Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: SG11202107574SA
Опубликовано: 30-08-2021
Автор(ы): Hiroki HATTA, Ryota HORIIKE, Shin SONE
Принадлежит: Kokusai Electric Corp

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7198939B2. Автор: 由悟 渡橋,靖浩 女川,孝太郎 村上,健佑 芳賀. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: WO2013146632A1. Автор: 花島　建夫,野田　孝暁. Владелец: 株式会社日立国際電気. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs

Номер патента: JP7016833B2. Автор: 優幸 浅井,友紀 今村,和幸 奥田,泰啓 井ノ口,謙和 水野. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-07.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20130102161A1. Автор: Masayuki Asai. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP5869923B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,由悟 渡橋,香 桐木平. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-02-24.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP5959307B2. Автор: 武敏 佐藤,剛 竹田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP2023049515A. Автор: 清久 石橋,Kiyohisa Ishibashi,遼 海老澤,Ryo Ebisawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-10.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs

Номер патента: JP6957442B2. Автор: 中谷　公彦,良知 橋本. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs

Номер патента: JP6960953B2. Автор: 求 出貝,公彦 中谷,崇 中川,崇之 早稲田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Method of cleaning thin film forming apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus and non-transitory recording medium

Номер патента: US09920424B2. Автор: Ryota Goto,Rintaro TAKAO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6078279B2. Автор: 正憲 境,加我　友紀直,友紀直 加我,境　正憲,貴史 横川. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-02-08.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4411020A1. Автор: Hiroyuki Koide,Nagisa SUYAMA,Tomoya NAGAHASHI. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: KR20200118845A. Автор: 다이스케 하라,겐지 시노자키,다카시 야하타,가즈히코 야마자키. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2020-10-16.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium for forming containing silicon

Номер патента: US20230357926A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JPWO2020090161A1. Автор: 英樹 堀田,豪杰 康,理尚 長内. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: KR101403389B1. Автор: 마사유키 아사이. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4435143A2. Автор: Keigo Nishida,Masanao Osanai. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4261324A1. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4343814A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Yoshiro Hirose,Takayuki Waseda,Yoshitomo Hashimoto,Shoma MIYATA. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6192147B2. Автор: 良知 橋本,義朗 廣瀬. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6689179B2. Автор: 隆史 佐々木,花島　建夫,建夫 花島,宏朗 平松,司 鎌倉. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6805347B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,中谷　公彦,公彦 中谷,亀田　賢治,賢治 亀田,敦 佐野,樹 松岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and program

Номер патента: KR102473548B1. Автор: 히로아키 히라마츠,기요히사 이시바시,료타 가타오카. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-12-05.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6814057B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,裕真 高澤,貴史 新田,高澤　裕真,広樹 山下. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JPWO2021053756A1. Автор: 宏朗 平松,清久 石橋,良太 片岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program

Номер патента: WO2019207646A1. Автор: 花島　建夫. Владелец: 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program

Номер патента: WO2020188654A1. Автор: 一樹 野々村. Владелец: 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4160659A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Yuki Yamakado,Yasutoshi Tsubota. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US9330904B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yushin Takasawa,Hajime Karasawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6529348B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,義朗 ▲ひろせ▼,貴史 新田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-06-12.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: KR102186964B1. Автор: 아끼히로 사또,다이스께 하라. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2020-12-04.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20110294280A1. Автор: Yoshiro Hirose,Yushin Takasawa,Hajime Karasawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4243053A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Kiyohisa Ishibashi,Takafumi Nitta,Shingo Nohara. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20110104879A1. Автор: Takeo Hanashima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, storage medium and program

Номер патента: KR101860203B1. Автор: 다카후미 사사키,다카토모 야마구치. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2018-05-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7182572B2. Автор: 司 鎌倉,清久 石橋,良太 片岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-02.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6545093B2. Автор: 聡 島本,勝吉 原田,尾崎　貴志,貴志 尾崎,昌人 寺崎,莉早 山腰,島本　聡,由上　二郎,二郎 由上,義朗 ▲ひろせ▼. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP2014063860A. Автор: Masatoshi Takada,Takaaki Noda,孝暁 野田,政利 高田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6546872B2. Автор: 由悟 渡橋,敦 森谷,森谷　敦. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6630237B2. Автор: 匡史 北村,芦原　洋司,洋司 芦原. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6585551B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,義朗 ▲ひろせ▼,亮太 笹島,良知 橋本,笹島　亮太,柄澤　元,元 柄澤,中磯　直春,直春 中磯. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6023854B1. Автор: 亀田　賢治,賢治 亀田,幸一 及川,紀之 磯辺. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6469495B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,求 出貝,加我　友紀直,友紀直 加我. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6000665B2. Автор: 克彦 山本,修 笠原,一行 豊田,豊田　一行,久志 野村,雄一郎 竹島,山本　克彦,潤一 田邊,野村　久志. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6647260B2. Автор: 竹林　雄二,雄二 竹林,正憲 境,加我　友紀直,友紀直 加我,境　正憲,敦士 平野,怜亮 吉田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-14.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6568508B2. Автор: 亮太 笹島,慎太郎 小倉,樹 松岡,良知 橋本,笹島　亮太,雅也 永戸. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2019058601A1. Автор: 上村　大義,大義 上村. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: TWI648788B. Автор: 竹田剛,油谷幸則,檜山真,大橋直史. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9633840B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6787813B2. Автор: 直史 大橋,聡 島本,島本　聡,一行 豊田,芦原　洋司,洋司 芦原,豊田　一行,大橋　直史. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-18.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JPWO2020054038A1. Автор: 立志 上田,雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川,上田　立志,高見　栄子,栄子 高見,宥貴 山角. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-30.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6777614B2. Автор: 中谷　公彦,公彦 中谷,亀田　賢治,賢治 亀田,敦 佐野,樹 松岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JPWO2020016915A1. Автор: 求 出貝,芦原　洋司,洋司 芦原,崇之 早稲田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6857675B2. Автор: 菊池俊之,大橋直史. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and program

Номер патента: JPWO2020188744A1. Автор: 立志 上田,雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川,栄子 高見,宥貴 山角,圭太 市村. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6854260B2. Автор: 勝吉 原田,樹 松岡,良知 橋本. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6806719B2. Автор: 良知 橋本,貴史 新田,広樹 山下. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6752249B2. Автор: 克彦 山本,貞義 堀井,拓也 定田,徹 角田,堀井　貞義,山本　克彦. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program

Номер патента: WO2020090161A1. Автор: 英樹 堀田,豪杰 康,理尚 長内. Владелец: 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program

Номер патента: TWI636555B. Автор: 中川崇,島本聰. Владелец: 日商日立國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-21.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing system, and program

Номер патента: JP7329021B2. Автор: 公彦 中谷,良知 橋本,崇之 早稲田,翔馬 宮田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: SG10202100887YA. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino,Koei KURIBAYASHI. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-30.

Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6581552B2. Автор: 隆史 佐々木,山口　天和,天和 山口,幸永 栗林. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2019003662A1. Автор: 求 出貝,芦原　洋司,洋司 芦原,中谷　公彦,公彦 中谷,亀田　賢治,賢治 亀田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

The manufacturing method of silicon carbide epitaxy chip and the manufacturing method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110476223A. Автор: 大野彰仁. Владелец: Mitsubishi Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP7058239B2. Автор: 智 高野. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and recording medium

Номер патента: US09543220B2. Автор: Takeo Sato. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of controlling adherence of microparticles to substrate to be processed, and processing apparatus

Номер патента: US09892951B2. Автор: Kazuki Moyama,Takehiro Tanikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: KR20150001708A. Автор: 히로히사 야마자키. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2015-01-06.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6470468B2. Автор: 勝吉 原田,義朗 ▲ひろせ▼. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Substrate processing apparatus, article manufacturing method, substrate processing method, substrate processing system, management apparatus, and storage medium

Номер патента: US20200333718A1. Автор: Shinichiro Koga,Takahiro Takiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4357481A1. Автор: Yukinao Kaga,Koei KURIBAYASHI,Kento NOMURA. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6446418B2. Автор: 雅則 中山,晃生 吉野,保井　毅,毅 保井,室林　正季,正季 室林. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6416031B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,求 出貝,匡史 北村,芦原　洋司,洋司 芦原. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6417051B2. Автор: 中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179354A1. Автор: 求 出貝,芦原　洋司,洋司 芦原,中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: KR102377165B1. Автор: 토모유키 미야다,하지메 아비코,쥰이치 카와사키,타다시 오카자키. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-03-21.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6604801B2. Автор: 求 出貝. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-13.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: KR102376835B1. Автор: 아리토 오가와,아츠로 세이노. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-03-21.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2017056187A1. Автор: 中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: CN113518836A. Автор: 定田拓也,加我友纪直,永冨佳将. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: JP5513767B2. Автор: 和宏 原田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-06-04.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and program

Номер патента: JP6871384B2. Автор: 智之 宮田,一 安彦,潤一 川崎,宮田　智之,正 岡▲崎▼. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and recording medium

Номер патента: TWI652727B. Автор: 森谷敦,中磯直春,宮倉敬弘,芳賀健佑. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of operating a coating system, controller for operating a coating system, electron catching apparatus, and coating system

Номер патента: WO2023143719A1. Автор: Torsten Bruno Dieter,Andreas JENDRZEY,Markus KLIEMT,Steffen BRAUNGER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6529956B2. Автор: 小川有人,檜山真. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179352A1. Автор: 雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device production method, substrate processing method, substrate processing device, and recording medium

Номер патента: EP4401113A1. Автор: Arito Ogawa,Koei KURIBAYASHI. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6752357B2. Автор: 雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of forming asymmetric differential spacers for optimized MOSFET performance and optimized MOSFET and SONOS co-integration

Номер патента: US11973130B2. Автор: Sotirios Athanasiou,Sébastien Daveau. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method and program

Номер патента: KR20220107033A. Автор: 사토시 나카시마,코지 시부야. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-08-01.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Processing apparatus and processing method

Номер патента: US12062569B2. Автор: Kazuya IKEUE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Processing apparatus and processing method

Номер патента: US20240363391A1. Автор: Kazuya IKEUE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for fabricating a semiconductor device and a substrate processing apparatus

Номер патента: TW200300581A. Автор: Takashi Ozaki,Kenichi Suzaki,Norikazu Mizuno. Владелец: Hitachi Int Electric Inc. Дата публикации: 2003-06-01.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US11823953B2. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20190363016A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20210375679A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and the manufacturing silicon carbide semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: CN104335328B. Автор: 木下明将,福田宪司,辻崇. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Micro-pattern forming method, capacitor and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20190157276A1. Автор: JAE-HEE KIM,SOON-MOK HA,Jong-Hyuk Kim,Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152638A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175043A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: TW201140651A. Автор: Chong-Kwang Chang,Young-Mook Oh,Seo-Woo Nam,Myung-Joo Lee,Woo-Cheol Jeon,Ju-Beom Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221498A1. Автор: Genba Jun. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254149A1. Автор: Genba Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20190252517A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND VACUUM PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20180261458A1. Автор: YAMAGUCHI Tatsuya,Hashimoto Hiroyuki,NIINO Reiji,FUJIKAWA Makoto,NOZAWA Syuji. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and vacuum processing apparatus

Номер патента: KR102312761B1. Автор: 히로유키 하시모토,다츠야 야마구치,마코토 후지카와,레이지 니이노,슈지 노자와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-10-15.

Semiconductor substrate, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2011082547A. Автор: Shiro Sakai,士郎 酒井. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JPWO2020059110A1. Автор: 正浩 三宅,昭典 田中,八島　伸二,伸二 八島. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-30.

Substrate processing apparatus, discharge method, and program

Номер патента: CN109075053B. Автор: 丰村直树,今村听. Владелец: Co-Op Yuanyuan Manufacturing Workshop. Дата публикации: 2019-12-27.

Method of forming of a semiconductor film, method of manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20110266550A1. Автор: Munehiro Tada,Krishna Saraswat. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of fabricating recess channel in semiconductor device

Номер патента: TWI324368B. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element

Номер патента: US8801307B2. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Substrate processing system, aligning apparatus, and substrate shape monitoring method

Номер патента: US20230294932A1. Автор: Kento TOKAIRIN. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING POWER CONVERTER

Номер патента: US20200194554A1. Автор: ADACHI Kohei,Fukui Yutaka,TANAKA Rina,SUGAWARA Katsutoshi,HATTA Hideyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796956A. Автор: 大西泰彦,原田信介,酒井善行,熊谷直树,堤岳志,藤本卓巳,福田宪司,岡本光央. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device having ring-shaped gate electrode, design apparatus, and program

Номер патента: US8552510B2. Автор: Takamitsu Onda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device, nonvolatile storage apparatus, multiply-accumulate operation apparatus, and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20220276836A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11822250B2. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200301283A1. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Anode electrode structure, lithium-ion battery, method of making an anode electrode structure, method of making a lith him -i on battery, and substrate processing system for producing an anode electrode structure

Номер патента: WO2022039964A1. Автор: Roland Trassl. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-24.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, program and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4343821A1. Автор: Hirohisa Yamazaki. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09515172B2. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer Readable Recording Medium

Номер патента: US20130260566A1. Автор: Yamazaki Hirohisa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of cleaning members in a depressurized processing chamber and substrate processing apparatus

Номер патента: TW200514159A. Автор: Hiroyuki Nakayama,Tsuyoshi Moriya,Hiroshi Nagaike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: KR100698000B1. Автор: 미노루 모리와키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-23.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element

Номер патента: TW201131855A. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-09-16.

Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element

Номер патента: US20110085841A1. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Attachment for substrates having different diameters, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate or semiconductor device

Номер патента: US20120216743A1. Автор: Akinori Tanaka,Takeshi Itoh. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: TWI796256B. Автор: 中谷公彦,中川崇,出貝求,橋本良知,早稲田崇之. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-11.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming fins for finFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09337050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, METHOD OF FORMING PATTERN STRUCTURE, IMPRINT MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, IMPRINT MOLD SET, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD

Номер патента: US20180310413A1. Автор: Furukawa Tadashi,FURUSE Ayako,SOTODA Teppei,KASAI Ryohei,FURUGEN Ryo,HOSODA Tetsushi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6108560B2. Автор: 雅則 中山. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-04-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2014050979A1. Автор: 雅則 中山. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-22.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179496A1. Автор: 志有 廣地. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2017056148A1. Автор: 志有 廣地,英人 山口,山口　英人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-26.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359436A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170352632A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Apparatus and method for simultaneous formation of diffusion break, gate cut, and independent n and p gates for 3d transistor devices

Номер патента: WO2021025796A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor inspecting apparatus and method of inspecting and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150270182A1. Автор: Jaehong Kim,Seung Hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Substrate processing apparatus maintenance method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus maintenance program

Номер патента: JPWO2015030047A1. Автор: かおり 猪島. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Vertical semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312878A1. Автор: Yong-Seok Kim,Tae-Young Kim,Sung-Il Chang,Su-Jin Ahn,Jae-Sung SIM,Jun-Hee Lim,Ji-Yeong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Leadframe, method of manufacturing the same, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: TW577157B. Автор: Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-02-21.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: WO2024137272A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: US20240204061A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Method of manufacturing a resurf semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by such a method

Номер патента: WO1997023901A1. Автор: Adrianus Willem Ludikhuize. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-03.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, DISCHARGE METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20190115230A1. Автор: IMAMURA Akira,TOYOMURA Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

METHOD OF DEBONDING A CARRIER SUBSTRATE FROM A DEVICE SUBSTRATE, APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME, AND METHOD OF SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190148207A1. Автор: Chang Gun-ho,CHUNG Myung-Kee. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6823709B2. Автор: 志有 廣地. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Isolation structure, method of forming the isolation structure, semiconductor device having the isolation structure and method of manufacturing the semiconductor device having the isolation structure

Номер патента: KR100823703B1. Автор: 최종완,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Manufacturing Method of Manufacturing Device and Semiconductor Device

Номер патента: KR20200014359A. Автор: 토루 마에다,토모노리 나카무라,테츠오 타카노. Владелец: 가부시키가이샤 신가와. Дата публикации: 2020-02-10.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6979463B2. Автор: 有人 小川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: TW201007928A. Автор: Young-Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US8119509B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method of debonding a carrier substrate from a device substrate, apparatus for performing the same, and method of singulating semiconductor chips including the same

Номер патента: KR102434021B1. Автор: 정명기,장근호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869814B2. Автор: Hidetatsu Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding product and semiconductor device

Номер патента: US20240178105A1. Автор: Mauro Mazzola,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of forming gate structures or semiconductor devices

Номер патента: TW201025430A. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Donald Y Chao,Shun-Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of fixing connecting wire to semiconductor device

Номер патента: JPS55154742A. Автор: Hatsuke Hansuyurugen,Pentsuru Rainhoruto,Raushiyaa Geruharuto,Shiyuraa Rotaaru,Uirupuzaa Osukaaru. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-12-02.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Substrate cartridge, substrate-processing apparatus, substrate-processing system, substrate-processing method, control apparatus, and method of manufacturing display element

Номер патента: US09379339B2. Автор: Hideya Inoue. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device comprising a stacked die configuration including an integrated peltier element

Номер патента: US09490189B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Transfer method, method of manufacturing thin film devices, method of manufacturing integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, IC card, and electronic appliance

Номер патента: EP2565924A3. Автор: Tatsuya Shimoda,Sumio Utsunomiya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-26.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: US09601215B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6740922B2. Автор: Yiu-Huen Wong,Christopher D. W. Jones,Donald W. Murphy. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-05-25.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20240275332A1. Автор: Yuji Ino,Katsuhiko Shirasawa,Koichiro Niira,Shinsuke Uchida,Takuya KUROSE,Shinji YADA,Kyosuke FUJIWARA,Hidetaka Takato. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150024530A1. Автор: LEE Bong-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

Conductive film, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110095419A1. Автор: Yuichi Matsuda,Michio Horiuchi,Tsuyoshi Kobayashi,Tatsuaki Denda,Yasue Tokutake. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

SEMICONDUCTOR TEST EQUIPMENT AND METHOD OF TESTING AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20130323864A1. Автор: Kim Jin-su,Mo Jae-Bum,Kim Byoung-Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20210167167A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Image Sensor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Manufacturing Methods

Номер патента: US20150171132A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANAGEMENT METHOD OF MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204040A1. Автор: SHIOBARA Eishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component

Номер патента: CN1841688A. Автор: 芳村淳,大久保忠宣. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

WIRING STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130113113A1. Автор: BAE Ki-Soon,Choi Sei-Ryung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-09.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DESIGNING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293753A1. Автор: NAKAMURA Shunichi,INOUE Tetsuto,SUGAI Akihiko. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170301789A1. Автор: YAMADA Ryuji,Takei Manabu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JPWO2020188675A1. Автор: 等 村田,周平 西堂,哲夫 山本,直樹 原,賢次 篠崎,志有 廣地,愛彦 柳沢,正昭 上野,英人 山口,一洋 木村. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Ferroelectric structure, Method of forming the ferroelectric structure, Semiconductor device having the ferroelectric structure and Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100718267B1. Автор: 김명곤,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-14.

Overlay key, method of forming the overlay key, semiconductor device including the overlay key and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070063317A1. Автор: Dae-Joung Kim,Dae-Youp Lee,Ji-Yong You,Chun-Suk Suh,Do-yul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU3497371A. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-05-03.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU454608B2. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1974-10-31.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP3885890A1. Автор: Ryo Suzaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Information processing system, position indicator, and method of controlling movement of display object on display screen of information processing apparatus

Номер патента: US20230221825A1. Автор: Naoto Onoda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Information processing system, position indicator, and method of controlling movement of display object on display screen of information processing apparatus

Номер патента: US20200301548A1. Автор: Naoto Onoda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Information processing system, position indicator, and method of controlling movement of display object on display screen of information processing apparatus

Номер патента: US20240168597A1. Автор: Naoto Onoda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Information processing apparatus, system, method and program

Номер патента: US20210149355A1. Автор: Norio Yamaguchi,Shuhei Onishi,Tatsuro Shiraishi. Владелец: Ubiden Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP3192244A1. Автор: Koji Nagahiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP4440045A1. Автор: Takuya Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Image processing system, image processing apparatus, mobile terminal, and program for transmission of image data

Номер патента: US09785394B2. Автор: Takehisa Yamaguchi,Takeshi Minami,Yasutaka Ito,Atsushi Ohshima,Daisuke Nakano,Toshihiko Otake. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of af apparatus, method of nef apparatus, method of udm apparatus, method of amf apparatus, method of ue, method of pcf apparatus, method of ran node, af apparatus, nef apparatus, udm apparatus, amf apparatus, ue, pcf apparatus and ran node

Номер патента: US20240323828A1. Автор: TOSHIYUKI Tamura,Kundan Tiwari,Iskren Ianev. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Information processing apparatus, method thereof, and program thereof, and information processing system

Номер патента: US20240040232A1. Автор: Koichi Tanaka,Hironori YANO,Isao Koizumi,Mototada OTSURU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Information processing apparatus, control method and program thereof

Номер патента: WO2011016339A1. Автор: Hiroaki Towata. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-02-10.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20220092866A1. Автор: Keiko Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US09832722B2. Автор: Kazuyoshi Sumiuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US09629077B2. Автор: Kazuyoshi Sumiuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Information processing system, information processing apparatus, apparatus, and non-transitory computer readable medium storing information processing program

Номер патента: US09300631B2. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20210110167A1. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410522A1. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Image processing apparatus, image processing system, image processing apparatus control method, and program

Номер патента: US20190215411A1. Автор: Yoshio Komaki. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-07-11.

Image processing apparatus, method thereof and program therefor

Номер патента: US9445068B2. Автор: Ting Zhang,Akira Matsui,Kenichi Nishio,Yuko Shibaike,Yohei Myoga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Image processing apparatus, image processing system, image processing apparatus control method, and program

Номер патента: US10419634B2. Автор: Yoshio Komaki. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-09-17.

IC chip, information processing apparatus, system, method, and program

Номер патента: US09832230B2. Автор: Shinichi Kato,Naofumi Hanaki,Shuichi Sekiya,Itsuki Kamino. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Image processing apparatus, method thereof and program therefor

Номер патента: US09445068B2. Автор: Ting Zhang,Akira Matsui,Kenichi Nishio,Yuko Shibaike,Yohei Myoga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200279103A1. Автор: Kazuyuki Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US12046043B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11151389B2. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11600158B2. Автор: Takahiro Matsui. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US12106571B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US12046044B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of encoding video with prediction of movement, device for encoding video with prediction of motion, program of encoding video with prediction of movement, method of decoding video with prediction of motion, device for decoding video with prediction of movement and program of decoding video with prediction of movement

Номер патента: RU2660619C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Тиоу Кенг ТАН,Йосинори СУДЗУКИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2018-07-06.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190286913A1. Автор: Ryo Kawai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP3751387A1. Автор: Hirokazu Sakamoto,Hiroyuki Sanami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Information processing apparatus, analysis method and program

Номер патента: US20240114187A1. Автор: Yoichi Matsuo,Kazuhisa Yamagishi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Information processing apparatus, analysis method and program

Номер патента: US20240107028A1. Автор: Yoichi Matsuo,Kazuhisa Yamagishi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230419665A1. Автор: Ryo Kawai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410510A1. Автор: Ryo Kawai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230103243A1. Автор: Ryo Kawai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190333234A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190035093A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190325589A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Image processing apparatus, system, method, and program product for adjusting saturation of a skin area while maintaining converted hue

Номер патента: US09967434B2. Автор: Akihiro Kakinuma. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Data processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US09912830B2. Автор: Takafumi Mizuno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US09887904B2. Автор: Hitoshi Ishikawa. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Processing apparatus, processing method, and program

Номер патента: US09451149B2. Автор: Youichi Hasegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Image processing apparatus, control method and program

Номер патента: EP4254962A1. Автор: Takeshi Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of manufacturing piezoelectric vibrating reed, piezoelectric vibrating reed, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and radio-controlled timepiece

Номер патента: US8445185B2. Автор: Masayuki Kawaguchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Information processing system, position indicator, and method of controlling movement of display object on display screen of information processing apparatus

Номер патента: US11921965B2. Автор: Naoto Onoda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Information processing apparatus, information processing apparatus control method, and program

Номер патента: WO2011155419A1. Автор: Fumitoshi Ito. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-12-15.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11966435B2. Автор: Akiko Kubo,Yaeko Yonezawa,Hiroki IIDUKA. Владелец: NEC Solution Innovators Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11790659B2. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410523A1. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410524A1. Автор: Takuya Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Control method, image processing apparatus, terminal device, and program

Номер патента: US20230401012A1. Автор: Takashi Sugaya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-12-14.

Control method, image processing apparatus, terminal device, and program

Номер патента: US11995360B2. Автор: Takashi Sugaya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-05-28.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230342953A1. Автор: Shoji Yachida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Information processing apparatus, information processing apparatus control method, and program

Номер патента: US20230388735A1. Автор: Shunsuke Saito,Yoshimichi Kitaya,Kaoru Yamanoue,Hajime HORIKOSHI,Yuki KARATSU. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Image processing apparatus, method thereof, and program

Номер патента: US20080285875A1. Автор: Masakazu Ebihara,Hideki Nabesako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11776274B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410517A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11957300B2. Автор: Yutaka Saito,Kenichi Kamijo,Ryuji Hamamoto,Masayoshi Yamada,Maki Sano,Ikuma Takahashi,Kimiyasu Takoh,Hitoshi Imaoka,Masahiro Saikou,Motoyasu OKUTSU,Chiemi Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410518A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230351757A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20240206700A1. Автор: Yutaka Saito,Kenichi Kamijo,Ryuji Hamamoto,Masayoshi Yamada,Maki Sano,Ikuma Takahashi,Kimiyasu Takoh,Hitoshi Imaoka,Masahiro Saikou,Motoyasu OKUTSU,Chiemi Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of setting parameters used to adjust quality of scanned image, information processing apparatus employing such a method, and non-transitory computer-readable recording medium therefor

Номер патента: US11503165B2. Автор: Nobuyuki Kamiya. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20220006824A1. Автор: Kazuya KAKIZAKI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP2381355A3. Автор: Hisashi Kato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20220343516A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230394683A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Processing apparatus, processing method and program

Номер патента: US20230421718A1. Автор: Masato Ono,Shinji Fukatsu,Takahide Hoshide. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11823398B2. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230394684A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Yusuke Konishi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP3945408A1. Автор: Yusuke Matsui. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-02.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200286259A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi,Yuusuke Konishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device, update data-providing method, update data-receiving method, and program

Номер патента: EP3742665A1. Автор: Daisuke Suzuki,Daisuke Moriyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP4407444A1. Автор: Ryuhei Wakita,Gou Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Learning system, learning server apparatus, processing apparatus, learning method, and program

Номер патента: US20240346326A1. Автор: Iifan TYOU,Takumi FUKAMI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of navigation of an unmanned apparatus in the presence of a foreign flying apparatus and the unmanned apparatus for the implementation of the method

Номер патента: RU2661242C2. Автор: Жульен ФАРЖОН. Владелец: Сафран Электроникс Энд Дифенс. Дата публикации: 2018-07-13.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of determining whether or not result of processing process of laser processing apparatus is acceptable

Номер патента: US20210060697A1. Автор: Hiroki Takeuchi,Masanobu Takenaka,Yukito Akutagawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

High voltage power supply without output voltage adjustment, method of adjusting output voltage of the high voltage power supply in image forming apparatus, and image forming apparatus using the method

Номер патента: US20140178082A1. Автор: Yun-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of determining operating drive voltage of an in-jet head, ink-jet recording apparatus and superposed-pattern-recorded article

Номер патента: US20060187256A1. Автор: Masaharu Ito. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of correction of odometry errors during the autonomous drive of a wheel-equipped apparatus and control unit thereof

Номер патента: EP4374137A1. Автор: Andrea Bertaia. Владелец: Alba Robot SRL. Дата публикации: 2024-05-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of Correction of Odometry Errors During the Autonomous Drive of a Wheel-Equipped Apparatus and Control Unit Thereof

Номер патента: US20240328823A1. Автор: Andrea Bertaia. Владелец: Alba Robot SRL. Дата публикации: 2024-10-03.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Information processing apparatus, update method, and program

Номер патента: US20090055816A1. Автор: Keishi Akada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Methods, apparatus, and articles of manufacture to encode auxiliary data into relational database keys and methods, apparatus, and articles of manufacture to obtain encoded data from relational database keys

Номер патента: US09990478B2. Автор: Leonid Ayzenshtat,Nikolay Georgiev,Kalyanaraman Rajamani. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of playing a bingo-type game with a mechanical technological aid, and an apparatus and program product for playing the game

Номер патента: US20120252551A1. Автор: David L. Wright,Jon P. Yarbrough. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of playing a bingo-type game with a mechanical technological aid, and an apparatus and program product for playing the game

Номер патента: US20120302313A1. Автор: David L. Wright,Jon P. Yarbrough. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of playing a bingo-type game with a mechanical technological aid, and an apparatus and program product for playing the game

Номер патента: US20130252697A1. Автор: David L. Wright,Jon P. Yarbrough. Владелец: Video Gaming Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11763463B2. Автор: Soma Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11762713B2. Автор: Jun Nishioka,Yoshiaki SAKAE,Kazuhiko Isoyama,Etsuko ICHIHARA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20210357274A1. Автор: Jun Nishioka,Yoshiaki SAKAE,Kazuhiko Isoyama,Etsuko ICHIHARA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: WO2011001921A1. Автор: Yutaka Myoki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-01-06.

Job processing apparatus, control method, and program that processes a plurality of jobs in response to reception of execution instructions thereof

Номер патента: US09772804B2. Автор: Yuki Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: WO2019008661A1. Автор: Salita SOMBATSIRI. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2019-01-10.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11715227B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP2224329A3. Автор: Hideki Sugiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Information processing apparatus, estimation method and program

Номер патента: US20240153643A1. Автор: Hiroyuki Toda,Takeshi Kurashima,Yuka Nishida,Hideaki KIN. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: WO2016035283A1. Автор: Tetsuo Ikeda,Kazuto Nishizawa,Ryuji Nakayama. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-10.

Information processing apparatus, installation method, and program

Номер патента: US9342290B2. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Medical image processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230419528A1. Автор: Shinya Kurokawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-12-28.

Information processing apparatus, installation method, and program

Номер патента: US20150242195A1. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Information processing apparatus, client terminal, and program

Номер патента: US20200097465A1. Автор: Naoki Saito,Yuichiro Mori. Владелец: Shiseido Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US12094149B2. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Processing apparatus, processing method, and program for determining an image taking position

Номер патента: US09792533B2. Автор: Toshihiro Takahashi,Takahide Nogayama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20170052512A1. Автор: Hiroyuki Mizunuma,Tsubasa Tsukahara,Yuhei Taki,Ikuo Yamano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US10466654B2. Автор: Hiroyuki Mizunuma,Tsubasa Tsukahara,Yuhei Taki,Ikuo Yamano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190265654A1. Автор: Hiroyuki Mizunuma,Tsubasa Tsukahara,Yuhei Taki,Ikuo Yamano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200026245A1. Автор: Hiroyuki Mizunuma,Tsubasa Tsukahara,Yuhei Taki,Ikuo Yamano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20210247723A1. Автор: Hiroyuki Mizunuma,Tsubasa Tsukahara,Yuhei Taki,Ikuo Yamano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of Identifying Agonist and Antagonist for Target Protein with Use of Nuclear Magnetic Resonance Technique, and Program for Use in the Method

Номер патента: US20070250298A1. Автор: Shin-ichi Tate. Владелец: Biomolecular Engineering Research Institute. Дата публикации: 2007-10-25.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: SG10201902650VA. Автор: Takashi Yagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-10-30.

Learning apparatus, learning method, image processing apparatus, endoscope system, and program

Номер патента: US20230215003A1. Автор: Takayuki Tsujimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Processing apparatus, system, method, and program for applying non-negative matrix factorization to a measured profile of x-ray powder diffraction

Номер патента: US20240133829A1. Автор: Akihiro Himeda,Takumi Ota,Norihiro MUROYAMA. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Image processing apparatus, image processing apparatus control method, and program

Номер патента: US20150015912A1. Автор: Kimito Kasahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Image processing apparatus, image processing apparatus control method, and program

Номер патента: US9766838B2. Автор: Kimito Kasahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11899793B2. Автор: Jun Nishioka,Yoshiaki SAKAE,Kazuhiko Isoyama,Kosuke Yoshida,Etsuko ICHIHARA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Information processing apparatus, learning device, and program

Номер патента: EP3708086A1. Автор: Takahisa Arai,Shunsuke Kodaira,Takeyasu Kobayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

Information processing apparatus, control method, and program for accurately linking fragmented trajectories of an object

Номер патента: US11803972B2. Автор: Yusuke Konishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200342609A1. Автор: Yusuke Konishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20210081491A1. Автор: Takuya Araki,Osamu DAIDO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410321A1. Автор: Soma Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US9158721B2. Автор: Takeshi Suwabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Information processing apparatus, control method, and program product that batch sets a group of set values corresponding to a selected use environment

Номер патента: US11928369B2. Автор: Takumi Maeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20240029273A1. Автор: Soma Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: MY202457A. Автор: Takahashi Kouichi. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2024-04-30.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP2221729A3. Автор: Takeshi Suwabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410221A1. Автор: Masahiro Tani,Kazufumi KOJIMA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410220A1. Автор: Masahiro Tani,Kazufumi KOJIMA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230410222A1. Автор: Masahiro Tani,Kazufumi KOJIMA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11804078B2. Автор: Yusuke Mori,Nobuaki KAWASE,Yumiko TOMIZUKA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20150130702A1. Автор: Jun Kimura,Tsubasa Tsukahara,Ayumi KATO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Information processing apparatus, information processing apparatus control method and program

Номер патента: US20120154432A1. Автор: Akitake Misuhashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200372274A1. Автор: Yusuke Mori,Nobuaki KAWASE,Yumiko TOMIZUKA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20220254194A1. Автор: Yusuke Mori,Nobuaki KAWASE,Yumiko TOMIZUKA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Information processing apparatus, animation method, and program

Номер патента: EP2214090A2. Автор: Osamu Ooba. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20210149852A1. Автор: Salita SOMBATSIRI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230394429A1. Автор: Takenobu Kitahara,Yoshihiro Itou,Kanako TAGA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230326063A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US11900316B2. Автор: Takenobu Kitahara,Yoshihiro Itou,Kanako TAGA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190251346A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takuya Ogawa,Katsuhiko Takahashi,Hiroo Ikeda,Ryo Kawai,Ryoma Oami,Junko Nakagawa,Kosuke Yoshimi,Yuusuke Konishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230394428A1. Автор: Takenobu Kitahara,Yoshihiro Itou,Kanako TAGA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20230394430A1. Автор: Takenobu Kitahara,Yoshihiro Itou,Kanako TAGA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Image processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP2348398A3. Автор: Yasuhiro Yoshimura,Yutaka Myoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-26.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20220198817A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200285845A1. Автор: Ryoma Oami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Information processing apparatus, installation method, and program

Номер патента: WO2014024410A1. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-02-13.

Image processing apparatus, method therefor, and program

Номер патента: US20060188159A1. Автор: Hirotaka Shiiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Processing apparatus, system, method, and program for calculating a structural factor

Номер патента: US20240120036A1. Автор: Kazuki Ito,Kazuhiko Omote,Masatsugu Yoshimoto. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US12001226B2. Автор: Nobuo Nishi,Junichiro Misawa,Tatsuo Sekimoto,Kazutaka Takaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20190303199A1. Автор: Takashi Yagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Information processing apparatus, correction method, and program

Номер патента: US20220390577A1. Автор: Hiroaki Ono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of reconstructing tomograms from polychromatic X-ray transmission image and image processing apparatus using the same

Номер патента: US8958619B2. Автор: Kang-eui Lee,Young-hun Sung,Jong-Ha Lee,Kwang-Eun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-17.

A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method

Номер патента: SG144718A1. Автор: Gui Cheng-Qun,Buel Henricus Wilhelmus Ma Van,Vries Alex De. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-08-28.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of generating trained model, machine learning system, program, and medical image processing apparatus

Номер патента: US20230368442A1. Автор: Akira Kudo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of processing language, recording medium, system for processing language, and language processing apparatus

Номер патента: US20210165962A1. Автор: Hideo Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of processing language, recording medium, system for processing language, and language processing apparatus

Номер патента: WO2020066545A1. Автор: Hideo Ito. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of processing language, recording medium, system for processing language, and language processing apparatus

Номер патента: US11928431B2. Автор: Hideo Ito. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of determining the boundaries of a measuring path of a gear flank testing apparatus and gear flank testing apparatus for performance of the method

Номер патента: US4356556A. Автор: Armin Sterki. Владелец: Maag Gear Wheel and Machine Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-26.

Operation method of radiation imaging apparatus having sensor substrate and bias power supply, radiation imaging apparatus, and computer-readable medium

Номер патента: US20230204803A1. Автор: Takamasa Ishii,Masato Ofuji,Katsuro Takenaka,Masao Ina. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

SUBSTRATE CARTRIDGE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, CONTROL APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY ELEMENT

Номер патента: US20140290041A1. Автор: KIUCHI Tohru. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Rod lens array unit, production method of rod lens array unit, LED print head, image sensor head, image forming apparatus, and image reader

Номер патента: US09810816B2. Автор: Takahito Suzuki. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, CONTROL METHOD OF THE INFORMATION PROCESSING APPARATUS, STORAGE MEDIUM, AND PROGRAM

Номер патента: US20180309763A1. Автор: Inoue Go. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Information processing apparatus, control method of the information processing apparatus, storage medium, and program

Номер патента: US10033742B2. Автор: Go Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Method of manufacturing piezoelectric vibrating reed, apparatus of manufacturing piezoelectric vibrating reed, piezoelectric vibrating reed, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and radio-controlled timepiece

Номер патента: US20120230155A1. Автор: Masayuki Kawaguchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Control method, image processing apparatus, terminal device, and program

Номер патента: EP4293559A2. Автор: Takashi Sugaya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-12-20.

Control method, image processing apparatus, terminal device, and program

Номер патента: EP4293559A3. Автор: Takashi Sugaya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-02-21.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US20200090346A1. Автор: Soma Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Information processing apparatus, information method, and program

Номер патента: GB201610576D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: EP3751387B1. Автор: Hirokazu Sakamoto,Hiroyuki Sanami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Communication method, communication system, information processing apparatus, communication terminal, and program

Номер патента: US09794170B2. Автор: Nobuhiko Itoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetic film structure using spin charge, method of manufacturing the same, semiconductor device comprising the same and method of operating semiconductor device

Номер патента: KR100612854B1. Автор: 김태완,박상진,김영근,황인준,박완준,권순주,감비노리차드제이.. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of continuous removal of hydrogen sulphide from gas flow

Номер патента: RU2527991C1. Автор: Гэри Джей НАГЛ. Владелец: Меричем Компани. Дата публикации: 2014-09-10.

Gas separation composite membrane, method of producing the same, gas separating module using the same, and gas separation apparatus and gas separation method

Номер патента: US09764293B2. Автор: Ichiro Nagata,Satoshi Sano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product

Номер патента: US09715181B2. Автор: Paul Frank Luehrmann,Emil Peter SCHMITT-WEAVER,Marc Jurian Kea,Wolfgang Henke. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of operating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product

Номер патента: US09507279B2. Автор: Paul Frank Luehrmann,Alexander Ypma,Daan Maurits SLOTBOOM,Emil Peter SCHMITT-WEAVER,Marc Jurian Kea,Wolfgang Henke,Jean-Philippe Xavier Van Damme,Eduardus Johannes Gerardus Boon. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2016-11-29.

Information processing apparatus and storage medium

Номер патента: US20240354131A1. Автор: Sho MAGARIYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Image forming apparatus, decoloring apparatus and method of evaluating a condition of a heating portion of an image processing apparatus

Номер патента: US09796201B2. Автор: Yasuharu ARIMA. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for stopping pipeline laying from ship (versions) and method of resuming pipeline laying from ship, vessel and connector for said ship

Номер патента: RU2600823C2. Автор: Кристиан Скайни,Терезио СИНЬЯРОЛДИ,Кимон Туллио АРДАВАНИС. Владелец: САЙПЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Crushing-breaking method of casting products, cutter structure used for the method and crushing-breaking apparatus of casting products

Номер патента: US20020125351A1. Автор: Yasuaki Okuya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Image forming apparatus and method of controlling top margin of printing medium in image forming apparatus

Номер патента: US20060092265A1. Автор: Byung-Sun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Image forming apparatus, method of allowing driven member to be mounted on apparatus body in image forming apparatus and method of allowing drive force to be transmitted to belt unit in image forming apparatus

Номер патента: US8185027B2. Автор: Hiroaki NIEDA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

Image forming Apparatus, Method of Allowing Driven Member to be Mounted on Apparatus Body in Image Forming Apparatus and Method of Allowing Drive Force to be Transmitted to Belt Unit in Image Forming Apparatus

Номер патента: US20120014715A1. Автор: Hiroaki NIEDA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Image forming apparatus and methods thereof

Номер патента: US20120275827A1. Автор: Jonathan Nir. Владелец: Hewlett Packard Indigo BV. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of local implicit normalizing flow for arbitrary-scale image super-resolution, and associated apparatus

Номер патента: US20240177269A1. Автор: Chun-yi Lee,Yi-Chen Lo,Chia-Che Chang,Shou-Yao Tseng,Jie-En Yao,Li-Yuan Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: US20210056765A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hirotake Ichikawa,Mitsuru Nishibe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

COMPUTING DEVICE EXECUTING PROGRAM PERFORMING METHOD OF ANALYZING POWER NOISE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM

Номер патента: US20160161546A1. Автор: CHEON YOUNG HOE,HWANG CHAN SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

COMPUTING DEVICE EXECUTING PROGRAM PERFORMING METHOD OF ANALYZING POWER NOISE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM

Номер патента: US20180224497A1. Автор: CHEON YOUNG HOE,HWANG CHAN SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Image processing apparatus, information terminal, and program

Номер патента: US09477435B2. Автор: Nobuaki Fukasawa,Kaori Nishiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Test system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20240183878A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chih-Kang TOH. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of determining a flatness of an electronic device substrate, method of producing the substrate, method of producing a mask blank, method of producing a transfer mask, polishing method, electronic device substrate, mask blank, transfer mask, and polishing apparatus

Номер патента: KR100773187B1. Автор: 케사히로 코이케,마사토 오츠카,야스타카 토치하라. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-11-02.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Image processing apparatus, method of placing order for expendables of image processing apparatus, storage medium, and program

Номер патента: US7426482B2. Автор: Masanobu Saito,Takayuki Namiki,Satoru Inami,Seiichi Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-09-16.

Coin loading method, coin replenishment method, coin loading apparatus and coin processing system

Номер патента: EP4030397A1. Автор: Osamu Ito,Kiyoaki Kobayashi,Kenichi Tagashira,Risa HORITA,Rikuo MINAGAWA,Rinshiro Iwase. Владелец: Glory Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Processing method of disposals and collecting method of foaming gas from foaming heat-insulator material thereof, and disposal processing apparatus and collecting apparatus thereof

Номер патента: US20010013558A1. Автор: Masakatsu Hayashi,Chihiro Fukumoto,Kanji Fujimori,Eiji Satou,Tetsurou Miyamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-08-16.

Data processing apparatus and method of synchronizing at least two processing means in a data processing apparatus

Номер патента: EP1573535A2. Автор: I-Chih Kang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

Information processing apparatus, information processing method, information processing system, program, and recording medium

Номер патента: US20070122795A1. Автор: Tetsuya Shiraishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Image processing apparatus, recording medium, and program

Номер патента: TW472215B. Автор: Takuya Seki. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2002-01-11.

Image processing apparatus, recording medium, and program

Номер патента: AU7311900A. Автор: Takuya Seki. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2001-04-17.

Image processing apparatus, recording medium, and program

Номер патента: EP1214690A1. Автор: Takuya Sony Computer Entertainment Inc. SEKI. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2002-06-19.

Information processing apparatus, analysis method and program

Номер патента: US20240220516A1. Автор: Atsushi Sakurai,Minako Hara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Information processing apparatus, learning device, and program

Номер патента: US20200289081A1. Автор: Takahisa Arai,Shunsuke Kodaira,Takeyasu Kobayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Information processing apparatus, learning device, and program

Номер патента: EP3708086B1. Автор: Takahisa Arai,Shunsuke Kodaira,Takeyasu Kobayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Information processing apparatus, conversion method and program

Номер патента: US20240256969A1. Автор: Satoshi Hasegawa,Takayuki Miura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Information processing apparatus, control method, and program

Номер патента: US10699327B2. Автор: Qing Chang. Владелец: RAKUTEN INC. Дата публикации: 2020-06-30.

Processing apparatus, processing method and program

Номер патента: US20240193499A1. Автор: Shingo Omata,Ken Kanishima,Miwaka OTANI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Oct image processing apparatus, control method and program

Номер патента: EP2552296B1. Автор: Yukio Sakagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Maintenance system, information processing apparatus, maintenance method, and program

Номер патента: US20240143477A1. Автор: Kensuke Takahashi,Yukitsugu SASAKI,Tsuyoshi Toyoshima. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Information processing apparatus, information processing and program

Номер патента: US09690978B2. Автор: Hiroshi Yamada,Eric Lau,Elsa WONG,Nobuhisa Shiraishi. Владелец: NEC Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Image processing apparatus, control method, and program therefor

Номер патента: US09519945B2. Автор: Daisuke Kuroki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

METHOD OF MEASURING TEMPERATURE OF COMPONENT IN PROCESSING CHAMBER OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130308681A1. Автор: KOSHIMIZU Chishio,YAMAWAKU Jun,MATSUDO Tatsuo. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-11-21.

Three dimensional measurement apparatus, control method and program therefor, information processing apparatus, control method and program therefor

Номер патента: EP2584527A2. Автор: Nobuaki Kuwabara,Tetsuri Sonoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-04-24.

Image forming apparatus, decoloring apparatus and method of evaluating a condition of a heating portion of an image processing apparatus

Номер патента: US20160193860A1. Автор: Yasuharu ARIMA. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Image forming apparatus, decoloring apparatus and method of evaluating a condition of a heating portion of an image processing apparatus

Номер патента: US20170072729A1. Автор: Yasuharu ARIMA. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Image forming apparatus, decoloring apparatus and method of evaluating a condition of a heating portion of an image processing apparatus

Номер патента: US9533525B2. Автор: Yasuharu ARIMA. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Gas bearing lithographic projection apparatus, method of manufacturing a gas bearing, device manufacturing method using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by such method

Номер патента: TW421733B. Автор: Yim Bun Patrick Kwan. Владелец: Asm Lithography Bv. Дата публикации: 2001-02-11.

Pattern dimension correction method and verification method using OPC, mask and semiconductor device fabricated by using the correction method, and system and program for executing the correction method

Номер патента: TW200509215A. Автор: Toshiya Kotani,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, substrate processing system, and program

Номер патента: JP6308584B2. Автор: 和宏 原田,芦原　洋司,洋司 芦原,晃人 平野,平野　晃人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-11.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs

Номер патента: JP6987948B2. Автор: 公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Mode of manufacturing of a heat exchanging section of a gas air cooling apparatus and a heat exchanging section of a gas air cooling apparatus

Номер патента: RU2266491C1. Автор: В.М. Терехов,В.А. Коневских,В.Н. Жигалов. Владелец: Овчар Владимир Герасимович. Дата публикации: 2005-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20130102161A1. Автор: Asai Masayuki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of forming system of flows in working chamber of heat-and-mass exchange apparatus and heat-and-mass exchanger apparatus for realization of this method

Номер патента: RU2137074C1. Автор: А.Ф. Гуцол. Владелец: Поляков Евгений Георгиевич. Дата публикации: 1999-09-10.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

SUBSTRATE CARTRIDGE, SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE-PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE-PROCESSING METHOD, CONTROL APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY ELEMENT

Номер патента: US20120215338A1. Автор: Inoue Hideya. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

Improvements in the Method of Forming Duplicate Sound Record Cylinders of Celluloid or similar Materials and the Apparatus and Devices connected therewith.

Номер патента: GB190207146A. Автор: Ademor Napoleon Petit. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-03-24.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7199497B2. Автор: 勝吉 原田,樹 松岡,良知 橋本. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7186909B2. Автор: 公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-09.

Method of and system for getting semiconductor devices of improved properties and preliminary selection of avalanche devices

Номер патента: PL131247B1. Автор: Henryk Rzepa,Jerzy Kuchta. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1984-10-31.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6608516B2. Автор: 義朗 ▲ひろせ▼,司 鎌倉,孝暁 野田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-20.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP5466526B2. Автор: 英輔 西谷,武敏 佐藤,剛 竹田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6061385B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,加我　友紀直,友紀直 加我. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-18.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6091940B2. Автор: 優幸 浅井,花島　建夫,建夫 花島,孝暁 野田,野田　孝暁,浅井　優幸,杰 王. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-03-08.

Method of recovering lime milk in a process of purifying it and process apparatus therefor

Номер патента: PL254466A1. Автор: Franciszek Dabrowski,Pawel Messer. Владелец: Swidnicka Fabryka Urzadzen Prz. Дата публикации: 1987-04-21.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and program

Номер патента: JP2022087143A. Автор: KIMIHIKO Nakatani,公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Liquid resin composition, semiconductor chip with an adhesive layer, method of producing such materials, and semiconductor devices

Номер патента: SG182978A1. Автор: Masuda Takeshi,Kagimoto Tomohiro,Shuey Seng LOW,Ohkubo Hikaru. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-30.

JOINING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120211894A1. Автор: Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130017683A1. Автор: HARADA Shin,Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU3333368A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU415408B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU3333268A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU417402B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20120077337A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6857760B2. Автор: 隆史 佐々木,花島　建夫,建夫 花島,宏朗 平松,司 鎌倉. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6827573B2. Автор: 匡史 北村,宏朗 平松,哲也 ▲たか▼橋. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and program

Номер патента: JP2021036602A. Автор: 良知 橋本,Yoshitomo Hashimoto,雅也 永戸,Masaya Nagato. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of reclaiming noble metals from semiconductor devices

Номер патента: PL246816A1. Автор: Urszula Wnuk,Zdzislaw Albinowski,Zbigniew Lukawski,Alina Sabisz,Wieslaw Boule. Владелец: Naukowo Prod Ct Polprzewodniko. Дата публикации: 1985-09-24.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120086107A1. Автор: SAITO Tatsuyuki,Takebayashi Yuji,OKUNO Masahisa,YAMAMOTO Katsuhiko. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120329286A1. Автор: TAKEDA Tsuyoshi,SATO Taketoshi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

NON-AQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY, METHOD OF MANUFACTURING NON-AQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY, INSULATING MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING INSULATING MATERIAL, BATTERY PACK, ELECTRONIC DEVICE, ELECTROMOTIVE VEHICLE, POWER STORAGE APPARATUS, AND ELECTRIC POWER SYSTEM

Номер патента: US20130054061A1. Автор: Nishimoto Atsushi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.