained from the compound

Номер патента: US20070120121A1. Автор: Jung Lee,Nak Choi,Jong Park,Hyo Lee,Gyeong Bang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Magneto-elastically excitable tag having a reliably deactivatable amorphous alloy for use in a mechanical resonance monitoring system

Номер патента: US5728237A. Автор: Giselher Herzer. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-03-17.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Heating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110021039A1. Автор: Hitoshi Murata,Masaaki Ueno,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180174861A1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Jonghoon Jung,Taejoong Song,Seungyoung Lee,Jinyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929023B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Jonghoon Jung,Taejoong Song,Seungyoung Lee,Jinyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating semiconductor devices including PMOS devices having embedded SiGe

Номер патента: US09449834B2. Автор: Wei Lu,Qingsong WEI,Wuping Liu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972500B2. Автор: Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Arito Ogawa,Atsuro Seino,Atsuhiko Ashitani,Ryohei Maeno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09508555B2. Автор: Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Arito Ogawa,Atsuro Seino,Atsuhiko Ashitani,Ryohei Maeno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09978653B2. Автор: Masanori Nakayama,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080621B2. Автор: Keita Motoyama,Yoshiaki Takewaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device having a glass piece and a single-crystalline semiconductor portion

Номер патента: US09601376B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09786515B1. Автор: Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09515172B2. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640629B1. Автор: Toshitaka Miyata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Номер патента: US09595611B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Byeong-Chan Lee,Bon-young Koo,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor package, method of bonding workpieces and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US11908843B2. Автор: Chun-Yen Lo,Wei-Jen Wu,Bingchien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor package, method of bonding workpieces and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230062411A1. Автор: Chun-Yen Lo,Wei-Jen Wu,Bingchien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor package, method of bonding workpieces and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240153930A1. Автор: Chun-Yen Lo,Wei-Jen Wu,Bingchien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Optical device having a detector and an optical element mounted on an epoxy fence

Номер патента: WO2021178043A1. Автор: Jonathan GETTY,Bradly Eachus,David Brehl. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-09-10.

Optical device having a detector and an optical element mounted on an epoxy fence

Номер патента: US20210280626A1. Автор: Jonathan GETTY,Bradly Eachus,David Brehl. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of producing bonded wafer

Номер патента: US09673086B2. Автор: Isao Yokokawa,Masahiro Kato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit packaging system with unplated leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09620480B1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto,Garret Dimaculangan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device having buried word line

Номер патента: US20220045067A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of fabricating gates

Номер патента: US20060134842A1. Автор: Po-Lun Cheng,Li-Wei Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Conductive structure and method of forming the same

Номер патента: US09564359B2. Автор: Chih-Wei Chang,Pin-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170148687A1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Jonghoon Jung,Taejoong Song,Seungyoung Lee,Jinyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-25.

Silicon wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: SG172581A1. Автор: Tatsuhiko Matake. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030060024A1. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2674413C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5341028A. Автор: Yasuo Yamaguchi,Natsuo Ajika,Tsuyoshi Yamano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing infrared image sensor

Номер патента: US20020034878A1. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Masafumi Kimata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170047227A1. Автор: Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Arito Ogawa,Atsuro Seino,Atsuhiko Ashitani,Ryohei Maeno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing fin diode structure

Номер патента: US09559091B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Ping-Chen CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080045019A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Chang-ki Hong,Sung-Jun Kim,Ho-Young Kim,Seong-Kyu Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170346A1. Автор: Kosuke KITAICHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US20130187279A1. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US09947666B2. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US09530842B2. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178036A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of controlling plasma processing apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240055229A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Keun Bae,Aixian Zhang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258203A1. Автор: Hyunggyun NOH,Seonhaeng Lee,Sung-Mock HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178032A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20240312906A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Chan Li,Sheng-Chau Chen,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Device for transporting a substrate, treatment device with a receiving plate adapted to a substrate carrier of a device of this kind, and method for processing a substrate using a device of this kind for the transport of a substrate, and treatment facility

Номер патента: US20240290584A1. Автор: Hermann Schlemm,Mirko Kehr,Erik Ansorge,Sebastian Raschke. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing a nonvolatile memory cell and a field effect transistor

Номер патента: US9685453B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of planarizing substrate surface

Номер патента: US20180012771A1. Автор: Li-Chieh Hsu,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Organic light emitting diode display substrate, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating organic light emitting diode display substrate

Номер патента: EP3555922A1. Автор: Ruhui Zhu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-23.

Method of forming a semiconductor structure comprising an implantation of ions of a non-doping element

Номер патента: US20090035924A1. Автор: Manfred Horstmann,Andreas Gehring,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Manufacturing method of imaging module and imaging module manufacturing apparatus

Номер патента: US09906695B2. Автор: Motokazu Shimizu,Tatsuya Fujinami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240249990A1. Автор: Dahee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230025977A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100001380A1. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device

Номер патента: US20090243017A1. Автор: Takeshi Takeda,Kenji Takeo,Tadayuki Dofuku. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220028760A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150090947A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160104836A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of aligning micro LEDs and method of manufacturing micro LED display using the same

Номер патента: US11329187B2. Автор: Seungmin Lee,Sungjin Kang,Euijoon Yoon,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Jongmyeong KIM,Jehong OH,Jungel Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-10.

METHOD OF ALIGNING MICRO LEDs AND METHOD OF MANUFACTURING MICRO LED DISPLAY USING THE SAME

Номер патента: US20210184070A1. Автор: Seungmin Lee,Sungjin Kang,Euijoon Yoon,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Jongmyeong KIM,Jehong OH,Jungel Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406879B2. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus

Номер патента: US09589886B2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US20210143316A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Color filtering distributed bragg reflector for micro-light emitting diodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024155513A1. Автор: Peng Feng,XIANG Yu,Ye Tian,Nicolas Poyiatzis,Jack Haggar. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US20090206435A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Ushibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US7737044B2. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-15.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: WO2006001317A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2006-01-05.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US20150214461A1. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9691879B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Bottom chassis and method of manufacturing the same

Номер патента: US09958714B2. Автор: Tai-Yun JUNG,Ki-Hwan BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor component that includes a clamping structure and method of manufacturing the semiconductor component

Номер патента: US09917184B2. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691879B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274556A1. Автор: Ji-Yong Park,Won Choi,Bok Sik MYUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09818872B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wai-Yi Lien,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing optoelectronic element having rough surface

Номер патента: US09755104B2. Автор: Chi Hao HUANG,Wei Jung CHUNG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11948933B2. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230253397A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240203975A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20050249253A1. Автор: Jonathan Heffernan,Valerie Bousquet,Stewart Hooper,Matthias Kauer,Katherine Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068301B2. Автор: Jun Iijima,Yumi Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09825252B2. Автор: Joonyung Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconducting element, organic light emitting display including the same, and method of manufacturing the semiconducting element

Номер патента: US8981348B2. Автор: Arthur Mathea,Joerg Fischer,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US11972995B2. Автор: Dahee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20100144142A1. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Led device and method of manufacture

Номер патента: US20230290806A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor package including glass core substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321755A1. Автор: Myungsam Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Flexible substrate and method of manufacturing thereof and flexible display device having the flexible substrate

Номер патента: US09935280B2. Автор: Jin Hwan Choi,Young Gug Seol,Tae Woong Kim,Ju Chan Park,Pil Suk Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having reduced drain-to-source capacitance

Номер патента: US09608079B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240322083A1. Автор: Yang-Ho Jung,Dawoon Jung,Yu-gwang Jeong,Jaehun Lee,Hyunmin Cho,Yunjong Yeo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230343857A1. Автор: Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hang Chiu,An-Hung Tai,Yu-Hong LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163790A1. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: US20230087893A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: WO2021163766A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufracturing structure of dielectric grid for a semiconductor device

Номер патента: US09419048B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chi-Cherng Jeng,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038834A1. Автор: Hiromichi KIMPARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8158446B2. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing a liquid crystal display device having continuous rectangular close-shape seal members

Номер патента: US09625765B2. Автор: Satoshi Hasegawa,Yoichi Momose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing a liquid crystal display device having rectangular close-shape seal members

Номер патента: US09599861B2. Автор: Satoshi Hasegawa,Yoichi Momose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing a liquid crystal display device having rectangular close-shape seal members

Номер патента: US09557608B2. Автор: Satoshi Hasegawa,Yoichi Momose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20070103624A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Jong-Seong Kim,Sung-Hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacture of liquid crystal display device having characteristics which differ locally

Номер патента: US6051444A. Автор: Toshimi Watanabe,Takehiko Ueda,Toru Iwane,Itaru Homma. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: EP1980898A3. Автор: Hye-Young Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20140146254A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20220308380A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20210103172A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US9494811B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US8643812B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US11803073B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of forming superconducting functional elements of electronic devices having regions with different values of critical current density

Номер патента: RU2694800C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Леонид Вячеславович Кутузов,Александр Григорьевич Домантовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-07-16.

Method of winding a stator core with a continuous conductor having a rectangular cross-section and a stator core

Номер патента: US09467010B2. Автор: Kirk Neet,Mark A. Stephenson. Владелец: REMY TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Muxponder and method of converting a plurality of tributary optical communications signals having a first bit rate into an optical line signal having a second, higher bit rate

Номер патента: US09490931B2. Автор: Fabio Cavaliere,Luca Poti,Gianluca Meloni,Marco Secondini. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Apparatus and method of handling simultaneous universal terrestrial radio access network radio resource control procedures which change the security configuration in a universal mobile telecommunications system user equipment

Номер патента: CA2428300C. Автор: David W. Pedlar,Nicola M. Funnell,Robert J. Harrison. Владелец: M Stack Ltd. Дата публикации: 2008-08-05.

Method of winding a stator core with a continuous conductor having a rectangular cross-section and a stator core

Номер патента: WO2013074429A1. Автор: Mark A. Stephenson. Владелец: REMY TECHNOLOGIES, L.L.C.. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Inverter device capable of appropriately fixing a power module having a switching element and a smoothing capacitor in a limited region

Номер патента: US09425707B2. Автор: Makoto Morita,Tatsuya Kondo,Keita Mutsuura. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

A method of and apparatus for providing an exposed length of conductor or conductors suitable for making electrical contact in a length of elastomeric insulated cable

Номер патента: GB1287810A. Автор: . Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1972-09-06.

Alternating voltage amplifier circuit having a plurality of semiconductor amplifier elements operated in a grounded gate or grounded base configuration

Номер патента: US4342968A. Автор: Gerhard Ritter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-08-03.

Device to effectively eliminate the motion induced back emf in a loudspeaker system in the region of fundamental acoustic resonance

Номер патента: US3838216A. Автор: W Watkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-09-24.

Method of manufacturing a cathode ray tube (crt) having a color filter

Номер патента: EP1602118A1. Автор: Kangning Liang. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2005-12-07.

Method of manufacturing secondary battery

Номер патента: US09819048B2. Автор: Soojin Kim,Sung-Kyun Chang,Mikyung Chung,In Sung Uhm,Won Seok CHANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing a laser gain medium having a spatially variable gain profile

Номер патента: US20110281387A1. Автор: Michael Ushinsky,Robert W. Byren,David S. Sumida. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-11-17.

Ground electrode for spark plug, spark plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010030494A1. Автор: Keiji Kanao. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140159849A1. Автор: Yong Suk Kim,Sung Kwon Wi,Sang Moon Lee,Jun Hee Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Dielectric electrode assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: EP3453084A1. Автор: Michael W. Murray. Владелец: Access Laser Co. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacturing jelly roll-type electrode assembly and method of manufacturing jelly roll-type polymer secondary battery

Номер патента: US09966597B2. Автор: Soon-Ho Ahn,In-Gu AN,Dong-myung Kim,Jae-Bin Chung,Do-Hwa Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543076B2. Автор: Moon Il Kim,Byoung HWA Lee,Doo Hwan Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Multi-electrode field emission device having single power source and method of driving same

Номер патента: US20140346975A1. Автор: Jae-Woo Kim,Jin-woo Jeong,Yoon-Ho Song,Jun-Tae KANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-11-27.

A dipole antenna apparatus and method of manufacture

Номер патента: EP3796472A1. Автор: Hassanein Daniel RABAH,Richard Brooke Keeton,David Clive TAYLOR. Владелец: Airspan Networks Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Electrode for solid-state battery, method of manufacturing the same, solid-state battery, and battery package

Номер патента: US20240372099A1. Автор: Daisuke Ito. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Polymer electrolyte fuel cell separator made of pure titanium or titanium alloy and method of production of same

Номер патента: US20090197143A1. Автор: Kazuhiro Takahashi,Hiroshi Kihira,Michio Kaneko,Kiyonori Tokuno,Wataru Hisada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Electrodes with three dimensional current collectors and methods of making the same

Номер патента: US09570736B2. Автор: Suman Khatiwada,Neelam Singh,Pulickel M. Ajayan,Charudatta Galande. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-02-14.

Decorative radome and method of producing the same

Номер патента: US12080942B2. Автор: Scott Edwards,Simon Belcher,Garry Gordon Leslie Fimeri,Dean CARUSO,Bastian Stoehr,Tim Symonds. Владелец: Motherson Innovations Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical cavity surface emitting laser element and method of producing vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20230299559A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Super-Capacitor with Separator and Method of Producing the Same

Номер патента: US20160064155A1. Автор: Kuang L. Yang,Yingqi Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of and system for processing content of a web resource in a browser application

Номер патента: US09690757B2. Автор: Konstantin Sergeevitch NIKITIN,Vyacheslav Olegovich CHIGRIN. Владелец: YANDEX EUROPE AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Display panel having scan lines and scatter lines connected to switches, method of driving a display unit, and display device having a display unit driven thereby

Номер патента: US12094411B2. Автор: Rongrong Li,Mancheng ZHOU. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of visualizing a large still picture on a small-size display.

Номер патента: EP1719342A1. Автор: Philippe Société Civile SPID GENTRIC. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

Mobile communication terminal having wide display unit and method of controlling wide display unit

Номер патента: US20080051153A1. Автор: Byung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods of Operating Timers to Inhibit Timing Error Accumulation

Номер патента: US20100225371A1. Автор: Seung Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Methods of operating timers to inhibit timing error accumulation

Номер патента: US8797083B2. Автор: Seung Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-05.

Methods of authenticating a user for data exchange

Номер патента: US09892409B2. Автор: James Heath,Ashley Burton,Cameron Peter Sutherland Ross,Paul Downs,Thomas Edward Briden. Владелец: ECKOH UK Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of and system for reformatting an e-mail message based on a categorization thereof

Номер патента: US09525654B2. Автор: Georgii Valentinovich SHMAROVOZ,Alexander Viktorovich KOZLOV,Anna Aleksandrovna DEMYANENKO,Iulia Nikolaevna LATYSHEVA,Egor Vladimirovich GANIN. Владелец: YANDEX EUROPE AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of and system for reformatting an e-mail message based on a categorization thereof

Номер патента: US09521101B2. Автор: Georgii Valentinovich SHMAROVOZ,Alexander Viktorovich KOZLOV,Anna Aleksandrovna DEMYANENKO,Iulia Nikolaevna LATYSHEVA,Egor Vladimirovich GANIN. Владелец: YANDEX EUROPE AG. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of operating memory controller and methods for devices having the same

Номер патента: US09798498B2. Автор: Hyun Seok Kim,Young Jin Cho,Seong Jun Ahn,Jae Geun Park,Seong Nam KWON,Mi Hyang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming a magnetic recording and storage device having high abrasion resistance

Номер патента: US4152469A. Автор: Richard E. Allen,Peter R. Segatto. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1979-05-01.

Method of determination of water stress in a one or more plants in a crop located in the region of a soil moisture sensor array and knowledge of ETo

Номер патента: US11985925B2. Автор: Peter Buss. Владелец: Sentek Pty Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of driving electro-optic device and electro-optic device in which light emitting elements emit light concurrently in a period during one frame

Номер патента: US9236001B2. Автор: NAOAKI Komiya,Takeshi Okuno,Ryo Ishii,Hirofumi Katsuse. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of determining alignment of a template and a substrate having a liquid disposed therebetween

Номер патента: US7186483B2. Автор: Matthew E. Colburn,Sidlgata V. Sreenivasan,Byung-Jin Choi,Todd C. Bailey. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2007-03-06.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

A method of measuring pressure by means of a pressure gauge having a resonant element

Номер патента: AU4116400A. Автор: . Владелец: Schlumberger Technology Bv. Дата публикации: 2000-11-02.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

A method of measuring pressure by means of a pressure gauge having a resonant element

Номер патента: WO2000063664A1. Автор: Fadhel Rezgui,Eric Donzier,Alfred Permuy. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2000-10-26.

Method of operating memory controller and methods for devices having the same

Номер патента: US20150363338A1. Автор: Hyun Seok Kim,Young Jin Cho,Seong Jun Ahn,Jae Geun Park,Seong Nam KWON,Mi Hyang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Drive circuit of electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electro-optical device having the same

Номер патента: US7847776B2. Автор: Kenya Ishii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device for measuring hydrogen and method for measuring a hydrogen concentration in a medium by means of such a semiconductor device

Номер патента: US20240151674A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of determining the number of nuclei of a radioactive nuclide of a particle, involving irradiating a particle in a thermal neutron field in air between a particle and a target

Номер патента: RU2733491C2. Автор: Владимир Эдуардович Введенский. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ ЮЖНО-УРАЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ БИОФИЗИКИ (ФГУП ЮУрИБФ). Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Image-forming machine having a control device for detecting toner clogging in a replenisher station

Номер патента: US20020141768A1. Автор: Kenneth Friedrich. Владелец: Heidelberg Digital LLC. Дата публикации: 2002-10-03.

Processing Of A Desired Image Having A Dimension Not Equaling Powers Of 2 In A Swizzled Representation

Номер патента: US20100128029A1. Автор: Vijayendra Mohan Roy. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Image forming apparatus having a covering mechanism for a photosensitive drum in a cartridge

Номер патента: US11237516B2. Автор: Shougo Sato,Yasuo FUKAMACHI. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method of determining renewable carbon content while producing and blending biogenic-based fuels or blendstocks with fossil fuel in a refining or blending facility

Номер патента: US11906505B2. Автор: Meir R. HASBANI,Michelle K. YOUNG. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

A method of and a device for actively reducing the level of a primary field of sound or vibration in a space

Номер патента: EP1147512A1. Автор: Siv Leth,Patrick Barney,William G. Halvorsen. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2001-10-24.

Magnetic recording medium comprising ferromagnetic powder having a pH of at least 7 dispersed in a vinyl chloride copolymer using an aromatic phoshoric, phosphonic or sulfonic acid dispersant

Номер патента: US5176955A. Автор: Hiroshi Hashimoto,Kiyomi Ejiri,Hiroaki Araki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-05.

Decoder having a split queue system for processing intstructions in a first queue separate from their associated data processed in a second queue

Номер патента: US5668985A. Автор: Rajesh Kumar,Gary L. Brown,Adrian L. Carbine,Bradley D. Hoyt,Donald D. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Method of manufacturing a contact lens

Номер патента: US20060055876A1. Автор: William Hall,Joseph Lindacher,Nelson Baity,Donald Mckillop,Giberto Hernandez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Ophthalmic lenses, methods of manufacturing the ophthalmic lenses, and methods of dispensing eye care products including the same

Номер патента: AU2024216341A1. Автор: Peter Hones,Thomas W. Chalberg Jr.,Axel Leroy SMITH. Владелец: Sightglass Vision Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Ophthalmic lenses, methods of manufacturing the ophthalmic lenses, and methods of dispensing eye care products including the same

Номер патента: AU2021275053B2. Автор: Peter Hones,Thomas W. Chalberg Jr.,Axel Leroy SMITH. Владелец: Sightglass Vision Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Coupling structure for optical module and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009119966A1. Автор: Hyung Jong Lee,Kyoung Hie Chung. Владелец: Kyoung Hie Chung. Дата публикации: 2009-10-01.

Methods of terminating one or more optical fibers

Номер патента: US09791637B2. Автор: Jeffrey Dean Danley,Darrin Max Miller,Dennis Craig Morrison,II Robert Bruce ELKINS,Kipp David Yeakel. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Controlled-contact method of measuring insertion loss in optical fiber connectors

Номер патента: US09645044B2. Автор: James Scott Sutherland,Daniel Ohen Ricketts,Adam Joseph Fusco,Elvis Alberto Zambrano,Neil David VANCE. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20090217521A1. Автор: Yong-Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Electronic device with self-disinfecting touch screen and method of manufacture

Номер патента: WO2023076457A1. Автор: Christina H. Drake. Владелец: Kismet Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Display device, and method of producing display device

Номер патента: US20190317368A1. Автор: Shuji Watanabe,Shinichi Hirato,Shohgo Kamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

A method of starting a burner device and heating device having a burner device

Номер патента: US20240310045A1. Автор: Christian Bauer,Jörgen van KOPPEN. Владелец: Truma Geraetetechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a sandwich-type, compression-molded, composite component having a cellulose-based core and improved surface appearance

Номер патента: US09707725B2. Автор: Darius J. Preisler,Christopher A. Heikkila. Владелец: Global IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming a butt weld joint having a carbon content-dependent, predetermined quenching factor in a welded steel blank and a hot press-formed part made therefrom

Номер патента: CA3207139A1. Автор: Maria POIRIER,Cristian ALVAREZ,Thierry LIZON. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2019-05-31.

Method of manufacturing a high strength concrete plate member having a superior surface, as well as a high strength concrete panel manufactured by said method

Номер патента: EP2734349A1. Автор: Bo Serwin. Владелец: Gb Holding Højbjerg Aps. Дата публикации: 2014-05-28.

Method of manufacturing and applications of a building panel having a compound or complex curvature

Номер патента: US4471710A. Автор: James W. Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-09-18.

Method of manufacturing parts made of a composite material having a metallic matrix

Номер патента: US5419868A. Автор: Yves C. L. A. Honnorat. Владелец: Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA. Дата публикации: 1995-05-30.

Method of manufacturing a complex including a support layer having a specific texture

Номер патента: US20090165939A1. Автор: Philippe Sanial,Olivier Ferrand. Владелец: Textiles et Plastiques Chomarat SA. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of treating pancreatic and liver conditions by endoscopic-mediated (or laparoscopic-mediated) transplantation of stem cells into/onto bile duct walls of particular regions of the biliary tree

Номер патента: US09750770B2. Автор: Domenico Alvaro,Lola M. Reid,Juan Dominguez-Bendala,Luca Inverardi,Yunfang Wang,David A. Gerber,Giacomo LANZONI,Vincenzo Cardinale,Eugenio Gaudio,Guido Carpino. Владелец: Miami-Diabetes Research Institute, University of. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of treating pancreatic and liver conditions by endoscopic-mediated (or laparoscopic-mediated) transplantation of stem cells into/onto bile duct walls of particular regions of the biliary tree

Номер патента: US09533013B2. Автор: Domenico Alvaro,Lola M. Reid,Juan Dominguez-Bendala,Luca Inverardi,Yunfang Wang,David A. Gerber,Giacomo LANZONI,Vincenzo Cardinale,Eugenio Gaudio,Guido Carpino. Владелец: Miami Diabetes Research Institute, University of. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of producing double low restorer lines of brassica napus having a good agronomic value

Номер патента: CA2531051C. Автор: Michel Renard,Georges Pelletier,Regine Delourme,Catherine Primard-Brisset,Raymonde Horvais,Francoise Budar,Jean-Pierre Poupard. Владелец: Institut National de la Recherche Agronomique INRA. Дата публикации: 2014-01-28.

Method of recording in an electronic memory device pressure and temperature detected during a plurality of events occurring in a well

Номер патента: AU5178086A. Автор: Wesley Jay Ii Burris,Vincent Paul Zeller. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1986-07-17.

Method of forming a butt weld joint having a carbon content-dependent, predetermined quenching factor in a precoated welded steel blank and a hot press-formed part made therefrom

Номер патента: CA3082963C. Автор: Maria POIRIER,Cristian ALVAREZ,Thierry LIZON. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of identifying patients as having an increased likelihood of having a human papillomavirus (HPV)-associated cancer or recurrence of an Hpv-associated cancer

Номер патента: US11788157B2. Автор: Sunil Kumar,Bhishamjit S. Chera,Gaorav Gupta. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of applying a ceramic layer to an under-layer having a relatively low melting temperature

Номер патента: WO1999044822A1. Автор: Sipke Wadman. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-09-10.

A method of packaging powdered or granular material in an atmosphere having a low oxygen content

Номер патента: GB2085392A. Автор: . Владелец: Wessanen Nederland BV. Дата публикации: 1982-04-28.

Stent having a C-shaped body section for use in a bifurcation

Номер патента: US09427302B2. Автор: Yueqiang Xue. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of preparing metal surfaces of articles made from ferrous metals and stainless steels before applying polymer compositions in a flow and a viscous-flow state

Номер патента: RU2743279C1. Автор: Михаил Владимирович Кузьмин,Инна Анатольевна Мочалова. Владелец: Инна Анатольевна Мочалова. Дата публикации: 2021-02-16.

A method of predicting response to treatment with a disease-modifying anti-rheumatic drug, and/or classifying disease activity in a subject with rheumatoid arthritis

Номер патента: US20230257815A1. Автор: David Gibson,Philip Gardiner,Tony Bjourson,Amanda EAKIN,Gary WRlGHT,Naomi TODD. Владелец: Ulster University. Дата публикации: 2023-08-17.

Cooking vessel for cooking food having a bottom wall with through holes arranged in a symmetrical manner

Номер патента: EP3986213A1. Автор: Jacopo Ferron,Francesco Ferron. Владелец: Zwilling Ballarini Italia SRL. Дата публикации: 2022-04-27.

Cooking vessel for cooking food having a bottom wall with through holes arranged in a symmetrical manner

Номер патента: CA3137615A1. Автор: Jacopo Ferron,Francesco Ferron. Владелец: Zwilling Ballarini Italia SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

A method of predicting response to treatment with a disease-modifying anti-rheumatic drug, and/or classifying disease activity in a subject with rheumatoid arthritis

Номер патента: EP4172367A1. Автор: David Gibson,Philip Gardiner,Gary Wright,Tony Bjourson,Amanda EAKIN,Naomi TODD. Владелец: Ulster University. Дата публикации: 2023-05-03.

A method of predicting response to treatment with a disease-modifying anti-rheumatic drug, and/or classifying disease activity in a subject with rheumatoid arthritis

Номер патента: WO2021260180A1. Автор: David Gibson,Philip Gardiner,Gary Wright,Tony Bjourson,Amanda EAKIN,Naomi TODD. Владелец: UNIVERSITY OF ULSTER. Дата публикации: 2021-12-30.

Table having a central cellular honeycomb structure thermally fused in a sandwich configuration between two fibre-reinforced polypropylene face sheets

Номер патента: WO2011001174A1. Автор: Walter Boersma,Jonathan Richards. Владелец: OMNIA (CS) LIMITED. Дата публикации: 2011-01-06.

An ice rink installation having a polymer plastic heat transfer piping imbedded in a substrate

Номер патента: CA2285798C. Автор: Ralph Spencer Goddard,Bradley John Spencer Goddard,William Robert Ullrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-17.

Cooking vessel for cooking food having a bottom wall with through holes arranged in a symmetrical manner

Номер патента: US11844460B2. Автор: Jacopo Ferron,Francesco Ferron. Владелец: Zwilling Ballarini Italia SRL. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240381625A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: EP3846231A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US12063864B2. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing resonator element, resonator element, and resonator device

Номер патента: US20240333243A1. Автор: Yusuke Yamamoto,Keiichi Yamaguchi,Ryuta NISHIZAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Rigid flexible printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US09521760B2. Автор: Yang Je Lee,Jae Ho Shin,Jee Hoon Kim,Hyung Ju Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of making a printed circuit board copper plane repair

Номер патента: US09980382B2. Автор: Sungjun Chun,Mahesh Bohra,Jesus Montanez,Daniel I. Rodriguez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Radio station system, a radio communication terminal and methods of their operation

Номер патента: RU2746179C1. Автор: Садафуку ХАЯСИ,Хисаси ФУТАКИ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of controlling projector and projector

Номер патента: US20230105646A1. Автор: Yoshiteru Uchiyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Stop condition functionality in a stateless microkernel web server architecture

Номер патента: US20130179498A1. Автор: Matthew D. Bishop,Jeremy Halford SKELTON,Ashley Doyle THOMAS. Владелец: Elastic Path Software Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Stop condition functionality in a stateless microkernel web server architecture

Номер патента: US9450802B2. Автор: Matthew D. Bishop,Jeremy Halford SKELTON,Ashley Doyle THOMAS. Владелец: Elastic Path Software Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of creating three-dimensionally shaped object, print data creation apparatus, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20180056693A1. Автор: Satoshi Kimura. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Mobile phone and method of updating radio channel settings

Номер патента: EP1464154A1. Автор: Niels Nymark,Olli Seppala. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2004-10-06.

Method of frequency assignment of a wireless radio transmission system and a wireless radio audio transmission system

Номер патента: US9615175B2. Автор: Axel Schmidt,Sebastian Georgi. Владелец: SENNHEISER ELECTRIC GmbH and CO KG. Дата публикации: 2017-04-04.

A method of manufacturing flexible magnetic tape

Номер патента: EP1264304B1. Автор: Andrew Laurence Smith,Richard Miller Waltham. Владелец: Thorn Secure Science Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

A method of manufacturing flexible magnetic tape

Номер патента: WO2001022411A1. Автор: Andrew Laurence Smith,Richard Miller Waltham. Владелец: Thorn Secure Science Limited. Дата публикации: 2001-03-29.

A method of manufacturing flexible magnetic tape

Номер патента: GB2370406B. Автор: Andrew Laurence Smith,Richard Miller Waltham. Владелец: Thorn Secure Science Ltd. Дата публикации: 2003-04-02.

Method of determining gas concentration

Номер патента: RU2739719C1. Автор: Людмила Юрьевна Фадеева,Юрий Кириллович Евдокимов,Евгений Сергеевич Денисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2020-12-28.

Method of positioning a control surface to reduce hysteresis

Номер патента: US20130142620A1. Автор: Simon Kenneth Haydn-Smith,Jonathan Michael Moore. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2013-06-06.

System and method of determining amount of magnetic particles

Номер патента: RU2727551C2. Автор: Йоэри ВЕРБИСТ. Владелец: Пеприк Нв. Дата публикации: 2020-07-22.

Window, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20240301240A1. Автор: Sangwon Lee,Hyuk-Hwan Kim,Jae Sul An,Jonghwan Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of authenticating printed products by introducing latent information into image

Номер патента: RU2686620C1. Автор: Юрий Сергеевич Андреев,Ольга Александровна Гурьянова,Екатерина Александровна Пухова. Владелец: Екатерина Александровна Пухова. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Contact, inspection jig, inspection device, and method of manufacturing contact

Номер патента: US12135336B2. Автор: Norihiro Ota. Владелец: Nidec Read Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of treating gastrointestinal sarcoma patients depending on their sB7H6 serum level

Номер патента: US09557333B2. Автор: Laurence Zitvogel,Eric Vivier. Владелец: Institut Gustave Roussy (IGR). Дата публикации: 2017-01-31.

Device and method of controlling rotor

Номер патента: RU2586395C2. Автор: Эрик РУАЙЕ,Антуан Иван Александр ВАЛЛОН. Владелец: Турбомека. Дата публикации: 2016-06-10.

Methods of forming near field transducers (nfts) and portions thereof

Номер патента: US20160133275A1. Автор: Yongjun Zhao,David Michael Grundman,Sridhar Dubbaka. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Manufacturing method of electrostatic charge image developing toner

Номер патента: US20240168399A1. Автор: Shintaro ANNO,Ryutaro KEMBO,Yoshimasa FUJIHARA,Ryuta NAKANE. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-05-23.

Chimeric target molecules having a regulatable activity

Номер патента: WO1998023731A3. Автор: Patrice Soumillion,Jacques Fastrez,Daniel Legendre. Владелец: Univ Catholique Louvain. Дата публикации: 1998-11-12.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of operating a memory system having a meta data manager

Номер патента: US09891838B2. Автор: Sungyong SEO,Yeong-Jae WOO,Otae Bae,Hyun-Seung Jei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating micro-glassblown gyroscopes

Номер патента: US09702728B2. Автор: Doruk Senkal,Andrei M. Shkel,Mohammed Ahamed. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of testing thermally-assisted magnetic head

Номер патента: US09437226B1. Автор: Takashi Honda,Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Osamu Harakawa,Masahiro Kuribayashi,Tadatoshi Koba. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for screening psychoactive substances using nmr spectrometer having a permanent magnet

Номер патента: WO2019138226A1. Автор: David Williamson,Kate Kemsley,Ryan Mews,Oliver Sutcliffe. Владелец: Oxford Instruments Industrial Products Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

A method for screening psychoactive substances using nmr spectrometer having a permanent magnet

Номер патента: NZ766434A. Автор: David Williamson,Kate Kemsley,Ryan Mews,Oliver Sutcliffe. Владелец: Oxford Instruments Industrial Products Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

A method for screening psychoactive substances using nmr spectrometer having a permanent magnet

Номер патента: CA3087973A1. Автор: David Williamson,Kate Kemsley,Ryan Mews,Oliver Sutcliffe. Владелец: Oxford Instruments Industrial Products Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of driving pixel

Номер патента: US20210241697A1. Автор: Zhiqiang Xu,Xueling GAO,Chengchung YANG,Haoran Liu,Tieshi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method of reducing test time via address aware bist circuitry

Номер патента: US20140149810A1. Автор: Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,Krishnendu Mondal,Kiran K. Narayan,George M. Belansek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing refined fat and/or oil, and manufacturing management method for refined fat and/or oil

Номер патента: MY182854A. Автор: Hiroshi Hirai. Владелец: Nisshin Oillio Group Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Transportation system and methods of using thereof

Номер патента: US20240083480A1. Автор: Eric Smith,Scott Ziv. Владелец: U Kart Systems LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Workstation transportation system and methods of using thereof

Номер патента: US20240199102A1. Автор: Eric Smith,Scott Ziv. Владелец: U Kart Systems LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Powertrain member and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060210354A1. Автор: Yuji Yasuda,Tetsuya Kohno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of manufacturing an exudate management layer for use in an absorbent article

Номер патента: US12097140B2. Автор: Palani Raj R. Wallajapet,David J. Nickel,Matthew D. WOODS,Jason G. Csida,Hwa Y. KIM. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing fluorine-containing compound

Номер патента: WO2024226893A1. Автор: Gen EGASHIRA,Kazuya ICHINOSE,Keigo Higashida. Владелец: CHEMOURS-MITSUI FLUOROPRODUCTS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-31.

Tactical firearm systems and methods of manufacturing same

Номер патента: US09506708B2. Автор: Matthew Peterson,Morris Peterson,Charles Robert Overbey, JR.,Gary Vance,William Mccormick. Владелец: Ashbury International Group Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of and apparatus for receiving a wound coil

Номер патента: US3653519A. Автор: Joseph W Jurkovac Sr,Donald E Schultz. Владелец: United States Steel Corp. Дата публикации: 1972-04-04.

Dispersion method for particles in nanocomposites and method of forming nanocomposites

Номер патента: US09902819B2. Автор: Frank Filisko,Kaajal Raj Juggernauth,Anthony Waas. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a packaging with IML barrier film in combination with oxygen scavenger

Номер патента: US09533441B2. Автор: Benny E. Nielsen. Владелец: Superfos AS. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of cutting laminate film, cutting apparatus and method of manufacturing optical display device

Номер патента: US20120211153A1. Автор: Masahiro Takigawa,Takuya Nakazono,Satoru Koshio. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of cutting laminate film, cutting apparatus and method of manufacturing optical display device

Номер патента: US09545732B2. Автор: Masahiro Takigawa,Takuya Nakazono,Satoru Koshio. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of producing composite vehicle braking components including aluminum alloys

Номер патента: US20240218909A1. Автор: Anil K. Sachdev,Zhongyi Liu,Tyson Whittier Brown,Ratandeep Singh Kukreja,Heewook Lee. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Vehicle interior lining and method of producing a vehicle interior lining

Номер патента: US20020093181A1. Автор: Norbert Lang,Reiner Dannenhauer,Philipp Ritter,Jens Debler,Bernd Hägele. Владелец: TRW Occupant Restraint Systems GmbH. Дата публикации: 2002-07-18.

Combination of the movable tractor and the baler, a method of controlling the combination of the movable tractor and the baler and a machine-readable medium containing instructions for realizing the method

Номер патента: RU2738777C1. Автор: Йоахим БОЙДЕНС,Тома ДЕББО,Дидье ВЕРХАГЕ,Вутер БООН,Фрэнсис ДЕ КЕСЕЛЬ,Дрис ЛИФОГ,Йохан О ВАНПУККЕ,Ерун ВЕРМАНДЕР,Нил ВАНХЕККЕ. Владелец: СиЭнЭйч ИНДАСТРИАЛ БЕЛДЖИУМ НВ. Дата публикации: 2020-12-16.

Method of making at least one patient-specific brace of modular structure and corresponding brace

Номер патента: RU2595498C2. Автор: Хуан Вьет-Ха Юлиус ВУ,Дирк ВИХМАНН. Владелец: Дв Лингуаль Зюстемс Гмбх. Дата публикации: 2016-08-27.

Spoon delivery device and method of manufacturing the same to improve the administration of medicine

Номер патента: WO2013039560A1. Автор: Adam LEFFLER. Владелец: Leffler Adam. Дата публикации: 2013-03-21.

Axle assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210039464A1. Автор: Mark Knapp. Владелец: SpringSeal Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of producing a dry powder composition containing an anticholinergic, corticosteroid and beta-adrenergic agent

Номер патента: RU2741427C1. Автор: Фаусто Пиветти,Франческа Скьяретти,Алессандро КАВЕККИ,Кристина МЕРУЗИ. Владелец: Кьези Фармачеутичи С.п.А.. Дата публикации: 2021-01-26.

Materials transportation system and methods of using thereof

Номер патента: US20240010255A1. Автор: Eric Smith,Scott Ziv. Владелец: U Kart Systems LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of fast nozzle failure detection

Номер патента: EP3784495A1. Автор: Amol A. KHALATE,Koen Joan Klein Koerkamp. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2021-03-03.

A method of manufacturing a wall structure and a machining tool

Номер патента: EP2094420A1. Автор: Jan Lundgren,Mats Hallqvist. Владелец: Volvo Aero AB. Дата публикации: 2009-09-02.

Method of manufacturing vacuum insulation using glass fibers

Номер патента: US09829146B2. Автор: Byung Hoon Min,Sung Seock Hwang,Seung Min Jeon,Jung Pil Han. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of producing foam particles from thermoplastic elastomers with polyamide segments

Номер патента: RU2745267C2. Автор: Франк ПРИССОК,Петер Гутманн,Уве КЕППЕЛЕР,Юрген АЛЕРС,Юрген БАРТЛЬ,Кристиан ДЕШЛАЙН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2021-03-22.

A manufacturing method of three-dimensional cross-linked foam for uppers of shoes

Номер патента: EP1830993A1. Автор: Jang Won Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-12.

System for performing intraluminal histotripsy and method of operation thereof

Номер патента: EP3110338A1. Автор: David Paul Noonan,Aleksandra Popovic,Ralf Seip. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-04.

Method of and apparatus for removing a softenable cover from a golf ball

Номер патента: WO1995022380A1. Автор: . Владелец: Mcrae, Corbett. Дата публикации: 1995-08-24.

Game apparatus and method of play

Номер патента: SG179444A1. Автор: Anthony James Brown. Владелец: Anthony James Brown. Дата публикации: 2012-04-27.

Manufacturing method of rack shaft

Номер патента: US8661677B2. Автор: Kazuo Ukai,Hiroyuki Omi. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Device for ophthalmic surgery and method of use therefor

Номер патента: US20200093639A1. Автор: John A. McCall, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

A manufacturing method of three-dimensional cross-linked foam for uppers of shoes

Номер патента: EP1836036A1. Автор: Jang Won Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-26.

Shaft assembly of a gas turbine engine and method of controlling flow therein

Номер патента: US20150275764A1. Автор: Remy Synnott,Vincent Paradis. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Spinner game and method of playing the same

Номер патента: US6666452B1. Автор: Michael F. Kielar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-23.

Method of producing patterns in concrete and other building materials

Номер патента: WO2004113459A2. Автор: Afshin Frederick Mehin,Christopher James Glaister,Tomas Rosen. Владелец: Royal College of Art. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of processing a body of polycrystalline diamond material

Номер патента: GB2627359A. Автор: William Aldmington David,Elena Zvoriste-Walters Carmen. Владелец: Element Six UK Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of propagating a cannabis cutting

Номер патента: CA3162439C. Автор: Frank Janssen. Владелец: Rockwool AS. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Production method of niobium(v) oxide nanocrystals

Номер патента: US20230312362A1. Автор: Kenichi Yamauchi,YuehChun LIAO. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Multiple lumen catheter and method of making same

Номер патента: WO2006127931A3. Автор: Oepen Randolf von,Bodo Quint,Stevan Nielsen,Axel Grandt,Hartmut Grathwohl,Andy Jeffrey. Владелец: Andy Jeffrey. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of treating acute myeloid leukemia and/or acute lymphoblastic leukemia using thienotriazolodiazepine compounds

Номер патента: US09956228B2. Автор: Maria E. RIVEIRO,Kay NOEL. Владелец: OncoEthix GmbH. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of treating a treatment-resistant gastrointestinal spasm

Номер патента: US09907818B2. Автор: Gin Wu,Alexander L Huang. Владелец: LiveLeaf Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of implanting a penile prosthetic

Номер патента: US09844393B2. Автор: Neal Poucher. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2017-12-19.

Shaft assembly of a gas turbine engine and method of controlling flow therein

Номер патента: US09803550B2. Автор: Remy Synnott,Vincent Paradis. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Steam reformers, modules, and methods of use

Номер патента: US09718041B2. Автор: Changsik Kim,Yanlong Shi,Jian L. Zhao. Владелец: Nuvera Fuel Cells LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of casting, manufacturing device thereof, and casting

Номер патента: US09700935B2. Автор: Yoshio Sugiyama,Yasushi Iwata,Jun Yaokawa,Yuichi Furukawa,Yu Sasaki,Norihiro Amano. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Printer for printing a film that can be hydrographically printed onto an object and a method of printing

Номер патента: US09676178B2. Автор: Steve J. Mondloch. Владелец: Einstein Graphic Services LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a composite engineered wood material floor board

Номер патента: US09616650B2. Автор: Francois Roy. Владелец: BOA-FRANC SENC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of controlling electronic parking brake of vehicle having dual clutch transmission

Номер патента: US09555780B2. Автор: Hyug Gi Hong. Владелец: Continental Automotive Systems Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of supplying Zn—Al alloy to molten zinc pot, method of adjusting concentration of Al in molten zinc bath, and apparatus for supplying Zn—Al alloy to molten zinc pot

Номер патента: US09458530B2. Автор: Hideki Nishimura,Mikio Kawamura,Masaaki OMODAKA,Yu Yamauchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of cultivating algae and photobioreactor

Номер патента: US20230002721A1. Автор: Yuichi Kato,Yasuo Fujikawa,Tomohiro TSURUMOTO,Tomohisa Hasunuma. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Game apparatus and method of play

Номер патента: EP2117657A1. Автор: Anthony James Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of mounting a roof panel assembly; as well as such roof panel assembly

Номер патента: EP3020587A3. Автор: Peter Christiaan Leonardus Johannes Manders,Joseph Petrus Johannes Sanders,Karim Dayoub. Владелец: Inalfa Roof Systems Group BV. Дата публикации: 2016-05-25.

Method of processing a body of polycrystalline diamond material

Номер патента: WO2024141454A1. Автор: Carmen Elena ZVORISTE-WALTERS,David William Aldmington. Владелец: ELEMENT SIX (UK) LIMITED. Дата публикации: 2024-07-04.

Recombinant canine thyroid stimulating hormone and methods of production and use thereof

Номер патента: US7479549B2. Автор: Donald L. Jarvis,John Scott T. Jaques. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-20.

Method of cultivating algae and photobioreactor

Номер патента: US20200270566A1. Автор: Yuichi Kato,Yasuo Fujikawa,Tomohiro TSURUMOTO,Tomohisa Hasunuma. Владелец: Kobe University NUC. Дата публикации: 2020-08-27.

Guidewire having varying diameters and method of making

Номер патента: US20230302259A1. Автор: Robert Charles Hayzelden. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Yarn and method of producing the same

Номер патента: US12071715B2. Автор: TAKASHI Ogawa,Takumi Nakanishi,Keita Suizu. Владелец: Sunline Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

RF plasma optical fiber annealing apparatuses, systems, and methods of using the same

Номер патента: US11753327B2. Автор: Kenneth Edward Hrdina,Christopher Scott Thomas,Daniel Robert Boughton,Stefan Wolfgang Kramel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Recombinant canine thyroid stimulating hormone and methods of production and use thereof

Номер патента: US20100196276A1. Автор: Donald L. Jarvis,John Scott T. Jaques. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Recombinant canine thyroid stimulating hormone and methods of production and use thereof

Номер патента: US7838492B2. Автор: Donald L. Jarvis,John Scott T. Jaques. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-23.

Recombinant Canine Thyroid Stimulating Hormone and Methods of Production and Use Thereof

Номер патента: US20070032644A1. Автор: Donald Jarvis,John Jaques. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of Continuously Obtaining and Utilising Motive Power from Liquids having a Low Boiling Point.

Номер патента: GB190415266A. Автор: Carl Markert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-08-18.

Improved Method of Supporting and Actuating the Shuttle Rod in Looms having a Positive Shuttle Motion.

Номер патента: GB190525815A. Автор: Charles Edward Bradbury. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-09-27.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD TO OPTIMIZE THE LIGHT EXTRACTION FROM SCINTILLATOR CRYSTALS IN A SOLID-STATE DETECTOR

Номер патента: US20120001075A1. Автор: FRACH Thomas,Thon Andreas. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacturing workpieces for opticasing on nitrogen-doped quartz glass

Номер патента: RU2537450C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Николай Васильевич Барышников,Юрий Борисович Ильин,Алексей Борисович Пнев,Александр Анатольевич Карачев,Александр Анатольевич Борцов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING AN EMERGENCY CONTACT PARTY LINE

Номер патента: US20120002791A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POPULATIONS OF EXPANDED AND RE-DIFFERENTIATED ADULT ISLET BETA CELLS CAPABLE OF PRODUCING INSULIN AND METHODS OF GENERATING SAME

Номер патента: US20120003739A1. Автор: . Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ZONE PRIORITY TEMPERATURE CONTROL IN A MULTIPLE ZONE TRANSPORT REFRIGERATION SYSTEM

Номер патента: US20120000222A1. Автор: Fink Ulrich,Gustafson Alan D.,Hoium Stan. Владелец: THERMO KING CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Methods of improving protein efficiency

Номер патента: RU2569106C2. Автор: Вольфганг Эле,МЛ. Джеймс Т. КЕЛЛИС,Эндрю ШО,Луис Густаво КАСКАО-ПЕРЕЙРА. Владелец: ДАНИСКО ЮЭс, ИНК., ДЖЕНЕНКОР ДИВИЖН. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of treating reinke-hayek oedema

Номер патента: RU2523344C2. Автор: Хасан Шахманович Давудов,Ибрагим Исмаилович Нажмудинов,Карен Валерьевич Акопян,Исмаил Гасанович Гусейнов,Игорь Олегович Куликов,Башарат Хасановна Давудова,Камила Магомедовна Магомедова,Марина Юрьевна Хоранова,Башир Зиявутдинович Абдуллаев,Юсуп Баширович Сулейманов,Иван Иванович Матёла,Ожано Сабо,Екатерина Владимировна Осипенко,Наталья Анатольевна Державина,Ирина Анатольевна Михалевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-клинический центр оториноларингологии Федерального медико-биологического агентства России" (ФГБУ "НКЦ оториноларингологии ФМБА России"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of producing super-thin silicon films on sapphire

Номер патента: RU2427941C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.