Method of fabricating semiconductor device including process monitoring pattern having overlapping input/output pad array area
Номер патента: US20130273726A1
Опубликовано: 17-10-2013
Автор(ы): Dong-Hyun Han
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-10-2013
Автор(ы): Dong-Hyun Han
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating semiconductor device including process monitoring pattern having overlapping input/output pad array area
Номер патента: US8673659B2. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-18.