絶縁ゲ−ト型電界効果半導体集積回路装置およびその製造方法
Номер патента: JPS5861672A
Опубликовано: 12-04-1983
Автор(ы): Shigeru Takahashi, 盛 高橋
Принадлежит: NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd
Опубликовано: 12-04-1983
Автор(ы): Shigeru Takahashi, 盛 高橋
Принадлежит: NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd
Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。
Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same
Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.