• Главная
  • A photosensitive resin composition, a resin film, a cured film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

A photosensitive resin composition, a resin film, a cured film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Photosensitive resin composition

Номер патента: US11739215B2. Автор: Takaaki Sakurai. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition

Номер патента: EP2577397A1. Автор: Kaoru Iwato,Shuji Hirano,Sou Kamimura,Keita Kato,Hidenori Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition

Номер патента: US09760003B2. Автор: Kaoru Iwato,Shuji Hirano,Sou Kamimura,Keita Kato,Hidenori Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Photosensitive resin composition and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09704724B2. Автор: Mitsuhito Suwa,Takenori Fujiwara,Yugo Tanigaki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Etching method and photosensitive resin composition

Номер патента: EP3961676A1. Автор: Teruhiro Uematsu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Photosensitive resin composition and process for producing semiconductor element

Номер патента: EP2799928A1. Автор: Mitsuhito Suwa,Takenori Fujiwara,Yugo Tanigaki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2014-11-05.

Colored photosensitive resin composition and black matrix prepared therefrom

Номер патента: US20220100090A1. Автор: Seung-Keun Kim,Kyu Cheol Lee. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101094486B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-19.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Developing solution and development processing method of photosensitive resin composition

Номер патента: US09891527B2. Автор: Kunihiro Noda,Hiroki Chisaka,Dai Shiota. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Epoxy resin composition, molding material, and fiber-reinforced composite material

Номер патента: EP4212568A1. Автор: Norikazu Ishikawa,Tatsuya Takamoto,Nobuyuki Tomioka. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-07-19.

Microcapsule type curable resin composition

Номер патента: US09914861B2. Автор: Kunihiko KAMATA,Kenji Kuboyama. Владелец: ThreeBond Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US09875892B2. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for producing polyarylene sulfide resin and polyarylene sulfide resin composition

Номер патента: US09688817B2. Автор: Hajime Watanabe,Toshio Hinokimori. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Curable resin composition and cured product thereof

Номер патента: US11840597B2. Автор: Chiaki Nishiura,Ryo Ogawa,Takayuki Hiratani,Kyohei Wada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Curable resin composition and cured product thereof

Номер патента: US20240059823A1. Автор: Chiaki Nishiura,Ryo Ogawa,Takayuki Hiratani,Kyohei Wada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and apparatus for improving resolution of objects in a semiconductor wafer

Номер патента: US20030054604A1. Автор: Edwin Pell. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method and apparatus for improving resolution of objects in a semiconductor wafer

Номер патента: WO2002086962A1. Автор: Edwin A. Pell, Iii. Владелец: MENTOR GRAPHICS CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-31.

A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method

Номер патента: KR100393118B1. Автор: 현만석. Владелец: 현만석. Дата публикации: 2003-07-31.

Resin composition

Номер патента: US09660271B2. Автор: Tomohiro Takahashi,Hidemasa Sugimoto. Владелец: Riken Technos Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Resin composition and method of producing laminate

Номер патента: US20200071455A1. Автор: Yoshitaka Takezawa,Tomoo Nishiyama,Kazuya KIGUCHI. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Resin composition and method of producing laminate

Номер патента: US20190338069A1. Автор: Yoshitaka Takezawa,Tomoo Nishiyama,Kazuya KIGUCHI. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Resin composition, cured film, laminated film, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716026B2. Автор: Takuo Watanabe,Chungseon Lee. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of Manufacturing a Biodegradable Healthcare Product

Номер патента: US20220017644A1. Автор: Charles Anthony Strongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of manufacturing a biodegradable healthcare product

Номер патента: US12049523B2. Автор: Charles Anthony Strongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-30.

Vinyl polymer powder, curable resin composition and cured substance

Номер патента: US09688801B2. Автор: Toshihiro Kasai,Kaori Fukutani. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Curable resin composition for stereolithography, cured product, and three-dimensional object

Номер патента: EP4317232A1. Автор: Yoshinobu Deguchi,Ikuma SHIMIZU. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Curable resin composition for stereolithography, cured product, and three-dimensional object

Номер патента: US20240199785A1. Автор: Yoshinobu Deguchi,Ikuma SHIMIZU. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Curable resin composition

Номер патента: US20190177469A1. Автор: Chiaki Nishiura,Ryo Ogawa,Kyohei Wada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Curable resin composition

Номер патента: US20230357488A1. Автор: Chiaki Nishiura,Ryo Ogawa,Kyohei Wada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

A method for imaging of manufacturing processes

Номер патента: EP1229722A3. Автор: Mika Petri Valkonen,Jorma Heikki Antero Snellman. Владелец: Procemex Oy. Дата публикации: 2003-10-29.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Semiconductor die and a method for detecting an edge crack in a semiconductor die

Номер патента: US20210384085A1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

A method and system of manufacturing mechanical seal products

Номер патента: WO2022123193A1. Автор: Darren WARD,Christopher John Rea,Stephen Martin Shaw,Christopher BREFFIT. Владелец: AES Engineering Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Fiber reinforced thermoset composites and methods of making

Номер патента: US09725563B2. Автор: Jawed Asrar,Klaus Friedrich Gleich,Mingfu Zhang,Asheber Yohannes. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US12087715B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US20240363561A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of manufacturing electronic device, substrate and semiconductor device

Номер патента: US7829378B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

A method and an arrangement for manufacturing a web and a web manufactured in accordance with said method

Номер патента: WO1996026879A1. Автор: Gösta Andersson. Владелец: Duni AB. Дата публикации: 1996-09-06.

Cured resin film, semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240352275A1. Автор: Masaya TOBA,Yu Aoki,Yuki IMAZU,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4199117A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor probe, testing device and testing method for testing quantum battery

Номер патента: US09778284B2. Автор: Akira Nakazawa,Kiyoyasu Hiwada,Harutada Dewa. Владелец: Guala Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799704B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09418838B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20210172995A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20240192262A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US11959958B2. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Selectable fuse sets, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20220139492A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Display device and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230369271A1. Автор: Yuki Masuda,Yu Shoji,Keika HASHIMOTO. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-11-16.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having pda function

Номер патента: US20240242756A1. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09715921B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09466343B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240172571A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for isolating faulty semiconductor devices in a multiple stream graphics system

Номер патента: US20040073857A1. Автор: Tyvis Cheung,Nathaniel Naegle. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653474B2. Автор: Hyoung-Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230309296A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862672B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Determining the remaining usability of a semiconductor module in normal use

Номер патента: US20220043050A1. Автор: Markus Mauersberger,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-02-10.

Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device

Номер патента: US5494834A. Автор: Antonius H. J. Venhuizen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11830864B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Hsing-Kuo Hsia,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Package Structure for Semiconductor Device and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20220319940A1. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method and apparatus of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: SG134223A1. Автор: Shimizu Takahiro,HARA Akihide. Владелец: Fuji Elec Device Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

Method and apparatus of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: MY148831A. Автор: Takahiro Shimizu,Akihide Hara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-14.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of manufacturing and testing a semiconductor device

Номер патента: US6972202B2. Автор: Kunio Kobayashi,Ryouji Nishihashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Operating a pipeline flattener in a semiconductor device

Номер патента: US20190303166A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Operating a Pipeline Flattener in a Semiconductor Device

Номер патента: US20130046962A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: EP2954531A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20140219015A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: WO2014123777A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160358975A1. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US11948623B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Partially removing a semiconductor wafer

Номер патента: EP3667706A2. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-17.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160079201A1. Автор: Won Chul Do,Jin Hee Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190172796A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of fabricating buried digit lines

Номер патента: US6555463B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US09646849B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332386A1. Автор: Yung-Chun Wu,Yi-Ju Yao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-03.

Heated tobacco system, device and consumable

Номер патента: EP4454490A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Imperial Tobacco Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US09799553B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12125908B2. Автор: Chia-Ling Chan,Meng-Yueh Liu,Wei-Ken LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063284A1. Автор: Chee-Wee Liu,Chien-Te TU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110254095A1. Автор: Yoshiaki Ito,Koichiro Kamata,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Mold conditioning resin composition and method of mold conditioning

Номер патента: MY154931A. Автор: Hiromitsu Kiyohito,Nomura Hiroaki,Hamaura Kenichi. Владелец: Nippon Carbide Kogyo Kk. Дата публикации: 2015-08-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200381309A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050148177A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuhiro Murakami,Tomio Katata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a wind turbine blade with fewer manufacturing defects

Номер патента: US11884029B2. Автор: Lars Nielsen,Klavs JESPERSEN. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Film capacitor and resin film

Номер патента: US20240321522A1. Автор: Shunsuke Akiba. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a set of heat exchange cells and set of heat exchange cells thus obtained

Номер патента: US09909779B2. Автор: Rocco Giannoni. Владелец: CONDEVO SpA. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US12113118B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

FinFETs and methods of forming FinFETs

Номер патента: US12087861B2. Автор: Tien-I Bao,Chin-Hsiang Lin,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

FinFETs and methods of forming FinFETs

Номер патента: US09985134B1. Автор: Tien-I Bao,Chin-Hsiang Lin,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Devices with cavity-defined gates and methods of making the same

Номер патента: US20140183626A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Devices with cavity-defined gates and methods of making the same

Номер патента: WO2009111225A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-11.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Field pole members and methods of forming same for electrodynamic machines

Номер патента: EP1987583A2. Автор: John Petro,Ken Wasson,Jeremy Mayer. Владелец: NovaTorque Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

A snus container, a method of manufacturing a snus container and a mould

Номер патента: US20240277045A1. Автор: Tommy Asterhed. Владелец: Saevjo Plastic Ab. Дата публикации: 2024-08-22.

Floor element for forming a floor covering, a floor covering, and a method of manufacturing a floor element

Номер патента: US20240279937A1. Автор: Claudio Caselli,Rahul Patki. Владелец: Dal Tile LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Floor element for forming a floor covering, a floor covering, and a method of manufacturing a floor element

Номер патента: US12110694B2. Автор: Claudio Caselli,Rahul Patki. Владелец: Dal Tile LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Conductive feature with non-uniform critical dimension and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935816B2. Автор: Shing-Yih Shih,Jheng-Ting JHONG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for Welding an Attachment Piece to a Semiconductor Metallisation by Laser Welding

Номер патента: US20230207516A1. Автор: Stefan Stegmeier,Friedrich Lupp,Markus Lasch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of controlling plasma etch process

Номер патента: US20030153102A1. Автор: Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for forming a shielding layer over a semiconductor package with reduced metal burrs

Номер патента: US20240347477A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming post-passivation interconnect structure

Номер патента: US09953891B2. Автор: Ming-Che Ho,Chung-Shi Liu,Zheng-Yi Lim,Yi-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Silicon Phosphide Semiconductor Device

Номер патента: US20230360974A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride-based heterojuction semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20130026450A1. Автор: Jinhong Park,Taehoon Jang,Kwangchoong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200075749A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method and apparatus for molding a semiconductor device

Номер патента: US20050287236A1. Автор: Yi Lin,Shu Ho,Teng Kuah,Chun Li,Zhi Zhang,Shuai Lee. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Stacked image sensor device and method of forming same

Номер патента: US20230197760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20200176448A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US09934986B2. Автор: Bum-seok Seo,Seok-Han Park,Jeong-seop SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of fabricating a thin film and metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20070155169A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US20170200633A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268198A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Interconnections for a semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20020041034A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device interconnect

Номер патента: WO2002093648A2. Автор: Anthony Stamper,Edward Cooney, III. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Capacitive element, method of manufacture of the same, and semiconductor device

Номер патента: US8264063B2. Автор: Kazuaki Kurihara,John David Baniecki,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for the epitaxial manufacture of a semiconductor device having a multi-layer structure

Номер патента: US4274890A. Автор: Jacques J. Varon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-06-23.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240021620A1. Автор: Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11887985B2. Автор: Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Photovoltaic cell containing a semiconductor photovoltaically active material

Номер патента: CA2599412A1. Автор: Hans-Josef Sterzel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Side airbag cushion and method of manufacture

Номер патента: US09573551B1. Автор: Atsushi Yamada,Xiaohong Wang,Takayuki Makioka,Hongseok Kim. Владелец: Autoliv ASP Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device package and method for packaging the same

Номер патента: US20210082835A1. Автор: Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11855171B2. Автор: Miin-Jang Chen,Sheng-Han YI,Chen-Hsuan LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor apparatus and method of manufactuing the same

Номер патента: US20040227237A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20240088255A1. Автор: Miin-Jang Chen,Sheng-Han YI,Chen-Hsuan LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20210143272A1. Автор: Kohei Ebihara,Naruto Miyakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101093241B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100564526B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-29.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100483203B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100889555B1. Автор: 곽성호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-03-23.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577529B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Reservoir capacitor of semiconductor device

Номер патента: US9263452B2. Автор: Ae Rim JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Semiconductor FinFET device and method

Номер патента: US10770302B2. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568419B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of manufacturing capacitors of a semiconductor device

Номер патента: DE19607351A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-29.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100947458B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-03-11.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5536683A. Автор: Sun-Chieh Chien,Jeng Ping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR101016341B1. Автор: 김영근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101082719B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-15.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US9564355B2. Автор: Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor storage device and method for forming a profile of a capacitor thereof

Номер патента: US20200144392A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device gate stack

Номер патента: GB2560866A. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Method of manufacturing a group of bicycles

Номер патента: US20140151975A1. Автор: Christopher P. D'Aluisio. Владелец: Specialized Bicycle Components Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for constructing and/or manufacturing a water sports device

Номер патента: CA3156752A1. Автор: Hermann Rosen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of designing a piezoelectric component

Номер патента: US6543108B1. Автор: Yasuhiro Itasaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

A method and an apparatus for manufacturing a storage bag, and a storage bag.

Номер патента: OA20179A. Автор: Siddharth LOHIA. Владелец: Lohia Corp Limited. Дата публикации: 2021-12-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Epoxy resin composition, curing agent, and curing accelerator

Номер патента: US20120004349A1. Автор: Ono Kazuo,KANEKO Masami,AMANOKURA Natsuki,Kamegaya Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Oxygen-absorbable Solvent-soluble Resin and Oxygen-absorbable Adhesive Resin Composition

Номер патента: US20120001121A1. Автор: . Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR CLEANING PLASTICS-PROCESSING MACHINE

Номер патента: US20120000489A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.