Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Work Function Based Voltage Reference

Номер патента: US20090250766A1
Опубликовано: 08-10-2009
Автор(ы): Gregory Dix
Принадлежит: Microchip Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and method of adjusting work-function metal thickness to provide variable threshold voltages in finFETs

Номер патента: US09805982B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with work function layer

Номер патента: US20240222371A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with work function layer

Номер патента: US20240222370A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING MULTIPLE EFFECTIVE WORK FUNCTIONS

Номер патента: US20160005831A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,DAI Min,Kannan Balaji. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor Devices Having Work Function Metal Films and Tuning Materials

Номер патента: US20180019314A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,KWON Oh-Seong,KIM Wan-don,Son Hyeok-Jun,Song Jae-yeol,Han Sung-Kee. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING PLURAL TRANSISTORS WITH WORK FUNCTION METAL GATE STRUCTURES

Номер патента: US20160093536A1. Автор: YANG Yu-Ru,Liou En-Chiuan,YANG Chih-Wei,Hsu Chia-Fu,Ke Jian-Cun,Liu Yu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

VERTICAL TRANSPORT FET HAVING MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGES WITH ZERO-THICKNESS VARIATION OF WORK FUNCTION METAL

Номер патента: US20200144378A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING TRANSISTORS WITH DIFFERENT WORK FUNCTION LAYERS

Номер патента: US20190157410A1. Автор: Hyun Sang-Jin,KIM Wan-don,Jung Hyung-suk,LEE Jong-han,YIM Jeong-hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

TRANSISTOR GATE METAL WITH LATERALLY GRADUATED WORK FUNCTION

Номер патента: US20170207312A1. Автор: Jan Chia-Hong,Ramaswamy Rahul,LIU Pei-Chi,Hafez Walid,CHANG Hsu-Yu,CHANG Ting,OLAC-VAW Roman,DIAS Neville. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MERGED-UNMERGED WORK FUNCTION METAL AND VARIABLE FIN PITCH

Номер патента: US20150279839A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Liu Zuoguang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE WORK FUNCTIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180269106A1. Автор: Zhao Jie,YANG JIAQI. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

MULTI-LAYER WORK FUNCTION METAL GATES WITH SIMILAR GATE THICKNESS TO ACHIEVE MULTI-VT FOR VFETS

Номер патента: US20180294191A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Jamison Paul C.,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

MULTI-LAYER WORK FUNCTION METAL GATES WITH SIMILAR GATE THICKNESS TO ACHIEVE MULTI-VT FOR VFETS

Номер патента: US20180294192A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Jamison Paul C.,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

APPARATUS AND METHOD OF ADJUSTING WORK-FUNCTION METAL THICKNESS TO PROVIDE VARIABLE THRESHOLD VOLTAGES IN FINFETS

Номер патента: US20170338156A1. Автор: Liu Jinping,Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-23.

WORK FUNCTION MATERIAL RECESS FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING IN FINFETS

Номер патента: US20190348516A1. Автор: Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,OLAC-VAW Roman W.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for fabricating multiple work function layers

Номер патента: US20240170279A1. Автор: Jian Wang,Wenzhan ZHOU,Hongzhu ZHENG,Yunqing DAI. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices having work function metal films and tuning materials

Номер патента: US09780183B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12051753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Multiple work function device using GeOx/TiN cap on work function setting metal

Номер патента: US09825122B1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240313114A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150279839A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US09437499B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180374917A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180240865A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240021729A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Multiple work function device using GeOx/TiN cap on work function setting metal

Номер патента: US10134833B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12021145B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Device with modified work function layer and method of forming the same

Номер патента: US20230420538A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,Yu-Chi Pan,Kuan-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with selectively modulated gate work function

Номер патента: US20100230756A1. Автор: Tab A. Stephens,Marc Rossow,Dina H. Triyoso,Voon-Yew Thean,Gregory S. Spencer,Victor H. Vartanian. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-16.

Gate strain induced work function engineering

Номер патента: US9105498B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rahul Nayak,Rajan K. Pandey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same

Номер патента: US11961768B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Yu-Sheng Wang,Da-Yuan Lee,Ya-Wen Chiu,Kai-Cyuan Yang,Chih-Hsiang Fan,Kun-Wa Kuok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133372A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09548372B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Gate formation with varying work function layers

Номер патента: US11830936B2. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Replacement metal gate structures for effective work function control

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Gate Formation with Varying Work Function Layers

Номер патента: US20200251578A1. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Forming MOSFET structures with work function modification

Номер патента: US10147725B2. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133272A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US11823908B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Different work function metals

Номер патента: US20240321882A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Min Gyu Sung,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20230111895A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US20170092644A1. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Ho ln LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US12002871B2. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20230369331A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US11791338B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20220149041A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-12.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180240865A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180374917A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods of forming short-channel and long-channel transistor devices with different heights of work function metal and the resulting ic products

Номер патента: US20200273953A1. Автор: Hong Yu,Wei Ma,Zhenyu Hu,Jae Gon Lee,Srikanth Balaji Samavedam,Tao Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

FABRICATING FIN-BASED SPLIT-GATE HIGH-DRAIN-VOLTAGE TRANSISTOR BY WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20180286760A1. Автор: Guo Dechao,Wang Xinhui,Song Liyang,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

FABRICATING FIN-BASED SPLIT-GATE HIGH-DRAIN-VOLTAGE TRANSISTOR BY WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20180286761A1. Автор: Guo Dechao,Wang Xinhui,Song Liyang,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20190326181A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WORK-FUNCTION METAL AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200335403A1. Автор: KIM Juyoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor element with asymmetric work function metal layer

Номер патента: CN110828377B. Автор: 吕水烟,黄文彦,苏柏文,赖冠颖. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US9691662B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (HKMG)

Номер патента: TW201218380A. Автор: Michael P Chudzik,William K Henson,Un-Oh Kwon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-05-01.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (HKMG)

Номер патента: GB201219010D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (HKMG)

Номер патента: GB2492705B. Автор: Unoh Kwon,Michael P Chudzik,William K Henson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Process for providing dual work function doping

Номер патента: TW464956B. Автор: William Robert Tonti,Jack A Mandelman,Jeffrey P Gambino,Gary Bela Bronner,Carl J Radens. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-11-21.

FORMING MOSFET STRUCTURES WITH WORK FUNCTION MODIFICATION

Номер патента: US20170133272A1. Автор: WATANABE Koji,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Bao Ruqiang,Tsutsui Gen,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MERGED-UNMERGED WORK FUNCTION METAL AND VARIABLE FIN PITCH

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of fabricating semiconductor device using a work function control film

Номер патента: US20120122309A1. Автор: Jeong-hee Han,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

A method to fabricate variable work function gatesfor fusi devices

Номер патента: SG124343A1. Автор: CHONG Yung Fu,VERMA Purakh Raj,HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Integrated contact silicide with tunable work functions

Номер патента: WO2023010005A1. Автор: Mehul Naik,Michael Haverty,Raymond Hung. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for tuning the effective work function of a metal

Номер патента: US09892923B2. Автор: Lars-Ake Ragnarsson,Tom Schram,Hendrik F. W. Dekkers. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method to simultaneously form both fully silicided and partially silicided dual work function transistor gates during the manufacture of a semiconductor device, semiconductor devices, and systems including same

Номер патента: US20060205133A1. Автор: Suraj Mathew,Jigish Trivedi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

Номер патента: US20110104880A1. Автор: Thomas Werner,Frank Richter,Jens Heinrich,Frank Seliger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US20160240382A1. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-18.

Dual work function gate electrodes obtained through local thickness-limited silicidation

Номер патента: US20060019437A1. Автор: Luigi Colombo,Mark Visokay,Robert Murto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

High/low work function metal alloys for integrated circuit electrodes and methods of fabricating same

Номер патента: US20030160227A1. Автор: Huicai Zhong,Veena Misra,ShinNam Hong. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-08-28.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: WO2013012453A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20130224940A1. Автор: Manfred Ramin,Michael F. Pas,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20110223757A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING MULTIPLE EFFECTIVE WORK FUNCTIONS

Номер патента: US20170047255A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,DAI Min,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING TRANSISTORS EACH HAVING A DIFFERENT EFFECTIVE WORK FUNCTION

Номер патента: US20150357244A1. Автор: Chew Soon Aik,Dekkers Hendrik F.W.,Ragnarsson Lars-Ake,Schram Tom. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Transistor hvaing gate elcetode with tuning of work function and memory device with the same

Номер патента: KR100903383B1. Автор: 장세억,양홍선,조흥재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of Manufacturing Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Having Dual Work Function Gate

Номер патента: KR100981114B1. Автор: 김영석,최문호,나기열. Владелец: 충북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-09-08.

Methods of forming a plurality of transistor gates, and methods of forming a plurality of transistor gates having at least two different work functions

Номер патента: KR101173799B1. Автор: 거테즈 에스. 샌두,마크 키엘바흐. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device with selectively modulated gate work function

Номер патента: US7911002B2. Автор: Tab A. Stephens,Marc Rossow,Dina H. Triyoso,Voon-Yew Thean,Gregory S. Spencer,Victor H. Vartanian. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-03-22.

A method to form a transistor with multiple threshold voltages using a combination of different work function gate materials

Номер патента: EP1227521A2. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-07-31.

Device and Method for Tuning Threshold Voltage by Implementing Different Work Function Metals in Different Segments of a Gate

Номер патента: US20200119156A1. Автор: YANG Sheng-Jier,Chiu Tai-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: TW201027600A. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Herbert L Ho,Rashmi Jha,Martin M Frank,Michael P Chudzik,Vamsi K Paruchuri,Mark J Hurley. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-07-16.

Method of forming a single metal that performs n work function and p work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US20220216205A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a single metal that peforms N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: TW201013759A. Автор: Kuo-Tai Huang,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Donald Y Chao,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of Forming a Single Metal that Performs N Work Function and P Work Function in a High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20180247937A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,CHAO Donald Y.,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US20240203738A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Gate stack with tunable work function

Номер патента: US09583400B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20170025315A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

STRUCTURE AND METHOD TO SUPPRESS WORK FUNCTION EFFECT BY PATTERNING BOUNDARY PROXIMITY IN REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20180026035A1. Автор: Kwon Unoh,Zhao Kai,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SHARED METAL GATE STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20190027572A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20180047639A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20180047640A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US20220102147A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

MULTIVALENT OXIDE CAP FOR MULTIPLE WORK FUNCTION GATE STACKS ON HIGH MOBILITY CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20200083113A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20170092644A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOPED WORK FUNCTION METAL LAYER

Номер патента: US20220149041A1. Автор: LIU Chee-Wee,HUANG Chih-Hsiung,TSAI Chung-En,KUOK Kun-Wa,HSIAO Yi-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WORK-FUNCTION METAL AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170200652A1. Автор: KIM Juyoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

STRUCTURE AND METHOD TO SUPPRESS WORK FUNCTION EFFECT BY PATTERNING BOUNDARY PROXIMITY IN REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20170200719A1. Автор: Kwon Unoh,Zhao Kai,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20170207131A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

MANUFACTURING METHOD FOR DUAL WORK-FUNCTION METAL GATES

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Zhang Qingchun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

LOW UNDERCUT N-P WORK FUNCTION METAL PATTERNING IN NANOSHEET REPLACEMENT METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Guo Jing,Kanakasabapathy Sivananda,Bao Ruqiang,De Silva Ekmini Anuja,Bi Zhenxing,Seshadri Indira,Lallement Romain J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING WORK FUNCTION METAL PATTERN IN BOUNDRY REGION AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Hong Jin Woo,Kim Dong Oh,Yoon Chan Sic,Lee Ki Seok,PARK Seok Han,JUNG Ki Wook,JANG Ju Yeon,PARK Je Min,LEE Ho ln. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-15.

Gate Formation with Varying Work Function Layers

Номер патента: US20200251578A1. Автор: CHEN STAN,WU Han-Wei,Chen Jin-Dah. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

STRUCTURE AND METHOD TO SUPPRESS WORK FUNCTION EFFECT BY PATTERNING BOUNDARY PROXIMITY IN REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20190259754A1. Автор: Kwon Unoh,Zhao Kai,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

MULTIPLE WORK FUNCTION NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SACRIFICIAL SILICON GERMANIUM GROWTH

Номер патента: US20190280107A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING WORK FUNCTION METAL PATTERN IN BOUNDRY REGION AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Hong Jin Woo,Kim Dong Oh,Yoon Chan Sic,Lee Ki Seok,PARK Seok Han,JUNG Ki Wook,LEE Ho In,JANG Ju Yeon,PARK Je Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-17.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20150318284A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

DUAL WORK FUNCTION INTEGRATION FOR STACKED FINFET

Номер патента: US20160336421A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20190318966A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Device having work function metal stack and method of forming the same

Номер патента: US20190333769A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

MULTIVALENT OXIDE CAP FOR MULTIPLE WORK FUNCTION GATE STACKS ON HIGH MOBILITY CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20190341314A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for Manufacturing A Dual Work Function Semiconductor Device and the Semiconductor Device Made Thereof

Номер патента: US20160365289A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,KUBICEK Stefan,Ragnarsson Lars-Ake,Schram Tom,SENGOKU NAOHISA,Tseng Joshua,Hoffmann Thomas Y.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

MULTIPLE WORK FUNCTION NANOSHEET FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH DIFFERENTIAL INTERFACIAL LAYER THICKNESS

Номер патента: US20190348530A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

UNIFORM WORK FUNCTION METAL RECESS FOR VERTICAL TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Cheng Kangguo,Sankarapandian Muthumanickam,Xie Ruilong,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH WORK FUNCTION LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200395464A1. Автор: Chen Chang-Yin,Wu Po-Chi,Tai Ming-Chia,Fang Wen-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-17.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US10354999B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Field effect transistor stack with tunable work function

Номер патента: US9859169B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Shared metal gate stack with tunable work function

Номер патента: US10756194B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor devices with the gate stack with adjustable work function

Номер патента: CN108475639A. Автор: S.克里什南,鲍如强,权彦五,V.纳拉亚南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-31.

Complementary field effect transistor with double-work function metal gates and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579113B. Автор: 杨红,王文武,马雪丽,王晓磊,韩锴. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-08.

Dual work function CMOS device

Номер патента: EP1033752A3. Автор: Matthias Ilg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2001-03-28.

DUAL WORK FUNCTION CMOS DEVICES

Номер патента: US20170236759A1. Автор: WATANABE Koji,Sankarapandian Muthumanickam,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Method for providing dual work function doping and protective insulating cap

Номер патента: KR100338413B1. Автор: 디바카루니라마찬드라,만델만잭앨런,브로너게리비. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2002-05-27.

Asymmetric semiconductor device having dual work function gate and method of fabrication

Номер патента: AU2002361895A1. Автор: Qi Xiang,HaiHong Wang,Witold P. Maszara. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US12080777B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Work Function Layers For Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20240363711A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US12132091B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US20240363718A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: GB2627627A. Автор: Krishnan Rishikesh,Guo Dechao,Wang Junli,Xie Ruilong,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bao Ruqiang,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Composite Work Function Layer Formation Using Same Work Function Material

Номер патента: US20220020861A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: US20230178553A1. Автор: Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Rishikesh Krishnan,Ruqiang Bao,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Work-Function Layers in the Gates of pFETs

Номер патента: US20230282712A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi voltage threshold transistors through process and design-induced multiple work functions

Номер патента: US20190304840A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Neville L. DIAS,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: WO2023105333A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Rishikesh Krishnan,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-06-15.

Stable work function for narrow-pitch devices

Номер патента: US20230299170A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20210233817A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20240297080A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Stable work function for narrow-pitch devices

Номер патента: US09735250B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Work function design to increase density of nanosheet devices

Номер патента: US11862633B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having multiple work functions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180269106A1. Автор: Jie Zhao,Jiaqi Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Work function design to increase density of nanosheet devices

Номер патента: US20220173096A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Stable work function for narrow-pitch devices

Номер патента: US09583486B1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Adjusting work function through adjusting deposition temperature

Номер патента: US12009264B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Stable work function for narrow-pitch devices

Номер патента: US20170148892A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Composite Work Function Layer Formation Using Same Work Function Material

Номер патента: US20220359703A1. Автор: Chui Chi On,Lee Hsin-Yi,Hung Cheng-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Method to lower work function of gate electrode through Ge implantation

Номер патента: US20050095773A1. Автор: Mousumi Bhat,Tze Ho Chan,Jeffrey Chee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

A semiconductor device having a metal gate with a work function compatible with a semiconductor device

Номер патента: TW480670B. Автор: Ranbir Singh,Isik C Kizilyalli,Lori Ann Stirling. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-21.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Replacement Gate Having Work Function at Valence Band Edge

Номер патента: US20120119204A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20130224940A1. Автор: Manfred Ramin,Michael F. Pas,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING WORK FUNCTION ADJUSTING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130280872A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH A DUAL WORK FUNCTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Yu Chen-Hua,YAO Liang-Gi,LIN CHENG-TUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

METHOD FOR MODULATING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE STRUCTURE BY GAS TREATMENT

Номер патента: US20170076995A1. Автор: Lai Kuo-Chih,Ho Nien-Ting,Hsu Chi-Mao,Chen Yen-Chen,Chang Yun-Tzu,Chou Shih-Min,Chang Ching-Yun,Yen Hsiang-Chieh,Lu Yang-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20170178973A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD OF FORMING INTEGRATED CIRCUIT HAVING PLURAL TRANSISTORS WITH WORK FUNCTION METAL GATE STRUCTURES

Номер патента: US20160190019A1. Автор: YANG Yu-Ru,Liou En-Chiuan,YANG Chih-Wei,Hsu Chia-Fu,Ke Jian-Cun,Liu Yu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SINGLE WORK FUNCTION ENABLEMENT FOR SILICON NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20190221483A1. Автор: Mulfinger George,Beasor Scott,MCARDLE Timothy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-18.

METHOD FOR ADJUSTING EFFECTIVE WORK FUNCTION OF METAL GATE

Номер патента: US20160240382A1. Автор: Yang Hong,Wang Wenwu,Yan Jiang,LUO Weichun. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2016-08-18.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING DUAL WORK FUNCTION MATERIALS AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20180294351A1. Автор: SHEN Zhaoxu,BEI Duohui. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

DUAL WORK FUNCTION INTEGRATION FOR STACKED FINFET

Номер патента: US20160336235A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20200335404A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Complementary Metal-Oxide SemiconductorCMOS Field-Effect Transistor Having Dual Work Function Gate And Method of Manufacturing The Same

Номер патента: KR101027769B1. Автор: 김영석,최문호,나기열. Владелец: 충북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-04-07.

High-K gate dielectric with work function adjustment metal layer

Номер патента: US8860143B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-14.

Fabrication of dual work-function metal gate structure for complementary field effect transistors

Номер патента: US6864163B1. Автор: James Pan,Allen S. Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Dual work function gate electrodes using doped polysilicon and a metal silicon germanium compound

Номер патента: EP1422755A2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-05-26.

Tunable gate electrode work function material for transistor applications

Номер патента: US20100140717A1. Автор: Mark Doczy,Valery M. Dubin,Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominguez,Harsono S. Simka,John J. Plombon,Joseph H. Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Method and system for forming dual work function gate electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US7432566B2. Автор: Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Mosfet gate electrodes having performance tuned work functions and methods of making same

Номер патента: US20020008257A1. Автор: Robert S. Chau,Chunlin Liang,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for tuning a work function of high-k metal gate devices

Номер патента: TW201025509A. Автор: Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh,Harry Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Dual work function metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5490188B2. Автор: ▲ミン▼▲ジュ▼ 金,鍾鎬 李,成基 韓,炯碩 丁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-14.

Semiconductor device including work function control film patterns and method for fabricating the same

Номер патента: US9064732B2. Автор: Chang-Min Hong,Choel-hwyi Bae,Cheong-Sik Yu,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-23.

Dual work function semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5401159B2. Автор: チャン・ショウ−ゼン,ユ・ホンユ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-01-29.

Transistors, integrated circuits, systems, and processes of manufacture with improved work function modulation

Номер патента: US7611943B2. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

High-k metal gate electrode structure formed by removing a work function on sidewalls in replacement gate technology

Номер патента: US8735236B2. Автор: Christopher Prindle,Klaus Hempel,Rolf Stephan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives

Номер патента: US6770521B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-03.

Semiconductor devices having work function adjusting films with chamfered top surfaces

Номер патента: US09627380B2. Автор: Ju-youn Kim,Kwang-You Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Multilayer work function metal in nanosheet stacks using a sacrificial oxide material

Номер патента: WO2023104455A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Koji Watanabe,Jingyun Zhang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Single metal gate with dual effective work function gate metal scheme

Номер патента: US20240312993A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal patterning for nanosheet cfets

Номер патента: US20240006245A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical stacked nanosheet cmos transistors with different work function metals

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Work function metal patterning for nanosheet CFETs

Номер патента: US11798851B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

NMOS PTAT generator and voltage reference

Номер патента: US11841727B2. Автор: Fergus John Downey. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-12-12.

Precision voltage reference with lattice damage

Номер патента: US5146297A. Автор: Robert B. Johnson,Steven R. Collins. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1992-09-08.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20220300016A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: WO2022197880A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

FinFET work function metal formation

Номер патента: US09601490B2. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Finfet work function metal formation

Номер патента: US20160163705A1. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Finfet work function metal formation

Номер патента: US20150021704A1. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Dual work function buried gate-type transistor, method for forming the same, and electronic device including the same

Номер патента: US09431496B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for near surface work function engineering

Номер патента: US11837473B2. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09627270B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09576858B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Dual work function integration for stacked finfet

Номер патента: US20160336421A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Memory cell comprising a metal control gate with a work function for an enlarged operation window

Номер патента: US10879258B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for fabricating devices for electrostatic discharge protection and voltage references, and the resulting structures

Номер патента: WO1996021247A1. Автор: Philip Shiota. Владелец: Philip Shiota. Дата публикации: 1996-07-11.

Diodes for electrostatic discharge protection and voltage references

Номер патента: US5426322A. Автор: Philip Shiota. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-20.

Mosfet with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US20150228489A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods for pre-deposition treatment of a work-function metal layer

Номер патента: US09978601B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

MOSFET with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US09484359B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Bruce B Doris. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09472646B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Work-Function Metal in Transistors and Method Forming Same

Номер патента: US20230282729A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Cheng-Lung Hung,Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Yan-Ming Tsai,Harry CHIEN,Chun-Da Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Techniques for forming multiple work function nanosheet device

Номер патента: US10381272B1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US09721796B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10707304B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US20170025285A1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US09876089B2. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US09570318B1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nanosheet devices with different types of work function metals

Номер патента: US20190304848A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Modifying work function of a metal film with a plasma process

Номер патента: US20180218911A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472637B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Mosfet with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US20130214356A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device including work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240079229A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chia Chan Fan,Chin-Chia Yeh,Chieh Chiang,Cheng Yu Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Differential work function between gate stack metals to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20180315827A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US20170301774A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

N-Work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20170301768A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US10269918B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

N-work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20190252512A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for improving metal work function boundary effect

Номер патента: US11756798B2. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for improving metal work function boundary effect

Номер патента: US20220406615A1. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Formation of work-function layers for gate electrode using a gas cluster ion beam

Номер патента: US09748392B1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Jidong Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US09698019B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

NFET with Aluminum-Free Work-Function Layer and Method Forming Same

Номер патента: US20240379777A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for fabricating semiconductor device having dual work function gate structure

Номер патента: US9577052B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for producing low work function electrodes

Номер патента: EP2710611A1. Автор: Bernard Kippelen,Seth R. Marder,Canek Fuentes-Hernandez,Yinhua Zhou,Jae Won Shim,Jens Meyer,Antoine Kahn. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2014-03-26.

Low undercut n-p work function metal patterning in nanosheet replacement metal gate process

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Sivananda Kanakasabapathy,Romain J. Lallement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Work function tuning in semiconductor devices

Номер патента: US20230317446A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Sheng-Yung Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10748994B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20150041880A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Multigate dual work function device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150263167A1. Автор: Toshitaka Miyata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing for memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US9502543B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Bonded article with improved work function uniformity and method for making the same

Номер патента: EP1063670A3. Автор: Victor Katsap,Waren K. Waskiewicz. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stacked package assembly with voltage reference plane

Номер патента: EP3371828A1. Автор: Bok Eng Cheah,Ping Ping Ooi,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Shanggar Periaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

A gate all around device with a work function mismatch between inner and outer gates

Номер патента: WO2024056186A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka,Geert Hellings,Philippe Matagne,Gautam GADDEMANE. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-03-21.

Work function based approaches to transistor threshold voltage tuning

Номер патента: US20190393332A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Walid Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Work function based approaches to transistor threshold voltage tuning

Номер патента: US20190393332A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Walid Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: GB202407430D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Gate electrode having a work-function layer including materials with different average grain sizes

Номер патента: US12113120B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US12119386B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US20240371956A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Work function design to increase density of nanosheet devices

Номер патента: US12148750B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09564431B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US20220077296A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

WORK FUNCTION DESIGN TO INCREASE DENSITY OF NANOSHEET DEVICES

Номер патента: US20220173096A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20220310451A1. Автор: Chui Chi On,Lee Hsin-Yi,Chang Weng,Hung Cheng-Lung,Chen Ji-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-29.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20210233817A1. Автор: Chui Chi On,Lee Hsin-Yi,Chang Weng,Hung Cheng-Lung,Chen Ji-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20160225867A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS FOR MULTI-LEVEL WORK FUNCTION

Номер патента: US20150236086A1. Автор: LIU Chia-Wen,Wu Wei-Hao,Wang Chih-hao,Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Work Function Layers for Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20200373400A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor devices including work function layers

Номер патента: KR20210156985A. Автор: 김주연,윤슬기,홍세기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-28.

FinFET having a work function material gradient

Номер патента: US11282933B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Nfet with aluminum-free work-function layer and method forming same

Номер патента: KR20230012408A. Автор: 치 온 추이,웽 창,신-이 이,춘-아이 우,후앙-린 차오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-01-26.

Transistor gate metal with laterally graded work function

Номер патента: CN106663694B. Автор: R·拉马斯瓦米,T·张,R·奥拉-沃,W·哈菲兹,C-H·简,张旭佑,P-C·刘,N·迪亚斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Front electrode with layer of thin metal film and high-work function buffer layer for use in photovoltaic device and production method thereof

Номер патента: RU2435251C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-11-27.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function and multi-valued channel doping of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09620591B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Removal of work function metal wing to improve device yield in vertical fets

Номер патента: US20200235238A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704988B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile storage element having dual work-function electrodes

Номер патента: EP2652787A1. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-23.

High work function MoO2 back contacts for improved solar cell performance

Номер патента: US11011661B2. Автор: Oki Gunawan,Richard A. Haight,Douglas M. Bishop,Priscilla D. Antunez,Gloria W. Fraczak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Dual work function recessed access device and methods of forming

Номер патента: US09543433B2. Автор: Sanh D. Tang,Venkatesan Anathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Photoelectric conversion device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatuses having work function adjustment layers and diffusion suppression layers

Номер патента: US09520449B2. Автор: Masaki Murata,Ryoji Arai,Osamu Enoki,Toru Udaka,Rui Morimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor Work Function Reference Circuit for Radiation Detection

Номер патента: US20220392895A1. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor work function reference circuit for radiation detection

Номер патента: US11984447B2. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing semiconductor structure having multi-work function gate electrode

Номер патента: US11943913B2. Автор: Kai Jen,Te-Hsuan Peng,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Select gate materials having different work functions in 3d nand non-volatile memory

Номер патента: WO2014165461A4. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Methods for tailoring electrode work function using interfacial modifiers for use in organic electronics

Номер патента: US09431612B2. Автор: Qun Chen,Jillian Buriak,Brian Worfolk. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2016-08-30.

Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: CA2668103A1. Автор: Alexey Krasnov. Владелец: Alexey Krasnov. Дата публикации: 2008-05-15.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Conductive structure and method of controlling work function of metal

Номер патента: EP3910664A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-17.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

High Work Function, Manufacturable Top Electrode

Номер патента: US20140183697A1. Автор: Hiroyuki Ode,Sandra G. Malhotra,Hanhong Chen,Wim Deweerd,Arthur Gevondyan. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US11996453B2. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US20240313068A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Transistor having metal electrodes surrounding a semiconductor pillar body and corresponding work-function-induced source/drain regions

Номер патента: US09837503B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US9397256B2. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-07-19.

High Work Function MoO2 Back Contacts for Improved Solar Cell Performance

Номер патента: US20180226524A1. Автор: Oki Gunawan,Richard A. Haight,Douglas M. Bishop,Priscilla D. Antunez,Gloria W. Fraczak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

High Work Function MoO2 Back Contacts for Improved Solar Cell Performance

Номер патента: US20200152815A1. Автор: Oki Gunawan,Richard A. Haight,Douglas M. Bishop,Priscilla D. Antunez,Gloria W. Fraczak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US20150243838A1. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2015-08-27.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Dual work function gate in cmos device

Номер патента: WO2006063239A1. Автор: Mohammed A. Fathimulla. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-06-15.

Vertical transistor having dual work function materials and method for fabricating thereof

Номер патента: US20180294351A1. Автор: DUOHUI Bei,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Introducing Fluorine To Gate After Work Function Metal Deposition

Номер патента: US20230068458A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Lead frame assemblies with voltage reference plane and IC packages including same

Номер патента: US20010035571A1. Автор: Jerry Brooks,Terry Lee,David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Lead frame assemblies with voltage reference plane and IC packages including same

Номер патента: US5955777A. Автор: David J. Corisis,Jerry M. Brooks,Terry R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor voltage reference device

Номер патента: US4224631A. Автор: Earl C. Vickery,James C. Schmoock,Clyde M. Brown, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1980-09-23.

Modifying Work Function in PMOS Devices by Counter-Doping

Номер патента: US20130193521A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lee Chun-Yi,Wang Ping-Wei,Thei Kong-Beng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-01.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN A HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING LANTHANUM

Номер патента: US20140015058A1. Автор: Beyer Sven,Carter Richard,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

STABLE WORK FUNCTION FOR NARROW-PITCH DEVICES

Номер патента: US20170148892A1. Автор: Ando Takashi,Hook Terence B.,Bajaj Mohit,Pandey Rajan K.,Sathiyanarayanan Rajesh. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING WORK FUNCTION METAL FILMS AND TUNING MATERIALS

Номер патента: US20160225868A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,KWON Oh-Seong,KIM Wan-don,Son Hyeok-Jun,Song Jae-yeol,Han Sung-Kee. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

WORK FUNCTION METAL PATTERNING FOR NANOSHEET CFETS

Номер патента: US20210320035A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Zhang Chen,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Nanosheet transistor with different gate dielectrics and work function metals

Номер патента: CN111183518A. Автор: 李俊涛,许�鹏,程慷果,李忠贤. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Multi-layer work function metal gates with similar gate thickness to achieve multi-Vt for vFETS

Номер патента: US10002791B1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Finfet work function metal formation

Номер патента: US20150021704A1. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

MULTI VOLTAGE THRESHOLD TRANSISTORS THROUGH PROCESS AND DESIGN-INDUCED MULTIPLE WORK FUNCTIONS

Номер патента: US20190304840A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,LEE CHEN-GUAN,CHANG Hsu-Yu,DIAS Neville L.,Cassidy-Comfort Everett S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Low work function materials

Номер патента: US20200263322A1. Автор: Jonathan S. Edelson,Joseph M. Fine,Michael J. Hinton,Peter Vanderwicken,John D. Birge. Владелец: Borealis Technical Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Carbon nanomaterial functionalized needle tip modified with low work function material and preparation method thereof

Номер патента: US20220308087A1. Автор: Yuliang Zhao,Jianxun Xu,Yifei GE. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2022-09-29.

Low work function materials

Номер патента: GB2583565A. Автор: Edelson Jonathan,Vanderwicken Peter,J Hinton Michael,M Fine Joseph,Birge John. Владелец: Borealis Technical Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Method For Tuning Work Function Using Surface Photo Voltage and Producing Ultra-Low-Work-Function Surfaces, and Devices Operational Therewith

Номер патента: US20220093357A1. Автор: Nicholas A. Melosh,Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for tuning work function using surface photo voltage and producing ultra-low-work-function surfaces, and devices operational therewith

Номер патента: US12046439B2. Автор: Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede,Nicholas A Melosh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of reducing work function in carbon coated LaB6 cathodes

Номер патента: US09790620B1. Автор: Victor Katsap. Владелец: Nuflare Technology America Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

System and method for work function reduction and thermionic energy conversion

Номер патента: US12102005B2. Автор: Jared William SCHWEDE,Lucas Heinrich HESS. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

A method for controlling a work function of at least one surface, electrode, electrochemical cell energy storage device, photovoltaic cell and electrical component thereof

Номер патента: WO2023228196A1. Автор: Ron Naaman,Nir MAROM,Shira Yochelis,Yutao SANG,Yosef Paltiel,Nir YURAN,Uri WEINHEBER. Владелец: Chiral Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting devices utilizing high work function electrodes

Номер патента: US5955834A. Автор: Arthur J. Epstein,Yunzhang Wang. Владелец: Ohio State University. Дата публикации: 1999-09-21.

Cathode with improved work function and method for making the same

Номер патента: EP1063669A3. Автор: Jin Sungho,Wei Zhu,Victor Katsap,Warren K. Waskiewicz. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Electrode material with low work function and high chemical stability

Номер патента: US09812279B2. Автор: Jian Xin Yan. Владелец: Tongyuan Textile Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Capacitor with charge time reducing additives and work function modifiers

Номер патента: US09793058B2. Автор: Yaru Shi,Antony P. Chacko,John T. Kinard,John Joseph Ols,Robert Ramsbottom. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Low work-function, mechanically and thermally robust emitter for thermionic energy converters

Номер патента: US09607815B2. Автор: Roger T. Howe,Jae Hyung Lee,Igor Bargatin,Bernard Vancil. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-03-28.

Field emission cathode array coated with electron work function reducing material, and method

Номер патента: US5089292A. Автор: Ivor Brodie,John M. MaCaulay,Christopher E. Holland,C. A. Spindt. Владелец: Coloray Display Corp. Дата публикации: 1992-02-18.

Low work function, stable compound clusters and generation process

Номер патента: WO1999060598A1. Автор: Mehdi Balooch,Alex V. Hamza,Long N. Dinh,Marcus A. Schildbach,William Ii Mclean. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1999-11-25.

Apparatus and method for use in transferring an electrical power supply in order to bypass a transformer based voltage optimization device

Номер патента: WO2012025721A4. Автор: David Taylor. Владелец: EMSC (UK) LIMITED. Дата публикации: 2012-09-27.

Apparatus and method for use in transferring an electrical power supply in order to bypass a transformer based voltage optimization device

Номер патента: WO2012025721A2. Автор: David Taylor. Владелец: EMSC (UK) LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

Apparatus and method for use in transferring an electrical power supply in order to bypass a transformer based voltage optimization device

Номер патента: EP2609679A2. Автор: David Taylor. Владелец: Emsc UK Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Method for designing coupling-function based millimeter wave electrical elements

Номер патента: US09431992B2. Автор: Alon Yehezkely. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, TRANSISTOR CIRCUIT HAVING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170047421A1. Автор: KIM Dong-Soo,LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Eun-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

TRANSISTOR HAVING DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150214313A1. Автор: LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Su-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Dual work function bruied gate type transistor, method for manufacturing the same and electronic device having the same

Номер патента: KR102162733B1. Автор: 강동균. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-10-07.

MOS transistor including multi-work function metal nitride gate electrode, COMS integrated circuit device including same, and related methods of manufacture

Номер патента: US20060244079A1. Автор: Shigenobu Maeda,Min-Joo Kim,XiaoQuan Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Dual work function buried gate-type transistor, method for forming the same, and electronic device including the same

Номер патента: US9601590B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and system for fin-based voltage clamp

Номер патента: US20230378750A1. Автор: Andrew J. Walker,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Joseph Tandingan. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

MEMORY CHIP STRUCTURE HAVING GAA TRANSISTORS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES AND WORK FUNCTIONS FOR IMPROVING PERFORMANCES IN MULTIPLE APPLICATIONS

Номер патента: US20210313333A1. Автор: Liaw Jhon Jhy Mrunal. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

TUNING WORK FUNCTION OF P-METAL WORK FUNCTION FILMS THROUGH VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20190326120A1. Автор: Chang Mei,Tang Wei,LIN Chi-Chou,Yang Yixiong,Ma Paul,JIAN Guoqiang,Liu Wenyi. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Tuning work function of p-metal work function films through vapor deposition

Номер патента: WO2019204120A1. Автор: Mei Chang,Wei Tang,Paul Ma,Yixiong Yang,Guoqiang JIAN,Chi-Chou Lin,Wenyi Liu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-10-24.

Work function metal fill for replacement gate fin field effect transistor process

Номер патента: US20160300721A1. Автор: Hong He,Yongan Xu,Junli Wang,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Work function metal fill for replacement gate fin field effect transistor process

Номер патента: US10147803B2. Автор: Hong He,Yongan Xu,Junli Wang,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Work function metal fill for replacement gate fin field effect transistor process

Номер патента: US20160329415A1. Автор: Hong He,Yongan Xu,Junli Wang,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Work function metal fill for replacement gate fin field effect transistor process

Номер патента: US10164060B2. Автор: Hong He,Yongan Xu,Junli Wang,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09570579B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

FET device with tuned gate work function

Номер патента: US09536974B2. Автор: Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including work function adjusting metal gate structure

Номер патента: US20220165861A1. Автор: Jong Ho Park,Byoung Hoon Lee,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Dual work function semiconductor structure with borderless contact and method of fabricating the same

Номер патента: TW582113B. Автор: Yujun Li,Qiuyi Ye,William R Tonti. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-04-01.

Systems and methods for producing low work function electrodes

Номер патента: EP2710611A4. Автор: Bernard Kippelen,Canek Fuentes-Hernandez,Yinhua Zhou,Jae Won Shim,Seth R Marder,Jens Meyer,Antoine Kahn. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2015-03-25.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US09929240B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09818843B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09530849B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Sacrificial silicon germanium channel for inversion oxide thickness scaling with mitigated work function roll-off and improved negative bias temperature instability

Номер патента: US09443953B1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Kevin K. Chan,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of gate work function adjustment and metal gate transistor

Номер патента: US20120256279A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-11.

Enhanced Work Function Layer Supporting Growth of Rutile Phase Titanium Oxide

Номер патента: US20130095632A1. Автор: Rui Xiangxin,Chen Hanhong,Malhotra Sandra G.,Kumar Pragati. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

STRUCTURE AND METHOD FOR DUAL WORK FUNCTION METAL GATE CMOS WITH SELECTIVE CAPPING

Номер патента: US20130337656A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-19.

Sacrificial Low Work Function Cap Layer

Номер патента: US20140099785A1. Автор: Joshi Amol,Mujumdar Salil. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20220005929A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd.. Дата публикации: 2022-01-06.

GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING DIFFERENT WORK FUNCTION METALS AND DIFFERENT NANOSHEET WIDTH DIMENSIONS

Номер патента: US20200006356A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20200006479A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200013863A1. Автор: Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel,Ramkumar Krishnaswarny. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Low Thickness Dependent Work-Function nMOS Integration For Metal Gate

Номер патента: US20190019874A1. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Atashi Basu,Naomi Yoshida,Sang Ho Yu,Paul F. Ma,Shih Chung CHEN,Liqi Wu,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A DUAL WORK FUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140106556A1. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Ragnarsson Lars-Ake,Schram Tom,Fazan Pierre,Ritzenthaler Romain. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-04-17.

FORMATION OF BORON-DOPED TITANIUM METAL FILMS WITH HIGH WORK FUNCTION

Номер патента: US20170025280A1. Автор: Milligan Robert Brennan. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH-K AND P-TYPE WORK FUNCTION METAL FIRST FABRICATION PROCESS HAVING IMPROVED ANNEALING PROCESS FLOWS

Номер патента: US20170025285A1. Автор: Cho Jin,Zang Hui,WANG Miaomiao. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH-K AND P-TYPE WORK FUNCTION METAL FIRST FABRICATION PROCESS HAVING IMPROVED ANNEALING PROCESS FLOWS

Номер патента: US20170025526A1. Автор: Cho Jin,Zang Hui,WANG Miaomiao. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

VERTICAL STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTORS WITH DIFFERENT WORK FUNCTION METALS

Номер патента: US20220044973A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Metal Electrode With Tunable Work Functions

Номер патента: US20190027574A1. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard,Dargis Rytis,Pelzel Rodney. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20150041880A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US20160042953A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and Methods for Producing Low Work Function Electrodes

Номер патента: US20140131868A1. Автор: Kippelen Bernard,MEYER JENS,Marder Seth R.,Fuentes-Hernandez Canek,SHIM Jae Won,Zhou Yinhua,Kahn Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

TRANSISTOR HAVING DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170069735A1. Автор: LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Su-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

STABLE WORK FUNCTION FOR NARROW-PITCH DEVICES

Номер патента: US20180083116A1. Автор: Ando Takashi,Hook Terence B.,Bajaj Mohit,Pandey Rajan K.,Sathiyanarayanan Rajesh. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

CONTINUOUS TUNING OF ERBIUM SILICIDE METAL GATE EFFECTIVE WORK FUNCTION VIA A PVD NANOLAMINATE APPROACH FOR MOSFET APPLICATIONS

Номер патента: US20150091105A1. Автор: Karlsson Olov,Bodke Ashish,Hong Zhendong. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-04-02.

Tantalum carbide metal gate stack for mid-gap work function applications

Номер патента: US20160093711A1. Автор: Choi Kisik,Karlsson Olov,Hong Zhendong,Joshi Amol,Tzeng Susie,Besser Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE TYPE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160093717A1. Автор: OH Tae-Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

COMPOSITION FOR SELECTIVE POLISHING OF WORK FUNCTION METALS

Номер патента: US20200087538A1. Автор: Lin Jie. Владелец: FUJIMI CORPORATION. Дата публикации: 2020-03-19.

WORK FUNCTION METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20220149171A1. Автор: Huang Chih-Wen,Huang Shih-An. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Method for Tuning the Effective Work Function of a Gate Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20140187039A1. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-07-03.

DEVICE HAVING WORK FUNCTION METAL STACK AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200105533A1. Автор: Chang Shih-Hsun,Chen Yen-Yu,TSAO Chih-Pin,LU Yu-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-02.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES WITH MULTIPLE WORK FUNCTIONS AND THE RESULTING PRODUCTS

Номер патента: US20150126023A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-07.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190131394A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

STABLE WORK FUNCTION FOR NARROW-PITCH DEVICES

Номер патента: US20170148890A1. Автор: Ando Takashi,Hook Terence B.,Bajaj Mohit,Pandey Rajan K.,Sathiyanarayanan Rajesh. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183882A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING PLURAL WORK FUNCTION WORD LINES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183883A1. Автор: Zhang Peng,Zhao Wei,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Baraskar Ashish,MOON Dong-il. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200152752A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRODE MADE OF HIGH WORK FUNCTION MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150171179A1. Автор: ITATANI Hideharu,Ogawa Arito,HORII Sadayoshi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150171180A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160181377A1. Автор: OH Tae-Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

High Productivity Combinatorial Testing of Multiple Work Function Materials on the Same Semiconductor Substrate

Номер патента: US20150187664A1. Автор: Joshi Amol. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20170186883A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20210217862A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Method for tuning the effective work function of a metal

Номер патента: US20160196976A1. Автор: Dekkers Hendrik F.W.,Ragnarsson Lars-Ake,Schram Tom. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SHARED METAL GATE STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20180190784A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE TYPE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150214314A1. Автор: OH Tae-Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

MOSFET WITH WORK FUNCTION ADJUSTED METAL BACKGATE

Номер патента: US20150228489A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

MODIFYING WORK FUNCTION OF A METAL FILM WITH A PLASMA PROCESS

Номер патента: US20180218911A1. Автор: Liu Wei,Swenberg Johanes S.,HUNG Steven C. H.,Graoui Houda. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT WITH THE IMPLANT OF LANTHANIDES

Номер патента: US20140315377A1. Автор: Ramin Manfred,Pas Michael F.,Alshareef Husam N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

WORK FUNCTION METAL FILL FOR REPLACEMENT GATE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR PROCESS

Номер патента: US20150236159A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,He Hong,Xu Yongan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-20.

Metal Gate Stack Having TiAlCN as Work Function Layer and/or Blocking/Wetting Layer

Номер патента: US20140319626A1. Автор: JENG Chi-Cherng,LIU Chi-Wen,JangJian Shiu-Ko,Wang Ting-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

FORMATION OF WORK-FUNCTION LAYERS FOR GATE ELECTRODE USING A GAS CLUSTER ION BEAM

Номер патента: US20170250284A1. Автор: Zang Hui,WANG Yanzhen,Huang Jidong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-08-31.

N-WORK FUNCTION METAL WITH CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: US20150262822A1. Автор: Nian Jun-Nan,Liu Kuan-Ting,Hung Chi-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

MULTIGATE DUAL WORK FUNCTION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150263167A1. Автор: MIYATA Toshitaka. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

FINFET WITH DUAL WORK FUNCTION METAL

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

N-work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20190252512A1. Автор: Nian Jun-Nan,Liu Kuan-Ting,Hung Chi-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

SYSTEM FOR PRE-DEPOSITION TREATMENT OF A WORK-FUNCTION METAL LAYER

Номер патента: US20180261459A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsin-Yi,Wu Chung-Chiang,Chang Weng,TSAI Ming-Hsing,Tsai Cheng-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

PROCESS FOR FORMING A LAYER OF A WORK FUNCTION METAL FOR A MOSFET GATE HAVING A UNIAXIAL GRAIN ORIENTATION

Номер патента: US20190259618A1. Автор: Domengie Florian,Kumar Pushpendra. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2019-08-22.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH A GATE HAVING A RECESSED WORK FUNCTION METAL LAYER AND METHOD OF FORMING THE FET

Номер патента: US20180277652A1. Автор: Chan Victor,WATANABE Koji,Park Chanro,Chung Kisup. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

CONFINED WORK FUNCTION MATERIAL FOR GATE-ALL AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

WORK FUNCTION METAL FILL FOR REPLACEMENT GATE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR PROCESS

Номер патента: US20160300721A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,He Hong,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

TRANSISTOR HAVING A GATE WITH A VARIABLE WORK FUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180294342A1. Автор: Zhao Chao,Yang Hong,Wang Wenwu,Xiang Jinjuan,Wang Xiaolei,Li Junfeng,LIU Shi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

MODIFYING WORK FUNCTION OF A METAL FILM WITH A PLASMA PROCESS

Номер патента: US20190287805A1. Автор: Liu Wei,Swenberg Johanes S.,HUNG Steven C. H.,Graoui Houda. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

FET DEVICE WITH TUNED GATE WORK FUNCTION

Номер патента: US20160308017A1. Автор: Baudot Sylvain Henri. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

N-Work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20170301768A1. Автор: Nian Jun-Nan,Liu Kuan-Ting,Hung Chi-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

METHODS TO ENHANCE EFFECTIVE WORK FUNCTION OF MID-GAP METAL BY INCORPORATING OXYGEN AND HYDROGEN AT A LOW THERMAL BUDGET

Номер патента: US20170301774A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

VERTICAL STACKED NANOSHEET CMOS TRANSISTORS WITH DIFFERENT WORK FUNCTION METALS

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Nanosheet devices with different types of work function metals

Номер патента: US20190304848A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

WORK FUNCTION METAL FILL FOR REPLACEMENT GATE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR PROCESS

Номер патента: US20160329415A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,He Hong,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

DIFFERENTIAL WORK FUNCTION BETWEEN GATE STACK METALS TO REDUCE PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20180315827A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.,Rahhal-Orabi Nadia M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

METHOD FOR TUNING METAL GATE WORK FUNCTION BEFORE CONTACT FORMATION IN FIN-SHAPPED FIELD EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20160336181A1. Автор: Lai Kuo-Chih,Ho Nien-Ting,Chen Yen-Chen,Chou Shih-Min,Chang Ching-Yun,Yen Hsiang-Chieh,Lu Yang-Ju,CHANG YUN TZU,LIU FANG-YI. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRODE MADE OF HIGH WORK FUNCTION MATERIAL, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160343573A1. Автор: ITATANI Hideharu,Ogawa Arito,HORII Sadayoshi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2016-11-24.

GATE FORMATION WITH VARYING WORK FUNCTION LAYERS

Номер патента: US20180350955A1. Автор: CHEN STAN,WU Han-Wei,Chen Jin-Dah. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SHARED METAL GATE STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20170358655A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

METHODS FOR CHAMFERING WORK FUNCTION MATERIAL LAYERS IN GATE CAVITIES HAVING VARYING WIDTHS

Номер патента: US20190348508A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Lu Rongtao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS FOR MULTI-LEVEL WORK FUNCTION

Номер патента: US20150380520A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH METAL-GATE WORK-FUNCTION TUNING LAYERS

Номер патента: US20190385855A1. Автор: Lee Hsien-Ming,KUNG POHAN,Chien Jui-Fen,WEI Hsiao-Kuan,FAN CHIH-HSIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-12-19.

VERTICALLY STACKED NFET AND PFET WITH DUAL WORK FUNCTION

Номер патента: US20190393307A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

METHOD FOR IMPROVING METAL WORK FUNCTION BOUNDARY EFFECT

Номер патента: US20220406615A1. Автор: Weng Wenyin. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing a transparent conducting oxides for organic semiconductor device having increased work function

Номер патента: KR100977152B1. Автор: 윤영수,박훈,김수호,지승현. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-08-23.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: KR101789865B1. Автор: 웽 창,다위안 리,쿠안팅 리우,헝친 청,시엔밍 리,션밍 장,웨이젠 로. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-10-25.

High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers

Номер патента: US8491819B2. Автор: Che-Hsiung Hsu. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-07-23.

Formation of boron-doped titanium metal films with high work function

Номер патента: US10083836B2. Автор: Robert Brennan Milligan. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-25.

High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers

Номер патента: US20080191172A1. Автор: Che-Hsiung Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Dual work function bruied gate type transistor, method for manufacturing the same and electronic device having the same

Номер патента: KR102055333B1. Автор: 오태경. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-01-22.

semiconductor device having dual work function gate structure

Номер патента: CN105702730A. Автор: 金东洙,金银贞,李振烈,吴泰京. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Local charge and work function engineering on MOSFET

Номер патента: US8030718B2. Автор: Yuri Masuoka,Huan-Tsung Huang,Shyh-Horng Yang,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

With the metal gate stacks part as work-function layer and/or the TiAlCN of blocking/wetting layer

Номер патента: CN105261637B. Автор: 张简旭珂,王廷君,郑志成,刘继文. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-22.

A method of forming a metal gate structure with tuning of work function by silicon incorporation

Номер патента: KR101065045B1. Автор: 폴 알. 베세르,크리스티 우,밍 반 엔지오,제인즈 엔. 팬,진송 이인. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2011-09-19.

Double-gate semiconductor devices having gates with different work functions and methods of manufacture thereof

Номер патента: US7791140B2. Автор: Radu Surdeanu,Mark Van Dal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-07.

Tunneling field effect transistor having heterogeneous grid work function and formation method thereof

Номер патента: CN102169901B. Автор: 崔宁,许军,王敬,梁仁荣. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-10-10.

High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers

Номер патента: US20110168952A1. Автор: Che-Hsiung Hsu. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-07-14.

Method Of Forming A Single Metal That Performs N Work Function And P Work Function In A High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20140001566A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai,CHAO Yuan-Shun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

CHANGING EFFECTIVE WORK FUNCTION USING ION IMPLANTATION DURING DUAL WORK FUNCTION METAL GATE INTEGRATION

Номер патента: US20140225199A1. Автор: Chudzik Michael P.,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Ho Herbert L.,Park Dae-Gyu,Paruchuri Vamsi K.,Moumen Naim,Jha Rashmi,Hurley Mark J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-14.

REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURES FOR EFFECTIVE WORK FUNCTION CONTROL

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Chudzik Michael P.,Kwon Unoh,Ramachandran Ravikumar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURES PROVIDING INDEPENDENT CONTROL ON WORK FUNCTION AND GATE LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20130193522A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Divakaruni Ramachandra,Ramachandran Ravikumar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor Device with Split Work Functions

Номер патента: US20170005093A1. Автор: ITO Akira,Zhang Qintao,YANG Wenwei,XUE Mei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-05.

GATE STRAIN INDUCED WORK FUNCTION ENGINEERING

Номер патента: US20150035075A1. Автор: Nowak Edward J.,Murali Kota V.R.M.,Bajaj Mohit,Nayak Rahul,Pandey Rajan K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Work function metal patterning for n-p spaces between active nanostructures using unitary isolation pillar

Номер патента: US20200035567A1. Автор: Guillaume Bouche,Ruilong Xie,Chanro Park,Daniel Chanemougame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WORK FUNCTION CONTROL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160093617A1. Автор: SONG Min-Woo,PARK Jung-Min,Hyun Sang-Jin,WON Seok-Jun,HONG Kyung-Il,LEE In-Hee,Kim Suk-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor Structures and Methods for Multi-Level Work Function

Номер патента: US20170117377A1. Автор: LIU Chia-Wen,Wu Wei-Hao,Wang Chih-hao,Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL WORK FUNCTION GATE STACKS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137257A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Kim Hyung-Chul,LEE Seung-Mi,Jang Se-Aug. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

FORMING MOSFET STRUCTURES WITH WORK FUNCTION MODIFICATION

Номер патента: US20170133372A1. Автор: WATANABE Koji,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Bao Ruqiang,Tsutsui Gen,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROFILED WORK-FUNCTION METAL GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20150155365A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lee Hsien-Ming,Jang Syun-Ming,Liu Kuan-Ting,Chang Weng,Lo Wei-Jen,Chung Hung-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-06-04.

FINFET WORK FUNCTION METAL FORMATION

Номер патента: US20160163705A1. Автор: Kim Hoon,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-06-09.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT BY CARBON IMPLANT IN SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE STRUCTURE

Номер патента: US20140246727A1. Автор: Guo Dechao,Liang Yue,HENSON William K.,Wang Yanfeng,Narasimha Shreesh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

Selective Growth of a Work-Function Metal in a Replacement Metal Gate of a Semiconductor Device

Номер патента: US20150171086A1. Автор: Kim Hoon,Zhang Xunyuan,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE STACK WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20170207219A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20150255463A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MID-GAP WORK FUNCTION METAL GATE ELECTRODE

Номер патента: US20150263004A1. Автор: KIM Dong-Won,CHEON Keon-Yong,KIM Il-ryong. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

METHODS OF FORMING SHORT-CHANNEL AND LONG-CHANNEL TRANSISTOR DEVICES WITH DIFFERENT HEIGHTS OF WORK FUNCTION METAL AND THE RESULTING IC PRODUCTS

Номер патента: US20200273953A1. Автор: Lee Jae Gon,Ma Wei,Yu Hong,HU Zhenyu,SAMAVEDAM Srikanth Balaji,Chu Tao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

MOSFET WITH WORK FUNCTION ADJUSTED METAL BACKGATE

Номер патента: US20150263041A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Tailoring gate work-function in image sensors

Номер патента: KR100794873B1. Автор: 찬드라 모울리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2008-01-14.

Test device for determining an effective work function, method of manufacturing the same and method of determining an effective work function

Номер патента: US20240118332A1. Автор: Gyeong Ho HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

METHOD OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE WITH A FIRST SECTION HAVING A FIRST EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE A CENTER PORTION OF THE CHANNEL REGION AND WITH SECOND SECTIONS HAVING A SECOND EFFECTIVE WORK FUNCTION ABOVE OPPOSING SIDEWALLS OF THE CHANNEL REGION

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile storage element having dual work-function electrodes

Номер патента: EP2652787A4. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Dual work function high voltage devices

Номер патента: US20090090983A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward J. Nowak,Steven H. Voldman,James W. Adkisson,Michael J. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Schottky barrier solar cells with high and low work function metal contacts

Номер патента: US20120285517A1. Автор: Katherine L. Saenger,Ghavam Shahidi,Zhen Zhang,Devendra K. Sadana,Daniel Inns,Jeehwan Kim,Davood Shahrjerdi,Christian Lavoie,Harold John Hovel,Joel P. de Souza,Conal Eugene Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Simplified organic electronic device employing polymeric anode with high work function

Номер патента: US20120298974A1. Автор: Tae-woo Lee,Seong-Hoon Woo. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2012-11-29.

STRUCTURE AND METHOD TO MINIMIZE REGROWTH AND WORK FUNCTION SHIFT IN HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20130069196A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Kulkarni Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

REPLACEMENT GATE HAVING WORK FUNCTION AT VALENCE BAND EDGE

Номер патента: US20130161764A1. Автор: Chudzik Michael P.,Kwon Unoh,Wong Keith Kwong Hon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

MASK FREE PROTECTION OF WORK FUNCTION MATERIAL PORTIONS IN WIDE REPLACEMENT GATE ELECTRODES

Номер патента: US20130309857A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Yang Chih-Chao,Koburger,III Charles W.,Bergendahl Marc A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Techniques for Metal Gate Work Function Engineering to Enable Multiple Threshold Voltage Nanowire FET Devices

Номер патента: US20140051213A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Work Function Tailoring for Nonvolatile Memory Applications

Номер патента: US20140065790A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,Hashim Imran. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

ELECTRONIC ELEMENT EMPLOYING HYBRID ELECTRODE HAVING HIGH WORK FUNCTION AND CONDUCTIVITY

Номер патента: US20160020420A1. Автор: Lee Tae-Woo,JEONG Su-Hun. Владелец: POSTECH ACADEMY - INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-21.

METHODS FOR TAILORING ELECTRODE WORK FUNCTION USING INTERFACIAL MODIFIERS FOR USE IN ORGANIC ELECTRONICS

Номер патента: US20150072446A1. Автор: Buriak Jillian,Worfolk Brian,CHEN Qun. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

PVD-ALD-CVD hybrid HPC for work function material screening

Номер патента: US20140162384A1. Автор: Joshi Amol. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-06-12.

METHOD OF MANUFACTURING FOR MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20170092729A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

High Work Function, Manufacturable Top Electrode

Номер патента: US20140183697A1. Автор: Deweerd Wim,Ode Hiroyuki,Chen Hanhong,Malhotra Sandra G.,Gevondyan Arthur. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

High Work Function, Manufacturable Top Electrode

Номер патента: US20140187016A1. Автор: Deweerd Wim,Ode Hiroyuki,Chen Hanhong,Malhotra Sandra G.,Gevondyan Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL WORK FUNCTION GATE STACKS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140187030A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Kim Hyung-Chul,LEE Seung-Mi,Jang Se-Aug. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

ULTRA-LOW RESISTANCE GATE STRUCTURE FOR NON-PLANAR DEVICE VIA MINIMIZED WORK FUNCTION MATERIAL

Номер патента: US20160111514A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Dual Work Function Recessed Access Device and Methods of Forming

Номер патента: US20140197484A1. Автор: Tang Sanh D.,Anathan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

SYSTEM AND METHOD FOR WORK FUNCTION REDUCTION AND THERMIONIC ENERGY CONVERSION

Номер патента: US20190115520A1. Автор: Schwede Jared William,Hess Lucas Heinrich. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

WORK FUNCTION STRUCTURE FOR VOLTAGE-CONTROLLED MAGNETIC ANISOTROPY

Номер патента: US20220271218A1. Автор: Wang Jian-Ping,Peterson Thomas Jon,Hurben Anthony William,Zhang Delin. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

SYSTEM AND METHOD FOR WORK FUNCTION REDUCTION AND THERMIONIC ENERGY CONVERSION

Номер патента: US20200119249A1. Автор: Schwede Jared William,Hess Lucas Heinrich. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20180158919A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-07.

High Work Function MoO2 Back Contacts for Improved Solar Cell Performance

Номер патента: US20200152815A1. Автор: Oki Gunawan,Richard A. Haight,Douglas M. Bishop,Priscilla D. Antunez,Gloria W. Fraczak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, TRANSISTOR CIRCUIT HAVING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160172488A1. Автор: KIM Dong-Soo,LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Eun-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Conductive Capping For Work Function Layer and Method Forming Same

Номер патента: US20220310814A1. Автор: Wu Jyun-De,Tu Yuan-Tien,WANG Yi-Chen,CHANG Yi-Chun,Hsiung Te-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20140264551A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Select Gate Materials Having Different Work Functions In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20140293702A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE TYPE TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150214362A1. Автор: OH Tae-Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TUNABLE WORK FUNCTION

Номер патента: US20160225871A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,CHENG Chung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS FOR MULTI-LEVEL WORK FUNCTION AND MULTI-VALUED CHANNEL DOPING OF NANOWIRE TRANSISTORS TO IMPROVE DRIVE CURRENT

Номер патента: US20150236092A1. Автор: LIU Chia-Wen,Yu Tsung-Hsing,Colinge Jean-Pierre,Hsu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTORS HAVING A SURROUNDING GATE AND A WORK-FUNCTION METAL AROUND AN UPPER SIDEWALL

Номер патента: US20150236105A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

High Work Function MoO2 Back Contacts for Improved Solar Cell Performance

Номер патента: US20180226524A1. Автор: Gunawan Oki,Bishop Douglas M.,Haight Richard A.,Antunez Priscilla D.,Fraczak Gloria W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

LIGHT-EMITTING DIODE STRUCTURE HAVING PROGRESSIVE WORK FUNCTION LAYER

Номер патента: US20150243838A1. Автор: LIU Cheng-Yi,HSIEH CHIH-YI,LIU YEN-SHOU. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Non-contact method to monitor and quantify effective work function of metals

Номер патента: US20160252565A1. Автор: Sung-Li Wang,Jacek Lagowski,Yi-Hung Lin,Lin-Jung Wu,Shyh-Shin Ferng,Dmitriy Marinskiy,Thye Chong Loy,Sheng-Shin Lin. Владелец: Semilab SDI LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

REMOVAL OF WORK FUNCTION METAL WING TO IMPROVE DEVICE YIELD IN VERTICAL FETS

Номер патента: US20200235238A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

High work-function buffer layers for silicon-based photovoltaic devices

Номер патента: US20150295099A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Roman Gouk,Kurtis LESCHKIES,Robert Visser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

CAPACITOR WITH HIGH WORK FUNCTION INTERFACE LAYER

Номер патента: US20200279906A1. Автор: KIM Beom-Yong,KIL Deok-Sin,JEON Hee-Young. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

TRANSISTOR WORK FUNCTION ADJUSTMENT BY LASER STIMULATION

Номер патента: US20180308772A1. Автор: Seningen Michael R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

DEVICE AND METHOD FOR TUNING THRESHOLD VOLTAGE BY IMPLEMENTING DIFFERENT WORK FUNCTION METALS IN DIFFERENT SEGMENTS OF A GATE

Номер патента: US20180315856A1. Автор: YANG Sheng-Jier,Chiu Tai-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE-TYPE TRANSISTOR, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160336414A1. Автор: KANG Dong-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SYSTEM AND METHOD FOR WORK FUNCTION REDUCTION AND THERMIONIC ENERGY CONVERSION

Номер патента: US20180323362A1. Автор: Schwede Jared William,Hess Lucas Heinrich. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE-TYPE TRANSISTOR, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150349073A1. Автор: KANG Dong-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

AMBIPOLAR FIELD-EFFECT DEVICE USING ENGINEERED WORK-FUNCTIONS

Номер патента: US20190386139A1. Автор: Karanth Avinash,Kaya Savas,Canan Talha F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices

Номер патента: US6765349B2. Автор: Liang-Sheng Liao,Joseph K. Madathil,Pranab K. Raychaudhuri. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-07-20.

Composition for reducing work function of metal oxide-based electron-collection buffer layer, inverted organic solar cell using the same, and preparation method of the inverted organic solar cell

Номер патента: KR102287878B1. Автор: 김영규,김화정,남성호. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-08-10.

Hole Transporting Materials for Organic Solar Cell and Method of Controlling Work Function therefor

Номер патента: KR101743865B1. Автор: 이정준,김중현,유도혁,최향희. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-06-07.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH MULTIPLE GATE DIELECTRICS AND DUAL WORK-FUNCTIONS WITH PRECISELY CONTROLLED GATE LENGTHS

Номер патента: US20230008763A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Method of tuning work function of metal nanostructure-based transparent conductor

Номер патента: US8723216B2. Автор: Florian Pschenitzka. Владелец: Cambrios Technologies Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Method of tuning work function of metal nanostructure-based transparent conductor

Номер патента: SG193253A1. Автор: Florian Pschenitzka. Владелец: Cambrios Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Transistor work function adjustment by laser stimulation

Номер патента: US10008423B1. Автор: Michael R. Seningen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Method of increasing surface work function of the ITO film by irradiation treatment of the excimer laser

Номер патента: TW200607195A. Автор: You-Zhong Lin,Zhou-Wei Xu. Владелец: Univ Feng Chia. Дата публикации: 2006-02-16.

Vertical transistor with surrounding gate and work-function metal around upper sidewall, and method for manufacturing the same

Номер патента: US9041095B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Conductive film having improved flexibility and work function adjustable, and preparation method of conductive polymer therefor

Номер патента: KR102211925B1. Автор: 박찬일,김중현,이홍주,임소은,김영노. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-02-08.

Method of increasing surface work function of the ITO film by irradiation treatment of the excimer laser

Номер патента: TWI237934B. Автор: You-Jung Lin,Jou-Wei Shiu. Владелец: Univ Feng Chia. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of tuning work function of metal nanostructure-based transparent conductor

Номер патента: EP2681780A1. Автор: Florian Pschenitzka. Владелец: Cambrios Technologies Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

Memory device having high work function gate and method of erasing same

Номер патента: US6912163B2. Автор: Wei Zheng,Mark T. Ramsbey,Yun Wu,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-06-28.

Increase of work function using doped graphene

Номер патента: KR101385048B1. Автор: 김수영,권기창,최경순. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-04-24.

Photovoltaic devices with high work-function tco buffer layers and methods of manufacture

Номер патента: WO2012033879A3. Автор: Steven Verhaverbeke,Roman Gouk,Kurtis LESCHKIES,Robert Visser. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-14.

Split gate with different gate materials and work functions to reduce gate resistance of ultra high density MOSFET

Номер патента: US8058687B2. Автор: Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Front contact with high work-function tco for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: WO2008024205A3. Автор: Alexey Krasnov. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2008-05-02.

Distributed predictive control based voltage restoration scheme for microgrids

Номер патента: US10404065B2. Автор: WEI Liu,MING Chen,Wei Gu,Guannan LOU,Ge CAO,Shuai XUE. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-03.

Domain name system (DNS)-based discovery of regulatory requirements for non-3GPP inter-working function (N3IWF) selection

Номер патента: US11871460B2. Автор: Meghashree Dattatri Kedalagudde,Alexandre Saso Stojanovski,Abhijeet Kolekar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11937420B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Stable electrodes with modified work functions and methods for organic electronic devices

Номер патента: EP2304820A1. Автор: Bernard Kippelen,Seth Marder,Benoit Domercq,Asha Sharma,Peter Hotchkiss. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2011-04-06.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Dac-based voltage regulator for flash memory array

Номер патента: WO2004025389A3. Автор: Massimiliano Frulio,Simone Bartoli,Stefano Sivero,Sabina Mognoni. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Oscillator voltage reference method and apparatus

Номер патента: US12015341B2. Автор: Tom Cohen,Alon Yehezkely,Ido YOGEV. Владелец: Wiliot Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Measurment based voltage stability monitoring and control

Номер патента: US20120044079A1. Автор: Liang Min,Jian Chen,Pei Zhang. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Method and System for Minimizing Variation of Converter Voltage Reference

Номер патента: US20130154865A1. Автор: Antoni Ferre Fabregas,David Gamez Alari. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

2-phase gain calibration and scaling scheme for switched capacitor sigma-delta modulator using a chopper voltage reference

Номер патента: EP2591555A1. Автор: Gabriele Bellini,Vincent Quiquempoix,Yann Johner. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-15.

Method and apparatus for providing a regulated output voltage via a voltage regulator based on multiple voltage references

Номер патента: US09553512B1. Автор: Robert W. Shreeve. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for low voltage reference and oscillator

Номер патента: US09436205B2. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Pre-charge management for power-managed voltage references

Номер патента: GB2601857A. Автор: Drakshapalli Prashanth,Prakash Chandra. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: EP4395471A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-07-03.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: US20240215166A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method to directly couple to analog to digital converter having lower voltage reference

Номер патента: US09923532B2. Автор: Cristian Pavao-Moreira,Rex Kenton Hales. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Radiation tolerant circuit for minimizing the dependence of a precision voltage reference from ground bounce and signal glitch

Номер патента: US09887014B2. Автор: Alfio Zanchi,Shinichi Hisano. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Temperature correction of an on-chip voltage reference

Номер патента: US09377795B1. Автор: Edward Cullen,Ionut C. CICAL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Gain error reduction in switched-capacitor delta-sigma data converters sharing a voltage reference with a disabled data converter

Номер патента: US11777517B2. Автор: CHANDRA Prakash,John L. Melanson,Bhupendra Manola. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Voltage reference source circuit and low power consumption power supply system

Номер патента: US11966245B2. Автор: jin-cheng Tian,xin-xi Jiang,jing-kai Zhang,Zhen-Juan Cheng. Владелец: Focaltech Electronics Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: WO2017187180A2. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2017-11-02.

System of providing multiple voltage references to a radio-frequency device using a single analog line

Номер патента: US20140203844A1. Автор: HU Hong,YING Shen,Shawn Walsh,Aleksandr SEMENYSHEV,Thanh Hung NGUYEN. Владелец: ZTE USA Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of providing multiple voltage references to a radio-frequency device using a single analog line

Номер патента: US20150137878A1. Автор: YING Shen,HONG Hu,Shawn Walsh,Aleksandr SEMENYSHEV,Thanh Hung NGUYEN. Владелец: ZTE USA Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: US20200025807A1. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2020-01-23.

Voltage reference filter for subscriber line interface circuit

Номер патента: US20030169872A1. Автор: Leonel Enriquez,Douglas Youngblood. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-09-11.

Oscillator voltage reference method and apparatus

Номер патента: US20220329153A1. Автор: Tom Cohen,Alon Yehezkely,Ido YOGEV. Владелец: Wiliot Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: EP2489042A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-08-22.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: WO2011046702A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

Voltage reference source for an overvoltage-tolerant bus interface

Номер патента: US6265931B1. Автор: James Lutley,Sandeep Pant. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Curvature correction circuit for a voltage reference

Номер патента: US5479092A. Автор: Byron G. Bynum,John M. Pigott,Robert B. Jarrett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Dynamic voltage reference for delta-sigma analog-to-digital converter (ADC) with temperature trim calibration

Номер патента: US10958285B2. Автор: Xiaopeng Li,Bradford Lawrence Hunter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Master slave voltage reference circuit

Номер патента: US4931665A. Автор: Loren W. Yee. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

Dynamic voltage reference for delta-sigma analog-to-digital converter (adc) with temperature trim calibration

Номер патента: US20210211137A1. Автор: Xiaopeng Li,Bradford Lawrence Hunter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Dynamic voltage reference for delta-sigma analog-to-digital converter (adc) with temperature trim calibration

Номер патента: US20200373940A1. Автор: Xiaopeng Li,Bradford Lawrence Hunter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) based voltage regulator circuit

Номер патента: EP3980858A1. Автор: Bernard James Griffiths. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Method and system to facilitate configurable input/output (i/o) termination voltage reference

Номер патента: US20100327957A1. Автор: Ronald W. Swartz,Ram Livne,Vladislav Tsirkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Op-amp with internally generated bias and precision voltage reference using same

Номер патента: US5004986A. Автор: Mark W. Bohrer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-04-02.

Method of forming an audio amplifier voltage reference and structure therefor

Номер патента: US20040070456A1. Автор: Patrick Bernard,Christian Perrin,Anthony Quelen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-04-15.

Mitigating reliability issues in a low-voltage reference buffer driven by a high-voltage circuit

Номер патента: WO2021154881A1. Автор: Kshitij YADAV. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Mitigating reliability issues in a low-voltage reference buffer driven by a high-voltage circuit

Номер патента: EP4097558A1. Автор: Kshitij YADAV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Digital-to-analog converter (DAC)-based voltage-mode transmit driver architecture with tunable impedance control and transition glitch reduction techniques

Номер патента: US11949425B2. Автор: Tan Kee Hian,Kai-An HSIEH. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Switching device comprising a common voltage reference path

Номер патента: US20030118032A1. Автор: Philippe Barre,Nicolas Lecacheur,Sebastian Clamagirand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Two-temperature trimming for a voltage reference with reduced quiescent current

Номер патента: US11598795B1. Автор: Rajat Chauhan,Sandeep Shylaja Krishnan,Joseph Alan SANKMAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Method and circuit for trimming offset and temperature drift for operational amplifiers and voltage references

Номер патента: US20030155974A1. Автор: Vadim Ivanov,Junlin Zhou,Wally Meinel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Black start of a wind farm by ramping up a converter voltage reference

Номер патента: US12100962B2. Автор: Douglas Elliott,Paul Brian Brogan,Thyge Knueppel. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-09-24.

Circuit and a method for processing amplitude and phase variable multiphase signals, which are required as current or voltage reference to drive synchronous motors

Номер патента: US4489266A. Автор: Luciano Franzolini. Владелец: SP EL Srl. Дата публикации: 1984-12-18.

Differential voltage reference buffer with resistor chopping

Номер патента: US20170054415A1. Автор: Vijayakumar Dhanasekaran,Dongyang TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Voltage reference source adjustable as regards amplitude phase and frequency

Номер патента: US3832641A. Автор: L Herchenroeder. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-08-27.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: EP4358467A3. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: WO2020117314A1. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: EP3891632A1. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: US20200175155A1. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Systems and methods for function based vehicle geofencing

Номер патента: US20240323643A1. Автор: Ryan Kent,Andrew Trevor Belk. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of generating binary offset carrier correlation function based on partial correlation functions, apparatus for tracking binary offset carrier signal, and spread spectrum signal receiver system using the same

Номер патента: US09813108B2. Автор: Seok Ho Yoon,Keun Hong CHAE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for adjusting device functionalities based on location, movement, and/or noise

Номер патента: US09462437B2. Автор: Mikko Aleksi Uusitalo,Jari-Jukka Harald Kaaja. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-10-04.

Bonded body of object to be bonded to and functional base material

Номер патента: US11946443B2. Автор: Hideaki Sato,Nobuyoshi Watanabe,Masafumi Takeyama,Yukihiro Oryu. Владелец: Hokutaku Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Bonded body of object to be bonded to and functional base material

Номер патента: EP4071358A1. Автор: Hideaki Sato,Nobuyoshi Watanabe,Masafumi Takeyama,Yukihiro Oryu. Владелец: Hokutaku Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Digital predistortion with hybrid basis-function-based actuator and neural network

Номер патента: EP4338284A1. Автор: Tao Yu,Cristobal Alessandri,Wenjie Lu. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Digital predistortion with hybrid basis-function-based actuator and neural network

Номер патента: US12028188B2. Автор: Tao Yu,Cristobal Alessandri,Wenjie Lu. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

System and method for adapting a control function based on a user profile

Номер патента: US20210232642A1. Автор: Christopher P. Ricci. Владелец: AutoConnect Holdings LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Authentication through use of an unforgeable hash function based credential

Номер патента: US12088725B2. Автор: Dhryl Anton,Michael McFall. Владелец: Onli Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for adapting a control function based on a user profile

Номер патента: US12118044B2. Автор: Christopher P. Ricci. Владелец: Autoconnect Holding LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for adapting a control function based on a user profile

Номер патента: US12118045B2. Автор: Christopher P. Ricci. Владелец: AutoConnect Holdings LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for adapting a control function based on a user profile

Номер патента: US12130870B2. Автор: Christopher P. Ricci. Владелец: AutoConnect Holdings LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods for providing functionality based on device orientation

Номер патента: US09891720B2. Автор: Robert Michael Baldwin. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for providing functionality based on device orientation

Номер патента: US09851812B2. Автор: Robert Michael Baldwin. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Information processing apparatus, information processing method, and storage medium for performing processing on a function based on a free space

Номер патента: US09489159B2. Автор: Toshio Yoshihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Function-based service framework based on trusted execution environment

Номер патента: US20240078321A1. Автор: Zhen Jia,Kenneth Durazzo,Tianxiang Chen,Jinpeng LIU. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Function Based Dynamic Traffic Management for Network Services

Номер патента: US20190028554A1. Автор: Brady MONTZ,David Y. Yamanoha,Timothy Allen Gilman,Eugene Sheung Chee Lam,Joel Ross Ohman,Dipanwita Sarkar. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Selecting a User Plane Function Based on a Device Type Received by a Session Management Function

Номер патента: US20210021437A1. Автор: Esmael Dinan,Kyungmin Park,Weihua Qiao,Peyman Talebi Fard. Владелец: Ofinno LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Activating vehicle functions based on vehicle occupant location

Номер патента: WO2019189253A1. Автор: Kyle GOLSCH. Владелец: DENSO INTERNATIONAL AMERICA, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Initiating a control function based on real time available fault current measurement

Номер патента: US20180309290A1. Автор: David C. Mazur,Kurt R. Mickler. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Limiting device functionality based on data detection and processing

Номер патента: US20190347431A1. Автор: Rahul Nair. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: US11899783B2. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Limiting device functionality based on data detection and processing

Номер патента: US11775661B2. Автор: Rahul Nair. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

System level function based access control for smart contract execution on a blockchain

Номер патента: EP4358467A2. Автор: Michael Chan,Arpit Jain,Derek Chamorro,Venkata Siva Vijayendra Bhamidipati,Ashok Srinivasa Murthy. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Systems and methods to manage digital asset functionality based on fulfillment of criteria

Номер патента: US20230037296A1. Автор: Alif Khalfan,Keith J. COMITO,David P. Min,Vivian S. Lee. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Modification of user account functionality based on a physical state of a mobile device

Номер патента: AU2019392553A1. Автор: Todd Murray Studnicka. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Modification of user account functionality based on a physical state of a mobile device

Номер патента: EP3891679A1. Автор: Todd Murray Studnicka. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Modification of user account functionality based on a physical state of a mobile device

Номер патента: US20200184063A1. Автор: Todd Murray Studnicka. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Modification of user account functionality based on a physical state of a mobile device

Номер патента: WO2020117909A1. Автор: Todd Murray Studnicka. Владелец: PayPal, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Image pickup apparatus executing function based on shake, control method for same, and storage medium storing control program therefor

Номер патента: US20190285908A1. Автор: Atsushi Ichihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Systems and methods to manage digital asset functionality based on fulfillment of criteria

Номер патента: WO2023215197A1. Автор: Alif Khalfan,Keith J. COMITO,David P. Min,Vivian S. Lee. Владелец: Disney Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Modification of user account functionality based on a physical state of a mobile device

Номер патента: AU2019392553B2. Автор: Todd Murray Studnicka. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Method For Tuning Work Function Using Surface Photo Voltage and Producing Ultra-Low-Work-Function Surfaces, and Devices Operational Therewith

Номер патента: US20220093357A1. Автор: Bargatin Igor,Melosh Nicholas A.,Riley Daniel,Shen Zhixun,Sahasrabuddhe Kunal,Schwede Jared. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Method for tuning work function using surface photovoltage and producing ultra-low-work-function surfaces, and devices operational therewith

Номер патента: US11205554B1. Автор: Nicholas A. Melosh,Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhi-Xun Shen,Jared W. Schwede. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2021-12-21.

Electrode material with low work function and high chemical stability

Номер патента: EP2787522A4. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-27.

Microstructured surface with low work function

Номер патента: US09536696B1. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Tony S. Pan. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Cathode with improved work function and method for making the same

Номер патента: EP1063669B1. Автор: Jin Sungho,Wei Zhu,Victor Katsap,Warren K. Waskiewicz. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

Low work function materials

Номер патента: GB202002017D0. Автор: . Владелец: Borealis Technical Ltd. Дата публикации: 2020-04-01.

Microstructured surface with low work function

Номер патента: US09793083B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Tony S. Pan. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Flat emitter coated with low work function material

Номер патента: US20160093462A1. Автор: Michael C. Green,James R. Boye,Gary F. Virshup,Stephen G. Bandy,Clifford K. Nishimoto. Владелец: Varian Medical Systems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Photosensitive device having continuous uniform cross-section, electrodes with a uniform photoelectric work function in the working region thereof

Номер патента: US3327150A. Автор: Pratt John,Donald L Graves,Giuffrida Philip. Владелец: Electronics Corp of America. Дата публикации: 1967-06-20.

Base, voltage sampling assembly, and voltage testing apparatus

Номер патента: US20230344024A1. Автор: Rongji ZHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Base, voltage sampling assembly and voltage measuring device

Номер патента: EP4332597A1. Автор: Rongji ZHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Solenoid-based voltage imbalance protection

Номер патента: WO2024145321A1. Автор: Chad R. Mittelstadt. Владелец: Schneider Electric USA, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: US20120077042A1. Автор: Robert C. Wheland,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel D. Lecloux,Eric M. Smith. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-03-29.

MICROSTRUCTURED SURFACE WITH LOW WORK FUNCTION

Номер патента: US20180040449A1. Автор: Wood,Hyde Roderick A.,Kare Jordin T.,JR. Lowell L.,Pan Tony S.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Electrode material with low work function and high chemical stability

Номер патента: US20150054398A1. Автор: Yan Jian Xin. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FLAT EMITTER COATED WITH LOW WORK FUNCTION MATERIAL

Номер патента: US20160093462A1. Автор: Green Michael C.,VIRSHUP Gary F.,Bandy Stephen G.,Nishimoto Clifford K.,Boye James R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Capacitor with Charge Time Reducing Additives and Work Function Modifiers

Номер патента: US20190139709A1. Автор: Chacko Antony P.,Shi Yaru,Ramsbottom Robert,Kinard John T.,Ols John Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

PEROVSKITES AS ULTRA-LOW WORK FUNCTION ELECTRON EMISSION MATERIALS

Номер патента: US20170207055A1. Автор: Morgan Dane,Jacobs Ryan Matthew,Booske John. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

PHOSPHORUS DOPED DIAMOND ELECTRODE WITH TUNABLE LOW WORK FUNCTION FOR EMITTER AND COLLECTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20180204702A1. Автор: Koeck Franz A. M.,Nemanich Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

MICROSTRUCTURED SURFACE WITH LOW WORK FUNCTION

Номер патента: US20170221667A1. Автор: Wood,Hyde Roderick A.,Kare Jordin T.,JR. Lowell L.,Pan Tony S.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Capacitor with Charge Time Reducing Additives and Work Function Modifiers

Номер патента: US20180226197A1. Автор: Chacko Antony P.,Shi Yaru,Ramsbottom Robert,Kinard John T.,Ols John Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

LOW WORK FUNCTION ELECTRON BEAM FILAMENT ASSEMBLY

Номер патента: US20180269024A1. Автор: Williams John D.,Farnell Casey C.,Nguyen Bao Gia,Williams Desiree D.,Ham Ryan Kenneth,Greiner Kathryn Elizabeth. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Device and Method for Work Function Reduction and Thermionic Energy Conversion

Номер патента: US20200266040A1. Автор: Wu Koucheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Low Work-function, Mechanically and Thermally Robust Emitter for Thermionic Energy Converters

Номер патента: US20150325419A1. Автор: Lee Jae Hyung,Howe Roger T.,Bargatin Igor,Vancil Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

PHOSPHORUS DOPED DIAMOND ELECTRODE WITH TUNABLE LOW WORK FUNCTION FOR EMITTER AND COLLECTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20170323756A1. Автор: Nemanich Robert J.,Koeck Franz A.M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Capacitor with Charge Time Reducing Additives and Work Function Modifiers

Номер патента: US20150348715A1. Автор: Yaru Shi,Antony P. Chacko,John T. Kinard,John Joseph Ols,Robert Ramsbottom. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

High work function transparent conductors

Номер патента: US7749407B2. Автор: Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-07-06.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: EP2387042A1. Автор: Eric Maurice Smith,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel David Lecloux. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-11-16.

High work function transparent conductors

Номер патента: US8409476B2. Автор: Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-04-02.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: US8273459B2. Автор: Robert Clayton Wheland,Eric Maurice Smith,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel David Lecloux. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-09-25.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: US8343630B2. Автор: Robert Clayton Wheland,Eric Maurice Smith,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel David Lecloux. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-01-01.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: US8216680B2. Автор: Robert Clayton Wheland,Eric Maurice Smith,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel David Lecloux. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-07-10.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: EP2387041A1. Автор: Eric Maurice Smith,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel David Lecloux. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-11-16.

High work function transparent conductors

Номер патента: EP1897096A4. Автор: Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-08-12.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: US20080003449A1. Автор: Eric Smith,Robert Wheland,Shawn Yeisley,Che-Hsiung Hsu,Hjalti Skulason,Daniel Lecloux. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming garphene with work function controled and graphene formed by the same

Номер патента: KR101178555B1. Автор: 진경환,김영독,한진희,황찬국,지승훈,지해근,황한나. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-08-30.

Transparent composite conductors having high work function

Номер патента: CN101379162A. Автор: E·M·史密斯,C·苏,H·斯库拉森,D·D·勒克罗克斯,S·耶丝理. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-03-04.

Transparent conducting films with metal nanowires and work function-modulated nanocarbon materials and their fabrication method

Номер патента: KR101606532B1. Автор: 이건웅,한중탁,우종석,정승열,정희진,백강준. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2016-03-25.

Transparent composite conductor with high work function

Номер патента: JP5102782B2. Автор: スウ チェ−シュン,モーリス スミス エリック,ディヴィッド レクルークス ダニエル,イエイスリー ショーン,スクラソン ヒャルティ. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-12-19.

Cathode with integrated getter and low work function for cold cathode lamps

Номер патента: TWI274366B. Автор: Alessio Corazza,Vincenzo Massaro. Владелец: Getters Spa. Дата публикации: 2007-02-21.

Preparation method of silver nanowire composite transparent conductive film with adjustable work function

Номер патента: CN110739097B. Автор: 杨辉,张燕,郭兴忠,陈天锐,白盛池. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-07-16.

Carbon nanomaterial and metal nanowire hybrid transparent conductive film with controlled work function and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2017501861A. Автор: ハン、ジュンタク,イ、ゴンウン,ペク、ガンジュン,ウ、ゾンソク,ゾン、スンヨル,ゾン、ヒジン. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2017-01-19.

High Work Function Transparent Conductors

Номер патента: KR101356296B1. Автор: 체-슝 수,히알티 스컬라슨. Владелец: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니. Дата публикации: 2014-02-06.

Fabrication method of organic thin-film transistor using radiation-based graphene electrode with high-work function and the organic thin-film transistor thereby

Номер патента: KR101400894B1. Автор: 황인태,정창희,강필현,정찬희. Владелец: 한국원자력연구원. Дата публикации: 2014-05-30.

Phosphorus doped diamond electrode with tunable low work function for emitter and collector applications

Номер патента: US9922791B2. Автор: Robert J. Nemanich,Franz A. M. Koeck. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2018-03-20.

Work function-controlled carbon nanomaterial and metal nanowire hybrid transparent conductive film and method for manufacturing same

Номер патента: WO2015156562A1. Автор: 이건웅,한중탁,우종석,정승열,정희진,백강준. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2015-10-15.

Electron emission device provided with a reservoir containing material reducing the electron work function

Номер патента: SG87890G. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1990-12-21.

Cathode with integrated getter and low work function for cold cathode lamps

Номер патента: CN1879191A. Автор: V·马萨罗,A·科拉扎. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2006-12-13.

Method of determining electronic work function in vacuum (versions)

Номер патента: RU2346267C1. Автор: Роберт Рихардович Салем. Владелец: Инновационный технический центр Общество с ограниченной ответственностью "СИТИС". Дата публикации: 2009-02-10.

Control method for a manually actuated lever provided for actuating an operating and/or work function

Номер патента: US20230399815A1. Автор: Christoph Wagner,Sebastian Jung,Kamlesh Gaikwad. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-12-14.

Dynamic, digitally controlled, temperature compensated voltage reference

Номер патента: US20040243950A1. Автор: Steven Burstein,Jay Popper,Len Bekker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Image forming apparatus employing work function relationships

Номер патента: US6819899B2. Автор: Nobuhiro Miyakawa,Nobumasa Abe,Kaneo Yoda,Shinji Yasukawa,Mikio Furumizu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Hydraulic valve module for steering and work functions in a work vehicle

Номер патента: EP4031439A1. Автор: Steven Johnson,Adam Adeeb. Владелец: CATERPILLAR SARL. Дата публикации: 2022-07-27.

Hydraulic braking energy utilization for emergency steering, braking, charging accumulator(s), and/or work functions to reduce or prevent engine from overspeed, assist acceleration and/or unlimited towing

Номер патента: US12140163B2. Автор: Wenling Babbitt,W. E. Hoffner, III. Владелец: Applied Industrial Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Work function calibration of a non-contact voltage sensor

Номер патента: US09625557B2. Автор: Steven R. Soss,M. Brandon Steele. Владелец: Qcept Investments LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Improvements relating to alloys or metallic mixtures required to have low-work-function characteristics

Номер патента: GB584270A. Автор: . Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1947-01-10.

Automatic, self-sustaining probe for measuring the work function

Номер патента: CA1248621A. Автор: Peter R. Norton,Patrick E. Bindner,Eric B. Selkirk. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1989-01-10.

Apparatus for performing work functions

Номер патента: US4378959A. Автор: Kenneth J. Susnjara. Владелец: Thermwood Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Automatic, self sustaining probe for measuring the work function

Номер патента: US4649336A. Автор: Peter R. Norton,Patrick E. Bindner,Eric B. Selkirk. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1987-03-10.

Motion detection using capacitor having different work function materials

Номер патента: US20140009175A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Fu-Lung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Work function calibration of a non-contact voltage sensor

Номер патента: US20150338494A1. Автор: Steven R. Soss,M. Brandon Steele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-26.

Ultra low power tracked low voltage reference source

Номер патента: US6838864B2. Автор: Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-04.

Ultra low power tracked low voltage reference source

Номер патента: US20040155641A1. Автор: Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Bandgap voltage reference source

Номер патента: US20010019261A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Bandgap voltage reference source

Номер патента: EP1166192A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Methods and apparatus for providing an autocalibrated voltage reference

Номер патента: US5973487A. Автор: Paul Mike Henry. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Monolithic voltage reference device with internal, multi-temperature drift data and related testing procedures

Номер патента: US20100301923A1. Автор: Brendan J. Whelan,Michael B. Anderson,Robert L. Reay,Tahir M. Hasoon,J. Spencer Wright. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Monolithic voltage reference device with internal, multi-temperature drift data and related testing procedures

Номер патента: EP2435839A1. Автор: Brendan J. Whelan,Michael B. Anderson,Robert L. Reay,Tahir M. Hasoon,J. Spencer Wright. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2012-04-04.

Monolithic voltage reference device with internal, multi-temperature drift data and related testing procedures

Номер патента: WO2010138966A1. Автор: Brendan J. Whelan,Michael B. Anderson,Robert L. Reay,Tahir M. Hasoon,J. Spencer Wright. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-12-02.

Differential sensing circuit with dynamic voltage reference for single-ended bit line memory

Номер патента: US09659606B2. Автор: Shih-Huang Huang,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Monolithic voltage reference device with internal, multi-temperature drift data and related testing procedures

Номер патента: US7920016B2. Автор: Brendan J. Whelan,Michael B. Anderson,Robert L. Reay,Tahir M. Hasoon,J. Spencer Wright. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2011-04-05.

Voltage reference source and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09753482B2. Автор: Thomas Mueller,Mark Niederberger. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09594390B2. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Low drift voltage reference

Номер патента: US09448579B2. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2016-09-20.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: EP1599776A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Wireless voltage reference broadcast in a distributed energy metering system

Номер патента: WO2012079151A8. Автор: David Gareth Perry,Emil T. Joannou,Denis A. Gallant. Владелец: TRIACTA POWER TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Method and apparatus for providing bimodal voltage references for differential signaling

Номер патента: US20020108067A1. Автор: Eric Dahlen,Leonard Cross. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Voltage reference generation with compensation for temperature variation

Номер патента: US11774999B2. Автор: Yuan Gao,Estelle Huynh,Simon BRULE. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

All-cmos, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: EP3000006A2. Автор: Julius Georgiou,Charalambos Micheal ANDREOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-30.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Voltage reference with temperature-selective second-order temperature compensation

Номер патента: US11762410B2. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Bandgap voltage reference core circuit, bandgap voltage reference source and semiconductor memory

Номер патента: US20230280777A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

All-CMOS, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: US09864392B2. Автор: Charalambos Andreou,Julius Georgiou. Владелец: Cyprus, University of. Дата публикации: 2018-01-09.

Wireless voltage reference broadcast in a distributed energy metering system

Номер патента: US09568507B2. Автор: David Gareth Perry,Emil T. Joannou,Denis A. Gallant. Владелец: Enercare Connections Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Voltage reference generator and a method for controlling a magnitude of a variation of an output voltage of a voltage reference generator

Номер патента: US10394261B2. Автор: Stefano Stanzione. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2019-08-27.

Voltage reference with chopper circuit

Номер патента: US12105549B2. Автор: Sunil Satish RAO. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and circuit for low power voltage reference and bias current generator

Номер патента: US09851739B2. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Voltage reference with low sensitivty to package shift

Номер патента: US09501078B2. Автор: Jeff Kotowski,Yongliang Wang,Danut Manea,Scott N. Fritz. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Vehicle traction generator microprocessor-based voltage control system

Номер патента: RU2443579C1. Автор: Сергей Ирленович Ким,Владимир Иванович Харитонов,Светлана Владимировна Ким. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт подвижного состава (ОАО "ВНИКТИ"). Дата публикации: 2012-02-27.

Bicmos positive supply voltage reference

Номер патента: CA1317344C. Автор: Douglas D. Smith,Terrance L. Bowman. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-05-04.

Bicmos voltage reference generator

Номер патента: CA1292277C. Автор: Douglas D. Smith,Robert A. Kertis. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-11-19.

Circuit starting method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20170227976A1. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Scan-based voltage frequency scaling

Номер патента: US20230290426A1. Автор: Leonid Minz,Yoav Weinberg,Leon Zlotnik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Startup circuit for bandgap voltage reference generators

Номер патента: US20110006749A1. Автор: Frank Schwiderski,Achim Stellberger. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2011-01-13.

Current and temperature compensated voltage reference

Номер патента: EP1011801A1. Автор: Terrence L. Apartment A 23 MARSHALL,Suneel Arora,Michael W. Dooley. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Accuracy of timing analysis using region-based voltage drop budgets

Номер патента: US6971079B2. Автор: Pradeep Trivedi,Gin Yee,Sudhakar Bobba. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit

Номер патента: US6082115A. Автор: Richard J. Strnad. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20160147245A1. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US9442506B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20110001557A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Low Output Impedance Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20230297127A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Low output impedance voltage reference circuit

Номер патента: US11983026B2. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Flipped gate voltage reference and method of using

Номер патента: US12038773B2. Автор: Alex Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US12045074B1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: WO2006069157A3. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Brian J Cherek. Дата публикации: 2006-10-05.

Programmable temperature coefficient analog second-order curvature compensated voltage reference

Номер патента: US20190172504A1. Автор: Edward Cullen,John K. Jennings,Darragh Walsh,Umanath R. KAMATH,Ionut C. CICAL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20240241535A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: EP4400935A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Low power bias current generator and voltage reference

Номер патента: US09811107B2. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-11-07.

High-voltage to low-voltage low dropout regulator with self contained voltage reference

Номер патента: US09594391B2. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Temperature and power supply independent voltage reference for integrated circuits

Номер патента: US4785230A. Автор: Kevin M. Ovens,John D. Marsh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1988-11-15.

Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit

Номер патента: CA1321816C. Автор: Suresh M. Menon,Jay L. Cohan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Temperature-correction network with multiple corrections as for extrapolated band-gap voltage reference circuits

Номер патента: US4325018A. Автор: Otto H. Schade, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230315137A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-05.

Voltage reference generator and trimming system

Номер патента: US20230324940A1. Автор: Pratap Narayan Singh. Владелец: Vervesemi Microelectronics Pvt Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4254127A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-04.

Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit

Номер патента: US3617859A. Автор: Robert C Dobkin,Robert J Widlar. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

A voltage reference circuit for ultra-thin oxide technology and low voltage applications

Номер патента: US20060170487A1. Автор: John Fifield,Wagdi Abadeer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

EEPROM circuit voltage reference circuit and method for providing a low temperature-coefficient voltage reference

Номер патента: US6882582B2. Автор: Thierry Sicard,Eric Scott Carman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Voltage reference circuit

Номер патента: US4460864A. Автор: Kenneth I. Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-07-17.

Temperature compensated low voltage reference

Номер патента: CA1105995A. Автор: John E. Hanna. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-07-28.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4266144A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-25.

Voltage reference with low sensitivty to package shift

Номер патента: US20150227155A1. Автор: Jeff Kotowski,Yongliang Wang,Danut Manea,Scott N. Fritz. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Variation-Tolerant Voltage Reference

Номер патента: US20170357285A1. Автор: Qing Dong,David T. Blaauw,Dennis Sylvester. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-12-14.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20200301462A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230333584A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-19.

Voltage reference with chopper circuit

Номер патента: US20230315138A1. Автор: Sunil Satish RAO. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for producing a low-noise, temperature-compensated band gap voltage reference

Номер патента: WO2009021043A1. Автор: Giovanni Pietrobon. Владелец: SEMTECH CORPORATION. Дата публикации: 2009-02-12.

Low power voltage reference circuits

Номер патента: US20210004031A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Germano Nicollini,Marco Orazio Cavallaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-07.

Apparatus for calculating the message stream distribution functions based on the estimated data of the information exchange system parameters

Номер патента: RU2767463C2. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Дмитрий Михайлович Ненадович,Богдан Александрович Данилюк,Яна Вячеславовна Мысляева. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Военный инновационный технополис "ЭРА". Дата публикации: 2022-03-17.

Dynamically controlled voltage reference circuit

Номер патента: US5589794A. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20080224682A1. Автор: Holger Haiplik. Владелец: Cirrus Logic International UK Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Solid-state voltage reference providing a regulated voltage having a high magnitude

Номер патента: US4352056A. Автор: Don W. Zobel,David L. Cave,Steven L. Harris. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-09-28.

Voltage reference for transistor constant-current source

Номер патента: CA1251523A. Автор: Einar O. Traa. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Low power voltage reference with improved line regulation

Номер патента: EP1097415A1. Автор: Philip W. Yee. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2001-05-09.

Accurate voltage reference circuit and method therefor

Номер патента: US20080150511A1. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

Flipped gate voltage reference and method of using

Номер патента: US20190064867A1. Автор: Alex Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US20240219945A1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Temperature compensated bandgap voltage reference

Номер патента: EP1439445B1. Автор: Yam Lee Chik. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-01-24.

Temperature compensated bandgap voltage reference

Номер патента: EP1439445A3. Автор: Yam Lee Chik. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-06-08.

High transconductance voltage reference cell

Номер патента: WO1999049576A1. Автор: A. Paul Brokaw. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1999-09-30.

Programmable voltage reference

Номер патента: US09851738B2. Автор: George McNeil Lattimore,Robert Campbell Aitken,Bal S. Sandhu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09600014B2. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-03-21.

Function-based service framework with trusted execution platform

Номер патента: US12056232B2. Автор: Zhen Jia,Kenneth Durazzo,Jinpeng LIU,Michael Estrin. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Video game page providing information and functionalities based on video game lifecycle and user context

Номер патента: WO2021113140A1. Автор: Anand Mehta,Sylvain Langrand,Christopher DePizzol,Anastasiya Drake,Anthony Graziano,Yiwei YANG ("Sophia"). Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Dynamically overriding a function based on a capability set

Номер патента: US11720374B1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

System and method for use of function-based mechatronic objects

Номер патента: US09721042B2. Автор: Raymond Kok,Matthias Lenord,Xiaoxiang Shi. Владелец: Siemens Product Lifecycle Management Software Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Bandgap voltage reference circuit and method with low TCR resistor in parallel with high TCR and in series with low TCR portions of tail resistor

Номер патента: US5291122A. Автор: Jonathan M. Audy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20150323950A1. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-12.

Temperature compensated voltage reference circuit

Номер патента: US4491780A. Автор: Robert A. Neidorff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-01-01.

Radiation-hardened temperature-compensated voltage reference

Номер патента: US4948989A. Автор: James P. Spratt. Владелец: Science Applications International Corp SAIC. Дата публикации: 1990-08-14.

Voltage reference circuit with linearized temperature behavior

Номер патента: US5001414A. Автор: Marco Morelli,Giampietro Maggioni,Paolo Menegoli,Massimiliano Brambilla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1991-03-19.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20130076331A1. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Complementary band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US20110187445A1. Автор: Thierray Sicard. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-04.

Low dropout voltage regulator with a floating voltage reference

Номер патента: US20140055112A1. Автор: John M. Pigott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Improved bandgap voltage reference

Номер патента: WO2005057313A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc.. Дата публикации: 2005-06-23.

Device for providing a bandgap voltage reference

Номер патента: US20230096429A1. Автор: Rudolf Ritter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-30.

Decentralized software development environment for function-based executable applications

Номер патента: US20240020100A1. Автор: Mark Levitt,Barry Worthington Hill,Kevin Grant Fourie. Владелец: Trixta Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Refinement function-based measurement

Номер патента: RU2476901C2. Автор: Карл ГРИССБАУМ,Роланд ВЕЛЛЕ. Владелец: Фега Грисхабер Кг. Дата публикации: 2013-02-27.

Function-based activation of memory tiers

Номер патента: US20240086682A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Abbas Rahimi,Irem Boybat Kara,Julian Roettger Buechel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Function-based activation of memory tiers

Номер патента: WO2024057114A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Abbas Rahimi,Irem Boybat Kara,Julian Röttger Büchel. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods, apparatuses, and computer program products for executing functions based on hover gestures or touch gestures

Номер патента: EP2956850A1. Автор: Richard Collin. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2015-12-23.

Systems and methods for assessment of tissue function based on vascular disease

Номер патента: EP3282936A1. Автор: Charles A. Taylor,Leo Grady. Владелец: HeartFlow Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Function-based habitat design method

Номер патента: EP2157849A1. Автор: Benjamin Wilbur Breedlove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-03.

Physiotherapy instrument with intelligent heating control function based on bioelectric feedback

Номер патента: EP4162974A1. Автор: LIANG Cao. Владелец: Famidoc Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Burst buffer appliance with storage tiering control functionality based on user specification

Номер патента: US09659019B1. Автор: Tao Peng,Uday Gupta,Sorin Faibish,John M. Bent. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Target image generation utilizing a functional based on functions of information from other images

Номер патента: US09430813B2. Автор: Alexander B. Kholodenko,Ivan L. Mazurenko,Aleksey A. Letunovskiy,Dmitry N. Babin,Alexander A. Petyushko. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Electronic device for executing function based on hand gesture and method for operating thereof

Номер патента: US11947728B2. Автор: Eunyoung Park,Eunbin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Video game page providing information and functionalities based on video game lifecycle and user context

Номер патента: US20210170284A1. Автор: Anand Mehta,Yiwei Yang,Sylvain Langrand,Christopher DePizzol,Anastasiya Drake,Anthony Graziano. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Function-based service framework with trusted execution platform

Номер патента: US20230068880A1. Автор: Zhen Jia,Kenneth Durazzo,Jinpeng LIU,Michael Estrin. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Function-based index tuning for queries with expressions

Номер патента: US20070083483A1. Автор: Shilpa Lawande. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Video game page providing information and functionalities based on video game lifecycle and user context

Номер патента: US20210252412A1. Автор: Anand Mehta,Yiwei Yang,Sylvain Langrand,Christopher DePizzol,Anastasiya Drake,Anthony Graziano. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Describing underground structure with function-based iterative inversion

Номер патента: RU2489735C2. Автор: Пин ЧЖАН,Дэвид АЛУМБО,Ариа АБУБАКАР,Тарек ХАБАШИ,Гуочжун ГАО,Цзяньго ЛИУ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-08-10.

Inhalation device with user recognition function based on inhalation behaviour

Номер патента: RU2697610C2. Автор: Мишель Торанс. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-08-15.

Dynamically overriding a function based on a capability set during load time

Номер патента: WO2023154092A1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Dynamically overriding a function based on a capability set

Номер патента: US20230259371A1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Execution of function based on user being within threshold distance to apparatus

Номер патента: US20210158809A1. Автор: Scott Wentao Li,Russell Speight VanBlon,Robert Norton,Robert J. Kapinos. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Polyurethane foam pillow with temperature self-adjusting function based on phase change microcapsule and preparation method thereof

Номер патента: AU2021107056A4. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Calculating a solution for an objective function based on two objective functions

Номер патента: US20180018567A1. Автор: Takayuki Yoshizumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Physiotherapy instrument with intelligent heating control function based on bioelectric feedback

Номер патента: US20220079806A1. Автор: LIANG Cao. Владелец: Famidoc Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Calculating a solution for an objective function based on two objective functions

Номер патента: US20210109990A1. Автор: Takayuki Yoshizumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Systems and methods for assessment of tissue function based on vascular disease

Номер патента: US20180277254A1. Автор: Charles A. Taylor,Leo Grady. Владелец: HeartFlow Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Computer-implemented frameworks and methodologies for enabling adaptive functionality based on a knowledge model

Номер патента: WO2015106309A1. Автор: Dror BEN-NAIM. Владелец: Smart Sparrow Pty Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Frequency modulation based voltage controller configuration

Номер патента: US09621034B2. Автор: Hui Liu,David Steven Ripley,Timothy James Mansheim. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Metal oxide resistance based semiconductor memory device with high work function electrode

Номер патента: TW201126713A. Автор: Yi-Chou Chen,Wei-Chih Chien. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-01.

Low power voltage reference

Номер патента: US20240243650A1. Автор: Harald Garvik. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-07-18.

Low power high resolution oscillator based voltage sensor

Номер патента: US09575095B2. Автор: Nan Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuancheng Christopher Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Work-function lowering of graphene using organic compounds with amine functional group

Номер патента: KR101429241B1. Автор: 김수영,권기창,손호준,박광용. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-13.

Low power voltage reference

Номер патента: WO2022234038A1. Автор: Harald Garvik. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-11-10.

Predictive load transient based voltage regulator turbo for voltage droop minimization

Номер патента: EP4261655A1. Автор: Qiong Wang,Xin Li,KAUSHIK Vaidyanathan,Houle Gan,Chenhao Nan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-18.

Noise reduction in voltage reference signal

Номер патента: WO2018102370A1. Автор: Axel Thomsen,John L. Melanson,Tejasvi Das,Ramin Zanbaghi. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2018-06-07.

Solenoid-based voltage imbalance protection

Номер патента: US20240222953A1. Автор: Chad R. Mittelstadt. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanopower voltage reference for an implantable medical device

Номер патента: US09463328B2. Автор: Ravi S. Ananth. Владелец: Cameron Health Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Domain name system (dns)-based discovery of regulatory requirements for non-3gpp inter-working function (n3iwf) selection

Номер патента: US20210168881A1. Автор: Meghashree Dattatri Kedalagudde,Alexandre Saso Stojanovski,Abhijeet Kolekar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Remote Management System and Management Method for Inter-working Function using Wireless Data Service

Номер патента: KR100434260B1. Автор: 한동원. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2004-10-14.

High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices

Номер патента: KR20040029284A. Автор: 리아오리앙쉥,마다틸조셉케이,레이차우드후리프라납케이. Владелец: 이스트맨 코닥 캄파니. Дата публикации: 2004-04-06.

Electroluminescent devices with low work function anode

Номер патента: US20040113547A1. Автор: Se-Hwan Son,Seok-Hee Yoon,Jun-Gi Jang,Sang-Young Jeon,Jae-Chol Lee,Kong-Kyeum Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Electroluminescent devices with low work function anode

Номер патента: US7560175B2. Автор: Se-Hwan Son,Seok-Hee Yoon,Jun-Gi Jang,Sang-Young Jeon,Jae-Chol Lee,Kong-Kyeum Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2009-07-14.

inter-working function apparatus, and method for converting real-time traffic using the same

Номер патента: KR100596587B1. Автор: 최문규. Владелец: 넷포드 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method and apparatus for setting up point to point protocol link between mobile terminal and inter working function

Номер патента: KR101308298B1. Автор: 이현구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-17.

High work function transparent conducting oxides as anodes for organic light-emitting diodes

Номер патента: US20030118865A1. Автор: He Yan,Tobin Marks,Jun Ni,Ji Cul,Anchuan Wang,Nikki Edleman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2003-06-26.

Electroluminescent devices with low work function anode

Номер патента: US20070257605A1. Автор: Se-Hwan Son,Seok-Hee Yoon,Jun-Gi Jang,Sang-Young Jeon,Jae-Chol Lee,Kong-Kyeum Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Electroluminescent devices with low work function anode

Номер патента: EP1842890A1. Автор: Se-Hwan Son,Seok-Hee Yoon,Kong-Kyeom Kim,Jun-Gi Jang,Sang-Young Jeon,Jae-Chol Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Ito and surface modification method for increasing its work function using insb

Номер патента: KR100792171B1. Автор: 윤영수,김수호,고재환,지승현. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-01-07.

Electroluminescent devices with low work function anode

Номер патента: EP1570711B1. Автор: Kong-Kyeom Kim,Jun-Gi Jang,Sang-Young Jeon,Jae-Chol Lee,Se-Hwan 102-704 Hyundai apt. SON,Seok-Hee 302-904 Songkanggreen apt. YOON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2009-06-10.

Method and device for inter-working function for a communication system

Номер патента: CN1672368B. Автор: R·T·苏. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Low work function metal complexes and uses thereof

Номер патента: AU2003255268A8. Автор: Corey J Bloom,C Michael Elliott. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-02-25.

Method and inter working function for roaming gateway service in a mobile communication system

Номер патента: KR101828509B1. Автор: 박영준. Владелец: 에스케이텔레콤 주식회사. Дата публикации: 2018-02-12.

Inter-working function for a communication system

Номер патента: TW200405734A. Автор: Raymond T-S Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method and system for implementing an inter-working function

Номер патента: US20050286528A1. Автор: Sami Kekki. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-12-29.

Transparent electrode with adjustable work function, preparation method and application thereof, and organic solar cell

Номер патента: CN113471368B. Автор: 李辉,唐正,杨津津,马在飞. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-23.

Method and method for troubleshooting a body work function pertaining to vehicles

Номер патента: US09453785B2. Автор: Tony Lindgren,Johan Aneros. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional workspace interactive display having browsing viewpoints for navigation and work viewpoints for user-object interactive non-navigational work functions with automatic switching to browsing viewpoints upon completion of work functions

Номер патента: US5900879A. Автор: Richard Edmond Berry,John Martin Mullaly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Method and device for controlling a work function of a vehicle and a work vehicle comprising the control device

Номер патента: EP1668274A1. Автор: Björn BRATTBERG. Владелец: VOLVO CONSTRUCTION EQUIPMENT AB. Дата публикации: 2006-06-14.

System architectures for steering and work functions in a wheel loader

Номер патента: WO2016085959A1. Автор: HAO Zhang,Qiang Wang,Miao Zhang,James HOWLAND,Rajneesh Kumar,Raymond Collett. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD AND SYSTEM FOR DIAGNOSTIC OF WORKING FUNCTION OF THE BODY RELATING TO VEHICLES

Номер патента: RU2014117657A. Автор: Йохан АНЕРОС,Тони ЛИНДГРЕН. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2015-11-10.

METHOD FOR MANAGING WORKING FUNCTIONS OF A CAR

Номер патента: RU2007145520A. Автор: Ульрих РАЙТ,Марио ШТАЙНБОРН,Ульрих РАЙТ (DE),Марио ШТАЙНБОРН (DE). Владелец: ЦФ Фридрихсхафен АГ (DE). Дата публикации: 2009-06-20.

Electron beam apparatus for work function measurements

Номер патента: US20080035845A1. Автор: Alexei Ermakov,Barbara Hinch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

System and method for MRAM having controlled averagable and isolatable voltage reference

Номер патента: US09455031B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Hydraulic valve module for steering and work functions in a work vehicle

Номер патента: EP4031439B1. Автор: Steven Johnson,Adam Adeeb. Владелец: CATERPILLAR SARL. Дата публикации: 2023-07-19.

NMOS-based voltage regulator

Номер патента: US09791874B1. Автор: Ge Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

CARBON NANOMATERIAL FUNCTIONALIZED NEEDLE TIP MODIFIED WITH LOW WORK FUNCTION MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220308087A1. Автор: XU Jianxun,ZHAO Yuliang,GE Yifei. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Compensated voltage reference generation circuit and method

Номер патента: US09568928B2. Автор: Manuel Meyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Apparatus with data-rate-based voltage control mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US20240221813A1. Автор: Gary L. Howe,James S. Rehmeyer,Miles S. Wiscombe,Eric J. Stave. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus with data-rate-based voltage control mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US11881245B2. Автор: Gary L. Howe,James S. Rehmeyer,Miles S. Wiscombe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

MOS-BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20150115717A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,KUNDU Amit. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-04-30.

HIGH ACCURACY ZENER BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210389791A1. Автор: Liu Hongwei,Gao Yuan,Huynh Estelle. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

High accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: US11480989B2. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

MOS-based voltage reference circuit

Номер патента: US9791879B2. Автор: Chung-Hui Chen,Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

A high accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: EP3926437B1. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Programming nonvolatile memory cells using resolution-based and level-based voltage increments

Номер патента: US20180053555A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-22.

MOTION DETECTION USING CAPACITOR HAVING DIFFERENT WORK FUNCTION MATERIALS

Номер патента: US20140009175A1. Автор: HSUEH Fu-Lung,Kalnitsky Alexander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-09.

Hydraulic Braking Emergency Utilization for Steering, Braking, Charging Accumulators(s), and/or Work Functions to Reduce or Prevent Engine from Overspeed, Assist Acceleration and/or Unlimited Towing

Номер патента: US20190136877A1. Автор: Wenling Babbitt,W. E. Hoffner, III. Владелец: Applied Industrial Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and method for troubleshooting a body work function pertaining to vehicles

Номер патента: US20140288767A1. Автор: Tony Lindgren,Johan Aneros. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-09-25.

WORK FUNCTION-CONTROLLED CARBON NANOMATERIAL AND METAL NANOWIRE HYBRID TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160222227A1. Автор: Baeg Kang-Jun,Han Joong-tark,Lee Geon-woong,Jeong Seung-yol,Jeong Hee-jin,Woo Jong-seuk. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING WORK FUNCTION METAL PATTERN IN BOUNDRY REGION AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210246044A1. Автор: Hong Jin Woo,Kim Dong Oh,Yoon Chan Sic,Lee Ki Seok,PARK Seok Han,JUNG Ki Wook,LEE Ho In,JANG Ju Yeon,PARK Je Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-12.

SYSTEM ARCHITECTURES FOR STEERING AND WORK FUNCTIONS IN A WHEEL

Номер патента: US20170274930A1. Автор: Wang Qiang,Zhang Miao,ZHANG Hao,Kumar Rajneesh,Collett Raymond,Howland James. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

LOW WORK FUNCTION MATERIALS

Номер патента: US20200263322A1. Автор: Edelson Jonathan S.,Hinton Michael J.,Fine Joseph M.,Vanderwicken Peter,Birge John D.. Владелец: BOREALIS TECHNICAL LIMITED. Дата публикации: 2020-08-20.

WORK FUNCTION CALIBRATION OF A NON-CONTACT VOLTAGE SENSOR

Номер патента: US20150338494A1. Автор: Soss Steven R.,Steele M. Brandon. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

TRAVEL AND WORK FUNCTIONS INTEGRATED INTO A HYDRAULIC HYBRID SYSTEM

Номер патента: US20160377097A1. Автор: COSOLI ETTORE,ORNELLA GIULIO,SERRAO LORENZO. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Apparatus and methods for calibrated work function measurements

Номер патента: US5136247A. Автор: Wilford N. Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-04.

Coating Material for Manufacturing Conductive film with Work Function Control

Номер патента: KR20210064452A. Автор: 임성택,김인선,염은희. Владелец: 주식회사 포리스. Дата публикации: 2021-06-03.

Travel and work functions integrated into a hydraulic hybrid system

Номер патента: US10215199B2. Автор: Ettore Cosoli,Giulio Ornella,Lorenzo Serrao. Владелец: Dana Italia SRL. Дата публикации: 2019-02-26.

Device for interruption and automatic restoration of work function of spring-actuated brake trigger

Номер патента: SU1508954A3. Автор: Маттис Северинссон Ларс,Эгил Люнг Кристер,Серен Эмильссон Фред. Владелец: Саб Нифе Аб (Фирма). Дата публикации: 1989-09-15.

Nanotube chemical sensor based on work function of electrodes

Номер патента: US7052588B2. Автор: Lawrence S. Pan,Gang Gu. Владелец: Molecular Nanosystems Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

method and method for troubleshooting a vehicle body work function

Номер патента: BR112014008079A2. Автор: ANEROS Johan,Lindgren Tony. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2017-04-11.

DEVICE FOR CANCELING AND AUTOMATICALLY RESTORING THE WORKING FUNCTION OF A SPRING BRAKE ACTUATOR

Номер патента: SE392436B. Автор: B I J Brundin,N B L Sander,M Roger. Владелец: Bromsregulator Svenska Ab. Дата публикации: 1977-03-28.

Device for controlling one or more work function(s) of an agricultural machine and agricultural machine fitted with said control device

Номер патента: FR3124610A1. Автор: Pascal Gautron,Christian JAUNET. Владелец: Kuhn Audureau SAS. Дата публикации: 2022-12-30.

Method and apparatus for automatic detection of the configuration of a surface area in order of effecting a work function

Номер патента: CA2002513A1. Автор: Mark Tinkler,Jean-Luc Fihey,Bruce Hazel,Antonio Di Vicenzo,Scott Mcnabb. Владелец: Ontario Hydro. Дата публикации: 1990-05-18.

Device for initiating microinstructions for at least two independently working function units in an integrated microprogrammed electronic module, and method for its operation

Номер патента: EP0111161B1. Автор: Hans Dipl.-Ing. Stadlmeier,Franz Dipl.-Ing. Schönberger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-01-30.

High-work-function metal core-shell nanowire and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112893861A. Автор: 杨巍,方晓生. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-04.

Organic solar cell including hybrid conductive thin film having a high work function and conductivity

Номер патента: KR101458691B1. Автор: 신원석,정수훈,이태우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-05.

Method for forming gate electrode of semiconductor device having mid-gap work-function

Номер патента: KR100303355B1. Автор: 김현수. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-01.

Nanotube chemical sensor based on work function of electrodes

Номер патента: WO2004051219A3. Автор: Gang Gu,Lawrence S Pan. Владелец: Lawrence S Pan. Дата публикации: 2004-12-16.

Lambda probe based on work function

Номер патента: DE69317604D1. Автор: Robert E Hetrick,Allen L Schamp. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for controlling the autonomous work function of a tractor connected to operational machine and apparatus thereof

Номер патента: KR102527799B1. Автор: 손승락. Владелец: 주식회사 긴트. Дата публикации: 2023-05-03.

Local Charge and Work Function Engineering on MOSFET

Номер патента: US20120003804A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for fast computation of signal uncertainty function based on reverberation interference

Номер патента: RU2487367C2. Автор: Алексей Вячеславович Сапрыкин,Дмитрий Александрович Бескин,Александр Александрович Блынский,Николай Григорьевич Ковалевский. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2013-07-10.

Work function measuring method, work function measuring device, and sample holder

Номер патента: JP3419662B2. Автор: 幸男 中村,嘉之 中島. Владелец: Riken Keiki KK. Дата публикации: 2003-06-23.

Surfaces with modified electronic work function

Номер патента: GB9928661D0. Автор: . Владелец: Ball Burnishing Machine Tools Ltd. Дата публикации: 2000-02-02.

Method of measuring voltage equivalent of electron work function

Номер патента: PL136309B1. Автор: Jerzy Kaczmarczyk. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 1986-02-28.

Operation scheme with high work function gate and charge balancing for charge trapping non-volatile memory

Номер патента: TW200601338A. Автор: Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Average output and work function control relay

Номер патента: CS603186A1. Автор: Evzen Losa. Владелец: Evzen Losa. Дата публикации: 1988-12-15.

Structure And Method For Dual Work Function Metal Gate CMOS With Selective Capping

Номер патента: US20120018810A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods of Forming a Plurality of Transistor Gates, and Methods of Forming a Plurality of Transistor Gates Having at Least Two Different Work Functions

Номер патента: US20120021594A1. Автор: Kiehlbauch Mark,Gurtej Sandhu S.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Split gate with different gate materials and work functions to reduce gate resistance of ultra high density MOSFET

Номер патента: US20120028427A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Dual Work Function Recessed Access Device and Methods of Forming

Номер патента: US20120032257A1. Автор: Tang Sanh D.,Ananthan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EFFECTIVE WORK FUNCTION CONTROLLED METAL GATE

Номер патента: US20120049281A1. Автор: IIJIMA Ryosuke,TSUCHIYA Yoshinori,YAGISHITA Atsushi. Владелец: TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Photovoltaic Devices with High Work-Function TCO Buffer Layers and Methods of Manufacture

Номер патента: US20120055534A1. Автор: Gouk Roman,Verhaverbeke Steven,Leschkies Kurtis,Visser Robert. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-03-08.

Replacement Metal Gate Structures for Effective Work Function Control

Номер патента: US20120068261A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

TRANSPARENT COMPOSITE CONDUCTORS HAVING HIGH WORK FUNCTION

Номер патента: US20120077043A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

ELECTROSURGICAL APPARATUS WITH LOW WORK FUNCTION ELECTRODE

Номер патента: US20120083782A1. Автор: . Владелец: ARTHROCARE CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-05.

WORK FUNCTION ENGINEERING FOR EDRAM MOSFETS

Номер патента: US20120108050A1. Автор: Wang Geng,Chen Xiangdong,Ho Herbert L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING A WORK FUNCTION CONTROL FILM

Номер патента: US20120122309A1. Автор: PARK Hong-Bae,Hyun Sang-Jin,Lee Hu-Yong,Na Hoon-Joo,Han Jeong-Hee,Lee Hye-Lan,Hong Hyung-Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

Replacement Metal Gate Structures Providing Independent Control On Work Function and Gate Leakage Current

Номер патента: US20120132998A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT HAVING DUAL WORK-FUNCTION ELECTRODES

Номер патента: US20120146124A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

PIXEL SENSOR CELL WITH A DUAL WORK FUNCTION GATE ELECTODE

Номер патента: US20120211854A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,Clark,ANDERSON Brent A.,JR. WILLIAM F.,Ellis-Monaghan John J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD AND STRUCTURE FOR WORK FUNCTION ENGINEERING IN TRANSISTORS INCLUDING A HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATOR AND METAL GATE (HKMG)

Номер патента: US20120214299A1. Автор: Chudzik Michael P.,Kwon Unoh,HENSON William K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD OF TUNING WORK FUNCTION OF METAL NANOSTRUCTURE-BASED TRANSPARENT CONDUCTOR

Номер патента: US20120223358A1. Автор: . Владелец: Cambrios Technologies Corporation. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

LOW WORK FUNCTION DIAMOND SURFACE AND RADIATION ENERGY CONVERTERS USING SAME

Номер патента: US20120244281A1. Автор: . Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2012-09-27.

DUAL METAL GATES USING ONE METAL TO ALTER WORK FUNCTION OF ANOTHER METAL

Номер патента: US20120256270A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for manufacturing stack structure of PMOS device and adjusting gate work function

Номер патента: US20120282748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Solar cell with interdigitated back contacts formed from high and low work-function-tuned silicides of the same metal

Номер патента: US20120285518A1. Автор: Hovel Harold John,Sadana Devendra K.,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Kim Jeehwan,Shahrjerdi Davood,Saenger Katherine L.,Inns Daniel,de Souza Joel P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

PIXEL SENSOR CELL WITH A DUAL WORK FUNCTION GATE ELECTODE

Номер патента: US20120301990A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,Clark,ANDERSON Brent A.,JR. WILLIAM F.,Ellis-Monaghan John J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

PROCESS FOR DEPOSITING ELECTRODE WITH HIGH EFFECTIVE WORK FUNCTION

Номер патента: US20120309181A1. Автор: Maes Jan Willem,Xie Qi,Machkaoutsan Vladimir. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2012-12-06.

WORK FUNCTION TAILORING FOR NONVOLATILE MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20120313069A1. Автор: Chiang Tony,Wang Yun,Hashim Imran. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

REPLACEMENT GATE ELECTRODE WITH PLANAR WORK FUNCTION MATERIAL LAYERS

Номер патента: US20130020658A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Yuan Jun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor Device With Work Function Adjusting Layer Having Varied Thickness in a Gate Width Direction and Methods of Making Same

Номер патента: US20130049139A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Langdon Steve. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

HIGH WORK FUNCTION LOW RESISTIVITY BACK CONTACT FOR THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20130056054A1. Автор: Liang Haifan. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Effective Work Function Modulation by Metal Thickness and Nitrogen Ratio for a Last Approach CMOS Gate

Номер патента: US20130087856A1. Автор: Kwon Unoh,Nowak Edward J.,Ortolland Claude,Murali Kota V.R.M.,Pandey Rajan Kumar. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Work Function Adjustment By Carbon Implant In Semiconductor Devices Including Gate Structure

Номер патента: US20130087859A1. Автор: Guo Dechao,Liang Yue,HENSON William K.,Wang Yanfeng,Narasimha Shreesh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

One to Many OAM/Protection Inter-Working Function

Номер патента: US20130121164A1. Автор: Jia Zhiping,Shabtay Lior,Peles Shuki. Владелец: Nokia Siemens Networks Ethernet Solutions, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-16.

High-K Metal Gate Electrode Structure Formed by Removing a Work Function on Sidewalls in Replacement Gate Technology

Номер патента: US20130168773A1. Автор: Hempel Klaus,Stephan Rolf,PRINDLE Christopher. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

MOSFET WITH WORK FUNCTION ADJUSTED METAL BACKGATE

Номер патента: US20130214356A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,DORIS Bruce. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

GATE STRAIN INDUCED WORK FUNCTION ENGINEERING

Номер патента: US20130228872A1. Автор: Nowak Edward J.,Murali Kota V.R.M.,Bajaj Mohit,Nayak Rahul,Pandey Rajan K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Back Contact Work Function Modification for Increasing CZTSSe Thin Film Photovoltaic Efficiency

Номер патента: US20130269764A1. Автор: Haight Richard Alan,Gokmen Tayfun,Gunawan Oki,Barkhouse David Aaron Randolph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-17.

MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20130307053A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Levy Sagy,Polishchuk Igor. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

HIGH PRODUCTIVITY COMBINATORIAL OXIDE TERRACING AND PVD/ALD METAL DEPOSITION COMBINED WITH LITHOGRAPHY FOR GATE WORK FUNCTION EXTRACTION

Номер патента: US20130316472A1. Автор: Karlsson Olov,Foster John,Li Bei,Raghuram Usha,Hong Zhendong,Joshi Amol. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

METHODS OF TAILORING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH-K/METAL LAYER GATE STRUCTURES BY PERFORMING A FLUORINE IMPLANT PROCESS

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Hoentschel Jan,Pandey Shesh Mani,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

DUAL WORK FUNCTION FINFET STRUCTURES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140038402A1. Автор: YANG Bin,Wei Andy C.,Tambwe Francis M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Techniques for Metal Gate Work Function Engineering to Enable Multiple Threshold Voltage Nanowire FET Devices

Номер патента: US20140048773A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-20.

MULTI-LAYER WORK FUNCTION METAL REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20140070307A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Dasgupta Aritra,Polvino Sean M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Unit for measuring work function

Номер патента: RU1823927C. Автор: Альберт Андреевич Марков,Володар Григорьевич Шимановский,Всеволод Николаевич Кудин,Александр Алексеевич Лунев. Владелец: А.А. Марков, В.Г. Шимановский, В.Н.Кудин и А.А. Лунев. Дата публикации: 1993-06-23.

Apparatus and method for measuring work function or ionization potential

Номер патента: JP3525674B2. Автор: 康訓 多賀,静士 時任,久喜 藤川. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2004-05-10.

Diamond-based field effect transistor with low-work-function conductive grid and preparation method thereof

Номер патента: CN109904227B. Автор: 王玮,张明辉,林芳,王宏兴,问峰,王艳丰,陈根强,卜忍安. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-19.

Device for measuring electron work function

Номер патента: SU1635111A1. Автор: Александр Николаевич Переяслов,Виктор Владимирович Тюрин. Владелец: Войсковая часть 51105. Дата публикации: 1991-03-15.

Work function measurement method

Номер патента: JP2654506B2. Автор: 和俊 渡辺,昭彦 本間. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-09-17.

Method of determining electronic work function

Номер патента: RU1770883C. Автор: Фарид Аташевич Мукашев,Токтар Искатаевич Таурбаев,Махмут Ахметович Бийсенбаев,Константин Иванович Бурсаниди,Владимир Владимирович Дудинов,Хазбулан Джумабекович Кошумбеков. Владелец: Казахский государственный университет им.С.М.Кирова. Дата публикации: 1992-10-23.

Method for improving surface work function of ITO transparent conducting thin film and application of ITO transparent conducting thin film

Номер патента: CN102945693A. Автор: 邱勇,段炼,赵炎. Владелец: Beijing Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for measuring work function of plasma device collector

Номер патента: SU900750A1. Автор: В.А. Жеребцов,Э.А. Мусиенко. Владелец: Предприятие П/Я В-2679. Дата публикации: 1982-08-23.

Measuring apparatus for work function

Номер патента: JPH01113643A. Автор: 靖 志田原,Yasushi Shidahara. Владелец: Koyo Seiko Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-02.

Method of determining temperature coefficient of material work function

Номер патента: SU1504687A1. Автор: Юрий Васильевич Маркин,Александр Георгиевич Ждан. Владелец: Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср. Дата публикации: 1989-08-30.

A kind of low work function cathode

Номер патента: CN206541789U. Автор: 常帅,黄明柱,袁弘渊. Владелец: Wuhan University of Science and Engineering WUSE. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of measuring electron work function

Номер патента: SU1681209A1. Автор: Николай Вадимович Пенский,Юрий Николаевич Пархоменко. Владелец: Научно-производственное объединение "Ротор". Дата публикации: 1991-09-30.

Device for measuring work function or ionization potential

Номер патента: JPH10267869A. Автор: Yasunori Taga,康訓 多賀,Seiji Tokitou,静士 時任,久喜 藤川,Hisayoshi Fujikawa. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1998-10-09.

Numerical control discharge machine having oscillating working function

Номер патента: JPH10166224A. Автор: Kyoichi Yamamoto,Tomohiro Nakajima,京一 山本,智広 中島. Владелец: Okuma Machinery Works Ltd. Дата публикации: 1998-06-23.

High work function conductive film, preparation method thereof, and organic electroluminescent device

Номер патента: CN102719787A. Автор: 黄辉,王平,周明杰,陈吉星. Владелец: Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Method of deacreasing surface work function of thermoemission converter collector

Номер патента: SU632009A1. Автор: Арнольд Галактионович Каландаришвили,Ираклий Григорьевич Гвердцители,Шота Шотаевич Шартава,Вальтер Георгиевич Кашия. Владелец: Shartava Shota Sh. Дата публикации: 1978-11-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.