Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Seed wafer for gan thickening using gas- or liquid-phase epitaxy

Seed wafer for gan thickening using gas- or liquid-phase epitaxy

Номер патента: WO2018025166A1
Опубликовано: 08-02-2018
Автор(ы): Francois J. Henley
Принадлежит: QMAT, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Seed wafer for gan thickening using gas- or liquid-phase epitaxy

Номер патента: EP3494248A1. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

SEED WAFER FOR GaN THICKENING USING GAS- OR LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: US20190288158A1. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

SEED WAFER FOR GaN THICKENING USING GAS- OR LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: US20190288158A1. Автор: Henley Francois J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

SEED WAFER FOR GaN THICKENING USING GAS- OR LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: US20180040764A1. Автор: Henley Francois J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Smooth surface liquid phase epitaxial germanium

Номер патента: US20060194418A1. Автор: David Evans,Jer-shen Maa,Jong-Jan Lee,Douglas Tweet,Allen Burmaster. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258462A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting elements, method for producing metal bonded susbtrate for ultraviolet light emitting elements, method for producing ultraviolet light emitting element, and method for producing ultraviolet light emitting element array

Номер патента: EP4223912A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting device, method for producing metal bonded substrate for ultraviolet light emitting device, method for producing ultraviolet light emitting device, and method for producing ultraviolet light emitting device array

Номер патента: US20230343890A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: EP4372130A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers

Номер патента: RU2638575C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2017-12-14.

Liquid-phase epitaxy growth system and method for growing epitaxial layer

Номер патента: US5482555A. Автор: Song J. Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-01-09.

Liquid phase epitaxy of iii-v materials and alloys

Номер патента: US20210108330A1. Автор: Mahendra K. Sunkara,Daniel F. Jaramillo-Cabanzo,Sonia J. Calero-Barney. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for growing a liquid phase epitaxial layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US4298410A. Автор: Masaharu Watanabe,Koichiro Nakajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-03.

Semiconductor formation by lateral diffusion liquid phase epitaxy

Номер патента: US09824892B2. Автор: Bo Li,Adrian Kitai,Haoling YU. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of making a liquid phase epitaxial layer of gallium phosphide

Номер патента: CA1054904A. Автор: Nobuyuki Izawa,Kazuya Tanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-05-22.

Liquid phase epitaxy technique for reducing edge growth

Номер патента: CA1055367A. Автор: Norman E. Schumaker,Daniel L. Rode. Владелец: Daniel L. Rode. Дата публикации: 1979-05-29.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US09738990B2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Nucleation layer growth and lift-up of process for GaN wafer

Номер патента: US20020096674A1. Автор: Seung Park,Hak Cho,Sang Won. Владелец: GAN Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Contemporaneous fabrication of double heterostructure light emitting diodes and laser diodes using liquid phase epitaxy

Номер патента: US4342148A. Автор: Anthony J. Springthorpe,Agnes Margittai. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1982-08-03.

Composite substrate for GaN growth

Номер патента: CN103305908A. Автор: 张国义,孙永健,童玉珍. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for producing glass wafers for packaging electronic devices, and electronic component produced according to the method

Номер патента: US12084374B2. Автор: Takahisa Uchida,Robert Hettler,Frank Gindele,Christian RAKOBRANDT,Kazuhito MIYAWAKI. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Unit for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide

Номер патента: EP2657374A4. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Seed material for single-crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth and liquid phase epitaxial growth method of single-crystal silicon carbide

Номер патента: TWI498459B. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co. Дата публикации: 2015-09-01.

Liquid phase epitaxial growth technique

Номер патента: US4504328A. Автор: Toshio Tanaka,Ryoichi Hirano,Wataru Susaki,Hirofumi Namizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

DEVICES AND METHODS FOR ELECTROCHEMICAL LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: US20180195203A1. Автор: Maldonado Stephen,DeMuth Joshua,Fahrenkrug Eli. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Vertical Liquid Phase Epitaxy Equipment

Номер патента: KR100416697B1. Автор: 김채규,김봉철. Владелец: 주식회사 옵토웨이퍼테크. Дата публикации: 2004-02-05.

Liquid phase epitaxial equipment

Номер патента: KR102209707B1. Автор: 박영태. Владелец: 주식회사 아이오지. Дата публикации: 2021-01-29.

Liquid phase epitaxial deposition of monocrystals - of semiconductor matl one component of which is volatile

Номер патента: FR2255102A1. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1975-07-18.

Growing of liquid phase epitaxial layers

Номер патента: CA978452A. Автор: Anthony J. Springthorpe. Владелец: Bell Northern Research Ltd. Дата публикации: 1975-11-25.

Production of structured multiple layer arrangement comprises growing island structures from metallic solution on substrate or layer using liquid phase epitaxy, and growing covering layer on island structures

Номер патента: DE10117306A1. Автор: Martin Albrecht,Silke Christiansen,Herbert Wawra,Horst Strunck. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor formation by lateral diffusion liquid phase epitaxy

Номер патента: KR101554932B1. Автор: 보 리,아드리안 키타이,하오링 유. Владелец: 맥마스터 유니버시티. Дата публикации: 2015-09-22.

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD

Номер патента: IT1025632B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1978-08-30.

Semiconductor formation by lateral diffusion liquid phase epitaxy

Номер патента: WO2012155273A1. Автор: Bo Li,Adrian Kitai,Haoling YU. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-22.

Liquid phase epitaxial deposition process.

Номер патента: FR93694E. Автор: Elie Andre,Jean-Marc Le Duc. Владелец: RADIOTECHNIQUE COPRIM RTC. Дата публикации: 1969-05-02.

METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF LEAD ZIRCONATE TITANATE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Fratello Vincent. Владелец: Quest Integrated, LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Rod assembly for manufacturing large wafers for electronic devices

Номер патента: CA2001934C. Автор: Noboru Terao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-18.

METHOD FOR OBTAINING A MULTI-LAYER HETEROEPITAXIAL P-I-N STRUCTURE IN THE AlGaAs SYSTEM BY THE LIQUID PHASE EPITAXY METHOD

Номер патента: RU2647209C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Сергей Станиславович Стрельченко,Никита Игоревич Шумакин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ". Дата публикации: 2018-03-14.

Liquid phase epitaxial process for growing semi-insulating GaAs layers

Номер патента: US3994755A. Автор: G. Sanjiv Kamath,Bradley W. Smith. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1976-11-30.

Method for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: US4798812A. Автор: Randall B. Wilson. Владелец: Lytel Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Selective uniform liquid phase epitaxial growth

Номер патента: US3647578A. Автор: Allen M Barnett,Harold A Jensen,Virginia F Meikleham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-03-07.

Silicon single crystal substrate and silicon epitaxial wafer for solid-state image sensor and solid-state image sensor

Номер патента: US11824070B2. Автор: Takao Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of forming a liquid phase epitaxial film on a wafer

Номер патента: GB2028679B. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-14.

Liquid phase epitaxial film on a wafer

Номер патента: AU4871879A. Автор: Guido Galli,John Edward Davies. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-03-06.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pattern wafer for leds, epitaxial wafer for leds and method of manufacturing the epitaxial wafer for leds

Номер патента: US20160149079A1. Автор: Jun Koike. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Pattern wafer for LEDs, epitaxial wafer for LEDs and method of manufacturing the epitaxial wafer for LEDs

Номер патента: US09660141B2. Автор: Jun Koike. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240136466A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, method for manufacturing substrate for ultraviolet light-emitting element, epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, and substrate for ultraviolet light-emitting element

Номер патента: EP4303940A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

A wafer for the cvd growth of uniform graphene and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4314377A1. Автор: Sebastian Dixon,Robert JAGT,Jaspreet KAINTH. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Wafer for the cvd growth of uniform graphene and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240153762A1. Автор: Sebastian Dixon,Robert JAGT,Jaspreet KAINTH. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

HEMISPHERICAL MICROSTRUCTURE ARRAYS FOR GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND METHOD FOR FORMING THE ARRAYS

Номер патента: WO2013158038A8. Автор: Rui Chen,Handong Sun,Van Duong TA. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Glass wafers for semiconductor device fabrication

Номер патента: US11948792B2. Автор: Jen-Chieh Lin,Jian-Zhi Jay Zhang,Karl William Koch, III,Ya-Huei Chang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing

Номер патента: WO2010101688A1. Автор: Noel Russell,Edmund Burke,Gregory Herdt,John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for preparing silicon by using gas-phase electroreduction

Номер патента: US20240243270A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Epitaxial wafer for GaP light-emitting element and GaP light-emitting element

Номер патента: US5811840A. Автор: Atsushi Yoshinaga. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1998-09-22.

Growth method for gan crystal and gan crystal substrate

Номер патента: EP2623648A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Methods for forming charge layers using gas and liquid phase coatings

Номер патента: US20230307235A1. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for forming charge layers using gas and liquid phase coatings

Номер патента: US11894232B2. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods for forming charge layers using gas and liquid phase coatings

Номер патента: WO2023183157A1. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Preparation of gap-si heterojunction by liquid phase epitaxy

Номер патента: US3810794A. Автор: W Stein,G Antypas,F Rosztoczy,Szeremy S Von. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1974-05-14.

METHOD OF PRODUCING MULTILAYER EPITAXIAL P-I-N STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: RU2668661C2. Автор: Владимир Иванович Шашкин,Виталий Львович Крюков,Сергей Станиславович Стрельченко,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук". Дата публикации: 2018-10-02.

A method of producing a multilayer epitaxial p-i-n structure based on GaAs-GaAlAs compounds by liquid phase epitaxy

Номер патента: RU2016142023A. Автор: Владимир Иванович Шашкин,Виталий Львович Крюков,Сергей Станиславович Стрельченко,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук". Дата публикации: 2018-04-27.

UNIT FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130285060A1. Автор: Matsumoto Tsuyoshi,Torimi Satoshi,Nogami Satoru. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR FORMATION BY LATERAL DIFFUSION LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: US20130119518A1. Автор: Li Bo,Kitai Adrian,Yu Haoling. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-16.

LIQUID PHASE EPITAXY DOPING AND SILICON PN JUNCTION PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20180240671A1. Автор: Magana Ernesto,Fenning David. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

CMOS VFET CONTACTS WITH TRENCH SOLID AND LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: US20190279913A1. Автор: Yamashita Tenko,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Liquid-phase epitaxial growing method for multiple-element semiconductor

Номер патента: JPS577940A. Автор: Hiroshi Nishi,Michiharu Ito,Tomoshi Ueda,Shigeki Hamashima,Hiroshi Takigawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-01-16.

Boat for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6169119A. Автор: Yoichi Osawa,洋一 大澤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-09.

Liquid-phase epitaxial growing method

Номер патента: JPS5860533A. Автор: Kazuo Nakajima,Yutaka Kishi,Susumu Yamazaki,一雄 中嶋,岸　豊,進 山崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-11.

Multilayer liquid phase epitaxial growing method

Номер патента: JPS5623740A. Автор: Masaru Ihara,Katsuji Seki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-03-06.

Liquid-phase epitaxial growing device

Номер патента: JPS59151435A. Автор: Kenji Maruyama,Michiharu Ito,Mitsuo Yoshikawa,Hiroshi Takigawa,研二 丸山,宏 瀧川,伊藤　道春,吉河　満男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-08-29.

Liquid-phase epitaxial crystal growth method

Номер патента: JPS61208216A. Автор: Sadao Fujii,Masayoshi Umeno,正義 梅野,貞男 藤井. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-16.

Liquid phase epitaxial growth of 3-5 mixed crystal semiconductor

Номер патента: JPS58194329A. Автор: Akira Usui,彰 碓井. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-11-12.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS59147441A. Автор: Kosaku Yamamoto,Yoshito Nishijima,Hirokazu Fukuda,山本　功作,西嶋　由人,福田　広和. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-08-23.

PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: FR2463824B1. Автор: Bantval Jayant Baliga,Gerald Borst Gidley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-05-02.

Impurity doping method in liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5928331A. Автор: Kenshin Taguchi,田口　剣申. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-15.

Liquid phase epitaxial growth apparatus

Номер патента: JPS5976433A. Автор: Kenji Maruyama,Michiharu Ito,Tomoshi Ueda,知史 上田,Mitsuo Yoshikawa,Kouji Shinohara,研二 丸山,伊藤　道春,吉河　満男,篠原　宏「じ」. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Liquid-phase epitaxial crystal growth equipment

Номер патента: JPS61111523A. Автор: Katsumi Sato,克己 佐藤. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-05-29.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5979533A. Автор: Kosaku Yamamoto,Kouji Shinohara,Yoshito Nishijima,Hirokazu Fukuda,山本　功作,西嶋　由人,福田　広和,篠原　宏「じ」. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-08.

Formation of liquid phase epitaxial growth film

Номер патента: JPS6025230A. Автор: Hideo Kato,Toshio Sakata,Nobutaka Shimizu,信孝 清水,英雄 加藤,坂田　敏夫. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-02-08.

Liquid phase epitaxial process

Номер патента: JPS60196935A. Автор: Tetsuro Kato,哲朗 加藤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-05.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS6074431A. Автор: Toshiyuki Tanahashi,俊之 棚橋,Jiro Okazaki,岡崎　二郎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-04-26.

Method for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5821831A. Автор: Kosaku Yamamoto,Kouji Shinohara,Yoshito Nishijima,Yoshio Kawabata,Hirokazu Fukuda,山本　功作,西嶋　由人,福田　広和,篠原　宏「じ」,川端　良雄. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-02-08.

METHOD OF PRODUCING MULTILAYER HETEROEPITAXIAL STRUCTURES IN AlGaAs SYSTEM BY LIQUID-PHASE EPITAXY METHOD

Номер патента: RU2639263C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех". Дата публикации: 2017-12-20.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS60145608A. Автор: Hikari Sugano,菅野　光. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-01.

Device for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5739541A. Автор: Ryuichi Ueda,Michiharu Ito,Mitsuo Yoshikawa,Hiroshi Takigawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-03-04.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS58164223A. Автор: Saburo Nakai,Itsuo Umeo,中井　三郎,「あ」生　逸雄. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-09-29.

Method for obtaining p-i-n structure based on gaas-gaalas compounds by liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2749501C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Никита Игоревич Шумакин,Евгений Витальевич Крюков,Даниил Алексеевич Романов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ". Дата публикации: 2021-06-11.

Liquid phase epitaxial growth of gallium phosphide

Номер патента: JPS57183021A. Автор: Toshihiko Ishii. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-11.

Method of producing low-alloy layer of gaas by liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2727124C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2020-07-20.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5979520A. Автор: Kazuo Nakajima,Toshiyuki Tanahashi,俊之 棚橋,一雄 中嶋. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-08.

METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR P-I-N STRUCTURE BASED ON GAAS-AlGAAS COMPOUNDS BY LIQUID-PHASE EPITAXY

Номер патента: RU2744350C1. Автор: Федор Юрьевич Солдатенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-03-05.

Method for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5961127A. Автор: Jiro Okazaki,岡崎　二郎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-04-07.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5683933A. Автор: Hiroshi Hayashi,Kazuhisa Murata,Takuo Takenaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1981-07-08.

Strain-inducing film formation by liquid-phase epitaxial re-growth

Номер патента: US20070224785A1. Автор: Mark Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5961125A. Автор: Susumu Yamazaki,Jiro Okazaki,岡崎　二郎,進 山崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-04-07.

Liquid-phase epitaxial crowth method

Номер патента: JPS60176225A. Автор: Kunio Ito,Takeshi Hamada,Masaru Wada,国雄 伊藤,健 浜田,優 和田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-09-10.

Liquid phase epitaxial growing method

Номер патента: JPS57197823A. Автор: Yutaka Kishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-04.

Liquid-phase epitaxial growing apparatus

Номер патента: JPS61271845A. Автор: Kenji Maruyama,Michiharu Ito,Koji Hirota,研二 丸山,伊藤　道春,廣田　耕治. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-12-02.

Liquid-phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS57157531A. Автор: Kosaku Yamamoto,Kouji Shinohara,Yoshito Nishijima,Yoshio Kawabata,Hirokazu Fukuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-09-29.

Liquid phase epitaxially growing method for multiple-element semiconductor

Номер патента: JPS56169334A. Автор: Michiharu Ito,Tomoshi Ueda,Shigeki Hamashima,Hiroshi Takigawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-12-26.

Method for producing wafer for backside illumination type solid imaging device

Номер патента: US20100062584A1. Автор: Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

GaN-based devices using (Ga, AL, In)N base layers

Номер патента: US6156581A. Автор: Robert P. Vaudo,Joan M. Redwing,Michael A. Tischler,Duncan W. Brown. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Liquid-phase epitaxial preparation method for indium arsenide thermophotovoltaic battery with barrier layer structure

Номер патента: CN105047751A. Автор: 王洋,戴宁,孙艳,胡淑红,吕英飞. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2015-11-11.

Liquid-phase epitaxial preparation method for indium arsenide thermophotovoltaic battery with barrier layer structure

Номер патента: CN105047751B. Автор: 王洋,戴宁,孙艳,胡淑红,吕英飞. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-18.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

Номер патента: US09447517B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Liquid phase epitaxial

Номер патента: US5759267A. Автор: Yuji Yoshida,Masahiko Saito,Munehisa Yanagisawa,Susumu Higuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Liquid phase epitaxial growth method for carrying out the same

Номер патента: US5603761A. Автор: Yuji Yoshida,Masahiko Saito,Munehisa Yanagisawa,Susumu Higuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-18.

Liquid phase epitaxy apparatus

Номер патента: CA1229291A. Автор: John C. Brice,John L. Page,Peter A.C. Whiffin. Владелец: Peter A.C. Whiffin. Дата публикации: 1987-11-17.

Melt dispensing liquid phase epitaxy boat

Номер патента: CA1201220A. Автор: Mikelis N. Svilans. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 1986-02-25.

Process for the liquid phase epitaxial deposition of a monocrystalline ternary compound

Номер патента: CA1217410A. Автор: Jean-Louis Benchimol,Maurice Quillec. Владелец: BENCHIMOL JEAN LOUIS. Дата публикации: 1987-02-03.

Apparatus for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: US4033291A. Автор: Makoto Naito,Minoru Akatsuka,Masaharu Toyama,Masaru Kawachi,Akinobu Kasami,Tetuo Sekiwa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-07-05.

Holder for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: CA1163538A. Автор: Johannes Grandia,William G. McChesney,Harold L. Turk,Hugo A.E. Santini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Method of making nickel zinc ferrite by liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: US4057458A. Автор: Kunihiro Maeda,Matsunosuke Kikuchi,Hiromichi Imahasi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-11-08.

Liquid-phase-epitaxy deposition method in the manufacture of devices

Номер патента: CA1326624C. Автор: Steven Joy Licht. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Apparatus for manufacturing multi-layered semiconductor elements by means of liquid-phase epitaxy

Номер патента: US4258647A. Автор: Dieter W. Pohl,Hansjoerg Scheel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-03-31.

Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth

Номер патента: US4371420A. Автор: David A. Stevenson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-02-01.

Holder for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: US4350116A. Автор: Johannes Grandia,William G. McChesney,Hugo A. E. Santini,Harold L. Turk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-09-21.

High temperature electrical contact for Peltier-induced liquid phase epitaxy on intermetallic III-V compounds of gallium

Номер патента: US3993511A. Автор: Joseph John Daniele. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Process and apparatus for liquid phase epitaxy

Номер патента: EP1400614A3. Автор: Masaki Mizutani,Shoji Nishida,Takehito Yoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-07-12.

Parameter determination method and simulation method for finding transportability of gas or ions within pore

Номер патента: EP3780196A1. Автор: Yusuke Fujita,Keiichi Yamamoto,Fumiya MATSUSHITA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Parameter determination method and simulation method for determining gas or ion transportability in pore

Номер патента: US20200175215A1. Автор: Yusuke Fujita,Keiichi Yamamoto,Fumiya MATSUSHITA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof

Номер патента: CN102782818A. Автор: 张宇,孙乾,荣格·韩. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-14.

Conductivity based on selective etch for gan devices and applications thereof

Номер патента: US20160153113A1. Автор: Jung Han,Yu Zhang,Qian Sun. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

MANUFACTURING METHOD FOR GaN WAFER

Номер патента: KR101967716B1. Автор: 김민호,이성남. Владелец: 주식회사 루미스탈. Дата публикации: 2019-04-10.

Buffer layer for GaN-on-Si LED

Номер патента: US8686430B2. Автор: Zhen Chen. Владелец: Toshiba Techno Center Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Conductivity-based selective etching for GaN devices and applications thereof

Номер патента: JP5961557B2. Автор: ジュン ハン,チェン スン,ユ チャン. Владелец: イェイル ユニヴァーシティ. Дата публикации: 2016-08-02.

Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof

Номер патента: EP3923352A1. Автор: Jung Han,Yu Zhang,Qian Sun. Владелец: Yale University Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof

Номер патента: EP2529394A1. Автор: Jung Han,Yu Zhang,Qian Sun. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-05.

SUBSTRATE PROCESSING FOR GaN GROWTH

Номер патента: US20230117013A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

SUBSTRATE PROCESSING FOR GaN GROWTH

Номер патента: US20230299236A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

SUBSTRATE PROCESSING FOR GaN GROWTH

Номер патента: WO2023064156A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

SUBSTRATE PROCESSING FOR GaN GROWTH

Номер патента: WO2023177550A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods for perforation and ohmic contact formation for gan epitaxial lift-off using an etch stop layer

Номер патента: WO2019023282A8. Автор: Christopher Youtsey,Robert McCarthy,Rekha REDDY. Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2019-12-26.

Systems and Methods for Perforation and Ohmic Contact Formation For GaN Epitaxial Lift-Off Using An Etch Stop Layer

Номер патента: US20190088495A1. Автор: Christopher Youtsey,Robert McCarthy,Rekha REDDY. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Substrate processing for gan growth

Номер патента: EP4416756A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

GaN-based light-emitting diode with novel emergent light structure and manufacturing method for GaN-based light-emitting diode

Номер патента: CN104576864A. Автор: 郝锐,林永祥,林振贤,汪俊翰. Владелец: Guangdong De Li Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Oxygen controlled PVD AIN buffer for Gan-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: CN105121693A. Автор: 汪荣军,维韦卡·阿格拉沃尔,阿纳塔·苏比玛尼,朱鸣伟,纳格·B·帕蒂班德拉,丹尼尔·李·迪尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Oxygen controlled pvd aln buffer for gan-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: KR20210156356A. Автор: 나그 비. 파티반드라,비베크 아그라왈,밍웨이 주,룽준 왕,다니엘 리 딜,아난타 수브라마니. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-12-24.

Growing method for GaN-based LED epitaxial wafer

Номер патента: CN103730554A. Автор: 王辉,张博,孔俊杰,王怀兵,吴思,傅华,蔡金,陈柏君. Владелец: SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20160035937A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20200127164A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20190172973A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

EPITAXIAL TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE ELECTRODES FOR GaN LEDS

Номер патента: US20160218246A1. Автор: Lockett Vera Nicholaevna,Oraw Bradley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Elemental semiconductor material contact for gan-based light emitting diodes

Номер патента: US20140339503A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20210328104A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Method for Preparing Composite Substrate Used For GaN Growth

Номер патента: US20140357053A1. Автор: Sun Yongjian,Zhang Guoyi,Tong Yuzhen. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co., LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

REFLECTIVE CONTACT FOR GaN-BASED LEDS

Номер патента: US20160284957A1. Автор: SATO Taisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Oxygen controlled pvd aln buffer for gan-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: KR102207804B1. Автор: 나그 비. 파티반드라,비베크 아그라왈,밍웨이 주,룽준 왕,다니엘 리 딜,아난타 수브라마니. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-01-26.

Oxygen controlled PVD AlN buffer for GaN-based optoelectronic and electronic devices

Номер патента: US10546973B2. Автор: Nag B. Patibandla,Vivek Agrawal,Rongjun Wang,Mingwei Zhu,Anantha Subramani,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

SUBSTRATE PROCESSING FOR GaN GROWTH

Номер патента: WO2023064157A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Laser spike annealing for GaN LEDs

Номер патента: TW201143131A. Автор: Yun Wang,Andrew M Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

OXYGEN CONTROLLED PVD ALN BUFFER FOR GAN-BASED OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20180261720A1. Автор: Wang Rongjun,SUBRAMANI Anantha,Patibandla Nag B.,DIEHL Daniel Lee,ZHU MINGWEI,Agrawal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Method of optimizing film deposition process in semiconductor fabrication by using gas sensor

Номер патента: US11232946B2. Автор: Chung-Yi Yu,Yeur-Luen Tu,Chih-Ming Chen,Rei-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing

Номер патента: US20110312106A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Sidewall spacer patterning method using gas cluster ion beam

Номер патента: US20160222521A1. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Youngdon Chang,Il-seok Song. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Sidewall spacer patterning method using gas cluster ion beam

Номер патента: US09500946B2. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Youngdon Chang,Il-seok Song. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Gas supply manifold and method for supplying gas to chamber using gas supply manifold

Номер патента: JP6639095B2. Автор: ルシアン シー． イディラ,ルシアン シー． イディラ,ヘルベルト テルホルスト,マイケル ハルピン,カール ホワイト,トッド ロバート ダン,トッド ロバート ダン,エリック シェロ,メルヴィン バーバス,クリストファー ウエスター,カイル フォンドゥルリア. Владелец: エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ．. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: EP2569802A2. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd . Дата публикации: 2013-03-20.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: US09548224B2. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd . Дата публикации: 2017-01-17.

Leadless electronic packages for GAN devices

Номер патента: US09929079B2. Автор: Daniel Marvin Kinzer. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Leadless electronic packages for GaN devices

Номер патента: US09640471B2. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices

Номер патента: WO2011141516A3. Автор: Edward Duffy,Laurent Clochard. Владелец: Ultra High Vaccum Solutions Ltd. T/A Nines Engineering. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of making articles using gas functionalized plasma developed layer

Номер патента: CA1248402A. Автор: Thomas M. Wolf,Gary N. Taylor,Thirumalai N.C. Venkatesan,Larry E. Stillwagon. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-01-10.

Method for reuse of wafers for growth of vertically-aligned wire arrays

Номер патента: EP2183789A1. Автор: Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Joshua M. Spurgeon,Katherine E. Plass. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2010-05-12.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Controlling impurities in a wafer for an electronic circuit

Номер патента: WO2012136999A1. Автор: Cornelis DE GROOT,Peter Ashburn,Peter WILSHAW,Kanad Mallik,Doug JORDAN. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2012-10-11.

Processing a wafer for an electronic circuit

Номер патента: EP2695184A1. Автор: Peter WILSHAW,Kanad Mallik,Doug JORDAN. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Wafer For Backside Illumination Type Solid Imaging Device, Production Method Thereof And Backside Illumination Solid Imaging Device

Номер патента: US20090289283A1. Автор: Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: WO2023165808A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-07.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: EP4239658A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-06.

Methods relating to the reconstruction of semiconductor wafers for wafer-level processing

Номер патента: US20060240582A1. Автор: Yong Tan,Wuu Tay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Silicon wafer for an electronic component and method for the production thereof

Номер патента: US11915922B2. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger,Frank Siebke. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20220172994A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-02.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20210028064A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for reuse of wafers for growth of vertically-aligned wire arrays

Номер патента: US20120028420A1. Автор: Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Joshua M. Spurgeon,Katherine E. Plass. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for reuse of wafers for growth of vertically-aligned wire arrays

Номер патента: US20120282761A1. Автор: Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Joshua M. Spurgeon,Katherine E. Plass. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for reuse of wafers for growth of vertically-aligned wire arrays

Номер патента: US8222123B2. Автор: Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Joshua M. Spurgeon,Katherine E. Plass. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2012-07-17.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20200243392A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of separation of dispersed granulated materials and/or liquid phases from liquid mixture and device for its realization

Номер патента: RU2109578C1. Автор: Майкл Вензел Чудасек,Стивен Генри Маршалл,Чарльз Гарольд Уормен. Владелец: М.Д.Рисерч Компани ПТИ.Лтд.. Дата публикации: 1998-04-27.

Liquid-phase epitaxial film of (110) garnet

Номер патента: JPS5694610A. Автор: Hiroshi Makino,Taketoshi Hibiya,Hiroko Honda. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-31.

Method for reducing magnetism resistant force of liquid-phase epitaxial garnet film

Номер патента: JPS5646518A. Автор: Taketoshi Hibiya. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-27.

Liquid phase epitaxial growth apparatus

Номер патента: JPS58215016A. Автор: Toshio Sakata,坂田　敏夫. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-12-14.

Fast Annealing for GaN LEDs

Номер патента: US20110278587A1. Автор: Yun Wang,Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Etching solution for GaN millimeter wave power amplifier chip production and preparation method thereof

Номер патента: CN111235578B. Автор: 陈世昌,邹伟民. Владелец: Jiangsu Transimage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Lift-off process for gan films formed on sic substrates and devices fabricated using the method

Номер патента: CN1950957A. Автор: 中村修二,S·迪巴尔司. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2007-04-18.

Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates

Номер патента: EP2410581B1. Автор: Shuji Nakamura,Steven DenBaars. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Lift-off process for gan films formed on sic substrates and devices fabricated using the method

Номер патента: CA2564957A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven DenBaars. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US12046895B2. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Process for making wafers for ion implantation monitoring

Номер патента: US20030008421A1. Автор: Larry Shive. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Wafer for solar cell, method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module

Номер патента: US09935216B2. Автор: Shigeru Okuuchi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon wafer for probe bonding and probe bonding method using thereof

Номер патента: WO2005122240A1. Автор: Jung-Hoon Lee. Владелец: Phicom Corporation. Дата публикации: 2005-12-22.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and wafer for facilitating the same

Номер патента: WO2023201567A1. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-26.

Wafer for manufacturing image sensors, test key layout for defects inspection, and methods for manufacturing image sensors and for forming test key

Номер патента: US20070246639A1. Автор: Cheng-Hung Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US20240170957A1. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits

Номер патента: WO2004049062A3. Автор: Matthew T Spuller,Dennis W Hess. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2004-08-26.

Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits

Номер патента: AU2003294451A8. Автор: Matthew T Spuller,Dennis W Hess. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2004-06-18.

Radiation detector using gas amplification, manufacturing method for radiation detector using gas amplification, and method for detecting radiation by radiation detector using gas amplification

Номер патента: US20180081069A1. Автор: Tomohisa Motomura,Kohei Oota,Motonori OONO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Radiation detector using gas amplification, manufacturing method for radiation detector using gas amplification, and method for detecting radiation by radiation detector using gas amplification

Номер патента: US10042059B2. Автор: Tomohisa Motomura,Kohei Oota,Motonori OONO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20120235108A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: EP2393957A1. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: WO2010090900A1. Автор: John Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100288994A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Scanning transmission electron microscope using gas amplification

Номер патента: EP2182546B1. Автор: William Knowles,Milos Toth. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2011-10-26.

Laser based on a dielectric resonator with gas or plasma at population inversion

Номер патента: WO2024166102A1. Автор: Tal CARMON,Raanan GAD,Sile Nic Chormaic. Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100193780A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

A metal hydride battery with added hydrogen gas, oxygen gas or hydrogen peroxide

Номер патента: AU2022256203B2. Автор: Dag NORÉUS. Владелец: Nilar International AB. Дата публикации: 2024-06-13.

Improvements in and relating to circuit arrangements for the control of the discharge in gas or vapour filled discharge vessels

Номер патента: GB447239A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1936-05-14.

Improvements in or relating to gas or vapour filled electric discharge devices

Номер патента: GB431889A. Автор: . Владелец: Telefunken Gesellschaft fuer Drahtlose Telegraphie mbH. Дата публикации: 1935-07-17.

Method and apparatus for producing readout from gas or liquid chromatograph

Номер патента: GB1306534A. Автор: . Владелец: Franklin Gno Corp. Дата публикации: 1973-02-14.

Portable industrial x-ray system conveniently field-configurable for gas or liquid cooling

Номер патента: US20060029185A1. Автор: Gerald Baur,Donald Sharpe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Stripline Wafer for Wafer Based Connector System

Номер патента: US20240313480A1. Автор: Charles Raymond Gingrich, III,Keith Edwin Miller,Bruce Allen Champion,Michael Frank Cina,Scott Eric Walton,Joshua Allen ROSENAU. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-19.

Stripline wafer for wafer based connector system

Номер патента: WO2024189573A1. Автор: Keith Edwin Miller,Bruce Allen Champion,Michael Frank Cina,Charles Raymond Gingrich III,Scott Eric Walton,Joshua Allen ROSENAU. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-19.

Enclosure for electrical components installed in locations where a flammable gas or vapor is expected to be present

Номер патента: WO2000062366A1. Автор: Leslie Brenon Knaggs. Владелец: Ballard Generation Systems Inc.. Дата публикации: 2000-10-19.

A plant for extracting substances in gas or mist form from a flow of gas

Номер патента: WO1992014106A1. Автор: Göran ALMLÖF,Folke Lilliehöök. Владелец: BAL AB. Дата публикации: 1992-08-20.

Improved window for gan led

Номер патента: CA2412416C. Автор: John Chen,Bingwen Liang,Robert Shih. Владелец: Lumei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

ELEMENTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTACT FOR GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20140342486A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-20.

Improved window for gan led

Номер патента: CA2412416A1. Автор: John Chen,Bingwen Liang,Robert Shih. Владелец: Dalian Meiming Epitaxy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device using gas blowing agent

Номер патента: US20230087718A1. Автор: Hwail Jin,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Apparatus and method of fabrication for GaN/Si transistors isolation

Номер патента: US9793389B1. Автор: Mark Chen,King-Yuen Wong,Chan-Hong Chern,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Asymmetrical plug technique for GaN devices

Номер патента: US11776815B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Asymmetrical plug technique for GaN devices

Номер патента: US10665463B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Asymmetrical plug technique for gan devices

Номер патента: US20190139776A1. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Asymmetrical plug technique for gan devices

Номер патента: US20200258749A1. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Asymmetrical plug technique for gan devices

Номер патента: US20220406607A1. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Crucible for multi-bath liquid phase epitaxy

Номер патента: US4779561A. Автор: Marc Mahieu,Francois Fromage. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Liquid phase epitaxy method and apparatus

Номер патента: CA1160762A. Автор: Masaru Kazumura,Haruyoshi Yamanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Liquid phase epitaxy

Номер патента: US4594128A. Автор: Melvin S. Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-10.

Liquid phase epitaxy

Номер патента: US20030010277A1. Автор: Yuen Chan,Xiangjun Mao. Владелец: NTU Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON

Номер патента: US20130263774A1. Автор: Matsumoto Tsuyoshi,Torimi Satoshi,Nogami Satoru. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130269597A1. Автор: Matsumoto Tsuyoshi,Torimi Satoshi,Nogami Satoru. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-17.

EPITAXY NACELLE FOR DEPOSITING A CDHGTE LAYER BY LIQUID-PHASE EPITAXY ON A HETEROSUBSTRAT AND METHOD FOR DEPOSITING CDHGTE ON A HETEROSUBSTRAT USING THE NACELLE

Номер патента: FR2763608B1. Автор: Bernard Pelliciari,Bernard Polge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-06-18.

Apparatus for the epitaxial growth of semi-conducting material by liquid phase epitaxy from at least two source solutions

Номер патента: CA1018872A. Автор: Hans-Jorg Scheel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-10-11.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide

Номер патента: WO2012086238A1. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: 東洋炭素株式会社. Дата публикации: 2012-06-28.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide

Номер патента: EP2657375A4. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS57198622A. Автор: Susumu Yamazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-06.

Boat for use in a liquid phase epitaxy growth apparatus

Номер патента: GB2074469A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-11-04.

Method of manufacturing semiconductor structures by liquid phase epitaxy

Номер патента: GB2064977A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-06-24.

High pressure liquid phase epitaxy reactor chamber with direct see through capability

Номер патента: US5375557A. Автор: Jeffrey M. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Liquid phase epitaxial growth for compound semiconductor

Номер патента: JPS56131926A. Автор: Yutaka Kishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-10-15.

Reactor for liquid phase epitaxy method

Номер патента: AU2003277846A1. Автор: Jorg Wedermann. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2004-04-30.

Vessel for the liquid-phase epitaxy of semiconductor films

Номер патента: DE3665613D1. Автор: Bernard Societe Civile Latorre,Guy Societe Civile S P Martin. Владелец: Electronique & Physique. Дата публикации: 1989-10-19.

Method of liquid phase epitaxial growth and device therefor

Номер патента: JPS5629320A. Автор: Morio Inoue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-03-24.

Liquid-phase epitaxial device

Номер патента: JPS59156995A. Автор: Toshio Sakata,坂田　敏夫. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-09-06.

Liquid-phase epitaxial growth device

Номер патента: JPS6071595A. Автор: Minoru Kubo,実 久保,Masato Ishino,Yoichi Sasai,正人 石野,佐々井　洋一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-23.

Liquid phase epitaxial growing method

Номер патента: JPS5957989A. Автор: Ichiro Ushijima,Toshihiro Kusuki,Shoji Isozumi,五十棲　祥二,楠木　敏弘,牛嶋　一郎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-04-03.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS60161397A. Автор: Koji Kobashi,Hisanori Fujita,Toshio Ishiwatari,尚徳 藤田,小橋　康二,石渡　俊男. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1985-08-23.

CRUCIBLE FOR LIQUID-PHASE EPITAXY OF SEMICONDUCTOR LAYERS OF CONTROLLED COMPOSITION

Номер патента: FR2588885B1. Автор: Bernard Latorre,Manuel Montero. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1987-11-27.

Process for liquid-phase epitaxial deposition of an at least quaternary alloy on a substrate, and semiconductor device comprising such an alloy

Номер патента: FR2583782A1. Автор: . Владелец: Slempkes Serge. Дата публикации: 1986-12-26.

LIQUID PHASE EPITAXY DEPOSITION METHOD OF TERNARY COMPOUND

Номер патента: FR2519032A1. Автор: . Владелец: BENCHIMOL JEAN LOUIS. Дата публикации: 1983-07-01.

MULTI-LAYER SEMICONDUCTOR ELEMENTS MANUFACTURING DEVICE BY MEANS OF A LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: FR2421292A1. Автор: Dieter Pohl,Hansjoerg Scheel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-10-26.

Liquid phase epitaxially growing method

Номер патента: JPS5768020A. Автор: Kazutoshi Konno,Tsuneo Furukawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-04-26.

Growth control method and system for growing silicon carbide crystal based on liquid phase epitaxial method

Номер патента: CN112410870B. Автор: 马远,薛卫明. Владелец: Clc Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Liquid phase epitaxial growth of semiconductor layer - with slow rotation of substrate for improved crystal quality

Номер патента: FR2145830A5. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1973-02-23.

Liquid phase epitaxial growth method for controlling Si concentration in GaP single crystal layer

Номер патента: JP2833479B2. Автор: 宗久 柳沢,雄輝 田村,則秀 国分. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-09.

A method of liquid phase epitaxial growth

Номер патента: EP0093569A1. Автор: Shoji Isozumi,Toshihiro Kusunoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-09.

Vertical liquid phase epitaxial growth device

Номер патента: JPS5891099A. Автор: Mikio Tanabe,幹雄 田辺,Kazuo Hiura,Tatsuhiko Kokado,日浦　和夫,古門　竜彦. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 1983-05-30.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5728325A. Автор: Katsuto Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS56105628A. Автор: Toshihiko Suzuki,Nobuyuki Izawa,Kinji Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-08-22.

A liquid-phase epitaxial growth method of a IIIb-Vb group compound

Номер патента: EP0151000A2. Автор: Hisanori Fujita,Toshio Ishiwatari,Yasuji Kohashi. Владелец: Mitsubishi Kasei Polytec Co. Дата публикации: 1985-08-07.

Method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide

Номер патента: EP2657376B1. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Vessel for the liquid-phase epitaxy of semiconductor films with a controlled composition

Номер патента: EP0222438A1. Автор: Bernard Société Civile S.P.I.D. Latorre,Manuel Société Civile S.P.I.D. Montero. Владелец: Electronique & Physique. Дата публикации: 1987-05-20.

CREUSET FOR LIQUID PHASE EPITAXY OF SEMICONDUCTOR LAYERS OF CONTROLLED COMPOSITION

Номер патента: FR2588885A1. Автор: Bernard Latorre,Manuel Montero. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1987-04-24.

Growing method for liquid phase epitaxial crystal

Номер патента: JPS57211726A. Автор: Michiharu Ito,Tomoshi Ueda,Shigeki Hamashima,Mitsuo Yoshikawa,Hiroshi Takigawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-25.

Apparatus for liquid-phase epitaxial crystal growth

Номер патента: JPS6065791A. Автор: Minoru Kubo,実 久保,Masato Ishino,Nobuyasu Hase,Yoichi Sasai,正人 石野,長谷　亘康,佐々井　洋一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-15.

A liquid-phase epitaxial growth method of a iiib-vb group compound

Номер патента: DE3560913D1. Автор: Hisanori Fujita,Toshio Ishiwatari,Yasuji Kohashi. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1987-12-10.

Liquid phase epitaxial growing method

Номер патента: JPS58131737A. Автор: Kenji Maruyama,Michiharu Ito,Mitsuo Yoshikawa,研二 丸山,伊藤　道春,吉河　満男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-08-05.

Method for liquid-phase epitaxial growth and protecting substrate with use thereof

Номер патента: JPS60195089A. Автор: Hiroshi Nakagome,弘 中込. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-10-03.

Device for pressurizing type liquid phase epitaxial growth of crystal

Номер патента: JPS58140390A. Автор: Akimoto Serizawa,Nobuyasu Hase,Yuzaburo Ban,雄三郎 伴,晧元 芹澤,長谷　亘康. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-20.

Promote the method for seed crystal liquid phase epitaxy in flux growth metrhod growth GaN single crystal system

Номер патента: CN107687022A. Автор: 王建峰,徐科,刘宗亮,任国强. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus for manufacturing monocrystalline oxide films via liquid-phase epitaxial growth process

Номер патента: RU2089679C1. Автор: Такаги Хироси,Фудзино Масару. Владелец: Мурата Мануфакчуринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 1997-09-10.

Apparatus for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6065790A. Автор: Minoru Kubo,実 久保,Yoichi Sasai,佐々井　洋一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-15.

Liquid phase epitaxial growth furnace

Номер патента: JPS6126595A. Автор: Kunio Ito,Yuichi Shimizu,Takao Shibuya,Masaru Wada,Akio Yoshikawa,昭男 吉川,裕一 清水,国雄 伊藤,優 和田,隆夫 渋谷. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-05.

Method for gaas liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS55138230A. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-10-28.

Double-crucible liquid phase epitaxial growth device

Номер патента: CN114752997B. Автор: 宋波,韩杰才,王先杰,张晗旭,朱森寅. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-16.

Liquid-phase epitaxial magnetic garnet single crystal

Номер патента: JPS60145990A. Автор: Taketoshi Hibiya,Kenichi Shiraki,健一 白木,孟俊 日比谷. Владелец: Tohoku Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1985-08-01.

Liquid phase epitaxy of garnet film on pairs of substrates - sepd. by lead oxide powder applied before growth to minimise bridging

Номер патента: DE3014676A1. Автор: Jan Henry Gayton Northampton Goodridge. Владелец: Plessey Handel und Investments AG. Дата публикации: 1981-04-23.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5816525A. Автор: Yukio Watanabe,幸雄 渡辺,Naoto Mogi,茂木　直人. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-31.

Method for improving chip fragmentation in magnetic garnet liquid phase epitaxial growth process

Номер патента: CN115418711A. Автор: 张怀武,李涵,张鼎,杨青慧,俞靖彦,张元婧. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-12-02.

Selective liquid phase epitaxial growth process

Номер патента: US3715245A. Автор: A Barnett,S Galginaitis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1973-02-06.

Liquid-phase epitaxial growth apparatus

Номер патента: JPS5935090A. Автор: Kenji Maruyama,Michiharu Ito,Tomoshi Ueda,知史 上田,Mitsuo Yoshikawa,研二 丸山,伊藤　道春,吉河　満男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-25.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS59169998A. Автор: Masaaki Nidou,正明 仁道. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-09-26.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5788722A. Автор: Yutaka Kishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-06-02.

Liquid phase epitaxial growth of garnet film

Номер патента: JPS5918199A. Автор: Keikichi Ando,Yuzuru Hosoe,譲 細江,Norio Oota,Ken Sugita,憲雄 太田,Kazuya Kamiyama,杉田　愃,安藤　圭吉,和也 神山. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-01-30.

Method of casting charges for use in a liquid phase epitaxy growth process

Номер патента: GB2121828B. Автор: John Chadwick Brice,Colin Richard Brough. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-12-11.

Method for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS55163836A. Автор: Toshihiro Kusuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-20.

Method for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS57103313A. Автор: Hiroshi Takano,Yasuhiko Kasama,Masaaki Sakuta. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-26.

Boat for use in a liquid phase epitaxy growth apparatus

Номер патента: GB2074469B. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-12-21.

Method for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS57124422A. Автор: Hideaki Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1982-08-03.

Method and system for fabricating two-dimensional material by using gas-phase method

Номер патента: US20240092702A1. Автор: Zhiguo Du,Shubin Yang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-21.

Electrolytic cell using gas agitation of electrolyte - having porous plate at base of cell through which gas in circulated

Номер патента: DE2808192A1. Автор: Fritz Dipl Chem Dr Beck,Manfred Prof Dipl Ing Neitzel,Hans Wilhelm Dipl Phys Schmidt. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1979-09-06.

Liquid phase epitaxy device

Номер патента: JPH01126299A. Автор: Katsuji Horikawa,勝司 堀川. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 1989-05-18.

A method for gan vertical microcavity surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20170237234A1. Автор: Jung Han,Cheng Zhang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-17.

For GaN vertical microcavity surface-emitting lasers（VCSEL）Method

Номер патента: CN107078190A. Автор: 张�成,韩重. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-18.

A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)

Номер патента: EP3201952A1. Автор: Jung Han,Cheng Zhang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-09.

FORMING IRON NITRIDE HARD MAGNETIC MATERIALS USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OR LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: US20170226635A1. Автор: Jiang Yanfeng,Wang Jian-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Forming iron nitride hard magnetic materials using chemical vapor deposition or liquid phase epitaxy

Номер патента: US20190316253A1. Автор: Jian-Ping Wang,Yanfeng JIANG. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2019-10-17.

Forming iron nitride hard magnetic materials using chemical vapor deposition or liquid phase epitaxy

Номер патента: TW201612925A. Автор: Jian-Ping Wang,Yan-feng JIANG. Владелец: Univ Minnesota. Дата публикации: 2016-04-01.

METHOD OF FORMATION OF HARDEN IRON MAGNETIC MATERIALS USING CHEMICAL DEPOSITION OF STEAM OR LIQUID PHASE EPITAXY

Номер патента: AR103491A1. Автор: Jiang Yanfeng,Wang Jian-Ping. Владелец: Univ Minnesota. Дата публикации: 2017-05-17.

A kind of liquid graphene is applied to the method for GaN base material and device

Номер патента: CN107808819A. Автор: 李志明,张志伟,缪国庆,宋航,蒋红,黎大兵,孙晓娟,陈一仁,陈仁,贾玉萍,刘贺男. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2018-03-16.

Method and structure for reduced substrate loss for gan devices

Номер патента: US20240222365A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Defect-tolerant layout and packaging for GaN power devices

Номер патента: US10892254B2. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng,Guanhou Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-12.

Growth of high-performance III-nitride transistor passivation layer for GaN electronics

Номер патента: US09490356B2. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-08.

LOW-LEAKAGE REGROWN GAN P-N JUNCTIONS FOR GAN POWER DEVICES

Номер патента: US20210104603A1. Автор: Fu Kai,Fu Houqiang,Zhao Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Low-leakage regrown GaN p-n junctions for GaN power devices

Номер патента: US11626483B2. Автор: Kai Fu,Houqiang Fu,Yuji Zhao. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2023-04-11.

Article holders that use gas vortices to hold an article in a desired position

Номер патента: US20030178146A1. Автор: Sam Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Systems and Methods for Perforation and Ohmic Contact Formation For GaN Epitaxial Lift-Off Using An Etch Stop Layer

Номер патента: US20190088495A1. Автор: YOUTSEY Christopher,McCarthy Robert,Reddy Rekha. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

OHMIC METAL STRUCTURE FOR GaN DEVICE

Номер патента: US20190131244A1. Автор: HUA Chang-Hwang,LIEN Yi-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Pnictide Buffer Structures and Devices for GaN Base Applications

Номер патента: US20190139761A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Dargis Rytis,Pelzel Rodney. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Leadless electronic packages for gan devices

Номер патента: US20170194237A1. Автор: Daniel Marvin Kinzer. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Growth of High-Performance III-Nitride Transistor Passivation Layer for GaN Electronics

Номер патента: US20160204222A1. Автор: Hobart Karl D.,Kub Francis J.,Anderson Travis J.,Koehler Andrew D.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRICAL PLUG TECHNIQUE FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20200258749A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,Kudymov Alexey. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Defect-Tolerant Layout and Packaging for GaN Power Devices

Номер патента: US20190378822A1. Автор: Liu Yan-Fei,Li Zhanming,FU Yue,Ng Wai Tung,Luo Guanhou. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Diamond based substrate for gan devices

Номер патента: GB0505752D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Ion implanted and self aligned gate structure for GaN transistors

Номер патента: US8853749B2. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Y. Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Ion-implanted and self-aligned gate structure for GaN transistors

Номер патента: DE112012000612T5. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Yuan Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer temperature measurement and control thereof using gas temperature measurement

Номер патента: US5992046A. Автор: Peter Weigand,Naohiro Shoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Technique for GaN Epitaxy on Insulating Substrates

Номер патента: US20220246423A1. Автор: Scott Robert Summerfelt,Nicholas S. DELLAS, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Stress management layer for gan hemt

Номер патента: WO2023002466A3. Автор: Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Felix KAESS. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-04-13.

Stress management layer for gan hemt

Номер патента: EP4374418A2. Автор: Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Felix KAESS. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-05-29.

Gas pressure control actuator, gas bearing mechanism for gas pressure control actuator, and minute displacement output device using gas pressure control actuator

Номер патента: JP4106392B2. Автор: 勝美 佐々木,朋子 平山. Владелец: PNEUMATIC SERVO CONTROLS Ltd. Дата публикации: 2008-06-25.

Gas pressure control actuator, gas bearing mechanism for gas pressure control actuator, and minute displacement output device using gas pressure control actuator

Номер патента: JPWO2007077878A1. Автор: 勝美 佐々木,朋子 平山. Владелец: PNEUMATIC SERVO CONTROLS Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Ion implanted and self aligned gate structure for gan transistors

Номер патента: WO2012106352A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Yuan Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2012-08-09.

Stress management layer for gan hemt

Номер патента: WO2023002466A2. Автор: Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Felix KAESS. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-01-26.

Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing

Номер патента: US20130075366A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of surface profile correction using gas cluster ion beam

Номер патента: US09875947B2. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Vincent Gizzo,Joshua LaRose,Nicholas Joy. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Near junction cooling for GaN devices

Номер патента: US09496197B1. Автор: Keisuke Shinohara,Miroslav Micovic,Andrea Corrion,Alexandros D. Margomenos. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Multisensor array for detection of analytes or mixtures thereof in gas or liquid phase

Номер патента: EP2553443A1. Автор: Mogens Havsteen Jakobsen,Anja Boisen,Kent Albin Nielsen,Jan Oskar Jeppesen,Natalie Kostesha,Carsten Johnsen. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2013-02-06.

Multisensor array for detection of analytes or mixtures thereof in gas or liquid phase

Номер патента: US09671392B2. Автор: Mogens Havsteen Jakobsen,Anja Boisen,Kent Albin Nielsen,Natalie Kostesha,Carsten Johnsen,Jan Oskar Jeppsen. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2017-06-06.

Process for the catalytic hydrogenating refining of hydrocarbons which are liquid or solid at room temperature, at elevated temperature and pressure in the gas phase and / or liquid phase in the presence of luminous gas, coke oven gas, carbonization gas or similar gases containing hydrogen

Номер патента: DE958496C. Автор: Dr Heinz Eisenlohr,Dr Wilhelm Herbert,Dr Carl Bratzler. Владелец: Metallgesellschaft AG. Дата публикации: 1957-02-21.

Multisensor array for detection of analytes or mixtures thereof in gas or liquid phase

Номер патента: WO2011121077A1. Автор: Mogens Havsteen Jakobsen,Anja Boisen,Kent Albin Nielsen,Jan Oskar Jeppesen,Natalie Kostesha,Carsten Johnsen. Владелец: DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET. Дата публикации: 2011-10-06.

Multisensor array for detection of analytes or mixtures thereof in gas or liquid phase

Номер патента: AU2011234495A1. Автор: Mogens Havsteen Jakobsen,Anja Boisen,Kent Albin Nielsen,Jan Oskar Jeppesen,Natalie Kostesha,Carsten Johnsen. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2012-10-18.

Multisensor array for detection of analytes or mixtures thereof in gas or liquid phase

Номер патента: AU2011234495B2. Автор: Mogens Havsteen Jakobsen,Anja Boisen,Kent Albin Nielsen,Jan Oskar Jeppesen,Natalie Kostesha,Carsten Johnsen. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2014-02-13.

Catalyst used in refinery and petrochemical plants for hydrogenating hydrocarbon streams in gas or liquid phase comprises hydrogenation-active metal on aluminum oxide support

Номер патента: DE19839459A1. Автор: Ekkehard Schwab,Michael Hesse,Gerald Meyer,Hans-Joachim Mueller,Peter Truebenbach. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2000-03-02.

Copper chromite catalyst and its use in preparation of furfuryl alcohol from furfural by batch or liquid phase process

Номер патента: ZA801034B. Автор: H Fineberg,L Frainier. Владелец: Ashland Oil Inc. Дата публикации: 1981-03-25.

Copper chromite catalyst and its use in preparation of furfuryl alcohol from furfural by batch or liquid phase process

Номер патента: GB2047219B. Автор: . Владелец: Ashland Oil Inc. Дата публикации: 1983-03-09.

Improvements in and connected with the catalytic treatment of carbonaceous materials in gaseous or liquid phase

Номер патента: GB394506A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1933-06-29.

Hydro-treating or hydro converting a heavy load type atmospheric residue or vacuum residue using a fixed bed reactor with descending flow of gas phase or liquid phase during a cycle of reverse flow of reaction fluids

Номер патента: FR2992971A1. Автор: Isabelle Guibard,Wilfried Weiss,Abdelhakim Koudil,Yacine HAROUN. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2014-01-10.

Aqueous organic sample e.g. dirt, biogeochemical reactivity determining method, involves carrying out micro-plate analysis of modifications of fluorescence emitted by mixture or liquid phase

Номер патента: FR2881524A1. Автор: Laurent Dupont,Emmanuel Guillon,Jean Luc Boudenne,Yves Dudal,Herve Quiquampoix. Владелец: Institut National de la Recherche Agronomique INRA. Дата публикации: 2006-08-04.

Process for the treatment of organic contaminants in solid or liquid phase wastes

Номер патента: EP0307242A1. Автор: Pauline Macura Brown,R.D. Samuel Stevens. Владелец: Solarchem Enterprises Inc. Дата публикации: 1989-03-15.

Agglomerated adsorbents and their preparation based on molecular sieve compounds, useful for the drying of organic compounds in gaseous or liquid phase

Номер патента: FR2850963A1. Автор: Dominique Plee. Владелец: Carbonisation et Charbons Actifs CECA SA. Дата публикации: 2004-08-13.

FABRICATION OF HIGHLY CO2 SELECTIVE METAL ORGANIC FRAMEWORK MEMBRANE USING LIQUID PHASE EPITAXY APPROACH

Номер патента: US20170203261A1. Автор: Eddaoudi Mohamed,BELMABKHOUT Youssef,SHEKHAH Osama. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

FABRICATION OF HIGHLY CO2 SELECTIVE METAL-ORGANIC FRAMEWORK MEMBRANE USING LIQUID PHASE EPITAXY APPROACH

Номер патента: US20190388846A1. Автор: Eddaoudi Mohamed,BELMABKHOUT Youssef,SHEKHAH Osama. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Crystal growing device for liquid phase epitaxy

Номер патента: JPH01179785A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Tatsuya Harada,洋 山本,達也 原田,Norihiro Okada,式博 岡田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1989-07-17.

Fabrication of highly co2 selective metal organic framework membrane using liquid phase epitaxy approach

Номер патента: WO2016014963A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Osama Shekhah. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-01-28.

Preparation method of transition metal-based SURMAOFs based on liquid phase epitaxy method

Номер патента: CN112920416A. Автор: 梁竞,刘进轩. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-06-08.

Field plate structures for gan high voltage transistors

Номер патента: US20220384586A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Pil Sung Park. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Transformer-based drive for gan devices

Номер патента: US20240128967A1. Автор: Kennith Kin Leong,Thomas Ferianz,Derek Bernardon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Transformer-based drive for gan devices

Номер патента: EP4358407A1. Автор: Kennith Kin Leong,Thomas Ferianz,Derek Bernardon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-24.

Bootstrap capacitor charging circuit for GaN devices

Номер патента: US09960620B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated bias supply, reference and bias current circuits for GaN devices

Номер патента: US09647476B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Level shift and inverter circuits for GaN devices

Номер патента: US09537338B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Pulsed level shift and inverter circuits for GaN devices

Номер патента: US11862996B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High accuracy current sensing for GaN power switching devices

Номер патента: US11831303B2. Автор: XueChao Liu,Ruoyu Hou. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

A kind of adaptive-biased field plate for GaN base HEMT device

Номер патента: CN104201201B. Автор: 张波,魏杰,杨超,罗小蓉,熊佳云,蔡金勇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-15.

Leakage barrier for GaN based HEMT active device

Номер патента: US8809137B2. Автор: Michael Wojtowicz,Rajinder Randy Sandhu,Michael Edward Barsky. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Interdigitated conductive lead frame or laminate lead frame for gan die

Номер патента: WO2007081806A2. Автор: Kunzhong Hu,Chuan Cheah. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-19.

GaN circuit drivers for GaN circuit loads

Номер патента: US09716395B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

GaN CIRCUIT DRIVERS FOR GaN CIRCUIT LOADS

Номер патента: US20170324263A1. Автор: Sharma Santosh,Kinzer Daniel Marvin,Zhang Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

GaN CIRCUIT DRIVERS FOR GaN CIRCUIT LOADS

Номер патента: US20190386503A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju. Владелец: NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2019-12-19.

Gate stack design for GaN E-mode transistor performance

Номер патента: CN109314135B. Автор: H·W·田,S·达斯古普塔,M·拉多萨夫列维奇,S·H·宋,S·K·加德纳. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-10.

Gas-detecting apparatus including gas sensor and method of detecting hydrogen using gas sensor

Номер патента: US20170307556A1. Автор: Satoru Fujii,Shunsaku Muraoka,Zhiqiang Wei,Kazunari HOMMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Top side cooling for GaN power device

Номер патента: US09881862B1. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated ESD Protection Circuit for GaN Based Device

Номер патента: US20180026029A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Chun Lin,Yu Jiun-Lei,Lin Ming-Cheng,LIN Yu-Syuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Integrated bias supply, reference and bias current circuits for gan devices

Номер патента: US20160079853A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

LEVEL SHIFT AND INVERTER CIRCUITS FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20160079978A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

THERMALLY ENHANCED ELECTRONIC PACKAGES FOR GAN POWER INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20220102251A1. Автор: Zhang Jason,Kinzer Daniel M.,Ribarich Thomas. Владелец: Navitas Semiconductor Limited. Дата публикации: 2022-03-31.

PULSED LEVEL SHIFT AND INVERTER CIRCUITS FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20200099241A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju Jason. Владелец: NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2020-03-26.

HIGH ACCURACY CURRENT SENSING FOR GaN POWER SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20220182048A1. Автор: Liu XueChao,Hou Ruoyu. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Passivation Structure For GaN Field Effect Transistor

Номер патента: US20190148498A1. Автор: Lee Eric,WOHLMUTH Walter Tony,YANG YU-KUO,LIN Che-Kai,CHO Forrest. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

BOOTSTRAP CAPACITOR CHARGING CIRCUIT FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20190148961A1. Автор: Sharma Santosh,Zhang Ju Jason,Kinzer Daniel Marvin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

BOOTSTRAP CAPACITOR OVER-VOLTAGE MANAGEMENT CIRCUIT FOR GaN TRANSISTOR BASED POWER CONVERTERS

Номер патента: US20180159529A1. Автор: De Rooij Michael A.,Reusch David C.,Glaser John. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD AND SYSTEM FOR GAN VERTICAL JFET UTILIZING A REGROWN GATE

Номер патента: US20160190351A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

GATE STACK DESIGN FOR GAN E-MODE TRANSISTOR PERFORMANCE

Номер патента: US20190221660A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

LEADLESS ELECTRONIC PACKAGES FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20160247751A1. Автор: Kinzer Daniel M.. Владелец: NAVITAS SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2016-08-25.

Growth of High-Performance III-Nitride Transistor Passivation Layer for GaN Electronics

Номер патента: US20140335666A1. Автор: Hobart Karl D.,Kub Francis J.,Anderson Travis J.,Koehler Andrew D.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2014-11-13.

CASCODE STRUCTURES FOR GaN HEMTs

Номер патента: US20140361341A1. Автор: Sriram Saptharishi,Radulescu Fabian,Sheppard Scott,Alcorn Terry. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Composite Substrate Used For GaN Growth

Номер патента: US20140377507A1. Автор: Sun Yongjian,Zhang Guoyi,Tong Yuzhen. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Pulsed level shift and inverter circuits for gan devices

Номер патента: US20160336926A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

GATE STACK DESIGN FOR GAN E-MODE TRANSISTOR PERFORMANCE

Номер патента: US20200403092A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Cascode structures for GaN HEMTs

Номер патента: US9679981B2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Cascode structures for gan hemts

Номер патента: WO2014200643A1. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

Direct growth of diamond in backside vias for gan hemt devices

Номер патента: WO2013142156A1. Автор: Michael Wojtowicz,Vincent Gambin,Rajinder Sandhu,Benjamin POUST. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2013-09-26.

Bootstrap capacitor over-voltage management circuit for gan transistor based power converters

Номер патента: WO2018102299A1. Автор: John Glaser,Michael A. de Rooij,David C. Reusch. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

Bootstrap capacitor charging circuit for GaN devices

Номер патента: US10333327B2. Автор: Daniel Marvin Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Leakage barrier for GaN based HEMT active device

Номер патента: US8026132B2. Автор: Michael Wojtowicz,Rajinder Randy Sandhu,Michael Edward Barsky. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Regrown Schottky structures for GAN HEMT devices

Номер патента: US8778747B2. Автор: Edward A. Beam, III. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Pulsed level shift and inverter circuits for GaN devices

Номер патента: US11404884B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ju Jason Zhang. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

STACKED CLIP DESIGN FOR GaN HALF BRIDGE IPM

Номер патента: US20240120308A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim,Woochan Kim,Vivek Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated failsafe pulldown circuit for gan switch

Номер патента: EP3745466B1. Автор: Kennith Kin Leong,Thomas Ferianz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

BANDWIDTH LIMITING METHODS FOR GAN POWER TRANSISTORS

Номер патента: US20150349727A1. Автор: Wood Simon,Flowers Mitchell,Milligan James W.. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-12-03.

Bandwidth limiting methods for GaN power transistors

Номер патента: US09641163B2. Автор: Simon Wood,James W. Milligan,Mitchell Flowers. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

GAS-DETECTING APPARATUS INCLUDING GAS SENSOR AND METHOD OF DETECTING HYDROGEN USING GAS SENSOR

Номер патента: US20170307556A1. Автор: Muraoka Shunsaku,WEI Zhiqiang,Fujii Satoru,Homma Kazunari. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets

Номер патента: US9623436B2. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Erik Roelof Loopstra,Bob Streefkerk,Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-04-18.

Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets

Номер патента: US10761438B2. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Erik Roelof Loopstra,Bob Streefkerk,Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2020-09-01.

Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets

Номер патента: US8638415B2. Автор: Johannes Catharinus Hubertus Mulkens,Erik Roelof Loopstra,Bob Streefkerk,Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2014-01-28.

Method for sterilisation using gas-discharge plasma of atmospheric pressure and device for its implementation

Номер патента: RU2638569C1. Автор: Александр Петрович Семенов,Баир Батоевич Балданов,Цыремпил Валерьевич Ранжуров,Чингис Норбоевич Норбоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-12-14.

Deodorant composition suitable for aldehyde-based gas or ketone-based gas

Номер патента: US12042777B2. Автор: Yoshinao Yamada,Atsushi TAKANOHASHI,Yuki UESUGI. Владелец: TOAGOSEI CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for preventing or reducing contamination enhanced laser induced damage (c-lid) to optical components using gas phase additives

Номер патента: US20140332084A1. Автор: Bruce H. Weiller,Randy M. Villahermosa,Jesse D. Fowler. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

System for rebalancing a pressure differential in a fuel cell using gas injection

Номер патента: WO2021262574A1. Автор: Joseph M. Daly,Robert S. Fournier,Thomas J. Voytek. Владелец: FuelCell Energy, Inc.. Дата публикации: 2021-12-30.

Focusing ions using gas dynamics

Номер патента: US20050151074A1. Автор: Rohan Thakur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Systems and methods for preventing or reducing contamination enhanced laser induced damage (C-LID) to optical components using gas phase additives

Номер патента: US09498846B2. Автор: Bruce H. Weiller,Randy M. Villahermosa,Jesse D. Fowler. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Preparation method for gan-based vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2021004181A1. Автор: 王灿,张保平,徐欢,应磊莹,许荣彬. Владелец: 厦门大学. Дата публикации: 2021-01-14.

System for rebalancing a pressure differential in a fuel cell using gas injection

Номер патента: EP4169101A1. Автор: Joseph M. Daly,Robert S. Fournier,Thomas J. Voytek. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Fuel cell and fuel cell use gas diffusion electrode

Номер патента: US09786925B2. Автор: Takashi Iijima,Hiroshi Kajiro,Kenichiro Tadokoro,Hideaki Sawada,Yoichi Matsuzaki. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Radiation detector using gas amplification, manufacturing method for radiation detector using gas amplification, and method for detecting radiation with radiation detector using gas amplification

Номер патента: EP3285092A4. Автор: Tomohisa Motomura,Kohei Oota,Motonori OONO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-12-12.

Radiation detector using gas amplification, manufacturing method for radiation detector using gas amplification, and method for detecting radiation with radiation detector using gas amplification

Номер патента: EP3285092B1. Автор: Tomohisa Motomura,Kohei Oota,Motonori OONO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2020-12-16.

GAS SENSOR INCLUDING METAL OXIDE LAYER AND HYDROGEN DETECTION METHOD USING GAS SENSOR

Номер патента: US20170276626A1. Автор: WEI Zhiqiang,Fujii Satoru,Homma Kazunari. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

HIGH-SPEED GAS SAMPLE ANALYSIS DEVICE USING GAS CHROMATOGRAPHY, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20180284082A1. Автор: JUNG Jong-Mo,OK Jong-Hoa,AHN Jeong-Ae. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Gas insulated circuit-breaker using gas vent guide

Номер патента: KR20120034981A. Автор: 송태헌,최명준,오시열,김연풍. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2012-04-13.

Process and plant for water removal from natural gas or industrial gases by physical solvents

Номер патента: RU2536511C2. Автор: Йоганнес МЕНЦЕЛЬ. Владелец: ТюссенКрупп Уде ГмбХ. Дата публикации: 2014-12-27.

Method for preparing fluorescent carbon quantum dots by using gas-liquid two-phase plasma

Номер патента: US20230002673A1. Автор: YUAN Li,Jing Gao,Guanjun ZHANG. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of obtaining alkylene oxide using gas-phase promoter system

Номер патента: RU2360908C2. Автор: Джулиана Г. СЕРАФИН,Хваили СУ,Липин ЧЖАН. Владелец: Дау Текнолоджи Инвестментс Ллс.. Дата публикации: 2009-07-10.

Reactors, systems and processes for fermentation with gas supply using gas/liquid separation vessels

Номер патента: RU2769130C2. Автор: Луан Тан НГУЙЕН,Джошуа А. СИЛЬВЕРМЕН,Грэм Иэн ЭЙЛЕН. Владелец: Калиста, Инк.. Дата публикации: 2022-03-28.

Direct reduction method of iron oxides to metallic iron, which uses gas of coke ovens or gas similar to it

Номер патента: RU2439165C2. Автор: Еугенио СЕНДЕХАС-МАРТИНЕС,Пабло-Энрике ДУАРТЕ-ЭСКАРЕНО. Владелец: Хил Текнолоджиз, С.А. Де К.В.. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for separating isotopes of lanthanides and thorium using gas centrifuge method

Номер патента: RU2753033C1. Автор: Сергей Васильевич Филимонов,Сергей Михайлович Зырянов,Александр Иванович Костылев,Сергей Георгиевич Князев,Александр Евгеньевич Мирославов,Вера Александровна Мазгунова,Наталья Александровна Корсакова,Дмитрий Витальевич Яценко. Владелец: Акционерное Общество "Производственное Объединение "Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ"). Дата публикации: 2021-08-11.

Method of producing synthetic gas or hydrogen by partial oxidation of fuel in cyclic multi-retort reactor and reactor for implementation thereof

Номер патента: RU2733605C1. Автор: Евгений Викторович Полианчик,Татьяна Владимировна Верницкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-10-05.

Method for the manufacture of ceramic filter materials for the capture of (ultra)fine particles from a gas or liquid stream

Номер патента: WO2008051076A2. Автор: Rudolf van Hardeveld,Jan Martinus Jozef Maria Bijen. Владелец: Jan Martinus Jozef Maria Bijen. Дата публикации: 2008-05-02.

Synthesis of aldonolactones, aldarolactones, and aldarodilactones using gas sparging

Номер патента: CA2571774A1. Автор: H. Keith Chenault. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Synthesis of aldonolactones, aldarolactones, and aldarodilactones using gas sparging

Номер патента: EP1773838A1. Автор: H. Keith Chenault. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-18.

Method and Apparatus for the Treatment of Water with a Gas or Nutrient Infused Liquid

Номер патента: US20150218023A1. Автор: Dennis Lapin,Brad McMahen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Austenitic stainless steel for high-pressure hydrogen gas or liquid hydrogen, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4403664A1. Автор: Nobuyuki Takahashi,Tomohiro Ando,Daisuke Kudo,Yoshihiko Koyanagi. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Austenitic stainless steel for high-pressure hydrogen gas or liquid hydrogen, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240247331A1. Автор: Nobuyuki Takahashi,Tomohiro Ando,Daisuke Kudo,Yoshihiko Koyanagi. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for the treatment of water with a gas or nutrient infused liquid

Номер патента: US09463991B2. Автор: Dennis Lapin,Brad McMahen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Constructive element for heat-conducting gas- or water pipes

Номер патента: RU2712161C1. Автор: Мартин ХААКЕ,Андреас ХАНЗЕН,Франк ЛЯЙСТРИТЦ. Владелец: Геберит Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2020-01-24.

Detecting harmful species in gas or vapour.

Номер патента: GB2265220A. Автор: Barry Gerald Dennis Haggett,Heather Maxted,David Michael Rawson,John Robin Paul Clarke. Владелец: Capteur Sensors and Analysers Ltd. Дата публикации: 1993-09-22.

System and method for optically monitoring the concentration of a gas, or the pressure, in a sample vial to detect sample growth

Номер патента: EP1234872A3. Автор: Timothy G. Foley,Nicholas R. Bachur Jr.,Patrick S. Beaty. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2004-02-11.

Synthesis of methyl carbamate and dimethyl carbonate (DMC) in presence of stripping with inert gas or superheated vapours and a reactor for the same

Номер патента: US09920000B2. Автор: Ashutosh Anant Kelkar,Anil Kisan Kinage,Vivek Vinayak Ranade,Vilas Hari Rane,Savita Kiran SHINGOTE,Lalita Sanjib ROY. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2018-03-20.

Vaccines, methods of administering vaccines, methods and products for treating and/or delaying onset of dysplastic lesions, and wafers for oral administration

Номер патента: US09895321B2. Автор: Robert E. Sievers,David McAdams,J'aime Manion,Pankaj Pathak,Stephen P. Cape. Владелец: AKTIV-DRY LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of restoration of water-flooded gas or gas condensate well after hydraulic fracturing of formation

Номер патента: RU2740986C1. Автор: Рамидин Акбербубаевич Саркаров,Вячеслав Васильевич Селезнев,Алина Рамидиновна Раджабова. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2021-01-22.

Method for hydraulic fracturing of oil, gas or gas condensate formation

Номер патента: RU2723806C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Татьяна Модестовна Юмашева,Сергей Сергеевич Ловков,Егор Владимирович Шутко,Игорь Алексеевич Киселев,Константин Витальевич Торопов,Алексей Владимирович Пестриков,Олег Владимирович Евсеев,Сергей Николаевич Матвеев,Семен Сергеевич Кудря. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2020-06-17.

Method of removal of haloid compounds contained in gas or in liquid by means of composition on base of one of metals

Номер патента: RU2217208C2. Автор: Филипп ЛАВАЛЬ,Гофф Пьер-Ив Ле. Владелец: Энститю Франсэ Дю Петроль. Дата публикации: 2003-11-27.

Device for plasma-chemical conversion of a gas or gas mixture using a bipolar corona discharge

Номер патента: RU2753876C1. Автор: Сергей Николаевич Ким. Владелец: Сергей Николаевич Ким. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for forming reversible colloidal gas or liquid aphrons and compositions produced

Номер патента: US6022727A. Автор: Alec B. Scranton,Robert Mark Worden. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2000-02-08.

Improvements relating to gas or vapour absorption apparatus

Номер патента: GB569607A. Автор: . Владелец: INTERNAT FURNACE EQUIPMENT COM. Дата публикации: 1945-05-31.

Metal oxides with improved resistance to reduction for use in removing trace impurities from a gas or liquid

Номер патента: CA2608584C. Автор: Peter Rumfola, III,Vladislav Ivanov Kanazirev. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2015-02-10.

Obtaining solid material based on zinc dioxide, suitable for gas or liquid purification

Номер патента: RU2526987C2. Автор: Жозеф ЛОПЕС,Марк-Антуан ЛЕЛИА,Дэльфин БАЗЕР-БАШИ,Давид ШИШ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2014-08-27.

Catalyst for production of hydrocarbons from synthesis gas or oxygenated organic compounds

Номер патента: CA1290736C. Автор: Jacques Monnier,Serge Kaliaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-10-15.

Synthesis of methyl carbamate and dimethyl carbonate (dmc) in presence of stripping with inert gas or superheated vapours and a reactor for the same

Номер патента: WO2014072803A4. Автор: Ashutosh Anant Kelkar,Anil Kisan Kinage,Vivek Vinayak Ranade,Savita Kiran SHINGOTE,Lalita Sanjib ROY,Vilas Hari PANE. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2014-07-03.

Synthesis of methyl carbamate and dimethyl carbonate (dmc) in presence of stripping with inert gas or superheated vapours and a reactor for the same

Номер патента: WO2014072803A8. Автор: Ashutosh Anant Kelkar,Anil Kisan Kinage,Vivek Vinayak Ranade,Vilas Hari Rane,Savita Kiran SHINGOTE,Lalita Sanjib ROY. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2015-10-15.

MULTISENSOR ARRAY FOR DETECTION OF ANALYTES OR MIXTURES THEREOF IN GAS OR LIQUID PHASE

Номер патента: US20130096030A1. Автор: Nielsen Kent Albin,Boisen Anja,Jeppesen Jan Oskar,Kostesha Natalie,Johnsen Carsten,Jakobsen Mogens Havsteen. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

Preparation of submicron sized nanoparticles via dispersion and solvent or liquid phase removal

Номер патента: CA2461349C. Автор: Shmuel Sternberg,Mark J. Doty,James E. Kipp,Sean Brynjelsen,Andrew J. Dunham,Nailesh Jayswal,Krishnaswamy Narayanan. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2011-11-29.

NANOPARTICLES OF METALLIC OXIDES SUPPORTED ON GLASS AND/OR VITROCERAMIC FOAM AND THEIR USE IN HETEROGENEOUS CATALYSIS IN GASEOUS AND/OR LIQUID PHASES

Номер патента: FR3106763B1. Автор: Annabelle Couvert,Alain Roucoux,Audrey Denicourt,Pierre-François Biard,Ronan Lebullenger,Audrey Cabrol,Antoine Lejeune. Владелец: ECOLE NAT SUPERIEURE DE CHIMIE. Дата публикации: 2022-02-25.

Non-corrodable three-electrode sensor, with external electrodes, for gas- or liquid-phase analysis by ionisation produced by a variable electric, magnetic or electromagnetic field

Номер патента: FR2560994A1. Автор: . Владелец: Lacaze Pierre. Дата публикации: 1985-09-13.

For being distributed the system of gas phase and/or liquid phase in the reaction chamber

Номер патента: CN109894054A. Автор: E·尼德尔科恩,J·德尔特尔,D-J·维内尔. Владелец: Axens SA. Дата публикации: 2019-06-18.

For being distributed the system and reaction chamber of gas phase and/or liquid phase in the reaction chamber

Номер патента: CN208771380U. Автор: E·尼德尔科恩,J·德尔特尔,D-J·维内尔. Владелец: Axens SA. Дата публикации: 2019-04-23.

Metal oxide nanoparticles supported on glass foams and/or glass ceramic foams and use thereof for heterogeneous catalysis in the gas and/or liquid phase

Номер патента: CN115279489A. Автор: A·劳考克斯,A·德尼考尔特,P-F·比亚尔德,A·考维尔特,R·勒布赖恩格尔,奥德丽·卡布罗尔,安东尼·勒热纳. Владелец: Rennes National Academy Of Applied Sciences. Дата публикации: 2022-11-01.

NANOPARTICLES OF METAL OXIDES SUPPORTED ON GLASS AND / OR VITROCERAMIC FOAMS AND THEIR USE IN HETEROGENOUS CATALYSIS IN GAS AND / OR LIQUID PHASES

Номер патента: FR3106763A1. Автор: Annabelle Couvert,Alain Roucoux,Audrey Denicourt,Pierre-François Biard,Ronan Lebullenger,Audrey Cabrol,Antoine Lejeune. Владелец: ECOLE NAT SUPERIEURE DE CHIMIE. Дата публикации: 2021-08-06.

Preparation of submicron sized nanoparticles via dispersion and solvent or liquid phase removal

Номер патента: AU2002337692B2. Автор: Shmuel Sternberg,Mark J. Doty,James E. Kipp,Sean Brynjelsen,Andrew J. Dunham,Nailesh Jayswal,Krishnaswamy Narayanan. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Tank for chemicals or liquid-phase gas supply

Номер патента: KR101198887B1. Автор: 고재만,오재철,유원양. Владелец: (주)이노메이트. Дата публикации: 2012-11-07.

Credit card with luminous pattern or liquid phase pattern

Номер патента: KR20110088253A. Автор: 정인숙,김혜옥. Владелец: (주)브랜드웍스. Дата публикации: 2011-08-03.

Method and system to extract and separate solute from an insoluble composition using an inclined screw conveyor in a pressurized chamber in which the composition is mixed with solvent gas in supercritical or liquid phase, to create a dense biphasic gas, and the conveyor is rotated to separate the absolute

Номер патента: CL2009001962A1. Автор: J Waibel Brian,Morton Wayne,M Cope Sandra. Владелец: Accudyne Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-25.

Metal oxide nanoparticles supported on glass foams and/or glass ceramic foams and their use for heterogeneous catalysis in a gaseous and/or liquid phase

Номер патента: WO2021156571A1. Автор: Annabelle Couvert,Alain Roucoux,Audrey Denicourt,Pierre-François Biard,Ronan Lebullenger,Audrey Cabrol,Antoine Lejeune. Владелец: INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE RENNES. Дата публикации: 2021-08-12.

Preparation of submicron sized nanoparticles via dispersion and solvent or liquid phase removal

Номер патента: IL160570A0. Автор: . Владелец: Baxter Int. Дата публикации: 2004-07-25.

DEVICE FOR FINE AND FINE GRINDING OF GOOD IN POWDER OR LIQUID PHASE

Номер патента: DE2314768A1. Автор: Friedrich J Dipl Ing Zucker. Владелец: Supraton Aurer and Zucker oHG Firma. Дата публикации: 1974-10-03.

Metal oxide nanoparticles supported on glass foams and/or glass ceramic foams and their use for heterogeneous catalysis in a gaseous and/or liquid phase

Номер патента: EP4100158A1. Автор: Annabelle Couvert,Alain Roucoux,Audrey Denicourt,Pierre-François Biard,Ronan Lebullenger,Audrey Cabrol,Antoine Lejeune. Владелец: INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE RENNES. Дата публикации: 2022-12-14.

Measurement method and measurement device using gas sensor

Номер патента: US12078627B2. Автор: Takahiro Nemoto,Masaaki Matoba,Genki Yoshikawa,Kosuke Minami. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for direct production of sponge iron using gas-oxygen conversion and shaft furnace therefor

Номер патента: RU2590031C1. Автор: Сергей Иванович Кретов,Сергей Николаевич Евстюгин,Борис Александрович Боковиков,Ринат Иршатович Исмагилов,Анатолий Иванович Панченко,Валерий Александрович Горбачёв,Андрей Александрович Солодухин,Александр Васильевич Козуб,Владимир Юрьевич Поволоцкий,Эдуард Владимирович Докукин,Игорь Николаевич Гридасов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное внедренческое предприятие ТОРЭКС". Дата публикации: 2016-07-10.

Improved method and system for cooling hydrocarbon flow using gas-phase coolant

Номер патента: RU2727500C1. Автор: Говри КРИШНАМУРТИ,Марк Джулиан РОБЕРТС. Владелец: Эр Продактс Энд Кемикалз, Инк.. Дата публикации: 2020-07-21.

System and method of controlling pressure in annular space of well shaft using gas-lift in return line of drilling mud

Номер патента: RU2586129C1. Автор: Дональд Г. Рейтсма,Яван КУТЮРЬЕ,Оссама Р. СЕХСАХ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of stunning pigs using gas and slaughterhouse for slaughtering pigs

Номер патента: WO2024158281A1. Автор: Johannes Martinus Meulendijks,Franciscus Theodorus Henricus Johannes Van Der Steen,Heinz MADSEN,Leif Lykke,Anna Ærenlund ANDERSEN. Владелец: Marel Red Meat B.V.. Дата публикации: 2024-08-02.

Medical ventilator with pneumonia and pneumonia bacteria disease analysis function by using gas recognition

Номер патента: US20170164873A1. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Chia-Hung Li,Yu-Hsuan Liao. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Ice intake manifold supercharging system that exploits used gas energy

Номер патента: RU2572154C2. Автор: Игорь Юрьевич Исаев. Владелец: Игорь Юрьевич Исаев. Дата публикации: 2015-12-27.

Used gas heat exchanger, particularly, used gas cooler for circulation of used gases in vehicles

Номер патента: RU2511930C2. Автор: Рольф БРЮК,Йенс РУКВИД,Петер ГЕСКЕС,Ульрих МАУХЕР,Андреас ШЕЕДЕР. Владелец: Эмитек Гезелльшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of using gas-air thermodynamic cycle for increasing efficiency of small turbo-engine

Номер патента: RU2735880C1. Автор: Владимир Михайлович Криловецкий. Владелец: Владимир Михайлович Криловецкий. Дата публикации: 2020-11-09.

Patient interface for using gas delivery to the user

Номер патента: RU2648219C2. Автор: Хармина Христина ЗЕЙЛСТРА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for heating an atmospheric evaporator using gas coming from a cryogenic air separation unit

Номер патента: RU2750351C2. Автор: Жан-Марк ПЕРОН,Фабрис РИВОАЛЬ,Лянь-Мин Сунь. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2021-06-28.

Method for separation of waste gas or smoke produced in process of fuel oxidation, and extraction of carbon dioxide from it

Номер патента: RU2349371C2. Автор: Эрманно Филиппи,Федерико ДЗАРДИ. Владелец: Аммониа Касале С.А.. Дата публикации: 2009-03-20.

Method for liquidation of spills of liquefied natural gas or liquefied petroleum gas by hybrid foam and the system for its use

Номер патента: RU2744719C1. Автор: Геннадий Николаевич Куприн,Денис Сергеевич Куприн,Алексей Геннадьевич Куприн,Сергей Геннадьевич Куприн. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПО «Современные пожарные технологии». Дата публикации: 2021-03-15.

Method of operation of gas or gas condensate well with self-contained pump for supply of surfactants for removal of liquid from bottom

Номер патента: RU2706980C1. Автор: Андрей Дмитриевич Балашов. Владелец: Андрей Дмитриевич Балашов. Дата публикации: 2019-11-21.

Control device using gas jets for a guided missile

Номер патента: US4482107A. Автор: Pierre Metz. Владелец: Thomson-Brandt SA. Дата публикации: 1984-11-13.

Portable electrical energy produced from waste gas or liquid

Номер патента: US12018569B2. Автор: John Petersen,Darton J. ZINK,Rex K. ISAACS. Владелец: Zeeco Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Radiation detector using gas amplification and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120227260A1. Автор: Osamu Shimada,Tomohisa Motomura. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Encapsulated gas or partial vacuum ct contrast material

Номер патента: US20240237959A1. Автор: Benjamin M. Yeh,Yanjun Fu. Владелец: United Sttes Government Represented By Th E Department Of Veterans Affairs AS. Дата публикации: 2024-07-18.

Radiation detector using gas amplication and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321652A1. Автор: Tomohisa Motomura,Oasmu SHIMADA. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-12-31.

Device at a nozzle for regulation of gas or fluid

Номер патента: EP1497041A1. Автор: Per Johansson. Владелец: Eltex of Sweden AB. Дата публикации: 2005-01-19.

Method and device for combusting a gas or fuel-oxidising agent mixture

Номер патента: RU2442075C2. Автор: Ларри В. ФУЛЛЕРТОН. Владелец: САУНДБЛАСТ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-02-10.

Method for localising spills of liquefied natural gas or liquefied hydrocarbon gas with hybrid foam and system for implementation thereof

Номер патента: RU2757106C1. Автор: Геннадий Николаевич Куприн,Алексей Геннадьевич Куприн,Сергей Геннадьевич Куприн. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПО «Современные пожарные технологии». Дата публикации: 2021-10-11.

Operating method for water-flooded gas or gas condensate well

Номер патента: RU2708430C1. Автор: Рамидин Акбербубаевич Саркаров,Вячеслав Васильевич Селезнев,Сергей Александрович Мельников,Алина Рамидиновна Раджабова. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2019-12-06.

Method of quantitatively analyzing 11 amide alkaloids in tobacco leaves using gas chromatography-tandem mass spectrometry

Номер патента: US20230152284A1. Автор: YONG Li,Tao Pang,Xiaopeng DENG,Junli Shi. Владелец: Yunnan Academy of Tobacco Agricultural Sciences. Дата публикации: 2023-05-18.

A filling means and a method of evacuating, pressure-filling and levelling gas or liquid to closed circuits

Номер патента: WO2005123572A1. Автор: Morten KLIETSCH,Tove Clausen. Владелец: Agramkow Fluid Systems A/S. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and smoke detector arranged to detect a gas or gases released in an ambient by a sanitation procedure

Номер патента: WO2024141778A1. Автор: Sergio Salustio,Arlete RODRIGUES. Владелец: Bosch Security Systems - Sistemas De Segurança, S.A. Дата публикации: 2024-07-04.

Gas or dual fuel engine

Номер патента: US09605602B2. Автор: Arvind Sivasubramanian,Daniel Wester,Adam STUBBS,Eike Sixel,Rodney Stazicker,Aradhita Subirkumar Chakrabarty,Michael Andrew Snopko. Владелец: Caterpillar Motoren GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for liquefying a gas or cooling a feed gas at supercritical pressure

Номер патента: US09435582B2. Автор: Arthur Darde,Xavier Traversac. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-09-06.

Device for pressure transfer of gas or liquid

Номер патента: RU2633500C1. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Вячеслав Михайлович Полунин,Николай Сергеевич Кобелев,Ирина Александровна Шабанова,Анастасия Михайловна Стороженко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2017-10-12.

Method for determining volumetric activity of tritium in combustible natural gas or associated oil gas of wells of oil and gas deposits

Номер патента: RU2696811C1. Автор: Светлана Юрьевна Артамонова,Галина Владимировна Симонова,Андрей Геннадьевич Шмаков,Галина Григорьевна Дульцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН). Дата публикации: 2019-08-06.

Film and packaging for gas or vapor decontaminable packaging and methods decontaminating packages

Номер патента: US20240227345A9. Автор: Patrick Wolf,Gregor Fritz DEUTSCHLE,Volker Rupertus. Владелец: Schott Pharma AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-07-11.

Insect guard for an aspirated smoke, gas, or air quality monitoring systems and devices

Номер патента: US20240224987A1. Автор: Kemal Ajay,Deepakumar Subbian. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of soft tissue emulsification using a mechanism of ultrasonic atomization inside gas or vapor cavities and associated systems and devices

Номер патента: US09498651B2. Автор: Lawrence A. Crum,Michael R. Bailey,Oleg A. Sapozhnikov,Yak-Nam Wang,Tatiana D. Khokhlova,Vera A. Khokhlova,Julianna C. Simon. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-11-22.

Gas or fluid transportation fixture arm and nab-bang valve

Номер патента: RU2562325C2. Автор: Гюнтер ВОДАРА,Др. Ханнес КЕЛЛЕРМАНН. Владелец: Фёникс Арматурен-Верке Брегель ГмбХ. Дата публикации: 2015-09-10.

Centrifugal compression of moist gas or expansion with device of protection against liquid piston and/or spray device

Номер патента: RU2552083C2. Автор: Стенли О. Аптигроув. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of hydraulic fracturing of oil, gas or gas-condensate formation

Номер патента: RU2723817C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Максим Сергеевич Антонов,Константин Витальевич Торопов,Алексей Владимирович Пестриков,Александр Валерьевич Колонских,Олег Владимирович Евсеев,Владислав Валерьевич Назаревич. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2020-06-17.

Piezoelectric sensor for measuring quick-changing gas or liquid pressure

Номер патента: RU2650735C1. Автор: Антон Вячеславович Александров,Иван Алексеевич Долгов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Контроль.Измерение.Диагностика". Дата публикации: 2018-04-17.

System and method for remote quantitative detection of fluid leaks from a natural gas or oil pipeline

Номер патента: US6822742B1. Автор: John P. Spoonhower,Hooshmand M. Kalayeh,Gustavo R. Paz-Pujalt. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-11-23.

System and procedure for remote quantitative detection of fluid leaks in pipeline of natural gas or oil

Номер патента: RU2362986C2. Автор: Хушманд М. КАЛАЙЕХ,Густаво Р. ПАЗ-ПУДЖАЛТ,Джон П. СПУНХАУЭР. Владелец: Ай Ти Ти Мэньюфэкчуринг Энтерпрайзиз, Инк.. Дата публикации: 2009-07-27.

Device for separation of water drops from gas or steam flow

Номер патента: RU2552556C2. Автор: Кристиан Петер ШТУКИ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-06-10.

Improvements relating to gas or electric cooker hotplates

Номер патента: GB868307A. Автор: Arthur Frederick Oatley. Владелец: Oatley Technical Dev. Дата публикации: 1961-05-17.

Gas- or gel-filled silicone cushion for treatment of keloid and hypertrophic scars

Номер патента: CA2240171A1. Автор: Bernard Hirshowitz,Ella Lindenbaum,Yaron Har-Shai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-30.

Gas or vapour sensing assembly

Номер патента: GB2332525A. Автор: Max Chesney Carcas. Владелец: City Technology Ltd. Дата публикации: 1999-06-23.

Portable electrical energy produced from waste gas or liquid

Номер патента: WO2019246238A1. Автор: John Petersen,Darton J. ZINK,Rex K. ISAACS. Владелец: ZEECO, INC.. Дата публикации: 2019-12-26.

A method for building an offshore oil, gas or wind farm platform, and a lifting device

Номер патента: NL2032730B1. Автор: Van Kerchove Petrus. Владелец: Iv Groep B V. Дата публикации: 2024-02-16.

A method for building an offshore oil, gas or wind farm platform, and a lifting device

Номер патента: EP4321688A1. Автор: Petrus Van Kerchove. Владелец: Iv Groep BV. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for obtaining a model for a spectrometer or a spectroscope and method for evaluating a spectrum of a gas or gas mixture detected by a spectrometer or spectroscope

Номер патента: WO2024040214A2. Автор: Kevin LUDLUM. Владелец: Endress+Hauser Optical Analysis, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Cooking oven with oxygenating gas or ozone generating means and method for operating the same

Номер патента: AU2008266575A1. Автор: Fabienne Reinhard-Herrscher,Thomas Fich Pedersen,Kersten Kaiser. Владелец: Electrolux Home Products Corp NV. Дата публикации: 2008-12-24.

Means for removal of malodorous gas or air from enclosed spaces

Номер патента: WO1998010689A2. Автор: Shmuel Saghi. Владелец: Saghi - Solutions In Industry Ltd.. Дата публикации: 1998-03-19.

Modular aspirated smoke, gas, or air quality monitoring systems and devices

Номер патента: EP3985632A1. Автор: Ajay Kemal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Modular aspirated smoke, gas, or air quality monitoring systems and devices

Номер патента: EP4439511A2. Автор: Ajay Kemal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Ostomy appliance and an adhesive wafer for such appliance

Номер патента: US09629743B2. Автор: Christen Grum-Schwensen. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Liquefying of high-pressure natural gas or low-pressure associated oil gas

Номер патента: RU2528460C2. Автор: Александр Дмитриевич Савчук,Валентин Николаевич Косенков,Александр Николаевич Лазарев. Владелец: Валентин Николаевич Косенков. Дата публикации: 2014-09-20.

Perfected apparatus for separation of fluid drops caught by gas or vapour

Номер патента: RU2552479C2. Автор: Седрик ВЕССИЛЛЕР. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-06-10.

Improvements in or relating to coin-freed mechanisms for gas or similar meters

Номер патента: GB648586A. Автор: . Владелец: ROY ROBERT RITSON DOUGLAS. Дата публикации: 1951-01-10.

Exhaust-gas duct system for gas or oil-heated apparatus

Номер патента: GB1349602A. Автор: . Владелец: Joh Vaillant GmbH and Co. Дата публикации: 1974-04-10.

Improvements in, and relating to, the Lubricating of the Pulleys Supporting the Weights of Weight-operated Petrol-gas or Air-gas Generating Plants.

Номер патента: GB191412466A. Автор: Herbert William Mills Willett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1915-08-20.

Improvements in or relating to hot plates heated by electric, gas or spirit flat irons

Номер патента: GB341286A. Автор: . Владелец: DONALD BERTRAM SCOTT MARSHALL. Дата публикации: 1931-01-15.

Improvements in and relating to the Control of Gas or like Systems or Burners.

Номер патента: GB191007727A. Автор: John Anderson,John Mackay. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-05-01.

Improvements in or relating to gas or other cookers

Номер патента: GB553799A. Автор: . Владелец: Turley & Williams Ltd. Дата публикации: 1943-06-07.

Improved method of cooling the gas or liquid coolant of a turbo-generator and apparatus therefor

Номер патента: GB1035806A. Автор: Adolf Frankel. Владелец: Richardsons Westgarth and Co Ltd. Дата публикации: 1966-07-13.

Improvements in or relating to gas or oil heated furnaces of the crucible type

Номер патента: GB181452A. Автор: . Владелец: STOCKPORT FURNACES Ltd. Дата публикации: 1922-06-09.

A pellet for an air, gas or spring operated gun

Номер патента: GB2110347A. Автор: Lucien John Camilleri. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-06-15.

Sealing film and packaging for gas or vapor decontaminable packaging applications

Номер патента: US20240033181A1. Автор: Patrick Wolf. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Film and packaging for gas or vapor decontaminable packaging and methods decontaminating packages

Номер патента: US11912008B2. Автор: Patrick Wolf,Gregor Fritz DEUTSCHLE,Volker Rupertus. Владелец: Schott Pharma AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-02-27.

Sealing film and packaging for gas or vapor decontaminable packaging applications

Номер патента: EP4311670A1. Автор: Patrick Dr. Wolf. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-01-31.

A filling means and a method of evacuating, pressure-filling and levelling gas or liquid to closed circuits

Номер патента: EP1765722A1. Автор: Tove Agramkow Fluid Systems A/S CLAUSEN,Morten Agramkow Fluid Systems A/S KLIETSCH. Владелец: Agramkow Fluid Systems AS. Дата публикации: 2007-03-28.

Film and packaging for gas or vapor decontaminable packaging and methods decontaminating packages

Номер патента: US20240131815A1. Автор: Patrick Wolf,Gregor Fritz DEUTSCHLE,Volker Rupertus. Владелец: Schott Pharma AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for checking whether a pipe filled at least partly with a gas, or a discharge appliance connected thereto, is connected to a first sewer system

Номер патента: EP2386004A1. Автор: Johannes Maria Moons. Владелец: Johannes Maria Moons. Дата публикации: 2011-11-16.

Method and system for checking whether a pipe filled at least partly with a gas, or a discharge appliance connected thereto, is connected to a first sewer system

Номер патента: WO2010080031A1. Автор: Johannes Maria Moons. Владелец: Johannes Maria Moons. Дата публикации: 2010-07-15.

Pressure reduction plant for a gas or gas mixture

Номер патента: WO2009131477A2. Автор: Antonio Jose Silva Valente. Владелец: Partex Services Portugal - Serviços Para A Indústria Petrolífera, S.A.. Дата публикации: 2009-10-29.

Pressure reduction plant for a gas or gas mixture

Номер патента: WO2009131477A3. Автор: Antonio Jose Silva Valente. Владелец: Partex Services Portugal - Serviços Para A Indústria Petrolífera, S.A.. Дата публикации: 2011-11-17.

Gas or fluid transfer system with double absorption compression apparatus and double chamber

Номер патента: WO2024058754A1. Автор: Hamit AYKAÇ. Владелец: Aykac Hamit. Дата публикации: 2024-03-21.

Overpressure protection system on filling with gas or cryogenic liquid and mode of operation

Номер патента: GB2620263A. Автор: José Correia De Sousa Neiva Miguel,Manuel Paiva Santos Ricardo,Gabriel Rocha Gonçalves Jacinto José. Владелец: Vinco Valvulas S A. Дата публикации: 2024-01-03.

Test device and system for a detector based on the detection of a gas or of a gas/particle mixture

Номер патента: US11867678B2. Автор: David Schatz,Norbert Daniele,Roland Pelisson,Christophe DALL'OMO,Nicolas DEPARIS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for monitoring of oxidative gas or vapor

Номер патента: EP1308718A3. Автор: Henry K. Hui,Anthony Lemus,Szu-Min Lin,Ben Fryer,Debra Timm,Keith Engstrom. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2005-01-26.

Pressure reduction plant for a gas or gas mixture

Номер патента: EP2614226A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for injecting non-condensable gas or in-situ combustion to recover remaining oil in a heavy oil reservoir with bottom water

Номер патента: US20210262331A9. Автор: QI JIANG,Dong Wang,Zhibin Wang,Siyuan Huang,Zhongyuan WANG,Changhao HU. Владелец: Heavy Oil Development Institute Liaohe Oilfield Exploration And Development Research Institute Pet. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of penis elongation and thickening using cell transplantation

Номер патента: RU2708788C2. Автор: Алексей Вячеславович Ковалев,Осама Асаад. Владелец: Осама Асаад. Дата публикации: 2019-12-11.

Petroleum, gas or geothermal driling apparatus

Номер патента: US5343964A. Автор: Andre Leroy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-09-06.

A clothes drying rack for use in association with a gas or electric cooker

Номер патента: GB741092A. Автор: . Владелец: TURLEY AND WILLIAMS Ltd. Дата публикации: 1955-11-23.

Batteryless signal transmitter having a wiegand sensor for gas or water meters

Номер патента: CA2902083C. Автор: George Efimov,Michael Mixner. Владелец: Hengstler GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Improvements in gas or oil fired air heaters

Номер патента: GB368482A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1932-03-10.

Mixer for mixing at least two flows of gas or other newtonian liquids

Номер патента: CA2350961C. Автор: Miroslav Podhorsky,Michael Kaatz,Hans Ruscheweyh. Владелец: Balcke Duerr Gmbh. Дата публикации: 2005-08-16.

Passively locating a porous oil, gas or water saturated system giving off its characteristic resonance response to ambient background noise

Номер патента: CA2678289C. Автор: Hannes G. Zuercher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-09.

Retroffitable safety shut-off valve for gas or liquid meter

Номер патента: US5603345A. Автор: Richard Franklin,Robert Salazar,William Osburn. Владелец: Pacific Enterprises. Дата публикации: 1997-02-18.

Method of improving the production of a mature gas or oil field

Номер патента: CA2801803C. Автор: Bruno Heintz,Jean-Marc Oury,Hugues De Saint Germain,Remi Daudin,Benoit Desjardins. Владелец: FOROIL. Дата публикации: 2018-10-16.

Insect guard for an aspirated smoke, gas, or air quality monitoring systems and devices

Номер патента: US11849716B2. Автор: Kemal Ajay,Deepakumar Subbian. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Valve for controlling exhaust gas or fresh air in a drive unit of a motor vehicle or generator

Номер патента: US20210317792A1. Автор: Eusebio-Marius Albert,Razvan-George GAVRILA. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2021-10-14.

Floating structure comprising a system for supplying a consumer with a fuel prepared from liquefied natural gas or a mixture of methane and an alkane comprising at least two carbon atoms

Номер патента: US20240218978A1. Автор: Pavel Borisevich,Ezequiel ORLANDI. Владелец: Gaztransport et Technigaz SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Wafer for an ostomy bag

Номер патента: AU2022272011A1. Автор: Luke Harry BATCHELOR,Duale Abdirahman Mohamed MAHDI. Владелец: Welland Medical Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Wafer for testing and a test system

Номер патента: US09684053B2. Автор: Tetsuya Kuitani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and system for optimization of operation of water-flooded gas or gas condensate well

Номер патента: RU2741173C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for mixing liquid, solids and gas and for simultaneously separating gas or gas and solids from the liquid

Номер патента: US5248485A. Автор: Launo L. Lilja,Valto J. Makitalo,Stig-Erik Hultholm,Bror G. Nyman. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 1993-09-28.

Assembly and method for production of gas, or gas and condensate/oil

Номер патента: CA2711376C. Автор: Harald Underbakke. Владелец: Statoil Petroleum ASA. Дата публикации: 2016-05-03.

Ultrasonic contrast agent with polymeric gas or air filled microballoons

Номер патента: US5840275A. Автор: Philippe Bussat,Daniel Bichon,Michel Schneider. Владелец: Bracco International BV. Дата публикации: 1998-11-24.

Safety device for an apparatus under gas or vapor pressure

Номер патента: US5861126A. Автор: Daniel Bajolet. Владелец: Industrie Chimique Mulhouse Dornach. Дата публикации: 1999-01-19.

Monitor for determining an unknown property of a gas or vapor sample

Номер патента: CA1205916A. Автор: Paul J. Kuchar,Robert W. Sampson,Ronald F. Pacanowski. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1986-06-10.

Improvements in Pistons and Piston Rings as Applied to Steam, Gas or Oil Engines, Hydraulic Pumps, and the like.

Номер патента: GB191323136A. Автор: Herbert Edward Childs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1914-05-07.

Valve assembly and method of controlling fluid flow in an oil, gas or water well

Номер патента: WO2018087521A1. Автор: James Edward Atkins,Jonathan Peter Buckland. Владелец: M-I DRILLING FLUIDS U.K. LIMITED. Дата публикации: 2018-05-17.

Online detection system for type identification and activity measurement of radiations in gas or liquid

Номер патента: US20230350084A1. Автор: FENG CHENG,Gang Li,Ming Wang,Yi Gu,Fei Li,Weinan Li,Qingxian Zhang,Muhao ZHANG,Chunhui Dong,Qichang Huang,Lingfeng WEI,Jingxin Zuo,Weixin Peng,Kaiyong Liao. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-11-02.

Spray gun having a passageway and a valve for controlling the flow of a gas or mixture of gases through the passageway

Номер патента: NZ555257A. Автор: Kevin L Alexander. Владелец: Illinois Tool Works. Дата публикации: 2010-10-29.

Method of arranging ring segments on a wafer for functionalized layers of an ophthalmic lens

Номер патента: CA2807715A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Daniel B. Otts,Randall B. Pugh,James Daniel Riall,Adam Toner. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Rack for supporting wafers for treatment

Номер патента: US4653650A. Автор: Karl A. Schulke. Владелец: Heraeus Quarzschmelze GmbH. Дата публикации: 1987-03-31.

Apparatus for effecting alignment and spacing control of a mask and wafer for use in X-ray lithography

Номер патента: US4472824A. Автор: W. Derek Buckley. Владелец: Perkin Elmer Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Body attachment wafer for an ostomy device

Номер патента: US9039668B2. Автор: Anna Svensby,Päranders Wärja,Sofia Lundgren. Владелец: Molnycke Health Care AB. Дата публикации: 2015-05-26.

Wafer for use in selective connecting and disconnecting of plastic tubes

Номер патента: CA2302728A1. Автор: Dudley W.C. Spencer. Владелец: Denco Inc. Дата публикации: 2000-10-06.

Thinning of a si wafer for mems-sensors applications

Номер патента: CA2610693C. Автор: Jari Mäkinen,Vesa-Pekka Lempinen,Markku Tilli. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2015-07-14.

Wafer for carrying biological sample

Номер патента: US20240033726A1. Автор: Hector Zenil,Jürgen Hermann Richard Riedel,Isaac Gerald Frederick Jones. Владелец: Oxford Immune Algorithmics Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Wafer For Frozen Confections

Номер патента: US20130309383A1. Автор: Maureen Elizabeth Fagan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-21.

Polarizing pva wafer for reducing optical distortion

Номер патента: EP4371750A1. Автор: Tony Dantas De Morais,Carlos Omar GONZALEZ,Aaron POLANCO DOMINGUEZ. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2024-05-22.

Polarizing pva wafer for reducing optical distortion

Номер патента: WO2024105274A1. Автор: Tony Dantas De Morais,Carlos Omar GONZALEZ,Aaron POLANCO DOMINGUEZ. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2024-05-23.

Wafer for carrying biological sample

Номер патента: EP4267299A1. Автор: Hector Zenil,Jürgen Hermann Richard Riedel,Isaac Gerald Frederick Jones. Владелец: Oxford Immune Algorithmics Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Wafer for an ostomy bag

Номер патента: EP4337271A1. Автор: Luke Harry BATCHELOR,Duale Abdirahman Mohamed MAHDI. Владелец: Welland Medical Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Wafer for testing and a test system

Номер патента: US20150268275A1. Автор: Tetsuya Kuitani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for GaN single crystal

Номер патента: KR100450784B1. Автор: 한재용. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Linear spray head for gan material growth

Номер патента: EP4067532A4. Автор: Peng Liu,Ye Huang,Jianhui Wang,Jingquan LU. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers

Номер патента: US7097707B2. Автор: Xueping Xu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-08-29.

Sheet production apparatus for removing a crystalline sheet from the surface of a melt using gas jets located above and below the crystalline sheet

Номер патента: US09677193B2. Автор: Gregory D. Thronson,Peter L. Kellerman,Dawei Sun. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

A formation method of buffer layer for gan single crystal

Номер патента: KR100893360B1. Автор: 김형준,한경섭,허정. Владелец: (주)그랜드 텍. Дата публикации: 2009-04-15.

Removing a sheet from the surface of a melt using gas jets

Номер патента: US20110271899A1. Автор: Gregory D. Thronson,Peter L. Kellerman,Dawei Sun. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

High-side double-NMOS tube sectional driving system for GaN power tube

Номер патента: CN113659966A. Автор: 张伟,朱涛,施刚,祝靖,余思远,陆兆俊. Владелец: Wuxi Anqu Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Drive module for gan transistor, switch circuit and electronic device

Номер патента: US20230387906A1. Автор: Wei Zhang,Bin Wang,Min Xu,Jian Jin,Mengyuan SUN. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Drive module for GaN transistor, switch circuit and electronic device

Номер патента: US12009809B2. Автор: Wei Zhang,Bin Wang,Min Xu,Jian Jin,Mengyuan SUN. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-11.

CIRCUITRY AND METHOD FOR GaN DEVICE

Номер патента: US20190123695A1. Автор: Jingjing Shi,Baoliang Feng,Zaiqing Li. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2019-04-25.

DEADTIME OPTIMIZATION FOR GaN HALF-BRIDGE AND FULL-BRIDGE SWITCH TOPOLOGIES

Номер патента: US20220209650A1. Автор: Yajie QIU,Larry SPAZIANI. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

A kind of double-frequency broadband power amplifier matching circuit for GaN power devices

Номер патента: CN107659277A. Автор: 谢生,毛陆虹,蔡昊成,丛佳. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-02.

GaN CIRCUIT DRIVERS FOR GaN CIRCUIT LOADS

Номер патента: US20160079854A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

DRIVER CIRCUIT FOR GaN FET SOLID STATE RELAY

Номер патента: US20240048142A1. Автор: Michael A. de Rooij. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

DIFFERENTIAL ACTIVATED LATCH FOR GaN BASED LEVEL SHIFTER

Номер патента: US20210399731A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Differential activated latch for GaN based level shifter

Номер патента: US11496134B2. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Glass breakage detection using gas discharge lighting

Номер патента: US20020130629A1. Автор: Vince Walbe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

PULSED LEVEL SHIFT AND INVERTER CIRCUITS FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20190044357A1. Автор: Sharma Santosh,Kinzer Daniel Marvin,Zhang Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

BOOTSTRAP CAPACITOR CHARGING CIRCUIT FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20160079785A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

PULSED LEVEL SHIFT AND INVERTER CIRCUITS FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20160079979A1. Автор: Kinzer Daniel M.,Sharma Santosh,Zhang Ju Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

CIRCUITRY AND METHOD FOR GaN DEVICE

Номер патента: US20190123695A1. Автор: Shi Jingjing,Feng Baoliang,Li Zaiqing. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2019-04-25.

KNOWLEDGE AGGREGATION FOR GAN-BASED ANOMALY DETECTORS

Номер патента: US20200252296A1. Автор: Goloubev Dmitri,Berlog Borys Viacheslavovych,Iashyn Volodymyr. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Linearizing Bias Circuit for GaN MMIC Amplifier

Номер патента: KR101891619B1. Автор: 노윤섭,최윤호,염인복. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2018-08-27.

DRIVING CIRCUIT FOR GaN FET

Номер патента: KR20230063647A. Автор: 이경호,김종현,김기현,심민섭. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2023-05-09.

Systems and methods to control light fixture operation using gas concentration sensors

Номер патента: CA3004073C. Автор: Yenpao Lu,Steven E. Downs. Владелец: ABL IP HOLDING LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Differential activated latch for gan based level shifter

Номер патента: EP4169161B1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

MULTIPHASE N-CHANNEL HIGH-SIDE SWITCH FOR GaN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20240372543A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,John Glaser,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for measurement of gas flow velocity, method for energy conversion using gas flow over solid material, and device therefor

Номер патента: KR100713978B1. Автор: 아자이 쿠머 소드,샨카르 고쉬. Владелец: 인디안 인스티투트 오브 싸이언스. Дата публикации: 2007-05-04.

Remote integrated management system using gas control system through analysis of digital amount of gas usage data and thermal sensor

Номер патента: KR101932056B1. Автор: 이홍규,문종성,고수자. Владелец: 주식회사 엑스피아. Дата публикации: 2018-12-27.

Gas supplying method using gas distributing unit

Номер патента: US20240050981A1. Автор: Jin Ho Lee,Yong Hyun Lee,Kwang Su YOO,Hyeon Chang KIM,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Consolidation method using gas phase infiltration

Номер патента: US20230399268A1. Автор: Thierry Guy Xavier Tesson,Charles Leleu,Stéphane Roger André GOUJARD,Adrien Delcamp,Cedric Descamps. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-12-14.

Brazing rod for depositing diamond coating to metal substrate using gas or electric brazing techniques

Номер патента: CA2198985A1. Автор: Royce A. Anthon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-09-03.

Device and method for manufacturing a coated metal strip with improved appearance by adjusting a coating thickness using gas jet wiping

Номер патента: US11866829B2. Автор: Michel Dubois. Владелец: John Cockerill SA. Дата публикации: 2024-01-09.

Gas discharge roll and manufacturing method for same, and processing apparatus using gas discharge roll

Номер патента: US20210230742A1. Автор: Hideharu Okami. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction

Номер патента: US6919010B1. Автор: Steven T. Mayer. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2005-07-19.

Production of compressed natural gas from raw biogas using gas separation membranes integrated with compressor train

Номер патента: CA3205413A1. Автор: Michael Mitariten. Владелец: Air Liquide Advanced Technologies US LLC. Дата публикации: 2023-12-29.

Utilising carbon oxide(s) in flue gas - by feeding with hydrocarbon waste into synthesis gas, fuel gas or other useful gas generator

Номер патента: DE4038905A1. Автор: Georg Prof Dr Ing Menges,Reinhard Dr Fischer. Владелец: FISCHER Reinhard. Дата публикации: 1992-06-11.

Gas phase fluidized bed polyolefin polymerization process using gas or gas-solids tangential flow

Номер патента: US5428118A. Автор: Gyung-Ho Song,Roger B. Painter,Billy J. Garner. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1995-06-27.

Improved gas phase fluidized bed polyolefin polymerization process using gas or gas-solids tangential flow

Номер патента: EP0692495A2. Автор: Gyung-Ho Song,Roger Brady Painter,Billy Jack Garner. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1996-01-17.

Improved gas phase fluidized bed polyolefin polymerization process using gas or gas-solids tangential flow

Номер патента: EP0692495B1. Автор: Gyung-Ho Song,Roger Brady Painter,Billy Jack Garner. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 2000-01-19.

Gas Phase Fluidized Bed Polyolefin Polymerization Process Using Gas or Gas-Solids Tangential Flow

Номер патента: CA2153921A1. Автор: Gyung-Ho Song,Roger Brady Painter,Billy Jack Garner. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1996-01-16.

Improved gas phase fluidized bed polyolefin polymerization process using gas or gas-solids tangential flow

Номер патента: EP0692495A3. Автор: Gyung-Ho Song,Roger Brady Painter,Billy Jack Garner. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1997-11-05.

Apparatus for the direct reduction of iron and production of fuel gas using gas from coal

Номер патента: US4234169A. Автор: Donald Beggs,John C. Scarlett. Владелец: Midrex Corp. Дата публикации: 1980-11-18.

Mixed refrigerant production device, method for producing mixed refrigerant, mixed refrigerant container, method for using mixed refrigerant container, gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container, and method for using gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container

Номер патента: EP4067779A1. Автор: Hajime Odani. Владелец: Cpm Holding Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US20210008497A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-01-14.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US11951441B2. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-04-09.

Process and System for GaN Crystalline Powders Using Means for Removing Waste Gas

Номер патента: KR100839757B1. Автор: 고정민,권태현,윤태훈,박은용. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for the direct reduction of iron using gas from coal

Номер патента: US4173465A. Автор: David C. Meissner,Charles W. Sanzenbacher. Владелец: Midrex Corp. Дата публикации: 1979-11-06.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US11865493B2. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Production of compressed natural gas from raw biogas using gas separation membranes integrated with compressor train

Номер патента: US20240001293A1. Автор: Michael Mitariten. Владелец: Air Liquide Advanced Technologies US LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US20190314755A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-10-17.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: EP3773990A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-02-17.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: WO2019199432A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2019-10-17.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: EP3895784A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-10-20.

Method for granulating urea with using gas cleaning system

Номер патента: RU2615811C2. Автор: Маттиас ПОТТХОФФ,Харальд ФРАНЦРАЕ,Люк Альберт ВАНМАРКЕ. Владелец: Уде Фертилайзе Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2017-04-11.

Apparatus for electrolysis using gas and electrolyte channeling to reduce shunt currents

Номер патента: US4382849A. Автор: Laurence E. Spicer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-05-10.

Hydraulic fracturing methods and systems using gas mixture

Номер патента: CA3043154C. Автор: Stanley V. Stephenson,Ronald Glen Dusterhoft. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Co-production of fuels, chemicals and electric power using gas turbines

Номер патента: US20110034569A1. Автор: John J. Lewnard,Iosif K. Rabovitser,Howard S. Meyer,Dennis Leppin,Arunabha Basu,John M. Pratapas,Dmitri Boulanov. Владелец: GAS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2011-02-10.

Mixed refrigerant production device, method for producing mixed refrigerant, mixed refrigerant container, method for using mixed refrigerant container, gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container, and method for using gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container

Номер патента: EP4067779A4. Автор: Hajime Odani. Владелец: Cpm Holding Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

An assembly to use gas turbine heat to pretreat solid fuels

Номер патента: WO2016037212A1. Автор: Bevan Dooley. Владелец: BTOLA Pty Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Systems and methods of processing ammonia for power generation using gas turbines

Номер патента: WO2024155649A1. Автор: Rex Morgan,Scott Macadam,Hyunho Kim,Young Suk Jo,Rishi Gupta,Gregory Robert Johnson. Владелец: Amogy Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Blast furnace tuyere protection - using gas or liquid coolant which penetrates the furnace lining

Номер патента: DE2355305A1. Автор: Ernst Dipl Ing Engl. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1975-05-07.

Gasification chamber for semi-pulverised solid fuels - provides combustible gases, esp. from coal, which are fed to furnaces etc. previously using gas or liq. fuels

Номер патента: FR2474525A1. Автор: Marcel Pillard. Владелец: SEBEL EXPL BREVETS LICENCES. Дата публикации: 1981-07-31.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US20210008497A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-01-14.

System for flare gas recovery using gas sweetening process

Номер патента: US20190022580A1. Автор: Ahmed Khalifah Al Muhsen. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-01-24.

Improved gas phase fluidized bed polyolefin polymerization process using gas-solids tangential flow

Номер патента: AU685947B2. Автор: Roger Brady Painter,Billy Jack Garner,Gyung-Ho Song (Nmn). Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1998-01-29.

A gas hydrate promoter and Method of carbon dioxide separation by using gas hydrate

Номер патента: KR102400190B1. Автор: 박영준,이윤석. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2022-05-20.

Hygienization of digestate obtained from dry phase methanization carried out in single enclosure of discontinuous system, by simultaneously implementing methanization step in the enclosure using gas circulation unit and gas evacuation unit

Номер патента: FR2981086A1. Автор: Lesquen Du Plessis Casso Frederic De,Sylvere Labrune. Владелец: METHAJADE. Дата публикации: 2013-04-12.

Low-cost, low-energy biogas plant using gas pressure differences and intelligently guided gas flow rates for transporting liquid media and generating electrical energy

Номер патента: DE102010048549A1. Автор: Günther Jobst. Владелец: JS ENERGIETECHNIK GmbH. Дата публикации: 2012-04-19.

Method and system for producing a synthesis gas using gas using an oxygen transport membrane based reforming system with secondary reforming and auxiliary heat source

Номер патента: WO2015034556A1. Автор: Shrikar Chakravarti,Ines C. Stuckert,Raymond F. Drnevich. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

The manufacturing method of the foaming body of gas-forming agent and the use gas-forming agent

Номер патента: CN106661422B. Автор: 中田和也,春日充,酒井悠,影山拓哉,上等和良,岩田智希,安田侑司,岩崎大. Владелец: Eiwa Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Gas generation device and device using gas generation device

Номер патента: CN203238334U. Автор: 棚桥正和,棚桥正治,近藤宏惠,登祥子. Владелец: Tanah Process Ltd. Дата публикации: 2013-10-16.

Recovering energy from low calorific value fuel gas using gas turbine engine

Номер патента: NZ216396A. Автор: A Pinto. Владелец: Ici Plc. Дата публикации: 1988-01-08.

Pyrotechnic cool gas generation for filling an air cushion - using gas oxidisers and coolants

Номер патента: FR2280612A1. Автор: Brian Keith Hamilton. Владелец: Allied Chemical and Dye Corp. Дата публикации: 1976-02-27.

Device for cooling a hot gas, in particular a hot useful gas generated in a combustion or gasification chamber by burning carbon-containing fuel

Номер патента: DE4229895C2. Автор: Horst-Dieter Oldenburg,Michael Schoetz,Karl-Heinz Dinstuehler,Guenter Keintzel. Владелец: L&C Steinmueller GmbH. Дата публикации: 1997-01-30.

Method for separating a cleaned useful gas from a gas mixture, and device for carrying out said method

Номер патента: EP2528676A1. Автор: Marc Hanebuth,Manfred Baldauf,Gerhard Zimmermann,Carsten Graeber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for separating a cleaned useful gas from a gas mixture and device for carrying out said method

Номер патента: CN102740950A. Автор: G.齐默曼,M.巴尔道夫,C.格雷伯,M.哈尼布思. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-10-17.

Large-area and low-power laser stripping method for GaN-base epitaxial layer

Номер патента: CN100463102C. Автор: 杨志坚,张国义,胡晓东,陈志忠,康香宁,陈皓明,章蓓,于彤军,秦志新. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-18.

Training method for gan, machine learning system and communication apparatus

Номер патента: EP4345699A1. Автор: Rong Li,Jian Wang,Guanding Yu,Jinke REN,Chonghe LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Non-dispersive infrared gas sensor using gas-permeable polymer optical waveguide and manufacturing method

Номер патента: US20240077417A1. Автор: Hyunseok Kim,Kang Bok Lee,Kyu Won HAN,Kwang-Soo CHO,So Yung Park,Hoe-Sung Yang,Jin Hwa Ryu,Soocheol Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-03-07.

Gas spring device, and balancer device and actuator which use gas spring device

Номер патента: US09732822B2. Автор: Katsuhiko Asai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Gas sensor, fuel supply system using the same, and method of using gas sensor

Номер патента: EP1996925A1. Автор: Tadashi Inaba,Yusuke Suzuki,Jiro Sakata,Keiichi Saji,Keiichiro Aoki,Susumu Naitoh. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-12-03.

Air measurement method using gas chromatograph and gas chromatograph analysis system

Номер патента: US20240118248A1. Автор: Shinji Uchiyama. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Air measurement method using gas chromatograph and gas chromatograph analysis system

Номер патента: EP4296663A1. Автор: Shinji Uchiyama. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of power generation in cycle using gas turbine

Номер патента: RU2175724C2. Автор: Хальдор Фредерик Аксель ТОПСЕЭ. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2001-11-10.

Method of processing volatile organic compound by using gas turbine and processing system of volatile organic compound

Номер патента: US20070175327A1. Автор: Shigekazu Uji. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Oil based drilling mud filtrate contamination monitoring using gas to oil ratio

Номер патента: WO2014172365A1. Автор: Oliver C. Mullins,Youxiang Zuo,Anthony Smits,Adriaan Gisolf. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2014-10-23.

Oil based drilling mud filtrate contamination monitoring using gas to oil ratio

Номер патента: US09606260B2. Автор: Oliver C. Mullins,Youxiang Zuo,Anthony Smits,Adriaan Gisolf. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus for, and method of using, gas chromatography inlet system for direct analysis of substances fired from an inkjet pen

Номер патента: US20030079522A1. Автор: Alan French,Trenton Hering,Calvin Lofton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Atomisation of liquids using gas - or dispersal of gas as small bubbles in liq.

Номер патента: DE2627880A1. Автор: Jogindar Mohan Dr Ing Chawla. Владелец: Chawla jogindar Mohan dr-Ing. Дата публикации: 1977-12-29.

Non-dispersive infrared gas sensor using gas-permeable polymer optical waveguide and manufacturing method

Номер патента: EP4336171A1. Автор: Hyunseok Kim,Kang Bok Lee,Kyu Won HAN,Kwang-Soo CHO,So Yung Park,Hoe-Sung Yang,Jin Hwa Ryu,Soocheol Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-03-13.

Multi-pressure sampling for improving the performance of electronic noses using gas adsorbing sensing elements

Номер патента: WO2024026268A1. Автор: Brian A. Day,Christopher Eli WILMER. Владелец: UNIVERSITY OF PITTSBURGH-OF THE COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION. Дата публикации: 2024-02-01.

In-situ solid rocket motor propellant grain aging using gas

Номер патента: US20200333224A1. Автор: Kevin Mueller,Joshua David Carter. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

TEMPERATURE CONTROL FOR GaN BASED MATERIALS

Номер патента: US20130343426A1. Автор: Tas Guray,Gurary Alexander I.,Belousov Mikhail. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-12-26.

TEMPERATURE CONTROL FOR GaN BASED MATERIALS

Номер патента: US20160041037A1. Автор: Tas Guray,Gurary Alexander I.,Belousov Mikhail. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method for deformation and stress analysis using gas analyser

Номер патента: RU2609185C1. Автор: Николай Андреевич Махутов,Владимир Николаевич Пермяков,Сергей Николаевич Сидельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2017-01-30.

Method of recovering noble gas using gas recovery container, apparatus for recovering gas into gas recovery container and apparatus for extracting gas from gas recovery container

Номер патента: KR101140059B1. Автор: 요시오 이시하라. Владелец: 다이요 닛산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-05-02.

Temperature control for GaN based materials

Номер патента: US9200965B2. Автор: Alexander I. Gurary,Mikhail Belousov,Guray Tas. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Air conditioner using gas sensing data and control method therefor

Номер патента: US11933514B2. Автор: Sanghun Lee,Joonho Kim,Jaehong Kim,Yongwon Jeong,Jangpyo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Products built using gas generating agents

Номер патента: WO2023244270A1. Автор: Emre Hiro DISCEKICI,Dennis John SCHISSLER. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2023-12-21.

System and method for detecting a given gas species present in gaseous sample using gas filter correlation spectroscopy

Номер патента: CA3087146C. Автор: Pascal Dufour,Jean-François GRAVEL,Francois Babin. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2023-10-03.

Air bag-use gas generator and air bag device

Номер патента: US20040051289A1. Автор: Yasunori Iwai,Katsuhito Miyaji. Владелец: Daicel Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Gas spring device, and balancer device and actuator which use gas spring device

Номер патента: US20140231731A1. Автор: Katsuhiko Asai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Gas sensor and concentration measurement method using gas sensor

Номер патента: US20230314367A1. Автор: Taku Okamoto,Yuichiro Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Gas sensor and concentration measurement method using gas sensor

Номер патента: US20230314366A1. Автор: Yusuke Watanabe,Osamu Nakasone,Yuichiro Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature control for GaN based materials

Номер патента: US09677944B2. Автор: Alexander I. Gurary,Mikhail Belousov,Guray Tas. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Gas scrubbing method using gas liquid contact in a particulate bed

Номер патента: US4533367A. Автор: Dzemal Hadzismajlovic. Владелец: Dzemal Hadzismajlovic. Дата публикации: 1985-08-06.

Liq. gas diffusion, esp. gas washing - using gas regulated spray injected into main gas stream

Номер патента: FR2226203A1. Автор: . Владелец: KERAG KESSELSCHMIEDE APPARATE. Дата публикации: 1974-11-15.

SPRAY HEAD TO APPLY A MULTIPLE COMPONENT MATERIAL USING GAS.

Номер патента: ES2034059T3. Автор: Josef Zimmermann. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-04-01.

Tuning engine parameter estimator using gas path analysis data

Номер патента: US11840966B1. Автор: Danbing Seto,Joshua Adams,Ramesh Rajagopalan. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods of using gas sensors

Номер патента: US20180038260A1. Автор: Yong Miao,Christopher L. Whitt. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Apparatus and method for generating electric discharge in liquid using gas jet

Номер патента: US20120140373A1. Автор: Young Bae Kim,Chu Hyun Cho,Hong Je Ryoo,Jong Soo Kim,Yun Sik Jin. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2012-06-07.

Tuning engine parameter estimator using gas path analysis data

Номер патента: EP4372210A1. Автор: Danbing Seto,Joshua Adams,Ramesh Rajagopalan. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Gas flow rate measurement using gas concentration measurements

Номер патента: EP1391700B1. Автор: Akinobu Moriyama. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Autonomous concentration control systems and methods of controlling concentration of a gas or particle mixture

Номер патента: US20240248498A1. Автор: Mark Peter Modera,Brian S. Farmer,Chiranjeevi Santosh Deevi,John Frederic Blackwell,Vijaykumar Kollepara. Владелец: Aeroseal LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Gas sensing drift compensation using gas self-referencing for end of service life indication for respirators

Номер патента: EP2986348B1. Автор: PETER Tobias,Christopher Scott Larsen,Andrew McIntosh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

RADIATION DETECTOR USING GAS AMPLIFICATION, MANUFACTURING METHOD FOR RADIATION DETECTOR USING GAS AMPLIFICATION, AND METHOD FOR DETECTING RADIATION BY RADIATION DETECTOR USING GAS AMPLIFICATION

Номер патента: US20180081069A1. Автор: MOTOMURA Tomohisa,OOTA Kohei,OONO Motonori. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-22.

ACTIVE DRYING STATION AND METHOD TO REMOVE IMMERSION LIQUID USING GAS FLOW SUPPLY WITH GAS OUTLET BETWEEN TWO GAS INLETS

Номер патента: US20170235236A1. Автор: MULKENS Johannes Catharinus Hubertus,Streefkerk Bob,Donders Sjoerd Nicolaas Lambertus,Loopstra Erik Roelof. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

GAS-DETECTING APPARATUS INCLUDING GAS SENSOR AND METHOD OF DETECTING HYDROGEN USING GAS SENSOR

Номер патента: US20170307557A1. Автор: Muraoka Shunsaku,Katayama Koji,WEI Zhiqiang,Homma Kazunari. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

A kind of method that gas stringer calculates gas phase flow rate using gas holdup

Номер патента: CN106595787B. Автор: 李康,戴家才,邓仁双,秦昊,朱绍武. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-16.

Methods of ultrasound treatment using gas or gaseous precursor-filled compositions

Номер патента: US6716412B2. Автор: Evan C. Unger. Владелец: ImaRx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Burner which can use gas or petroleum as a fuel

Номер патента: KR820000091Y1. Автор: 안병열. Владелец: 안병열. Дата публикации: 1982-02-01.

A brazier for cooking food to use gas or charcoal

Номер патента: KR0134084Y1. Автор: 정현각. Владелец: 정현각. Дата публикации: 1999-03-20.

Turbine-assisted internal combustion engine - uses gas or steam vaporised by heat of exhaust gases to drive turbine

Номер патента: FR2502692A1. Автор: . Владелец: Bergounhoux Marcel. Дата публикации: 1982-10-01.

Control system for cintral heating installations - uses gas or liquid fuel and can be programmed on weekly basis

Номер патента: FR2292191A1. Автор: . Владелец: PLUSQUELLEC CHANTAL. Дата публикации: 1976-06-18.

Arc welding electrode for steel without using gas or the like

Номер патента: US3531620A. Автор: Izumi Ichihara,Masayasu Arikawa,Shou Horiuchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1970-09-29.

Screening analysis for unknown substance, especially non-metal automobile components, uses gas or liquid chromatography with mass spectrometry and databases of known retention indexes and mass spectra and substances

Номер патента: DE10324149A1. Автор: Hans-Peter Dr. Schlegelmilch,Hans-Willi Dipl.-Ing. Müller. Владелец: IMAT-UVE GmbH. Дата публикации: 2004-12-16.

Operation of micro-reactor for catalytically activated substance conversions comprises feeding educt mixture using gas or air through catalytically active tube

Номер патента: DE10111747A1. Автор: . Владелец: Penth Bernd. Дата публикации: 2002-09-19.

Motor vehicle exhaust gas purifier and silencer - uses gas pressure to produce gas, water-mist mixture and separates out water

Номер патента: FR2442965A1. Автор: . Владелец: Lin Ping Ho. Дата публикации: 1980-06-27.

Molding process using gas under pressure

Номер патента: US5798063A. Автор: Klaus Bender,Philippe Leboeuf,Georgios Topulos. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1998-08-25.

Temperature compensated methods for detection of leaks in pressurized pipeline systems using gas controlled apparatus

Номер патента: US5163314A. Автор: Joseph W. Maresca, Jr.,James W. Starr,Christopher P. Wilson. Владелец: Vista Res Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Eccentric cam worm gas pump for e.g. conveying natural gas during oil recovery to use gas as independent energy source, has lubricant reservoir arranged before stator and connected with inner space over lubricant spacer pipeline devices

Номер патента: DE102010007906A1. Автор: Lorenz Brasilien Lessmann,Ramiro Duarte Brasilien Trapp,Elimar Brasilien Volkmann,Gabriel Brasilien Starke,Osnildo Brasilien Borchardt. Владелец: Netzsch Pumpen and Systeme GmbH. Дата публикации: 2011-08-18.

Air bag is filled using gas leakage and cuts off the natural gas security device of gas supply and power supply

Номер патента: CN109458567A. Автор: 傅梅英. Владелец: Nan'an Boming Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-12.

Method for Gas Detection Model, System and Method for Detecting Gas Using Gas Detection Model

Номер патента: KR102174444B1. Автор: 김성욱. Владелец: 주식회사 포스코아이씨티. Дата публикации: 2020-11-04.

Automatic safety valve, fitted to gas meter, for protection against gas leaks, uses gas sensor associated to electro-valve of anti-explosive electro-pneumatic type, fed from very low voltage supply

Номер патента: FR2804743A1. Автор: Gennaro Antoine Di. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-10.

Seat belt for vehicle, comprises partially tube-like belt strap which is filled with gas by using gas generator, where gas generator fills belt strap at vehicle-fixed filling station

Номер патента: DE102009057671A1. Автор: Hans Dipl.-Ing. Weisbarth,Christian Dipl.-Ing. Burczyk. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2011-06-16.

Methods and devices for sample capture using gas-pulse nanoparticle displacement

Номер патента: US20220268669A1. Автор: Kermit King Murray,Fabrizio Donnarumma,Jamira Stephenson. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2022-08-25.

Systems and methods for adjusting production of a well using gas injection

Номер патента: US20170122085A1. Автор: Hassan S. Suheil. Владелец: Rockwell Automation Asia Pacific Business Center Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods and devices for sample capture using gas-pulse nanoparticle displacement

Номер патента: US11953408B2. Автор: Kermit King Murray,Fabrizio Donnarumma,Jamira Stephenson. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2024-04-09.

Characterization of Porous Materials Using Gas Expansion Induced Water Intrusion Porosimetry

Номер патента: US20200132584A1. Автор: Hartmut Michael Hollander,Miad Jarrahi,Douglas W. Ruth,Mohamed Bassuonl. Владелец: University of Manitoba . Дата публикации: 2020-04-30.

Methods and devices for sample capture using gas-pulse nanoparticle displacement

Номер патента: US20200088608A1. Автор: Kermit King Murray,Fabrizio Donnarumma,Jamira Stephenson. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2020-03-19.

Metal carboxylate salts as H2S scavengers in mixed production or dry gas or wet gas systems

Номер патента: US09480946B2. Автор: Scott E. Lehrer,Sunder Ramachandran,Vladimir Jovancicevic. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

System and method for detecting a given gas species present in a gaseous sample using gas filter correlation spectroscopy

Номер патента: US20220018771A1. Автор: Pascal Dufour,Jean-François GRAVEL,Francois Babin. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2022-01-20.

SHOCK STRUT SERVICE MONITORING USING GAS PRESSURE AND TEMPERATURE SENSORS, COMBINED WITH PHYSICAL STRUT MEASUREMENT AND TAKING INTO ACCOUNT GAS ABSORPTION/DESORPTION IN A FLUID

Номер патента: US20180058985A1. Автор: Luce William E.,Fazeli Amir. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-01.

GAS SPRING DEVICE, AND BALANCER DEVICE AND ACTUATOR WHICH USE GAS SPRING DEVICE

Номер патента: US20140231731A1. Автор: ASAI KATSUHIKO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-08-21.

SYSTEM FOR FLARE GAS RECOVERY USING GAS SWEETENING PROCESS

Номер патента: US20210187436A1. Автор: AL MUHSEN Ahmed Khalifah. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Gas sensing drift compensation using gas self-referencing for end of service life indication for respirators

Номер патента: US20140311211A1. Автор: PETER Tobias,Christopher Scott Larsen,Andrew McIntosh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Gas Detection Using Gas Modulation

Номер патента: US20180313749A1. Автор: Hellgren Johan,Vennerberg Henrik,Enquist Fredrik,Edvardsson Niclas. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

SYSTEM FOR FLARE GAS RECOVERY USING GAS SWEETENING PROCESS

Номер патента: US20190314755A1. Автор: AL MUHSEN Ahmed Khalifah. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Gas alarm apparatus using gas sensor

Номер патента: KR850003296Y1. Автор: 김상권. Владелец: 정재은. Дата публикации: 1985-12-30.

Gas sensing drift compensation using gas self-referencing for end of service life indication for respirators

Номер патента: US9283411B2. Автор: PETER Tobias,Christopher Scott Larsen,Andrew McIntosh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Device using gas sensor for pressure gas relief in safety injection tank

Номер патента: KR102175648B1. Автор: 김민정,송준규,추봉식. Владелец: 한국수력원자력 주식회사. Дата публикации: 2020-11-06.

Combustion control method to save gas in boiler by using gas consumption

Номер патента: KR101888966B1. Автор: 이현철,이상희,권기출,유승우. Владелец: 린나이코리아 주식회사. Дата публикации: 2018-08-17.

Mold for molding using gas injection pin for gas injection molding

Номер патента: JP3892518B2. Автор: 誠 松島,成康 原田. Владелец: Prime Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-14.

Fire extinguisher pressurising system - uses gas pressure from first source to control supply of main gas

Номер патента: FR2245162A5. Автор: . Владелец: Biro Fils. Дата публикации: 1975-04-18.

Floating gas flare installation - for burning gases from underwater oil well installations, using gas transport pipe as anchoring means

Номер патента: FR2218800A6. Автор: . Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1974-09-13.

Method of using leakage detector system - involves using gas which is free of test gas to flood test chamber

Номер патента: FR2237190A1. Автор: . Владелец: Leybold Heraeus GmbH. Дата публикации: 1975-02-07.

Bird and animal scaring gun using gas explosions - uses two explosion chambers ignited one after other by piezo-electric ignition of gas in chamber

Номер патента: FR2522930A1. Автор: . Владелец: Relle Marcel. Дата публикации: 1983-09-16.

Double glazing using gas filling to provide insulation - where gas can expand or contract in elastic tube to prevent leakage

Номер патента: DE2726027A1. Автор: Edith Dipl Chem Dr Leicht. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 1978-12-21.

Procedure and plant for cleaning fumes containing acid pollutants uses gas/solids separator, activation reactor and recycles proportion of solids and gas

Номер патента: FR2883772A1. Автор: Bernard Siret,Frank Tabaries,Stefano Costa. Владелец: LAB SA SA. Дата публикации: 2006-10-06.

Method for producing electrical and thermal energy that is supplied to interior/seagoing vessel on e.g. harbor, involves producing hydrogen from exhaust gas energy and producing electrical energy by using gas/hydrogen for supply to network

Номер патента: DE102009060898A1. Автор: Georg Dieter Fehner. Владелец: Fehner Georg Dieter 21220. Дата публикации: 2011-07-07.

Installation for pouring melts under gas pressure using gas back pressure

Номер патента: SU496707A3. Автор: Тончев Балевски Ангел,Димов Николов Иван. Владелец: Институт По Металознание И Технология На Металите (Фирма). Дата публикации: 1975-12-25.

Optimisation using GA

Номер патента: GB2359643A. Автор: Shunji Matsumoto,Makihiko Sato,Yohiko Teramoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-29.

Turbo engine i.e. flow retarder, operating method for use in brake system of motor vehicle, involves using gas i.e. air, as working medium, and introducing gas into work space under positive pressure during operating phases

Номер патента: DE102007051913A1. Автор: Klaus Vogelsang,Werner Adams,Peter Edelmann. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for identifying oil and gas containing property of reservoir by using gas measurement comprehensive evaluation factor

Номер патента: CN111946337A. Автор: 张晓文,刘慧�,高亮,徐伟红,刘钰,胡广文,张文全,王金礼,封猛,王福升,唐青隽,郝晓波,杨鹏涛,方云贵,秦莹民,钱乔雅,杜连伟. Владелец: CNPC Xibu Drilling Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Process for the operation of gas generating plants which work under increased pressure and with utilization of the useful gas enthalpy to compress the gasification air

Номер патента: DE861485C. Автор: Albert Haeberle,Willy Linder. Владелец: Heinrich Koppers GmbH. Дата публикации: 1953-01-05.

Method for identifying condensate gas layer by using gas measurement derived parameters and application thereof

Номер патента: CN111502650A. Автор: 吴刚,牛强,刘群,束青林,慈兴华,宋明水,杜焕福,马光强,黄灵军,张凤霄,吕萌萌. Владелец: Sinopec Shengli Oilfield Co. Дата публикации: 2020-08-07.

Multi-fuel rotary power plants using gas pistons, elliptic compressors, internally cooled thermodynamic cycles and slurry type colloidal fuel from coal and charcoal

Номер патента: US4519206A. Автор: Christopher Van Michaels. Владелец: Michaels Christopher Van. Дата публикации: 1985-05-28.

Determining gas traces in air using gas ionisation detector

Номер патента: DE4244440A1. Автор: Juergen W Prof Dr Sc Leonhardt,Dieter Dr Ing Berger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-30.

Method of enhancing sensitivity to oxygen and other interacting gases in sample gas using gas chromatography

Номер патента: KR970062689A. Автор: 제임스 라그스데일 다니엘,해롤드 스무드 쥬니어 조지,아더 자트코 데이빗. Владелец: 윌리엄 에프. 마쉬. Дата публикации: 1997-09-12.

GAS-TURBINE SYSTEM IN WHICH AS A FUEL USE GAS STEEL FACTORY

Номер патента: RU2008124174A. Автор: Амедео ТАРТАЛЬЯ,Фердинандо ПРАТИКО`,Фердинандо ПРАТИКО` (IT),Амедео ТАРТАЛЬЯ (IT). Владелец: Ансальдо Энергия С.П.А. (It). Дата публикации: 2009-12-27.

NORMALLY GAS FUEL TANK, STORED IN LIQUID PHASE, FOR APPARATUS USING GAS PHASE COMBUSTION.

Номер патента: FR2659723A1. Автор: Rene Frigiere,Frigiere Rene,Philippe Grel,Grel Philippe. Владелец: Cricket SA. Дата публикации: 1991-09-20.

Pressure reducing valve for butane gas - uses gas pressure acting against spring with lever connected to valve head to close valve at excessively high and low pressures

Номер патента: FR2356071A1. Автор: Alain Mansuy,Bernard Henri Schlick. Владелец: BRIFFAULT SA. Дата публикации: 1978-01-20.

System and method for purifying industrial gas by using gas explosion mode

Номер патента: CN112642237A. Автор: 高国才,孙质彬. Владелец: Beijing Jinrong Energy Saving Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas Line System For Preventing Low Temperature Effect And Method For Preventing Low Temperature Effect Using Gas Line System

Номер патента: KR101996276B1. Автор: 신승원. Владелец: 대우조선해양 주식회사. Дата публикации: 2019-07-04.

Gas detection method and apparatus using gas reactive pigment

Номер патента: EP0824212B1. Автор: Kazunari Tanaka,Chiaki Igarashi,Yoshihiko Sadaoka. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2000-03-22.

Internal combustion engine e.g. diesel engine, controlling method for motor vehicle, involves determining gas masses using gas pressures reigning in engine`s cylinders and comparing values formed from masses and formed independent of masses

Номер патента: DE102004058185A1. Автор: Rainer Buck,Benedikt Kraus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2006-06-08.

Device for heating hair rollers using gas flame - rollers fit onto rods which extend within combustion gas zone

Номер патента: FR2247178A1. Автор: . Владелец: Cadac Pty Ltd. Дата публикации: 1975-05-09.

Device for liquid phase epitaxy of multilayer semiconductor structures

Номер патента: RU2515316C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех". Дата публикации: 2014-05-10.

Method for manufacturing superconductor heterostructure around a3b5 compounds by way of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2297690C1. Автор: Федор Юрьевич Солдатенков. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2007-04-20.

Single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth unit and single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP5707612B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Device for liquid-phase epitaxy of multilayer epitaxial structures

Номер патента: RU2102815C1. Автор: Р.Х. Акчурин,В.А. Жегалин,Т.В. Сахарова. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1998-01-20.

Single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth unit and single crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP5707614B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Epitaxial substrate and liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP4946247B2. Автор: 真 川崎,晋 樋口. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Sample clamp for high-temperature high-voltage kettle gas phase or liquid phase corrosion tests

Номер патента: CN202177565U. Автор: 张忠铧,王炜,陈红星,杨建强,周庆军. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Epitaxial substrate and liquid - phase epitaxy growth method

Номер патента: TWI405880B. Автор: . Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2013-08-21.

Process of manufacture of semiconductor structures based on compounds aiii bv by method of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2031477C1. Автор: И.Н. Арсентьев,Л.С. Вавилова. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1995-03-20.

Liquid phase epitaxial growing boat

Номер патента: JPS55100300A. Автор: Susumu Furuike,Hitoo Iwasa,Hakobu Miyoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-07-31.

Growing liquid phase epitaxial garnet film

Номер патента: JPS52116899A. Автор: Hiroshi Makino,Taketoshi Hibiya. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-09-30.

Liquid-phase epitaxial growth method for semiconductor element

Номер патента: JPS54150971A. Автор: Yoshio Iizuka,Tsuneo Furukawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-27.

Method and apparatus for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5381487A. Автор: Akio Yamaguchi,Kenzo Akita,Saburo Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-07-18.

Liquid phase epitaxial crystal growth

Номер патента: JPS51114383A. Автор: Yoshiharu Horikoshi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-10-08.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5399079A. Автор: Ganzou Iwane. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1978-08-30.

Liquid phase epitaxial device

Номер патента: JPS5258361A. Автор: Masaaki Ayabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-05-13.

Device for effecting liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS536567A. Автор: Toshio Sogo,Kotaro Mitsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-01-21.

Substrate fixing jig for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5376175A. Автор: Keikichi Ando,Norio Oota,Fumihiko Ishida. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1978-07-06.

Liquid phase epitaxial growth for semiconductor crystal

Номер патента: JPS6461398A. Автор: Masaaki Sakata,Kiyotaka Benzaki. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-08.

Substrate material for mercury cadmium telluride material growth by liquid phase epitaxy method and preparation thereof

Номер патента: CN101348941A. Автор: 周立庆,刘兴新. Владелец: CETC 11 Research Institute. Дата публикации: 2009-01-21.

Device for liquid-phase epitaxy

Номер патента: SU1707090A1. Автор: Эмиль Камиль Оглы Гусейнов,Джангир Исмаил Оглы Гусейнов,Аловсат Ахмед Оглы Раджабли,Шихамир Осмат Оглы Эминов. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Фотоэлектроники. Дата публикации: 1992-01-23.

Liquid phase epitaxial growth equipment

Номер патента: JP3214069B2. Автор: 洋 鷹木,優 藤野,嗣伸 水埜,誠人 熊取谷,雄徳 関島,充弘 青田. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-02.

Device for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5761700A. Автор: Michiharu Ito,Mitsuo Yoshikawa,Hiroshi Takigawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-04-14.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS533063A. Автор: Takeshi Kobayashi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1978-01-12.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5382164A. Автор: Yorimitsu Nishitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-07-20.

Liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6230694A. Автор: Jiro Okazaki,岡崎　二郎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-09.

Liquid phase epitaxial growing apparatus

Номер патента: JPS5659696A. Автор: Hiromi Takasu. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-23.

Jig for liquid phase epitaxial crystal growth

Номер патента: JPS634627A. Автор: Kosaku Yamamoto,Michiharu Ito,Koji Hirota,山本　功作,伊藤　道春,廣田　耕治. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-01-09.

Liquid phase epitaxy

Номер патента: JPS6321283A. Автор: Masaaki Oshima,Nobuyasu Hase,徹 鶴田,Noriyuki Hirayama,Toru Tsuruta,長谷　亘康,平山　則行,大島　正晃. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-28.

Method of liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6153193A. Автор: Hikari Sugano,菅野　光. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-03-17.

Liquid-phase epitaxy apparatus

Номер патента: JPS62120033A. Автор: Kosaku Yamamoto,Michiharu Ito,Koji Hirota,山本　功作,伊藤　道春,廣田　耕治. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-06-01.

Liquid-phase epitaxial growth equipment

Номер патента: JPS6213022A. Автор: Hikari Sugano,菅野　光. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-01-21.

Apparatus for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6445797A. Автор: Takao Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-02-20.

Liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6230693A. Автор: Jiro Okazaki,岡崎　二郎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-09.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS62244128A. Автор: Minoru Kubo,実 久保,Masato Ishino,Yoichi Sasai,正人 石野,佐々井　洋一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-24.

Liquid-phase epitaxial growth method for thin semiconductor film

Номер патента: JPS6291490A. Автор: Kenji Endo,健司 遠藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-04-25.

Apparatus for liquid phase epitaxy

Номер патента: SU1650798A1. Автор: Токтар Искатаевич Таурбаев,Владимир Степанович Антощенко,Шолпан Бахытжановна Байганатова. Владелец: Казахский государственный университет им.С.М.Кирова. Дата публикации: 1991-05-23.

Method and apparatus for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS627696A. Автор: Tsunehiro Unno,恒弘 海野,峰生 和島,Mineo Wajima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1987-01-14.

Liquid phase epitaxial growth system

Номер патента: JPH0625955Y2. Автор: 知史 上田,研二 丸山,満男 吉河,道春 伊藤. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-07-06.

Process for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS51129882A. Автор: Yoshiharu Horikoshi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-11-11.

Liquid phase epitaxial growth method of gaas crystal

Номер патента: JPS53139970A. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-12-06.

Liquid phase epitaxial growing method and its device

Номер патента: JPS542064A. Автор: Kazuo Nakajima,Takeshi Kotani,Toshihiro Kusuki,Yorimitsu Nishitani,Kenzo Akita,Yoshiharu Horikoshi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-01-09.

Liquid phase epitaxial growing boat

Номер патента: JPS5590500A. Автор: Takao Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-07-09.

Liquid-phase epitaxial device

Номер патента: JPS6254915A. Автор: 茂 藤本,Shigeru Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-03-10.

Process for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS52126699A. Автор: Yasukazu Morita,Toshiaki Kasai,Susumu Kurokawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-10-24.

Liquid-phase epitaxial growth method of compound semiconductor

Номер патента: JPS542660A. Автор: Yasoo Harada,Fumio Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-10.

Liquid-phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS6235616A. Автор: Fukunobu Aisaka,逢坂　福信. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-16.

Preparation of liquid phase epitaxial growth layer

Номер патента: JPS52113155A. Автор: Shinichi Iguchi,Shinichi Akai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1977-09-22.

Equipment for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5210073A. Автор: Kazuhisa Murata,Takeshi Sakurai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1977-01-26.

Vertical liquid phase epitaxial growth system

Номер патента: JPH0613262Y2. Автор: 英雄 福田. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1994-04-06.

Unit for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5792597A. Автор: Kosaku Yamamoto,Kouji Shinohara,Yoshito Nishijima,Hirokazu Fukuda,Yoshio Kawamizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-06-09.

Liquid phase epitaxial growth of superconductive thick film material with overheated seed film as seed crystal

Номер патента: CN1439747A. Автор: 胡剑,姚忻. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2003-09-03.

Liquid phase epitaxial crowth method of semiconductor crystal

Номер патента: JPS52103952A. Автор: Jun Ishii,Wataru Suzaki,Ryoichi Hirano,Hirobumi Suga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-08-31.

Method for liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS62105995A. Автор: Shigetaka Murasato,村里　茂隆. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1987-05-16.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS547861A. Автор: Shoji Igarashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-01-20.

Method for producing single crystal thin film by liquid phase epitaxy

Номер патента: JP3188541B2. Автор: 哲史 大野,昌宏 辻. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-16.

Liquid phase epitaxial growth method and boat for growth

Номер патента: JPS5453858A. Автор: Yorimitsu Nishitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-04-27.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5260569A. Автор: Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-19.

Liquid phase epitaxially growing method

Номер патента: JPS5673700A. Автор: Hiroshi Hayashi,Kazuhisa Murata,Takuo Takenaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1981-06-18.

Semiconductor liquid phase epitaxial equipment

Номер патента: JP3210840B2. Автор: 和昭 金子,隆宏 橋本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5275271A. Автор: Kunio Ito,Morio Inoue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-24.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP3717220B2. Автор: 正敏 斉藤,親夫 木村. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Method of liquid-phase epitaxial growth and device therefor

Номер патента: JPS61261291A. Автор: Kazuhisa Ikeda,Masaya Konishi,昌也 小西,池田　和央. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-19.

Removing method for residual liquid on back of tellurium-cadmium-mercury liquid phase epitaxial thin film

Номер патента: CN102677161A. Автор: 张娟,张传杰,陈晓静,陈倩男,杨建荣,魏彦锋,孙瑞贇,孙权志. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6153191A. Автор: Noriyuki Hirayama,平山　則行. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-17.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS5473558A. Автор: Akio Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-06-12.

Liquid phase epitaxial growth method and apparatus

Номер патента: JPH0694399B2. Автор: 恒弘 海野,峰生 和島,泰一郎 今野,洋 杉本,尚史 楯. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1994-11-24.

Liquid phase epitaxial growth apparatus

Номер патента: JPS52149476A. Автор: Tsuneo Furukawa,Kazumi Unno. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-12.

Device for liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU1306175C. Автор: В.Л. Семенов,С.А. Бондарь,А.Е. Алексанов,Д.В. Галченков. Владелец: Бондарь Слава Андреевич. Дата публикации: 1995-02-27.

Apparatus for liquid phase epitaxial crystal growth

Номер патента: JPS6293951A. Автор: Kosaku Yamamoto,Michiharu Ito,Koji Hirota,山本　功作,伊藤　道春,廣田　耕治. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-04-30.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP2543791B2. Автор: 雅人 山田,卓夫 竹中. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-16.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP2508726B2. Автор: 洋一 大澤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-19.

Liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS63307199A. Автор: Takeshi Idota,Noriyuki Hirayama,健 井戸田,平山　則行. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-14.

Liquid-phase epitaxial device

Номер патента: JPS5288275A. Автор: Masaaki Sakuta. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1977-07-23.

Liquid phase epitaxial growing apparatus for crystal

Номер патента: JPS57118100A. Автор: Junichi Kinoshita. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-07-22.

Device for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS62158192A. Автор: Satoshi Oraku,大楽　智. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1987-07-14.

Method for liquid phase epitaxial growth of ge(si)-substituted iron garnet

Номер патента: JPS52142699A. Автор: Keikichi Ando,Makoto Suzuki,Hitoshi Ikeda,Yutaka Sugita,Fumihiko Ishida. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-11-28.

Equipment for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6288320A. Автор: Koji Yoneda,幸司 米田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-04-22.

Liquid phase epitaxy growth method and apparatus for HgCdTe

Номер патента: JP2700123B2. Автор: 文毅 中西,雅美 龍見. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-01-19.

Liquid phase epitaxial growth method and apparatus therefor

Номер патента: JPH07516B2. Автор: 昌也 小西,和央 池田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-11.

Liquid phase epitaxy growing device

Номер патента: JPH01111795A. Автор: Koji Yamazaki,Katsuhiro Tanaka,孝司 山崎,克皓 田中,Tomoyuki Izumi,智之 和泉. Владелец: Nippon Ester Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-28.

Method for preparing crack-free YBCO liquid phase epitaxial film

Номер патента: CN104109905A. Автор: 王伟,崔祥祥,郭林山,姚忻. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2014-10-22.

Liquid phase epitaxial growth method for growing indium-arsenic-antimony thin film on gallium-arenic substrate

Номер патента: CN1783434A. Автор: 陈诺夫,陈晨龙,吴金良,彭长涛. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-06-07.

Substrate holder used in liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JP2967372B2. Автор: 昌宏 辻. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-25.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS52115784A. Автор: Hideki Mori,Takashi Shimoda,Shinichi Akai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1977-09-28.

Liquid-phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS61256994A. Автор: Kunio Uehara,上原　邦夫. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-11-14.

Liquid phase epitaxy method

Номер патента: JPS6373607A. Автор: Osamu Igata,理 伊形,Hidema Uchishiba,内柴　秀磨. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-04-04.

Growth method for liquid phase epitaxial

Номер патента: JPS54133480A. Автор: Tatsuro Beppu,Masami Iwamoto,Makoto Tashiro,Akinobu Kasami. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-17.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPH0694398B2. Автор: 恒弘 海野,峰生 和島,彰二 隈,泰一郎 今野,洋 杉本,尚史 楯. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1994-11-24.

Liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5261957A. Автор: Masahiro Nakajima,Masanobu Kihara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-21.

Liquid phase epitaxial crystal growth apparatus

Номер патента: JPS63170915A. Автор: Kosaku Yamamoto,Michiharu Ito,Koji Hirota,山本　功作,伊藤　道春,廣田　耕治. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-14.

Liquid phase epitaxy

Номер патента: JPS6321287A. Автор: Masaaki Oshima,Nobuyasu Hase,徹 鶴田,Noriyuki Hirayama,Toru Tsuruta,長谷　亘康,平山　則行,大島　正晃. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-28.

Liquid-phase epitaxial growth device

Номер патента: JPS62219918A. Автор: Takao Oda,織田　隆雄. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-09-28.

Liquid phase epitaxy for multiple element compound semiconductor by two-phase melt method

Номер патента: JPS6311596A. Автор: Akira Tanaka,明 田中,Takayuki Matsuyama,松山　隆之. Владелец: Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Tube for liquid phase epitaxial growth

Номер патента: JPS5252879A. Автор: Takeshi Kobayashi,Yoshiharu Horikoshi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-04-28.

Growing method of liquid-phase epitaxial magnetic bubble garnet film

Номер патента: JPS5267000A. Автор: Taketoshi Hibiya. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-02.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS52149065A. Автор: Toshio Kawasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-10.

Liquid phase epitaxial growth apparatus

Номер патента: JPS54150376A. Автор: Takao Yamaguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-26.

Liquid phase epitaxy growing boat

Номер патента: TW241373B. Автор: Jeong-Sheng Shyu,Been-Tzeng You,Ruey-Liang Perng,Jeng-Yeu Gau. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1995-02-21.

Discharging device for melt in crucible of liquid phase epitaxial apparatus

Номер патента: JPS57179098A. Автор: Fumio Muramatsu,Shuichi Nakamura,Mikio Tanabe,Yasusuke Akai,Kazuo Hiura,Tatsuhiko Kokado,Tetsuo Suzaki. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-04.

Liquid phase epitaxial growth method

Номер патента: JPS51137374A. Автор: Susumu Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1976-11-27.

Method for reversing internal combustion engine by reversing starter mechanism and pneumatic drive system of two-valve gas distributor, with charging pneumatic accumulator system using gas from compensating pneumatic accumulator

Номер патента: RU2594829C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2016-08-20.

Method of local heating using gas ir-burners in domestic animal and poultry growing technologies

Номер патента: RU2326529C2. Автор: Дмитрий Пантелеймонович Лебедев,Александр Александрович Пенкин. Владелец: Александр Александрович Пенкин. Дата публикации: 2008-06-20.

Fire fighting method using gas-liquid mixture

Номер патента: RU2394619C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2010-07-20.

PREPARATION OF A SOLID BASED ON ZINC OXIDE FOR USE IN PURIFYING A GAS OR A LIQUID

Номер патента: US20120000855A1. Автор: Bazer-Bachi Delphine,Chiche David,Lopez Joseph,Lelias Marc. Владелец: IFP ENERGIES NOUVELLES. Дата публикации: 2012-01-05.

Contaminated gas or dusty air cleaning in bag filter with help of screen and horizontal bags of said filter

Номер патента: RU2573011C2. Автор: Александр Савельевич Сосонкин,Роман Викторович Старчиков. Владелец: Роман Викторович Старчиков. Дата публикации: 2016-01-20.

Device for pressure transportation of gas or liquid

Номер патента: RU2315896C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2008-01-27.

Improvements in or relating to Means for Controlling the Supply of Gas or Liquids from a Distance.

Номер патента: GB190504865A. Автор: Ernest William Gilbert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-08.

A Method of and Means for Obtaining Motive Power from Heat which may be the Waste from a Gas or other Heat Engine, through the Agency of Highly Heated Liquids under Pressure used in Rotary Motors or Turbines.

Номер патента: GB190005970A. Автор: Carl Steffen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-08-18.

Improvements in Governors for Regulating the Speed of Gas or Air Compressors or Machines for Pumping Liquids.

Номер патента: GB190004259A. Автор: . Владелец: Fraser & Chalmers Ltd. Дата публикации: 1901-03-06.

Improvements in Apparatus for the Drying or other Treatment of Tea Leaf, Tobacco Leaf, Coffee, Grain, Malt, Fruits, and other Substances by means of a Current of Hot or Dry Air or Mixed Gas or Gases and Air.

Номер патента: GB189715106A. Автор: Samuel Cleland Davidson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-14.

Method for hydrocarbon material production and transportation at offshore gas or gas condensate field

Номер патента: RU2567934C1. Автор: Алексей Иванович Новиков,Александр Георгиевич Гречко,Марат Набиевич Мансуров,Юрий Глебович Прокопенко,Вадим Евгеньевич Петренко,Андрей Юрьевич Прокопенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий - Газпром ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2015-11-10.

Improvements in and relating to Electrically Operated Apparatus for Shutting Off the Supply of Gas or the like in Case of Fire.

Номер патента: GB190613670A. Автор: Adolph William Jenczewsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-17.

Improvements in Gas or Vapour Separators.

Номер патента: GB190202697A. Автор: Percy Nicholas Hooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-29.

Improvements in Gas or Vapour Electric Apparatus.

Номер патента: GB190422964A. Автор: James Reid Baker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-01.

Contaminated gas or dusty air cleaning in bag filter with help of screen and horizontal bags of said filter

Номер патента: RU2573513C2. Автор: Александр Савельевич Сосонкин,Роман Викторович Старчиков. Владелец: Роман Викторович Старчиков. Дата публикации: 2016-01-20.

Plant for preparation of petroleum associated gas or natural gas for transportation along pipeline and production of liquid hydrocarbons from said gas

Номер патента: RU2283455C2. Автор: Виктор Иванович Подерюгин,Светлана Геннадьевна Васильева,Алексей Владимирович Никитин,Геннадий Геннадьевич Григорьев,Виктор Иванович Подерюгин (RU),Геннадий Геннадьевич Григорьев (RU),Алексей Владимирович Никитин (RU),Светлана Геннадьевна Васильева (RU). Владелец: Геннадий Геннадьевич Григорьев. Дата публикации: 2006-09-10.

Method of liquefied natural gas or liquefied hydrocarbon gas spill response using air-and-water foam with medium expansion ratio (versions) and system for its implementation

Номер патента: RU2552968C1. Автор: Геннадий Николаевич Куприн,Иосиф Микаэлевич Абдурагимов. Владелец: Закрытое акционерное общество НПО "Современные пожарные технологии" (ЗАО НПО "СОПОТ"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of reduction of spills of liquefied natural gas or liquefied hydrocarbon gas using air-and-water foam with medium expansion ratio (versions) and system for its implementation

Номер патента: RU2552971C1. Автор: Геннадий Николаевич Куприн,Иосиф Микаэлевич Абдурагимов. Владелец: Закрытое акционерное общество НПО "Современные пожарные технологии" (ЗАО НПО "СОПОТ"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of preparing solid foaming agent for removing liquid from gas or gas condensate wells

Номер патента: RU2323244C1. Автор: Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,Сергей Владимирович Мазанов,Юрий Сергеевич Тенишев,Георгий Гурьевич Белолапотков,рова Ольга Андреевна Скл,Ольга Андреевна Склярова. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2008-04-27.

Method of reduction of spill of liquefied natural gas or liquefied hydrocarbon gas using combined air-and-water foam with low and medium expansion ratio (versions) and system for its implementation

Номер патента: RU2552972C1. Автор: Геннадий Николаевич Куприн,Иосиф Микаэлевич Абдурагимов. Владелец: Закрытое акционерное общество НПО "Современные пожарные технологии" (ЗАО НПО "СОПОТ"). Дата публикации: 2015-06-10.

Wet gas or gas condensate well recovery method and its drowning prevention during its further operation

Номер патента: RU2534291C1. Автор: Анатолий Владимирович Кошелев,Рамидин Акбербубаевич Саркаров,Велиюлла Гамдуллаевич Темиров,Вячеслав Васильевич Селезнев,Валерий Иванович Маринин. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2014-11-27.

Apparatus for pulse feed of shield gas or liquid

Номер патента: RU2049618C1. Автор: Олег Михайлович Новиков,Геннадий Иванович Королев,Ирина Николаевна Ракитина. Владелец: Ирина Николаевна Ракитина. Дата публикации: 1995-12-10.

An Improved Coin Receiving Device for Prepayment Sale and Delivery Mechanism for the Sale of Gas or other Fluid.

Номер патента: GB190415652A. Автор: . Владелец: METERS Ltd. Дата публикации: 1905-05-18.

Improvements in or relating to Gas or Petrol Engines

Номер патента: GB190414895A. Автор: Leon Emile Lemperiere. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-10-20.

Improvements in Heating Stoves Burning Gas or other Fuel

Номер патента: GB190424161A. Автор: William Richter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-05.

Improvements in and relating to Gas or Vapour Burners for Heating Purposes.

Номер патента: GB190111981A. Автор: Sigmund Adolf Rosenthal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-06-12.

Improvements in or relating to Gas or Liquid Fuel Burners.

Номер патента: GB190501795A. Автор: Charles Cheers Wakefield,Walter Grimes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-01-25.

Improvements in Appliances for Burning Gas or Hydrocarbon Vapours.

Номер патента: GB189908367A. Автор: George Bower. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-10.

Combined Stove Cover and Gas or Vapour Burner.

Номер патента: GB189907628A. Автор: William Humphrey Wheatley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-05-27.

Improvements in Gas or Vapour Electric Apparatus

Номер патента: GB190410672A. Автор: Frederick William Le Tall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-20.

An Improved Locking Device for Gas or other Cocks or Taps.

Номер патента: GB190107206A. Автор: Ernest Lomax Newbigging. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-09.

Improvements in and relating to Gas or Explosive Vapour Engines.

Номер патента: GB190426431A. Автор: Peter Burt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-11-23.

Method of measuring of a gas or liquid flow speed

Номер патента: RU2267790C2. Автор: Виталий Яковлевич Купер,Михаил Геннадьевич Рубцов,Александр Николаевич Шамихин,Евгений Федорович Хозинский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр ГеоПАЛС". Дата публикации: 2006-01-10.

Compressor unit for compression of gas or gas-liquid mixture, which is intended for their pumping to well or pipeline

Номер патента: RU2391557C1. Автор: Анатолий Прокопьевич Чебунин. Владелец: Анатолий Прокопьевич Чебунин. Дата публикации: 2010-06-10.

Device for control over position of gas or fluid regulator proportioning assembly (versions)

Номер патента: RU2513545C1. Автор: Игорь Алексеевич Андреев,Николай Эрнстович Богатых,Николай Витальевич Гурман. Владелец: Открытое акционерное общество "Машиностроительное производственное объединение имени И. Румянцева". Дата публикации: 2014-04-20.

Probe measuring differential and gauge pressure of gas or liquid in pipe-line

Номер патента: RU2194958C2. Автор: И.А. Кузнецов,В.В. Майоров,В.А. Сачков,О.Н. Новоселов,В.Ф. Жданов,В.В. Лотц. Владелец: Лотц Владимир Викторович. Дата публикации: 2002-12-20.

A New or Improved Process and Apparatus for the Manufacture of Coal, Water or Oil Gas or Combinations or Mixtures of the said Gases.

Номер патента: GB190810558A. Автор: William Henry Morgan,Harry Gray,James Densley,Henry James Walduck,George Geering. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-10-01.

Improvements in Gas or Oil Lighting, Heating, and Cooking Apparatus.

Номер патента: GB189718063A. Автор: Thomas Boydell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-06-11.

Production of Stable Catalytic Material, and Catalytic Gas or Vapour Lighting Tips or Burners, and Tufts.

Номер патента: GB189821337A. Автор: William Henry Porter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-11-26.

Improvements in and connected with Gas or Vapour Heating Devices.

Номер патента: GB190123449A. Автор: Daniel Webster Bowman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-04-03.

An Improved Water Heater Operated by Gas or other Fuel

Номер патента: GB190407987A. Автор: Jane Key. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-05-12.

Improvements in Gas or Vapour Burners.

Номер патента: GB189911491A. Автор: William Gordon Potter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-07-29.

Improvements in Methods and Apparatus for Incandescence Gas or Vapour Lighting

Номер патента: GB190210712A. Автор: William Hooker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-02.

A New Method of Converting the Reciprocating Motion of the Main Piston of Steam, Gas or Oil Engines and the like into a Rotary Motion of the Main Driving Shaft.

Номер патента: GB190223980A. Автор: Charles Henry Naylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-03.

Improvements in Gas or Hydro-carbon Motors.

Номер патента: GB189710005A. Автор: Andre Fritscher,Abel Raymond Houdry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-02-26.

Improvements in Gas or Oil Motors.

Номер патента: GB190016627A. Автор: Denton Abel Charles. Владелец: Anciens Etablissements Panhard et Levassor SA. Дата публикации: 1901-08-03.

Improvements in Luminous Gas or Vapour Electric Lamps.

Номер патента: GB190303444A. Автор: Frederick William Le Tall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-01-07.

Improvements in Gas or Vapour Condensers for Railway Vehicles Fitted with Refrigerating Machinery.

Номер патента: GB190728471A. Автор: Arthur Robert Thomas Woods,Bernard Rathmell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-12-28.

Method of design position control of connection pipelines of gas or oil producers within permanently frozen soil areas

Номер патента: RU2390621C1. Автор: Наталья Борисовна Кутвицкая,Марк Абрамович Минкин,Александр Викторович Рязанов,Рафаиль Минигулович Минигулов,Зульфар Салихович Салихов,Роман Владимирович Корытников,Дмитрий Александрович Яхонтов,Александр Юрьевич Корякин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2010-05-27.

Electrooptical gas or liquid flow meter

Номер патента: RU2460047C1. Автор: Александр Михайлович Анохин,Александр Михайлович Кравченко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of and device for compressing gas or gas-liquid mixture by means of straight-through piston

Номер патента: RU2306454C2. Автор: Алексей Васильевич Семенов,Юрий Борисович Кобцев,Вадим Алексеевич Семенов. Владелец: Юрий Борисович Кобцев. Дата публикации: 2007-09-20.

Complex of units of intermediate separation of gas or gas-liquid mixtures

Номер патента: RU2451248C1. Автор: Александр Петрович Шевцов,Иван Георгиевич Лачугин,Надежда Александровна Безъязычная,Галина Максимовна Марушак,Нелля Владимировна Тронько,Иван Георгиевич Лачугин (RU),Александр Петрович Шевцов (RU),Надежда Александровна Безъязычная (RU),Галина Максимовна Марушак (RU),Нелля Владимировна Тронько (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество Финансовая компания "Центр Космос-Нефть-Газ". Дата публикации: 2012-05-20.

Device for Stopping Leaky Joints in Gas or other Pipes.

Номер патента: GB190001996A. Автор: Solomon Robert Dresser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-31.

Improved Apparatus for the Compression of Gas, or Air, for Lighting, or Heating, Purposes.

Номер патента: GB190826719A. Автор: Edward Fletcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-09-02.

Improvements in or relating to Gas or Vapour Burners.

Номер патента: GB190422638A. Автор: Alexander Shiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-19.

An Apparatus for Detecting Explosive Gas or Dust in the Atmosphere.

Номер патента: GB189921714A. Автор: Charles Edward Glascodi Simons. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-10-27.

Improvements relating to Coin-freed Mechanism, specially applicable to Prepayment Gas or Electricity Meters.

Номер патента: GB190325658A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1904-09-29.

Improvements in the Manufacture of Water Gas or Mixed Gas and in Apparatus therefor.

Номер патента: GB190312182A. Автор: Gustav Horn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-07-16.

Improvements in Lamps or Lanterns for Inverted Gas or Vapour Incandescent Burners.

Номер патента: GB190425036A. Автор: Lucien Liais. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-22.

Improvements in and relating to Gas or Oil Stoves.

Номер патента: GB189812434A. Автор: Edward Burden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-02.

Catalyst and method for production of synthesis gas or carbon-enriched mixture from water-alcohol mixtures

Номер патента: RU2177366C1. Автор: В.Н. Пармон,В.Д. Беляев,В.В. Гальвита,Г.Л. Семин,В.А. Собянин,П.Г. Цырульников. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН. Дата публикации: 2001-12-27.

Method for development of multilayer gas or gas-condensate fields

Номер патента: RU2034131C1. Автор: В.М. Нелепченко,М.Н. Середа,М.К. Тупысев,Г.И. Облеков,В.В. Ремизов,Г.Г. Жиденко,Е.М. Нанивский. Владелец: Ремизов Валерий Владимирович. Дата публикации: 1995-04-30.

Condensation of natural gas or methane into gasoline range hydrocarbons

Номер патента: CA1185268A. Автор: George A. Olah. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-04-09.

Improvements in and relating to Coin-freed Apparatus for Delivering Gas or like Fluids.

Номер патента: GB190110691A. Автор: William Cox. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-12-31.

Vortex contact stage for contacting gas or vapor with fluid

Номер патента: RU2484876C1. Автор: Николай Александрович Войнов,Ольга Петровна Жукова,Сергей Александрович Ледник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный технологический университет" (СибГТУ). Дата публикации: 2013-06-20.

Method for flushing of proppant plug in gas or gas-condensate well on completion of hydraulic rupture of bed

Номер патента: RU2373379C1. Автор: Денис Александрович Кустышев,Виктор Борисович Обиднов,Александр Васильевич Кустышев,Руслан Владимирович Ткаченко. Владелец: Руслан Владимирович Ткаченко. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of forming fluid piston for compressing and pump0ing gas or liquid

Номер патента: RU2298689C2. Автор: Алексей Васильевич Семенов,Юрий Борисович Кобцев,Вадим Алексеевич Семенов. Владелец: Юрий Борисович Кобцев. Дата публикации: 2007-05-10.

Membrane flow rate regulator for gas or hydrostatic support

Номер патента: RU2541713C1. Автор: Тарас Алексеевич Ивахненко,Александр Павлович Болштянский,Виктор Евгеньевич Щерба,Евгений Алексеевич Лысенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-02-20.

Improvements in Cooking Stoves Heated by Gas or Oil.

Номер патента: GB190511133A. Автор: Percy Frederick Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-05-03.

Improvements in the Mixing of Air with the Fuel Vapours of Gas or Oil Engines.

Номер патента: GB189809856A. Автор: Oscar Brunler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-06-25.

Improvements in Opening Capsules Charged with Gas or Liquid under Pressure.

Номер патента: GB190008579A. Автор: Jean Baptiste Bourseau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-06-16.

Improvements in Gas or Vapour Heating Stoves and Ventilators.

Номер патента: GB189915707A. Автор: Henry Martyn Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-23.

Silicon wafer for solar battery

Номер патента: CA130835S. Автор: . Владелец: RIN SOON PARK. Дата публикации: 2010-01-18.

GaN LED epitaxial structure with GaN buffering layer substrate, and preparation method for GaN LED epitaxial structure

Номер патента: CN105633232A. Автор: 张雷,徐现刚,张恒,郝霄鹏,曲爽,王成新. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Anti-reflection transparency electrode structure for GaN-based LED and method for processing the structure

Номер патента: CN104659179A. Автор: 李睿. Владелец: Jiangsu Xinguanglian Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

Manufacturing method for GaN semiconductor LED chip

Номер патента: CN103426981A. Автор: 王磊,王强,路鹏,李国琪,巴建锋,余志炎,巩春梅. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

A kind of high nitrogen pressure fusing assistant-falling crucible method prepares the method for GaN crystal

Номер патента: CN103305903B. Автор: 李振荣,徐卓,周明斌,范世*. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2016-01-13.

Manufacturing method for GaN-based film chip

Номер патента: CN102790137A. Автор: 陈栋,朱浩,闫占彪,赵汉民,周印华,熊传兵. Владелец: Shineon Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Method and installation for GaN growth by light radiation-heated metallic organic chemical gas-state deposition

Номер патента: CN1077607C. Автор: 胡立群,陈鹏,张�荣,沈波,陈志忠,周玉刚,郑有炓,臧岚. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-01-09.

Production method for GaN based LED

Номер патента: CN101488551B. Автор: 刘�文,余永林,黄德修,黄黎蓉,赵彦立,元秀华. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-12-14.

Overheating protection circuit for GaN power integration module

Номер патента: CN208971481U. Автор: 黄伟,鲍婕,许晶晶,程德明,胡文新,胡一波. Владелец: Huangshan Qimen Xinfei Electronic Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Manufacturing method for GaN-based LED (Light Emitting Diode) chip for increasing extraction efficiency

Номер патента: CN102790158A. Автор: 王国宏,李璟,詹腾. Владелец: YANGZHOU ZHONGKE SEMICONDUCTOR LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

A kind of surface polishing method for GaN single crystalline substrate

Номер патента: CN103114323B. Автор: 王斌,徐伟,于广辉,隋妍萍,赵智德. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for preparing synthetic gas or safety fuel gas using gas of coal mine

Номер патента: CN1955268B. Автор: 王志坚,庞玉学,庞彪,冯友茵. Владелец: 庞玉学. Дата публикации: 2011-05-18.

LEAKAGE BARRIER FOR GaN BASED HEMT ACTIVE DEVICE

Номер патента: US20120032185A1. Автор: . Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-09.

ION IMPLANTED AND SELF ALIGNED GATE STRUCTURE FOR GaN TRANSISTORS

Номер патента: US20120193688A1. Автор: Cao Jianjun,Lidow Alexander,Beach Robert,Nakata Alana,Strittmatter Robert,Zhao Guang Y.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

REGROWN SHOTTKY STRUCTURES FOR GAN HEMT DEVICES

Номер патента: US20120302178A1. Автор: III Edward A.,Beam. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

Conductivity Based on Selective Etch for GaN Devices and Applications Thereof

Номер патента: US20130011656A1. Автор: . Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-10.

Buffer Layer for GaN-on-Si LED

Номер патента: US20130056745A1. Автор: Chen Zhen. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

IN-SITU SIN GROWTH TO ENABLE SCHOTTKY CONTACT FOR GAN DEVICES

Номер патента: US20130143392A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Edwards Andrew,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.. Владелец: EPOWERSOFT, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

DIRECT GROWTH OF DIAMOND IN BACKSIDE VIAS FOR GAN HEMT DEVICES

Номер патента: US20130248879A1. Автор: Poust Benjamin,Gambin Vincent,Sandhu Rajinder,Wojtowicz Michael. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2013-09-26.

Patterned substrate for gan-based semiconductor light emitting diode and manufacturing method

Номер патента: KR101097888B1. Автор: 김희윤,김형구,홍창희. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-12-23.

SAFETY DEVICE FOR GAN VALVES

Номер патента: SU397460A1. Автор: изобретени Авторы. Владелец: А. А. Разбегаев , Л. П. Худ кова Тульский проектно технологический институт Оргпромстрой. Дата публикации: 1973-09-17.

Vapor phase growing method for gan

Номер патента: JPS5727999A. Автор: Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-15.

GROWTH METHOD FOR GaN CRYSTAL

Номер патента: JP2012031028A. Автор: Hiroaki Yoshida,伸介 藤原,Shinsuke Fujiwara,Koji Uematsu,浩章 吉田,康二 上松,Masanori Morishita,昌紀 森下,Yuki Hiromura,友紀 廣村. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Structure of electrode for GaN-based semiconductor

Номер патента: KR100726562B1. Автор: 장자순,추성호. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2007-06-11.

Manufacturing method for GaN compound semiconductor

Номер патента: TW473836B. Автор: Ying-Che Sung,Wen-Ming Liou. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-21.

Low resistance n-type contact layer structure for GaN multi-quantum well light emitting diode

Номер патента: TWI249866B. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-02-21.

Low resistance n-type contact layer structure for GaN multi-quantum well light emitting diode

Номер патента: TW200610175A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

METHOD FOR NATURAL GAS PUMPING FROM THE DISABLED PART OF A GAS PIPELINE TO A MULTI-WIRE SYSTEM OF MAIN GAS PIPELINES USING GAS PUMPING UNITS OF A COMPRESSOR STATION (OPTIONS)

Номер патента: RU2010123591A. Автор: Леонид Васильевич Степанов,Павел Николаевич Завальный,Андрей Григорьевич Пимкин,Павел Николаевич Завальный (RU),Леонид Васильевич Степанов (RU),Андрей Григорьевич Пимкин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Югорск" (RU). Дата публикации: 2011-12-20.

Heat energy generation process at oil-, oil/gas-, or gas-production enterprise

Номер патента: RU2153079C1. Автор: . Владелец: Ист Вест Инвеншнз энд Текнолоджи ПТВ ЛТД. Дата публикации: 2000-07-20.

GAS TURBINE BURNER IN WHICH USE GAS WITH LOW HEAT CAPACITY AS FUEL

Номер патента: RU2009129678A. Автор: Паоло ГОББО,Федерико БОНЦАНИ,ФИОРЕ Лорена ДЕЛЛА,Паоло ГОББО (IT),Федерико БОНЦАНИ (IT),ФИОРЕ Лорена ДЕЛЛА (IT). Владелец: Ансальдо Энергия С.П.А. (It). Дата публикации: 2011-02-10.

Apparatus and method for converting an electric water heater to use gas

Номер патента: CA2070074C. Автор: Frank L. Horne, Sr.. Владелец: GAS-FIRED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1996-01-16.

Improvements in Gas or Vapour Electric Apparatus, such as Mercury Vapour Lamps and Converters for Lighting or other purposes.

Номер патента: GB190314175A. Автор: Frederick William Le Tall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-06-25.

Improvements in or relating to the Burning of Inflammable Gas or Vapour and in Apparatus therefor.

Номер патента: GB189909573A. Автор: . Владелец: Clarkson & Capel Steam Car Syn. Дата публикации: 1900-05-05.

Improvements in the Treatment of Coal Gas, or other Gases, containing Cyanogen, for the Obtainment of Soluble Cyanides therefrom, and the Preparation of Materials for use in such Treatment.

Номер патента: GB190210876A. Автор: Walther Feld. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-30.

Improvements in or relating to Taps for Steam, Water, or Gas, or other Liquids or Fluids.

Номер патента: GB190425943A. Автор: Joseph Booth Butterfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-05.

Improvements relating to Gas or Vapour Electric Apparatus such as Mercury Vapour Lamps for Lighting or other Purposes

Номер патента: GB190314171A. Автор: Frederick William Le Tall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-05-05.

Gas analyzer for metal using gas density balance type detector

Номер патента: JPS53120593A. Автор: Iichi Kogahara. Владелец: RIGOUSHIYA KK. Дата публикации: 1978-10-21.

Gas seal for reactors using gas conducting bodies

Номер патента: AU2002342819A1. Автор: Frank Stockhausen. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2002-11-25.

Improvements in Gas or Vapour Electric Apparatus for Rectifying Alternating Electric Currents and other pusposes.

Номер патента: GB190411831A. Автор: Max Von Recklinghausen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-03-09.

Improvements in Cooking Stoves Heated by Oil, Gas, or Electricity

Номер патента: GB190202343A. Автор: Harry James Yates,David Robert Mcneill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-15.

Method for preparing hydrogen and liquefied natural gas through using gas retort raw gas

Номер патента: CN103275777B. Автор: 苏玉更,白建明,闫永亮,单小勇,林伟宁. Владелец: Huadian Heavy Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Gas detection apparatus and gas detection method using gas detection apparatus

Номер патента: CN106442640A. Автор: 范富诚. Владелец: High Tech Computer Corp. Дата публикации: 2017-02-22.

Gas sensor and method for detecting concentration of methane gas in septic tank by using gas sensor

Номер патента: CN104596973B. Автор: 张宇,周文斌,邓凡,杜津舟. Владелец: CHONGQING LANTU INFORMATION INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Dual-purpose circular fire burner using gas or fuel oil

Номер патента: CN2581814Y. Автор: 邹长青,陈隆生,王斯怀. Владелец: Hunan Jixiang Burner Co ltd. Дата публикации: 2003-10-22.

New application of glucoamylase, gas hydrate accelerant containing glucoamylase and method for preparing gas hydrate by using gas hydrate accelerant

Номер патента: CN104692384A. Автор: 张璐,陈俊英,常春,白净,马晓建,方书起,梁腾波. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-06-10.

Improvements in or relating to Gas or Vapour Burners.

Номер патента: GB190409755A. Автор: Albert Nuernberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-06-02.

Improvements in the Berryman Feed Water Heater and any other Heating or Cooling Apparatus for Steam Gas or Air and any other Fluids.

Номер патента: GB190113192A. Автор: William Wright. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-03-13.

The Purification of Iron Making Blast Furnace Gas, or any Combustible Gas of an Analogous Character.

Номер патента: GB190224152A. Автор: Benjamin Howarth Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-15.

Improvements in or relating to Gas or Vapour Burners.

Номер патента: GB190006608A. Автор: Alfred Julius Boult. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-09-29.

Improvements in Apparatus for Rapid Water Heating by Gas or the like.

Номер патента: GB189815084A. Автор: John Frederick Simmance,Jacques Abady. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-05-27.

Improvements in or relating to Anti-vibratory Supports for Incandescent Gas or Oil Burners and Mantles.

Номер патента: GB189819565A. Автор: Arthur Otto Sachse. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-08-26.

Improvements in the Valve Gear of Pumps for Exhausting or Compressing Gas or Air.

Номер патента: GB190010358A. Автор: Melville Clark Alexander. Владелец: Pokorny & Wittekind. Дата публикации: 1901-04-20.

Means for Use in Combination with Conduits or Conductors for the Supply of Gas or other Fluid, or of Electricity, for Indicating the Time during which such Gas or other Fluid, or Electricity, has been Consumed.

Номер патента: GB189324730A. Автор: Francis George Savage Curtis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-10-27.

Improvements in or connected with Gas or Vapour Burners.

Номер патента: GB190010038A. Автор: Henry Alonzo House. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-05-25.

An Improvement in Engines Worked by Gas or Combustible Vapour.

Номер патента: GB189606573A. Автор: Herbert John Dowsing,Henry Sheehy Keating. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-03-06.

Improvements in Generating Pressure by the Combustion of Air and Gas or Liquid Fuel.

Номер патента: GB190300197A. Автор: William John Rodgerson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-01-02.

Improvements in or relating to Taps for Steam, Water, or Gas, or other Liquids or Fluids.

Номер патента: GB190420731A. Автор: Joseph Booth Butterfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-08-10.

Improvements in Starting Means for Gas or Vapour Electric Apparatus, such as Mercury Vapour Lamps for Lighting or other purposes.

Номер патента: GB190314170A. Автор: Frederick William Le Tall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-05-05.

Improvements in Gas or like Engines for Motor Road Vehicles.

Номер патента: GB190105981A. Автор: Harry Austin Knox. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-10-26.

An Improvements in Taps for Steam, Water, or Gas, or other Liquids or Fluids.

Номер патента: GB189817731A. Автор: Joseph Booth Butterfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-10-15.

Method for Separating a Cleaned Useful Gas From a Gas Mixture, and Device for Carrying Out Said Method

Номер патента: US20120304689A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Device for soldering gas-air mixture of radiator cores using gas-air mixture

Номер патента: SU481379A1. Автор: Алексей Анатольевич Скворцов,Георгий Александрович Тихобаев,Илья Иосифович Менделенко. Владелец: Горьковский Проектно-Конструкторский Технологический Институт. Дата публикации: 1975-08-25.

METHOD FOR DEVELOPING A MULTIPLAST GAS-CONDENSATE DEPOSIT USING GAS TRANSPORT ON A HIGH-PERMEABLE LAYER

Номер патента: RU2008129136A. Автор: Владимир Александрович Истомин,Михаил Викторович Попов,Александр Михайлович Фридман,Рауф Раисович Юнусов,Леонид Викторович Михельсон,Виктор Иванович Гиря,Игорь Юрьевич Леонтьев,Андрей Анатольевич Лузин,Владимир Александрович Истомин (RU),Леонид Викторович Михельсон (RU),Михаил Викторович Попов (RU),Виктор Иванович Гиря (RU),Александр Михайлович Фридман (RU),Игорь Юрьевич Леонтьев (RU),Рауф Раисович Юнусов (RU),Андрей Анатольевич Лузин (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "НОВАТЭК" (RU). Дата публикации: 2010-01-27.

Method for preparing titania film by using gas flow reaction sputtering under middle gas pressure and method for preparing solar cell

Номер патента: CN101838794A. Автор: 郭射宇. Владелец: YIRI SOLARTECH (SUZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Gas trubine by using gas included dust

Номер патента: JPS5236208A. Автор: Kazuo Yamane. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1977-03-19.

Rock drill using gas jets - has rocket and head with nozzles communicating with gas generator

Номер патента: FR2307118A1. Автор: . Владелец: TS GEOFIZICHESKY TREST. Дата публикации: 1976-11-05.

Production method for photoacoustic gas sensor-use gas diffusion filter

Номер патента: AU2002253646A1. Автор: Takashi Kihara,Hisatoshi Fujiwara,Nobuaki Honda. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

GAS-TURBINE BOX USING GAS GENERATOR ENERGY

Номер патента: RU2008150929A. Автор: Владлен Михайлович Борщанский,Владлен Михайлович Борщанский (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова" (RU). Дата публикации: 2010-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.