Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Production of semiconductor device using film carrier tape

Production of semiconductor device using film carrier tape

Номер патента: JPS5335380A
Опубликовано: 01-04-1978
Автор(ы): Mitsuru Imai, Toshio Matsubayashi
Принадлежит: NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Production of bga type semiconductor device

Номер патента: JPH10116858A. Автор: Keiichi Tsujimoto,圭一 辻本,憲治 石松,Kenji Ishimatsu. Владелец: Mitsui High Tec Inc. Дата публикации: 1998-05-06.

Semiconductor device, bump structure on a semiconductor substrate, flip chip package structure, method and a product of manufacturing a semiconductor device the same

Номер патента: TW200822251A. Автор: Pao-Kang Niu,Pei-Haw Tsao,Bill Kiang,Liang-Chen Lin,I-Tai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-16.

Semiconductor device, bump structure on a semiconductor substrate, flip chip package structure, method and a product of manufacturing a semiconductor device the same

Номер патента: TWI333252B. Автор: Bill Kiang,Pei Haw Tsao,Pao Kang Niu,Liang Chen Lin,I Tai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-11-11.

Production of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS54126468A. Автор: Kenji Miyajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-01.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for production of semiconductor instruments

Номер патента: RU2066079C1. Автор: В.Н. Царев,В.В. Морозов,В.Л. Сандеров,М.П. Еремеев. Владелец: Сандеров Вильям Лазаревич. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device package assembly, semiconductor device assembly, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09553242B2. Автор: Takaaki Kudo,Naofumi Ikenaga,Tetsu Urano. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate

Номер патента: EP1366514A1. Автор: Johannes W. Van Rijckevorsel,Eugene A. Vriezen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266315A1. Автор: Kazuya Okada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Production of semiconductor material and devices using oblique angle etched templates

Номер патента: EP2136390A3. Автор: Wang Nang Wang. Владелец: Nanogan Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4046595A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1977-09-06.

Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device

Номер патента: EP3039080A1. Автор: Michitaka Suto,Haruhiko Furukawa,Tomohiro Iimura,Kazuhiro Nishijima,Takashi Sagawa. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Curable Silicone Composition, Cured Product Thereof, And Optical Semiconductor Device

Номер патента: US20160208138A1. Автор: Michitaka Suto,Haruhiko Furukawa,Tomohiro Iimura,Kazuhiro Nishijima,Takashi Sagawa. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and process of production of same

Номер патента: US20020003285A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Production of semiconductor material and devices using oblique angle etched templates

Номер патента: EP2136390A2. Автор: Wang Nang Wang. Владелец: Nanogan Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Semiconductor device of multichip module-type

Номер патента: US5401688A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yoshihiro Atsumi,Naohiko Hirano,Yoichi Hiruta,Yasuhiro Yamaji,Akihiro Mase,Katsuto Katoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive film, cured product of which and semiconductor device using thereof

Номер патента: TWI484297B. Автор: Kazuyuki Matsumura,Hiroyuki Niwa,Chikara Inagaki,Kanako Tahara. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2015-05-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US11894348B2. Автор: Takashi Hirao,Toru Kato,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Wafer substrate, semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device using the wafer substrate

Номер патента: KR101382677B1. Автор: 윤호상. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2014-04-07.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20110250396A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: WO2009063808A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-05-22.

POLISHING HEAD, CMP APPARATUS INCLUDING A POLISHING HEAD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING A CMP APPARATUS

Номер патента: US20180043496A1. Автор: YAMAMOTO Sukehiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Manufacture of semiconductor material and devices using that material

Номер патента: GB9929613D0. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-02-09.

Polishing head, CMP apparatus including a polishing head, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device using a CMP apparatus

Номер патента: US10300577B2. Автор: Sukehiro Yamamoto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of production of circuit board, semiconductor device, and plating system

Номер патента: TW565914B. Автор: Naohiro Mashino. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2003-12-11.

Fluorescent substance, method for production of same, and light-emitting device using same

Номер патента: CN101755030B. Автор: 盐井恒介,广崎尚登. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-05-14.

Semiconductor package, method of production of same, and semiconductor device

Номер патента: KR100996898B1. Автор: 시미즈노리요시,로쿠가와아키오,이이지마다카히로. Владелец: 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-11-29.

Maleimide Resin Composition, Prepreg, Cured Product Of Same And Semiconductor Device

Номер патента: US20190203048A1. Автор: Nakanishi Masataka,Kuboki Kenichi,MATSUURA Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT OF SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210277236A1. Автор: YABUNO Shinya,ITAYA Ryo,NAKAGAWA Yasunobu. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-09.

Production of mos-type semiconductor device

Номер патента: JPS5484981A. Автор: Katsuyuki Inayoshi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-07-06.

Curable resin composition, cured product of same and semiconductor device

Номер патента: US11124649B1. Автор: Yasunobu Nakagawa,Shinya YABUNO,Ryo Itaya. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Process for the production of silicon-alloy-semiconductor devices

Номер патента: DE1027325B. Автор: Gerald Leondus Pearson. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1958-04-03.

Process for production of thin film semiconductor device for displaying purposes

Номер патента: WO2011145149A1. Автор: 永井久雄,西田健一郎. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2011-11-24.

Maleimide resin composition, prepreg, cured product of same and semiconductor device

Номер патента: WO2018025921A1. Автор: 政隆 中西,一貴 松浦,窪木　健一. Владелец: 日本化薬株式会社. Дата публикации: 2018-02-08.

Production of ill type semiconductor device

Номер патента: JPS52150987A. Автор: Mitsuo Usami,Akio Hayasaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-12-15.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US09505953B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Reactor for plasma-chemical treatment of semiconductor structures

Номер патента: RU2753823C1. Автор: Илья Александрович Иванов,Павел Евгеньевич Афонин,Владимир Миронович Долгополов,Павел Александрович Иракин,Константин Владимирович Логунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2021-08-23.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Device for liquid chemical etching of semiconductor products

Номер патента: RU2746672C1. Автор: Юлия Валерьевна Сухорослова,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2021-04-19.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: MY149401A. Автор: Banba Toshio. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Reactor for plasma processing of semiconductor structures

Номер патента: RU2670249C1. Автор: Владимир Борисович Павлов,Александр Кириллович Петров,Наталья Борисовна Гусева,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова,Елена Владимировна Карпенкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Film Carrier Tape for Mounting Electronic Components and Method of Manufacturing the Film Carrier Tape

Номер патента: US20080063838A1. Автор: Hiroaki Kurihara,Naoya Yasui. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: US20030211723A1. Автор: Ling Yun,Rick Teo Kok Hin. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2003-11-13.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Composition for curable resin, cured product of said composition, production method for said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20210301076A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami,Tatsuki SATO. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method and apparatus for personalization of semiconductor

Номер патента: US7211453B2. Автор: Torbjörn Sandström. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Film carrier and semiconductor device using same

Номер патента: US6157084A. Автор: Masakazu Sugimoto,Atsushi Hino,Toshiki Naito. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20150284603A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20160075922A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Contact structure for an electric II/VI semiconductor component and a method for the production of the same

Номер патента: US6673641B1. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo W. Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2004-01-06.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for production of microchip card unit for contactless reading cards

Номер патента: RU2155379C2. Автор: Мундигл Йозеф,Удо Детлеф. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 2000-08-27.

Film carrier tape for mounting of electronic part

Номер патента: US20060027912A1. Автор: Tatsuo Kataoka,Hiroyuki Soutome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses

Номер патента: CA2014934C. Автор: Shobha Singh,George J. Zydzik,Debra Anne Fleming,David Wilfred Johnson, Jr.,Legrand G. Vanuitert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: PH12015502710A1. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo,OISHI Ryo. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-14.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device using film carrier

Номер патента: US5304843A. Автор: Masao Mochizuki,Hiroshi Tazawa,Yoshiharu Tsuboi,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Gas injection system with precursor for planar deprocessing of semiconductor devices using a focused ion beam

Номер патента: US09761467B2. Автор: Chad Rue,Clive D. Chandler. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US12138738B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Production of spacers at flanks of a transistor gate

Номер патента: US09543409B2. Автор: Nicolas Posseme,Sebastien Barnola,Sebastien Lagrasta,Christian Arvet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20150184033A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for the synthesis of semiconductor nanowires

Номер патента: US20100317176A1. Автор: Kevin M. Ryan,Christopher Barrett. Владелец: University of Limerick. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US4763409A. Автор: Manabu Bonkohara,Kouichi Takekawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-16.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Instrument for production of semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US6221200B1. Автор: Kazuo Saito,Takeshi Ishimatsu. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 2001-04-24.

Extreme ultraviolet (euv) exposure system and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20180031978A1. Автор: Chang-min Park,Ji-Sun LEE,Myung-soo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2586444C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2723982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова,Арслан Гасанович Мастафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717144C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Device for separation of composite structure from substrate on basis of semiconductor film (options)

Номер патента: RU2683808C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-02.

Method for the production of semiconductor devices

Номер патента: US4716129A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-12-29.

Film carrier tape for mounting electronic devices thereon, production method thereof and plating apparatus

Номер патента: US20040245109A1. Автор: Akira Fujimoto. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437B1. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2005-02-17.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A3. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2004-11-25.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A2. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Arizona Board Of Regents A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University. Дата публикации: 2004-04-22.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Extreme ultraviolet (EUV) exposure system and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09996009B2. Автор: Chang-min Park,Ji-Sun LEE,Myung-soo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688874C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688881C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Method for evaluating semiconductor device

Номер патента: EP2290677A3. Автор: Masahiro Kato,Atsushi Yoshida,Shigekazu Komatsu,Mitsuyoshi Miyazono,Dai Shinozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Resin composition, cured product sheet, composite molded body, and semiconductor device

Номер патента: US20240010814A1. Автор: Toshiyuki Tanaka,Toshiyuki SAWAMURA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Film-forming material, film-forming composition, film-forming method using film-forming material and film-forming composition, and semiconductor device fabricated using film-forming method

Номер патента: US20240240318A1. Автор: Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Kok Chew TAN. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device module with solder layer

Номер патента: US09508700B2. Автор: Shoji Saito,Hideo KOMO,Takeshi Omaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09504154B2. Автор: Eiji Mochizuki,Shinji Tada,Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Production of micro-mechanical devices

Номер патента: US09482863B2. Автор: Alexander Shpunt,Raviv Erlich,Yuval Gerson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09466711B2. Автор: Takeshi Fujii,Masaki Koyama,Hitoshi Abe,Makoto Asai,Seiji Momota,Takashi SHIIGI,Koh Yoshikawa,Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Spacer winding device in electronic parts packaging film carrier tape processing device, and spacer winding method in electronic parts packaging film carrier tape processing device

Номер патента: US20060011770A1. Автор: Tetsuyuki Narabayashi. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method of production of semiconductor device and method of production of solid-state imaging device

Номер патента: US20090124036A1. Автор: Emi Ohtsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of production of semiconductor device and method of production of solid-state imaging device

Номер патента: US7947522B2. Автор: Emi Ohtsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device

Номер патента: WO2003035763A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-01.

Film carrier tape for mounting electronic part

Номер патента: US7158387B2. Автор: Akihiro Terada,Keisuke Yamashita. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Curable Organopolysiloxane Composition, Use Of The Cured Product Of The Composition, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070273051A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device

Номер патента: EP1442081A1. Автор: Tomoko Dow Corning Toray Silicone Co.Ltd KATO,Minoru Dow Corning Toray Silicone Co.Ltd Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: EP4435846A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with low-conducting buried and/or surface layers

Номер патента: US09673285B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2770135C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2022-04-14.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20080081381A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Filling material for three-dimensional mounting of semiconductor element

Номер патента: US20160237201A1. Автор: Hiroki Tanaka,Katsuhiro NAKAGUCHI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP1766685A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2005109510A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2005-11-17.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20020127851A1. Автор: Takaaki Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09385061B2. Автор: Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2606246C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for production of compound semiconductor devices

Номер патента: CA1277779C. Автор: Masaru Miyazaki,Akihisa Terano,Yoshinori Imamura,Hiroshi Yanazawa,Nobutoshi Matsunaga. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1990-12-11.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for production of compound semicondutor devices

Номер патента: US4902635A. Автор: Masaru Miyazaki,Akihisa Terano,Yoshinori Imamura,Hiroshi Yanazawa,Nobutoshi Matsunaga. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1990-02-20.

Production of sealed semiconductor device

Номер патента: GB2089124B. Автор: . Владелец: Toshiba Components Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182737A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE,Takeshi Kotegawa,Noriaki Sugahara. Владелец: Buffalo Memory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027421A1. Автор: Takeo Nishikawa,Eiichi Omura,Takayoshi Tawaragi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240055503A1. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of designing and structure for visual and electrical test of semiconductor devices

Номер патента: US20010005052A1. Автор: Mark Masters,Thomas Hartswick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US9595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Power converter for reducing a difference between reference potentials of semiconductor devices that are simultaneously turned on and off

Номер патента: US10291149B2. Автор: Tomohisa Sano,Yohei Kondo,Yuu YAMAHIRA,Kengo MOCHIKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device, driving method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240298447A1. Автор: Hiromichi Godo,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US20020041033A1. Автор: Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9123696B2. Автор: Yujin OKAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240306403A1. Автор: Yeon Seung Jung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device packages with improved thermal management and related methods

Номер патента: US09543274B2. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US09543258B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Coincident site lattice-matched growth of semiconductors on substrates using compliant buffer layers

Номер патента: US09425249B2. Автор: Andrew Norman. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor processing system

Номер патента: US11899368B2. Автор: Ming-Hung Lin,Yu-Kai Chen,Su-Yu Yeh,Chia-Hung Chung,Ko-Bin Kao,Li-Jen Wu,Zhi-You Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Film carrier tape for mounting electronic part

Номер патента: US20040086739A1. Автор: Hideaki Makita,Yasunori Matsumura. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor device comprising alignment key

Номер патента: US20240204068A1. Автор: Jin-Wook Yang,Yoshinao Harada,Woo Bin Song,Cheoljin YUN,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20040026777A1. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and storage system

Номер патента: US20230007849A1. Автор: Yanwu WANG,Huifang Dai,Yade FANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US11996457B2. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Seokhan Park,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Locally isolated protected bulk finfet semiconductor device

Номер патента: US20140145250A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266445A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Plastic-packaged semiconductor device including a plurality of chips

Номер патента: US20020000672A1. Автор: Ryuichiro Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120080747A1. Автор: Do Hyung Kim,Ki Ro Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device packages with improved thermal management and related methods

Номер патента: US09899293B2. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09768320B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Akihisa Shimomura,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of bonding semiconductor die to substrate in reconstituted wafer form

Номер патента: US09721921B2. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device

Номер патента: US09698320B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Takao Manabe. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09660356B1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of controlling warpage in reconstituted wafer

Номер патента: US09607965B2. Автор: KANG Chen,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jose Alvin Caparas,Hin Hwa Goh,Kian Meng Heng. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of individual die bonding followed by simultaneous multiple die thermal compression bonding

Номер патента: US09524958B2. Автор: HunTeak Lee,Joonyoung Choi,YongHee Kang,YoungChul KIM,KeonTaek Kang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US09508894B2. Автор: Chien-Fu Huang,Min-Hsun Hsieh,Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hao-Min Ku,Chung-Hsun Chien. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device including RDL along sloped side surface of semiconductor die for Z-direction interconnect

Номер патента: US09437538B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of backgrinding and singulation of semiconductor wafer while reducing kerf shifting and protecting wafer surfaces

Номер патента: US09401289B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Minjung Kim,Joungin Yang,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for production of tunnelling multi-gate field nanotransistor with schottky contacts

Номер патента: RU2717157C2. Автор: Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Дмитрий Александрович Свинцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688866C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Composite material, process of its production, panel of semiconductor device emitting heat, semiconductor device ( variants ), dielectric panel and electrostatic absorbing facility

Номер патента: RU2198949C2. Автор: Казутака ОКАМОТО,Йасуо КОНДО,Теруйоси АБЕ,Йасухиса АОНО,Дзунйа КАНЕДА,Риуити САИТО,Йосихико КОИКЕ. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2003-02-20.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method for the production of semiconductor devices with an integral heatsink and of related semiconductor equipment

Номер патента: US3973320A. Автор: Giovanni Greco,Maurizio Tomassini. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-08-10.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180085859A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoru Idojiri,Seiji Yasumoto,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240203483A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Device, Display Apparatus, and Electronic Device

Номер патента: US20240237435A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100230761A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Temperature control of semiconductor processing chambers

Номер патента: WO2014040038A2. Автор: Michael Nam,David Gunther,Jae Yeol Park,Kyle PETERSEN. Владелец: Semicat, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270312A1. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20210280234A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-09-09.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Thermally conductive sheet and semiconductor device

Номер патента: US20170011986A1. Автор: Kazuya Kitagawa,Shunsuke Mochizuki,Yoji Shirato,Kazuya Hirasawa,Motomi Kurokawa,Mika Tsuda,Keita Nagahashi,Satoshi Maji. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device isolation structures

Номер патента: US20130154052A1. Автор: Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A3. Автор: Martin Standing,Andrew N Sawle. Владелец: Andrew N Sawle. Дата публикации: 2008-01-24.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: EP1961043A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-08-27.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods of making semiconductor device modules with increased yield

Номер патента: US20190035755A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Manufacturing and reuse of semiconductor substrates

Номер патента: EP4420152A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Martin Huber,Francisco Javier Santos Rodriguez,Matteo Piccin,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Iris Moder,Alexander Christian BINTER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274665A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175129A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Chih-Sheng Chang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chih-Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4068371A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Control device of semiconductor device

Номер патента: US20120061722A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masahiro MASUNAGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130099290A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masahiro Fujiwara,Tsuyoshi Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Test system of semiconductor device having a handler remote control and method of operating the same

Номер патента: US20060158211A1. Автор: Eun-Seok Lee,Sung-Ok Kim,Jeong-Ho Bang,Kyeong-Seon Shin,Dae-Gab Chi,Ae-Yong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device assemblies including multiple stacks of different semiconductor dies

Номер патента: US20240258273A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258100A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chunyao Wang,Te-En CHENG,Ming-Han Chung,Shu-Ling Liao,Nai-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrates of semiconductor devices for heat dissipation

Номер патента: US20240222224A1. Автор: Steven Shank,Rajendran Krishnasamy,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105722A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Interconnects at back side of semiconductor device for signal routing

Номер патента: US20240313000A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347494A1. Автор: Masahiro Shibata,Atsushi Kurokawa,Mari SAJI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Curable resin composition, cured film, laminate, imaging device, semiconductor device, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing element having contact electrode

Номер патента: EP4455224A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima,Hayate Nomoto. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Curable resin composition, cured film, multilayered object, imaging device, semiconductor device, method for producing multilayered object, and method for producing element having junction electrode

Номер патента: EP4455223A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima,Hayate Nomoto. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Bidirectional semiconductor device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US09991173B2. Автор: Philippe Galy,Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, layout of semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991158B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Tsung-Chieh Tsai,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09972707B2. Автор: Keisuke Kimura,Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Packaging a printed circuit board having a plurality of semiconductors in an inverter

Номер патента: US09961758B1. Автор: William Pickering,Bruce A. Nielsen. Владелец: Nidec Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate

Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09881663B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Tubular cell (alternatives) for batteries of high-temperature electrochemical devices using thin-layer solid electrolyte and method for its manufacture

Номер патента: RU2310256C2. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Сергей Николаевич Паранин,Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Владимир Рудольфович Хрустов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты". Дата публикации: 2007-11-10.

Device for production of electronic emission

Номер патента: RU2340032C2. Автор: Рон НААМАН,Эрес ХАЛАХМИ. Владелец: Эрес ХАЛАХМИ. Дата публикации: 2008-11-27.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Resin composition, electrically conductive adhesive, cured object, and semiconductor device

Номер патента: US20240301113A1. Автор: Masayoshi Otomo. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Production of an organic, light-emitting device using a shadow mask

Номер патента: DE112014001167B4. Автор: Jong Ho Lee,Bum Ho Choi. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for producing Heusler-based phase thermoelectric material using an amorphous phase precursor and device using Heusler-based phase thermoelectric material produced by the method

Номер патента: US12029121B2. Автор: Gi Tae PARK,Seong Tae Kim,Pyuck Pa Choi,Seong Hoon Yi,Chan Won JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for production of stress-cone for cable joints

Номер патента: RU2610134C1. Автор: Константин Георгиевич Сипилкин,Александр Зиновьевич Славинский,Юрий Викторович Никитин,Павел Викторович Кирюхин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Масса". Дата публикации: 2017-02-08.

Adhesive sheet, display device using same, and adhesive layer-forming composition for use in production of adhesive film

Номер патента: EP4279558A1. Автор: Keisuke Ogata,Koichi Minato,Yoshiko Ishimaru,Rui Inoue,Yuri YOKOYAMA. Владелец: Toppan Tomoegawa Optical Films Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Code division muliplexing method, transmitting device and receiving device using the method

Номер патента: US9077471B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Zhi Zhang. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-07-07.

Code division multiplexing method, transmitting device and receiving device using the method

Номер патента: WO2011131071A9. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Zhi Zhang. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2011-12-15.

Code division multiplexing method, transmitting device and receiving device using the method

Номер патента: WO2011131071A1. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Zhi Zhang. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method and device used in UE and base station for wireless communication

Номер патента: US12126419B2. Автор: Lin Yang,Xiaobo Zhang,Keying Wu. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

METHOD OF PRODUCTION OF MICROSPHERES BY VIBRATION AND DEVICE USED FOR THIS PURPOSE

Номер патента: FR2387076A1. Автор: Giovanni Bezzi,Ego Pauluzzi,Mauro Zanardi. Владелец: Agip Nucleare SpA. Дата публикации: 1978-11-10.

PROCESS FOR PRODUCTION OF FILAMENTOUS MUSHROOM SPORES AND DEVICE USED

Номер патента: FR2583059A1. Автор: Maurice Raimbault,Sevastianos Roussos. Владелец: Institut Francais de Recherche Scientifique pour Developpement en Cooperation ORSTOM. Дата публикации: 1986-12-12.

Manufacturing method of photomask and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device using the photomask

Номер патента: KR970002450A. Автор: 야스히로 고이즈미,요시히코 오카모토. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 1997-01-24.

Production of mesa type semiconductor device

Номер патента: JPS5469965A. Автор: Masatake Saito. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-06-05.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of preparation of the raw mix for production of the non-autoclave foamed concrete and the device for its realization

Номер патента: RU2306221C2. Автор: Михаил Аркадьевич Михеенков,Андрей Николаевич Бороздин,Сергей Иванович Чуваев,Игорь Владимирович Гордеев,Лев Кронидович Шляпников,Владимир Евгеньевич Овцын,Леонид Михайлович Кролик,Олег Михайлович Шабанов,Николай В чеславович Плотников,Николай Вячеславович Плотников,пников Лев Кронидович Шл. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Высокопрочный пенобетон". Дата публикации: 2007-09-20.

Method for electrolytic production of silicon from molten salts

Номер патента: RU2760027C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Тимофей Анатольевич Гевел,Сергей Иванович Жук,Анастасия Евгеньевна Вахромеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-22.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Device for production of high-purity aluminum with carbon-free anodes by electrolysis and method of its implementation

Номер патента: RU2689475C1. Автор: Юрий Николаевич Попов,Петр Васильевич Поляков,Андрей Александрович Поляков,Андрей Станиславович Ясинский,Сай Кришна Падамата. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-05-28.

Production device using slotted extrusion head and method of manufacturing

Номер патента: RU2738936C2. Автор: Ола ЛЮКФЕЛЬД,Эмиль ЙОХАНССОН,Торбьерн ОКЛИНТ,Урбан ХАРРЮССОН. Владелец: Диджитал Метал Аб. Дата публикации: 2020-12-18.

Method of production of biohumus and device for its realization

Номер патента: RU2228920C2. Автор: В.Ф. Дмитриев,В.Я. Спевак,Н.В. Спевак,Р.А. Денисов. Владелец: Спевак Николай Владимирович. Дата публикации: 2004-05-20.

Gas blowing lance and device for production of ferrous metal by direct melting method

Номер патента: RU2254379C2. Автор: Мартин Джозеф ДАНН,Грегори Джон ХАРДИ. Владелец: Текнолоджикал Ресорсиз Пти, Лтд.. Дата публикации: 2005-06-20.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Enhanced grading and sorting of semiconductor devices using modular "plug-in" sort algorithms

Номер патента: US20010047953A1. Автор: Lance M. Capser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Photosensitive resin composition, resist laminate, cured product of photosensitive resin composition, and cured product of resist laminate (11)

Номер патента: US09857685B2. Автор: Naoko Imaizumi,Shinya Inagaki,Yoshiyuki Ono,Takanori Koizumi,Maki Kumagai. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Method for determining result of agglutination reaction and microplate for determining products of agglutination reactions

Номер патента: RU2648471C2. Автор: Чжаоцян ВАН,Вольфганг МАНН. Владелец: Яньтай Аусбио Лабораториз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-26.

Projection exposure apparatus for microlithography for the production of semiconductor components

Номер патента: US09513562B2. Автор: Armin Schoeppach,Juergen Huber,Juergen Fischer,Norbert Muehlberger,Armin Werber,Matthias Orth,Thorsten Rassel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Sapphire monocrystal, method of making said monocrystal (versions) and melting device used therein

Номер патента: RU2388852C2. Автор: Джон Уолтер ЛОЧЕР,Стивен Энтони ЗАНЕЛЛА,Ральф Лэмпсон Мл. МАКЛИН,Херберт Илсуорт БЭТС. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2010-05-10.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Cooling device used in production of optical fibre material

Номер патента: RU2138452C1. Автор: Янг Джин-Сеонг. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Digitized inerting process in a protective atmosphere in a continuous line industrial plant for the inertization of silicates and asbestos materials, for recycling in the powder metallurgy industry, in the aerospace, arms and defense industry for technologies and military equipment, from industrial electronics to the goldsmith industry as well as for the production of refractory material

Номер патента: EP4011461A1. Автор: Paolo Tuccitto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-15.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Printing film for production of tamper-proof number plates and tamper-proof number plate containing printing film

Номер патента: RU2339524C2. Автор: Хуберт ЗЮССНЕР,Вольфганг БИЛЬГЕР. Владелец: Эрих Уч Аг. Дата публикации: 2008-11-27.

Inspection method, inspection apparatus and method of production of semiconductor device using them

Номер патента: US5936726A. Автор: Kazuo Takeda,Atsushi Hiraiwa,Hidetsugu Ishida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-10.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: WO2008133606A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Pillar Jsc. Дата публикации: 2008-11-06.

Test system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20240183878A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chih-Kang TOH. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: US20100061895A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: EP2152940A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Pillar Jsc. Дата публикации: 2010-02-17.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Corrosion inhibitor to protect equipment for production of crude oil, pipelines and reservoirs for crude oil and method of its production

Номер патента: RU2641148C2. Автор: Барбара ГАЗДЗИК,Михал ПАЙДА,Войцех МАЗЕЛЯ,Лешек ЗЕМЯНСКИЙ,Ивона СКРЕТ,Стефан ПТАК,Эва ЗЕГАРМИСТШ,Мечислав СОХА. Владелец: Институт Нефти И Газа - Панствови Институт Бадавчи. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for comparative evaluation of batches of semiconductor articles by reliability

Номер патента: RU2702962C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Алексей Владимирович Арсентьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-10-14.

Production line for manufacture of a food extruded product and a method for production of a food extruded product

Номер патента: RU2723718C1. Автор: Николай Владимирович Семенякин. Владелец: Николай Владимирович Семенякин. Дата публикации: 2020-06-17.

Method for three-dimensional printing of products of electrically conductive raw materials

Номер патента: RU2765285C1. Автор: Павел Александрович Архипов,Алексей Васильевич Колычев,Алексей Николаевич Яковенко,Антон Викторович Побелянский,Максим Евгеньевич Ренев,Виталий Андреевич Савелов. Владелец: Антон Викторович Побелянский. Дата публикации: 2022-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240143281A1. Автор: Shinji Tanaka,Daiki Kitagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Multi-chip semiconductor device providing enhanced redundancy capabilities

Номер патента: US20090257297A1. Автор: Ki Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Prober for inspecting semiconductor devices formed on semiconductor wafer

Номер патента: US09684014B2. Автор: Shuji Akiyama,Kazuya Yano,Isamu Inomata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for production of fodder product from cleaning sunflower seeds

Номер патента: RU2715629C1. Автор: Сергей Кязимович Мустафаев,Евгений Олегович Смычагин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Рубин" (ООО "Рубин"). Дата публикации: 2020-03-02.

Device for opening holes of production string and method of borehole production of loose and watered mineral resources using horizontal chambers

Номер патента: RU2662483C1. Автор: Андрей Константинович Вишняков,Василий Ананьевич Хамин. Владелец: ФГУП "ЦНИИгеолнеруд". Дата публикации: 2018-07-26.

Method for production of a dairy product with reduced plasmin activity

Номер патента: RU2703403C2. Автор: Харри КАЛЛИОЙНЕН,Саара ЛЯХТЕВЯНОЯ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2019-10-16.

Method of production of carbonic acid ester

Номер патента: RU2280023C2. Автор: Нобухиса МИЯКЕ,Хадзиме НАГАХАРА. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of production of the diene compound

Номер патента: RU2291853C2. Автор: Хидеказу ОКАМОТО,Казу ОХАРУ,Казуя ОХАРУ,Масао ИВАЯ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2007-01-20.

Methods for production of forged products and other processed products

Номер патента: RU2701774C2. Автор: Эдвард Л. КОЛВИН,Роберто Дж. РИОДЖА,Дастин М. БУШ,Эрик В. РЕГНЕР,Ларри Н. МЮЛЛЕР,Брэндон Хендриксон БОДИЛИ. Владелец: Арконик Инк.. Дата публикации: 2019-10-01.

METHOD FOR PRODUCTION OF Lactobacillus delbrueckii subsp bulgaricus STRAIN WITH LOW LACTIC ACID POSTPRODUCTION DEGREE, TEXTURISING STRAINS PRODUCED (VERSIONS), DAIRY PRODUCT AND METHOD OF ITS PRODUCTION USING TEXTURISING STRAINS

Номер патента: RU2446209C2. Автор: СИМСЕН ЕНСЕН Нильс БАНГ,Аннетте Хэлле ЙОХАНСЕН. Владелец: Кр. Хансен А/С. Дата публикации: 2012-03-27.

Dry cheese or dairy food product of snack type and method for production thereof

Номер патента: RU2677131C2. Автор: Клод УСТРИК,Дидье БЕДОН. Владелец: Бонгрэн Са. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of production of the artificial stone

Номер патента: RU2290381C1. Автор: Анатолий Алексеевич Черный,Вадим Анатольевич Черный,Светлана Ивановна Соломонидина. Владелец: Пензенский государственный университет (ПГУ). Дата публикации: 2006-12-27.

Method for production of sintered products from monoaxially pressed electroerosive nanodisperse lead bronze powders

Номер патента: RU2748659C2. Автор: Евгений Викторович Агеев,Екатерина Владимировна Агеева,Антон Сергеевич Переверзев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-05-28.

Method and composition for treating cancer, destroying metastatic cancer cells and preventing metastases of cancer, using antibodies to end products of increased glycation (age)

Номер патента: RU2728964C2. Автор: Льюис С. ГРУБЕР. Владелец: Сива Корпорейшн. Дата публикации: 2020-08-03.

Method for the production of a specialized food product

Номер патента: RU2770868C1. Автор: Анастасия Владимировна Добровольская,Наталья Тимофеевна Шамкова,Виктория Денисовна Паршукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет". Дата публикации: 2022-04-22.

Method of production of the high-purity ammonium dimolybdate (its versions)

Номер патента: RU2302997C2. Автор: Роберт В. БЕЛЛИТТ,Вольфганг КУММЕР,Джон И. ЛИТЦ,Лоренс Ф. МакХЬЮ,Харри Х. К. НАУТА,Пол Б. КВЕНО,Ронг-Чин ВУ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2007-07-20.

System for production of concentrated fodder for cattle

Номер патента: RU2694573C1. Автор: Игорь Евгеньевич Припоров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2019-07-16.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for production of dietary marmalade of sea-buckthorn

Номер патента: RU2738269C1. Автор: Татьяна Александровна Исригова,Мусашейх Мажитович Салманов,Виктория Салмановна Исригова,Уната Агамовна Селимова,Самад Салманович Исригов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный аграрный университет имени М.М. Джамбулатова" (ФГБОУ ВО Дагестанский ГАУ). Дата публикации: 2020-12-11.

Method of production of hydrogen with high content of rejected steam

Номер патента: RU2554179C2. Автор: Сян-Дун ПЭН,Дэвид Энтони ЗЭГНОЛИ. Владелец: Эр Продактс Энд Кемикалз, Инк.. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of production of block cellular glass from crushed glass

Номер патента: RU2528755C1. Автор: Игорь Станиславович Пузанов,Алексей Игоревич Пузанов,Дмитрий Владимирович Саулин,Иван Филатович Волков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УралИнвест". Дата публикации: 2014-09-20.

Method for production of fatty acids methyl ester suitable for use in engine

Номер патента: RU2603748C2. Автор: Анупама Виджайкумар ШРИВАСТАВ,Санджив Кумар МИШРА,Пушпито Кумар ГОШ,Махеш Рамниклал ГАНДИ,Сандья Чандрика Прасад МИШРА,Соуриш БАТТАЧАРЬЯ,Субарна МАИТИ,Сумеш Чандра УПАДЬЯЙ,Аруп ГОШ,Рачапуди Бадари Нараяна ПРАСАД,Санджит КАНДЖИЛАЛ,Имран ПАНЧА,Четан ПАЛИВАЛ,Тонмой ГОШ,Рахул Кумар МАУРЬЯ,Деепти ДЖАЙН,Шайлеш Кумар ПАТИДАР,Абишек САХУ,Хетал БОСАМИЯ,Крушнадевсин ЗАЛА. Владелец: Каунсел Оф Сайнтифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2016-11-27.

Method for producing three-dimensional products of a complex shape of high viscosity polymers

Номер патента: RU2677143C1. Автор: Сергей Дмитриевич Калошкин,Фёдор Святославович Сенатов,Кирилл Вячеславович Няза,Алексей Валентинович Максимкин,Алексей Игоревич Салимон,Дилюс Ирекович Чуков,Андрей Александрович Степашкин,Владислав Александрович Львов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-01-15.

Method of production of rectified alcohol

Номер патента: RU2315107C2. Автор: Виктор Михайлович Перелыгин,Сергей Викторович Перелыгин. Владелец: Сергей Викторович Перелыгин. Дата публикации: 2008-01-20.

Production of baked products with high fibre and protein content

Номер патента: RU2557111C2. Автор: Ян КАРВОВСКИ,Вани ВЕМУЛАПАЛЛИ,Моника ОКОНИЕВСКА,Мишелль Д. БИВЕР,Кэтрин КЛИРИ. Владелец: Интерконтинентал Грейт Брэндс ЛЛС. Дата публикации: 2015-07-20.

Production of the glued woodwork by the short-clock method

Номер патента: RU2309174C2. Автор: Эберхард ПФЮТЦЕ,Зепп НОЙНЕР. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2007-10-27.

Method of production of a titanium-aluminium-vanadium alloy

Номер патента: RU2750608C2. Автор: Джеймс Р. КОКС,Чанака Л. ДЕ АЛВИС,Бенджамин А. КОЛЕР,Майкл Г. ЛЬЮИС. Владелец: ЮНИВЕРСАЛ АКЕМЕТАЛ ТИТАНИУМ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for production of structured milk-containing product

Номер патента: RU2662662C2. Автор: Ольга Ивановна Долматова,Марина Олеговна Муратова,Юлия Олеговна Бурлакина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2018-07-26.

Method of production of bakery products for preventive feeding

Номер патента: RU2668670C1. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Елена Ивановна Пономарева,Андрей Юрьевич Кривошеев,Екатерина Владимировна Сахно. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2018-10-02.

Method for production of a soft bakery product which can be stored at room temperature

Номер патента: RU2733139C2. Автор: Роберто Буттини,Коррадо ФЕРРАРИ,Джанкарло РИБОЛЬДИ. Владелец: Барилла Г. И Р. Фрателли С.П.А.. Дата публикации: 2020-09-29.

Method and device for evaluating productivity of steam-gas electric plants

Номер патента: RU2310226C2. Автор: Джон Джэкоб ПАТАНИАН,Джэйсон Дарролд ГЕЙТОН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2007-11-10.

Joint production of mtbe and alkylate

Номер патента: RU2742810C1. Автор: Чарльз П. ЛЮБКЕ,Кристофер Д. Диджулио. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2021-02-10.

Method for production of semi-finished products of quenelles from fish meat

Номер патента: RU2701659C1. Автор: Наталья Юрьевна Сарбатова,Екатерина Петровна Лисовицкая,Александр Дмитриевич Подольский,Николай Николаевич Забашта. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2019-09-30.

Virtual system for controlling process of production of homogeneous product of enterprise

Номер патента: RU2571598C1. Автор: Сергей Федорович Нахов,Петр Колестратович Плотников,Аркадий Петрович Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2015-12-20.

Gene-therapeutic dna-vector based on the gene-therapeutic dna-vector vtvaf17, carrying the target gene selected from a group of genes bdnf, vegfa, bfgf, ngf, gdnf, nt3, cntf, igf1, to increase expression level of said target genes, method for production and use thereof, a strain escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bdnf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-vegfa, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bfgf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-ngf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-gdnf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-nt3, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-cntf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-igf1, carrying a gene-therapeutic dna vector, method for production thereof, a method for industrial production of a gene-therapeutic dna vector

Номер патента: RU2732479C2. Автор: Наталиа Савелиева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Прорывные Инновационные Технологии". Дата публикации: 2020-09-17.

Virtual system for controlling process of production of homogeneous product of enterprise with its regulation

Номер патента: RU2649114C1. Автор: Аркадий Петрович Плотников,Светлана Александровна Плотникова,Петр Калистратович Плотников,Петр Аркадьевич Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2018-03-29.

Method for production of west pacific sardines in oil

Номер патента: RU2745352C1. Автор: . Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Антей". Дата публикации: 2021-03-24.

Method for production of all-year unified diesel fuel

Номер патента: RU2743762C1. Автор: Николай Владимирович Карпов,Николай Николаевич Вахромов,Эдуард Валентинович Дутлов,Александр Васильевич Пискунов,Максим Александрович Бубнов,Игорь Владимирович Гудкевич,Дмитрий Владимирович Борисанов. Владелец: Публичное акционерное общество "Славнефть-Ярославнефтеоргсинтез", (ПАО "Славнефть-ЯНОС"). Дата публикации: 2021-02-25.

Method for production of short pastry

Номер патента: RU2704282C1. Автор: . Владелец: Открытое акционерное общество "Хлебпром". Дата публикации: 2019-10-25.

Method for production of protein-enriched product and obtained product

Номер патента: RU2704288C1. Автор: Галина Анатольевна Погарцева,Александра Александровна Романова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мистраль Трейдинг". Дата публикации: 2019-10-25.

Method for production of a composition of a fermented milk product with an increased iodine content with the addition of an iodized food composite

Номер патента: RU2764894C1. Автор: Ольга Сергеевна Киреева,Оксана Анатольевна Ковалева,Екатерина Михайловна Здрабова,Наталия Николаевна Поповичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2022-01-24.

Method of production of the powdery complex additive "linamix p-90-t" for the concretes and building mortars and the powdery complex additive "linamix p-90-t" for the concretes and building mortars

Номер патента: RU2292316C1. Автор: Александр Федорович Ковалев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Полипласт". Дата публикации: 2007-01-27.

Method for producing three-dimensional products of a complex shape of high viscosity polymers and a device for its implementation (options)

Номер патента: RU2664962C1. Автор: Сергей Дмитриевич Калошкин,Фёдор Святославович Сенатов,Алексей Валентинович Максимкин,Алексей Игоревич Салимон,Дилюс Ирекович Чуков,Андрей Александрович Степашкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2018-08-23.

Method for production of lule kebab food product (embodiments)

Номер патента: RU2734833C2. Автор: Гукас Саркисович Хачатрян. Владелец: Гукас Саркисович Хачатрян. Дата публикации: 2020-10-23.

Production of solid chemical product

Номер патента: RU2754939C2. Автор: Андреа СКОТТО,Серена ГАББЬЯДИНИ,Стефано РЕДЖОРИ. Владелец: Касале Са. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for production of pasta products

Номер патента: RU2649337C2. Автор: Ольга Ивановна Николюк,Сергей Александрович Романчиков,Валерий Тимофеевич Антуфьев,Елена Игоревна Верболоз. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения имени генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-04-02.

Method of production of styrene

Номер патента: RU2292327C1. Автор: Халил Хал фович Рахимов,Халил Халяфович Рахимов,Михаил Леонардович Павлов,Рашида Алмагиевна Басимова,Сергей Иванович Мячин,Максим Николаевич Рогов,ров Марат Хафизович Ишми,Марат Хафизович Ишмияров,Геннадий Николаевич Мельников,чин Сергей Иванович М,Алексей Владимирович Прокопенко,Юрий Матвеевич Цаплин,Юрий Иванович Борисенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Салаватнефтеоргсинтез". Дата публикации: 2007-01-27.

Gene-therapy dna-vector based on gene-therapy dna-vector vtvaf17, carrying target gene selected from group of genes bmp-2, bmp-7, lmp-1, nell-1 to increase expression level of these target genes, method for production and application thereof, strain escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bmp-2, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bmp-7, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-lmp-1, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-nell-1, carrying gene-therapy dna vector, method for production thereof, method for industrial production of gene-therapy dna vector

Номер патента: RU2720521C1. Автор: Наталиа Савелиева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Прорывные Инновационные Технологии". Дата публикации: 2020-04-30.

Cellulose fibres with improved surface, methods for production of cellulose fibres with improved surface, products containing cellulose fibres with improved surface, and methods for production of such products

Номер патента: RU2707797C2. Автор: Бруно МАРКОЧЧИЯ,Харшад ПАНДЕ. Владелец: ДОМТАР ПЭЙПЕР КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-11-29.

Method for production of confectionery product and confectionery product itself

Номер патента: RU2760190C1. Автор: Тамара Рамизовна Тагиева,Мария Николаевна Бурсакова,Евгений Валерьевич Юсупов. Владелец: ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "КОНДИТЕРСКИЙ КОНЦЕРН БАБАЕВСКИЙ" (ОАО "Кондитерский Концерн Бабаевский"). Дата публикации: 2021-11-22.

Production of protein products (“810”) from non-soy oilseeds

Номер патента: RU2764800C2. Автор: Кевин И. СИГАЛЛ,Мартин ШВАЙЦЕР,Брент И. ГРИН. Владелец: Баркон Ньютрасайнс (Мб) Корп.. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for production of bakery products

Номер патента: RU2758514C1. Автор: Александр Анатольевич Шевцов,Сергей Сергеевич Куликов,Елена Ивановна Пономарева,Людмила Владимировна Логунова,Никита Владимирович Засыпкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет инженерных технологий» (ФГБОУ ВО «ВГУИТ»). Дата публикации: 2021-10-29.

Method for production of raw cured meat whole-muscle poultry meat product enriched with bee-bread

Номер патента: RU2685942C1. Автор: Татьяна Михайловна Гиро,Максим Александрович Сухов,Татьяна Юрьевна Левина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2019-04-23.

Method for production of meat chips and composition for preparation thereof

Номер патента: RU2727653C1. Автор: Аркадий Эммануилович Левин. Владелец: Аркадий Эммануилович Левин. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for forming anti-corrosive coating on the shaped surface of a product of structural steel of perlite class

Номер патента: RU2760352C1. Автор: Владимир Владимирович Кудинов,Денис Германович Куликов,Алексей Борисович Коростелев,Владимир Николаевич Ёлкин,Павел Евгеньевич Могилевский. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2021-11-24.

Improved quality of by-product stream in process of co-production of propylene oxide and styrene

Номер патента: RU2740449C1. Автор: Сандор НАДЬ,Ха Х. НГУЕН,Дан Д. ЛИНДСИ,Барбара КИММИХ,Николас БРУСКИ,Джастин Е. ТЁРНЕР,Энтони С. ДЕРС,Пранит С. МЕТКАР. Владелец: Лионделл Кемикал Текнолоджи, Л.П.. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of production of fertilizer and production line for realization of this method

Номер патента: RU2281273C2. Автор: Александр Макарович Салдаев,Виктор Владимирович Бородычев,Алексей Семенович Овчинников,Мари Михайловна Гавра,Мария Михайловна Гавра,Олес Владимировна Данилко,Олеся Владимировна Данилко. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО ВГСХА). Дата публикации: 2006-08-10.

Lubricants and the method for production of the molded articles out of the plastics

Номер патента: RU2314917C2. Автор: Михаэль Шнайдер,Кристиан СИКС. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2008-01-20.

Method for production of chocolate snack and snack, which can be produced by specified method

Номер патента: RU2705292C2. Автор: Роберто Буттини,Коррадо ФЕРРАРИ,Джанкарло РИБОЛЬДИ,Алессио Д'УРСО. Владелец: БАРИЛЛА Г. и Р. ФРАТЕЛЛИ С. п. А.. Дата публикации: 2019-11-06.

Method of production of the raw mixture for manufacture of the finishing and ornamental construction products (versions)

Номер патента: RU2276117C2. Автор: Владимир Антонович Войтович,Геннадий Васильевич Спирин,Артем Андреевич Спирин. Владелец: Артем Андреевич Спирин. Дата публикации: 2006-05-10.

Production of pepties and proteins by means of accumulation in endoplasmic reticulum of plants

Номер патента: RU2381275C2. Автор: КЕТГЛАС Маргарита ТОРРЕНТ,МУГИКА Мария Долорес ЛЮДЕВИД,Сабина ЛАССЕР-РАМАССАМИ. Владелец: Эра Плантеч, С.Л.. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for production of portioned food products in dough shell

Номер патента: RU2539215C1. Автор: Георгий Георгиевич Дубцов,Ирина Урузмаговна Кусова,Олег Игоревич Осипов,Эльза Альбертовна Мошиашвили. Владелец: Олег Игоревич Осипов. Дата публикации: 2015-01-20.

Production of oilfield hydrocarbons

Номер патента: RU2692491C2. Автор: ВЕТ Эвалд Ватермейер ДЕ. Владелец: Сэсол Текнолоджи Пропрайэтери Лимитед. Дата публикации: 2019-06-25.

Method for production of flour for confectionary and bakery production

Номер патента: RU2688376C1. Автор: Роман Хажсетович Кандроков,Георгий Нестерович Панкратов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2019-05-21.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus including a measurement time counting device for measuring an electrical characteristic of semiconductor

Номер патента: US5786689A. Автор: Mikihiro Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production of mask and production of semiconductor integrated circuit device using this mask

Номер патента: JPH1062963A. Автор: Masayoshi Saito,Akira Imai,政良 斉藤,彰 今井,Tsuneo Terasawa,Norio Hasegawa,昇雄 長谷川,恒男 寺澤,Hiroshi Morisawa,拓 森澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Phase shift mask for transmission type exposure and production of semiconductor integrated circuit device using this shift mask

Номер патента: JPH11223930A. Автор: Takashi Nakabayashi,隆 中林. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

Chemical-mechanical polishing device, and manufacture of semiconductor integrated circuit device using same

Номер патента: JPH1148122A. Автор: Hidefumi Ito,秀文 伊藤,Takeshi Kimura,剛 木村,Hiroki Nezu,Ken Okuya,謙 奥谷,清彦 佐藤,広樹 根津,Kiyohiko Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-23.

Production of stem for semiconductor devices

Номер патента: JPS5284970A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Kirio Miyahara,Osamu Yugawa,Nobuo Otani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-07-14.

Production of mos type semiconductor device

Номер патента: JPS5315775A. Автор: Minoru Hirai,Chisato Hashimoto,Noboru Shiono,Takehisa Yashiro. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1978-02-14.

Partial peeling method for plating film and production of stem for semiconductor device

Номер патента: JPH10183382A. Автор: Yasuo Asakura,康夫 朝倉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Production of mis type semiconductor device

Номер патента: JPS5346286A. Автор: Shinpei Tanaka,Takashi Yabu,Moritomo Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-04-25.

Production of mos type semiconductor device

Номер патента: JPS5386176A. Автор: Atsushi Ueno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-07-29.

Process for production of mos type semiconductor device

Номер патента: JPS5244579A. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-04-07.

Production of mos type semiconductor device

Номер патента: JPS5394187A. Автор: Katsumi Umeda. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1978-08-17.

Production of light emitting semiconductor device

Номер патента: JPS52141188A. Автор: Takeshi Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-11-25.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production of semiconductor microwave devices

Номер патента: RU2546856C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Константин Владимирович Пелевин. Владелец: Закрытое акционерное общество "НИИМП-Т". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2279736C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов,Валерий Моисеевич Иоффе (RU),Асхат Ибрагимович Максутов (RU). Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-07-10.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Method for the Production of Water-Absorbing Polymer Particles

Номер патента: US20120001000A1. Автор: Funk Rüdiger,Schröder Jürgen,Bitzer Emil. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMISOLIDIFIED SLURRY OF IRON-BASE ALLOY; PROCESS FOR PRODUCTION OF CAST IRON CASTINGS BY USING THE PROCESS, AND CAST IRON CASTINGS

Номер патента: US20120003115A1. Автор: . Владелец: Kogi Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of efficient inner getter in monocrystalline location-free silicon plates

Номер патента: RU2512258C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Владимир Яковлевич Резник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2014-04-10.

Method for Production of Semiconductor Diamond

Номер патента: GEP19991653B. Автор: George Kharadze,Raphael Kucherov,Guram Karumidze,Revaz Salukvadze,Vakhtang Dundua. Владелец: Vakhtang Dundua. Дата публикации: 1999-06-14.

Container-mixer for production of plastic foam at-sight of its application and the packing system based on the container-mixer

Номер патента: RU2276163C2. Автор: Виктор Борисович Крюковский,Борис Августович Копелиович. Владелец: Борис Августович Копелиович. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2591236C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2016-07-20.

Improvements in and relating to a Process and Means for Photographically Copying Designs for the Production of Photo-mechanically Printing Surfaces

Номер патента: GB190509036A. Автор: Eduard Mertens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of trichlorosilane

Номер патента: RU2214364C1. Автор: И.А. Тищенко,Г.В. Максимова,С.И. Гашенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Химпром". Дата публикации: 2003-10-20.

Production of composite nanomaterial

Номер патента: RU2543030C2. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Николай Иннокентьевич Плюснин. Дата публикации: 2015-02-27.

Method of production of regular systems of nano-size silicon whiskers

Номер патента: RU2336224C1. Автор: Валерий Александрович Небольсин,Анатолий Антонович Щетинин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-10-20.

Process of production of semiconductor material for selective detector of nitrogen oxides

Номер патента: RU2143677C1. Автор: Г.А. Китаев,Н.В. Маркова,В.Ф. Марков,Л.Н. Маскаева,С.Н. Уймин. Владелец: НПП "Политехник". Дата публикации: 1999-12-27.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of chlorosilane

Номер патента: RU2214363C1. Автор: И.А. Тищенко,Г.В. Максимова,С.И. Гашенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Химпром". Дата публикации: 2003-10-20.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Production of supersonic aircraft fuselage front wedge-shape radar dome

Номер патента: RU2554709C1. Автор: Анатолий Петрович Мищенко,Михаил Александрович Усачёв,Андрей Геннадьевич Вдовиченко,Сергей Павлович Полунин,Игорь Олегович Монахов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of production of resistive silicon

Номер патента: RU2202655C1. Автор: М.Г. Мильвидский,В.И. Пильдон,Л.В. Кожитов,Г.Г. Тимошина. Владелец: ООО "Сапфирэм". Дата публикации: 2003-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: RU2278448C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов. Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-06-20.

Device for washing and drying of semiconductor wafers

Номер патента: RU2460593C1. Автор: Валерий Николаевич Комаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ"). Дата публикации: 2012-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of production of monocrystalline silicon

Номер патента: RU2193079C1. Автор: О.А. Ремизов,Юн Квон ДЖЕЙ. Владелец: Ремизов Олег Алексеевич. Дата публикации: 2002-11-20.

Device for recording of imperfectness coefficient of semiconductor products voltage-current characteristics

Номер патента: RU2332678C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Валерий Александрович Небольсин,Анатолий Антонович Щетинин,Николай Николаевич Козьяков,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-08-27.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Device for production of wire nap

Номер патента: RU2034511C1. Автор: Н.А. Архипова,Н.А. Пелипенко,В.И. Гордеев,М.Я. Адигамов. Владелец: Белгородский технологический институт строительных материалов. Дата публикации: 1995-05-10.

DEVICE AND METHOD FOR SEPARATING SURFACE LAYERS IN PRODUCTS OF THE FOOD INDUSTRY

Номер патента: US20120000331A9. Автор: Grabau Thomas. Владелец: NORDISCHER MASCHINENBAU RUD. BAADER GMBH + CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

HOUSEHOLD APPLIANCE FOR THE PRODUCTION OF BREAD

Номер патента: US20120000900A1. Автор: DeLonghi Giuseppe. Владелец: DE' LONGHI APPLIANCES S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

WATER-INSOLUBLE REACTION PRODUCT OF A POLYAMINE AND AN OIL-SOLUBLE HIGH CARBON POLAR MODIFIED POLYMER

Номер патента: US20120004327A1. Автор: Bui Hy Si,Kanji Mohamed,Li Chunhua,Tong Anita Chon,Bavouzet Bruno,Halpern Susan. Владелец: L'OREAL S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF SILANE TERMINATED PRE-POLYMERS

Номер патента: US20120004374A1. Автор: STANJEK Volker,Wewers Wolfgang. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2139599C1. Автор: В.М. Иоффе,А.И. Максутов. Владелец: Максутов Асхат Ибрагимович. Дата публикации: 1999-10-10.

Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape

Номер патента: CA1213988A. Автор: Seppo Pienimaa. Владелец: Lohja Oy AB. Дата публикации: 1986-11-12.

METHOD AND SYSTEM FOR THE CONTINUOUS OR SEMI-CONTINUOUS PRODUCTION OF FLAVORED ICE

Номер патента: US20120000206A1. Автор: Erbs Daryl G.,Pierskalla Cary J.,Myers John P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CDNA Corresponding to the Antigenome of Nonsegmented Negative Stranded RNA Viruses and Process for the Production of Such Viruses

Номер патента: US20120003264A1. Автор: . Владелец: Crucell Switzerland AG. Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCTION OF RIGID POLYURETHANE FOAMS AND THE USE THEREOF

Номер патента: US20120004334A1. Автор: KRAMER HANS. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCTION OF HYDROXYMETHYLFURFURAL

Номер патента: US20120004430A1. Автор: Ying Jackie Y.,Zhang Yugen. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2012-01-05.

DIVIDING WALL DISTILLATION COLUMNS FOR PRODUCTION OF HIGH-PURITY 2-ETHYLHEXANOL AND FRACTIONATION METHOD USING SAME

Номер патента: US20120004473A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of aluminum oxide

Номер патента: RU2260563C1. Автор: В.А. Лосева,А.Н. Баранникова,С.Б. Зуева,А.М. Гавриленков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-09-20.

Method of production of the powders of the chemical elements nitrides

Номер патента: RU2296705C1. Автор: Александр Петрович Амосов,Юрий Михайлович Марков,Георгий Владимирович Бичуров,Александр Григорьевич Макаренко,Людмила Александровна Шиганова,Тать на Юрьевна Родина,Татьяна Юрьевна Родина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2007-04-10.

Method to control the process of production of polyethers and demulsifying agents on their base

Номер патента: RU2265030C2. Автор: А.П. Болдырев,Ш.Ш. Губаев,Р.Р. Хисаев,нгиров И.И. З,И.И. Зянгиров,О.Н. Хайдарова,Р.А. Сулейманов,М.Р. Муратов. Владелец: ООО "Камская нефтехимическая компания". Дата публикации: 2005-11-27.

Method of production of polyphosphates of the alkali metals from the purified extraction phosphoric acid

Номер патента: RU2285663C1. Автор: Владимир Михайлович Лембриков,Надежда Николаевна Малахова,Сергей Павлович Кочетков,Тать на Николаевна Жохова,Татьяна Николаевна Жохова,Марина Николаевна Буркова,Сергей Валентинович Тихонов,Натали Сергеевна Гордеева,Наталия Сергеевна Гордеева,Тимофей Юрьевич Перевалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Воскресенский научно-исследовательский институт по удобрениям и фосфорной кислоте (НИУиФ)". Дата публикации: 2006-10-20.

Method of production of phenylalkenes with usage of the adsorptive separation and the composition produced on their basis

Номер патента: RU2296734C2. Автор: Санти КУЛПРАТИПАНДЖА,Ричард Ю. МАРИНАНДЖЕЛИ,Стивен У. СОН,Томас Р. ФРИТЧ,Р. Джо ЛАУСОН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of production of the low-enriched uranium hexafluoride from the highly-enriched uranium

Номер патента: RU2316476C2. Автор: Владимир Ильич Мазин,Виктор Васильевич Водолазских,Пётр Михайлович Гаврилов,Владимир Михайлович Короткевич,Владимир Андреевич Козлов,Максим Иванович Стерхов,Владимир Анатольевич Журин,Владимир Иванович Щелканов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат". Дата публикации: 2008-02-10.

Method of production of the granulated solid fuel and the installation for the method realization

Номер патента: RU2314335C2. Автор: Игорь Андреевич Коробецкий,Олег Владимирович Струпалев. Владелец: Олег Владимирович Струпалев. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for production of enriched bakery products (versions)

Номер патента: RU2561442C1. Автор: Наталья Леонидовна Наумова,Анна Сергеевна Толмачева,Сергей Александрович Булатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)). Дата публикации: 2015-08-27.

Method for production of alcoholic beverage

Номер патента: RU2260038C2. Автор: Д.В. Тыртышев. Владелец: Тыртышев Дмитрий Владимирович. Дата публикации: 2005-09-10.

Method for production of soya-protein products

Номер патента: RU2402924C2. Автор: Сергей Михайлович Доценко,Ольга Валерьевна Скрипко,Алексей Анатольевич Карпов,Ольга Владимировна Филонова,Василий Владимирович Седых. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт сои Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2010-11-10.

Method for production of "evi-buns" bun product

Номер патента: RU2553245C1. Автор: Елена Владимировна Белокурова,Наталья Сергеевна Родионова,Марина Александровна Курова,Марина Владимировна Вишнивецкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of production of the rubber compositions

Номер патента: RU2315783C1. Автор: Денис Александрович Максимов,Валерий Петрович Дорожкин,Екатерина Махсутовна Галимова. Владелец: Екатерина Махсутовна Галимова. Дата публикации: 2008-01-27.

Housing of semiconductor device

Номер патента: RU2477544C1. Автор: Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Олег Васильевич Марченко,Олег Николаевич Пахомов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (ОАО "НИИЭТ"). Дата публикации: 2013-03-10.

Method for production of bakery products

Номер патента: RU2595186C1. Автор: Ольга Львовна Вершинина,Владимир Григорьевич Лобанов,Юрий Федорович Росляков,Виктория Викторовна Гончар,Татьяна Николаевна Половченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2016-08-20.

Method for production of non-smoking products of rustic tobacco

Номер патента: RU2435473C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of production of thick-walled laminated products made out of the polymeric composite materials

Номер патента: RU2271928C1. Автор: Николай Владимирович Выморков,Наталь Борисовна Волобуева,Наталья Борисовна Волобуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2006-03-20.

Method of production of porous granulated ammonium nitrate

Номер патента: RU2261226C1. Автор: В.А. Иванов,Л.К. Горбунов,В.А. Милованов,Н.В. Горшкова,М.В. Таук,Т.Н. Черкасова,И.И. Николаева,Е.А. Маклашина,А.Е. Пестов,С.П. Уваров,И.Ф. Ли,В.Н. Невска,В.Н. Невская. Владелец: Открытое акционерное общество "Акрон". Дата публикации: 2005-09-27.

Method for production of chips-like food product from animal-origin raw materials

Номер патента: RU2471366C1. Автор: Яша Гайкович Татинцян,Карен Яшаевич Татинцян,Ваге Яшаевич Татинцян. Владелец: Ваге Яшаевич Татинцян. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of production of a reactant-foamer

Номер патента: RU2263103C1. Автор: С.Н. Титков,М.С. Зарипов,А.В. Кудинов,С.В. Мерзляков,Е.В. Коноплев,А.Е. Школьник,ков С.В. Мерзл,М.И. Шперкин,ков А.В. Хом,А.В. Хомяков,А.Л. Елькин,Г.И. Бондаренко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Сибур-Химпром". Дата публикации: 2005-10-27.

Composition of mixture for production of the non-autoclave gas concrete

Номер патента: RU2276121C1. Автор: Василий Агафонович Лотов,Натали Александровна Митина,Наталия Александровна Митина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for production of non-smoking products of rustic tobacco

Номер патента: RU2450585C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2012-05-20.

Method of production of horizontal tanks for light-oil products for repair hot works

Номер патента: RU2501585C1. Автор: Алексей Александрович Корнилов,Павел Игоревич Зыков. Владелец: Павел Игоревич Зыков. Дата публикации: 2013-12-20.

Vacuum-arc source of plasma for treatment of the tubular products of the complex geometry

Номер патента: RU2288969C1. Автор: Юрий Владимирович Дубровский,Борис Викторович Бушмин,Иолий Александрович Хазов,Геннадий Владимирович Дубинин. Владелец: НПЦ "ИНТЕКО" ФГУП "Красная Звезда". Дата публикации: 2006-12-10.

Method of production of the carbamide-formaldehyde resin

Номер патента: RU2280045C2. Автор: Сергей Васильевич Афанасьев,Владимир Николаевич Махлай. Владелец: ОАО "Тольяттиазот". Дата публикации: 2006-07-20.

Device for pumping froth product of flotation processing

Номер патента: RU2547872C1. Автор: Алексей Владимирович Зимин. Владелец: Совместное предприятие в форме Закрытого акционерного общества "Изготовление, Внедрение, Сервис" (СП ЗАО "ИВС"). Дата публикации: 2015-04-10.

Bacterium strain lactococcus lactis subcpecies lactis b-8558 useful in dairy product preparation and method for production of starter culture of strain lactococcus lactis subcpecies lactis b-8558

Номер патента: RU2295563C1. Автор: Вера Ивановна Ганина,Тать на В чеславовна Рожкова,Татьяна Вячеславовна Рожкова. Владелец: Татьяна Вячеславовна Рожкова. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of production of zeolite

Номер патента: RU2276656C2. Автор: Геннадий Викторович Ечевский,нин Олег Владимирович Кихт,Олег Владимирович Кихтянин,Евгений Геннадьевич Коденев,Александр Викторович Токтарев,Сергей Васильевич Дударев,Галина Николаевна Носырева. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2006-05-20.

Method of production of the decorative image

Номер патента: RU2306228C2. Автор: Игорь Борисович Кочергин,Вадим Николаевич Лисовой. Владелец: Производственное общество с ограниченной ответственностью "ФОКС". Дата публикации: 2007-09-20.

Method for production of powdered polymalt extract

Номер патента: RU2569022C1. Автор: Геннадий Вячеславович Агафонов,Инна Владимировна Новикова,Елена Анатольевна Коротких,Алла Евгеньевна Чусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for production of biuret with usage carbamide as the source product and the device for the method realization

Номер патента: RU2292335C2. Автор: Чун-хьюк ЛИ,Санг-Йин ХАН. Владелец: Й энд Й КЕМИКАЛ КО.,ЛТД.. Дата публикации: 2007-01-27.

Method for production of aerated bread from sprouted wheat grains

Номер патента: RU2583612C1. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Валерий Леонидович Чешинский,Евгений Дмитриевич Чертов,Надежда Николаевна Алехина,Юлия Андреевна Чернышева,Виктор Николаевич Косинов,Павел Юрьевич Рыженин,Алексей Сергеевич Таратухин,Елизавета Александровна Мазина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ").. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for production of meat trimmings semi-product

Номер патента: RU2476086C1. Автор: Валентина Еремеевна Куцакова,Сергей Сергеевич Доморацкий. Владелец: Сергей Сергеевич Доморацкий. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for production of vegetable oil and protein product of mixture of sunflower, flax and holy thistle seeds

Номер патента: RU2558448C1. Автор: Максим Васильевич Копылов,Виталий Николаевич Василенко,Лариса Николаевна Фролова,Иван Вадимович Драган,Кристина Юрьевна Русина. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" ("ВГУИТ"). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of production of fullerene

Номер патента: RU2270802C2. Автор: Александр Илларионович Плугин,Юрий Николаевич Муленко,Виктор Александрович Калюжнов. Владелец: Александр Илларионович Плугин. Дата публикации: 2006-02-27.

Method and device for production of moulded product

Номер патента: RU2360798C2. Автор: Хироси ЙОКОЯМА,Мунеаки АМИНАКА,Кен СОМЕЯ,Хиросиге ОКАМОТО,Коудзи ТАКЕУТИ,Хиронобу ЯМАУТИ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of production of monohydrate of tetraammine copper (ii) sulfate

Номер патента: RU2251528C1. Автор: Е.Г. Афонин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2005-05-10.

Method of production of powdered fluxes

Номер патента: RU2261927C1. Автор: А.А. Рымкевич,С.И. Потеха,Э.Ф. Михайлов,Б.Е. Батенев,В.В. Тетерин. Владелец: Открытое акционерное общество "АВИСМА титано-магниевый комбинат". Дата публикации: 2005-10-10.

Method of production of the fibrous component of composites

Номер патента: RU2284230C2. Автор: Владимир Андреевич Кочелаев,Галина Ивановна Газалеева,Яков Львович Ременник,Евгений Анатольевич Медведев. Владелец: ОАО "Ураласбест". Дата публикации: 2006-09-27.

Method for production of functional product based on freshly sprouted grains and appliance for sprouting grains used for method implementation

Номер патента: RU2492701C1. Автор: Владислав Григорьевич Вохмянин,Александр Васильевич Зонов,Елена Анатольевна Городилова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Золотой колосочек". Дата публикации: 2013-09-20.

Device for production of wattles

Номер патента: RU2125933C1. Автор: С.П. Исаев,В.Т. Саенко. Владелец: Хабаровский государственный технический университет. Дата публикации: 1999-02-10.

Method for production of deformed semi-finished products of aluminium-based alloy

Номер патента: RU2579861C1. Автор: Николай Александрович Белов,Александр Николаевич Алабин,Наталья Олеговна Короткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of production of the carrier-free strotium-90 with usage of the nuclear water-solution reactor and the device for the method realization

Номер патента: RU2307072C2. Автор: Николай Александрович Нерозин,Владимир Владимирович Шаповалов,Николай Антонович Ермолов,Степан Владимирович Хамьянов,Анатолий Васильевич Зродников,Эдуард Яковлевич Сметанин,нов Степан Владимирович Хамь. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт им. А.И. Лейпунского". Дата публикации: 2007-09-27.

Method for production of lumpy fuel from high moisture coal

Номер патента: RU2252948C1. Автор: А.П. Сорокин,И.Ф. Савченко. Владелец: Отделение региональной геологии и гидрогеологии Амурского научного центра Дальневосточного отделения Российской академии наук (ОРГиГ АмурНЦ ДВО РАН). Дата публикации: 2005-05-27.

Method of production of a trilaminar panel out of a reinforced plastic and a filler out of tubular elements

Номер патента: RU2250824C1. Автор: Геннадий Алексеевич Павлов,Михаил Владимирович Поспелов,Ленинар Иванович Богатов. Владелец: Открытое Акционерное Общество Феодосийская Судостроительная Компания "Море". Дата публикации: 2005-04-27.

Method for production of sausage products without shell

Номер патента: RU2577022C1. Автор: Анна Викторовна Моргунова. Владелец: Анна Викторовна Моргунова. Дата публикации: 2016-03-10.

Equipment for multiple production of multilayer field wells

Номер патента: RU2376460C1. Автор: Адил Дахил оглы Набиев,Махир Зафар Оглы Шарифов,Гахир Гусейн Оглы Ибадов,Петр Игоревич Сливка,Александр Иванович Маркин,Илья Васильевич Леонов,Иршат Нурисламович Шахмуратов. Владелец: Махир Зафар Оглы Шарифов. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of production of lead tetraacetate

Номер патента: RU2277530C1. Автор: Юрий Николаевич Новоторов,Илларион Аврамович Фещенко,Юрий Наумович Циновой. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского". Дата публикации: 2006-06-10.

METHOD OF PRODUCTION OF COMPOSITE MATERIAL Al2O3-Al

Номер патента: RU2319678C1. Автор: Александр Анатольевич Ильин,Александр Владимирович Иванов,Дмитрий Алексеевич Иванов,Сергей Дмитриевич Шляпин,Алексей Игоревич Ситников,пин Сергей Дмитриевич Шл. Владелец: "МАТИ" - Российский государственный технологический университет им. К.Э. Циолковского. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of production of the alloying additives for production of alloys

Номер патента: RU2296175C1. Автор: Анатолий Владимирович Попов,Олег Владимирович Анисимов,Николай Николаевич Скалдин. Владелец: Олег Владимирович Анисимов. Дата публикации: 2007-03-27.

Method of production of nonsmoking shag product

Номер патента: RU2442458C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2012-02-20.

Foam maker for production of heat-insulating items

Номер патента: RU2252924C2. Автор: А.В. Косых,Е.В. Лужнова,Л.Н. Ли-ми-лун. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный технический университет". Дата публикации: 2005-05-27.

Method for production of snacks based on meat-and-vegetal components

Номер патента: RU2515036C1. Автор: Александр Николаевич Остриков,Максим Сергеевич Напольских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВПО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2014-05-10.

Device for production of ferroconcrete products

Номер патента: RU2562357C1. Автор: Никита Валентинович Колесников,Федор Александрович Володко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДСК-15К". Дата публикации: 2015-09-10.

Method of production of barium titanate

Номер патента: RU2305069C1. Автор: Валерий Владимирович Тетерин,Сергей Вениаминович Кирьянов,Илья Николаевич Бездоля,Иль Николаевич Бездол,Игорь Анатольевич Сизиков,Любовь Анатольевна Гладикова,нов Сергей Вениаминович Кирь. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2007-08-27.

Method for production of strengthened steel products of accurate geometric dimensions and shaft resistance furnace for its realisation

Номер патента: RU2375471C1. Автор: Александр Евгеньевич Горбачев,Борис Владимирович Афонин,Александр Михайлович Великолуг,Павел Вячеславович Воронин,Роман Павлович Воронин,Павел Иванович Постернак. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2009-12-10.

Mobile module unit for utilisation of oil-slime and rejects of products of oil and gas processing

Номер патента: RU2434051C1. Автор: Роман Юрьевич Ильин,Сергей Николаевич Серегин,Андрей Семенович Лукьянов,Геннадий Геннадьевич Захарьев,Салават Исмагилович Магзанов,Вячеслав Николаевич Сидоренко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Русэкопроект". Дата публикации: 2011-11-20.

Method for production of small-sized moulded raw smoked and raw dried mince meat products

Номер патента: RU2443124C1. Автор: Сергей Геннадьевич Юзов. Владелец: Сергей Геннадьевич Юзов. Дата публикации: 2012-02-27.

Porous ammonium nitrate for production of blasting explosives and a method of its production

Номер патента: RU2265002C1. Автор: А.И. Суханов,С.Д. Черемисинов,Н.И. Бердичевский,Ю.А. Мелихов,А.М. Черниловский,В.Г. Додух,А.В. Старшинов,В.И. Вильдяев,ев В.И. Вильд,Б.В. Гидаспов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Институт взрыва". Дата публикации: 2005-11-27.

Method of production of the magnetic liquid

Номер патента: RU2307856C1. Автор: Владимир Михайлович Макаров,Вячеслав Николаевич Бегунов,Анна Геннадьевна Ерехинская,Ирина Николаевна Захарова,Анатолий Михайлович Шипилин,Сахиба Зи ддин кызы Калаева,Сахиба Зияддин кызы Калаева,В чеслав Николаевич Бегунов,Наталь Ивановна Воронина,Наталья Ивановна Воронина,Анна Геннадьевна Ерехинска,Анастаси Сергеевна Клемина,Анастасия Сергеевна Клемина. Владелец: Ярославский государственный технический университет. Дата публикации: 2007-10-10.

Improvements in the manufacture and production of wetting, emulsifying, washing and the like agents

Номер патента: GB373642A. Автор: . Владелец: IG Farbenindustrie AG. Дата публикации: 1932-05-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.