Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20220199424A1
Опубликовано: 23-06-2022
Автор(ы): Fulvio Vittorio Fontana, Michele DERAI
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SRL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method for installing heat dissipation member to semiconductor device, and a method for producing semiconductor device

Номер патента: US09711430B2. Автор: Tatsuo Nishizawa,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor device and manufacturing method for power semiconductor device

Номер патента: US20200251423A1. Автор: Takayuki Yamada,Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Atsuki FUJITA,Kohei Yabuta,Yutaro Sugi,Hiroaki Haruna. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

A method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: EP4273908A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: US20230360929A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160322287A1. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US09899248B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20200294972A1. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Seung Hee Nam,Jung Ho Jo,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180261576A1. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Seung Hee Nam,Jung Ho Jo,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor packages including heat spreaders and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847285B1. Автор: Jong Hoon Kim,Han Jun Bae,Ki Jun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09646923B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit package pad and methods of forming

Номер патента: US09812337B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US12107051B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058579A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for making the semiconductor device

Номер патента: US20220270980A1. Автор: Yi-Lii Huang,Chun-Wei Liao,Huei-Shan Wu,Yun-Jhen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Semiconductor device, electronic apparatus, and preparation method for semiconductor device

Номер патента: EP4283667A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345711A1. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Module and method of manufacturing a module

Номер патента: US09691687B2. Автор: Ulrich Krumbein,Horst Theuss,Helmut Wietschorke,Daniel Kehrer,Stefan Martens,Tze Yang Hin,Beng-Keh See. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Fan-out packaging device using bridge and method of manufacturing fan-out packaging device using bridge

Номер патента: US20240014111A1. Автор: Byung Joon Han,Byung Hoon Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-11.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DESIGNING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293753A1. Автор: NAKAMURA Shunichi,INOUE Tetsuto,SUGAI Akihiko. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170301789A1. Автор: YAMADA Ryuji,Takei Manabu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE PILLARS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF FORMING ELECTRICAL INTERCONNECTS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160225731A1. Автор: Chandolu Anilkumar,Hagen Kenneth N.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4148805A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device, substrate, equipment board, method for producing semiconductor device, and semiconductor chip for communication

Номер патента: US20080290508A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Kenichi Shigenami,Shunichi Sukegawa,Takeo Sekino,Shinichi Toi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20230070266A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20190371831A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20200312891A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11842938B2. Автор: Wolfgang Bergner,Stefan KRAMP,Romain Esteve,Grzegorz Lupina,Andreas Voerckel,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan Woehlert,Florian Grasse,Richard Gaisberger,Stefan KRIVEC,Hiroshi Narahashi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185325A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185264A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US09859402B2. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220223554A1. Автор: Jens Hofrichter,Frank Fournel,Sylvain Maitrejean,Viorel Balan,Amandine JOUVE,Karl Rohracher,Manuel Kaschowitz,Bernhard Poelzl,Romain Crochemore. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-14.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device and pre-clean apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20190164826A1. Автор: Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Jung-Tang WU,Szu-Hua Wu,Pao-Sheng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of fabricating interconnect lines and plate electrodes of a storage capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6090662A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Methods of manufacturing thin film transistor, biometric device, and display apparatus

Номер патента: US11830763B2. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US20160276465A1. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11830950B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20240088303A1. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US9941402B2. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20240079472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor device, display device, and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20010019128A1. Автор: Zhang Hongyong,Tamotsu Sakai,Yasushi Kubota,Ichiro Shiraki,Jun Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240194266A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US20240047366A1. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and resin binder for assembling semiconductor device

Номер патента: EP1449251A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-25.

Semiconductor device and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: EP4373235A1. Автор: Dongyoung Kim,Iksoo Kim,Daihong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US11824009B2. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Frequency adjustment method of vibrator element, vibrator element, vibrator, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190006575A1. Автор: Masahiro Oshio,Keiichi Yamaguchi,Seiichiro Ogura,Ryuta NISHIZAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230367220A1. Автор: Yung-Yao Lee,Kuo-Hung Chao,Hsieh-Yu WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing an organic EL display device, and organic EL display device

Номер патента: US09865834B2. Автор: Masakazu Kaida,Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056066A1. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing NOR-type mask ROM device and semiconductor device including the same

Номер патента: US7364973B2. Автор: Hyun-Khe Yoo,Weon-Ho Park,Byoung-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-29.

Method of manufacturing NOR-type mask ROM device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20070275509A1. Автор: Hyun-Khe Yoo,Weon-Ho Park,Byoung-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Adhesive composition for producing semiconductor device, and adhesive sheet for producing semiconductor device

Номер патента: US20110190421A1. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160181441A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a monitor pattern, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6602725B2. Автор: Masanobu Iwasaki,Yuichi Sakai,Hiroyuki Chibahara,Kakutaro Suda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Multi-die structure and method of forming same

Номер патента: US09761566B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Buried Channel/Body Zone and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187654A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing polycrystalline silicon layer, display device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20200161389A1. Автор: SEO Jong Oh,Dong-Min Lee,Byung Soo SO,Dong-Sung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of manufacturing polycrystalline silicon layer, display device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US11164919B2. Автор: SEO Jong Oh,Dong-Min Lee,Byung Soo SO,Dong-Sung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200321280A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240014137A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11817507B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tsutomu Murakawa,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and ID generator configured as semiconductor device

Номер патента: US20050047227A1. Автор: Atsushi Noda,Kenichi Ohkubo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Semiconductor device and a method for producing semiconductor device

Номер патента: US8778779B2. Автор: Mitsufumi Naoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140091320A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US10153339B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-11.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123193A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230274935A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210233769A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and inter-metal dielectric (IMD) structures

Номер патента: US09941214B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing support structures for lighting devices and corresponding device

Номер патента: US20180062054A1. Автор: Lorenzo Baldo,Alessio Griffoni,Federico Poggi. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09899423B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and image sensor including the semiconductor device

Номер патента: US20230143634A1. Автор: Won Seok Lee,Young Gu Jin,Jung Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240179913A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240365543A1. Автор: Sungjun Kim,Minkyu KANG,Jongyoon Choi,Eunsuk Cho,Woongseop Lee,Taegon LEE,Hyungyu HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of forming a non-volatile resistance variable device, and non-volatile resistance variable device

Номер патента: US20040157416A1. Автор: John Moore,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: WO2019205130A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: US20210354435A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: EP3788653A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of producing electrical component, electrical component production device, and photosensitive resist

Номер патента: US20110207048A1. Автор: Yuki ITOU. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Process of manufacturing an x-ray imaging device and to an x-ray imaging device produced by such a process

Номер патента: US20230104959A1. Автор: Albert Jos Jan Marie van Breemen,Gerwin Hermanus Gelinck,Hylke Broer Akkerman,Jan-Laurens Pieter Jacobus Van der Steen,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-04-06.

Process of manufacturing an x-ray imaging device and to an x-ray imaging device produced by such a process

Номер патента: EP4115450A1. Автор: Albert Jos Jan Marie van Breemen,Gerwin Hermanus Gelinck,Hylke Broer Akkerman,Jan-Laurens Pieter Jacobus Van der Steen,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-01-11.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Multifold micro emitting device, display apparatus having the same, method of manufacturing the multifold micro emitting device, and method of manufacturing the display apparatus

Номер патента: US20240162403A1. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Multifold micro emitting device, display apparatus having the same, method of manufacturing the multifold micro emitting device, and method of manufacturing the display apparatus

Номер патента: EP4372815A1. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and power conversion device comprising semiconductor device

Номер патента: US20220181472A1. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming a solder interconnection capable of sustained high power levels between a semiconductor device and a supporting substrate

Номер патента: US4360142A. Автор: Charles Carpenter,Joseph F. Fugardi,Lawrence V. Gregor,Peter S. Grosewald,Morton D. Reeber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Method of manufacturing an organic light-emitting device and an organic light-emitting device manufactured by using the same

Номер патента: US11430971B2. Автор: Jonghyeok Lee,Heunggyu KIM,Seungmook LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Method of manufacturing an organic light-emitting device and an organic light-emitting device manufactured by using the same

Номер патента: US20210280833A1. Автор: Jonghyeok Lee,Heunggyu KIM,Seungmook LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20230343875A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

Номер патента: US20170256648A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US10650766B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20220085073A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20200193927A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210225310A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11968820B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170047354A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition

Номер патента: US20160111611A1. Автор: Naoko Yoshida,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Ryusuke Naito,Yuichi Fukamichi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4181210A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170373196A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11929426B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240072122A1. Автор: Dethard Peters,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US10276655B2. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345893A1. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20230088827A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4152361A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: US20200402943A1. Автор: Michael Zitzlsperger,Matthias Goldbach,Matthias Hien,Ludwig PEYKER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Process of manufacturing an x-ray imaging device and to an x-ray imaging device produced by such a process

Номер патента: WO2021177827A1. Автор: Albert Jos Jan Marie van Breemen,Gerwin Hermanus Gelinck,Hylke Broer Akkerman,Jan-Laurens Pieter Jacobus Van der Steen,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-10.

Process of manufacturing an x-ray imaging device and to an x-ray imaging device produced by such a process

Номер патента: EP3876280A1. Автор: Albert Jos Jan Marie van Breemen,Gerwin Hermanus Gelinck,Hylke Broer Akkerman,Jan-Laurens Pieter Jacobus Van der Steen,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-08.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Crystalline material, method of crystal manufacture, radiation detector, non-infringing device and visualization device

Номер патента: RU2666445C1. Автор: Акира ЙОСИКАВА,Кей КАМАДА,Сунсуке КУРОСАВА,Ясухиро СОДЗИ,Юуи ЙОКОТА,Юдзи ОХАСИ,Такахико ХОРИАЙ,Рикито МУРАКАМИ. Владелец: Си Энд Эй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-09-07.

Semiconductor device having diode-built-in IGBT and semiconductor device having diode-built-in DMOS

Номер патента: US9184158B2. Автор: Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Memristor device, method of fabricating thereof, synaptic device including memristor device and neuromorphic device including synaptic device

Номер патента: US20220045289A1. Автор: Sung Gap Im,Sung-Yool Choi,Sangsu Park,Sang Yoon Yang,Jungyeop OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of varying gain of amplifying photoelectric conversion device and variable gain photoelectric conversion device

Номер патента: US20130240716A1. Автор: Hirofumi Watanabe,Yutaka Hayashi,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Toshitaka Ota,Takaaki Negoro,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: US11958280B2. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040241928A1. Автор: Takuya Maruyama,Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of forming a via contact

Номер патента: US09805971B2. Автор: HAI Cong,Rui Li,Chin Chuan Neo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190244858A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10763171B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090142920A1. Автор: Eun-Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of purging wafer receiving jig, wafer transfer device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200425379A. Автор: Kenji Tokunaga. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of purging wafer receiving jig, wafer transfer device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI246147B. Автор: Kenji Tokunaga. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978746B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Dongho Cha,Seungseok HA,Keunhee Bai,Sunhom Steve Paak,Kyoung Hwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of inhibiting corrosion of copper plated or metallized surfaces and circuitry during semiconductor manufacturing processes

Номер патента: WO2005015608A2. Автор: John E. Hoots,Brian V. Jenkins. Владелец: NALCO COMPANY. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of inhibiting corrosion of copper plated or metallized surfaces and circuitry during semiconductor manufacturing processes

Номер патента: EP1660954A4. Автор: John E Hoots,Brian V Jenkins. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2009-04-15.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200211839A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of forming recessed oxide isolation

Номер патента: CA1065497A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1979-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

ADHESIVE SHEET USED IN MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, ADHESIVE SHEET INTEGRATED WITH DICING TAPE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056066A1. Автор: TAKAMOTO Naohide,SHIGA Goji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of manufacturing cold cathode field emission device and method of manufacturing cold cathode field emission display

Номер патента: EP1073085A3. Автор: Ishiwata Mika. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus

Номер патента: WO2022184387A3. Автор: Dieter Winkler,Benjamin John Cook,Bernd Wöllert. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of evaluating analysis device, method of calibrating analysis device, analysis method, analysis device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220050080A1. Автор: Yukihiko KUDO. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of evaluating analysis device, method of calibrating analysis device, analysis method, analysis device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US11754526B2. Автор: Yukihiko KUDO. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus

Номер патента: US20220277921A1. Автор: Dieter Winkler,Benjamin John Cook,Bernd Woellert. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus

Номер патента: EP4302318A2. Автор: Dieter Winkler,Benjamin John Cook,Bernd Wöllert. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 2024-01-10.

Protection device having a sleeve and method of assembling a battery with a protection device and an electrical component

Номер патента: CA2346221C. Автор: Robert Zayatz. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2008-12-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

A method of manufacturing a microsystem, such a microsystem, a stack of foils comprising such a microsystem, an electronic device comprising such a microsystem and use of the electronic device

Номер патента: WO2007029132A3. Автор: Johannes Wilhelmus Weekamp,Jacobus Bernardus Giesbers,Geert Langereis. Владелец: Geert Langereis. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09947703B2. Автор: Atsushi Toda,Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Yuko Ohgishi,Kenji Azami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of managing electronic circuit including thermal protection device and corresponding electronic circuit

Номер патента: RU2672568C2. Автор: Анжело ПАСКАЛЕТТО,Жан-Мари КЭНТЭН. Владелец: Континенталь Отомотив Франс. Дата публикации: 2018-11-16.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of converting data streams with possibility of random access and corresponding method of its decording

Номер патента: RU2331914C2. Автор: Хайву ЧЖАО,Йонг ЧЭН,Гуожонг ВАНГ,Юн ХЕ. Владелец: Сентрал Рисерч Акэдеми Оф Сва Груп. Дата публикации: 2008-08-20.

System and method of managing data communication at portable computing device and portable computing device docking station

Номер патента: RU2503986C2. Автор: Томас Кевин КОЛЛОПИ,Манджит Сингх ДЖИЛЛ,Рональд Дж. ТЕССИТОР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-01-10.

Method of transmitting and receiving control information, communication device and system

Номер патента: RU2573748C2. Автор: Лэй ВАНЬ,Ян ЛИ,Ша МА,Чаоцзюнь ЛИ,Чжиюй ЯНЬ,Сяотао ЖЭНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-01-27.

Method of returning channel state information, a terminal device and a network device

Номер патента: RU2720178C1. Автор: Е Ян,Байлун СУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-27.

Method of transmitting and receiving control information, communication device and system

Номер патента: RU2514089C2. Автор: Лэй ВАНЬ,Ян ЛИ,Ша МА,Чаоцзюнь ЛИ,Чжиюй ЯНЬ,Сяотао ЖЭНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-04-27.

Method of transmitting and receiving data of electronic device and electronic device using the method

Номер патента: US09756674B2. Автор: Donghyun Yeom,Jongwoo LEE,Jusung NOH,Seokjoong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of processing information on emergency signals, corresponding device and system

Номер патента: RU2712438C2. Автор: Шаньшань ВАН,Цзянь Чжу,Лан ЧЖОУ,Биньгли ЧЖИ,Вэньюн ХАНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-28.

Communication method of electronic shelf label system, system, computer device and storage medium

Номер патента: CA3234986A1. Автор: Min Liang,YAPING Ji,QI JIANG,Yujing WANG,Ju Zhang,Guofeng Zhang,Gengfeng Chen. Владелец: Hanshow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-17.

Display method, method of training semantic unit detection model, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20220391594A1. Автор: ZHI Li,Hua Wu,Haifeng Wang,Zhanyi Liu,Chuanqiang Zhang,Ruiqing Zhang,Zhongjun He,Shuangshuang Cui,Xing Wan,Jingxuan Zhao,Fengtao HUANG,Yongzheng Xin. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of inputting user input by using mobile device, and mobile device using the method

Номер патента: US09916016B2. Автор: Joon-kyu Seo,Ji-yeon Kwak,Young-Joon Choi,Yong-yeon Lee,Yeo-jun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of sharing contents by using personal cloud device, and electronic device and personal cloud system

Номер патента: US09813478B2. Автор: Bon-Hyun Koo,Kyoung-Lae NOH,Su-byeong Oh,Ki-Eun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

A method of controlling a lighting emitting diode lighting device and a light emitting diode, led, based lighting device

Номер патента: EP4162770A1. Автор: Berend Jan Willem Ter Weeme,Aldegonda Lucia Weijers,Vincent Arnoud Wouters. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-04-12.

Method of editing call history information in mobile device and mobile device controlling the same

Номер патента: US09954998B2. Автор: Sijeong Ro. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of Handling Capability Information of a Mobile Device and Related Communication Device

Номер патента: US20120008557A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of transmitting information in unlicensed band, network device, and terminal

Номер патента: US20200163117A1. Автор: Xueming PAN,Lei Jiang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of setting driver program of image processing device and image processing system with transparent function

Номер патента: US20130239035A1. Автор: Yang-moon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method of shutting down cell, terminal device, network device, and storage medium

Номер патента: US20240244500A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of wireless communication between a terminal computing device and portable computing device

Номер патента: RU2617444C1. Автор: Андрей БЕЛОГОЛОВЫЙ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of generating tactile user feedback utilizing headphone devices and related systems

Номер патента: US09712907B2. Автор: Matthew WINDT,John Timothy,Sam NOERTKER. Владелец: Skullcandy Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing and testing an electronic device, and an electronic device

Номер патента: US6104280A. Автор: Mark E. Tuttle,Rickie C. Lake,Curtis M. Medlen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument

Номер патента: US6720236B2. Автор: Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Method of establishing control relationships, configuration device, networked device and computer program product

Номер патента: US09774637B2. Автор: Timo Van Roermund,Aly Aamer Syed,Ewout Brandsma,Maarten Christiaan Pennings. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-09-26.

A method of replacing a current key in a security element and corresponding security element

Номер патента: EP4305860A1. Автор: Nicolas Joubert,Henri Ohanian,Cyril Barras,Oussama BOUZAYANE. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-01-17.

A method of replacing a current key in a security element and corresponding security element

Номер патента: WO2022189133A1. Автор: Nicolas Joubert,Henri Ohanian,Cyril Barras,Oussama BOUZAYANE. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of adjustment for receiver of signals transmitted in bursts and corresponding receivers

Номер патента: EP1388936A2. Автор: Renaud Doré,Vincent Demoulin,Patrick Fontaine,Patrick Lopez,Samuel Guillouard. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of fabricating a multi-aperture system for foveated imaging and corresponding multi-aperture system

Номер патента: WO2018072806A1. Автор: Harald Giessen,Timo Gissibl,Simon Thiele,Kathrin ARZENBACHER,Alois M. Herkommer. Владелец: BADEN-WURTTEMBERG STIFTUNG GGMBH. Дата публикации: 2018-04-26.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

A method of replacing a current key in a security element and corresponding security element

Номер патента: US20240154804A1. Автор: Nicolas Joubert,Henri Ohanian,Cyril Barras,Oussama BOUZAYANE. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of data storing in a distributed data storage system and corresponding device

Номер патента: EP2619962A2. Автор: Erwan Le Merrer,Gilles Straub,Alexandre Van Kempen,Anne-Marie Kermarrec. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of data storing in a distributed data storage system and corresponding device

Номер патента: WO2012038385A2. Автор: Erwan Le Merrer,Gilles Straub,Alexandre Van Kempen. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of data storing in a distributed data storage system and corresponding device

Номер патента: US20130275697A1. Автор: Erwan Le Merrer,Gilles Straub,Alexandre Van Kempen. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of data storing in a distributed data storage system and corresponding device

Номер патента: WO2012038385A3. Автор: Erwan Le Merrer,Gilles Straub,Alexandre Van Kempen. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of operating a drive device for a motor vehicle, and corresponding drive device

Номер патента: US20160226343A1. Автор: Uwe Feldmann. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for color mapping a video signal based on color mapping data and method of encoding a video signal and color mapping data and corresponding devices

Номер патента: US20190306523A1. Автор: Sébastien Lasserre,Philippe Bordes,Pierre Andrivon. Владелец: InterDigital VC Holdings Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for color mapping a video signal based on color mapping data and method of encoding a video signal and color mapping data and corresponding devices

Номер патента: EP3207705A1. Автор: Sébastien Lasserre,Philippe Bordes,Pierre Andrivon. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2017-08-23.

Method for color mapping a video signal based on color mapping data and method of encoding a video signal and color mapping data and corresponding devices

Номер патента: US20170302946A1. Автор: Sébastien Lasserre,Pierre Andrivon,Phillippe BORDES. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for color mapping a video signal based on color mapping data and method of encoding a video signal and color mapping data and corresponding devices

Номер патента: WO2016058835A1. Автор: Sébastien Lasserre,Philippe Bordes,Pierre Andrivon. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Semiconductor Device and Voltage Regulator Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20080197829A1. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method of transmitting a pilot signal, a terminal device and a network device

Номер патента: RU2713430C1. Автор: Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

Method of coding, decoding method, coding device, decoding device and coding and decoding device

Номер патента: RU2627109C2. Автор: Йоудзи Сибахара,Такахиро Ниси,Хисао Сасаи,Кенго ТЕРАДА,Тосиясу СУГИО,Киоко ТАНИКАВА,Тору МАЦУНОБУ,Тадамаса ТОМА. Владелец: Сан Пэтент Траст. Дата публикации: 2017-08-03.

Device and method of generating audio signal subband values and device and method of generating audio signal readings in time domain

Номер патента: RU2420815C2. Автор: Маркус ЛОВАССЕР,Ральф ГАЙГЕР,Маркус ШНЕЛЛЬ,Бернхард ГРИЛЛ,Маркус МУЛТРУС,Геральд ШУЛЛЕР,Марк ГАЙЕР,Бернд ЭДЛЕР,Манфред ЛУТЦКИ,Маркус ШМИДТ,Михель МЕЛЛАР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2011-06-10.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

A method of cooling a static electronic power converter device, and a corresponding device

Номер патента: CA2595301C. Автор: Roger Marchand. Владелец: Intelligent Electronic Systems IES. Дата публикации: 2015-04-21.

A method of associating a first type of node device and a second type of node device in a network

Номер патента: WO2023208758A1. Автор: Lili Wu,Zhan HUANG. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of notifying of business audit, gateway, electronic device, and readable medium

Номер патента: US20230188620A1. Автор: HAO Zhang,Cong Yu,Ke Tao,Yuanxu Liu. Владелец: Baidu China Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods of mutually pairing a wireless gear control device and a wireless gear changing device for a bicycle, wireless devices, and wireless gear changing system

Номер патента: NL2032405B1. Автор: Marie Van Druten Roëll. Владелец: Classified Cycling Bv. Дата публикации: 2024-01-23.

Control method of color temperature and luminance for led device and control system thereof

Номер патента: US20150271891A1. Автор: Jian-An Chen,Ting-Feng Wu,Sheng-Chieh Tseng,Chin-Chen Chou. Владелец: Anteya Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Memristor device, method of fabricating thereof, synaptic device including memristor device and neuromorphic device including synaptic device

Номер патента: US20230422530A1. Автор: Sung Gap Im,Sung-Yool Choi,Sangsu Park,Sang Yoon Yang,Jungyeop OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of mutually pairing a wireless gear control device and a wireless gear changing device for a bicycle, wireless devices, and wireless gear changing system

Номер патента: WO2024008878A1. Автор: Roëll Marie van Druten. Владелец: Classified Cycling Bv. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of handling cell selection and related network device and mobile device

Номер патента: AU2020223645A1. Автор: Ching-Wen Cheng. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of handling cell selection and related network device and mobile device

Номер патента: AU2020223645B2. Автор: Ching-Wen Cheng. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US20200043268A1. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston,Patrick McMullan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US20200043267A1. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston,Patrick McMullan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US20200402331A1. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston,Patrick McMullan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-24.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US20200043269A1. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston,Patrick McMullan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US10665045B2. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston,Patrick McMullan. Владелец: TW Vending Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Systems and methods of using implanted or wearable micro electronic devices and for using a mobile device to communicate with and manage such micro electronic devices

Номер патента: US20200043266A1. Автор: Eric Bloms,Todd Westby,Sam Bengston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of Transmitting data, user equipment, network side device and computer readable storage medium

Номер патента: US11930395B2. Автор: Fangli XU,Yali Zhao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of transmitting data, user equipment, network side device and computer readable storage medium

Номер патента: US11109266B2. Автор: Fangli XU,Yali Zhao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of configuring a cloud server resource, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230074351A1. Автор: DONG Han,Minghe QIAO. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of receiving a wake-up signal, wireless device and computer program

Номер патента: EP3777349A1. Автор: Muhammad Kazmi,Magnus ÅSTRÖM,Santhan THANGARASA,Yutao Sui. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-02-17.

Memristor device, method of fabricating thereof, synaptic device including memristor device and neuromorphic device including synaptic device

Номер патента: US11793006B2. Автор: Sung Gap Im,Sung-Yool Choi,Sangsu Park,Sang Yoon Yang,Jungyeop OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-17.

Control method and update method of electronic ink display apparatus, and related devices and system

Номер патента: US20220368143A1. Автор: Xin Li,Xiaohong Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of current management in a battery powered device and battery powered device

Номер патента: EP1552319A1. Автор: Finn c/o Oticon A/S DANIELSEN. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2005-07-13.

Method of handling cell selection and related network device and mobile device

Номер патента: US20210068013A1. Автор: Ching-Wen Cheng. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

A method of signal conversion, a device, an electronic device and a storage medium

Номер патента: EP3974997A1. Автор: HAO Zhang,Mingzhi QIU. Владелец: Shenzhen Lingfeng Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Method of Signal Conversion, A Device, An Electronic Device and A Storage Medium

Номер патента: US20220092018A1. Автор: HAO Zhang,Mingzhi QIU. Владелец: Shenzhen Lingfeng Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of configuring wireless tracking device using mobile device and mobile application therefor

Номер патента: WO2021019571A1. Автор: Yoshifumi Sakata,Gaurav Sinha,Ankit MALIK,Divyanshu SETHI. Владелец: Panasonic India Pvt. Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of providing location information for mobile electronic device and mobile electrode devices using the same

Номер патента: US20150373085A1. Автор: Wen-Chien Liu,Yuan-Kang Wang,Wen-Chuan Lee,Ko-Hsin HSIANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of logging in to operating system, electronic device and readable storage medium

Номер патента: US11972002B2. Автор: Shiaw-Herng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of shutting down cell, terminal device, network device, and storage medium

Номер патента: US20240179624A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of automatically photographing an image, image processing device and image processing system performing the same

Номер патента: US20210235009A1. Автор: Hongsuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Printing system, method of generating halftone processing rule, method of acquiring characteristic parameter, image processing device, image processing method, halftone processing rule, halftone image, method of manufacturing printed material, inkjet printing system, and program

Номер патента: US09967428B2. Автор: Kimito Katsuyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

User management method of shared network, and corresponding device and system

Номер патента: US09924364B2. Автор: Shuo Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile storage device and method of manufacturing the same, and storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842557B2. Автор: Katsuyuki Naito,Yuichi Motoi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Nonvolatile storage device and method of manufacturing the same, and storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090042340A1. Автор: Katsuyuki Naito,Yuichi Motoi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Display panel and method for manufacturing the same, display device and electronic apparatus

Номер патента: US12029085B2. Автор: LI Wang,BO Wang,Jingquan WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of consumption characteristics control for differential-safety devices and installation for method implementation

Номер патента: RU2668628C1. Автор: Владимир Васильевич Беляков,Евгений Федорович Капинос. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2018-10-02.

Manufacturing method of zinc oxide nanorod arrays and nanorod arrays made by the same and semiconductor device using the same

Номер патента: WO2014182129A1. Автор: Jong Lam Lee,Sung Joo Kim,Buem Joon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Control method, method of monitoring and transmitting information, method of manufacturing, comprising monitoring method, monitoring device and production plant

Номер патента: RU2727913C1. Автор: Кендзо ЯСУЕ. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-07-24.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of operating water softening apparatus having two calibration characteristics and corresponding water softening apparatus

Номер патента: RU2478579C2. Автор: Ральф ЗЕКНИК,Клаус НАЙДХАРДТ,Александер ХАУГ,Зигфрид МЕЛЬХЕР. Владелец: Юдо Вассерауфберайтунг Гмбх. Дата публикации: 2013-04-10.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Platen roller, method of manufacturing the same, and recording device and sticking label printer provided with the rollers

Номер патента: US20100304021A1. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Masanori Takahashi,Hiroyuki Kohira,Tatsuya Obuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of operating a brake system for a motor vehicle and corresponding brake system

Номер патента: US20230339442A1. Автор: Krister Petersen. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing an exhaust gas carrying device and tool therefor

Номер патента: US09714596B2. Автор: Stefan Keller,Otto Steinhauser,Manfred Stiglmaier,Stefan Meischkoetter. Владелец: Faurecia Emissions Control Technologies Germany GmbH. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a three-dimensional medical device and resulting medical device

Номер патента: US20230181795A1. Автор: Anthony Peres,Guillaume Hofmanski. Владелец: Ph Tech. Дата публикации: 2023-06-15.

Catalyst for cleaning exhaust gases, method of regenerating said catalyst, as well as device and method of cleaning exhaust gases using said catalyst

Номер патента: RU2395341C1. Автор: Масахиде МИУРА,Нобуюки ТАКАГИ,Тоситака ТАНАБЕ,Ясутака НАГАИ,Казухико ДОХМАЕ,Ясуо ИКЕДА,Михо ХАТАНАКА,Тосио ЯМАМОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-07-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of electrostatic precipitator dust burden evaluation and device and method for electrostatic precipitator shaking

Номер патента: RU2481896C2. Автор: Андерс Карлссон,Скотт А. БОЙДЕН. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2013-05-20.

Electrochromic material and method of manufacturing the same and electrochromic device and optical device and electronic device

Номер патента: US20200341341A1. Автор: Haeng Deog Koh,Ha Jin Kim,Min Jong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210096475A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Shinn-Sheng Yu,Kenji Yamazoe,Minfeng CHEN,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230333486A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Shinn-Sheng Yu,Kenji Yamazoe,Minfeng CHEN,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

A method of enhancing distorted signal, a mobile communication device and a computer program product

Номер патента: WO2019096807A1. Автор: Marcin Kuropatwinski. Владелец: Talking 2 Rabbit Sarl. Дата публикации: 2019-05-23.

A method of enhancing distorted signal, a mobile communication device and a computer program product

Номер патента: US20200321016A1. Автор: Marcin Kuropatwinski. Владелец: Talking 2 Rabbit Sarl. Дата публикации: 2020-10-08.

A method of producing an optical device, an optical device, and an article comprising said optical device

Номер патента: WO2006097113A3. Автор: Maike Benter,Bjoern Winther-Jensen,Bahram Eshtehardi. Владелец: Bahram Eshtehardi. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4005972A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of determining state of target object, electronic device, and storage medium

Номер патента: US11995154B2. Автор: Yongqing Wang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods of activating input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210110864A1. Автор: Atsushi Shimizu,Yosuke Takano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of determining regional land usage property, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230024680A1. Автор: Dejing Dou,Xinjiang LU. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of executing task for large language model, device, and storage medium

Номер патента: US20240378077A1. Автор: Haifeng Wang,Dianhai Yu,Jiabin Yang,Xiyuan XIAO,Guoxia WANG,Jinle ZENG. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of detecting vibration anomalies in an electronic device and associated system

Номер патента: US20240151608A1. Автор: Federico Di Santo,Davide DA RÙ,Gianluca IABICHINO. Владелец: KSB SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-05-09.

Method Of Identifying A Vessel, A Vessel Identifying Device and A Floating Object and Land Installation Comprising A Vessel Identifying Device

Номер патента: US20240239452A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of identifying level of doneness of food, device, and computer storage medium

Номер патента: US12094228B2. Автор: Yusheng Li,Linnan Zhu,Sanjun LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of identifying a vessel, a vessel identifying device and a floating object and land installation comprising a vessel identifying device

Номер патента: EP4403877A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-24.

Forming method of cylindrical composite material, inner surface layering device, and cylindrical composite material

Номер патента: US20190283363A1. Автор: Ryoji Okabe,Kodai SHIMONO. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Display method of electronic identification device, controller, electronic identification device and system

Номер патента: US12026569B2. Автор: BO LIU,Jun Wu,Lichun Chen,Yunyan XIE,Yuanzhuo LIU. Владелец: Chongqing BOE Smart Electronics System Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of driving light emitting device, light emitting device and electronic apparatus

Номер патента: US20100328364A1. Автор: Takehiko Kubota. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of operating a drive device for a motor vehicle, and corresponding drive device

Номер патента: US09862385B2. Автор: Thomas Theel,Andras Eppel,Jörg Au. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of embossing individually light-reflecting areas on foil material and corresponding roller installation

Номер патента: RU2768642C2. Автор: Шарль БЁЛЬИ,Вернер ШТЕФФЕН,Ален ДРОЦ. Владелец: Бёльи-Гравюр Са. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of repairing non-volatile memory based storage device and method of operating electronic system including the storage device

Номер патента: US09728277B2. Автор: Jong Tae Park,Joon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of actuating ultrasonic drive device, ultrasonic drive device, and ultrasonic treatment system

Номер патента: US20230182172A1. Автор: Shunsuke Matsui,Gen Kato,Ko KAWASIMA. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing protein beverages and denaturation circuit device and system

Номер патента: RU2586154C2. Автор: Рей-Йоунг Амос ВУ,Хоанг ХЭТАК,Арнаб САРКАР,Бозена Мальмгрен. Владелец: Пепсико, Инк.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of attaching radiopaque markers to intraluminal medical devices, and devices formed using the same

Номер патента: WO2008140985A1. Автор: Michael L. Davis,Paul F. Chouinard,James F. Hemerick,Brian Finander,Thyna Chau,Steve Anderl. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC LIMITED. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US20240194232A1. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of measuring physical properties, method of evaluating member, method of manufacturing electronic component device, method of manufacturing material for electronic component device, and physical property measurement system

Номер патента: US20230204530A1. Автор: Hirokazu Noma. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of producing a test pattern allowing determination of acceptance and rejection of a semiconductor device without causing a timing problem

Номер патента: US6163760A. Автор: Yasushi Koseko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Color filter substrate as well as method of manufacturing the same, electro-optic device and electronic equipment

Номер патента: US6906841B2. Автор: Isao Adachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Method of emitting very low frequency high power acoustic waves, and corresponding transducers therefor

Номер патента: US5469406A. Автор: Gilles Grosso,Didier Boucher,Alain A. Scarpitta. Владелец: Direction General pour lArmement DGA. Дата публикации: 1995-11-21.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of imaging a surface using a scanning probe microscope and corresponding system using the method

Номер патента: WO2021079157A1. Автор: Andrew Humphris. Владелец: Infinitesima Limited. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of imaging a surface using a scanning probe microscope and corresponding system using the method

Номер патента: EP4049041A1. Автор: Andrew Humphris. Владелец: INFINITESIMA LTD. Дата публикации: 2022-08-31.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and program used in the semiconductor device

Номер патента: US20190087329A1. Автор: Takashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Computer-assisted method of providing components for lifts, escalators and moving walkways, and corresponding delivery units

Номер патента: NZ546857A. Автор: Pablo Cruz. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2007-09-28.

Method of operating a drive device for a motor vehicle, and corresponding drive device

Номер патента: US20170183011A1. Автор: Thomas Theel,Andras Eppel,Jörg Au. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-06-29.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device and startup control method for semiconductor device

Номер патента: US20240143465A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Takahiro Irita,Kyohei Yamaguchi,Kiyoshi Hayase,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: EP4332784A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: US20240078203A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and operation monitoring method for semiconductor device

Номер патента: US20090243627A1. Автор: Takayoshi Nakamura,Kanta Yamamoto,Shigetaka Asano,Tohru Yasuda,Kazufumi Komura,Katsumi Furukawa,Nobuyoshi Nakaya,Keiichi Fujimura,Hirohisa Nishiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Recycling method of lining material of electrolytic cell cathode device and device for its implementation

Номер патента: RU2727377C1. Автор: Алексей Сергеевич Жердев,Виталий Валерьевич Пингин,Самуил Яковлевич Левенсон,Вячеслав Андреевич Голдобин,Александр Владимирович Прошкин,Андрей Геннадьевич Сбитнев,Алексей Васильевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2020-07-21.

Method of detecting vibration anomalies in an electronic device and associated system

Номер патента: EP4305391A1. Автор: Federico Di Santo,Davide DA RÙ,Gianluca IABICHINO. Владелец: KSB SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US20170174507A1. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of training prediction model, prediction method, electronic device and medium

Номер патента: US20220269952A1. Автор: ZHENG Dong,Xi Zhang,Hengshu Zhu,Hongke Zhao,Yihang CHENG. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of enhancing distorted signal, a mobile communication device and a computer program product

Номер патента: US11393485B2. Автор: Marcin Kuropatwinski. Владелец: MED EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2022-07-19.

Method of performing green wave coordination control, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230334986A1. Автор: Yu Mei,Xiaoqin Dou,Weicen LING. Владелец: Apollo Intelligent Connectivity Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of producing powdered medicine multi-dose administering device and apparatus therefor

Номер патента: CA2460466C. Автор: Masahiko Dohi,Seiji Mochizuki,Hiroshi Kuroda,Yasuhiro Zaima. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

System and method of managing, maintaining and reporting endoscope medical devices and using device-related status data

Номер патента: US20210151174A1. Автор: Carlos Gonzalez,Michael Cousin. Владелец: Sympliant Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of constructing network model for deep learning, device, and storage medium

Номер патента: US20220058490A1. Автор: TIAN Wu,Yanjun Ma,Hongyu Liu,Haifeng Wang,Dianhai Yu,Xiaoguang Hu. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US11942181B2. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of active flash management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20110138108A1. Автор: Xiangrong Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Question answering method, method of training a question answering model, electronic device, and medium

Номер патента: US20230153337A1. Автор: Yong Zhu,Wenbin Jiang,Chunguang Chai,Yajuan Lv. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of culturing vascular smooth muscle cells, culture device and medical material obtained by the culture

Номер патента: US20090274664A1. Автор: Takashi Horiuchi,Keiichi Miyamoto. Владелец: Chisso Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Method of determining set of association grids, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230205793A1. Автор: Chong Guo,Xiaokang Guo. Владелец: Apollo Intelligent Connectivity Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods of modeling a 3d object, and related devices and computer program products

Номер патента: US20200357166A1. Автор: Pal Szasz,Daniel LINÅKER. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods of modeling a 3d object, and related devices and computer program products

Номер патента: EP3756164A1. Автор: Pal Szasz,Daniel LINÅKER. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of automatically setting up a code reading device and camera-based code reading device

Номер патента: US20230032900A1. Автор: Pascal SCHÜLER. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of automatically setting up a code reading device and camera-based code reading device

Номер патента: US11922263B2. Автор: Pascal SCHÜLER. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2024-03-05.

System and method of managing security between a portable computing device and a portable computing device docking station

Номер патента: EP2411884A2. Автор: Thomas Kevin Collopy,Manjit Singh Gill. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Display method of electronic identification device, controller, electronic identification device and system

Номер патента: US20230359854A1. Автор: BO LIU,Jun Wu,Lichun Chen,Yunyan XIE,Yuanzhuo LIU. Владелец: Chongqing BOE Smart Electronics System Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of driving design on gate electrodes, and device and electronic device thereof

Номер патента: US20230103799A1. Автор: Yang Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of Controlling Battery Replacement, Battery Replacement Control Device, and Battery Replacement Control System

Номер патента: US20240166081A1. Автор: Takahiro Nomura,Hiroshi Umeno,Soshiro Murata,Yuya ONOZUKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Learning device, operating method of learning device, operating program of learning device, and operating device

Номер патента: EP3995997A1. Автор: Masataka Hasegawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Method of Controlling Belt Fixing Device, Belt Fixing Device, and Image Forming Apparatus

Номер патента: US20090245843A1. Автор: Makoto Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of controlling battery replacement, battery replacement control device, and battery replacement control system

Номер патента: EP4375129A1. Автор: Takahiro Nomura,Hiroshi Umeno,Soshiro Murata,Yuya ONOZUKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Systems and methods of calibration of low fill-factor sensor devices and object detection therewith

Номер патента: WO2023022998A1. Автор: Hod Finkelstein,Allan STEINHARDT. Владелец: Aeye, Inc.. Дата публикации: 2023-02-23.

Operation method of host configured to communicate with storage devices and memory devices, and system including storage devices and memory devices

Номер патента: EP4273708A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Operation method of host configured to communicate with storage devices and memory devices, and system including storage devices and memory devices

Номер патента: US20230359389A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of detecting target objects in images, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230005280A1. Автор: Cheng-Feng Wang,Li-Che Lin,Hui-Xian Yang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of disseminating updated drivers to mobile computing devices and a dissemination system therefor

Номер патента: US20150154036A1. Автор: Narayanan Swaminathan,Nicholas Haemel,Cathy Donovan. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Method of manufacturing a semicondutor device

Номер патента: US20030104641A1. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Surface light emission device, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US20020114150A1. Автор: Sadao Nakamura. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Cell potential detection device, method of manufacturing cell potential detection device, and information processing system

Номер патента: US20200283717A1. Автор: Masataka Maehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of integrating quartz crystal oscillator into synchronisation device and synchronisation device enabling reduction of requirements for said oscillator

Номер патента: RU2382491C1. Автор: Стефан Милчев Панталеев,Каринэ Анастасовна Панталеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Леди Эл". Дата публикации: 2010-02-20.

Method of wheelset locating, locating device, wheelset positioning device and complex for measuring normalized linear dimensions of wheelsets and co mplex for measuring normalized linear dimensions of wheelsets

Номер патента: RU2229995C2. Автор: В.В. Сыченков,В.В. Фроловский. Владелец: Сыченков Владимир Васильевич. Дата публикации: 2004-06-10.

Method of processing highly polluted oily water, deposits and soil, and corresponding equipment

Номер патента: RU2331587C1. Автор: Олег Юрьевич Маньшин,Дмитрий Михайлович Рапопорт,В чеслав Петрович Савинский,Вячеслав Петрович Савинский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственное объединение "ЭкоПромСервис". Дата публикации: 2008-08-20.

Method of testing and adjustment of diesel fuel devices and test rig for this method implementation

Номер патента: RU2562349C1. Автор: Самат Зайтунович Инсафуддинов,Филюс Раисович Сафин,Эльмир Маликович Гайсин. Владелец: Филюс Раисович Сафин. Дата публикации: 2015-09-10.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices such as transistors and diodes, and semiconductor devices manufactured by such methods

Номер патента: AU286756B2. Автор: Steinmeier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-09.

Method of manufacturing semiconductor devices using an electrolytic etching process and semiconductor device manufactured bythe method

Номер патента: AU3407468A. Автор: Leonardus Augustinus Herbertus Van Hoof Heu Arkus Joephus Antonius Van Duk. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-28.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices such as transistors and diodes, and semiconductor devices manufactured by such methods

Номер патента: AU4548464A. Автор: Steinmeier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-09.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of seating silicon chip onto housing base

Номер патента: RU2375787C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ). Дата публикации: 2009-12-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.