Memory with programmable refresh order and stagger time.

Memory with programmable refresh order and stagger time

Номер патента: US20240249764A1
Опубликовано: 25-07-2024
Автор(ы): Brian T. Pecha, Debra M. Bell, Kyle Alexander, Miles S. Wiscombe, Vaughn N. Johnson
Принадлежит: Lodestar Licensing Group LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory with programmable refresh order and stagger time

Номер патента: US11967353B2. Автор: Debra M. Bell,Miles S. Wiscombe,Vaughn N. Johnson,Brian T. Pecha,Kyle Alexander. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory with improved command/address bus utilization

Номер патента: US20240281387A1. Автор: Gary L. Howe,Debra M. Bell,Miles S. Wiscombe,Vaughn N. Johnson,Brian T. Pecha,Kyle Alexander. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory with improved command/address bus utilization

Номер патента: US11934326B2. Автор: Gary L. Howe,Debra M. Bell,Miles S. Wiscombe,Vaughn N. Johnson,Brian T. Pecha,Kyle Alexander. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-volatile memory with lpdram

Номер патента: US20160062695A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Memory with refresh logic to accommodate low-retention storage rows

Номер патента: US09390782B2. Автор: Ely Tsern,Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory with per die temperature-compensated refresh control

Номер патента: US11776612B2. Автор: Jason M. Johnson,James S. Rehmeyer,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory with per die temperature-compensated refresh control

Номер патента: WO2022010765A1. Автор: Jason M. Johnson,James S. Rehmeyer,Joo-Sang Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory with per die temperature-compensated refresh control

Номер патента: US20240062801A1. Автор: Jason M. Johnson,James S. Rehmeyer,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory with per die temperature-compensated refresh control

Номер патента: US20220005523A1. Автор: Jason M. Johnson,James S. Rehmeyer,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory with bank-conflict-resolution (BCR) module including cache

Номер патента: US09496009B2. Автор: Michael J. Miller,Jay Patel,Dipak Sikdar. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory with multiple selectable specification grades and operating method thereof

Номер патента: US20150301756A1. Автор: Ming Fang,Yingjiao FANG,Jimmy LEI. Владелец: WUXI ADVANCE SUNRISE CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory with virtual page size

Номер патента: US20240311055A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Addressing in memory with a read identification (rid) number

Номер патента: WO2020068363A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Addressing in memory with a read identification (rid) number

Номер патента: US20240329887A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Programming memories with stepped programming pulses

Номер патента: US09767894B2. Автор: Qiang Tang,Xiaojiang Guo,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US09703502B2. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US09430151B2. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory with virtual page size

Номер патента: US12001715B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory with address-selectable data poisoning circuitry, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12032834B2. Автор: Joshua E. Alzheimer,Mow Yiak Goh,Loren J. Wooley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Addressing in memory with a read identification (RID) number

Номер патента: US12014082B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory with artificial intelligence mode

Номер патента: US20240331759A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory with programmable address strides for accessing and precharging during the same access cycle

Номер патента: US7787311B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2010-08-31.

Memory with alternative command interfaces

Номер патента: US10747703B2. Автор: Yi Lu,Ian Shaeffer,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-08-18.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US7440349B2. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-21.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US20070133329A1. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Memory with partial array density security, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240038290A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated Semiconductor Memory with Refreshing of Memory Cells

Номер патента: US20070247944A1. Автор: Frank Fischer,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Thilo Schaffroth. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Memory with deterministic worst-case row address servicing, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240112717A1. Автор: Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Stacked memory with a timing adjustment function

Номер патента: US20240312511A1. Автор: Takeo Okamoto. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Arrangements for memory with one access transistor for multiple capacitors

Номер патента: US20240107749A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory with DQS pulse control circuitry, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US11848070B2. Автор: Mijo Kim,Scott E. Smith,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and System for Command-Ordering and Command-Execution Within a Command Group for a Disk-to-Disk-to-Holographic Data Storage System

Номер патента: US20090196144A1. Автор: Daniel J. Winarski,Nils Haustein,Ulf Troppens,Craig A. Klein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Fast, non-volatile semiconductor/bubble memory with temperature-compensated magnetic bias field

Номер патента: US4559616A. Автор: John F. Bruder. Владелец: QUADRI CORP. Дата публикации: 1985-12-17.

Content addressable memories with wireline compensation

Номер патента: US20130033915A1. Автор: Jing Li,Chung Hon Lam,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile memory with in field failure prediction using leakage detection

Номер патента: US09711227B1. Автор: Mark Shlick,Kalpana Vakati,Yuvaraj Krishnamoorthy,Srikar Peesari,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Maythin Uthayopas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory with electrically programmable fuses and related tester

Номер патента: US20240331797A1. Автор: Chun-Chia Chen,Ho-Yin Chen,Po-Hung Yang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory with an error correction function and related memory system

Номер патента: US20190188076A1. Автор: Chun-Chia Chen,Ho-Yin Chen,Ting-Feng Chang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

MEMORY WITH PROGRAMMABLE REFRESH ORDER AND STAGGER TIME

Номер патента: US20220148647A1. Автор: Bell Debra M.,Wiscombe Miles S.,Johnson Vaughn N.,Pecha Brian T.,Alexander Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Predictive sanitization of an array of memory with capacitive cells and/or ferroelectric cells

Номер патента: US12001706B2. Автор: Daniele Balluchi,Angelo Visconti,Marco Sforzin,Paolo Amato,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Memory system controlling peak current generation for a plurality of memories by synchronizing internal clock of each memory with a processor clock at different times to avoid peak current generation period overlapping

Номер патента: US09817434B2. Автор: Kye-Hyun Kyung,Jae-Yong Jeong,Seok-Cheon Kwon,Chul-ho Lee,Bo-Geun Kim,Seung-hun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09658780B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory storage device and electronic device including a nonvolatile memory with configurable capacity for providing host data

Номер патента: US12056377B2. Автор: Young-Sik Lee,Hye Ju Kim,Sun-Mi Yoo,Jeong-Eun Kim,So Dam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Processing data in-memory with memory devices having a crossbar array structure

Номер патента: US12105985B2. Автор: Abu Sebastian,Navaneeth Rameshan,Vara Sudananda Prasad Jonnalagadda,Iason Giannopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory with extension mode

Номер патента: US20230244396A1. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen KUMAR N. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Non volatile flash memory with improved verification recovery and column seeding

Номер патента: EP3876235A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

NAND memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: US12046314B2. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Interrupted write memory operation in a serial interface memory with a portion of a memory address

Номер патента: US09442867B2. Автор: Graziano Mirichigni,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory with partial array refresh

Номер патента: US11908508B2. Автор: Debra M. Bell,James S. Rehmeyer,Joshua E. Alzheimer,Anthony D. Veches,Dale H. Hiscock,Michael Kaminski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory with partial array refresh

Номер патента: US20240177761A1. Автор: Debra M. Bell,James S. Rehmeyer,Joshua E. Alzheimer,Anthony D. Veches,Dale H. Hiscock,Michael Kaminski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Rewritable Multibit Non-Volatile Memory With Soft Decode Optimization

Номер патента: US20170185299A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-29.

Rewritable Multibit Non-Volatile Memory With Soft Decode Optimization

Номер патента: US20160163382A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Rewritable multibit non-volatile memory with soft decode optimization

Номер патента: US09946468B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Rewritable multibit non-volatile memory with soft decode optimization

Номер патента: US09640253B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Idan Alrod,Eran Sharon,Kevin Michael Conley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Predictive sanitization of an array of memory with capacitive cells and/or ferroelectric cells

Номер патента: US20230236753A1. Автор: Daniele Balluchi,Angelo Visconti,Marco Sforzin,Paolo Amato,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory with lower current program-verify

Номер патента: US20240136001A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Read cache memory with DRAM class promotion

Номер патента: US09710173B2. Автор: Eugene Feng,Mathew Arcoleo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory with on-chip encoding for foggy-fine programming

Номер патента: US11914886B2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jack Frayer. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory with interleaved preset

Номер патента: WO2024035561A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Nonvolatile memory with on-chip encoding for foggy-fine programming

Номер патента: US20220107751A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jack Frayer. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory with adjustable TSV delay

Номер патента: US11670358B2. Автор: Michael Roth,Michael J. Scott,Markus H. Geiger,John H. Gentry,Greg S. Gatlin,Lael H. Matthews,Anthony M. Geidl,Dale H. Hiscock,Evan C. Pearson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Plane programming scheme for non-volatile memory with large block sizes

Номер патента: US11789612B2. Автор: Karin Inbar,Sahil Sharma,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory with enhancement to perform radiation measurement

Номер патента: US09971045B2. Автор: Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: US20180261279A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: WO2018106866A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Highly integrated, high-speed memory with bipolar transistors

Номер патента: CA1182218A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Memory with enhancement to perform radiation measurement

Номер патента: US20170184733A1. Автор: Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Memory with enhancement to perform radiation measurement

Номер патента: WO2017116529A1. Автор: Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Storage array including a local clock buffer with programmable timing

Номер патента: WO2009061093A3. Автор: Kevin John Nowka,Liang-Teck Pang,Gary Dale Carpenter,Jente Benedict Kuang,Jerry Chang-Jui Kao,Fadi Hikmat Gebara. Владелец: Ibm Korea Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Storage array including a local clock buffer with programmable timing

Номер патента: WO2009061093A2. Автор: Kevin John Nowka,Liang-Teck Pang,Gary Dale Carpenter,Jente Benedict Kuang,Jerry Chang-Jui Kao,Fadi Hikmat Gebara. Владелец: Ibm Korea Inc.. Дата публикации: 2009-05-14.

Memory with programmable die refresh stagger

Номер патента: US20230037145A1. Автор: Joshua E. Alzheimer,John H. Gentry,Dale H. Hiscock,Michael Kaminski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Programmable refresh scheduler for embedded DRAMs

Номер патента: US6898663B2. Автор: Morteza Cyrus Afghahi,Sami Issa,Gil I. Winograd. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Dynamic random access memory with configurable refresh rate for communications systems

Номер патента: US09659625B2. Автор: Curtis Ling. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

MEMORY WITH PROGRAMMABLE DIE REFRESH STAGGER

Номер патента: US20210005244A1. Автор: KAMINSKI Michael,Hiscock Dale H.,Alzheimer Joshua E.,Gentry John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

MEMORY WITH PROGRAMMABLE DIE REFRESH STAGGER

Номер патента: US20210241821A1. Автор: KAMINSKI Michael,Hiscock Dale H.,Alzheimer Joshua E.,Gentry John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Memory with programmable die refresh stagger

Номер патента: US11482271B2. Автор: Joshua E. Alzheimer,John H. Gentry,Dale H. Hiscock,Michael Kaminski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Content addressable memory with hidden table update, design structure and method

Номер патента: US20090240875A1. Автор: Albert M. Chu,Paul C. Parries,Daryl M. Seitzer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory with efficient storage of event log data

Номер патента: US20240295984A1. Автор: Steven Gaskill,Joe G. Mendes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory with efficient storage of event log data

Номер патента: US20230409231A1. Автор: Steven Gaskill,Joe G. Mendes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory with efficient storage of event log data

Номер патента: US11995344B2. Автор: Steven Gaskill,Joe G. Mendes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory with switchable channels

Номер патента: US20240069721A1. Автор: Sundararajan Sankaranarayanan,Xiangyu Tang,Chulbum Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked memory with redundancy

Номер патента: US20130176763A1. Автор: Frederick A. Ware,Paul D. Franzon. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-07-11.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

FB DRAM memory with state memory

Номер патента: US7848134B2. Автор: Michael Markert,Stefan Dietrich,Heinz Hoenigschmid,Milena Ivanov. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-07.

FB DRAM Memory with State Memory

Номер патента: US20100020586A1. Автор: Michael Markert,Stefan Dietrich,Heinz Hoenigschmid,Milena Ivanov. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-28.

Power off recovery in cross-point memory with threshold switching selectors

Номер патента: US20220139454A1. Автор: Neil Robertson,Ward Parkinson,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Single package dual channel memory with co-support

Номер патента: US09460758B2. Автор: Zhuowen Sun,Yong Chen,Belgacem Haba,Wael Zohni,Richard DeWitt Crisp. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

High density memory with reference cell and corresponding operations

Номер патента: EP4120274A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

High density memory with reference cell and corresponding operations

Номер патента: EP4120273A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory with similar ram and rom cells

Номер патента: US20130286719A1. Автор: Dan C.R. Jensen. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration

Номер патента: US20060140040A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Wide input output memory with low density, low latency and high density, high latency blocks

Номер патента: EP2609622A2. Автор: Anand Srinivasan,Shiqun Gu,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-07-03.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration and method of operating a memory

Номер патента: WO2006069761A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Wide input output memory with low density, low latency and high density, high latency blocks

Номер патента: WO2012027423A2. Автор: Anand Srinivasan,Shiqun Gu,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-03-01.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device including memory with reduced current consumption

Номер патента: US20030039160A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Memory with alterable column selection time

Номер патента: US20080002515A1. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-03.

Analog ferroelectric memory with improved temperature range

Номер патента: US09697882B1. Автор: Calvin B. Ward,Joseph T. Evans, Jr.. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory with programmable bitline multiplexers

Номер патента: US6272062B1. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,Dmitry Netis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor memory with programmable bitline multiplexers

Номер патента: EP1285442A2. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,Dmitry Netis. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-26.

FET Memory with drift reversal

Номер патента: US4534017A. Автор: David R. Thomas,Paul C. Tien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-06.

Semiconductor memory with boosted word line

Номер патента: WO1986004726A1. Автор: Howard Clayton Kirsch,James Harold Stefany,Clinton Hays Holder, Jr.. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-08-14.

Memory with low current consumption and method for reducing current consumption of a memory

Номер патента: US09773533B2. Автор: Chun Shiah. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory with deferred fractional row activation

Номер патента: US09911468B2. Автор: Frederick A. Ware,James E. Harris,Thomas Vogelsang,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory with deferred fractional row activation

Номер патента: US09570126B2. Автор: Frederick A. Ware,James E. Harris,Thomas Vogelsang,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated semiconductor memory with redundant memory cells

Номер патента: US7203106B2. Автор: Martin Perner,Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

Compute near memory with backend memory

Номер патента: US20200279850A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Ram Krishnamurthy,Noriyuki Sato,Gregory K. Chen,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Compute near memory with backend memory

Номер патента: EP4128350A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Ram Krishnamurthy,Noriyuki Sato,Gregory K. Chen,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Compute near memory with backend memory

Номер патента: WO2021194597A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Ram Krishnamurthy,Noriyuki Sato,Gregory K. Chen,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-09-30.

Compute near memory with backend memory

Номер патента: US11812599B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Ram Krishnamurthy,Noriyuki Sato,Gregory K. Chen,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory with combined reads

Номер патента: US20220358995A1. Автор: Sainath Viswasarai,Gopu S,Subin CP. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory with a reduced array data bus footprint

Номер патента: US10366743B1. Автор: Michael V. Ho,Byung S. Moon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Memory with configurable die powerup delay

Номер патента: US20210174842A1. Автор: Joshua E. Alzheimer,John H. Gentry,Dale H. Hiscock,Michael Kaminski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device having a non-voltaile memory with high speed-read operation

Номер патента: US20230117141A1. Автор: Yonghwan Kim,Sungbum Park,Keesik AHN,Weon-Hwa Jeong,Youngchul SEO,Chulgeun LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Synchronous DRAM memory with asynchronous column decode

Номер патента: US5912860A. Автор: Scott Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Clocked memory with delay establisher by drive transistor design

Номер патента: US4162540A. Автор: Hisashige Ando. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-07-24.

Power off recovery in cross-point memory with threshold switching selectors

Номер патента: US11783895B2. Автор: Neil Robertson,Ward Parkinson,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Stacked memory with redundancy

Номер патента: US9111587B2. Автор: Frederick A. Ware,Paul D. Franzon. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-08-18.

Stacked memory with redundancy

Номер патента: US20140321186A1. Автор: Frederick A. Ware,Paul D. Franzon. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-10-30.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US20190035455A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

High density memory with reference memory using grouped cells and corresponding operations

Номер патента: US20230317143A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Static Random Access Memory with Write Assist Circuit

Номер патента: US20200411084A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US09715419B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US11789796B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: US09437272B1. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20230148359A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20240274180A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Quantum random address memory with piezo readout

Номер патента: US5991190A. Автор: William M. Peterson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: US09396791B2. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Non-volatile memory with adjustable cell bit shape

Номер патента: US09472281B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Magnetoresistive sensor memory with multiferroic material

Номер патента: SG151210A1. Автор: Michael Allen Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-04-30.

Resistance-based memory with reduced voltage input/output device

Номер патента: US20110176350A1. Автор: Seung H. Kang,Seong-Ook Jung,Jisu Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2011-07-21.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09646670B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09589619B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory with dynamic information storage

Номер патента: CA1070851A. Автор: Gerrit A. Spoelder. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-01-29.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US11915735B2. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: WO2022174208A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-18.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20220254397A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Demer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory with reference-initiated sequential sensing

Номер патента: US7006388B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-28.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Re-writable memory with multiple memory layers

Номер патента: US20040160820A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: EP3170180A1. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: WO2016010993A1. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Flash memory with novel bitline decoder and sourceline latch

Номер патента: US5920503A. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Resistance-based memory with reduced voltage input/output device

Номер патента: EP2526553A1. Автор: Seung H. Kang,Seong-Ook Jung,Jisu Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Resistance-based memory with reduced voltage input/output device

Номер патента: WO2011091207A1. Автор: Seung H. Kang,Seong-Ook Jung,Jisu Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

Non-volatile multi-bit memory with programmable capacitance

Номер патента: US7786463B2. Автор: Xuguang WANG,Song S. Xue,Dimitar V. Dimitrov,Michael Xuefei Tang,Shuiyuan Huang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-31.

Pseudo-dual-port memory with synchronisation for each port

Номер патента: RU2405221C2. Автор: Чанг Хо ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-11-27.

Stacked memory with interface providing offset interconnects

Номер патента: US12046577B2. Автор: Jin Kim,Pete D. Vogt,Andre Schaefer,Warren Morrow,John B. Halbert,Kenneth D. Shoemaker. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Stacked memory with interface providing offset interconnects

Номер патента: US09768148B2. Автор: Jin Kim,Andre Schaefer,Pete Vogt,Warren Morrow,John Halbert,Kenneth Shoemaker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Memory with Clock-Controlled Memory Access and Method of Operating the Same

Номер патента: US20070291554A1. Автор: Florian Schnabel,Falk Roewer,Christian Sichert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory with shielding effect

Номер патента: US20040240247A1. Автор: Wen-Chieh Lee,Chang-Ting Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and apparatus for providing a memory with write enable information

Номер патента: WO1997015055A1. Автор: Craig Edward Hampel,Frederick Abbot Ware,Matthew Murdy Griffin,Donald Charles Stark. Владелец: Rambus, Inc.. Дата публикации: 1997-04-24.

Method and apparatus for providing a memory with write enable information

Номер патента: US20050188150A1. Автор: Craig Hampel,Frederick Ware,Donald Stark,Matthew Griffin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method and apparatus for providing a memory with write enable information

Номер патента: US20010034810A1. Автор: Craig Hampel,Frederick Ware,Donald Stark,Matthew Griffin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Memory with built-in synchronous-write-through redundancy and associated test method

Номер патента: US20240312557A1. Автор: Chi-Hao Hong,Yi-Ping Kuo,Shu-Lin LAI,Jiann-Tseng Huang,Yi-Te Chiu,Che-Wei Chou,Ya-Ting Yang,Jia-Jing Chen,Chi-Kai Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High Reliable OTP Memory with Low Reading Voltage

Номер патента: US20190341119A1. Автор: Jack Z. Peng,Junhua Mao,Xuyang LIAO. Владелец: Sichuan Kiloway Electronics Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Offset-printing method for three-dimensional printed memory with multiple bits-per-cell

Номер патента: US09990960B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Stacked backend memory with resistive switching devices

Номер патента: EP4102584A1. Автор: Van H. Le,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Flash memory with assistant gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20200365700A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Hann-Jye Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Memory with fine grain architectures

Номер патента: US11869622B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory with clock-controlled memory access and method of operating the same

Номер патента: US7663965B2. Автор: Florian Schnabel,Falk Roewer,Christian Sichert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-16.

Memory with parallel main and test interfaces

Номер патента: US20240071556A1. Автор: Eiichi Nakano,Brent Keeth,Kunal R. Parekh,James Brian Johnson,Amy Rae Griffin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated semiconductor memory with generation of data

Номер патента: US20070247989A1. Автор: Thomas Hein. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Method And Apparatus Of Build-In Self-Diagnosis And Repair In A Memory With Syndrome Identification

Номер патента: US20070288807A1. Автор: Cheng-Wen Wu,Wen-Ching Wu,Rei-Fu Huang,Kun-Lun Luo,Chin-Lung Su. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-12-13.

A multiport ram with programmable data port configuration

Номер патента: WO1998005035A1. Автор: Douglas P. Sheppard,Scott S. Nance,Nicholas J. Sawyer. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 1998-02-05.

Memory with low and fixed pre-charge loading

Номер патента: US6980456B2. Автор: Chung-Kuang Chen,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-27.

Memory with test function and test method thereof

Номер патента: US11145381B1. Автор: Yasuhiro Konishi. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Large capacity major-minor loop bubble domain memory with redundancy

Номер патента: CA1098622A. Автор: Thomas T. Chen. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1981-03-31.

Method of operating a magnetic bubble memory with a drive field that temporarily stops

Номер патента: CA1222817A. Автор: Sidney J. Schwartz, (Deceased). Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Programmable read only memory with high speed differential sensing at low operating voltage

Номер патента: US6147893A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Clock data recovery circuitry associated with programmable logic device circuitry

Номер патента: WO2001069837A9. Автор: Rakesh Patel,John Turner,Henry Lui,Chong Lee,Paul Butler,Edward Aung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Clock data recovery circuitry associated with programmable logic device circuitry

Номер патента: EP1287633A2. Автор: Edward c/o Altera Corporation AUNG,Henry c/o Altera Corporation LUI,Paul c/o Altera Corporation BUTLER,John c/o Altera Corporation TURNER,Rakesh c/o Altera Corporation PATEL,Chong c/o Altera Corporation LEE. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2003-03-05.

Offset-Printing Method for Three-Dimensional Printed Memory with Multiple Bits-Per-Cell

Номер патента: US20170098650A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

3D memory with error checking and correction function

Номер патента: US09984769B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile multi-level-cell memory with decoupled bits for higher performance and energy efficiency

Номер патента: US09852792B2. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han Bin YOON. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory management unit TAG memory with CAM evaluate signal

Номер патента: US09542334B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Content addressable memory with programmable word width and programmable priority

Номер патента: US20050262295A1. Автор: Varadarajan Srinivasan,Sandeep Khanna,Jose Pereira,Rupesh Roy,Bindiganavale Nataraj,Nilesh Gharia,Hok Wong. Владелец: Wong Hok F. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory with dynamic voltage scaling

Номер патента: EP4022418A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: WO2007116275A1. Автор: Aditya Ramamoorthy. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: EP2008363A1. Автор: Aditya Ramamoorthy. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-12-31.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory with dynamic voltage scaling

Номер патента: WO2021041952A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-03-04.

Single memory with multiple shift register functionality

Номер патента: EP1644820A1. Автор: Cornelis H. Van Berkel,Sergei Sawitzki. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-12.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

eFUSE one-time programmable memory with inter integrated circuit (I2C) communication and operation method thereof

Номер патента: US12046312B2. Автор: Sungbum Park,Ilwoo LEE,Keesik AHN,Woojin Han,Wan-Chul KONG,Changbum IM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Managing data disturbance in a memory with asymmetric disturbance effects

Номер патента: US11087859B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Non-volatile memory with faster post-erase defect testing

Номер патента: US20240290412A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Defect detection in memories with time-varying bit error rate

Номер патента: WO2020123446A3. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Sai Krishna Mylavarapu,Charles S. Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory with output control

Номер патента: US09972381B1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Non-volatile memory with intelligent temperature sensing and local throttling

Номер патента: US09811267B1. Автор: Dmitry Vaysman,Phil Reusswig,Nian Niles Yang,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and systems for managing memory with dynamic ECC protection

Номер патента: US12079082B2. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Analog content addressable memory with analog input and analog output

Номер патента: US11735281B2. Автор: John Paul Strachan,Can LI,Catherine Graves. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory with call out function

Номер патента: WO2001065564A1. Автор: Shmuel Prokopets,Yves Emmanuel Villaret. Владелец: Memcall Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

3D stacked compute and memory with copper pillars

Номер патента: US11764190B1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and Apparatus for Accessing Memory With Read Error By Changing Comparison

Номер патента: US20090201731A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory with electrically programmable fuse blown result correcting function and operational method thereof

Номер патента: US20240330107A1. Автор: Ho-Yin Chen,Ting-Feng Chang,bo-han Zhang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-Volatile Memory with Background Data Latch Caching During Read Operations

Номер патента: US20060233010A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor memory with an improved dummy cell arrangement and with a built-in error correcting code circuit

Номер патента: US4817052A. Автор: Takashi Shinoda,Osamu Sakai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-28.

Nonvolatile memory with independent access capability to associated buffer

Номер патента: US7334080B2. Автор: Takashi Horii,Ken Matsubara,Keiichi Yoshida,Tomoyuki Fujisawa,Atsushi Nozoe,Takayuki Tamura,Yoshinori Takase. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Electrically erasable and programmable read only memory with an error check and correction circuit

Номер патента: US5448578A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Memory with post-packaging master die selection

Номер патента: US20240126692A1. Автор: Michael Roth,Michael J. Scott,Markus H. Geiger,John H. Gentry,Greg S. Gatlin,Lael H. Matthews,Anthony M. Geidl,Dale H. Hiscock,Evan C. Pearson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile multi-level-cell memory with decoupled bits for higher performance and energy efficiency

Номер патента: EP2951834A1. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han Bin YOON. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-12-09.

Nand flash memory with reconfigurable neighbor assisted llr correction with downsampling and pipelining

Номер патента: US20200043557A1. Автор: Jun Feng,Fan Zhang,Yu Cai,Norton Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory with post-packaging master die selection

Номер патента: US11868252B2. Автор: Michael Roth,Michael J. Scott,Markus H. Geiger,John H. Gentry,Greg S. Gatlin,Lael H. Matthews,Anthony M. Geidl,Dale H. Hiscock,Evan C. Pearson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

System and memory with configurable error-correction code (ecc) data protection and related methods

Номер патента: US20230298682A1. Автор: Anand Srinivasan,Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Olivier Alavoine,Laurent René Moll. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory Management Unit Tag Memory with CAM Evaluate Signal

Номер патента: US20130046927A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Read threshold calibration for nonvolatile memory with encoded foggy-fine programming

Номер патента: US20220230685A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Jack Frayer,Tien-Chien Kuo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and apparatus for exercising external memory with a memory built-in self-test

Номер патента: EP1242998A1. Автор: Sie Boo Chiang,Beng Chew Khou,Jacques Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-25.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Method and apparatus for exercising external memory with a memory built-in self-test

Номер патента: WO2001050474A1. Автор: Sie Boo Chiang,Beng Chew Khou,Jacques Wong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: US7054992B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: EP1704570A2. Автор: James W. Nicholes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Defect detection in memories with time-varying bit error rate

Номер патента: US20210304826A1. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Sai Krishna Mylavarapu,Charles S. Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory with dynamic voltage scaling

Номер патента: US20210065772A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: WO2005060465A3. Автор: James W Nicholes. Владелец: James W Nicholes. Дата публикации: 2005-09-09.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: EP1704570A4. Автор: James W Nicholes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-06.

Memory with concurrent fault detection and redundancy

Номер патента: WO2021086515A1. Автор: Praveen Raghuraman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-05-06.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: EP1269473A2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Nonvolatile memory with self recovery

Номер патента: EP2193523A1. Автор: Steven S. Cheng. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-09.

System and method for ordering and delivering food/drinks

Номер патента: USRE50008E1. Автор: Gordon Beecher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-11.

System and Method for Ordering and Delivering Food/Drinks

Номер патента: US20200286193A1. Автор: Gordon Beecher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-10.

Customer-based wireless food ordering and payment system and method

Номер патента: US11816745B2. Автор: Konrad Hernblad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-14.

Adjusting user interface screen order and composition

Номер патента: EP2788848A1. Автор: Michael Hall,Andrew William LOVITT. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2014-10-15.

Adjusting user interface screen order and composition

Номер патента: WO2013085780A1. Автор: Michael Hall,Andrew William LOVITT. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

Access control implementation to memory with optimisation usage

Номер патента: RU2364932C2. Автор: Пол ИНГЛЭНД,Маркус ПЕЙНАДО. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-08-20.

Method and apparatus for accessing paged memory with indirect addressing

Номер патента: US20040098557A1. Автор: Alvin Storvik,Brent Wilson,Kenneth Fernald,Paul Highley. Владелец: Silicon Labs CP Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory with variable operation voltage and the adjusting method thereof

Номер патента: US09465430B2. Автор: Chun Shiah,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods and apparatus to enable inter-process communication using a shared memory with a shared heap

Номер патента: US20240241775A1. Автор: Scott Peterson,Kimberly MALONE,Joseph Jacob Grecco,Kianoosh Zandifar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Unbounded transactional memory with forward progress guarantees using a hardware global lock

Номер патента: US09639392B2. Автор: Tatiana Shpeisman,Irina Calciu,Justin E. Gottschlich,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Programmable multimedia controller with programmable functions

Номер патента: RU2460119C2. Автор: Роберт П. МАДОННА,Майкл К. СИЛЬВА,Кевин К. КИКЛАЙТЕР,Брайан С. БОНЧЕК,Артур А. ЯКОБСОН,Майкл К. СИЛЬВА (US),Роберт П. МАДОННА (US),Кевин К. КИКЛАЙТЕР (US),Брайан С. БОНЧЕК (US),Артур А. ЯКОБСОН (US). Владелец: Савант Системс Ллс. Дата публикации: 2012-08-27.

Physical Adjustment to System Memory with Chipset Attached Memory

Номер патента: US20240211416A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Physical adjustment to system memory with chipset attached memory

Номер патента: WO2024144870A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus for associating cache memories with processors within a multiprocessor data processing system

Номер патента: US6532519B2. Автор: Ravi Kumar Arimilli,Sanjeev Ghai,James Stephen Fields, Jr.,Jody Bern Joyner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Memory with fail indicators, including memory with led fail indicators, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240070007A1. Автор: Robin K. Mitra,Mow Yiak Goh,Aaron Jannusch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integral circuit with programmable logic analyser with expanded analysis and tuning capabilities and method

Номер патента: RU2579814C2. Автор: Джеймс Рэй БЕЙЛИ,Кристофер Уилсон КЭЙС,Джеймс Патрик ШАРП. Владелец: Лексмарк Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2016-04-10.

Memory with error checking and correcting device with selective intervention

Номер патента: CA1109159A. Автор: Alessandro Scotti,Claudio Gentili,Calogero Mantellina. Владелец: Honeywell Information Systems Italia SpA. Дата публикации: 1981-09-15.

Memory Controller For Multi-Level System Memory With Coherency Unit

Номер патента: US20160283389A1. Автор: Israel Diamand,Zvika Greenfield,Aravindh Anantaraman,Nir Misgav. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Computer Memory With Cryptographic Content Authentication

Номер патента: US20120017098A1. Автор: Phillip Martin Hallam-Baker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Cache Memory with Randomized Eviction

Номер патента: US20230195623A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Amitava Majumdar,Sandeep Krishna Thirumala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Cache memory with randomized eviction

Номер патента: US11782830B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Amitava Majumdar,Sandeep Krishna Thirumala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Cache memory with randomized eviction

Номер патента: US11775431B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Amitava Majumdar,Sandeep Krishna Thirumala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus for multi-channel sensor interface with programmable gain, offset and bias

Номер патента: US20180149499A1. Автор: Steven Smith,Dale Wedel. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method and apparatus for multi-channel sensor interface with programmable gain, offset and bias

Номер патента: US10060773B2. Автор: Steven Smith,Dale Wedel. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Cache Memory with Randomized Eviction

Номер патента: US20230195624A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Amitava Majumdar,Sandeep Krishna Thirumala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: EP2959391A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: WO2014130483A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory protocol with programmable buffer and cache size

Номер патента: EP3610380A1. Автор: Robert M. Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Staggered time zones

Номер патента: US7668948B2. Автор: Vishram Sarurkar,Simon Sabato,Ajith Prasad. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-23.

System and method for classifying and characterizing tissues using first-order and second-order statistics of quantitative ultrasound parametric maps

Номер патента: CA2912791C. Автор: Hadi TADAYYON,Gregory J. Czarnota,Ali SADEGHI-NAINI,Omar Falou. Владелец: Sunnybrook Research Institute. Дата публикации: 2023-08-01.

Method and system for efficient execution of ordered and unordered tasks in multi-threaded and networked computing

Номер патента: US9600335B2. Автор: Maheshwaran Govindarajeswaran,Arun Jeyaprasad Arjun Jeyarani. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Shard determination logic for scalable order and inventory management architecture with a sharded transactional database

Номер патента: US10552790B2. Автор: Madhavan Kandhadai Vasantham,Sreekanth Sreedhararaj. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2020-02-04.

Systems and methods for deterministic ordering and enforcing intra-block fairness in distributed ledger implementations

Номер патента: US20240061949A1. Автор: Mercone LUIGI. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for identifying, ordering, and presenting images according to expressions

Номер патента: US12087086B2. Автор: Joseph Manico,Brian E. Mittelstaedt. Владелец: KODAK ALARIS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Shard determination logic for scalable order and inventory management architecture with a shared transactional database

Номер патента: US20170220991A1. Автор: Madhavan Kandhadai Vasantham,Sreekanth Sreedhararaj. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Recovery mechanism with selective ordering and concurrent operations

Номер патента: US12086035B2. Автор: Stephen Wu,Nikhil Mattankot,Parag Sarfare,Asif Pathan,Amit Borase,Sudheer Kumar Vavilapalli. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for deterministic ordering and enforcing intra-block fairness in distributed ledger implementations

Номер патента: WO2024040174A1. Автор: Mercone LUIGI. Владелец: JPMORGAN CHASE BANK, N.A.. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for identifying, ordering, and presenting images according to expressions

Номер патента: US20240338968A1. Автор: Joseph Manico,Brian E. Mittelstaedt. Владелец: KODAK ALARIS INC. Дата публикации: 2024-10-10.

Augmented aggregation of emailed product order and shipping information

Номер патента: US09846902B2. Автор: Scott J. Brady,Benjamin A. Suppe,Eric J. Botto,Harpinder Singh Madan,Ievgen Mastierov,Aditya Khosla,Dmytry B. Mykhaylov,Georgii Verbytskyi,Alexander Lototsky,Michael Mantel. Владелец: Slice Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-server one-time passcode verification on respective high order and low order passcode portions

Номер патента: US09454654B1. Автор: Ari Juels,Ronald L. Rivest,Nikolaos Triandopoulos,John Brainard. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Grace˜operator for changing order and scope of implicit parameters

Номер патента: US09417850B2. Автор: Mikus Vanags. Владелец: Logics Research Centre. Дата публикации: 2016-08-16.

Techniques for database rule ordering and processing

Номер патента: US20100185601A1. Автор: Paul H. Phibbs,Marianne Ruegsegger,Linette Draper. Владелец: Teradata US Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Rank-ordering and cognitive saliency schema-based selection

Номер патента: US09646056B1. Автор: Rajan Bhattacharyya,Matthew E. Phillips,Matthias Ziegler. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Image forming system that changes order of rip according to combination of sorting order and face orientation at delivery of recording medium having image formed thereon

Номер патента: US20230315362A1. Автор: Takenori Yamamoto. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Image forming system that changes order of RIP according to combination of sorting order and face orientation at delivery of recording medium having image formed thereon

Номер патента: US11861251B2. Автор: Takenori Yamamoto. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

A new device developed to be used in printers that prints placed orders and provide ease of use and a system of this device

Номер патента: EP4222940A1. Автор: Telem Simsek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-09.

System for facilitating the ordering and paying of services by means of a communication network

Номер патента: CA2234251C. Автор: Rob Pieterse,Mark Albert Pors,Jaap Rudolf De Beurs,Frank Pieter Van Pomeren. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 2002-07-02.

System for facilitating the ordering and paying of services by means of a communication network

Номер патента: AU698679B2. Автор: Rob Pieterse,Mark Albert Pors,Jaap Rudolf De Beurs,Frank Pieter Van Pomeren. Владелец: Koninklijke PTT Nederland NV. Дата публикации: 1998-11-05.

Implementing ordered and reliable transfer of packets

Номер патента: GB2512015A. Автор: William Thomas Flynn,David Alan Shedivy,Philip Rogers Hillier Iii,Kenneth Michael Valk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

System for facilitating the ordering and paying of services by means of a communication network

Номер патента: US6061664A. Автор: Rob Pieterse,Mark Albert Pors,Jaap Rudolf De Beurs,Frank Pieter Van Pomeren. Владелец: Koninklijke PTT Nederland NV. Дата публикации: 2000-05-09.

Method and apparatus for maintaining transaction ordering and arbitrating in a bus bridge

Номер патента: US5835739A. Автор: D. Michael Bell,Mark A. Gonzales,Susan S. Meredith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Recovery mechanism with selective ordering and concurrent operations

Номер патента: US20240054056A1. Автор: Stephen Wu,Nikhil Mattankot,Parag Sarfare,Asif Pathan,Amit Borase,Sudheer Kumar Vavilapalli. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Proactively Predicting Large Orders and Providing Fulfillment Support Related Thereto

Номер патента: US20190333001A1. Автор: Abhishek Gupta,Venkata Chandra Sekar Rao,Sumit Gupta,Rashmi Sudhakar,Sham A R,Peter Shipman,Velmurugan R. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

System and method for artifact order and rank synchronization

Номер патента: US20240078108A1. Автор: Sandeep Jain,Gaurav Chavda. Владелец: OpsHub Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory with write assist circuit

Номер патента: US09741429B1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory with fly-bitlines that work with single-ended sensing and associated memory access method

Номер патента: US20240233786A9. Автор: Chi-Hao Hong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory with keeper circuit

Номер патента: US09818474B2. Автор: Kuoyuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Static random access memory with pre-charge circuit

Номер патента: US20230389255A1. Автор: Po-Sheng Wang,Cheng Hung Lee,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method, system, and apparatus for memory with feedthrough and retiming paths to support memory to memory requests

Номер патента: US20170025165A1. Автор: Travis R. Hebig,Mark Fairhurst. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Memory with stress circuitry for detecting defects

Номер патента: WO1996002916A1. Автор: Eitan Rosen,Yakov Milstain. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1996-02-01.

Superconducting memory with josephson phase-based torque

Номер патента: WO2020050897A1. Автор: Ofer Naaman. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-03-12.

Multi-channel, multi-bank memory with wide data input/output

Номер патента: US09361973B2. Автор: Dinesh Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Pseudo-2-port memory with dual pre-charge circuits

Номер патента: WO2022146625A1. Автор: Harold Pilo,Michael Myungho LEE,Vijit Gadi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: EP4392973A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory with data line capacitive coupling

Номер патента: US09589629B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Josephson magnetic random access memory with an inductive-shunt

Номер патента: US09443576B1. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Ternary content addressable memory with match line circuit for controlling potential of match realizing higher speed of search access

Номер патента: US10600483B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory with write assist scheme

Номер патента: US20220139450A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor memory with respective power voltages for plurality of memory cells

Номер патента: US09997235B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: EP4405947A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of writing memory with regulated ground nodes

Номер патента: US09530487B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Derek Tao,Young Seog Kim,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

6T bitcell for dual port SRAM memories with single-ended read and single-ended write and optimized bitcells for multiport memories

Номер патента: US09496029B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

STATIC RANDOM ACCESS MEMORIES WITH PROGRAMMABLE IMPEDANCE ELEMENTS AND METHODS AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190348112A1. Автор: Gonzales Nathan,Gopinath Venkatesh P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Static random access memories with programmable impedance elements and methods and devices including the same

Номер патента: US10777268B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Nathan Gonzales. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Sram memory with random deterministic initialization

Номер патента: US20240203487A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-20.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory with regulated ground nodes and method of retaining data therein

Номер патента: US09978446B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Derek Tao,Young Seog Kim,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory with bit line control

Номер патента: US09685224B2. Автор: Hung-jen Liao,Kao-Cheng LIN,Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chen-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory with fly-bitlines that work with single-ended sensing and associated memory access method

Номер патента: EP4362017A1. Автор: Chi-Hao Hong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory with fly-bitlines that work with single-ended sensing and associated memory access method

Номер патента: US20240135976A1. Автор: Chi-Hao Hong. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: US20140269025A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: EP3311385A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: US20160372167A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: US09520165B1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory with improved data reliability

Номер патента: US20110261633A1. Автор: Vikas Chandra,Robert Campbell Aitken,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2011-10-27.

Self-Timed Memory with Adaptive Voltage Scaling

Номер патента: US20200342916A1. Автор: Saikat Kumar Banik,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory with fram and sram of ic

Номер патента: US20240055049A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US11948627B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Static random access memory with write assist circuit

Номер патента: US20240203488A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory with bitcell power boosting

Номер патента: WO2023192032A1. Автор: Xiao Chen,Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Dhvani Sheth,Chi-Jui Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory with Bitcell Power Boosting

Номер патента: US20230317150A1. Автор: Xiao Chen,Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Dhvani Sheth,Chi-Jui Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Drive apparatus for hard disk memories with an integrated labyrinth seal

Номер патента: US20010038510A1. Автор: Juergen Oelsch. Владелец: Precision Motors Deutsche Minebea GmbH. Дата публикации: 2001-11-08.

Stabilization of partitionable memory with flexible rotating discs

Номер патента: CA1038488A. Автор: Bernard W. Mcginnis,Raymond A. Barbeau,Frederick A. Schultz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method and apparatus to initialize a memory with random numbers in a disc drive

Номер патента: US20020126601A1. Автор: Bee-Bee Liew. Владелец: Oak Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Photonic quantum memory with time-bin entangled photon storage

Номер патента: US09851742B2. Автор: Gerald N. Gilbert,Jonathan S. HODGES,Stephen Peter Pappas,Yaakov Shmuel WEINSTEIN. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20180108666A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2013116002A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09853036B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

System, method, and computer program product for using compression with programmable sample locations

Номер патента: US20150070380A1. Автор: Bengt-Olaf Schneider,Andrei Khodakovsky,Eric B. Lum,Christian Johannes Amsinck,Jeffrey Alan Bolz,Rui Manuel Bastos. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Loading a java card memory with a java card package through a card personalization specification flow

Номер патента: EP3507755A1. Автор: Sylvain Chafer,Valentin FAVREAU,Heldi GUMILANG. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2019-07-10.

Computing in memory with artificial neurons

Номер патента: US20230385624A1. Автор: Sarma Vrudhula,Ankit Wagle,Gian SINGH. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked resistive memory with individual switch control

Номер патента: US20210233960A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Analog-to-digital correlator with programmable coefficients with values of +1, -1 or 0

Номер патента: US4543640A. Автор: Jean-Louis Coutures. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-09-24.

Method of fulfillment orders and system thereof

Номер патента: US20230394431A1. Автор: Daniel Fried. Владелец: Wizart Online Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fulfillment orders and system thereof

Номер патента: CA3211108A1. Автор: Daniel Fried. Владелец: Wizart Online Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of fulfillment orders and system thereof

Номер патента: EP4295295A1. Автор: Daniel Fried. Владелец: Wizard Online Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

En-route retail business selection, ordering, and delivery system

Номер патента: US20210158407A1. Автор: Nagib Georges MIMASSI. Владелец: Rockspoon Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Re-order and buying management system for specialty retailers

Номер патента: US20240289870A1. Автор: TIna LOYD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods, systems, and computer readable media for detecting customer presence to initiate the ordering and purchase of goods and services

Номер патента: US09430786B2. Автор: Mohammad Khan,Kaushik Roy. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Food order and delivery platform and method

Номер патента: WO2020176380A1. Автор: Joe A. ROSENBLITH,Patrick F. KOHLMAN. Владелец: Kohlman-Rosenblith Group, LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Centralized platform for telecommunication services ordering and provisioning

Номер патента: US20240205111A1. Автор: Jun Liang LIM,Kumeresh KHANNA. Владелец: Rakuten Symphony Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Food order and delivery platform and method

Номер патента: EP3931791A1. Автор: Joe A. ROSENBLITH,Patrick F. KOHLMAN. Владелец: Kohlman Rosenblith Group LLC. Дата публикации: 2022-01-05.

A method and system for ordering and supplying goods and services via a cellular phone

Номер патента: WO2008004241A3. Автор: Alon Schwarz. Владелец: Alon Schwarz. Дата публикации: 2009-05-07.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: WO2024033478A1. Автор: Li Lin. Владелец: Patentwerk B.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

Purchase order and purchase order response interactive forms

Номер патента: US20060010054A1. Автор: Karen Gee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

System and Application for Ordering and Delivering to a Remote Location

Номер патента: US20240127318A1. Автор: Thomas Edison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method self-service for public radio sponsorship ordering and copywriting of advertisement

Номер патента: US20230230123A1. Автор: Stacy Bertinelli,Paul Steinhafel,Jim Taszarek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods for facilitating order and delivery of prescription medication

Номер патента: US12087418B1. Автор: Nicholas Phillip Baldwin,Kevin MacKenzie Armstrong. Владелец: Walgreen Co. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for providing state information of taxi service order, and storage medium

Номер патента: US12136120B2. Автор: YAN Jiao,Guochuan Deng,Bu MI,Pengcheng Song. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for processing a suspended order and device, and storage medium

Номер патента: US20240375874A1. Автор: Min Zhang,Tongjuan SONG. Владелец: Shenzhen Kubo Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Communication of orders and payments in a drive through using wireless beacons

Номер патента: US09639907B2. Автор: Dwain Glenn Theobald. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods, systems, and computer readable media for facilitating in-store or near-store ordering and payment of goods and services through a single-tap of a near field communication (NFC) device

Номер патента: US09536243B2. Автор: Mohammad Khan. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Systems and apparatus for the light-based communication of service orders and personal objects identification

Номер патента: US09524622B2. Автор: Lucas Leo Desiree Van Der Poel,Dragan Sekulovski,Damien Gerard Loveland,Arend Jan Wilhelmus Abraham Vermeulen. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2016-12-20.

Systems and apparatus for the light-based communication of service orders and personal objects identification

Номер патента: US09437086B2. Автор: Lucas Leo Desiree Van Der Poel,Dragan Sekulovski,Damien Gerard Loveland,Arend Jan Wilhelmus Abraham Vermeulen. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-09-06.

Computer-Implemented Method and System for Ordering and Manufacturing a Set of Decorative Panels

Номер патента: US20240054466A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Automated Rib Ordering and Pairing

Номер патента: US20120106810A1. Автор: David Liu,Shaohua Kevin Zhou,Dijia Wu,Christopher V. Alvino,Sowmya Ramakrishnan. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Dynamic charging demand side response method and dynamic charging demand side management method based on consumer order, and demand side management control system for performing the methods

Номер патента: US20210192409A1. Автор: Seok-Jin Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for Encoding Orders and Expediting Order Processing Across a Distributed Network

Номер патента: US20170221131A1. Автор: Samara Lynn Sullivan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Ordering and distributing flowers with printing thereon

Номер патента: WO2003027799A3. Автор: Roland N Walker. Владелец: Roland N Walker. Дата публикации: 2003-11-13.

One click to update buyer in mass on purchaser orders and prepare changes to communicate to supplier

Номер патента: US09501801B2. Автор: Elaine Diana Wong,Thomas Keith Workman. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of ordering and presenting information on planned events

Номер патента: RU2748216C2. Автор: Фёдор Борисович Никонов. Владелец: Альховская Лилия Александровна. Дата публикации: 2021-05-21.

Method and apparatus for communicating with a card distribution center for selecting, ordering and sending social expression cards

Номер патента: CA2189739C. Автор: Mary Thomasma Tackbary,Dan G. Friedrich. Владелец: Hallmark Cards Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Method of offering for sale, ordering and selling goods and services

Номер патента: CA2336001C. Автор: Rudolf Ritter. Владелец: Swisscom Mobile AG. Дата публикации: 2006-11-07.

Automated order and payment system

Номер патента: CA2010846C. Автор: Jonathan M. Gorog. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-31.

Automated order and payment system

Номер патента: CA2010846A1. Автор: Jonathan M. Gorog. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-08-23.

Integrated method and apparatus for selecting, ordering and manufacturing art glass panels

Номер патента: US5570292A. Автор: Loren Abraham,Michael F. Pilla,Jason Bright. Владелец: Andersen Corp. Дата публикации: 1996-10-29.

Separate and simultaneous real-time video and real-time data connections between remotely located computers for ordering and payment

Номер патента: WO2023201352A1. Автор: Jeffrey Paul SINELLI. Владелец: The Yellow Lab Agency, LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

System and a Method for Automatically Detecting and Processing Physical Events Indicative of Status of an Order and Notifying Customers of the Same

Номер патента: US20150371316A1. Автор: Richard Liang,Robert Estelle. Владелец: Buzz Apps Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Separate and simultaneous real-time video and real-time data connections between remotely located computers for ordering and payment

Номер патента: US20230336687A1. Автор: Jeffrey Paul SINELLI. Владелец: Yellow Lab Agency LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Electronic menu, ordering, and payment system and method

Номер патента: CA3073727A1. Автор: Samila Mozafarian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-24.

Ordering and billing equipment

Номер патента: AU7535094A. Автор: Ekkehard Stephan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Systems, methods, and apparatuses for implementing self-supervised visual representation learning using order and appearance recovery on a vision transformer

Номер патента: US20230306562A1. Автор: Jiaxuan Pang,DongAo Ma,Jiangming Liang. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-09-28.

Procedure for ordering and purchasing products displayed in real space via an information communication channel as well as set of equipment for the performance of the procedure

Номер патента: WO2015121693A2. Автор: Sándor AMBRUS,Sandor Marti. Владелец: Shopguard Kft.. Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and methods for ordering and payment

Номер патента: US20240202734A1. Автор: Kent Dicks. Владелец: Life365 Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and system for performing two-factor authentication in mail order and telephone order transactions

Номер патента: RU2438172C2. Автор: Бенедикто Х. ДОМИНГЕС,Даглас ФИШЕР,Тимоти Му-чу ЛИ. Владелец: Виза Интернешнл Сервис Ассошиэйшн. Дата публикации: 2011-12-27.

Method, device and software for ordering and paying for a purchase

Номер патента: US20050131836A1. Автор: Thomas Armstrong,Donald Isenor. Владелец: EPOCKET Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Stock ordering and reconciliation system

Номер патента: GB2404049A. Автор: John Byrne. Владелец: CELLARMAN Ltd. Дата публикации: 2005-01-19.

System for managing customer orders and method of implementation

Номер патента: US5758329A. Автор: Casimir M. Wojcik,Paul A. Pretto,Jim Courier,Bob Morrow,Joseph R. Wehry, Jr.,Paul Kuczynski,Matt F. Edwards,Mark A. Schnieder,Thomas W. Loftus,Brian Schnieders,Thomas C. Bernardi,Craig Raymond Pellerin,Ron D. Bushaw,Michael Louis Schebell,Bill D. Hartley,Sheila Cappel,Kimberly Weisgarber,Henry Lee Vogler,Louis Duane Ferguson. Владелец: Lykes Bros Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: NL2032744B1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-16.

Furniture Ordering and Marketing System and Method Thereof

Номер патента: US20180322548A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Furniture of America Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US20220053099A1. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US20200322489A1. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US20190364158A1. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US11172077B2. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US10728400B2. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Systems to fulfill a picked sales order and related methods therefor

Номер патента: US20200327606A1. Автор: Pratosh Deepak Rajkhowa,Vidyanand Krishnan,Ameya Ajay Shendre,Shekhar Gupta,Pavan Kumar Raichur Rajoli. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

Systems to fulfill a picked sales order and related methods therefor

Номер патента: US20230024361A1. Автор: Pratosh Deepak Rajkhowa,Vidyanand Krishnan,Ameya Ajay Shendre,Shekhar Gupta,Pavan Kumar Raichur Rajoli. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Communication of orders and payments in a drive through using wireless beacons

Номер патента: US11861743B2. Автор: Dwain Glenn Theobald. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Real time order and activation processing system

Номер патента: US20210295418A1. Автор: Frank Bennett,Neil Ryan,Tim Weisbrod,Vic Hugo,Andy Zeinfeld,Kevin O'Riordan,Grant Yoder. Владелец: Simplexity C/o Versa Capital Management Llc LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Real Time Order and Activation Processing System

Номер патента: US20200226665A1. Автор: Frank Bennett,Neil Ryan,Tim Weisbrod,Vic Hugo,Andy Zeinfeld,Kevin O'Riordan,Grant Yoder. Владелец: Simplexity C/o Versa Capital LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Real Time Order and Activation Processing System

Номер патента: US20170323372A1. Автор: Frank Bennett,Neil Ryan,Tim Weisbrod,Vic Hugo,Andy Zeinfeld,Kevin O'Riordan,Grant Yoder. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

International order and ship optimization method and system

Номер патента: US20170178068A1. Автор: Michael Ahn. Владелец: Michael Ahn. Дата публикации: 2017-06-22.

Ordering and delivery cubicle system

Номер патента: US20180357843A1. Автор: David Cowan,Peter Zurkuhlen. Владелец: Chip Chop Holdings Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

System and method for ordering and receiving digital goods through text messaging

Номер патента: US20200043081A1. Автор: Michael C. PINKUS. Владелец: Lazlo 326 LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US20230188652A1. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

System and method for ordering and facilitating payment of a print product including a digital image

Номер патента: US11949821B2. Автор: Ryan Moore,Nathan P. Curry. Владелец: Fujifilm North America Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Communication of orders and payments in a drive through using wireless beacons

Номер патента: US20240153017A1. Автор: Dwain Glenn Theobald. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems to fulfill a picked sales order and related methods therefor

Номер патента: US11978108B2. Автор: Pratosh Deepak Rajkhowa,Vidyanand Krishnan,Ameya Ajay Shendre,Shekhar Gupta,Pavan Kumar Raichur Rajoli,Deepak Ramesh DESHPANDE. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and system for ordering and downloading digital content with unique identity recognition through a network

Номер патента: US20020042758A1. Автор: Jyh-Yuan Deng. Владелец: MASERVE Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Order and purchase integration

Номер патента: US11775961B2. Автор: Alonso Araujo,Derek HUMPHREYS. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and system for ordering and purchasing products via a communication channel

Номер патента: US20150235300A1. Автор: Sándor AMBRUS,Sandor Marti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-20.

Centralized platform for telecommunication services ordering and provisioning

Номер патента: WO2024005771A1. Автор: Jun Liang LIM,Kumeresh KHANNA. Владелец: Rakuten Symphony Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Multiuser multilingual system for generating orders and manufacturing windows and doors

Номер патента: WO2020039246A1. Автор: Oleksandr ROMANYEYEV. Владелец: Romanyeyev Oleksandr. Дата публикации: 2020-02-27.

Multiuser multilingual system for generating orders and manufacturing windows and doors

Номер патента: EP3891684A1. Автор: Oleksandr ROMANYEYEV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-13.

Order and cargo transport system

Номер патента: WO2022060315A1. Автор: Bagdas Eren. Владелец: Eren Bağdaş. Дата публикации: 2022-03-24.

Multi-tiered memory with different metadata levels

Номер патента: US09552288B2. Автор: Ryan James Goss,Mark Allen Gaertner,Michael Joseph Steiner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory controller with programmable atomic operations

Номер патента: US12019920B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for computer memory with linked paths

Номер патента: US09606944B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Girisankar Paulraj,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method for computer memory with linked paths

Номер патента: US09501432B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Girisankar Paulraj,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory with compressed key

Номер патента: US09703484B2. Автор: Lars-Olof B Svensson,Pär S Westlund. Владелец: Memobit Technologies AB. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Persistent memory with cache coherent interconnect interface

Номер патента: US20240345742A1. Автор: Yang Seok KI,Chanik Park,Sungwook Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory with system ecc

Номер патента: US20210064463A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory with system ecc

Номер патента: WO2021041023A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory with system ecc

Номер патента: EP4022438A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Laurent René Moll,Michael Hawjing Lo,Xavier Loic LELOUP. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-volatile memory with intelligent compute task distribution

Номер патента: US11977915B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Rakesh Balakrishnan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20220011981A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Computational processor-in-memory with enhanced strided memory access

Номер патента: US20190235780A1. Автор: Erik Debenedictis. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Non-volatile memory with improved sensing and method therefor

Номер патента: US20030072177A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Chi-Ming Wang,Douglas Lee,Daniel Guterman,Rushyah Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: EP2024976A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: EP4405950A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Non-volatile memory with both single and multiple level cells

Номер патента: US20110273932A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory with both single and multiple level cells

Номер патента: US20120257451A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A2. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor storage device having magnetoresistive memories with a different coercive force

Номер патента: US12062388B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A3. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8750021B2. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130107607A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20140247649A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8369131B2. Автор: Yun Wang,Tony Chiang,Prashant B Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130314974A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Programming memories with multi-level pass signal

Номер патента: US09922704B2. Автор: Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Charan Srinivasan,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

PCM memory with margin current addition and related methods

Номер патента: US09646684B1. Автор: Marco Pasotti,Emanuela Calvetti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory with two phased programming

Номер патента: US09570179B2. Автор: Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for programming non-volatile memory with reduced bit line interference and associated device

Номер патента: US09437319B1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Memories With Metal-Ferroelectric-Semiconductor (MFS) Transistors

Номер патента: US20170345479A1. Автор: Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Yun-sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Memory with multiple reference cells

Номер патента: US20110058414A1. Автор: Chia-Ching Li,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Implementing 3D scalable magnetic memory with interlayer dielectric stack and pillar holes having programmable area

Номер патента: US09443905B1. Автор: Neil Leslie Robertson,Luiz M. Franca-Neto,Zvonimir Z. Bandic,Jordan Asher Katine,Jeffery Robinson Childress. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic random access memory with ultrathin reference layer

Номер патента: US9871191B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Phase change memory with flexible time-based cell decoding

Номер патента: US20150078076A1. Автор: Ryan Jurasek,Aaron D. Willey. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Phase change memory with flexible time-based cell decoding

Номер патента: US20140321200A1. Автор: Ryan Jurasek,Aaron D. Willey. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Magnetic random access memory with ultrathin reference layer

Номер патента: US09871190B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Programming memory with reduced short-term charge loss

Номер патента: US09437305B2. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Tien-Chien Kuo,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile Memory with Correlated Multiple Pass Programming

Номер патента: US20120039125A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Memory with controlled bit line charging

Номер патента: US09887011B1. Автор: Ji-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic storage cell memory with back hop-prevention

Номер патента: US09514796B1. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,James W. Tschanz,Charles Augustine,Helia Naeimi,Shih-Lien Lu,Georgios Panagopoulos. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory with embedded dram

Номер патента: EP1422719A2. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-05-26.

Multi-block non-volatile memories with single unified interface

Номер патента: US20180336948A1. Автор: Shu Wang,Xiaoming Jin,Zhijiong Luo. Владелец: Aspiring Sky Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Magnetic random access memory with ultrathin reference layer

Номер патента: US20180090675A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetic random access memory with multilayered seed structure

Номер патента: US09496489B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Magnetic random access memory with multilayered seed structure

Номер патента: US09419207B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Combined program and data nonvolatile memory with concurrent program-read/data write capability

Номер патента: US5732017A. Автор: Steven J. Schumann,Fai Ching,Sai K. Tsang. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Nonvolatile memory with magnetoresistive element and transistor

Номер патента: US09805780B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shogo ITAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-volatile memory with improved sensing and method therefor

Номер патента: US6044019A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Chi-Ming Wang,Douglas Lee,Daniel Guterman,Rushyah Tang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

First fire and cold start in memories with threshold switching selectors

Номер патента: US11894037B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,James W. Reiner,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

First fire and cold start in memories with threshold switching selectors

Номер патента: WO2023200767A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,James W. Reiner,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: US20070279970A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory Devices Having an Embedded Resistance Memory with Metal-Oxygen Compound

Номер патента: US20100301330A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

First fire and cold start in memories with threshold switching selectors

Номер патента: US20230326506A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,James W. Reiner,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: WO2023048773A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-03-30.

MAGNETIC RAM MEMORY WITH DOUBLE TRANSITION FOR APPLICATIONS OF TRINITY ASSOCIATIVE MEMORY

Номер патента: RU2012111795A. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2013-10-10.

Non-volatile ferroelectric memory with section plate line drivers and method for accessing the same

Номер патента: US5991188A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Non-volatile memory with reverse state program

Номер патента: US11790994B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

Magnetic memory with phonon glass electron crystal material

Номер патента: US20130175647A1. Автор: DeXin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

Operation nand non-volatile memory with boost electrodes

Номер патента: WO2008063970A3. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2008-07-31.

Domestic device with programme condition monitoring

Номер патента: RU2432425C2. Автор: Ута КРОЙТЦФЕЛЬДТ,Хансйорг ЛАМПЕ. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2011-10-27.

Apparatus for programming ophthalmic lens configured to provide power supply, with programmable substrate insertion

Номер патента: RU2643212C2. Автор: Шарика СНУК,Рэндалл Б. ПЬЮ,Карсон С. ПАТТ,Кэмилл ХИГХАМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-01-31.

Method for formation of marine monitoring system with programmable neuron network control system

Номер патента: RU2694846C1. Автор: Анна Михайловна Василенко,Валерий Александрович Пятакович,Олег Адольфович Алексеев. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2019-07-17.

Probe of the atomic-force microscope with programmable dynamic of changes of the spectral portraits of the radiating element on the basis of quantum dots of the core-shell structure

Номер патента: RU2650702C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Николай Владимирович Вишняков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2018-04-17.

Atomic force microscope probe with programmable dynamics of doped radiant element spectral portraits change, by quantum dots of core-sheath structure

Номер патента: RU2647512C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Николай Владимирович Вишняков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2018-03-16.

Probe of atomic-force microscope with programmable spectral portrait of radiation element doped with quantum dots of core-shell structure

Номер патента: RU2629713C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Николай Владимирович Вишняков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2017-08-31.

Atomic-force microscope probe with programmable spectral portrait of radiating element based on quantum dots of core-shell structure

Номер патента: RU2635345C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Николай Владимирович Вишняков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2017-11-10.

Signal monitor with programmable non-critical alarm

Номер патента: US7772990B2. Автор: Scott Richard EVANS. Владелец: Eberle Design Inc. Дата публикации: 2010-08-10.

Signal monitor with programmable non-critical alarm

Номер патента: US20090002194A1. Автор: Scott Richard EVANS. Владелец: Eberle Design Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Jacket with programmable lights

Номер патента: US4602191A. Автор: Xavier Davila. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-07-22.

Luminaire with Programmable Light Distribution

Номер патента: US20190342964A1. Автор: Michael Quilici,Seung Cheol Ryu,Alan SARKISIAN,Rodrigo Pereyra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for operating a robot, data memory with corresponding program code, robot, and robot system

Номер патента: US20190381659A1. Автор: Holger Mönnich,Rafik Mebarki. Владелец: K Tronik GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for operating a robot, data memory with corresponding program code, robot, and robot system

Номер патента: US11173604B2. Автор: Holger Mönnich,Rafik Mebarki. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Apparatus, method and media with programme code for generating representation of bandwidth-extended signal on basis of input signal representation using combination of harmonic bandwidth-extension and non-harmonic bandwidth-extension

Номер патента: RU2452044C1. Автор: Бернхард ГРИЛЛ,Макс НУЕНДОРФ,Джереми ЛЕКОМТЕ,Фредерик НАГЕЛ,Саша ДИШ,Маркус МУЛТРУС,Николаус РЕТТЕЛБАЧ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2012-05-27.

Marine monitoring system with programmable neuron network control system

Номер патента: RU2697719C1. Автор: Анна Михайловна Василенко,Валерий Александрович Пятакович,Наталья Владиславовна Пятакович. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2019-08-19.

Device for controlling engineering process with programmable digital-analogue interface, mounted in operation conditions

Номер патента: RU2363974C2. Автор: Роберт Дж. КАРШНИА,Маркос ПЕЛУЗО. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2009-08-10.

Post office window system with programmable prompts

Номер патента: CA1223363A. Автор: Daniel F. Dlugos. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1987-06-23.

Luminaire with programmable light distribution

Номер патента: US10681783B2. Автор: Michael Quilici,Seung Cheol Ryu,Alan SARKISIAN,Rodrigo Pereyra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2020-06-09.

Luminaire with Programmable Light Distribution

Номер патента: US20190342965A1. Автор: Michael Quilici,Seung Cheol Ryu,Alan SARKISIAN,Rodrigo Pereyra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Luminaire with programmable light distribution

Номер патента: US20180255616A1. Автор: Michael Quilici,Seung Cheol Ryu,Alan SARKISIAN,Rodrigo Pereyra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Luminaire with programmable light distribution

Номер патента: EP3590306A1. Автор: Michael Quilici,Seung Cheol Ryu,Alan SARKISIAN,Rodrigo Pereyra. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2020-01-08.

Method and system for controlling orders and dispensed beverages

Номер патента: RU2693292C2. Автор: Артур Г. РУДИК,Х. Брок КОЛЛЗ,Нилтон Антонио Морейра МАТТОС,Цючэнь Питер ЧЖАН,Луис Дж. МАТТОС. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2019-07-02.

Method of control orders and batching of products including drinks and method of container application as indicative device

Номер патента: RU2563225C2. Автор: Артур Г. РУДИК,Х. Брок КОЛЛЗ,Нилтон Антонио Морейра МАТТОС,Цючэнь Питер ЧЖАН,Луис Дж. МАТТОС. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2015-09-20.

A device for ordering and validating an electronic ticket, a ticket issuing system, and an electronic ticket

Номер патента: WO2004066218A1. Автор: Carmen Santa Cruz. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2004-08-05.

Transmission diffraction device for high diffraction order and method of fabricating the same

Номер патента: WO2010064776A1. Автор: Kazuhiro Hane,Jae-Young Joo,Sun-Kyu Lee,Do-Kyun Woo,Cha-Bum Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus, method and computer program for encoding, decoding, scene processing and other procedures related to dirac based spatial audio coding using low-order, mid-order and high-order components generators

Номер патента: US20240040330A1. Автор: Fabian KÜCH,Oliver Thiergart,Stefan Bayer,Guillaume Fuchs,Markus Multrus,Stefan DÖHLA,Srikanth KORSE,Alexandre BOUTHÉON,Andrea EICHENSEER. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatus, method and computer program for encoding, decoding, scene processing and other procedures related to dirac based spatial audio coding using low-order, mid-order and high-order components generators

Номер патента: CA3122170C. Автор: Oliver Thiergart,Stefan Bayer,Guillaume Fuchs,Fabian Kuech,Markus Multrus,Srikanth KORSE,Stefan Doehla,Alexandre BOUTHÉON,Andrea EICHENSEER. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus, method and computer program for encoding, decoding, scene processing and other procedures related to DirAC based spatial audio coding using low-order, mid-order and high-order components generators

Номер патента: US11937075B2. Автор: Fabian KÜCH,Oliver Thiergart,Stefan Bayer,Guillaume Fuchs,Markus Multrus,Stefan DÖHLA,Srikanth KORSE,Alexandre BOUTHÉON,Andrea EICHENSEER. Владелец: Fraunhofer Der Angewand Forschung EV Gesell zur Forderung. Дата публикации: 2024-03-19.

Sequence detection for flash memory with inter-cell interference

Номер патента: US20130107622A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Variable resistance memory with lattice array using enclosing transistors

Номер патента: US11763885B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Dual port memory with asymmetric inputs and outputs, device, system

Номер патента: US20070011388A1. Автор: Joo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Serial memory with fast read with look-ahead

Номер патента: EP2777044A1. Автор: Silvia CZEIDES. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Serial Memory with Fast Read with Look-Ahead

Номер патента: US20130121098A1. Автор: Silvia CZEIDES. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Antifuse-type one time programming memory with forksheet transistors

Номер патента: EP4435866A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Antifuse-type one time programming memory with forksheet transistors

Номер патента: US20240324191A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory with a variable polarity line decoder

Номер патента: US09941010B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Content addressable memory with an ordered sequence

Номер патента: US09697898B2. Автор: Robert R. Friedlander,James R. Kraemer,Suparna Bhattacharya,Samuel Scott Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-volatile memory with a variable polarity line decoder

Номер патента: US09543018B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-10.

3D memory with graphite conductive strips

Номер патента: US12041776B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US20230298678A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory with tsv health monitor circuitry

Номер патента: US20210175208A1. Автор: Michael Roth,Michael J. Scott,Markus H. Geiger,John H. Gentry,Greg S. Gatlin,Lael H. Matthews,Anthony M. Geidl,Dale H. Hiscock,Evan C. Pearson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

3d memory with graphite conductive strips

Номер патента: US20240315033A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Scannable memories with robust clocking methodology to prevent inadvertent reads or writes

Номер патента: US09666301B2. Автор: Sei Seung Yoon,Venugopal Boynapalli,Bilal Zafar,Kashyap Ramachandra Bellur,Prabaharan Balu,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Multiple FET non-volatile memory with default logical state

Номер патента: US09589639B1. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann,Robert E. Kilker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory with sensing amplifier using load transistors driven by coupled gate voltages

Номер патента: US20040017695A1. Автор: Hong-Ping Tsai,Yu-Ming Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Memory with a source plate discharge circuit

Номер патента: US20230046480A1. Автор: Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Vertical Thyristor Memory with Minority Carrier Lifetime Reduction

Номер патента: US20170229306A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Improved vertical thyristor memory with minority carrier lifetime reduction

Номер патента: WO2017139286A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-08-17.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Non-volatile memory with fast read process

Номер патента: US09672940B1. Автор: Phil Reusswig,Nian Niles Yang,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-bank memory with line tracking loop

Номер патента: US09646663B2. Автор: Jie Cai,He-Zhou Wan,Mu-Jen Huang,XiuLi YANG,Ming-En Bu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Read-write non-erasable memory with laser recording and method of recording

Номер патента: US09552832B2. Автор: Alan S Edelstein. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-01-24.

Hybrid dielectric non-volatile memory with nano particles (Si/SiO2 core/shell) as charge trapping layer

Номер патента: US09406765B1. Автор: Caiming SUN,Chun Zhao,Ka Chon Wong. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Resistive memory with a thermally insulating region

Номер патента: WO2016056182A1. Автор: Koji Miyata,Scott Sills,Nirmal Ramaswamy,Shuichiro Yasuda,Beth Cook. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-14.

Device, method and system to provide a random access memory with a ferroelectric resistive junction

Номер патента: US20240112730A1. Автор: Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile memory with ongoing program read

Номер патента: US20240221803A1. Автор: Henry Chin,Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory with current distributor

Номер патента: US20020036929A1. Автор: Masayuki Koizumi,Hiroyuki Shibayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Sequence Detection for Flash Memory With Inter-Cell Interference

Номер патента: US20120099372A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Non-volatile memory with tier-wise ramp down after program-verify

Номер патента: WO2024049529A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory with short prevention

Номер патента: US12046294B2. Автор: Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Point probe memory with light modulator readout

Номер патента: US20020033991A1. Автор: Charles Hester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of concurrent multi-state programming of non-volatile memory with bit line voltage step up

Номер патента: US20210134370A1. Автор: Zhiping Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Sequential access memory with system and method

Номер патента: US20060294282A1. Автор: David Warner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Contents addressable memory with accelerated entry data shunting

Номер патента: US20020181263A1. Автор: Miki Yanagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory with row redundancy

Номер патента: US20020181281A1. Автор: Frankie Roohparvar,Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Quantum random address memory with polymer mixer and/or memory

Номер патента: WO2000019447A1. Автор: William M. Peterson. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2000-04-06.

Repair sharing diagnostic for memories with serial repair interfaces

Номер патента: EP4381506A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-12.

Repair sharing diagnostic for memories with serial repair interfaces

Номер патента: WO2024091233A1. Автор: Wilson Pradeep,Mayank Parasrampuria,Rajesh Gottumukkala. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Quantum random address memory with polymer mixer and/or memory

Номер патента: EP1118082A1. Автор: William M. Peterson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-07-25.

Memory with three transistor memory cell device

Номер патента: US09767904B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus and methods of operating memory with erase de-bias

Номер патента: US09711228B1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive memory with program verify and erase verify capability

Номер патента: US09548116B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Programmable resistance memory with feedback control

Номер патента: US8503219B2. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Content addressable memory with banks background

Номер патента: EP3296995A3. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Le Zheng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-25.

Differential programming of two-terminal resistive switching memory with program soaking and adjacent path disablement

Номер патента: US12080347B1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory with countermeasure for over programming

Номер патента: US20200365220A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Differential programming of two-terminal resistive switching memory with intrinsic error suppression

Номер патента: US12100449B1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory with efficient dynamic voltage stress scan controlled by asynchronous inputs

Номер патента: EP4427223A1. Автор: Chulmin Jung,Sharad Kumar Gupta,Rahul Sahu,Pradeep Raj. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects

Номер патента: US09564587B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US12148478B2. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Resistive memory with low voltage operation

Номер патента: US12027205B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods of forming and operating nand memory with side-tunneling

Номер патента: US20080239827A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Memory with permanent array division capability

Номер патента: WO1983001147A1. Автор: Clinton C. K. Kuo,Inc. Motorola. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-03-31.

Single port memory with mutlitple memory operations per clock cycle

Номер патента: US20240221808A1. Автор: Kumar Rahul,Santosh Yachareni,Mahendrakumar Gunasekaran,Mohammad Anees. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Associative memory with entry groups and skip operations

Номер патента: EP1678619A2. Автор: Monica Joshi,Philip Ngai,David Michael Thornburg,Hyesook Lim. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-12.

Repair techniques for memory with multiple redundancy

Номер патента: US20070033491A1. Автор: Warren Howlett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

3D memory with confined cell

Номер патента: US11751407B2. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Polymer memory with variable data retention time

Номер патента: WO2006023338A1. Автор: Aaron Mandell,Juri H. Krieger,Michael A. Vanbuskirk,Stuart Spitzer. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-02.

Flash memory with high integration

Номер патента: US20240274196A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Resistive memory with low voltage operation

Номер патента: US20240355389A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: US09947682B2. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory with multiple write ports

Номер патента: US09721624B2. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Fakhruddin Ali Bohra,Mudit Bhargava,Andy Wangkun CHEN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field

Номер патента: US09627443B2. Автор: Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Ternary content addressable memory (TCAM) with programmable resistive elements

Номер патента: US09613701B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-04.

3D NAND memory with decoder and local word line drivers

Номер патента: US09418743B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship

Номер патента: US09406379B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile memory with blocks and circuitry for selectively protecting the blocks for memory operations

Номер патента: US5513136A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Thomas C. Price. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Content-addressable memory with programmable field masking

Номер патента: CA2126469A1. Автор: Horng-Dar Lin. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-04-26.

Synchronous memory with programmable read latency

Номер патента: US20010022754A1. Автор: J. Pawlowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Memory with robust data sensing and method for sensing data

Номер патента: WO2007027577A2. Автор: Shayan Zhang,Bradford L. Hunter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-08.

Memory with retargetable memory cell redundancy

Номер патента: EP1946326A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US20140145253A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Battery backed memory with battery disconnect for improved battery life

Номер патента: US20030142574A1. Автор: Frank PRIORE,William Floro. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Memory with retargetable memory cell redundancy

Номер патента: WO2007056651A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Integrated semiconductor memory with distributor line for redundant data lines

Номер патента: US7929362B2. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-04-19.

Memory with charge storage locations

Номер патента: WO2004107351A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Robert F. Steimle,Leo Matthew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-12-09.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Flash memory with RDRAM interface

Номер патента: US20030043625A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Nonvolatile memories with tunnel dielectric with chlorine

Номер патента: US20090303787A1. Автор: Zhong Dong,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Non-volatile memory with slow voltage ramp compensation

Номер патента: US20240321379A1. Автор: Long Pham,Parth AMIN,Sai Gautham THOPPA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated memory with memory cells in several memory-cell-blocks and method to operate such memories

Номер патента: TW520517B. Автор: Peter Weitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-11.

Three dimensional (3D) memories with multiple resistive change elements per cell and corresponding architectures for in-memory computing

Номер патента: US12068029B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional offset-printed memory with multiple bits-per-cell

Номер патента: US09741448B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haichun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory with efficient programming

Номер патента: US09721662B1. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Resistance random access memory with accurate forming procedure, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US09627058B2. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09508868B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Resistive switching memory with cell access by analog signal controlled transmission gate

Номер патента: US09472272B2. Автор: Daniel Wang,Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated semiconductor memory with redundancy arrangement

Номер патента: US5459690A. Автор: Johann Rieger,Johann Stecker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-10-17.

Non-Volatile Memory With Linear Estimation of Initial Programming Voltage

Номер патента: US20100020614A1. Автор: Yan Li,Loc Tu,Charles Moana Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory with redundancy

Номер патента: US09672938B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,George P. Hoekstra,Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Content addressable memory with reduced power consumption and increased search operation speed

Номер патента: US09620214B2. Автор: Fukashi Morishita,Mihoko Akiyama,Kenji Yoshinaga,Isamu Hayashi,Katsumi Dosaka,Masakazu Ishibashi,Naoya Watanabe,Shinya Miyazaki,Teruhiko Amano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Spin-transfer torque magnetic random access memory with perpendicular magnetic anisotropy multilayers

Номер патента: US09419210B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20050018522A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030123288A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Vidmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: EP1423857A1. Автор: Frankie Fariborz Roohparvar,Kevin C. Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory with Scan Chain Testing of Column Redundancy Logic and Multiplexing

Номер патента: US20240221853A1. Автор: Chulmin Jung,Jung Pill Kim,Jais Abraham,Sharad Kumar Gupta,Rahul Sahu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory with countermeasures for select gate disturb during program pre-charge

Номер патента: US20200051648A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Non-volatile memory with overdrive voltage zoning to compensate for reduced margins

Номер патента: US20240127895A1. Автор: JIA Li,PENG Wang,Zhenni Wan,Bo Lei,Yihang Liu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile memory with self-tracking iref

Номер патента: US20240006000A1. Автор: Yunchen Qiu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: WO2023158450A1. Автор: Dana Lee,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory with read tracking clock and method thereof

Номер патента: US20130208544A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

3d nand nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US20160056168A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: EP2839463A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-25.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: WO2013158557A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory with countermeasure for select gate disturb

Номер патента: US20200035312A1. Автор: Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20240153557A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory with charge transfer reduction transistor

Номер патента: US12094539B2. Автор: Toru Mori,Taku Shibaguchi,Kenji Oonuki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09947395B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09627046B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory with a multi-layer passivation layer formed over sidewalls of a variable resistance element

Номер патента: US09559298B2. Автор: Ga-Young Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

3D NAND nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US09349745B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Fault tolerant bubble memory with a single major loop having an integral stationary register

Номер патента: US4164027A. Автор: G. Patrick Bonnie,William J. McGinnis, Jr.. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1979-08-07.

Fault tolerant bubble memory with a single major loop having an integral stationary register

Номер патента: CA1113608A. Автор: William J. McGinnis, Jr.,Gene P. Bonnie. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1981-12-01.

Programmable memory with memory cells programmed by addressing

Номер патента: US4727514A. Автор: Rohit L. Bhuva,Allen Y. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1988-02-23.

Differential programming of two-terminal memory with program detection and multi-path disablement

Номер патента: US20230317162A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Content addressable memory with an ordered sequence

Номер патента: US20170092358A1. Автор: Robert R. Friedlander,James R. Kraemer,Suparna Bhattacharya,Samuel Scott Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Ternary content addressable memory (tcam) with programmable resistive elements

Номер патента: US20170062052A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A2. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-30.

High read speed memory with gate isolation

Номер патента: US20120327717A1. Автор: Richard Fastow,Hagop Nazarian,Lei Xue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Synchronous dynamic random access memory with four-bit data prefetch

Номер патента: US6115321A. Автор: Jeffrey E. Koelling,J. Patrick Kawamura. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Programmable universal test interface for testing memories with different test methodologies

Номер патента: US6044481A. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk,Craig R. Silver. Владелец: Artisan Components Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Synchronous memory with read and write mode

Номер патента: US6011728A. Автор: Koichi Akeyama. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Fault tolerant bubble memory with redundancy using a stationary register on a single chip

Номер патента: US4145757A. Автор: G. Patrick Bonnie. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1979-03-20.

Ultra-dense ferroelectric memory with self-aligned patterning

Номер патента: US20200286687A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Ashish Verma Penumatcha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

3d nand memory with built-in capacitor

Номер патента: US20240046998A1. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Scannable memories with robust clocking methodology to prevent inadvertent reads or writes

Номер патента: US20160078965A1. Автор: Sei Seung Yoon,Venugopal Boynapalli,Bilal Zafar,Kashyap Ramachandra Bellur,Prabaharan Balu,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Solid-state memory with intelligent cell calibration

Номер патента: US11810625B2. Автор: Christopher A. Smith,Ryan J. Goss,Jonathan Henze,Indrajit Zagade. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Non-volatile memory with inter-die connection

Номер патента: US20230386576A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory with updating of read compare voltages based on measured current

Номер патента: US11791001B2. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Flash memory with two-stage sensing scheme

Номер патента: US20100182846A1. Автор: Juhan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US20230420061A1. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Differential programming of two-terminal memory with program detection and multi-path disablement

Номер патента: WO2023192965A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: US20170352430A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory with improved memory block switching

Номер патента: EP2465116A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-20.

Differential programming of two-terminal memory with intrinsic error suppression and wordline coupling

Номер патента: US20240071490A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

3d memory with graphite conductive strips

Номер патента: US20230371257A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated semiconductor configuration having a semiconductor memory with user programmable bit width

Номер патента: US6603170B2. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-05.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Serial memory with fast read with look-ahead

Номер патента: WO2013071072A1. Автор: Silvia CZEIDES. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: EP3420555A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Non-volatile memory with differential temperature compensation for super page programming

Номер патента: WO2023113858A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-Volatile Memory With Improved Sensing By Reducing Source Line Current

Номер патента: US20120113715A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Method and apparatus to conditionally precharge a partitioned read-only memory with shared wordlines for low power operation

Номер патента: US20030107933A1. Автор: Robert Rogenmoser,Daniel Dobberpuhl,Steve Nishimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Programmable resistive memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: US20190392896A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technolog Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Four port memory with multiple cores

Номер патента: US8861243B1. Автор: Peter J. Wilson,Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-14.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory with differential temperature compensation for bulk programming

Номер патента: WO2023113859A1. Автор: Yi Song,Dengtao Zhao,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

The reliability of computer memory with data movement and address re-mapping

Номер патента: US20240354262A1. Автор: Alastair Wolman,Stefan Saroiu,Lucian COJOCAR,Kevin Robert LOUGHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory with improved incomplete active performance loss task completion detection

Номер патента: US20240320143A1. Автор: Hui Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US12111726B2. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Synchronous wired-or ack status for memory with variable write latency

Номер патента: US20240313135A1. Автор: John Eric Linstadt,Jun Kim,Simon Li,Yohan Frans. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Synchronous wired-or ACK status for memory with variable write latency

Номер патента: US11973153B2. Автор: John Eric Linstadt,Jun Kim,Simon Li,Yohan Frans. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-30.

Computer processor employing cache memory with per-byte valid bits

Номер патента: US09513904B2. Автор: Roger Rawson Godard,Arthur David Kahlich. Владелец: Mill Computing Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Cache memory with write through, no allocate mode

Номер патента: WO2014004269A2. Автор: Lucian Codrescu,Manojkumar Pyla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-03.

Cache memory with fault tolerance

Номер патента: US09830218B2. Автор: Young-Su Kwon,Jin-Ho HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Hybrid memory with associative cache

Номер патента: US09785564B2. Автор: Sumanth Jannyavula Venkata. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory controller for memory with mixed cell array and method of controlling the memory

Номер патента: US09606908B2. Автор: Jing Li,Bing Dai,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory controller with programmable configuration

Номер патента: EP1191445A3. Автор: James B. Keller,James Y. Cho,Mark D. Hayter. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-05-12.

Memory with weld bank data structure for welding applications; computerized welding system with such memory; method of storing welding data in a relational database in such memory

Номер патента: EP2533931A1. Автор: Robert R. Davidson,Anthony J. Kowaleski,Bruce A. Casner,L. Thomas Hayes,Richard L. Schuh. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2012-12-19.

Implementing an asymmetric memory with random port ratios using dedicated memory primitives

Номер патента: US11416659B1. Автор: Bing Tian,Nithin Kumar Guggilla,Pradip Kar. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-08-16.

Multi channel memory with flexible code-length ECC

Номер патента: US09692455B2. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Cache memory with unified tag and sliced data

Номер патента: US09514051B2. Автор: Jiin Lai,Bo Zhao,Zhongmin Chen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

First-in-first-out memory with dual memory banks

Номер патента: US09501407B1. Автор: Andy L. Lee,David Lewis,Ray Ruey-Hsien Hu,Haiming Yu,Hao-Yuan Howard Chou,Tony Ngai. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Computational memory with cooperation among rows of processing elements and memory thereof

Номер патента: US20230367739A1. Автор: William Martin Snelgrove,Jonathan Scobbie. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Bufferless Transactional Memory with Runahead Execution

Номер патента: US20090019247A1. Автор: Xiaotong Zhuang,Christoph von Praun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: EP2681670A1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Power Supply Switch with Programmable Switching Decision

Номер патента: US20190155354A1. Автор: Chung Fai Au Yeung,Chi Hong Chan,Hok San YU. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2019-05-23.

Transactional memory with automatic object versioning

Номер патента: US20080021934A1. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai,Richard L. Hudson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Cache memory with decoupled control paths

Номер патента: US12066936B1. Автор: Eitan Joshua,Ehud Eliaz,Yori Teichman,Ofer Eizenberg. Владелец: Habana Labs Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Computational memory with cooperation among rows of processing elements and memory thereof

Номер патента: US12147380B2. Автор: William Martin Snelgrove,Jonathan Scobbie. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: US09454498B1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory and method for operating a memory with interruptible command sequence

Номер патента: US20170351636A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Multipath memory with static or dynamic mapping to coherent or mmio space

Номер патента: EP4409404A1. Автор: James Murray,Jaideep Dastidar. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Reliability of computer memory with data movement and address re-mapping

Номер патента: US20230129255A1. Автор: Alastair Wolman,Stefan Saroiu,Lucian COJOCAR,Kevin Robert LOUGHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Using versioned pointers to facilitate reusing memory with a reduced need to reclaim objects through garbage collection

Номер патента: US20120023306A1. Автор: David R. Chase. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

On-die cache memory with repeaters

Номер патента: US20030005222A1. Автор: Bharat Bhushan,Kenneth Smits. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Method and apparatus for multi-channel sensor interface with programmable gain, offset and bias

Номер патента: US09829356B1. Автор: Steven Smith,Dale Wedel. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Cycle accurate state analysis with programmable trigger logic

Номер патента: US09405881B2. Автор: Subhra Sundar Bandyopadhyay,Jayanth Sankar Mekkoth. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated cache memory with system control logic and adaptation of RAM bus to a cache pinout

Номер патента: US6131140A. Автор: Thurman J. Rodgers,Peter Voss,Raymond M. Leong,Tek Wei. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Security device with programmable systolic-matrix cryptographic module and programmable input/output interface

Номер патента: US11921906B2. Автор: Richard J. Takahashi. Владелец: Secturion Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory with a communications bus for device-to-controller communication, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20220365889A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: EP4341814A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US20220374307A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory for the central processing unit of a computer, computer and method for synchronizing a memory with the main memory of a computer

Номер патента: TW200301856A. Автор: Holger Sedlak,Thomas Kuenemund,Bemdt M Gammel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-16.

Compressed cache memory with decompress on fault

Номер патента: US12130738B2. Автор: Vedvyas Shanbhogue,Vinodh Gopal,Wajdi K. Feghali,Jayesh Gaur,Utkarsh Kakaiya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High throughput register file memory with pipeline of combinational logic

Номер патента: US09652418B2. Автор: Shahid Ali,Shivraj Dharne. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Programmable function unit with programmable fast ripple logic

Номер патента: US5386156A. Автор: Barry K. Britton,Wai-Bor Leung. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Reconfigurable memory with selectable error correction storage

Номер патента: US20020029315A1. Автор: Brett Williams,Donald Baldwin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory controller with programmable timing and control registers for data transfers which have a distinct sequence of phases.

Номер патента: GB2396711A. Автор: Neil Andrew Jameson. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Semicoductor memory with a timing controlled for receiving data at a semiconductor memory module to be accessed

Номер патента: US5646904A. Автор: Manabu Miyata,Yasuhiro Ohno. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-08.

Variable size first in first out (fifo) memory with head and tail caching

Номер патента: WO2003017541A1. Автор: Chris Haywood. Владелец: Internet Machines Corporation. Дата публикации: 2003-02-27.

Method to secure embedded system with programmable logic, hardware, and software binding, execution monitoring, and counteraction

Номер патента: WO2009134743A1. Автор: Paul Bradley. Владелец: Dafca, Inc.. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: WO2012118586A1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Discrete-time convolution cycle reduction with programmable digital signal processor

Номер патента: US20040064494A1. Автор: Steven Jahnke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Exception generation when generating a result value with programmable bit significance

Номер патента: US09703529B2. Автор: Christopher Neal Hinds,David Raymond Lutz,Neil Burgess. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Microcomputer with programmable ROM

Номер патента: US5628022A. Автор: Kenichi Ono,Masahiro Ueno,Toshitaka Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-05-06.

ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines

Номер патента: US20050114587A1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

Reallocating memory with a garbage collector in response to memory module overheating

Номер патента: GB2494490A. Автор: Cary Bates,Justin King,Nicholas Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Memory with selective intervention error checking and correcting device

Номер патента: US4249253A. Автор: Alessandro Scotti,Claudio Gentili,Calogero Mantellina. Владелец: Honeywell Information Systems Italia SpA. Дата публикации: 1981-02-03.

Nonvolatile semiconductor memory with fast data programming and erasing function using ECC

Номер патента: US6002612A. Автор: Masanori Noda,Kenshiro Arase,Toshinobu Sugiyama,Ihachi Naiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method and apparatus for concurrently accessing multiple memories with different timing requirements

Номер патента: US5625796A. Автор: John M. Kaczmarczyk,Dale R. Buchholz,Jeffrey A. Slawecki. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-04-29.

Shared scratchpad memory with parallel load-store

Номер патента: US11922292B2. Автор: Norman Paul Jouppi,Andrew Everett Phelps,Thomas Norrie,Matthew Leever Hedlund. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory with selectively writable error correction codes and validity bits

Номер патента: US20120151298A1. Автор: James W. Nicholes. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2012-06-14.

Shared scratchpad memory with parallel load-store

Номер патента: US20240160909A1. Автор: Norman Paul Jouppi,Andrew Everett Phelps,Thomas Norrie,Matthew Leever Hedlund. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory with selectively writable error correction codes and validity bits

Номер патента: WO2012082465A2. Автор: James W. Nicholes. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Simulating multiported memories using memories with lower port count

Номер патента: WO2006017135A3. Автор: John Erik Lindholm,John R Nickolls,Samuel Liu,Ming Y Siu,Simon S Moy. Владелец: Simon S Moy. Дата публикации: 2006-10-05.

Method and apparatus for emulating rewritable memory with non-rewritable memory in an mcu

Номер патента: US20080244151A1. Автор: Ka Y. Leung. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Multi-Level System Memory With Near Memory Scrubbing Based On Predicted Far Memory Idle Time

Номер патента: US20170371795A1. Автор: Zhe Wang,Zeshan A. Chishti,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

A system and method for handling overflow in hardware transactional memory with locks

Номер патента: WO2009087167A1. Автор: Luis Henrique Ceze,Christoph von Praun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory with selectively writable error correction codes and validity bits

Номер патента: US9081698B2. Автор: James W. Nicholes. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-07-14.

Cache memory with write through, no allocate mode

Номер патента: WO2014004269A3. Автор: Lucian Codrescu,Manojkumar Pyla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Simulating multiported memories using memories with lower port count

Номер патента: WO2006017135A2. Автор: John R. Nickolls,John Erik Lindholm,Ming Y. Siu,Simon S. Moy,Samuel Liu. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-16.

Magnetoresistive Head Preamplifier Circuit with Programmable Impedance

Номер патента: US20070211364A1. Автор: Douglas W. Dean. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Magnetoresistive head preamplifier circuit with programmable input impedance

Номер патента: EP1997105A2. Автор: Douglas W. Dean. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Magnetoresistive head preamplifier circuit with programmable input impedance

Номер патента: WO2007104050A2. Автор: Douglas W. Dean. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Computer memory with improved performance through single-bit logic

Номер патента: US20190333637A1. Автор: James Victor Watson. Владелец: ONICS INC. Дата публикации: 2019-10-31.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Staggering alarm device and staggering alarm control method

Номер патента: US12067879B2. Автор: Naoki Takahashi,Yuka Kusakari. Владелец: Isuzu Motors Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Staggering alarm device and staggering alarm control method

Номер патента: US20230083967A1. Автор: Naoki Takahashi,Yuka Kusakari. Владелец: Isuzu Motors Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Programmable load board with programmable simulation of thermal dissipation characteristics

Номер патента: US5311448A. Автор: Mark H. Waggoner,Mark L. Hammons. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Receiver with programmable gain for uwb radar

Номер патента: WO2015084547A1. Автор: Bin Sai. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Receiver with programmable gain for uwb radar

Номер патента: EP3077842A1. Автор: Bin Sai. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-12.

Medical visualisation device with programmable buttons

Номер патента: US20240277220A1. Автор: Line Sandahl Ubbesen,Morten Grønning NIELSEN. Владелец: Ambu AS. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile current mirror circuit with programmable transistor

Номер патента: US20240241534A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High resolution variable range gate generator with programmable timing

Номер патента: US5148175A. Автор: Thomas M. Woolfolk. Владелец: Sperry Marine Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Programmable logic controller with programmable high-speed digital processing

Номер патента: CA2476319C. Автор: Paul R. Buda. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Medical visualisation device with programmable buttons

Номер патента: EP4355191A1. Автор: Line Sandahl Ubbesen,Morten Grønning NIELSEN. Владелец: Ambu AS. Дата публикации: 2024-04-24.

Pll with programmable jitter

Номер патента: WO2007065106A3. Автор: Phillip Johnson,Glen Offord. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Sewing machine with programmable memory

Номер патента: US4092938A. Автор: John Addison Herr,Donald Jay Coughenour. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1978-06-06.

Semiconductor memory with U-shaped channel

Номер патента: US09741727B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional multilayer memory with interconnection of low-resistance silicides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349496A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive memory with small electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021539A1. Автор: Jun Mao,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yinglong Huang,Shenghu Tan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional dynamic random access memory with an ancillary electrode structure

Номер патента: US8357964B1. Автор: Chih-Yuan Chen,Chih-Wei Hsiung,Meng-Hsien Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Multiple electrical connector and staggered mounting block

Номер патента: CA1206551A. Автор: Karl-Heinz Pohl. Владелец: Siemon Co. Дата публикации: 1986-06-24.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Process for fabricating read only memories, with programming step performed midway through the fabrication process

Номер патента: US5736420A. Автор: Heikyung Chun Min,Jeffrey Kent Whitney. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Methods for configuring light fixtures with programmable drivers

Номер патента: US20210404641A1. Автор: Theodore R. Blumstein,Patrick M. Tweel,Benjamin M. Suttles,Nicholas A. Ratliff,Elías Aurelio Romero Saldívar. Владелец: ABL IP HOLDING LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods and apparatus for adaptation of continuous time-decision feedback equalizers with programmable adaptation patterns

Номер патента: US20120027073A1. Автор: Lane A. Smith,Vladimir Sindalovsky,Christoher J. Abel,Philip N. Jenkins,Brett D. Hardy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

System for printing with programmable spatial light modulator and method

Номер патента: WO2001017232A1. Автор: Bruce K. Johnson,George D. Whiteside,Joseph F. Deck,Philip D. Chapnick. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 2001-03-08.

Direct current-to-direct current (dc-dc) converter with programmable compensation

Номер патента: EP4443728A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,Nadim Khlat,George Maxim,Christopher T. Brown,David Edward Reed. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Digital time base corrector using a memory with reduced memory capacity

Номер патента: US5559812A. Автор: Masahiro Nakajima,Hitoshi Otaki. Владелец: Pioneer Video Corp. Дата публикации: 1996-09-24.

Synchronization of digital memory with TV signal having interlace

Номер патента: US4281345A. Автор: Stefan Wärn. Владелец: Globe Computers AB. Дата публикации: 1981-07-28.

Direct current-to-direct current (dc-dc) converter with programmable compensation

Номер патента: US20240339928A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,Nadim Khlat,George Maxim,Christopher T. Brown,David Edward Reed. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Tunable digital filter with programmable structure

Номер патента: RU2631976C2. Автор: Виктор Дмитриевич Белоногов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2017-09-29.

Pulse generation circuit and stagger pulse generation circuit

Номер патента: US11817862B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Image recording/reproducing apparatus having a memory with a variably--set threshold

Номер патента: US6061494A. Автор: Takayuki Kikuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

High-throughput and highly multiplexed imaging with programmable nucleic acid probes

Номер патента: RU2662969C2. Автор: Си Чэнь,Пэн ИНЬ,Сарит АГАСТИ,Ральф ЮНГМАНН. Владелец: Президент Энд Феллоуз Оф Гарвард Колледж. Дата публикации: 2018-07-31.

Reusable shock damping module with programmable power capacity

Номер патента: RU2712359C1. Автор: Владимир Александрович Тихомиров. Владелец: Владимир Александрович Тихомиров. Дата публикации: 2020-01-28.

Demand pacer with programmable rate hysteresis

Номер патента: CA1098588A. Автор: Dennis Digby,John W. Keller, Jr.. Владелец: STIMTECH Inc. Дата публикации: 1981-03-31.

Pwm controller with programmable switching frequency for psr/ssr flyback converter

Номер патента: US20180034378A1. Автор: Ching-Yuan Lin,Shu-Chia Lin,Chih Feng Lin,Wen-Yueh Hsieh. Владелец: Inno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Balanced hinge device with programmable brake

Номер патента: EP2850267A1. Автор: Eros Gherardi. Владелец: CMI Cerniere Meccaniche Industriali SRL. Дата публикации: 2015-03-25.

Systems and methods for modifying and enhancing pyrotechnic emissions and effects by irradiating pyrotechnic emissions using electromagnetic radiation sources with programmable electromagnetic radiation profiles

Номер патента: US20180299236A1. Автор: Eric J. Miklaszewski,Jonathan M. Dilger,Travis R. Siplpel,James B. Michael. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-10-18.

A circuit structure of the feedforward type with programmable zeroes, particularly for synthesizing time-continual filters

Номер патента: EP1146639A3. Автор: Marco Cazzaniga,Rinaldo Castello,Salvatore Portaluri,Valerio Pisati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-16.

Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters

Номер патента: US09887719B2. Автор: Raja Pullela,Wenjian Chen,Vamsi Paidi. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters

Номер патента: US09312821B2. Автор: Raja Pullela,Wenjian Chen,Vamsi Paidi. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor integrated circuit device including input circuitry to permit operation of a Bi-CMOS memory with ECL level input signals

Номер патента: US5457412A. Автор: Masanori Odaka,Kayoko Saito,Toshiro Hiramoto,Nobuo Tamba,Masayuki Ohayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-10.

Method to manufacture nonvolatile memories with a trench-pillar cell structure for high capacitive coupling ratio

Номер патента: US6083793A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Flow process for producing non-volatile memories with differentiated removal of the sacrificial oxide

Номер патента: US6362053B1. Автор: Leonardo Ravazzi,Carlo Severgnini,Piero Pansana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-03-26.

Interactive television terminal with programmable audio or video

Номер патента: CA2014796A1. Автор: Lee R. Johnson,Elizabeth A. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-20.

Headset With Programmable Microphone Modes

Номер патента: US20240007071A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Headset with programmable microphone modes

Номер патента: US11777464B2. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for wirelessly powered sources with programmable amplitude and spectrum spreading using pulse width modulation

Номер патента: WO2024054854A3. Автор: Aydin Babakhani. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-05-02.

Floating gate driver with programmable drive strength for a wide range of universal serial bus (usb) power delivery applications

Номер патента: US20230299676A1. Автор: Pulkit Shah,Hariom Rai,Arun Khamesra,Partha Mondal,Hemant P. Vispute,Tudu Rushika Banam BALIA. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Diode device with programmable conducting current and array preparation method thereof

Номер патента: US20240032446A1. Автор: XIANG DING,Yi Zhao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-01-25.

Transconductor circuits with programmable tradeoff between bandwidth and flicker noise

Номер патента: EP3930186A1. Автор: Antonio Montalvo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-29.

Systems and methods for wirelessly powered sources with programmable amplitude and spectrum spreading using pulse width modulation

Номер патента: WO2024054854A2. Автор: Aydin Babakhani. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-14.

Transconductor circuits with programmable tradeoff between bandwidth and flicker noise

Номер патента: US20210409002A1. Автор: Antonio Montalvo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Composition and method for immunisation, method of producing unnatural, ordered and repeating massive of antigens

Номер патента: RU2438701C2. Автор: Мартин БАХМАНН,Ален ТИССО,Патрик МАУРЕР,Вольфганг А. РЕННЕР,Франциска ЛЕХНЕР,Петер ЗЕББЕЛЬ,Кристине ПИОССЕК. Владелец: Цитос Байотекнолоджи Аг. Дата публикации: 2012-01-10.

Method and apparatus for sequentially arranging items discharged in random order and discharging same again

Номер патента: US20240217742A1. Автор: Ho Yon KIM. Владелец: Gachisoft Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for orders and troubles metric attribution identification and aggregation

Номер патента: US20090196412A1. Автор: Douglas B. Finch,Brad R. Sayre,George J. Gerritz. Владелец: Embarq Holdings Co LLC. Дата публикации: 2009-08-06.

Dynamic modulation and coding scheme table switching to support addition of higher modulation orders and new constellation types

Номер патента: US20240235719A9. Автор: Michael Levitsky,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Compositions and methods for ordered and continuous complementary DNA (cDNA) synthesis across non-continuous templates

Номер патента: US12054705B2. Автор: Kathleen Collins,Heather E. UPTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-06.

Compositions and methods for ordered and continuous complementary DNA (cDNA) synthesis across non-continuous templates

Номер патента: US20240344051A1. Автор: Kathleen Collins,Heather E. UPTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-17.

Compositions and methods for ordered and continuous complementary DNA (cDNA) synthesis across non-continuous templates

Номер патента: US20240344050A1. Автор: Kathleen Collins,Heather E. UPTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-17.

Composition and immunization method, methods for producing non-natural, ordered and repeated antigen massive and coat protein

Номер патента: RU2295973C2. Автор: Мартин БАХМАНН,Ален ТИССО,Патрик МАУРЕР,Вольфганг А. РЕННЕР,Франциска ЛЕХНЕР,Петер ЗЕББЕЛЬ,Кристине ПИОССЕК. Владелец: Цитос Байотекнолоджи Аг. Дата публикации: 2007-03-27.

A telecommunication system and a method for fulfillment of repetitive orders and detection of telecommunication pirates

Номер патента: WO2011132091A1. Автор: Arunas Babrauskas,Tomas Jancys. Владелец: Mediafon, Uab. Дата публикации: 2011-10-27.

Combination conventional telephony and high-bit-rate digital channel transmission system comprising high pass filters which comprise both first order and second order high pass filters

Номер патента: US5982785A. Автор: Dirk Schmuecking,Achim Woerner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-09.

Variable order and period solid state image pickup device

Номер патента: US4764813A. Автор: Ryuji Kondo,Jin Murayama,Yoshimitsu Kudoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-16.

Compositions and methods for ordered and continuous complementary dna (cdna) synthesis across non-continuous templates

Номер патента: EP4190897A1. Автор: Kathleen Collins,Heather E. UPTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-07.

Dynamic modulation and coding scheme table switching to support addition of higher modulation orders and new constellation types

Номер патента: US20240137145A1. Автор: Michael Levitsky,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Daniel PAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Dynamic modulation and coding scheme table switching to support addition of higher modulation orders and new constellation types

Номер патента: WO2024091748A1. Автор: Michael Levitsky,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Daniel PAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-02.

Flexible macroblock ordering and arbitrary slice ordering apparatus, system, and method

Номер патента: US20120134418A1. Автор: Yi-Jen Chiu,Prasenjit Biswas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-31.

Flexible macroblock ordering and arbitrary slice ordering apparatus, system, and method

Номер патента: US8644392B2. Автор: Yi-Jen Chiu,Prasenjit Biswas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR ORDERED AND CONTINUOUS COMPLEMENTARY DNA (cDNA) SYNTHESIS ACROSS NON-CONTINUOUS TEMPLATES

Номер патента: WO2020033777A2. Автор: Kathleen Collins,Heather E. UPTON. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for putting in order and packaging sachets

Номер патента: EP3953256A1. Автор: Pietro Donati. Владелец: Universal Pack SRL. Дата публикации: 2022-02-16.

Apparatus and method for putting in order and packaging sachets

Номер патента: WO2020208665A1. Автор: Pietro Donati. Владелец: Universal Pack S.R.L.. Дата публикации: 2020-10-15.

Efficient process for 3D NAND memory with socketed floating gate cells

Номер патента: US09431411B1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

3d memory with conductive dielectric channel integrated with logic access transistors

Номер патента: US20230200065A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

3D memory with conductive dielectric channel integrated with logic access transistors

Номер патента: US12133387B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Multichannel memory with serdes

Номер патента: US20240298454A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Multichannel memory with serdes

Номер патента: WO2024182545A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Embedded memory with enhanced channel stop implants

Номер патента: US09853034B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Bundled memory and manufacture method for a bundled memory with an external input/output bus

Номер патента: US09589931B2. Автор: Chun Shiah,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Resistive memory with varying dopant concentration in select transistor channel

Номер патента: US09997570B2. Автор: Tomonori KUROSAWA,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

High-K-last manufacturing process for embedded memory with metal-oxide-nitride-oxide-silicon (MONOS) memory cells

Номер патента: US09754955B2. Автор: Wei Cheng Wu,I-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Programmable gain amplifier with programmable resistance

Номер патента: EP4010979A1. Автор: Anand Subramanian,Anand Kannan,Tanmay HALDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Programmable gain amplifier with programmable resistance

Номер патента: WO2021026052A1. Автор: Anand Subramanian,Anand Kannan,Tanmay HALDER. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-02-11.

Seat Track Memory with Sled Lock

Номер патента: US20150291061A1. Автор: Michael Wojatzki,Hans-Peter Mischer,Sandmann Joern,Sandra Frese. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Programmable logic device with programmable inverters at input/output pads

Номер патента: WO1991013495A1. Автор: Cecil H. Kaplinsky. Владелец: Plus Logic, Inc.. Дата публикации: 1991-09-05.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Arithmetic memory with horizontal binning capabilities for imaging systems

Номер патента: US09749555B2. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Seat track memory with sled lock

Номер патента: US09393881B2. Автор: Michael Wojatzki,Hans-Peter Mischer,Sandmann Joern,Sandra Frese. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Three-dimensional memory with super-pillar

Номер патента: US20230276621A1. Автор: NAN Wu,Chih Ting LIN,Xiangqin Zou,Ngoc Quynh Hoa LE. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with single-crystalline bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381481A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

IC memory with divisional memory portions

Номер патента: US5708797A. Автор: Yuji Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-13.

Memory cell configuration for a DRAM memory with a contact bit terminal for two trench capacitors of different rows

Номер патента: US20040062124A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Multifilament resistive memory with insulation layers

Номер патента: US20240090350A1. Автор: Takashi Ando,John Rozen,Eduard Albert Cartier,Paul Michael Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Rf reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20100159867A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

High density memory with stacked nanosheet transistors

Номер патента: US20230309324A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Junli Wang,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods involving silicon-on-insulator trench memory with implanted plate

Номер патента: US7550359B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

RF reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20080182540A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Flash memory with nanocrystalline silicon film floating gate

Номер патента: US20020014655A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: WO2023036718A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Resistive switching memory with replacement metal electrode

Номер патента: US20200263620A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor memory with vertical memory transistors in a cell array arrangement with 1-2F2 cells

Номер патента: TWI239638B. Автор: Franz Hofmann,Thomas Schulz,Michael Specht,Erhard Landgraf,R Johannes Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-11.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: EP4399953A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated semiconductor memory with a selection transistor formed at a web

Номер патента: US20040136227A1. Автор: Gerhard Enders,Andreas Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Implantable drug delivery device with programmable rate capacitor charge control

Номер патента: EP2155292A1. Автор: Christian Peclat,Scott A. Sarkinen,James M. Haase,Ronald L. Mezera. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2010-02-24.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09972774B2. Автор: Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic memory with high thermal budget

Номер патента: US09842989B2. Автор: Kah Wee Gan,Taiebeh Tahmasebi,Chim Seng Seet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Resistive random access memory with high uniformity and low power consumption and method for fabricating the same

Номер патента: US09525133B2. Автор: QIANG LI,Ming Li,Yimao Cai,Ru Huang,Zhenxing Zhang,Muxi Yu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-20.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09520404B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Interposer with programmable matrix for realizing configurable vertical semiconductor package arrangements

Номер патента: US09490199B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Wan Yee Ng,Kong Sin Chong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and apparatus for use of associated memory with large key spaces

Номер патента: US5860136A. Автор: Peter R. Fenner. Владелец: Fenner; Peter R.. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor memory with insulation film embedded in groove formed on substrate

Номер патента: US5561311A. Автор: Katsuhiko Hieda,Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Programmable logic device with array blocks with programmable clocking

Номер патента: US4912342A. Автор: Sau-Ching Wong,Robert F. Hartmann,Hock-Chuen So,Stanley J. Kopec, Jr.. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1990-03-27.

Process integration flow for embedded memory with multi-pocket masks for decoupling processing of memory areas from non-memory areas

Номер патента: US11792998B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Sets of idle rollers in circumferential and staggered arrangement and including idle rollers spaced apart from each other to transport substrate

Номер патента: US20130286082A1. Автор: Roger TERRADELLAS CALLAU,Daniel GUTIERREZ GARCIA,Raimon CASTELLS DE MONET. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-10-31.

Process for fabricating a flash memory with dual function control lines

Номер патента: US6001689A. Автор: Michael A. Van Buskirk,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Overlapped and staggered antenna arrays

Номер патента: EP2754205A1. Автор: Itsik REFAELI,Ra'anan Sover. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-16.

Vertical floating gate memory with variable channel doping profile

Номер патента: US09780100B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Low power driver with programmable output impedance

Номер патента: US09490805B2. Автор: John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Contact for vertical memory with dopant diffusion stopper and associated fabrication method

Номер патента: US9406690B2. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Embedded memory with improved fill-in window

Номер патента: US11943921B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: WO2023121705A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Flyback power converter with programmable output and control circuit and control method thereof

Номер патента: US9614449B2. Автор: Tzu-Chen Lin,Chien-Fu Tang,Kuang-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory with efficient signal routing

Номер патента: US11973044B2. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Embedded memory with encapsulation layer adjacent to a memory stack

Номер патента: US11785782B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Flyback power converter with programmable output and control circuit and control method thereof

Номер патента: US20170163162A1. Автор: Tzu-Chen Lin,Chien-Fu Tang,Kuang-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-06-08.

End of arm tool with programmable pitch

Номер патента: US20220184819A1. Автор: Greggory Bartoo,Scott H. Baube. Владелец: Intunes Products LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Implantable cardioverter defibrillator with programmable capacitor charging level

Номер патента: WO2006122198A2. Автор: William J. Linder,Kenneth Hayes,Nick A. Youker. Владелец: Cardiac Pacemakers, Inc.. Дата публикации: 2006-11-16.

Data rate and pvt adaptation with programmable bias control in a serdes receiver

Номер патента: US20160142233A1. Автор: Weiwei Mao,Mohammad S. Mobin,Brett D. Hardy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Isolated power supply circuit with programmable function and control method thereof

Номер патента: US09627984B2. Автор: Tzu-Chen Lin,Kuang-Fu Chang,Chih-Wei Chi. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Communication device with programmable function button and method of operation

Номер патента: US5894276A. Автор: Wilker Altidor,Hugue Leger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Mask-programmable logic device with programmable input/output ports

Номер патента: US7304496B2. Автор: Hee Kong Phoon,Kian Chin Yap. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

3D memory with graphite conductive strips

Номер патента: US11839080B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for fabricating semiconductor device with programmable unit

Номер патента: US20220173047A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

NAND flash memory with selection transistor having two-layer inter-layer insulation film

Номер патента: US8154069B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for fabricating semiconductor device with programmable unit

Номер патента: US11916019B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

RF reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US7835717B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Resistive random access memory with deuterium

Номер патента: US20190036020A1. Автор: Uday Shah,Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Pulkit JAIN,Aravind S. Killampalli,Jay P. Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory with memory cells comprising a vertical selection transistor, and method for fabricating it

Номер патента: TW556341B. Автор: Dirk Schumann,Harald Seidl,Martin Gutsche,Bernd Goebel,Joern Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-01.

Mask-programmable read only memory with electrically isolated cells

Номер патента: US20220384463A1. Автор: Mingyu LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory with extended charge trapping layer

Номер патента: EP2659511A2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-06.

Rf reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20110014888A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Magneto-resistive random access memory with tapered sidewalls

Номер патента: US20230403944A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Oscar van der Strate. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device of formulation on various optimisation criteria of economically best feed ration and making economically best feed mixture with programmable growth of animals and poultry taking into account functions of their loss of productivity

Номер патента: RU2553241C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-10.

Device of formulation on various optimisation criteria of close to economically best feed ration and making close to economically best feed mixture with programmable growth of animals and poultry taking into account functions of losing their productivity

Номер патента: RU2552966C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-10.

Device of formulation on different optimisation criteria of close to economically best feed ration and making close to economically best feed mixture with programmable growth of animals and poultry in presence of information on consumption of feed mixture by them and on their live weight

Номер патента: RU2553878C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-20.

Sports robot-simulator with programme control in pneumatic actuators

Номер патента: RU2522093C1. Автор: Евгений Борисович Соловьев. Владелец: Евгений Борисович Соловьев. Дата публикации: 2014-07-10.

Device of formulation on various optimisation criteria of economically best feed ration and making economically best feed mixture with programmable growth of animals and poultry and in presence of information on consumption of feed mixture by them taking into account their function of loss of productivity

Номер патента: RU2553386C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-10.

Device of formulation on various optimisation criteria of close to economically best feed ration and making close to economically best feed mixture with programmable growth of animals and poultry

Номер патента: RU2552827C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-10.

System of orders and sales of goods and services (versions), method for offering for sale and ordering, method for sales of goods and services

Номер патента: RU2393541C2. Автор: Валерий Иванович Стародубцев. Владелец: Валерий Иванович Стародубцев. Дата публикации: 2010-06-27.

Memory with programmable refresh order and stagger time

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты