Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD OF METAL (II), (0), OR (IV) CONTAINING FILM LAYER

ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD OF METAL (II), (0), OR (IV) CONTAINING FILM LAYER

Номер патента: US20220356576A1
Опубликовано: 10-11-2022
Автор(ы): JOHNSON Andrew L., PARISH James D.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Raw material for forming thin film by atomic layer deposition method, method of producing thin film, and alkoxide compound

Номер патента: IL283981B1. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, METHOD OF PRODUCING THIN FILM, AND ALKOXIDE COMPOUND

Номер патента: US20220024953A1. Автор: Sakurai Atsushi,Yamashita Atsushi,NISHIDA Akihiro,HATASE Masako,YOSHINO Tomoharu. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-27.

Process for the generation of metal- or semimetal-containing films

Номер патента: US20210324516A1. Автор: David Dominique Schweinfurth,Lukas Mayr,Sinja Verena KLENK,Kinga Izabela LESZCZYNSKA,David Scheschkewitz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-10-21.

ALD of metal-containing films using cyclopentadienly compounds

Номер патента: US09850575B1. Автор: Sean T. Barry,Yamile A. M. Wasslen,Antti H. Rahtu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-26.

ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds

Номер патента: US09677175B2. Автор: Sean T. Barry,Yamile A. M. Wasslen,Antti H. Rahtu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-06-13.

ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds

Номер патента: US09670582B2. Автор: Sean T. Barry,Yamile A. M. Wasslen,Antti H. Rahtu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-06-06.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods for forming and utilizing antimony containing films, and related structures

Номер патента: US20240218510A1. Автор: David Kurt De Roest,Charles DEZELAH,Arpita Saha,Paul Chatelain,Daniele Piumi,Yoann Tomczak. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate

Номер патента: EP2310551A1. Автор: Andreas Zauner,Nicolas Blasco,Audrey Pinchart,Ziyun Wang,Anthony Correia-Anacleto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-04-20.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11952658B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Process for preparing of transition metal-containing films

Номер патента: WO2024008624A1. Автор: Hagen Wilmer,Sinja Verena KLENK,Daniel Loeffler,Alexander Georg Hufnagel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-01-11.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11814715B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Halogen resistant coatings and methods of making and using thereof

Номер патента: US20230279541A1. Автор: Prerna Goradia,Xiaowei Wu,Jennifer Y. Sun,Ankur Kadam,Geetika Bajaj,Atul Chaudhari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Deposition of metal films using beta-hydrogen free precursors

Номер патента: US09982345B2. Автор: David Knapp,David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of producing thin layer of large area transition metal dichalcogenides mos2 and others

Номер патента: US20200340119A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury,Steven Payonk Letourneau. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Cobalt compounds, precursor composition including the same, and preparing method of thin film using the same

Номер патента: KR20220014227A. Автор: 박민성,박정우,임민혁,석장현,김효숙. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2022-02-04.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: EP2155925A1. Автор: Brian A. Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: SG183680A1. Автор: Brian A Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Ald deposition method and system

Номер патента: US20240229237A9. Автор: Dieter Pierreux,Theodorus G.M. Oosterlaken. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Ald deposition method and system

Номер патента: US20240133030A1. Автор: Dieter Pierreux,Theodorus G.M. Oosterlaken. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Atomic layer deposition apparatus and method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR102268959B1. Автор: 정석원,장철민,허명수. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-06-24.

High speed atomic layer deposition apparatus and method of use

Номер патента: JP4713241B2. Автор: エリック・ジェイ・ストラング. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Plasma enhanced atomic layer deposition equipment and method of forming a thin film using the same

Номер патента: KR100721504B1. Автор: 이춘수,오민섭,박형상. Владелец: 에이에스엠지니텍코리아 주식회사. Дата публикации: 2007-05-23.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF ATOMIC LAYER DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20150275362A1. Автор: JUNG Suk Won,HUH Myung Soo,JANG Choel Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Methods of forming a multi-layered structure using an atomic layer deposition process and methods of forming a capacitor of an integrated circuit device

Номер патента: US7135422B2. Автор: Jae-soon Lim,Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Gab-jin Nam,Jong-wan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-14.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20200340115A1. Автор: IE Sangyub,Yon Gukhyon. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Hot wire atomic layer deposition apparatus and methods of use

Номер патента: TW201243088A. Автор: Dieter Haas,Joseph Yudovsky,Timothy W Weidman,Garry K KWONG,Steven D Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2721247C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-05-18.

Process for the generation of metal-containing films

Номер патента: SG11201901887UA. Автор: David Dominique Schweinfurth,Lukas Mayr,Daniel Waldmann,Daniel Loeffler,Falko ABELS. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-04-29.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of forming moisture and oxygen barrier coatings

Номер патента: EP3914750A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Darshan THAKARE,David Britz,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Hard tip for scanning probe microscopy and method of its production

Номер патента: WO2012060782A1. Автор: Jan Soltys,Karol FRÖHLICH,Kristina Husekova,Goran Karapetrov,Vladmir Cambel,Alexander ŠΑΤΚΑ. Владелец: Elektrotechnicky Ustav Sav. Дата публикации: 2012-05-10.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Process for the generation of metal-containing films

Номер патента: WO2019206746A1. Автор: Hagen Wilmer,Lukas Mayr,Charles Winter,Kyle BLAKENEY. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-31.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Low temperature si-containing films deposited from chlorosilane and aminosilane reactions

Номер патента: WO2024081357A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Randall Higuchi,Matthew R. Macdonald,Son Hoang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Smoothing Surface Roughness Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20230349042A1. Автор: Tukaram Hatwar,Steven M. George,Rebecca BORRELLI,Tyler Myers,James THROCKMORTON,Malcolm O’SULLIVAN. Владелец: University of Colorado Boulder. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT

Номер патента: US09556516B2. Автор: Noboru Takamure,Tatsuhiro Okabe. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-31.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: EP2193220A1. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: US8324008B2. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2012-12-04.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: WO2009040499A1. Автор: Julie Baker. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US20240003003A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US11932938B2. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

A corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: WO2021021822A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Barrier film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8828528B2. Автор: Hiroaki Ono,Takahiro Kawana,Andrew Chakchung Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021050368A1. Автор: XINJIAN LEI,Tingmin Wang,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation

Номер патента: EP3959356A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,Lance A Scudder,David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20150243499A1. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09890458B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of making thin films of sodium fluorides and their derivatives by ALD

Номер патента: US12065738B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Donghyeon KANG,Elton Graugnard,Sara Kuraitis. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Silicon precursor compound, silicon-containing film formation composition comprising same, and method for forming film by using silicon-containing film formation composition

Номер патента: WO2023287196A1. Автор: 김병관,김진식,유다솜. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2023-01-19.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US09567671B2. Автор: Freddy Roozeboom,Raymond Jacobus Wilhelmus Knaapen,Jacques Cor Johan Van der Donck,Ruud Olieslagers,Diederik Jan Maas,Dennis Van Den Berg,Matijs C. Van Den Boer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-02-14.

The formation of catalyst pt nanodots by pulsed/sequential cvd or atomic layer deposition

Номер патента: EP4204598A1. Автор: Takashi Ono,Nicolas Blasco,Takashi Teramoto,Quentin DEMARLY,Christian DUSSARRRAT. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-07-05.

The formation of catalyst pt nanodots by pulsed/sequential cvd or atomic layer deposition

Номер патента: WO2022047351A1. Автор: Takashi Ono,Nicolas Blasco,Takashi Teramoto,Christian DUSSARRRAT. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-03-03.

Atomic layer process printer

Номер патента: US12049700B2. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Atlant 3d Nanosystems Aps. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of creating structure for particle detection in time projection chambers and photodetectors

Номер патента: US20220098734A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD

Номер патента: US09478414B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Akinori Nakano,Kiyohiro Matsushita. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-25.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150294663A1. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-10-15.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2922707A2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Cornelius Antonius Van Den Heuvel,Marcel Mulder. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-09-30.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09607606B2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of producing flexible organo-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2695997C2. Автор: Мён Мо СОН,Йюрген ФРАНК,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ,Феликс АЙКЕМАЙЕР,Даниель ЛЁФФЛЕР,Кван Хёк ЮН. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-30.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942320B2. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230059262A1. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2736197C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-11-12.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds

Номер патента: WO2011057114A2. Автор: Christian Dussarrat,Vincent M. Omarjee,Venkateswara Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11492703B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-11-08.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09741556B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of controlling film deposition using atomic layer deposition

Номер патента: US20080305561A1. Автор: Shrinivas Govindarajan. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition of strontium oxide via n-propyltetramethyl cyclopentadienyl precursor

Номер патента: WO2008100616A3. Автор: Masayuki Sugawara,Friedrich B Prinz,Timothy P Holme. Владелец: Timothy P Holme. Дата публикации: 2008-10-30.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Loss prevention during atomic layer deposition

Номер патента: US20230154754A1. Автор: Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device

Номер патента: US6926572B2. Автор: Young Shin Kim,Yong Eui Lee,Sang Hee Park,Sun Jin Yun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-08-09.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A3. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: Erwan Rauwel. Дата публикации: 2009-01-15.

Atomic layer deposition method

Номер патента: US11961716B2. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A2. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: University Of Aveiro. Дата публикации: 2008-08-21.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same

Номер патента: WO2018122603A3. Автор: Jean-Marc Girard,Satoko GATINEAU,Wontae NOH,DaeHyeon Kim,Julie GATINEAU. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2019-01-10.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of loading the substrate into aso reactor

Номер патента: RU2620230C2. Автор: Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018654A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Device and method of atomic ply application

Номер патента: RU2541232C2. Автор: Адрианус Йоханнес Петрус Мариа ВЕРМЕР,Дидерик Ян МАС,Боб ВАН СОМЕРЕН,Аксель Себастьян ЛЕКСМОНД,Каролус Ида Мария Антониус СПЕ,Антония Эллерт ДУИСТЕРВИНКЕЛ. Владелец: Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно. Дата публикации: 2015-02-10.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of depositing thin film

Номер патента: US09689072B2. Автор: Seung Woo Choi,Dong Seok Kang,Hyung Wook NOH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components

Номер патента: US20220234959A1. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,Xiao Ming He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

A method of manufacturing perovskite lead scandium tantalate

Номер патента: WO1989010335A1. Автор: Anil Patel,Roger William Whatmore,Martin Trevor Goosey,Laurence Considine. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1989-11-02.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

The formation of catalyst pt nanodots by pulsed/sequential cvd or atomic layer deposition

Номер патента: US20230311098A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Nicolas Blasco,Takashi Teramoto,Quentin DEMARLY. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-10-05.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same

Номер патента: US11778890B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US9249493B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee,Myong-Hwan Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8859043B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,Jong-Heon Kim,Dong-Kyu Lee,Yun-Mi Lee,Byung-Su Kim,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Plasma processing apparatus, deposition method, method of manufacturing metal plate having dlc film, method of manufacturing separator, and method of manufacturing article

Номер патента: US20120045591A1. Автор: Ge Xu. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Conformality modulation of metal oxide films using chemical inhibition

Номер патента: US20190203354A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods of preparing nanodevices

Номер патента: US09919921B2. Автор: Steven George,Joseph J. Brown,George Dee Skidmore,Victor M. Bright,Nathan T. Eigenfeld,Jason M. Gray. Владелец: University of Colorado Foundation Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: EP2938758A1. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2015-11-04.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: US09834849B2. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2017-12-05.

Electron microscopy specimen and method of fabrication

Номер патента: US09721751B2. Автор: Timothy Stephen English. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-01.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Pellicle membrane and method of forming the same

Номер патента: US20230408904A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Huan-Ling Lee,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Electron microscopy specimen and method of fabrication

Номер патента: US20170069457A1. Автор: Timothy Stephen English. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: WO2014102758A1. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: University of Tartu. Дата публикации: 2014-07-03.

Thin-film forming material for use in atomic layer deposition, thin-film, method of producing thin-film, and ruthenium compound

Номер патента: IL312571A. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Gate structure of semiconductor device with controlled work function using atomic layer deposition and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230000226A. Автор: 최창환,이주현,최문석,김민혁,한훈희,김위남. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-01-02.

COMPONENTS WITH AN ATOMIC LAYER DEPOSITION COATING AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150122365A1. Автор: Carr Elizabeth,Killeen Kevin P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality

Номер патента: EP3942596A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing an OLED device by using the same

Номер патента: EP2543749B1. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20170040537A1. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20140370633A1. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US8962360B2. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US10424735B2. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20200144556A1. Автор: LEE Dong-kyu,Kim Mu-Hyun,SUNG Un-Cheol,Lee Su-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20170162832A1. Автор: Kim Taeyong,Park Jaeseok,Kim Kyubum,Hahn Jungsuk,Lim Jonghee. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20160293472A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: CN103255371A. Автор: 卢喆来,金钟宪,康熙哲,蒋允豪,张锡洛. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-21.

Mask frame assembly for thin layer deposition and manufacturing method of organic light emitting display device thereused

Номер патента: KR100741138B1. Автор: 홍재민. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-07-19.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device using the same

Номер патента: TW201447009A. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-16.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7238629B2. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-03.

Deposition apparatus, deposition method, method of manufacturing liquid crystal device

Номер патента: US20080075856A1. Автор: Hiroyuki Kojima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW200514161A. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Lab Co. Дата публикации: 2005-04-16.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Capacitor, method of manufacturing capacitor, capacitor manufacturing apparatus, and semiconductor memory device

Номер патента: US20090045485A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: US12057310B2. Автор: Manchao Xiao,Matthew R Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: EP4441270A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: US20230168417A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a magnetic film having high coercivity for use as a hot seed in a magnetic write head

Номер патента: US09805743B2. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Shengyuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods and Apparatus for Depositing Yttrium-Containing Films

Номер патента: US20190017171A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Lakmal C. Kalutarage,Benjamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

In-situ formation of metal insulator metal capacitors

Номер патента: WO2004010471A3. Автор: Senzaki Yoshihide. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP1913629A1. Автор: Christian Dussarrat,Satoshi Kamiyama,Kazutaka Yaganita. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-04-23.

Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen

Номер патента: US09978937B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20180254413A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20160254447A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240258104A1. Автор: Jung Kyun Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Aluminum-Containing Layers and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200090986A1. Автор: Ding-I Liu,Kai-Shiung Hsu,Jhy-nan Lin,Mu-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Highly porous fine particles with coating, composition and method of production

Номер патента: RU2399432C2. Автор: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Владелец: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Дата публикации: 2010-09-20.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09818885B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: US09698009B2. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09524868B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Fiber having integral weak interface coating, method of making and composite incorporating the fiber

Номер патента: US20230304194A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of preparing positive electrode active material for secondary battery

Номер патента: US11993846B2. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of Preparing Positive Electrode Active Material for Secondary Battery

Номер патента: US20230002899A1. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Laminate and method of producing the same, gas barrier film and method of producing the same, and organic light-emitting element

Номер патента: US20180323401A1. Автор: Kyoko Kuroki,Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of manufacturing substrate for epitaxy

Номер патента: US20170162378A1. Автор: Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Huan-Yu Shih,Yuan-Chuan CHUANG. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: WO2023101862A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-08.

Metal fluoride coated lithium intercalation material and methods of making same and uses thereof

Номер патента: EP3335258A1. Автор: Yair Ein-Eli,Alexander Kraytsberg,Haika DREZNER. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Synthesis of few atomic layer gold crystals

Номер патента: WO2024116131A1. Автор: Ramesh Jagannathan,Mahmoud Rasras,Sudhir Kumar Sharma,Yong-Ak Song,Ajymurat OROZALIEV,Ghada DUSHAQ,Renu Pasricha. Владелец: New York University In Abu Dhabi Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US20240363452A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US12087644B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Transition metal dichalcogenide alloy and method of manufacturing the same

Номер патента: US09963343B2. Автор: Hyungjun Kim,Kyung Yong KO,Kyunam PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-08.

Catalyst support structure, catalyst including the structure, reactor including a catalyst, and methods of forming same

Номер патента: US09643159B2. Автор: Alan W. Weimer,Staci A. Van Norman,Victoria J. Aston. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD

Номер патента: US8912101B2. Автор: Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Naoto Tsuji,Antti Juhani Niskanen,Noboru Takamure,Hyung Sang Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2014-12-16.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Pulsed valve manifold for atomic layer deposition

Номер патента: US09574268B1. Автор: Eric Shero,Herbert Terhorst,Carl White,Todd Dunn,Mike Halpin,Jerry Winkler. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220243330A1. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11834742B2. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018655A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Erosion resistant metal oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US20230286867A1. Автор: Xiaowei Wu,Michael R. Rice,Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: US20210098595A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: EP3799130A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-31.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Zirconium- and titanium-bearing phosphating solution for passivation of metal composite surfaces

Номер патента: RU2464356C2. Автор: Йенс КРЕМЕР,Ян-Виллем БРОУВЕР,Маттиас ХАМАХЕР,Штефан ВИНКЕЛЬС,Франк-Оливер ПИЛАРЕК,Марк БАЛЬЦЕР. Владелец: Хенкель Аг Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2012-10-20.

Methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20070134934A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

High-Crystallinity Barium Titanate Film Structure, Method of Preparation and Application Thereof

Номер патента: US20240102170A1. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Multilayer encapsulation stacks by atomic layer deposition

Номер патента: US11732356B2. Автор: Ning Li,Cong Trinh,Mark Saly,Keenan N. Woods,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240052487A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: US20190284694A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: EP3768873A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US11821085B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Stabilizing garnet-type solid-state electrolytes through atomic layer deposition of ultra-thin layered materials and methods of making same

Номер патента: US20220271334A1. Автор: Leela Mohana Reddy ARAVA,Sathish RAJENDREN,Jeffry Kelber,Aparna Pilli. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2022-08-25.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Deposition Method, Continuous Deposition System, and Application Thereof

Номер патента: US20240240315A1. Автор: Bing-Joe Hwang,Wei-Nien Su,Ping-Chun TSAI,Sheng-Chiang Yang,Chun-Huang Xu,Kuan-Lin Chu. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-07-18.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: EP3958846A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: WO2020219942A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-10-29.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Methods of selectively forming a material using parylene coating

Номер патента: US8945305B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Deposited Material and Method of Formation

Номер патента: US20160155642A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

Atomic Layer Deposition Method and Semiconductor Device Formed by the Same

Номер патента: US20080315293A1. Автор: Min-Hwa Chi,Fumitake Mieno,Hua Ji. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Moisture-resistant electroluminescent phosphor with high initial brightness and method of making

Номер патента: WO2007087479A3. Автор: Frank Schwab,Chen-Wen Fan,Tuan Dang,Joan Coveleskie,Dale Benjamin,David Sheppeck. Владелец: David Sheppeck. Дата публикации: 2008-05-15.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

Smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230395369A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Hee Seok Kim,Kyu Jin Choi,Yoshikazu Okuyama,Moonsig Joo,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: WO2016118573A1. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of depositing a film

Номер патента: US20140179104A1. Автор: Hiroko Sasaki,Hiroaki Ikegawa,Kentaro Oshimo,Masato Koakutsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Continuous process incorporating atomic layer etching

Номер патента: US09627221B1. Автор: Masaru Zaitsu,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of metalizing surface and article obtainable

Номер патента: US09512522B2. Автор: Weifeng Miao. Владелец: Shenzhen BYD Auto R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09425075B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Photobiomolecular deposition of metallic particles and films

Номер патента: US20010016236A1. Автор: Zhong-Cheng Hu. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2001-08-23.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: WO2021127470A9. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-08-19.

Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition

Номер патента: US09719167B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Satoko GATINEAU,Mikiko Kimura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-01.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Transmission electron microscopy supports and methods of making

Номер патента: US09646803B2. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-09.

Durable, low loading oxygen evolution reaction catalysts and methods of forming such catalysts

Номер патента: US20240247386A1. Автор: Timothy J. Kucharski,Raffi M. Garabedian. Владелец: Electric Hydrogen Co. Дата публикации: 2024-07-25.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US09447287B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A3. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of for bonding noble metal structure with a dielectric layer using an adhesive layer

Номер патента: US12027190B1. Автор: Xiaoyue Huang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of depositing atomic layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420248A1. Автор: Hongtaek LIM,Hyunjun AHN,Kyoungwoo Hong,Hanhim Kang,Yeongyeop Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US20230348736A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Transmission Electron Microscopy Supports and Methods of Making

Номер патента: US20160329187A1. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-10.

Ultraviolet radiation activated atomic layer deposition

Номер патента: US20210225644A1. Автор: Christine Y. OUYANG,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Electron-enhanced atomic layer deposition (ee-ald) methods and devices prepared by same

Номер патента: US20240240317A1. Автор: Steven George,Zachary Sobell. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-07-18.

Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing

Номер патента: US11887856B2. Автор: Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yihong Chen,Kelvin Chan,Joseph Yudovsky,Kevin Griffin,Jared Ahmad Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A2. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors

Номер патента: WO2003044242A3. Автор: Ling Chen,Mei Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20220122834A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20230360907A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of depositing tungsten layer with improved adhesion and filling behavior

Номер патента: US09589809B2. Автор: Tao Yang,Qiang Xu,Chao Zhao,Junfeng Li,Jun Luo,Guilei Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Compositions for coatings for packing products and methods of coating application

Номер патента: RU2544676C2. Автор: Бенуа ПРУВОСТ,Джеффри НИЕДЕРСТ,Ричард Х. ЭВАНС,Роберт М. О'БРАЙЕН,Кевин РОМАНЬОЛИ,Грант ШУТТЭ,Пауль СТЕНСОН,КУРЕН Том ВАН. Владелец: Вэлспар Сорсинг, Инк.. Дата публикации: 2015-03-20.

Radio-photoluminescence dosimeter glass of low energy dependence and method of manufacturing same

Номер патента: US3930873A. Автор: Hans-Herbert Kaes,Hans Staaden. Владелец: Ernst Leitz GmbH. Дата публикации: 1976-01-06.

Thin films and methods of making them

Номер патента: US7285500B2. Автор: Ivo Raaijmakers,Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Preparation method of 2XXX aluminum and aluminum alloy surface high-wear-resistance self-lubricating micro-arc oxidation film layer

Номер патента: CN109023468B. Автор: 陈志雄,张伟,朱圣龙,陈巧燕,王艺农,张丽盆. Владелец: Fujian Longxi Bearing Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09802828B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of producing coordination compounds of oligogalacturonic acid with biogenic metals (ii) as delivery systems of biogenic metals (ii) and systems for removing heavy metals (ii)

Номер патента: RU2599494C1. Автор: Нелли Шаликовна Кайшева,Александр Шаликович Кайшев,Ирина Петровна Крат. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Laminate body, gas barrier film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09574266B2. Автор: Toshiaki Yoshihara,Mitsuru Kano,Masato Kon,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2020-04-08.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A3. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-24.

Polyhedral metal nanocages with well-defined facets and ultrathin walls and methods of making and uses thereof

Номер патента: US20210114092A1. Автор: Lei Zhang,DONG Qin,Xue Wang,Younan Xia,Ming Zhao,Junki Kim,Sujin Lee,Xiaojun Sun,Sang-Il Choi. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Crystalline strontium titanate and methods of forming the same

Номер патента: US09816203B2. Автор: Tom E. Blomberg. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-11-14.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of controlling an amount of soluble base content of material comprising lithium carbonate and structure, cathode, and battery formed using the method

Номер патента: WO2020257176A1. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2020-12-24.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly

Номер патента: US09927706B2. Автор: Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Michael Scott Arnold,Paul Franklin Nealey,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-03-27.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of low-temperature plasma-activated heteroepitaxy of nano-dimensional nitride metal films of the third group of mendeleev table

Номер патента: RU2658503C1. Автор: Виталий Алексеевич Тарала,Михаил Георгиевич Амбарцумов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2018-06-21.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240145237A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US20210028467A1. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US20230084103A1. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US11545673B2. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US12009528B2. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of producing an alcohol dispersion of tantalum oxide nanoparticles

Номер патента: RU2741024C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Екатерина Дмитриевна Кошевая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-01-22.

Method of manufacturing a decorative building panel

Номер патента: RU2687427C1. Автор: Масаки САТО,Суити СУГИТА,Сейдзу СУЗУКИ,Масару ХИРАКУ. Владелец: Ниссин Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-13.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of forming graphene by graphite exfoliation

Номер патента: US09309124B2. Автор: Kian Ping Loh,Junzhong Wang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2016-04-12.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US11815668B2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-05-01.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP3380876A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-10-03.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Cobalt-based catalyst on metal structure for selective production of synthetic oil via fischer-tropsch reaction, method of preparing the same, and method of selectively producing synthetic oil using the same

Номер патента: US09586198B2. Автор: Heon Jung,Ho-Tae Lee,Jung-Il Yang,Dong-Hyun Chun,Ji-Chan Park,Sung-Jun Hong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-03-07.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20240061219A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-22.

Multifunctional coating, method of manufacturing thereof, related coated items and uses

Номер патента: WO2023073175A1. Автор: Tom Blomberg,Jesse Kalliomäki,Ilkka MANNINEN,Riina RITASALO,Juhani TASKINEN. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2023-05-04.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20180341090A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-11-29.

Monolithic ceramic body with peripheral area from mixed oxide and metal surface, method of its obtaining and application

Номер патента: RU2552736C2. Автор: Зорин ЛЕНЦ,Гюнтер РЮБИГ,Кристиан МАРИНГЕР,Александер ШРАЙНЕР. Владелец: Керамосс Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Substituted tricyclic compounds and method of application

Номер патента: RU2744766C2. Автор: Сачин В. Пател,Бо ЛЮ,Сюцин ВАН,Филип Р. КИМ,Марлон Д. КАУЕРТ,Эндрю БОГДАН,Джон Р. КЕНИГ,Марк Дж. СКАНИО,Ксения Б. Сирл,Мин С. ЕУНГ,Роберт Дж. АЛЬТЕНБЕЧ,Эрик ВОЙТ,Стивен Н. ГРЕСЗЛЕР,Грегори А. ГФЕССЕР,Уилльям Рамеш ЭСМАЙЮ,Карин Фабьенн МЕЙЛЕГЮ. Владелец: Эббви С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2021-03-15.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Stainless steel with high antirust properties for fuel cell and method of its production

Номер патента: RU2528520C2. Автор: Синсукэ ИДЭ,Син ИСИКАВА,Такуми ЮДЗИРО,Томохиро ИСИИ,Наоки НИСИЯМА,Норико МАКИИСИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-09-20.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Compound For Forming Metal-Containing Film, Composition For Forming Metal-Containing Film, And Patterning Process

Номер патента: US20240241445A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Compound For Forming Metal-Containing Film, Composition For Forming Metal-Containing Film, And Patterning Process

Номер патента: US20240248404A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds

Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, and patterning process

Номер патента: EP4425260A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Compound For Forming Metal-Containing Film, Composition For Forming Metal-Containing Film, And Patterning Process

Номер патента: US20240321585A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of producing light gasoline with low sulfur content

Номер патента: RU2638167C2. Автор: Филибер Лефлев,Оливье ТУЗАЛЕН,Диамантис АСТЕРИС,Дельфин ЛАРЖЕТО,Жан-Люк НОККА. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2017-12-12.

Indolylmaleimide derivatives, method of their obtaining, their application and pharmaceuical composition for treatment or prevention of t-lymphocyte and/or "пкс"- mediated disorders or diseases

Номер патента: RU2340610C2. Автор: Герхард ЦЕНКЕ,Петер ФОН-МАТТ,Юрген ВАГНЕР,Жан-Пьер ЭВЕНУ. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of producing scratch-resistant coating for optical information carriers

Номер патента: RU2324716C2. Автор: Хельмут ШТАЙНБЕРГЕР,Райнер ВЕСПЕР. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2008-05-20.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US9786801B2. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-10.

Highly active alkane dehydrogenation catalyst and method of production thereof

Номер патента: RU2724902C1. Автор: Хима Бинду ДУСА,Рам Мохан ТХАКУР,Дебасис БХАТТАЧАРАЙЯ,Санджив Кумар МАЗУМДАР,Санкара Сри Венката РАМАКУМАР,Камлеш ГУПТА. Владелец: Индийская Нефтяная Корпорация Лимитэд. Дата публикации: 2020-06-26.

Process generating nonoparticles or filiform nonocrystals, process producing inorganic fuller-like structures of metal chalcogenide, inorganic fuller-like structures of metal chalocogenide, stable suspension of if structures of metal chalcogenide, process of production of thin films from if structures of metal chalcogenide, thin film produced by this process and attachment for scanning microscope

Номер патента: RU2194807C2. Автор: Моше ХОМИОНФЕР,Решеф ТЕННЕ,Йишай ФЕЛЬДМАН. Владелец: Йеда Рисерч Энд Дивелопмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2002-12-20.

Multi-layer borophene and method of synthesizing same

Номер патента: US20240150185A1. Автор: Mark C. Hersam,Xiaolong LIU. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-05-09.

Method to stabilize base metal catalysts by overcoating via atomic layer deposition and resulting product

Номер патента: US20160361708A1. Автор: James A. Dumesic,Brandon J. O'Neill. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-15.

Microelectronic contact structure, and method of making same.

Номер патента: US20010002340A1. Автор: Gary Grube,Benjamin Eldridge,Igor Khandros,Gaetan Mathieu. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Cross-linked aminosiloxane polymer and method of forming

Номер патента: US09890253B2. Автор: Ryan Christopher Thomas,Qian Feng,ZHI Li,Bethany K. Johnson,Kimmai Thi Nguyen,Patrick J. Fryfogle. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Indicators and method of marking liquids

Номер патента: RU2628075C2. Автор: Винсент Брайан Кроуд,Иэн Стюарт ЭДУОРТИ,Дункан МАККОЛЛИН. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2017-08-14.

Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates

Номер патента: US8859040B2. Автор: Bill H. Dodge. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2014-10-14.

Catalyst, structures, reactors, and methods of forming same

Номер патента: US11975314B2. Автор: Alan W. Weimer,Staci A. Moulton. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-05-07.

Ink with quantum dots for digital piezo-jet printing and method of application thereof

Номер патента: RU2720778C2. Автор: Олег Григорьевич Буханец,Ирина Сергеевна Огуречникова,Владислав Юрьевич Мирчев. Владелец: Владислав Юрьевич Мирчев. Дата публикации: 2020-05-13.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US20170140937A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US20110318545A1. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US8728577B2. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly For The Organic Layer Deposition Apparatus, And Method Of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using The Frame Sheet Assembly

Номер патента: US20150217319A1. Автор: Kim Mu-Hyun,Choi Myong-Hwan,Lee Sung-Bong,Lee Myung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, ORGANIC LAYER DEPOSITING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITING APPARATUS

Номер патента: US20160380240A1. Автор: KIM Minsoo,LEE Yonggu,Prushinskiy Valeriy,Lee Suhwan,Kim Muhyun,Kim Mugyeom,LEE Dongkyu,Lee Byungkook,Ha Jaesoo,CHO Jaeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160079569A1. Автор: JUN JAE-SUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE SAME

Номер патента: US20140329349A1. Автор: SEO Sung-ho. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-06.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140357001A1. Автор: KIM Na-Jeong,JUN JAE-SUN,JANG BYUNG-MIN. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-12-04.

Mask frame assembly for thin layer deposition and manufacturing method of organic light emitting display device thereused

Номер патента: KR100696523B1. Автор: 홍재민,강창호. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-03-19.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Method of making N-type semiconductor layer and method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09768400B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US20200287091A1. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09828236B2. Автор: Bout Marcelis,Peter Dirksen,Koray Karakaya,Ruediger Mauczok,Marcel Mulder,Johan Klootwijk. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US11075323B2. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-27.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming a catalyst with an atomic layer of platinum atoms

Номер патента: US09610566B2. Автор: Keiichi Kaneko,Minhua Shao,Michael Paul HUMBERT. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming rutile titanium dioxide

Номер патента: US20140065301A1. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical FET with selective atomic layer deposition gate

Номер патента: US09761694B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of making multilayer barrier structure for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2414775C1. Автор: Карстен Агерстед НИЛЬСЕН,Сёрен ЛИНДЕРОТ,Петер Ванг ХЕНДРИКСЕН,Аса ПЕРСОН,Ларс МИКЕЛЬСЕН,Нильс КРИСТЬЯНСЕН,Йорген Гутзон ЛАРСЕН. Владелец: Топсе Фьюэл Сэл А/С. Дата публикации: 2011-03-20.

Atomic layer etching of metal oxides

Номер патента: US20220285163A1. Автор: Robert Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Atomic layer etching of metal oxides

Номер патента: WO2022192092A1. Автор: Robert Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Chip package, method of forming a chip package and method of forming an electrical contact

Номер патента: US12033972B2. Автор: Michael Bauer,Joachim Mahler,Francisco Javier Santos Rodriguez,Jochen Dangelmaier,Frank Hille,Heinrich Koerner,Reimund Engl,Johann Gatterbauer,Antonio Vellei,Werner Kanert,Brigitte Ruehle,Michael Huettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Deposition methods for uniform and conformal hybrid titanium oxide films

Номер патента: US09881787B2. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Chien-Teh Kao,Chikuang Charles Wang,Pingyan Lei,Yung-Hsin Lee,Xuesong Lu,Xinliang Lu,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju,Juno Yu-Ting Huang,Ghazal Saheli,Benjamin C. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing a thin film anode

Номер патента: RU2622905C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-21.

Multilayer nanocomposite for capacitors and method of its manufacturing

Номер патента: RU2432634C1. Автор: Василий Александрович Барган,Петр Александрович Барган,Дмитрий Евгеньевич Кашин,Александр Викторович Пейсахов,Борис Дмитриевич Больщиков,Алексей Борисович Халявин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ"). Дата публикации: 2011-10-27.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: WO2023249824A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: US20230420486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memristor device, method of fabricating the same, synaptic device including the same, and neuromorphic device including the synaptic device

Номер патента: US20230309327A1. Автор: Sung Yool Choi,Sang Su Park,Jun Hwe CHA,Jung Yeop Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Surface modified sofc cathode particles and methods of making same

Номер патента: US20170018782A1. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk,Anthony F. Zeberoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-19.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7592272B2. Автор: Osamu Tonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: CA3187700A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: EP4189349A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-06-07.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: WO2022023482A1. Автор: Jerome Polesel. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2022-02-03.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240234695A9. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Two-sided silicon solar cell and method of making same

Номер патента: RU2601732C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Валерий Константинович Борисов. Владелец: Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2016-11-10.

New marking and method of its implementation

Номер патента: RU2405878C2. Автор: Туомас МУСТОНЕН,Теппо ЗАЛЬБЕРГ,Тимо КАЛЛИО. Владелец: М-реал ОИЙ. Дата публикации: 2010-12-10.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of encapsulating an optoelectronic device and light-emitting diode chip

Номер патента: US09570662B2. Автор: Michael Huber,Karl Engl,Sebastian Taeger,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of producing a thin film cathode

Номер патента: RU2623104C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-22.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11749693B2. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of manufacturing optical member

Номер патента: US20240061159A1. Автор: Takaaki Tada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode

Номер патента: WO2014100611A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming MIS capacitor

Номер патента: US7029985B2. Автор: Garo J. Derderian,Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-18.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Ferroelectric memory devices having improved ferroelectric properties and methods of making the same

Номер патента: US20230378354A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097774A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240072142A1. Автор: Yunsang Kim,Hae-Won Choi,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US20130260184A1. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US8956742B2. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: EP3662517A1. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-06-10.

SOFC interconnect barriers and methods of making same using masks

Номер патента: US10541429B2. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk. Владелец: Sonata Scientific LLC. Дата публикации: 2020-01-21.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: US12100749B2. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09508931B2. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Multilayer structure and method of its production

Номер патента: RU2555016C2. Автор: Синдзи ТАИ,Хироси КАВАИ,Сатоси ЯМАКОСИ,Коута ИСОЯМА,Масао ХИКАСА,Кентаро ЙОСИДА. Владелец: Курарей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-07-10.

Surface relief grating and method of making the same

Номер патента: US20230057283A1. Автор: Jay Patel,Vivek Gupta,Nihar Mohanty,Topalian Topalian. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: WO2018007277A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek -Tno. Дата публикации: 2018-01-11.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US20190157657A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast-natuurweten Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-23.

Led device with protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024123425A1. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Matthias Heidemann,Marcel Rene Bohmer,Ronja Missong,Sarah SOMMER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US10862101B2. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nedarlandse Organisatie Voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno. Дата публикации: 2020-12-08.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: EP3479426A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-08.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: US10411171B2. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-09-10.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150332818A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-19.

Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20190291437A1. Автор: Yuichi Ito,Yasuo Kato,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: US20240332001A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: WO2024206048A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition inverted passivated surface acoustic wave sensor for early detection of biofilm growth

Номер патента: US09417216B2. Автор: Young Wook Kim,Reza Ghodssi,William E. Bentley,Agisilaos A. Iliadis,Mariana Tsacoumis Meyer. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Electromagnetic Radiation Emitting Device and Method of Applying a Converter Layer to an Electromagnetic Radiation Emitting Device

Номер патента: US20210280748A1. Автор: Siegfried Herrmann,Sebastian Taeger,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon

Номер патента: US09735024B2. Автор: Masaru Zaitsu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of making 3d object

Номер патента: RU2459704C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2012-08-27.

Atomic layer etching of metal oxide

Номер патента: WO2019067080A1. Автор: Andreas Fischer,Nerissa Draeger. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369452A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, and patterning process

Номер патента: EP4398036A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Capacitor having a tantalum lower electrode and method of forming the same

Номер патента: US20030006447A1. Автор: Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of making a flexible circuit electrode array

Номер патента: US09669209B2. Автор: Robert Greenberg,Dao Min Zhou,James Little,Neil Talbot,Jordan Neysmith,Brian Mech,Qingfang Yao. Владелец: Second Sight Medical Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Fluid-ejection devices and a deposition method for layers thereof

Номер патента: US7025894B2. Автор: Arjang Fartash,Samson Berhane,Ulrich E. Hess. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-11.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11908751B2. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20230378000A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer etching of metal oxide

Номер патента: US20190096690A1. Автор: Andreas Fischer,Nerissa Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A3. Автор: Cem Basceri,Thomas M Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A2. Автор: Cem Basceri,Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2003-09-25.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240145532A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2024092179A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of manufacturing X-ray exposure mask

Номер патента: US5364717A. Автор: Yasuyuki Miyamoto,Kazuhito Furuya. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 1994-11-15.

Method of manufacturing a TFT array panel for a LCD

Номер патента: US20050048407A1. Автор: Chi-shen Lee,Cheng-Chung Chen,Yung-Fu Wu,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-03.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

3D atomic layer gate or junction extender

Номер патента: US09318318B1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Pouya Hashemi,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Cathode for lithium-sulfur battery and method of its preparation

Номер патента: RU2619080C1. Автор: Минчул ДЗАНГ,Биоунгкук СОН,Ю Ми КИМ,Ги Су ПАРК. Владелец: ЭлДжи КЕМ, ЛТД.. Дата публикации: 2017-05-11.

Fluorescent contrasting near infrared agent and method of fluorescent tomography

Номер патента: RU2350355C2. Автор: Масаюки КАВАКАМИ,Хироши КИТАГУЧИ,Кай КИТАГУЧИ,Кристин ПЕРЛИТЦ,Хироаки ЭГУЧИ,Натсуко ТСУДА,Кацухиро АИКАВА. Владелец: Фуджи Фото Филм Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-03-27.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Silicon/carbon protection of metallic magnetic structures

Номер патента: US4647494A. Автор: Bernard S. Meyerson,Vishnubhai V. Patel,Rajiv V. Joshi,Robert Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-03.

Treated Cellulosic Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230347547A1. Автор: Mark D. Losego,Shawn Alan GREGORY,Shannon K. Yee. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetoresistive random access memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882769B2. Автор: Hui-Lin WANG,Kun-Chen Ho,Bo-Yun Huang,Wen-Wen Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Nano-engineered coatings for anode active materials, cathode active materials, and solid-state electrolytes and methods of making batteries containing nano-engineered coatings

Номер патента: AU2022201282B2. Автор: Erik Anderson,James Trevey,Fabio Albano,David M. King,Subhash Dhar,Kevin DAHLBERG,Srinlvasan VENKATESAN,Paul R. LICHTY. Владелец: Forge Nano Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: US20230292620A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming metal silicide

Номер патента: US20050176227A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chih-Wei Chang,Chii-Ming Wu,Mei-Yun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US20150024300A1. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2015-01-22.

Atomic Layer-Based Surface Treatments for Infrared Detectors

Номер патента: US20230129191A1. Автор: Harold Frank GREER,Cory J. Hill. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-04-27.

Organic ternary solar cells and vacuum-deposited method

Номер патента: US12052877B2. Автор: Stephen R. Forrest,Yongxi LI. Владелец: University of Michigan Medical School. Дата публикации: 2024-07-30.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US09825315B2. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2017-11-21.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Self limiting lateral atomic layer etch

Номер патента: US09620376B2. Автор: Tom Kamp,Neema Rastgar,Michael Carl Drymon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same

Номер патента: US09557636B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of depositing tantalum oxide layer

Номер патента: KR100454758B1. Автор: 박문수,김명규. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-11-05.

Chip arrangement, chip package, method of forming a chip arrangement, and method of forming a chip package

Номер патента: US20230274996A1. Автор: Edward Fürgut,Stefan Schwab,Edmund Riedl,Carsten Schaeffer,Manfred Pfaffenlehner,Stefan KRIVEC,Harry Sax. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming isolation structure

Номер патента: US20200075397A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Cheng Tung,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240136507A1. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: EP4032118A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: WO2021055166A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: WO2024147802A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US20240249913A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid electronic device protected against humidity and method of protecting a hybrid electronic device against humidity

Номер патента: US09793141B2. Автор: Francois Marion,Tony Maindron. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing anode active material with oxide coating on active particles

Номер патента: US09431650B2. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Hiroshi Horiuchi,Kenichi Kawase,Hideki Nakai,Tadahiko Kubota,Takakazu Hirose. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacture of an absorbent soundproofing element and absorbent soundproofing element of automobile panelling

Номер патента: RU2744359C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Хельмут БЕККЕР,Фолькер КУРШ,Маурицио ТАРЕЛЛО. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2021-03-05.

Method of manufacturing a thin-film transistor having an active layer formed using atomic layer deposition

Номер патента: US11798498B2. Автор: Joon Seok Park,Jun Hyung LIM,Jin Seong Park,Jiazhen SHENG,Tae Hyun HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097766A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Forming a semiconductor feature using atomic layer etch

Номер патента: US20210265164A1. Автор: Subhadeep Kal,Shan Hu,Akiteru Ko,Angelique RALEY,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Film-forming compositions comprising salicylic acid and methods of use

Номер патента: US20240307416A1. Автор: Katie F. Wlaschin,Minghua Dai. Владелец: Solventum Intellectual Properties Co. Дата публикации: 2024-09-19.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum

Номер патента: RU2600505C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-10-20.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use

Номер патента: US20120269967A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

DEPOSITION SOURCE ASSEMBLY, ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20130032829A1. Автор: Kim Mu-Hyun,SUNG Un-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20120299016A1. Автор: Choi Myong-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly for the Organic Layer Deposition Apparatus, and Method of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using the Frame Sheet Assembly

Номер патента: US20120301614A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120100644A1. Автор: Park Kyong-Tae,JEONG Byoung-Seong,Prushinskiy Valeriy,Kaplan Len,Cheong Se-Ho,Hyun Won-Sik,Na Heung-Yeol,Choi Yong-Sup. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

GATE OXIDE FILM INCLUDING A NITRIDE LAYER DEPOSITED THEREON AND METHOD OF FORMING THE GATE OXIDE FILM

Номер патента: US20120241874A1. Автор: KU Ja-Hum,KIM BYUNG-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120299023A1. Автор: LEE Dong-kyu,Kim Mu-Hyun,Lee Yun-Mi,Song Jung-Bae,Lee Sang-Pil,Song Young-Rok,Kim Jong-Heon,Ryu Jae-Kwang,Kim Byung-Su. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE SAME

Номер патента: US20120301986A1. Автор: Kim Mu-Hyun,Choi Myong-Hwan,Lee Sung-Bong,Lee Myung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20130009177A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20130217164A1. Автор: Chang Seok-Rak,Roh Cheol-Lae,Kim Jong-Heon,Chang Yun-Ho,KANG Hee-Cheul. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

Depositing method and device of metal film on ceramic base body

Номер патента: JPH1192952A. Автор: Naoaki Kogure,直明 小榑. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making multilayer article

Номер патента: RU2481955C2. Автор: Евгений Александрович Кузнецов. Владелец: Евгений Александрович Кузнецов. Дата публикации: 2013-05-20.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of alloying and alloyed material

Номер патента: RU2370464C2. Автор: Маркку РАЯЛА,Пекка СОИНИНЕН,Лаури НИИНИСТЁ,Матти ПУТКОНЕН,Джо ПИМЕНОФФ,Яни ПЯЙВЯСААРИ. Владелец: БЕНЕК ОЙ. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of production of metals by electrolysis of the molten salts

Номер патента: RU2274680C2. Автор: Петр Васильевич Поляков,ков Петр Васильевич Пол,Дмитрий Александрович Симаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-технологический центр "Легкие металлы". Дата публикации: 2006-04-20.

Method of all-purpose modifying agent production applied for polyurethanes and foamed polyurethanes

Номер патента: RU2325406C2. Автор: Альфия Исхаковна Исмагилова,Юрий Петрович Кочкин,Альфи Исхаковна Исмагилова,Гузель Абдулбариевна Аминова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр промышленных технологий". Дата публикации: 2008-05-27.

Method of extracting ions of heavy metals from water solutions

Номер патента: RU2329098C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Никифорова,Владимир Александрович Козлов,Тать на Евгеньевна Никифорова,Марина Владимировна Родионова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2008-07-20.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing semiconductor graphene

Номер патента: RU2544266C2. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" МГУПС (МИИТ). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of laser application of metal coatings and conductors onto dielectrics

Номер патента: RU2444161C1. Автор: Алексей Викторович Курочкин,Алина Анвяровна Маньшина,Алексей Валерьевич Поволоцкий,Анастасия Валерьевна Поволоцкая,Сергей Павлович Туник,Игорь Олегович Кошевой,Олег Сергеевич Грунский,Юрий Станиславович Тверьянович. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2012-02-27.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Development method of integration no having holes of thin details for application on it of metallic coatings and device for its iplementation

Номер патента: RU2357018C1. Автор: Николай Михайлович Беляев,Алексей Борисович Акинин,Олег Александрович Логинов,Сергей Викторович Литвинчук. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2009-05-27.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor light-emitting elements

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

Method of water purification and a complex floculating agent for the method realization

Номер патента: RU2253625C1. Автор: В.И. Сергиенко,В.А. Авраменко,С.Ю. Братска,С.Ю. Братская,Д.В. Червонецкий. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения)(Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2005-06-10.

Compound for receiving of polymerous inhibited coating with increased oil absorbtion and plating method of polymerous inhibited coating with increased oil absorbtion

Номер патента: RU2359069C2. Автор: Валентин Николаевич Нарышкин,Антонина Николаевна Михайлова,Ирина Владимировна Левитина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНПРОМСЕРВИС XXI ВЕК". Дата публикации: 2009-06-20.

Method of obtaining palladium catalyst on active aluminium oxide for low-temperature carbon oxide oxidation

Номер патента: RU2339446C1. Автор: Израиль Иосифович Гарцман,Всеволод Владиславович Кордиалик,Наталья Михайловна Антонова,Галина Петровна Пащенко,Владимир Петрович Макляев,Валентин Васильевич Чебыкин,Лариса Дмитриевна Глазунова,Анатолий Петрович Дзисяк,Евгений Владимирович Тихомиров,Валентин Васильевич Чебыкин (RU),ев Владимир Петрович Макл (RU),Наталь Михайловна Антонова (RU),Галина Петровна Пащенко (RU),к Анатолий Петрович Дзис (RU),Лариса Дмитриевна Глазунова (RU),Евгений Владимирович Тихомиров (RU),Всеволод Владиславович Кордиалик (RU),Израиль Иосифович Гарцман (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальское научно-производственное объединение "Неорганика" (ОАО "ЭНПО "Неорганика"). Дата публикации: 2008-11-27.

Method of obtaining manganese (ii) benzoate

Номер патента: RU2391332C1. Автор: Анатолий Михайлович Иванов,Светлана Дмитриевна Пожидаева,Татьяна Александровна Маякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Курский государственный технический университет (КурскГТУ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of generating stream of negative ions

Номер патента: RU2368977C2. Автор: Виктор Сергеевич Кленов,Виктор Сергеевич Кленов (RU). Владелец: Институт ядерных исследований РАН (ИЯИ РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

Method of cleaning tubing string of well from paraffin deposits

Номер патента: RU2584192C1. Автор: Ильдар Зафирович Денисламов,Александр Иосифович Пономарев,Ильфир Зуфарович Исаев. Владелец: Ильфир Зуфарович Исаев. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of complex restoration and maintenance of the skin, subcutaneous fat, muscle and connective tissue in cosmetology (optional)

Номер патента: RU2576788C1. Автор: Екатерина Евгеньевна Фаустова. Владелец: Екатерина Евгеньевна Фаустова. Дата публикации: 2016-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.