Microwave plasma source.

Microwave plasma source

Номер патента: US5480533A
Опубликовано: 02-01-1996
Автор(ы): Yoshikazu Yoshida
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source

Номер патента: CA2213771A1. Автор: Ebrahim Ghanbari. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-03.

Hybrid plasma source and operation method thereof

Номер патента: US11895765B2. Автор: Chwung-Shan Kou. Владелец: Finesse Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5243259A. Автор: Junji Sato,Kazuo Suzuki,Takuya Fukuda,Satoru Todoroki,Shunichi Hirose. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-07.

A microwave plasma reactor with a plurality of emitters and absorbers and a method for plasma processing a workpiece using such a microwave plasma reactor

Номер патента: WO2024088791A1. Автор: Jürgen WEICHART,Luca Marcaccioli,Jörg PATSCHEIDER,Kevin Hug,Fabio ISA,Marco CAPODURI,Hamza EL GHANNUDI,Günter RATZ. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Microwave plasma generator

Номер патента: US20070272663A1. Автор: Kuan-Jiuh Lin,Jun-Wei Su,Chuen-Yuan Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Microwave plasma apparatus for generating a uniform plasma

Номер патента: US5359177A. Автор: Masakazu Taki,Keisuke Namba,Kenji Yoshizawa,Junichi Nishimae. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5520771A. Автор: Saburo Kanai,Yoshinao Kawasaki,Seiichi Watanabe,Makoto Nawata,Kazuaki Ichihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-05-28.

Device for the production of homogenous microwave plasma

Номер патента: CA2294197C. Автор: Hildegard Sung-Spitzl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-16.

Microwave plasma generator

Номер патента: EP1449233B1. Автор: James Timothy Shawcross,Stephen Ivor Hall,Robert Frew Gillespie. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2006-03-15.

Microwave plasma generator

Номер патента: US20040256056A1. Автор: Stephen Hall,James Shawcross,Robert Gillespie. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2004-12-23.

Microwave plasma generator

Номер патента: EP1449233A1. Автор: James Timothy Shawcross,Stephen Ivor Hall,Robert Frew Gillespie. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2004-08-25.

Microwave plasma generator

Номер патента: WO2003041111A1. Автор: James Timothy Shawcross,Stephen Ivor Hall,Robert Frew Gillespie. Владелец: Accentus Plc. Дата публикации: 2003-05-15.

Microwave plasma apparatus and methods for processing materials using an interior liner

Номер патента: WO2023229928A1. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Microwave plasma apparatus and methods for processing materials using an interior liner

Номер патента: US20230377848A1. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Plasma source having supplemental energizer for ion enhancement

Номер патента: WO2002082491A3. Автор: Aseem Srivastava,Daniel Richardson. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09997335B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09691592B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Auxiliary plasma source for robust ignition and restrikes in a plasma chamber

Номер патента: WO2023114022A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo,Nicolas J. Bright,Kostiantyn ACHKASOV,Fernando M. SILVEIRA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US20170294290A1. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-12.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) processing tool

Номер патента: US11823871B2. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Microwave plasma CVD apparatus comprising dual plungers for two-dimension plasma position adjustment

Номер патента: US5292371A. Автор: Munehiro Chosa,Haruo Yasui. Владелец: Idemitsu Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Microwave plasma reactor for production of synthetic diamond material

Номер патента: RU2540399C1. Автор: Джон Роберт БРЭНДОН,Александр Лэмб КАЛЛЕН,Стивен Дэвид УИЛЛЬЯМС,Джозеф Майкл ДОДСОН,Джонатан Джеймс УИЛМАН,Кристофер Джон Ховард УОРТ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-02-10.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supplying method

Номер патента: US09633821B2. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: WO2012084660A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2012-06-28.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US10403477B2. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Microwave plasma generator

Номер патента: CA1286427C. Автор: Donald K. Smith,Marcel P.J. Gaudreau. Владелец: Applied Science and Technology Inc. Дата публикации: 1991-07-16.

Microwave plasma generator

Номер патента: WO1988010506A1. Автор: Donald K. Smith,Marcel P. J. Gaudreau. Владелец: Applied Science & Technology, Inc.. Дата публикации: 1988-12-29.

Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method

Номер патента: US5985091A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Microwave plasma processing device

Номер патента: US5290993A. Автор: Takashi Fujii,Tetsunori Kaji,Yoshinao Kawasaki,Motohiko Yoshigai,Masaharu Nishiumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-01.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Microwave plasma apparatus

Номер патента: GB2442990A. Автор: Xiaoming Duan,Neil Philip Wright,Ba Duong Phan. Владелец: C Tech Innovation Ltd. Дата публикации: 2008-04-23.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US20080173402A1. Автор: Nobumasa Suzuki,Yuu Nishimura,Yusuke Fukuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Process and apparatus for forming a deposited film using microwave-plasma CVD

Номер патента: US5449880A. Автор: Satoshi Takaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-09-12.

Microwave plasma processing apparatus, microwave processing method and microwave feeding apparatus

Номер патента: US7325511B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Naohisa Goto,Masaki Hirayama,Tetsuya Goto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-05.

Microwave plasma processing process and apparatus

Номер патента: USRE36224E. Автор: Shuzo Fujimura,Toshimasa Kisa,Yasunari Motoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-08.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: WO2019216772A1. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: Bergen Teknologioverforing AS. Дата публикации: 2019-11-14.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: EP3791421A1. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: VESTLANDETS INNOVASJONSSELSKAP AS. Дата публикации: 2021-03-17.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5700326A. Автор: Akio Koganei,Takashi Kurokawa,Toshio Adachi,Hiroshi Echizen,Shuichiro Sugiyama,Kazumasa Takatsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Production and characterization of carbon nanowall thin films by pulsed filtered catodic vacuum arc deposition and electron cyclotron resonance microwave plasma tecniques

Номер патента: WO2022169434A1. Автор: Birsen KESIK ZEYREK,Hamide KAVAK. Владелец: Cukurova Universitesi Rektorlugu. Дата публикации: 2022-08-11.

Plasma source for uniform plasma distribution in plasma chamber

Номер патента: EP1810319A1. Автор: Nam-hun 804-302 Byeokjeokgol Dusan Apt. KIM. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-25.

Compact remote plasma source for hdp cvd chambers

Номер патента: US20240087852A1. Автор: Christopher William Lewis. Владелец: Advanced Refurbishment Technologies D/b/a Artsemi Llc LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

System and method for distributing RF power to a plasma source

Номер патента: US09721759B1. Автор: Stephen Edward Savas,Richard Keith Karlquist,Robert Eugene Weisse. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-08-01.

Capacitively coupled plasma source for abating compounds produced in semiconductor processes

Номер патента: US09543124B2. Автор: Colin John Dickinson,Roger M. Johnson,Rongping Wang,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Remote plasma source for controlling plasma skew

Номер патента: US09466469B2. Автор: Mohamad A. Ayoub,Juan Carlos Rocha-Alvarez,II Jay D. Pinson,Abdul Aziz KHAJA,Ramesh BOKKA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma sources and plasma processing apparatus thereof

Номер патента: US20230369017A1. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Plasma shaper to control ion flux distribution of plasma source

Номер патента: WO2023167780A1. Автор: Alexandre Likhanskii,Peter F. Kurunczi,Alan V. Hayes. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Ecr plasma source and ecr plasma device

Номер патента: US20050145339A1. Автор: Fumio Tanaka,Seitaro Matsuo,Toshiyuki Nozaki. Владелец: NTT Afty Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding

Номер патента: US20160071704A1. Автор: Victor M. Benveniste,Svetlana Radovanov,Costel Biloiu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding

Номер патента: WO2013009941A1. Автор: Victor M. Benveniste,Svetlana Radovanov,Costel Biloiu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

Adaptively coupled plasma source having uniform magnetic field distribution and plasma chamber having the same

Номер патента: WO2007046654A1. Автор: Nam Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp.. Дата публикации: 2007-04-26.

Internal split faraday shield for a plasma source

Номер патента: US09818584B2. Автор: Thomas G. Miller,Shouyin Zhang. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for fast control of impedance associated with an output of a plasma source

Номер патента: WO2024091857A1. Автор: Sanghyeon PARK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Frequency tuning for a matchless plasma source

Номер патента: US11437219B2. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ying Wu,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Frequency tuning for a matchless plasma source

Номер патента: WO2019177866A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ying Wu,Yuhou WANG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Frequency Tuning for a Matchless Plasma Source

Номер патента: US20190287764A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ying Wu,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Frequency Tuning for a Matchless Plasma Source

Номер патента: US20200286713A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ying Wu,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source

Номер патента: US20160118226A1. Автор: Colin John Dickinson,Roger M. Johnson,Rongping Wang,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source

Номер патента: US20150255251A1. Автор: Colin John Dickinson,Roger M. Johnson,Rongping Wang,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Remote plasma source for controlling plasma skew

Номер патента: US20160268103A1. Автор: Mohamad A. Ayoub,Juan Carlos Rocha-Alvarez,II Jay D. Pinson,Abdul Aziz KHAJA,Ramesh BOKKA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

High-efficiency rf remote plasma source apparatus

Номер патента: US20220415612A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Mehran Moalem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Modular device of tubular plasma source

Номер патента: US20020005253A1. Автор: David Tu. Владелец: Duratek Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed

Номер патента: US09928987B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Electrostatic remote plasma source system and method

Номер патента: US09524854B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Victor Brouk,Daniel Carter,Karen Peterson,Randy Grilley. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Spatially discrete multi-loop RF-driven plasma source having plural independent zones

Номер патента: US09412563B2. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma source with plurality of out of phase electrodes

Номер патента: MY147816A. Автор: Ellingboe Albert Rogers. Владелец: Univ Dublin City. Дата публикации: 2013-01-31.

Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source

Номер патента: WO2016094047A1. Автор: Dmitry Lubomirsky. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2016-06-16.

High-power density rf remote plasma source apparatus

Номер патента: US20230060529A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Mehran Moalem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Plasma source assembly and method of manufacture

Номер патента: US20040084153A1. Автор: Steven Fink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus

Номер патента: US9155181B2. Автор: Ali Shajii,Richard Gottscho,Souheil Benzerrouk,Andrew Cowe,Siddharth P. Nagarkatti,William R. Entley. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Polygonal toroidal plasma source

Номер патента: WO2020227502A1. Автор: Shaun Smith,Paul Michael Meneghini. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

하이브리드 주파수 플라즈마 소스 (hybrid frequency plasma source)

Номер патента: KR20240052988A. Автор: 잉 우,유호우 왕,알렉산더 밀러 패터슨,존 스티븐 드루어리. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2024-04-23.

Polygonal toroidal plasma source

Номер патента: EP3966846A1. Автор: Shaun Smith,Paul Michael Meneghini. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A3. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2005-12-15.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

Microwave plasma processing apparatus, slot antenna, and semiconductor device

Номер патента: US09875882B2. Автор: Toshihiko Iwao,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5024748A. Автор: Shuzo Fujimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-06-18.

Remote plasma apparatus for generating high-power density microwave plasma

Номер патента: US20220415617A1. Автор: Mehran Moalem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Apparatus for forming functional deposited film by microwave plasma CVD process

Номер патента: US4998503A. Автор: Tsutomu Murakami,Masahiro Kanai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-03-12.

Focalized microwave plasma reactor

Номер патента: US11183369B2. Автор: Chih-Chen Chang,Kun-Ping Huang,Yu-Wen Chi. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-11-23.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Microwave plasma deposition device

Номер патента: US20120234241A1. Автор: I-Nan Lin,Ton-Rong TSENG. Владелец: MASTEK TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Multi-port Phase Compensation Nested Microwave-plasma Apparatus for Diamond Film Deposition

Номер патента: US20230260756A1. Автор: Jie Liu,Liping Yan,Zhiqun Cheng,Tiansong Deng. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma source

Номер патента: RU2643508C2. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Юрг ХАГМАНН. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2018-02-02.

Dual-frequency surface wave plasma source

Номер патента: US20180138018A1. Автор: Alok Ranjan,Sergey A. Voronin,Jason MARION. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Metal plasma source (versions)

Номер патента: RU2601725C1. Автор: Дмитрий Петрович Батин,Михаил Юрьевич Науменко,Дмитрий Борисович Шадрин,Глеб Евгеньевич Тагиров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2016-11-10.

Exhaust gas processing apparatus having plasma source and substrate processing apparatus including the same

Номер патента: US20240249925A1. Автор: Jaehyun Kim,Suji Gim,Young Heo,Sunwoo YOOK,Kookjin Ann,Taijong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Particle trap for a plasma source

Номер патента: WO2009158249A2. Автор: XING Chen,Ali Shajii,Andrew Cowe,Shouqian Shao,David Burtner,William Robert Entley. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2009-12-30.

Particle trap for a plasma source

Номер патента: EP2308075A2. Автор: XING Chen,Ali Shajii,Andrew Cowe,Shouqian Shao,David Burtner,William Robert Entley. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-13.

Electron beam plasma source with remote radical source

Номер патента: US09564297B2. Автор: Ying Zhang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Leonid Dorf,Ming-Feng Wu,Hamid Tavassoli. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Plasma block for remote plasma source

Номер патента: US09478398B2. Автор: Dong Won Kang,Jung Eui HONG,Sang Chun Baek. Владелец: J Ocean Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Circular Hollow Anode Ion Electron Plasma Source

Номер патента: US20130307413A1. Автор: Mark Edward Morehouse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-21.

Plasma sources

Номер патента: EP2044610A1. Автор: Gary Proudfoot,Christopher David George,Paulo Eduardo Lima. Владелец: Aviza Europe Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Plasma processing system including a symmetrical remote plasma source for minimal ion energy

Номер патента: US09449796B2. Автор: Ajit Balakrishna,Rajinder Dhindsa,Ankur Agarwal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Filtered vacuum arc plasma source

Номер патента: RU2369664C2. Автор: Владимир Васильевич Васильев,Иван Иванович Аксенов,Владимир Евгеньевич Стрельницкий,Андрей А. Воеводин,Джон Г. ДЖОУНС,Джеффри С. ЗАБИНСКИ. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Институт Инженерии Поверхности". Дата публикации: 2009-10-10.

Radical Output Monitor for a Remote Plasma Source and Method of Use

Номер патента: US20190385829A1. Автор: Michael Harris,Atul Gupta,Chiu-Ying Tai. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Plasma source

Номер патента: CA2846679A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Daniel Lendi,Juerg Hagmann. Владелец: Oerlikon Trading AG Truebbach. Дата публикации: 2013-03-14.

Automated control of linear constricted plasma source array

Номер патента: US6140773A. Автор: Andre Anders,Peter A. Maschwitz. Владелец: CRFilms Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces

Номер патента: US11875976B2. Автор: Peter Maschwitz,Yuping Lin,John Chambers,Herb Johnson. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

System for Attachment of an Electrode into an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130134855A1. Автор: Noel Smith,N. William Parker,Mark W. Utlaut,Gregory A. Schwind,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Walter Skoczylas,Andrew B. Wells. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-05-30.

Closed-loop control of plasma source via feedback from laser absorption species sensor

Номер патента: US20230411129A1. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Abdullah Zafar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Maintenance for remote plasma sources

Номер патента: EP3924995A1. Автор: Andrew Shabalin,Jeffrey Harrell,Scott Polak,David W. Madsen. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Maintenance for remote plasma sources

Номер патента: US20230360887A1. Автор: Andrew Shabalin,Jeffrey Harrell,Scott Polak,David W. Madsen. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Closed-loop control of plasma source via feedback from laser absorption species sensor

Номер патента: WO2023244370A1. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Abdullah Zafar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: GB2582948A. Автор: Wolf Tobias,MURTAZIN Ayrat,GEISLER Sebastian,Wohlers Dirk,Rathkamp Jan,Quaas Norbet,Skoblin Mikhail. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2020-10-14.

Maintenance for remote plasma sources

Номер патента: WO2020167440A1. Автор: Andrew Shabalin,Jeffrey Harrell,Scott Polak,David W. Madsen. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Plasma source

Номер патента: WO1996030928A1. Автор: Norman Henry White,John Michael Walls,Allen Robert Waugh,Alaric Graham Spencer,Hussain J'afer. Владелец: Applied Vision Ltd. Дата публикации: 1996-10-03.

Vertically adjustable plasma source

Номер патента: US20230307213A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Gregory J. Wilson,Rakesh Ramadas,Jared Ahmad Lee,Dmitry A. Dzilno,Sriharish SRINIVASAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Plasma Block for Remote Plasma Source

Номер патента: US20150187544A1. Автор: Dong Won Kang,Jung Eui HONG,Sang Chun Baek. Владелец: J Ocean Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Magnetic shielding for plasma sources

Номер патента: US20220044864A1. Автор: Thomas Anderson,John Pease,Neil Martin Paul Benjamin,Hema Swaroop Mopidevi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Vertically adjustable plasma source

Номер патента: WO2022140263A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Gregory J. Wilson,Rakesh Ramadas,Jared Ahmad Lee,Dmitry A. Dzilno,Sriharish SRINIVASAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-06-30.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: AU2020271256A1. Автор: Tobias Wolf,Norbert Quaas,Sebastian Geisler,Dirk Wohlers,Ayrat Murtazin,Mikhail SKOBLIN,Jan RATHKAMP. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-10-21.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: AU2020271256B2. Автор: Tobias Wolf,Norbert Quaas,Sebastian Geisler,Dirk Wohlers,Ayrat Murtazin,Mikhail SKOBLIN,Jan RATHKAMP. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2023-02-16.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: EP3953687A1. Автор: Tobias Wolf,Norbert Quaas,Sebastian Geisler,Dirk Wohlers,Ayrat Murtazin,Mikhail SKOBLIN,Jan RATHKAMP. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2022-02-16.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: US20220187212A1. Автор: Tobias Wolf,Norbert Quaas,Sebastian Geisler,Dirk Wohlers,Ayrat Murtazin,Mikhail SKOBLIN,Jan RATHKAMP. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2022-06-16.

Plasma source chamber for a spectrometer

Номер патента: WO2020208085A1. Автор: Tobias Wolf,Norbert Quaas,Sebastian Geisler,Dirk Wohlers,Jan RATHKAMP,Ayrat MURATAZIN,Mikhail SKOBIN. Владелец: Thermo Fisher Scientific (Bremen) GmbH. Дата публикации: 2020-10-15.

Magnetic shielding for plasma sources

Номер патента: US20200035409A1. Автор: Thomas Anderson,John Pease,Neil Martin Paul Benjamin,Hema Swaroop Mopidevi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Electron beam plasma source with reduced metal contamination

Номер патента: US09721760B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Nipun Misra,James D. Carducci,Leonid Dorf,Gonzalo Antonio Monroy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Elongated capacitively coupled plasma source for high temperature low pressure environments

Номер патента: US09721757B2. Автор: Ren Liu,Joseph Yudovsky,Kenneth S. Collins,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,John C. Forster,Garry K. Kwong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Scalable and uniformity controllable diffusion plasma source

Номер патента: US09431218B2. Автор: Lee Chen,Merritt Funk,Jianping Zhao,Radha Sundararajan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Convertible plasma source and method

Номер патента: US11895763B2. Автор: Philip Wong,Valérie Léveillé,Jean-Sébastien BOISVERT. Владелец: Nexplasmagen Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Plasma source with ceramic electrode plate

Номер патента: US11776793B2. Автор: Tsutomu Tanaka,Robert B. Moore,Jared Ahmad Lee,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno,Marc David Shull. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Plasma Source Ion Implanter with Preparation Chamber for Linear or Cross Transferring Workpiece

Номер патента: US20230092691A1. Автор: Xinxin Ma. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-23.

Shaped Electrodes For Improved Plasma Exposure From Vertical Plasma Source

Номер патента: US20190189404A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,John C. Forster,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Coatings for use in remote plasma source applications and method of their manufacture

Номер патента: US20230332320A1. Автор: Michael Harris,Chiu-Ying Tai. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Coatings for use in remote plasma source applications and method of their manufacture

Номер патента: WO2023200909A1. Автор: Michael Harris,Chiu-Ying Tai. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source

Номер патента: WO2015105673A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Bradley J. Howard,Mang Mang Ling,Jeremiah T P Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator

Номер патента: EP1027475A4. Автор: Joachim Doehler. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Microwave introducing mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: KR101314485B1. Автор: 다로 이케다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-10-07.

Microwave introducing mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: CN101971302A. Автор: 池田太郎. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Window for microwave plasma processing device

Номер патента: WO1992022085A1. Автор: Takashi Inoue,Masahiko Tanaka,Shunji Miyahara,Ching-Hwa Chen,David Pirkle. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1992-12-10.

Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator

Номер патента: EP1027475A1. Автор: Joachim Doehler. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Microwave plasma cvd apparatus

Номер патента: US5178683A. Автор: Fumio Takamura. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: JP6478748B2. Автор: 河西　　繁,伸彦山本,太郎池田,池田　太郎,聡谷原,河西　繁. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Microwave plasma source and plasma processing device

Номер патента: TWI430358B. Автор: Shigeru Kasai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US5983829A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Device for generating powerful microwave plasmas

Номер патента: CA2248250C. Автор: Benedikt Aschermann,Ralf Spitzl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-08.

Linear microwave plasma source with permanent magnets

Номер патента: EP0932183A1. Автор: Marc Delaunay. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-07-28.

Top plate of microwave plasma processing apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20110000780A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Kiyotaka Ishibashi,Caizhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of and apparatus for microwave-plasma production

Номер патента: GB9701072D0. Автор: . Владелец: EA Technology Ltd. Дата публикации: 1997-03-12.

Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator

Номер патента: AU9404598A. Автор: Joachim Doehler. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-04-23.

Microwave plasma device

Номер патента: US09941126B2. Автор: Lee Chen,Merritt Funk,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Microwave plasma device

Номер патента: US09934974B2. Автор: Lee Chen,Merritt Funk,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Microwave plasma treatment appts. for semiconductor - useful for thin film and etching in electronics, comprises chamber partition of microwave transparent material

Номер патента: DE4133030A1. Автор: Masahiro Tanaka,Mitsuo Nakatani,Kunihiko Watanabe,Kazuo Suzuki,Satoru Todoroki. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-09.

Microwave plasma process apparatus and plasma process control method

Номер патента: JP5138131B2. Автор: 忠弘大見,昌樹平山,成利須川,哲也後藤. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US20150013913A1. Автор: Toshihiko Iwao,Jun Yoshikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140230729A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Williams Stephen David,Brandon John Robert,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-08-21.

WORKPIECE PROCESSING CHAMBER HAVING A ROTARY MICROWAVE PLASMA ANTENNA WITH SLOTTED SPIRAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20180190472A1. Автор: Stowell Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

MICROWAVE PLASMA DEVICE

Номер патента: US20180226255A1. Автор: CHEN Lee,FUNK Merritt,Zhao Jianping. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-08-09.

Microwave plasma processing process and apparatus

Номер патента: US5364519A. Автор: Shuzo Fujimura,Toshimasa Kisa,Yasunari Motoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-11-15.

High efficient-atmospheric microwave plasma system

Номер патента: KR100500360B1. Автор: 김상영,이근호,홍정미. Владелец: 고등기술연구원연구조합. Дата публикации: 2005-07-12.

Microwave Plasma Treatment

Номер патента: KR100373971B1. Автор: 사또다까시,와따나베가쯔야,하이까따에리. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2003-05-09.

Microwave plasma device

Номер патента: DE102018000401A1. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Ralf Spitzl. Дата публикации: 2019-07-25.

Device for generating microwave plasmas

Номер патента: DE4235914A1. Автор: Juergen Prof Dr Engemann,Frank Dipl Phys Werner. Владелец: Juergen Prof Dr Engemann. Дата публикации: 1994-04-28.

Device and method for locally producing microwave plasma

Номер патента: US20100116790A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2010-05-13.

Device and method for locally producing microwave plasma

Номер патента: CA2666131A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2008-04-24.

Device and method for locally producing microwave plasma

Номер патента: AU2007312620A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2008-04-24.

Device and method for locally producing microwave plasma

Номер патента: EP2080215A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2009-07-22.

Apparatus and method for local generation of microwave plasmas

Номер патента: DE102006048816A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2008-04-17.

Device for generating powerful microwave plasmas

Номер патента: DE29623199U1. Автор: . Владелец: Spitzl Ralf Dr. Дата публикации: 1998-04-02.

Device for generating homogeneous microwave plasmas

Номер патента: DE19726663A1. Автор: Hildegard Dr Ing Sung-Spitzl. Владелец: SUNG SPITZL HILDEGARD DR ING. Дата публикации: 1999-01-28.

Apparatus and method for generating high power microwave plasmas

Номер патента: DE102006048815B4. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2016-03-17.

Linear microwave plasma generating device using permanent magnet

Номер патента: JPH11288799A. Автор: Marc Delaunay,ドゥローネイマルク. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-10-19.

Microwave plasma etching method and apparatus

Номер патента: KR930005012B1. Автор: 세이지 사무가와,마사미 사사끼,스미오 모리. Владелец: 세끼모도 다다히로. Дата публикации: 1993-06-11.

Microwave plasma device

Номер патента: KR20200109363A. Автор: 랄프 슈피츨. Владелец: 랄프 슈피츨. Дата публикации: 2020-09-22.

Microwave Plasma Treatment

Номер патента: KR960002630A. Автор: 다까시 사또,가쯔야 와따나베,에리 하이까따. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1996-01-26.

High density microwave plasma apparatus

Номер патента: KR20180075001A. Автор: 유승민,박승일,김성봉,윤성영,오재성,임정현,윤정우,유석재,박연수,전형원. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2018-07-04.

Microwave plasma etching device

Номер патента: JPS60134423A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,芳文小川,Takeshi Ninomiya,健二宮,Sadayuki Okudaira,敬三鈴木,西松　茂,奥平　定之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-17.

Microwave plasma processing apparatus and method

Номер патента: KR100311104B1. Автор: 나오끼 마쓰모또,도시오 나까니시. Владелец: 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-11-15.

Microwave plasma cvd apparatus

Номер патента: EP0449081A3. Автор: Fumio Takamura. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-18.

Microwave plasma CVD apparatus

Номер патента: EP0449081B1. Автор: Fumio Takamura. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-21.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JPH0693447B2. Автор: 芳文小川,健二宮,定之奥平,茂西松,敬三鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-11-16.

Film forming equipment using microwave plasma

Номер патента: JPH0686663B2. Автор: 健二宮,訓之作道,敬三鈴木,克己登木口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-11-02.

Method and device for microwave plasma etching.

Номер патента: DE59009845D1. Автор: Seiji C O Nec Corpora Samukawa,Masami C O Anelva Corp Sasaki,Sumio C O Anelva Corp Mori. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 1995-12-14.

MICROWAVE PLASMA MACHINING DEVICE

Номер патента: DE69231405T2. Автор: Takashi Inoue,Masahiko Tanaka,Shunji Miyahara,Ching-Hwa Chen,David Pirkle. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Microwave plasma-etching equipment

Номер патента: JPS59130428A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Sadayuki Okudaira,Ichiro Shikamata,敬三鈴木,西松　茂,奥平　定之,鹿又　一郎. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-07-27.

Microwave plasma generator

Номер патента: US6401653B1. Автор: Michio Taniguchi,Kazuki Kondo,Shoichiro Minomo,Shigeki Amadatsu. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Device for the production of homogenous microwave plasma

Номер патента: CA2294197A1. Автор: Hildegard Sung-Spitzl. Владелец: Hildegard Sung-Spitzl. Дата публикации: 1998-12-30.

Microwave plasma processing method and apparatus

Номер патента: EP0478283A3. Автор: Saburo Kanai,Yoshinao Kawasaki,Seiichi Watanabe,Makoto Nawata,Kazuaki Ichihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-05-20.

Microwave plasma generating apparatus with improved heat protection of sealing o-rings

Номер патента: KR100616191B1. Автор: 토마스 노왁,하리 포네칸티,츄도무 다나까,챠우 티. 엔가이엔,케빈 페어바이른. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-08-25.

Microwave plasma treating device

Номер патента: KR0163777B1. Автор: 다께시 아끼모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-02-01.

Microwave plasma reactor

Номер патента: JP3483147B2. Автор: エム．ビーセン，マシュー,セヴィラノ，エベリオ,ケー．スミス，ドナルド. Владелец: アプライドサイエンスアンドテクノロジーインコーポレーテッド. Дата публикации: 2004-01-06.

Microwave plasma processing method

Номер патента: EP0689227A3. Автор: Takashi Sato,Katsuya Watanabe,Eri Haikata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-09-25.

Ignition method for tipless discharge of microwave plasma torch

Номер патента: CN112055455A. Автор: 杨阳,黄卡玛,朱铧丞. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of producing flat ecr layer in microwave plasma device and apparatus therefor

Номер патента: EP0594706B1. Автор: Takashi Inoue,Gerald Yin,Ching-Hwa Chen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1996-04-03.

Microwave plasma device

Номер патента: CA3086946A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-25.

Microwave plasma generating device

Номер патента: US20060065195A1. Автор: Masaaki Nagatsu. Владелец: Hamamatsu Foundation for Science and Technology Promotion. Дата публикации: 2006-03-30.

Device and method for producing high power microwave plasma

Номер патента: CA2666117A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2008-04-24.

Coaxial resonator microwave plasma generator

Номер патента: US6204603B1. Автор: Benedikt Aschermann,Ralf Spitzl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-20.

Microwave plasma generation device

Номер патента: KR100242332B1. Автор: 다다시 사또,겐이찌 나쯔이,사또시 이찌무라,다까시 이가. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2000-02-01.

Microwave emission mechanism, microwave plasma source and surface wave plasma processing apparatus

Номер патента: US09520272B2. Автор: Hiroyuki Miyashita,Taro Ikeda,Yutaka Fujino,Yuki Osada,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Tuner, microwave plasma source and impedance matching method

Номер патента: US09520273B2. Автор: Hiroyuki Miyashita,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

A microwave-excited plasma processing apparatus using a linear microwave plasma source excited by toothed waveguide plasma reactors

Номер патента: DE102008001514A1. Автор: Ching-Huei Wu,Tean-Mu Shen,Chih-Chen Chang,Tung-Chuan Wu,Chan-Hsing Lo,Muh-Wang Liang,Fu-Ching Tung,Jung-Chen Chien,Jung-Chen Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-07-02.

Microwave-excited plasma procwssing apparatus using linear microwave plasma source excited by ridged wave-guide plasma reactors

Номер патента: TW200926908A. Автор: Ching-Huei Wu,Tean-Mu Shen,Chih-Chen Chang,Tung-Chuan Wu,Chan-Hsing Lo,Muh-Wang Liang,Fu-Ching Tung,Jung-Chen Chien,Jung-Chen Ho. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-06-16.

Microwave plasma processing device and gate valve for microwave plasma processing device

Номер патента: US20080006371A1. Автор: CAI Tian,Hideki Nagaoka,Masakazu Ban,Sunao Muraoka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Microwave plasma processing device and gate valve for microwave plasma processing device

Номер патента: US20110265952A1. Автор: Hideki Nagaoka,Masakazu Ban,Sunao Muraoka,Cai Zhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Microwave irradiating antenna, microwave plasma source, and plasma processing device

Номер патента: KR101722307B1. Автор: 시게루 가사이,다로 이케다,준 나카고미,토모히토 고마츠. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-31.

Microwave-excited plasma source using ridged wave-guide line-type microwave plasma reactor

Номер патента: US20090151637A1. Автор: Ching-Huei Wu,Tean-Mu Shen,Chih-Chen Chang,Tung-Chuan Wu,Chan-Hsing Lo,Muh-Wang Liang,Fu-Ching Tung,Jung-Chen Chien,Jung-Chen Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-06-18.

Plasma treatment device with two microwave plasma sources coupled together and method for operating such a plasma treatment device

Номер патента: EP3309815B1. Автор: Joachim Mai. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2019-03-20.

Large area microwave plasma apparatus

Номер патента: CA1317644C. Автор: Joachim Doehler,Jeffrey M. Krisko. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Cavity resonator of microwave plasma generating apparatus

Номер патента: US09526160B2. Автор: Shuitsu Fujii,Katsumi Oi. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Microwave plasma processing apparatus, method for manufacturing microwave plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: CN101048029A. Автор: 堀口贵弘. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma antenna with slotted spiral waveguide

Номер патента: US09928993B2. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member

Номер патента: KR100485235B1. Автор: 다다히로 오미,히라야마마사키,고토데츠야. Владелец: 다다히로 오미. Дата публикации: 2005-04-27.

Tuner, microwave plasma source and impedance matching method

Номер патента: KR101813619B1. Автор: 유키 오사다,히로유키 미야시타. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-12-29.

Microwave plasma generation device and microwave plasma processing device

Номер патента: WO2010016414A1. Автор: 清隆石橋. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2010-02-11.

Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method

Номер патента: DE69625149D1. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member

Номер патента: EP1398826A4. Автор: Tadahiro Ohmi,Masaki Hirayama,Tetsuya Goto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-09-06.

Microwave plasma generator and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: JPWO2010016414A1. Автор: 清隆石橋,石橋　清隆. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member

Номер патента: US6818852B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Masaki Hirayama,Tetsuya Goto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Electrode cooling system in a multi-electrode microwave plasma excitation source

Номер патента: US20140042888A1. Автор: Edward Reszke,Krzysztof Jankowski,Andrzej Ramsza. Владелец: Instytut Optyki Stosowanej. Дата публикации: 2014-02-13.

Microwave plasma applicator with gas cooling

Номер патента: TW477045B. Автор: Simon Yavelberg,Dmitry Lubomirsky,Harald Herchen,David Palagashvili,Donald J Olgado. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supplying method

Номер патента: US20150015139A1. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supply method

Номер патента: JP6178140B2. Автор: 聡川上,和史金子,俊彦岩尾. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supplying method

Номер патента: KR20150007257A. Автор: 가즈시 가네코,사토루 가와카미,도시히코 이와오. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-01-20.

Microwave plasma processing apparatus and method of supplying microwaves using the apparatus

Номер патента: TW201010520A. Автор: Shinya Nishimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-01.

Device and method for producing microwave plasma with a high plasma density

Номер патента: EP2080424B1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2011-07-06.

Device and method for producing microwave plasma with a high plasma density

Номер патента: CA2666125A1. Автор: Ralf Spitzl. Владелец: Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh. Дата публикации: 2008-04-24.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: US20210057190A1. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: VESTLANDETS INNOVASJONSSELSKAP AS. Дата публикации: 2021-02-25.

Microwave plasma device

Номер патента: US20140377966A1. Автор: Lee Chen,Merritt Funk,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20190318917A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Williams Stephen David,Brandon John Robert,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb,WILMAN HELEN. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2019-10-17.

Microwave Plasma Processing Apparatus And Method

Номер патента: KR950027912A. Автор: 다다시 기무라,요시까즈 요시다,시니찌 미즈구찌,야스나오 오까자끼. Владелец: 마쯔시다 덴끼 산교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-10-18.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP3020580B2. Автор: 徹大坪,一郎佐々木,和博大原. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-03-15.

Microwave plasma generator with the short cross-sectional side of the resonator parallel to the chamber axis

Номер патента: US6198224B1. Автор: Benedikt Aschermann,Ralf Spitzl,Marko Walter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-06.

Device for microwave plasma generation

Номер патента: EP0434933B1. Автор: Roland Dr. Gesche,Karl-Heinz Dr. Kretschmer. Владелец: Leybold AG. Дата публикации: 1995-05-24.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: GB201021865D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CN103339707A. Автор: J·R·布莱顿,A·L·卡伦,S·D·威廉斯,J·M·多德森,J·J·威尔曼,C·J·H·沃特. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-10-02.

Microwave plasma reactor

Номер патента: GB0516695D0. Автор: . Владелец: BOC Group Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Microwave plasma generating device

Номер патента: KR930011765B1. Автор: 요시카즈 요시다. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1993-12-20.

Microwave plasma reactor and deposition apparatus incorporating such a reactor.

Номер патента: FR2694474B1. Автор: Jacques Bernard. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1994-10-14.

Microwave plasma processing system

Номер патента: DE69524671T2. Автор: Hiroshi Mabuchi,Katsuo Katayama,Takeshi Akimoto,Kyoichi Komachi. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-08-14.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: EP2656372A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: SG191217A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Microwave plasma generator

Номер патента: JPWO2003037503A1. Автор: 片山　秀雄,秀雄片山,節安斎. Владелец: 節安斎. Дата публикации: 2005-02-17.

Microwave plasma apparatus

Номер патента: GB0421998D0. Автор: . Владелец: C Tech Innovation Ltd. Дата публикации: 2004-11-03.

Microwave plasma processing system

Номер патента: DE69524671D1. Автор: Hiroshi Mabuchi,Katsuo Katayama,Takeshi Akimoto,Kyoichi Komachi. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2821624A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Microwave plasma containment shield shaping

Номер патента: US20100078320A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Microwave plasma processing apparatus and method

Номер патента: EP0653775B1. Автор: Yoshiaki Sato,Katsuyoshi Kudo,Minoru Soraoka,Hideki Kihara,Tsuyoshi Umemoto,Hironobu Kawahara,Mitsuru Katamoto,Tooru Yukimasa,Hirofumi Kakutani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-10.

Microwave plasma containment shield shaping

Номер патента: WO2010036489A3. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-05-27.

Workpiece treatment chamber with the rotary microwave plasma antenna containing open flume type helix waveguide

Номер патента: CN107112190A. Автор: 迈克尔·W·斯托厄尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Microwave plasma sterilization apparatus and sterilization method using the same

Номер патента: JP4716457B2. Автор: 雅章永津. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2011-07-06.

Method and apparatus for film formation by high pressure microwave plasma chemical vapour deposition

Номер патента: EP0415122A3. Автор: Yuzo Mori. Владелец: MIKAKUTO PRECISION ENGINEERING RESEARCH INSTITUTE Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-29.

Microwave plasma etching unit

Номер патента: JPS55134175A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Sadayuki Okudaira,Ichiro Shikamata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-10-18.

Apparatus and method for generating dielectric layers in microwave plasma

Номер патента: DE102008036766B4. Автор: Dr. Gschwandtner Alexander,Dr. Lerch Wilfried,Dr. Nenyei Zsolt,Dr. Theiler Thomas. Владелец: Mattson Thermal Products Gmbh. Дата публикации: 2013-08-01.

Microwave plasma emitter device cavity resonator

Номер патента: TW201446080A. Автор: Shuitsu Fujii,Katsumi Oi. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-01.

Gas tube end cap for a microwave plasma generator

Номер патента: WO2004021392A1. Автор: Albert Wang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2004-03-11.

PRODUCTION PLANT FOR MICROWAVE PLASMA

Номер патента: FR2974701A1. Автор: Louis Latrasse,Marilena Radoiu,Jean-Marie Jacomino,Adrien Grandemenge. Владелец: SAIREM SOC POUR L APPLIC IND de la RECH EN ELECTRONIQUE ET MICRO ONDES. Дата публикации: 2012-11-02.

Device for forming functional deposited film by microwave plasma cvd method

Номер патента: JPS63114973A. Автор: Yasutomo Fujiyama,藤山　靖朋. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-05-19.

PRODUCTION PLANT FOR MICROWAVE PLASMA

Номер патента: FR2974701B1. Автор: Louis Latrasse,Marilena Radoiu,Jean-Marie Jacomino,Adrien Grandemenge. Владелец: SAIREM SOC POUR L APPLIC IND de la RECH EN ELECTRONIQUE ET MICRO ONDES. Дата публикации: 2014-03-21.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: SG11202010162XA. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: VESTLANDETS INNOVASJONSSELSKAP AS. Дата публикации: 2020-11-27.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: IL278483B. Автор: . Владелец: VESTLANDETS INNOVASJONSSELSKAP AS. Дата публикации: 2022-03-01.

High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation

Номер патента: WO2010025099A2. Автор: Alexander S. Perel,Costel Biloiu,Jay T. Scheuer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-03-04.

Microwave radiation antenna, microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: US09548187B2. Автор: Hiroyuki Miyashita,Shigeru Kasai,Taro Ikeda,Yutaka Fujino,Yuki Osada,Akira Tanihara,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields

Номер патента: US09831066B1. Автор: Chaolin Hu,Mohammad Kamarehi,Olivia Keller. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Microwave plasma applicator with improved power uniformity

Номер патента: US09653266B2. Автор: XING Chen,Kevin W. Wenzel,Chengxiang Ji,Erin MADDEN,Ilya Pokidov. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

MICROWAVE RADIATION ANTENNA, MICROWAVE PLASMA SOURCE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140158302A1. Автор: IKEDA Taro,Kasai Shigeru,Osada Yuki,KOMATSU Tomohito,MIYASHITA Hiroyuki,FUJINO Yutaka,TANIHARA Akira. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-06-12.

Microwave plasma source and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: KR101943754B1. Автор: 도시오 나카니시,고지 고타니,소우이치 니시지마,한천수. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-01-29.

MICROWAVE PLASMA SOURCE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20180127880A1. Автор: Nakanishi Toshio,HAN Cheonsoo,Kotani Koji,Nishijima Souichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

MICROWAVE EMISSION MECHANISM, MICROWAVE PLASMA SOURCE AND SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140361684A1. Автор: IKEDA Taro,Osada Yuki,KOMATSU Tomohito,MIYASHITA Hiroyuki,FUJINO Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Apparatus and method for uniform microwave plasma processing using TE1101 modes

Номер патента: US5302803A. Автор: Joseph L. Cecchi,James E. Stevens. Владелец: Consortium for Surface Processing Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Plasma Treatment Device with Two Microwave Plasma Sources Coupled to One Another, and Method for Operating a Plasma Treatment Device of this Kind

Номер патента: US20190252156A1. Автор: Mai Joachim. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: US20120090782A1. Автор: Taro Ikeda,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Microwave Plasma Source and Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20170032933A1. Автор: IKEDA Taro,Harada Tamotsu,HARA Emiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: KUDELA Jozef,Tanaka Tsutomu,BERA KALLOL,FORSTER John C.,SUBRAMANI ANANTHA K.,Dzilno Dmitry A.,Shervegar Avinash,Garachtchenko Alexander V.,LI Xiaopu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

MICROWAVE PLASMA SOURCE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20160284516A1. Автор: IKEDA Taro,Kasai Shigeru,YAMAMOTO Nobuhiko,TANIHARA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

ANTENNA, MICROWAVE PLASMA SOURCE INCLUDING THE SAME, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170330727A1. Автор: Lee Sangheon,Park YongKyun,LEE Dongsoo,LEE YEONGKWANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

MICROWAVE PLASMA SOURCE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20160358757A1. Автор: IKEDA Taro,KOMATSU Tomohito. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Antenna, microwave plasma source including antenna, and plasma processing apparatus

Номер патента: CN107454732B. Автор: 李永光,李尚宪,李东洙,朴龙均. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-26.

Antenna, microwave plasma source including the same, plasma processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10553401B2. Автор: Sangheon Lee,Dongsoo Lee,Yongkyun Park,Yeongkwang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

MICROWAVE PLASMA SOURCE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20150170881A1. Автор: IKEDA Taro,KOMATSU Tomohito,FUJINO Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

antenna, microwave plasma source including the same, and plasma processing apparatus

Номер патента: KR20170129332A. Автор: 이상헌,이동수,박용균,이영광. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-27.

TUNER, MICROWAVE PLASMA SOURCE AND IMPEDANCE MATCHING METHOD

Номер патента: US20160276139A1. Автор: Osada Yuki,MIYASHITA Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

MODULAR MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20200381217A1. Автор: Chua Thai Cheng,KRAUS Philip Allan. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Waveguide Antenna type Microwave Plasma Source

Номер патента: KR101952834B1. Автор: 이호준,차주홍. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-02-27.

Microwave plasma processing device, dielectric window manufacturing method and microwave plasma processing method

Номер патента: CN101155463A. Автор: 大见忠弘,平山昌树,堀口贵弘. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2008-04-02.

MODULAR MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20180053634A1. Автор: Chua Thai Cheng,KRAUS Philip Allan. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Microwave Plasma Source With Split Window

Номер патента: US20190311886A1. Автор: KUDELA Jozef,Tanaka Tsutomu,Ramasamy Balamurugan,Chandrasekar Siva,Dzilno Dmitry A.,Shah Kartik,Truong Quoc,Shervegar Avinash,Garachtchenko Alexander V.,Xia Yanjun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Tuner and microwave plasma source

Номер патента: CN102365785B. Автор: 池田太郎,河西繁,长田勇辉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Microwave plasma process device, plasma ignition method, plasma forming method, and plasma process method

Номер патента: KR100573210B1. Автор: 다다히로 오미,히라야마마사키,스가와시게토시,고토데츠야. Владелец: 다다히로 오미. Дата публикации: 2006-04-24.

Microwave plasma process apparatus, plasma ignition method, plasma formation method, and plasma process method

Номер патента: JP4799748B2. Автор: 忠弘大見,昌樹平山,成利須川,哲也後藤. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MICROWAVE SUPPLYING METHOD

Номер патента: US20160172163A1. Автор: Iwao Toshihiko,Kawakami Satoru,KANEKO Kazushi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of Efficient Coaxial Delivery of Microwaves into a Mode Stabilized Resonating Chamber for the Purpose of Deposition of Microwave Plasma CVD Polycrystalline Diamond Films

Номер патента: US20170253963A1. Автор: Eissler Elgin E.,Sabens David. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Microwave plasma generating device and method for operating same

Номер патента: KR101880702B1. Автор: 요하임 마이,헤르만 쉴렘. Владелец: 마이어 버거 (저머니) 게엠베하. Дата публикации: 2018-07-20.

REMOTE PLASMA APPARATUS FOR GENERATING HIGH-POWER DENSITY MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20220415617A1. Автор: MOALEM MEHRAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Microwave plasma torch and method for generating plasma

Номер патента: KR100189311B1. Автор: 다다시 기무라,시니찌 미즈구찌,요시카즈 요시다,요시노부 나가노,도루 가와세. Владелец: 마쓰시따 덴끼 상교가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-01.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, SLOT ANTENNA, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150013907A1. Автор: SENDA Takahiro,Iwao Toshihiko,Fujii Toru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-15.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, SLOT ANTENNA, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150013911A1. Автор: Iwao Toshihiko,KANEKO Kazushi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-15.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, SLOT ANTENNA, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150013912A1. Автор: Iwao Toshihiko,Fujii Toru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-15.

MICROWAVE PLASMA DEVICE

Номер патента: US20210084743A1. Автор: Spitzl Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Microwave plasma generating device and method for operating same

Номер патента: US20150091442A1. Автор: Mai Joachim,SCHLEMM Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

MICROWAVE PLASMA REACTORS

Номер патента: US20140220261A1. Автор: Asmussen Jes,Gu Yajun,Grotjohn Timothy A.. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

METHODS AND APPARATUS FOR MICROWAVE PLASMA ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTORS

Номер патента: US20200152433A1. Автор: Asmussen Jes,Grotjohn Timothy A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD FOR OXIDIZING A SILICON CARBIDE BASED ON MICROWAVE PLASMA AT AN AC VOLTAGE

Номер патента: US20200152451A1. Автор: Liu Xinyu,Chen Hong,BAI YUN,Tian Xiaoli,TANG Yidan,YANG Chengyue,WANG Shengkai,HAN Zhonglin. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHODS AND APPARATUS FOR MICROWAVE PLASMA ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTORS

Номер патента: US20170183778A1. Автор: Lu Jing,Asmussen Jes,Gu Yajun,Nad Shreya. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

WORKPIECE PROCESSING CHAMBER HAVING A ROTARY MICROWAVE PLASMA ANTENNA WITH SLOTTED SPIRAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20160196955A1. Автор: Stowell Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160217979A1. Автор: Kim Jaeho,Sakakita Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140308461A1. Автор: Williams Stephen David,Brandon John Robert,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-10-16.

FOCALIZED MICROWAVE PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200211825A1. Автор: Chang Chih-Chen,Huang Kun-Ping,Chi Yu-Wen. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2020-07-02.

METHODS AND APPARATUS FOR MICROWAVE PLASMA ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTORS

Номер патента: US20200216960A1. Автор: Lu Jing,Asmussen Jes,Gu Yajun,Nad Shreya. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

MICROWAVE PLASMA APPLICATOR WITH IMPROVED POWER UNIFORMITY

Номер патента: US20150279626A1. Автор: Chen Xing,Ji Chengxiang,Pokidov Ilya,Wenzel Kevin W.,Madden Erin. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Apparatus for generating thermodynamically cold microwave plasma

Номер патента: US20140361689A1. Автор: Weisgerber Jonas Martin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US20170271132A1. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2017-09-21.

TRANSPARENT PRESSURE BARRIER FOR MICROWAVE PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20200287258A1. Автор: Stowell Michael W.,Williams Peter Todd. Владелец: Lyten, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

MICROWAVE PLASMA APPLICATOR WITH IMPROVED POWER UNIFORMITY

Номер патента: US20150318148A1. Автор: Chen Xing,Ji Chengxiang,Pokidov IIya,Wenzel Kevin W.,Madden Erin. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: US20190326097A1. Автор: Scullin Matthew L.,Miao Yong,Ma Yi,Griffin Christopher E.,Lu Di,ZHU Jinhua,Wu Jianxin,Ai Yonggan. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

COMPACT MICROWAVE PLASMA APPLICATOR UTILIZING CONJOINING ELECTRIC FIELDS

Номер патента: US20170345622A1. Автор: Hu Chaolin,Kamarehi Mohammad,Keller Olivia. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2017-11-30.

Microwave plasma processing method and apparatus

Номер патента: JP4595276B2. Автор: 恒久並木,敏秀家木,亮小林,幸司山田,秀夫倉島. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2010-12-08.

Device for processing microwave plasma

Номер патента: JPS5776843A. Автор: Hiroshi Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-05-14.

Method of treatment with a microwave plasma

Номер патента: KR100830911B1. Автор: 나미키츠네히사,이에키도시히데,고바야시아키라,야마다코지,구라시마히데오. Владелец: 도요 세이칸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-05-22.

Pocket Size Microwave Plasma Generator with Improved Manufacture Convenience And Structural Stability

Номер патента: KR101458592B1. Автор: 이현우. Владелец: 주식회사 메디플. Дата публикации: 2014-11-07.

Linear microwave plasma generating device

Номер патента: KR101980273B1. Автор: 김영우,이강일,최용섭,장수욱,이희재. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2019-05-21.

Apparatus for generating thermodynamically cold microwave plasma

Номер патента: EP2751826B1. Автор: Martin Weisgerber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-14.

Compact microwave plasma applicator utilizing combined electric field

Номер патента: CN109155229B. Автор: 穆罕默德·卡马雷希,胡朝林,奥利维亚·凯勒. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-10.

Microwave Plasma Burner

Номер патента: KR100522658B1. Автор: 박유병,닥닥키쉬빌리엠아이,크리스닌에스아이,코지이고르. Владелец: 주식회사 대원팝틴폼. Дата публикации: 2005-10-20.

Microwave plasma generating device and method for operating same

Номер патента: CN104380429A. Автор: J·迈,H·施勒姆. Владелец: Roth and Rau AG. Дата публикации: 2015-02-25.

Compact device and method having good efficiency for generating remote microwave plasma

Номер патента: JPH1174097A. Автор: Yashraj K Bkatnagar,ケー．バートナガーヤシュラージ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Microwave Plasma Device for Exhaust Gas Trap of Deposition Process And Exhaust Gas Trap of Deposition Process Having the Same

Номер патента: KR102085726B1. Автор: 이성은,김대운,장현석,이봉주. Владелец: (주)그린사이언스. Дата публикации: 2020-04-23.

DEVICE AND METHOD FOR DEPOSITING DIAMOND BY DCPV ASSISTED BY MICROWAVE PLASMA.

Номер патента: FR2678956A1. Автор: Moisan Michel,Bou Pierre,Coulon Michel,Vandenbulcke Lionel,Quilgars Alain. Владелец: Pechiney Recherche GIE. Дата публикации: 1993-01-15.

DEVICE AND METHOD FOR DEPOSITING DIAMOND BY MICROWAVE PLASMA ASSISTED DCPV.

Номер патента: FR2678956B1. Автор: Moisan Michel,Bou Pierre,Coulon Michel,Vandenbulcke Lionel,Quilgars Alain. Владелец: Pechiney Recherche GIE. Дата публикации: 1993-09-24.

Apparatus and process for remote microwave plasma generation

Номер патента: EP0874386A3. Автор: Yashraj K. Bkatnagar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-11-25.

Method of treatment with a microwave plasma

Номер патента: EP1220281A3. Автор: Akira c/o Toyo Seikan Group Kobayashi,Tsunehisa c/o Toyo Seikan Group Namiki,Toshihide c/o Toyo Seikan Group Ieki,Koji c/o Toyo Seikan Group Yamada,Hideo c/o Toyo Seikan Group Kurashima. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2007-01-17.

Microwave plasma processing apparatus and use method thereof

Номер патента: CN101521151A. Автор: 大见忠弘,平山昌树. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-09-02.

Microwave plasma applicator with improved power uniformity

Номер патента: CN106465530A. Автор: 陈星�,冀成相,艾琳·马登,伊利雅·波可多夫,凯文·W·文策尔. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2670623B2. Автор: 康浩鈴木,澄雄森,英二藤山,正巳佐々木. Владелец: アネルバ株式会社. Дата публикации: 1997-10-29.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: EP0380119B1. Автор: Shuzo C/O Fujitsu Limited Fujimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-07-13.

Atmospheric pressure microwave plasma generating device with self-ignition function

Номер патента: KR101936595B1. Автор: 김종훈,한재영. Владелец: 주식회사 에어브릿지. Дата публикации: 2019-01-09.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: KR101454569B1. Автор: 존 로버트 브랜든,알렉산더 램 컬렌,조셉 마이클 더슨,스테픈 데이빗 윌리엄스. Владелец: 엘리멘트 식스 리미티드. Дата публикации: 2014-10-23.

Microwave plasma applicator with improved power uniformity

Номер патента: EP3123840B1. Автор: XING Chen,Kevin W. Wenzel,Chengxiang Ji,Erin MADDEN,Ilya Pokidov. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Apparatus and process for dcpv diamond deposit assisted by microwave plasma

Номер патента: CA2073645A1. Автор: Michel Moisan,Michel Coulon,Pierre Bou,Lionel Vandenbulcke,Alain Quilgars. Владелец: Alain Quilgars. Дата публикации: 1993-01-13.

High power microwave plasma applicator

Номер патента: JP3989584B2. Автор: エス．ロウカム,シー．エッティンガーゲイリー,シャンクアンヤン. Владелец: エーケーティー株式会社. Дата публикации: 2007-10-10.

Treating apparatus using microwave plasma

Номер патента: KR940002736B1. Автор: 류조 호오진,나오끼 스즈끼. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1994-03-31.

High power microwave plasma applicator

Номер патента: KR100491214B1. Автор: 씨. 에팅거 게리,샹 쿠안유안,에스. 로 캄. Владелец: 에이케이티 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-08-04.

Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields

Номер патента: WO2017205034A3. Автор: Chaolin Hu,Mohammad Kamarehi,Olivia Keller. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of treatment with a microwave plasma

Номер патента: TWI262748B. Автор: Koji Yamada,Tsunehisa Namiki,Akira Kobayashi,Hideo Kurashima,Toshihide Ieki. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2006-09-21.

Microwave plasma processing apparatus and method therefor

Номер патента: CN1168422A. Автор: 铃木伸昌. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-12-24.

Apparatus for generating thermodynamically cold microwave plasma

Номер патента: WO2013029593A3. Автор: Martin Weisgerber. Владелец: Martin Weisgerber. Дата публикации: 2013-04-25.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: CN1038673A. Автор: 村上勉,金井正博,川上一郎,新井孝至. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-01-10.

Microwave plasma processing device.

Номер патента: DE69010516D1. Автор: Shuzo Fujimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-18.

Microwave plasma reactor for treating harmful gas and apparatus for treating harmful gas with the same

Номер патента: KR101946936B1. Автор: 김민재,이상현,강경두. Владелец: (주)클린팩터스. Дата публикации: 2019-05-08.

High-power microwave plasma reaction unit for chemical vapor deposition of diamond films

Номер патента: CN104388910A. Автор: 高洁,安康,贺志勇,于盛旺,黑鸿君,刘小萍. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-03-04.

Microwave Plasma Processing Apparatus and Method Therefor

Номер патента: KR970068751A. Автор: 노부마사 스즈끼. Владелец: 미따라이 하지메. Дата публикации: 1997-10-13.

Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields

Номер патента: EP3465728A4. Автор: Chaolin Hu,Mohammad Kamarehi,Olivia Keller. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Microwave plasma CVD of NANO structured tin/carbon composites

Номер патента: US8221853B2. Автор: Robert Kostecki,Marek Marcinek. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-07-17.

A microwave plasma reactor for diamond synthesis

Номер патента: GB201021860D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: EP2656375B1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,John Robert Brandon,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: CN115161763A. Автор: 王曙光,唐挺,王耀光,刘艺昭. Владелец: Chengdu Oula Microwave Components Co ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Microwave plasma treating method and its device

Номер патента: JPS57184224A. Автор: Hiroshi Yano,Mikio Fujii,Hideki Miyaji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-12.

Plasma source of linear ion beam

Номер патента: WO2001022465A1. Автор: Elena Alexandrovna Kralkina,Vladimir Borisovich Pavlov,Gleb Elmirovich Bugrov,Sergei Gennadievich Kondranin. Владелец: Plasma Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-03-29.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: US20160358757A1. Автор: Taro Ikeda,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Modular precipitation reactor using microwave plasma

Номер патента: RU2725428C1. Автор: Аликс ЖИКЕЛЬ,ПОРТ Франсуа ДЕ. Владелец: Диам Консепт. Дата публикации: 2020-07-02.

Microwave plasma reactor for synthetic diamond material

Номер патента: RU2666135C2. Автор: Джеффри Алан СКАРСБРУК,Джон Роберт БРЭНДОН,Айан ФРАЙЕЛ,Майкл Эндрю КУПЕР,Бен Льюлин ГРИН. Владелец: Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед. Дата публикации: 2018-09-06.

Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma source

Номер патента: WO2015187322A1. Автор: Qiwei Liang,Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-12-10.

Microwave Plasma Source, Microwave Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method

Номер патента: US20180218880A1. Автор: Yasuaki Taniike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Microwave plasma source, microwave plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11942308B2. Автор: Yasuaki Taniike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Microwave plasma source, microwave plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11056317B2. Автор: Yasuaki Taniike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same

Номер патента: US09506142B2. Автор: Hirotaka TOYODA,Kensuke Sasai. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2016-11-29.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US09410242B2. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Microwave plasma light source

Номер патента: RU2569320C2. Автор: Эндрю Саймон Нит,Барри ПРЕСТОН. Владелец: Сиравижэн Лимитед. Дата публикации: 2015-11-20.

Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area

Номер патента: US09637838B2. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Matthew Lee Markham,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacturing

Номер патента: RU2543986C2. Автор: Джеффри Алан СКАРСБРУК,Джон Роберт БРЭНДОН,Александр Лэмб КАЛЛЕН,Джозеф Майкл ДОДСОН,Кристофер Джон Ховард УОРТ,Карлтон Найджел ДОДЖ,Пол Николас ИНГЛИС,Тимоти Питер МОЛЛАРТ,Чарлз Саймон Джеймс ПИКЛЕС,Стивен Эдвард КОЭ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-03-10.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2946433A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-12-23.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2946433C. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Microwave plasma reactors

Номер патента: US09890457B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen,Yajun Gu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-02-13.

Microwave Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20070283887A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Caizhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US7895971B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Caizhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of Manufacture of Free Standing Microwave Plasma CVD Polycrystalline Diamond Films with Major Dimensions on the Order of One Wavelength of the Utilized Microwave

Номер патента: US20170298515A1. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Microwave plasma processing device

Номер патента: EP3041324A1. Автор: Jaeho Kim,Hajime Sakakita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-07-06.

PEALD titanium nitride with direct microwave plasma

Номер патента: US11823870B2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Arkaprava Dan,Joseph AuBuchon,Kyoung Ha Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Flim forming method of carbon-containing film by microwave plasma

Номер патента: US12018375B2. Автор: Takashi Matsumoto,Makoto Wada,Masahito Sugiura,Ryota IFUKU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Modular reactor for microwave plasma-assisted deposition

Номер патента: US11859279B2. Автор: Alix Gicquel,Francois Des Portes. Владелец: Diam Concept. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods and systems for reclamation of li-ion cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: US20220223379A1. Автор: Richard K. Holman,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Methods and systems for reclamation of li-ion cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4275239A1. Автор: Richard K. Holman,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Reflector system for electrode-less plasma source

Номер патента: US20100135026A1. Автор: Martin Soerensen,Kaichang Lu. Владелец: Martin Professional ApS. Дата публикации: 2010-06-03.

Hall current plasma source having a center-mounted or a surface-mounted cathode

Номер патента: US09934929B1. Автор: John D. Williams,Rafael A. MARTINEZ,Joel A. Moritz, Jr.,Casey C. Farnell. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for operation instability detection in a surface wave plasma source

Номер патента: US20180005805A1. Автор: Alok Ranjan,Sergey Voronin,Jason MARION. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma source for a plasma CVD apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source

Номер патента: US09922805B2. Автор: Kazunobu Maeshige,Yuki Aoshima,Nobutaka Aomine,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma source, and atomic clock employing said plasma source

Номер патента: EP4357860A1. Автор: Hideki Takagi,Shinya Yanagimachi,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Taisei Motomura,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-04-24.

Method of obtaining a graded PECVD layer and plasma source assembly.

Номер патента: NL2016487A. Автор: Willemijn Petronel Elisabeth Lamers Machteld,Wouter Weeber Arthur. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-10-02.

Method of obtaining a graded pecvd layer and plasma source assembly

Номер патента: WO2017164742A1. Автор: Arthur Wouter Weeber,Machteld Willemijn Petronel Elisabeth Lamers. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-09-28.

Plasma source, and atomic clock employing plasma source

Номер патента: US20240276626A1. Автор: Hideki Takagi,Shinya Yanagimachi,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Taisei Motomura,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-15.

Split-Ring Resonator Plasma Source

Номер патента: US20160123927A1. Автор: Anders Persson,Martin BERGLUND,Greger THORNELL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Structure variable type of a plasma source coil and a method for controlling the same

Номер патента: US20210335583A1. Автор: Sang Woo Lee,Woo Hyung CHOI. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Symmetrical plural-coil plasma source with side RF feeds and RF distribution plates

Номер патента: US09870897B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Plasma source

Номер патента: US09805918B2. Автор: Eric Silberberg,Vincent Leclercq,Florin Daniel DUMINICA,Alain DANIEL. Владелец: ARCELORMITTAL INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO SL. Дата публикации: 2017-10-31.

Abatement system having a plasma source

Номер патента: US09552967B2. Автор: Colin John Dickinson,Roger M. Johnson,Rongping Wang,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Single beam plasma source

Номер патента: CA3103016C. Автор: Qi Hua Fan,Thomas Schuelke,Lars Haubold,Michael Petzold. Владелец: Fraunhofer USA Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US11716805B2. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US11224116B2. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: WO2019079325A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-25.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US20230354502A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: EP3698395A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-08-26.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US20200253034A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US20220117074A1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long,Ricky Marsh,Yuhou WANG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Thermal management for instruments including a plasma source

Номер патента: CA3172375C. Автор: Brian Chan,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Andrew Icasiano. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Canada Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Microwave induced plasma source

Номер патента: US5086255A. Автор: Makoto Yasuda,Yukio Okamoto,Masataka Koga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-02-04.

Adaptively plasma source and method of processing semiconductor wafer using the same

Номер патента: EP1800333A1. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source

Номер патента: WO2002079815A2. Автор: Jaime Li,Peter Maschwitz. Владелец: Cpfilms, Inc.. Дата публикации: 2002-10-10.

Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source

Номер патента: EP1372897A4. Автор: Jaime Li,Peter Maschwitz. Владелец: CPFilms Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source

Номер патента: EP1372897A2. Автор: Jaime Li,Peter Maschwitz. Владелец: CPFilms Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source

Номер патента: WO2002079815B1. Автор: Jaime Li,Peter Maschwitz. Владелец: CPFilms Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Dynamic Phased Array Plasma Source For Complete Plasma Coverage Of A Moving Substrate

Номер патента: US20240162020A1. Автор: Hari Ponnekanti,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamic phased array plasma source for complete plasma coverage of a moving substrate

Номер патента: US11948783B2. Автор: Hari Ponnekanti,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Deposition reactor with plasma source

Номер патента: RU2571547C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2015-12-20.

Hollow cathode plasma source

Номер патента: MY192286A. Автор: Peter Maschwitz,John Chambers,Thomas Biquet,Hughes Wiame. Владелец: Agc Glass Europe S A. Дата публикации: 2022-08-17.

Linear plasma source with segmented hollow cathode

Номер патента: WO2018202584A1. Автор: John Chambers,Marc Datz,Hugues Wiame. Владелец: Agc Glass Company North America. Дата публикации: 2018-11-08.

Plasma source configuration

Номер патента: WO2021252095A1. Автор: Leslie Michael Lea,Edmond A. Richards,Russelll WESTERMAN,Hariharakeshava Sarpangala Hegde. Владелец: PLASMA-THERM, LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Plasma source configuration

Номер патента: EP4165676A1. Автор: Leslie Michael Lea,Edmond A. Richards,Russelll WESTERMAN,Hariharakeshava Sarpangala Hegde. Владелец: Plasma Therm LLC. Дата публикации: 2023-04-19.

Plasma display panel using helicon plasma source

Номер патента: US20030107319A1. Автор: Hun-Suk Yoo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: US09745663B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

RPS assisted RF plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US09741545B2. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of generating plasma in remote plasma source and method of fabricating semiconductor device using the same method

Номер патента: US09685346B2. Автор: Sangheon Lee,Gon-Jun KIM,Sam Hyungsam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

RPS assisted RF plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US09502218B2. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Connector assembly for an inductively coupled plasma source

Номер патента: US09450330B2. Автор: Craig PETERS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US09449794B2. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Symmetrical Plural-Coil Plasma Source with Side Rf Feeds and Rf Distribution Plates

Номер патента: US20180138014A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Symmetrical plural-coil plasma source with side rf feeds and rf distribution plates

Номер патента: US20140312766A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Techniques for controlling ion/neutral ratio of a plasma source

Номер патента: WO2017112352A1. Автор: Joseph Olson,Tsung-Liang Chen,John Hautala,Shurong Liang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2017-06-29.

Dual hexagonal shaped plasma source

Номер патента: US8454810B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Remote plasma source for chamber cleaning

Номер патента: US6109206A. Автор: Dan Maydan,Ashok K. Sinha,Romuald Nowak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Plasma source of charged particles

Номер патента: US3798488A. Автор: N Semashko,I Chukhin,N Pleshivtsev. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-03-19.

Plasma source with integral blade and method for removing materials from substrates

Номер патента: US8981251B2. Автор: Peter Joseph Yancey,Jeffrey Kingsley. Владелец: AP Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Plasma generating method in RPS(Remote Plasma Source) and method for fabricating semiconductor device comprising the same plasma generating method

Номер патента: KR20160008367A. Автор: 이상헌,김형삼,김곤준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-22.

Apparatus for introducing samples into an inductively coupled, plasma source mass spectrometer

Номер патента: CA1307360C. Автор: Hideki Matsunaga,Naoyuki Hirate. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-09-08.

Plasma sources mass spectrometry

Номер патента: US5223711A. Автор: Neil E. Sanderson,Christopher T. Tye. Владелец: Fisons Ltd. Дата публикации: 1993-06-29.

Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding

Номер патента: US10170279B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

Plasma source with integral blade and method for removing materials from substrates

Номер патента: CA2751736C. Автор: Peter Joseph Yancey,Jeffrey Kingsley. Владелец: AP Solutions Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Plasma source for rotating susceptor

Номер патента: WO2018213272A2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Kallol Bera,John C. Forster,Anantha K. Subramani,Farzad HOUSHMAND. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Sputter magnetron for operating with other plasma sources

Номер патента: US20230282466A1. Автор: Li Qin Zhou. Владелец: Scion Plasma LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnet arrangement for a plasma source for performing plasma treatments

Номер патента: US11942311B2. Автор: Jörg Vetter. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-03-26.

Rps assisted rf plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US20170125220A1. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Plasma source and switch device

Номер патента: EP4138113A3. Автор: Toshiaki Matsumoto,Hisashi Yoshida,Takaaki Murata,Hisao Miyazaki,Shigeya Kimura,Ryota Suganuma. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Rapid chamber clean using concurrent in-situ and remote plasma sources

Номер патента: US20180305814A1. Автор: James Lee,Kevin Gerber,Keith Fox,Matthew Mudrow,Jonathan CHURCH. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Plasma source and switch device

Номер патента: US20230053887A1. Автор: Toshiaki Matsumoto,Hisashi Yoshida,Takaaki Murata,Hisao Miyazaki,Shigeya Kimura,Ryota Suganuma. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Plasma source and switch device

Номер патента: EP4138113A2. Автор: Toshiaki Matsumoto,Hisashi Yoshida,Takaaki Murata,Hisao Miyazaki,Shigeya Kimura,Ryota Suganuma. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side rf feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US20140232263A1. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Remote plasma source cleaning nozzle for plasma enhanced cvd chambers

Номер патента: US20200047222A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Tae Kyung Won,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: CA3197618A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4281215A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Conversion of Organic Material to Doped Nanocarbon Structures via Microwave Plasma Pyrolysis

Номер патента: US20240286907A1. Автор: Orlando Auciello,Benjamin Stein. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-29.

Conversion of Organic Material to Nanocarbon Structures via Microwave Plasma Pyrolysis

Номер патента: US20240287711A1. Автор: Orlando Auciello,Benjamin Stein. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-29.

Hollow cathode discharge assistant transformer coupled plasma source and operation method of the same

Номер патента: US20240306284A1. Автор: Chwung-Shan Kou. Владелец: Finesse Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Laser produced plasma source

Номер патента: NL2020778A. Автор: Mark Hofstra Ramon,Hubertus Josephina Moors Johannes,Hubertus Petrus Maria Swinkels Gerardus,Pieter Van Drieënhuizen Bert,Willem Cleary Paul. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-11-14.

Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US6117764A. Автор: Thomas A. Figura,Kevin G. Donohoe,Thomas Dunbar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

MICROWAVE INTRODUCING MECHANISM, MICROWAVE PLASMA SOURCE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130180661A1. Автор: IKEDA Taro,Kasai Shigeru,Osada Yuki,MIYASHITA Hiroyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing device

Номер патента: KR101208884B1. Автор: 다로 이케다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-12-05.

Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and microwave plasma treatment device

Номер патента: WO2012032942A1. Автор: 池田　太郎,長田　勇輝,大幸宮下,河西　繁. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2012-03-15.

Microwave Plasma Source, Microwave Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method

Номер патента: US20180218880A1. Автор: Yasuaki Taniike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Microwave Plasma Source, Microwave Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method

Номер патента: US20180218883A1. Автор: Iwao Toshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Microwave plasma discharge device

Номер патента: US5961851A. Автор: Jianou Shi,Mohammad Kamarehi,Gerald Cox,Richard Pingree. Владелец: Fusion Systems Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Method for treating of surfaces and materials by microwave plasma entails producing microwave-excited plasma microwave-conducting waveguide and adapting field construction of plasma movement to defined run length

Номер патента: DE102004053003A1. Автор: Torsten Neumann,Udo Krohmann. Владелец: Krohmann Udo Dipl-Ing. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for constructing microwave plasma nozzle array, microwave plasma nozzle array unit and microwave plasma system

Номер патента: JP4896880B2. Автор: サンハンリー,ジェイジョンソキム. Владелец: SAIAN CORP. Дата публикации: 2012-03-14.

Modular microwave plasma source and plasma processing tool

Номер патента: TW202131382A. Автор: 菲利浦亞倫克勞司,泰正蔡. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-16.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: KR101774089B1. Автор: 다로 이케다,유타카 후지노,도모히토 고마츠. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-01.

Modular microwave plasma source and plasma processing tool

Номер патента: TWI721090B. Автор: 菲利浦亞倫克勞司,泰正蔡. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-11.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: KR101240842B1. Автор: 시게루 가사이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-03-08.

Plasma treatment device having a linear microwave plasma source and having a gas-conducting device

Номер патента: WO2019233703A1. Автор: Joachim Mai. Владелец: MEYER BURGER (GERMANY) GmbH. Дата публикации: 2019-12-12.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: JPWO2008013112A1. Автор: 河西　　繁,河西　繁. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Hydraulic fluid cooling of high power microwave plasma tubes

Номер патента: US5235251A. Автор: LaVerne A. Schlie. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1993-08-10.

MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20190013187A1. Автор: Meloni Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20190157045A1. Автор: Meloni Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING METHOD

Номер патента: US20170358835A1. Автор: Nakanishi Toshio,Tanaka Kouji,Aita Michitaka,Nogami Takafumi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Modular microwave plasma source

Номер патента: US11404248B2. Автор: Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Modular microwave plasma source

Номер патента: CN109564843A. Автор: 菲利普·艾伦·克劳斯,蔡泰正. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Modular microwave plasma source

Номер патента: CN113690125A. Автор: 菲利普·艾伦·克劳斯,蔡泰正. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing system

Номер патента: US6271148B1. Автор: Chien-Teh Kao,Joseph Yudovsky,Ronald L. Rose,Kenneth Tsai,Quyen Pham,Calvin R. Augason. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Microwave plasma processing apparatus, dielectric board provided with slot board for microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing dielectric board

Номер патента: TW201119521A. Автор: Masahiro Okesaku,Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-06-01.

Modular microwave plasma source

Номер патента: CN109564843B. Автор: 菲利普·艾伦·克劳斯,蔡泰正. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Microwave plasma source

Номер патента: US10923324B2. Автор: Mark A. Meloni. Владелец: Verity Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma source

Номер патента: KR102403711B1. Автор: 치웨이 리앙,마이클 더블유. 스토웰. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-05-27.

Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems

Номер патента: TW388071B. Автор: Kenneth Tsai,Quyen Pham,Ji-Tai Guo,Ronald L Rose,Calvin R Augason. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-04-21.

High pressure microwave plasma reactors

Номер патента: WO2024015294A1. Автор: Leslie Bromberg,Kim-Chinh Tran,Jorj Ian OWEN,Jonathan Whitlow. Владелец: Maat Energy Company. Дата публикации: 2024-01-18.

DEVICE FOR DEPOSITING THIN FILMS ASSISTED BY MICROWAVE PLASMA

Номер патента: FR3118280B1. Автор: Fabien Ozanne,Alexandre Bes,Anna Lacoste. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-12-02.

DEVICE FOR THE DEPOSITION OF THIN FILMS ASSISTED BY MICROWAVE PLASMA

Номер патента: FR3118280A1. Автор: Fabien Ozanne,Alexandre Bes,Anna Lacoste. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-24.

Modular reactor for microwave plasma assisted deposition

Номер патента: ES2801850T3. Автор: Alix Gicquel,Portes François Des. Владелец: Diam Concept. Дата публикации: 2021-01-14.

Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator

Номер патента: AU2014240387A1. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2015-10-01.

Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator

Номер патента: CA2905931A1. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator

Номер патента: CA2905931C. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2021-10-26.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: GB201121486D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of efficient coaxial delivery of microwaves into a mode stabilized resonating chamber for the purpose of deposition of microwave plasma CVD

Номер патента: GB201703380D0. Автор: . Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICE FOR PLASMA OXIDATION OF SIC

Номер патента: US20190362945A1. Автор: Liu Xinyu,BAI YUN,TANG Yidan,YANG Chengyue,WANG Shengkai. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Microwave plasma processing device and plasma processing gas supply member

Номер патента: CN1759204A. Автор: 山田幸司,小林亮,仓岛秀夫,并木恒久,蓝原武志,小野泽康哲. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2006-04-12.

Microwave plasma generation chamber and plasma generation method

Номер патента: JP6732006B2. Автор: ハマー，マイク. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-07-29.

Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation

Номер патента: CA2574114A1. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Jay Joongsoo Kim. Дата публикации: 2006-02-09.

Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation

Номер патента: WO2006014862A3. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Jay Joongsoo Kim. Дата публикации: 2007-01-18.

Corrugated plasma trap arrangement for creating a highly efficient downstream microwave plasma system

Номер патента: US7554053B2. Автор: Mohammad Kamarehi,Ing-Yann Albert Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Microwave plasma generation device for SiC plasma oxidation

Номер патента: CN108735570B. Автор: 刘新宇,白云,汤益丹,杨成樾,王盛凯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-06-18.

Microwave plasma reactors

Номер патента: US20130069531A1. Автор: Michael Becker,David King,Jing Lu,Jes Asmussen,Thomas Schuelke,Timothy Grotjohn,M. Kagan Yaran,Donnie K. Reinhard,Kadek W. Hemawan,Yajun Gu. Владелец: Fraunhofer USA Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

ELECTRODE COOLING SYSTEM IN A MULTI-ELECTRODE MICROWAVE PLASMA EXCITATION SOURCE

Номер патента: US20140042888A1. Автор: JANKOWSKI Krzysztof,RAMSZA Andrzej,RESZKE Edward. Владелец: Instytut Optyki Stosowanej. Дата публикации: 2014-02-13.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US20170040145A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

PEALD TITANIUM NITRIDE WITH DIRECT MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20210050186A1. Автор: Chen Hanhong,Kraus Philip A.,AuBuchon Joseph,KIM Kyoung Ha,Dan Arkaprava. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: US20150061191A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

MODULAR REACTOR FOR MICROWAVE PLASMA-ASSISTED DEPOSITION

Номер патента: US20210087676A1. Автор: GICQUEL Alix,DES PORTES François. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20220277935A1. Автор: IKEDA Taro,KOMATSU Tomohito,SATO Mikio,KAMATA Eiki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

MICROWAVE PLASMA LAMP WITH ROTATING FIELD

Номер патента: US20150155155A1. Автор: Kim Jin-Joong,Kim Kyoung-Shin. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US20150162167A1. Автор: Jin Hyuk Choi,Sang Chul Han,Seung Hun Oh,Guen Suk Lee,Young-Dong Lee,Jong Il Kee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190189398A1. Автор: IKEDA Taro,KOMATSU Tomohito,SATO Mikio,KAMATA Eiki. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Multifunctional Microwave Plasma and Ultraviolet Light Deodorization Treatment Device

Номер патента: US20190209729A1. Автор: JIANG Tianhua. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Microwave Plasma Spectrometer Using Dielectric Resonator

Номер патента: US20190215943A1. Автор: Menon Ashok,Jevtic Jovan,Pikeija Velibor. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

CHAMBERS FOR MICROWAVE PLASMA GENERATION

Номер патента: US20180228012A1. Автор: HAMMER Michael Ron. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Chemical Vapor Deposition Reactor to Grow Diamond Film by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20190242016A1. Автор: Eissler Elgin E.,Tanner Charles D.,Sabens David. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Facility for treating containers by microwave plasma, comprising a solid-state generator and adjustment method

Номер патента: US20180363141A1. Автор: Yves-Alban Duclos,Denis Turlotte. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2018-12-20.

Portable low power consumption microwave plasma generator

Номер патента: KR101012345B1. Автор: 이재구,준 최,이자 펠리페. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-02-09.

MICROWAVE PLASMA LIGHT SOURCE

Номер патента: RU2013103609A. Автор: Эндрю Саймон Нит,Барри ПРЕСТОН. Владелец: Сиравижэн Лимитед. Дата публикации: 2014-08-10.

Cavity resonator of microwave plasma generating apparatus

Номер патента: KR101614028B1. Автор: 슈이치 후지이,카츠미 오이. Владелец: 가부시키가이샤 아도테쿠 프라즈마 테쿠노로지. Дата публикации: 2016-04-20.

Microwave plasma processing method

Номер патента: KR101101026B1. Автор: 고지 야마다,히데오 쿠라시마,아키라 고바야시,쓰네히사 나미끼. Владелец: 도요 세이칸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-12-29.

Multifunction microwave plasma ultraviolet deodorization complete set of equipments

Номер патента: CN108014616A. Автор: 姜天华. Владелец: Chengdu Tiantain Medical Electronics Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Microwave plasma processing method

Номер патента: CN100447297C. Автор: 山田幸司,小林亮,仓岛秀夫,并木恒久. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2008-12-31.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond materials

Номер патента: JP6763785B2. Автор: ジェフリーアランスカーズブルック,ジェフリーアランスカーズブルック,ジョンロバートブランドン,ジョンロバートブランドン,イアンフリエル,マイケルアンドリュークーパー,マイケルアンドリュークーパー,ベンリュウリングリーン,ベンリュウリングリーン. Владелец: エレメントシックステクノロジーズリミテッド. Дата публикации: 2020-09-30.

Apparatus for the growing diamonds by microwave plasma chemical vapour deposition process and substrate stage used therein

Номер патента: KR101722478B1. Автор: 데비 샨커 미스라. Владелец: 아이아이에이 테크놀러지스 피티이. 엘티디.. Дата публикации: 2017-04-03.

Microwave plasma generating chamber

Номер патента: CN107926107B. Автор: M·哈默尔. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-07-03.

Microwave plasma processing device

Номер патента: TW201116168A. Автор: Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-01.

INSTALLATION FOR PROCESSING MICROWAVE PLASMA CONTAINERS COMPRISING A SOLID STATE GENERATOR

Номер патента: FR3035881B1. Автор: Yves-Alban Duclos,Denis Turlotte. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2019-09-27.

Microwave plasma CVD equipment

Номер патента: JP5142074B2. Автор: 良樹西林,喜之山本,貴浩今井,暁彦植田,貴一目黒. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

MODULAR REACTOR FOR MICROWAVE PLASMA-ASSISTED DEPOSITION

Номер патента: FR3060024B1. Автор: Alix Gicquel,Francois Des Portes. Владелец: Diam Concept. Дата публикации: 2019-05-31.

Facility for treating containers by microwave plasma, comprising a solid-state generator and adjustment method

Номер патента: EP3292229B1. Автор: Yves-Alban Duclos,Denis Turlotte. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2020-09-16.

Cavity resonator of microwave plasma generator

Номер патента: JP5458427B1. Автор: 修逸藤井,克己大井. Владелец: 株式会社アドテックプラズマテクノロジー. Дата публикации: 2014-04-02.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP5297885B2. Автор: 伸也西本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Chambers for microwave plasma generation

Номер патента: US10327321B2. Автор: Michael Ron Hammer. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2019-06-18.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP5001862B2. Автор: 崎幸一山,野正樹佐. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: CN102362557A. Автор: 石桥清隆. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Form the microwave plasma chemical vapor deposition method and the equipment of big area film continuously

Номер патента: CN1048568A. Автор: 金井正博,狩谷俊光,松山深照,藤岡靖,武井哲也,中川克巳,越前裕. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-01-16.

Microwave plasma based applicator

Номер патента: JP2872637B2. Автор: ハーチェンヘラルド,ブラウンウィリアム. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-17.

Method and device for microwave plasma deposition of a coating on a thermoplastic container surface

Номер патента: US20090229521A1. Автор: Jean-Michel Rius,Yann Pernel. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2009-09-17.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: US9738970B2. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

DEPOSITION INSTALLATION, USING MICROWAVE PLASMA, INTERNAL BARRIER COATING IN THERMOPLASTIC CONTAINERS

Номер патента: FR2907037B1. Автор: Yves Alban Duclos. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2009-01-09.

Cavity resonator of microwave plasma generator

Номер патента: JPWO2014192062A1. Автор: 修逸藤井,克己大井,藤井　修逸. Владелец: Adtec Plasma Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Microwave plasma emitter device cavity resonator

Номер патента: WO2014192062A1. Автор: 克己大井,藤井　修逸. Владелец: 株式会社アドテックプラズマテクノロジー. Дата публикации: 2014-12-04.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: KR101454568B1. Автор: 존 로버트 브랜든,티모시 피터 몰라트,알렉산더 램 컬렌,조셉 마이클 더슨,칼톤 니젤 다지,폴 니콜라스 잉글리스,제프리 앨런 스카스브룩,찰스 시몬 제임스 피클스,스티븐 에드워드 코에,크리스토퍼 존 하워드 워트. Владелец: 엘리멘트 식스 리미티드. Дата публикации: 2014-10-23.

Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator

Номер патента: US10285256B2. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2019-05-07.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: KR102131539B1. Автор: 다로 이케다,도모히토 고마츠,미키오 사토,에이키 가마타. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-07-07.

Microwave plasma chemical synthesis of ultrafine powders

Номер патента: US20030172772A1. Автор: Krupashankara Sethuram,Raja Kalyanaraman. Владелец: Materials Modification Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Microwave plasma chemical vapour deposition apparatus

Номер патента: PT2836622T. Автор: Shanker Misra Devi. Владелец: Iia Tech Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Microwave plasma abatement apparatus

Номер патента: KR101593687B1. Автор: 앤드류 제임스 시레이,제임스 로버트 스미스,마리레나 라도이우. Владелец: 에드워즈 리미티드. Дата публикации: 2016-02-12.

Method for Rounding and Trimming Edges of Nanowires by Microwave Plasma

Номер патента: KR102396835B1. Автор: 코리 바이다,칸다바라 엔 타필리,잉 트리켓,치히로 타무라,게리트 제이 뢰싱크,카오루 마에카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-05-10.

Method and device for microwave plasma deposition of a coating on a thermoplastic container surface

Номер патента: CN1717961A. Автор: 让-米歇尔·里于斯,Y·佩内尔. Владелец: Sidel SA. Дата публикации: 2006-01-04.

Microwave plasma processing device

Номер патента: WO2006092985A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Kiyotaka Ishibashi,Nobuhiko Yamamoto,Caizhong Tian. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-09-08.

Portable Electrodless Microwave Plasma Torch

Номер патента: KR20000018134A. Автор: 엄환섭,홍용철,이수창. Владелец: 홍용철. Дата публикации: 2000-04-06.

Use the microwave plasma spectrometer of dielectric resonator

Номер патента: CN105122042B. Автор: 约万·耶夫蒂奇,阿肖克·梅农,韦利博尔·皮凯利亚. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2019-09-20.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: KR101256850B1. Автор: 키요타카 이시바시. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-04-22.

Chambers for microwave plasma generation

Номер патента: AU2016304411A1. Автор: Mike Hammer. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-03-15.

A kind of microwave plasma device of non-rotating

Номер патента: CN108666202A. Автор: 刘静,戴军,阮存军,李仁杰,孔德胤. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-10-16.

Microwave plasma generation and the magnetron sputtering film formation device of this device of employing

Номер патента: CN103262663B. Автор: 笹井建典,丰田浩孝. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2016-12-14.

Curved microwave plasma line source for coating of three-dimensional substrates

Номер патента: TW201129713A. Автор: Michael W Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Microwave plasma generating apparatus and process for the preparation of diamond thin film utilizing same

Номер патента: EP0420117A2. Автор: Kazuyuki Fukumoto,Ryohei Itatani. Владелец: Idemitsu Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1991-04-03.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: GB2486784B. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Modular reactor for microwave plasma-assisted deposition

Номер патента: CN110268095B. Автор: A.吉克奎尔,F.德斯波特斯. Владелец: Diam Concept. Дата публикации: 2021-12-28.

Microwave plasma generating apparatus and process for preparing diamond layer by utilizing same

Номер патента: CA2069942A1. Автор: Toshio Isozaki,Nariyuki Hayashi,Ryohei Itatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-02.

Device for forming functional deposited film by microwave plasma cvd method

Номер патента: JPS6347366A. Автор: Yasutomo Fujiyama,藤山　靖朋. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-02-29.

Microwave plasma processing device

Номер патента: WO2015030191A1. Автор: 金　載浩,創榊田. Владелец: 独立行政法人産業技術総合研究所. Дата публикации: 2015-03-05.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US20100307685A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hiroshi Kobayashi,Koji Maekawa,Caizhong Tian,Kinya Ota,Toshihiko Shiozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Microwave plasma abatement system

Номер патента: JP5485550B2. Автор: アンドリュージェイムズシーリー,マリレナラドイウ,ジェイムズロバートスミス. Владелец: エドワーズリミテッド. Дата публикации: 2014-05-07.

Microwave plasma processing method

Номер патента: EP1614770A4. Автор: Kouji Yamada,Tsunehisa Namiki,Akira Kobayashi,Hideo Kurashima. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2007-11-07.

Microwave plasma processing device

Номер патента: KR101730094B1. Автор: 김재호,하지메 사카키타. Владелец: 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지. Дата публикации: 2017-04-25.

Microwave plasma CVD equipment

Номер патента: JPWO2008093389A1. Автор: 良樹西林,喜之山本,貴浩今井,西林　良樹,暁彦植田,貴一目黒,今井　貴浩. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Apparatus for forming functional deposited film by microwave plasma CVD

Номер патента: JP2791770B2. Автор: 靖朋藤山. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-08-27.

Microwave plasma-treating apparatus

Номер патента: US20110088848A1. Автор: Jaeho Kim,Kazuo Tsugawa,Yoshinori Koga,Masataka Hasegawa,Masatou Ishihara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-04-21.

A microwave plasma reactor and method for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: EP3155631B1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Microwave plasma processing device

Номер патента: WO2009119805A1. Автор: 正統石原,雅考長谷川,金　載浩,古賀　義紀,津川　和夫. Владелец: 独立行政法人産業技術総合研究所. Дата публикации: 2009-10-01.

DEPOSITION INSTALLATION, USING MICROWAVE PLASMA, INTERNAL BARRIER COATING IN THERMOPLASTIC CONTAINERS

Номер патента: FR2907037A1. Автор: Yves Alban Duclos. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2008-04-18.

Microwave plasma generating apparatus and process for the preparation of diamond thin film utilizing same

Номер патента: EP0420117A3. Автор: Kazuyuki Fukumoto,Ryohei Itatani. Владелец: Idemitsu Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1991-10-09.

Thin film deposition using microwave plasma

Номер патента: WO2012092020A2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won,Beom Soo Park,Suhail Anwar,Jozef Kudela,Seon-Mee Cho,Helinda Nominanda. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator

Номер патента: EP2972241A4. Автор: Ashok Menon,Jovan Jevtic,Velibor Pikelja. Владелец: RADOM CORP. Дата публикации: 2016-09-21.

Microwave plasma CVD synthetic diamond growth on non-planar and/or non-refractory substrates

Номер патента: GB201321391D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Microwave plasma torch

Номер патента: US20170095787A1. Автор: Yong-Cheol Hong. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2017-04-06.

Microwave plasma reactor

Номер патента: RU2694432C1. Автор: Игорь Анатольевич Леонтьев,Юрий Михайлович ЯШНОВ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн". Дата публикации: 2019-07-15.

Systems, methods, and device for pyrolysis of methane in a microwave plasma for hydrogen and structured carbon powder production

Номер патента: US20240199427A1. Автор: Jared Majcher. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Microwave plasma apparatus and methods for processing feed material utiziling multiple microwave plasma applicators

Номер патента: AU2023215437A1. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,John COLWELL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Microwave plasma torch and method of use thereof

Номер патента: US12075553B1. Автор: Hossam GABER,Mustafa Abdalmejeed Mansour Aldeeb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for pyrolysis of methane in a microwave plasma for hydrogen and structured carbon powder production

Номер патента: WO2024129261A1. Автор: Jared Majcher. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Microwave plasma apparatus and method for materials processing

Номер патента: US09932673B2. Автор: Eric Jordan,Kamal Hadidi,Paul P. Woskov,Baki Cetegen. Владелец: Amastan Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Microwave Plasma Generation Method and Microwave Plasma Generator

Номер патента: US20090128041A1. Автор: Masahiko Uchiyama,Takuya Urayama,Kazunari Fujioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Microwave plasma treatment device

Номер патента: EP4287784A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2023-12-06.

Microwave plasma treatment device

Номер патента: US20240098866A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and apparatus for real time optimization of a microwave plasma

Номер патента: US20240357727A1. Автор: Michael Kozlowski,Zongren Shang. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for real time optimization of a microwave plasma

Номер патента: EP4397139A1. Автор: Michael Kozlowski,Zongren Shang. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Microwave plasma apparatus and methods for processing feed material utiziling multiple microwave plasma applicators

Номер патента: WO2023150461A1. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,John COLWELL. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

A portable microwave plasma discharge unit

Номер патента: WO2007013875A3. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Jay Joongsoo Kim. Дата публикации: 2007-08-02.

Microwave plasma apparatus and methods for processing feed material utiziling multiple microwave plasma applicators

Номер патента: US20240057245A1. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,John COLWELL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Microwave plasma apparatus and methods for processing feed material utiziling multiple microwave plasma applicators

Номер патента: WO2023150461A9. Автор: Richard K. Holman,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,John COLWELL. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Microwave plasma device with increased selectivity of nitrogen oxide and method of producing nitrogen oxide-containing water using same

Номер патента: US20230234020A1. Автор: Hee Jae Lee,Yong Cheol Hong,Se Min Chun,Geon Woo Yang. Владелец: KOREA INSTITUTE OF FUSION ENERGY. Дата публикации: 2023-07-27.

Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Номер патента: CA2572391C. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: SAIAN CORP. Дата публикации: 2012-01-24.

Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves

Номер патента: US7271363B2. Автор: Sang Hun Lee,Togo Kinoshita,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Amarante Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-18.

Method and apparatus for real time optimization of a microwave plasma

Номер патента: AU2022340711A1. Автор: Michael Kozlowski,Zongren Shang. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for real time optimization of a microwave plasma

Номер патента: WO2023034688A9. Автор: Michael Kozlowski,Zongren Shang. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2023-04-13.

Method and apparatus for real time optimization of a microwave plasma

Номер патента: CA3228842A1. Автор: Michael Kozlowski,Zongren Shang. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Material synthesis technology by microwave plasma torch with atmospheric pressure and high temperature

Номер патента: US11930585B2. Автор: Ye Bai,Dashuai Li. Владелец: Chengdu Landmarks Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Compound double coaxial line atmospheric pressure low-temperature microwave plasma jet source

Номер патента: US20210029816A1. Автор: Yang Yan,Chaoyang Zhang,Xiaoyun Li,Wenjie Fu,Cong NIE. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-01-28.

Wave plasma source of electrons

Номер патента: RU2757210C1. Автор: Андрей Иванович Шумейко. Владелец: Общество С Ограниченной Отвественностью "Эдвансд Пропалшн Системс". Дата публикации: 2021-10-12.

Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour deposition synthesis techniques

Номер патента: EP2882890A1. Автор: Joseph Michael Dodson,Paul Nicolas Inglis,Gruffudd Trefor Williams,Christopher John KELLY. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour depositon synthesis techniques

Номер патента: US09478938B2. Автор: Joseph Michael Dodson,Paul Nicolas Inglis,Gruffudd Trefor Williams,Christopher John KELLY. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for manufacturing a plasma source, and plasma source obtained from this manufacturing process

Номер патента: WO2012101472A1. Автор: Peter Choi. Владелец: Nano-Uv. Дата публикации: 2012-08-02.

Plasma source for generating a disinfecting and/or sterilizing gas mixture

Номер патента: EP4196179A1. Автор: Franciscus Maria Verhoeven,Theo Alex Eduard VAN DER LEIJ,Mirte PEETERS,Thijs DE JONG. Владелец: Log10 BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Plasma source for generating a disinfecting and/or sterilizing gas mixture

Номер патента: US20230309212A1. Автор: Franciscus Maria Verhoeven,Theo Alex Eduard VAN DER LEIJ,Mirte PEETERS,Thijs DE JONG. Владелец: Log10 BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Improved plasma source

Номер патента: EP2123136A2. Автор: Mark D. Carter,Franklin R. Chang Diaz,Jared P. Squire,Tim W. Glover,Leonard D. Cassady,Greg E. Mccaskill. Владелец: AD ASTRA ROCKET Co. Дата публикации: 2009-11-25.

Plasma source

Номер патента: US20100213851A1. Автор: Franklin Chang Diaz. Владелец: AD ASTRA ROCKET Co. Дата публикации: 2010-08-26.

Plasma source

Номер патента: RU2415522C2. Автор: Грегор МОРФИЛЛЬ,Тецудзи СИМИЗУ,Бернд ШТЕФФЕС,Суицу ФУДЗИИ. Владелец: Адтек Юроп Лимитед. Дата публикации: 2011-03-27.

Apparatus for producing a plasma source of high- intensity radiation in the x-ray region

Номер патента: CA1229683A. Автор: Willi Neff,Gerd Herziger. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1987-11-24.

Plasma source having improved life-time

Номер патента: WO2011077195A1. Автор: Peter Choi,Raul Fernando Aliaga Rosser. Владелец: Nano UV. Дата публикации: 2011-06-30.

Plasma source for generating a disinfecting and/or sterilizing gas mixture

Номер патента: CA3188417A1. Автор: Franciscus Maria Verhoeven,Theo Alex Eduard VAN DER LEIJ,Mirte PEETERS,Thijs DE JONG. Владелец: Log10 BV. Дата публикации: 2022-02-17.

Unibody gas plasma source technology

Номер патента: WO1997016246A1. Автор: Hwa Cheng,Scott W. Priddy. Владелец: Chorus Corporation. Дата публикации: 1997-05-09.

Remote plasma source generating a disc-shaped plasma

Номер патента: US20120242229A1. Автор: Daniel J. Hoffman,Daniel Carter,Karen Peterson,Randy Grilley. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

RF plasma source and method for plasma cleaning of surface in space

Номер патента: US5514936A. Автор: Barret Lippey,John D. Williams,Weldon S. Williamson. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-05-07.

Improved plasma source

Номер патента: WO2008100642A8. Автор: Mark D Carter,Diaz Franklin R Chang,Jared P Squire,Tim W Glover,Leonard D Cassady,Greg E Mccaskill. Владелец: Ad Astra Rocket Company. Дата публикации: 2009-07-16.

Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour deposition synthesis techniques

Номер патента: GB201314319D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Sample table and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: TW201133699A. Автор: Nobuyuki Okayama,Yasuhiro Otsuka,Kenji Sudou,Kazuki Moyama,Wataru Yoshikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-01.

Method for microwave plasma substrate heating

Номер патента: TW448240B. Автор: James Lam,David Hodul. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Microwave transmission device and microwave plasma equipment

Номер патента: CN114759333B. Автор: 陈森林,李俊宏,李东亚. Владелец: Chengdu Neoman Hueray Microwave Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour deposition synthesis techniques

Номер патента: WO2014026930A1. Автор: Joseph Michael Dodson,Paul Nicolas Inglis,Gruffudd Trefor Williams,Christopher John KELLY. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

Plasma source for hand disinfection

Номер патента: CA3220522A1. Автор: Roland Damm,Alexander GREDNER,Christian Haese,Jürgen Haese. Владелец: DBD Plasma GmbH. Дата публикации: 2022-12-01.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: NL2032061B1. Автор: Poodt Paul,Tielen Viktor,Antonius Smeltink Jeroen,Henrikus Frijters Cornelis. Владелец: Sparknano B V. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: WO2023234780A1. Автор: Paul Poodt,Jeroen Antonius Smeltink,Cornelis Henrikus Frijters,Viktor TIELEN. Владелец: Sparknano B.V.. Дата публикации: 2023-12-07.

MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICES AND PLASMA TORCHES

Номер патента: FR2921538B1. Автор: Daniel Guerin,Jean Christophe Rostaing,Michel Moisan,Zenon Zakrzewski. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-11-13.

MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICES AND PLASMA TORCHES

Номер патента: FR2921538A1. Автор: Daniel Guerin,Jean Christophe Rostaing,Michel Moisan,Zenon Zakrzewski. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-03-27.

Microwave plasma processing apparatus and plasma head thereof

Номер патента: JP4474363B2. Автор: 忠弘大見,昭彦廣江,昌樹平山,昌幸北村,貴弘堀口. Владелец: Future Vision Inc. Дата публикации: 2010-06-02.

Method of depositing dielectric films using microwave plasma

Номер патента: US20120115334A1. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

SIOX PROCESS CHEMISTRY DEVELOPMENT USING MICROWAVE PLASMA CVD

Номер патента: US20130302999A1. Автор: WON Tae Kyung,CHO Seon-Mee,CHOI Soo Young,PARK Beom Soo,WHITE John M.,KUDELA Jozef,Yim Dong-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

METHOD OF CORNER ROUNDING AND TRIMMING OF NANOWIRES BY MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20170125517A1. Автор: Leusink Gerrit J.,Wajda Cory,MAEKAWA Kaoru,Tapily Kandabara N.,TAMURA Chihiro,Trickett Ying. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

APPARATUS FOR PRODUCING Si NANOPARTICLES USING MICROWAVE PLASMA AND PRODUCTION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20160152480A1. Автор: Lee Jin-Seok,Choi Sun-Ho,JANG Bo-Yun,KIM Joon-Soo,KOO Jeong-Boon. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

THICK POLYCRYSTALLINE SYNTHETIC DIAMOND WAFERS FOR HEAT SPREADING APPLICATIONS AND MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITON SYNTHESIS TECHNIQUES

Номер патента: US20150222087A1. Автор: DODSON JOSEPH MICHAEL,WILLIAMS GRUFFUDD TREFOR,Inglis Paul Nicolas,Kelly Christopher John. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Clark Robert D.,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

METHOD OF FORMING SILICON NITRIDE FILMS USING MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20190259598A1. Автор: Chen Hanhong,Chan Kelvin,Chua Thai Cheng,KRAUS Philip Allan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

MICROWAVE PLASMA DEVICE

Номер патента: US20140374025A1. Автор: CHEN Lee,FUNK Merritt,Zhao Jianping. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD FOR MANUFACTURING GROOVED MOSFET DEVICE BASED ON TWO-STEP MICROWAVE PLASMA OXIDATION

Номер патента: US20190362966A1. Автор: Liu Xinyu,BAI YUN,TANG Yidan,YANG Chengyue,WANG Shengkai. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Film deposition method and film deposition apparatus using microwave plasma CVD

Номер патента: JP3591977B2. Автор: 正博金井,豪人吉野,博和大利,耕平吉田,雅敏田中,裕越前. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Microwave plasma torch

Номер патента: KR101813955B1. Автор: 홍용철. Владелец: 주식회사 엔팩. Дата публикации: 2018-01-04.

High density microwave plasma apparatus

Номер патента: KR20170075394A. Автор: 유승민,박승일,김성봉,윤성영,오재성,임정현,윤정우,유석재,박연수,전형원. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2017-07-03.

Apparatus for continuously forming large-area functional deposited films by microwave plasma CVD

Номер патента: JP2824808B2. Автор: 正博金井,哲也武井,竜次岡村,博明新納. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-11-18.

Microwave Plasma Diagnosis Apparatus

Номер патента: KR101456542B1. Автор: 김대웅,김정형,신용현,성대진,유신재. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2014-10-31.

A kind of experimental provision of visual research microwave plasma auxiliary firing

Номер патента: CN106762330B. Автор: 张新华,王兆文,成晓北,武文杰. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-11-02.

The manufacturing method of groove MOSFET element based on microwave plasma oxidation

Номер патента: CN108735607A. Автор: 刘新宇,白云,汤益丹,杨成樾,王盛凯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-11-02.

Microwave plasma processor

Номер патента: JPS61258428A. Автор: Shuzo Fujimura,Yasunari Motoki,藤村　修三,本木　保成. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-15.

Microwave Plasma Generator

Номер патента: KR930005114A. Автор: 요시카즈 요시다. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1993-03-23.

Production of an aluminum nitride thin layer used in thin film technology comprises subjecting the thin layer to a microwave plasma after is has been deposited

Номер патента: DE10053834A1. Автор: Jai Young Lee,Hae Yeol Kim,Min Hee Cho,Youn Seon Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2001-05-17.

Process for the formation of a functional deposited film containing groups ii and vi atoms as the main constituent atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: EP0327034A3. Автор: Tsutomu Murakami,Masahiro Kanai,Soichiro Kawakami,Takayoshi Arai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-10-17.

Method of splicing components of polycrystalline diamonds in microwave plasma

Номер патента: RU2635612C1. Автор: Евгений Евсеевич Ашкинази,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Андрей Петрович Большаков,Александр Владимирович Хомич,Роман Абрамович Хмельницкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2017-11-14.

Microwave plasma photoresist removing equipment

Номер патента: CN113070288A. Автор: 张志勇,万军,蔡晋辉,刘依婷,邱晨光,乔瓛. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2021-07-06.

Microwave plasma generator, method of decomposing organic halide, and system for decomposing organic halide

Номер патента: US20020074946A1. Автор: Tetsuya Ikeda,Minoru Danno. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Microwave plasma generator, method of decomposing organic halide, and system for decomposing organic halide

Номер патента: US20020070669A1. Автор: Tetsuya Ikeda,Minoru Danno. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of depositing dielectric films using microwave plasma

Номер патента: TW201229288A. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-16.

A microwave plasma system for efficiently producing nitric acid and nitrogen fertilizers

Номер патента: WO2023137047A1. Автор: Nicolas H. Pinkowski,Joshua M. McEnaney,John A. SCHWALBE,Sreekumar CHOCKALINGAM. Владелец: Nitricity Inc.. Дата публикации: 2023-07-20.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: WO2022212192A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: CA3212927A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: AU2022252181A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for processing polyimide film in the flame of nonequilibrium heterogeneous low-temperature microwave plasma under atmospheric pressure

Номер патента: RU2657899C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Алексей Сергеевич Шиляев,Руслан Назипович Закиров,Анастасия Александровна Халтурина. Владелец: Закрытое акционерное общество "Руднев-Шиляев". Дата публикации: 2018-06-18.

Microwave plasma reactor for obtaining a homogeneous nanocrystalline diamond film

Номер патента: RU2644216C2. Автор: Евгений Евсеевич Ашкинази,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Андрей Петрович Большаков,Вадим Станиславович Седов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2018-02-08.

Systems, methods, and devices for producing a material with desired characteristics using microwave plasma

Номер патента: US20230001376A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,Pawel MATYS,Jared Majcher. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems, methods, and devices for producing a material with desired characteristics using microwave plasma

Номер патента: AU2022303174A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,Pawel MATYS,Jared Majcher. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems, methods, and devices for producing a material with desired characteristics using microwave plasma

Номер патента: CA3221491A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,Pawel MATYS,Jared Majcher. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems, methods, and devices for producing a material with desired characteristics using microwave plasma

Номер патента: EP4364535A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Saurabh Ullal,Michael C. KOZLOWSKI,Pawel MATYS,Jared Majcher. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Microwave plasma monitoring system for real-time elemental analysis

Номер патента: US6429935B1. Автор: Yixiang Duan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-08-06.

Microwave plasma system for efficiently producing nitric acid and nitrogen fertilizers

Номер патента: US20230219052A1. Автор: Nicolas H. Pinkowski,Joshua M. McEnaney,John A. SCHWALBE,Sreekumar CHOCKALINGAM. Владелец: Nitricity Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: WO2014153318A1. Автор: Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: AMASTAN LLC. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing core-shell particles by a microwave plasma process

Номер патента: US11801555B2. Автор: Kamal Hadidi,Gregory Wrobel. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

High-speed diamond growth using a microwave plasma in pulsed mode

Номер патента: CA2512731C. Автор: Francois Silva,Khaled Hassouni,Antoine Rousseau,Alix Helene Gicquel,Xavier Duten,Guillaume Vincent Lombardi. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2012-06-12.

Atmospheric pressure microwave plasma treated porous membranes

Номер патента: EP2001666A2. Автор: Jieh-Hwa Shyu,Alketa Gjoka,Jijun Ge. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Microwave plasma thrust system and methods

Номер патента: WO2023244208A1. Автор: Peter Butzloff. Владелец: Peter Butzloff. Дата публикации: 2023-12-21.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: EP4313447A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Atmospheric Pressure Microwave Plasma Treated Porous Membranes

Номер патента: US20140048476A1. Автор: Jieh-Hwa Shyu,Alketa Gjoka,Jijun Ge. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Array of plasma sources and method for treating cell material

Номер патента: WO2022189615A1. Автор: Michael Fischer,Nam Gutzeit. Владелец: Eceramix GmbH. Дата публикации: 2022-09-15.

Array of plasma sources and method for treating cell material

Номер патента: EP4232550A1. Автор: Michael Fischer,Nam Gutzeit. Владелец: Eceramix GmbH. Дата публикации: 2023-08-30.

Array of plasma sources and method for treating cell material

Номер патента: US20240158731A1. Автор: Michael Fischer,Nam Gutzeit. Владелец: Eceramix GmbH. Дата публикации: 2024-05-16.

Engine at outboard air with a helicon plasma source for supporting small spacecrafts in low earth orbit

Номер патента: RU2703854C1. Автор: Андрей Иванович Шумейко,Виктор Дмитриевич Телех,Вера Ивановна Майорова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2019-10-22.

Reactor comprising a plasma source and a catalyst comprising a mesoporous support material for the preparation of ethene from methane

Номер патента: US09770700B2. Автор: Abduljelil ILIYAS,Mohamed Sabri Abdelghani. Владелец: Saudi Basic Industries Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Borehole pulse plasma source with contactor-discharger

Номер патента: RU2600502C1. Автор: Петр Георгиевич Агеев,Евгений Иванович Головкин,Никита Петрович Агеев,Андрей Вадимович Бочкарев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новас Ск". Дата публикации: 2016-10-20.

In-line plasma source for introducing pieces of spread carbon fiber tow into molding compositions on a compounding production line

Номер патента: CA2930996C. Автор: Probir Kumar GUHA,Michael J. Siwajek,Shane Skop,Frank MACHER,Rahul RANE,Adam BURLEY. Владелец: Continental Structural Plastics Inc. Дата публикации: 2021-07-06.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: US09675716B2. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: CA2741133C. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: US10688204B2. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

A microwave plasma source and method of forming a linearly elongated plasma at atmospheric pressure conditions

Номер патента: DE102008062619B4. Автор: Julius Roch,Dr. Dani Ines,Prof. Dr. Kaskel Stefan. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-01-19.

Plasma treatment of surfaces and materials with moving microwave plasma in wave-conducting hollow conductor structure involves moving plasma away from microwave input coupling point

Номер патента: DE10327853A1. Автор: Udo Krohmann. Владелец: Krohmann Udo Dipl-Ing. Дата публикации: 2005-01-05.

MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20200288560A1. Автор: KUNINAKA Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

WORKPIECE PROCESSING CHAMBER HAVING A ROTARY MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150351166A1. Автор: Liang Qiwei,Stowell Michael W.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Workpiece Processing Chamber Having a Rotary Microwave Plasma Source

Номер патента: US20180352617A1. Автор: Liang Qiwei,Stowell Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Lhniter of microwave plasma torch and microwave plasma torch using the same

Номер патента: KR102435691B1. Автор: 조창현,김지훈,유현종,장수욱. Владелец: 한국핵융합에너지연구원. Дата публикации: 2022-08-24.

Lhniter of microwave plasma torch and microwave plasma torch using the same

Номер патента: KR20220015166A. Автор: 조창현,김지훈,유현종,장수욱. Владелец: 한국핵융합에너지연구원. Дата публикации: 2022-02-08.

Microwave plasma source

Номер патента: CN111149438A. Автор: 国中均. Владелец: Institute Of Space And Aeronautical Science. Дата публикации: 2020-05-12.

Microwave plasma source

Номер патента: CN111149438B. Автор: 国中均. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2022-03-18.

Method and device for igniting and generating an expanding diffuse microwave plasma and method and device for plasma treating surfaces and substances by using this plasma

Номер патента: WO2007028813A3. Автор: Torsten Neumann,Udo Krohmann,Joerg Ehlbeck,Kristian Rackow. Владелец: Inp Inst Fuer Niedertemperatur. Дата публикации: 2007-11-22.

Apparatus for treating powdery materials utilizing microwave plasma

Номер патента: DE3160789D1. Автор: Nishida Katsutoshi,Hirose Masahiko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1983-09-29.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MICROWAVE SUPPLY METHOD

Номер патента: US20150108897A1. Автор: Ishida Yohei,KANEKO Kazushi,HASHIMOTO Yunosuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-04-23.

MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICES AND PLASMA TORCHES

Номер патента: US20140138361A1. Автор: Moisan Michel,ROSTAING Jean-Christophe,ZAKRZEWSKI Zenon,GUERIN Daniel. Владелец: L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2014-05-22.

HIGH DENSITY MICROWAVE PLASMA GENERATION APPARATUS, AND MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20130270110A1. Автор: TOYODA Hirotaka,Sasai Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

MATERIAL SYNTHESIS TECHNOLOGY BY MICROWAVE PLASMA TORCH WITH ATMOSPHERIC PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE

Номер патента: US20220007488A1. Автор: Bai Ye,Li Dashuai. Владелец: Chengdu Landmarks Technology Co., Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Microwave Plasma Spectrometer Using Dielectric Resonator

Номер патента: US20160025656A1. Автор: Menon Ashok,Jevtic Jovan,Pikelja Velibor. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

COMPOUND DOUBLE COAXIAL LINE ATMOSPHERIC PRESSURE LOW-TEMPERATURE MICROWAVE PLASMA JET SOURCE

Номер патента: US20210029816A1. Автор: Li Xiaoyun,YAN Yang,Fu Wenjie,ZHANG Chaoyang,NIE Cong. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-01-28.

Microwave Plasma Treatment Apparatus

Номер патента: US20180049304A1. Автор: Kim Jaeho,Sakakita Hajime. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-02-15.

MICROWAVE PLASMA TORCH

Номер патента: US20170095787A1. Автор: HONG Yong-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Cavity Resonator of Microwave Plasma Generating Apparatus

Номер патента: US20160157330A1. Автор: FUJII Shuitsu,OI Katsumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

MICROWAVE PLASMA STERILISATION SYSTEM AND APPLICATORS THEREFOR

Номер патента: US20200171180A1. Автор: Hancock Christopher Paul. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

MICROWAVE PLASMA STERILISATION SYSTEM AND APPLICATORS THEREFOR

Номер патента: US20170232122A1. Автор: Hancock Christopher Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

SEGMENTED LINER AND METHODS OF USE WITHIN A MICROWAVE PLASMA APPARATUS

Номер патента: US20200314991A1. Автор: Hadidi Kamal,Kozlowski Michael,Duanmu Ning,Turchetti Scott. Владелец: Amastan Technologies Inc.. Дата публикации: 2020-10-01.

Microwave-Plasma Disinfector (Origreen)

Номер патента: US20220409758A1. Автор: El-Ghazaly Samir,Ghadimi Avval Amirreza,Ghayouraneh Sara,Alfawaz Saleh,Alquaydheb Ibrahim. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ARKANSAS. Дата публикации: 2022-12-29.

NOx reduction system using microwave plasma

Номер патента: KR101567745B1. Автор: 박정봉,김종보,박원균. Владелец: 박정봉. Дата публикации: 2015-11-09.

NOx reduction system using microwave plasma based on selective catalytic reduction

Номер патента: KR101591229B1. Автор: 박정봉. Владелец: 박정봉. Дата публикации: 2016-02-03.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: US11097022B2. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for cooling microwave plasma and system for the selective destruction of chemical molecules using said method

Номер патента: WO2009144110A1. Автор: Pascal Moine,Christian Larquet,Daniel Guerin,Jean-Christophe Rostaing,Michel Moisan,Valere Laurent,Bruno Depert. Владелец: L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-03.

Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch

Номер патента: US6620394B2. Автор: Han Sup Uhm,Yong C. Hong,Ho-Jun Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-16.

Method of cooling a microwave plasma and system for selective destruction of chemical molecules using this method

Номер патента: EP2131633A1. Автор: Pascal Moine,Christian Larquet,Daniel Guerin,Jean-Christophe Rostaing,Michel Moisan,Valere Laurent,Bruno Depert. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-09.

Method for cooling microwave plasma and system for the selective destruction of chemical molecules using said method

Номер патента: US20110073282A1. Автор: Pascal Moine,Christian Larquet,Michel Moisan,Valere Laurent,Bruno Depert,Daniel Guelles,Jean-Christophc Rostaing. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-03-31.

METHOD FOR STARTING A MICROWAVE PLASMA AND SELECTIVE DESTRUCTION SYSTEM FOR CHEMICAL MOLECULES USING THE SAME

Номер патента: FR2932058A1. Автор: Pascal Moine,Hervé Dulphy,Christian Larquet,Daniel Guerin,Jean Christophe Rostaing,Valere Laurent,Bruno Depert,Krid Aicha El. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-04.

Toluene burn decomposition apparatus using microwave plasma and Toluene burn decomposition apparatus with function of flame amplication using Toluene

Номер патента: KR101468923B1. Автор: 이주열,강태성,박병현,임윤희,하태영. Владелец: 주식회사 애니텍. Дата публикации: 2014-12-22.

Microwave Plasma Torch for Metal Powder Treatment or producing Metal Alloy and Method for Treatment of Metal Powder or Material having metal compound Using the Same

Номер патента: KR102130956B1. Автор: 이성은,김대운,장현석,이봉주. Владелец: (주)그린사이언스. Дата публикации: 2020-08-05.

Microwave plasma nozzle with improved plume stability and heating efficiency

Номер патента: JP2008506235A. Автор: サンハンリー,ジェイジョンソキム. Владелец: Noritsu Koki Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Formation of deposited film by microwave plasma cvd

Номер патента: JPH01198479A. Автор: Takeshi Nakamura,毅中村,Kazusane Sugaya,和実菅谷,Yoshiaki Moriyama,義明守山. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1989-08-10.

Microwave plasma ignition device

Номер патента: CN101852444B. Автор: 白野,蒲力萌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-13.

Method for carbon dioxide reforming of methane using microwave plasma torch

Номер патента: KR100581476B1. Автор: 엄환섭,홍용철. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2006-05-23.

A kind of high temperature microwave plasma generator and waste treatment system

Номер патента: CN109442422A. Автор: 舒小明. Владелец: ANHUI HANGTIAN ENVIRONMENTAL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Номер патента: CN101002508A. Автор: 李相勋,金重秀. Владелец: Amarante Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Microwave plasma ignition device

Номер патента: CN101852444A. Автор: 白野,蒲力萌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-06.

MICROWAVE PLASMA MANUFACTURING DEVICE

Номер патента: DE3915477A1. Автор: Yukio Okamoto,Seiichi Murayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-11-23.

Method for the production of powders and a sealed microwave plasma reactor

Номер патента: FR2591412A1. Автор: Benoit D Armancourt. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1987-06-12.

A chemical reaction apparatus of radicals produced from microwave plasma torch

Номер патента: KR100954486B1. Автор: 엄환섭,조순천. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2010-04-22.

Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Номер патента: CA2572391A1. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Amarante Technologies, Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

Portable arc-seeded microwave plasma torch

Номер патента: CN101022912A. Автор: 斯潘塞·P·郭. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-22.

Utilize the nitrogen oxides abatement system of microwave plasma

Номер патента: CN107847855A. Автор: 金钟甫,朴贞峰,朴洹均. Владелец: Airbaby Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Microwave Plasma Nozzle With Enhanced Plume Stability And Heating Efficiency

Номер патента: US20080017616A1. Автор: Sang Lee,Jay Kim. Владелец: Amarante Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Portable microwave plasma genertor

Номер патента: KR101802817B1. Автор: 김명수,강성길,이현욱,원임희. Владелец: (주)메디플. Дата публикации: 2017-11-30.

Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Номер патента: EP1787500A2. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Amarante Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Coaxial microwave plasma torch

Номер патента: CN1954647A. Автор: 藤井修逸,拉玛沙米·拉兹,浦山卓也,藤岡万也. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Elimination apparatus and method of biological and chemical warfare agents by portable suction device attached to microwave plasma torch and burner

Номер патента: KR101001460B1. Автор: 엄환섭,홍용철. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2010-12-15.

Emission Control Method of Perfluorocompound Gases using Microwave Plasma Torch

Номер патента: KR100454085B1. Автор: 엄환섭,홍용철,강호준. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2004-10-28.

Microwave plasma device

Номер патента: CN108834296B. Автор: 吴穹. Владелец: Anhui Aerospace Environmental Engineering Co ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

MICROWAVE PLASMA TORCH, DEVICE COMPRISING SUCH A TORCH AND METHOD FOR MANUFACTURING POWDER USING THE SAME

Номер патента: FR2616614B1. Автор: Michel Gastiger,Lahcen Ougarane,Jean-Luc Labat. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1989-10-20.

A kind of igniting inlet duct for microwave plasma reformer

Номер патента: CN105909449B. Автор: 王岩,刘鹏,王军年,王治强,王庆年. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2017-08-08.

Microwave plasma treatment apparatus

Номер патента: EP3264866A4. Автор: Jaeho Kim,Hajime Sakakita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-10-03.

MICROWAVE PLASMA EXCITATORS

Номер патента: FR2880236B1. Автор: Christian Larquet,Daniel Guerin,Jean Christophe Rostaing,Michel Moisan,Zenon Zakrzewski,Mariusz Jasiński,Dariusz Czykowski. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2007-03-30.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: US8647585B2. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2014-02-11.

Coaxial microwave plasma torch

Номер патента: EP1734798A4. Автор: Shuitsu Fujii,Takuya Urayama,Raju Ramasamy,Kazunari Fujioka. Владелец: Adtec Plasma Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Applicator for microwave plasma sterilisation

Номер патента: EP2599506B1. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

DEVICE FOR TREATMENT WITH MICROWAVE PLASMA

Номер патента: DE3043693A1. Автор: Masahiko Hirose,Tsuyoshi Yasuri,Masahiko Yokohama Kanagawa Yotuyanagi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-04.

Microwave plasma exciters

Номер патента: US7799119B2. Автор: Christian Larquet,Daniel Guerin,Jean-Christophe Rostaing,Michel Moisan,Zenon Zakrzewski,Mariusz Jasiński,Dariusz CZYLKOWSKI. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2010-09-21.

Segmented liner and methods of use within a microwave plasma apparatus

Номер патента: EP3949696A4. Автор: Kamal Hadidi,Ning Duanmu,Scott Turchetti,Michael Kozlowski. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Microwave Plasma Gasifier and Improve Method of Gasification Efficiency using thereof

Номер патента: KR101325947B1. Автор: 윤상준,이재구,김용구. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-11-07.

Device for microwave plasma high-temperature heat treatment of filamentous materials

Номер патента: CN110062516B. Автор: 赵颖,陈龙威,刘成周,刘甫坤,江贻满,单家芳,张文瑾. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2021-07-09.

Applicator for microwave plasma sterilisation

Номер патента: EP2599506A3. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2013-10-02.

Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Номер патента: AU2005270006A1. Автор: Sang Hun Lee,Jay Joongsoo Kim. Владелец: Amarante Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

heat-accumulate type fan heater heated from microwave plasma

Номер патента: KR101547014B1. Автор: 이건화. Владелец: 이건화. Дата публикации: 2015-08-24.

Apparatus for treating powdery materials utilizing microwave plasma

Номер патента: EP0039517A1. Автор: Nishida Katsutoshi,Hirose Masahiko. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-11.

Microwave plasma reaction device

Номер патента: CN110913556A. Автор: 王闯,刘艳青,丁明辉,段路明,苏静杰,常秀英. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-24.

Microwave plasma sterilisation system and applicators therefor

Номер патента: PT2211916E. Автор: Christopher Paul Hancock. Владелец: Creo Medical Ltd. Дата публикации: 2016-01-11.

Method for destroying no 2 by microwave plasma at atmospheric pressure

Номер патента: WO2009101367A3. Автор: Christian Larquet,Jean-Christophe Rostaing,Anne-Laure Lesort,Andre Monnot. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-10-08.

Apparatus and method of hydrogen production from reforming of plastic waste by microwave plasma torch

Номер патента: KR20220116380A. Автор: 엄환섭. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2022-08-23.

Continuous, real time microwave plasma element sensor

Номер патента: WO1995011442A1. Автор: Jeffrey E. Surma,Daniel R. Cohn,Charles H. Titus,J. Kenneth Wittle,Paul P. Woskov,Donna L. Smatlak. Владелец: Electo - Pyrolysis, Inc.. Дата публикации: 1995-04-27.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368044A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368045A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20170002469A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US09435031B2. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Microwave plasma element sensor

Номер патента: US5909277A. Автор: Paul Thomas,Paul Woskov,Kamal Hadidi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1999-06-01.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Microwave plasma biomass gasifying fixed bed gasifier and process.

Номер патента: MX358425B. Автор: Zhang Liang,ZHANG Yanfeng,CHEN Yilong,XIA Minggui. Владелец: Wuhan Kaidi General Research Institute Of Engineering & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-17.

Microwave plasma source

Номер патента: JPS5940447A. Автор: Hideki Koike,Kuniyuki Sakumichi,Katsumi Tokikuchi,Osami Okada,訓之作道,Katsunobu Abe,克己登木口,岡田　修身,安部　勝信,小池　英己. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-06.

Method of Manufacture of Free Standing Microwave Plasma CVD Polycrystalline Diamond Films with Major Dimensions on the Order of One Wavelength of the Utilized Microwave

Номер патента: US20170298515A1. Автор: Eissler Elgin E.,Tanner Charles D.,Sabens David. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

A kind of microwave shielding device of microwave plasma CVD equipment

Номер патента: CN110284123A. Автор: 李凡,俞佳宾,眭立洪. Владелец: Jiangsu Yongding Optical Fiber Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Circulating fluidized bed plasma gasifier with microwave plasma torch

Номер патента: KR101326670B1. Автор: 서명원,윤상준,이재구,김용구. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-11-08.

Gasification of biogenic substances in a twin-screw reactor with the aid of microwave plasma

Номер патента: AT518754A2. Автор: Gruber-Schmidt Johann. Владелец: Gs Gruber-Schmidt Gmbh. Дата публикации: 2017-12-15.

MICROWAVE PLASMA REACTORS

Номер патента: US20130101730A1. Автор: Becker Michael,KING David,Lu Jing,Asmussen Jes,Grotjohn Timothy,Reinhard Donnie K.,Schuelke Thomas,Yaran M. Kagan,Hemawan Kadek W.,Gu Yajun. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system

Номер патента: US20130239615A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140048016A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Brandon John Robert,Coe Steven Edward,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

Atmospheric Pressure Microwave Plasma Treated Porous Membranes

Номер патента: US20140048476A1. Автор: Gjoka Alketa,Ge Jijun,Shyu Jieh-Hwa. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus and method for rapidly producing synthetic gas from bio-diesel by-product using microwave plasma

Номер патента: US20140054504A1. Автор: Yong Ku Kim,Sang Jun Yoon,Jae Goo Lee. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2014-02-27.

MICROWAVE PLASMA STERILISATION SYSTEM AND APPLICATORS THEREFOR

Номер патента: US20140066838A1. Автор: Hancock Christopher Paul. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

HYDROGEN SULFIDE AND CARBONYL SULFIDE REMOVAL APPARATUS USING MICROWAVE PLASMA, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140069011A1. Автор: Lee Jae Goo,YOON Sang Jun,KIM Yong Ku. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2014-03-13.

MICROWAVE PLASMA AND ULTRAVIOLET ASSISTED DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MATERIAL DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20170002469A1. Автор: Grill Alfred,Nguyen Son V.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHODS OF FABRICATING SYNTHETIC DIAMOND MATERIALS USING MICROWAVE PLASMA ACTIVATED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION TECHNIQUES AND PRODUCTS OBTAINED USING SAID METHODS

Номер патента: US20170009376A1. Автор: Friel Ian,Twitchen Daniel,BRANDON John,Markham Matthew,Khan Rizwan,Wort Christopher,COE STEVEN,WILMAN JONATHAN,SCARSBROOK GEOFFREY,ROBERTSON KATHARINE. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2017-01-12.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20150030786A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Twitchen Daniel James,Brandon John Robert,Coe Steven Edward,Wilman Jonathan James. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2015-01-29.

MICROWAVE PLASMA STERILISATION SYSTEM AND APPLICATORS THEREFOR

Номер патента: US20150056107A1. Автор: Hancock Christopher Paul. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Apparatus for Growing Diamonds by Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition Process and Substrate Stage Used Therein

Номер патента: US20150059647A1. Автор: Misra Devi Shanker. Владелец: IIa Technologies Pt. Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD FOR THE PRODUCTION OF MULTIPHASE COMPOSITE MATERIALS USING MICROWAVE PLASMA PROCESS

Номер патента: US20140217630A1. Автор: Hadidi Kamal,Redjdal Makhlouf. Владелец: AMASTAN LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

MICROWAVE PLASMA REACTORS AND SUBSTRATES FOR SYNTHETIC DIAMOND MANUFACTURE

Номер патента: US20140234556A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Pickles Charles Simon James,Mollart Timothy Peter,Brandon John Robert,Dodge Carlton Nigel,Coe Steven Edward,DODSON JOSEPH MICHAEL,Inglis Paul Nicolas,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-08-21.

MICROWAVE PLASMA AND ULTRAVIOLET ASSISTED DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MATERIAL DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20150191824A1. Автор: Grill Alfred,Nguyen Son V.,Priyadarshini Deepika. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

MICROWAVE PLASMA APPARATUS AND METHOD FOR MATERIALS PROCESSING

Номер патента: US20140287162A1. Автор: Hadidi Kamal,Jordan Eric,Woskov Paul P.,Cetegen Baki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

MICROWAVE PLASMA GASIFICATION AND RECYCLE INTEGRATED SYSTEM FOR DOMESTIC GARBAGE

Номер патента: US20200238350A1. Автор: DENG Lei,Liu Cheng,Xie Hong,ZHANG Guixin. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-30.

METHOD AND DEVICE FOR MONITORING A MICROWAVE PLASMA ASSISTED DEPOSITION

Номер патента: US20200263294A1. Автор: GICQUEL Alix,DUIGOU Olivier,BIEBER Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

SURFACE TREATMENT METHOD OF CERAMIC POWDER USING MICROWAVE PLASMA FOR ENHANCING FLOWABILITY

Номер патента: US20190300998A1. Автор: SHIN Dong Hun,HONG Yong Cheol,CHUN Se Min,MOON Heung Soo,SHIN Pyoung Woo,PARK Sae Mee. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

MICROWAVE PLASMA AND ULTRAVIOLET ASSISTED DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MATERIAL DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20190368044A1. Автор: Grill Alfred,Nguyen Son V.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

MICROWAVE PLASMA AND ULTRAVIOLET ASSISTED DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MATERIAL DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20190368045A1. Автор: Grill Alfred,Nguyen Son V.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma activated chemical vapour deposition techniques and products obtained using said

Номер патента: GB2526639A. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,Matthew Lee Markham,Rizwan Uddin Ahmad Khan,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Katharine Louise Robertson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-12-02.

Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma actived chemical vapour deposition techniques and products obtained using said

Номер патента: GB201320304D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

NOx reduction system using microwave plasma based on Selective Non-Catalytic Reduction

Номер патента: KR101902331B1. Автор: 박정봉. Владелец: 박원균. Дата публикации: 2018-10-01.

Microwave plasma generator having large treatment area and medical instrument using the same

Номер патента: KR101161113B1. Автор: 이현우. Владелец: 주식회사 메디플. Дата публикации: 2012-06-28.

The sterilizer of microwave plasma

Номер патента: KR100961552B1. Автор: 정성욱. Владелец: 에이치케이산업(주). Дата публикации: 2010-06-07.

Method for producing hydrogen gas by microwave plasma discharge

Номер патента: KR100810620B1. Автор: 정용호,이봉주. Владелец: 주식회사 셈테크놀러지. Дата публикации: 2008-03-06.

Manufacturing method for crumpled graphene-carbon nanoparticle composite using microwave plasma system, and crumpled graphene-carbon nanoparticle composite manufactured therefrom

Номер патента: KR101623343B1. Автор: 장희동,조은희,장한권. Владелец: 한국지질자원연구원. Дата публикации: 2016-05-23.

Microwave plasma cvd device

Номер патента: JPS64272A. Автор: Shotaro Okabe,Satoru Sugita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-01-05.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: US9242224B2. Автор: Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: Amastan Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Device and method for preparing n-type doped diamond by microwave plasma-hot wire composite chemical vapor deposition

Номер патента: CN111850506B. Автор: 张磊,李辉,刘胜,申胜男,于大洋,王浩丞,聂思媛. Владелец: Shenzhen Research Institute of Wuhan University. Дата публикации: 2022-06-17.

Microwave plasma CVD equipment

Номер патента: JP2609866B2. Автор: 正太郎岡部,哲杉田. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-05-14.

Microwave plasma atomic emission spectrometry for directly analyzing solid sample and system thereof

Номер патента: CN107664633B. Автор: 段忆翔,牛广辉. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2021-10-22.

Chemical vapor deposition device activated by microwave plasma.

Номер патента: FR2695944B1. Автор: Philippe Leprince,Remy Mevrel,Michel Bejet,Ghislaine Seiberras,Claude Indrigo,Claude Le Pennec. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1994-11-18.

DIAMOND GROWTH AT HIGH SPEED BY MICROWAVE PLASMA IN PULSE REGIME.

Номер патента: FR2849867A1. Автор: Alix Gicquel,Francois Silva,Xavier Futen,Khaled Hassouni,Antoine Rousseau. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2004-07-16.

Rapid growth of diamond using pulsed mode microwave plasma

Номер патента: JP4969780B2. Автор: アリエレヌジクエル、,フランソワシルヴァ、,ザヴィェデュタン、,カレアスーニ、,ギョームヴェンセンロンバルデ、,アントワヌルソー、. Владелец: Universite Paris Nord Paris Xiii Institut Galilee. Дата публикации: 2012-07-04.

DEVICE FOR MICROWAVE PLASMA DEPOSITION OF A COATING ON A CONTAINER OF THERMOPLASTIC MATERIAL

Номер патента: FR2792854A1. Автор: Patrick Chollet. Владелец: Sidel SA. Дата публикации: 2000-11-03.

DEPOSITION INSTALLATION, USING MICROWAVE PLASMA, INTERNAL BARRIER COATING IN THERMOPLASTIC CONTAINERS

Номер патента: FR2907036A1. Автор: Damien Cirette,Yves Alban Duclos. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2008-04-18.

Method for producing metal oxide nanostructures using microwave plasma device, metal oxide nanostructures manufactured using the same, and photocatalysts including the metal oxide nanostructures

Номер патента: KR102322564B1. Автор: 이병주,조성일,정구환. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2021-11-05.

DEVICE FOR MICROWAVE PLASMA DEPOSITION OF A COATING ON A CONTAINER OF THERMOPLASTIC MATERIAL

Номер патента: FR2792854B1. Автор: Patrick Chollet. Владелец: Sidel SA. Дата публикации: 2001-08-03.

Microwave plasma thin film forming device

Номер патента: JPS63213673A. Автор: Shigeru Takahashi,Yasuhiro Mochizuki,Noboru Suzuki,Atsushi Chiba,淳千葉,和夫鈴木,Kazuo Suzuki,Tadashi Sonobe,茂高橋,Takuya Fukuda,康弘望月,Naohiro Monma,直弘門馬,登鈴木,園部　正,福田　▲琢▼也. Владелец: Hitachi Service Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: CA3169580A1. Автор: Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Microwave plasma biomass entrained flow gasifier and process

Номер патента: CN102559272A. Автор: 陈义龙,张岩丰,张亮,夏明贵. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Microwave plasma biomass gasification fixed bed gasification furnace and method

Номер патента: JP5959027B2. Автор: ▲張▼岩▲豊▼,▲陳義龍▼,夏明▲貴▼,▲張▼亮. Владелец: 武▲漢凱▼迪工程技▲術▼研究▲総▼院有限公司. Дата публикации: 2016-08-02.

Microwave plasma cloud exhaust treatment device

Номер патента: CN216143927U. Автор: 汪磊,王新宇,余志红,刘传龙,赵三飞,吴述庆,刘伟方,段信豹. Владелец: Wuhan Hairui Kechuang Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Apparatus for chemical vapour phase deposition activated by a microwave plasma

Номер патента: EP0665903B1. Автор: Philippe Leprince,Remy Mevrel,Michel Bejet,Ghislaine Seiberras,Claude Indrigo,Claude Le Pennec. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1996-04-24.

Microwave plasma cvd device

Номер патента: JPS6452070A. Автор: Toshiyasu Shirasago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-02-28.

Device for forming functional deposited film by microwave plasma cvd method

Номер патента: JPS6389670A. Автор: Tetsuya Takei,武井　哲也. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-04-20.

Apparatus for surface modification of casing-parts using atmospheric-pressure microwave plasma and method thereof

Номер патента: KR100708320B1. Автор: 김기현,엄환섭,김형석. Владелец: 김형석. Дата публикации: 2007-04-17.

Formation of functional deposited film by microwave plasma cvd

Номер патента: JPS63282271A. Автор: Keishi Saito,恵志斉藤. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-11-18.

Treating method of surface of ceramic powder using microwave plasma for enhancing its flow ability

Номер патента: KR102085420B1. Автор: 신동훈,홍용철,박새미,문흥수,천세민,신평우. Владелец: (주)세원하드페이싱. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: JP2021112738A. Автор: Hadidi Kamal,Redjdal Makhlouf,マッカルーフ・レジダル,カマル・ハディディ. Владелец: Six K Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Laser assisted microwave plasma spectroscopy

Номер патента: WO2008115287A3. Автор: Andrzej Miziolek,Philip C Efthimion. Владелец: Efthimion Entpr Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Pretreatment method for water-repellent coating glass by microwave plasma torch

Номер патента: KR100706435B1. Автор: 김상영. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2007-04-10.

Clinical waste microwave plasma control oxygen cat-cracker

Номер патента: CN107152683A. Автор: 杨明,曹迪,杭志强,曹媛,曹蕴明,王地,王一地,耿小军. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for preparing white carbon black by microwave plasma torch

Номер патента: CN114477197A. Автор: 王凤霞,刘松林,朱铧丞,肖玮,史连军. Владелец: Wengfu Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Microwave plasma biomass gasifying fixed bed gasifier and process

Номер патента: EP2799521A4. Автор: Yanfeng Zhang,Liang Zhang,Yilong Chen,Minggui Xia. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Microwave plasma biomass entrained flow gasifier and process

Номер патента: AP2014007828A0. Автор: Liang Zhang,Yilong Chen,Minggui Xia. Владелец: Wuhan Kaidi Eng Tech Res Inst. Дата публикации: 2014-07-31.

Microwave plasma generator

Номер патента: JP2649914B2. Автор: 安栄佐藤. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-09-03.

Vacuum pressure control device and microwave plasma CVD device

Номер патента: CN108517556A. Автор: 朱金华,吴建新,缪勇,马懿,卢荻,马修·L·斯卡林,艾永干,克里斯托弗·E·格里芬. Владелец: Fd3m Co. Дата публикации: 2018-09-11.

Apparatus and method for rapidly producing synthetic gas from bio-diesel by-product using microwave plasma

Номер патента: US8999018B2. Автор: Yong Ku Kim,Sang Jun Yoon,Jae Goo Lee. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2015-04-07.

METHOD AND ITS CORRESPONDING INSTALLATION FOR THE ELIMINATION OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS BY MICROWAVE PLASMA.

Номер патента: ES2235639B1. Автор: Sebastian Rubio Garcia,Maria Carmen Quintero Ortega,Antonio Rodero Serrano. Владелец: UNIVERSIDAD DE CORDOBA. Дата публикации: 2006-11-16.

Apparatus and method for producing hydrogen gas by microwave plasma discharge

Номер патента: EP1881944A1. Автор: Bong-Ju Lee,Yong-Ho Jung. Владелец: SEM Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-30.

Externally heated microwave plasma gasifier and synthesis gas production method

Номер патента: KR101625140B1. Автор: 얀펭 장,밍구이 시아,리앙 장,이롱 첸. Владелец: 우한 카이디 엔지니어링 테크놀로지 리서치 인스티튜트 코오퍼레이션 엘티디.. Дата публикации: 2016-05-27.

Microwave plasma-assisted sputtering optical film forming method

Номер патента: CN111074225A. Автор: 毛念新,黄翔鄂,严仲君. Владелец: SHANGHAI JASON VACUUM CO Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

FIXED BED GASATING DEVICE FOR GASING OF MICROWAVE PLASMA BIOMAS AND SIMILAR PROCEDURE

Номер патента: DK2799521T3. Автор: Yanfeng Zhang,Liang Zhang,Yilong Chen,Minggui Xia. Владелец: Wuhan Kaidi Eng Tech Res Inst. Дата публикации: 2019-04-01.

Rice breeding method adopting microwave plasma treatment

Номер патента: CN109121550B. Автор: 李艳,张丽丽,张晓明,张烨,梁超,唐欣,牟晓东,邵龙,范立国,邵长勇,张保友,都明霞,梁凤臣,赵立静,邵希言,初晓玲. Владелец: Shandong Seed Co ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Synthesis of n-doped tio2 nano powder by microwave plasma torch

Номер патента: KR100613122B1. Автор: 엄환섭,홍용철,방찬욱. Владелец: 엄환섭. Дата публикации: 2006-08-17.

DEPOSITION INSTALLATION, USING MICROWAVE PLASMA, INTERNAL BARRIER COATING IN THERMOPLASTIC CONTAINERS

Номер патента: FR2907036B1. Автор: Damien Cirette,Yves Alban Duclos. Владелец: Sidel Participations SAS. Дата публикации: 2008-12-26.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: CA2942322A1. Автор: Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: Amastan Technologies Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Microwave plasma biomass entrained flow gasifier and process

Номер патента: ZA201405492B. Автор: Yanfeng Zhang,Liang Zhang,Yilong Chen,Minggui Xia. Владелец: Wuhan Kaidi Eng Tech Res Inst. Дата публикации: 2015-10-28.

Method of making synthetic diamond material using microwave plasma activated chemical vapor deposition technique and product obtained using said method

Номер патента: JP6397020B2. Автор: イアンフリエル,リズワンカン,スティーヴンコー,ジョナサンウィルマン,ダニエルトウィッチェン,ジェフリースカーズブルック,ジョンブランドン,クリストファーワート,マシューマーカム,キャサリンロバートソン. Владелец: エレメントシックステクノロジーズリミテッド. Дата публикации: 2018-09-26.

Substrate table for growing single crystal diamond by microwave plasma technology

Номер патента: CN111321462A. Автор: 龚闯,满卫东,吴剑波,朱长征. Владелец: Shanghai Zhengshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

Base station for growing single crystal diamond by microwave plasma technology

Номер патента: CN112481697B. Автор: 龚闯,满卫东,吴剑波,朱长征. Владелец: Shanghai Zhengshi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Device for treating a container with microwave plasma

Номер патента: CN1349567A. Автор: 帕特里克·肖莱. Владелец: Sidel Actis Services. Дата публикации: 2002-05-15.

Apparatus and method for producing hydrogen gas by microwave plasma discharge

Номер патента: KR20060118766A. Автор: 정용호,이봉주. Владелец: 주식회사 셈테크놀러지. Дата публикации: 2006-11-24.

Synthetic gas production apparatus and method from biodiesel by-product using microwave plasma

Номер патента: KR101336868B1. Автор: 윤상준,이재구,김용구. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatus for chemical vapour phase deposition activated by a microwave plasma

Номер патента: WO1994006950A1. Автор: Philippe Leprince,Remy Mevrel,Michel Bejet,Ghislaine Seiberras,Claude Indrigo,Claude Le Pennec. Владелец: Office National D'etudes Et De Recherches Aérospatiales. Дата публикации: 1994-03-31.

Microwave plasma monitoring system for real-time elemental analysis

Номер патента: AU2001241527A1. Автор: Yixiang Duan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-09-12.

Microwave plasma biomass gasifier with entrained flow and gasification method

Номер патента: RU2573016C1. Автор: Илун ЧЭНЬ,Яньфын ЧЖАН,Лян ЧЖАН,Мингуй CЯ. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-01-20.

MICROWAVE PLASMA ENGINE

Номер патента: EA201100107A1. Автор: Александр Александрович Звонов,Владимир Анатольевич Матвеев. Владелец: Владимир Анатольевич Матвеев. Дата публикации: 2011-06-30.

Dangerous solid useless processing apparatus of high-power microwave plasma

Номер патента: CN112371687A. Автор: 杨阳,黄卡玛,朱铧丞. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2021-02-19.

Oval microwave plasma diamond film deposition device

Номер патента: CN112410751A. Автор: 刘杰,卢超,程知群,汤一凡,严丽平,谷昊周,雷心晴. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2021-02-26.

Microwave plasma biomass gasifying fixed bed gasifier and process

Номер патента: KR101625152B1. Автор: 얀펭 장,밍구이 시아,리앙 장,이롱 첸. Владелец: 우한 카이디 엔지니어링 테크놀로지 리서치 인스티튜트 코오퍼레이션 엘티디.. Дата публикации: 2016-05-27.

Process for making carbon black and hydrogen using microwave plasma reactor

Номер патента: KR100583500B1. Автор: 이승호,조원일,백영순,주우성. Владелец: 한국가스공사. Дата публикации: 2006-05-24.

Equipment for microwave plasma vapor deposition of diamond

Номер патента: CN113430499A. Автор: 曹晓君. Владелец: Hunan Liangcheng New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-24.

Device for treating oily waste liquid by microwave plasma

Номер патента: CN113401956A. Автор: 项杰. Владелец: Shanghai Hanyi Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

A kind of microwave plasma industrial organic exhaust gas processing system

Номер патента: CN107754572A. Автор: 刘程,邓磊,谢宏,张贵新. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-06.

Microwave plasma film-forming apparatus for forming diamond film

Номер патента: US20030000467A1. Автор: Takahiro Imai,Takashi Matsuura,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Microwave plasma reformer

Номер патента: WO2014051366A1. Автор: 조성윤,홍용철,천세민. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2014-04-03.

Device for treating a container with microwave plasma

Номер патента: KR100467160B1. Автор: 콜레트패트릭. Владелец: 시델 액티스 서비시스. Дата публикации: 2005-01-24.

Microwave plasma biomass entrained flow gasifier and process

Номер патента: SI2799522T1. Автор: Yanfeng Zhang,Liang Zhang,Yilong Chen,Minggui Xia. Владелец: WUHAN KAIDI ENGINEERING TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE CO., LTD.. Дата публикации: 2018-04-30.

A Microwave Plasma CVD For Fabricating A Diamond Thin Film With Thickness Uniformity And A Method of Fabricating A Diamond Thin Film With Thickness Uniformity Using The Same

Номер патента: KR20220133431A. Автор: 유종현. Владелец: 알에프에이치아이씨 주식회사. Дата публикации: 2022-10-05.

Laser assisted microwave plasma spectroscopy

Номер патента: US8248602B2. Автор: Philip C. Efthimion,Andrzej Miziolek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system

Номер патента: SG179318A1. Автор: Shanker Misra Devi. Владелец: Gemesis Company S Pte Ltd. Дата публикации: 2012-04-27.

Method for the production of multiphase composite materials using microwave plasma process

Номер патента: WO2014153318A8. Автор: Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: AMASTAN LLC. Дата публикации: 2015-01-22.

Externally heated microwave plasma gasifier and synthesis gas production method

Номер патента: AP2014007829A0. Автор: Yilong Chen,Minggui Xia,Liang Zhanf. Владелец: Wuhan Kaidi Eng Tech Res Inst. Дата публикации: 2014-07-31.

High-speed diamond growth using a microwave plasma in pulsed mode

Номер патента: US20060153994A1. Автор: Alix Gicquel,Francois Silva,Khaled Hassouni,Antoine Rousseau,Xavier Duten,Guillaume Lombardi. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for microwave plasma roasting and non-cyanogen gold leaching of sulfur-bearing gold mineral

Номер патента: CN102758081B. Автор: 谢文清,郑新烟,陈金武. Владелец: FUJIAN SHUANGQISHAN MINING INDUSTRY Ltd Co. Дата публикации: 2013-12-18.

Microwave Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120000610A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave plasma generator

Номер патента: RU2153781C1. Автор: Н.И. Малых,М.И. Тактакишвили,И.А. Коссый,М.А. Мисакян,С.И. Грицинин. Владелец: Костин Владимир Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Installation and method for production of nanodispersed powders in microwave plasma

Номер патента: RU2252817C1. Автор: И.Л. Балихин,В.И. Берестенко,И.А. Домашнев,Е.Н. Куркин,В.Н. Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Наноматериалы". Дата публикации: 2005-05-27.

Microwave plasma processing device

Номер патента: RU2539872C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Алевтина Александровна Реппа. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-27.

Microwave plasma reactor for gas-phase deposition of diamond films in gas flow (versions)

Номер патента: RU2595156C2. Автор: Анатолий Леонтьевич Вихарев,Михаил Александрович Лобаев,Алексей Михайлович Горбачёв,Джеймс Ехрич Батлер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-08-20.

PLASMA SOURCE ELECTRODE

Номер патента: US20120001549A1. Автор: . Владелец: PHIVE PLASMA TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Vacuum arc plasma source

Номер патента: RU2053311C1. Автор: Владимир Ильич Гороховский. Владелец: Владимир Ильич Гороховский. Дата публикации: 1996-01-27.

Plasma source

Номер патента: IES84503Y1. Автор: Rogers Ellingboe Albert. Владелец: DUBLIN CITY UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-02-21.

Vacuum-arc plasma source

Номер патента: RU2072642C1. Автор: Ю.А. Быстров,А.А. Лисенков,И.С. Абрамов,В.Н. Шаронов,Б.В. Павлов. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "СЕД-СПб". Дата публикации: 1997-01-27.

Microwave plasma-chemical reactor

Номер патента: RU2225684C2. Автор: Г.В. Лысов,И.А. Леонтьев,шов О.Ю. Кудр,О.Ю. Кудряшов. Владелец: Аозт "Дигазкрон". Дата публикации: 2004-03-10.

Microwave radiation antenna, microwave plasma source, and plasma processing apparatus

Номер патента: JP6283438B2. Автор: 河西　　繁,太郎池田,豊藤野,池田　太郎,智仁小松,藤野　豊,長田　勇輝,勇輝長田,聡谷原,大幸宮下,河西　繁. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-21.

Device for microwave plasma treatment of materials

Номер патента: RU2157061C1. Автор: С.В. Редькин,В.В. Аристов. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. Дата публикации: 2000-09-27.

Method for controlling three-dimensional distribution of plasma density in microwave plasma source with electron-cyclotron resonance

Номер патента: RU2152663C1. Автор: С.А. Кудряшов,Р.К. Яфаров. Владелец: Яфаров Равиль Кяшшафович. Дата публикации: 2000-07-10.

Microwave transmission window, microwave plasma generator, and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: JP4883556B2. Автор: 浩嗣板. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp . Дата публикации: 2012-02-22.

Microwave supplying apparatus and microwave plasma system

Номер патента: TW201123997A. Автор: Bo-Hung Lin,Tsun-hsu Chang,Chung-Chun Huang,Chi-Wen Hu. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2011-07-01.

Microwave plasma treatment device and microwave plasma treatment method

Номер патента: JPH1154299A. Автор: Nobuo Fujiwara,伸夫藤原. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-02-26.

Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method

Номер патента: JP3643549B2. Автор: 雅司山華. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Tuner and microwave plasma source

Номер патента: JP6444782B2. Автор: 長田　勇輝,勇輝長田,大幸宮下. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-26.

Rectangular waveguide microwave plasma source generating device

Номер патента: CN104507249A. Автор: 王兴华,于爱华,王小艳,于永,赵振英,于爱民,霍阳,张寒琦,梁芳慧,霍德发,冯果栋,单洪岩,夏国海. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2015-04-08.

TUNER AND MICROWAVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20120067523A1. Автор: IKEDA Taro,Kasai Shigeru,Osada Yuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-03-22.

Microwave Plasma Generating Plasma and Plasma Torches

Номер патента: US20120018410A1. Автор: . Владелец: L'Air Liquide Societe Anonyme Pour L'Etude Et L "Exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2012-01-26.

Device for microwave-plasma treatment of materials

Номер патента: RU1568805C. Автор: Н.И. Богомолов,С.В. Редькин,В.В. Аристов,Н.С. Самсонов,Ю.С. Боков,Р.Д. Иванов. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН. Дата публикации: 1995-07-25.

Microwave Plasma Reactor

Номер патента: RU2008147517A. Автор: Виктор Григорьевич Ральченко,Константин Федорович Сергейчев,Виктор Григорьевич Ральченко (RU),Константин Федорович Сергейчев (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" (RU). Дата публикации: 2010-06-10.

METHOD OF MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3С-SiC)

Номер патента: RU2013127679A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2014-12-27.

Device using monopole antenna to excite the surface microwave plasma

Номер патента: TW440051U. Автор: Ting-Wei Huang,Jr-Jen Jang,Sheng-Fa Jang,Jen-Huei Tsai. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2001-06-07.

Microwave plasma powder treating device

Номер патента: JPS57124882A. Автор: Masahiko Hirose,Katsutoshi Nishida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-03.

Arc-adjusted high-power microwave plasma cvd device

Номер патента: ZA202110712B. Автор: Mark A Prelas,Yuyi Lin,Wenqiang YU. Владелец: Univ Shandong Technology. Дата публикации: 2022-04-28.

Microwave plasma generator

Номер патента: AU2002336214A1. Автор: James Timothy Shawcross,Stephen Ivor Hall,Robert Frew Gillespie. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2003-05-19.

Microwave antenna and microwave plasma processing apparatus

Номер патента: JP4197541B2. Автор: 直樹松本,稔本多,敏雄中西,弘司福森,潤山下,敏幸中村,茂樹本多. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

Method of detecting leakage microwave of microwave plasma device

Номер патента: JPS56128599A. Автор: Hiroshi Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-10-08.

Surface microwave plasma exciting device of multi-microwave source

Номер патента: TW560817U. Автор: Wen-Liang Huang,Chau-Chin HUANG,Jiun-Ru Huang,Jr-Jen Jang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2003-11-01.

Microwave plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: JP3295336B2. Автор: 伸昌鈴木. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2002-06-24.

Laser Assisted Microwave Plasma Spectroscopy

Номер патента: US20120008139A1. Автор: Miziolek Andrzej,Efthimion Philip C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

THIN FILM DEPOSITION USING MICROWAVE PLASMA

Номер патента: US20120171391A1. Автор: WON Tae Kyung,NOMINANDA Helinda,CHO Seon-Mee,CHOI Soo Young,PARK Beom Soo,WHITE John M.,ANWAR Suhail,KUDELA Jozef. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

MICROWAVE PLASMA ELECTRON FLOOD

Номер патента: US20120187842A1. Автор: . Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

SAMPLE TABLE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120211165A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-08-23.

MICROWAVE PLASMA ATOMIC FLUORESCENCE MERCURY ANALYSIS SYSTEM

Номер патента: US20120224175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

MICROWAVE PLASMA DEPOSITION DEVICE

Номер патента: US20120234241A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

NOZZLE FOR GENERATING MICROWAVE PLASMA FROM COMBUSTION FLAME

Номер патента: US20120235569A1. Автор: Lee Sang Hun,Weihe Orion,Way Andrew,Kim Joong Soo,Koo Jae-Mo,Warfield Richard. Владелец: AMARANTE TECHNOLOGIES, INC/. Дата публикации: 2012-09-20.

Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing

Номер патента: US20130270261A1. Автор: Hadidi Kamal,Redjdal Makhlouf. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

APPARATUS FOR THE DEPOSITION OF DIAMONDS BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION PROCESS AND SUBSTRATE STAGE USED THEREIN

Номер патента: US20130272928A1. Автор: Misra Devi Shanker. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Microwave plasma generator

Номер патента: JP2727747B2. Автор: 善一吉田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Microwave plasma device

Номер патента: JP2808888B2. Автор: 憲治吉沢,正和滝,順一西前,敬典難波. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-10-08.

Etching method in microwave plasma etching device

Номер патента: JPS6369228A. Автор: Katsuya Watanabe,克哉渡辺,Hitoaki Sato,佐藤　仁昭. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-29.

Novel household microwave plasma wall-mounted furnace

Номер патента: CN210197678U. Автор: Cheng Liu,刘程,邓磊,Shiyang Huang,黄诗洋,Guixin Zhang,张贵新,Lei Deng. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-27.

Microwave plasma film deposition equipment

Номер патента: JP2646664B2. Автор: 哲也上田,直樹鈴木,航作矢野. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-27.

Microwave plasma lamp sweep source system based on phase-locked loop

Номер патента: CN103731141A. Автор: 李斌,卢辉,李建清,黄桃,金晓林,朱小芳,杨中海. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-04-16.

MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: RU2013130852A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Алевтина Александровна Реппа. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

DEVICE FOR MICROWAVE PLASMA TREATMENT OF MATERIALS

Номер патента: RU2013132994A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Наталья Витальевна Побойкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-27.

Microwave plasma treatment device

Номер патента: JP2009239320A. Автор: 直樹松本,Naoki Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Microwave plasma reaction device for preparing nano-material

Номер патента: CN102794146B. Автор: 王强,李东红,王仲,张贵新,廖姗姗,罗承沐. Владелец: Zhangjiagang Zhidian Electric High-Tech Institute Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Microwave plasma device

Номер патента: JP3129814B2. Автор: 文雄高村,誠三ッ泉. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-31.

Microwave plasma treating equipment

Номер патента: JPS6439380A. Автор: Naoki Suzuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-09.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP3193575B2. Автор: 任光金清,仁昭佐藤,博宣川原,満片本,勝義工藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-30.

Microwave plasma treating apparatus

Номер патента: JPH11204296A. Автор: 直樹松本,Toshio Nakanishi,Naoki Matsumoto,敏雄中西,Shinya Nishimoto,伸也西本. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1999-07-30.

Microwave plasma CVD equipment

Номер патента: JP3149326B2. Автор: 通文丹花,貴裕北川. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-26.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2666697B2. Автор: 徹大坪,泰広山口,尚彦竹内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-10-22.

Microwave plasma torch for spectral analysis

Номер патента: SU449288A1. Автор: Иван Иванович Девяткин,Вадим Алексеевич Парилов,Михаил Андреевич Иванов,Александр Савельевич Зусмановский,Валентина Михайловна Перминова,Николай Иванович Цемко,Людмила Константиновна Чуприна. Владелец: Предприятие П/Я В-2604. Дата публикации: 1974-11-05.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2629610B2. Автор: 正治西海,義直川崎. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-07-09.

Vapor phase synthesis method for diamond by microwave plasma jet

Номер патента: JPS63310795A. Автор: Kenichi Sasaki,Kazuaki Kurihara,和明栗原,Motonobu Kawarada,謙一佐々木,河原田　元信. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-12-19.

Microwave plasma CVD apparatus and deposited film forming method

Номер патента: JP3118121B2. Автор: 伸昌鈴木. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-18.

Microwave plasma torch

Номер патента: JP4109301B2. Автор: 孝之深沢,傳篠田,博司梶山. Владелец: 株式会社アドテックプラズマテクノロジー. Дата публикации: 2008-07-02.

Microwave plasma processing method

Номер патента: JP2827660B2. Автор: 誠二寒川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-25.

Microwave plasma fluidized bed reaction device

Номер патента: JP2021178279A. Автор: Takeshi Yamamoto,Makoto Tanaka,剛山本,良田中. Владелец: Aichi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2697464B2. Автор: 恭一小町,良則岡崎. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-01-14.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2718328B2. Автор: 実山田. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-25.

Microwave plasma treater

Номер патента: JPS6464222A. Автор: Masami Sasaki,Sumio Mori. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1989-03-10.

Microwave plasma etching equipment

Номер патента: JP3246788B2. Автор: 大本　　豊,良次福山,誠縄田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-15.

Device for the generation of a microwave plasma with a large expansion and homogeneity

Номер патента: DD263648B5. Автор: Martin Schmidt,Andreas Ohl,Ruediger Wilberg,Thea Rueger. Владелец: Buck Werke Gmbh. Дата публикации: 1996-01-25.

Microwave plasma sterilization method

Номер патента: JP3813586B2. Автор: 雅章永津. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2006-08-23.

Method for preparing trichlorosilane and dichlorosilane by hydrogenating silicon tetrachloride through microwave plasma

Номер патента: CN101734666A. Автор: 张伟刚,卢振西. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2010-06-16.

Microwave plasma torch device

Номер патента: CN105072793A. Автор: 徐晨,刘文龙. Владелец: ZHEJIANG SUPCON RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

The production method of microwave plasma and device

Номер патента: CN1055275A. Автор: 郭华聪. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 1991-10-09.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP3256005B2. Автор: 哲徳加治,直行田村,芳文小川,久夫安並. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-12.

Microwave plasma generator and proton transfer mass spectrometer

Номер патента: CN102103970B. Автор: 段忆翔,詹雪芳. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2013-08-14.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2000040600A. Автор: 直樹松本,Toshio Nakanishi,Naoki Matsumoto,敏雄中西. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2000-02-08.

Microwave plasma converter

Номер патента: RU2522636C1. Автор: Алексей Григорьевич Жерлицын,Владимир Петрович Шиян,Геннадий Григорьевич Канаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Microwave plasma processor

Номер патента: JPS6293937A. Автор: Yoshifumi Ogawa,芳文小川,Masaharu Saikai,西海　正治. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-04-30.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP3979453B2. Автор: 直樹松本,敏雄中西,伸也西本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-09-19.

Microwave plasma processing apparatus and processing method

Номер патента: JP4232512B2. Автор: 恒久並木,亮小林,幸司山田,秀夫倉島. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2009-03-04.

Microwave plasma processing device

Номер патента: RU2555743C2. Автор: Петр Павлович Мальцев,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Наталья Витальевна Побойкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-07-10.

Microwave plasma biomass entrained bed gasification furnace

Номер патента: CN202390392U. Автор: 陈义龙,张岩丰,张亮,夏明贵. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Microwave plasma processing equipment

Номер патента: JP2901331B2. Автор: 和夫鈴木,政博田中,邦彦渡邉,悟轟,光雄中谷. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-07.

Method for preparing trichlorosilane and dichlorosilane by hydrogenating silicon tetrachloride through microwave plasma

Номер патента: CN101734666B. Автор: 张伟刚,卢振西. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2012-09-26.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: CN211947216U. Автор: 杨阳,黄卡玛,朱铧丞. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2020-11-17.

Microwave plasma igniter for engine of automobile

Номер патента: CN102121448B. Автор: 樊勇,郑伟,程钰间. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-05-30.

Solid waste harmless treatment device based on microwave plasma

Номер патента: CN217503679U. Автор: 张志博,张贵新,赵学伟,夏道路,揭子尧. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-27.

Method and device for producing nonequilibrium microwave plasma in high-pressure gases

Номер патента: RU2166240C2. Автор: Г.В. Лысов. Владелец: ООО "Плазма-Т". Дата публикации: 2001-04-27.

Microwave plasma generator for treatment of dispersion materials

Номер патента: RU1618261C. Автор: Н.И. Чебаньков. Владелец: Чебаньков Николай Иванович. Дата публикации: 1994-04-15.

High power large tracts of land bias voltage microwave plasma diamond films deposition apparatus

Номер патента: CN206109529U. Автор: 杨兵,黄楠,李俊豪,姜辛,刘鲁生,翟超峰,贾心怡. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2017-04-19.

Microwave plasma mass spectrometer

Номер патента: CN105489468A. Автор: 张小华,凌星,王后乐,许华磊,杜永光. Владелец: Beijing Purkinje General Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Film forming apparatus using microwave plasma and method thereof

Номер патента: JPH0627346B2. Автор: 健二宮,訓之作道,敬三鈴木,克己登木口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-04-13.

Microwave plasma treatment device

Номер патента: JPS6372123A. Автор: Shuzo Fujimura,Yoshikazu Kato,藤村　修三,加藤　吉和. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-04-01.

Method and apparatus for synthesizing large area diamond films by microwave plasma jet chemical vapor deposition system and product thereof

Номер патента: TWI429778B. Автор: Chii Ruey Lin,Chun Hsi Su,Chang Yu Ching,Chien Hung Lu,Ming De Wu. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2014-03-11.

Device for microwave plasma based low-energy ion implantation on internal surface of metal round pipe with small pipe diameter

Номер патента: CN101713065A. Автор: 高峰,雷明凯,吴志立,欧伊翔. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2010-05-26.

Номер патента: RU2005125464A. Автор: Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Константин Федорович Сергейчев,Владимир Васильевич Атежев,Сергей Каренович Вартапетов,Валерий Борисович Хаваев,Владимир Васильевич Атежев (RU),Сергей Каренович Вартапетов (RU),Виталий Иванович Конов (RU),Виктор Григорьевич Ральченко (RU),Константин Федорович Сергейчев (RU),Валерий Борисович Хаваев (RU). Владелец: ООО "Оптосистемы" (RU). Дата публикации: 2007-02-27.

Номер патента: RU2539863C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Павел Сергеевич Приходько,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Наталья Витальевна Побойкина,Николай Сергеевич Тарасов,Константин Николаевич Томош. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-27.

Microwave plasma source

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты