• Главная
  • Method of fabricating semiconductor device including process monitoring pattern having overlapping input/output pad array area

Method of fabricating semiconductor device including process monitoring pattern having overlapping input/output pad array area

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device including process monitoring pattern having overlapping input/output pad array area

Номер патента: US8445907B2. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Interconnection structure having increased conductive features and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375750A1. Автор: CHEN Chu,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11823999B2. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210028105A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190386023A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161219A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device with multi-layer interconnection

Номер патента: US6555887B1. Автор: Masayoshi Shirahata,Takeshi Kitani,Takeru Matsuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of fabricating wire of semiconductor device

Номер патента: KR0157876B1. Автор: 김동원,이원준,라사균,박종욱,천성순,이영종. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of fabrication metal in semiconductor device

Номер патента: KR0137565B1. Автор: 김헌도. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-01.

A method of fabricating interconnect of semiconductor device

Номер патента: KR100268424B1. Автор: 김기남,구본재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method of fabricating wires for semiconductor devices

Номер патента: KR100319614B1. Автор: 권태석. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-01-05.

Method of fabricating a power semiconductor device

Номер патента: US10483359B2. Автор: Ljubo Radic,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit devices including updiffusion to selectively dope a silicon layer

Номер патента: US5017507A. Автор: Hideyuki Miyazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: US5326717A. Автор: Osamu Oda,Toyoaki Imaizumi,Hironobu Sawatari. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of fabricating an rf semiconductor device with an enclosed cavity

Номер патента: EP4290562A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of fabricating resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US6653218B2. Автор: Yasushi Shiraishi,Harufumi Kobayashi,Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176358A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190206816A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200343204A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180211962A1. Автор: Won Chul Lee,Ye Ram KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230328956A1. Автор: Hyo-Seok Kim,Youngsin KIM,Hojoong Kim,Jihye Son,Bongsik Choi,Taewoong Koo,Taeha Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of fabricating copper-based semiconductor devices using a sacrificial dielectric layer

Номер патента: US6355555B1. Автор: Stephen Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-03-12.

Method of fabricating copper-based semiconductor devices using a sacrificial dielectric layer

Номер патента: US20020155694A1. Автор: Stephen Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of fabricating a DRAM semiconductor device

Номер патента: US20030027395A1. Автор: Byung-Jun Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of fabricating interconnector in semiconductor device

Номер патента: KR100216271B1. Автор: 윤창준. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210265462A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09397114B2. Автор: Kwangmin Park,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150008508A1. Автор: Min Sung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Three-dimensional nonvolatile memory devices including interposed floating gates

Номер патента: US09337351B2. Автор: Kihyun Kim,Jinho Kim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Photovoltaic cell device and manufacturing method of template thereof

Номер патента: US20210313180A1. Автор: Sheng-Hui Chen,Bo-Huei Liao,Shao-Ze Tseng. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024092689A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3034970A. Автор: George L Schnable,John G Javes. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1962-05-15.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3102084A. Автор: Thomas J Manns. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-08-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20180090512A1. Автор: Yoon Boun,JANG Ki Hoon,KWON Byoungho,Kim Ki-Woong,Kim Hyo-Jung,Seo Kieun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Method of Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170330942A1. Автор: Henson Timothy D.,Radic Ljubo,Kelkar Kapil. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180330948A1. Автор: JANG Daehyun,KWON Yong-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

METHODS OF FABRICATING HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190378721A1. Автор: Park Soon Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Methods of fabricating high voltage semiconductor devices

Номер патента: TW202001990A. Автор: 朴淳烈. Владелец: 南韓商Sk海力士系統集成電路有限公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Integrated input/output pad and analog multiplexer architecture

Номер патента: US20220188499A1. Автор: Wenzhong Zhang,Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09691737B2. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Image sensor, method of manufacturing the image sensor, and electronic device including the image sensor

Номер патента: US09723188B2. Автор: Won-Jun Lee,Kyoung-In Lee,Cha-Young LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same

Номер патента: US12087807B2. Автор: Jun Mo IM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20120108000A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same

Номер патента: US11824064B2. Автор: Jun Hong Park,Tae Gyun Kim,Eui Suk JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same

Номер патента: US20230315376A1. Автор: Dong Sung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same

Номер патента: US11989481B2. Автор: Dong Sung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ONE OR MORE NANOSTRUCTURES

Номер патента: US20190198614A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Coquand Remi,Reboh Shay. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ONE OR MORE NANOSTRUCTURES

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Coquand Remi,Reboh Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Depletion mode semiconductor device with trench gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US8680609B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Depletion mode trench semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120139037A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20150041892A1. Автор: Francois Hebert,Youngbae Kim,I-Shan Sun,Kwangil Kim,Youngju Kim,Intaek OH,Jinwoo MOON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Lead frame, method of manufacturing the same, and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: TW200405488A. Автор: Tetsuichiro Kasahara,Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory device and semiconductor device comprising electrostatic discharge protection element

Номер патента: US12087702B2. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240038681A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US9461002B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US09865611B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140363974A1. Автор: Duk Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9087791B2. Автор: Duk Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

반도체장치의 캐패시터의 제조방법(Method of fabricating capacitor of semiconductor device)

Номер патента: KR970024154A. Автор: 박동철,김봉현,오영선,황두현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of preparing active silicon regions for cmos or other devices

Номер патента: US20090170279A1. Автор: Willy Rachmady,Peter L. D. Chang,Seiyon Kim,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

MIS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5891766A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US12060510B2. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20230272277A1. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Mis semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5523257A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhika Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Quantum dots and devices including the same

Номер патента: US20240254388A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Yuho WON,Jeong Hee Lee,Jin A Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices

Номер патента: US5360509A. Автор: Joseph Y. Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,John Latza,Lawrence Laterza. Владелец: GI Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190252366A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230369502A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Cheng-Yen Wen,Shao-Yang Ma,Chil-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US20140246716A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US20160020218A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US9147691B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of fabricating slash type semiconductor memory device including plugs formed by selective epitaxial growth

Номер патента: KR100326248B1. Автор: 한대희,홍희일. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method of manufacturing semiconductor device, and method of forming resist pattern

Номер патента: US8257909B2. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takechi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11315944B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11729981B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395372A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402568A1. Автор: Min Ji JO,Duk Kyu Bae. Владелец: HEXASOLUTION Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120403A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Method of fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR0150105B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of fabrication of stacked semiconductor devices

Номер патента: US6989285B2. Автор: Michael B. Ball. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-24.

Method of fabricating a complementary semiconductor device having a strained channel p-transistor

Номер патента: US7407860B2. Автор: Young Suk Kim,Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-05.

Method of fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: US7910437B1. Автор: Min-Su Ahn,Seong-Hak Baek. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100275947B1. Автор: 최병재,서수진. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of fabricating thin film semiconductor device

Номер патента: JPS55121645A. Автор: Hiroshi Uda,Toshio Yamashita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-18.

Method of fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: CN102074481A. Автор: 白成鹤,安敏秀. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Method of fabricating salicide structure semiconductor device

Номер патента: KR100215528B1. Автор: 히라꾸 이시까와. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-08-16.

Method of fabricating pattern in semiconductor device using spacer

Номер патента: US7803709B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Method of fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: CN102074481B. Автор: 白成鹤,安敏秀. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES (as amended)

Номер патента: US20140027824A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jung-Ho Yoo,Keum-seok Park,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Apparatus for protection against electrostatic discharge and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220231501A1. Автор: Chun Geik Tan. Владелец: Hangzhou Geo Chip Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US09502605B2. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of and apparatus for fabricating organic electroluminescence display device

Номер патента: US9087990B2. Автор: Kazunori Morimoto. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210280717A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230352587A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Organic light-emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818965B2. Автор: Changhee Lee,Yongtaek Hong,Hyunkoo Lee,Hyunduck CHO,Jeongkyun Roh. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating semiconductor devices having alloyed junctions

Номер патента: US3671339A. Автор: Hideo Tateno,Kuniharu Nemoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-06-20.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US10586861B2. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240038751A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11784178B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Non-volatile memory device, method of manufacturing the same, and memory system including the same

Номер патента: US20230117267A1. Автор: Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Formation of stacked nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20190393091A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor memory device, method of testing the same and test system

Номер патента: US20220076778A1. Автор: Youngdon CHOI,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12148746B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Jam-Wem Lee,Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Methods of fabricating and contacting ultra-small semiconductor devices

Номер патента: US5956568A. Автор: Sung P. Pack,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US11856772B2. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

LED array module and method of packaging the same

Номер патента: US20090140268A1. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Universal Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device

Номер патента: US09966515B2. Автор: Atsushi Bando,Ryoji NAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

High stack 3D memory and method of making

Номер патента: US09666590B2. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US7012657B2. Автор: Masami Yamashita,Keiko Yamada,Takasuke Hayase,Shinichi Nakata,Akitoshi Maeda. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

High power light emitting device and method of making the same

Номер патента: US09997669B2. Автор: Motonobu Takeya,Chung Hoon Lee,Michael Lim,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Flexible display device and method of controlling the same

Номер патента: US09570042B2. Автор: Tae-eun Kim,Woo-Suk Jung,Soon-Ryong Park,Chul-Woo Jeong,Jung-Ho So. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device contacts

Номер патента: US20120045868A1. Автор: Fabrice Dierre,Mohamed Ayoub. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device contacts

Номер патента: WO2010133869A1. Автор: Mohamed Ayoub,Fabrice Diere. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2010-11-25.

Organic electroluminescence device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200098993A1. Автор: Minkyung KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Imaging device with reduced color mixing and method of manufacturing the same

Номер патента: US9380277B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of manufacturing a solid-state image-sensing device, and solid-state image-sensing device

Номер патента: US20060263942A1. Автор: Hirochika Narita,Ryuya Kuroda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Electroluminescent display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180190739A1. Автор: Jihoon Lee,SeungHan Paek,Jeongwon Lee,Jonghoon YEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Analog front end (afe) device for light-receiving sensor and method of controlling the same

Номер патента: US20240276123A1. Автор: Jun Hee Cho,Hyeong Seok SEO. Владелец: Solidvue Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Composite diode, electronic device, and methods of making the same

Номер патента: US09972798B2. Автор: Ge Jiang,Dipankar Ghosh,Rui Yang. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Positioning method of photoelectric conversion device, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09553214B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hideyuki Kataoka,Mitsutaka Ide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region

Номер патента: US5612228A. Автор: Chan-Long Shieh,Donald E. Ackley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US11482670B2. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Electroluminescent device and method of fabricating same

Номер патента: US20210126062A1. Автор: Na Ai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the device

Номер патента: US20230369489A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Photo sensing device and method of fabricating the photo sensing device

Номер патента: US20230378384A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US20210104669A1. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device

Номер патента: US9196854B2. Автор: Yasuhiko Takamatsu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978921B2. Автор: Jae Joon Yoon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831409B2. Автор: Jae Joon Yoon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Weighting device, neural network, and operating method of the weighting device

Номер патента: US09767407B2. Автор: Seongho CHO,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240379917A1. Автор: Dae Hyun Kim,Je Won YOO,Bek Hyun LIM,Hyun Min Cho,Keun Kyu SONG,Sung Chan Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461223B2. Автор: Jae Joon Yoon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Fingerprint sensor, method of fabricating the same, and display device including the same

Номер патента: US11741740B2. Автор: Ji Hye Kim,Jae Ik Lim,Byung Han Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Electrostatic discharge protective circuit for semiconductor device

Номер патента: US6084272A. Автор: Hyuck-Chai Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

P-type semiconductor devices

Номер патента: WO2010119244A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

P-type semiconductor devices

Номер патента: US20120025170A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230361190A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9548297B2. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

FINGERPRINT SENSOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210357613A1. Автор: KIM Ji Hye,YOO Byung Han,LIM Jae Ik. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

ASYMMETRIC FINFET IN MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200273863A1. Автор: ZHU Rongfu,LIN Dingyou. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

DISPLAY PANEL, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200388651A1. Автор: WOO Nam Jea. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Quantum rod layer, method of fabricating the same and display device including the same

Номер патента: US10795207B2. Автор: Hyun-Jin Park,Seung-Ryull Park,Han-Jin Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Quantum rod layer, method of fabricating the same and display device including the same

Номер патента: CN106405917A. Автор: 朴承烈,朴贤珍,安汉镇. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180145158A1. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US12009419B2. Автор: Yong Sin HAN,Myeong Bum PYUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU3497371A. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-05-03.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU454608B2. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1974-10-31.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150187791A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100431744B1. Автор: 조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Method of fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100209937B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method of fabricating a power semiconductor device with latch-up control structure

Номер патента: KR0173964B1. Автор: 김태훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: KR100674647B1. Автор: 신용욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods of Fabricating Normally-Off Semiconductor Devices

Номер патента: US20110263102A1. Автор: Sten Heikman,Yifeng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of fabricating mixed-mode semiconductor device having a capacitor and a gate

Номер патента: US6228703B1. Автор: Kuang-Yeh Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-08.

Method of fabricating capacitors in semiconductor devices

Номер патента: CA2259725A1. Автор: Luc Ouellet,Yves Tremblay. Владелец: Zarlink Semiconductor Inc.. Дата публикации: 1999-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123151A1. Автор: YUAN Li. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Mram, method of manufacturing the same, and electronic device including the mram

Номер патента: US20190157345A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Junjie Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor Device and Method of Formation

Номер патента: US20200058751A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190074357A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Ming-Chang Lu,Kuo-Chih Lai,Yi-Ting Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180190783A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-07-05.

Systems and leads with a radially segmented electrode array and methods of manufacture

Номер патента: US20130160287A1. Автор: Anne Margaret Pianca. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Separator, method of manufacturing the separator, and electrochemical device including the separator

Номер патента: EP4379883A1. Автор: Tae Wook Kwon,Heung Taek Bae. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: US10996269B2. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Pad unit having a test logic circuit and method of driving a system including the same

Номер патента: US20080133991A1. Автор: Jae-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Method fabricating semiconductor device using multiple polishing processes

Номер патента: US8168535B2. Автор: Joon-Sang Park,Suk-Hun Choi,Won-Jun Lee,Jun-Soo Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-01.

Source device and method of transmitting content

Номер патента: US09756385B1. Автор: Sung-Bo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of assigning identification codes to devices in a network

Номер патента: US20130089157A1. Автор: Kai Chi Chan,Man Yin Arthur Newton Chu. Владелец: Defond Components Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Integrated circuit and storage device including the same

Номер патента: US09748956B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Display device and method of compensating for degradation of display device

Номер патента: US20240233664A9. Автор: Seokha Hong,Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and method of compensating for degradation of display device

Номер патента: US12125451B2. Автор: Seokha Hong,Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Video display device and method of displaying video

Номер патента: US09462218B2. Автор: Eunhyung Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of adjusting frequency of resonation device and method of manufacturing resonation device

Номер патента: US09444466B2. Автор: Kensaku ISOHATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Display Device, A Front Frame Used Therein, and A Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110164362A1. Автор: Hsin-Tao Huang,Hsiu-Mei Fang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-07-07.

Display Device, A Front Frame Used Therein, and A Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110164395A1. Автор: Hsin-Tao Huang,Hsiu-Mei Fang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-07-07.

Display device, a front frame used therein, and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20080266771A1. Автор: Hsin-Tao Huang,Hsiu-Mei Fang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of setting button function for device and setting apparatus

Номер патента: US20210048977A1. Автор: Che-Ching Lien. Владелец: Tymphany Acoustic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Medical device and method of operating a medical device

Номер патента: US20230053885A1. Автор: Stefan Dietrich. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Transmission devices, receiving devices and methods of sharing data

Номер патента: US09661671B2. Автор: Chin-Ying Hsieh,Yanni HUANG,Kai-Wen Liu,Zhonge Wu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Organic electroluminescence device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP3627579A1. Автор: Minkyung KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Touch display device, method of driving the same, and timing controller

Номер патента: US12026338B2. Автор: Young Gi Kim,Jae Woo Jeon,Hae Won Lee,Woong Jin OH. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Toe-based network interface device, method of operating the same, and server device including the same

Номер патента: US20240236211A9. Автор: Jangwoo Kim,Junehyuk Boo. Владелец: Mangoboost Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Method of compensating for luminance of display device

Номер патента: US12073756B2. Автор: Seunghwan Park,Sungjae Park,Jinho Lee,Namjae Lim,Kyung-Sik Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Toe-based network interface device, method of operating the same, and server device including the same

Номер патента: US20240137429A1. Автор: Jangwoo Kim,Junehyuk Boo. Владелец: Mangoboost Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of operating nfc device and nfc device performing the same

Номер патента: EP4422231A1. Автор: Jaehun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of operating nfc device and nfc device performing the same

Номер патента: US20240291517A1. Автор: Jaehun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Device and method of sound interference avoidance

Номер патента: US09838530B1. Автор: Michael Robustelli,Dror Moshe. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Casing of electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09655261B2. Автор: Chien-Hung Lin,Cheng-Chieh Chuang,Chun-Lung Chu,Tim Chung-Ting Wu,Chi-Jen Lu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7816858B2. Автор: Hoon Kim,Beohm-Rock Choi,Kyong-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Multimedia device and play mode determination method of the same

Номер патента: US20120140119A1. Автор: Chun Wang,Tsui-Chin Chen,Jian-De Jiang,Hsiao-En CHANG. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-06-07.

Electronic device with flash function and driving method of flash

Номер патента: US12132997B2. Автор: Jo-Fan WU,Hui-Chi Chuang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of handling NFC device with non-fixed low power polling number and NFC device using the same

Номер патента: US09912567B2. Автор: Alan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Cover window, method of manufacturing the cover window, and display device including the cover window

Номер патента: US09832890B2. Автор: Myung An MIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Input buffer with automatic switching point adjustment circuitry, and synchronous DRAM device including same

Номер патента: US6960925B2. Автор: Branimir M. Zivanovic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

Active high voltage input/output pad protection circuitry and method

Номер патента: WO2004034585A2. Автор: Frederic Boutaud,Paul D. Krivacek,Sean M. Fitzpatrick. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-22.

Active high voltage input/output pad protection circuitry and method

Номер патента: WO2004034585A3. Автор: Frederic Boutaud,Paul D Krivacek,Sean M Fitzpatrick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-10.

WINDOW, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210059064A1. Автор: JEONG Sooim,LEE Hyun-Ju,Park Younggil,AHN NARI,Park Junsu,KWON GISUK. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Hard-coating layer, Method of fabricating the same and Display device including the same

Номер патента: KR102407539B1. Автор: 박재현,김위용,전창우. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-06-13.

Method of forming a magnetic tunneling junction device

Номер патента: US11793085B2. Автор: Kevin Garello,Davide Francesco CROTTI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-17.

Display device, electronic device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20240180002A1. Автор: Tomoyoshi Ichikawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Installment method of fluid control body, and fluid control device including fluid control body

Номер патента: US20210364116A1. Автор: Shinji YAMANOUCHI. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Installment method of fluid control body, and fluid control device including fluid control body

Номер патента: AU2021202638A1. Автор: Shinji YAMANOUCHI. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of providing user interface of device and device including the user interface

Номер патента: US09904444B2. Автор: Kil-Su Eo,Chi-Hyun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US09804790B2. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US20160216899A1. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Pixel cache, method of operating pixel cache, and image processing device including pixel cache

Номер патента: US20140204108A1. Автор: Jinhong Oh,Youngin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Mother substrate for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20070291214A1. Автор: Sang-Ky Jeon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110076418A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Toshihiko Motomatsu. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of compensating deviation of operating point

Номер патента: RU2706260C2. Автор: Маркус ШТОЙКЕ. Владелец: Бретье-Аутомацион Гмбх. Дата публикации: 2019-11-15.

Method of oxidation of hydrocarbons

Номер патента: RU2531285C2. Автор: Франсуаз ИГЕРСХАЙМ,Серж ВЕРАСИНИ,Софи ГАЛИНА. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device including power supply line

Номер патента: US09520176B2. Автор: Minoru Yamagami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240249671A1. Автор: Changhun KIM,Deukgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of operating memory controller and data storage device including memory controller

Номер патента: US09588714B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating color filter substrate for liquid crystal display device having patterned spacers

Номер патента: US20050243266A1. Автор: Sang-Chul Ryu. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Operation method of host processor and accelerator, and electronic device including the same

Номер патента: US12039360B2. Автор: Sanggyu SHIN,Yeongsik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Robust nitric oxide-releasing polymers and articles and methods of making and uses thereof

Номер патента: EP3823683A1. Автор: Hitesh Handa,Sean Hopkins. Владелец: University of Georgia. Дата публикации: 2021-05-26.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20220276438A1. Автор: Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of repairing glass for display device

Номер патента: US20230022346A1. Автор: Jaeho Lee,Hyun-Il Cho,Mincheol Kim,Sookkyung You,Myunghun BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Foldable transparent composite film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240262083A1. Автор: Ji Hoon Ko. Владелец: Solip Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device to assist in fitting a custom wheel to an automobile & methods of use thereof

Номер патента: US20100212168A1. Автор: Joseph T. Findeis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of tracking marker and electronic device thereof

Номер патента: US09424651B2. Автор: Jaroslaw Karciarz,Piotr Malesa,Slawomir Jozef Wojcik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110273944A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory, and operation method of memory controller

Номер патента: US11954340B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20010015779A1. Автор: Young-Ho Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Diagnosis device and method of manufacturing the diagnosis device

Номер патента: WO2009011535A2. Автор: Byoung Su Lee,Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Control method of aero wind power generation device

Номер патента: US20230250805A1. Автор: Jung Hun Choi,Dong Hyun Ha,Jae Wung Jung. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template

Номер патента: US20110237086A1. Автор: Ikuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Foldable device, lamp and method of use thereof

Номер патента: US11774077B1. Автор: Wenfeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-03.

Display device and method of driving the display device

Номер патента: US20200312253A1. Автор: Won Tae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Organic light emitting display device and method of driving the same

Номер патента: US20150070407A1. Автор: Won-Jun Lee,Gi-Chang Lee,Ji-Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240312457A1. Автор: Chanwoo Kim,Abhinav Garg,Jiyeon Kim,Dhananjaya Nagaraja GOWDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic arm brace assemblies and methods of use

Номер патента: US20240307207A1. Автор: Ian Kovacevich,Sean Kaminsky,John M. Behles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US09576423B2. Автор: Michael A. Shai-Hee. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device and method of controlling therefor

Номер патента: US09460330B2. Автор: Doyoung Lee,Sinae Chun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Organic light emitting display device and method of driving the same

Номер патента: US09430966B2. Автор: Won-Jun Lee,Gi-Chang Lee,Ji-Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US6947113B2. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-20.

Fitness tracking system and method of operating the same

Номер патента: CA3174586A1. Автор: Robert Andrew Just,Antoine Neidecker. Владелец: Train Fitness Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Osteoconductive devices and methods of use

Номер патента: US20220192842A1. Автор: Douglas Neary. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Pharmaceutical storage and retrieval system and methods of storing and retrieving pharmaceuticals

Номер патента: US09868558B2. Автор: William K. Holmes. Владелец: RXSAFE LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Display device and driving method of display panel

Номер патента: US09779650B2. Автор: Pei-Lin Hsieh,Hsiang-Tan Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Input/output circuit and input/output device including the same

Номер патента: US09607666B2. Автор: Sangkug Lym. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of compensating color of transparent display device

Номер патента: US09508280B2. Автор: Young-Jun Seo,Chi-O Cho,Byung-Choon Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of programming and sensing in a memory device

Номер патента: US10153043B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Device and Method for Configuring Input/Output Pads

Номер патента: US20080270858A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-30.

QUANTUM ROD LAYER, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170031211A1. Автор: Park Seung-Ryull,Park Hyun-Jin,Ahn Han-Jin. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

HARD-COATING LAYER, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170058129A1. Автор: Park Jae-Hyun,KIM Wy-Yong,CHUN Chang-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INPUT/OUTPUT PAD

Номер патента: US20210327480A1. Автор: LEE Seong Ju,KIM Ju Hyuck. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Computer-implemented method of optimizing a design in a time multiplexed programmable logic device

Номер патента: US5701441A. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Nanopore device and methods of biosynthesis using same

Номер патента: US20230228710A1. Автор: Bita KARIMIRAD,Kyung Joon Han. Владелец: Palogen Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20240004557A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of leaching copper and gold from sulfide ores

Номер патента: US20120222519A1. Автор: Kazuhiro Hatano,Yoshifumi Abe,Koji Katsukawa,Eiki Ono. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating field effect semiconductor device

Номер патента: JPS55128877A. Автор: Yasuro Mitsui,Michihiro Kobiki,Mutsuyuki Otsubo,Manabu Watase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-10-06.

Method of fabricating resistance-reduced semiconductor device

Номер патента: TWI225710B. Автор: Neng-Tai Shih,Yu-Chang Lin,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Method of fabricating resistance-reduced semiconductor device

Номер патента: TW200527666A. Автор: Neng-Tai Shih,Yu-Chang Lin,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ESD PROTECTION CIRCUITS AND METHOD OF FABRICATING THE STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130009278A1. Автор: LEE Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU250167B2. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA661914A. Автор: L. Schnable George,G. Javes John. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-04-23.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU516561A. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA731334A. Автор: J. Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-03-29.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU210578B2. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU251798B2. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU878361A. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Method of manufacturing gate electrode in semiconductor device

Номер патента: TW379373B. Автор: Jia-Shuen Shiau. Владелец: Maodeh Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU1052355A. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Method of manufacturing SOI substrate and semiconductor device

Номер патента: TW492048B. Автор: Nobuyoshi Hattori. Владелец: Yamakawa Satosh. Дата публикации: 2002-06-21.

METHOD OF FABRICATING TRANSISTOR FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120034748A1. Автор: SHIN Min-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD OF FABRICATING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120108000A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Method and system for input/output pads in a mobile multimedia processor

Номер патента: CN100524169C. Автор: 蒂莫西·J·拉姆斯代尔. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Method of fabricating gate protecting semiconductor device

Номер патента: JPS54142074A. Автор: Yoshiki Tanigawa. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1979-11-05.