Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 具有不同栅极电介质和工函数金属的纳米片晶体管

具有不同栅极电介质和工函数金属的纳米片晶体管

Номер патента: CN111183518A
Опубликовано: 19-05-2020
Автор(ы): 李俊涛, 李忠贤, 程慷果, 许�鹏
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical stacked nanosheet cmos transistors with different work function metals

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Work function metal patterning for nanosheet cfets

Номер патента: US20240006245A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Work function metal patterning for nanosheet CFETs

Номер патента: US11798851B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10707304B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12113115B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240363716A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertically stacked nFET and pFET with dual work function

Номер патента: US10748994B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20230369439A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Tunnel field-effect transistor with reduced subthreshold swing

Номер патента: US20200152789A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Tunnel field-effect transistor with reduced subthreshold swing

Номер патента: US11735658B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Tunnel field-effect transistor with reduced subthreshold swing

Номер патента: US20190371911A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nanosheet transistor

Номер патента: US11901438B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Nanosheet transistor

Номер патента: US20190157420A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nanosheet transistor

Номер патента: US20210280688A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Support dielectric fin to prevent gate flop-over in nanosheet transistors

Номер патента: US20240178156A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Nanosheet p-type transistor with oxygen reservoir

Номер патента: US20200365584A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Low undercut n-p work function metal patterning in nanosheet replacement metal gate process

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Sivananda Kanakasabapathy,Romain J. Lallement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Stacked transistor with separate gate

Номер патента: US20210091079A1. Автор: LAN Yu,Ruilong Xie,Heng Wu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Field effect transistor with negative capacitance dielectric structures

Номер патента: US11791397B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Field effect transistor with negative capacitance dielectric structures

Номер патента: US20240021705A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Field effect transistor with negative capacitance dielectric structures

Номер патента: US20210384323A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Field effect transistor with negative capacitance dielectric structures

Номер патента: US20230223460A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

High-K gate dielectric

Номер патента: US11862706B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High-k gate dielectric

Номер патента: US20240154019A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of manufacturing a trench FET having a merged gate dielectric

Номер патента: US09853142B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Technologies for transistors with a thin-film ferroelectric

Номер патента: US20240113220A1. Автор: Uygar E. Avci,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Raseong Kim,John J. Plombon,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Jason C. Retasket,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Rachel A. Steinhardt,Carly ROGAN,Dominique A. Adams,Brandon Holybee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nanosheet device with different gate lengths in same stack

Номер патента: US12009267B2. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-11.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US11062959B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US20190287864A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Inner spacer for nanosheet transistors

Номер патента: US20200098860A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Work function tuning in semiconductor devices

Номер патента: US20230317446A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Sheng-Yung Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Techniques for forming multiple work function nanosheet device

Номер патента: US10381272B1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor structure including semiconductor devices with different threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411520A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Chun-I Wu,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180286764A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistors with reduced defect and methods of forming same

Номер патента: US12125892B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistors with reduced defect and methods forming same

Номер патента: US20240371964A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistors with Reduced Defect and Methods Forming Same

Номер патента: US20210134974A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US09721796B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US20170301774A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Nanosheet transistors with different gate materials in same stack and method of making

Номер патента: US11776856B2. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Nanosheet transistor stack

Номер патента: WO2021003427A1. Автор: YE Lu,John Jianhong ZHU,Lixin Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuit with nanosheet transistors with robust gate oxide

Номер патента: US11869955B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Stacked transistor structures with different gate dielectric materials

Номер патента: EP4199061A1. Автор: Matthew Metz,Charles Kuo,Christopher Jezewski,Nicole K. Thomas,I-Cheng Tung,Sarah ATANASOV,Sudarat Lee,Thoe MICHAELOS,Scott Clendenning,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Devices including stacked nanosheet transistors

Номер патента: US11843001B2. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Nanosheet transistor stack

Номер патента: EP3994723A1. Автор: YE Lu,John Jianhong ZHU,Lixin Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Devices including stacked nanosheet transistors

Номер патента: US20240072060A1. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133372A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Forming MOSFET structures with work function modification

Номер патента: US10147725B2. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133272A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Work-Function Layers in the Gates of pFETs

Номер патента: US20230282712A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Work Function Layers For Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20240363711A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US12132091B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Fin transistors with semiconductor spacers

Номер патента: US20220181462A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,David T. Price,Derryl Allman,Peter Moens,Kevin Alexander STEWART. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrating standard-gate transistors and extended-gate transistors on the same substrate using low-temperature gate dielectric treatments

Номер патента: WO2023072792A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US20240186188A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11605563B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Stacked self-aligned transistors with single workfunction metal

Номер патента: US20200105891A1. Автор: Gilbert Dewey,Justin Weber,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Transistors with enhanced dopant profile and methods for forming the same

Номер патента: US11837667B2. Автор: Tsann Lin,I-Cheng Chang,Chung-Te Lin,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Min-Kun Dai,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Transistors with Enhanced Dopant Profile and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20220254930A1. Автор: Tsann Lin,I-Cheng Chang,Chung-Te Lin,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Min-Kun Dai,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12051753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240313114A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240021729A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12021145B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Gate oxide for nanosheet transistor devices

Номер патента: US11888048B2. Автор: Koji Watanabe,Kai Zhao,Shahab Siddiqui,Rishikesh Krishnan,Daniel James Dechene,Charlotte DeWan Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20190252516A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20210399114A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US11121233B2. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-09-14.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20240120408A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Nanosheet transistor device with bottom isolation

Номер патента: US20210074809A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: GB2627627A. Автор: Krishnan Rishikesh,Guo Dechao,Wang Junli,Xie Ruilong,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bao Ruqiang,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Nanosheet field effect transistor with spacers between sheets

Номер патента: US20200035786A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Bum Ki Moon,Steven R. Soss,Steven Bentley,Nigel G. Cave,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: US20230178553A1. Автор: Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Rishikesh Krishnan,Ruqiang Bao,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Stacked fets with non-shared work function metals

Номер патента: WO2023105333A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Rishikesh Krishnan,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-06-15.

Stacked planar field effect transistors with 2d material channels

Номер патента: WO2023045481A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Christopher J. Waskiewicz,Andrew Gaul. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US20160111511A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US09595589B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Nanosheet transistor with body contact

Номер патента: WO2022207660A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tak Ning,Bahman HEKMATSSHOATABARI. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-10-06.

Nanosheet transistor with body contact

Номер патента: EP4315427A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Tak Hung Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Nanosheet transistor with body contact

Номер патента: US20220320282A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Gate stack optimization for wide and narrow nanosheet transistor devices

Номер патента: US20200035563A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Nanosheet transistors with reduced source/drain resistance and associated method of manufacture

Номер патента: EP4243078A1. Автор: Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant,Asanga H PERERRA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Nanosheet Transistors with Reduced Source/Drain Resistance and Associated Method of Manufacture

Номер патента: US20230290862A1. Автор: Asanga H. Perera,Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093743A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Transistors with different threshold voltages

Номер патента: US11848368B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250125A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

3d-stacked semiconductor device having different channel layer intervals at lower nanosheet transistor and upper nanosheet transistor

Номер патента: US20230352529A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11916110B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220352319A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Fabrication of nanomaterial T-gate transistors with charge transfer doping layer

Номер патента: US09748334B1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09627270B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09576858B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: WO2018203162A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multilayer work function metal in nanosheet stacks using a sacrificial oxide material

Номер патента: WO2023104455A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Koji Watanabe,Jingyun Zhang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field effect transistor with dual layer isolation structure and method

Номер патента: US20230369396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Dual work function integration for stacked finfet

Номер патента: US20160336421A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Fabrication of nanomaterial t-gate transistors with charge transfer doping layer

Номер патента: US20170244054A1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: US20180315755A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: US20180315756A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Transistor device having a gate setback from a gate dielectric

Номер патента: US20240258373A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US9679961B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US09679961B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US09425250B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-08-23.

MOS transistor having a gate dielectric with multiple thicknesses

Номер патента: US09466715B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Gate Dielectric Having A Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20230102368A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate Dielectric Having a Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20220157812A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Trench-gate transistor with gate dielectric having a first thickness between the gate electrode and the channel region and a second greater thickness between the gate electrode and the source/drain regions

Номер патента: US20220238675A1. Автор: Ning Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: WO2016187387A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20180269302A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20160343823A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US20160190233A1. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-06-30.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09472646B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Work-Function Metal in Transistors and Method Forming Same

Номер патента: US20230282729A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Cheng-Lung Hung,Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Yan-Ming Tsai,Harry CHIEN,Chun-Da Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Nanosheet devices with different types of work function metals

Номер патента: US20190304848A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US12080777B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US20240363718A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

A gate all around device with a work function mismatch between inner and outer gates

Номер патента: WO2024056186A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka,Geert Hellings,Philippe Matagne,Gautam GADDEMANE. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Ultra-scaled fin pitch processes having dual gate dielectrics and the resulting structures

Номер патента: WO2018063366A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150279839A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Thermal Treatment for Gate Dielectrics

Номер патента: US20190378913A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Che-Hao Chang,Hung-Yao Chen,Terry Huang,Yi-Yun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US09437499B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Composite Work Function Layer Formation Using Same Work Function Material

Номер патента: US20220020861A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Composite gate dielectric for high-voltage device

Номер патента: US20240113187A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Ying-Chou Chen,Fei-Yun Chen,Jhu-Min Song,Chi-Te Lin,Yi-Kai Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure including field effect transistor with scaled gate length and method

Номер патента: US20240047555A1. Автор: Hong Yu,Jagar Singh,Anton V. Tokranov,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Configuration and fabrication of semiconductor structure in which source and drain extensions of field-effect transistor are defined with different dopants

Номер патента: EP2412013A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US9478538B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US11967626B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Vertical transport field-effect transistor with gate patterning

Номер патента: US11916143B2. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Ruilong Xie,Wenyu Xu,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11152250B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11876013B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Field effect transistors with reduced gate fringe area and method of making the same

Номер патента: US11876096B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takahito Fujita,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Vertical field effect transistor with uniform gate length

Номер патента: US09935101B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistors with metal chalcogenide channel materials

Номер патента: US11888034B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Kevin Lin,Ashish Agarwal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Gated Quantum Resonant Tunneling Diode Using CMOS Transistor with Modified Pocket and LDD Implants

Номер патента: US20090057651A1. Автор: Tathagata Chatterjee,Henry Litzmann Edwards,Chris Bowen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09548372B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

N-Work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20170301768A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US10269918B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

N-work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20190252512A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US09698019B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Co-integrating thin gate oxide and thick gate oxide nanosheet transistors

Номер патента: US20240047525A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Teresa J. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US20170092644A1. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US11823908B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US11791338B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20220149041A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20230369331A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same

Номер патента: US11961768B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Yu-Sheng Wang,Da-Yuan Lee,Ya-Wen Chiu,Kai-Cyuan Yang,Chih-Hsiang Fan,Kun-Wa Kuok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Functional metal oxide based microelectronic devices

Номер патента: EP3329515A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Roza Kotlyar,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-06.

Functional metal oxide based microelectronic devices

Номер патента: US20180226509A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Roza Kotlyar,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Multiple planes of transistors with different transistor architectures to enhance 3D logic and memory circuits

Номер патента: US11777015B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Stacked transistors having multiple gate dielectrics and multiple work function metals

Номер патента: US20240145539A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US09570318B1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Single metal gate with dual effective work function gate metal scheme

Номер патента: US20240312993A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US20170025285A1. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

High-k and p-type work function metal first fabrication process having improved annealing process flows

Номер патента: US09876089B2. Автор: Jin Cho,Hui Zang,Miaomiao Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor devices comprising nitrogen-doped gate dielectric

Номер патента: US09922885B1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: WO2015050615A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3826073A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Vertical nanowire transistor with axially engineered semiconductor and gate metallization

Номер патента: US09818864B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having asymmetric field-effect transistor with tailored pocket portion along source/drain zone

Номер патента: US8415752B2. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Gate formation with varying work function layers

Номер патента: US11830936B2. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Gate Formation with Varying Work Function Layers

Номер патента: US20200251578A1. Автор: Stan Chen,Han-Wei Wu,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US09935014B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US10249539B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (finfet) process

Номер патента: US20230299087A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya David Yeh,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Nanosheet transistor with enhanced bottom isolation

Номер патента: US11942557B2. Автор: LAN Yu,Andrew M. Greene,Heng Wu,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Encapsulation for transition metal dichalcogenide nanosheet transistor and methods of fabrication

Номер патента: EP4020557A3. Автор: Uygar E. Avci,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Kevin O´BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-31.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US20210020741A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US11996453B2. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Creation of stress in the channel of a nanosheet transistor

Номер патента: US20210020743A1. Автор: Tenko Yamashita,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Bernier,Nicolas Loubet,Guillaume Audoit. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-01-21.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US20240313068A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US11557651B2. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US20210151556A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Introducing Fluorine To Gate After Work Function Metal Deposition

Номер патента: US20230068458A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220165842A1. Автор: Zhiqiang Wu,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Chung-Wei Wu,Chia-Ying Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Vertical field effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20180337255A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

NFET with Aluminum-Free Work-Function Layer and Method Forming Same

Номер патента: US20240379777A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical transistor having dual work function materials and method for fabricating thereof

Номер патента: US20180294351A1. Автор: DUOHUI Bei,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Vertical field effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20180337259A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Vertical field effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20190051736A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20220254627A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US11935740B2. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200279849A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180166550A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148508A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20220359302A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US11901237B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20240213097A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

SOI FinFET transistor with strained channel

Номер патента: US09947772B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Mosfet with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US20150228489A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

MOSFET with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US09484359B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Bruce B Doris. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Dual work function buried gate-type transistor, method for forming the same, and electronic device including the same

Номер патента: US09431496B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices having work function adjusting films with chamfered top surfaces

Номер патента: US09627380B2. Автор: Ju-youn Kim,Kwang-You Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Soi finfet transistor with strained channel

Номер патента: US20200373416A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-11-26.

Soi finfet transistor with strained channel

Номер патента: US20180204933A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-07-19.

Mosfet with work function adjusted metal backgate

Номер патента: US20130214356A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Transistors with temperature compensating gate structures

Номер патента: US20190355826A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20210119018A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20200273967A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Quadruple gate dielectric for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Transistor with field electrodes and improved avalanche breakdown behavior

Номер патента: US09812563B2. Автор: Werner Schustereder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Christian Kampen,Karl-Heinz Bach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor with a low-k sidewall spacer and method of making same

Номер патента: US09666679B2. Автор: DANIEL Benoit,Clement Gaumer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Power semiconductor transistor with improved gate charge

Номер патента: US09673319B2. Автор: Jan Nilsson,Farshid Iravani. Владелец: Kinetic Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Gate-all-around devices with different gate oxide thicknesses

Номер патента: US20240186327A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Field effect transistors with ferroelectric dielectric materials

Номер патента: US11282940B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin,Kai Tak Lam. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Method for fabricating semiconductor device having dual work function gate structure

Номер патента: US9577052B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284435A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor with Field Electrodes and Improved Avalanche Breakdown Behavior

Номер патента: US20160365441A1. Автор: Werner Schustereder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Christian Kampen,Karl-Heinz Bach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284431A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

Номер патента: US20110104880A1. Автор: Thomas Werner,Frank Richter,Jens Heinrich,Frank Seliger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160155641A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20180130662A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013061A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013082A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170133228A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013083A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170170022A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09892927B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09576804B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190027487A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20240008279A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190304990A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: WO2019018194A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20160300722A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09779946B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Formation of work-function layers for gate electrode using a gas cluster ion beam

Номер патента: US09748392B1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Jidong Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistors with an extension region having strips of differing conductivity type

Номер патента: US09337333B2. Автор: Puneet Sharma,Michael Smith,Vladimir Mikhalev,Zia Alan Shafi,Henry Jim Fulford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: WO2013012453A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20110223757A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20130224940A1. Автор: Manfred Ramin,Michael F. Pas,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Field Effect Transistors with Ferroelectric Dieletric Materials

Номер патента: US20200335599A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin,Kai Tak Lam. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Passivator for Gate Dielectric

Номер патента: US20200066535A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor Device Including a Transistor with a Gate Dielectric Having a Variable Thickness

Номер патента: US20160190256A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US11764282B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Select gates with select gate dielectric first

Номер патента: US09443862B1. Автор: Yusuke Yoshida,Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating a gate dielectric layer

Номер патента: US20150140765A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160293731A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Transistor with dopant-bearing metal in source and drain

Номер патента: US20050205896A1. Автор: Nirmal Chaudhary,Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Tunnel transistors with abrupt junctions

Номер патента: US10236344B2. Автор: Hung H. Tran,Emre Alptekin,Xiaobin Yuan,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US12015084B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20230178652A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Nanoribbon-based transistors with etch stop layer to assist subfin removal

Номер патента: US20240290835A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Robin Chao,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Jaladhi Mehta,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device comprising NMOS and PMOS transistors with embedded Si/Ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US7893503B2. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Vertical transistors with top spacers

Номер патента: US20200335605A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US20200273962A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019139612A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for selective removal of gate dielectric from dummy fin

Номер патента: US11837649B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Lateral bipolar junction transistor with abrupt junction and compound buried oxide

Номер патента: US09673307B1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device incorporating fluorine into gate dielectric

Номер патента: WO2007109487A2. Автор: Imran Khan,Pinghai Hao,Fan-Chi Hou. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-27.

Trench isolated IC with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US10014206B1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US09721897B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of Forming CMOS Transistors with High Conductivity Gate Electrodes

Номер патента: US20110136313A1. Автор: JongWon Lee,Boun Yoon,Sang Yeob Han,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an MV device

Номер патента: US11799007B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an mv device

Номер патента: US20220367654A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device comprising NMOS and PMOS transistors with embedded Si/Ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US8039335B2. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Silicon nanotube, negative-capacitance transistor with ferroelectric layer and method of making

Номер патента: WO2019130127A1. Автор: Muhammad Mustafa Hussain,Nazek Mohamad EL-ATAB. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device comprising nmos and pmos transistors with embedded si/ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US20100187635A1. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an mv device

Номер патента: US20230361188A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical field-effect transistor with t-shaped gate

Номер патента: US20200373413A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ardasheir Rahman,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Trench isolated ic with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US20180174887A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Differential work function between gate stack metals to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20180315827A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device comprising nmos and pmos transistors with embedded si/ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US20110104878A1. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanosheet transistor with robust source/drain isolation from substrate

Номер патента: US20200006476A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Ruilong Xie,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor devices having work function metal films and tuning materials

Номер патента: US09780183B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Gate electrode having a work-function layer including materials with different average grain sizes

Номер патента: US12113120B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20210233817A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20240297080A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US9761500B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of making a high performance transistor with elevated spacer formation and self-aligned channel regions

Номер патента: US6150222A. Автор: Charles E. May,Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20170040220A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US09875940B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Adjusting work function through adjusting deposition temperature

Номер патента: US12009264B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Fabrication of Field Effect Transistors With Ferroelectric Materials

Номер патента: US20200411662A1. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Multi-gate transistor with variably sized fin

Номер патента: US9947585B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Gate Dielectric for Bonded Stacked Transistors

Номер патента: US20240186394A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US09412860B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Field effect transistor with gate electrode having multiple gate lengths

Номер патента: US20240105794A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Multi-Layer Gate Dielectric

Номер патента: US20100052078A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Transistor with controllable source/drain structure

Номер патента: US20230027524A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8581353B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20110089502A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20140042560A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20160343824A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8193593B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US12127411B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Field effect transistor with isolation structure and method

Номер патента: US20240038901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Intra-gate offset high voltage thin film transistor with misalignment immunity

Номер патента: US4907041A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US11818896B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220254793A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220359544A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20230380177A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Hybrid gate dielectric access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: US20240206152A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Hybrid gate dielectric access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: WO2024129507A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Thin film transistor with selectively doped oxide thin film

Номер патента: US20190305133A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: US20240332417A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: EP4439678A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Removal of work function metal wing to improve device yield in vertical fets

Номер патента: US20200235238A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-operational mode transistor with multiple-channel device structure

Номер патента: EP1958263A1. Автор: James Pan,John Pellerin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor having gate, first metal-containing material and second metal-containing material with different work functions

Номер патента: US9691894B2. Автор: Jiaw-Ren Shih,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Selector transistor with continuously variable current drive

Номер патента: US20210217814A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990548B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: EP4273905A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Transistors with lattice matched gate structure

Номер патента: US20190189785A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Rf sic mosfet with recessed gate dielectric

Номер патента: EP4378005A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-06-05.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20230022394A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistor with dual threshold voltage

Номер патента: US11855148B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Lattice matched and strain compensated single-crystal compound for gate dielectric

Номер патента: US09876090B1. Автор: Martin M. Frank,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US09685550B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of removing dummy gate dielectric layer

Номер патента: US09570582B1. Автор: Bin Zhong,YU Bao,Jun Zhou,Haifeng Zhou,Xiaoqiang Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Transistors with ferroelectric spacer and methods of fabrication

Номер патента: US11784251B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Gate Dielectric Having a Flat Nitrogen Profile and Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080116542A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Gate dielectric having a flat nitrogen profile and method of manufacture therefor

Номер патента: US20050285211A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

RF SiC MOSFET with recessed gate dielectric

Номер патента: US11830943B2. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: WO2023009325A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function and multi-valued channel doping of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09620591B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704988B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20160190300A1. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20170288048A1. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US10453950B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Combined-source Mos Transistor with Comb-shaped Gate, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181585A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-19.

Common fabrication of multiple FinFETs with different channel heights

Номер патента: US09960257B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Dual work function recessed access device and methods of forming

Номер патента: US09543433B2. Автор: Sanh D. Tang,Venkatesan Anathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing for memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US9502543B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming an ultrathin gate dielectric

Номер патента: US6074919A. Автор: Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Multi voltage threshold transistors through process and design-induced multiple work functions

Номер патента: US20190304840A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Neville L. DIAS,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

EEPROM cell and array having stacked nanosheet field effect transistors with a common floating gate

Номер патента: US11145668B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for manufacturing a HEMT transistor and HEMT transistor with improved electron mobility

Номер патента: US09882040B2. Автор: Ferdinando Iucolano,Alfonso Patti,Andrea Severino,Maria Concetta Nicotra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Tunnel field effect transistor with improved subthreshold swing

Номер патента: EP2309544A3. Автор: Anne S. Verhulst. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-10-10.

Low threshold voltage transistor with non-uniform thickness gate dielectric

Номер патента: GB2451122A. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X Fab UK Ltd. Дата публикации: 2009-01-21.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Different work function metals

Номер патента: US20240321882A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Min Gyu Sung,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09997695B2. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09673376B1. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-layered or graded gate dielectric in thin film transistor (tft) structures

Номер патента: US20230369444A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Christopher Ryder,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming a trench transistor having a superior gate dielectric

Номер патента: US20020100932A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US9312138B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Mechanisms for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150102431A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US20150041880A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Apparatus and method of adjusting work-function metal thickness to provide variable threshold voltages in finFETs

Номер патента: US09805982B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Thin film transistor with improved carrier mobilty

Номер патента: US09831348B2. Автор: Yung-Ching Wang. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor substrate and display panel having film layer with different thicknesses

Номер патента: US09741804B2. Автор: I-Ho Shen,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2011084397A3. Автор: Antonio L.P. Rotondaro. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: GB2489882B. Автор: Antonio L P Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20110163382A1. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Negative capacitance transistor with external ferroelectric structure

Номер патента: US20240266417A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Strained-gate Engineered Dynamic Random Access Memory Including Ferroelectric Negative Capacitance Dielectrics And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180166448A1. Автор: Chun-Yen Chang,Chun-Hu CHENG,Yu-Chien Chiu. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-06-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Iii-v transistors with resistive gate contacts

Номер патента: US20210167200A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Negative capacitance transistor with external ferroelectric structure

Номер патента: US11961897B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Negative capacitance transistor with external ferroelectric structure

Номер патента: US20200105898A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US9269783B2. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-plasma nitridation process for a gate dielectric

Номер патента: US20150179459A1. Автор: Michael P. Chudzik,Barry P. Linder,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Transistors with mitigated free body effect

Номер патента: US20240072174A1. Автор: Haitao Liu,Soichi Sugiura,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride gate dielectric for graphene mosfet

Номер патента: WO2012128956A1. Автор: Phaedon Avouris,Deborah A. Neumayer,Wenjuan Zhu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

FinFET work function metal formation

Номер патента: US09601490B2. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Transistor with doped gate dielectric

Номер патента: EP1711959A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-18.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Gate-controlled p-i-n switch with a charge trapping material in the gate dielectric and a self-depleted channel

Номер патента: US09438227B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-09-06.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Finfet work function metal formation

Номер патента: US20160163705A1. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Finfet work function metal formation

Номер патента: US20150021704A1. Автор: Hoon Kim,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10192747B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Structure and method for forming trench gate transistors with low gate resistance

Номер патента: WO2009079473A1. Автор: James Pan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-06-25.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Power switching transistor with low drain to gate capacitance

Номер патента: US6870221B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-03-22.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Germanate gate dielectrics for semiconductor devices

Номер патента: US20050082624A1. Автор: Evgeni Gousev,Huiling Shang,Alessandro Callegari,Deborah Neumayer,Dianne Lacey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

DRAM device having a gate dielectric layer with multiple thicknesses

Номер патента: US7948028B2. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate dielectric antifuse circuit to protect a high-voltage transistor

Номер патента: US20050029598A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Ferroelectric gate dielectrics in integrated circuits

Номер патента: US20200235221A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy

Номер патента: WO2004107420A1. Автор: Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming gate dielectric films for MOSFETs without generation of natural oxide films

Номер патента: US5926741A. Автор: Hiroshi Iwata,Masayuki Nakano,Toshimasa Matsuoka,Seizo Kakimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Method for forming heavy nitrogen-doped ultra thin oxynitride gate dielectrics

Номер патента: US20030027392A1. Автор: Atul Ajmera,Evgeni Gousev,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Multiple work function device using GeOx/TiN cap on work function setting metal

Номер патента: US09825122B1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180374917A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

MULTIPLE WORK FUNCTION DEVICE USING GeOx/TiN CAP ON WORK FUNCTION SETTING METAL

Номер патента: US20180240865A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Multiple work function device using GeOx/TiN cap on work function setting metal

Номер патента: US10134833B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Method for forming variable-K gate dielectric

Номер патента: US20020100947A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US20120282760A1. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US8247282B2. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US20110129970A1. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of fabricating semiconductor device using a work function control film

Номер патента: US20120122309A1. Автор: Jeong-hee Han,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Replacement metal gate structures for effective work function control

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for the formation of different gate metal regions of MOS transistors

Номер патента: US09437498B2. Автор: Vincent Joseph,Philippe Garnier,Stephane Zoll,Olivier Gourhant. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240079229A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chia Chan Fan,Chin-Chia Yeh,Chieh Chiang,Cheng Yu Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for the formation of different gate metal regions of mos transistors

Номер патента: US20150262884A1. Автор: Vincent Joseph,Philippe Garnier,Stephane Zoll,Olivier Gourhant. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2015-09-17.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09614070B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory peripheral circuit having recessed channel transistors with elevated sources/drains and method for forming thereof

Номер патента: WO2023212887A1. Автор: Jun Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Номер патента: WO2007047369A3. Автор: Christopher Sean Olsen,Cory Czarnik,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Khaled Z Ahmed. Владелец: Khaled Z Ahmed. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for fabricating multiple work function layers

Номер патента: US20240170279A1. Автор: Jian Wang,Wenzhan ZHOU,Hongzhu ZHENG,Yunqing DAI. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Field Effect Transistor with Conduction Band Electron Channel and Uni-Terminal Response

Номер патента: US20160126341A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: EP2355158A3. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-20.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US20110193092A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Graphene transistors with self-aligned gates

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for designing antenna cell that prevents plasma induced gate dielectric damage in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Pin-Dai Sue,Jen-Hang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Modifying work function of a metal film with a plasma process

Номер патента: US20180218911A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods for pre-deposition treatment of a work-function metal layer

Номер патента: US09978601B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Formation of metal oxide gate dielectric

Номер патента: US20030003702A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Devices with different electrical gate dielectric thicknesses but with substantially similar physical configurations

Номер патента: US20060006440A1. Автор: Jhon Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of making enhancement-mode and depletion-mode IGFETS with different gate materials

Номер патента: US5923984A. Автор: Frederick N. Hause,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Work Function Based Voltage Reference

Номер патента: US20090250766A1. Автор: Gregory Dix. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Integrated contact silicide with tunable work functions

Номер патента: WO2023010005A1. Автор: Mehul Naik,Michael Haverty,Raymond Hung. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-02.

High/low work function metal alloys for integrated circuit electrodes and methods of fabricating same

Номер патента: US20030160227A1. Автор: Huicai Zhong,Veena Misra,ShinNam Hong. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-08-28.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Номер патента: US6040233A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-21.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Field effect transistor with contact via structures that are laterally spaced by a sub-lithographic distance and method of making the same

Номер патента: US20240063062A1. Автор: Mitsuhiro Togo,Takahito Fujita,Kazutaka Yoshizawa,Hokuto Kodate,Kouta ONOGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US9799521B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping concentrations

Номер патента: US9306011B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US20160189964A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472637B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin gate dielectric for a CMOS transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: US6849512B1. Автор: Wai Lo,James P. Kimball,Verne C. Hornback. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Bimetallic oxide compositions for gate dielectrics

Номер патента: US7015096B1. Автор: Vladimir Zubkov,Sey-Shing Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

CMOS integrated circuit having PMOS and NMOS devices with different gate dielectric layers

Номер патента: US6048769A. Автор: Robert S. Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Ho ln LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Techniques to Improve Critical Dimension Width and Depth Uniformity Between Features with Different Layout Densities

Номер патента: US20200266100A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Leigh Anne H. Clevenger,Isabel Cristina Chu,Gauri Karve,Fee Li LIE,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Low-Cost CMOS Structure with Dual Gate Dielectrics and Method of Forming the CMOS Structure

Номер патента: US20140252485A1. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09865507B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09431302B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Ball mounting method and working machine for board

Номер патента: US09763335B2. Автор: Tetsuo Hayashi,Hiromitsu Oka. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Low-cost cmos structure with dual gate dielectrics and method of forming the cmos structure

Номер патента: US20160322263A1. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Functionalized metal oxide soldering methods and UV sensor manufactured thereof

Номер патента: US09855618B2. Автор: Kyoungsik Yu,Kyungmook KWON,Jaeho Shim,Kyunghan Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Non-volatile storage element having dual work-function electrodes

Номер патента: EP2652787A1. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-23.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

1.5-transistor (1.5T) one time programmable (OTP) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US11315937B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Nonvolatile storage with gap in inter-gate dielectric

Номер патента: WO2016186910A1. Автор: Takashi Kashimura,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Organic thin film transistor with dual layer electrodes

Номер патента: CA2612033C. Автор: Beng S. Ong,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Integrated circuit with multiple gate dielectric structures

Номер патента: US6087236A. Автор: Robert S. Chau,Reza Arghavani,Bruce Beattie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of fabricating CMOS with different gate dielectric layers

Номер патента: US20020072168A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor transistors with contact holes close to gates

Номер патента: EP1952433A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Method of manufacturing SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH CONTACT HOLES CLOSE TO GATES

Номер патента: EP1952433B1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Integrated circuit having thinner gate dielectric and method of making

Номер патента: US09666483B2. Автор: Chih-Hung Lu,Ching-Chen Hao,Song-Bor Lee,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuitry comprisihg multipe transistors with different channel lengths

Номер патента: US20010046741A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

A method to fabricate variable work function gatesfor fusi devices

Номер патента: SG124343A1. Автор: CHONG Yung Fu,VERMA Purakh Raj,HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: WO2009142930A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-11-26.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: EP2300891A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-30.

Method for manufacturing gate dielectric layer

Номер патента: US20060281251A1. Автор: Wen-Ji Chen,Tung-Po Chen,Kai-An Hsueh,Sheng-Hone Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Dual gate dielectric thickness devices and circuits using dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US7615827B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of fabricating an ion sensitive field effect transistor with a Ta2 O5 hydrogen ion sensing membrane

Номер патента: US5319226A. Автор: Byung K. Sohn,Dae H. Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-07.

Dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US20060208323A1. Автор: Brent Anderson,Terence Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US20050280097A1. Автор: Brent Anderson,Terence Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and process for reducing damaging breakdown in gate dielectrics

Номер патента: US20120077323A1. Автор: Taeho Kook,Tanya Nigam,Bonnie E. Weir. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

High mobility polymer thin-film transistors with capillarity-mediated self-assembly

Номер патента: US09573158B2. Автор: Alan Heeger,Chan Luo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for tailoring electrode work function using interfacial modifiers for use in organic electronics

Номер патента: US09431612B2. Автор: Qun Chen,Jillian Buriak,Brian Worfolk. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2016-08-30.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09412781B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09812477B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensing device with gate dielectric portion varying thickness that increases along migration path of photocharges

Номер патента: US12046606B2. Автор: Kyoung In LEE,Ho Ryeong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Different gate oxides thicknesses for different transistors in an integrated circuit

Номер патента: US20120108051A1. Автор: Xianfeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Select gate materials having different work functions in 3d nand non-volatile memory

Номер патента: WO2014165461A4. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing semiconductor structure having multi-work function gate electrode

Номер патента: US11943913B2. Автор: Kai Jen,Te-Hsuan Peng,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

RF-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US09698363B1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Bottom and Top Gate Organic Transistors with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20140054560A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Photo-patternable gate dielectrics for OFET

Номер патента: US09761817B2. Автор: Timothy Edward Myers,Robert Alan Bellman,David Neal Schissel,Mingqian He,Weijun Niu,Arthur Lawrence Wallace,Kristi Lynn SIMONTON. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09972800B2. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09577204B1. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237007A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237008A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170194582A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Front electrode with layer of thin metal film and high-work function buffer layer for use in photovoltaic device and production method thereof

Номер патента: RU2435251C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-11-27.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US20170125711A1. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Uv crosslinking of pvdf-based polymers for gate dielectric insulators of organic thin-film transistors

Номер патента: US20210226142A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He,Hongxiang Wang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

High work function MoO2 back contacts for improved solar cell performance

Номер патента: US11011661B2. Автор: Oki Gunawan,Richard A. Haight,Douglas M. Bishop,Priscilla D. Antunez,Gloria W. Fraczak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Image sensor, micro-lens array, and method for fabricating micro-lens array with different heights in image sensor

Номер патента: US20190206912A1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Photoelectric conversion device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatuses having work function adjustment layers and diffusion suppression layers

Номер патента: US09520449B2. Автор: Masaki Murata,Ryoji Arai,Osamu Enoki,Toru Udaka,Rui Morimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit packages with thermal interface materials with different material compositions

Номер патента: US12062592B2. Автор: Amitesh Saha,Marco Aurelio Cartas,Sergio Antonio Chan Arguedas,Ken Hackenberg,Emilio Tarango Valles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Wafer level chip scale package with co-planar bumps with different solder heights and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP3852139A3. Автор: David Gani. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-08.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Carbon nanomaterial functionalized needle tip modified with low work function material and preparation method thereof

Номер патента: US20220308087A1. Автор: Yuliang Zhao,Jianxun Xu,Yifei GE. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2022-09-29.

Low work function materials

Номер патента: US20200263322A1. Автор: Jonathan S. Edelson,Joseph M. Fine,Michael J. Hinton,Peter Vanderwicken,John D. Birge. Владелец: Borealis Technical Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: US20210408578A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: EP3821487A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-05-19.

Low work function materials

Номер патента: GB2583565A. Автор: Edelson Jonathan,Vanderwicken Peter,J Hinton Michael,M Fine Joseph,Birge John. Владелец: Borealis Technical Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Method of reducing work function in carbon coated LaB6 cathodes

Номер патента: US09790620B1. Автор: Victor Katsap. Владелец: Nuflare Technology America Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Battery device, and working assembly having battery device

Номер патента: AU2023203772A1. Автор: Jiang Zhao,Jian Guo Zhao,Ya Bin Liu. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2024-02-01.

Capacitor with charge time reducing additives and work function modifiers

Номер патента: US09793058B2. Автор: Yaru Shi,Antony P. Chacko,John T. Kinard,John Joseph Ols,Robert Ramsbottom. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method For Tuning Work Function Using Surface Photo Voltage and Producing Ultra-Low-Work-Function Surfaces, and Devices Operational Therewith

Номер патента: US20220093357A1. Автор: Nicholas A. Melosh,Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for tuning work function using surface photo voltage and producing ultra-low-work-function surfaces, and devices operational therewith

Номер патента: US12046439B2. Автор: Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede,Nicholas A Melosh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for work function reduction and thermionic energy conversion

Номер патента: US12102005B2. Автор: Jared William SCHWEDE,Lucas Heinrich HESS. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

A method for controlling a work function of at least one surface, electrode, electrochemical cell energy storage device, photovoltaic cell and electrical component thereof

Номер патента: WO2023228196A1. Автор: Ron Naaman,Nir MAROM,Shira Yochelis,Yutao SANG,Yosef Paltiel,Nir YURAN,Uri WEINHEBER. Владелец: Chiral Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Work machine control method, work machine control program, work machine control system, and work machine

Номер патента: EP4286611A1. Автор: Kazuki Tamura,Katashi Tanaka,Masashi Danguchi. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Time and work tracker for servers

Номер патента: US20030195717A1. Автор: Michael Lehman. Владелец: Research Investment Network Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Supporting Device for a Plurality of Components with Different Geometries

Номер патента: US20180243867A1. Автор: Bernd GRUND. Владелец: Rehau AG and Co. Дата публикации: 2018-08-30.

Organic Transistor with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20120181512A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa H. Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Bottom and top gate organic transistors with fluropolymer banked crystallization well

Номер патента: US8803139B2. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Slew rate control of output drivers using fets with different threshold voltages

Номер патента: US20030025542A1. Автор: Guy Harlan Humphrey. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-02-06.

Site management system and work machine

Номер патента: US12098520B2. Автор: Hiroyuki Yamada,Hiroshi Sakamoto,Mariko Mizuochi. Владелец: HITACHI CONSTRUCTION MACHINERY CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Pmma gate dielectric based patterned bottom-gate bottom contact type organic thin film transistor

Номер патента: WO2023223337A1. Автор: Soumya Dutta,Anuj RAJPOOT. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-port network interface circuit and related method for scrambling codes of different ports with different seeds and resetting signal transmission of different ports at different times

Номер патента: US7359391B2. Автор: Chien-Cheng Chang,Ming-Hsun Hsu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Site management system and work machine

Номер патента: US20220333346A1. Автор: Hiroyuki Yamada,Hiroshi Sakamoto,Mariko Mizuochi. Владелец: HITACHI CONSTRUCTION MACHINERY CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for interchannel prediction and interchannel reconstruction for multichannel video made by devices with different vision angles

Номер патента: RU2628198C1. Автор: Роман Вадимович АРЗУМАНЯН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-08-15.

Multiple compatible ofdm systems with different bandwidths

Номер патента: RU2470472C2. Автор: Раджарам РАМЕШ,Хавиш КООРАПАТИ,Кумар БАЛАЧАНДРАН. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2012-12-20.

Duct joining device with different-height sections

Номер патента: RU2285990C2. Автор: Рафаэль ДЕКОР,Ален ЖАДО. Владелец: Легран. Дата публикации: 2006-10-20.

Computerized system and method for patching an application by separating executables and working data using different images

Номер патента: US20170115980A1. Автор: Prasad V. Bagal,Ankur Kemkar,Harish Nandyala,Samarjeet S. TOMAR. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Heating member of atomizing device with different heating effects at different portions and atomizing device

Номер патента: US20230139753A1. Автор: Xiaodie Wang. Владелец: Shenzhen Huachengda Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Single channel autonomous trunking (SCAT) systems and methods that use a single duplex time division multiple access (TDMA) channel for SCAT control and working channels

Номер патента: US6434136B1. Автор: William Oscar Janky,Edward Alexander Combs,Andrew Sam Mack. Владелец: MA Com Private Radio Systems Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

Transmission time implicitly triggering UCI multiplexing on PUSCH with different priorities

Номер патента: US12127242B2. Автор: WEI YANG,Peter Gaal,Tingfang JI,Krishna Kiran Mukkavilli,Yi Huang,Hwan Joon Kwon,Ahmed Elshafie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and system for operating broadcast system components with different portions of an allocation database

Номер патента: US09729934B2. Автор: Gilbert Zaldivar,Trang V. Luu,Mark T. Takamoto,Jonathan L. Tronson. Владелец: DirecTV Group Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Server chassis with different width front end module

Номер патента: US09541969B2. Автор: CHUN Chang,Chao-Jung Chen,Yaw-Tzorng Tsorng. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and device for transmitting data for non-synchronized transitions between areas with different clock frequencies

Номер патента: RU2639956C1. Автор: Маркус Руф. Владелец: Нортроп Грумман Литеф Гмбх. Дата публикации: 2017-12-25.

Transferring user equipment to radio access network with different radio access technology

Номер патента: RU2563803C2. Автор: Хенрик АНДРЕ-ЙЕНССОН,Лена МЕЛИН. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2015-09-20.

Operation with different timers in wireless communication system

Номер патента: RU2604830C1. Автор: СеунгДзуне ЙИ,Суниоунг ЛИ,Сунгдзун ПАРК. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2016-12-10.

Method for simulating dynamically interacting fixed-line networks and mobile communication nodes with different interface elements

Номер патента: RU2723296C1. Автор: Елена Валерьевна Вершенник,Юрий Иванович Стародубцев,Сергей Александрович Иванов,Иван Юрьевич Смирнов,Павел Владимирович Закалкин,Константин Григорьевич Белов. Владелец: Елена Валерьевна Вершенник. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of forming superconducting functional elements of electronic devices having regions with different values of critical current density

Номер патента: RU2694800C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Леонид Вячеславович Кутузов,Александр Григорьевич Домантовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-07-16.

TROUBLESHOOTING Wi-Fi CONNECTIVITY BY MEASURING ROUND TRIP TIME OF PACKETS SENT WITH DIFFERENT MODULATION RATES

Номер патента: RU2577336C2. Автор: ДОРСЕЛАР Карел ВАН,ОСТ Кун ВАН,Сильвэн ДЮМЕ,ДЕ ПУЛ Дирк ВАН. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2016-03-20.

Methods and devices for requesting/proving support data associated with different satellite systems of location detection, in wireless communication networks

Номер патента: RU2475775C2. Автор: Свен ФИШЕР,Стефен В. ЭДЖ,Лэ-Хун ЛИНЬ,Кирк А. БАРРОЗ,Грант А. МАРШАЛЛ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-20.

Method and system for registering images acquired with different modalities for generating fusion images from registered images acquired with different modalities

Номер патента: EP4239576A1. Автор: Stefano De Beni,Marco CROCCO,Luca Zini,Sara Traversini. Владелец: Esaote SPA. Дата публикации: 2023-09-06.

Method and system for registering images acquired with different modalities for generating fusion images from registered images acquired with different modalities

Номер патента: US20230281837A1. Автор: Stefano De Beni,Marco CROCCO,Luca Zini,Sara Traversini. Владелец: Esaote SPA. Дата публикации: 2023-09-07.

Physical downlink shared channel reception when physical downlink control channel with different spatial quasi-colocation assumptions are mapped to the same control resource set

Номер патента: EP3776990A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Makesh Pravin JOHN WILSON,Sony Akkarakaran,Hung Dinh LY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Physical downlink shared channel reception when physical downlink control channel with different spatial quasi-colocation assumptions are mapped to the same control resource set

Номер патента: WO2019195600A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Makesh Pravin JOHN WILSON,Sony Akkarakaran,Hung Dinh LY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-10-10.

Csi reporting for multiple carriers with different system configurations

Номер патента: EP2697926A2. Автор: Wanshi Chen,Jelena M. Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-02-19.

Cross carrier scheduling with different sub-carrier spacing capability reporting

Номер патента: US12082174B2. Автор: Wei Zhang,JIA Tang,Hong He,YANG Tang,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Oghenekome Oteri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Cross carrier scheduling with different sub-carrier spacing capability reporting

Номер патента: US20240357573A1. Автор: Wei Zhang,JIA Tang,Hong He,YANG Tang,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Oghenekome Oteri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

System and method for controlling system using a control signal for transitioning a state of the system from a current state to a next state using different instances of data with different precisions

Номер патента: US09958840B2. Автор: Stefano Di Cairano,Andrei Kniazev,Peizhen Zhu. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Image processing device that generates an image from pixels with different exposure times

Номер патента: US09800806B2. Автор: Tomoo Mitsunaga,Shun Kaizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Femto access point operable with different spatial characteristic antenna patterns

Номер патента: US09621250B2. Автор: Maciej Pakulski,Andrzej Waz-Ambrozewicz. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2017-04-11.

[HEW] spatial modulation technique with different source-encoded data services of the next generation WLAN IEEE 802.11ax

Номер патента: US09614708B1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Ahmed Gamal Helmy Mohamed. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Image processing device that generates an image from pixels with different exposure times

Номер патента: US09432595B2. Автор: Tomoo Mitsunaga,Shun Kaizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of processing hf signals with stage of adaptive filters with different response with common feedback by decision

Номер патента: RU2599928C2. Автор: Александр Сергеевич Тумачек,Александр Юрьевич Незванов,Геннадий Алексеевич Тарасов. Владелец: Александр Сергеевич Тумачек. Дата публикации: 2016-10-20.

Electromagnetic motor and work torque generator

Номер патента: RU2537691C2. Автор: Норберто да Роша КЕППЕ,Карлос Сезар СООС,Роберто Хейтор ФРАНСКАРИ. Владелец: АССОСИАСАН КЕППЕ энд ПАШЕКО. Дата публикации: 2015-01-10.

Inter-level reading between levels with different dynamic range of count value

Номер патента: RU2586837C2. Автор: Йенс-Уве ГАРБАС,Херберт ТОМА. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for reselecting cell with different radio access technologies

Номер патента: RU2477582C2. Автор: Цзинь ВАН,Диана ПАНИ,Мохаммед САММУР,Шанкар СОМАСУНДАРАМ,Раджат П. МУКЕРДЖИ. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2013-03-10.

System and device for providing power supply of network peripheral device and work method of such system and device

Номер патента: RU2627735C2. Автор: Рони ХЕРЦЕЛЬ. Владелец: Энерджи Ре-Коннект Лтд.. Дата публикации: 2017-08-11.

Supporting communication devices with different technologies within the same communication channel

Номер патента: US8547904B2. Автор: Lucia Valbonesi. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Point-to-point and point-multipoint radio transmission system, with interoperable TDM and TDMA structure and with different physical modes

Номер патента: EP1179898A3. Автор: Claudio Santacesaria. Владелец: Siemens Information and Communication Networks SpA. Дата публикации: 2005-11-16.

Rectifier mixed insertion system with different power, and energy saving implementation method and device therefor

Номер патента: MY191208A. Автор: Wei Wang,Bing XUE,Dongbo LIU. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-06-08.

Pucch resource selection and multiplexing of harq-ack with different priorities on pucch

Номер патента: EP4193659A1. Автор: Zhanping Yin,Kazunari Yokomakura,Kai YING. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Pucch resource selection and multiplexing of harq-ack with different priorities on pucch

Номер патента: US20230284225A1. Автор: Zhanping Yin,Kazunari Yokomakura,Kai YING. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

System for holding in a conduit cables or ducts with different diameters

Номер патента: EP3169923A2. Автор: Johannes Alfred Beele. Владелец: Beele Engineering BV. Дата публикации: 2017-05-24.

System for holding in a conduit cables or ducts with different diameters

Номер патента: WO2016009092A2. Автор: Johannes Alfred Beele. Владелец: Beele Engineering B.V.. Дата публикации: 2016-01-21.

Harq-ack payload reduction methods for uci multiplexing with different priorities

Номер патента: WO2022202662A1. Автор: Zhanping Yin,Kazunari Yokomakura,Kai YING,John Michael Kowalski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2022-09-29.

Reserving time alignment period for ofdma communications with different numerology parameters

Номер патента: WO2017194159A1. Автор: Esa Tapani Tiirola,Kari Pekka Pajukoski,Eeva Lähetkangas. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2017-11-16.

Reporting channel state information for resources with different periodicities

Номер патента: WO2023147688A1. Автор: Tao Luo,Qiaoyu Li,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni,Hamed Pezeshki. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-10.

Work line module and work facility

Номер патента: US8561290B2. Автор: Tsugumaru Yamashita,Noritaka Fujimura,Kenichiro Hirao. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Carrying device for layerinng and classifying which is used for the machine for stair climbing and working method thereof

Номер патента: ZA202308613B. Автор: LI Hongwei,WANG Qijie,FANG Zhao,Liu Youyu,Hu Guodong. Владелец: Univ Anhui Polytechnic. Дата публикации: 2024-03-27.

Hydraulic valve module for steering and work functions in a work vehicle

Номер патента: EP4031439A1. Автор: Steven Johnson,Adam Adeeb. Владелец: CATERPILLAR SARL. Дата публикации: 2022-07-27.

Improvements relating to alloys or metallic mixtures required to have low-work-function characteristics

Номер патента: GB584270A. Автор: . Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1947-01-10.

Rebar Bundling Machine, Replaceable Gun Head and Working Method Thereof

Номер патента: US20210155357A1. Автор: Chao Li,Changyong XU,Jiayuan Wu,Yiqing Li,Yongyang Luo,Yingguo Yi,Xiunan Xiao. Владелец: Guangdong Shunde Huayan Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of the work place protection and working at railways alerting

Номер патента: RU2655566C1. Автор: Игорь Наумович Розенберг,Ефим Наумович Розенберг,Александр Михайлович Вериго,Илья Давидович Блиндер,Александр Александрович Черников,Андрей Иванович Лисицын,Геннадий Иванович Сорокин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский И Проектно-Конструкторский Институт Информатизации, Автоматизации И Связи На Железнодорожном Транспорте". Дата публикации: 2018-05-28.

Method of developing barked assortments and working body for implementation thereof

Номер патента: RU2676139C1. Автор: Евгений Михайлович Царев,Сергей Евгеньевич Анисимов,Юлия Андреевна Коновалова,Константин Павлович Рукомойников,Никита Сергеевич Анисимов,Илья Сергеевич Анисимов,Владимир Михайлович Заболотский,Сергей Владимирович Ведерников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-12-26.

Method of applying side tape on narrow surfaces, particularly, panel-like work pieces, and work pieces thus produced

Номер патента: RU2459703C1. Автор: Райнхард ШУМАХЕР. Владелец: Карл В. Ниманн Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2012-08-27.

Method and working unit for preparation of microparticles with application of emulsion

Номер патента: RU2562263C2. Автор: Питер Марклэнд,Гэри ВИНЧЕСТЕР. Владелец: Евоник Корпорейшн. Дата публикации: 2015-09-10.

Combination cap and work support system

Номер патента: US20150314925A1. Автор: Nathaniel Hallee,Michael Worden,George Stickler. Владелец: Preddis LLC. Дата публикации: 2015-11-05.

Retractable access system ladder and work machine using same

Номер патента: WO2006036279A1. Автор: Kurt J. Scheidenhelm,Robert A. Lapke,Eric J. Beaupre. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2006-04-06.

A method of converting a vehicle to a transportable working machine,and a combined vehicle and working machine,e.g.a drophammer for making holes,a drilling machine or the like

Номер патента: WO1980001154A1. Автор: G Wibom. Владелец: G Wibom. Дата публикации: 1980-06-12.

Combination cap and work support system

Номер патента: US09957092B2. Автор: Nathaniel Hallee,Michael Worden,George Stickler. Владелец: Preddis LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method, device and work station for applying protective sheeting of polymer material to pipeline

Номер патента: RU2647037C2. Автор: Валерио Брегонцио,Момтчил КАЛЬЧЕВ. Владелец: САИПЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2018-03-13.

Cartridge assembly for caterpillar track of caterpillar working device and working device using said cartridge assembly

Номер патента: RU2392164C2. Автор: Эрик Дж. ЙОХАННСЕН,Майкл Д. ХЭССЕЛБУШ,Марк С. ДИКЕВЕРС. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2010-06-20.

Process and machine for identification and working of defects on used tyres

Номер патента: US20120016522A1. Автор: Leonardo Cappuccini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Combination cap and work support system

Номер патента: US20180251276A1. Автор: Nathaniel Hallee,Michael Worden,George Stickler. Владелец: Preddis LLC. Дата публикации: 2018-09-06.

Combination cap and work support system

Номер патента: US09962893B2. Автор: Nathaniel Hallee,Michael Worden,George Stickler. Владелец: Preddis LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

System in lifting mechanism of working machine, lifting mechanism of working machine and working machine

Номер патента: RU2735563C2. Автор: Тони АУВИНЕН,Марко ХАЛОНЕН. Владелец: Понссе Ойй. Дата публикации: 2020-11-03.

Item locator, fixture, and work method

Номер патента: CA1267165A. Автор: Weston R. Loomer. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1990-03-27.

Improvements in or relating to hydraulic broaching machine and work support therefor

Номер патента: GB495938A. Автор: . Владелец: Lapointe Machine Tool Co. Дата публикации: 1938-11-22.

Control device and work vehicle

Номер патента: EP4252507A1. Автор: Hidetaka Suzuki,Yuji Yamaguchi,Masaaki Murayama,Yasuto Nishii. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Management ship and working robots in waters based on wireless network and working robot control method thereof

Номер патента: US7970493B2. Автор: Woo-Young Choi,Byung-Jun Ahn,Bup-Joong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-28.

Surface-functionalized metal foil and method of preparing the same

Номер патента: US20230416900A1. Автор: Sun Ho JEONG,Ye Jin JO,Sang Hyeok Bae,Yeong Je Lee. Владелец: University Industry Cooperation Groupof Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-12-28.

Blisk blades electropolishing method and working container for its implementation

Номер патента: RU2694941C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-07-18.

Method for working graphite parts, apparatus for performing the method and working tool

Номер патента: RU2233734C2. Автор: Оддвин НЕССЕ,Хогне ЛИНГА,Одд ХАГЕН. Владелец: Норск Хюдро Аса. Дата публикации: 2004-08-10.

Fillable envelope for soft endoprosthesis with different adhesion surfaces

Номер патента: RU2514118C2. Автор: ЭППС Деннис ВАН,Томас ПАУЭЛЛ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2014-04-27.

Fillable envelope for soft endoprosthesis with different cohesion surfaces

Номер патента: RU2500366C2. Автор: ЭППС Деннис Е. ВАН,Томас Е. ПАУЭЛЛ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2013-12-10.

Anti-theft system and method for vehicle with communication device and working equipment

Номер патента: RU2580067C2. Автор: Хайбинь ЯН,Лян ШАНЬ,Ган Сюй,Бинь ХЕ,Цзя ХЭ,Баобао ЛЯН,Канкан ЧЖАН. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2016-04-10.

Toner, image forming apparatus and working cartridge

Номер патента: RU2644080C2. Автор: Сатоси ТАКАХАСИ,Йосихиро МОРИЯ,Риота ИНОУЕ,Тацуки ЯМАГУТИ,Масахико ИСИКАВА. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-02-07.

Cascading expansion method of working space and working visual angle of stereo vision system

Номер патента: US20220405971A1. Автор: CAI Meng,Xinliang Deng. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-22.

Modular storage system and work station

Номер патента: WO2017019386A1. Автор: Mustafa Noorzai,Omar NOORZAI,George J. HUANG,Dustin R. PRATT. Владелец: Infinity Keyboard,Inc.. Дата публикации: 2017-02-02.

Control Device And Work Vehicle

Номер патента: US20230311655A1. Автор: Hidetaka Suzuki,Yuji Yamaguchi,Masaaki Murayama,Yasuto Nishii. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-uniform displacement engine control system with different control modes based on state of charge of battery and method for controlling non-uniform displacement engine with different control modes based on state of charge of battery

Номер патента: US20170082046A1. Автор: Sung Jae Kim,Jeong Soo Eo,Yeon Bok KIM,Young Joon Chang,Youn Kwang JUNG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-03-23.

Protective member, track assembly and working machine

Номер патента: AU2022246476B2. Автор: Jiawei Yu,Neng Yang,Jialin LU. Владелец: Sany Heavy Machinery Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing band steel with different target thicknesses along longitudinal direction using hot continuous rolling mill set

Номер патента: US09796008B2. Автор: Yong Zhang,Chuanguo Zhang,Zhiling Gao,Houjun PANG,Xuyi SHAN,Xingze Zhou,Konglin Zhu,Wenwang Meng. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for Producing Band Steel with Different Target Thicknesses Along Longitudinal Direction Using Hot Continuous Rolling Mill Set

Номер патента: US20150298186A1. Автор: Yong Zhang,Chuanguo Zhang,Zhiling Gao,Houjun PANG,Xuyi SHAN,Xingze Zhou,Konglin Zhu,Wenwang Meng. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

On-site mixed loading truck for explosives with different detonation velocities

Номер патента: US09415360B2. Автор: Shizhong Xue. Владелец: Qingdao Target Mining Services Co ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Combined chop saw and work table and associated use thereof

Номер патента: US09403224B1. Автор: Carlos Silva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

3d printer for printing articles consisting of materials with different electrophysical properties

Номер патента: RU2702019C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Евгений Николаевич Каблов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Артём Сергеевич Шкурко. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2019-10-03.

Method of obtaining wear-resistant layer with different levels of gloss

Номер патента: RU2702563C2. Автор: Никлас ХОКАНССОН,Йеран ЗИГЛЕР,Кристер ЛУНДБЛАД. Владелец: Велинге Инновейшн Аб. Дата публикации: 2019-10-08.

Footboard design and working vehicle

Номер патента: RU2746967C1. Автор: Юн Чжан,Бинь ЧЖАО,Гобао ВАН. Владелец: ЭксСиЭмДжи КОНСТРАКШН МЭШИНЭРИ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-04-22.

Element absorbing energy during collision of vehicles with different energy absorption characteristics, and method of its manufacturing

Номер патента: RU2558779C2. Автор: Сусаку ТАКАГИ,Такеси ФУДЗИТА,Канэхару ОКУДА,Ёсикиё ТАМАЙ,Ёситака ОКИЦУ,Тадаси НАЙТО,Наоки ТАКАКИ,Томоаки СУГИУРА. Владелец: Хонда Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-08-10.

Cartridge for staples for formation of staples with different heights of formed staples

Номер патента: RU2445021C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Filled shell for soft endoprosthesis with different clutch surfaces

Номер патента: RU2645272C2. Автор: ЭППС Деннис ВАН,Томас ПАУЭЛЛ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-02-19.

Unit for connection of parts made from materials with different coefficients of thermal expansion

Номер патента: RU2702382C1. Автор: Владимир Петрович Дятлов,Александр Сергеевич Стрельников. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2019-10-08.

Process and machine for identification and working of defects on used tyres

Номер патента: US8499625B2. Автор: Leonardo Cappuccini. Владелец: Leonardo Cappuccini. Дата публикации: 2013-08-06.

Multilayer composite cloth with different elasticities and scalabilities and application thereof

Номер патента: US20150290905A1. Автор: Hai Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Containment body for making capsule for making beverages and method for making capsules with different quantities of powdered food substances using single type of containment body

Номер патента: RU2683663C2. Автор: Джованни АККУРСИ. Владелец: КАФФИТАЛИ СИСТЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2019-04-01.

Method and system for control over working machine and working machine

Номер патента: RU2481979C2. Автор: Сверкер ХАРТВИГ. Владелец: Атлас Копко Рокк Дриллс Аб. Дата публикации: 2013-05-20.

Method and working unit for preparation of microparticles with application of emulsion

Номер патента: RU2562263C9. Автор: Питер Марклэнд,Гэри ВИНЧЕСТЕР. Владелец: Евоник Корпорейшн. Дата публикации: 2016-04-27.

Equipment for laying of packages having no trays with different dimensions on racks of warehouse

Номер патента: RU2562087C2. Автор: Сами КОРТЕЛАЙНЕН. Владелец: Суомен Теоллисуусоса Ой. Дата публикации: 2015-09-10.

Diffuser device for fluid medium and working machine with such device

Номер патента: RU2606536C2. Автор: Вэньмин ЧЖЭН,Юйся ХЭ. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2017-01-10.

Improvements relating to tool and work rests for lathes and the like

Номер патента: GB477930A. Автор: . Владелец: Warner and Swasey Co. Дата публикации: 1938-01-10.

Technological method for marking nonmetallic materials by using lasers with different wave bands

Номер патента: CN116038135A. Автор: 请求不公布姓名. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-02.

Manually operable carriage and working attachments that may be employed with the carriage

Номер патента: US20190126962A1. Автор: Stephen David Brooks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-02.

Device for separating two non-mixable liquids with different specific gravities

Номер патента: EP1085932A1. Автор: Bart Anton Lode Talboom. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2001-03-28.

Device for separating two non-mixable liquids with different specific gravities

Номер патента: AU736540B2. Автор: Bart Anton Lode Talboom. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2001-08-02.

Method for predicting a reduction in the reserve capabilities of the immune homeostasis in people with an experience of living and working in the arctic conditions longer than 10 years

Номер патента: RU2757749C1. Автор: Любовь Станиславовна Щёголева,Оксана Евгеньевна Филиппова,Екатерина Васильевна Поповская,Елизавета Юрьевна Шашкова,Владислав Евгеньевич Щеголев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр комплексного изучения Арктики имени академика Н.П. Лаверова Уральского отделения Российской академии наук (ФГБУН ФИЦКИА УрО РАН). Дата публикации: 2021-10-21.

Method and device for ophthalmic devices containing dielectrics and polymer networks with liquid crystals

Номер патента: RU2582407C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Фредерик А. ФЛИТШ,Рэндалл Брэкстон ПЬЮ,СИО Лучиано ДЕ,Правин ПАНДОДЖИРАО-С,Светлана СЕРАК,Нельсон В. ТЕБИРИАН,Олена УСКОВА. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-04-27.

Method and device for controlling a work function of a vehicle and a work vehicle comprising the control device

Номер патента: EP1668274A1. Автор: Björn BRATTBERG. Владелец: VOLVO CONSTRUCTION EQUIPMENT AB. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for non-contact stress evaluation of wafer gate dielectric reliability

Номер патента: US20020070675A1. Автор: Eduard Cartier,Wagdi Abadeer,James Stathis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Radio channel system for remote monitoring of health and working activity of employees of industrial and transport enterprises

Номер патента: RU2739126C1. Автор: Владимир Владимирович Ульянов,Александр Николаевич Бондарик. Владелец: Александр Николаевич Бондарик. Дата публикации: 2020-12-21.

Work support information extracting program and work support information extracting system using thereof

Номер патента: US20020194275A1. Автор: Hiroshi Shojima,Takeshi Yokota,Toshio Hata,Hideo Ozawa,Hiroyuki Satake,Hisanori Nonaka,Shigetoshi Sakimura,Atsushi Ishll,Masao Teratani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus, system, and method for company-customized work evaluation based on work sincerity and work concentration

Номер патента: US20240378539A1. Автор: Min Goo Lee,Yong Kuk Park,Tae Heon NO. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-11-14.

Safe for storing and working with sample closed radionuclide sources

Номер патента: RU2765571C1. Автор: Татьяна Анатольевна Кулагина,Сергей Александрович Иванов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2022-02-01.

Control device and work machine

Номер патента: US11703868B2. Автор: Wei Song,Hiroto Takahashi,Taro Yokoyama,Toshiaki Kawakami,Takuya Kanisawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Portable Work Support And Keyboard/Mouse Tray and Work Station and Tethered Chair

Номер патента: US20160157601A1. Автор: Eugenia Koulizakis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-09.

Portable work support and keyboard/mouse tray and work station and tethered chair

Номер патента: US09596929B2. Автор: Eugenia Koulizakis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of determining electronic work function in vacuum (versions)

Номер патента: RU2346267C1. Автор: Роберт Рихардович Салем. Владелец: Инновационный технический центр Общество с ограниченной ответственностью "СИТИС". Дата публикации: 2009-02-10.

Detection method of airtight failure in working-gas circulating type gas engine, and working-gas circulating type gas engine using the method

Номер патента: US09447752B2. Автор: Akira Kato,Daisaku Sawada,Rentaro Kuroki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Complete set of unified post-housing forced micro-vibration drives of model assemblies with replacement soil treating disc implements and working parts “vikost”

Номер патента: RU2654869C1. Автор: Виктор Михайлович Островерх. Владелец: Виктор Михайлович Островерх. Дата публикации: 2018-05-23.

System of providing systematization, ordering, distribution, processing and working with content of library system

Номер патента: RU2628992C1. Автор: Дмитрий Петрович Грибов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛитРес". Дата публикации: 2017-08-23.

Method of series electrolytic-plasma polishing of blisk blades of turbomachines and working capacity for its implementation

Номер патента: RU2694935C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Раис Калимуллович Давлеткулов. Владелец: Раис Калимуллович Давлеткулов. Дата публикации: 2019-07-18.

Method and device for determining parametres of particles and working performance of processor in bituminous coal and minerals processing system

Номер патента: RU2376580C2. Автор: Эндрю ВИНС,Брюс Эндрю ФИРТ,Шэнгэнь ХУ. Владелец: Би Эм Эллайенс Коул Оперэйшнз Пти Лтд. Дата публикации: 2009-12-20.

System of combined visualisation and work station with support of structured check of hypotheses

Номер патента: RU2481061C2. Автор: Любомир ЗАГОРЧЕВ,Эндрю БАКЛЕР,Эрик ЖАН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2013-05-10.

Sheet pile wall for soil with different strength characteristics

Номер патента: RU2735773C2. Автор: Виктор Викторович Гончаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Трубошпунт инжиниринг". Дата публикации: 2020-11-09.

Personal appliance with different modes of operation

Номер патента: RU2605062C2. Автор: Юрген СЕНГ,Франсис ПИНТО,Кристоф ШМИТЦ,Олаф СОЕРЕНСЕН,Катрин ЗЕБЕ,Свен БОЙТНЕР,Гиза НИКОЛИН. Владелец: БРАУН ГмбХ. Дата публикации: 2016-12-20.

Functionalized metal-containing particles and methods of making the same

Номер патента: US09593257B2. Автор: Antonio De Vera. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Compressor and working medium compression method

Номер патента: RU2741356C1. Автор: Роберт АДЛЕР,Георг ФАРТОФЕР,Сара ГРУБЕР,Кристоф НАГЛЬ,Маркус РАШ,Маркус ШТЕФАН,Хеннинг ВИЛЛИГ,Рене ХИММЕЛЬШТАЙН. Владелец: Максиматор Гмбх. Дата публикации: 2021-01-25.

Power generation using liquids with different steam pressure

Номер патента: RU2730653C2. Автор: Гийом АЛЛУА,Элиз АЛЛУА,Луи АЛЛУА,Элен АЛЛУА. Владелец: Дельта Дривен 24 Спрл. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of producing a wax-based or paraffin-based coating for forming regions with different hydrophilicity and protecting the surface

Номер патента: RU2726180C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Александрович Петухов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-07-09.

Multiple sensor device with different parameters to monitor the reservoir flow profile by multiple methods

Номер патента: RU2752068C1. Автор: Виктор Александрович Шель,Марат Шамилевич Валиев. Владелец: Марат Шамилевич Валиев. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of connecting parts made from materials with different coefficients of thermal expansion

Номер патента: RU2692708C1. Автор: Владимир Петрович Дятлов,Александр Сергеевич Стрельников. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2019-06-26.

Work support apparatus, work support system, and work support method

Номер патента: US20210097884A1. Автор: Takahiro Nakano,Yumiko Ueno,Daisuke Tsutsumi,Youichi Nonaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Work method, work vehicle and work system

Номер патента: EP4094559A1. Автор: Masaaki Murayama,Yasuto Nishii. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Talent and work experience-centered credit recognition academic management system and method, and system for providing talent contribution bank service using same

Номер патента: AU2019309314A1. Автор: Ki Cheol Ham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-24.

Work management device, work management method, and work management program

Номер патента: EP4283542A1. Автор: Shinya Fujimoto,Yasuhiro Ujita. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2023-11-29.

Work vehicle control system, work vehicle control method, and work vehicle

Номер патента: US20240026637A1. Автор: Kenji Okamoto,Yusuke Yamazaki,Tomoki Andou,Takuto MOTOMURA,Souichi Tsumura. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Circuitry And Methodology To Establish Correlation Between Gate Dielectric Test Site Reliability and Product Gate Reliability

Номер патента: US20040145384A1. Автор: Kerry Bernstein,Edward Nowak,Jody Van Horn,Ernest Wu,Alvin Strong,Ronald Bolam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

Control method for a manually actuated lever provided for actuating an operating and/or work function

Номер патента: US20230399815A1. Автор: Christoph Wagner,Sebastian Jung,Kamlesh Gaikwad. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-12-14.

Solid-state mass storage media having data volumes with different service levels for different data types

Номер патента: US09542119B2. Автор: Yaron Klein. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for dry local electropolishing blisk blades and working container for its implementation

Номер патента: RU2697757C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-08-19.

Blisk blades serially electropolishing method and working container for its implementation

Номер патента: RU2699495C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева,Раис Калимуллович Давлеткулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-09-05.

Heat-resistant nickel-based alloy for casting with equiaxial structure integrated wheels and working blades

Номер патента: RU2585148C1. Автор: Владимир Николаевич Скоробогатых,Сергей Михайлович Гнездилов,Владимир Платонович Лубенец,Александр Евгеньевич Кульмизев,Сергей Павлович Авдюхин,Геннадий Дмитриевич Ковалев,Сергей Юрьевич Логашов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения" АО "НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2016-05-27.

Method for selection of betula pendula maternal trees producing seed offspring with different germination and stability of genetic material of somatic cells, according to biochemical parameters

Номер патента: RU2716112C1. Автор: Ольга Александровна Землянухина,Владислав Николаевич Калаев,Татьяна Валентиновна Баранова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2020-03-05.

Surgical staples with different stiffness options for improved tissue stapling

Номер патента: RU2727593C2. Автор: Джеффри С. СВЭЙЗИ,IV Фредерик Э. ШЕЛТОН,III Честер О. БАКСТЕР. Владелец: ЭТИКОН ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-07-22.

Method of forming array of bragg fiber gratings with different reflection wavelengths

Номер патента: RU2690230C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-05-31.

Ironing station with different steam levels

Номер патента: RU2667136C1. Автор: РОКА Луис ТРЕНЧ,ВИДАЛ Хосеп АЛЕТ,МОЛИНЕРО Валентин ВИСЕНТЕ,Хавьер КУЭВАС РУИС ДЕ АЗУА. Владелец: Компанья Эспаньола Де Электроменахе, Са. Дата публикации: 2018-09-14.

Running and working robot not susceptible to damage at a coupling unit between running unit and working unit

Номер патента: US5991951A. Автор: Naoki Kubo,Takashi Matsuo. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-30.

Process for the preparation and work-up of n-hydroxyalkylchitosans soluble in aqueous medium

Номер патента: CA2119967A1. Автор: Reinhard Donges,Birgit Kessler,Diethart Reichel. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1994-09-28.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

Control device and work machine

Номер патента: US20210302970A1. Автор: Wei Song,Hiroto Takahashi,Taro Yokoyama,Toshiaki Kawakami,Takuya Kanisawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Work machine control method, work machine control program, and work machine

Номер патента: EP4248725A1. Автор: Junko Kudo. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Organic thin film transistor with protic group on source and drain electrodes for determining presence and/or concentration of ester

Номер патента: WO2020152453A1. Автор: Pascal Cachelin. Владелец: SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Flashlight with different flashing colors and frequency

Номер патента: US20170067605A1. Автор: Li-Yen CHEN,Sheng-Kuang Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-09.

Cache systems with different address domains

Номер патента: US12135651B2. Автор: Olof Henrik Uhrenholt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Obtaining a predetermined phase shift in data using different write precompensation associated with different NRZI patterns

Номер патента: US09830942B1. Автор: Tim Rausch,Raman Venkataramani,Jason Charles Jury,Drew Michael Mader. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Parallel motion heat energy power machine and working method thereof

Номер патента: US09708935B2. Автор: Yuanjun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Single outcome game of chance with differing wagers varying amoung multiple paytables

Номер патента: US09582961B2. Автор: Kathleen Nylund Jackson. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-28.

Dental cleaning tray with different bristle sections for different dental regions

Номер патента: RU2550429C2. Автор: Елте СТЕР. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2015-05-10.

Method for selection of betula pendula maternal plants producing seed offspring with different somatic cell genetic material stability, by level of fluctuating asymmetry of the leaf plate

Номер патента: RU2715644C1. Автор: Владислав Николаевич Калаев,Татьяна Валентиновна Баранова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2020-03-02.

Method of selection of parent plants rhododendron ledebourii pojark., producing seed progeny with different levels of stability of the genetic material

Номер патента: RU2662650C2. Автор: Владислав Николаевич Калаев,Татьяна Валентиновна Баранова,Юлия Владимировна Бурменко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-07-26.

Method of production of nickel and rhenium powders with different content of components during processing of rhenium containing heat-resisting nickel alloys

Номер патента: RU2555317C2. Автор: Дмитрий Васильевич Дробот,Валерий Иванович Чернышов,Оксана Витальевна Чернышова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of differentiation of toxigenic genetically modified strains vibrio cholerae of biovar el tor with different epidemic potential by method of multiplex polymerase chain reaction and test system for its implementation

Номер патента: RU2556127C2. Автор: Нина Ивановна Смирнова,Светлана Петровна Заднова,Дмитрий Анатольевич Агафонов,Алена Владимировна Шашкова,Надежда Борисовна Челдышова. Владелец: Федеральное казенное учреждение здравоохранения "Российский научно-исследовательский противочумный институт "Микроб" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФКУЗ "РосНИПЧИ "Микроб"). Дата публикации: 2015-07-10.

Panel joining and work surface support apparatus

Номер патента: CA1046224A. Автор: James O. Kelley. Владелец: Herman Miller Inc. Дата публикации: 1979-01-16.

Optical fiber acoustic emission method with multilayer coating of optical fiber with substances with different brittleness

Номер патента: RU2712773C1. Автор: Сергей Яковлевич Самохвалов,Олег Викторович Горбачев. Владелец: Олег Викторович Горбачев. Дата публикации: 2020-01-31.

Biometric multi-purpose terminal, payroll and work management system and related methods

Номер патента: US7229013B2. Автор: Nebil Ben-Aissa. Владелец: American EPS Inc. Дата публикации: 2007-06-12.

Heat treatment and working of titanium alloys

Номер патента: GB1141409A. Автор: . Владелец: CONTINENTAL TITANIUM METALS CO. Дата публикации: 1969-01-29.

Game Based Training and Work Simulation Platform

Номер патента: US20230196253A1. Автор: Bobby Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Disturbance and stability analysis method for hydrate reservoirs with difference buried depths

Номер патента: US11441986B1. Автор: Li Huang,Qiang Chen,Nengyou WU,Gaowei HU,Xiluo Hao. Владелец: Qingdao Institute of Marine Geology. Дата публикации: 2022-09-13.

Independently randomly generated different award sets associated with different triggering symbols

Номер патента: US20240054859A1. Автор: Ginese Weyant,Robin Hare. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-15.

Game based training and work simulation platform

Номер патента: WO2021257983A1. Автор: Bobby Roy. Владелец: Roy Bobby. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and apparatus for simultaneously measuring mass concentrations of particulate matter with different particle sizes

Номер патента: EP3819627A1. Автор: WEI YANG,Zhiqiang Liu,Tao He,Youhui XIONG. Владелец: Cubic Sensor And Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Common Rail System With Differently Embodied Supply Lines To The Injectors

Номер патента: US20070295308A1. Автор: Holger Rapp,Marcus Schilling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-27.

Replaceable tip suturing devices, system, and methods for use with differing needles

Номер патента: US09986995B2. Автор: Yuri Belman,Patricia A. Moore,Henry H. Hamilton,Alexander Borisovich Zatyuryukin. Владелец: Boss Instruments Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Two dimensional ultrasound transducer arrays operable with different ultrasound systems

Номер патента: US09983176B2. Автор: Bernard Joseph SAVORD. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-05-29.

Laboratory stand for the study of the physical and mechanical properties of various types of solid mineral fertilizers and working bodies of centrifugal spreaders

Номер патента: RU2748068C1. Автор: Николай Николаевич Новиков,Николай Сергеевич Панферов,Владимир Сергеевич Тетерин,Сергей Владимирович Митрофанов,Наталья Николаевна Гапеева,Сергей Александрович Пехнов,Дмитрий Геннадиевич Сухоруков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-05-19.

Device for conjugation of two underground tunnels structures with different diameters lining

Номер патента: RU2715136C1. Автор: Юлий Александрович Драгомирецкий,Алексей Михайлович Зиновьев,Дмитрий Николаевич Лахно,Артем Александрович Юрпалов,Валерий Михайлович Абрамсон,Артур Максович Минц,Алексей Анатольевич Авдеев,Эльвира Игоревна Ханукова,Александр Маркович Земельман. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания "Металлическая Крепь". Дата публикации: 2020-02-25.

Method for determining distance to medium border with different specific electrical resistances for geological steering of horizontal well bore

Номер патента: RU2673823C1. Автор: Владимир Клавдиевич Теплухин,Александр Николаевич Ратушняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геофизики им. Ю.П. Булашевича Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-11-30.

Fastening connection of parts from materials with different heat expansion coefficients

Номер патента: RU2660308C1. Автор: Андрей Николаевич Горяев,Анатолий Иванович Шаповалов,Виктор Александрович Каверин,Вадим Вадимович Назаренко,Юрий Юрьевич Ширшов. Владелец: Акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения". Дата публикации: 2018-07-05.

Integration of data sequences of echo signals in time interval with different values of gradient and time between echo signals

Номер патента: RU2354989C2. Автор: Сунхуа ЧЭНЬ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-05-10.

Method for prediction of stroke in men, whose profession and work is related to installation, repair, maintenance of electrical networks and electrical equipment

Номер патента: RU2698438C1. Автор: Владимир Николаевич Максимов,Борис Матвеевич Доронин,Елена Леонидовна Потеряева,Мария Викторовна Яшникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО НГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2019-08-26.

Refrigeration oil and working liquid composition for refrigerator

Номер патента: RU2523278C2. Автор: Кацуя ТАКИГАВА,Юдзи СИМОМУРА. Владелец: Ниппон Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-20.

Device for the materials with different properties comparative accelerated tests for resistance to abrasive wear in non-rigidly fixed abrasive

Номер патента: RU2672791C1. Автор: Александр Михайлович Михальченков,Татьяна Александровна Ермакова,Марина Александровна Михальченкова,Антон Вячеславович Дьяченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-19.

Image forming apparatus employing work function relationships

Номер патента: US6819899B2. Автор: Nobuhiro Miyakawa,Nobumasa Abe,Kaneo Yoda,Shinji Yasukawa,Mikio Furumizu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Multiple outlet pitot pump with different output flows and/or pressures

Номер патента: US3994618A. Автор: John W. Erickson. Владелец: Kobe Inc. Дата публикации: 1976-11-30.

Systems and methods for anatomy-based registration of medical images acquired with different imaging modalities

Номер патента: CA2961524C. Автор: Cameron PIRON,Jeff Stainsby. Владелец: Synaptive Medical Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Health and work monitoring system

Номер патента: WO2008038025A1. Автор: Stephen Mcgowan. Владелец: Stephen Mcgowan. Дата публикации: 2008-04-03.

Single outcome game of chance with differing wagers varying amoung multiple paytables

Номер патента: US20160125690A1. Автор: Kathleen Nylund Jackson. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-05.

Flexible advertising system which allows advertisers with different value propositions to express such value propositions to the advertising system

Номер патента: EP1934908A2. Автор: Sumit Agarwal,Gregory Joseph Badros,John Fu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2008-06-25.

Spatial deposition of resins with different functionality

Номер патента: EP3966639A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-16.

Indexed multi-level selector for light beam with different but adjacent wavelengths

Номер патента: WO2024049464A1. Автор: Yong Wang,Meenu KAJAL,Babu KANHIRAM. Владелец: Excelitas Canada, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Scroll compressors with different volume indexes and systems and methods for same

Номер патента: US20180003423A1. Автор: Francesco Galante,Richard G. Kobor. Владелец: Bitzer Kuehlmaschinenbau GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-04.

Scroll compressors with different volume indexes and systems and methods for same

Номер патента: EP2389516A2. Автор: Francesco Galante,Richard G. Kobor. Владелец: Bitzer Kuehlmaschinenbau GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-11-30.

Installation platform facilitating assembling prefabricated concrete tower segments with different sizes for wind turbine

Номер патента: LU504072B1. Автор: Lei Cao,Chong Wang,Chang Liu,Qiang Fu,Yun Zhao,Lidong Li,Long XIAO,Zhonghua Zhang,Huibin Zhao,Deqi Wang,Bing ZOU,Shiyang Dai,Chengxin Ren,Hui Leng,Zhongyi Sun,Zhijia Yang,Dongming Du. Владелец: Huaneng Power Int Inc Yingkou Power Plant. Дата публикации: 2023-10-26.

Primer probe set, kit and application of multiplex fluorescent pcr detection of goose astrovirus with different genotypes

Номер патента: NL2033043B1. Автор: Li Na,Huang Yu,Tan Jia,YANG QUN,ZHANG Fanfan,Guo Xiaoquan,Li Haiqin,Wan Chunhe,Tan Meifang,Huang Jiangnan,Ji Huayuan,Kang Zhaofeng,Zeng Yanbing,Wu Chengcheng,Fu Qiuling. Владелец: Inst Of Animal Husbandry And Veterinary Medicine Jiangxi Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2023-02-24.

Soft soil foundation porous-depth air compression drainage device and working method thereof

Номер патента: US20230151573A1. Автор: QI Chen,Jun Wang,Juan Zheng,Shuai Yuan,Hongyue Sun,Junwei SHU,Jilei Chang,Mengchen JIN,Xueye Li. Владелец: Ningbo China Communications Water Transportation Design And Research Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Device for pressing electronic component with different downward forces

Номер патента: MY186825A. Автор: Chien-Ming Chen,Meng-Kung Lu,Yun-Jui Cheng,Chi-Chen Wu. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2021-08-23.

Device for pressing electronic component with different downward forces

Номер патента: US20180292452A1. Автор: Chien-Ming Chen,Meng-Kung Lu,Yun-Jui Cheng,Chi-Chen Wu. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Efficiently performing inference computations of a fully convolutional network for inputs with different sizes

Номер патента: EP4402609A1. Автор: Dong Hyuk Woo,Tushar Kumar,Soorgoli Ashok Halambi,Arun Chauhan,Jason Jong Kyu Park. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Dry eye syndrome alert system through posture and work detection

Номер патента: US20190239774A1. Автор: Min Ho Lee,Woo Jin Park,Yoon Jin Lee,Seung Won Baek,Hae Seok JEONG,Taek Beom YOO,Hae Hyun LEE,Byoung Hyun CHOI,Soo Min HYUN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2019-08-08.

System and method for processing ticket vouchers associated with different betting opportunities

Номер патента: US11735004B2. Автор: Dwayne R. Nelson,Steven G. Lemay,Kevin Higgins,William Brosnan. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-22.

Device for indication of movements of vehicles and working machines

Номер патента: WO1983002010A1. Автор: Veikko Rahikka. Владелец: Veikko Rahikka. Дата публикации: 1983-06-09.

Local Charge and Work Function Engineering on MOSFET

Номер патента: US20120003804A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-performance uhf field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2393589C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2010-06-27.

Method for development of wells and workings in rocks

Номер патента: RU2457311C1. Автор: Александр Илларионович Плугин,Рашид Сагидович Бозиев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Реактивное бурение". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for keeping predetermined distance between nozzle and worked surface at laser working and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2205096C1. Автор: В.В. Коряк,Е.Б. Кульбацкий,М.И. Горбуленко,к В.В. Кор. Владелец: Кульбацкий Евгений Борисович. Дата публикации: 2003-05-27.

Spade and working tool for spade

Номер патента: RU2253205C2. Автор: М.А. Серов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Фискарс Бранд Рус". Дата публикации: 2005-06-10.

Method of preparing and working of thick pitching coal bed

Номер патента: RU2555712C1. Автор: Владимир Афанасьевич Сухоруков,Владислав Владимирович Сухоруков,Евгений Борисович Шенгерей,Владимир Анатольевич Багиров,Виктор Николаевич Фрянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Method of using fuel and working medium in steam power cycle and device for its implementation

Номер патента: RU2579414C1. Автор: Владимир Константинович Черкасов,Константин Владимирович Черкасов,Александр Дмитриевич Шаратинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Вологодский государственный университет" (ВоГУ). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of packing gaseous medium and working packing chamber

Номер патента: RU2289727C2. Автор: Сергей Константинович Баранов. Владелец: Сергей Константинович Баранов. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of rolling creating preset tension in cross section of work-piece and work-piece for making same

Номер патента: RU2453385C2. Автор: Павел Борисович Белявский,Игорь Николаевич Лебединский,Александр Владимирович Рамзаев,Ольга Викторовна Гладышева,Лариса Георгиевна Рябова,Игорь Николаевич Лебединский (RU),Александр Владимирович Рамзаев (RU),Павел Борисович Белявский (RU),Ольга Викторовна Гладышева (RU),Лариса Георгиевна Рябова (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Волгоградский металлургический завод "Красный Октябрь" (ЗАО "ВМЗ "Красный Октябрь"). Дата публикации: 2012-06-20.

Self-contained apparatus for making holes and workings

Номер патента: RU2178504C1. Автор: А.М. Азизов,И.М. Асланов,А.Г. Курицын,А.И. Плугин. Владелец: Курицын Андрей Григорьевич. Дата публикации: 2002-01-20.

Trench construction method based on pilot well and working wells, as well as rotary drilling rig for trench construction and calibrator

Номер патента: RU2277161C2. Автор: Валерий Сергеевич Кузькин,Иван Андреевич Тимошков,Станислав Иванович Беляков,Александр Михайлович Гусаков,Антон Самойлович Экдышман,ков Станислав Иванович Бел,Павел Егорович Гончаров,Тимофей Валерьевич Кузькин,Сергей Валерьевич Кузькин,Нина Яковлевна Деревенских. Владелец: Открытое акционерное общество "Специализированное горное строительно-технологическое управление ВИОГЕМ". Дата публикации: 2006-05-27.

Hollow-porous ceramic brick-block for construction of homogenous walls and work procedure

Номер патента: RU2377371C1. Автор: Владимир Иванович Степунин,Сергей Владимирович Степунин,Борис Эдуардович Фердман. Владелец: Борис Эдуардович Фердман. Дата публикации: 2009-12-27.

Method for estimation of reserves of physical health and working capacity of population

Номер патента: RU2441580C1. Автор: Анатолий Иванович Григорьев,Владимир Александрович Орлов,Светлана Сергеевна Журова,Анатолий Иванович Григорьев (RU),Владимир Александрович Орлов (RU),Светлана Сергеевна Журова (RU). Владелец: Светлана Сергеевна Журова. Дата публикации: 2012-02-10.

Device for selective development and processing of multipay well or bed consisting of zones with different permeability

Номер патента: RU2547879C1. Автор: Анатолий Вениаминович Киршин,Альберт Салаватович Ягафаров,Нигаматьян Хамитович Хамитьянов,Габдрашит Султанович Абдрахманов,Виталий Петрович Филиппов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-04-10.

Electric cleaner with different electrode gaps

Номер патента: RU2492934C2. Автор: Геннадий Алексеевич Копылов,Вячеслав Данилович Ковалев,Владимир Матвеевич Чуманов. Владелец: Владимир Матвеевич Чуманов. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of separating gaseous mixtures into fractions with different specific weight and gas centrifuge for its realisation

Номер патента: RU2545286C1. Автор: Дамир Салихзянович Гинятуллин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for selecting optical correction of vision for reading and working with computer

Номер патента: RU2192815C1. Автор: Ю.З. Розенблюм,В.А. Елхов,Ю.Н. Овечкис,О.С. Лев,Л.В. Паутова,А.А. Фейгин,Янг Йонг СОН. Владелец: Фейгин Александр Аркадьевич. Дата публикации: 2002-11-20.

Improvements in Installations for Starting and Working a Number of Independent Electric Motors.

Номер патента: GB190312983A. Автор: . Владелец: Siemens Brothers and Co Ltd. Дата публикации: 1903-07-09.

Improvements in the Construction and Working of Producer Gas Generetors.

Номер патента: GB190411719A. Автор: Horace Gastineau Hills,Charles Henry Schill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-06.

Method for production of concrete and reinforced concrete items, monolithic structures and works

Номер патента: RU2378229C1. Автор: Олег Альбертович Жупник,Виктор Рудольфович Кялов. Владелец: Виктор Рудольфович Кялов. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of making holes and workings in geological structures

Номер патента: RU2168598C1. Автор: А.И. Плугин. Владелец: Фирма "ЕВРОДРИЛЛ ОУ". Дата публикации: 2001-06-10.

Method of making holes and workings in geological structures

Номер патента: RU2169248C2. Автор: А.И. Плугин. Владелец: Плугин Александр Илларионович. Дата публикации: 2001-06-20.

Method for attachment of rock destroying inserts of drilling tools and working elements of sinking machines

Номер патента: RU2477780C2. Автор: Владимир Трофимович Дмитриев,Дмитрий Сергеевич Дмитриев,Геннадий Алексеевич Боярских,Илья Геннадьевич Боярских,Вадим Владимирович Мурашов. Владелец: Вадим Владимирович Мурашов. Дата публикации: 2013-03-20.

Method for treating patients with different addictions

Номер патента: RU2308297C2. Автор: Ростислав Борисович Стрелков,Тарас Николаевич Дудко. Владелец: Тарас Николаевич Дудко. Дата публикации: 2007-10-20.

Explosion method of rock masses with different strength values

Номер патента: RU2507471C1. Автор: Владимир Арнольдович Белин,Аркадий Владимирович Дугарцыренов,Руслан Азаматович Рахманов,Сергей Игоревич Ким,Шерзод Амондулоевич Камолов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный горный университет" (МГГУ). Дата публикации: 2014-02-20.

Method of selecting and forecasting areas with different types of geologic profile

Номер патента: RU2275660C1. Автор: Владимир Семенович Славкин,Павел Абрамович Беспрозванный,Анна Юрьевна Сапрыкина. Владелец: Закрытое акционерное общество МОДЕЛИРОВАНИЕ И МОНИТОРИНГ ГЕОЛОГИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ им. В.А. Двуреченского (ЗАО "МиМГО"). Дата публикации: 2006-04-27.

Device for generating sequence of image frames with different exposure and arbitrary delay between frames

Номер патента: RU2385544C1. Автор: Рафаэль Анварович Галиуллин. Владелец: Рафаэль Анварович Галиуллин. Дата публикации: 2010-03-27.

Device for creating compression anamosthosis of hollow organs with different diameter of spaces of segments to be stitched

Номер патента: RU2315574C1. Автор: Владимир Павлович Ревицкий,Михаил Викторович Шилин,Виктор Михайлович Шилин. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-01-27.

Method of determining range to object with emitting source of signals with different frequencies

Номер патента: RU2469349C1. Автор: Сергей Сергеевич Кукушкин,Николай Николаевич Шемигон,Игорь Александрович Гладков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Специальное научно-производственное объединение "Элерон" (ФГУП "СНПО "Элерон"). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of making superconducting thin film with regions with different values of critical current density

Номер патента: RU2375789C1. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Владимирович Захаров,Василий Иванович Блинов,Геннадий Михайлович Серопян,Александр Борисович Муравьев,Климентий Николаевич Югай,Анатолий Александрович Скутин,Надим Анварович Давлеткильдеев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2009-12-10.

Preliminary degassing of coal series and worked-out area

Номер патента: RU2571464C1. Автор: Лев Сергеевич Кузяев,Александр Сергеевич Пугач. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-12-20.

Cargo grip on auxiliary and working crossarms in cargo slinging

Номер патента: RU2435728C1. Автор: Владимир Михайлович Тарасов,Анна Владимировна Тарасова,Дмитрий Владимирович Тарасов,Нина Ивановна Тарасова,Владимир Михайлович Тарасов (RU),Анна Владимировна Тарасова (RU),Дмитрий Владимирович Тарасов (RU),Нина Ивановна Тарасова (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ривальс СОВРЕМЕННЫЕ ИННОВАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ" (ООО "РивальСИТ"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of producing solutions with different concentration of cadmium sulphate

Номер патента: RU2479488C2. Автор: Виктор Васильевич Сапрыкин,Наталья Юрьевна Стекольникова,Софья Павловна Бухман,Юлия Евгеньевна Мамонтова,Борис Александрович Сотников. Владелец: Борис Александрович Сотников. Дата публикации: 2013-04-20.

Method of determining ripeness level of tomato with different colours

Номер патента: RU2538717C2. Автор: Дмитрий Васильевич Акишин,Владимир Александрович Гудковский,Алена Владимировна Сутормина,Екатерина Владимировна Черепова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мичуринский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.