SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY
Номер патента: US20180351083A1
Опубликовано: 06-12-2018
Автор(ы): SASAKI Tomoyuki
Принадлежит: TDK Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-12-2018
Автор(ы): SASAKI Tomoyuki
Принадлежит: TDK Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIC MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC NEURON ELEMENT
Номер патента: US20190035446A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.