Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Pattern formation method

Номер патента: US20040224525A1
Опубликовано: 11-11-2004
Автор(ы): Masaru Sasago, Masayuki Endo
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Pattern formation method

Номер патента: US20020142251A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent

Номер патента: EP1975718A2. Автор: Hideaki Tsubaki,Wataru HOSHINO,Masahiro Yoshidome. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Process for resist pattern formation using positive electrodeposition photoresist compositions

Номер патента: US5702872A. Автор: Naozumi Iwasawa,Genji Imai,Tsuguo Yamaoka. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-30.

Pattern formation material, pattern formation method, and exposure mask fabrication method

Номер патента: US20040058279A1. Автор: Masamitsu Itoh,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Composition and process for ultra-fine pattern formation

Номер патента: US4401745A. Автор: Hisashi Nakane,Wataru Kanai,Minoru Tsuda. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-30.

Exposure Method, Exposure Apparatus, Light Converging Pattern Formation Member, Mask, and Device Manufacturing Method

Номер патента: US20120176590A1. Автор: Michio Noboru. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Organic salt, photoresist composition including the same, and pattern formation method using the same

Номер патента: US20240201588A1. Автор: Yoonhyun Kwak,Kyuhyun IM,Hana Kim,Beomseok Kim,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Pattern formation method and pattern formation material

Номер патента: US20190086803A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Pattern formation method, etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US09810981B2. Автор: Keita Kato,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US09829796B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US9829796B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Resist pattern formation method

Номер патента: US11796919B2. Автор: Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2023-10-24.

Resist pattern formation method

Номер патента: EP3809206A1. Автор: Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-04-21.

Photoresist compositions and pattern formation methods

Номер патента: US11940730B2. Автор: Mingqi Li,Mitsuru Haga. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Positive resist composition and method of pattern formation with the same

Номер патента: US09541831B2. Автор: Hiromi Kanda,Shinichi Kanna,Haruki Inabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US20160147155A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Formation method of semiconductor device structure using patterning stacks

Номер патента: US09978594B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Li-Yen Lin,Kuei-Shun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: US09880472B2. Автор: Keita Kato,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US09587065B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Material for lithography, production method therefor, composition for lithography, pattern formation method, compound, resin, and method for purifying the compound or the resin

Номер патента: US11852970B2. Автор: Takashi Sato,Hiroto Kudo,Masatoshi Echigo,Takumi TOIDA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Radiation-sensitive resin composition and pattern formation method

Номер патента: US20230273519A1. Автор: Ken Maruyama. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US20150253671A1. Автор: Yuji Namie,Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Pattern formation method

Номер патента: US20040259008A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US20030113670A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago,Shinji Kishimura,Masamitsu Shirai,Masahiro Tsunooka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US6936401B2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: TW594409B. Автор: Masaru Sasago,Shinji Kishimura,Masamitsu Shirai,Masahiro Tsunooka. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-21.

Pattern formation method

Номер патента: US5558976A. Автор: Masayuki Endo,Fumiyoshi Urano,Akiko Katsuyama,Takaaki Negishi. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1996-09-24.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US20020037471A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago,Shinji Kishimura,Masamitsu Shirai,Masahiro Tsunooka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Photosensitive resin composition controlling solubility and pattern formation method of double-layer structrue using the same

Номер патента: TW200413841A. Автор: Soo-Guy Rho,Chan-Seok Park,Choon-Ho Park,Seok-Yoon Yang,Gil-Lae Kim. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Photosensitive resin composition controlling solubility and pattern formation method of double-layer structrue using the same

Номер патента: TWI310117B. Автор: Rho Soo-Guy,Park Chan-Seok,YANG Seok-Yoon,PARK Choon-Ho,Kim Gil-Lae. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Positive resist material and pattern formation method using the same

Номер патента: TW200525298A. Автор: Fujio Yagihashi,Katsuya Takemura,Kazumi Noda,Yoshitaka Hamada,Mutsuo Nakashima. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-08-01.

Barrier film material and pattern formation method using the same

Номер патента: US20080193883A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Photoresist pattern formation through etching where the imaging exposure changes in a given direction in the desired pattern and inclined vapor deposition is utilized to deposit a film

Номер патента: US5366849A. Автор: Yoshikazu Nakagawa,Masayuki Sonobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-11-22.

Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US20150331323A1. Автор: Georg Pawlowski,Masato Suzuki,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09810988B2. Автор: Georg Pawlowski,Masato Suzuki,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2017-11-07.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US11378885B2. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US20190086805A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US09436102B2. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Pattern formation method

Номер патента: US20080193882A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Pattern formation method

Номер патента: US20110189616A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Underlay film composition for imprints and method of forming pattern and pattern formation method using the same

Номер патента: US09507263B2. Автор: Kunihiko Kodama,Yuichiro Enomoto,Shinji Tarutani,Takayuki Ito,Hirotaka Kitagawa,Akiko Hattori,Tadashi OOMATSU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

PATTERN FORMATION METHOD, POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR MULTIPLE DEVELOPMENT USED FOR THE PATTERN FORMATION METHOD, NEGATIVE DEVELOPMENT SOLUTION USED FOR THE PATTERN FORMATION METHOD, AND NEGATIVE DEVELOPMENT RINSE SOLUTION USED FOR THE PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: JP4554665B2. Автор: 慎一 漢那,英明 椿. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: KR101511922B1. Автор: 유호 가나야. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-04-13.

Pattern formation method

Номер патента: US8268535B2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US8860925B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US9874822B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: CN101405837A. Автор: 柴崎祐一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10289010B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101749442B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-06-20.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: HK1173231A1. Автор: 柴崎祐. Владелец: 株式會社尼康. Дата публикации: 2013-05-10.

Photosensitive composition for euv light, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: EP3783434A1. Автор: Hironori Oka,Michihiro Shirakawa,Hajime Furutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Photosensitive composition for euv light, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: EP3783434A8. Автор: Hironori Oka,Michihiro Shirakawa,Hajime Furutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Silphenylene-skeleton-containing polymer, photosensitive resin composition, pattern formation method, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: EP4386037A1. Автор: Hitoshi Maruyama,Hiroto OMORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, method for manufacturing electronic device, compound, and resin

Номер патента: EP4024132A4. Автор: Keita Kato,Akira Takada,Hironori Oka,Michihiro Shirakawa,Mitsuhiro Fujita,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Aina USHIYAMA,Yasuharu SHIRAISHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Photocurable composition for pattern formation and patterned body manufactured by using the composition

Номер патента: US20180305487A1. Автор: Jaehong Park,Kyunghee Lee,Jiyun PARK,Kyungseon TAK,SangHee Yu,Minhyuck Kang,Hoilim Kim,Hyungguen Yoon,Eunae KWAK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Barrier film material and pattern formation method using the same

Номер патента: EP1788440A2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Pattern formation method

Номер патента: US20160064216A1. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Sonoe NAKAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Actinic light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: EP3919981A1. Автор: Kei Yamamoto,Minoru Uemura,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Keiyu OU,Yasuharu SHIRAISHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and production method for electronic device

Номер патента: EP3885378A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tsutomu Yoshimura,Takeshi Kawabata,Naohiro Tango,Akiyoshi Goto,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Positive photoresist composition for system LCD production and resist pattern formation method

Номер патента: TW200426505A. Автор: Satoshi Niikura,Kousuke Doi,Yasuhide Ohuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

Polymer, photoresist compositions including the same, and pattern formation methods

Номер патента: US20240241441A1. Автор: Li Cui,Mingqi Li,Emad Aqad,Huan He,Tomas MARANGONI,Joshua Kaitz,Yinjie Cen. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Negative resist film laminate and pattern formation method

Номер патента: EP4167028A4. Автор: Yoshinori Hirano,Satoshi Asai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Negative resist composition for an electron beam and resist pattern formation method

Номер патента: TW200830046A. Автор: Kiyoshi Ishikawa,Yoshinori Sakamoto. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Silicon Compound, Condensation Product, Resist Compostion and Pattern Formation Method

Номер патента: US20130137037A1. Автор: Kazuhiro Yamanaka,Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Chemical growth of positive resistance materials and pattern formation method

Номер патента: TWI557509B. Автор: Hideyoshi Yanagisawa,Takashi Miyazaki,Katsuya Takemura,Masashi Iio. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-11-11.

Photoresist compositions and pattern formation methods

Номер патента: US12085854B2. Автор: Mingqi Li,Cong Liu,Sheng Liu,James F. Cameron,Jong Keun Park,Tsutomu Asazuma. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Film-forming composition, resist pattern formation method, and polyhedral oligomeric silsesquioxane

Номер патента: US20240329534A1. Автор: Keiichi IBATA,Hayato Ouchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION MATERIAL

Номер патента: US20190086803A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,KIHARA Naoko,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu,Lee Seekei. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern formation method, resist film, and electronic device production method

Номер патента: EP4023636A1. Автор: Keita Kato,Hironori Oka,Kazuhiro Marumo,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Aina USHIYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Composition for semiconductor photoresist, and pattern formation method using same

Номер патента: US20230223262A1. Автор: Seung Han,Seungyong Chae,Taeho Kim,Jaehyun Kim,Changsoo Woo,Jimin Kim,Hwansung CHEON,Eunmi Kang,Kyungsoo MOON. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Radiation-sensitive resin composition, polymer and resist pattern formation method

Номер патента: EP2503392A1. Автор: Hiromitsu Nakashima,Yukio Nishimura,Takanori Kawakami,Yusuke Asano,Takehiko Naruoka,Yuko KIRIDOSHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-09-26.

Method for pattern formation, and resist composition, developing solution and rinsing liquid for use in the method for pattern formation

Номер патента: KR100990106B1. Автор: 켄지 와다,신지 타루타니,히데아키 츠바키,와타루 호시노,카즈요시 미즈타니. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-10-29.

Method for pattern formation, and resist composition, developing solution and rinsing liquid for use in the method for pattern formation

Номер патента: WO2008129964A1. Автор: Kazuyoshi Mizutani,Hideaki Tsubaki,Kenji Wada,Shinji Tarutani,Wataru HOSHINO. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Photosensitive resin composition, pattern formation method, cured film formation method, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component

Номер патента: JP2022053108A. Автор: Katsuya Takemura,勝也 竹村,Hiroyuki Urano,匡史 飯尾,宏之 浦野,Tadashi Iio. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Pattern formation method, method for manufacturing electronic device, laminate film, and upper layer film formation composition

Номер патента: EP3385791B1. Автор: Naoki Inoue,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20210018841A1. Автор: Sato Takashi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Photosensitive conductive film, conductive pattern formation method using same, and conductive pattern substrate

Номер патента: US10353293B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Hiroyuki Tanaka,Yasuharu Murakami,Masahiko Ebihara,Emiko OOTA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Photosensitive conductive film, conductive pattern formation method using same, and conductive pattern substrate

Номер патента: CN105593950A. Автор: 太田绘美子,海老原雅彦,村上泰治,山崎宏,田仲裕之. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Upper surface antireflection film formation composition and use its pattern formation method

Номер патента: CN103460136B. Автор: 片山朋英,佐尾高步. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2016-03-23.

Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and method of pattern formation

Номер патента: CN101052918B. Автор: 田代朋子,佐藤守正,若田裕一,高柳丘,佐佐木义晴. Владелец: Asahi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Photosensitive composition, pattern forming material, photosensitive laminate, pattern forming apparatus and method of pattern formation

Номер патента: EP1780599A1. Автор: Tomoko c/o Fujifilm Corp TASHIRO,Morimasa c/oFuji film Corp. SATO,Yoshiharu c/o Fujifilm Corp. SASAKI,Yuichi c/o Fujifilm Corp. WAKATA,Takashi c/o Fujifilm Corp. TAKAYANAGI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, production method of resin for actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: KR102361263B1. Автор: 야스노리 요네쿠타,타로 미요시,코타로 타카하시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-14.

Method for producing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230028463A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Takumi Tanaka,Kohei Higashi,Fumihiro Yoshino,Yuma Kurumisawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US20180265616A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Pattern formation method and material for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200004151A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yen-Hao Chen,Chien-Wei Wang,Shang-Wern Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Radiation-sensitive negative-type resist composition for pattern formation and pattern formation method

Номер патента: WO2004023213A1. Автор: Kentaro Tada,Nobuji Sakai. Владелец: TOYO GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2004-03-18.

Pattern formation method and photosensitive hard mask

Номер патента: US20230019943A1. Автор: Kazuki Yamada,Ryuichi Asako,Hajime Nakabayashi,Tomohito Yamaji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Pattern-formation methods

Номер патента: US20180188654A1. Автор: Mingqi Li,Cong Liu,Irvinder Kaur,Cheng Bai Xu,Kevin ROWELL,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Water-soluble material, chemically amplified resist and pattern formation method using the same

Номер патента: EP1553453A2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-13.

Compound, pattern forming substrate, coupling agent, and pattern formation method

Номер патента: US11767327B2. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Positive photoresist composition and resist pattern formation

Номер патента: EP1664928A2. Автор: Yasuo c/o Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. MASUDA,Toshiki c/o Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. OKUI. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Positive photoresist composition and resist pattern formation

Номер патента: WO2005029184A2. Автор: Toshiki Okui,Yasuo Masuda. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

Photosensitive resin composition, protective layer and method for pattern formation

Номер патента: US20230418160A1. Автор: Kuan-Ming Chen,Chi-Yu Lai. Владелец: Advanced Echem Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US12044967B2. Автор: Hironori Oka,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Daisuke Asakawa,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Polycyclic polyphenolic resin, composition, method for producing polycyclic polyphenolic resin, composition for film formation, resist composition, resist pattern formation method, radiation-sensitive composition, composition for underlayer film formation for lithography, method for producing underlayer film for lithography, circuit pattern formation method, and composition for optical member formation

Номер патента: US20230314942A1. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Junya Horiuchi,Kodai MATSUURA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Pattern formation method and method for producing electronic device

Номер патента: EP4372014A1. Автор: Satomi Takahashi,Kazuhiro Marumo,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Pattern formation method and method for producing electronic device

Номер патента: EP4282887A1. Автор: Keita Kato,Tetsuya Shimizu,Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Droplet recipe creation method, pattern formation method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230088435A1. Автор: Ryo Kobayashi,Akihiko Ando. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201005794A. Автор: Satoru Shimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-01.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method, and purification method

Номер патента: US20220064137A1. Автор: Takashi Sato,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, photosensitive dry film, and pattern formation method

Номер патента: EP4421563A1. Автор: Hitoshi Maruyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Film formation method

Номер патента: US20040087676A1. Автор: Tomoyuki Okuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Material for pattern formation, pattern forming method and monomer for materials for pattern formation

Номер патента: WO2019163974A1. Автор: 貴美子 服部,和代 森田. Владелец: 王子ホールディングス株式会社. Дата публикации: 2019-08-29.

Positive resist composition for extreme ultraviolet lithography and resist pattern formation kit for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20230324797A1. Автор: Manabu Hoshino. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: US20160147157A1. Автор: Keita Kato,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: WO2015016191A1. Автор: 啓太 加藤,亮介 上羽. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2015-02-05.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: KR101765111B1. Автор: 케이타 카토,료스케 우에바. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-04.

Resist pattern formation method, and resin composition capable of insolubilizing resist pattern

Номер патента: US20100323292A1. Автор: Atsushi Nakamura,Tomoki Nagai,Takayoshi Abe,Tomohiro Kakizawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Imprint lithography method, pattern formation method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR102202291B1. Автор: 웨이준 리우,티모시 브라이언 스타초위악. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-01-13.

Pattern formation method

Номер патента: US9134605B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09482952B2. Автор: Georg Pawlowski,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Takafumi KINUTA. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-11-01.

Resist stripper composition and pattern formation method using same

Номер патента: US20240241447A1. Автор: Jeong Hyun Kim,Hyung Jin Cho,Sung Sik Kim,Han Byeol KANG,Soon Hong Pang. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Pattern formation method

Номер патента: US09640410B2. Автор: Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Pattern formation method and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8118585B2. Автор: Masayuki Hatano,Suigen Kyoh,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Pattern formation method and replica template

Номер патента: US20240201582A1. Автор: Ryo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method, and method for purifying resin

Номер патента: US20220144738A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Yu Okada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US20140213058A1. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Nobuhiro Komine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09804493B2. Автор: Georg Pawlowski,Hyun-Woo Kim,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Yusuke Hama,Cheol Hong Park. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2017-10-31.

Pattern formation method and method for manufacturing polarizing plate

Номер патента: US20210011374A1. Автор: Kazuyuki Shibuya,Akio Takada,Toshiaki Sugawara,Yusuke Matsuno,Shigeshi Sakakibara. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US9260300B2. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Nobuhiro Komine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Method of forming aligned pattern in pattern formation region by using imprint process

Номер патента: US09855703B2. Автор: Sunghoon Lee,Ilsun Yoon,Bongsu SHIN,Jaeseung CHUNG,Dongouk KIM,Joonyong Park,Jihyun Bae,Jong G. Ok,Sukgyu HAHM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Pattern formation method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11521855B2. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Ayaka SUKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Pattern formation method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210296117A1. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Ayaka SUKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Pattern formation method, imprint device, and computer-readable non-volatile storage medium storing drop recipe adjustment program

Номер патента: US10192793B2. Автор: Yusaku Izawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Pattern formation method, imprint device, and computer-readable non-volatile storage medium storing drop recipe adjustment program

Номер патента: US20180218951A1. Автор: Yusaku Izawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Pattern formation device, method for pattern formation, and program for pattern formation

Номер патента: US20140346701A1. Автор: Sachiko Kobayashi,Masafumi Asano,Shigeki Nojima,Kazuhiro Takahata,Yingkang ZHANG. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Pattern formation method

Номер патента: US10014182B2. Автор: Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Pattern formation method and template manufacturing method

Номер патента: US11862430B2. Автор: Ryota SEKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Pattern formation method and semiconductor device

Номер патента: US20150227045A1. Автор: Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and imprint apparatus

Номер патента: US20240094624A1. Автор: Masaki Mitsuyasu,Ryo Ogawa,Anupam Mitra. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US20150147701A1. Автор: Georg Pawlowski,Hyun-Woo Kim,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Yusuke Hama,Cheol Hong Park. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-05-28.

Photosensitive composition for pattern formation, and flexographic plate

Номер патента: EP4394509A1. Автор: Atsushi Nozawa. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Film formation method, dry film manufacturing method and liquid ejection head manufacturing method

Номер патента: US20190049846A1. Автор: Masataka Nagai,Seiichiro Yaginuma,Shingo Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Color image formation method

Номер патента: US20020004183A1. Автор: Takatoshi Ishikawa,Hideaki Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Pattern formation material and pattern formation method

Номер патента: US6511786B2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago,Shinji Kishimura,Masamitsu Shirai,Masahiro Tsunooka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-28.

Pattern formation method, and radiation-sensitive resin composition

Номер патента: TW201202850A. Автор: Hirokazu Sakakibara,Takeshi Ishii,Masafumi Hori. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-01-16.

Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method using same

Номер патента: EP2933682A4. Автор: Georg Pawlowski,Masato Suzuki,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-08-17.

FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, SUBSTRATE FOR PATTERN FORMATION, PHOTODEGRADABLE COUPLING AGENT, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND

Номер патента: US20150168836A1. Автор: Yamaguchi Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing chemicals for electronic material manufacturing, pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, chemicals for electronic material manufacturing, container, and quality inspection method

Номер патента: KR102116252B1. Автор: 테츠야 시미즈,츠카사 야마나카,유키히사 카와다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-05-28.

Pattern formation method, electronic device manufacturing method, semiconductor device manufacturing process resin manufacturing monomer, resin, resin manufacturing method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film

Номер патента: KR102226442B1. Автор: 나오야 하타케야마,아키요시 고토,야스노리 요네쿠타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-03-11.

Pattern formation method

Номер патента: EP1688797A3. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Resist developer and resist pattern formation method using same

Номер патента: US20030203316A1. Автор: Kazuyuki Nitta. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Resist pattern formation method and resist composition

Номер патента: US09740105B2. Автор: Shinichi Hidesaka,Yoichi Hori,Takeaki Shiroki. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Pattern formation method and apparatus

Номер патента: US6358673B1. Автор: Hideo Namatsu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Water-soluble resin composition, pattern formation method and inspection method of resist pattern

Номер патента: KR101049373B1. Автор: 홍성은,유스케 다카노. Владелец: 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-07-14.

Circulation system for high refractive index liquid, pattern form device and pattern formation method

Номер патента: CN100541713C. Автор: 山田善章,山本太郎,小杉仁,杂贺康仁. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-16.

Pattern formation with negative type resist

Номер патента: US4442199A. Автор: Teruo Fujimoto,Kimio Shibayama,Kingo Itaya. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1984-04-10.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US09429854B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Rinse solution for pattern formation and pattern forming process

Номер патента: US09798242B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

COMPOUND, POLYMER, COMPOSITION, COMPOSITION FOR FILM FORMATION, PATTERN FORMATION METHOD, INSULATING FILM FORMATION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING COMPOUND, AS WELL AS METHOD FOR PRODUCING IODINE-CONTAINING VINYL POLYMER AND ACETYLATED DERIVATIVE THEREOF

Номер патента: US20220348698A1. Автор: Omatsu Tadashi,Matsumoto Masahiro,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,KATAOKA Kentaro,NIIMI Yushi. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof

Номер патента: EP1376228A1. Автор: Shinichi Hikosaka,Manabu Yamamoto,Daigo Aoki,Hironori Kamiyama,Hironori Kobayashi,Mitsuhiro Kashiwabara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2004-01-02.

Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof

Номер патента: US20080081283A1. Автор: Shinichi Hikosaka,Manabu Yamamoto,Daigo Aoki,Hironori Kamiyama,Hironori Kobayashi,Mitsuhiro Kashiwabara. Владелец: Mitsuhiro Kashiwabara. Дата публикации: 2008-04-03.

Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof

Номер патента: US7575845B2. Автор: Shinichi Hikosaka,Manabu Yamamoto,Daigo Aoki,Hironori Kamiyama,Hironori Kobayashi,Mitsuhiro Kashiwabara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-08-18.

Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof

Номер патента: EP1376225B1. Автор: Hironori Kobayashi,Manabu Yamamoto,Daigo Aoki,Hironori Kamiyama,Shinichi Hikosaka,Mitsuhiro Kashiwabara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2010-10-13.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170336723A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-23.

Rinse solution for pattern formation and pattern forming process

Номер патента: US20160154312A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Polymer, resist composition containing said polymer, method for manufacturing member using same, pattern formation method, and method for forming reversal pattern

Номер патента: TW202219088A. Автор: 榎本智至,古澤孝弘,町田康平. Владелец: 日商東洋合成工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-16.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE FILM, RIB PATTERN FORMATION METHOD, HOLLOW STRUCTURE AND FORMATION METHOD FOR SAME, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20130076458A1. Автор: Kamei Junichi,KATOU Sadaaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

COMPOSITION FOR FORMING FINE RESIST PATTERN, AND PATTERN FORMATION METHOD USING SAME

Номер патента: US20160011508A1. Автор: Ishii Masahiro,Nagahara Tatsuro,Sekito Takashi,KOBAYASHI Masakazu,YAMAMOTO Kazuma,SATAKE Noboru. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20190107787A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US20140354966A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US9625834B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method

Номер патента: US10101673B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US9740114B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US9760021B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US9846374B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US10197924B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US9971253B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: TW201824351A. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2018-07-01.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: TW201415537A. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-04-16.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method

Номер патента: US8134688B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190049862A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-14.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190049863A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-14.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180101104A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-12.

Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method

Номер патента: US8013982B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method

Номер патента: US10162274B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101493661B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-02-13.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101902723B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2018-09-28.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101565277B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-11-02.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR20150013837A. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-02-05.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101763546B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-07-31.

Pattern formation method and exposure apparatus

Номер патента: US09500961B2. Автор: Takashi Sato,Akiko Yamada,Takeshi Suto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Resin composition for pattern formation, pattern formation method and process for producing light-emitting element

Номер патента: US8628673B2. Автор: Koji Asakawa,Akihiko Ikeda,Akira Fujimoto,Tomohiro Yorisue,Ryota Kitagawa,Yoshiaki Shirae. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Pattern formation method, control device, and semiconductor device manufacture method

Номер патента: US20160259240A1. Автор: Hideaki Sakurai,Shingo Kanamitsu,Keiko Morishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Pattern formation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230139799A1. Автор: Wei-De Ho,Hua-Tai Lin,Yuan-Hsiang Lung,Han-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Compound, pattern forming substrate, coupling agent, and pattern formation method

Номер патента: US20200148700A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Photosensitive transcription sheet, photosensitive laminate, imagine pattern formation method, and wiring pattern formation method

Номер патента: TW200511903A. Автор: Yuichi Wakata,Morimasa Sato,Masanobu Takashima. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-16.

Novel photoacid generator, photoresist composition, and photoresist pattern formation method

Номер патента: EP4451061A1. Автор: Jeong Sik Kim,Jaehyun Kim,Hyung Kun Lee,Jeongmin Ha,Myoung Hyun HUR,Min Ja Yoo,Chanhyuk JI,Gyeonghun JANG. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Radiation-sensitive resin composition, pattern formation method, method for manufacturing substrate, and compound

Номер патента: US20240319597A1. Автор: Masayuki Miyake,Ryuichi Nemoto,Michihiro Mita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

COMPOUND, RESIN, RESIST COMPOSITION OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS FILM, UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR UNDERLAYER FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY, METHOD FOR FORMING CIRCUIT PATTERN, AND PURIFICATION METHOD

Номер патента: US20190056657A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,SHIMIZU Youko. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

COMPOUND, RESIN, RESIST COMPOSITION OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS FILM, UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR UNDERLAYER FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY, METHOD FOR FORMING CIRCUIT PATTERN, AND PURIFICATION METHOD

Номер патента: US20200409261A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,SHIMIZU Youko. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method

Номер патента: US11942322B2. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi,Yahru CHENG,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method

Номер патента: US20230386840A1. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi,Yahru CHENG,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Surface reforming material, resist pattern formation method, and pattern formation method

Номер патента: KR101944588B1. Автор: 이사오 히라노,준이치 츠치야. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2019-01-31.

Material for pattern formation, apparatus for pattern formation, and method for pattern formation

Номер патента: CN101084470A. Автор: 池田贵美,高岛正伸. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Surface reforming material, resist pattern formation method, and pattern formation method

Номер патента: KR20160130198A. Автор: 이사오 히라노,준이치 츠치야. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-11-10.

Surface reforming material, resist pattern formation method, and pattern formation method

Номер патента: KR102059287B1. Автор: 이사오 히라노,준이치 츠치야. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2019-12-24.

Negative photosensitive composition and pattern formation method

Номер патента: EP3249469B1. Автор: Tomoyuki Ando,Hirofumi Imai. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Pattern formation material, water-soluble material and pattern formation method

Номер патента: US20040058271A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Solvent developable negative resist composition, resist pattern formation method, and method for forming pattern of layer including block copolymer

Номер патента: US9134617B2. Автор: Takahiro Senzaki,Ken Miyagi,Shigenori Fujikawa,Harumi Hayakawa,Mari Koizumi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2015-09-15.

COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20200249573A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Pattern formation method and metal structure formation method

Номер патента: US20130213932A1. Автор: Tomokazu Umezawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Photosensitive resin composition, production method therefor, resist film, pattern formation method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP3757676A1. Автор: Kei Yamamoto,Hidenori Takahashi,Naohiro Tango,Yasufumi OISHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: TW200809917A. Автор: Taro Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Chemical solution and pattern formation method

Номер патента: EP4394510A1. Автор: Tetsuya Shimizu,Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Pattern transfer mold and pattern formation method

Номер патента: US20150021191A1. Автор: Takashi Sato,Masato Saito,Akiko Mimotogi,Koichi Kokubun,Ryoichi Inanami,Yongfang Li. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Pattern transfer mold and pattern formation method

Номер патента: US09957630B2. Автор: Takashi Sato,Masato Saito,Akiko Mimotogi,Koichi Kokubun,Ryoichi Inanami,Yongfang Li. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Polymer, composition, method for producing polymer, composition, composition for film formation, resist composition, radiation-sensitive composition, composition for underlayer film formation for lithography, resist pattern formation method, method for producing underlayer film for lithography, circuit pattern formation method, and composition for optical member formation

Номер патента: US20230296982A1. Автор: Masatoshi Echigo,Tadashi Omatsu,Takashi Makinoshima,Junya Horiuchi,Yu Okada,Kodai MATSUURA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Polymer, composition, method for producing polymer, composition for film formation, resist composition, resist pattern formation method, radiation-sensitive composition, composition for underlayer film formation for lithography, method for producing underlayer film for lithography, circuit pattern formation method, and composition for optical member formation

Номер патента: US20240117102A1. Автор: Masatoshi Echigo,Tadashi Omatsu,Junya Horiuchi,Yu Okada,Kodai MATSUURA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

PATTERN FORMATION METHOD, POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR MULTIPLE DEVELOPMENT USED FOR THE PATTERN FORMATION METHOD, NEGATIVE DEVELOPMENT SOLUTION USED FOR THE PATTERN FORMATION METHOD, AND NEGATIVE DEVELOPMENT RINS

Номер патента: JP5531078B2. Автор: 慎一 漢那,英明 椿. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

COMPOSITION FOR FILM FORMATION, RESIST COMPOSITION, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS FILM, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, COMPOSITION FOR UNDERLAYER FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY, METHOD FOR PRODUCING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20220089811A1. Автор: YAMAMOTO Hiroaki,Omatsu Tadashi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,HORIUCHI Junya. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Template, method for manufacturing template, and pattern formation method

Номер патента: US20220024114A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Template, method for manufacturing template, and pattern formation method

Номер патента: US11167469B2. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Silicon-containing film, resin composition, and pattern formation method

Номер патента: US8791020B2. Автор: Yoshikazu Yamaguchi,Masato Tanaka,Yukio Nishimura,Takashi Mori. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Template, method for manufacturing template, and pattern formation method

Номер патента: US11548208B2. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Pattern formation method using a photo mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200004137A1. Автор: Lai Chien Wen,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Yuan-Te Hou,Ken-Hsien Hsieh,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method, and method for purifying resin

Номер патента: US20220144738A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Yu Okada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD AND METHOD FOR PURIFYING RESIN

Номер патента: US20200361843A1. Автор: ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,HORIUCHI Junya. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin

Номер патента: US20240109997A1. Автор: Takashi Sato,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Junya Horiuchi. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Pattern formation device, method for pattern formation, and program for pattern formation

Номер патента: US20130069278A1. Автор: Sachiko Kobayashi,Masafumi Asano,Shigeki Nojima,Kazuhiro Takahata,Yingkang ZHANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Material for pattern formation, apparatus for pattern formation, and method for pattern formation

Номер патента: KR20070084581A. Автор: 히데노리 타카하시,유이치 와카타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-08-24.

Compound, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method, and transistor production method

Номер патента: US11953833B2. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami,Michiko Itou. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Pattern formation method

Номер патента: US8506830B2. Автор: Kenji Furusho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Pattern formation method

Номер патента: US20110290759A1. Автор: Kenji Furusho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Fluorine-containing composition, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method and transistor production method

Номер патента: US20170285471A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Reflection mask and pattern formation method

Номер патента: US20170336721A1. Автор: Masaru Suzuki,Hiroyuki Mizuno,Kazuyuki Yoshimochi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20190010108A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20210070683A1. Автор: ECHIGO Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20210070685A1. Автор: ECHIGO Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

COMPOUND, SUBSTRATE FOR PATTERN FORMATION, PHOTODEGRADABLE COUPLING AGENT, PATTERN FORMATION METHOD, AND TRANSISTOR PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20200233304A1. Автор: Kawakami Yusuke,Yamaguchi Kazuo,ITOU Michiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

FLUORINE-CONTAINING COMPOSITION, SUBSTRATE FOR PATTERN FORMATION, PHOTODEGRADABLE COUPLING AGENT, PATTERN FORMATION METHOD AND TRANSISTOR PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20170285471A1. Автор: Kawakami Yusuke,Yamaguchi Kazuo. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-05.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, and circuit pattern formation method

Номер патента: US11130724B2. Автор: Takashi Sato,Masatoshi Echigo,Takumi TOIDA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Polymer, photoresist compositions including the same, and pattern formation methods

Номер патента: US20240241440A1. Автор: Li Cui,Mingqi Li,Emad Aqad,James F. Cameron,Wenxu ZHANG,Yinjie Cen. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

PATTERN FORMATION MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20200123299A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,KIHARA Naoko,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-04-23.

Structure Body and Pattern Formation Method

Номер патента: US20180001341A1. Автор: Akira Watanabe,Ryosuke Yamamoto,Tomoaki Sawabe,Naoko KlHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US20140213058A1. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Nobuhiro Komine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION APPARATUS

Номер патента: US20140340660A1. Автор: Suzuki Masato,KASA Kentaro,Takakuwa Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Pattern formation method, pattern formation system, and electronic device

Номер патента: CN1668164A. Автор: 上原升,樱田和昭,新馆刚. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-14.

Self-organizing composition for pattern formation and pattern formation method

Номер патента: WO2013073505A1. Автор: 祐司 浪江,永井　智樹,信也 峯岸,曽根　卓男. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2013-05-23.

Pattern formation method, pattern formation system, and electronic device

Номер патента: TW200534927A. Автор: Noboru Uehara,Kazuaki Sakurada,Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Pattern formation method and pattern formation system

Номер патента: KR100807436B1. Автор: 가즈아키 사쿠라다,노보루 우에하라,츠요시 신타테. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-02-25.

Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods

Номер патента: US11754927B2. Автор: Mingqi Li,Cheng-Bai Xu,Irvinder Kaur,Kevin ROWELL,Colin LIU,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

PATTERN FORMATION METHOD AND METAL STRUCTURE FORMATION METHOD

Номер патента: US20130213932A1. Автор: UMEZAWA Tomokazu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-08-22.

Underlay film composition for imprints and method of forming pattern and pattern formation method using the same

Номер патента: TWI597577B. Автор: 榎本雄一郎,北川浩隆. Владелец: 富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-01.

Composition for resist underlayer and pattern formation method using same

Номер патента: US20230288809A1. Автор: Minsoo Kim,Jaeyeol Baek,Soonhyung Kwon,Hyeon Park,Shinhyo Bae,Daeseok Song,Yoojeong Choi,Minki CHON,Seongjin Kim,Hwayoung Jin. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

PHOTOSENSITIVE CONDUCTIVE FILM, CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD USING SAME, AND CONDUCTIVE PATTERN SUBSTRATE

Номер патента: US20160238942A1. Автор: Tanaka Hiroyuki,YAMAZAKI Hiroshi,Murakami Yasuharu,EBIHARA Masahiko,OOTA Emiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD, CONDUCTIVE PATTERN-BEARING SUBSTRATE, AND TOUCH PANEL SENSOR

Номер патента: US20140327889A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,Igarashi Yoshimi. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Pattern formation method, resist pattern, and process for producing electronic device

Номер патента: KR101961639B1. Автор: 아키요시 고토,미치히로 시라카와,나오히로 탄고,나오키 이노우에,케이 야마모토. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-03-25.

Coating solution for resist pattern coating and pattern formation method

Номер патента: KR102272719B1. Автор: 리키마루 사카모토,토키오 니시타. Владелец: 닛산 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-05.

Aqueous solution for coating resist pattern and pattern formation method using same

Номер патента: WO2017169981A1. Автор: 登喜雄 西田,坂本　力丸. Владелец: 日産化学工業株式会社. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of pattern formation

Номер патента: US3917794A. Автор: Yoichi Oba,Saburo Nonogaki,Yoshifumi Tomita,Toyoaki Kimura,Motoo Akagi,Mitsuru Oikawa,Takahiro Kohashi,Hazime Morishita,Yoshiro Otomo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1975-11-04.

Stabilization of a patterned planarizing layer for solid state imagers prior to color filter pattern formation

Номер патента: US5654202A. Автор: Robert Curtis Daly,Jeffrey Carlyle Blood. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1997-08-05.

Pattern formation method, processing board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method

Номер патента: KR102208727B1. Автор: 니야즈 쿠스나트디노프,도시키 이토,게이코 치바,웨이준 리우,브라이언 티모시 스타초위악. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-01-28.

Pattern formation method, processed substrate manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method

Номер патента: JPWO2017170631A1. Автор: 伊藤　　俊樹,伊藤　俊樹. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Pattern formation method, processing board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method

Номер патента: KR102208728B1. Автор: 도시키 이토,게이코 치바,웨이준 리우,브라이언 티모시 스타초위악,니야즈 구스나트디노브. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-01-28.

Pattern formation method, processed substrate manufacturing method, optical component manufacturing method, quartz mold replica manufacturing method, semiconductor element manufacturing method

Номер патента: JP7094878B2. Автор: 啓子 千葉,智教 大谷,俊樹 伊藤,ウェイジュン リウ,ブライアン ティモシー スタコウィアック. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-07-04.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20140049758A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20190004440A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US9958792B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10338482B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US9983486B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101477448B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-12-29.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101645909B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2016-08-12.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101529845B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-06-17.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20080094592A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: EP2993688A3. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-04-20.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101824374B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2018-01-31.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR101933360B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2018-12-27.

Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: KR20160006804A. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2016-01-19.

Photosensitive transfer material, pattern formation method, and etching method

Номер патента: US09810984B2. Автор: HIDEAKI Ito,Yasumasa Kawabe,Shinji Fujimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

PATTERN FORMATION MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20190086805A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,KIHARA Naoko,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu,Lee Seekei. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Underlayer film forming composition for lithography, underlayer film, and pattern formation method

Номер патента: US20230324801A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Atsuko Iwasaki. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US20210040345A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US20190169461A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same

Номер патента: US09411232B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masahiro Ishii,Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara,Kazuma Yamamoto,Noboru SATAKE. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-08-09.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US11161999B2. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions

Номер патента: US11796916B2. Автор: Cong Liu,Irvinder Kaur,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions

Номер патента: US20180314155A1. Автор: Cong Liu,Irvinder Kaur,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Compound, polymer, composition, composition for film formation, pattern formation method, insulating film formation method, and method for producing compound

Номер патента: US20230348351A1. Автор: Masahiro Matsumoto,Masatoshi Echigo,Tadashi Omatsu,Yu Okada,Takeru KOGUMA,Yushi NIIMI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US09599892B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods

Номер патента: US20200379351A1. Автор: Mingqi Li,Cong Liu,Cheng-Bai Xu,Irvinder Kaur,Kevin ROWELL,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2020-12-03.

Directed self-assembly composition for pattern formation and pattern-forming method

Номер патента: US09718950B2. Автор: Yuji Namie,Tomoki Nagai,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Directed self-assembling composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US09684235B2. Автор: Yuji Namie,Takuo Sone,Tomoki Nagai,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US09534135B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US11370872B2. Автор: Masafumi Hori,Hiroyuki Komatsu,Tomohiro Oda,Takehiko Naruoka,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US20190135967A1. Автор: Masafumi Hori,Hiroyuki Komatsu,Tomohiro Oda,Takehiko Naruoka,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Image formation method

Номер патента: US20100322685A1. Автор: Michiyo Fujita,Ryuichi Hiramoto,Takao Yamanouchi,Kazue Nakamura. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2010-12-23.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: US09625814B2. Автор: Sadaaki Katou,Junichi Kamei. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Image formation method and image formation apparatus

Номер патента: US20150253683A1. Автор: Masahiro Anno,Naoki Yoshie,Kunitomo SASAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Silver halide photographic material and image formation method

Номер патента: US6368780B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Yuki Mizukawa,Satoshi Sano,Taiji Katsumata. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-09.

Image formation method

Номер патента: US20030095802A1. Автор: Makoto Yamada,Yasunori Mimaki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Image formation method and image formation apparatus

Номер патента: US09494898B2. Автор: Masahiro Anno,Naoki Yoshie,Kunitomo SASAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Image formation method and apparatus

Номер патента: US4493882A. Автор: Yasuyuki Tamura,Shuzo Kaneko,Tohru Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1985-01-15.

Electroconductive magnetic carrier, developer using the same and image formation method

Номер патента: US5318873A. Автор: Hiroshi Itoh,Yukio Ikeda,Takao Kawamura,Yasuo Nishiguchi,Yoshio Ozawa,Katsuhiro Yoshioka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Image formation method

Номер патента: US20080227000A1. Автор: Hiroshi Yamada,Hiroyuki Fushimi,Yasuo Asahina,Fumihiro Sasaki,Hisashi Nakajima,Takahiro Honda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Image formation apparatus, an image formation method, an image formation program, and a computer-readable recording medium

Номер патента: US20070183799A1. Автор: Fuminori Tsuchiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Toner for developing electrostatic image, full color toner kit, and image formation method

Номер патента: US8431295B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Hiroyuki Yasukawa,Kaori Soeda. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-04-30.

Image formation apparatus, an image formation method, an image formation program, and a recording medium

Номер патента: US20080019744A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Toner for use in electrophotography and image formation method using the toner

Номер патента: US20010051310A1. Автор: Kunihiko Tomita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101634894B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2016-06-29.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: CN101356623B. Автор: 柴崎佑一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101889245B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2018-08-16.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101278829B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-06-25.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101323565B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-10-29.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101525373B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-06-09.

Moving body drive method, moving body drive system, pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device fabrication method

Номер патента: KR101780574B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-10-10.

Coating composition, antireflection film, photoresist and pattern formation method using it

Номер патента: US20060004129A1. Автор: Takashige Maekawa,Toyomichi Shimada,Nobuyuki Otozawa,Naoko Sumi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US7839485B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10185227B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10133195B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method

Номер патента: EP1983555A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: SG152253A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-29.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20170322498A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10203613B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US10185228B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: WO2011145750A1. Автор: 禎明 加藤,淳一 亀井. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-11-24.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: KR102148279B1. Автор: 사다아키 가토,준이치 가메이. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-08-26.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: KR101820074B1. Автор: 사다아키 가토,준이치 가메이. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-01-18.

Pattern formation method, pattern, and device

Номер патента: KR101425706B1. Автор: 다츠야 시모다,료 가와지리,야스오 마츠키,다카시 마스다,도시히코 가네다. Владелец: 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬. Дата публикации: 2014-08-01.

Photosensitive transcription sheet, photosensitive laminate, imagine pattern formation method, and wiring pattern formation method

Номер патента: TW200513796A. Автор: Yuichi Wakata,Morimasa Sato,Masanobu Takashima. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-16.

Pattern formation method

Номер патента: US20020076937A1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Pattern formation method

Номер патента: US6429143B1. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor

Номер патента: US09817499B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshimi Igarashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor

Номер патента: US09639189B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshimi Igarashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Composition for resist lower layer film formation and method for pattern formation

Номер патента: EP2087404A1. Автор: Yousuke Konno,Nakaatsu Yoshimura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-08-12.

Pattern-forming material and pattern formation method

Номер патента: CA1335542C. Автор: Katsutoshi Mine,Naohiro Muramoto. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Pattern formation method

Номер патента: US7029827B2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Silicon-containing composition for fine pattern formation and method for fine pattern formation using the same

Номер патента: TWI369585B. Автор: Yasuo Shimizu,Tomonori Ishikawa,Ralph Dammel,Wenbing Kang. Владелец: Az Electronic Mat Ip Japan Kk. Дата публикации: 2012-08-01.

UNDERLAY FILM COMPOSITION FOR IMPRINTS AND METHOD OF FORMING PATTERN AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20140220353A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,Kodama Kunihiko,Ito Takayuki,Hattori Akiko,KITAGAWA Hirotaka,OOMATSU Tadashi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-08-07.

Silicon-containing composition for fine pattern formation and method for fine pattern formation using the same

Номер патента: US20100255430A1. Автор: Yasuo Shimizu,Tomonori Ishikawa,Wen-Bing Kang,Ralph R. Dammel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Silicon-containing composition for fine pattern formation and method for fine pattern formation using the same

Номер патента: TW200916966A. Автор: Yasuo Shimizu,Tomonori Ishikawa,Ralph Dammel,Wen-Bing Kang. Владелец: Az Electronic Materials Japan. Дата публикации: 2009-04-16.

CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD, CONDUCTIVE PATTERN-BEARING SUBSTRATE, AND TOUCH PANEL SENSOR

Номер патента: US20150271919A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,lgarashi Yoshimi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Siliceous fine pattern forms with composition and the fine pattern formation method of using it

Номер патента: CN101802718A. Автор: 康文兵,拉尔夫·R·达梅尔,清水泰雄,石川智规. Владелец: Az电子材料（日本）株式会社. Дата публикации: 2010-08-11.

Pattern-forming material and pattern formation method

Номер патента: EP0315954B1. Автор: Katsutoshi Mine,Naohiro Muramoto. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-22.

Positive resist pattern formation through focused ion beam exposure and surface barrier silylation

Номер патента: US5362606A. Автор: John Melngailis,David C. Shaver,Mark A. Hartney. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1994-11-08.

Magneto-resistance effect element bar exposure method, magneto-resistance effect element bar formation method and magneto-resistance effect element bar

Номер патента: US20040160704A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Noriaki Kasahara,Hitoshi Hatate,Tsuneo Kagotani,Teruyo Kagotani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Rinse solution for pattern formation and pattern forming process

Номер патента: US09632416B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

RESIST COMPOSITION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT WHICH IS USED FOR FORMATION OF GUIDE PATTERN, GUIDE PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON LAYER CONTAINING BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20140127626A1. Автор: Dazai Takahiro,Senzaki Takahiro,Miyagi Ken,Fujikawa Shigenori,Koizumi Mari,Hayakawa Harumi. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD, AND PURIFICATION METHOD

Номер патента: US20220064137A1. Автор: Sato Takashi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Positive photoresist composition and resist pattern formation method

Номер патента: TW200606587A. Автор: Kazufumi Sato,Sachiko Yoshizawa. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Organic treatment solution for patterning of chemically amplified resist film, container for organic treatment solution for patterning of chemically amplified resist film, and pattern formation method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: EP2927749A1. Автор: Tsukasa Yamanaka,Takashi Kawamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

Photosensitive Resin Composition, Photosensitive Film, Rib Pattern Formation Method, Hollow Structure and Formation Method for Same, and Electronic Component

Номер патента: US20150185611A1. Автор: Kamei Junichi,KATOU Sadaaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Container for organic treatment solution for patterning of chemically amplified resist film, pattern formation method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: EP2927749B1. Автор: Tsukasa Yamanaka,Takashi Kawamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-12-11.

COMPOSITION FOR FORMING FINE RESIST PATTERN AND PATTERN FORMATION METHOD USING SAME

Номер патента: US20150253669A1. Автор: Ishii Masahiro,Sekito Takashi,NAKASUGI Shigemasa,NOYA Go,YAMAMOTO Kazuma,YANAGITA Hiroshi. Владелец: AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L.. Дата публикации: 2015-09-10.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: US20240229099A9. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Display apparatus, and adjustment method and formation method thereof

Номер патента: US20240355277A1. Автор: Chuan Liu,Xun XIAO,Shuo Tang,Xigang Liu,Junbo Xu. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory formatting method, memory controller, and memory storage apparatus

Номер патента: US09389998B2. Автор: Chien-Fu Lee. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: EP4299717A1. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: US20240132932A1. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Resist fine pattern formation device and formation method

Номер патента: EP4152899A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Pattern formation method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method

Номер патента: US20200301271A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method

Номер патента: US20070184359A1. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Inkjet discharge method, pattern formation method, and pattern

Номер патента: US09862847B2. Автор: Yuichiro Enomoto,Kenichi Kodama,Hirotaka Kitagawa,Yuichiro Goto,Tadashi OOMATSU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Stripping solution for photolithography and pattern formation method

Номер патента: US9436094B2. Автор: Takayuki Haraguchi,Daijiro MORI,Naohisa Ueno. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Stripping solution for photolithography and pattern formation method

Номер патента: US09436094B2. Автор: Takayuki Haraguchi,Daijiro MORI,Naohisa Ueno. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Pattern formation method, pattern formation apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20090135399A1. Автор: Soichi Owa,Shigeru Hirukawa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head

Номер патента: US09612539B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method

Номер патента: TW200921289A. Автор: Yuichi Shibazaki,Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-16.

Resist fine pattern formation device and formation method

Номер патента: EP4152899A4. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Pattern formation method and method and apparatus for production of a semiconductor device using said method

Номер патента: SG67481A1. Автор: Tohro Ogawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

REVERSE PATTERN FORMATION COMPOSITION, REVERSE PATTERN FORMATION METHOD, AND DEVICE FORMATION METHOD

Номер патента: US20190204747A1. Автор: Wang XiaoWei,Nagahara Tatsuro. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2019-07-04.

Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask

Номер патента: TWI248636B. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

Pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask

Номер патента: EP1624338B1. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-21.

Pattern formation method using Levenson-type mask and method of manufacturing Levenson-type mask

Номер патента: TW200733192A. Автор: Akemi Moniwa,Mitsuru Okuno. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

Positive resist composition, resist film, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: EP4098672A4. Автор: Kazunari Yagi,Akira Takada,Kazuhiro Marumo,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Actinic light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and method for producing electronic devices

Номер патента: EP4293011A4. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method

Номер патента: EP1447711A3. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

MOVABLE BODY SYSTEM, MOVABLE BODY DRIVE METHOD, PATTERN FORMATION APPARATUS, PATTERN FORMATION METHOD, EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140327899A1. Автор: Kanaya Yuho. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

The manufacture method and the mobile body drive method of mobile body device, pattern formation device and pattern formation method, device manufacturing method, mobile body device

Номер патента: CN101611470A. Автор: 青木保夫,工藤芳彦,白数广. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-12-23.

Film forming composition, resist composition, radiation-sensitive composition, method for producing amorphous film, resist pattern formation method, composition for forming lower layer film for lithography, method for producing lower layer film for lithography, and circuit pattern formation method

Номер патента: WO2020145406A1. Автор: 大松　禎,越後　雅敏,牧野嶋　高史,淳矢 堀内,拓央 山本. Владелец: 三菱瓦斯化学株式会社. Дата публикации: 2020-07-16.

Resist pattern formation method, fine pattern formation method using the same, and liquid crystal display element fabrication method

Номер патента: KR20050058956A. Автор: 모리오기미타카. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-06-17.

Resist pattern formation method, fine pattern formation method using the same, and liquid crystal display element fabrication method

Номер патента: KR100681750B1. Автор: 모리오기미타카. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-02-15.

Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8098362B2. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Pattern formation method, pattern formation apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US8405816B2. Автор: Soichi Owa,Shigeru Hirukawa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: CN101326617A. Автор: 柴崎佑一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-12-17.

Pattern formation method, pattern formation device, exposure method, exposure device, and device manufacturing method

Номер патента: WO2007142350A1. Автор: Soichi Owa,Shigeru Hirukawa. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2007-12-13.

Pattern formation method

Номер патента: EP1947509A3. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-06.

Pattern formation method

Номер патента: EP1947509B1. Автор: Akio Misaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-10-27.

Pattern formation method pattern formation device and device fabrication method

Номер патента: KR101275416B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-06-14.

Movable body drive method and movable body drive system, and pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US20120127450A1. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Overlay vernier mask pattern, formation method thereof, semiconductor device including overlay vernier pattern, and formation method thereof

Номер патента: US20120146195A1. Автор: Joon Seuk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Overlay vernier mask pattern, formation method thereof, semiconductor device including overlay vernier pattern, and formation method thereof

Номер патента: TW201225157A. Автор: Joon-Seuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-16.

Underlayer film forming composition for lithography, underlayer film for lithography, and pattern formation method and purification method

Номер патента: US20220260910A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Pattern formation method, pattern formation device, and device fabrication method

Номер патента: TW200741813A. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Pattern qualification, pattern formation process, or pattern formation apparatus in the production of microlithographic patterns

Номер патента: JP2005533292A. Автор: ピーターソン，イングリッド・ビイ,デン ホフ，マイク ホン,ウィリー，ジム. Владелец: ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション. Дата публикации: 2005-11-04.

Resist composition and resist pattern formation method

Номер патента: US20240264527A1. Автор: Hiroki Kato,Tetsuya Matsushita,Yuuki Fujimoto,Takuya Uehara,Junichi Miyakawa,KhanhTin NGUYEN. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin coating, photosensitive dry film, pattern formation method

Номер патента: EP4095178A4. Автор: Hitoshi Maruyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Pattern formation composition and pattern formation method

Номер патента: WO2021054284A1. Автор: 田中　宏樹,泰明 田中. Владелец: 王子ホールディングス株式会社. Дата публикации: 2021-03-25.

Inkjet discharge method, pattern formation method, and pattern

Номер патента: US20160122563A1. Автор: Yuichiro Enomoto,Kenichi Kodama,Hirotaka Kitagawa,Yuichiro Goto,Tadashi OOMATSU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMATION APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM RECORDED WITH ALIGNMENT PROGRAM

Номер патента: US20140071413A1. Автор: Takakuwa Manabu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

Fluorine-containing compound, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method, and compound

Номер патента: US9606437B2. Автор: Kazuo Yamaguchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Fluorine-containing compound, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method, and compound

Номер патента: US20150168836A1. Автор: Kazuo Yamaguchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask

Номер патента: EP1624338A3. Автор: Akio Misaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-19.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190121243A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-25.

Compound, polymer, composition for film formation, method for pattern formation, method for forming insulating film, method for producing compound, and method for producing iodine-containing vinyl polymer and acetylated derivative thereof

Номер патента: CN114245792A. Автор: 越后雅敏,牧野岛高史,大松祯,松本正裕,片冈健太郎,新美结士. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-03-25.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150002831A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150002833A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170003603A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Photomask, method and apparatus that uses the same, photomask pattern production method, pattern formation method, and semiconductor device

Номер патента: US20080036986A1. Автор: Hidenori Yamaguchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Actinic light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and method for producing electronic devices

Номер патента: EP4293011A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Photomask, method and apparatus that uses the same, photomask pattern production method, pattern formation method, and semiconductor device

Номер патента: TW200809913A. Автор: Hidenori Yamaguchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

SOLVENT DEVELOPABLE NEGATIVE RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR FORMING PATTERN OF LAYER INCLUDING BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20140113236A1. Автор: Senzaki Takahiro,Miyagi Ken,Fujikawa Shigenori,Koizumi Mari,Hayakawa Harumi. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Exposure mask pattern correction method, pattern formation method, and program

Номер патента: JP4460794B2. Автор: 聡 田中,壮一 井上,耕治 橋本,聡 臼井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-12.

Organic film material, organic film formation method, pattern formation method, and compound

Номер патента: JP2016216367A. Автор: Kazunori Maeda,和規 前田,勤 荻原,Kazumi Noda,Tsutomu Ogiwara,大佑 郡,和美 野田,里枝 菊地,野田　和美,Rie Kikuchi,Daisuke Koori,前田　和規. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Exposure mask pattern correction method, pattern formation method, and a program product for operating a computer

Номер патента: US6622296B2. Автор: Koji Hashimoto,SATOSHI Tanaka,Satoshi Usui,Soichi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Pattern formation method and patterned substrate manufacturing method

Номер патента: JP2011222732A. Автор: Tetsushi Wakamatsu,哲史 若松,禎 大松,Tei Daimatsu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-11-04.

RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN MINIATURIZATION AGENT

Номер патента: US20130089821A1. Автор: Hirano Isao. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

PATTERN FORMATION METHOD AND GUIDE PATTERN MATERIAL

Номер патента: US20130183828A1. Автор: Hattori Shigeki,Mikoshiba Satoshi,NAKAMURA Hiroko,Hieno Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-18.

PHOTORESIST PATTERN TRIMMING COMPOSITIONS AND PATTERN FORMATION METHODS

Номер патента: US20200379351A1. Автор: LIU Cong,Li Mingqi,Xu Cheng-bai,Kaur Irvinder,Hou Xisen,ROWELL Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

PHOTORESIST PATTERN TRIMMING COMPOSITIONS AND PATTERN FORMATION METHODS

Номер патента: US20200379353A1. Автор: Li Mingqi,Xu Cheng-bai,Kaur Irvinder,Hou Xisen,ROWELL Kevin,LIU Colin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Composition for formation of anti-reflective film, and pattern formation method using the composition

Номер патента: CN101910946A. Автор: 秋山靖,高野祐辅,能谷刚. Владелец: Az电子材料（日本）株式会社. Дата публикации: 2010-12-08.

Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method

Номер патента: EP1531362A3. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

layered product for thin pattern formation, fabrication methods, fabrication of a thin pattern structure, light emitting semiconductor device, and thin pattern

Номер патента: BR112013026132A2. Автор: Maeda Masatoshi,Yamaguchi Fujito,ARIHISA Shinji,Jun Koike. Владелец: Asahi Chemical Ind. Дата публикации: 2016-12-27.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US20090040488A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20180067405A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20170160649A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-08.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20180224758A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20150293464A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20150309423A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20170315457A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-02.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20160327872A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2016-11-10.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method

Номер патента: KR101514902B1. Автор: 유이치 시바자키,유호 가나야. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-04-23.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method

Номер патента: KR101477318B1. Автор: 유이치 시바자키,유호 가나야. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-12-29.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140049759A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-20.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190011843A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-10.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150092176A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180246421A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-30.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140354972A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140375976A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-25.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140376933A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Immersion auxiliary plate cleaning method, immersion exposure method, and pattern formation method

Номер патента: JP4316595B2. Автор: 信一 伊藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US8269945B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: TW200931204A. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Structure inspection method, pattern formation method, process condition determination and method for producing semiconductor device

Номер патента: TWI254969B. Автор: Shinichi Ito,Yuichiro Yamazaki,Kei Hayasaki,Toshiya Kotani,Toru Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Pattern quality management chart, pattern quality management method, and pattern formation method

Номер патента: US20160195599A1. Автор: Takeichi Tatsuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of pattern formation and method of producing polysilane resin precursor

Номер патента: US20180181002A1. Автор: Kazuya Someya,Kunihiro Noda,Hiroki Chisaka,Dai Shiota. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Pattern formation method and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20150099064A1. Автор: Akira Watanabe,Kazutaka Takizawa,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Self-organization material and pattern formation method

Номер патента: US9859119B2. Автор: Akira Watanabe,Takeshi Okino,Naoko Kihara,Ryosuke Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Pattern formation method, magnetic recording medium manufacturing method, and fine particle dispersion

Номер патента: US20150072071A1. Автор: Akira Fujimoto,Kazutaka Takizawa,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Self-organization material and pattern formation method

Номер патента: US20170062206A1. Автор: Akira Watanabe,Takeshi Okino,Naoko Kihara,Ryosuke Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for predicting hydraulic fracturing of formation, method of hydraulic fracturing of formation, methods for predicting risks of formation hydraulic fracturing

Номер патента: RU2730576C1. Автор: Алексей Александрович Тихонов,Денис Викторович Банников,Вадим Исмаилович Исаев,Дмитрий Сергеевич Кузнецов,Иван Владимирович Великанов. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Formation hydraulic fracturing formation method and formation hydraulic fracturing method

Номер патента: RU2730575C1. Автор: Дмитрий Викторович Бадажков,Денис Викторович Банников,Вадим Исмаилович Исаев,Дмитрий Сергеевич Кузнецов,Иван Владимирович Великанов,Владимир Александрович Пляшкевич,Олег Валерьевич Ковалевский. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Password formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2656685C1. Автор: Ли Чжэн. Владелец: Смарт Электроник Индастриэл (Дон Гуань) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-06.

File formats, methods, computer program products for provision of presentations

Номер патента: RU2400816C2. Автор: Шон А. ВИЛЛАРОН,Шарад К. КАРГ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-09-27.

Multi-stage stationary radio location station with the surrounding surface unshadowed survey area formation method and device

Номер патента: RU2659406C1. Автор: Андрей Викторович Быков. Владелец: Андрей Викторович Быков. Дата публикации: 2018-07-02.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: EP4392747A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Backlight assembly and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20230094044A1. Автор: Xiufeng He,Yi-Teng Wang,Zhenyuan Zhao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Allocation-unit-based virtual formatting methods and devices employing allocation-unit-based virtual formatting methods

Номер патента: EP2176737A2. Автор: Donia Sebastian,Jason Owens,Stuart Stevens. Владелец: Emulex Design and Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-04-21.

Allocation-unit-based virtual formatting methods and devices employing allocation-unit-based virtual formatting methods

Номер патента: WO2009005792A2. Автор: Donia Sebastian,Jason Owens,Stuart Stevens. Владелец: Emulex Design & Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2009-01-08.

Pattern film formation method and organic el device manufacturing method

Номер патента: US20120295509A1. Автор: Toru Shinohara,Hirofumi Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Element and formation method of film

Номер патента: US09572253B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hisao Ikeda,Kiyofumi Ogino,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Combined reality images formation method and system

Номер патента: RU2660631C1. Автор: Ильнур Зямилевич Харисов,Руслан Фаритович Гатауллин,Данияр Джурабоевич Хайитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТрансИнжКом". Дата публикации: 2018-07-06.

Formation methods of liquid crystal layers, liquid crystal panels, and liquid crystal dripping devices

Номер патента: US20180196292A1. Автор: Bin Xiao,Guoliang YE. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Image formation method, image formation system, and mobile terminal

Номер патента: US09876930B2. Автор: Koji Ishizaki. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Optical film thickness measurement method, film formation method, and semiconductor laser fabrication method

Номер патента: US5724145A. Автор: Takeo Kaneko,Katsumi Mori,Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Reconstituted unit formation method

Номер патента: RU2604340C2. Автор: Соо Ми ОХ,Моонок ЯНГ. Владелец: Инфобридж Пте. Лтд,. Дата публикации: 2016-12-10.

Dynamic platoon formation method under mixed autonomous vehicles flow

Номер патента: US20220351625A1. Автор: Hongsheng Qi,Yuyan YING. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-11-03.

File formats, methods, and computer program products for representing presentations

Номер патента: MY144079A. Автор: Shawn A Villaron,Sharad K Garg. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-08-15.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: AU2022332665A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Film-formation method

Номер патента: US20190390321A1. Автор: Takuya Sugawara,Hiroshi Murotani,Yukio Horiguchi. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Diffractive optical waveguide, design method and formation method thereof, and display device

Номер патента: EP4293280A1. Автор: Kehan Tian,Zhentao FAN,Xingming ZHAO. Владелец: Jiaxing Uphoton Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Diffractive optical waveguide, design method and formation method thereof, and display device

Номер патента: US20230367055A1. Автор: Kehan Tian,Zhentao FAN,Xingming ZHAO. Владелец: Jiaxing Uphoton Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Backlight assembly and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11714315B2. Автор: Xiufeng He,Yi-Teng Wang,Zhenyuan Zhao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: CA3230168A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Dynamic loose vehicle formation method based on real-time online navigation map

Номер патента: US11935407B1. Автор: Li Li,Yuyan Wang,Shufeng Wang,Guansheng Wu,Junyou ZHANG,Qingwei Liang,Huayue Zhang,Baokang Zhang,Sunquan Long,Mengqi Luo,Xianbin Du. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-19.

Formation method of aerial vehicle flight trajectory

Номер патента: RU2611453C1. Автор: Александр Степанович Никулин,Андрей Анатольевич Гарбузов,Владимир Валентинович Кавинский,Михаил Ильич Орехов,Александр Павлович Занозин,Сергей Николаевич Ищенко,Евгений Федорович Лазарев,Михаил Александрович Беляев,Александр Александрович Семаш,Юрий Николаевич Матюнин. Владелец: Акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро" (АО "РПКБ"). Дата публикации: 2017-02-22.

Data structure formation method and system based on multilayer graph

Номер патента: RU2739473C1. Автор: Виталий Алексеевич ШАРАНУЦА,Алексей Александрович БУЛАВИН. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Сбербанк России" (Пао Сбербанк). Дата публикации: 2020-12-24.

Layout of flash memory and formation method of the same

Номер патента: US6067249A. Автор: Hee-Youl Lee,Jae-Hyun Sone. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Photochromic mixture, formation method and application of photochromic device

Номер патента: US20200087521A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Population formation method, population formation apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303709B2. Автор: Hiroko Suzuki,Tetsuro Takahashi,Tadanobu Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Air venting valve formation method by fastening thermo-actuator inside valve structure without any additional operation or part and a thermostat assembly therefore

Номер патента: EP3746646A2. Автор: Hikmet KANBUR. Владелец: Kirpart Otomotiv Parcalari Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2020-12-09.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: US20240050498A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA,Arkadiusz GUZI?SKI. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Population formation method, population formation apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170004138A1. Автор: Hiroko Suzuki,Tetsuro Takahashi,Tadanobu Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: CA3183521A1. Автор: Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Ewelina WOJDA,Arkadiusz GUZI?SKI,Jaros?Aw Dastych,Ma?Gorzata Sta?Czyk,Anna P?Kala,Edyta ?Migielska. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: EP4171597A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Arkadiusz GUZIŃSKI,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2023-05-03.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: WO2021262019A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Arkadiusz GUZIŃSKI,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA. Владелец: PROTEON PHARMACEUTICALS S.A.. Дата публикации: 2021-12-30.

Chatbot system, option formation device, option formation method, and non-transitorycomputer-readable medium

Номер патента: US20240214331A1. Автор: Yasuhiro SAKAMORI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Composition for film formation, resist composition, radiation-sensitive composition, method for producing amorphous film, resist pattern formation method, composition for underlayer film formation for lithography, method for producing underlayer film for lithography, circuit pattern formation method, composition for optical member formation, resin for underlayer film formation, resist resin, radiation-sensitive resin, and resin for underlayer film formation for lithography

Номер патента: US20240117101A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Junya Horiuchi,Atsuko Iwasaki,Kodai MATSUURA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for pattern formation, method and composition for resist underlayer film formation, and resist underlayer film

Номер патента: US20120129353A1. Автор: Toru Kimura,Satoru Murakami,Shin-Ya Nakafuji,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Silphenylene-skeleton-containing polymer, photosensitive resin composition, pattern formation method, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20240345481A1. Автор: Hitoshi Maruyama,Hiroto OMORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, pattern formation method, printed circuit board, and method for producing same

Номер патента: US09625812B2. Автор: Kazuo Watanabe,Shigeki Watanabe,Akifumi Ueda,Shintaro Okada,Saki Fujita,Hidetaka Nakagawara. Владелец: Micro Process Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

The patterning organic system treatment fluid of resist film, the patterning of the resist film manufacture method of organic system treatment fluid and the manufacture method of the accepting container of the patterning with organic system treatment fluid of resist film and the pattern formation method using these and electronic component

Номер патента: CN106796405A. Автор: 山中司. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

Compound, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method, and transistor production method

Номер патента: US20200233304A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami,Michiko Itou. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Photoactive compounds, photoresist compositions including the same, and pattern formation methods

Номер патента: US20230314934A1. Автор: Emad Aqad,Jong Keun Park,Choong-Bong LEE,Yinjie Cen. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, photosensitive dry film, and pattern formation method

Номер патента: US20240288772A1. Автор: Hitoshi Maruyama,Kumiko Hayashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Composition for pattern formation, pattern-forming method, and block copolymer

Номер патента: US09738746B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Pattern formation apparatus and pattern formation method

Номер патента: CN102736437A. Автор: 菊池浩明. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Compound, polymer, composition, composition for film formation, pattern formation method, insulating film formation method, and compound manufacturing method

Номер патента: KR20230123513A. Автор: 마사히로 마츠모토,마사토시 에치고,유 오카다,타다시 오마츠,타케루 코구마,유시 니미. Владелец: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-08-23.

Composition for film formation use, resist underlayer film and method for formation thereof, pattern formation method, and compound

Номер патента: KR102222665B1. Автор: 도오루 기무라,고지 와카마츠,신야 나카후지,후미히로 도요카와,신고 다카스기. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-03-05.

Composition for film formation use, resist underlayer film and method for formation thereof, pattern formation method, and compound

Номер патента: WO2014208324A1. Автор: 晋吾 高杉,木村　徹,剛史 若松,慎也 中藤,郁宏 豊川. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2014-12-31.

Pattern forming material, composition for pattern formation, pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200291155A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Composition, cured product, stacked body, production method for underlayer film, pattern formation method, pattern, and production method for semiconductor resist

Номер патента: KR101739397B1. Автор: 유이치로 에노모토,히로타카 키타가와,유이치로 고토,타다시 오오마츠. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-05-24.

Composition, cured product, stacked body, production method for underlayer film, pattern formation method, pattern, and production method for semiconductor resist

Номер патента: WO2014157228A1. Автор: 大松　禎,北川　浩隆,雄一郎 後藤,雄一郎 榎本. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2014-10-02.

Pattern formation method, composition for forming overlay film, resist pattern, and method for producing electronic device

Номер патента: KR101888886B1. Автор: 아키요시 고토,미치히로 시라카와,나오히로 탄고,나오키 이노우에,케이 야마모토. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-08-16.

Resist underlayer film formation method and pattern formation method

Номер патента: KR102549799B1. Автор: 나오야 노사카,츠바사 아베,고지 와카마츠,요시오 다키모토,유시 마츠무라. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-06-30.

Photoresist compositions and pattern formation methods

Номер патента: US11880135B2. Автор: Mitsuru Haga,Shugaku Kushida,Kunio Kainuma. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

PATTERN FORMATION METHODS AND PHOTORESIST PATTERN OVERCOAT COMPOSITIONS

Номер патента: US20210232047A1. Автор: LIU Cong,Kaur Irvinder,Hou Xisen. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

PATTERN FORMATION METHODS AND PHOTORESIST PATTERN OVERCOAT COMPOSITIONS

Номер патента: US20180314155A1. Автор: LIU Cong,Kaur Irvinder,Hou Xisen. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Composition for forming fine resist pattern and pattern formation method using same

Номер патента: EP2905657A1. Автор: Masahiro Ishii,Takashi Sekito,Kazuma Yamamoto,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Go Noya. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-08-12.

Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same

Номер патента: WO2014136991A1. Автор: 長原　達郎,高志 關藤,雅弘 石井,和磨 山本,小林　政一,昇 佐竹. Владелец: Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社. Дата публикации: 2014-09-12.

Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same

Номер патента: CN105103053A. Автор: 小林政一,佐竹升,山本和磨,长原达郎,石井雅弘,关藤高志. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-11-25.

Composition for forming fine resist pattern and pattern formation method using same

Номер патента: WO2014054606A1. Автор: 高志 關藤,雅弘 石井,浩志 柳田,茂正 中杉,和磨 山本,剛 能谷. Владелец: Ａｚエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社. Дата публикации: 2014-04-10.

Pattern forming material, composition for pattern formation, pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200291155A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Pattern formation method, processed circuit board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method

Номер патента: JP6961495B2. Автор: 俊樹 伊藤. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-05.

Pattern formation method, processed substrate production method, optical component production method, circuit substrate production method, electronic component production method, and imprint mold production method

Номер патента: WO2017130853A1. Автор: 伊藤　俊樹. Владелец: キヤノン株式会社. Дата публикации: 2017-08-03.

Optically trasparent pressure sensitive adhesive sheet for use in heat transfer image pattern formation and optically transparent decorative pressure sensitive adhesive sheet

Номер патента: US20020006492A1. Автор: Yasushi Morikawa,Satoshi Sakurai,Kazuhito Kojima. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation

Номер патента: US5512328A. Автор: Shinji Okazaki,Hiroshi Shiraishi,Toshiyuki Yoshimura,Naoko Miura,Minoru Toriumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-04-30.

ONO formation method

Номер патента: US20050233528A1. Автор: Fuja Shone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Formation method of contact/ through hole

Номер патента: US6001734A. Автор: John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Paste patterns formation method and transfer film used therein

Номер патента: WO2008063610A2. Автор: Hideki Akimoto. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2008-05-29.

Paste patterns formation method and transfer film used therein

Номер патента: EP2095390A2. Автор: Hideki Akimoto. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-09-02.

Nano pattern formation

Номер патента: US20140044933A1. Автор: Kwangyeol Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2014-02-13.

Nano pattern formation

Номер патента: WO2011010816A1. Автор: Kwangyeol Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2011-01-27.

Self-assembled composition for pattern formation, pattern formation method by self-assembly of block copolymer using the same, self-assembled pattern, and method for producing electronic device

Номер патента: JP5887244B2. Автор: 司 山中,一良 水谷,山中　司,水谷　一良. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-16.

Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation

Номер патента: US09678425B2. Автор: Takashi Mori,Haruhiko Komoriya,Shinichi Sumida,Kenjin Inomiya,Takamasa Kitamoto,Yusuke Kanto. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus for fine pattern formation

Номер патента: EP1253626B1. Автор: Hiroyuki Fujita,Yoshio Mita,Ryoichi Dai Nippon Printing Co. Ltd. OHIGASHI,Katsunori Dai Nippon Printing Co. Ltd. TSUCHIYA. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-19.

Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor

Номер патента: US9052587B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshimi Igarashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Curable composition for optical imprint, pattern formation method, and pattern

Номер патента: JP2014082469A. Автор: 雄一郎 後藤,雄一郎 榎本,Yuichiro Enomoto,浩隆 北川,Hirotaka Kitagawa,Yuichiro Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Formation method of belt zone at soaking good

Номер патента: RU2358701C2. Автор: Расселл И. ТОРСОН,ГОМПЕЛ Пол ВАН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2009-06-20.

Recording medium, image formation method thereby, and production method thereof

Номер патента: US20030021959A1. Автор: Yuji Kondo,Hiroyuki Ogino,Tsuyoshi Santo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Modular data processing centre and formation method thereof

Номер патента: RU2700001C2. Автор: Эрик УИЛКОКС,Джон ХОФФНЕР,Штьепан ШИНКОВИЦ,Дениш РАНСИС,Зелько ГЬЮРАНИК. Владелец: Вертив Корпорэйшн. Дата публикации: 2019-09-12.

Image formation method, decorative sheet, decorative sheet molding, process for producing in-mold molded product, in-mold molded product, and ink set

Номер патента: US09855693B2. Автор: Tsutomu Umebayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Composite structure formation method, pre-formed controlled particles formed of fine particles non-chemically bonded together, and composite structure formation system involving controlled particles

Номер патента: US09573149B2. Автор: Osamu Okamoto,Hironori Hatono,Masahiro Mizukane. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Composite structure formation method using pre-formed controlled particles formed of fine particles non-chemically bonded together

Номер патента: US10046344B2. Автор: Osamu Okamoto,Hironori Hatono,Masahiro Mizukane. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Self-assembly composition for pattern formation and pattern forming method

Номер патента: US20190211130A1. Автор: Kimiko Hattori,Kazuyo MORITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Glassy carbon roll-type mold manufacturing method for fine pattern formation, and glassy carbon roll-type mold manufactured by the method

Номер патента: US10654083B2. Автор: Jun Kim,Seok Min Kim,Young Kyu Kim,Muhammad Refatul Haq. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2020-05-19.

Electrolyte formation method

Номер патента: RU2696618C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Адам Боун,Махфуджур РАХМАН,Карл МЭТТЬЮЗ. Владелец: Серес Интеллектуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2019-08-05.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Roll-to-roll formation method for solid electrolyte using metal colloidal particles

Номер патента: US20240222698A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Roll-to-roll formation method for solid electrolyte using metal colloidal particles

Номер патента: US12009479B1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Formation Method For Secondary Battery

Номер патента: US20230155163A1. Автор: Sung Yeop Kim,Ji Won Na,Eun Soo Cho. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and formation method thereof, and memory

Номер патента: US20230380131A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Negative pressure formation method for lithium iron manganese phosphate batteries and batteries applying the same

Номер патента: US20240047643A1. Автор: HAO CHENG,Haitao Wei,Xiaokun Wang,Xiaohan Deng. Владелец: Hubei Eve Power Co ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin film formation method, thin film formation apparatus, and lithium battery

Номер патента: US20200407841A1. Автор: Shunsuke Sasaki,Manabu Gibo,Takahito KIMOTO. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Electrode formation system for solar cell and electrode formation method for solar cell

Номер патента: GB201214225D0. Автор: . Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-19.

Structure and formation method of image sensor structure with grid structure

Номер патента: US20180286907A1. Автор: Wei-Lin Chen,Ching-Chung Su,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Wei-Chuang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Color composition, color pattern, color filter, manufacturing method thereof, pattern formation method, solid state image sensor, and image display device

Номер патента: JP2013073104A. Автор: Yuzo Nagata,裕三 永田,Yuji Kaneko,祐士 金子,Kazuya Oda,Hiroaki Dei,宏明 出井,和也 尾田,Yosuke Murakami,陽祐 村上. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-04-22.

Pattern formation method and pattern formation material

Номер патента: US20190084829A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Pattern formation method that includes partially removing line and space pattern

Номер патента: US09502306B2. Автор: Tadashi Arai,Koichiro Tsujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Conductive pattern formation method and conductive pattern formation device

Номер патента: US10440831B2. Автор: Sayaka Morita,Keita Saito,Midori Shimomura,Dai SUWAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-10-08.

Pattern formation method and pattern formation structure

Номер патента: EP4456678A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Kenichi Iwashita,Keishi Ono,Kensuke Yoshihara,Mao Narita,Kei Togasaki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Pattern formation method and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210193480A1. Автор: Wen-Yen Chen,Chih-hao Chen,Ying-Hao Wu,Shih-Hua Tseng,Yi-Chang Lee,Shu-Huei Suen,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Pattern formation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11735431B2. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Metal electrode patterning method using pattern formation control material and substrate, electronic device and display having metal electrode pattern

Номер патента: US20240224770A1. Автор: Yong Taek Hong,Su Jin JEONG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal electrode patterning method using pattern formation control material, and substrate, electronic device, and display having metal electrode pattern

Номер патента: EP4444065A1. Автор: Yong Taek Hong,Su Jin JEONG. Владелец: Seoul National R&bd Foundation. Дата публикации: 2024-10-09.

Pattern formation method, manufacturing method of peizoelectric film and manufacturing method of piezoelectric element

Номер патента: US09583694B2. Автор: Xianfeng Chen. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Line-pattern formation method and line-pattern formation apparatus

Номер патента: SG140557A1. Автор: Naoki Ozawa,Hiroyuki Urabe,Ayano Yamashita,Emiko Nakasato. Владелец: Carl Mfg Co. Дата публикации: 2008-03-28.

Conductive pattern formation method and conductive pattern formation device

Номер патента: US20150371740A1. Автор: Sayaka Morita,Keita Saito,Midori Shimomura,Dai SUWAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-12-24.

Line-pattern formation method and line-pattern formation apparatus

Номер патента: US20080041247A1. Автор: Naoki Ozawa,Hiroyuki Urabe,Ayano Yamashita,Emiko Nakasato. Владелец: CARL Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Pattern formation method

Номер патента: US20090179004A1. Автор: Seiji Kajiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Pattern formation device, liquid ejection device, and electrical fault detection method

Номер патента: US20170305145A1. Автор: Tadashi Kyoso. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Pattern formation device, liquid ejection device, and electrical fault detection method

Номер патента: US09956764B2. Автор: Tadashi Kyoso. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Test pattern formation method, landing deviation amount acquisition method, and recording device

Номер патента: US20200079123A1. Автор: Eishin Yoshikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Conductive pattern formation ink, conductive pattern and wiring substrate

Номер патента: US7972538B2. Автор: Toshiyuki Kobayashi,Sachiko Endo,Naoyuki Toyoda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

In vitro biosimulator to induce pattern formation in non-adherent cells

Номер патента: US20170145367A1. Автор: Sunil Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-25.

Pattern formation method

Номер патента: US9040429B2. Автор: Hirokazu Kato,Ayako KAWANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

Radiated pattern formation using the antenna array

Номер патента: RU2656236C1. Автор: Фредрик ЭТЛИ,Свен ПЕТЕРСОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-06-04.

Pattern formation board game

Номер патента: WO2006073595A1. Автор: Paul Micarelli. Владелец: 3 Amoebas, Inc.. Дата публикации: 2006-07-13.

Pattern-formation strategy board game

Номер патента: US4645209A. Автор: Victor H. Goulter,Barbara W. Goulter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-02-24.

Pattern formation board game

Номер патента: US20060145420A1. Автор: Paul Micarelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Metal pattern formation system

Номер патента: US20120060708A1. Автор: Chien-Ho Huang,Shang-Wanq Yeh,Hsiou-Jeng Shy,Li-Jiuan Chen,Ching-Yu Tso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Line pattern formation method

Номер патента: US20100224392A1. Автор: Kazuaki Okamori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Pattern formation method

Номер патента: US20150011089A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuhiro Omura,Hisataka Hayashi,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Substrate for pattern formation

Номер патента: US11898008B2. Автор: Yoshiaki Honda. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09768064B1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Cheng-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09721805B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Chen-Wei Pan,Chia-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20210057286A1. Автор: Po-Nien Chen,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin,Zhen Geng,Kitchun Kwong,Taicheng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09865539B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Jian-Hua Chen,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Radio-absorbing coating formation method

Номер патента: RU2664875C2. Автор: Сергей Анатольевич Скачков,Александр Филаретович Уласень,Алексей Васильевич Клюев,Денис Леонидович Бондаренко,Евгений Анатольевич Андрюшкин,Валерий Викторович Сухотин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия войсковой противовоздушной обороны Вооруженных Сил Российской Федерации имени Маршала Советского Союза А.М. Василевского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-08-23.

Heterostructure formation method

Номер патента: RU2698538C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10727321B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element

Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Structure and formation method of semiconductor device with semiconductor nanostructure

Номер патента: US20240313048A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device with photodetector

Номер патента: US20240363774A1. Автор: Chen-Hao Chiang,Jiun-Yi Wu,Li-Weng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and formation method of chip package with fan-out structure

Номер патента: US09947552B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Tin-Hao Kuo,Meng-Tse Chen,Hui-min Huang,Kuo-Lung Pan,Shing-Chao Chen,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09812549B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with through semiconductor via

Номер патента: US20240379361A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and formation method of package structure with capacitor

Номер патента: US20240339369A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Structure and formation method of package with hybrid interconnection

Номер патента: US20240114703A1. Автор: Chen-Hua Yu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240266340A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Structure and formation method of integrated chips package with capacitor

Номер патента: US20240379738A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Formation method of rotor of electric screw installation, and rotor of electric screw installation (versions)

Номер патента: RU2493369C2. Автор: Хосейн Акбари,Оливер Синдт,Мишель Шеферд. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240206193A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Ping Lin,Chuei-Tang Wang,Chieh-Yen Chen,Jeng-Shien Hsieh,Wen-Shiang Liao,Tso-Jung Chang,Chih-Peng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230307523A1. Автор: Chih-Hao Chang,Pin-Chun SHEN,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu,Li-Ying WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Drill Bit and Hole Formation Method

Номер патента: MY196529A. Автор: Noritsugu Umehara,Yousuke Matsuyama,Takaaki Ogashiwa,Shintarou Oyama. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2023-04-18.

Trench formation method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140065829A1. Автор: Takayuki Sakai,Noriaki Katagiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Heat- and light-curable coating composition and coating film formation method, water pressure transfer method

Номер патента: US20170218220A1. Автор: Wataru Ikeda,Kazutoshi Toda,Akiko Tomiki,Tomoyuki JINGU. Владелец: Taica Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Wood texture formation method

Номер патента: RU2764696C1. Автор: Владимир Николаевич Ермолин,Сергей Геннадьевич Елисеев,Данил Владимирович Дук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева). Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US20220084818A1. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Inkjet image formation method

Номер патента: US20200180337A1. Автор: Masayuki Ushiku,Haruka MORIYAMA,Hirotaka TAGORI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-06-11.

Film formation system and film formation method

Номер патента: US8800478B2. Автор: Cheng-Kuo Yeh. Владелец: Aurotek Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20030232136A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2003-12-18.

Capacitor structure and its formation method and memory

Номер патента: US20230018954A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium hydride.

Номер патента: MY107418A. Автор: MASU Kazuya,Mikoshiba Nobuo,Tsubouchi Kazuo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium

Номер патента: SG45388A1. Автор: Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1998-01-16.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20040213920A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-10-28.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: EP1371752A3. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-01-14.

Device formation method for preventing pattern shift caused by glass layer reflow

Номер патента: US20020025647A1. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20240274420A1. Автор: Atsushi Shimada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Chelating acid blends for stimulation of a subterranean formation, methods of utilizing the chelating acid blends, and hydrocarbon wells that include the chelating acid blends

Номер патента: US20210324260A1. Автор: Pavlin B. Entchev,Mauro LO CASCIO,P. Matthew Spiecker,Timothy J. Hall. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2021-10-21.

Wiring formation method

Номер патента: US12096570B2. Автор: Yoshitaka Hashimoto,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Film formation method

Номер патента: US20240309556A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Film formation method

Номер патента: US20240307914A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Film formation method

Номер патента: US20240307913A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Film formation method

Номер патента: EP4446462A2. Автор: Ando Hiroyuki,KATO Yuji,Tsukamoto Naoyuki,SHIMIZU Makoto,Shiho HIROSHI. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Film formation method and plasma processing method

Номер патента: US20240355616A1. Автор: Kiyohiko Satoh. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Film formation method

Номер патента: EP4450676A1. Автор: Makoto Shimizu. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Film formation method

Номер патента: EP4459003A2. Автор: Ando Hiroyuki,KATO Yuji,Tsukamoto Naoyuki,SHIMIZU Makoto,Shiho HIROSHI. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Metal nanodot formation method, metal nanodot formation apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09932669B2. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Reflow film, solder bump formation method, solder joint formation method, and semiconductor device

Номер патента: US09656353B2. Автор: Yukihiko Yamashita,Nozomu Takano,Kazuhiro Miyauchi,Naoya Suzuki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Film formation method and apparatus for semiconductor process

Номер патента: US09580802B2. Автор: Hitoshi Kato,Kohichi Orito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Formation method of expanded part of pipe column

Номер патента: RU2468190C2. Автор: Роберт С. Смит,Грэм Э. ФАРКУАР. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-11-27.

Reverse beam through-formation method and system

Номер патента: RU2714928C1. Автор: Марк Миллер,Кеннет БУЕР. Владелец: Виасат, Инк.. Дата публикации: 2020-02-21.

Tissue body formation device and tissue body formation method

Номер патента: EP4397274A1. Автор: Yasuhide Nakayama. Владелец: Biotube Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Alloy formation method for a solid-state battery and the solid-state battery thereof

Номер патента: US20240178444A1. Автор: Bing-Joe Hwang,She-Huang Wu,Wei-Nien Su,Sheng-Chiang Yang,Berhanu Degagsa Dandena. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: WO2002043137A2. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2002-05-30.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: EP1340250A2. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-03.

Hot-spinning Formation Method for Large-diameter Titanium Alloy Cylindrical Parts

Номер патента: US20230166312A1. Автор: BO Yang,Le Zhang,Dong Miao,Qing FENG,Yaohui Li,Xiuling HE,Chu SHEN. Владелец: Xi'an Taijin New Energy & Materials Sci Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Structure and formation method of chip package with reinforcing structures

Номер патента: US12040285B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20230369041A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo,Taiki KATO,Zeyuan NI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US20180374884A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Carbon film formation method, and carbon film

Номер патента: US20160017484A1. Автор: Seiji Samukawa,Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-01-21.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US10651217B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Ink set and image formation method

Номер патента: US12049568B2. Автор: Toshiyuki Makuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Ridge formation method and device

Номер патента: US20160081257A1. Автор: Kazuo Shimura,Takayuki SHIMURA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Ring screen speaker array and virtual sound source formation method

Номер патента: EP3678384A1. Автор: Qian Zhao,Jianguo Zheng. Владелец: Soundking Electroncs & Sound Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20240258086A1. Автор: Hiroki ARAI,Tadashi MITSUNARI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with high-resistance polysilicon resistor formation method

Номер патента: US20220406771A1. Автор: Heuiseung LEE,Jungmun JUNG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Organic insulation film formation method

Номер патента: US20030132194A1. Автор: Michihisa Kohno. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Metal pad formation method and metal pad structure using the same

Номер патента: US20080315420A1. Автор: Chin-Ta Su,Yung-Tai Hung,Jen-Chuan Pan,Ta-Hung Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit and formation method thereof

Номер патента: US20240258435A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Heat management structure with graphene and copper, and a formation method thereof

Номер патента: US20240008228A1. Автор: Hsiao-Chien Chen,Cher-Ming TAN. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-01-04.

Film formation method

Номер патента: US20230361163A1. Автор: Koji Akiyama,Yumiko Kawano,Akinobu Kakimoto,Nobutake KABUKI,Hajime Nakabayashi,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ink set and image formation method

Номер патента: US20210253888A1. Автор: Toshiyuki Makuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Active region array formation method

Номер патента: US12100594B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US12087643B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240363439A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Automatic chip pick-and-place apparatus and formation method thereof

Номер патента: US20240335958A1. Автор: Yonghong Wu,Jianjun Huang,Shan Zhao,Zhe Lian. Владелец: Semight Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display panel and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240365586A1. Автор: Fei Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US12087581B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09818720B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Chi-Hsi Wu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of finFET device

Номер патента: US09761723B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Film formation apparatus and film formation method forming metal film

Номер патента: US09752246B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Structures and formation methods of micro-electro mechanical system device

Номер патента: US09725301B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09711458B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09595510B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09570613B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Active ray-curable inkjet ink, and image formation method using same

Номер патента: US09528018B2. Автор: Akio Maeda,Satoshi Masumi,Takashi Iwata,Yuka YAZAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09502538B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490365B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490346B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Layer stack formation powder material, powder layer stack formation hardening liquid, layer stack formation material set, and layer stack object formation method

Номер патента: US09487443B2. Автор: Masaki Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Structure and formation method of memory device

Номер патента: US09406883B1. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Urethrocystoanastomosis formation method

Номер патента: RU2740101C1. Автор: Николай Иванович Сорокин,Ахмедхан Мухамедович Пшихачев,Армаис Альбертович Камалов,Виталий Казиханович Дзитиев,Таир Бахлулович ТАХИРЗАДЕ,Анар Мазахир оглы ТАХИРЗАДЕ,Давид Михайлович Камалов,Елизавета Владимировна АФАНАСЬЕВСКАЯ,Андрей Алексеевич СТРИГУНОВ,Омар Асланович ОСМАНОВ. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ). Дата публикации: 2021-01-11.

3d microstructures formation method in optical materials

Номер патента: RU2729253C1. Автор: Владимир Исаакович Юсупов,Андрей Геннадьевич Шубный,Евгений Олегович Епифанов,Никита Владимирович Минаев,Михаил Юрьевич Цветков,Александр Петрович Свиридов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2020-08-05.

Structure and formation method of package structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US20200035618A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Insulating plug formation method

Номер патента: RU2393331C1. Автор: Константин Игорьевич Попов,Вадим Камильевич Хлесткин. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2010-06-27.

Polycrystalline diamond insert, polycrystalline diamond formation method and drilling tool

Номер патента: RU2738443C2. Автор: Марк В. БЁРД,Эндрю ГЛЕДХИЛЛ. Владелец: Даймонд Инновейшнс, Инк.. Дата публикации: 2020-12-14.

Lining layers in the aluminum cells cathode casing formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2667270C1. Автор: Виталий Валерьевич Пингин,Михаил Александрович Ланцевич,Самуил Яковлевич Левенсон,Вячеслав Андреевич Голдобин,Александр Владимирович Прошкин,Андрей Геннадьевич Сбитнев,Алексей Васильевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2018-09-18.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Fin Structures

Номер патента: US20210375697A1. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US11942375B2. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Structure and formation method of device with ferroelectric layer

Номер патента: US20230352296A1. Автор: Oreste Madia,Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200203186A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Jui-Hsieh LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Structure and formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240055478A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20230378268A1. Автор: Chien-Tai CHAN,Yu-Ching Huang,Chien-Chih Lin,Hsueh-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200066873A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20190109206A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and formation method of chip package with through vias

Номер патента: US20210066179A1. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Structure and formation method of chip package with fan-out structure

Номер патента: US20180108613A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Shing-Chao Chen,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230411492A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20230369131A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tun-Jen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of semiconductor device with power rail

Номер патента: US20240021708A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure and formation method of semiconductor device with dielectric fin

Номер патента: US20240021480A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10505023B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US11784091B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20210119012A1. Автор: Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and formation method of package with underfill

Номер патента: US11784130B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11978715B2. Автор: Chih-Kung Huang,Hui-Chang Yu,Wei-Teng Chang,Meng-Tsung KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11764118B2. Автор: Chen-Shien Chen,Wen-Yi Lin,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US20210118757A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200328185A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240047365A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Ping Lin,Chuei-Tang Wang,Chieh-Yen Chen,Jeng-Shien Hsieh,Tso-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20180033687A1. Автор: Huang-Yi Huang,Sung-Li Wang,Yee-Chia Yeo,Chih-Wei Chang,Cheng-Tung Lin,Jyh-Cherng Sheu,Chi-On CHUI,Yida Li,Pei-Wen WU,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Two-component paint composition and multilayer coating formation method using same

Номер патента: RU2669610C2. Автор: ТакеСи ЦУНОДА. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2018-10-12.

Cherry tree crown formation method intended for mechanized harvesting

Номер патента: RU2719724C1. Автор: Александр Григорьевич Гурин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2020-04-22.

Process steam formation method

Номер патента: RU2484397C2. Автор: Ханс-Йоахим КЛУТЦ. Владелец: Рве Пауэр Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2013-06-10.

Silicon oxynitride formation method

Номер патента: RU2770173C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2022-04-14.

Valve and fuel pulse formation method

Номер патента: RU2331786C2. Автор: Тьерк ООМЕН. Владелец: Аско Контролз Б.В.. Дата публикации: 2008-08-20.

Formation method of strata with hard-to-recover hydrocarbon reserves

Номер патента: RU2712869C1. Автор: Геннадий Семенович Дубинский,Вадим Евгеньевич Андреев,Ринат Раисович Хузин,Сергей Алексеевич Баталов,Динар Альбертович Салихов. Владелец: государственное автономное научное учреждение "Институт стратегических исследований Республики Башкортостан". Дата публикации: 2020-01-31.

Routing table generation, data transmission and routing route formation method for multi-hop services in high rate wireless personal networks

Номер патента: US8243624B2. Автор: Kwang Roh Park,Sung-Woo Park,Sangsung Choi,Young Ae Jeon,Seong-Hee Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-08-14.

Hexachloroplatinic acid assisted silicon nanoparticle formation method

Номер патента: WO2007018959A3. Автор: Munir H. Nayfeh,David Nielsen,Laila Abuhassan,Addulrahman Almuhanna. Владелец: The University Of Jordan. Дата публикации: 2009-09-03.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160372549A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200343360A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Formation method of semiconductor device structure using multilayer resist layer

Номер патента: US20180269102A1. Автор: Wen-Yen Chen,Yi-Wei Chiu,Chih-hao Chen,Po-Ju Chen,Fang-Yi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Drill bit and hole formation method

Номер патента: MY176810A. Автор: Noritsugu Umehara,Yousuke Matsuyama,Takaaki Ogashiwa,Shintarou Oyama. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2020-08-21.

Structure and formation method of package containing chip structure with inclined sidewalls

Номер патента: US11978722B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Wiring formation method and method for manufacturing transfer mold

Номер патента: EP4219165A1. Автор: Hiroshi Komatsu,Daisuke Sakai. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230422466A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Microfluidic apparatus, driving method and formation method thereof

Номер патента: US20230249181A1. Автор: Wei Li,Feng Qin,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Wiring formation method and transfer mold manufacturing method

Номер патента: US20240032205A1. Автор: Hiroshi Komatsu. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Image formation method and active energy beam-curable ink

Номер патента: US20100302330A1. Автор: Shunsuke Uozumi,Kazuhiro Higashi,Masami SHINOZAKI. Владелец: Riso Kagaku Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Multi-layer coating film formation method

Номер патента: CA3092258C. Автор: Kenji Imanaka,Takayuki Ryoki. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

DRAM semiconductor structure formation method and DRAM semiconductor structure

Номер патента: US11956944B2. Автор: Gongyi WU,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Image formation method

Номер патента: EP4289625A1. Автор: Takenori Omata,Hikaru Hamano. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200411361A1. Автор: ZHANG CHENGLONG,CUI Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Hole formation method, multilayer wiring, semiconductor device, display element, image display device, and system containing via hole formed by the hole formation method

Номер патента: US20120206068A1. Автор: Kazuhiro Murata,Yuki Nakamura,Kazuyuki Masuda,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Sijtechnology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Integrated circuit device and formation method thereof

Номер патента: US11769725B2. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure formation method and mask

Номер патента: US11810787B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Formation method for liquid rubber composite nodes with damping through holes

Номер патента: US20220196108A1. Автор: Sheng Lin,Haitao Cheng,Jun Luo,Yuxiang Zhang,Junhui CHEN,Wansheng FENG,Wensong Liu,Zhongsan JIANG. Владелец: Zhuzhou Times Ruiwei Anti Viberation Equipment Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Linear groove formation method and linear groove forming apparatus, and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: CA3145208C. Автор: Takeshi Omura,Hirotaka Inoue,Yoshihisa Ichihara,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Formation method for liquid rubber composite nodes with damping through holes

Номер патента: US11859685B2. Автор: Sheng Lin,Haitao Cheng,Jun Luo,Yuxiang Zhang,Junhui CHEN,Wansheng FENG,Wensong Liu,Zhongsan JIANG. Владелец: Zhuzhou Times Ruiwei Anti Viberation Equipment Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210166943A1. Автор: Wang Wei,He Qiyang,Su Bo,SUN Linlin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor structure and formation method thereof, and memory

Номер патента: US20230413535A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Wiring formation method

Номер патента: EP4117397A1. Автор: Yoshitaka Hashimoto,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Hole formation method, multilayer wiring, semiconductor device, display element, image display device, and system containing via hole formed by the hole formation method

Номер патента: US8956969B2. Автор: Kazuhiro Murata,Yuki Nakamura,Kazuyuki Masuda,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Sijtechnology Inc. Дата публикации: 2015-02-17.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200402845A1. Автор: LIU JIQUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof

Номер патента: US11990889B2. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng,Tzu-Sheng HSIEH. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Oxide film formation method

Номер патента: US20210028011A1. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230389263A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Capacitor structure and its formation method and memory

Номер патента: US11980017B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US11978624B2. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image sensor and formation method thereof

Номер патента: US20240186362A1. Автор: Zhigao Wang,Zhanjie LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective thin film formation method and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240145303A1. Автор: Younjoung CHO,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Hyeonggeun LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Masking Jig, Film Formation Method, and Film Formation Device

Номер патента: US20240157384A1. Автор: Masaki Hirano. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory, semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230320060A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20220051968A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Inkjet image formation method

Номер патента: EP3677433A1. Автор: Masayuki Ushiku,Haruka MORIYAMA,Hirotaka TAGORI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-07-08.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US20210375869A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20220181144A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Film formation method

Номер патента: EP3683331A1. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Anchor hole formation method and diameter expanding device

Номер патента: RU2658523C2. Автор: Сого ФУДЗИТА. Владелец: ЭфЭс Текникал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-21.

Oral cavity care device (versions) and its formation method

Номер патента: RU2478329C1. Автор: Роберт МОСКОВИЧ,Кеннет УАГЕСПАК,Брюс РАССЕЛЛ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-04-10.

Solution-processed thin film transistor formation method

Номер патента: US6867081B2. Автор: David M. Kwasny,Jian-gang Weng,David Orr. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-15.

Circuit formation method

Номер патента: US11849545B2. Автор: Kenji Tsukada,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Formation method of filter device

Номер патента: US11955950B2. Автор: Wei Wang,Yanjie CAO,Chengcheng Yu. Владелец: Shenzhen Sunway Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20190305113A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20220359726A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Film formation apparatus and film formation method

Номер патента: US20230366077A1. Автор: Atsushi Fujita,Shigeki Matsunaka. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of chip package with redistribution layers

Номер патента: US20180350774A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Through-glass via hole formation method

Номер патента: US20210122673A1. Автор: Sung Soo Park,Hong Jin Park. Владелец: JOONGWOO M-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230411469A1. Автор: Han Wang,Weihai Bu. Владелец: Semiconductor Technology Innovation Center Beijing Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20200266110A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170062561A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170207339A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Structure and formation method of dual damascene structure

Номер патента: US20200294849A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11854964B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowire

Номер патента: US20190140105A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20170033194A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Image forming apparatus, image formation method, and recording medium that execute application

Номер патента: US9503602B2. Автор: Minoru Takahashi,Takashi Murakami,Kentaro Okamoto,Satoshi Imai,Koji Ikawa,Makoto Kowaka,Yosuke Nakazato,Masato Hirota,Tomonori NAOTA,Katsuji Furushige,Tomihito Doi,Ayaka Ikejima,Kyota Mitsuyama,Daijiro Kitamoto,Wataru Tsukuda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure and Formation Method for Chip Package

Номер патента: US20170186736A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Structure and Formation Method for Chip Package

Номер патента: US20190006332A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Film formation method

Номер патента: US20200002809A1. Автор: Yasuhiro Fujii,Tatsuyuki Nakatani,Susumu Ozawa,Yuichi Imai,Haruhito UCHIDA. Владелец: Strawb Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Film formation method

Номер патента: US11401604B2. Автор: Yasuhiro Fujii,Tatsuyuki Nakatani,Susumu Ozawa,Yuichi Imai,Haruhito UCHIDA. Владелец: Okayama University NUC. Дата публикации: 2022-08-02.

Structure provided with surface having oil film formability, and oil film formation method

Номер патента: US20200024043A1. Автор: Keisuke NYUU,Tomoyuki Miyazaki,Yosuke Akutsu,Sarasa Maejima. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20230035284A1. Автор: Kazuki DEMPOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20230009551A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US11894420B2. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US11984352B2. Автор: Jun Xia,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20230253262A9. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Fuse structure and formation method

Номер патента: US20220115321A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Chantgxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20210366923A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20220259732A1. Автор: Eiji Sato,Hitoshi Sakamoto. Владелец: Creative Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Film formation method

Номер патента: US20240030025A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Three-dimensional semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230403840A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US11788185B2. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Film formation method

Номер патента: US11174546B2. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Ear plug having pressure-adjusting compartment and formation method for same

Номер патента: US20220038806A1. Автор: Lei Cheng. Владелец: Concraft Holding Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027406A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230020232A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Cured resin formation method and cured resin formation device

Номер патента: US11945886B2. Автор: Ryojiro Tominaga,Tasuku TAKEUCHI. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Film formation method

Номер патента: EP3951009A1. Автор: Haruhiko Suzuki,Eiji Shiotani,Hidenobu Matsuyama,Yoshito Utsumi,Hirohisa SHIBAYAMA,Koukichi Kamada,Naoya TAINAKA,Toshio OGIYA. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20170076994A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: US20180261501A1. Автор: Chang-Ming Wu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US12002872B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Structure and formation method of chip package with lid

Номер патента: US20170358542A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Kuang-Chun Lee,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20240183027A1. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: EP1340250B1. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US20210359084A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Hot-spinning formation method for large-diameter titanium alloy cylindrical parts

Номер патента: US11779986B2. Автор: BO Yang,Le Zhang,Dong Miao,Qing FENG,Yaohui Li,Xiuling HE,Chu SHEN. Владелец: Xi'an Taijin New Energy & Materials Sci Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240203877A1. Автор: BO Su,Hailong Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Access route formation method for bile duct, endoscope treatment tool, and access route formation system

Номер патента: US20230404367A1. Автор: Yutaka Yanuma,Tomohiko MAMIYA. Владелец: OLYMPUS MEDICAL SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2023-12-21.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US20220310615A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Film formation method

Номер патента: US20210164089A1. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Image formation method

Номер патента: US20140092172A1. Автор: Masao IKOSHI,Chiyomi Niitsu,Shinji Tsuno. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

FILM FORMING MATERIAL, COMPOSITION FOR FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY, MATERIAL FOR OPTICAL COMPONENT FORMATION, RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, PERMANENT FILM FOR RESIST, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS FILM, UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR UNDERLAYER FILM FORMATION FOR LITHOGRAPHY, METHOD FOR PRODUCING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20200157060A1. Автор: ECHIGO Masatoshi,MIKI Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Pattern formation method, method for manufacturing color filter, color filter, method for manufacturing electro-optical device, and electro-optical device

Номер патента: TWI293923B. Автор: Hirofumi Sakai,Sadaharu Komori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Pattern inspection method, pattern formation control method, and pattern inspection apparatus

Номер патента: US9433967B2. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Film-forming material, lithographic film-forming composition, optical component-forming material, resist composition, resist pattern formation method, resist permanent film, radiation-sensitive composition, amorphous film production method, lithographic underlayer film-forming material, lithographic underlayer film-forming composition, lithographic underlayer film production method, and circuit pattern formation method

Номер патента: EP3647869A1. Автор: Yasushi Miki,Masatoshi Echigo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin

Номер патента: US20210109448A1. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Junya Horiuchi,Yu Okada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

DOT PATTERN, DOT PATTERN FORMATION MEDIUM, PROGRAM GENERATING IMAGE DATA OF DOT PATTERN, DOT PATTERN FORMATION DEVICE, OPTICAL DEVICE, OPTICAL READING DEVICE, INFORMATION INPUT/OUTPUT DEVICE, DOT PATTERN READING DEVICE

Номер патента: US20150262051A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: I.P SOLUTIONS, LTD.. Дата публикации: 2015-09-17.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND CIRCUIT PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20190278180A1. Автор: ECHIGO Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20190367658A1. Автор: ECHIGO Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Film forming composition for lithography, resist pattern formation method, and circuit pattern formation method

Номер патента: US20230333469A1. Автор: Takashi Sato,Masatoshi Echigo,Tadashi Omatsu,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Photosensitive compositions and pattern formation method

Номер патента: TW589513B. Автор: Masaharu Watanabe,Hideo Kikuchi,Noriaki Tochizawa,Yukari Imamura. Владелец: Toyo Gosei Kogyo Kk. Дата публикации: 2004-06-01.

Composition, film, near-infrared cutoff filter, laminate, pattern formation method, solid-state image sensor, image display device, infrared sensor and color filter

Номер патента: EP3410162B1. Автор: Daisuke Sasaki,Yoshihiro Jimbo,Kazuya Oota,Keisuke Arimura,Tokihiko MATSUMURA,Takahiro Okawara,Kyohei Arayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Self-organization material and pattern formation method

Номер патента: US09835947B2. Автор: Naoko Kihara,Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Composition, film, near-infrared cut-off filter, pattern formation method, laminate, solid-state imaging element, infrared sensor, image display device, camera module and compound

Номер патента: EP4024097B1. Автор: Tokihiko MATSUMURA,Suguru SAMEJIMA,Ryoji Orita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Lithographic film formation material, composition for lithographic film formation, lithographic film, pattern formation method, and purification method

Номер патента: EP3141959A1. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

PATTERN QUALITY MANAGEMENT CHART, PATTERN QUALITY MANAGEMENT METHOD, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20160195599A1. Автор: TATSUTA Takeichi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-07-07.

Lithographic film formation material, composition for lithographic film formation, lithographic film, pattern formation method, and purification method

Номер патента: EP3141959A4. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Pattern formation method, alignment film formation method, droplet discharge device, and alignment film formation device

Номер патента: JP4618256B2. Автор: 裕二 岩田,治 春日,敬 蛭間. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-01-26.

Pattern inspection method, pattern formation control method, and pattern inspection apparatus

Номер патента: US20150235911A1. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method For Pattern Formation And Apparatus For Pattern Formation

Номер патента: US20080095934A1. Автор: Yoshihide Yumoto. Владелец: Grapac Japan Co Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for pattern formation and apparatus for pattern formation

Номер патента: WO2006070791A1. Автор: Yoshihide Yumoto. Владелец: GRAPAC JAPAN CO., INC.. Дата публикации: 2006-07-06.

Pattern formation method and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20150069013A1. Автор: Akira Fujimoto,Kazutaka Takizawa,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD, CONDUCTIVE PATTERN-BEARING SUBSTRATE, AND TOUCH PANEL SENSOR

Номер патента: US20160246394A1. Автор: YAMAZAKI Hiroshi,Igarashi Yoshimi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article

Номер патента: KR101552371B1. Автор: 마미 가따야마,슌지 후꾸다,？지 후꾸다,가쯔야 사까요리. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-09-10.

Parallel line pattern containing conductive material, parallel line pattern formation method, substrate with transparent conductive film, device and electronic apparatus

Номер патента: KR101792585B1. Автор: 나오토 니이즈마,히데노부 오야,마사요시 야마우치,마사유키 우시쿠. Владелец: 코니카 미놀타 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-11-02.

Pattern forming materials and pattern formation method using the materials

Номер патента: AU2003272105A8. Автор: Junji Tominaga,Joo-Ho Kim. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-05-13.

Parallel line pattern containing conductive material, parallel line pattern formation method, substrate with transparent conductive film, device and electronic apparatus

Номер патента: CN104584142A. Автор: 大屋秀信,山内正好,新妻直人,牛久正幸. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article

Номер патента: CN101981154B. Автор: 坂寄胜哉,福田俊治,片山麻美. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-03-19.

Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article

Номер патента: CN101981154A. Автор: 坂寄胜哉,福田俊治,片山麻美. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-02-23.

Fade pattern formation

Номер патента: US20170173618A1. Автор: Heath Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-22.

Template and pattern formation method

Номер патента: US10118317B2. Автор: Yoshihisa Kawamura,Masayuki Hatano,Hiroyuki Kashiwagi,Yohko KOMATSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Template and pattern formation method

Номер патента: US20160346962A1. Автор: Yoshihisa Kawamura,Masayuki Hatano,Hiroyuki Kashiwagi,Yohko KOMATSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Conductive pattern formation method

Номер патента: WO2008103794A2. Автор: Chizuko Ito,Mutsumi Masumoto. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-08-28.

Structure for functional film pattern formation and method of manufacturing functional film

Номер патента: EP1889306A2. Автор: Yukio c/o FUJIFILM Corporation Sakashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

Pattern formation method, mask for pattern formation, method for manufacturing mask, and pattern formation apparatus

Номер патента: US20150053867A1. Автор: Takashi Sato,Shinichi Ito,Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Surface graft formation method, conductive film formation method, metal pattern formation method, multilayer wiring board formation method, surface graft material, and conductive material

Номер патента: JP4544913B2. Автор: 浩一 川村,丈嘉 加納. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-09-15.

Conductive pattern formation ink, conductive pattern and wiring substrate

Номер патента: TW200929265A. Автор: Toshiyuki Kobayashi,Sachiko Endo,Naoyuki Toyoda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Non-lithographic line pattern formation

Номер патента: US09997367B2. Автор: David V. Horak,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Conductive pattern formation ink, method of forming conductive pattern, conductive pattern and wiring substrate

Номер патента: CN101691458B. Автор: 丰田直之. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-02-13.

Resist pattern formation method, pattern formation method, solar cell and positive resist composition

Номер патента: CN103309152A. Автор: 平井隆昭,富田浩明,吉井靖博. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Self-organized composition for pattern formation and pattern formation method

Номер патента: TWI696648B. Автор: 森田和代. Владелец: 日商王子控股股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-21.

Sidewall spacer pattern formation method

Номер патента: US09911604B1. Автор: Xunyuan Zhang,Lei Sun,Ruilong Xie,Yulu Chen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Solid pattern formation method for surface of parts

Номер патента: WO2008066259A1. Автор: Jae Hun Jung. Владелец: Dfelltech Co., Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Composition for conductive pattern formation, conductive pattern formation method using same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: EP3139388A4. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Ha Na Lee,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Jae Jin Kim,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee,Bu Gon Shin. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-12-27.

Photosensitive transcription sheet, photosensitive laminate, imagine pattern formation metnod, and wiring pattern formation method

Номер патента: TW200538874A. Автор: Hidenori Takahashi,Tomoko Tashiro. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Self-assembled monolayer for pattern formation

Номер патента: US09449839B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

COATING PATTERN FORMATION METHOD, COATING PATTERN FORMATION DEVICE, AND COATING-PATTERNED SUBSTRATE

Номер патента: US20190160483A1. Автор: TOMOEDA Satoshi,SHIMATANI Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

PATTERN FORMATION DEVICE, METHOD FOR PATTERN FORMATION, AND PROGRAM FOR PATTERN FORMATION

Номер патента: US20140346701A1. Автор: NOJIMA Shigeki,ASANO Masafumi,ZHANG Yingkang,TAKAHATA Kazuhiro,Kobayashi Sachiko. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

COMPOUND, SUBSTRATE FOR PATTERN FORMATION, PHOTODEGRADABLE COUPLING AGENT, PATTERN FORMATION METHOD, AND TRANSISTOR PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20190352260A1. Автор: Kawakami Yusuke,Yamaguchi Kazuo,ITOU Michiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Compound, substrate for pattern formation, photodegradable coupling agent, pattern formation method, and transistor production method

Номер патента: US20190352260A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami,Michiko Itou. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Ink composition, pattern formation method and droplet discharge device

Номер патента: US20090087580A1. Автор: Hidekazu Moriyama,Hirotsuna Miura,Naoyuki Toyoda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Master mold for offset process and pattern formation method using the same

Номер патента: EP1760750B1. Автор: Min Soo Park,Dae Hyun Park,Kyung Ku Kim,Byung Gil Ryu,Hong Cheol Lee,Je Seok Kim,Byung Hwa Seo,Won Seok Jeon,Dong Oh Shin,Deok Hai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-11-04.

Fluid application method for improved roll-to-roll pattern formation

Номер патента: US20170334100A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Fluid application method for improved roll-to-roll pattern formation

Номер патента: US09724849B2. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION MATERIAL

Номер патента: US20190084829A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,KIHARA Naoko,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu,Lee Seekei. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, SUBSTRATE FOR PATTERN FORMATION, PHOTODEGRADABLE COUPLING AGENT, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND

Номер патента: US20170158606A1. Автор: Yamaguchi Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION DEVICE

Номер патента: US20140246808A1. Автор: Nakasugi Tetsuro,Hatano Masayuki,Tsuji Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

PATTERN FORMATION METHOD, BLOCK COPOLYMER, AND PATTERN FORMATION MATERIAL

Номер патента: US20190169461A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-06-06.

PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION DEVICE

Номер патента: US20140272174A1. Автор: FURUTONO Yohko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

PATTERN FORMATION MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20180265616A1. Автор: Sawabe Tomoaki,ASAKAWA Koji,KIHARA Naoko,SASAO Norikatsu,Sugimura Shinobu. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-09-20.

CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD AND CONDUCTIVE PATTERN FORMATION DEVICE

Номер патента: US20150371740A1. Автор: SUWAMA Dai,Shimomura Midori,SAITO Keita,MORITA Sayaka. Владелец: KONICA MINOLTA, INC.. Дата публикации: 2015-12-24.

Pattern formation substrate and pattern formation method

Номер патента: TWI240675B. Автор: Takaya Nakabayashi,Akiyoshi Fujii,Mitsuru Honda. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-10-01.

Pattern formation apparatus for base material and pattern formation method

Номер патента: US20220118553A1. Автор: Kazuhiro Fujita,Rie Hirayama,Hideji Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Pattern formation apparatus for base material and pattern formation method

Номер патента: EP3995249A1. Автор: Kazuhiro Fujita,Rie Hirayama,Hideiji MIYANISHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Pattern formation apparatus for base material and pattern formation method

Номер патента: EP3995249B1. Автор: Kazuhiro Fujita,Rie Hirayama,Hideiji MIYANISHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: TW201242464A. Автор: Seiichi Inoue,Jun Kodama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

the perforation and pattern formation system with ultrasonic equipment and perforation pattern roller for perforation and pattern formation

Номер патента: KR101714990B1. Автор: 김현태,조윤제,조재대. Владелец: 조재대. Дата публикации: 2017-03-09.

Palletizer with configurable diverter and turn lanes for pattern formation

Номер патента: US09403646B1. Автор: Patrick O'connor,Timothy Hansen,Kevin Meckel,William Huebner. Владелец: Columbia Machine Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Self-assembled monolayer for pattern formation

Номер патента: US20150056813A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of high-aspect ratio pattern formation with submicron pixel pitch

Номер патента: US20190088694A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Kai Tzeng,Chun-Wei Chang,Wei-Chao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

LAYERED PRODUCT FOR FINE PATTERN FORMATION AND METHOD OF MANUFACTURING LAYERED PRODUCT FOR FINE PATTERN FORMATION

Номер патента: US20140151733A1. Автор: KOIKE Jun,Maeda Masatoshi,Yamaguchi Fujito,ARIHISA Shinji. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-06-05.

Inkjet discharge method, pattern formation method, and pattern

Номер патента: US20160122563A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Kodama Kenichi,Goto Yuichiro,KITAGAWA Hirotaka,OOMATSU Tadashi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-05-05.

Mask, mask manufacturing method, pattern forming apparatus, and pattern formation method

Номер патента: US20060191864A1. Автор: Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Pattern formation substrate and method of pattern formation

Номер патента: KR100606858B1. Автор: 아키요시 후지이,타카야 나카바야시. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-08-01.

Composition for Imprint Underlayer Film Formation, Underlayer Film, Pattern Formation Method and Semiconductor Element Manufacturing Method

Номер патента: JPWO2020066442A1. Автор: 雄一郎 後藤,直也 下重,旺弘 袴田. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Pattern formation method using light-induced suppression of etching

Номер патента: EP1105920A1. Автор: Peter George Robin Smith,Robert William Eason,Graeme William Ross,Ian Eric Barry. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2001-06-13.

Pattern formation method using light-induced suppression of etching

Номер патента: AU5052299A. Автор: Peter George Robin Smith,Robert William Eason,Graeme William Ross,Ian Eric Barry. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2000-02-21.

Pattern formation method using light-induced suppression of etching

Номер патента: EP1105920B1. Автор: Peter George Robin Smith,Robert William Eason,Graeme William Ross,Ian Eric Barry. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

PATTERN TRANSFER MOLD AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20150021191A1. Автор: Saito Masato,Sato Takashi,Inanami Ryoichi,KOKUBUN Koichi,Li Yongfang,Mimotogi Akiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

COMPOUND, PATTERN FORMING SUBSTRATE, COUPLING AGENT, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20200148700A1. Автор: Kawakami Yusuke,Yamaguchi Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

CONDUCTIVE PATTERN FORMATION METHOD AND COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN VIA PHOTO IRRADIATION OR MICROWAVE HEATING

Номер патента: US20140332734A1. Автор: Uchida Hiroshi. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2014-11-13.

Conductive-pattern formation method and composition for forming conductive pattern via light exposure or microwave heating

Номер патента: KR101700208B1. Автор: 히로시 우치다. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-26.

Patterning device and pattern formation method

Номер патента: CN103963425B. Автор: 增市干雄,川越理史,上野博之,正司和大,芝藤弥生,上野美佳. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Patterning device and pattern formation method

Номер патента: CN106182726A. Автор: 增市干雄,川越理史,上野博之,正司和大,芝藤弥生,上野美佳. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

Conductive-pattern formation method and composition for forming conductive pattern via light exposure or microwave heating

Номер патента: EP2785158B1. Автор: Hiroshi Uchida. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-09-28.

Pattern formation method of semiconductor device

Номер патента: KR960005809A. Автор: 구영모,전영호,장현진,오세준,문영화,이우봉,고재완. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-02-23.

Lacquer color pattern formation method of using brass products, and its color pattern formed by brass products

Номер патента: KR101118610B1. Автор: 이경동. Владелец: 이경동. Дата публикации: 2012-03-13.

PATTERN INSPECTION METHOD, PATTERN FORMATION CONTROL METHOD, AND PATTERN INSPECTION APPARATUS

Номер патента: US20150235911A1. Автор: ASANO Masafumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-08-20.

Pattern formation through mask stress management and resulting structures

Номер патента: US11935746B2. Автор: Chun-Yi Chang,Chunyao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US11227793B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US11646221B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Fluid application method for improved roll-to-roll pattern formation

Номер патента: US20140151935A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Self-aligned pattern formation for a semiconductor device

Номер патента: US20180247864A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Sean D. Burns,Nelson M. Felix,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask preparatory body and manufacturing method, manufacturing method for organic semiconductor element, manufacturing method for organic el display, and pattern formation method

Номер патента: TW202003884A. Автор: 川崎博司,曽根康子,廣部吉紀,小幡勝也. Владелец: 日商大日本印刷股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-16.

Pattern formation method, manufacturing method of piezoelectric film and manufacturing method of piezoelectric element

Номер патента: US20150068673A1. Автор: Xianfeng Chen. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for movement pattern formation following muscle-tendon transfer surgery in patients with paresis, paralysis and muscle loss

Номер патента: RU2559583C1. Автор: Александр Юрьевич Кочиш,Дмитрий Георгиевич Наконечный,Анатолий Борисович Орешков,Герман Владимирович Медведев,Байрта Анатольевна Ульджиева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Р.Р. Вредена" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "РНИИТО им. Р.Р. Вредена" Минздрава России). Дата публикации: 2015-08-10.

Formation method of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line and formation device of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line

Номер патента: RU2436876C1. Автор: Владимир Владимирович Томаев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2011-12-20.

Liquid or gas jet formation method and device (variants)

Номер патента: RU2285801C1. Автор: Юрий яковлевич Курлов. Владелец: Юрий яковлевич Курлов. Дата публикации: 2006-10-20.

Formation method of corrosion-resistant coating on titanium items

Номер патента: RU2443800C1. Автор: Владимир Андреевич Батаев,Анатолий Андреевич Батаев,Михаил Гедалиевич Голковский,Иван Константинович Чакин,Татьяна Владимировна Журавина,Павел Сергеевич Прозоренко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2012-02-27.

Ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf, and formation method of ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf

Номер патента: RU2478057C2. Автор: Борис Рудольфович Лившиц,Александр Александрович Алисейчик. Владелец: Публичное акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2013-03-27.

Formation method of virtual signal receiving channels

Номер патента: RU2530320C2. Автор: Владимир Владимирович Негробов,Юрий Геннадьевич Пастернак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-10-10.

Bearing strength formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2415052C1. Автор: Дмитрий Вячеславович Смирнов,Алексей Николаевич Царьков,Владимир Евгеньевич Потапов,Дмитрий Александрович Якимов. Владелец: Межрегиональное общественное учреждение "Институт инженерной физики". Дата публикации: 2011-03-27.

Formation method of ultrathin film

Номер патента: RU2485209C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of progressive spring stiffness, elastic suspension member, and suspension (versions) of transport vehicle

Номер патента: RU2482345C1. Автор: Николай Филаретович Таланцев,Надежда Вячеславовна Шпет. Владелец: Открытое акционерное общество "Чусовской металлургический завод". Дата публикации: 2013-05-20.

Formation method of diffusive corrosion-resistant nanostructured protective coat on surface of metal product

Номер патента: RU2378412C1. Автор: Александр Шотович Чавчанидзе,Надежда Юрьевна Тимофеева,Андрей Юрьевич Базаркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет пищевых производств" Министерства образования Российской Федерации. Дата публикации: 2010-01-10.

Independent self-cooled nanoinstrument and its formation method

Номер патента: RU2555512C2. Автор: Александр Геннадьевич Кузин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2015-07-10.

Formation method of two-dimensional linear high-frequency electric field, and device for its implementation

Номер патента: RU2497226C1. Автор: Евгений Васильевич Мамонтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Radar absorbent covering formation method

Номер патента: RU2429062C1. Автор: Андрей Юрьевич Андрюшкин,Андрей Юрьевич Андрюшкин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ"). Дата публикации: 2011-09-20.

Formation method of films of photonic crystals (pc) on conducting substrates

Номер патента: RU2371525C2. Автор: Наталья Анатольевна Григорьева,Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Сергей Валентинович Григорьев,Нина Александровна Саполетова. Владелец: Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН. Дата публикации: 2009-10-27.

Formation method of ready-made canopy structures

Номер патента: RU2436920C1. Автор: Нодарик Левонович Заников,Олег Борисович Шерстинов. Владелец: Олег Борисович Шерстинов. Дата публикации: 2011-12-20.

Formation method of directivity diagram in antenna system with electronic control of beam

Номер патента: RU2395141C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Николай Николаевич Баринов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2010-07-20.

Formation method of edges of machine parts

Номер патента: RU2464357C1. Автор: Геннадий Викторович Москвитин,Владимир Евгеньевич Архипов,Анатолий Федорович Лондарский,Аскольд Филиппович Мельшанов,Максим Сергеевич Пугачев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт машиноведения им. А.А. Благонравова РАН. Дата публикации: 2012-10-20.

Metal-dielectric-semiconductor structure based on a3b5 compounds and its formation method

Номер патента: RU2420828C1. Автор: Александр Александрович Гузев,Анатолий Петрович Ковчавцев,Валерий Геннадьевич Кеслер,Зоя Васильевна Панова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2011-06-10.

Object navigational information formation method

Номер патента: RU2427800C1. Автор: Татьяна Юрьевна Дубинко,Сергей Юрьевич Дорошенко,Михаил Николаевич Вестерский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2011-08-27.

Water-based ink, ink-jet depositing method, ink cartridge, ink depositing unit, jet device for depositing ink and image formation method

Номер патента: RU2377265C2. Автор: Микио САНАДА,Кацухико ТАКАХАСИ,Масаси ОГАСАВАРА,Томонари ВАТАНАБЕ,Юи ТОКУДА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-12-27.

Formation method of thermal protective coating on parts of gas turbines from nickel and cobalt alloys

Номер патента: RU2479666C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Дамир Рамилевич Таминдаров,Михаил Юрьевич Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2013-04-20.

Formation method of protective coating, and composition for coating

Номер патента: RU2454842C1. Автор: Василий Дмитриевич Мушенко,Ольга Васильевна Кудрявцева,Игорь Анатольевич Васильев. Владелец: Открытое акционерное общество "Технологическое оснащение". Дата публикации: 2012-06-27.

FORMATION METHOD OF HEAT-RESISTANT COATINGS ON BASIS OF NICKEL ALUMINIDE (NiAl)

Номер патента: RU2507310C1. Автор: Александр Иванович Ковтунов,Татьяна Владимировна Чермашенцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Electron-dynamic projectile, method for its formation, methods for its acceleration and gun for fire by electron-dynamic projectiles

Номер патента: RU2279624C2. Автор: Владимир Степанович Никитин. Владелец: Владимир Степанович Никитин. Дата публикации: 2006-07-10.

Formation method of compound blast

Номер патента: RU2364828C1. Автор: Виктор Сергеевич Федотенко,Сергей Михайлович Федотенко,Сергей Вадимович Кокин. Владелец: Сергей Вадимович Кокин. Дата публикации: 2009-08-20.

Formation method of tungsten-carbon-copper coatings on copper contact surfaces

Номер патента: RU2464354C1. Автор: Денис Анатольевич Романов,Евгений Александрович Будовских,Виктор Евгеньевич Громов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-20.

Microobject image formation method (versions) and device for its implementation (versions)

Номер патента: RU2525152C2. Автор: Владимир Константинович Беляков,Александр Александрович Шаров,Николай Михайлович Агринский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕСТТРЭЙД ЛТД". Дата публикации: 2014-08-10.

Formation method of protective coating on surfaces of products from metals and alloys

Номер патента: RU2485359C1. Автор: Сергей Иванович Погорелов,Артем Вячеславович Рыженков,Вячеслав Алексеевич Рыженков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ". Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of signals and information transmission in backward channel of radar identification system

Номер патента: RU2543514C2. Автор: Александр Викторович Макарычев,Сергей Борисович Жиронкин,Игорь Юрьевич Жуков,Николай Евтеевич Левицкий. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-03-10.

Image signal formation method

Номер патента: RU2399164C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2010-09-10.

Filling mass formation method

Номер патента: RU2436962C1. Автор: Елена Ахмедовна Ермолович. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2011-12-20.

Formation method of measurement data packages of cable-free telemetric system during well drilling

Номер патента: RU2478992C2. Автор: Алексей Евгеньевич Ковалев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БИТАС". Дата публикации: 2013-04-10.

Liquid explosive formation method

Номер патента: RU2464254C1. Автор: Александр Артурович Добрынин,Иван Александрович Добрынин. Владелец: Иван Александрович Добрынин. Дата публикации: 2012-10-20.

Mulching cover formation method

Номер патента: RU2032299C1. Автор: Алексей Николаевич Лазаренков. Владелец: Алексей Николаевич Лазаренков. Дата публикации: 1995-04-10.

Impulse electrogasdynamic formation method of identification marks on surface of solid material

Номер патента: RU2479673C1. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Николай Павлович Мартынюк,Александр Григорьевич Григорьянц. Владелец: Александр Григорьевич Григорьянц. Дата публикации: 2013-04-20.

Formation method of molecular coating on surfaces of products from metals and alloys

Номер патента: RU2485360C1. Автор: Сергей Иванович Погорелов,Артем Вячеславович Рыженков,Вячеслав Алексеевич Рыженков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ". Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of navigation radio signals of navigation space vehicles (nsv) at geostationary orbit (gso), and/or navigation space vehicles (nsv) at geosynchronous inclined orbit (gsio) using ground stations, and system for its implementation

Номер патента: RU2474845C1. Автор: Юрий Матэвич Урличич,Вячеслав Владимирович Дворкин,Сергей Николаевич Карутин. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-02-10.

Formation method of electroconductive tracks on substrate

Номер патента: RU2468549C1. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Владимир Евгеньевич Филимонов. Владелец: Владимир Евгеньевич Филимонов. Дата публикации: 2012-11-27.

Formation method of missile control at direction to group of manoeuvring targets

Номер патента: RU2464520C2. Автор: Олег Александрович Толпегин,Татьяна Юрьевна Емельянова,Олег Александрович Толпегин (RU),Татьяна Юрьевна Емельянова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ"). Дата публикации: 2012-10-20.

Formation method of outside splines by surface plastic deformation

Номер патента: RU2469834C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Николай Николаевич Самойлов,Владимир Валерьевич Морин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет - учебно-научно-производственный комплекс" (ФГОУ ВПО "Госуниверситет - УНПК"). Дата публикации: 2012-12-20.

Formation method of nanocrystalline surface coating in material of products form metallic alloys

Номер патента: RU2385968C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов. Владелец: ООО "НПП Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2010-04-10.

Formation method of channel for transmission of optic signal between components of electronic module

Номер патента: RU2561202C2. Автор: Владимир Степанович Верба,Леонид Викторович Воронцов,Дмитрий Александрович Даниленко,Александр Давыдович Слонимский. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2015-08-27.

Formation method of vertically directed fracture at hydraulic fracturing of productive formation

Номер патента: RU2510456C2. Автор: Наталья Ивановна Макеева. Владелец: Наталья Ивановна Макеева. Дата публикации: 2014-03-27.

Formation method of complicated shaped parts

Номер патента: RU2429928C2. Автор: Олег Сергеевич Куклин,Василий Иванович Попов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Центр технологии судостроения и судоремонта". Дата публикации: 2011-09-27.

DETECTION DEVICE, MOVABLE BODY APPARATUS, PATTERN FORMATION APPARATUS AND PATTERN FORMATION METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120086927A1. Автор: . Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

PATTERN FORMATION APPARATUS, PATTERN FORMATION METHOD AND A METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130221581A1. Автор: YONEDA Ikuo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-08-29.

Pattern formation method in coating process and substrate carrier apparatus applying the same

Номер патента: TW201142052A. Автор: Chao-Chung Chen. Владелец: Kingyoup Entpr Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Pattern formation method

Номер патента: TW201041714A. Автор: Xing-Yi Chen. Владелец: Hong Hsing Dinner Set Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-01.

The pattern formation method having logic and memory kinds of circuit

Номер патента: TW409286B. Автор: Jin-Lung Lin,Yau-Jin Gu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Pattern formation method of hybrid thin film integrated circuit

Номер патента: JPS54162176A. Автор: Susumu Okamoto,Masao Kiyouno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-12-22.

Silicon oxidation film pattern formation method

Номер патента: JPS51123563A. Автор: Nobuo Tsuda,Tadamasa Ogawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-10-28.

Pattern formation method of electrical elements

Номер патента: JPS54161071A. Автор: Mikio Segawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-12-20.

RESIN COMPOSITION FOR PATTERN FORMATION, PATTERN FORMATION METHOD AND PROCESS FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20120097640A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Photosensitive resin composition for pattern formation and pattern formation method

Номер патента: JP2982113B2. Автор: 紀 清原,智宏 樽石. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-22.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130033693A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD, PATTERN FORMING APPARATUS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130070229A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD FOR PATTERN FORMATION, METHOD AND COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, AND RESIST UNDERLAYER FILM

Номер патента: US20120129353A1. Автор: . Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2012-05-24.

Pattern formation method, film formation method and sheet-like material

Номер патента: JP6885863B2. Автор: 昌孝 長谷川. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20120127453A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, POSITION CONTROL METHOD AND POSITION CONTROL SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120212726A1. Автор: Shibazaki Yuichi,Kanaya Yuho. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120224157A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING MOVABLE BODY BASED ON MEASUREMENT VALUE OF ENCODER AND INFORMATION ON FLATNESS OF SCALE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120224158A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD AND MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION METHOD AND APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD FOR CONTINUOUS POSITION MEASUREMENT OF MOVEABLE BODY BEFORE AND AFTER SWITCHING BETWEEN SENSOR HEADS

Номер патента: US20120293788A1. Автор: Shibazaki Yuichi,Kanaya Yuho. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD FOR MAINTAINING POSITION COORDINATE BEFORE AND AFTER SWITCHING ENCODER HEAD

Номер патента: US20120307227A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Development method, pattern formation method, photomask manufacturing method using these, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3779882B2. Автор: 輝彦 熊田,敦子 藤野,敦史 押田,耕志 丹下,準 福間. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.