Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Radical Etching in Gate Formation

Номер патента: US20200105908A1
Опубликовано: 02-04-2020
Автор(ы): Chang-Sheng Lee, Fu-Yao Nien, Tony Huang, Wei-Yu Tsai
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Radikalätzen in Gate-Bildung

Номер патента: DE102019125427A1. Автор: Chang-Sheng Lee,Tony Huang,Wei-Yu Tsai,Fu-Yao Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Forming uniform WF metal layers in gate areas of nano-sheet structures

Номер патента: US09685522B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having a buried gate that can realize a reduction in gate-induced drain leakage (gidl) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110275188A1. Автор: Min Soo Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

SELECTIVE FuSi GATE FORMATION IN GATE FIRST CMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160064382A1. Автор: Stefan Flachowsky,Peter Javorka,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Devices with fully and partially silicided gate structures in gate first cmos technologies

Номер патента: US20160204217A1. Автор: Stefan Flachowsky,Peter Javorka,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Gate formation scheme for nanosheet transistors having different work function metals and different nanosheet width dimensions

Номер патента: US20200006356A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US11538923B2. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Method for etching back hard mask layer on tops of dummy polysilicon gates in gate last process

Номер патента: US20220102531A1. Автор: Ying Xu,Ran Huang,Shidong Fu,Bohan Jiang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Mosfet gate formation

Номер патента: US20240178289A1. Автор: David Kent,Hungjin Kim,Ian Cousins,Epameinondas Efthymiou,Milan Madaras. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Fin and gate dimensions for optimizing gate formation

Номер патента: US10629706B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336289A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210391220A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140332958A1. Автор: Zhao Chao,Li Chunlong,Yan Jiang,Li Junfeng. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Polysilicon gate formation in cmos transistors

Номер патента: WO2019133968A1. Автор: Umamaheswari Aghoram,Pushpa Mahalingam. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

NEGATIVE CAPACITANCE MATCHING IN GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20190115437A1. Автор: KRIVOKAPIC Zoran,Bentley Steven,Suvarna Puneet Harischandra,Galatage Rohit. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING DIFFERENT WORK FUNCTION METALS AND DIFFERENT NANOSHEET WIDTH DIMENSIONS

Номер патента: US20200006356A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

CO-INTEGRATED CHANNEL AND GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200020690A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method of metal gate formation and structures formed by the same

Номер патента: US20210028069A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Yi-Jing Lee,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

CO-INTEGRATED CHANNEL AND GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200083221A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

GATE FORMATION WITH VARYING WORK FUNCTION LAYERS

Номер патента: US20180350955A1. Автор: CHEN STAN,WU Han-Wei,Chen Jin-Dah. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method of metal gate formation and structures formed by the same

Номер патента: US20230079483A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Yi-Jing Lee,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of metal gate formation and structures formed by the same

Номер патента: US11908749B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Yi-Jing Lee,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

SELECTIVE FuSi GATE FORMATION IN GATE FIRST CMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160064382A1. Автор: Flachowsky Stefan,Javorka Peter,Zschatzsch Gerd. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Selective high-K formation in gate-last process

Номер патента: US10964542B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Yasutoshi Okuno,Ziwei Fang,Fu-Ting Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

CMOS implementation of germanium and III-V nanowires and nanoribbons in gate-all-around architecture

Номер патента: US09666492B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Van Le,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Cmos implementation of germanium and iii-v nanowires and nanoribbons in gate-all-around architecture

Номер патента: US20170229354A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Van Le,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

CMOS IMPLEMENTATION OF GERMANIUM AND III-V NANOWIRES AND NANORIBBONS IN GATE-ALL-AROUND ARCHITECTURE

Номер патента: US20190229022A1. Автор: Rachmady Willy,Mukherjee Niloy,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,LE VAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

UNIFORM LOW-K INNER SPACER MODULE IN GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTORS

Номер патента: US20180277656A1. Автор: Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Yeung Chun W.,Chao Robin H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Cmos implementation of germanium and iii-v nanowires and nanoribbons in gate-all-around architecture

Номер патента: US20150325481A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Van Le,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

CMOS implementation from germanium and III-V nanowires and nanobelts in gate all-round architecture

Номер патента: DE112011105970B4. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Selective high-k formation in gate last process

Номер патента: CN109786254B. Автор: 蔡腾群,方子韦,奧野泰利,颜甫庭. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Metal Gate Formation Through Etch Back Process

Номер патента: US20180040715A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Metal Gate Formation Through Etch Back Process

Номер патента: US20180342599A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Co-integrated channel and gate formation scheme for nanosheet transistors having separately tuned threshold voltages

Номер патента: US10692866B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Co-integrated channel and gate formation scheme for nanosheet transistors having separately tuned threshold voltages

Номер патента: US11830877B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9263339B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9653574B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Two Step Poly Etch LDMOS Gate Formation

Номер патента: US20110244644A1. Автор: Marco A. Zuniga. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-10-06.

Two step poly etch ldmos gate formation

Номер патента: WO2011126761A3. Автор: Marco A. Zuniga. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-19.

Two Step Poly Etch LDMOS Gate Formation

Номер патента: US20140087531A1. Автор: Marco A. Zuniga. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Two step poly etch ldmos gate formation

Номер патента: SG184322A1. Автор: Marco A Zuniga. Владелец: Volterra Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Gate-to-bulk substrate isolation in gate-all-around devices

Номер патента: US20170256655A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Gate-to-bulk substrate isolation in gate-all-around devices

Номер патента: US20170256655A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Selective High-K Formation in Gate-Last Process

Номер патента: US20200013622A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Fang Ziwei,OKUNO Yasutoshi,Yen Fu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING INCREASED CHANNEL STRAIN USING FIN RELEASE IN GATE REGIONS

Номер патента: US20180130894A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Selective High-K Formation in Gate-Last Process

Номер патента: US20190148151A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Fang Ziwei,OKUNO Yasutoshi,Yen Fu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING INCREASED CHANNEL STRAIN USING FIN RELEASE IN GATE REGIONS

Номер патента: US20190237561A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Method for controlling defects in gate dielectrics

Номер патента: US7351626B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay,James J. Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Semiconductor structures having increased channel strain using fin release in gate regions

Номер патента: US9954083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structures having increased channel strain using fin release in gate regions

Номер патента: US10056474B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Defect control in gate dielectrics

Номер патента: US20050136690A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Mark Visokay,Antonio Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

BOTTOM-UP METAL GATE FORMATION ON REPLACEMENT METAL GATE FINFET DEVICES

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Bottom-up metal gate formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Leakage Reduction in Gate-All-Around Devices

Номер патента: US20220052155A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Dielectric isolation in gate-all-around devices

Номер патента: US20190109040A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Pietro Montanini,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Dielectric isolation in gate-all-around devices

Номер патента: US20190393076A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Pietro Montanini,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

DIELECTRIC ISOLATION IN GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20190109040A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,MONTANINI Pietro,CHAO ROBIN HSIN KUO. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

DIELECTRIC ISOLATION IN GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20190393076A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,MONTANINI Pietro,CHAO ROBIN HSIN KUO. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-26.

A method of reducing the generation of charge trapping sites in gate dielectrics in MOS transistors by performing a hydrogen treatment

Номер патента: DE102007063270B4. Автор: Rolf Stephan,Thorsten Kammler,Martin Trentzsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

Leakage reduction in gate-all-around devices

Номер патента: US11374088B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Gate Formation with Varying Work Function Layers

Номер патента: US20200251578A1. Автор: CHEN STAN,WU Han-Wei,Chen Jin-Dah. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Gate formation with varying work function layers

Номер патента: US11830936B2. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate Formation with Varying Work Function Layers

Номер патента: US20200251578A1. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Anisotropic wet etching in patterning

Номер патента: US20230420265A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang,Tefu Yeh,Cheng-Chieh TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210335783A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Chang Shang-Wen,Chuang Cheng-Chi,CHIU Yi-Hsun,HUANG Yu-Xuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US09741823B1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Selective High-K Formation in Gate-Last Process

Номер патента: US20210225654A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Fang Ziwei,OKUNO Yasutoshi,Yen Fu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Multiple dipole of different strengths in gate all around transistor

Номер патента: US20230261074A1. Автор: Jing Guo,Jingyun Zhang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for chamfering work function material layers in gate cavities having varying widths

Номер патента: US20190348508A1. Автор: Hui Zang,Guowei Xu,Rongtao Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122801A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD OF METAL GATE FORMATION AND STRUCTURES FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20200135589A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin,HSU CHIA-MING,Lee Yi-Jing,CHEN I-Sheng,Cheng Ya-Yun,Lin Hau-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122708A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122801A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Two-Step Dummy Gate Formation

Номер патента: US20170338326A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

MULTI-DEPTH ETCHING IN SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20210066132A1. Автор: Chiang Tsung-Yu,Chu-Hsuan Chen,Chao Hsin-Lung,Chen Kuan-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

MULTI-DEPTH ETCHING IN SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20170084494A1. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu,Chu-Hsuan Chen,Chao Hsin-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

MULTI-DEPTH ETCHING IN SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20190096766A1. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu,Chu-Hsuan Chen,Chao Hsin-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

MULTI-DEPTH ETCHING IN SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20180174914A1. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu,Chu-Hsuan Chen,Chao Hsin-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for fin field effect transistor formation

Номер патента: US10515815B2. Автор: Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Weiye Zhu,Zhaohong Han,Seokhwan Lee,Noel Sun. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for etching in nanometric scale a germanium-tin (gesn) alloy for fet transistor

Номер патента: EP3859769A1. Автор: Bassem Salem,Franck Bassani,Jean-Michel Hartmann,Etienne EUSTACHE,Mohamed-Aymen MAHJOUB. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-08-04.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US20230223434A1. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Verfahren zur Anpassung einer negativen Kapazität in Gate-Elektrodenstrukturen und dazugehörige Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102018217684B4. Автор: Zoran Krivokapic,Steven Bentley,Puneet Harischandra Suvarna,Rohit Galatage. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US12080756B2. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate Formation Memory by Planarization

Номер патента: US20150179817A1. Автор: Mark T. Ramsbey,Chun Chen,Shenqing Fang,David Matsumoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Negative capacitance matching in gate electrode structures and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI690985B. Автор: 帕尼特 哈瑞漢德拉 蘇瓦納,佐蘭 克里佛卡皮茨,羅希特 蓋拉特吉,史蒂芬 賓利. Владелец: 美商格芯（美國）集成電路科技有限公司. Дата публикации: 2020-04-11.

Gate Formation Memory by Planarization

Номер патента: US20160218227A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,Ramsbey Mark T.,Matsumoto David. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Gate formation memory by planarization

Номер патента: WO2015095717A1. Автор: Mark T. Ramsbey,Chun Chen,Shenqing Fang,David Matsumoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure with two adjacent metal layers in gate structure

Номер патента: US20220005952A1. Автор: Wang Zheng,Jagar Singh,Sudarshan Narayanan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Austrittsarbeitssteuerung in gate-strukturen

Номер патента: DE102020115412B3. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Ji-Cheng Chen,Chi Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Enhanced bottom dielectric isolation in gate-all-around devices

Номер патента: US20210305420A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

REDUCING GATE EXPANSION AFTER SOURCE AND DRAIN IMPLANT IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20150076622A1. Автор: Liu Jinping,Zhan Hui,LEE Bongki,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Mobility improvement in gate all around transistors based on substrate orientation

Номер патента: EP4297075A1. Автор: Susmita Ghose,William Hsu,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich,Devin Merrill,Glenn Glass,Rambert Nahm,Natalie BRIGGS,Rajat PAUL,Adedapo Oni,Shruti SUBRAMANIAN,Rahul RAMAMURTHY,Hsin-Ying Tseng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Mobility improvement in gate all around transistors based on substrate orientation

Номер патента: US20230420574A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Susmita Ghose,William Hsu,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Aaron A. Budrevich,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Glenn Glass,Rambert Nahm,Natalie BRIGGS,Rajat K. Paul,Shruti SUBRAMANIAN,Rahul RAMAMURTHY,Hsin-Ying Tseng,Devin R. Merrill,Adedapo A. ONI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Source drain formation in gate all around transistor

Номер патента: WO2023034168A1. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Dummy gate formation using spacer pull down hardmask

Номер патента: US09728622B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Split gate formation with high density plasma (hdp

Номер патента: TWI359504B. Автор: Hebert Francois,Wang Yu,Chang Hong,TAI SUNG-SHAN,PAN Mengyu,Hu Yong-Zhong,Lou Yingying. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-03-01.

Split gate formation with high density plasma (HDP) oxide layer inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: TW200832707A. Автор: Wang Yu,Francois Hebert,Hong Chang,Sung-Shan Tai,Yong-Zhong Hu,Meng-Yu Pan,Lou Yingying. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-08-01.

Dummy gate formation using spacer pull down hardmask

Номер патента: US09893166B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

STRUCTURE WITH TWO ADJACENT METAL LAYERS IN GATE STRUCTURE

Номер патента: US20220005952A1. Автор: SINGH Jagar,Narayanan Sudarshan,Zheng Wang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

CONTROL OF LENGTH IN GATE REGION DURING PROCESSING OF VFET STRUCTURES

Номер патента: US20190035938A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US11374128B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US20240128376A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US11855220B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

DUMMY GATE FORMATION USING SPACER PULL DOWN HARDMASK

Номер патента: US20170323951A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

REPLACEMENT GATE FORMATION WITH ANGLED ETCH AND DEPOSITION

Номер патента: US20190341315A1. Автор: Lee Jae Young,Varghese Sony,Sung Min Gyu,VARIAM NAUSHAD K.,Van Meer Johannes. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Vertical fet replacement gate formation with variable fin pitch

Номер патента: WO2023040470A1. Автор: Yao Yao,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Process window control for gate formation in semiconductor devices

Номер патента: US11908903B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

High voltage gate formation

Номер патента: WO2014093611A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20230187288A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Process window control for gate formation in semiconductor devices

Номер патента: US20240170543A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Dummy gate formation using spacer pull down hardmask

Номер патента: US20170323951A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

High Voltage Gate Formation

Номер патента: US20140167137A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for manufacturing dummy gate in gate-last process and dummy gate in gate-last process

Номер патента: US09419095B2. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-16.

High electron mobility transistor with doped semiconductor region in gate structure

Номер патента: US20240222488A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-04.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for using thin spacers and oxidation in gate oxides

Номер патента: US20020127813A1. Автор: Salman Akram,Mohamed Ditali. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20220123138A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-04-21.

High electron mobility transistor with doped semiconductor region in gate structure

Номер патента: US11929430B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-12.

METHOD FOR ETCHING BACK HARD MASK LAYER ON TOPS OF DUMMY POLYSILICON GATES IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20220102531A1. Автор: XU Ying,Huang Ran,Fu Shidong,Jiang Bohan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Detzel Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Fin and Gate Dimensions for Optimizing Gate Formation

Номер патента: US20200091320A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Fin and Gate Dimensions for Optimizing Gate Formation

Номер патента: US20190348527A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Method and system for metal gate formation with wider metal gate fill margin

Номер патента: US8716785B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Meng-Hsuan Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: US20120052670A1. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Multi-depth etching in semiconductor arrangement

Номер патента: CN104465717A. Автор: 陈光鑫,江宗育,陈巨轩,赵信隆. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (NVM) with simultaneous etch in non-NVM area

Номер патента: TW201209894A. Автор: Mehul D Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Radical Etching in Gate Formation

Номер патента: US20200105908A1. Автор: Huang Tony,LEE Chang-Sheng,Tsai Wei-Yu,Nien Fu-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain

Номер патента: WO2008147433A2. Автор: Michael Francis Pas,Zhibo Zhang,Cloves Rinn Cleavelin,Stephanie Watts Butler,Mike Watson Goodwin,Satyavolu Srininas Papa Rao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods for transistor gate formation using gate sidewall implantation

Номер патента: US20030194851A1. Автор: Benjamin McKee,F. Johnson,Tad Grider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING INCREASED CHANNEL STRAIN USING FIN RELEASE IN GATE REGIONS

Номер патента: US20170053994A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

THREE-DIMENSIONAL FINFET TRANSISTOR WITH PORTION(S) OF THE FIN CHANNEL REMOVED IN GATE-LAST FLOW

Номер патента: US20170069759A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device storing charge in gate insulating layer therein

Номер патента: US20010041434A1. Автор: Akihiro Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

POLYSILICON GATE FORMATION IN CMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20190206689A1. Автор: Mahalingam Pushpa,Aghoram Umamaheswari. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

T-type gate formation method

Номер патента: KR970054538A. Автор: 이진희,박철순,박병선,김기홍,윤형섭,양전욱. Владелец: 양승택. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of composite gate formation

Номер патента: US7323755B2. Автор: Ronald A Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-29.

Methods for transistor gate formation using gate sidewall implantation

Номер патента: US6682994B2. Автор: F. Scott Johnson,Benjamin P. Mckee,Tad Grider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-27.

Process for holding strain in an island etched in a strained thin layer and structure obtained by implementation of this process

Номер патента: TW200710974A. Автор: Alice Boussagol,Ian Cayrefourcq. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2007-03-16.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230369324A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US11810917B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210335783A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

MULTI-DEPTH ETCHING IN SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20150069528A1. Автор: Chiang Tsung-Yu,Chu-Hsuan Chen,Kuang-Hsin Chen,Chao Hsin-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: KR102432494B1. Автор: 칭-웨이 차이,이-순 치우,유-수안 후앙,쳉-치 추앙,샹-웬 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-08-12.

There is in gate medium the power semiconductor field effect transistor structure of charge trapping material

Номер патента: CN103430315B. Автор: 单建安,周贤达. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-03-01.

Controlling Gate Formation for High Density Cell Layout

Номер патента: US20150318367A1. Автор: Young Bao-Ru,Tsai Tsung-Chieh,MII Yuh-Jier,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Kuei Shun,Liu Chia-Chu,Kuo Cheng-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system

Номер патента: US09831099B2. Автор: David L. O'Meara,Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and method for allowing avalanche photodiode based single-photon detectors to be driven by the same electrical circuit in gated and in free-running modes

Номер патента: US9246041B1. Автор: Alexis Rochas,Bernard Clausen,Laurent Monat. Владелец: ID QUANTIQUE SA. Дата публикации: 2016-01-26.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: WO2022235364A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20230282730A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

Lateral DMOS structure with lateral extension structure for reduced charge trapping in gate oxide

Номер патента: US20050214995A1. Автор: James Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING GATE PROFILE USING THIN FILM STRESS IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20170053913A1. Автор: Ryu Koung-Min,KANG Sang-Koo,Min Sun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Manufacture method of metal gates in gate-post process

Номер патента: CN102437032B. Автор: 王文武,项金娟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-01.

Manufacture method of metal gates in gate-post process

Номер патента: CN102437032A. Автор: 王文武,项金娟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-02.

Drain select gate formation methods and apparatus

Номер патента: US09842847B2. Автор: Gordon Haller,Luan C. Tran,Hongbin Zhu,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US09640402B1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING INCREASED CHANNEL STRAIN USING FIN RELEASE IN GATE REGIONS

Номер патента: US20170053839A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Gate Formation Memory by Planarization

Номер патента: US20150179817A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,Ramsbey Mark T.,Matsumoto David. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

METAL GATE FORMATION USING AN ENERGY REMOVAL FILM

Номер патента: US20180204929A1. Автор: Singh Sunil K.,Mishra Shiv K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Double gate formation method of semiconductor device

Номер патента: KR19990027355A. Автор: 한석빈. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-04-15.

Gate formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100290778B1. Автор: 윤용혁,정의삼. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-06-01.

Methods of forming field effect transistors using a gate cut process following final gate formation

Номер патента: US9786507B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Three dimensional NAND device and method of charge trap layer separation and floating gate formation in the NAND device

Номер патента: CN104541370A. Автор: R.S.马卡拉,J.阿尔斯迈耶,Y-S.李. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US9947545B2. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Double-pattern gate formation processing with critical dimension control

Номер патента: US20140220767A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US20170243748A1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for forming determined arsenic doping in trenches etched in silicon semiconductor substrates

Номер патента: EP0491975A1. Автор: Rainer Braun,Helmuth Dipl.-Ing. Treichel (Fh),Bernhard Dipl.-Ing. Neureither (Fh),Dieter Dipl.-Ing. Fuchs (Fh). Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-07-01.

Method for wafer etching in deep silicon trench etching process

Номер патента: US09728472B2. Автор: Xiaoming Li,Anna Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Double-gate FET fabricating method, involves inverting and bonding assembly of gate and hard layer to substrate, forming another gate in gate cavity, siliciding defining layer, and depositing metal for producing source and drain electrodes

Номер патента: FR2899381A1. Автор: Christophe Licitra,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-10-05.

Dielectric filler fins for planar topography in gate level

Номер патента: US20150333156A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Two-step dummy gate formation

Номер патента: US09741821B1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

ENHANCED BOTTOM DIELECTRIC ISOLATION IN GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20210305420A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Frougier Julien,Greene Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

DIELECTRIC FILLER FINS FOR PLANAR TOPOGRAPHY IN GATE LEVEL

Номер патента: US20150333156A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Nowak Edward J.,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang Chang-Yun,Yu Chih-Hao,PENG Yu-Jiun,Syu Chang-Jhih,Tsao Hsiu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

GATE CUTS AFTER METAL GATE FORMATION

Номер патента: US20180277645A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Two-Step Dummy Gate Formation

Номер патента: US20170338326A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,PAN Kuan-Ting,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Verfahren zum BPSG-Glasverfüllen von Öffnungen in Gate-Elektrodenschichten

Номер патента: DE10153200B4. Автор: Thomas Schuster,Jurgen Amon,Jurgen Faul,Ralf Staub. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

Vertical power transistor with built-in gate buffer

Номер патента: US20140374773A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,David Grider,Charlotte Jonas,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Vertical power transistor with built-in gate control circuitry

Номер патента: WO2014209475A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,David Grider,Charlotte Jonas,Craig Capell. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Methods for Forming Gates in Gate-Last Processes and Gate Areas formed by the Same

Номер патента: US20120080755A1. Автор: Ho Young Kim,Jaeseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

Well Implant Through Dummy Gate Oxide In Gate-Last Process

Номер патента: US20150155382A1. Автор: Wang Ping-Wei,Hung Sheng Chiang,Huang Huai-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Vertical power transistor with built-in gate buffer

Номер патента: US20140374773A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,David Grider,Charlotte Jonas,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

METHODS FOR CHAMFERING WORK FUNCTION MATERIAL LAYERS IN GATE CAVITIES HAVING VARYING WIDTHS

Номер патента: US20190348508A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Lu Rongtao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Void-free contact trench fill in gate-all-around fet archtecture

Номер патента: WO2022250820A1. Автор: Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-12-01.

Void-free contact trench fill in gate-all-around fet archtecture

Номер патента: US20220384258A1. Автор: Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

PROTECTION OF SEMICONDUCTOR-OXIDE-CONTAINING GATE DIELECTRIC DURING REPLACEMENT GATE FORMATION

Номер патента: US20160005735A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.,Costrini Gregory. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-07.

PROTECTION OF SEMICONDUCTOR-OXIDE-CONTAINING GATE DIELECTRIC DURING REPLACEMENT GATE FORMATION

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.,Costrini Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Method of enhancing lithography capabilities during gate formation in semiconductors having a pronounced surface topography

Номер патента: US8101512B2. Автор: Manfred Horstmann,Martin Trentzsch,Martin Gerhardt,Markus Forsberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-24.

Conductors having a variable concentration of germanium for governing removal rates of the conductor during control gate formation

Номер патента: US9666449B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

FET mfg. process esp. with sub-micron quantum wire channel - using two-level electron beam resist system, with different electron exposure sensitivities in resist layers, and forming gate recess in gallium arsenide layer with holes dry etched in aluminium gallium arsenide channel layer

Номер патента: FR2693030A1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Poul Erik,Adam Didier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-12-31.

Highly conformal metal etch in high aspect ratio semiconductor features

Номер патента: US20230386830A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen,Wanxing Xu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Highly conformal metal etch in high aspect ratio semiconductor features

Номер патента: WO2023229628A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen,Wanxing Xu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Selective Etching in the Formation of Epitaxy Regions in MOS Devices

Номер патента: US20160163827A1. Автор: Lee Tze-Liang,Li Chii-Horng,Cheng Yu-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing control gate etch in semiconductor device

Номер патента: KR100489519B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-05-16.

Method for controlling etching in pitch doubling

Номер патента: US09564342B2. Автор: Kosuke Ogasawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Insitu hardmask and metal etch in a single etcher

Номер патента: US6159863A. Автор: Susan Chen,Anne E. Sanderfer,Judi Quan Rizzuto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Leakage Reduction in Gate-All-Around Devices

Номер патента: US20220052155A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20150035087A1. Автор: Zhao Chao,Li Chunlong,Yan Jiang,Li Junfeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Method for manufacturing metal gate stack structure in gate-first process

Номер патента: US8598002B2. Автор: Qiuxia Xu,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-03.

Barrier in gate stack for improved gate dielectric integrity

Номер патента: US6770571B2. Автор: Nanseng Jeng,Aftab Ahmad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-03.

Method and apparatus for minimizing dopant outdiffusion in gate structure

Номер патента: CN1155056C. Автор: ��������ķ������,˹�ٷҡ�K����,斯蒂芬·K·洛,克里斯廷·德姆,�и���C������˹,克里斯托弗·C·帕克斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for minimizing vertical and lateral dopant diffusion in gate structures

Номер патента: DE69836607T2. Автор: Stephen K. Fishkill Loh,Christopher C. Beacon Parks,Christine Wappingers Falls Dehm. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of forming tungsten nitride layer as metal diffusion barrier in gate structure of MOSFET device

Номер патента: US20020072209A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS USING A GATE CUT PROCESS FOLLOWING FINAL GATE FORMATION

Номер патента: US20160056181A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

GATE FORMATION SCHEME FOR N-TYPE AND P-TYPE TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200118888A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

GATE FORMATION SCHEME FOR N-TYPE AND P-TYPE TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200118889A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

REPLACEMENT METAL GATE FORMATION OF PMOS ULTRA-LOW VOLTAGE DEVICES USING A THERMAL IMPLANT

Номер патента: US20200273707A1. Автор: Zhang Qintao,Shim Kyu-Ha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-27.

PROCESS WINDOW CONTROL FOR GATE FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20230008921A1. Автор: Chen Chen-Ping,Chen Chao-Cheng,Chang Ming-Ching,LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Kao Kuei-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2023-01-12.

Metal control gate formation in non-volatile storage

Номер патента: US20120187468A1. Автор: Vinod Robert Purayath,Takashi Whitney Orimoto,Jarrett Jun Liang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE ELECTRODE EMBEDDED IN GATE TRENCH

Номер патента: US20140015027A1. Автор: MIKASA Noriaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

DEVICES WITH FULLY AND PARTIALLY SILICIDED GATE STRUCTURES IN GATE FIRST CMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160204217A1. Автор: Flachowsky Stefan,Javorka Peter,Zschatzsch Gerd. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Flip-Chip Packaged Power Transistor Module Having Built-in Gate Driver

Номер патента: US20230378145A1. Автор: Chun-Yu Lin,Chih-Chuan Liang,Jason An Cheng Huang,Kun-Tzu Chen,Nai-His Hu,Ho-Chieh Yu,Chen-Cheng-Lung Liao. Владелец: Sentec Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

CMOS structure with maximized polysilicon gate activation and a method for selectively maximizing doping activation in gate, extension, and source/drain regions

Номер патента: US20020173105A1. Автор: Fariborz Assaderaghi,Heemyong Park,Dominic Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Austrittsarbeitseinstellung in Gate-Stapeln mit großem ε für Bauelemente mit unterschiedlichen Schwellwertspannungen

Номер патента: DE102009047310A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

A CMOS structure with maximized polysilicon gate activation and a method for selectively maximizing doping activation in gate, extension, and source/drain regions

Номер патента: TW586151B. Автор: Fariborz Assaderaghi,Heemyong Park,Dominic J Schepis. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-05-01.

Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process

Номер патента: US20140065786A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods and apparatus to prevent over-etch in semiconductor packages

Номер патента: US20240222283A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Tarek Ibrahim,Srinivas PIETAMBARAM,Sairam Agraharam,Ashay Dani,Xiaoxuan SUN,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Leonel Arana,Adwait TELANG,Bohan Shan,Holly Sawyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

A method and a system for characterising structures etched in a substrate

Номер патента: WO2023222393A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate formation process

Номер патента: US20220181215A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Gate Formation Process

Номер патента: US20210265219A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

NON-VOLATILE MEMORY WITH REDUCED VARIATIONS IN GATE RESISTANCE

Номер патента: US20180033798A1. Автор: Lee Yao-Sheng,Chen Jian,Makala Raghuveer S.,LU Ching-Huang,Baraskar Ashish. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148874A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

NON-VOLATILE MEMORY WITH REDUCED VARIATIONS IN GATE RESISTANCE

Номер патента: US20180175054A1. Автор: Lee Yao-Sheng,Chen Jian,Makala Raghuveer S.,LU Ching-Huang,Baraskar Ashish. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

A method and a system for combined characterisation of structures etched in a substrate

Номер патента: EP4279862A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and a system for combined characterisation of structures etched in a substrate

Номер патента: US11959737B2. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and a system for combined characterisation of structures etched in a substrate

Номер патента: US20230375333A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2023-11-23.

A method and a system for combined characterisation of structures etched in a substrate

Номер патента: WO2023222394A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor. Дата публикации: 2023-11-23.

Two Step Poly Etch LDMOS Gate Formation

Номер патента: US20140087531A1. Автор: Zuniga Marco A.. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2014-03-27.

Gate formation process

Номер патента: US20220181215A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

FIN CUT DURING REPLACEMENT GATE FORMATION

Номер патента: US20180122708A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Greene Andrew M.,PRANATHARTHIHARAN Balasubramanian S.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS USING A GATE CUT PROCESS FOLLOWING FINAL GATE FORMATION

Номер патента: US20160233094A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

METHODS FOR GATE FORMATION IN CIRCUIT STRUCTURES

Номер патента: US20170243748A1. Автор: Li Jiong,DAI Xintuo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-08-24.

Gate formation method of gaas compound semiconductor device

Номер патента: KR0137545B1. Автор: 이종람,김해천,문재경. Владелец: 양승택. Дата публикации: 1998-06-01.

Gate formation process

Номер патента: KR20210108853A. Автор: 치-쉥 라이,웨이-충 순,리-팅 첸,쿠에이-유 카오,치에-한 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-03.

GATE FORMATION PROCESS

Номер патента: DE102020105664B4. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

A method and a system for characterising structures etched in a substrate

Номер патента: EP4279861A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and a system for characterising structures etched in a substrate

Номер патента: US11959736B2. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and a system for characterising structures etched in a substrate

Номер патента: US20230375332A1. Автор: Wolfgang Alexander IFF. Владелец: Unity Semiconductor SAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer etching in continuous plasma

Номер патента: US09991128B2. Автор: Lin Cui,Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Ying Wu,Yoko Yamaguchi,Zhongkui Tan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for Controlling Bevel Edge Etching in a Plasma Chamber

Номер патента: US20120074099A1. Автор: Yunsang Kim,Andrew D. Bailey, III,George Stojakovic,Tong Fang,Olivier Rigoutat. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20190157095A1. Автор: Xu Chen,Zhou Xiang,Kimura Yoshie,Zhang Duming,UPADHYAYA Ganesh,Brooks Mitchell. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FORMATION

Номер патента: US20190157096A1. Автор: Zhou Xiang,Kimura Yoshie,UPADHYAYA Ganesh,Zhu Weiye,Han Zhaohong,Lee Seokhwan,Sun Noel. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20200328087A1. Автор: Xu Chen,Zhou Xiang,Kimura Yoshie,Zhang Duming,UPADHYAYA Ganesh,Brooks Mitchell. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Method for etching in semiconductor device using hardmask layer

Номер патента: KR100838394B1. Автор: 오상록,유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-13.

Atomic layer etching in continuous plasma

Номер патента: CN107045977B. Автор: 符谦,徐晴,吴垠,谭忠魁,张依婷,崔麟,山口叶子. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: CN111615742A. Автор: 周翔,许晨,木村吉江,张杜明,加内什·乌帕德亚雅,米切尔·布鲁克斯. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Atomic layer etch in continuumpiston

Номер патента: CN107045977A. Автор: 符谦,徐晴,吴垠,谭忠魁,张依婷,崔麟,山口叶子. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: TW201936965A. Автор: 翔 周,木村啟惠,甘納許 屋帕海葉,都鳴 張,塵 許,米切爾 布魯克斯. Владелец: 美商蘭姆研究公司. Дата публикации: 2019-09-16.

Atomic layer etching in continuous plasma

Номер патента: TW201739951A. Автор: 崔麟,謙 符,山口葉子,晴 徐,譚忠魁,垠 吳,張依婷. Владелец: 蘭姆研究公司. Дата публикации: 2017-11-16.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: WO2019103876A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-31.

High Voltage Gate Formation

Номер патента: US20140167137A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

A method for decreasing variation in gate electrode width

Номер патента: KR100836945B1. Автор: 랜스포드제레미에스.. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-06-11.

CONDUCTORS HAVING A VARIABLE CONCENTRATION OF GERMANIUM FOR GOVERNING REMOVAL RATES OF THE CONDUCTOR DURING CONTROL GATE FORMATION

Номер патента: US20150364483A1. Автор: Koval Randy J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG170038A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US20230290647A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US12087595B2. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method to prevent pattern collapse in features etched in sulfur dioxide-containing plasmas

Номер патента: US20030017420A1. Автор: Arpan Mahorowala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

METHOD AND APPARATUS FOR MULTI-FILM DEPOSITION AND ETCHING IN A BATCH PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20170236719A1. Автор: "OMeara David L.",Dip Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

method for removing photoresist after metal layer etching in semiconductor device

Номер патента: KR100439844B1. Автор: 김재필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-12.

Method and apparatus for multilayer deposition and etching in a batch system

Номер патента: KR102469407B1. Автор: 데이비드 엘. 오메라,안토니 딥. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-21.

Dry-wet-dry solvent-free process after stop layer etch in dual damascene process

Номер патента: US6797627B1. Автор: Li-Te S. Lin,Yi-Nien Su,Hsin-Ching Shih,Li-Chie Chiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-28.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2023172298A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate Formation Process

Номер патента: US20210265219A1. Автор: LIN Chih-Han,Kao Kuei-Yu,Lai Chi-Sheng,Sun Wei-Chung,Chen Li-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20220359716A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Two-step fluorine radical etch of hafnium oxide

Номер патента: US09960049B2. Автор: Jie Liu,Zhenjiang Cui,Hanshen Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Molecular radical etch chemistry for increased throughput in pulsed plasma applications

Номер патента: US20150118854A1. Автор: Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Nathan P. Marchack. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

MOLECULAR RADICAL ETCH CHEMISTRY FOR INCREASED THROUGHPUT IN PULSED PLASMA APPLICATIONS

Номер патента: US20150118854A1. Автор: Engelmann Sebastian U.,NAKAMURA Masahiro,Marchack Nathan P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

TWO-STEP FLUORINE RADICAL ETCH OF HAFNIUM OXIDE

Номер патента: US20170338119A1. Автор: Liu Jie,Cui Zhenjiang,Zhang Hanshen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20210210596A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190259831A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20230299134A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming gate level interconnection in integrated circuit, gate level interconnection integrated circuit, and method for controlling fluorine concentration whole level in gate level interconnection

Номер патента: JPH11243189A. Автор: Christine Dehm,Radhika Srinivasan,デーム クリスティーネ,スリニヴァサン ラディーカ,Stephen K Loh,ケイ ロー スティーヴン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148874A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20210210596A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20190259831A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.V.S.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Binary non-crystalline oxide analogs of silicon dioxide for use in gate dielectrics

Номер патента: US6552403B1. Автор: Gerald Lucovsky. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148662A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

DOUBLE-PATTERN GATE FORMATION PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20140220767A1. Автор: HU Xiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Controlling gate formation by removing dummy gate structures

Номер патента: US7432179B2. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

T-gate formation

Номер патента: CN100421217C. Автор: F·林斯肯司,R·佩伦斯. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-09-24.

T-gate formation

Номер патента: SG113599A1. Автор: Linskens Frank,Pellens Rudy. Владелец: Rohm & Haas Elect Mat. Дата публикации: 2005-08-29.

Controlling system for gate formation of semiconductor devices

Номер патента: TW200705543A. Автор: Pin-Chia Su,Li-Te Hsu,Mei-Jen Wu,Chia-Tsung Tso,Jiun-Hong Lai,Po Zen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Controlling system for gate formation of semiconductor devices

Номер патента: TWI276158B. Автор: Pin-Chia Su,Li-Te Hsu,Mei-Jen Wu,Chia-Tsung Tso,Jiun-Hong Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-03-11.

Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system

Номер патента: US09418859B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Rajinder Dhindsa,Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Variable time etching system according to the accumulated number of devices being processed and a method for etching in the same manner

Номер патента: US6495055B2. Автор: Jin-soo Kim,Jung-Taek Lim,Soo-Won Lee,Sung-Joon Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-17.

Variable time etching system according to the accumulated number of devices being processed and a method for etching in the same manner

Номер патента: US20020088774A1. Автор: Jin-soo Kim,Jung-Taek Lim,Soo-Won Lee,Sung-Joon Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A9. Автор: Jisoo Kim,Bi-Ming Yen,Peter K Loewenhardt,Binet Worsham. Владелец: Binet Worsham. Дата публикации: 2005-11-24.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A2. Автор: Jisoo Kim,Peter K. Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Binet Worsham. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-06.

Process for anisotropic deep trench etching in a silicon substrate comprises deep trench etching in the silicon substrate up to a prescribed etching depth so that the re-deposit is replaced by a protective layer for side wall passivation

Номер патента: DE10162065A1. Автор: Matthias Goldbach,Peter Moll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for Fast Macropore Etching in n-Type Silicon

Номер патента: US20110294302A1. Автор: Helmut Foell,Juergen Carstensen,Emmanuel Ossei-Wusu,Ala Cojocaru. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2011-12-01.

Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system

Номер патента: SG2013065065A. Автор: Dhindsa Rajinder,Hudson Eric,D Bailey Andrew Iii. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-03-28.

Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system

Номер патента: SG10201601331PA. Автор: Dhindsa Rajinder,Hudson Eric,D Bailey Andrew Iii. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Method for detecting an end point of etching in a plasma-enhanced etching process

Номер патента: TW447037B. Автор: Toshitaka Shiobara. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-07-21.

Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's

Номер патента: US6130170A. Автор: Lawrence D. David,Lisa A. Fanti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Etch stop layer for silicon (Si) via etch in three-dimensional (3-D) wafer-to-wafer vertical stack

Номер патента: US20030205824A1. Автор: Sarah Kim,R. List,Tom Letson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: US20120196447A1. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD FOR CONTROLLING ETCHING IN PITCH DOUBLING

Номер патента: US20160093501A1. Автор: OGASAWARA Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

ATOMIC LAYER ETCHING IN CONTINUOUS PLASMA

Номер патента: US20170229311A1. Автор: Xu Qing,Wu Ying,YAMAGUCHI Yoko,Zhang Yiting,TAN Zhongkui,FU Qian,CUI Lin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Stopping An Etch In A Planar Layer After Etching A 3D Structure

Номер патента: US20140370625A1. Автор: THOMPSON Daniel Bryce. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR WAFER ETCHING IN DEEP SILICON TRENCH ETCHING PROCESS

Номер патента: US20150332981A1. Автор: Li Xiaoming,ZHANG Anna. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-19.

PLASMA-ENHANCED ETCHING IN AN AUGMENTED PLASMA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20160358784A1. Автор: Bailey,Dhindsa Rajinder,Hudson Eric A.,III Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

METAL ETCH IN HIGH ASPECT-RATIO FEATURES

Номер патента: US20220359214A1. Автор: Wang Anchuan,Cui Zhenjiang,Wang Baiwei,Chen Xiaolin C.,Reddy Rohan Puligoru,Jan Oliver. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated c4's

Номер патента: KR100278435B1. Автор: 로렌스 디 데이비드,리자 에이 팬티. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1164761A. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-11-12.

Composite etchant for a nitride etching in a semiconductor process and an etching method using the same etchant

Номер патента: KR100327342B1. Автор: 길준잉,임흥빈,배은미,허용우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-06.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: US8741778B2. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1132232C. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-24.

Stopping an etch in a planar layer after etching a 3d structure

Номер патента: EP3011606A1. Автор: Daniel Bryce THOMPSON. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-04-27.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: TWI541889B. Автор: 楊東青,湯靜,茵可尼汀. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Directable aperture etched in silicon

Номер патента: EP0328281A2. Автор: Mati Mikkor,Edward Nathan Sickafus. Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-16.

Directable aperture etched in silicon

Номер патента: CA1286423C. Автор: Edward N. Sickafus,Mati Mikkor. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1991-07-16.

Cleaning composition, used for removing resist or residues of resist or from dry etching in semiconductor device production, contains fluoride of non-metal base, water-soluble organic solvent, acid and water

Номер патента: DE10331033A1. Автор: Itaru Kanno,Yasuhiro Asaoka,Masahiko Higashi,Yoshiharu Hidaka,Etsuro Kishio,Tetsuo Kawasaki Aoyama,Tomoko Kawasaki Suzuki,Toshitaka Kawasaki Hiraga,Toshihiko Kawasaki Nagai. Владелец: EKC Technology KK. Дата публикации: 2004-02-12.

A method and apparatus for reducing aspect ratio dependent etching in time division multiplexed etch processes

Номер патента: TW200607017A. Автор: Russell Westerman,Shouliang Lai,David J Johnson. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Backside etching in a scrubber

Номер патента: US20030209255A1. Автор: John White,Brian Brown,Fred Redeker,Madhavi Chandrachood,Michael Sugarman,Radha Nayak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: US7078350B2. Автор: Jisoo Kim,Peter K. Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Binet Worsham. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-07-18.

Trimming Through Etching in Wafer to Wafer Bonding

Номер патента: US20240047216A1. Автор: Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Metal etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2022235378A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen,Oliver Jan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

SANDWICH SILICIDATION FOR FULLY SILICIDED GATE FORMATION

Номер патента: US20150162414A1. Автор: Flachowsky Stefan,Boschke Roman,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

HIGH VOLTAGE GATE FORMATION

Номер патента: US20140332876A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Thermal process for implementing the planarization inherent to stacked etch in virtual ground EPROM memories

Номер патента: US5120670A. Автор: Albert M. Bergmont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Method for halide etching in the presence of water of semi-conductor substrates

Номер патента: US5167761A. Автор: Johannes F. M. Westendorp,Hans W. Piekaar. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 1992-12-01.

Method and composition for dry etching in semiconductor fabrication

Номер патента: TW494492B. Автор: Changhun Lee,Yun-Yen Jack Yang. Владелец: Lam Res Corppration. Дата публикации: 2002-07-11.

Method and system for performing pulse-etching in a semiconductor device

Номер патента: TW201248730A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

In-situ strip process for polysilicon etching in deep sub-micron technology

Номер патента: USRE40007E1. Автор: Horng-Wen Chen,Chi-How Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-22.

PLASMA-ENHANCED ETCHING IN AN AUGMENTED PLASMA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20150206775A1. Автор: Bailey,Dhindsa Rajinder,Hudson Eric A.,III Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Selective chemical etching in microelectronics fabrication

Номер патента: US5800726A. Автор: Madhav Datta,John Michael Cotte,Thomas Edward Dinan,Ravindra Vaman Shenoy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Method for contact etching in ferroelectric memory device

Номер патента: KR20010061546A. Автор: 김재환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-07.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for dry etching in semiconductor processing

Номер патента: KR100685733B1. Автор: 윤석훈,정민제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-23.

Silicon nitride etching in a single wafer apparatus

Номер патента: CN103021829A. Автор: 章勋明,陈昭成,黄国彬,于伟波,吕学青,周汉源. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Silicon-rich nitride etch stop layer for vapor HF etching in MEMS device fabrication

Номер патента: TW201118036A. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H Tsau. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-01.

Method for etching in semiconductor device using dc bias control

Номер патента: KR100733405B1. Автор: 이헌철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-29.

Methods of reducing photoresist distortion while etching in a plasma processing system

Номер патента: CN100423182C. Автор: M·斯里尼瓦桑,C·鲁苏. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Silicon-rich nitride etch stop layer for vapor hf etching in mems device fabrication

Номер патента: WO2010147839A2. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2010-12-23.

Method for via etching in organo-silica-glass

Номер патента: US6914004B2. Автор: Keith J. Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Silicon-rich nitride etch stop layer for vapor hf etching in mems device fabrication

Номер патента: WO2010147839A3. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for monitoring second gate over-etch in a semiconductor device

Номер патента: US6323047B1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Methods of reducing photoresist distortion while etching in a plasma processing system

Номер патента: US20040155012A1. Автор: Mukund Srinivasan,Camelia Rusu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Etch uniformity improvement in radical etch using confinement ring

Номер патента: WO2023154115A1. Автор: Andreas Fischer,Gnanamani Amburose,Julien MONBEIG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and process for reducing damaging breakdown in gate dielectrics

Номер патента: US20120077323A1. Автор: Taeho Kook,Tanya Nigam,Bonnie E. Weir. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of reducing silicone oxynitride gate insulator thickness in some transistors of a hybrid integrated circuit to obtain increased differential in gate insulator thickness with other transistors of the hybrid circuit

Номер патента: US20030077866A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Ravindra Kapre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Mounting structure for mounting valve plate to valve rod in gate valve, and gate valve having mounting structure

Номер патента: EP3754239A1. Автор: Hiroshi Ogawa,Takashi Nagao,Hiromi Shimoda,Tsuyoshi Ochi. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

Gate valve apparatus, vacuum treatment apparatus and opening method of valve body in gate valve apparatus

Номер патента: CN101431010B. Автор: 锅山裕树. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Mounting structure for mounting valve plate to valve rod in gate valve, and gate valve having mounting structure

Номер патента: US11174950B2. Автор: Hiroshi Ogawa,Takashi Nagao,Hiromi Shimoda,Tsuyoshi Ochi. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Mounting structure for mounting valve plate to valve rod in gate valve, and gate valve having mounting structure

Номер патента: US20200400238A1. Автор: Hiroshi Ogawa,Takashi Nagao,Hiromi Shimoda,Tsuyoshi Ochi. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Einstellung der Austrittsarbeit in Gate-Stapeln mit großem ε, die Gatedielektrika mit unterschiedlicher Dicke enthalten

Номер патента: DE102009039418A8. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

Novel multi-gate formation procedure for gate oxide quality improvement

Номер патента: TW200522172A. Автор: Wen-Ting Tsai,Jao-Sheng Huang,Chung-Long Cheng,Yi-Song Chiu,Jen-Shiang Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

CMOS IMPLEMENTATION OF GERMANIUM AND III-V NANOWIRES AND NANORIBBONS IN GATE-ALL-AROUND ARCHITECTURE

Номер патента: US20130270512A1. Автор: Rachmady Willy,Mukherjee Niloy,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,LE VAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148662A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Select Gate Formation for Nanodot Flat Cell

Номер патента: US20140151778A1. Автор: Matamis George,Kai James,Zhang Yuan,Purayath Vinod,LEE Donovan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-06-05.

System and Method for Wet Chemical Etching in Semiconductor Processing

Номер патента: US20210384049A1. Автор: MATSUMOTO Nobuaki,Hurd Trace Quentin,Hyakutake Hironobu,Bassett Derek William,Rotondaro Antonio Luis Pacheco,Mizumoto Kazuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Configuration memory storing data by injecting carriers in gate insulating layer of MISFET

Номер патента: US09530502B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices having separation regions in gate electrode layers, and data storage systems including the same

Номер патента: US12120874B2. Автор: Seonghun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having word line embedded in gate trench

Номер патента: US20240147699A1. Автор: Yoshihiro Matsumoto,Toshiyasu Fujimoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process

Номер патента: US20140065786A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SUPPORT STRUCTURES IN GATE LINE SLITS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210167086A1. Автор: Huo Zongliang,XU WEI,ZHOU Wenbin,HUANG Pan,Yan Ping,YANG Haohao. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SUPPORT STRUCTURES IN GATE LINE SLITS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Huo Zongliang,XU WEI,ZHOU Wenbin,HUANG Pan,Yan Ping,YANG Haohao. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Clipping method in gate-array master-slice integrated circuit

Номер патента: JPS6199349A. Автор: Shigeru Fujii,Yoshihisa Takayama,藤井　滋,高山　良久. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-05-17.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20210167086A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE AND METHOD OF CHARGE TRAP LAYER SEPARATION AND FLOATING GATE FORMATION IN THE NAND DEVICE

Номер патента: US20140138760A1. Автор: Alsmeier Johann,Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE AND METHOD OF CHARGE TRAP LAYER SEPARATION AND FLOATING GATE FORMATION IN THE NAND DEVICE

Номер патента: US20150069494A1. Автор: Alsmeier Johann,Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

DRAIN SELECT GATE FORMATION METHODS AND APPARATUS

Номер патента: US20180069015A1. Автор: Tran Luan C.,Gou Lijing,Haller Gordon,ZHU Hongbin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

DRAIN SELECT GATE FORMATION METHODS AND APPARATUS

Номер патента: US20160233225A1. Автор: Tran Luan C.,Gou Lijing,Haller Gordon,ZHU Hongbin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Capacitors Integrated with Metal Gate Formation

Номер патента: US20110309420A1. Автор: Chung-Long Chang,Chia-Yi Chen,David Ding-Chung Lu,I-Lu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Etching in the presence of alternating voltage profile and resulting porous structure

Номер патента: US09840789B2. Автор: Jie Zhang,Jian Lu,Yang Yang Li. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2017-12-12.

Isolation of magnetic layers during etch in a magnetoresistive device

Номер патента: US09722176B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Top electrode etch in a magnetoresistive device and devices manufactured using same

Номер патента: US09466788B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Reducing the reflection on semiconductor surfaces in the manufacture of semiconductor substrates for solar cells comprises subjecting regions to dry chemical etching, in which the aspect ratio of recesses is obtained

Номер патента: DE10352423B3. Автор: Ralf Dr.-Ing. Preu,Eric Dipl.-Ing. Schneiderlöchner,Jochen Dipl.-Phys. Rentsch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-01-05.

Controlling deposition and etching in a chamber with fine time control of parameters and gas flow

Номер патента: GB2499816A. Автор: Mark Edward Mcnie,Michael Joseph Cooke,Leslie Michael Lea. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2013-09-04.

High resolution deposition and etching in polymer films

Номер патента: US4968390A. Автор: Allen J. Bard,Oskar E. Huesser,Derek H. Craston. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 1990-11-06.

Method for polysilicon crystalline line width measurement post etch in undoped-poly process

Номер патента: US20010050560A1. Автор: James Li,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Top electrode etch in a magnetoresistive device and devices manufactured using same

Номер патента: US20150236250A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Avoiding Oxygen Plasma Damage During Hard Mask Etching in Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Fabrication Process

Номер патента: US20200052196A1. Автор: Yang Yi,WANG YU-JEN,Shen Dongna. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

ISOLATION OF MAGNETIC LAYERS DURING ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE

Номер патента: US20150102006A1. Автор: AGGARWAL Sanjeev,DESHPANDE Sarin A.,Mudivarthi Chaitanya. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

ISOLATION OF MAGNETIC LAYERS DURING ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE

Номер патента: US20160126454A1. Автор: AGGARWAL Sanjeev,DESHPANDE Sarin A.,Mudivarthi Chaitanya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

ETCHING IN THE PRESENCE OF ALTERNATING VOLTAGE PROFILE AND RESULTING POROUS STRUCTURE

Номер патента: US20150203984A1. Автор: Zhang Jie,Lu Jian,Li Yang Yang. Владелец: CITY UNIVERSITY OF HONG KONG. Дата публикации: 2015-07-23.

DUMMY VERTICAL STRUCTURES FOR ETCHING IN 3D NAND MEMORY AND OTHER CIRCUITS

Номер патента: US20210242228A1. Автор: Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao,Jiang Yu-Wei. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-05.

TOP ELECTRODE ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE AND DEVICES MANUFACTURED USING SAME

Номер патента: US20150236248A1. Автор: RIZZO Nicholas,NAGEL Kerry Joseph,AGGARWAL Sanjeev,DESHPANDE Sarin A.,Janesky Jason Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

TOP ELECTRODE ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE AND DEVICES MANUFACTURED USING SAME

Номер патента: US20150236250A1. Автор: NAGEL Kerry Joseph,AGGARWAL Sanjeev,DESHPANDE Sarin A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

ISOLATION OF MAGNETIC LAYERS DURING ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE

Номер патента: US20170301857A1. Автор: AGGARWAL Sanjeev,DESHPANDE Sarin A.,Mudivarthi Chaitanya. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for repair-etch in semiconductor device

Номер патента: KR100677768B1. Автор: 박원성,유재선,공필구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Method for polysilicon crystalline line width measurement post etch in undoped-poly process

Номер патента: US6456082B2. Автор: Edward J. Nowak,James C. Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Plasma processing method

Номер патента: US20240194489A1. Автор: Motohiro Tanaka,Yasushi Sonoda,Yusuke Nakatani. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Hard mask trimming in method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006177A1. Автор: Li-Te Lin,Tze-Chung Lin,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems

Номер патента: WO2013098702A2. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2013-07-04.

Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems

Номер патента: US09425025B2. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Dfb laser with lateral bragg gratings and facet bragg reflectors etches in one step

Номер патента: WO2005124951A8. Автор: Richard Hogg,Kristian Groom. Владелец: Kristian Groom. Дата публикации: 2006-04-27.

Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems

Номер патента: SG11201403634TA. Автор: Kanarik Keren Jacobs. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Systems and methods for utilizing laser cutting and chemical etching in manufacturing wireless power antennas

Номер патента: US20220209576A1. Автор: Oleg Los. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Systems and methods for utilizing laser cutting and chemical etching in manufacturing wireless power antennas

Номер патента: US20220208449A1. Автор: Oleg Los. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Systems and Methods for Utilizing Laser Cutting and Chemical Etching in Manufacturing Wireless Power Antennas

Номер патента: US20230119513A1. Автор: Oleg Los. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

STRUCTURE AND METHOD FOR ACHIEVING SELECTIVE ETCHING IN (Ga,A1,In,B)N LASER DIODES

Номер патента: WO2011071568A2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Umesh K. Mishra,Po Shan Hsu,Robert M. Farrell,Daniel A. Haeger. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2011-06-16.

Mixed Mode Pulsing Etching in Plasma Processing Systems

Номер патента: US20160322201A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems

Номер патента: US20130168354A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION AND ETCH IN GAP FILL

Номер патента: US20180005801A1. Автор: van Schravendijk Bart J.,van Cleemput Patrick A.,Singhal Akhil,Freeborn Martin E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

MIXED MODE PULSING ETCHING IN PLASMA PROCESSING SYSTEMS

Номер патента: US20150020971A1. Автор: Kanarik Keren Jacobs. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Mixed Mode Pulsing Etching in Plasma Processing Systems

Номер патента: US20160322201A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION AND ETCH IN GAP FILL

Номер патента: US20190385820A1. Автор: van Schravendijk Bart J.,van Cleemput Patrick A.,Singhal Akhil,Freeborn Martin E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Apparatus and method for deposition and etch in gap fill

Номер патента: US9773643B1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Akhil Singhal,Patrick A. Van Cleemput,Martin E. Freeborn. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Microwave plasma treatment appts. for semiconductor - useful for thin film and etching in electronics, comprises chamber partition of microwave transparent material

Номер патента: DE4133030A1. Автор: Masahiro Tanaka,Mitsuo Nakatani,Kunihiko Watanabe,Kazuo Suzuki,Satoru Todoroki. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-09.

Process for etching in a plasma chamber comprises adjusting an upper electrode and a receiver, etching at a first distance over a first specified time, adjusting the upper electrode

Номер патента: DE10050046A1. Автор: Chao-Chueh Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

The modeling method of yield is etched in a kind of plasma etch process

Номер патента: CN103440361B. Автор: 宋亦旭,孙晓民,高扬福. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Micromechanical structure e.g. electrostatic drive, manufacturing method, involves using structures etched in silicon substrate as negative region, removing partial regions of substrate and opening galvanically produced metal structures

Номер патента: DE102007035633A1. Автор: Andreas Menz,Ralf Dr. Höper. Владелец: PROTRON MIKROTECHNIK GmbH. Дата публикации: 2009-02-19.

Method and device for etching in vacuum through magnetron sputtering of metal strip

Номер патента: RU2369936C1. Автор: Юг КОРНИЛЬ,Бенуа ДЕВЕЕР,Жак МОТТУЛЬ,Клод МАБОГ. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2009-10-10.

Apparatus and method for deposition and etch in gap fill

Номер патента: TWI738805B. Автор: 史貴凡迪 巴頓 Ｊ 凡,克林帕 派崔克 Ａ 凡,阿希爾 欣荷,馬丁 Ｅ 弗里伯恩. Владелец: 美商蘭姆研究公司. Дата публикации: 2021-09-11.

Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems

Номер патента: SG10201608686TA. Автор: Kanarik Keren Jacobs. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Gate valve with striction drive in gate

Номер патента: RU2756491C1. Автор: Андрей Леонидович Кузнецов. Владелец: Андрей Леонидович Кузнецов. Дата публикации: 2021-09-30.

Built-in gate driver

Номер патента: US09571089B2. Автор: Woo Seok Choi,Yong Ho Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11784242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Bo-Feng YOUNG,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240030319A1. Автор: Che-Cheng Chang,Bo-Feng YOUNG,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Control valves with built-in gate

Номер патента: RU2763246C2. Автор: Томас Н. ГАБРИЭЛЬ,Майкл МАККАРТИ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2021-12-28.

Systems and methods for implementing all-to-all connectivity in gate-based quantum computers using nearest-neighbor interactions

Номер патента: US20230185875A1. Автор: Marco Pistoia,Pradeep NIROULA. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2023-06-15.

A process for converting a metal carbide to diamond by etching in halogens

Номер патента: EP1414770A2. Автор: Yury Gogotsi,Sascha Welz,Michael J. McNallan,Daniel Ersoy. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2004-05-06.

Improvements in gating the input to an integrator

Номер патента: GB1128407A. Автор: . Владелец: PETROLES D AUITAINE SOC NAT DE. Дата публикации: 1968-09-25.

Low power cycle to cycle bit transfer in gate drivers

Номер патента: EP4243287A2. Автор: Massimo Grasso,Sergio Morini,Amedeo Paganini,Davide Respigo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-13.

Low power cycle to cycle bit transfer in gate drivers

Номер патента: EP4243287A3. Автор: Massimo Grasso,Sergio Morini,Amedeo Paganini,Davide Respigo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-25.

GATE APPARATUS AND METHOD IN GATE APPARATUS

Номер патента: US20200357213A1. Автор: Suzuki Takashi,Nakatsuru Tsutomu,KITA Masato. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Gate apparatus and method in gate apparatus

Номер патента: US11049347B2. Автор: Takashi Suzuki,Tsutomu Nakatsuru,Masato Kita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Improvements in gate pulse generator for static var compensator

Номер патента: AU5319090A. Автор: Naoko Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-10-18.

Low power cycle to cycle bit transfer in gate drivers

Номер патента: EP4243287B1. Автор: Massimo Grasso,Sergio Morini,Amedeo Paganini,Davide Respigo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-04.

BUILT-IN GATE DRIVER

Номер патента: US20150116008A1. Автор: Choi Woo Seok,Jang Yong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

LOW POWER CYCLE TO CYCLE BIT TRANSFER IN GATE DRIVERS

Номер патента: US20200244265A1. Автор: Grasso Massimo,PAGANINI Amedeo,MORINI Sergio,RESPIGO Davide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-07-30.

LED luminance controlling circuit for automobile, has regulator for supplying direct voltage to LEDs, corresponding to combined ultra frequency voltage of LEDs, where potentiometer and resistor are mounted in series in gate of regulator

Номер патента: FR2924301A1. Автор: Pierre Alain Dumas. Владелец: Pierre Alain Dumas. Дата публикации: 2009-05-29.

Built-in gate driver

Номер патента: CN104575350A. Автор: 崔祐硕,张容豪. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Isolation circuit in gate driver

Номер патента: KR102226404B1. Автор: 김형욱,정세진,최유수. Владелец: 주식회사 실리콘핸즈. Дата публикации: 2021-03-11.

A.c. motor starting control circuit utilizing triggerable semiconductor switching device with thermistor in gating circuit

Номер патента: US3544869A. Автор: Lyle E Mcbride Jr,Leo A Plouffe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-12-01.

Three-dimensional memory device having support structures in gate line slits and method for forming the same

Номер патента: CN113745235A. Автор: 徐伟,周文斌,霍宗亮,黄攀,杨号号,严萍. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-03.

Low power cycle to cycle bit transfer in gate drivers

Номер патента: EP3687066A1. Автор: Massimo Grasso,Sergio Morini,Amedeo Paganini,Davide Respigo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-07-29.

Device for switching higher supply voltage for use in read-only memory store, comprising circuit for subjecting drop in gate voltage of switching transistor to voltage of output line

Номер патента: FR2817413A1. Автор: Cyrille Dray,Sigrid Thomas. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-05-31.

CMOS class AB power amplifier with cancellation of nonlinearity due to change in gate capacitance of a NMOS input transistor with switching

Номер патента: US20030193371A1. Автор: Larry Larson,Chengzhou Wang. Владелец: Chengzhou Wang. Дата публикации: 2003-10-16.

Improvements in gate pulse generator for static var compensator

Номер патента: AU612541B2. Автор: Naoko Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-07-11.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20230292511A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate formation for a quantum processor

Номер патента: US11562284B1. Автор: Marcus Palmer da Silva,Colm Andrew Ryan,Deanna Margo Abrams,Eric Christopher PETERSON,Michael Justin Gerchick Scheer. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2023-01-24.

Gate formation on a quantum processor

Номер патента: US11900219B1. Автор: Marcus Palmer da Silva,Colm Andrew Ryan,Deanna Margo Abrams,Eric Christopher PETERSON,Michael Justin Gerchick Scheer. Владелец: Rigetti and Co LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Uniformity of copper etching in the fabrication of multilayer printed circuit boards

Номер патента: US5127991A. Автор: Craig G. Smith,Sudarshan Lal. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-07-07.

Top electrode etch in a magnetoresistive device and devices manufactured using same

Номер патента: WO2015126785A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Nicholas Rizzo,Sarin A. Deshpande,Jason Allen Janesky,Kerry Joseph NAGEL,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Consolidation of staircase area etch and cmos contact area etch in 3d nand

Номер патента: WO2023206158A1. Автор: Liu Liu,Chuan Sun,Jianze ZHAO. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Isolation of magnetic layers during etch in a magnetoresistive device

Номер патента: WO2015057490A2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-04-23.

Isolation of magnetic layers during etch in a magnetoresistive device

Номер патента: EP3058604A2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Device forming a loudspeaker or the like with a voice coil chemically etched in a metal foil and its various applications

Номер патента: FR1407123A. Автор: Wolfgang Felix Ewald. Владелец: . Дата публикации: 1965-07-30.

Method and device for moving an element to be driven using an actuating element formed by etching in a semiconductor material

Номер патента: EP1878108B1. Автор: Patrice Minotti,Gilles Bourbon,Eric Joseph,Patrice Le Moal. Владелец: SilMach. Дата публикации: 2020-04-22.

Method and device for moving an element to be driven using an actuating element formed by etching in a semiconductor material

Номер патента: WO2006097516A1. Автор: Patrice Minotti,Gilles Bourbon,Eric Joseph,Patrice Le Moal. Владелец: SilMach. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for realizing steep side wall of laminated etching in aluminum-based superconducting circuit

Номер патента: CN115207203A. Автор: 崔志远,郭丰,冯加贵,熊康林. Владелец: Gusu Laboratory of Materials. Дата публикации: 2022-10-18.

Method and device for moving an element to be driven using an actuating element formed by etching in a semiconductor material

Номер патента: US7768161B2. Автор: Patrice Minotti,Gilles Bourbon,Eric Joseph,Patrice Le Moal. Владелец: SilMach. Дата публикации: 2010-08-03.

Method and device for moving an element to be driven using an actuating element formed by etching in a semiconductor material

Номер патента: WO2006097516A8. Автор: Patrice Minotti,Moal Patrice Le,Gilles Bourbon,Eric Joseph. Владелец: Eric Joseph. Дата публикации: 2007-11-08.

Improved uniformity of copper etching in the fabrication of multilayer printed circuit boards

Номер патента: EP0517445B1. Автор: Sudarshan Lal,Craig Gordon Smith. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-03-29.

Isolation of magnetic layers during etch in a magnetoresistive device

Номер патента: EP3058604A4. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304716A1. Автор: Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09472655B1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

RADICAL ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130306599A1. Автор: Inoue Hiroaki,Higuchi Yasushi,Ishikawa Michio. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Provisioning functional-level information to be utilized in gate-level processing of quantum circuits

Номер патента: US12086686B2. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Nir Minerbi,Ofek Kirzner,Ravid Alon,Tal Goren. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and systems for correcting X-pessimism in gate-level simulation or emulation

Номер патента: US09965575B2. Автор: Sanjeev Mahajan,Pranav Ashar,Ian Andrew Guyler. Владелец: Real Intent Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Provisioning fucntional-level information to be utilized in gate-level processing of quantum circuits

Номер патента: US20230112525A1. Автор: Shmuel Ur,Yehuda Naveh,Amir Naveh,Nir Minerbi,Ofek Kirzner,Ravid Alon,Tal Goren. Владелец: Classiq Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Round baler with bale holder in gate

Номер патента: US11825775B2. Автор: Daniel E. Derscheid,Austin J. Jones. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-11-28.

Round baler with bale holder in gate

Номер патента: EP3942921A1. Автор: Daniel E. Derscheid,Austin J. Jones. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2022-01-26.

AVOIDING DATA EXCHANGE IN GATE OPERATION FOR QUANTUM COMPUTING GATES ON A CHIP

Номер патента: US20200218787A1. Автор: Doi Jun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

MOUNTING STRUCTURE FOR MOUNTING VALVE PLATE TO VALVE ROD IN GATE VALVE, AND GATE VALVE HAVING MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20200400238A1. Автор: Ogawa Hiroshi,NAGAO Takashi,Shimoda Hiromi,OCHI Tsuyoshi. Владелец: SMC Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Flap Gate with Air Chamber in Gate Leaf

Номер патента: KR100520909B1. Автор: 김상국. Владелец: 하서산업 주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Automatic gate control actuated by approaching vehicle - has hydraulic system operated by plate embedded in gate approach road

Номер патента: FR2478179A1. Автор: . Владелец: Warin Pierre. Дата публикации: 1981-09-18.

Apparatus for grinding plane, annular surfaces, especially on faying rings in gate valves

Номер патента: CA1054375A. Автор: Per Jensen. Владелец: SOLBERG RINO. Дата публикации: 1979-05-15.

Method of validating timing issues in gate-level simulation

Номер патента: US9104829B2. Автор: Chao Liang,Jian Zhou,Geng Zhong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-11.

Sectional gates with intercommunication door in gates leaf

Номер патента: RU2370617C2. Автор: Эккехард ГРОС. Владелец: Х унд К Теккентруп КГ. Дата публикации: 2009-10-20.

Improvement in gates

Номер патента: US206150A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-07-16.

Improvement in gates

Номер патента: US219789A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-09-16.

Fflpeqvehent in gates

Номер патента: US60551A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-12-18.

Improvement in gates

Номер патента: US110363A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-12-20.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US133715A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-12-10.

Improvement in gates

Номер патента: US221033A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-10-28.

Improvement in gates

Номер патента: US184555A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-11-21.

Improvement in gates

Номер патента: US130938A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-08-27.

Improvement in gates

Номер патента: US124508A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-03-12.

Improvement in gates

Номер патента: US201018A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-03-05.

Improvement in gates

Номер патента: US191984A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-06-12.

Improvement in gates

Номер патента: US41951A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1864-03-15.

Improvement in gates

Номер патента: US218390A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-08-12.

Improvement in gates

Номер патента: US58161A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-09-18.

Improvement in gate and door fasteners

Номер патента: US200106A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-02-05.

Improvement in gates

Номер патента: US173348A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-02-08.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US209702A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-11-05.

Improvement in gates

Номер патента: US100129A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-02-22.

Improvement in gates

Номер патента: US121654A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-12-05.

Improvement in gates

Номер патента: US186662A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-01-30.

Improvement in gates

Номер патента: US129733A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-07-23.

Improvement in gates

Номер патента: US102783A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-05-10.

Improvement in gates

Номер патента: US71675A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-12-03.

Improvement in gates

Номер патента: US216447A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-06-10.

Improvement in gates

Номер патента: US200398A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-02-19.

Improvement in gates

Номер патента: US195819A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-02.

Improvement in gates

Номер патента: US218826A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-08-26.

Improvement in gates

Номер патента: US207274A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-08-20.

Improvement in gates

Номер патента: US191671A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-06-05.

Improvement in gates

Номер патента: US98194A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-12-21.

Improvement in gates

Номер патента: US85607A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-01-05.

Improvement in gates

Номер патента: US199227A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-01-15.

Improvement in gates

Номер патента: US48322A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1865-06-20.

Power sequence control circuit and applications in gate driver and LCD pannel

Номер патента: TW200947400A. Автор: Chih-Yuan Chang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-11-16.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US96041A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-10-19.

Applied layout in gate protector for door

Номер патента: BR202016008230U2. Автор: Schwanke Marcos. Владелец: Schwanke Industrial Ltda. Дата публикации: 2017-10-17.

Improvement in gates

Номер патента: US174226A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-02-29.

Improvement in gates

Номер патента: US194685A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-08-28.

Improvement in gates

Номер патента: US212501A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-02-18.

Improvement in gates for railroad-crossings

Номер патента: US167842A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1875-09-21.

Improvement in gates

Номер патента: US212482A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-02-18.

Improvement in gates

Номер патента: US217106A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-07-01.

Improvement in gates

Номер патента: US111190A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-24.

Improvement in gates

Номер патента: US83881A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-11-10.

Improvement in gates for water-wheels

Номер патента: US10726A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1854-04-04.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US76918A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-04-21.

Improvement in gates for railway-crossings

Номер патента: US160166A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1875-02-23.

Improvement in gates

Номер патента: US194786A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-09-04.

Improvement in gates

Номер патента: US85127A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-12-22.

Improvement in gates

Номер патента: US117431A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-07-25.

Improvement in gates

Номер патента: US199681A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-01-29.

Improvement in gates

Номер патента: US117901A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-08-08.

Improvement in gates

Номер патента: US205853A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-07-09.

Improvement in gates

Номер патента: US125511A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-04-09.

Improvement in gates

Номер патента: US76081A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-03-31.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US108971A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-11-08.

Improvement in gates

Номер патента: US201288A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-03-12.

Improvement in gates

Номер патента: US192745A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-07-03.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US197112A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-11-13.

Improvement in gates

Номер патента: US56039A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-07-03.

Improvement in gates

Номер патента: US116526A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-06-27.

Improvement in gates

Номер патента: US100739A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-03-15.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US165351A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1875-07-06.

Improvement in gates

Номер патента: US110687A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-03.

Improvement in gates

Номер патента: US176470A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-04-25.

Improvement in gates

Номер патента: US97947A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-12-14.

Improvement in gate

Номер патента: US81196A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-08-18.

Improvement in gates

Номер патента: US131417A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-09-17.

Improvement in gates

Номер патента: US207149A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-08-20.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US200660A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-02-26.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US59202A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-10-30.

Improvement in gates

Номер патента: US184181A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-11-07.

Improvement in gates

Номер патента: US176021A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-04-11.

Improvement in gates

Номер патента: US114101A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-04-25.

Improvement in gates

Номер патента: US218513A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-08-12.

Improvement in gates and chutes for water-wheels

Номер патента: US33241A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1861-09-10.

Improvement in gates

Номер патента: US126958A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-05-21.

Improvement in gate-shutters

Номер патента: US214949A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-04-29.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US198167A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-12-11.

Improvement in gates

Номер патента: US216726A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-06-24.

Improvement in gates

Номер патента: US174598A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-03-07.

Improvement in gates

Номер патента: US108628A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-10-25.

Improvement in gates

Номер патента: US195972A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-09.

Improvement in gates

Номер патента: US208976A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-10-15.

Improvement in gate-hangers

Номер патента: US207825A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-09-10.

Improvement in gates

Номер патента: US103583A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-05-31.

Improvement in gate-fastenings

Номер патента: US68752A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-09-10.

Improvement in gates

Номер патента: US172852A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-02-01.

Improvement in gates for turbine water-wheels

Номер патента: US218301A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-08-05.

Improvement in gates

Номер патента: US57782A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-09-04.

Improvement in gates

Номер патента: US120358A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-10-24.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US171731A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-01-04.

Improvement in gates

Номер патента: US221536A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-11-11.

Improvement in gates

Номер патента: US40902A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1863-12-15.

Improvement in gates

Номер патента: US46112A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1865-01-31.

Improvement in gate-fasteners

Номер патента: US145362A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1873-12-09.

Improvement in gates

Номер патента: US125947A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-04-23.

Improvement in gates

Номер патента: US100759A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-03-15.

Improvement in gates

Номер патента: US205565A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-07-02.

Improvement in gates

Номер патента: US56019A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-07-03.

Improvement in gates for turbines

Номер патента: US195460A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-09-25.

Improvement in gates

Номер патента: US91723A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-06-22.

Improvement in gate and door-springs

Номер патента: US116800A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-07-11.

Improvement in gates

Номер патента: US216883A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-06-24.

Improvement in gates

Номер патента: US192185A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-06-19.

Improvement in gate-fasteners

Номер патента: US210659A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-12-10.

Improvement in gates

Номер патента: US40557A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1863-11-10.

Improvement in gates

Номер патента: US108186A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-10-11.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US147237A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-02-10.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US183518A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-10-24.

Improvement in gates

Номер патента: US113020A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-03-28.

Improvement in gates

Номер патента: US77564A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-05-05.

Improvement in gates

Номер патента: US122764A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-01-16.

Improvement in gates

Номер патента: US37536A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1863-01-27.

Improvement in gates

Номер патента: US91932A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-06-29.

Improvement in gates

Номер патента: US36817A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1862-10-28.

Improvement in gates

Номер патента: US200555A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-02-19.

Improvement in gates

Номер патента: US113334A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-04-04.

Improvement in gates

Номер патента: US93977A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-08-24.

Improvement in gates

Номер патента: US76920A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-04-21.

Improvement in gates for railway-crossings

Номер патента: US152415A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-06-23.

Improvement in gates

Номер патента: US111322A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-31.

Improvement in gates

Номер патента: US128490A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-07-02.

Improvement in gates for gangs for marble-saws

Номер патента: US119968A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-10-17.

Improvement in gates

Номер патента: US120770A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-11-07.

Improvement in gates

Номер патента: US111201A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-24.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US156315A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-10-27.

Improvement in gates

Номер патента: US215758A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-05-27.

Improvement in gate-fastener

Номер патента: US89893A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-05-11.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US117401A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-07-25.

Improvement in gates

Номер патента: US173839A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-02-22.

Improvement in gates

Номер патента: US112843A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-03-21.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US38843A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1863-06-09.

Improvement in gates

Номер патента: US59060A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-10-23.

Improvement in gates

Номер патента: US128259A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-06-25.

Improvement in gates

Номер патента: US154382A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-08-25.

Improvement in gate-posts

Номер патента: US50005A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1865-09-19.

BUILT-IN GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170004760A1. Автор: JANG Yong-Ho,CHOI Woo-Seok. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR ELECTRONIC PAYMENT FOR PARKING IN GATED GARAGES

Номер патента: US20150025947A1. Автор: Rydbeck Nils,Dutta Santanu,Chakravartti Partha. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Method for eliminating fake faults in gate-level simulation

Номер патента: US20220065931A1. Автор: Chia-Cheng PAI. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods and Systems for Correcting X-Pessimism in Gate-Level Simulation or Emulation

Номер патента: US20170083650A1. Автор: Ashar Pranav,Guyler Ian Andrew,Mahajan Sanjeev. Владелец: Real Intent, Inc.. Дата публикации: 2017-03-23.

METHOD OF VALIDATING TIMING ISSUES IN GATE-LEVEL SIMULATION

Номер патента: US20150135153A1. Автор: Zhou Jian,LIANG Chao,ZHONG Geng. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

TECHNIQUES TO MOLD PARTS WITH INJECTION-FORMED APERTURE IN GATE AREA

Номер патента: US20140272283A1. Автор: Swenson Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

TECHNIQUES TO MOLD PARTS WITH INJECTION-FORMED APERTURE IN GATE AREA

Номер патента: US20190255748A1. Автор: Swenson Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHODS AND SYSTEMS FOR ELECTRONIC PAYMENT FOR PARKING IN GATED GARAGES

Номер патента: US20150332517A1. Автор: Rydbeck Nils,Dutta Santanu,Chakravartti Partha. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Improvement in gates

Номер патента: US64802A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-05-14.

Techniques to mold parts with injection-formed aperture in gate area

Номер патента: US9221204B2. Автор: Paul M. Swenson. Владелец: Milacron Marketing Co LLC. Дата публикации: 2015-12-29.

Automatic positioning of lateral beam in gate type machining center

Номер патента: JPS6144562A. Автор: Shunsuke Wakaoka,俊介 若岡,Akihide Iwamura,岩村　明英. Владелец: Okuma Machinery Works Ltd. Дата публикации: 1986-03-04.

A liquid crystal display for compensating for signal delay in gate lines

Номер патента: KR100840324B1. Автор: 문승환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-20.

Cold trap with built-in gate valve

Номер патента: JP4102856B2. Автор: マッテ・スティーブン・アール,ウィークス・アラン・エル. Владелец: ブルックス オートメーション インコーポレイテッド. Дата публикации: 2008-06-18.

Built-in gate driver and display device using the same

Номер патента: KR102360787B1. Автор: 최우석,장용호. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-02-10.

Production of light metal component used as cylinder crankcase comprises positioning porous ceramic preform in die casting tool, infiltrating preform with light metal, fixing in-gate part in mold and casting to form light metal component

Номер патента: DE10205958A1. Автор: Wolf Boll,Jochen Betsch,Michael Dettenmaier,Daniel Dudok,Bernhard Thinschmidt. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2003-08-28.

Valve assembly and method for operation of seal in gate valve assembly

Номер патента: WO2017158077A1. Автор: Jørn Syvertsen. Владелец: FMC Kongsberg Subsea AS. Дата публикации: 2017-09-21.

Improvement in gates

Номер патента: US38331A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1863-04-28.

Face registration, verification method, face registration system and the application in gate inhibition

Номер патента: CN109215184A. Автор: 王泽民,卢荣新,施国鹏. Владелец: One Stone Digital Technology Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Fixing of bit on milling cutter - uses cone bolt to lock split round block in gated socket and holding bit between block segments

Номер патента: FR2462223A1. Автор: . Владелец: NANINI VITTORIO. Дата публикации: 1981-02-13.

PANEL AND THEIR APPLICATION METHOD FOR USE IN GATES

Номер патента: PT104106A. Автор: Daniel Jesus Lopes. Владелец: Tecno Pan Lda. Дата публикации: 2009-12-23.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US86658A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-02-09.

Oil injection monitor for separately lubricated two-stroke engine - uses sprung ball contact in supply line to passivate timing circuit in gate of semiconductor switch

Номер патента: FR2526483A1. Автор: Jean Blondeau. Владелец: Gurtner SA. Дата публикации: 1983-11-10.

System and method to correct motion in gated-pet images using non-rigid registration

Номер патента: CN102100565B. Автор: G·戈帕拉克里什南,R·穆利克,A·S·罗伊,S·R·蒂鲁文卡达姆,R·M·曼杰什瓦. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-05-27.

Built-in gate driver and display device using the same

Номер патента: CN106328063A. Автор: 崔祐硕,张容豪. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-11.

Improvement in gates

Номер патента: US130946A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-08-27.

Improvement in gates

Номер патента: US56412A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-07-17.

Circuit structure in gate side fan-out region

Номер патента: GB201610211D0. Автор: . Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Improvement in gates

Номер патента: US78389A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-05-26.

Watertight structure of shaft housing in gate valve

Номер патента: KR101383013B1. Автор: 윤석현,김영길,전인. Владелец: 주식회사 에이치케이밸브. Дата публикации: 2014-04-07.

Improvement in gates

Номер патента: US222806A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-12-23.

Improvement in gates

Номер патента: US196097A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-16.

Jumbo erecting device and installation method in gate-type spatial window

Номер патента: CN106493531A. Автор: 王代发. Владелец: China 22MCC Group Corp Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

Integrated circuit astable trigger stage - has two parallel sets of leakage compensating IGFETs in gate circuit of supply transistor

Номер патента: DE3027456A1. Автор: Joachim Dipl.-Phys. Kuhlmann,Karl Ing.(grad.) 7100 Heilbronn Schoppe. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-02-04.

Circuit structure in gate side fan-out region

Номер патента: KR101876657B1. Автор: 샤오위 황. Владелец: 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2018-08-02.

Top brush device in gate type car washer

Номер патента: JPS5981241A. Автор: Shinichi Sato,真一 佐藤. Владелец: Nisshin Seiki KK. Дата публикации: 1984-05-10.

Formula unlock anti-pinch device is laterally pressed in gate

Номер патента: CN108146469A. Автор: 张德胜,赵伟,王杰,杨智华,徐智,于洪涛,陈树亮,王立天,王术合,熊东平,袁冬林,徐步算,王健稳,豆瑞峰,王真珍,王增基. Владелец: Tianjin Railway Electrification Design And Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Increase the method and imaging device of the visual field in gated cone-beam computed tomography acquisition

Номер патента: CN104586417B. Автор: G·梅内加兹,R·莫尔夏尼,B·里瓦尔塔,C·山德里,F·西蒙内蒂. Владелец: Cefla SCARL. Дата публикации: 2019-08-30.

Cleaning system used in gate

Номер патента: KR20230056837A. Автор: 김정환,윤영호,김규현,이지수. Владелец: 주식회사 힘펠. Дата публикации: 2023-04-28.

Improvement in gates

Номер патента: US119421A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-09-26.

Improvements in gate valves

Номер патента: GB191197A. Автор: . Владелец: WHITEHALL PETROLEUM CORP Ltd. Дата публикации: 1923-01-11.

Built-in gate type engine

Номер патента: CN203321672U. Автор: 姚勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-04.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US129209A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-07-16.

Improvement in gates

Номер патента: US192009A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-06-12.

Improvement in gates

Номер патента: US173906A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-02-22.

Measuring device, method are rocked in gate framing camera and its triggering

Номер патента: CN107941474A. Автор: 周帆,刘进元,蔡厚智,龙井华,付文勇. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-20.

Improvement in gates

Номер патента: US133682A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-12-03.

Improvement in gates

Номер патента: US117263A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-07-25.

Improvement in gates

Номер патента: US209257A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-10-22.

Improvement in gates

Номер патента: US131043A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-09-03.

Apparatus for processing traffic information in gate of electronic toll collection and control method thereof

Номер патента: KR101246235B1. Автор: 배병우,김지범,홍유선,민경준,허민규,김무상,이정식. Владелец: 디비정보통신 주식회사. Дата публикации: 2013-03-21.

Improvement in gates

Номер патента: US132809A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-11-05.

Improvement in gates

Номер патента: US59406A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-11-06.

Round baler with bale holder in gate

Номер патента: EP3942921B1. Автор: Daniel E. Derscheid,Austin J. Jones. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-10-04.

Improvement in gates

Номер патента: US198838A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-01-01.

Improvement in gates

Номер патента: US196735A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-30.

Improvement in gates

Номер патента: US120932A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-11-14.

Improvement in gates

Номер патента: US192971A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-07-10.

Improvement in gates

Номер патента: US130306A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-08-06.

Improvement in gates

Номер патента: US113294A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-04-04.

Improvement in gates

Номер патента: US112174A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-02-28.

Improvement in gates

Номер патента: US66832A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-07-16.

Improvement in gates

Номер патента: US200514A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-02-19.

Improvement in gate-rollers

Номер патента: US211796A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-01-28.

Improvement in gates for castings

Номер патента: US153863A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-08-04.

Improvement in gates

Номер патента: US185801A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-12-26.

Improvement in gates

Номер патента: US54596A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-05-08.

Improvement in gates

Номер патента: US69494A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-10-01.

Improvement in gates

Номер патента: US108764A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-11-01.

Improvement in gates

Номер патента: US220662A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-10-14.

Improvement in gates

Номер патента: US64548A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-05-07.

Improvement in gates for railway crossings

Номер патента: US105429A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-07-19.

Improvement in gates

Номер патента: US111266A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-24.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US207823A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-09-10.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US143764A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1873-10-21.

Improvement in gates

Номер патента: US54381A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-05-01.

Improvement in gates

Номер патента: US181636A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-08-29.

Improvement in gates

Номер патента: US109609A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-11-29.

Improvement in gates

Номер патента: US59045A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-10-23.

Improvement in gates

Номер патента: US189745A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-04-17.

Improvement in gates

Номер патента: US101765A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-04-12.

Improvement in gates

Номер патента: US131039A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-09-03.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US195798A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-02.

Improvement in gates

Номер патента: US112904A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-03-21.

Improvement in gates

Номер патента: US116202A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-06-20.

Improvement in gates

Номер патента: US118393A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-08-22.

Improvement in gates

Номер патента: US183983A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-10-31.

Improvement in gate-hinges

Номер патента: US178568A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-06-13.

Improvement in gates

Номер патента: US88575A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-04-06.

Iiviprovement in gates

Номер патента: US198588A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-12-25.

Improvement in gates

Номер патента: US88773A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-04-13.

Improvement in gates

Номер патента: US122973A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-01-23.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US134454A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-12-31.

Improvement in gates

Номер патента: US54641A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-05-08.

Transfer-in-gate

Номер патента: JPS55105887A. Автор: Makoto Suzuki,Masatoshi Takeshita,Keiichi Uehara,Teruaki Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-08-13.

Improvement in gates

Номер патента: US209040A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-10-15.

Improvement in gates

Номер патента: US108031A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-10-04.

Improvement in gates

Номер патента: US193913A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-08-07.

Improvement in gates

Номер патента: US204497A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-06-04.

Improvement in gates

Номер патента: US181985A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-09-05.

Improvement in gate-valves

Номер патента: US166032A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1875-07-27.

Improvement in gates

Номер патента: US203396A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-05-07.

Improvement in gates

Номер патента: US195864A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-10-02.

Improvement in gates

Номер патента: US202728A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-04-23.

Improvement in gates

Номер патента: US194678A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-08-28.

Improvement in gates

Номер патента: US92329A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-07-06.

Improvement in gates

Номер патента: US207032A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-08-13.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US169418A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1875-11-02.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US81209A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-08-18.

Improvement in gate and dooe latches

Номер патента: US60644A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-12-18.

Improvement in gates

Номер патента: US59743A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-11-20.

Improvement in gates

Номер патента: US185097A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-12-05.

Improvement in gates

Номер патента: US121188A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-11-21.

Improvement in gates

Номер патента: US112762A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-03-14.

Improvement in gates

Номер патента: US61832A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-02-05.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US197544A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-11-27.

Improvement in gates

Номер патента: US192143A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-06-19.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US193630A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-07-31.

Improvement in gates

Номер патента: US222956A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-12-23.

Improvement in gates

Номер патента: US87206A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-02-23.

Improvement in gates

Номер патента: US197828A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-12-04.

Improvement in gates

Номер патента: US202508A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-04-16.

Improvement in gates

Номер патента: US197599A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-11-27.

Improvement in gates

Номер патента: US199847A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-01-29.

Improvement in gates for water-wheels

Номер патента: US124273A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-03-05.

Improvement in gates

Номер патента: US59084A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-10-23.

Improvement in gates

Номер патента: US96436A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-11-02.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US193750A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-07-31.

Improvement in gates

Номер патента: US123700A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-02-13.

Improvement in gates

Номер патента: US191334A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-05-29.

Improvement in gates

Номер патента: US99822A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1870-02-15.

Improvement in gates

Номер патента: US55481A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-06-12.

Improvement in gates

Номер патента: US129538A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-07-16.

Improvement in gates

Номер патента: US214590A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-04-22.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US156043A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-10-20.

Improvement in gates

Номер патента: US111676A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-02-07.

Improvement in gates

Номер патента: US203196A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-04-30.

Improvement in gates

Номер патента: US121181A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-11-21.

Improvement in gates

Номер патента: US201614A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-03-26.

Improvement in gates

Номер патента: US119661A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-10-03.

Improvement in gates

Номер патента: US199758A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-01-29.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US111626A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-02-07.

Improvement in gates

Номер патента: US96002A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-10-19.

Improvement in gates

Номер патента: US88108A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-03-23.

Improvement in gates

Номер патента: US128183A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-06-18.

Improvement in gate-attachment

Номер патента: US85390A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-12-29.

Improvement in gates

Номер патента: US59196A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1866-10-30.

Improvement in gates

Номер патента: US88828A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-04-13.

Improvement in gates

Номер патента: US131257A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1872-09-10.

Improvement in gates

Номер патента: US94764A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-09-14.

Improvement in gates

Номер патента: US61676A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-01-29.

Improvement in gates for railway-crossings

Номер патента: US217592A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-07-15.

Improvement in gates

Номер патента: US114177A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-04-25.

Improvement in gates

Номер патента: US184080A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1876-11-07.

Improvement in gates

Номер патента: US42422A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1864-04-19.

Improvement in gate-posts

Номер патента: US86383A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1869-02-02.

Improvement in gates

Номер патента: US215531A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1879-05-20.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US156345A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1874-10-27.

Improvement in gates

Номер патента: US200840A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-03-05.

Improvement in gates

Номер патента: US76190A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-03-31.

Improvement in gates

Номер патента: US189814A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1877-04-17.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US116042A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-06-20.

Improvement in gates pok water-wheels

Номер патента: US65140A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1867-05-28.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US119374A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-09-26.

Improvement in gate-latches

Номер патента: US201406A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1878-03-19.

Improvement in gates for railway crossings

Номер патента: US138527A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1873-05-06.

Improvement in gates

Номер патента: US111124A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1871-01-24.

Improvement in gates

Номер патента: US85091A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1868-12-22.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: US12036623B2. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

A process for converting a metal carbide to diamond by etching in halogens

Номер патента: AU2002309542A1. Автор: Yury Gogotsi,Sascha Welz,Michael J. McNallan,Daniel Ersoy. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2002-11-05.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: EP4416057A1. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Differential etching in acid fracturing

Номер патента: US20050113263A1. Автор: John Still,Diankui Fu,Zhijun Xiao,J. Brown. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Inhibitor Composition for Racks When Using Chrome Free Etches in a Plating on Plastics Process

Номер патента: US20180044813A1. Автор: WERNER Christoph,Noffke Frank,Konigshofen Andreas,Fuhrmann Axel. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Treatment of Plastic Surfaces After Etching in Nitric Acid Containing Media

Номер патента: US20140134338A1. Автор: Chapaneri Roshan V.,Wall Anthony,Pearson Trevor,Herdman Roderick D.. Владелец: MACDERMID ACUMEN, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING DIMENSIONAL RANGE OF REPAIRABLE DEFECTS BY DEPOSITION AND ETCHING IN A VIRTUAL FABRICATION ENVIRONMENT

Номер патента: US20200134117A1. Автор: Pan Yang,Fried David M.,Sobieski Daniel,Wise Rich,Gu Jiangjiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

DETERMINING CONTACT EDGE ROUGHNESS OF A CONTACT HOLE ETCHED IN A WAFER

Номер патента: US20160292845A1. Автор: CHENG CHING-REN. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

METHOD FOR RECESS ETCHING IN MICROMECHANICAL DEVICES

Номер патента: US20180346326A1. Автор: Fujii Hidetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method for processing substrates using laser induced deep reactive etching, in particular for separation

Номер патента: KR102260931B1. Автор: 노르베르트 암브로지우스,로만 오슈트홀트,다니엘 둔커,아르네 슈노어. Владелец: 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2021-06-04.

Treatment method for incomplete etching in PCB negative film process

Номер патента: CN112672525B. Автор: 薛蕾,胡伦洪,李仕武,梁欢欢. Владелец: Guangzhou Guanghe Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Inkjet printhead with deep reverse etch in integrated circuit wafer

Номер патента: US7018021B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2006-03-28.

Low temperature etching in cold-wall CVD systems.

Номер патента: EP0638923A3. Автор: David Carlson,H Peter W Hey,James C Hann. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-11-08.

Inhibitor composition for racks when using chrome free etches in a plating on plastics process

Номер патента: EP3059277B1. Автор: Christoph Werner,Andreas Konigshofen,Frank Noffke,Axel Fuhrmann. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

STAINLESS STEEL ETCHING IN AN OXIDIZING ELECTROLYTIC BATH WITH ACID

Номер патента: RU2014113442A. Автор: Аманда Р. ГЛАСС,Рональд Д. РОДАБАУФ,Дэвид М. ПРАЙС. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2015-11-10.

Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens

Номер патента: US6579833B1. Автор: Yury Gogotsi,Michael J. McNallan,Daniel Ersoy. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2003-06-17.

Treatment method for incomplete etching in PCB negative film process

Номер патента: CN112672525A. Автор: 薛蕾,胡伦洪,李仕武,梁欢欢. Владелец: Guangzhou Guanghe Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-16.

A kind of method utilizing plasma etching in site measurement polymeric sublayer spectrum

Номер патента: CN106092928A. Автор: 鲁广昊,鲁万龙,卜腊菊. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2016-11-09.

Treatment of plastic surfaces after etching in nitric acid-containing media.

Номер патента: JP5956584B2. Автор: ローシャン・ヴイ・チャパネリ,アンソニー・ウォール,トレバー・ピアソン,ロデリック・ディー・ハードマン. Владелец: マクダーミッド アキューメン インコーポレーテッド. Дата публикации: 2016-07-27.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: US20230113120A1. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: WO2023064713A1. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20070210332A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Manabu Yanagihara,Yutaka Hirose,Hiroaki Ueno,Yasuhiro Uemoto,Tsuyoshi Tanaka,Masahiro Hikita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US7528423B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Manabu Yanagihara,Yutaka Hirose,Hiroaki Ueno,Yasuhiro Uemoto,Tsuyoshi Tanaka,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Processing of workpieces using hydrogen radicals and ozone gas

Номер патента: EP3999913A1. Автор: Hua Chung,Michael X. Yang,Xinliang Lu,Bin Dong,Haichun Yang,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Processing of workpieces using hydrogen radicals and ozone gas

Номер патента: US20210020413A1. Автор: Hua Chung,Michael X. Yang,Xinliang Lu,Bin Dong,Haichun Yang,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Gate control device, semiconductor device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09621153B2. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Matrix substrate, display panel and display device

Номер патента: RU2745921C1. Автор: Хунфэй ЧЭН. Владелец: Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-04-02.

Anzeigevorrichtung und gate-treiberschaltkreis davon, ansteuerungsungsverfahren und virtuelle-realität-vorrichtung

Номер патента: DE102017129795B4. Автор: Ooksang YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Speaker module housing and speaker module

Номер патента: US20240334103A1. Автор: Jie Yuan,Siyuan Ni,Hailiang Gui. Владелец: AAC Microtech Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Center circular gating design for squeeze casting induction rotor core

Номер патента: US09839959B2. Автор: Qigui Wang,Richard J. Osborne,Frank Sant. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Self-closing gate

Номер патента: WO1982001734A1. Автор: Malcolm J Ferguson. Владелец: Malcolm J Ferguson. Дата публикации: 1982-05-27.

Aerial firefighting dump gate system

Номер патента: AU2019300763A1. Автор: Victor D. Trotter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-28.

Aerial firefighting dump gate system

Номер патента: AU2019300763B2. Автор: Victor D. Trotter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

Aerial firefighting dump gate system

Номер патента: EP3820775A1. Автор: Victor D. Trotter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-19.

Display device

Номер патента: US20220383801A1. Автор: Soo Yeon Kim,Dae Gwang JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Dosing unit, plant for conveying dense flow, and method for conveying pulverised bulk material

Номер патента: RU2539406C2. Автор: Дитмар РЮГЕР,Олаф ШУЛЬЦЕ,Кристиан АЙХХОРН,Хорст КРЕТШМЕР,Йорг КЛЕЕБЕРГ. Владелец: Линде Аг. Дата публикации: 2015-01-20.

Method of fused metal casting

Номер патента: RU2480309C2. Автор: Герберт СМЕТАН,Клаус ЛЕЛЛИГ. Владелец: Немак Диллинген Гмбх. Дата публикации: 2013-04-27.

Aerial Firefighting Dump Gate System

Номер патента: US20200010196A1. Автор: Victor D. Trotter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Concentric rotary fluid machine

Номер патента: US09957961B2. Автор: Jeffery Ronald Clausen,Nicholas Ryan Marchand. Владелец: Greystone Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Display driver circuitry with balanced stress

Номер патента: US09842551B2. Автор: Keitaro Yamashita,Ting-Kuo Chang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Display, electronic device, pixel unit and pixel unit array

Номер патента: WO2024168864A1. Автор: Keitaro Yamashita,Yasuyuki Teranishi,Qiangcan Huang. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Container for powder, powder feed device and image forming apparatus

Номер патента: RU2593686C2. Автор: Дзунити МАЦУМОТО,Тадаси ХАЯКАВА,Хироси ХОСОКАВА,Цукуру КАИ,Макото КОМАЦУ,Юдзуру ОЗАВА. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2016-08-10.

Rotary piston internal combustion engine

Номер патента: RU2027883C1. Автор: Иван Владимирович Каверин,Сергей Павлович Коробов. Владелец: Научно-производственная коммерческая фирма "Орион-Д". Дата публикации: 1995-01-27.

Improvements relating to data sorting devices

Номер патента: GB1034814A. Автор: Christopher Archibald Go Lemay. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1966-07-06.

Combined comparator and parity checker

Номер патента: GB1003922A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-09-08.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Gates for Cages Employed in Mines.

Номер патента: GB190710464A. Автор: George Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-02-20.

Improvements in Gate or Valve Mechanism for Grain Hoppers, Chutes and the like

Номер патента: GB190502442A. Автор: Edward Adams Munn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-06-01.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB190515035A. Автор: Charles Henry Lovering. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-12-14.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB190527073A. Автор: Louis Hanson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-06-28.

Improvements in Gates for the Platforms of Tram Cars and like Vehicles.

Номер патента: GB190108183A. Автор: Adolf Maurer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-06-15.

Improvements in Gates or Barriers for Railways and other Purposes.

Номер патента: GB189902877A. Автор: Hermann Heinrich Wilhelm Oloff,Andreas Klaus Heinr Brueggmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-03-11.

Improvements in Gate Post "Falls" or like Attachments.

Номер патента: GB190422882A. Автор: John Hedley Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-11-24.

Improvements in Gates for Protecting the Films of Kinetoscopes.

Номер патента: GB190625798A. Автор: Leon Lipman Bories. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-04-04.

Improvement in Gate Valves.

Номер патента: GB190613422A. Автор: Anna Dorthea Mogensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-24.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB190319772A. Автор: Bernard Gornelius Olsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-15.

Gate-in-gate structure used for rear gate of tipper

Номер патента: CN201390181Y. Автор: 杜鹏程. Владелец: Hebei Hongchang Tianma Special Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-27.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB191508977A. Автор: Fred Dyson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-01-13.

Method for preventing fluorine ion residue in gate from creating boron penetrating into gate oxide layer

Номер патента: TW516105B. Автор: Cheng-Lieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

Improvements in Gates and Gate Fittings.

Номер патента: GB190017481A. Автор: George Brownlees. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-11-17.

Improvements in Gate Valves.

Номер патента: GB190119197A. Автор: Alfred Metcalf Hewlett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-04-24.

Improvements in Gate- or Sluice-valves.

Номер патента: GB190812708A. Автор: Stephen Evans Alley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-11-12.

Improvements in Gate-valves.

Номер патента: GB190110016A. Автор: James Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-06-15.

CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION METHOD AND METHOD FOR FABRICATING METAL GATE IN GATE-LAST PROCESS

Номер патента: US20120135589A1. Автор: Zhao Chao,Chen Dapeng,Yang Tao,Liu Jinbiao,He Xiaobin. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Method of Manufacturing Dummy Gates in Gate Last Process

Номер патента: US20130059435A1. Автор: Zhao Chao,Chen Dapeng,Yang Tao,Yan Jiang,Li Junfeng,Lu Yihong. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Gate circuit in gate turn off thyristor

Номер патента: JPS5226148A. Автор: Takeo Maeda,Takuji Matsumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-02-26.

Forming methods for pseudo gate device and semiconductor device in gate-last process

Номер патента: CN104576725A. Автор: 朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-29.

Apparatus for detecting catching of ball or puck in gate

Номер патента: RU2185220C2. Автор: В.И. Рыжов,В.М. Рукавишников,Е.Д. Пушкарев,Д.А. Дятлов,В.Г. Белоусов. Владелец: Уральская государственная академия физической культуры. Дата публикации: 2002-07-20.

Improvements in gate valves

Номер патента: AU109470B2. Автор: . Владелец: M B John Ltd Pty. Дата публикации: 1940-01-18.

Improvements in gates

Номер патента: CA8153A. Автор: John C. Cameron. Владелец: Individual. Дата публикации: 1877-11-27.

Improvements in gates

Номер патента: CA7416A. Автор: Daniel Root. Владелец: Individual. Дата публикации: 1877-05-01.

Improvements in gates

Номер патента: CA7333A. Автор: Theodore F. Timby. Владелец: Individual. Дата публикации: 1877-04-11.

Improvements in gates or barriers andin the means for opening and closing same

Номер патента: AU1747715A. Автор: Mcmaster Fergus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-05-30.

Improvements in Gate Fastenings and Supports

Номер патента: GB190617051A. Автор: Edward Reynolds. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-07-04.

Improvements in gates

Номер патента: AU6439769A. Автор: Edgar Morgan Keith. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1971-05-27.

Improvements in gate hangings

Номер патента: CA14551A. Автор: William G. Alexander. Владелец: Individual. Дата публикации: 1882-04-05.

Improvement in gates

Номер патента: CA17390A. Автор: Thomas Sturgin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1883-07-26.

Improvements in Gate Valves

Номер патента: GB190021466A. Автор: James Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-09.

Improvements in gate latches

Номер патента: AU626027A. Автор: . Владелец: William Henry Downey. Дата публикации: 1928-02-28.

Improvement in gate-latches

Номер патента: USRE5668E. Автор: James Bull. Владелец: VAN WAGONES a WILLIAMS. Дата публикации: 1873-11-25.

Improvements in Fences and in Gates therefor.

Номер патента: GB189912656A. Автор: Robert John Worrall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-08-11.

Improvements in Fences and in Gates therefor.

Номер патента: GB189622564A. Автор: Robert John Worrall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-10-12.

Improvements in gates; and means for operating same

Номер патента: AU230921A. Автор: . Владелец: Gate Ls Attached Willbe Extended Above By Metal Plates Andin Such Cases Bolt. Дата публикации: 1922-03-07.

Improvements in gates or barriers andin the means for opening and closing same

Номер патента: AU1747715B. Автор: Mcmaster Fergus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-05-30.

Improvement in gate-latches

Номер патента: USRE3751E. Автор: Eichmond A. Leeds. Владелец: . Дата публикации: 1869-11-30.

Improvements in gate valves

Номер патента: AU575638A. Автор: . Владелец: M B John Ltd Pty. Дата публикации: 1940-01-18.

Improvements in gate protectors

Номер патента: AU567612B. Автор: Archibald Penny John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-01-28.

Improvements in Gate and Door Stops.

Номер патента: GB189602240A. Автор: Henry Richard John Denton,Joseph Round Cartwright. Владелец: Individual. Дата публикации: 1896-11-21.

Improvements in gate pivots

Номер патента: CA7212A. Автор: Lewis Baldwin,Judson R. Baldwin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1877-03-13.

Improvements in gate opening and closing mechanism

Номер патента: AU277716A. Автор: Reinhold Bartel August. Владелец: Individual. Дата публикации: 1917-04-17.

Improvements in gates or barriers andin the means for opening and closing same

Номер патента: AU13316A. Автор: Mcmaster Fergus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1917-01-30.

Improvement in gates for gangs for marble-saws

Номер патента: USRE5672E. Автор: . Владелец: P One. Дата публикации: 1873-12-02.

Improvements in Gates for Waterways.

Номер патента: GB189323295A. Автор: James Edward Whiting. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-11-10.

Improvements in gate rollers and hinges

Номер патента: CA14031A. Автор: Selwin B. Pratt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1882-01-19.

Improvements in gates valves

Номер патента: AU133917B2. Автор: two or more or. Владелец: . Дата публикации: 2008-07-16.

Improvements in gate mechanism

Номер патента: AU1552128A. Автор: . Владелец: Waygood-Otis (australasia) Ltd Pty. Дата публикации: 1929-10-15.

Improvements in Gate-operated Locks for Elevators.

Номер патента: GB190009643A. Автор: John Fletcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-07-07.

System for automatically controlling opening and closing movements of a drive-in gate

Номер патента: PL269620A1. Автор: Franciszek Krawczyk,Zygmunt Bocian. Владелец: Samochodow Osobowych Fab. Дата публикации: 1988-07-07.

Door-in-gate device for garbage transferring cabinet

Номер патента: TW543633U. Автор: Chang-Jing Liau. Владелец: Pacific Building Systems Inter. Дата публикации: 2003-07-21.

Improvements in gate protectors

Номер патента: AU567612A. Автор: Archibald Penny John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-01-28.

Improvement in gates

Номер патента: USRE8456E. Автор: Joseph Nason. Владелец: John E. Дата публикации: 1878-10-15.

System for automatically controlling opening and closing movements of a drive-in gate

Номер патента: PL156919B1. Автор: Franciszek Krawczyk,Zygmunt Bocian. Владелец: Samochodow Osobowych Fab. Дата публикации: 1992-04-30.

Improvements in Gate- Sluice- or Fullway Valves

Номер патента: GB190306986A. Автор: Charles Henzell Holgate. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-01-28.

ID tag reading write-in gate

Номер патента: USD490811S1. Автор: Michiaki Taniguchi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING X-PESSIMISM IN GATE-LEVEL SIMULATION AND VERIFICATION

Номер патента: US20120072876A1. Автор: Salz Arturo,Maturana Guillermo R.,Moon In-Ho,Mcllwain Lisa R.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2012-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR REDUCING DAMAGING BREAKDOWN IN GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20120077323A1. Автор: . Владелец: Agere Systems Incorporated. Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR IMPROVING WITHIN DIE UNIFORMITY OF METAL PLUG CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION PROCESS IN GATE LAST ROUTE

Номер патента: US20120178255A1. Автор: Zhao Chao,Yang Tao,Li Junfong. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

LARGE DIMENSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20120319180A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process

Номер патента: US20120319238A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODES AND WIRES IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20130059434A1. Автор: Zhao Chao,Yang Tao,Yan Jiang,He Xiaobin,Li Junfeng,Lu Yihong. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Method of tracking in gate frequency inverters

Номер патента: SU680134A1. Автор: Анатолий Николаевич Абрамов. Владелец: Новосибирский электротехнический институт. Дата публикации: 1979-08-15.

The application process of IC-card in gate control system based on finance norms

Номер патента: CN100555339C. Автор: 陆舟,于华章. Владелец: Beijing Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-28.

Method of treating cast iron in gating system

Номер патента: SU1397491A1. Автор: Алексей Александрович Колпаков,Антон Абрамович Рыжиков,Иван Владимирович Красильников,Владимир Борисович Фишер,Виктор Федорович Иваненко. Владелец: Горьковский Автомобильный Завод. Дата публикации: 1988-06-15.

Application method of IC card in gate inhibition system based on financial criterion

Номер патента: CN1885351A. Автор: 陆舟,于华章. Владелец: Beijing Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Underwater oil pipe hanger integrated with built-in gate valve and driving structure

Номер патента: CN109899015B. Автор: 刘永飞,樊春明,孙传轩,刘启蒙,刘兴铎. Владелец: CNPC National Oil and Gas Drilling Equipment Engineering Technology Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Device for creating air curtain in gate opening

Номер патента: SU1712743A1. Автор: Алексей Павлович Заболотный. Владелец: Челябинский государственный институт по проектированию металлургических заводов "Челябгипромез". Дата публикации: 1992-02-15.

Latch structure in gate lock

Номер патента: JPH0643391Y2. Автор: 修 浜口. Владелец: Alpha Corp. Дата публикации: 1994-11-14.

Latch structure in gate door lock

Номер патента: JPS62178675A. Автор: 浜口　修. Владелец: Alpha Corp. Дата публикации: 1987-08-05.

Pull-up type flap in gate

Номер патента: JP5697695B2. Автор: 表　実,実 表. Владелец: MYU-LOON.CO.LTD. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for determining movement direction of RF label in gate region

Номер патента: CN105139046A. Автор: 孙耀君,蒋瑞昌. Владелец: Wuxi Wuxun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

An improvement in gates

Номер патента: CA510A. Автор: C.W. Saladee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1870-07-15.

An improvement in gates

Номер патента: CA477A. Автор: R. Oliver,N. Oliver. Владелец: Individual. Дата публикации: 1870-06-30.

Rolling ring of gyro wheel mechanism in gate -type bucket -wheel stacker reclaimer

Номер патента: CN205634231U. Автор: 李吉龙,盖斌,郁永成. Владелец: HARBIN GENERATING COMPLETE EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Improvements in gates

Номер патента: CA534A. Автор: H. Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1870-08-01.

Lathe is used in gate valve production

Номер патента: CN214720585U. Автор: 王玉涛. Владелец: Shanghai Yuesheng Metal Welding Co ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

System to finish surface of block for use in gate post

Номер патента: JPS5337995A. Автор: Katsuji Kinugawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-04-07.

Improvements in gate post 'falls,' or like attachments

Номер патента: AU155204A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-25.

Improvements in gates

Номер патента: CA11021A. Автор: Colin Kennedy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-03-13.

Improvements in gates

Номер патента: CA10881A. Автор: John S. Henshaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-01-26.

Improvements in gates

Номер патента: CA10868A. Автор: Alexander Nicol. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-01-22.

Improvements in gates

Номер патента: AU102232B2. Автор: Murray Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1937-10-21.

Improvements in gates

Номер патента: AU421236A. Автор: Murray Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1937-10-21.

Improvements in gates

Номер патента: AU2097835A. Автор: Emmett Abbey Robert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1936-01-30.

Improvements in gates

Номер патента: CA9162A. Автор: William C. Hooker. Владелец: HARDY EUGENE B. Дата публикации: 1878-09-07.

Improvements in gates

Номер патента: CA8998A. Автор: Jacob S. Lounsberry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1878-07-10.

Improvements in gates

Номер патента: CA8856A. Автор: Joseph Wright. Владелец: Individual. Дата публикации: 1878-05-31.

Improvements in gates

Номер патента: AU1722710A. Автор: David Jones William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1910-03-15.

Improvements in gate latches

Номер патента: AU191011A. Автор: Arthur Rund Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-09-05.

Improvements in gates or other barriers

Номер патента: AU194311A. Автор: Blacksmith West Warburton Victoria Richard Callahan. Владелец: Harry Courtney Dix. Дата публикации: 1912-07-09.

Improvements in gates

Номер патента: AU6063660A. Автор: Neil Mitchell MacDonald William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-03-14.

Imppovements in gates and the like

Номер патента: AU1471523A. Автор: Amelia Hawken Gloria. Владелец: Individual. Дата публикации: 1924-04-08.

Improvements in gates

Номер патента: CA11472A. Автор: William G. Alexander. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-07-10.

Improvements in gate latches

Номер патента: CA11883A. Автор: Robert Standing. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-10-19.

Improvements in gate hinges

Номер патента: CA11653A. Автор: Thomas Crane. Владелец: Individual. Дата публикации: 1880-08-18.

Improvements in gates andthe like

Номер патента: AU2196535A. Автор: Gordon Clvdsdale Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1936-04-09.

Improvements in gate latches

Номер патента: AU959661A. Автор: Dudley Foster Kenneth. Владелец: FOSTER BROTHERS Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in gates

Номер патента: AU4330464A. Автор: Stratford Boucher Hassell Arthur. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-11-17.

Improvements in Gate Mechanism

Номер патента: GB190709360A. Автор: Austin Elbert Miller. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-08-22.

Improvements in gates

Номер патента: AU777407A. Автор: Johns John'. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-07-09.

Improvements in gates

Номер патента: AU991107A. Автор: Hamilton Jackson Frederick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-11-26.

Improvements in Fences and in Gates therefor.

Номер патента: GB190413100A. Автор: Robert John Worrall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-05-25.

Improvements in gates

Номер патента: ZA72946B. Автор: G Allen. Владелец: African Gate & Fence Works. Дата публикации: 1973-11-28.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB189421904A. Автор: Stansbury Jacob Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-12-15.

Improvements in Gates.

Номер патента: GB189414527A. Автор: William Jackson Slack. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-04-27.

Improvement in gates

Номер патента: AU4487093A. Автор: Lindsay George Anthony Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-03-03.

Improvement in gates and guides of water-wheels

Номер патента: USRE3404E. Автор: Axd John W. Bookwaltbb. Владелец: . Дата публикации: 1869-04-27.

METAL CONTROL GATE FORMATION IN NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20120025289A1. Автор: Purayath Vinod Robert,Liang Jarrett Jun,Orimoto Takashi Whitney. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

METAL CONTROL GATE FORMATION IN NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20120187468A1. Автор: Purayath Vinod Robert,Liang Jarrett Jun,Orimoto Takashi Whitney. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD AND SYSTEM FOR METAL GATE FORMATION WITH WIDER METAL GATE FILL MARGIN

Номер патента: US20120217578A1. Автор: Lim Peng-Soon,Hsu Kuang-Yuan,CHAN Meng-Hsuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-30.

Three Dimensional NAND Device and Method of Charge Trap Layer Separation and Floating Gate Formation in the NAND Device

Номер патента: US20140008714A1. Автор: Alsmeier Johann,Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Double gate formation method of semiconductor device

Номер патента: KR19980085822A. Автор: 이동현. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Metal gates formation method

Номер патента: CN101593686A. Автор: 郑春生,杨瑞鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2009-12-02.

Floating gate formation method of semiconductor device

Номер патента: KR980005506A. Автор: 권성운. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

A method of preventing etching in electroplating baths

Номер патента: AU282667B2. Автор: Bedi Ramdev. Владелец: M&T Chemicals Inc. Дата публикации: 1965-03-11.

A method of preventing etching in electroplating baths

Номер патента: AU3545463A. Автор: Bedi Ramdev. Владелец: M&T Chemicals Inc. Дата публикации: 1965-03-18.

A method of preventing etching in electroplating baths

Номер патента: AU3504763A. Автор: Bedi Ramdev. Владелец: M&T Chemicals Inc. Дата публикации: 1965-03-11.

Method for improving fence issue by the photoresist back-etching in the damascene processing

Номер патента: TW498491B. Автор: Tzung-Han Lee,Chien-Mei Wang,Yi-Fang Cheng,Lian-Fa Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

Method for increasing rounding corner by pull-backed silicon nitride using dry etching in shallow trench isolation processing

Номер патента: TW480655B. Автор: Chun-Hung Lee,Chia-Chi Chung,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

METHOD AND SYSTEM FOR PERFORMING PULSE-ETCHING IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120302070A1. Автор: Chen Yi Nan,Liu Hsien Wen,Lin Chih Ching. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METAL GATE FILL BY OPTIMIZING ETCH IN SACRIFICIAL GATE PROFILE

Номер патента: US20130005128A1. Автор: YANG Bin,Ng Man Fai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

SILICON NITRIDE ETCHING IN A SINGLE WAFER APPARATUS

Номер патента: US20130078809A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Jang Syun-Ming,LU HSUEH-CHIN,Yu Weibo,Chew Han-Guan,Huang Kuo Bin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

Treatment of Plastic Surfaces After Etching in Nitric Acid Containing Media

Номер патента: US20130084395A1. Автор: Chapaneri Roshan V.,Wall Anthony,Pearson Trevor,Herdman Roderick D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

PLASMA-ENHANCED ETCHING IN AN AUGMENTED PLASMA PROCESSING SYSTEM.

Номер патента: US20140054269A1. Автор: Bailey,Dhindsa Rajinder,Hudson Eric A.,III Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Maleic acid p-nitrobenzylidene hydrazide as an inhibitor of steel etching in hydrochloric acid

Номер патента: SU1556061A1. Автор: В.О. Козьминых,Ю.С. Андрейчиков,Г.В. Халдеев,Е.А. Новоселова. Владелец: Пермский государственный университет им.А.М.Горького. Дата публикации: 1996-01-10.

Monitoring method of etching in dry etching

Номер патента: JP3261660B2. Автор: 昭彦 悳. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-03-04.

Method for washing back etching in integrated circuit production

Номер патента: CN100442450C. Автор: 林德成,常延武. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Retouching of etchings in intaglio printing

Номер патента: CA662973A. Автор: H. Bosman Lambertus. Владелец: Nv Quod Bonum. Дата публикации: 1963-05-14.

Metal etching in semiconductor manufacturing process

Номер патента: TW411530B. Автор: Dian-Hau Chen,Yi-Ping Li,Wei-Ren Tsai,Huei-Jen Yu,Jing-Hua Weng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

A method of preventing etching in electroplating baths

Номер патента: AU282668B2. Автор: Bedi Ramdev. Владелец: M&T Chemicals Inc. Дата публикации: 1965-03-18.

Method for profiling corner by chemical dry etching in shallow trench isolation process

Номер патента: TW506058B. Автор: Shin-Yi Tsai,Ming-Jung Liang,Shiu-Sheng Yu,Jiun-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-11.

Liquid Crystal Display Device

Номер патента: US20120002150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device

Номер патента: US20120002151A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYOUT FOR MULTIPLE-FIN SRAM CELL

Номер патента: US20120001197A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Shen Jeng-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHEMICALLY SENSITIVE SENSOR WITH LIGHTLY DOPED DRAINS

Номер патента: US20120001235A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Pixels Having Polarity Extension REgions For Multi-Domain Vertical Alignment Liquid Crystal Displays

Номер патента: US20120002126A1. Автор: Ong Hiap L.. Владелец: Hiap L. Ong and Kyoritsu Optronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REPLACEMENT GATES TO ENHANCE TRANSISTOR STRAIN

Номер патента: US20120003798A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CCD-BASED MULTI-TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSOR ARRAY

Номер патента: US20120001056A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ONE-TRANSISTOR PIXEL ARRAY WITH CASCODED COLUMN CIRCUIT

Номер патента: US20120001236A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TWO-TRANSISTOR PIXEL ARRAY

Номер патента: US20120001237A1. Автор: MILGREW Mark,Johnson Kim,Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY COLUMN INTEGRATOR

Номер патента: US20120001615A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COLUMN ADC

Номер патента: US20120001616A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE CHARGE PUMP

Номер патента: US20120001685A1. Автор: MILGREW Mark,LEVINE Peter,REARICK Todd. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIALIZER CIRCUIT

Номер патента: US20120001779A1. Автор: Fife Keith,YANG Jungwook. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Bunker gate

Номер патента: RU2282573C2. Автор: чич Валерий Владимирович Кра,Валерий Владимирович Краячич,Александр Сергеевич Лапшин,Владимир Николаевич Вуколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Весоизмерительная Компания "Тензо-М". Дата публикации: 2006-08-27.

Method of tracking target path and radar station for realising said method

Номер патента: RU2470318C1. Автор: Сергей Назарович Лужных,Валентин Иванович Кисляков,Сергей Яковлевич Прудников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ измерительных приборов-Новосибирский завод имени Коминтерна" (ОАО "НПО НИИИП-НЗиК"). Дата публикации: 2012-12-20.

Precision cmos amplifier

Номер патента: RU2310270C1. Автор: Юрий Владимирович Агрич,Вадим Беневич Лифшиц. Владелец: Вадим Беневич Лифшиц. Дата публикации: 2007-11-10.

Shutoff-and-control device

Номер патента: RU2313023C1. Автор: Александр Нухович Коблев. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Промавтоматика". Дата публикации: 2007-12-20.

Method for controlling saturation of transistor gate

Номер патента: RU2156997C1. Автор: Н.И. Лаврентьев,Н.В. Лаврентьева. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им. С.П. Королева". Дата публикации: 2000-09-27.

Cmos array chip manufacturing process

Номер патента: RU2124252C1. Автор: Ю.В. Агрич. Владелец: Агрич Юрий Владимирович. Дата публикации: 1998-12-27.

Sealing ring of pipeline valve gate

Номер патента: RU2345263C2. Автор: Анатолий Леонтьевич Шанаурин,Владимир Васильевич Макаров. Владелец: Владимир Васильевич Макаров. Дата публикации: 2009-01-27.

Ship passage structure of protective dam

Номер патента: RU2026460C1. Автор: Л.В. Иванов,В.А. Портнов,А.Ф. Парфенов,В.Я. Кошкин. Владелец: Проектно-изыскательский и научно-исследовательский институт морского транспорта "Ленморниипроект". Дата публикации: 1995-01-09.

Номер патента: GB1082803A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1976-02-03.

Cooling system of gas-transfer set gas-turbine engine

Номер патента: RU2267019C1. Автор: Ю.Л. Саков,Ю.В. Лепихин,С.Н. Лушников,С.А. Рудницкий. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2005-12-27.

METAL CONDUCTOR CHEMICAL MECHANICAL POLISH

Номер патента: US20120001262A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,Jeng Shwang-Ming,Kang Huang Soon,Kuo Han-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Automatic gas-pressure regulator

Номер патента: RU2032206C1. Автор: Л.В. Цуркаленко,М.И. Беспалов,И.Ф. Сиренко,В.Ф. Костырев,М.А. Григиль,Г.И. Тодоров,А.П. Балабай,Г.И. Ялый. Владелец: Цуркаленко Лев Васильевич. Дата публикации: 1995-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.