Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Device with Thermally Grown Oxide Layer Between Field and Gate Electrode and Method of Manufacturing

Semiconductor Device with Thermally Grown Oxide Layer Between Field and Gate Electrode and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150380403A1
Опубликовано: 31-12-2015
Автор(ы): Kotsar Yulia, Lanzerstorfer Sven, Zink Robert
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250144A1. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US12087638B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240363425A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10679902B2. Автор: Cheng Long ZHANG,Zhi Dong WANG,Wu Tao TU. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190206739A1. Автор: Cheng Long ZHANG,Zhi Dong WANG,Wu Tao TU. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12080597B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240363408A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12087637B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240363424A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Trench Gate by Using a Screen Oxide Layer

Номер патента: US20170110573A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with trench gate by using a screen oxide layer

Номер патента: US09865726B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947751B2. Автор: Tetsuo Matsuda,Kenya Kobayashi,Toshifumi NISHIGUCHI,Yosuke Himori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Devices with adjusted fin profile and methods for manufacturing devices with adjusted fin profile

Номер патента: US20220157664A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150364573A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160190128A1. Автор: Sung-dae Suk,Kang-III Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Silicon carbide (SiC) MOSFET with a silicon oxide layer capable of suppressing deterioration of carrier mobility and variation in threshold voltage

Номер патента: US10186596B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Trench Gate by Using a Screen Oxide Layer

Номер патента: US20170110573A1. Автор: OUVRARD Cedric,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device including source/drain region

Номер патента: US20220102497A1. Автор: Seung Hun Lee,Young Dae Cho,Su Jin Jung,Sung Uk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4276913A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Devices with adjusted fin profile and methods for manufacturing devices with adjusted fin profile

Номер патента: US12062581B2. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon body, in which a sunken oxide layer is locally provided

Номер патента: US4622096A. Автор: Jan G. Dil,Johan W. Bartsen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1986-11-11.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09876013B1. Автор: Jeong Yun Lee,Bo Ra Lim,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Kyung Seok Min,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09825025B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090230469A1. Автор: Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20130252411A1. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US8999855B2. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20180301564A1. Автор: Geumjung Seong,Jeongyun Lee,Kyungseok MIN,Taesoon Duyeon KWON,A-Reum Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220059683A1. Автор: Yasunori Tateno,Fuminori Mitsuhashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021668A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230352594A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-Chi WEN,Yen-Sheng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210104612A1. Автор: Sungmin Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US10037997B1. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240063297A1. Автор: Lain-Jong Li,Wen-hao Chang,Chien-Chih Tseng,Tse-An CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200303510A1. Автор: Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device with combined fin-edge-cut and fin-major-cut and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200105911A1. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812557B2. Автор: Dong-Suk Shin,Cheol-Woo Park,Han-jin Lim,Hyun-Kwan Yu,Ryong Ha,Woon-Ki Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387322A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234499A1. Автор: Kyu Ok LEE. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12125901B2. Автор: Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Finfet and gate-all-around fet with selective high-k oxide deposition

Номер патента: US20230335612A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110263087A1. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US12016177B2. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device including a transistor having a metal-rich metal oxide layer

Номер патента: US20240021696A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310803A1. Автор: Tadashi Watanabe,Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997624B2. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304622A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Jiwoong Park,Ce LIANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09997412B1. Автор: Hoyoung Kim,Kyungtae Lee,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Eunji PARK,Kwansung Kim,Ki Ho BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893210B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Eiji Yagyu,Akifumi Imai,Kenichiro Kurahashi,Muneyoshi Suita,Takuma Nanjo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Thin Film Transistor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110315980A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09825033B2. Автор: Chul-ho Chung,Myoung-Kyu Park,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11355593B2. Автор: Yuhei Ikemoto,Junya Nishii,Takatomi Izumi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103464A1. Автор: Yuhei Ikemoto,Junya Nishii,Takatomi Izumi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Gate electrodes with notches and methods for forming the same

Номер патента: US09905426B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate electrodes with notches and methods for forming the same

Номер патента: US12009214B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12094980B2. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, driver device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220005925A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, driver device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764269B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240363712A1. Автор: Hyo Jin Kim,Sang Moon Lee,Jin Bum Kim,Yong Jun NAM,In Geon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038763A1. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Sangdeok KWON,Yonghee PARK,Hagju CHO,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11824059B2. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Sangdeok KWON,Yonghee PARK,Hagju CHO,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223443A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12107123B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP4333075A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220013668A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055471A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US11374005B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220122971A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11894369B2. Автор: Hyungjin PARK,Ho-jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220415887A1. Автор: Hyungjin PARK,Ho-jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178225A1. Автор: Hyungjin PARK,Ho-jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Integration of finfet and gate-all-around devices

Номер патента: US20240194673A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11764305B2. Автор: Yohei Yamaguchi,Yuichiro Hanyu,Hiroki Hidaka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170317123A1. Автор: JHY-JYI SZE,Shou-Gwo Wuu,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon body, in which a sunken oxide layer is locally provided

Номер патента: DE3565910D1. Автор: Jan Gerard Dil,Johan Willem Bartsen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-12-01.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20230029827A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Kyubong Choi,Eunsil Park,Junmo Park,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation

Номер патента: CA1088217A. Автор: Billy L. Crowder,William R. Hunter,Douglas W. Ormond, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US9343292B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Masaki Kurokawa,Tomoyuki OBU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043983A1. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof

Номер патента: EP1502305A1. Автор: Zoran Krivokapic,Witold P. Maszara. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09748248B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20130270656A1. Автор: HAO Zhang,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device layout, memory device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09806070B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09779933B2. Автор: Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140346530A1. Автор: Ken Nakata,Hiroyuki Ichikawa,Isao Makabe,Keiichi Yui,Tsuyoshi Kouchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: EP4310917A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20240021676A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150129887A1. Автор: Naoko KURAHASHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9653590B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355922A1. Автор: Katsutoshi Sugawara,Shiro Hino,Katsuhiro Fujiyoshi,Kotaro Kawahara,Akifumi Iijima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997612B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09997603B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device including trimmed-gates and method for generating layout of same

Номер патента: US20180342523A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7855412B2. Автор: Hideo Matsuki,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150028391A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140284618A1. Автор: Makoto Mizukami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11824083B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240047514A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1719164A1. Автор: Gerben Doornbos,Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150037969A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170323980A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of making fully silicided gate electrode

Номер патента: WO2006051090A1. Автор: SunOo Kim,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818881B2. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170345657A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180068856A1. Автор: Masakazu Nakano,Katsuhiro Uchimura,Kazuya Horie,Kazuhiro TOI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170054028A1. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of making semiconductor device having buried bias pad

Номер патента: US20230395606A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9059086B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Yoshio Fujii,Yoshiyuki Nakaki,Tsuyoshi Kawakami,Shuhei Nakata,Yuji Ebiike,Takahiro Nakatani,Sunao Aya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Recessed gate electrode MOS transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8058141B2. Автор: Soo Hyun Kim,Se Aug Jang,Jun Ki Kim,Hyun Chul Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355642A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088302A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Wrap-around gate structures and methods of forming wrap-around gate structures

Номер патента: EP3583629A1. Автор: Ravi Pramod Kumar Vedula,Stephen Alan Fanelli,Farid AZZAZY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Semiconductor integrated circuit, and method and device of manufacture

Номер патента: JPH11186258A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Nobusuke Okada,康弘 望月,亘右 岡田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282845A1. Автор: Kota OHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: WO2000033381A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935169B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954091B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US5942450A. Автор: Du-Heon Song. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Method for forming gate of semiconductor device by using polishing selectivity difference between polymer and oxide layer

Номер патента: KR100456319B1. Автор: 이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-10.

Gate Electrodes with Notches and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200083049A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Kao Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Gate Electrodes with Notches and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160163550A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Kao Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Gate Electrodes with Notches and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20180190494A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Kao Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Gate Electrodes with Notches and Methods for Forming the Same

Номер патента: KR101436215B1. Автор: 민 펭 카오,쥬 잉 첸,둔 니안 야웅,젠 청 리우,테 슨 슈,펭 치 흥. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-09-01.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices including device isolation structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09865453B2. Автор: Jooyoung Lee,Dongjin Jung,Hyeoungwon Seo,Ilgweon KIM,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799607B2. Автор: Hyun-Seung Song,Hyeonuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12142530B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsien-Ming Lee,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20080290348A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP4340042A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: USRE49803E1. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140191313A1. Автор: Masayuki Hashitani. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080150030A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama,Yu Kosuge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Silicon carbide insulated gate semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP2538444A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10763354B2. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP4250366A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307496A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09941127B2. Автор: Norio Yasuhara,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080277722A1. Автор: Joon-Jin Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080111201A1. Автор: Yong Ho Oh. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Combined MCD and MOS Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20210134792A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070284583A1. Автор: Tomohiro Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786565B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hidenobu Fukutome,Mitsugu Tajima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and system for manufacturing semiconductor device having less variation in electrical characteristics

Номер патента: US7595261B2. Автор: Hikaru Kokura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110024845A1. Автор: Tomohiro Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09871134B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09837524B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Shinichi Miyake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145553A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080283974A1. Автор: Toshihiko Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020094642A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Takuya Suzuki,Eiji Nishibe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170213905A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Dae-Hee Kim,Gi-gwan PARK,Yi-young NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20190027490A1. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960269B2. Автор: Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793344B2. Автор: Hideaki Ninomiya,Naoya Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US10680007B2. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor Device Having Improved Oxide Thickness at a Shallow Trench Isolation Edge and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20100001364A1. Автор: Binghua Hu,Mindricelu P. Eugen,Damien T. Gilmore,Bill A. Wofford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315030A1. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917185B2. Автор: Kengo OMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8133785B2. Автор: Atsushi Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7687351B2. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120080747A1. Автор: Do Hyung Kim,Ki Ro Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20020045296A1. Автор: Kyoichi Suguro,Yasushi Akasaka,Kouji Matsuo,Yoshitaka Tsunashima,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285563A1. Автор: Hitoshi Sumida,Kazumi Takagiwa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09984934B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978645B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100230761A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device, power supply circuit, and computer

Номер патента: US20180308950A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8338247B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170141216A1. Автор: Hidenori Takahashi,Hiroshi Miyata,Hitoshi Abe,Seiji Noguchi,Naoya SHIMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20060001125A1. Автор: Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11942554B2. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105098A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of controlling dopant diffusion and metal contamination in thin polycide gate conductor of mosfet device

Номер патента: US5923999A. Автор: Karanam Balasubramanyam,Richard Anthony Conti,Badih El-Kareh,Stephen Bruce Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof

Номер патента: TWI270935B. Автор: Zoran Krivokapic,Witold P Maszara. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof

Номер патента: TW200403729A. Автор: Zoran Krivokapic,Witold P Maszara. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-01.

Integrated circuit devices with backend memory and electrical feedthrough network of interconnects

Номер патента: US20220415811A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110227150A1. Автор: Katsumi HORITA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085212A1. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11342463B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422484A1. Автор: Shosuke Fujii,Keiko Sakuma,Tatsuki Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of singulating semiconductor devices

Номер патента: US09887134B2. Автор: Kong-Beng Thei,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030330A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240204092A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023082071A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038852A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761582B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Norio Yasuhara,Tomohiro Tamaki,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20160351714A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20150194527A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09825171B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090159926A1. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09780187B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093402A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234570A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304589A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413530A1. Автор: Akifumi Gawase,Shuntaro YAMASHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210013312A1. Автор: Wen-Chia LIAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190172915A1. Автор: Wen-Chia LIAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US12040377B2. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US20230246087A1. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with a recessed field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222442A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246589A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250091A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US20240339519A1. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021691A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021690A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09887151B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Sato,Ryo Kanda,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163872A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11276774B2. Автор: Toshiyuki Oshima,Hisashi Yoshida,Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030141549A1. Автор: Ichiro Mizushima,Kiyotaka Miyano,Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: EP4376568A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11646366B2. Автор: Atsushi Yamada,Junji Kotani,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210234031A1. Автор: Atsushi Yamada,Junji Kotani,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20120299006A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US20230326934A1. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11888054B2. Автор: Fu Chen,Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gas detection systems and methods using graphene field effect transistors

Номер патента: WO2016205814A1. Автор: LIWEI Lin,Yumeng Liu. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of delta-channel in deep sub-micron process

Номер патента: US6232160B1. Автор: Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,Jiaw-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230411514A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022184350A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033035A1. Автор: Akira Muto,Yukihiro Sato,Ryo Kanda,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: US20240170574A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140284756A1. Автор: Hiroshi Ohta,Hiroaki Yamashita,Syotaro Ono,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Display device and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230389370A1. Автор: Yoshitaka Ozeki,Nobutaka Ozaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device, method of manufacturing oxide film and method for suppressing generation of leakage current

Номер патента: US20240145600A1. Автор: Hai-Ching Chen,Wei-Chih Wen,Yi-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047528A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Alum Jung,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110065247A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240371993A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240258426A1. Автор: Kyoung Hwa Jung. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device including memory cell including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276741A1. Автор: Bo Min Park,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: US20240332417A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: EP4439678A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Body contact structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110284932A1. Автор: Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9837492B2. Автор: Akihiro Shimomura,Wataru Sumida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160336443A1. Автор: Akihiro Shimomura,Wataru Sumida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8350328B2. Автор: Takashi Ishigaki,Yusuke Morita,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11646376B2. Автор: Eiji Tsukuda,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837492B2. Автор: Akihiro Shimomura,Wataru Sumida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device with reduced gate-overlap capacitance and method of forming the same

Номер патента: US7791133B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09812556B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Qiqing C. Ouyang,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Pranita Kerber,Gen Tsutsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100006917A1. Автор: Kazunori Masuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of fabricating the same

Номер патента: US20240021679A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097008A1. Автор: Hajime Okuda,Kazuhiro Tamura,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618555B2. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Back channel field effect transistors using a pull back process and methods for forming the same

Номер патента: US12074219B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304699A1. Автор: JunYoung KWON,Gwanhyung LEE,Heeje RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180144994A1. Автор: Hyun Seung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09978860B2. Автор: Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020106860A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Takao Maruyama,Eiji Nishibe. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326433A1. Автор: Wataru Sumida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Gate electrode with a shrink spacer

Номер патента: US20150091068A1. Автор: Sven Beyer,Alexander Ebermann,Tom Hasche,Gerhard Lembach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240030334A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having thin film wiring layer of aluminum containing carbon

Номер патента: US5148259A. Автор: Takashi Kato,Takashi Ito,Mamoru Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: EP3443585A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20190237458A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20170294432A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: WO2017180614A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230084388A1. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150008508A1. Автор: Min Sung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device with silicide gate electrodes

Номер патента: US7858524B2. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941400B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030022448A1. Автор: Atsushi Azuma,Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030073273A1. Автор: Atsushi Azuma,Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US7727844B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170170306A1. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Tomoo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060038233A1. Автор: Kazutaka Otsuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09991281B2. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US09741662B2. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307553A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11984514B2. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180130805A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160343714A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09941396B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor device having impurity concentrations for preventing a parasitic channel

Номер патента: US6144047A. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20150380416A1. Автор: Kanta Saino. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-31.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12002858B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069600A1. Автор: Shinya Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09922957B2. Автор: Shinya Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of forming rounded corner in trench

Номер патента: US20040253831A1. Автор: Yi Chung,Pei-Feng Sun,Jen Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and a method therefor

Номер патента: WO2002097889A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Vidya S. Kaushik,Tat Ngai,James K. Schaeffer, Iii. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and a method therefor

Номер патента: EP1396024A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Vidya S. Kaushik,Tat Ngai,James K. Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-03-10.

Protective barrier layer for semiconductor device electrodes

Номер патента: EP1925028A2. Автор: Martin Standing,David P. Jones,Andrew N. Sawle,Martin Carroll. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2586009C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductor device with self-aligned contacts using a liner oxide layer

Номер патента: US6420752B1. Автор: Yu Sun,Fei Wang,Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Chi Chang,Angela T. Hui,Mark S. Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20190057959A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian,Han Jin-Woo. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140284808A1. Автор: HASEBE Kazuhide,KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-25.

Dual-metal cmos transistors with tunable gate electrode work function and method of making the same

Номер патента: KR101125269B1. Автор: 제임스 판,밍-렌 린. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-22.

Dual-metal cmos transistors with tunable gate electrode work function and method of making the same

Номер патента: KR20070004095A. Автор: 제임스 판,밍-렌 린. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-01-05.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20150126026A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266429A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Masanao Ito,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020093040A1. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060220150A1. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859413B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230025977A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266445A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of manufacturing transistor with channel implant

Номер патента: US5580799A. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1996-12-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150001604A1. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9105504B2. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6372571B2. Автор: Jae Kap Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411475A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP4386840A3. Автор: Kyung Ho Kim,Young Seok SEO,Jin Woo Choi,Hye Won JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Liquid crystal display device with prevention of defective disconnection of drain/pixel electrodes by forming two conductive layers on top of entire pixel electrode and then removing a portion of both therefrom

Номер патента: US7414691B2. Автор: Yong In Park,Juhn Suk Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Transparency conductive electrode and the preparation method of array base palte

Номер патента: CN103839794B. Автор: 刘凤娟,姜春生,王美丽. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device, amplifying device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230326832A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09911856B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having semiconductor layer that includes channel region formed into concave shape, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US09865620B2. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20170077148A1. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128795A1. Автор: Toshifumi Minami,Teppei Higashitsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837427B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150340453A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406924A1. Автор: Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230117607A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Display device, semiconductor device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US09935135B2. Автор: Koichi Nagasawa,Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120001258A1. Автор: Wan Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130171814A1. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812317B2. Автор: Atsushi Maeda,Yusuke Terada,Shigeya Toyokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240284662A1. Автор: Hosang Lee,Taejin Park,Yun Choi,Hyunjin Lee,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030052378A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroyuki Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device including a gate electrode of lower electrical resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048274A1. Автор: Hyun-Young Kim,Jin-gi Hong,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277554A1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210343629A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11996354B2. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and analyzing method thereof

Номер патента: US11754614B2. Автор: Yuan-Yao Chang,Chia Wei Huang,Chia-Chia Kan,Wei-Jhih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: EP4336986A1. Автор: Sangjae Lee,Seungyoon Kim,Jaehwang SIM,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Enhanced deep ultraviolet photodetector and method thereof

Номер патента: US09893227B2. Автор: Paul Shen,Michael Wraback,Anand Venktesh Sampath. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2018-02-13.

Test structure and method for flash memory tunnel oxide quality

Номер патента: US20030134442A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW466128B. Автор: Katsuya Okumura,Yoshinori Yoshida. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Cadmium selenide based photovoltaic devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4454021A1. Автор: Sergei Kniajanski,Gang Xiong,Sachit GROVER,James HACK,Wyatt METZGER,Elline HETTIARATCHY,Taylor Hill,Nicholas VALDES,Tursun ABLEKIM. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for the fabrication of semiconductor devices on lightweight substrates

Номер патента: WO2009149040A2. Автор: Ginger Pietka,Kevin Beernink,Timothy Barnard. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2009-12-10.

Display devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP4386840A2. Автор: Kyung Ho Kim,Young Seok SEO,Jin Woo Choi,Hye Won JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Capacitors, electrodes, reduced graphene oxide and methods and apparatuses of manufacture

Номер патента: EP3507823A4. Автор: Han Lin,Baohua Jia. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2020-04-15.

For the finger electrode and its manufacturing method of solar cell

Номер патента: CN108155252A. Автор: 金相珍,朴相熙,赵宰汇. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240136256A1. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: EP4358132A3. Автор: Sam Lai,Zhan-ying GUO,Yi-Tien Liao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240234258A9. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7557408B2. Автор: Takamichi Fukui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080029900A1. Автор: Takamichi Fukui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120228678A1. Автор: Dong Hee Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110183483A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hyun-Gi Kim,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim,Kang-Uk Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150333135A1. Автор: Naoya Okamoto,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of manufacturing semiconductor package and package-on-package

Номер патента: US20210242190A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Sangsoo Kim,Yongkwan LEE,Junyoung Oh,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Handle substrate for use in manufacture of semiconductor-on-insulator structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09881832B2. Автор: Alex Usenko. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030089922A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: US20240178111A1. Автор: Scott M. Hayes,Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity

Номер патента: US20030201506A1. Автор: Kenichi Ao,Hiroshi Muto,Yukihiro Takeuchi,Kazuhiko Kano,Minekazu Sakai,Tsuyoshi Fukada,Junji Oohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013466A1. Автор: Hitoshi Sumida,Masaharu Yamaji,Hideaki Itoh,Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080083990A1. Автор: Junichi Wada,Akitsugu Hatazaki,Tomio Katata,Jota Fukuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: EP4379796A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Scott M Hayes,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140239441A1. Автор: Shoji Kobayashi,Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

A semiconductor device and method of making

Номер патента: GB1069506A. Автор: Peter Joseph Hagon. Владелец: North American Aviation Corp. Дата публикации: 1967-05-17.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and solid-state image sensor

Номер патента: US20130214374A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865638B2. Автор: Doo Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243152A1. Автор: Kuem Ju LEE,Jeong Mook CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device, method of producing semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090039396A1. Автор: Shinji Uya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349509A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977186B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365419A1. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240014156A1. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US12062630B2. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966445B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332242A1. Автор: Kosuke Yamaguchi,Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020016059A1. Автор: Masakazu Okada,Hiroyuki Chibahara,Keiichi Higashitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2019162442A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3756227A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of manufacturing semiconductor device with separately formed insulating films in main circuit and memory regions

Номер патента: US09947679B2. Автор: Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Ultrathin graphene piece, apparatus for preparing ultrathin graphene pieces, method for preparing ultrathin graphene pieces, capacitor, and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20180244526A1. Автор: QIAN Cheng,Jie Tang,Norio Shinya,Luchang Qin. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing electron emitter and associated display

Номер патента: US6626724B2. Автор: Masayuki Saito,Koji Asakawa,Hitoshi Kobayashi,Toshiro Hiraoka,Yujiro Hara,Miki Mori,Masahiko Yamamoto,Yumi Fukuda,Goh Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Optical semiconductor device

Номер патента: US4907055A. Автор: Hidetoshi Shinada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-06.

Anode pre-dispersion solution, anode composition comprising same, anode for lithium secondary battery comprising anode composition, lithium secondary battery comprising anode, and method for preparing anode composition

Номер патента: US20240266544A1. Автор: Sangmin Lee,YoHan KWON. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Carbonaceous material for negative electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary batteries, non-aqueous electrolyte secondary battery negative electrode, non-aqueous electrolyte secondary battery, and production method of carbonaceous material

Номер патента: US12080890B2. Автор: Hideharu Iwasaki,Takafumi Izawa,Kengo TACHIKAWA. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrode, electric double-layer capacitor using the same, and manufacturing method of the electrode

Номер патента: US09997301B2. Автор: Shuichi Ishimoto,Daisuke Horii,Satoru Tsumeda. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

CAPACITORS, ELECTRODES, REDUCED GRAPHENE OXIDE AND METHODS AND APPARATUSES OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210065996A1. Автор: JIA Baohua,Lin Han. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2021-03-04.

Inner electrode for an ozone generator, ozone generator containing said electrode and method of use of said ozone generator

Номер патента: CA2075789C. Автор: Amir Salama. Владелец: Poptec Ltee. Дата публикации: 1998-12-22.

CONDUCTIVE ELECTRODE AND THE RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: RU2014103453A. Автор: Брюно ДЮФОР,Давид АИМ-ПЕРРО,Мари ДЬЁДОН,Филипп СОНТАГ. Владелец: Хатчинсон. Дата публикации: 2015-08-10.

High-energy density and low-cost flow electrochemical devices with moving rechargeable anode and cathode belts

Номер патента: US11784341B2. Автор: Yi-Chun Lu,Zengyue Wang,Long Yin Simon Tam,Qingli Zou,Guangtao Cong. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2023-10-10.

Device and Method of Feeding Electrodes, and Apparatus an Method of Stacking Electrodes Having the Same

Номер патента: KR101235355B1. Автор: 성달제. Владелец: 주식회사 나래나노텍. Дата публикации: 2013-02-20.

AC-Plasma Display Devices with high the luminous efficacy using the selective surface plasmonic resonance of metallic nano-scaled structure according to the emission wavelength and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101018447B1. Автор: 이성민,김우현,최경철,양기열,조관현. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2011-03-02.

Device and Method of Feeding Electrodes, and Apparatus an Method of Stacking Electrodes Having the Same

Номер патента: KR20120060325A. Автор: 성달제. Владелец: 주식회사 나래나노텍. Дата публикации: 2012-06-12.

Anode pre-dispersion solution, anode composition comprising same, anode for lithium secondary battery comprising anode composition, lithium secondary battery comprising anode, and method for preparing anode composition

Номер патента: EP4336598A1. Автор: Sangmin Lee,YoHan KWON. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

The preparation method of a kind of lithium-sulfur cell fibre reinforced three-dimensional grapheme-sulphur positive electrode and the preparation method of positive pole

Номер патента: CN104617283B. Автор: 秦伟,吴晓宏,卢松涛. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-09-07.

A kind of carbon nanotube fabric electrode and the preparation method of yarn electrode and the application of electrode

Номер патента: CN108364797A. Автор: 刘杨,李小龙,白洋,周晓明,刘荣,王永吉,袁国辉,许春阳. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-03.

Non-sintered nickel electrode with excellent over-discharge characteristics, an alkaline storage cell having the non-sintered nickel electrode, and a manufacturing method of the non-sintered nickel electrode

Номер патента: US5688616A. Автор: Takeo Hamamatsu,Shinsuke Nakahori,Yoshitaka Baba,Akifumi Yamawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-18.

Carbonaceous material for negative electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary batteries, non-aqueous electrolyte secondary battery negative electrode, non-aqueous electrolyte secondary battery, and production method of carbonaceous material

Номер патента: US20230105396A1. Автор: Hideharu Iwasaki,Takafumi Izawa,Kengo TACHIKAWA. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Carbonaceous nanoparticles, methods of making same and uses thereof

Номер патента: US10361038B2. Автор: Robert P. H. Chang,Donald B. Buchholz,Nam Dong Kim,Byunghong Lee. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2019-07-23.

Carbonaceous nanoparticles, methods of making same and uses thereof

Номер патента: US20180158621A1. Автор: Robert P.H. Chang,Donald B. Buchholz,Nam Dong Kim,Byunghong Lee. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2018-06-07.

MANUFACTURING METHOD OF POROUS COMPOSITE ELECTRODE AND ORGANIC REMOVAL METHOD OF POROUS COMPOSITE ELECTRODE

Номер патента: US20190139715A1. Автор: HAN Jin Kyu,Myung Sung,Lim Jongsun,LEE Sun Sook,AN Ki-Seok,SONG Wooseok,JUNG Ha Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

The sulfur electrode and its manufacturing method of multizone

Номер патента: CN108886136A. Автор: J·李,Y·L·朱. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-23.

The top electrode and its manufacturing method of dry etching equipment

Номер патента: CN109360779A. Автор: 温彦跃. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-19.

The electrode and its manufacturing method of electrical storage device

Номер патента: CN110114915A. Автор: 莲尾俊治,石原达己. Владелец: I&t New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-09.

The lithium ion battery and its positive electrode and chemical synthesizing method of high security extra long life

Номер патента: CN103531776B. Автор: 李佳,刘佳丽,曾乐才,姚一一,蒿豪,廖文俊,姚. Владелец: Shanghai Electric Guo Xuan Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

An active material, an electrode comprising the active material, a lithium ion secondary battery comprising the electrode, and a manufacturing method of the active material

Номер патента: CN103771386A. Автор: 佐野笃史,樋口章二,大槻佳太郎,加藤友彦,时田浩司. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Manufacturing method of porous composite electrode and organic removal method of porous composite electrode

Номер патента: US11043338B2. Автор: Jin Kyu Han,Ki-Seok An,Sun Sook Lee,Jongsun Lim,Sung Myung,Wooseok SONG,Ha Kyun Jung. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2021-06-22.

Pre-doping System of electrode and pre-doping method of electrode using the same

Номер патента: KR101128585B1. Автор: 정현철,김배균,최동혁,김학관,민홍석. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-03-23.

The manufacture method of electrode and the manufacture method of battery

Номер патента: CN103250277B. Автор: 植松育生,森和彦,中畑政臣,森岛秀明,小林隆史. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-17.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240284656A1. Автор: Daichi Sugawara,Kaito ODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH INTERSECTION POINTS USING A BINARY METAL OXIDE LAYER AS A LAYER OF DATA STORAGE MATERIAL, AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: FR2877760A1. Автор: In Gyu Baek,Moon Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-12.

System and method for solar photovoltaic water heater

Номер патента: WO2023199341A1. Автор: Vijay Vasant Deshpande. Владелец: Vijay Vasant Deshpande. Дата публикации: 2023-10-19.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4340572A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096267A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240147778A1. Автор: Inyoung JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Output Buffer, Gate Electrode Driving Circuit and Method for Controlling the Same

Номер патента: US20150303925A1. Автор: QI Xiaojing,HU Like. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Motor control assembly, system and method and means of manufacture, with tachometer integral with rotor

Номер патента: US3916278A. Автор: Richard W Currell,Louis Olah,Charles A Vogel. Владелец: American Videonetics Corp. Дата публикации: 1975-10-28.

Apparatus, system and method of storing a static image displayed on a television tube

Номер патента: US3882269A. Автор: William R Niehaus. Владелец: EW Scripps Co. Дата публикации: 1975-05-06.

METHOD AND APPARATUS OF DETERMINING LAYER DIRECTION OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SERIES OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20140109389A1. Автор: OKAMURA Kouki. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097002A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097003A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026397A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: US20150319865A1. Автор: Dominique Freckmann,Helge Schmidt,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Marjorie Myers. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: EP2510563A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-10-17.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: WO2011071372A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-06-16.

Novel rf resonator electrode and membrane combinations & method of fabrication

Номер патента: US20180278233A1. Автор: Dror Hurwitz. Владелец: Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

NOVEL RF RESONATOR ELECTRODE AND MEMBRANE COMBINATIONS & METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20180278233A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Electrode and its manufacturing method of semi-dielectric composit for glow plasma generation

Номер патента: KR100460601B1. Автор: 김문철,남궁정,도병무. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2004-12-08.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: US6022777A. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060246662A1. Автор: Kenji Matsuzaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240324171A1. Автор: Kotaro Noda,Tsuyoshi Sugisaki,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060289926A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device

Номер патента: US5494834A. Автор: Antonius H. J. Venhuizen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

N-type polymer based electrochemical device for direct enzymatic metabolite sensing and methods of making and using

Номер патента: WO2019142146A1. Автор: Alexander GIOVANNITTI,Sahika Inal,Anna-Maria PAPPA. Владелец: Ecole Nationale Superieure Des Mines. Дата публикации: 2019-07-25.

N-type polymer based electrochemical device for direct enzymatic metabolite sensing and methods of making and using

Номер патента: US20210128030A1. Автор: Alexander GIOVANNITTI,Sahika Inal,Anna-Maria PAPPA. Владелец: Ecole Nationale Superieure Des Mines. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09978455B2. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Downhole device with pullout roller bearers

Номер патента: RU2543010C2. Автор: Пол Бернард ЛИ. Владелец: Пол Бернард ЛИ. Дата публикации: 2015-02-27.

Electric field sensing devices and systems and method of making the same

Номер патента: US20200025966A1. Автор: Shriram Ramanathan,Zhen Zhang,Derek Karl Schwanz. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-23.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US20220198251A1. Автор: Koji Katayama,Takumi Mikawa,Ryutaro YASUHARA. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20170278575A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240524A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Engineered t cells conditionally expressing a recombinant receptor, related polynucleotides and methods

Номер патента: US20240216508A1. Автор: Lothar Germeroth,Christian STEMBERGER,Mateusz Pawel POLTORAK. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: AU2493500A. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani,Edward S. Robins III. Владелец: TECHNOLOGYEVALUATION COM TEC. Дата публикации: 2000-08-07.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A8. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Salim Tharani,Donald J Lobley,Edward S Robins. Владелец: Edward S Robins. Дата публикации: 2002-03-14.

METHOD OF OPTIMIZING THE DESIGN OF AN ELECTRONIC DEVICE WITH RESPECT TO ELECTROMAGNETIC EMISSIONS BASED ON FREQUENCY SPREADING INTRODUCED BY DATA POST-PROCESSING, COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR CARRYING OUT THE METHOD AND ASSOCIATED ARTICLE OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150227663A1. Автор: ABOUDA Kamel,Vrignon Bertrand,SHEPHERD JOHN AVIS. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-08-13.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

CONTINUOUS-CAST SLAB, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THICK STEEL PLATE

Номер патента: US20180009015A1. Автор: Sakurai Hideaki,SAKAI Daisuke,NAGAI Shinji,Uchiyama Hiroaki,MIZOGUCHI Toshiaki,TAKATA Ryousuke,IMAI Shuntaro. Владелец: NIPPONSTEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

RADIATION DETECTOR, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, SCINTILLATOR PANEL AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Horiuchi Hiroshi,YOSHIDA Atsuya. Владелец: CANON ELECTRON TUBES & DEVICES CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: KR101185970B1. Автор: 다이스케 와타나베,토시유키 오카야스,마사카즈 수다. Владелец: 가부시키가이샤 어드밴티스트. Дата публикации: 2012-09-26.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: WO2009144806A1. Автор: 俊幸 岡安,大輔 渡邊,昌克 須田. Владелец: 株式会社アドバンテスト. Дата публикации: 2009-12-03.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: CA2057392C. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 2000-11-14.

Method For Dehydration Used In Optical Fiber Preform Menufacturing Process, and Method And Apparatus of Manufacturing Optical Fiber Preform Using The Same

Номер патента: KR100554424B1. Автор: 김재선,이명규,황석우,장기완,피터축신. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method and apparatus of extracting lipid from microalgae and method and apparatus of manufacturing fatty acid ester from microalgae

Номер патента: TWI522459B. Автор: 王信智,談駿嵩. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2016-02-21.

Body posture measurement systems and methods

Номер патента: WO2024039725A1. Автор: Tadhg O'GARA,Kerry DANELSON. Владелец: Wake Forest University Health Sciences. Дата публикации: 2024-02-22.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: AU2002233951A1. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2002-09-04.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: EP1360256A2. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-11-12.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190021426A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Sports LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026393A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026394A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026395A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026396A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026406A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026407A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026809A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siegetek LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026810A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

VARIABLE TRANSMISSION AND METHOD AND SYSTEM OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Magyari Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

CERAMIC MATRIX COMPOSITE AND METHOD AND ARTICLE OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140272373A1. Автор: Chamberlain Adam L.,Shinavski Robert J.,Lazur Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

WIDE FIELD OF VIEW ELECTRO-OPTIC MODULATOR AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING AND USING SAME

Номер патента: US20190204628A1. Автор: Banks Paul S.,Schmidt Bodo,Tuvey Charles Stewart,Ebbers Christopher Allen. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Non-woven fabric and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20180258565A1. Автор: Cheng-Kun Chu,Victor J. Lin,Chao-Chun Peng,Ming-Chih Kuo,Chia-Kun Wen. Владелец: Chia-Kun Wen. Дата публикации: 2018-09-13.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110C. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-05.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126A1. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-08-22.

System and method for identification of manufacturing components

Номер патента: US6259056B1. Автор: Laura Cowden. Владелец: Color Wheel Systems LLC. Дата публикации: 2001-07-10.

Carbon footprint assessment system and method in components of manufactured goods

Номер патента: KR101068232B1. Автор: 유태연. Владелец: (주)코리아컴퓨터. Дата публикации: 2011-09-28.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: EP0930543B1. Автор: Roger F. Sinta,Thomas M. Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2007-06-27.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US20060204892A1. Автор: Timothy Adams,Manuel DoCanto,Rosemary Bell,Roger Sinta,Edward Pavelchek,James Mori,James Thackeray,Robin Miller-Fahey,Thomas Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

High-protein food product made from grain and method and apparatus of manufacture thereof

Номер патента: WO1979000982A1. Автор: J Gannon. Владелец: J Gannon. Дата публикации: 1979-11-29.

Disc brake backing plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2262214A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Ray Arbesman. Дата публикации: 2000-08-18.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: EP0715558A1. Автор: Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-06-12.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US20060102037A1. Автор: George Provost,William Shepard. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2006-05-18.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US8500940B2. Автор: William H. Shepard,George A. Provost. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2013-08-06.

Improvements in knitted articles and method and means of manufacture thereof

Номер патента: GB553245A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-05-13.

Multilayer substrate structure and method and system of manufacturing the same

Номер патента: EP2862206A2. Автор: Indranil De,Francisco Machuca. Владелец: Tivra Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: EP0494729B1. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 1996-07-03.

Copula-based system and method for management of manufacturing test and product specification throughout the product lifecycle for electronic systems or integrated circuits

Номер патента: WO2013112275A1. Автор: W. Robert Daasch,Carvin Glenn SHIRLEY. Владелец: The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The Portland State University. Дата публикации: 2013-08-01.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126C. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 2002-01-15.

Plate-shaped peeling member and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CN1621962A. Автор: 福泽觉,广濑和夫,大桥正明,大田幸生. Владелец: Shiizu K K. Дата публикации: 2005-06-01.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-18.

Package with integrated tracking device and method and apparatus of manufacture

Номер патента: WO2007106891A3. Автор: R Charles Murray. Владелец: R Charles Murray. Дата публикации: 2009-01-08.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU4971696A. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-09-04.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20040240937A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and appts. of manufacture

Номер патента: CN1181798A. Автор: R·H·汉内曼,J·G·瓦格内尔,S·A·凡特尔. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-05-13.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A2. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-07-26.

Apparatus and method for control of manufacturing cockpit module using rfid signal

Номер патента: KR100783598B1. Автор: 김도현. Владелец: 덕양산업 주식회사. Дата публикации: 2007-12-10.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU693327B2. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-06-25.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: ZA824828B. Автор: Harry M Fisher,Stuart N Fisher. Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1983-05-25.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A2. Автор: Edward S. Robins,Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani. Владелец: Technologyevaluation.Com (Tec). Дата публикации: 2000-07-27.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: IL66163A0. Автор: . Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1982-09-30.

CONNECTING DEVICE WITH A CLAMPING DEVICE FOR CONNECTING TO AN ARRANGEMENT FOR CLOSING FLOW PATHS AND MONITORING THE STATUS OF THE CLAMPING DEVICE AND METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140216557A1. Автор: Klewinghaus Juergen. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2014-08-07.

Connecting device with clamping device for connection to an arrangement for closing off flow paths and monitoring the state of the clamping device and method therefor

Номер патента: WO2014118324A1. Автор: Jürgen KLEWINGHAUS. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2014-08-07.

Connecting device with a clamping device for connecting to an arrangement for closing flow paths and monitoring the status of the clamping device and method for same

Номер патента: US9695957B2. Автор: Juergen Klewinghaus. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-07-04.

Connecting device with clamping device for connection to an arrangement for closing off flow paths and monitoring the state of the clamping device and method therefor

Номер патента: EP2950848B1. Автор: Jürgen KLEWINGHAUS. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-10.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

A kind of combination field and liner special pipe and the compound vacuum deposition method of perforated baffle

Номер патента: CN109989011A. Автор: 魏永强,蒋志强,张新国,王好平,刘学申,宗晓亚. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-09.

A kind of combination field and liner conical pipe and the compound vacuum coating method of ladder pipe

Номер патента: CN109989042A. Автор: 魏永强,侯军兴,蒋志强,王好平,宗晓亚. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-09.

Electrodes and their use

Номер патента: CA1122569A. Автор: Vittorio De Nora,Placido M. Spaziante,Antonio Nidola. Владелец: Diamond Shamrock Technologies SA. Дата публикации: 1982-04-27.

Novel electrodes and their use

Номер патента: US4235695A. Автор: Vittorio De Nora,Placido M. Spaziante,Antonio Nidola. Владелец: Diamond Shamrock Technologies SA. Дата публикации: 1980-11-25.

A system for water treatment with a flow electrode and a method for treating water and wastewater using this system

Номер патента: WO2024043798A1. Автор: Marcin Malicki,Aleksander Widuch,Wojciech ŁOBODY. Владелец: Net Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Water Technologies Spółka Komandytowa. Дата публикации: 2024-02-29.

There is electro-catalysis to remove modified graphite granule electrode and the preparation method of benzoquinone function

Номер патента: CN106495290A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Beijing Qingyuan Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

There is electro-catalysis to remove modified activated carbon granule electrode and the preparation method of carbazole function

Номер патента: CN106495281A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Beijing Qingyuan Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

There is fuel cell chip, membrane electrode and the preparation method of nano structure membrane Catalytic Layer

Номер патента: CN103413950B. Автор: 陈旭,张建,张潇,木士春,龚雪,苏昊. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2016-05-11.

Nanopore device and methods of electrical array addressing and sensing

Номер патента: US20240219368A1. Автор: Kyung Joon Han,Jungkee Yoon. Владелец: Palogen Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Mask blank, transfer mask, methods of manufacturing the same and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110244375A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of manufacturing a transfer mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130316271A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Digital Upgrade System and Method

Номер патента: US20120002736A1. Автор: Emory Tom. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Infrared radiation sensitive structure and method of making said structure

Номер патента: RU2396635C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Владимир Васильевич Васильев,Василий Семенович Варавин,Юрий Георгиевич Сидоров,Александр Васильевич Войцеховский,Сергей Николаевич Несмелов,Станислав Михайлович Дзядух,Сергей Алексеевич Дворецкий,Максим Витальевич Якушев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2010-08-10.

Heat exchange coil and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU526261A. Автор: Gondek and William O. Mueller Stanley. Владелец: Bundy Tubing Co. Дата публикации: 1963-05-02.

An Improved Safety Explosive, and Method or Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB189319931A. Автор: Wilbraham Evelyn-Liardet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1893-12-02.

Bathing pad and method and device of manufacture

Номер патента: IL94569A0. Автор: . Владелец: Amos Shefi. Дата публикации: 1991-03-10.

New or improved compostion of matter to form a buliding material and method and process of manufacturing same

Номер патента: AU785018A. Автор: Edward Todren Francis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-06-03.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU401551A. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU155352B2. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Gate Electrodes with Notches and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130277719A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Kao Min-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

Method and apparatus for removing bubble in resin, and method and apparatus of manufacturing diamond disk

Номер патента: TW201001509A. Автор: Jiun-Rong Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-01.

LOW IGNITION PROPENSITY WRAPPING PAPER AND METHOD AND MACHINE OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120231288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRODE THEREFORE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING AN ELECTRODE AND THE ELECTRO-OPTICAL DEVICE PROVIDED THEREWITH

Номер патента: US20120299050A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

SIDE WALL SUPPORT PIER AND METHOD FOR FOUNDATION OF MANUFACTURED BUILDING

Номер патента: US20120304555A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Light Guide Plate, and Method and Apparatus of Manufacturing Same

Номер патента: US20130004726A1. Автор: PARK Doo Jin,PARK Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

SYSTEM AND METHOD FOR INTAKE OF MANUFACTURING PATTERNS AND APPLYING THEM TO THE AUTOMATED PRODUCTION OF INTERACTIVE, CUSTOMIZABLE PRODUCT

Номер патента: US20130060654A1. Автор: Beaver,Harvill Young,III Robert I.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

COPULA-BASED SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF MANUFACTURING TEST AND PRODUCT SPECIFICATION THROUGHOUT THE PRODUCT LIFECYCLE FOR ELECTRONIC SYSTEMS OR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130197875A1. Автор: Shirley Carvin Glenn,Daasch W. Robert. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Synthetic thermosetting resin tank and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: JPS54111118A. Автор: Hachiro Sato. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 1979-08-31.

Fastening element chain and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA1068479A. Автор: John A. Kowalski. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

New or improved composition of matter for use in lieu of leather or for other suitable purposes and method or process of manufacturing same

Номер патента: AU560217A. Автор: Stocks William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-05-21.

Pre-doping system of electrode and pre-doping method of electrode using the same

Номер патента: US20120018309A1. Автор: Kim Bae Kyun,CHOI Dong Hyeok,KIM Hak Kwan,MIN Hong Seok,Jung Hyun Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

FIBER ELECTRODE AND FIBER BATTERY, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND FIBER ELECTRODE AND FIBER BATTERY FABRICATION APPARATUS

Номер патента: US20120214040A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.