Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Immersion lithography

Номер патента: US20040125351A1
Опубликовано: 01-07-2004
Автор(ы): Christof Krautschik
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Systems and methods for thermally-induced aberration correction in immersion lithography

Номер патента: US20110261335A1. Автор: Harry Sewell,Louis John Markoya,Diane Czop McCafferty. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2011-10-27.

Immersion lithography apparatus and method for cleaning immersion lithography apparatus

Номер патента: US20110170076A1. Автор: Masaru Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Immersion lithography system using a sealed wafer bath

Номер патента: US09696634B2. Автор: Ching-Yu Chang,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation

Номер патента: SG128552A1. Автор: Ching-Yu Chang,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

In-line inspection and clean for immersion lithography

Номер патента: US09658536B2. Автор: JUI-CHUN PENG,Tung-Li Wu,Heng-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer

Номер патента: US20060289794A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Peter Mitchell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer

Номер патента: US20080165335A1. Автор: Peter H. Mitchell,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Immersion Lithography Apparatus and Exposure Method

Номер патента: US20080106713A1. Автор: Takuya Kono,Makiko Katano,Ayako Mizuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Reducing contamination in immersion lithography

Номер патента: US20080284994A1. Автор: Raschid J. Bezama,Dario L. Goldfarb,Dmitriy Shneyder,Kafal Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for immersion lithography

Номер патента: US20070224545A1. Автор: Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate

Номер патента: US20140071412A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani,Daishi Tanaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Image sensor for immersion lithography

Номер патента: US11774868B2. Автор: Daniel Grimm,Nirupam BANERJEE,Arend Johannes DONKERBROEK,Sandro WRICKE,Johan Franciscus Maria BECKERS,Peter BRAKHAGE,Tim Rathje,Martin TILKE. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for contact immersion lithography

Номер патента: US11892777B2. Автор: James Dunphy,Hongqin Shi,Yeh-Jiun Tung,Cesar Gensoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and Methods for Contact Immersion Lithography

Номер патента: US20230055675A1. Автор: James Dunphy,Hongqin Shi,Yeh-Jiun Tung,Cesar Gensoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: US20070076182A1. Автор: Andrew Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Systems and methods for contact immersion lithography

Номер патента: EP4066062A1. Автор: James Dunphy,Hongqin Shi,Yeh-Jiun Tung,Cesar Gensoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2022-10-05.

Immersion lithography system and method having an immersion fluid confinement plate for submerging the substrate

Номер патента: WO2007145725A2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2007-12-21.

Immersion fluid for immersion Lithography, and method of performing immersion lithography

Номер патента: US20050036183A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Burn-Jeng Lin,Chenming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Wafer cell for immersion lithography

Номер патента: US7271878B2. Автор: Charles William Koburger, III,Peter H. Mitchell,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,David Vaclav Horal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Immersion lithography system and method having an immersion fluid confinement plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid

Номер патента: TW200813649A. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography

Номер патента: US7700267B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Burn-Jeng Lin,Chenming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-04-20.

Immersion lithography laser light source with pulse stretcher

Номер патента: US20100074295A1. Автор: Igor V. Fomenkov,John Fitzgerald,Richard L. Sandstrom,William N. Partlo,Alexander I. Ershov,Vladimir B. Fleurov,Daniel J.W. Brown,Robert A. Bergstedt,Robert N. Jacques,Christian J. Wittak,German Rylov,Rajasekhar M. Rao,Mike Wyatt,Ed Danielewicz,Robin Swain,Edmond Arriola,Walter Crosby. Владелец: Cymer Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method and system for immersion lithography using high pH immersion fluid

Номер патента: TW200606593A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for monitoring parameters of an immersion lithography exposure apparatus and immersion lithography exposure apparatus

Номер патента: DE102004050642A1. Автор: Sebastian Schmidt,Jens Dr. Schneider,Guillaume Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Immersion lithography apparatus and method of performing immersion lithography

Номер патента: WO2007071280A1. Автор: Kevin Cooper,Scott Warrick. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-06-28.

Backside immersion lithography

Номер патента: WO2007131769A1. Автор: Ulric Ljungblad,Per-Erik Gustafsson. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2007-11-22.

Backside immersion lithography

Номер патента: EP2018598A1. Автор: Ulric Ljungblad,Per-Erik Gustafsson. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2009-01-28.

Immersion lithography fluid control system that applies force to confine the immersion liquid

Номер патента: US7339650B2. Автор: Derek Coon,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Liquid Composition for Immersion Lithography and Lithography Method Using the Same

Номер патента: KR100682152B1. Автор: 이성구,정재창. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Liquid Composition for Immersion Lithography and Lithography Method Using the Same

Номер патента: KR100682213B1. Автор: 정재창,김형수,공근규,김형륜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

In-situ defect monitor and control system for immersion medium in immersion lithography

Номер патента: US7224456B1. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian,Khoi Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-29.

Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems

Номер патента: US20050048223A1. Автор: Harry Levinson,Adam Pawloski,Amr Abdo,Gilles Amblard,Bruno LaFontaine,Ivan Lalovic,Jeffrey Schefske,Cyrus Tabery,Frank Tsai. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING IMMERSION FLUID IN THE GAP UNDER THE PROJECTION LENS DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20130301020A1. Автор: BINNARD Michael. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING IMMERSION FLUID IN THE GAP UNDER THE PROJECTION LENS DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20130301022A1. Автор: BINNARD Michael. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING IMMERSION FLUID IN THE GAP UNDER THE PROJECTION LENS DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20130308107A1. Автор: BINNARD Michael. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD HAVING MOVABLE LIQUID DIVERTER BETWEEN IMMERSION LIQUID CONFINEMENT MEMBER AND SUBSTRATE

Номер патента: US20140071412A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung,COON Derek,KESWANI Gaurav,TANAKA Daishi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

APPARATUS AND METHODS FOR KEEPING IMMERSION FLUID ADJACENT TO AN OPTICAL ASSEMBLY DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20140232999A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung,COON Derek,KESWANI Gaurav,TANAKA Daishi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-21.

APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING IMMERSION FLUID IN THE GAP UNDER THE PROJECTION LENS DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20160238948A1. Автор: BINNARD Michael. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-18.

Immersion liquids for immersion lithography

Номер патента: US20050164502A1. Автор: Hai Deng,Robert Meagley,Ernisse Putna,Yueh Wang,Huey-Chiang Liou,Hok-Kin Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for detecting blockage of liquid discharge hole of immersion cover of immersion lithography machine

Номер патента: CN113204174A. Автор: 李玉华,黄发彬,吴长明,姚振海,金乐群,程宇. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for preventing or reducing contamination of an immersion projection apparatus and immersion lithography apparatus

Номер патента: JP4938424B2. Автор: デル フーフェン，ヤン コルネリス ファン. Владелец: エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．. Дата публикации: 2012-05-23.

Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography

Номер патента: EP1636654A2. Автор: Fred C. Redeker,John Boyd,Mikhail Korolik,John M. de Larios,Michael Ravkin,David Hemker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US20120013861A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Wafer table having sensor for immersion lithography

Номер патента: US20130301016A1. Автор: Andrew J. Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING FLUID FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20170108784A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-20.

LIQUID JET AND RECOVERY SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140253888A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING A TRANSPORT REGION FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20170219940A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-08-03.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING VACUUM SCAVENGE FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20170235237A1. Автор: Sogard Michael,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-08-17.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING VACUUM SCAVENGE FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20180259860A1. Автор: Sogard Michael,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus

Номер патента: WO2004090633A2. Автор: John K. Eaton. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2004-10-21.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US8059258B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US10185222B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: WO2004092830A3. Автор: Andrew J Hazelton,Douglas C Watson,W Thomas Novak. Владелец: W Thomas Novak. Дата публикации: 2005-06-16.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US10203610B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: EP2466383B1. Автор: Andrew J. Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-11-19.

Refractive projection objective for immersion lithography

Номер патента: US20030174408A1. Автор: Wilhelm Ulrich,Hans-Juergen Rostalski. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2003-09-18.

Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

Номер патента: US20050037269A1. Автор: Harry Levinson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Gradient immersion lithography

Номер патента: US20050094116A1. Автор: Donis Flagello,John Doering. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2005-05-05.

Refractive projection objective for immersion lithography

Номер патента: US20050190455A1. Автор: Aurelian Dodoc,Alexander Epple,Hans-Juergen Rostalski,Helmut Beierl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2005-09-01.

Wafer cell for immersion lithography

Номер патента: US20050237501A1. Автор: Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,Charles Koburger,Peter Mitchell,David Horal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-10-27.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR101371917B1. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-03-07.

Substrate arrangement in the immersion lithography

Номер патента: CN100565348C. Автор: C·A·胡根达姆,M·库佩鲁斯,G·J·尼梅杰,P·A·W·C·M·范埃克. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2009-12-02.

Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101129213B1. Автор: 토마스 더블유 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-03-27.

System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Номер патента: CN1975580B. Автор: H·塞维尔. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2011-06-15.

Patterning method using the same of immersion lithography

Номер патента: KR100734672B1. Автор: 김진엽. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US8520187B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US9285683B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Refractive projection lens for immersion lithography

Номер патента: DE10210899A1. Автор: Wilhelm Ulrich,Hans-Juergen Rostalski. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2003-09-18.

Immersion lithography system

Номер патента: JP4428115B2. Автор: ビー バナード マイケル. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-03-10.

Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system

Номер патента: US20090087795A1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak. Владелец: Horak David V. Дата публикации: 2009-04-02.

Method and device for immersion lithography

Номер патента: CN1864103A. Автор: 艾伦·卡罗尔. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2006-11-15.

Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

Номер патента: WO2005017625A3. Автор: Harry J Levinson. Владелец: Harry J Levinson. Дата публикации: 2005-09-01.

Fluid pressure compensation for immersion lithography lens

Номер патента: WO2006009573A1. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2006-01-26.

Immersion lithography technique and product

Номер патента: TW200538881A. Автор: Kyle Patterson,Kirk Strozewski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-12-01.

A new device and method for immersion lithography.

Номер патента: NL1031824A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Jen-Chieh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-11-17.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR101590686B1. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2016-02-01.

Apparatus, wafer chuck assembly and method for reducing contamination in immersion lithography

Номер патента: JP5044812B2. Автор: カファイ・ライ,ドミティリ・シュニダ,ラスチド・ジョゼ・ベザマ,ダリオ・レオナルド・ゴールドファーブ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

Immersion Lithography System Using A Sealed Wafer Bath

Номер патента: US20080106710A1. Автор: Ching-Yu Chang,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Immersion lithography fluid

Номер патента: JP4828833B2. Автор: コックス バーバー レスリー,ザン ペン,マリア バッドラル ブリジット,エベラッド パリス ジーン. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method and apparatus for immersion lithography

Номер патента: EP1612609A3. Автор: Paul Mertens,Wim Fyen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-05-10.

Illumination light in immersion lithography stepper for particle or bubble detection

Номер патента: US20070296937A1. Автор: Peter H. Mitchell,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for measuring immersion lithography dissolved component of organic film

Номер патента: JP4804950B2. Автор: 正昭 吉田,裕光 辻,伸之 幸田,隆之 矢島. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-02.

Immersion lithography apparatus and method

Номер патента: US7268357B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Jen-Chien Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: TW201351021A. Автор: 高岩宏明,安卓Ｊ 哈查頓. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2013-12-16.

Immersion lithography apparatus and device manufacturing method

Номер патента: JP4958930B2. Автор: レンペンス，ハン，ヘンリクス，アルデゴンダ,サイモンズ，ウィルヘルムス，フランシスカス，ヨハネス,ステッフェンス，コエン,ケンパー，ニコラース，ルドルフ,フィリップス，ダニー，マリア，ヒューベルタス,ディレックス，ダニエル，ヨゼフ，マリア,デル ハム，ロナルド ヴァン,リーブレッツ，パウルス，マルティヌス，マリア,ブランズ，ゲルト−ヤン，ゲラルドゥス，ヨハネス，トーマス,デル ザンデン，マルカス，ヨハネス ヴァン,ムルダー，ピエター. Владелец: エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．. Дата публикации: 2012-06-20.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US20110031416A1. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Immersion lithography system and device manufacturing method

Номер патента: JP5158997B2. Автор: ジャンセン，ハンス,スタベンガ，マルコ，クールト,フェルスパイ，ヤコブス，ヨハヌス，レオナルドゥス，ヘンドリクス,ヤンセン，フランシスクス，ヨハネス，ヨセフ,カイペル，アントニー. Владелец: エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．. Дата публикации: 2013-03-06.

Method and system for immersion lithography

Номер патента: CN1637609A. Автор: 杨育佳,林佳惠. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-13.

Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography

Номер патента: US20070188731A1. Автор: Xiao Liu,Kafai Lai,Dmitriy Shneyder,Dario Goldfarb,Raschid Bezama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Apparatus and method for immersion lithography

Номер патента: DE602006014341D1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Apparatus for Method for Immersion Lithography

Номер патента: US20110267591A1. Автор: BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: TWI362567B. Автор: Tim Poon Alex Ka,Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-04-21.

Immersion lithography objective

Номер патента: WO2007020067A1. Автор: Paul Graeupner,Bob Streefkerk,Christiaan Alexander Hoogendam,Bernhard Gellrich,Andreas Wurmbrand,Juergen Fischer,Johannes Jacobus Matheus Baselmans,Bauke Jansen. Владелец: Carl Zeiss Smt Ag. Дата публикации: 2007-02-22.

Systems and methods for contact immersion lithography

Номер патента: EP4066062A4. Автор: James Dunphy,Hongqin Shi,Yeh-Jiun Tung,Cesar Gensoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Immersion lithography system and its seal ring arrangements and application method thereof

Номер патента: TWI324372B. Автор: Tsai Sheng Gau,Chun Kuang Chen,Ru Gun Liu,Jen Chieh Shih,Burnjeng Lin,Shinn Sheng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-05-01.

Method using specific contact angle for immersion lithography

Номер патента: TWI310486B. Автор: Bangching Ho,Jen Chieh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-06-01.

Wafer table having sensor for immersion lithography

Номер патента: US20130301018A1. Автор: Andrew J. Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

OPTICAL ARRANGEMENT OF AUTOFOCUS ELEMENTS FOR USE WITH IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140055762A1. Автор: NOVAK W. Thomas. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

LIQUID JET AND RECOVERY SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20180024442A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-25.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING FLUID FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150036113A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US20180039187A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

SUBSTRATE PLACEMENT IN IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20160054665A1. Автор: Hoogendam Christiaan Alexander,Nijmeijer Gerrit Johannes,Cuperus Minne,Van Eijck Petrus Anton Willem Cornelia Maria. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-02-25.

SUBSTRATE PLACEMENT IN IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20180067401A1. Автор: Hoogendam Christiaan Alexander,Nijmeijer Gerrit Johannes,Cuperus Minne,Van Eijck Petrus Anton Willem Cornelia Maria. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING A TRANSPORT REGION FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20160085160A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Immersion Lithography System Using a Sealed Wafer Bath

Номер патента: US20190113855A1. Автор: Chang Ching-Yu,LIN Burn Jeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US20190129311A1. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

IMMERSION LITHOGRAPHY SYSTEM USING A SEALED WAFER BATH

Номер патента: US20200124992A1. Автор: Chang Ching-Yu,LIN Burn Jeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING FLUID FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20190137888A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-09.

Systems and Methods for Contact Immersion Lithography

Номер патента: US20210191276A1. Автор: Tung Yeh-Jiun,Dunphy James,Shi Hongqin,Gensoli Cesar. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING A TRANSPORT REGION FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20180164703A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

RUN-OFF PATH TO COLLECT LIQUID FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20150177628A1. Автор: NOVAK W. Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US20160209762A1. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING VACUUM SCAVENGE FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20140320831A1. Автор: Sogard Michael,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-30.

OPTICAL ARRANGEMENT OF AUTOFOCUS ELEMENTS FOR USE WITH IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140320833A1. Автор: NOVAK W. Thomas. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-30.

IN-LINE INSPECTION AND CLEAN FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150241789A1. Автор: Peng Jui-Chun,Liu Heng-Hsin,WU Tung-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-27.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING A TRANSPORT REGION FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20140354967A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Sogard Michael,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

Immersion Lithography System Using a Sealed Wafer Bath

Номер патента: US20170299968A1. Автор: Chang Ching-Yu,LIN Burn Jeng. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Apparatus and Method for Providing Fluid for Immersion Lithography

Номер патента: US20070222967A1. Автор: Alex Poon,Leonard Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating and projection exposure apparatus comprising the same

Номер патента: WO2008031576A1. Автор: Bernhard Gellrich,Andreas Schubert,Stephan Six,Michael Lill,Rüdiger DÜSING,Michael Widmann,Tilmann Von Papen,Thomas Ihl. Владелец: Carl Zeiss Smt Ag. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and system for immersion lithography

Номер патента: US20050147920A1. Автор: Chia-Hui Lin,Yee-Chia Yeo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR101308826B1. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-09-13.

Immersion lithography.

Номер патента: NL1036333A1. Автор: Cedric Desire Grouwstra,Dirk De Vries,Richard Moerman,Michel Franciscus Johannes Van Rooy. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2009-07-07.

Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating and projection exposure apparatus comprising the same

Номер патента: CN101535899B. Автор: S·西克斯,M·利尔,R·迪辛,B·盖尔里奇,M·威德曼,A·舒伯特,T·冯巴本,T·伊尔. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2012-03-21.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: WO2004092830A2. Автор: W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton,Douglas C Watson. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2004-10-28.

Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7397532B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Projection objective for immersion lithography

Номер патента: US7460206B2. Автор: Karl-Heinz Schuster,Markus Brotsack,Toralf Gruner,Michael Lill,Karl-Stefan Weissenrieder,Alexander Hirnet,Alexandra Pazidis,Christoph Zaczek,Harald Schink,Ulrich Loering,Patrick Scheible. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2008-12-02.

System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Номер патента: US7773195B2. Автор: Harry Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2010-08-10.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: US8077291B2. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Petrus Anton Willern Cornelia Maria Van Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2011-12-13.

Immersion lithography fluid control system changing flow velocity of gas outlets based on motion of a surface

Номер патента: US8797500B2. Автор: Derek Coon,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Immersion lithography fluid control system using an electric or magnetic field generator

Номер патента: US8102501B2. Автор: Derek Coon,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Immersion lithography fluid control system regulating gas velocity based on contact angle

Номер патента: US8497973B2. Автор: Derek Coon,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Immersion lithography fluid control system regulating flow velocity of gas based on position of gas outlets

Номер патента: US9618852B2. Автор: Andrew J. Hazelton,Derek Coon. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Lyophobic run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8243253B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Immersion lithography apparatus with hydrophilic region encircling hydrophobic region which encircles substrate support

Номер патента: US9007561B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus

Номер патента: WO2004090633A3. Автор: John K Eaton. Владелец: John K Eaton. Дата публикации: 2005-05-12.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US7443482B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US7932989B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US9785057B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US9304409B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US9817319B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: US8441617B2. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Petrus Anton Willem Cornelia Maria Van Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2013-05-14.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: US9182222B2. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Petrus Anton Willem Cornelia Maria Van Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2015-11-10.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: US9740106B2. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Petrus Anton Willem Cornelia Maria Van Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Номер патента: US8456611B2. Автор: Harry Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2013-06-04.

Immersion lithography fluid control system

Номер патента: WO2004093159A2. Автор: Andrew J. Hazelton,Derek Coon. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2004-10-28.

Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP1611482B1. Автор: Thomas W. Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Liquid jet recovery system for immersion lithography

Номер патента: JP4582089B2. Автор: ダブリュー．， トーマス ノヴァック，,アンドリュー， ジェイ． ハゼルトン，,ダグラス， シィ． ワトソン，. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

Номер патента: US7006209B2. Автор: Harry J. Levinson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

Номер патента: US7061578B2. Автор: Harry J. Levinson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: EP1747499A2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung 1425 Fillmore Street KHO. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Apparatus for method for immersion lithography

Номер патента: US20040075895A1. Автор: Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Immersion lithography methods using carbon dioxide

Номер патента: US20040180299A1. Автор: Joseph DeSimone,Jason Rolland. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL. Дата публикации: 2004-09-16.

Method and device for immersion lithography

Номер патента: US20050073670A1. Автор: Allen Carroll. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2005-04-07.

Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography

Номер патента: US20050153424A1. Автор: Derek Coon. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Liquid-filled balloons for immersion lithography

Номер патента: US20050158673A1. Автор: Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Peter Mitchell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Method and system for immersion lithography lens cleaning

Номер патента: US20050205108A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Projection objective for immersion lithography

Номер патента: US20050225737A1. Автор: Karl-Heinz Schuster,Markus Brotsack,Toralf Gruner,Michael Lill,Karl-Stefan Weissenrieder,Alexander Hirnet,Alexandra Pazidis,Christoph Zaczek,Harald Schink,Ulrich Loering,Patrick Scheible,Guenter Scheible. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2005-10-13.

Apparatus and method for immersion lithography

Номер патента: US20050253090A1. Автор: Ru-Gun Liu,Burn Lin,Tsai Gau,Chun-Kuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-17.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: US20060103832A1. Автор: Andrew Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Immersion lithography objective

Номер патента: US20080212211A1. Автор: Paul Graeupner,Bob Streefkerk,Christiaan Alexander Hoogendam,Bernhard Gellrich,Andreas Wurmbrand,Juergen Fischer,Johannes Jacobus Matheus Baselmans,Bauke Jansen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2008-09-04.

Immersion lithography fluid control system

Номер патента: KR101177331B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,데릭 쿤. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-08-30.

In immersion lithography system, monitor and the control imaging method

Номер патента: CN100538523C. Автор: H·J·利维森. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-09-09.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR101238114B1. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-02-27.

System and method for increasing surface tension and contact angle in immersion lithography

Номер патента: JP4478139B2. Автор: シューエル，ハリー. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2010-06-09.

Refractive projection objective for immersion lithography

Номер патента: KR100991590B1. Автор: 로슈탈스키한스-위르겐,울리히빌헬름. Владелец: 칼 짜이스 에스엠티 아게. Дата публикации: 2010-11-04.

Fluids for Immersion Lithography Systems

Номер патента: KR100810700B1. Автор: 프란시스 굿윈,브라이안 마티닉,스테판 브랜들. Владелец: 키몬다 아게. Дата публикации: 2008-03-07.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US8054448B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Wafer table having sensor for immersion lithography

Номер патента: US8508718B2. Автор: Hiroaki Takaiwa,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography

Номер патента: US8654305B2. Автор: Harry Sewell,Louis John Markoya. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2014-02-18.

Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography

Номер патента: US8817226B2. Автор: Harry Sewell,Louis John Markoya. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2014-08-26.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US9547243B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US8896807B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Removable pellicle for immersion lithography

Номер патента: KR101163095B1. Автор: 피터 디크센,로버트 디 모톤,피터 잔드베르겐,스틴빈켈 데이비드 반,유리 아크세노브,제로엔 에이치 라메르스,요한네스 반 빈게르덴,라우렌트 마리니에르. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2012-07-06.

Manufacturing method of semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: CN1971428B. Автор: 郑载昌,文承灿. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-07.

DEVICE AND METHOD FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: FR2893429B1. Автор: BURN JENG LIN,Tsai Sheng Gau,Chun Kuang Chen,Ru Gun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-05-08.

DEVICE AND METHOD FOR EXPOSING MEGASONIC IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: FR2893725B1. Автор: BURN JENG LIN,Ching Yu Chang,Chien Hung Lin,Chin Hsiang Lin,Ding Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-05-29.

Megasonic immersion lithography exposure device for forming integrated circuit pattern, has chamber for containing exposure liquid, and megasonic plate engaging inlet conduit for propagating sonic waves through exposure liquid

Номер патента: FR2893725A1. Автор: BURN JENG LIN,Ching Yu Chang,Chien Hung Lin,Chin Hsiang Lin,Ding Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-25.

System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Номер патента: TWI349170B. Автор: Harry Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2011-09-21.

Apparatus and method for immersion lithography

Номер патента: TWI249085B. Автор: Ru-Gun Liu,Burn-Jeng Lin,Chun-Kuang Chen,Tsai-Sheng Gau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-02-11.

Immersion lithography fluids

Номер патента: US8007986B2. Автор: Peng Zhang,Leslie Cox Barber,Gene Everad PARRIS,Bridgette Maria Budhlall. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: SG123670A1. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Van Petrus Anton Willem Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2006-07-26.

Fluid pressure compensation for immersion lithography lens

Номер патента: KR101259190B1. Автор: 더글라스 씨 왓슨,더블유 토마스 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-04-29.

Refractive index system monitor and control for immersion lithography

Номер патента: TW200510709A. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian,Khoi A Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

Номер патента: TW200511470A. Автор: Harry J Levinson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography

Номер патента: US7787101B2. Автор: Raschid J. Bezama,Kafai Lai,Dario L. Goldfarb,Xiao H. Liu,Dmitriy Shneyder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Substrate placement in immersion lithography

Номер патента: EP1669808A3. Автор: Christiaan Alexander Hoogendam,Gerrit Johannes Nijmeijer,Minne Cuperus,Petrus Anton Willem Cornelia Maria Van Eijck. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Method and apparatus for removing particles in immersion lithography

Номер патента: US7800731B2. Автор: Tsai-Sheng Gau,Tzung-Chi Fu,Hsin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-21.

System for reducing movement induced disturbances in immersion lithography

Номер патента: EP1630616A3. Автор: Yuli Vladimirsky,Lev Ryzhikov. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2007-10-31.

Immersion lithography method and substrate exposure apparatus

Номер патента: JP4405515B2. Автор: ニーホフ，マルティン. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-01-27.

Last lens of immersion lithography equipment

Номер патента: EP1726995A1. Автор: Tsuguo Fukuda,Teruhiko Tokuyama Corporation Nawata,Yoji Tokuyama Corporation Inui,Eiichi Tokuyama Corporation Nishijima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2006-11-29.

Gettering members, methods of forming the same, and methods of performing immersion lithography using the same

Номер патента: US20080131817A1. Автор: Hyun-Woo Kim,Chan Hwang,Jin-Young Yoon,Yun-Kyeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Immersion lithography apparatus and methods

Номер патента: US20070091287A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography

Номер патента: US20090237631A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: TW200509209A. Автор: Hiroaki Takaiwa,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography

Номер патента: US8289497B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

High refractive index fluids with low absorption for immersion lithography

Номер патента: WO2007001848A2. Автор: William A. Wojtczak,Roger Moulton,Dean Dewulf. Владелец: SACHEM, INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Immersion lithography apparatus and tank thereof

Номер патента: US8189175B2. Автор: Fan-Gang Tseng,Kuo-Yung Hung. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-05-29.

Method and device for immersion lithography

Номер патента: US7369217B2. Автор: Allen Carroll. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2008-05-06.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: EP3179309A1. Автор: Andrew J. Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Image sensor for immersion lithography

Номер патента: EP3956728A1. Автор: Daniel Grimm,Nirupam BANERJEE,Arend Johannes DONKERBROEK,Sandro WRICKE,Johan Franciscus Maria BECKERS,Peter BRAKHAGE,Tim Rathje,Martin TILKE. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2022-02-23.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: EP2466382B1. Автор: Andrew J. Hazelton,Hiroaki Takaiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-11-26.

Method and related operation system for immersion lithography

Номер патента: US7633601B2. Автор: Benjamin Szu-Min Lin,Yong-Fa Huang,Chun-Chi Yu,Huan-Ting Tseng,Bo-Jou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: US20060152697A1. Автор: Alex Poon,Leonard Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Liquid-filled balloons for immersion lithography

Номер патента: US7026259B2. Автор: Peter H. Mitchell,Mark C. Hakey,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Immersion lithography apparatus and device manufacturing method

Номер патента: JP4860681B2. Автор: リーンダース，マルチヌス，ヘンドリカス，アントニアス,コーティエ，ロジェ，ヘンドリカス，マグダレーナ,ドンデルス，ソヘルド，ニコラース，ランベルタス,ワグナー，クリスチャン. Владелец: エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．. Дата публикации: 2012-01-25.

Wafer table for immersion lithography

Номер патента: TWI476504B. Автор: 高岩宏明,安卓Ｊ 哈查頓. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2015-03-11.

Fabricating Method of Semiconductor Device Using Immersion Lithography

Номер патента: KR100939157B1. Автор: 전현숙. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-28.

Immersion lithography methods using carbon dioxide

Номер патента: TW200504864A. Автор: Joseph M Desimone,Jason P Rolland. Владелец: Univ North Carolina. Дата публикации: 2005-02-01.

Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography

Номер патента: US20080043211A1. Автор: Alex Poon,Leonard Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and system for immersion lithography

Номер патента: CN100437356C. Автор: 杨育佳,林佳惠. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Fluid pressure correction of immersion lithography lens

Номер патента: JP4623095B2. Автор: ダブリュー．， トーマス ノヴァック，,ダグラス， シィ． ワトソン，. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-02-02.

IMMERSION LITHOGRAPHY SYSTEM USING A SEALED WAFER BATH.

Номер патента: NL1034412C. Автор: Ching-Yu Chang,Burn-Jeng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-09.

Immersion lithography apparatus and patterning method using the same

Номер патента: KR100871749B1. Автор: 정은수. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-12-05.

Immersion lithography system using a sealed wafer bottom.

Номер патента: NL1034411A1. Автор: Ching-Yu Chang,Burn-Jeng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-08.

Apparatus for Immersion Lithography

Номер патента: KR100720242B1. Автор: 이종수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-22.

Refractive projection objective for immersion lithography

Номер патента: US6891596B2. Автор: Wilhelm Ulrich,Hans-Juergen Rostalski. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2005-05-10.

System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system

Номер патента: KR100728844B1. Автор: 레브 리지코브,율리 빌라디미르스키. Владелец: 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.. Дата публикации: 2007-06-14.

Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography

Номер патента: TW200510961A. Автор: John Boyd,Mikhail Korolik,Larios John M De,Fred C Redeker,Michael Ravkin,David Hemker. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

An immersion lithography apparatus

Номер патента: TW200928567A. Автор: Ronald Harm Gunther Kramer,Der Heijden Marcus Theodoor Wilhelmus Van,Den Bogaard Frederik Johannes Van,Peter Gerardus Hubertus Maria Janssen. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Wafer carrier system and immersion lithography apparatus

Номер патента: WO2020001550A1. Автор: 魏巍,罗晋,赵丹平. Владелец: 上海微电子装备（集团）股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-02.

Immersion lithography method

Номер патента: US20090296054A1. Автор: Masayuki Hatano,Takuya Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Immersion lithography process

Номер патента: DE102006062988B3. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Fluids for immersion lithography systems

Номер патента: KR20070001844A. Автор: 프란시스 굿윈,브라이안 마티닉,스테판 브랜들. Владелец: 키몬다 아게. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for fabricating polymer ridged waveguides by using tilted immersion lithography

Номер патента: US20080305438A1. Автор: Hsiharng Yang,Chung Chiung Wu. Владелец: Chung Chiung Wu. Дата публикации: 2008-12-11.

Method and system for detecting particle contamination in an immersion lithography apparatus

Номер патента: DE102009015717B4. Автор: Rolf Seltmann,Rene Wirtz. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-12-13.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR101748923B1. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-06-19.

Method for fabricating polymer ridged waveguides by using tilted immersion lithography

Номер патента: TW200848813A. Автор: Hsi-Harng Yang,Chung-Chiung Wu. Владелец: Nat Univ Chung Hsing. Дата публикации: 2008-12-16.

Improved immersion lithography system with wafer sealing mechanisms

Номер патента: TWI340297B. Автор: Tsai Sheng Gau,Chun Kuang Chen,Ru Gun Liu,Jen Chieh Shih,Burnjeng Lin,Shingshen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-11.

Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system

Номер патента: TW200813657A. Автор: Michael Clarke,Marc Laverdiere,Robert F Mcloughlin. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography

Номер патента: TW200707123A. Автор: Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian,Khoi A Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-02-16.

Method using specific contact angle for immersion lithography

Номер патента: TW200617620A. Автор: Bang-Ching Ho,Jen-Chieh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Material of the resist-protecting membrane for immersion lithography

Номер патента: TW200807156A. Автор: Naoko Shirota,Yasuhisa Matsukawa,Osamu Yokokoji,Daisuke Shirakawa,Yoko Takebe,Shuzhong Wang. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Immersion lithography process and mask layer structure applied in the same

Номер патента: TW200520045A. Автор: George Liu,Vencent Chang,Norman Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: US20070264593A1. Автор: Cheol Kyu Bok,Tae Seung Eom,Hyun Sook Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Immersion lithography system and method of using

Номер патента: US20220137518A1. Автор: Yung-Yao Lee,Chih Chien Lin,Wei Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: US7522259B2. Автор: Andrew J Hazelton,Hidemi Kawai,Douglas C Watson,W Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: EP2166413A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9910370B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: WO2004095135A2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2004-11-04.

Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography

Номер патента: TWI348598B. Автор: Kunal R Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-11.

Immersion lithography defect reduction

Номер патента: US20070002296A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Vincent Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Immersion lithography and treatment system thereof

Номер патента: TWI340299B. Автор: Ching Yu Chang,Chin Hsiang Lin,Vincent Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-11.

Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography

Номер патента: TW200710598A. Автор: Kunal R Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: IL170735A. Автор: Michael Binnard. Владелец: Michael Binnard. Дата публикации: 2010-12-30.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2667253A1. Автор: Michael Sogard,Adrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-11-27.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP3232271A1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-18.

Immersion lithography apparatus, immersion lithography method, and method for manufacturing device

Номер патента: JP2010093299A. Автор: W Thomas Novak,ダブリュー．， トーマス ノヴァック，. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Immersion lithography apparatus, immersion lithography method and device manufacturing method

Номер патента: TWI648589B. Автор: 麥克 比斯克 比納德. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-21.

Optical system cleaning method, immersion lithography apparatus, and device manufacturing method in immersion lithography apparatus

Номер патента: JP4983933B2. Автор: ダブリュー．， トーマス ノヴァック，,アンドリュー， ジェイ． ハゼルトン，,ダグラス， シィ． ワトソン，,秀実 川井. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: US20050100745A1. Автор: David Lu,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US7327435B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: TW200507013A. Автор: Michael Bisk Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: TW200818251A. Автор: Michael Bisk Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8610875B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Apparatus for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange using a co-planar member in an immersion lithography machine

Номер патента: US9081298B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8514367B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US9329493B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid at different times than immersion liquid

Номер патента: US8269946B2. Автор: Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens using a pad member or second stage during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8879047B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8848168B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Apparatus and method for holding immersion fluid adjacent an optical assembly during substrate exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: JP5282255B2. Автор: 大士 田中,カー ティム プーン アレックス,ワイ ファング コー レオナルド,ケスワニ ガウラブ,クーン デレク. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: TWI346349B. Автор: Michael Bisk Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-08-01.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101245031B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-03-18.

Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20130141702A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani,Daishi Tanaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20130301021A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20180231898A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20150268563A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101304105B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-09-05.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR20110092317A. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2011-08-17.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US7545479B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US9946163B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8237911B2. Автор: Alex Poon,Leonard Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101697896B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-01-18.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the protection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8035795B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8634057B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8488100B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8351019B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8269944B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8848166B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US9500960B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8743343B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani,Daishi Tanaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US9217933B2. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani,Daishi Tanaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US8400610B2. Автор: Alex Poon,Leonard Kho,Derek Coon,Gaurav Keswani,Daishi Tanak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101225884B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-01-28.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101159564B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-06-25.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101177332B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-08-30.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: TW201144925A. Автор: Michael Bisk Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-12-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: EP2618213A3. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-06-11.

Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus

Номер патента: KR20090033128A. Автор: 요한네스 카타리누스 후베르투스 물켄스,봅 스트리프케르크,로엘로프 프레데릭 데 그라프,마르첼 벡커스,파울 페트루스 요안네스 베르크벤스,다비드 루시엥 앙스토즈. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2009-04-01.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: IL209223A0. Автор: . Владелец: Michael Binnard. Дата публикации: 2011-01-31.

Catadioptric projection lens for use in wafer-scanner for immersion lithography, has refractive objective portion with immersion lens group that is made of optical high-index material with refractive index greater than specific value

Номер патента: DE102009011329A1. Автор: Aurelian Dr. Dodoc. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2010-09-09.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: EP2613194B1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20110025999A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus

Номер патента: TWI392974B. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Bob Streefkerk,Paul Petrus Joannes Berkvens,Marcel Beckers,Graaf Roelof Frederik De,David Lucien Anstotz. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2013-04-11.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101475657B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-12-22.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101577555B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-12-14.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: KR101225829B1. Автор: 마이클 비나드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20070216886A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US20070247602A1. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: TWI342036B. Автор: Michael Bisk Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: TWI313895B. Автор: Jae Chang Jung,Cheol Kyu Bok,Sung Koo Lee,Keun Do Ban,Seung Chan Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-21.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING FLUID FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130301015A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US20150109595A1. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: US20180203366A1. Автор: Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US7414794B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: EP2960702A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9977350B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2717098A1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-04-09.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9658537B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2667252B1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP1611485B1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US8599488B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US8018657B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: EP3223053A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7969552B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9244363B2. Автор: Michael Sogard,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8456610B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101364889B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-02-19.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US20090262322A1. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: CN1867865A. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,川井秀实,道格拉斯·C·沃特森,托马斯·W·诺万克. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101599182B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2016-03-03.

Edge wall removal in immersion lithography

Номер патента: DE102006029225B4. Автор: Vincent Yu,Ching-Yu Yuansun Chang,C. C. Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Immersion lithography machine for semiconductor chip production

Номер патента: CN108628112B. Автор: 汪玉洁. Владелец: Wenzhou Jierui Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Immersion lithography apparatus and device manufacturing method

Номер патента: JP5900669B2. Автор: ビナード，マイケル. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-04-06.

Cleanup method and immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2161619B8. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton,Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-07-17.

Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: CN1614509A. Автор: 鲁定中,林本坚. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: US20140132939A1. Автор: Douglas C. Watson,Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US20160085159A1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Immersion lithography system and method of using

Номер патента: US20220137518A1. Автор: Yung-Yao Lee,Chih Chien Lin,Wei Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: HK1214367A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-07-22.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101319152B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-10-17.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101238142B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,토마스 더블유 노박,더글라스 씨 왓슨. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-02-28.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101121655B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-03-09.

Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: US7924397B2. Автор: BURN JENG LIN,David Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP1611485A2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7345742B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Include the environmental system of the vacuum removing for immersion lithography device

Номер патента: CN104597717B. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,迈克尔·瑟高. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: CN103383528A. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,迈克尔·瑟高. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7321415B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-01-22.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7355676B2. Автор: Michael Sogard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9632427B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7456930B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Comprise the environmental system for the vacuum removing of immersion lithography device

Номер патента: CN103383528B. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,迈克尔·瑟高. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Comprise the environmental system of the vacuum removing for immersion lithography device

Номер патента: CN103383527B. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,迈克尔·瑟高. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-10-28.

Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2950148A1. Автор: Michael Sogard,Andrew Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: EP2950147A1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer

Номер патента: US9958786B2. Автор: Douglas C. Watson,Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus and method for maintaining immerison fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine

Номер патента: US7372538B2. Автор: Michael Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US7570431B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US8094379B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US8810915B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US8953250B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: US9086636B2. Автор: W. Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101323993B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,토마스 더블유 노박,더글라스 씨 왓슨. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-10-30.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101364928B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-02-19.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR20170070264A. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-06-21.

Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography

Номер патента: US20040118184A1. Автор: Kevin Violette. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2004-06-24.

Exposure device for immersion lithography

Номер патента: KR20060032883A. Автор: 조병호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-18.

Method and apparatus for immersion lithography

Номер патента: JP5064340B2. Автор: ストリーフケルク，ボブ,グラーフ，ロエロフ，フレデリック デ,マルケンス，ヨハネス，キャサリヌス，ハーバータス,ベッカーズ，マルセル,バークヴェンス，ポール，ペトラス，ヨアネス. Владелец: エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．. Дата публикации: 2012-10-31.

Refractive projection objective for immersion lithography

Номер патента: KR101129946B1. Автор: 아우렐리안 도독,빌헬름 율리히,한스-위르겐 로스탈스키. Владелец: 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하. Дата публикации: 2012-03-27.

Method for forming fine pattern in semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: KR100551075B1. Автор: 김명수,길명군. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR20170040370A. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-04-12.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: KR101289959B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,더글라스 씨 왓슨,히데미 가와이,더블유 토마스 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-07-26.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7929111B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Cleanup method for optics in immersion lithography using sonic device

Номер патента: US8085381B2. Автор: Hidemi Kawai,Douglas C Watson,W Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8089610B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-03.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8836914B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8810768B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US9244362B2. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7965376B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US7929110B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US8830443B2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid onto a surface of object below optical element, liquid supply port and liquid recovery port

Номер патента: US8493545B2. Автор: W. Thomas Novak,Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Cleanup method for optics in immersion lithography using bubbles

Номер патента: US8670103B2. Автор: Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-03-11.

Cleanup method for optics in immersion lithography with cleaning liquid opposed by a surface of object

Номер патента: US8670104B2. Автор: Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-03-11.

Liquid immersion lithography device and device manufacturing method

Номер патента: JP2014222762A. Автор: Michael Binnard,ビナード，マイケル. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR20110131286A. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2011-12-06.

Comprise the environmental system for the vacuum removing of immersion lithography device

Номер патента: CN103439864B. Автор: 安德鲁·J·黑兹尔顿,迈克尔·瑟高. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-05-11.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: HK1087531A1. Автор: Andrew J Hazelton,Hidemi Kawai,Douglas C Watson,W Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-10-13.

Protective layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: US20070091288A1. Автор: BURN JENG LIN,David Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid

Номер патента: EP3223074A1. Автор: Alex Ka Tim Poon,Leonard Wai Fung Kho. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101178754B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,마이클 소가드. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-09-07.

Liquid immersion lithography device and device manufacturing method

Номер патента: JP2015092628A. Автор: Michael Binnard,ビナード，マイケル. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

An immersion lithography apparatus

Номер патента: KR101177330B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,토마스 더블유 노박,더글라스 씨 왓슨. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-08-30.

Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography

Номер патента: SG152078A1. Автор: W Thomas Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-29.

Projection objective for immersion lithography

Номер патента: US7969663B2. Автор: Wilhelm Ulrich,Aurelian Dodoc,Hans-Juergen Rostalski. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2011-06-28.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: EP1614001A2. Автор: Douglas C. Watson,W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton,Hidemi Kawai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-01-11.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: KR101342824B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,더글라스 씨 왓슨,히데미 가와이,더블유 토마스 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-12-17.

Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography

Номер патента: KR20120096113A. Автор: 알렉스 카 팀 푼,레너드 와이 펑 코. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2012-08-29.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: KR101508809B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,더글라스 씨 왓슨,히데미 가와이,더블유 토마스 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-04-06.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: US20060023185A1. Автор: Andrew Hazelton,Hidemi Kawai,Douglas Watson,W. Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Immersion lithography apparatus and device manufacturing method

Номер патента: JP5862716B2. Автор: ビナード，マイケル. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US20090180096A1. Автор: Michael Sogard,Andrew J. Hazelton. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: KR101324818B1. Автор: 앤드류 제이 헤이즐턴,더글라스 씨 왓슨,히데미 가와이,더블유 토마스 노박. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-11-01.

Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography

Номер патента: US20060137430A1. Автор: Kevin Violette. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2006-06-29.

Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: SG112019A1. Автор: Lu David,Lin Burg-Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-29.

Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus

Номер патента: US20070252962A1. Автор: Andrew Hazelton,Douglas Watson,W. Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications

Номер патента: CN1289965C. Автор: 鲁定中,林本坚. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Cleanup method for optics in immersion lithography

Номер патента: WO2004093130A3. Автор: Andrew J Hazelton,Hidemi Kawai,Douglas C Watson,W Thomas Novak. Владелец: W Thomas Novak. Дата публикации: 2005-11-03.

Environmental system with reduced pressure discharge for immersion lithography equipment

Номер патента: JP5152219B2. Автор: アンドリュー， ジェイ． ハゼルトン，,マイケル ソガード，. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-02-27.

Hood for immersion lithography

Номер патента: US20070258060A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chun-Kuang Chen,Tsai-Sheng Gau,Li-Jui Chen,Tzung-Chi Fu,Fu-Jye Liang,Lin-Hung Shiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: TW200709295A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Sung-koo Lee,Keun-Do Ban. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Lithography film stack and lithography method

Номер патента: US20240201598A1. Автор: Ching-Shu Lo,Yuan-Chi Pai,Wen Yi Tan,Maohua Ren. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and process for immersion exposure of a substrate

Номер патента: US20070269724A1. Автор: Torbjörn Sandström. Владелец: Micronic Laser Systems AB. Дата публикации: 2007-11-22.

이머젼 리소그래피 장치 및 방법

Номер патента: KR20060124903A. Автор: 박기엽. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-12-06.

Immersion optical lithography system having protective optical coating

Номер патента: US7646469B2. Автор: Naim Moumen,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Protective coating with windows for protection of optical element that is soluble in immersion liquid.

Номер патента: GB2431670A. Автор: Christoph Zaczek,Hubert Holderer,Johannes Deyhle,Gennady Fedosenko. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2007-05-02.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US8570486B2. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Erik Roelof Loopstra,Bob Streefkerk,Johannes Jacobus Matheus Baselmans,Paul Graupner. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2013-10-29.

Projection objective for microlithography, microlithography projection exposure apparatus with said projection objective, microlithographic manufacturing method for components, as well as a component manufactured with said method

Номер патента: WO2008145296A9. Автор: Aksel Goehnermeier,Daniel Kraehmer,Michael Totzeck,Vladimir Kamenov. Владелец: Carl Zeiss Smt Ag. Дата публикации: 2010-01-14.

Projection objective for microlithography, microlithography projection exposure apparatus with said projection objective, microlithographic manufacturing method for components, as well as a component manufactured with said method

Номер патента: EP2165241A1. Автор: Aksel Goehnermeier,Daniel Kraehmer,Michael Totzeck,Vladimir Kamenov. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2010-03-24.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US8913223B2. Автор: Joeri Lof,Klaus Simon,Alexander Straaijer,Bob Streefkerk,Antonius Theodorus Anna Maria Derksen. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2014-12-16.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US8711330B2. Автор: Paul Graeupner,Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Bob Streefkerk,Jan Bernard Plechelmus Van Schoot,Johannes Jacobus Matheus Baselmans,Adrianus Franciscus Petrus Engelen,Jozef Maria Finders. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2014-04-29.

Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure

Номер патента: US9261797B2. Автор: Hans Jansen,Jacobus Johannus Leonardus Hendricus Verspay,Marco Koert Stavenga. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2016-02-16.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US7224431B2. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Johannes Christiaan Maria Jasper. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2007-05-29.

Antireflection film and exposure method

Номер патента: US20060194125A1. Автор: Nobuyuki Matsuzawa,Yoko Watanabe,Ken Ozawa,Yuko Yamaguchi,Boontarika Thunnakart. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Antireflection film and exposure method

Номер патента: US7655377B2. Автор: Nobuyuki Matsuzawa,Yoko Watanabe,Ken Ozawa,Yuko Yamaguchi,Boontarika Thunnakart. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-02.

이멀젼 리소그래피 장치 및 이를 이용한 노광 방법

Номер патента: KR20080061857A. Автор: 임희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-03.

Device manufacturing method and a substrate

Номер патента: US7326522B2. Автор: Marcel Mathijs Theodore Marie Dierichs. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-02-05.

Lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US20080068570A1. Автор: Youri Johannes Laurentius Maria Van Dommelen,Cedric Desire Grouwstra,Bob Streefkerk,Richard Moerman. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-03-20.

Projection objective for microlithography, microlithography projection exposure apparatus with said projection objective, microlithographic manufacturing method for components, as well as a component manufactured with said method

Номер патента: WO2008145295A9. Автор: Daniel Kraehmer,Michael Totzeck,Vladimir Kamenov. Владелец: Carl Zeiss Smt Ag. Дата публикации: 2010-01-14.

Device manufacturing method and a substrate

Номер патента: US20050175940A1. Автор: Marcel Mathijs Dierichs. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2005-08-11.

Projection objective for microlithography, microlithography projection exposure apparatus with said projection objective, microlithographic manufacturing method for components, as well as a component manufactured with said method

Номер патента: WO2008145295A1. Автор: Daniel Kraehmer,Michael Totzeck,Vladimir Kamenov. Владелец: Carl Zeiss Smt Ag. Дата публикации: 2008-12-04.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: US09696622B2. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Positive-type resist composition for liquid immersion lithography and method for forming resist pattern

Номер патента: US20070190448A1. Автор: Kotaro Endo,Keita Ishiduka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Immersion lithography using hafnium-based nanoparticles

Номер патента: EP2263121A2. Автор: Paul A. Zimmerman,Carita Simons. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Immersion lithography using hafnium-based nanoparticles

Номер патента: WO2009114253A2. Автор: Paul A. Zimmerman,Jeffrey Byers (Deceased). Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2009-09-17.

Lithography apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US11774857B2. Автор: Han Henricus Aldegonda Lempens,Erik Henricus Egidius Catharina EUMMELEN,Koen Cuypers,Jorge Alberto VIEYRA SALAS,Giovanni Luca GATTOBIGIO,Johannes Cornelis Paulus MELMAN,Theodorus Wilhelmus Polet,Frank DEBOUGNOUX,John Maria BOMBEECK. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Lithography apparatus and a method of manufacturing a device

Номер патента: US20240036477A1. Автор: Han Henricus Aldegonda Lempens,Erik Henricus Egidius Catharina EUMMELEN,Koen Cuypers,Jorge Alberto VIEYRA SALAS,Giovanni Luca GATTOBIGIO,Johannes Cornelis Paulus MELMAN,Theodorus Wilhelmus Polet,Frank DEBOUGNOUX,John Maria BOMBEECK. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-02-01.

A lithography apparatus and a method of manufacturing a device

Номер патента: NL2019842A. Автор: CUYPERS Koen,DEBOUGNOUX Frank,Henricus Egidius Catharina Eummelen Erik,Alberto Vieyra Salas Jorge,Wilhelmus Polet Theodorus,Henricus Aldegonda Lempens Han,Luca Gattobigio Giovanni,Cornelis Paulus Melman Johannes,Maria Bombeeck John. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-06-18.

Composition for Removing Immersion Lithography solution and Manufacturing Method of Semiconductor Device Comprising Immersion Lithography Process Using the Same

Номер патента: KR100764374B1. Автор: 이성구,정재창. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-08.

Liquid immersion lithography system and liquid immersion lithography method

Номер патента: KR100897863B1. Автор: 에릭 로엘로프 루프스트라,알렉산더 크멜리체크,해리 세웰,루이스 존 말코야,니콜라스 텐 카테. Владелец: 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.. Дата публикации: 2009-05-18.

Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same

Номер патента: TWI307456B. Автор: Hyeong Soo Kim,Jae Chang Jung,Sung Koo Lee,Keun Kyu Kong,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Immersion liquid for liquid immersion lithography process and method for forming resist pattern using the same

Номер патента: US20090011375A1. Автор: Kazumasa Wakiya,Masaaki Yoshida,Kotaro Endo,Taku Hirayama. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Verwendung einer positiven resist-zusammensetzung für immersions-lithographie, positive resist- zusammensetzung und immersions-lithographische strukturierungsmethode mit benutzung derselbigen

Номер патента: ATE521016T1. Автор: Hiromi Kanda,Kunihiko Kodama,Haruki Inabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Protective film-forming material for a process of liquid immersion lithography and method of photoresist patterning with it

Номер патента: TW200710581A. Автор: Tomoyuki Hirano,Tomoyuki Ando,Masaaki Yoshida,Keita Ishiduka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-16.

Methods of directed self-assembly with 193 - nm immersion lithography and layered structures formed therefrom

Номер патента: GB2488250B. Автор: Joy Cheng,Hiroshi Ito,Daniel Paul Sanders,Gregory Michael Wallraff,Ho-cheol Kim,Young-Hye Na,Linda Karin Sundberg,Hoa Truong,William Hinsberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-26.

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS

Номер патента: US20130034813A1. Автор: Koji Hasegawa,Youichi Ohsawa,Masayoshi Sagehashi,Takeshi Sasami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150044609A1. Автор: Wang Deyan,Xu Cheng-bai,Barclay George G.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Chemically amplified resist composition and chemically amplified resist composition for immersion lithography

Номер патента: KR101559585B1. Автор: 미쯔히로 하따,유스께 후지,다까유끼 미야가와. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-10-12.

Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate

Номер патента: US8203693B2. Автор: Harry Sewell,Erik Roelof Loopstra,Nicolaas Ten Kate,Louis John Markoya,Aleksandr Khmelichek. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2012-06-19.

Positive resist composition for immersion lithography and method for forming resist pattern

Номер патента: US7494762B2. Автор: Yasuhiro Yoshii,Makiko Irie. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Resist composition for immersion lithography and method for forming resist pattern

Номер патента: US8394569B2. Автор: Takeshi Iwai,Makiko Irie. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead

Номер патента: KR20070114215A. Автор: 에릭 로엘로프 루프스트라,알렉산더 크멜리체크,해리 세웰,루이스 존 말코야,니콜라스 텐 카테. Владелец: 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.. Дата публикации: 2007-11-29.

Material for forming resist protective film for use in liquid immersion lithography process and method for forming resist pattern using the protective film

Номер патента: US7846637B2. Автор: Kazumasa Wakiya,Masaaki Yoshida,Kotaro Endo,Keita Ishizuka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Polymer compound and resist protective film composition for immersion lithography process comprising the same

Номер патента: KR101099506B1. Автор: 김재현,김현진,한만호,박종경. Владелец: 주식회사 동진쎄미켐. Дата публикации: 2011-12-27.

Photoresist compositions and methods of use in high index immersion lithography

Номер патента: US9250529B2. Автор: Hiroshi Ito,Daniel Paul Sanders,Linda Karin Sundberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Photoresist material for immersion lithography includes polymer that turns soluble to base solution with acid, photo-acid generator that decomposes acid, and quencher capable of neutralizing acid and having reduced mobility

Номер патента: FR2891630A1. Автор: Ching Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-06.

Composition for removing immersion lithography solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN1959542A. Автор: 郑载昌,李晟求. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-09.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR20120055503A. Автор: 제럴드 비. 웨이턴,마이클 케이. 갤러거,그레고리 피. 프로코포윅츠,스튜어트 메이. 로버트슨. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.. Дата публикации: 2012-05-31.

Water castable-water strippable top coats for 193 nm immersion lithography

Номер патента: US20070117040A1. Автор: Phillip Brock,Gregory Wallraff,Carl Larson,Linda Sundberg,Dario Gil,Jennifer Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Resist composition for immersion lithography, and method for forming resist pattern

Номер патента: TWI383260B. Автор: Takeshi Iwai,Makiko Irie. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-21.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR20060114293A. Автор: 데이얀 왕. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.. Дата публикации: 2006-11-06.

Liquid immersion lithography system having a tilted showerhead relative to a substrate

Номер патента: US7256864B2. Автор: Harry Sewell,Erik Roelof Loopstra,Nicolaas Ten Kate,Aleksandr Khmelichek,Louis J. Markoya. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2007-08-14.

Photoresist Compositions and Methods of Use in High Index Immersion Lithography

Номер патента: US20090181321A1. Автор: Hiroshi Ito,Daniel P. Sanders,Linda Sundberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Chemically amplified positive resist composition for arf immersion lithography and pattern forming process

Номер патента: TWI448819B. Автор: Koji Hasegawa,Youichi Ohsawa,Masayoshi Sagehashi,Takeshi Sasami. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2014-08-11.

Process for the production of a chip by using immersion lithography

Номер патента: EP1914596A3. Автор: JAHROMI Shahab,Franciscus Johannes Marie Derks,Andrey Yaroslavovich Lyapunov. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2008-06-25.

Elimination of photoresis material collapse and poisoning in 45-nm feature size using dry or immersion lithography

Номер патента: TW200939346A. Автор: Bok Hoen Kim,Sudha Rathi,Martin Jay Seamons,Eui-Kyoon Kim,Francimar C Schmitt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Resist composition for liquid immersion lithography, method of forming resist pattern, and fluorine-containing copolymer

Номер патента: US20090186300A1. Автор: Daiju Shiono,Tomoyuki Hirano,Takahiro Dazai,Takayoshi Mori,Sanae Furuya. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Water castable - water strippable top coats for 193 nm immersion lithography

Номер патента: WO2007057263A1. Автор: Gregory Wallraff,Linda Karin Sundberg,Dario Gil,Carl Eric Larson,Jennifer Cha,Philip Joe Brock. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-05-24.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: US20110123937A1. Автор: Michael K. Gallagher,Gregory P. Prokopowicz,Gerald B. Wayton,Stewart A. Robertson. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2011-05-26.

Immersion lithography using hafnium-based nanoparticles

Номер патента: WO2009114253A3. Автор: Jeffrey Byers,Paul A. Zimmerman,Carita Simons. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2009-12-10.

WATER MARK DEFECT PREVENTION FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130216949A1. Автор: Chang Ching-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

Immersion Lithography Watermark Reduction

Номер патента: US20130309611A1. Автор: Chang Ching-Yu,Wu Vincent. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-21.

COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140322648A1. Автор: Wang Deyan. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Resist composition for immersion lithography method of forming resist pattern and fluorine-containing resin

Номер патента: KR101553077B1. Автор: 야스히로 요시이,마사루 다케시타. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2015-09-14.

Immersion lithography polymer and photoresist composition containing the same

Номер патента: JP4907977B2. Автор: 載昌 鄭,▲ちょる▼圭 卜,昌文 林,承燦 文. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR101203218B1. Автор: 제럴드 비. 웨이턴,마이클 케이. 갤러거,그레고리 피. 프로코포윅츠,스튜어트 메이. 로버트슨. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.. Дата публикации: 2012-11-20.

Photoacid generator for immersion lithography and photoresist composition comprising the same

Номер патента: KR100733230B1. Автор: 정재창. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Water castable - water strippable top coats for 193 nm immersion lithography

Номер патента: KR101013051B1. Автор: 필립 조 브로크,제니퍼 차,다리오 질,카를 에릭 라손,린다 카린 선드버그,그레고리 월레프. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2011-02-14.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR101566169B1. Автор: 조지 지. 바클레이,데얀 왕,스테판 제이. 카포레일,리 지아. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2015-11-05.

Compositons and processes for immersion lithography

Номер патента: EP1720072A1. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2006-11-08.

Compositions and methods for immersion lithography

Номер патента: JP5677162B2. Автор: ダヤン・ワン,ジョージ・ジー・バークレー,ステファン・ジェイ・カポラリー,リー・チヤ. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2015-02-25.

Liquid Immersion Lithography System Comprising a Tilted Showerhead Relative to a Substrate

Номер патента: US20100053574A1. Автор: Harry Sewell,Erik Roelof Loopstra,Nicolaas Ten Kate,Louis John Markoya,Aleksandr Khmelichek. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2010-03-04.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: CN1737685B. Автор: G·B·韦顿,M·K·加拉赫,G·P·普罗科波维奇,S·A·罗伯特森. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2010-08-04.

Material for forming resist protection film for liquid immersion lithography and method for forming resist pattern by using the protection film

Номер патента: TW200606179A. Автор: Kazumasa Wakiya,Masaaki Yoshida,Kotaro Endo,Keita Ishizuka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR101570986B1. Автор: 쳉-바이 슈,데얀 왕,조지 쥐. 바클래이. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2015-11-23.

New top anti-reflective coating polymer for use in immersion lithography for fabrication of sub-nanomicron semiconductor device

Номер патента: DE102005002410A1. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-17.

Positive resist composition for immersion lithography and method for forming resist pattern

Номер патента: US20080090171A1. Автор: Yasuhiro Yoshii,Makiko Irie. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Developing method for immersion lithography, solvent used for the developing method and electronic device using the developing method

Номер патента: US8679727B2. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: CN101256355B. Автор: D·王,G·G·巴克雷,L·贾,S·J·卡波拉勒. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2013-03-27.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: CN101788763B. Автор: G·B·韦顿,M·K·加拉赫,G·P·普罗科波维奇,S·A·罗伯特森. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2012-10-03.

Photoresist compositions and methods of use in high index immersion lithography

Номер патента: US8003309B2. Автор: Hiroshi Ito,Daniel Paul Sanders,Linda Karin Sundberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

PREVENTION OF WATER FILIGRANE DEFECTS IN IMMERSION LITHOGRAPHY.

Номер патента: FR2891630B1. Автор: Ching Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-04.

Photoresist composition for immersion lithography

Номер патента: TW201140234A. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm & Haas Elect Mat. Дата публикации: 2011-11-16.

Pellicle film optimized for immersion lithography systems with NA>1

Номер патента: US7416820B2. Автор: Michael S Hibbs,Timothy A Brunner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Chemically amplified resist composition and chemically amplified resist composition for immersion lithography

Номер патента: US8062829B2. Автор: Takayuki Miyagawa,Mitsuhiro Hata,Yusuke Fuji. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-22.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: US20110255069A1. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2011-10-20.

Copolymer for immersion lithography and compositions

Номер патента: KR101422307B1. Автор: 다카노리 야마기시,다카요시 오카다,도모 오이카와. Владелец: 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-22.

Photoresist polymer for immersion lithography and photoresist composition comprising the same

Номер патента: KR100732300B1. Автор: 정재창,복철규,문승찬,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-25.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: US9563128B2. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Graded topcoat materials for immersion lithography

Номер патента: US7678537B2. Автор: Robert D. Allen,Phillip Brock,Daniel P. Sanders,Linda K. Sundberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: EP1918778A2. Автор: Li Jia,Deyan Wang,George G Barclay,Stefan J Caporale. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

Chemically amplified positive resist composition for ArF immersion lithography and pattern forming process

Номер патента: US8815492B2. Автор: Jun Hatakeyama,Masaki Ohashi,Youichi Ohsawa,Takeshi Sasami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: CN102253596A. Автор: D·王,G·G·巴克雷,L·贾,S·J·卡波拉勒. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2011-11-23.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: US20090130592A1. Автор: Deyan Wang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2009-05-21.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: EP1918778B1. Автор: Li Jia,Deyan Wang,George G Barclay,Stefan J. Caporale. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-08-03.

Immersion lithography defect reduction with top coater removal

Номер патента: US20080020324A1. Автор: Chun-Kuang Chen,Fu-Jye Liang,Lin-Hung Shiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Resist composition for immersion lithography and method for formation of resist pattern

Номер патента: KR20080085235A. Автор: 다케시 이와이,마키코 이리에. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-09-23.

High Refractive Index Fluids for Immersion Lithography

Номер патента: US20080061248A1. Автор: Jerald Feldman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Compositions and methods for immersion lithography

Номер патента: JP5508155B2. Автор: ダヤン・ワン. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2014-05-28.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: KR101451616B1. Автор: 조지 지. 바클레이,데얀 왕,스테판 제이. 카포레일,리 지아. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2014-10-22.

Topcoat material and use thereof in immersion lithography processes

Номер патента: US20070254237A1. Автор: Robert Allen,David Medeiros,Ratnam Sooriyakumaran,Phillip Brock,Sean Burns,Dirk Pfeiffer,Dario Goldfarb,Linda Sundberg,Matt Pinnow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS

Номер патента: KR101664520B1. Автор: 마사키 오하시,쥰 하타케야마,다케시 사사미,요이치 오사와. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-10-10.

Topcoats for use in immersion lithography

Номер патента: US7348127B2. Автор: William Dinan Hinsberg, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-25.

Compositions and processes for immersion lithography

Номер патента: TW200836016A. Автор: Li Jia,Deyan Wang,George G Barclay,Stefan J Caporale. Владелец: Rohm & Haas Elect Mat. Дата публикации: 2008-09-01.

Fluorinated polymers for use in immersion lithography

Номер патента: US8034534B2. Автор: William Brown Farnham,Suniti Moudgil. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-10-11.

Fluorinated polymers for use in immersion lithography

Номер патента: US20090253074A1. Автор: William Brown Farnham,Suniti Moudgil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Deckschichtmaterialien für die immersion- lithographie

Номер патента: ATE474249T1. Автор: Robert Allen,Phillip Brock,Gregory Wallraff,Carl Larson,Linda Sundberg,Dario Gil,William Hinsberg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-07-15.

Resist material for immersion lithography

Номер патента: TW200809410A. Автор: Naoko Shirota,Shu-Zhong Wang,Yasuhisa Matsukawa,Osamu Yokokoji,Daisuke Shirakawa,Yoko Takebe. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Protective film with high hardness and low friction coefficient

Номер патента: US20220050374A1. Автор: Kuan Ting CHOU,Tsung Feng Wu,Yu Yen Tsai,Wen-Lian Lee,Hui Huan Yu. Владелец: FEEDBACK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-02-17.

Optical component made from synthetic quartz glass with enhanced radiation resistance, and method for producing the component

Номер патента: WO2008104485A1. Автор: Stefan Ochs,Juergen Weber,Bodo Kuehn. Владелец: SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-09-04.

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

Номер патента: US20210063882A1. Автор: Keiichi Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Optical component made from synthetic quartz glass with enhanced radiation resistance, and method for producing the component

Номер патента: EP2118026A1. Автор: Stefan Ochs,Juergen Weber,Bodo Kuehn. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-11-18.

Dry Developing Metal-Free Photoresists

Номер патента: US20230350303A1. Автор: Charlotte Cutler,David Conklin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Dry developing metal-free photoresists

Номер патента: WO2023211989A1. Автор: Charlotte Cutler,David Conklin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

Last lens of immersion lithography equipment

Номер патента: US20060279836A1. Автор: Teruhiko Nawata,Tsuguo Fukuda,Yoji Inui,Eiichi Nishijima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Determining Information about Defects or Binning Defects Detected on a Wafer after an Immersion Lithography Process is Performed on the Wafer

Номер патента: US20070280526A1. Автор: Somnath Nag,Irfan Malik. Владелец: KLA Tencor Technologies Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Double spacer immersion lithography triple patterning flow and method

Номер патента: EP3619737A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Double spacer immersion lithography triple patterning flow and method

Номер патента: WO2018204168A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-11-08.

Double spacer immersion lithography triple patterning flow and method

Номер патента: EP3619737B1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-29.

DOUBLE SPACER IMMERSION LITHOGRAPHY TRIPLE PATTERNING FLOW AND METHOD

Номер патента: US20190295885A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Polymer for top coating layer, top coating solution compositions and immersion lithography process using the same

Номер патента: KR101306150B1. Автор: 최상준,류만형,우상균,미츠히로 하타. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-10.

DOUBLE SPACER IMMERSION LITHOGRAPHY TRIPLE PATTERNING FLOW AND METHOD

Номер патента: US20180315645A1. Автор: Schultz Richard T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Polymer, top coating layer, top coating composition and immersion lithography process using the same

Номер патента: US20070155925A1. Автор: Sang-jun Choi,Man-Hyoung Ryoo,Mitsuhiro Hata,Sang-gyun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Polymer, top coating layer, top coating composition and immersion lithography process using the same

Номер патента: US7642042B2. Автор: Sang-jun Choi,Man-Hyoung Ryoo,Mitsuhiro Hata,Sang-gyun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-05.

Immersion lithography wafer edge bead removal for wafer and scanner defect prevention

Номер патента: US20090163026A1. Автор: Benjamen Michael Rathsack,Mark Howell Somervell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Fluorine-containing polymer, purification method, and radiation-sensitive resin composition

Номер патента: US09500950B2. Автор: Hiroki Nakagawa,Hiromitsu Nakashima,Yukio Nishimura,Gouji Wakamatsu,Kentarou Gotou,Takeo Shioya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography

Номер патента: US09696627B2. Автор: Deyan Wang,Cong Liu,Anthony Zampini,Cheng-Bai Xu,Doris Kang,Jinrong Liu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Technique for defining active regions of semiconductor devices with reduced lithography effort

Номер патента: US20190043752A1. Автор: Michael Zier,Elliot John Smith. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Composition for forming upper layer film for immersion exposure, upper layer film for immersion exposure, and method of forming photoresist pattern

Номер патента: US20130216961A1. Автор: Daita Kouno,Yukio Nishimura,Makoto Sugiura,Gouji Wakamatsu,Norihiro Natsume,Norihiko Sugie. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20170329228A1. Автор: Hiromitsu Nakashima,Tomohiko Sakurai,Sousuke OOSAWA,Kousuke TERAYAMA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Applications of semiconductor nano-sized particles for photolithography

Номер патента: US20110281221A1. Автор: Zhiyun Chen,Gregory D. Cooper,Erin F. Fleet. Владелец: PIXELLIGENT TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2011-11-17.

Resist composition and patterning process

Номер патента: US09846360B2. Автор: Jun Hatakeyama,Teppei Adachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Resist composition, resist protective coating composition, and patterning process

Номер патента: US8057981B2. Автор: Jun Hatakeyama,Kazunori Maeda,Tomohiro Kobayashi,Yuji Harada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation

Номер патента: US20190004426A1. Автор: Sosuke OSAWA,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation

Номер патента: US20160299432A1. Автор: Sosuke OSAWA,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Compositions and processes for photolithography

Номер патента: EP1770442A3. Автор: Deyan Wang,Cheng-Bai Xu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2008-11-26.

Compositions and process for photolithography

Номер патента: EP1832929A1. Автор: Deyan Wang,Michael K. Gallagher. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2007-09-12.

Coating compositions for photoresists

Номер патента: US09958780B2. Автор: Deyan Wang,Peter Trefonas, III,Michael K. Gallagher. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

A process for imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof

Номер патента: MY145561A. Автор: Raj Sakamuri,Andrew R Romano,Ralph R Dammel,Francis M Houlihan. Владелец: Az Electronic Materials Japan. Дата публикации: 2012-02-29.

Compositions and processes for photolithography

Номер патента: US20100183977A1. Автор: Deyan Wang,Chunyi Wu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2010-07-22.

binary mask and method for fabricating the same, Method for fabricating fine pattern in semicondutor device using binary mask

Номер патента: KR100968149B1. Автор: 이혜미. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-06.

Resist composition and patterning process

Номер патента: US8101335B2. Автор: Jun Hatakeyama,Kazunori Maeda,Koji Hasegawa,Yuji Harada,Satoshi SHINACHI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Compositions and processes for photolithography

Номер патента: US8808967B2. Автор: Deyan Wang,Chunyi Wu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2014-08-19.

Coating compositions

Номер патента: US8889344B2. Автор: Michael K. Gallagher,Gregory P. Prokopowicz. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for forming material layer between liquid and photoresist layer

Номер патента: US20060263724A1. Автор: Joseph Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Patterning process

Номер патента: US09760010B2. Автор: Jun Hatakeyama,Teppei Adachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Topcoat compositions and photolithographic methods

Номер патента: US11846885B2. Автор: Deyan Wang,Chunyi Wu,Mingqi Li,Cong Liu,Cheng-Bai Xu,Doris H. KANG. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Photonic devices and methods of using and making photonic devices

Номер патента: US09806485B2. Автор: Purnawirman Purnawirman,Jie Sun,Michael R. Watts,Ehsan SHAH HOSSEINI,Matteo Cherchi,Jonathan B. Bradley. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Photonic devices and methods of using and making photonic devices

Номер патента: US20160248216A1. Автор: Purnawirman Purnawirman,Jie Sun,Michael R. Watts,Ehsan SHAH HOSSEINI,Matteo Cherchi,Jonathan B. Bradley. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-08-25.

반도체 소자의 패턴 형성 방법

Номер патента: KR20060097147A. Автор: 김형수,정용순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-14.

Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography

Номер патента: TWI243409B. Автор: Yee-Chia Yeo,Burn-Jeng Lin,Chenming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-11-11.

APPARATUS AND METHODS FOR KEEPING IMMERSION FLUID ADJACENT TO AN OPTICAL ASSEMBLY DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE

Номер патента: US20120262687A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung,COON Derek,KESWANI Gaurav. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

Immersion liquid temperature controlling and measuring device of immersion lithography machine

Номер патента: CN201926867U. Автор: 孙文凤. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-10.

Anti-collision device and method for immersion unit of immersion lithography machine

Номер патента: CN105739245A. Автор: 聂宏飞,秦少伍. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Immersion lithography process and structure applying the same and patterning process

Номер патента: TW200629366A. Автор: Kao-Tsair Tsai,Jan-Nan Oue. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method and related operation system for immersion lithography

Номер патента: TWI322338B. Автор: Yong Fa Huang,Benjamin Szu Min Lin,Chun Chi Yu,Huan Ting Tseng,Bo Jou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-03-21.

Immersion lithography without using a topcoat

Номер патента: TW200631072A. Автор: Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-01.

Method and related operation system for immersion lithography

Номер патента: TW200736843A. Автор: Benjamin Szu-Min Lin,Yong-Fa Huang,Chun-Chi Yu,Huan-Ting Tseng,Bo-Jou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Номер патента: US20120019792A1. Автор: NOVAK W. Thomas,Watson Douglas C.,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

PHOTOLITHOGRAPHY MATERIAL FOR IMMERSION LITHOGRAPHY PROCESSES

Номер патента: US20120034558A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("TSMC"). Дата публикации: 2012-02-09.

OPTICAL ARRANGEMENT OF AUTOFOCUS ELEMENTS FOR USE WITH IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120075609A1. Автор: NOVAK W. Thomas. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-29.

Immersion lithography system, and method of performing irradiation to semiconductor structure having a photoresistive layer

Номер патента: CN100535753C. Автор: 胡正明,杨育佳,林本坚. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Resist composition for liquid immersion lithography and resist pattern forming method

Номер патента: JP2008102276A. Автор: 義之 内海,Yoshiyuki Uchiumi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Immersion lithography method and its disposal method

Номер патента: CN100461004C. Автор: 张庆裕,游大庆. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Immersion lithography without using a topcoat

Номер патента: TWI253107B. Автор: Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

SUBSTRATE PLACEMENT IN IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120050740A1. Автор: . Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-03-01.

Immersion Lithography Apparatus and Tank Thereof

Номер патента: US20120176588A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-12.

Immersion Lithography System Using Direction-Controlling Fluid Inlets

Номер патента: US20120236276A1. Автор: Chang Ching-Yu,LIN Burn Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-09-20.

APPARATUS AND METHODS TO RECOVER LIQUID IN IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120257179A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung,COON Derek. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING VACUUM SCAVENGE FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS

Номер патента: US20120262684A1. Автор: Sogard Michael,Hazelton Andrew J.. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

Lyophobic Run-Off Path to Collect Liquid for an Immersion Lithography Apparatus

Номер патента: US20120268726A1. Автор: NOVAK W. Thomas. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF USE IN HIGH INDEX IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120288797A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

IMMERSION LITHOGRAPHY SYSTEM USING A SEALED WAFER BATH

Номер патента: US20120320351A1. Автор: Chang Ching-Yu,LIN Burn Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-20.

APPARATUS AND METHODS FOR RECOVERING FLUID IN IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130010271A1. Автор: POON Alex Ka Tim,KHO Leonard Wai Fung,COON Derek,KESWANI Gaurav. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR IMMERSION LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130065178A1. Автор: Wang Deyan,Xu Cheng-bai,Barclay George G.. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2013-03-14.

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS

Номер патента: US20130108964A1. Автор: OHASHI Masaki,Sasami Takeshi,Hatakeyama Jun,Ohsawa Youichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Immersion lithography method and its disposal method

Номер патента: CN1916766A. Автор: 张庆裕,游大庆. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Liquid immersed lithography system

Номер патента: JP2004312024A. Автор: Andrew J Hazelton,ジェイ ヘツェルトン アンドリュー. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Photoresist composition, photoresist composition and polymer for liquid immersion lithography, and method of forming resist pattern

Номер патента: JP2011123143A. Автор: 岳彦 成岡,希佳 田中,Kika Tanaka,大樹 中川,Daiki Nakagawa,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method

Номер патента: IL171986A0. Автор: . Владелец: Ding Chung Lu. Дата публикации: 2006-04-10.

Laser System

Номер патента: US20120002687A1. Автор: . Владелец: CYMER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PROJECTION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD

Номер патента: US20120002186A1. Автор: Omura Yasuhiro,Okada Takaya,Nagasaka Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTORESIST AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20120003582A1. Автор: Wang Chien-Wei,Huang Chun-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL CONDUCTOR CHEMICAL MECHANICAL POLISH

Номер патента: US20120001262A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,Jeng Shwang-Ming,Kang Huang Soon,Kuo Han-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Additive for resist and resist composition comprising same

Номер патента: SG191481A1. Автор: Jin HO KIM,Seung Duk Cho,Dae Kyung Yoon,Dong Chul Seo. Владелец: Korea Kumho Petrochem Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.