Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Devices Including A Lateral Bipolar Structure And Fabrication Methods

Semiconductor Devices Including A Lateral Bipolar Structure And Fabrication Methods

Номер патента: US20140239451A1
Опубликовано: 28-08-2014
Автор(ы): ITO Akira, Yau Kenneth
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing method including a counter layer for power conversion

Номер патента: US9461140B2. Автор: Yuichi Onozawa,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274656A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20130228823A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20220223697A1. Автор: Phil Rutter,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-07-14.

Wide band gap semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP4258364A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Rudolf Elpelt,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11984473B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11749722B2. Автор: Takuma Suzuki,Kazuhisa Goto,Susumu Obata,Sozo Kanie,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Support shield structures for trenched semiconductor devices

Номер патента: WO2023183215A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient with monotonic decreasing doping concentration, as well as a corresponding method of manufacturing such a vertical oriented semiconductor device

Номер патента: US20240030315A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

A vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4310919A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US20230268386A1. Автор: Pinyen Lin,Cheng-Ming Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen,Kuan-Da Huang,Che-Chi SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290868A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12142607B2. Автор: Cheol Kim,Dongkwon Kim,Hyunho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device structure with fin structure and method for forming the same

Номер патента: US09941386B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chung-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240379759A1. Автор: Chih-Wei Chang,Hung-Chang Hsu,Li-Wei Chu,Hong-Mao Lee,Hung-Hsu CHEN,Wei-Yip Loh,Harry CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4000102A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including spaced-apart superlattices and associated methods

Номер патента: EP4000101A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor devices including fin bodies with varied epitaxial layers

Номер патента: US20160315193A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799769B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices including fin bodies with varied epitaxial layers

Номер патента: US09773908B2. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Structure and formation method of finFET device

Номер патента: US09761723B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device structure with dielectric stressor

Номер патента: US12132115B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure with embedded epitaxial structure

Номер патента: US20240379862A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09673204B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09570613B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Lateral diffused semiconductor device with ring field plate

Номер патента: US09859399B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hsien Song,Sue-Yi Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US09431536B1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09871137B2. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US09502556B2. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09917183B2. Автор: Masatoshi Arai,Tatsuya Nishiwaki,Yoshitaka Hokomoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09397214B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Neng-Hui Yang,Ming-Hua Chang,Hsin-Chang Wu,Chung-Min Tsai,Sheng-Hsu Liu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09608113B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240355881A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496387B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234343A1. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09824928B2. Автор: YONG Cheng,Ming Wang,Qiancheng MA,Lihua TENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09570579B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09520476B2. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices having air-gap

Номер патента: US11855178B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12029025B2. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices with dielectric passivation layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11955385B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and formation method

Номер патента: US20240153992A1. Автор: Chee-Wee Liu,Yu-Shiang Huang,Chien-Te TU,Hung-Yu YE. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343595A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11728169B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11855189B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Tien-Wei YU,Chandrashekhar P. Savant,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190252253A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Ching-Yang Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4295409A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Frank Hui,Neal Kistler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Ldmos fin-type field-effect transistors including a dummy gate

Номер патента: US20200135917A1. Автор: Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220320320A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Tien-Wei YU,Chandrashekhar P. Savant,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12020926B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US11869968B2. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20220238710A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343380A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20240097026A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: EP3959747A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor devices having buried contact structures

Номер патента: US09812539B2. Автор: Dae-won Kim,Yong-Jun Kim,Jae-Rok Kahng,Sung-In KIM,Jung-Woo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680022B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having asymmetric fin-shaped pattern

Номер патента: US09601628B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Baik-Min Sung,Bo-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP4310901A2. Автор: Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20200058652A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20210118885A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021675A1. Автор: Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4310901A3. Автор: Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240096987A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Syed-Sarwar Imam. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090101967A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170207339A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144100A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210193509A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Lateral Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Lateral Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140319610A1. Автор: Mauder Anton,Weis Rolf,Thyssen Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device

Номер патента: CN104134692A. Автор: A·毛德,N·西森,R·威斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11908744B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device with nanosheet structure

Номер патента: US11855167B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen,Po-Cheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160190268A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Structure and formation method of semiconductor device with stressor

Номер патента: US20210135008A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US10991811B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20190305113A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20220359726A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402543A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20170033194A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Strained source and drain (ssd) structure and method for forming the same

Номер патента: US20150380521A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200251577A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US12002872B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282723A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Sung-En Lin,Yi-Hsiu Liu,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with doped region adjacent isolation structure in extension region

Номер патента: US20210126126A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh,Frank Scott Johnson,Anvitha Shampur,Luigi Pantisano. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20220359695A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with negative capacitance structure

Номер патента: US11855205B2. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US10861968B1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170062561A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US20160276481A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230282704A1. Автор: Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381559A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402521A1. Автор: Chen-Yu Tai,Chih-Chang Hung,Chun-Liang Lai,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369455A1. Автор: Ling-Sung Wang,Yung-Yu Chen,Yi-Ming Lin,Jhen-Wei CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with negative capacitance structure

Номер патента: US20220367724A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20240047557A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240038850A1. Автор: Kazuyuki Sato,Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20230378367A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862698B2. Автор: Hiroaki Katou,Toshifumi NISHIGUCHI,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20160071976A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20220190162A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20190115429A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20210043732A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230352594A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-Chi WEN,Yen-Sheng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US11978739B2. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11961806B2. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20220102532A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20160005860A1. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001680A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170040413A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237578A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384347A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Diode and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20240072178A1. Автор: Yan Gu,HUA Song,Sen Zhang,Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140361295A1. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20200035819A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240055485A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4343856A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Kentaro Ichinoseki,Keiko Kawamura,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Epitaxial features of semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20210257482A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Feng-Ching Chu,Chung-Chi WEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device with novel spacer structures having novel configurations

Номер патента: US20190363173A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11881509B2. Автор: Junbeom PARK,Minyi Kim,Sangmo KOO,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of semiconductor device fabrication including growing epitaxial features using different carrier gases

Номер патента: US11862712B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Feng-Ching Chu,Chung-Chi WEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299192A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230343870A1. Автор: Ho Jin YUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240097009A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Tien-Wei YU,Chandrashekhar P. Savant,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device manufacturing method and wafer structural object

Номер патента: US20230343578A1. Автор: Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11955543B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: WO2007072292A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20190109206A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10505023B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: EP1966828A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSISTOR INCLUDING A BODY CONTACT PART AND PRODUCTION METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102016104317A1. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200343360A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor structure and the method of making the same

Номер патента: US20190123104A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11742389B2. Автор: Chih-Cherng Liao,Hsiao-Ying Yang,Hsing-Chao Liu,Hung-Chih TAN,Kai-Chuan KAN,Jing-Da LI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method of semiconductor structure and flash memory

Номер патента: US11877447B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240021711A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240079447A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170271504A1. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120181593A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20180108768A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device with high-electron mobility transistor

Номер патента: WO2023194825A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: EP4333304A3. Автор: Oliver Haeberlen,Eric Persson,Reenu Garg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09508815B2. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326981A1. Автор: Chih-hao Chen,Yi-Ru Shen. Владелец: Ganrich Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device layout structure

Номер патента: US09997510B2. Автор: Ching-Wen Wang,Karuna NIDHI,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with field electrode and contact structure

Номер патента: US9799738B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230197799A1. Автор: Kohei MURASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210328028A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US20240096867A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, fabrication method for semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Atsushi Yamada,Tatsuya Hirose,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230282521A1. Автор: Chi On Chui,Chunyao Wang,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230067962A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky,Li-Feng Teng,Chia Wen Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: EP4333304A2. Автор: Oliver Haeberlen,Eric Persson,Reenu Garg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device module and method of assembly

Номер патента: US20210183841A1. Автор: Elmar Wisotzki. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288060A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200020579A1. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246596A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088220A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: EP4340039A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074813A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014269A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11810952B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817483B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device with improved current flow distribution

Номер патента: US20200161423A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150221640A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20160056255A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Sic semiconductor device manufacturing method and sic semiconductor device

Номер патента: US20230307503A1. Автор: Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US11984495B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230317844A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10008572B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US20180090575A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299193A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20230111895A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US12002871B2. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (spad) structure

Номер патента: US20190312070A1. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OTHER INCLUDING A FIELD POWER TRANSISTOR

Номер патента: SE437094B. Автор: J A Appels,M G Collet,P A H Hart,J F C M Verhoeven. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1985-02-04.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (SPAD) structure

Номер патента: US10636818B2. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230238446A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device including embedded crystalline back-gate bias planes, related design structure and method of fabrication

Номер патента: US20160163879A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device including embedded crystalline back-gate bias planes, related design structure and method of fabrication

Номер патента: US09728649B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure and a process for forming the same

Номер патента: US20170084705A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230215946A1. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09704868B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09705004B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Double-source semiconductor device

Номер патента: US09425210B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices including insulating gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09755079B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon,Do-hyoung Kim,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Seung-Seok HA,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US09502409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chih Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US09490362B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352305A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: US20200105935A1. Автор: Chih-Hao Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11990546B2. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10062604B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (esd) paths

Номер патента: US20240178216A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092735A1. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12107127B2. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20210098563A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20240014250A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices including resistor structures

Номер патента: US11804516B2. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20220190118A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Thin-film semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20040063253A1. Автор: Kenji Sera,Mitsuasa Takahashi,Naoki Matsunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09793345B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035897A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device with oxide semiconductor channel

Номер патента: US20210327705A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20190279933A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Formation method of semiconductor device structure with semiconductor nanostructures

Номер патента: US11978773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20180337125A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369467A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11764290B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11942543B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230343638A1. Автор: Chun-Hung LIAO,Huang-Lin Chao,Chia-Hao Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowire

Номер патента: US20190140105A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US20240105848A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: NL2022617B1. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-02-10.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230328957A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Kiwamu Sakuma,Shoji Honda,Mutsumi Okajima,Masaya Toda,Taro SHIOKAWA,Kenichiro TORATANI,Takafumi Ochiai,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material

Номер патента: US7790555B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US9666688B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11901289B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20150162334A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods of uniformly removing silicon oxide and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US8435904B2. Автор: Nishant Sinha,Joseph N. Greeley,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11824083B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11967568B2. Автор: Kouta Tomita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240047514A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20160349556A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11728386B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Souzou KANIE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SiC MOSFET

Номер патента: US20240071764A1. Автор: Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216310A1. Автор: Taro Kondo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (ESD) paths

Номер патента: US11929363B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11769800B2. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EMBEDDED CRYSTALLINE BACK-GATE BIAS PLANES, RELATED DESIGN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20160163879A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20210143278A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20230109135A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US11990550B2. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20200052126A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and method of forming EWLB semiconductor package with vertical interconnect structure and cavity region

Номер патента: US09620557B2. Автор: Rui Huang,Seng Guan Chow,Lee Sun Lim,Ma Phoo Pwint Hlaing,Xu Sheng Bao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device including laterally perforated support pillar structures surrounding contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US11812598B2. Автор: Kazuto Watanabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method including a superlattice as a gettering layer

Номер патента: EP3635789A1. Автор: Hideki Takeuchi. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Semiconductor device, package structure including a heat dissipation element having a conductive base and a plurality of antenna patterns and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11444023B2. Автор: Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

DRAM semiconductor device having reduced parasitic capacitance between capacitor contacts and bit line structures and method for manufacturing the same

Номер патента: US10797057B2. Автор: Wei-Che Chang,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including empty spaces and methods of forming the same

Номер патента: US09391138B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220115509A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20010015445A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090152615A1. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09905536B2. Автор: Makoto MODA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210257358A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mustafa Acar,Dominicus Martinus Wilhelmus Leenaerts. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4319532A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108491A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312253A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11849586B2. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027173A1. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20140193953A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device mounting structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20130341767A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US20220093741A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US11646349B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE MEMORY STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATING GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE MEMORY STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREOF

Номер патента: US20160358932A1. Автор: Yang Ta-Hone. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US20100048010A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US7989321B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A CONDUCTIVE STRUCTURE SURROUNDED BY AN INSULATING STRUCTURE AND A PROCESS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170084705A1. Автор: Grivna Gordon M.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Signal Connector Positioning Structure and Signal Line Fabrication Method

Номер патента: US20210135391A1. Автор: Chin-Teng Hsu. Владелец: LIH YEU SENG INDUSTRIES Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Methods of fabricating semiconductor devices with blocking layer patterns

Номер патента: US09559002B2. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230255031A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4225005A2. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-09.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: EP4216692A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: US20230231004A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device including through via, semiconductor package, and method of fabricating the same

Номер патента: US12107109B2. Автор: Taeseong Kim,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431476B2. Автор: Ji-Young Kim,Seung-Jun Lee,Hoon Jeong,Jun-Soo Lee,Sung-eui Kim,Young-Seung Cho,Chan-Won Kim,Jong-bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device including peripheral contact

Номер патента: US20230109983A1. Автор: Jinseong Lee,Dongsoo Woo,Kyounghee Kim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484355B2. Автор: Seungwoo Paek,Changseok Kang,Won-Seok Jung,Inseok Yang,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190333985A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US09768149B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: EP4398701A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US20240234448A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US09741611B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09620427B2. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG,Liangliang Guo,Junde Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and formation method of memory device

Номер патента: US09406883B1. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US20100258860A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170186786A1. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof, and memory system

Номер патента: US20240164090A1. Автор: LIANG XIAO,Huan WANG,Shu Wu,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure having fuse elements

Номер патента: US20240260259A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Bonding structure for forming a package on package (PoP) structure and method for forming the same

Номер патента: US09691745B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,James Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: US12021030B2. Автор: Wei Xu,Qingqing WANG,Huichao LIU,Jinxing Chen,Guanglong FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US09923011B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170358362A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: US20240347413A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: WO2024215485A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device package including bonding layer having Ag3Sn

Номер патента: US09520377B2. Автор: Jeong-Won Yoon,Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee,Chang-mo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006326A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371856A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US12119262B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371857A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09559028B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134752A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202413A1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210159184A1. Автор: Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Hyunwoo YANG,De Wei Shawn WONG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190181088A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298974A1. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09960097B2. Автор: Yo Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with modified pad spacing structure

Номер патента: US09922948B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240222566A1. Автор: Shih-I Chen,Ya-Wen Lin,Tzu-Ling Yang,Ching-En Huang,Hao-Ming Ku,Chuang-Sheng Lin,Chien-Jun Wei. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230268638A1. Автор: Cheng-Yu Ho,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US20240250042A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290693A1. Автор: Bin Zhang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid semiconductor device assembly interconnection pillars and associated methods

Номер патента: US20240038704A1. Автор: Hong Wan Ng,Faxing Che,Yeow Chon Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589814B2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20190341270A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080246125A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Molded packaging for wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US12087677B2. Автор: Jerome Teysseyre,Romel N Manatad,Bigildis Dosdos,Erwin Ian Vamenta ALMAGRO,Maria Clemens Ypil QUINONES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180331256A1. Автор: Yi-Wen Huang,Shou-Lung Chen,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Kang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090174029A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060281248A1. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170200682A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090448A1. Автор: Shigeru Harada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US12084599B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US12089397B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871005B2. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor devices including protection patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20150340314A1. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Hyoung-Yol Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200119225A1. Автор: Yi-Wen Huang,Shou-Lung Chen,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Kang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP4152378A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Wire bonded wide I/O semiconductor device

Номер патента: US09899347B1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US09559136B2. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device including gate pattern having pad region

Номер патента: US20200091071A1. Автор: Dong Ik Lee,Ji Woon Im,Dai Hong Kim,Se Mee Jang,Bo Ra Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device having redistribution layers formed on an active wafer and methods of making the same

Номер патента: US20230307374A1. Автор: Chia-Ching Lin,Chien-Chung Wang,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Shun-Jang Laio. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including through via, semiconductor package, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230230995A1. Автор: Taeseong Kim,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7321163B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-22.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7482202B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080090330A1. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors

Номер патента: US09951422B2. Автор: Sukjin CHUNG,Jongcheol Lee,Jaechul Shin,Geunkyu CHOI,MinHwa Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929005B1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Satoshi Shimamoto,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09818612B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: EP4307360A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251353A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device module

Номер патента: US20190131213A1. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device module

Номер патента: US10510642B2. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device having a heat dissipation structure connected chip package

Номер патента: US20220208680A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Tin-Hao Kuo,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen,Yu-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus including process monitoring pattern overlapping with I/O pad

Номер патента: US20100102318A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4225005A3. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device with fine metal lines for beol structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213155A1. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus for and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200299829A1. Автор: Minkyung Lee,Daehan Kim,Keewon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Power distribution network and semiconductor device

Номер патента: US20240105616A1. Автор: Jin Hyun Kim,Myeong Jin KIM,Ki Bum KANG,Yun RA,Gyu Sun PARK,Sei Hyung JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190027358A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20150137255A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Yung-Ju Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and interconnect structure

Номер патента: US20080111160A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Yuan-Sheng Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Cleaning apparatus of semiconductor device

Номер патента: US20080283089A1. Автор: Sang-wook Ryu,Jim-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10475640B2. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966252B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966251B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US12148723B2. Автор: Ming-Tse Lin,Chien En Hsu,Zhirui Sheng,Hui-Ling Chen,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09564436B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Yung-Ju Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing method including a cleaning method

Номер патента: US09546422B2. Автор: Tetsuaki Inada,Yoshihiko Yanagisawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09496287B2. Автор: Mitsunori Harada,Yasuhiro Kohara,Hijiri Nakahara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461001B1. Автор: Wei-Yu Chen,Ming-Horng Tsai,Huan Wun Li,Chun-Chia Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device including a circuit for transmitting a signal

Номер патента: US11158617B2. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device package

Номер патента: US20180151790A1. Автор: Young Hyun Jeon,Eun Joo Kim,Jung Hwan Son,Ga Yeon Kim,Nak Hun KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device including vertical structures and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066588A1. Автор: Wonjun Lee,Youngtak KIM,Sangjine Park,Hyeyeong SEO,Jaeuk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Substrate for semiconductor device

Номер патента: EP3855484A1. Автор: Yuji Umeda. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922938B2. Автор: Wei-Yu Chen,Ming-Horng Tsai,Huan Wun Li,Chun-Chia Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09666757B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Jianjian YANG,Chih-Wei Chao,Shunping Chen,Daquan Lin. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having conductive vias

Номер патента: US09502333B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Meng-Tsung Lee. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Compound semiconductor device including diffusion preventing layer to suppress current collapse phenomenon, method of manufacturing compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10217829B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor devices and substrates used in thereof

Номер патента: US20040135249A1. Автор: Wei Lin,Chung Wu,Wen-Yu Lo,Wen-Dong Yen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device including through vias in molded columns

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Yazhou Zhang,Cong Zhang,Chin-Tien Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US8115246B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230187212A1. Автор: Se Ra HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Vertical semiconductor devices

Номер патента: US20230238330A1. Автор: Hoon Cho,Sukhoon KIM,Myungho KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180019300A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210159310A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Capacitor and dram device including the same

Номер патента: US20230309292A1. Автор: Donggeon LEE,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn,JuWon Park,Dayeon Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047358A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Structure and formation method of dual damascene structure

Номер патента: US20200294849A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230352340A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220359267A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having a closed cavity structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397116B2. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047359A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240047607A1. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20240170350A1. Автор: Shih-Wei Liang,Jiun-Yi Wu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20190371755A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20180122762A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US20210135052A1. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: EP3819947A1. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Support structures for various electronic devices including opto-electronic devices and method of making the same

Номер патента: WO2011091385A1. Автор: Gang He,Thomas J. Gmitter,Melissa Jane Archer. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220028780A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11862569B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240136295A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Structure and formation method of semiconductor device with carbon-containing conductive structure

Номер патента: US20230230881A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3944293A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11837682B2. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240087895A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20230386842A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027406A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11948879B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186244A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: US20180261501A1. Автор: Chang-Ming Wu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: WO2022046482A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20200152830A1. Автор: Meng-yang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US20220392877A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Toh Kok Wei. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device assemblies and associated methods

Номер патента: US20240014170A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20230170331A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US11948924B2. Автор: Toh Kok Wei,Uthayarajan A L Rasalingam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for preparing semiconductor device with composite dielectric structure

Номер патента: US20220084976A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device package

Номер патента: US20210202410A1. Автор: Yi Chuan Ding,Guo-Cheng Liao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor devices including staircase structures

Номер патента: US20210143169A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20210242174A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: WO2021158340A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Providing electrical connection between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes

Номер патента: EP1361608A3. Автор: Gad S. Haase. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Semiconductor device including a semiconductor substrate formed with a shallow impurity region, and a fabrication method for the same

Номер патента: CN1315179C. Автор: 伊藤贵之. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343896A1. Автор: Wei-Shan Yeoh,Tzu-Yun FENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device structure with serpentine conductive feature and method for forming the same

Номер патента: US20220293519A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112759A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11798848B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20230031274A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device package with exposed bond wires

Номер патента: US11942459B2. Автор: Hua Tan,Cong Zhang,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Elley Zhang,Rosy Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device structure having fuse elements

Номер патента: US20230180471A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device assembly with a thermally-conductive channel

Номер патента: US20240145337A1. Автор: Walter L. Moden,Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor devices including fine pitch arrays with staggered contacts and methods for designing and fabricating the same

Номер патента: EP2057676A2. Автор: John K. Lee,Richard L. Stocks,Hyuntae Kim,Luan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20220140468A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device using close proximity wireless communication

Номер патента: US20120241888A1. Автор: Takeshi Nakayama,Masahiro Ishii,Daisaku Kitagawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device assemblies including spacer with embedded semiconductor die

Номер патента: US20200105706A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Huibin CHEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901252B2. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190067074A1. Автор: Kensuke Yamaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: EP3479405A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: US20180005983A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: WO2018005189A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20200006303A1. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device with multi-layer etch stop structure

Номер патента: US20240079267A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Po-Cheng Shih,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20230326795A1. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030077856A1. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6723571B2. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2004-04-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270191A1. Автор: Shoji Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309310A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Yuta Saito,Shinji Mori,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Satoshi Nagashima,Shota KASHIYAMA,Keiichi SAWA,Junichi KANEYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047230A1. Автор: Hiroshi Yokota,Naoki Furukawa,Yutaka Okada,Naoki Maruyama,Tomohiko Kotake,Tomoko Higashiuchi,Nozomi Matsubara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150187793A1. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

High-yield semiconductor device modules and related systems

Номер патента: US20190067233A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186201A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230187221A1. Автор: Masayuki Momose,Naoki Kuneshita,Takane YAMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20210280477A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device fabrication apparatus and semiconductor device fabrication method using the same

Номер патента: US20240071768A1. Автор: Seong Gi Jeon,Sang - Il CHOI,Yeong Jun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device packages having stacked semiconductor dice

Номер патента: US20220199601A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10431520B2. Автор: Susumu Iwamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US11901309B2. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230307380A1. Автор: Ming-Chiang Lee,Yung-I Yeh,Cheng-Nan Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220259739A1. Автор: Hirotaka Mori,Hiroaki FUJIBAYASHI,Yuya KOIDE. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104495A1. Автор: Srinivasan Sivaram,Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla,Chih Yang Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210242165A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via and method for prepriang the same

Номер патента: US20230352433A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with contact pad and method of making

Номер патента: US11784089B2. Автор: Chun-Hsu YEN,Yu Chuan HSU,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US11876109B2. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112802A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via

Номер патента: US20230352434A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US20240105753A1. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device manufacturing method and jig set

Номер патента: US20230154889A1. Автор: Manabu Ishikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230361156A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chien-Chih Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device packages with electrical routing improvements and related methods

Номер патента: WO2020091993A1. Автор: Ekgachai Kenganantanon,Wichai Kovitsophon,Oliver Mabutas,Tarapong SOONTORNVIPART,Peerapat Bunkhem. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240792A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Lid structure and semiconductor device package including the same

Номер патента: US11776862B2. Автор: Chun-Han Chen,Hsun-Wei Chan,Mei-Yi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US11908885B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20200076051A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200118926A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A2. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A3. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Bump structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105702A1. Автор: Chanho LEE,Hyunsoo Chung,lnyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: EP4371156A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170221803A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240206174A1. Автор: Yunji Park,Seulye KIM,Sunggil Kim,Moohyun Kim,Sunhwa LIM,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20150041947A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7230322B2. Автор: Hiroshi Sawano,Masataka Nanba,Norihide Funato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-12.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device with die bumps aligned with substrate balls

Номер патента: US20200395326A1. Автор: Arkady Katz,Victor Kviat. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220359325A1. Автор: Shoji Saito,Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US11840648B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20200399506A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: WO2019032146A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20230292496A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240071923A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Nara Lee,Minjun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device assemblies including low-stress spacer

Номер патента: US20210193551A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190051623A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device modules and related methods

Номер патента: US20190252342A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with die-skipping wire bonds

Номер патента: US20200098728A1. Автор: Xinzhi Xing,John T. Contreras. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20240093059A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20210183662A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Capacitor and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230170382A1. Автор: Weiping BAI,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240120250A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Sönke HABENICHT,Nam Khong Then. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Sealing sheet and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20200006167A1. Автор: Takashi Sugino,Yusuke Nezu. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Manufacturing method of a group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US11417524B2. Автор: Eiji Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Power semiconductor device package

Номер патента: US3839660A. Автор: H Stryker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1974-10-01.

Wire bonded wide i/o semiconductor device

Номер патента: US20180174996A1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230091217A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104494A1. Автор: Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104493A1. Автор: Nagesh Vodrahalli. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10896886B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-19.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10262961B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128083A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and Semiconductor Structure including a Multilayer Package Substrate

Номер патента: US20160225689A1. Автор: Nathan Perkins. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128084A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190189576A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device structures including staircase structures, and related methods

Номер патента: US20190139977A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7338815B2. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20210125996A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US11244946B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity

Номер патента: US6265726B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20220271011A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US11842984B2. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20150214045A1. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20240006193A1. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US20150228683A1. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20110092075A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Shinichi Mitani. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20210202443A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: EP4336986A1. Автор: Sangjae Lee,Seungyoon Kim,Jaehwang SIM,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190131231A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US10777540B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor devices having L-shaped cell blocks

Номер патента: US20100140666A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device-manufacturing method

Номер патента: US20030059979A1. Автор: Ikuo Mori,Naotake Watanabe,Yasunari Ukita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A2. Автор: Baher S. Haroun,Robert F. Mccarthy,Rajen M. Murugan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A3. Автор: Robert F Mccarthy,Baher S Haroun,Rajen M Murugan. Владелец: Rajen M Murugan. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Fan-out water-level packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282531A1. Автор: HONG XU,XIA XU,Haijie Chen. Владелец: Jcet Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EMBEDDED CRYSTALLINE BACK-GATE BIAS PLANES, RELATED DESIGN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140346573A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Semiconductor Package with Vertical Interconnect Structure and Cavity Region

Номер патента: US20160104731A1. Автор: Chow Seng Guan,Hlaing Ma Phoo Pwint,Huang Rui,Lim Lee Sun,Bao Xu Sheng. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and method of forming EWLB semiconductor package with vertical interconnect structure and cavity region

Номер патента: US9252172B2. Автор: Xusheng Bao,Rui Huang,Seng Guan Chow,Lee Sun Lim,Ma Phoo Pwint Hlaing. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Three-dimensional memory devices having polysilicon layer and bonded semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US11935596B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Contact structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, thin film transistor array panel including contact structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1394597A3. Автор: Won-joo Kim,Hyang-Shik Kong,Young-Joon Rhee,Kwon-Young Choi,Bong-Joo Kang,Seung-Taek Lim,Bum-Gee Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-21.

DRAM SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE BETWEEN CAPACITOR CONTACTS AND BIT LINE STRUCTURES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210013211A1. Автор: Chang Wei-Che,OU YANG Tzu-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210210412A1. Автор: Liang Wang,Yi Lu,Le Li,Jialin Zhao,Xiaohui ZHUANG,Wenjie Zhu,Yihui Lin,Kaige GAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Contact structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, thin film transistor array panel including contact structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200500759A. Автор: KONG Hyang-Shik,KIM Won-joo,Young-Joon Rhee,Kwon-Young Choi,Bong-Joo Kang,Seung-Taek Lim,Bum-Gee Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-01.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230328982A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao,Mao-Yuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230005868A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Integrated circuit packages including a glass core with a filter structure

Номер патента: US20240178162A1. Автор: Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194588A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for forming same, and memory

Номер патента: US20240055404A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005758A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetoresistive structures, memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structures and the memory devices

Номер патента: US20140231941A1. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

3dic structure with protective structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098731A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US11855011B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chung-Yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Wiring structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230386990A1. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230309297A1. Автор: Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063081A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Ming-Yu Yen,Chao-Wei Li,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Chao-Wei Chiu,Wei-Jhan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Radio-frequency integrated circuits (rfics) including a porosified semiconductor isolation region to reduce noise interference and related fabrication methods

Номер патента: WO2023049559A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230014884A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220068747A1. Автор: Ying-Chung Chen,Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED DIELECTRIC ISOLATION REGIONS FOR CONNECTION VIA STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210028111A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,YU Jixin. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device including laterally perforated support pillar structures surrounding contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20220415907A1. Автор: Kazuto Watanabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Light emitting device including light coupling sub-layers having a stacked step structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11404675B2. Автор: Lu Yang,Wentao Wang,Weilin LAI,Jiandong BAO,Dawei Shi,Can Huang,Liji CHENG. Владелец: Chongqing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Electronic packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335466A1. Автор: Ra-Min Tain,Chin-Sheng Wang,Chih-Kai Chan,Jun-Ho Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Electronic packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335506A1. Автор: Ra-Min Tain,Chin-Sheng Wang,Chih-Kai Chan. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: EP4132892A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A3. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

System for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793093B2. Автор: Shinji Kimura,Hiroyuki Kawahara,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor Device Manufacturing Apparatus Capable Of Reducing Particle Contamination

Номер патента: US20120003837A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Negative electrode active substance and preparation method therefor, and secondary battery and electrical device including same

Номер патента: EP4386889A1. Автор: CHEN ZENG,Libing HE,Meng Kang,Baida DENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same

Номер патента: US5149973A. Автор: Hiroaki Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US11961637B1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Huan Ran Yu,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Antenna device and display device including the same

Номер патента: US11973265B2. Автор: Han Sub Ryu,Yun Seok Oh,Dong Pil PARK. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Ceramic structure and electrostatic deflector

Номер патента: US20230257307A1. Автор: Yuta Imaeda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Microelectronic devices including tiered stacks including conductive structures isolated by slot structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US11903196B2. Автор: Shuji Tanaka,Kunal Shrotri,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Matthew Holland,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Richard J. Hill,Sidhartha Gupta,Kyle A. Ritter,Matthew J. King,Kye Hyun Baek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US20240343551A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180205373A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP4187836A1. Автор: Jiyoung Kim,Jaehyun Park,Seuk SON,Dongchul Choi,Sooeun Lee,Hyeonju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Electronic device including heat radiating structure

Номер патента: WO2020032551A1. Автор: Jinwoo Kim,Iksu Jung,Sungjin Park,Youngjin Cho,Sujin JUNG,Hyunmin OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-13.

Electronic device including heat radiating structure

Номер патента: US20200053444A1. Автор: Jinwoo Kim,Sungjin Park,Youngjin Cho,Sujin JUNG,Hyunmin OH,lksu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Display support structure and rollable electronic device having the same

Номер патента: US20230247783A1. Автор: Sunggun CHO,Wonhee Choi,Dongik Lee,Hwamok PAK,Minyee AN,Jinju Lee,Jinwook Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240074188A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180198442A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device drive circuit

Номер патента: US20240072791A1. Автор: Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Portable communication device including sealing member

Номер патента: US11909900B2. Автор: SEUNGJOON LEE,Junyoung Choi,Jungwon Park,Sunghun Kim,Chijoon Kim,Seungwhee Choi,Youngmin KANG,Yunsik Kim,Suman LEE,JinGook Kim,Hyosung LA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Portable communication device including sealing member

Номер патента: US20240129401A1. Автор: SEUNGJOON LEE,Junyoung Choi,Jungwon Park,Sunghun Kim,Chijoon Kim,Seungwhee Choi,Youngmin KANG,Yunsik Kim,Suman LEE,JinGook Kim,Hyosung LA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Portable communication device including sealing member

Номер патента: US20240129400A1. Автор: SEUNGJOON LEE,Junyoung Choi,Jungwon Park,Sunghun Kim,Chijoon Kim,Seungwhee Choi,Youngmin KANG,Yunsik Kim,Suman LEE,JinGook Kim,Hyosung LA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Portable communication device including sealing member

Номер патента: ZA202108844B. Автор: Lee Seungjoon,CHOI Junyoung,Park Jungwon,KIM SungHun,KANG Youngmin,Kim Chijoon,Kim Yunsik,KIM Jingook,LA Hyosung,LEE Suman,CHOI Seungwhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120181699A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Wall panel assembly including a conductor

Номер патента: CA3154226A1. Автор: Michael SAROKA,Prince Ruchogeza. Владелец: Goldray Industries Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Wall panel assembly including a conductor

Номер патента: US20220316211A1. Автор: SAROKA Michael,Prince Ruchogeza. Владелец: Goldray Industries Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Reproduction Device, Reproduction Method, Program, Program Storage Medium, Data Structure, and Recording Medium Fabrication Method

Номер патента: US20080267588A1. Автор: Motoki Kato,Shinobu Hattori,Ayako Iwase. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Playback device, playback method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN102572454A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Reproduction device, reproduction method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN101091385A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-12-19.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: EP1879385A4. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: WO2007077858A1. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-12.

Organic light-emitting diode with superlattice structure and it's fabrication method

Номер патента: KR100787930B1. Автор: 이용균,박태진,진 장. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-12-24.

Fixing device including a nip formation pad with a porous structure, and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US10317828B2. Автор: Seiji Saitoh,Yutaka Naitoh,Masahiro Samei,Yasuharu KAWARASAKI,Kenta Kashiwagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20140167806A1. Автор: Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Chul Won Ju,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor Device Testing with Lead Extender

Номер патента: US20240302426A1. Автор: Nee Wan Khoo,Soon Lai Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device for controlling prefetch operation

Номер патента: US09697127B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Min-Sung Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and Apparatus of Patterning Semiconductor Device

Номер патента: US20120227018A1. Автор: Ru-Gun Liu,Jiing-Feng Yang,Chii-Ping Chen,Wen-Chun Huang,Ming-Hui Chih,Cheng-Kun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20080309378A1. Автор: Hiroki Taniguchi,Kazunari Ikeda,Masaya Hirose,Kinya Daio,Takahisa Tokushige. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Apparatus and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240077424A1. Автор: Hidong Kwak,Jeongho Ahn,Seulji SONG,Hyunwoo RYOO,Minji Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device performing in-memory processing and operation method thereof

Номер патента: US11875840B2. Автор: Hae Rang Choi,Sungjoo YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Electrical property measuring device including non-uniform microchannels

Номер патента: US20230037375A1. Автор: Sung Jae Kim,Hyung Joo Park,Sungjae Ha. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-02-09.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Error detection for a semiconductor device

Номер патента: US20230395183A1. Автор: Matthew Young,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Tubular joist structures and assemblies and methods of using

Номер патента: US09765520B2. Автор: Scott F. Armbrust,Scott A. Armbrust. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems, devices, and methods related to cabin module structures and transport

Номер патента: WO2018170158A1. Автор: Ira Spool,Guy M. Danner,Edward Smith,Hugo Jamson,Luke Miles,Seth Newburg,Martin Sieben,Shahriar KHUSHRUSHAHI,Demetrious HARRINGTON,Elena Koukina,Alex Herpy,Jason Lim CHUA,Angelica CARDONA,Joseph FENTON,Justin ALMELEH,Matt O’BRIEN,Zachary Omohundro. Владелец: A^3 BY AIRBUS LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Projection display system including a high fill ratio silicon spatial light modulator

Номер патента: WO2007053527A3. Автор: XIAO YANG,Dongmin Chen,Ye Wang,Yuxiang Wang,Wook Ji,Justin Allen Payne,Howard Woo,Iii William Spencer Worley. Владелец: Iii William Spencer Worley. Дата публикации: 2007-12-27.

Projection display system including a high fill ratio silicon spatial light modulator

Номер патента: US20070097486A1. Автор: XIAO YANG,Justin Payne,Dongmin Chen,Ye Wang,Yuxiang Wang,William Worley,Wook Ji,Howard Woo. Владелец: Miradia Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Game board structure and methods of playing games therewith

Номер патента: WO2023281314A1. Автор: Kit TEMPEST-WALTERS. Владелец: Tempest Walters Kit. Дата публикации: 2023-01-12.

Multi-layer wet-dry hardcoats including dual-sided wet hardcoats for flexible cover lens structures, and related methods and coating systems

Номер патента: WO2023192126A1. Автор: Han Nguyen,Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Chang Woo Lee,Sung Hwan Yoon,Helinda Nominanda,Seong Ho YOO,Yoon Duck Han,Kyung Whan PARK,Shi Youl SHIN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Ventilation structure and image forming apparatus with same

Номер патента: US20140126926A1. Автор: Noriaki TAKENAGA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Inorganic optical element having a birefringent film with a columnar structure and a protective film formed thereon and method for manufacturing same

Номер патента: US09964670B2. Автор: Masahiro Oowada. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Annular structure and micro scanning mirror

Номер патента: US20130278986A1. Автор: Mingfa Chen,BorShiun LEE. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Force detector and force detection system with layered structure and stress generator

Номер патента: US11976988B2. Автор: Tomohito NOHNO. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Organic polymer containing two or more organic ring structures and a chain structure threading through the organic ring structures, and production method thereof

Номер патента: US20100022737A1. Автор: Norihisa Mino,Takayuki Takeuchi,Nobuaki Kambe,Jun Terao. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Ventilation structure and image forming apparatus with same

Номер патента: US9377756B2. Автор: Noriaki TAKENAGA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Diffusion plate with at least one star diffusion structure and a lighting module using the same

Номер патента: US8197103B2. Автор: Shau-Yu Tsai,Wei-Tien Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-06-12.

Manufacturing system with an interconnected storage structure and manufacturing cells sharing a common robotic fleet

Номер патента: CA3119896C. Автор: Scott GRAVELLE. Владелец: Attabotics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240034617A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Manufacturing system with an interconnected storage structure and manufacturing cells sharing a common robotic fleet

Номер патента: AU2020291822A1. Автор: Scott GRAVELLE. Владелец: Attabotics Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Manufacturing system with an interconnected storage structure and manufacturing cells sharing a common robotic fleet

Номер патента: CA3119896A1. Автор: Scott GRAVELLE. Владелец: Attabotics Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Exterior material for vehicles having honeycomb structure and wheel guard including same

Номер патента: US11981276B2. Автор: Jung Wook Lee,Sang Hoon Lee,Keun Young Kim,Young Su Kim,Ji Wan Kim,Seong Je KIM,Jong Eun Ha,Mu Jin KIM. Владелец: Hado Fnc Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Exterior material for vehicles having honeycomb structure and wheel guard including same

Номер патента: US20220048452A1. Автор: Jung Wook Lee,Sang Hoon Lee,Keun Young Kim,Young Su Kim,Ji Wan Kim,Seong Je KIM,Jong Eun Ha,Mu Jin KIM. Владелец: Hado Fnc Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Semiconductor Package with Vertical Interconnect Structure and Cavity Region

Номер патента: US20120306038A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

Silicone-Based Impact Modifier Including a Graft Copolymer Having a Core-Shell Structure and Thermoplastic Resin Composition Including the Same

Номер патента: US20120264871A1. Автор: KWON Kee Hae,Kim Il Jin,KIM Mi Sun,Moon Hyung Rang,KIM Ju Sung,LEE Yun Kyu,CHANG Ki Bo,Lee Han Su,KIM Yu Ho. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.