Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

絶縁物封止型半導体装置

Номер патента: JPS63215058A
Опубликовано: 07-09-1988
Автор(ы): Kazuji Iwaki, Masayuki Kosaka, 量次 岩城, 高坂　雅之
Принадлежит: Sanken Electric Co Ltd

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Stack type semiconductor package module utilizing solder coated stacking protrusions and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090498A1. Автор: Dae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Test circuit and multi-chip package type semiconductor device having the test circuit

Номер патента: US20040150414A1. Автор: Kazutoshi Inoue,Mitsuya Ohie. Владелец: Mitsuya Ohie. Дата публикации: 2004-08-05.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Stack-type semiconductor package having one or more semiconductor packages stacked therein

Номер патента: US20040012096A1. Автор: Ji Yon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Plastic mold type semiconductor device

Номер патента: US6194779B1. Автор: Toshimitsu Ishikawa,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US6677666B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6734545B1. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-11.

Push-in type semiconductor device including heat spreader

Номер патента: US20020011661A1. Автор: Makoto Kitano,Hideo Miura,Takeshi Terasaki,Chikara Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: EP1073116A3. Автор: Katsuyuki Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Negishi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-27.

p-type semiconductor, method for manufacturing the p-type semiconductor, semiconductor device, photovoltaic element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6153895A. Автор: Takayuki Watanabe,Hiroshi Yoshida,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09484282B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6163071A. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Resin sealing type semiconductor device that includes a plurality of leads and method of making the same

Номер патента: US6133623A. Автор: Kenzo Yoshimori,Tetsuya Otsuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Structures and methods for stack type semiconductor packaging

Номер патента: US09418940B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Masanori Onodera,Koji Taya,Masahiko Harayama,Ryota Fukuyama. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads

Номер патента: US5646829A. Автор: Yoshiki Sota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020000676A1. Автор: Shinji Ohuchi,Noritaka Anzai. Владелец: Noritaka Anzai. Дата публикации: 2002-01-03.

Failure analysis method for chip of ball grid array type semiconductor

Номер патента: US20020013009A1. Автор: Tadashi Ozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Resin mold type semiconductor device.

Номер патента: MY113280A. Автор: Kojima Akira,Ohsawa Kenji,Makino Haruhiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor devices

Номер патента: GB1426543A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-03-03.

Semiconductor device including intermediate wiring element

Номер патента: EP1193761A2. Автор: Michiaki Hiyoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-03.

Resin-encapsulated type semiconductor packages, and production method and apparatus therefor

Номер патента: MY139981A. Автор: Hideo Ito,Yoshitaka Hirose,Tamaya Ubukata. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2009-11-30.

Semiconductor device with reduced parasitic substrate capacitance

Номер патента: US5731620A. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape

Номер патента: US20110254146A1. Автор: Daesik Choi,Taewoo Lee,SungWon Cho,KyuWon Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body

Номер патента: US6759279B2. Автор: Atsushi Fujisawa,Masahiro Ichitani,Takafumi Konno,Shingo Ohsaka,Ryo Haruta. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20060131727A1. Автор: Sou Hoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Pressure-contact-type semiconductor device

Номер патента: US12051671B2. Автор: Jun Okada,Kazunori Taguchi,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Pressed-contact type semiconductor device

Номер патента: US20060038253A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Kenji Oota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Pressed-contact type semiconductor device

Номер патента: US20060043413A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Kenji Oota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Compression bonded type semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US5777351A. Автор: Yuzuru Konishi,Kazunori Taguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Ohmic contact for group iii-v p-type semiconductors

Номер патента: USRE27879E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-01-08.

Semiconductor device and method of fabrication of the same

Номер патента: US20030197270A1. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device which prevents light from entering therein

Номер патента: US7015576B2. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US4001863A. Автор: Akira Hasegawa,Yoshinori Kobayashi,Yoshitaka Shibata,Yoshiharu Iwatsuki. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1977-01-04.

Pressure-connection type semiconductor device having a thermal compensator in contact with a semiconductor base substrate in an alloy-free state

Номер патента: US5519231A. Автор: Yuzuru Konishi,Tokumitsu Sakamoto,Nobuhisa Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor device equipped with a heat-fusible thin film resistor and production method thereof

Номер патента: US5625218A. Автор: Yasunori Taga,Hideya Yamadera,Yoshihiko Isobe,Hirofumi Abe,Makio Iida,Takeshi Ohwaki,Makoto Ohkawa. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1997-04-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20020145204A1. Автор: Ikuo Yoshida,Yasuhiro Naka,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka,Satoshi Imasu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device having different impurity concentration wells

Номер патента: US5726475A. Автор: Shizuo Sawada,Masaki Ogihara,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor device having redundant circuit

Номер патента: US5578861A. Автор: Mitsuya Kinoshita,Kazuhiro Tsukamoto,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Lead frames for use in plastic mold type semiconductor devices

Номер патента: US5153706A. Автор: Kazunori Hayashi,Satoshi Takeuchi,Isao Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5121189A. Автор: Kazuhiko Niwayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Stack-type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100255637A1. Автор: Katsuhiro Ishida,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240128166A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL2022613A. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-09-06.

Package-on-package type semiconductor device which is realized through applying not a TSV technology but a fan-out wafer level package technology

Номер патента: US09793217B2. Автор: Sang Eun Lee,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Resin sealing type semiconductor device having outer leads designed for multi-functions

Номер патента: US5031024A. Автор: Shinjiro Kojima,Yoshimasa Kudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-07-09.

Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device

Номер патента: US20100052124A1. Автор: Takeshi Sasaki,Masahiro Shindo. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Double-side cooling-type semiconductor device

Номер патента: US20230119737A1. Автор: Young Seok Kim,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US5757067A. Автор: Takehito Inaba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09711637B2. Автор: Hirokazu Kato,Tomoaki Uno,Nobuyuki Shirai,Kazuyuki Umezu,Hideo Numabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315685A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Hiroi Oka,Yuichi Yato,Tadatoshi Danno,Atsushi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164906A1. Автор: Hideaki Yanagida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

COF Type Semiconductor Package and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150262906A1. Автор: Sung Jin Kim,Hag Mo Kim,Jun Il Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230361170A1. Автор: Kazuhiro Ueda,Fuminori Morisawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Package-on-package type semiconductor package including a lower semiconductor package and an upper semiconductor package

Номер патента: US11749592B2. Автор: Jiwon Shin,Donguk Kwon,Minseung Ji,Kwangbok WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor device having a flat jumper lead

Номер патента: US5389817A. Автор: Tsutomu Imamura,Isao Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Package-on-package type semiconductor device including fan-out memory package

Номер патента: US20160329298A1. Автор: Sang Eun Lee,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Inductance reduced wire-bonding type semiconductor device

Номер патента: US5798571A. Автор: Hirofumi Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Thin-type semiconductor device and die pad thereof

Номер патента: US20020027267A1. Автор: Chia-Yi Lin,Chih-Tsung Hou,Kung-Ming Huang,Ching-Kun Yeh. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US6545349B2. Автор: Masachika Masuda,Tamaki Wada,Akihiko Iwaya. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Flip-chip type semiconductor device having recessed-protruded electrodes in press-fit contact

Номер патента: US6137184A. Автор: Gorou Ikegami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220049357A1. Автор: Ryuji Ueno,Misako Kawasumi,Masatoshi Sunamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of manufacturing semiconductor device having a test pad

Номер патента: US6008061A. Автор: Kunihiro Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of fabricating a resin mold type semiconductor device

Номер патента: US4523371A. Автор: Yoshiaki Wakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-18.

Semiconductor device and process for producing same

Номер патента: US4604495A. Автор: Hisashi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-05.

Semiconductor device having stacked lead structure

Номер патента: US5252854A. Автор: Junichi Arita,Masahiro Ichitani,Akihiko Iwaya,Tomoo Matsuzawa. Владелец: Hitachi Microcomputer System Ltd. Дата публикации: 1993-10-12.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Resin sealing-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040201082A1. Автор: Isao Ochiai,Masato Take. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170110544A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199780A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Laminate type semiconductor apparatus

Номер патента: US20010008306A1. Автор: Shigeki Kamei,Saeko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device provided with photodiode, manufacturing method thereof, and optical disc device

Номер патента: US20140319643A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Hiroshi Yumoto,Tomokazu Mukai,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device including first interface and second interface as an upper surface of a convex protruded from first interface and manufacturing device thereof

Номер патента: US09349856B2. Автор: Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199781A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222500A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20240297214A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Resin sealing-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6998701B2. Автор: Isao Ochiai,Masato Take. Владелец: Kanto Sanyo Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20220320270A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and laser marking method

Номер патента: US20240332205A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Kosuke Masuzawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977186B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601541B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09461036B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021618A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: US9627248B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097008A1. Автор: Hajime Okuda,Kazuhiro Tamura,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: WO2015145939A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420523A1. Автор: Yukihiko Watanabe,Yusuke Yamashita,Keita KATAOKA,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230105626A1. Автор: Koji Ito,Atsushi Ogasawara,Ryota Murai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823023A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

High-voltage semiconductor device used as switching element or the like

Номер патента: US20030015771A1. Автор: Akio Nakagawa,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160141356A1. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09972679B2. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899469B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Shinya Nishimura,Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having SOI substrate

Номер патента: US09899448B2. Автор: Yasuo Arai,Masao Okihara,Hiroki Kasai. Владелец: Inter University Research Institute Corp High Energy Accelerator Research Organization. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818851B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09812609B1. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09780187B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09761668B2. Автор: Daisuke Ichikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09640612B2. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496387B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Vertical type semiconductor device

Номер патента: US20100123182A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270385A1. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190334001A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09947806B2. Автор: Masaaki Tomita. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09911814B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: US09876104B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-orientation SOI substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US09502243B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09450086B2. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120077341A1. Автор: Masamichi Suzuki,Atsuhiro Kinoshita,Hirotaka Nishino,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100230761A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Nano-tube semiconductor device and shear force sensor comprising same

Номер патента: EP4135058A1. Автор: Gyuchul Yi,Hongseok Oh. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2023-02-15.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20120273774A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9806189B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120261764A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240321950A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor wafer, semiconductor device diced from semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09917011B2. Автор: Takao Kinoshita,Satoshi Morishita,Tadashi Yasui,Tomotoshi Satoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12142679B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09806189B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640613B2. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09564491B2. Автор: Mariko Suzuki,Tadashi Sakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09496204B2. Автор: Hajime Hasebe,Tadatoshi Danno,Yukihiro Satou. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455231B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09443950B2. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240097028A1. Автор: Kazuhiro Tamura,Yusuke Shimizu,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20160133743A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9496393B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20110278663A1. Автор: Masaki Hino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20040031993A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Mitsuhiro Yoshimura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240290857A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Trench-type semiconductor device structure

Номер патента: US20090166702A1. Автор: Hung-Chang Liao,Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin,Neng Tai Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378272A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096967A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240332373A1. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Soichi Yoshida,Kaname MITSUZUKA,Tohru SHIRAKAWA,Misaki TAKAHASHI,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793354B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09653599B2. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620681B2. Автор: Hwankuk YUH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09576841B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US20200303505A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220223611A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Takatoshi MINAMOTO,Sho TOKAIRIN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254051A1. Автор: Yukio Tsuzuki,Makoto Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193099A1. Автор: Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170005185A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097000A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09978909B2. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, semiconductor device package, and lightning apparatus

Номер патента: US09583687B2. Автор: Seok Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570541B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US09502498B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo,Kyu Hyun Mo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09362352B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device including an ultraviolet light receiving element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277690A1. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: EP3712953A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US11349000B2. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240274657A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12062726B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180062000A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180012984A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140203299A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09818886B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09660061B2. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09583606B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09577118B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443870B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hidekazu Oda,Hirofumi Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150079758A1. Автор: Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143255A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroshi Miki,Naoki Tega,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12051745B2. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157466A1. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20230268432A1. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130806A1. Автор: Sung Hee Han,Dae Sun Kim,In Cheol NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266351A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Hiroshi Sato,Shinsuke Harada,Atsushi Yao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, starter circuit, and switched-mode power-supply circuit

Номер патента: US20190081135A1. Автор: Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167132A1. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for enhancing stability of n-type semiconductor through oxygen elimination

Номер патента: US20240266187A1. Автор: Liqiang LI,Jinbo HE,Wenping Hu,Yinan Huang,Liqian YUAN. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290618A1. Автор: Sho NAKANISHI,Yanzhe Wang. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type gallium oxide semiconductor device with alternating layers

Номер патента: US12132123B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09985093B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stack-type semiconductor device

Номер патента: US09859321B2. Автор: Donghyun Kim,Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09722016B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Trench-gate type semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09614029B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Surge protection element and semiconductor device

Номер патента: US09570435B2. Автор: Tatsuo Morita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Trench gate type semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US09559188B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20030030154A1. Автор: Hiroyuki Kimura,Taibo Nakazawa. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: EP3712959A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058A. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058B1. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-10-03.

Semiconductor device having a decomposed aliphatic polycarbonate layer

Номер патента: US09985137B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Shuichi Karashima,Kiyoshi Nishioka. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09634184B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Alvaro Gomez-Iglesias,Teresa Wurm,Jelena Ristic. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145553A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20190148354A1. Автор: Toshiki Matsubara,Masato Mikawa,Hiroshi Oshino,Nobutaka Ishizuka,Ryohei KOTANI. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290881A1. Автор: Koichi Arai,Yasuhiro Okamoto,Atsushi Sakai,Hironobu Miyamoto,Kenichi Hisada,Satoshi Eguchi,Yasunori Yamashita,Nobuo Machida,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060284283A1. Автор: Tetsuya Nakamura,Kazuyuki Sawada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Diode, semiconductor device, and MOSFET

Номер патента: US09520465B2. Автор: Jun Saito,Takahide Sugiyama,Yusuke Yamashita,Satoru Machida. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device including an esd protection element

Номер патента: US20170271321A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device with high breakdown voltage and manufacture thereof

Номер патента: US20150147855A1. Автор: Kazuhiko Takada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device with high breakdown voltage and manufacture thereof

Номер патента: US9520326B2. Автор: Kazuhiko Takada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US7049678B2. Автор: Thomas H. Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020094642A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Takuya Suzuki,Eiji Nishibe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US20030116821A1. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024114A1. Автор: Kazuhisa Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12074161B2. Автор: Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11728333B2. Автор: Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187438A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US20030155569A1. Автор: Thomas Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US20030164493A1. Автор: Thomas Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Semiconductor device having MOS source follower circuit

Номер патента: US5382819A. Автор: Atsushi Honjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080093623A1. Автор: Yoshinobu Kono. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20110006396A1. Автор: Yu-Lun Lu,Jing-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Manufacturing method of mis-type semiconductor device

Номер патента: US20140287572A1. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US6642605B2. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US8101970B2. Автор: Yu-Lun Lu,Jing-Chi Yu. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Manufacturing method of MIS-type semiconductor device, including heating a zirconium oxynitride (ZrON) layer

Номер патента: US9299567B2. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Stacked type semiconductor device and printed circuit board

Номер патента: WO2013051247A1. Автор: Yoshitomo Fujisawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device having a light receiving element

Номер патента: US09947706B2. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and package including solder bumps with strengthened intermetallic compound

Номер патента: US09899584B2. Автор: Seok Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including a diode and guard ring

Номер патента: US09704946B2. Автор: Masanori Inoue,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240379662A1. Автор: Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including Fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680014B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09496151B2. Автор: Mitsuaki Kirisawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Fin-type semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09356148B2. Автор: Andreas Meiser,Christian Kampen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09337282B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Ni(Al)O p-type semiconductor via selective oxidation of NiAl and methods of forming the same

Номер патента: US12021137B2. Автор: Oreste Madia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Pad structures and wiring structures in a vertical type semiconductor device

Номер патента: US20170040254A1. Автор: Sung-Min Hwang,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190181008A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160087110A1. Автор: Koji Sadamatsu,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182955A1. Автор: Takaaki Hioka,Mika Ebihara. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090152644A1. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method of manufacturing a package-on-package type semiconductor package

Номер патента: US09741701B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09640644B1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20020043400A1. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243166A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Trench type schottky junction semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130105820A1. Автор: Natsuki Yokoyama,Kumiko Konishi,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods of forming vertical type semiconductor devices including oxidation target layers

Номер патента: US20150187790A1. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Phil-ouk Nam,Jun-kyu YANG,Byong-hyun JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120273877A1. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030057493A1. Автор: Atsuo Hirabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device having two insulated gates and capable of thyristor function and method for operating the same

Номер патента: US5608238A. Автор: Hideo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030222327A1. Автор: Ichiro Omura,Masakazu Yamaguchi,Wataru Saito,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US11798986B2. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140335682A1. Автор: Makoto Mizukami,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and field effect transistor

Номер патента: US20120199889A1. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Kazuomi Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US20220013633A1. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and chip singulation method

Номер патента: US20220059651A1. Автор: Takeshi Harada,Shinya Oda,Yoshihiro Matsushima,Yoshihiko Kawakami. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170207319A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120056196A1. Автор: Makoto Mizukami,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331197A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09490246B2. Автор: Yasuki Yoshihisa,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Trench gate MOS semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461154B2. Автор: Eri OGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Light emitting semiconductor device

Номер патента: CA1108739A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Masaaki Aoki,Yuichi Ono,Kazuhiro Kurata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-08.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Amorphous-containing semiconductor device with high resistivity interlayer or with highly doped interlayer

Номер патента: CA1321660C. Автор: Kazunori Tsuge,Kunio Nishimura,Masataka Kondo,Akihiko Hiroe,Hideo Yamagishi,Yoshihisa Tawada,Minori Yamaguchi,Keizou Asaoka. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-24.

Offset-gate-type semiconductor device

Номер патента: US6552389B2. Автор: Akio Nakagawa,Kazutoshi Nakamura,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono,Shinichi Hodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-22.

Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board have the same mounted thereon, and electronic equipment having the circuit board

Номер патента: US20020024124A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4243079A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160172476A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060231867A1. Автор: Tetsuya Takahashi. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296511A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor component

Номер патента: US12002906B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Yao-Ning CHAN,Hao-Chun Liang,Wei-Shan Yeoh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

n-type semiconductor element, method for producing n-type semiconductor element, wireless communication device, and product tag

Номер патента: US12029107B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor, n-type semiconductor, p-type semiconductor, semiconductor junction device, pn junction device and photoelectric converter

Номер патента: US20120080774A1. Автор: Kazuhito Nishimura,Yoshiyuki Nasuno,Noriyoshi Kohama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Vertical insulated gate semiconductor device with less influence from the parasitic bipolar effect

Номер патента: US5285094A. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori,Yasunori Nakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-08.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090294917A1. Автор: Ayako YAJIMA. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor devices with high current capability for electrostatic discharge or surge protection

Номер патента: US20230223393A1. Автор: Christopher Kocon,Sunglyong Kim,Sudheer Prasad,Sreeram N. S.,Sandip Lashkare. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device including an n-type carrier stored layer, power conversion device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10916631B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167201A1. Автор: Masatoshi Arai,Takashi Tabuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US6703686B2. Автор: Takahiko Konishi,Masahiko Takeno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160035825A1. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170031094A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180246276A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor element, semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210242363A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Manabu Kiguchi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and field effect transistor

Номер патента: US20130113028A2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Kazuomi Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180261673A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160233214A1. Автор: Takaya Shimono. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

NAND-type semiconductor storage device and method for manufacturing same

Номер патента: US7423313B2. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

NAND-type semiconductor storage device and method for manufacturing same

Номер патента: US20070187745A1. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US09590141B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Mos type semiconductor device

Номер патента: US5079607A. Автор: Kenya Sakurai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor device with reinforcement

Номер патента: US5440171A. Автор: Toshiharu Ishida,Ichiro Miyano,Kooji Serizawa,Suguru Sakaguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9159807B2. Автор: Yutaka Hoshino,Komaki INOUE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20020017655A1. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device having contacting but electrically isolated regions of opposite conductivity types

Номер патента: US4547681A. Автор: Hideharu Egawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9263498B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Semiconductor device package

Номер патента: US11894307B2. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device including photoelectric conversion element

Номер патента: US11908876B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US20190319103A1. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and sensor

Номер патента: US11380764B2. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Digh Hisamoto,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170250259A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180315826A1. Автор: Kazusuke Kato,Akihiro HIKASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110220960A1. Автор: Kosuke MIYAZAKI,Aki MORODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170186847A1. Автор: Kazusuke Kato,Akihiro HIKASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160181442A1. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11011607B2. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043131A1. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170062624A1. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150060763A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US11824084B2. Автор: Ze Chen,Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Spin qubit-type semiconductor device and integrated circuit thereof

Номер патента: US20230200261A1. Автор: Takahiro Mori,Tetsuya Ueda,Kimihiko Kato,Atsushi Yagishita,Shota Iizuka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor

Номер патента: US9406787B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160043206A1. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9954094B2. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160240654A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11824093B2. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10411105B2. Автор: Kazusuke Kato,Akihiro HIKASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20170118419A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190198703A1. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203569A1. Автор: Hsin-Kang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4297097A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143260A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2016113797A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Shinya Nishimura,Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170179239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9543294B2. Автор: Takaya Shimono. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Stack-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120112358A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130334670A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee,Young Ho Lee,Hye Jin Seo,Su Jin Chae,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device having recesses forming areas

Номер патента: US11984532B2. Автор: Youn Joon Sung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001680A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20150249126A1. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US10224400B2. Автор: Yang Wei,JIN Zhang,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170222009A1. Автор: Kazusuke Kato,Akihiro HIKASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10038071B2. Автор: Kazusuke Kato,Akihiro HIKASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220085208A1. Автор: Kouta Tomita,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190288078A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8242534B2. Автор: Kosuke MIYAZAKI,Aki MORODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200098872A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20150243702A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180204943A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US9578263B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200273983A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170040413A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240006528A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237578A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009420B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384347A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4095928A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-11-30.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3660925A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-03.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4297097A2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170317162A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Shinya Nishimura,Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of making N-type semiconductor layer and method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09768400B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8748899B2. Автор: Atsushi Yamada,Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20040104404A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Process of making a semiconductor device using crystal growth by a nucleation site in a recessed substrate and planarization

Номер патента: US5602057A. Автор: Hiroyuki Tokunaga,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-02-11.

Conductivity modulation type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5128277A. Автор: Wataru Takahashi,Makoto Hideshima,Masahi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-07.

Semiconductor device having a vertical power MOSFET fabricated in an isolated form on a semiconductor substrate

Номер патента: US5045900A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

High voltage semiconductor device having schottky barrier diode

Номер патента: US20240105838A1. Автор: Tae Hoon Lee. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same

Номер патента: US20180315887A1. Автор: Jae Hoon Choi,Rak Jun Choi,Byeoung Jo Kim,Hae Jin Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Infrared detecting semiconductor device

Номер патента: US20180315872A1. Автор: Hiroshi Inada,Sundararajan Balasekaran. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110057255A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Infrared detecting semiconductor device

Номер патента: US10600927B2. Автор: Hiroshi Inada,Sundararajan Balasekaran. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210036190A1. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140225217A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Michiya Yamada,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20190067426A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Toshimi Hitora,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286685A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka,Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20170213862A1. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US20230291379A1. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413510A1. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and receiver

Номер патента: US8981343B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor device and receiver

Номер патента: US20130240835A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11961854B2. Автор: Sywe Neng Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device, dc-dc converter, and protective element

Номер патента: US20120262827A1. Автор: Takehito Ikimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074811A1. Автор: Shoichi Watanabe,Mitsuhiro Noguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030047780A1. Автор: Takashi Nikami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: NL2019311B1. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240162297A1. Автор: Keisuke Kobayashi,Haruka Shimizu,Takeru Suto,Tomoka Suematsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US11979136B2. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: WO1997022150A1. Автор: Patrick Reginald Palmer,David Alistair Hinchley. Владелец: Cambridge University Technical Services Ltd.. Дата публикации: 1997-06-19.

Semiconductor device, DC-DC converter, and protective element

Номер патента: US8526148B2. Автор: Takehito Ikimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210328008A1. Автор: Masaki Nagata,Shimpei OHNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261043A1. Автор: Masaki Nagata,Shimpei OHNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20230282690A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9564466B2. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170062556A1. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341260A1. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka,Junya Nishii,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and its fabrication method

Номер патента: US20040152244A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Tsuyoshi Inoue,Mitsuru Yoshikawa,Saiki Hotate. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150102363A1. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20190304969A1. Автор: Kanako DEGUCHI,Akihiko TSUBAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7214973B2. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110221045A1. Автор: Takao Morimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180342578A1. Автор: Yang Wei,JIN Zhang,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Multi-orientation soi substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US20160181276A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and control method therefor

Номер патента: US20110141807A1. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110175103A1. Автор: Masahiro Adachi,Yoshihiro Saito,Takashi Kyono,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device having semiconductor regions in epitaxial drift layer

Номер патента: US20240204098A1. Автор: Koichi Arai,Yasuhiro Okamoto,Atsushi Sakai,Kenichi Hisada,Satoshi Eguchi,Yasunori Yamashita,Nobuo Machida,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Laminated type semiconductor ceramic element and production method for the laminated type semiconductor ceramic element

Номер патента: US20040084132A1. Автор: Hideaki Niimi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Stack type semiconductor apparatus and system including the stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US09829537B2. Автор: Ji Hwan Kim,Jong Chern Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US5466303A. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Tadashi Hattori,Seiji Fujino. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US8890169B2. Автор: Norifumi Kameshiro,Haruka Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11049856B2. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-06-29.

Mis semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010045597A1. Автор: Kazumi Nishinohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Ballistic transport-type semiconductor device for detecting electrons and production process for such a device

Номер патента: CA1177583A. Автор: Paul R. Jay. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-06.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: EP2618380A1. Автор: Keiji Okumura,Mineo Miura,Katsuhisa Nagao,Shuhei Mitani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US10050108B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US6653688B2. Автор: Hiroaki Takasu,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-25.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020115257A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

P-type semiconductor devices

Номер патента: WO2010119244A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7541657B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device, driver circuit and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060180862A1. Автор: Tetsuya Nitta,Yasunori Yamashita,Shinichiro Yanagi,Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20150187906A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160284588A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190019886A1. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20090085100A1. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20130020633A1. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100052090A1. Автор: Akira Suzuki,Koujiro Kameyama,Naofumi Tsuchiya. Владелец: Sanyo Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100155851A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20090317951A1. Автор: Masato Koyama,Hiroki Tanaka,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7429776B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230045793A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: EP4307385A3. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220157806A1. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2022-05-19.

P-type semiconductor devices

Номер патента: US20120025170A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162335A1. Автор: Hitoshi Matsuura,Ryota Kuroda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210233905A1. Автор: Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Tsubasa INOUE. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402539A1. Автор: Akihiro Saito,Masatsugu Yutani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8338247B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device and radio receiver using the same

Номер патента: US20200411700A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236098A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Vertical type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11968835B2. Автор: Byung-Kwan You,Joong-Shik Shin,Eun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170092714A1. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20140191282A1. Автор: Mitsuhiko Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Vertical type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240172441A1. Автор: Byung-Kwan You,Joong-Shik Shin,Eun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120074504A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8835934B2. Автор: Makoto Mizukami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

MOS type semiconductor device

Номер патента: EP1284507A3. Автор: Tatsuhiko Fujihira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-18.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240204099A1. Автор: Takeshi Ishida,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100289078A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034051B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element, and power conversion apparatus using apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element

Номер патента: US09780660B2. Автор: Takayuki Hashimoto,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP2667418A3. Автор: Hiromi Koyama,Toshiyuki Matsui,Seiji Momota,Takashi SHIIGI,Akihiro Fukuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Press-contact type semiconductor devices

Номер патента: US5610439A. Автор: Michiaki Hiyoshi,Takashi Fujiwara,Hisayoshi Muramatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-11.

Semiconductor device and logic circuit constituted by the semiconductor device

Номер патента: US4260906A. Автор: Masanori Nakai,Yukuya Tokumaru. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

MOS semiconductor device formed on insulator

Номер патента: US5233207A. Автор: Kenji Anzai. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Rod-shaped semiconductor device

Номер патента: CA2657964C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2014-09-23.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Nitride based semiconductor device with improved lattice quality

Номер патента: US10600935B2. Автор: Chang-Cheng Chuo,Shengchang CHEN,Heqing DENG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180308974A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US10381474B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor device and method for manuracturing the same

Номер патента: US20200161441A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for manuracturing the same

Номер патента: US20180076294A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140322877A1. Автор: Satoshi Uchiya,Hiroaki Katou,Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210159317A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: EP4307385A2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110159651A1. Автор: Hiroki Eto,Toshikazu Matsui,Takumi Hosoya,Yasuyuki Sayama. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030303A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817487B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9324857B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-04-26.

Surge protection element and semiconductor device

Номер патента: US20150287713A1. Автор: Tatsuo Morita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device having insulated gate field effect transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120142151A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20200083388A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243691A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20150372154A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210135017A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20170125609A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20220271174A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US9111852B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253510A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180351005A1. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8168499B2. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7727832B2. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Cluster type semiconductor processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150243535A1. Автор: Eun Soo Lee,Hee Cheol Kim,Sung Yong Kim,Seung Tae LEE,Ig Jun SHIN. Владелец: STS Semiconductor and Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device having impurity concentrations for preventing a parasitic channel

Номер патента: US6144047A. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US9865676B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Termination region for a semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4343853A1. Автор: Yoko Iwakaji,Takako Motai,Kentaro Ichinoseki,Keiko Kawamura,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230275129A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180308960A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8017482B2. Автор: Hiroki Eto,Toshikazu Matsui,Takumi Hosoya,Yasuyuki Sayama. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200312962A1. Автор: Masaki Nagata,Takefumi Fujimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170148870A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140315359A1. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130032896A1. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9029207B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8786029B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150221763A1. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20130075819A1. Автор: Manabu Takei,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP1043727A3. Автор: Hidenori C/O Oki Electric Ind. Co. Ltd. Uehara,Nobutaka c/o Oki Electric Ind. Co. Ltd. Nasu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160240633A1. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170236818A1. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190074386A1. Автор: Takanori Tanaka,Kohei Ebihara,Masayuki Furuhashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190019679A1. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120098085A1. Автор: Kyohei Fukuda,Fumio Shigeta,Haruo Nakazawa,Takahito Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20180331178A1. Автор: Toshiki Matsubara,Masato Mikawa,Hiroshi Oshino,Nobutaka Ishizuka,Ryohei KOTANI. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

n-type semiconductor element, method for manufacturing n-type semiconductor element, wireless communication device, and merchandise tag

Номер патента: US12029106B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound

Номер патента: US6936859B1. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Press-contact type semiconductor devices

Номер патента: MY131127A. Автор: Michiaki Hiyoshi,Takashi Fujiwara,Hisayoshi Muramatsu. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2007-07-31.

Tape for heat dissipating member, chip on film type semiconductor package including heat dissipating member, and elctronic apparatus including the same

Номер патента: US20090273076A1. Автор: Young-Sang Cho,Si-Hoon Lee,Dae-Woo Son,Sa-Yoon Kang,Sang-Gui Jo,Ye-Chung Chung,Byung-Seo Kim,Kyong-soon Cho,Kyong-sei CHOI,Young-Jae Joo,Sang-Heui LEE,Jeong-kyu Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2072262C. Автор: Keizo Harada,Takao Maeda,Shosaku Yamanaka,Takatoshi Takikawa,Shunsuke Ban. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237577A1. Автор: Koichi Arai,Yasuhiro Okamoto,Atsushi Sakai,Hironobu Miyamoto,Kenichi Hisada,Satoshi Eguchi,Yasunori Yamashita,Nobuo Machida,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor element, semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20140152374A1. Автор: Koichi Hashimoto,Osamu Kusumoto,Kazuhiro Adachi,Masao Uchida,Shun Kazama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230387294A1. Автор: Yotaro Goto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220059723A1. Автор: Yoshitaka Taniyasu,Kazuaki Ebata,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Nitride semiconductor device including a horizontal switching device

Номер патента: US10403745B2. Автор: Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180047680A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20050230762A1. Автор: Hideki Mori,Shigeru Kanematsu,Kenichi Ookubo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Recess gate-type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060060936A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Du-Heon Song,Chang-Sub Lee,Won-mo Park,Jae-Choel Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and resistor

Номер патента: US20010052620A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200161480A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Kenichi Hisada,Nobuo Machida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device for limiting leakage current

Номер патента: US20040094803A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Charge-Compensation Semiconductor Device

Номер патента: US20150084120A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-03-26.

Film-type semiconductor packages and display devices having the same

Номер патента: US10121776B2. Автор: Young-Min Kim,Han-Gu Kim,Chang-Su Kim,Sung-jun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-06.

Pressing-type semiconductor power device package

Номер патента: US20190259686A1. Автор: Yunhwa Choi,Jeonghun Cho,Jungtae CHO. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of improving thermoelectric propertyof p-type semiconductor, method of forming p-type semiconductor, p-typesemiconductor, and thermoelectric device

Номер патента: WO2023196715A3. Автор: Yu Zhang,Bed Poudel,Shashank Priya. Владелец: The Penn State Research Foundaton. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating P-type semiconductor substrate, solar cell and method for fabricating the same

Номер патента: US09461194B2. Автор: Chia-Gee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Insulated gate type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5016077A. Автор: Shigeru Atsumi,Masaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5525532A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

LDD semiconductor device with peak impurity concentrations

Номер патента: US5594264A. Автор: Masayoshi Shirahata,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Resin encapsulation type semiconductor device

Номер патента: US4617584A. Автор: Akiko Hatanaka,Hirotoshi Ikeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301462A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411502A1. Автор: Yukio Takahashi,Tetsuya Yoshida,Koji Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20220115544A1. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10658523B2. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10497654B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060172488A1. Автор: Mikio Fukuda,Keiji Ogata,Tatsuya Fujishima,Izuo Iida,Yuji Tsukada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

eDRAM-type semiconductor device including logic circuit section featuring large capacitance capacitor, and capacitor DRAM section featuring small capacitance capacitor

Номер патента: US20060180841A1. Автор: Shintaro Arai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20050202623A1. Автор: Hideki Mori,Shigeru Kanematsu,Kenichi Ookubo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

BGA type semiconductor device having a solder-flow damping/stopping pattern

Номер патента: US20020014683A1. Автор: Michihiko Ichinose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Epoxy resin composition and resin encapsulation type semiconductor device

Номер патента: WO2001021697A1. Автор: Yasuyuki Murata,Atsuhito Hayakawa. Владелец: Resolution Research Nederland B.V.. Дата публикации: 2001-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050012088A1. Автор: Kazuya Ohuchi,Hironobu Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Substrate structure, semiconductor device fabricated from the same, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20130175538A1. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha,Ki-ha Hong,Chang-Yong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526B1. Автор: Hidefumi TAKAYA,Kimimori HAMADA,Kyosuke MIYAGI,Yasushi OKURA,Akira KUROYANAGI,Norihito TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Static induction type semiconductor device

Номер патента: US4994870A. Автор: Takashi Suzuki,Hiroshi Tadano,Shinobu Aoki,Susumu Sugiyama,Haruo Takagi. Владелец: Toyoda Jidoshokki Seisakusho KK. Дата публикации: 1991-02-19.

Method for fabricating semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20190122900A1. Автор: Shinichi Nishimura,Shoji Hashizume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088238A1. Автор: Satoru Tokuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20180040612A1. Автор: Yukio Takahashi,Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204056A1. Автор: Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Insulated gate semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526A1. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Kyosuke TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA MIYAGI,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor device having field shield isolation

Номер патента: US5067000A. Автор: Shinichi Satoh,Yoshinori Tanaka,Wataru Wakamiya,Takahisa Eimori,Hiroji Ozaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA1247947A. Автор: Masaru Wada,Iwao Teramoto,Hirokazu Shimizu,Kunio Itoh,Ken Hamada,Takao Shibutani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US5899717A. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Resin encapsulation type semiconductor device

Номер патента: US5346743A. Автор: Shinetsu Fujieda,Ken Uchida,Michiya Higashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-09-13.

Vertical type semiconductor with main current section and emulation current section

Номер патента: US5410171A. Автор: Akira Kuroyanagi,Toshiaki Nishizawa,Yasuaki Tsuzuki. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10818757B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335548A1. Автор: Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411512A1. Автор: Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030321A1. Автор: Koji Ogata,Takuho KAMADA,Kiyoyuki SATOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10770554B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US8674455B2. Автор: Kazuhiro Nojima,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20120161219A1. Автор: Kazuhiro Nojima,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130309824A1. Автор: Kyoung Il Na. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4033519A1. Автор: Makoto Kitabatake,Keisuke Kobayashi,Akio Shima,Satoru Nogami,Norihito YABUKI,Kumiko KONISHI.,Yusuke SUDOH. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180159025A1. Автор: Takaaki Hioka,Mika Ebihara. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device having vertical hall element

Номер патента: US10263176B2. Автор: Takaaki Hioka,Mika Ebihara. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127100A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120129307A1. Автор: Yoshito Nakazawa,Atsushi SHINBORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20050167746A1. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8618594B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Atsushi SHINBORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US20210074826A1. Автор: Tatsuro Watahiki,Yohei YUDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127101A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Stack type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230163065A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US9455355B2. Автор: Koji Sadamatsu,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device for improving sustaining voltage

Номер патента: US6740932B2. Автор: Shuichi Kikuchi,Takuya Suzuki,Eiji Nishibe. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-25.

Stack type semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09773569B2. Автор: Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with triple surface impurity layers

Номер патента: US7157779B2. Автор: Eiji Nishibe,Toshihiro Hachiyanagi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Gate array semiconductor device

Номер патента: US6084255A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Yoshiki Wada,Takanori Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device and a logical circuit formed of the same

Номер патента: US4143390A. Автор: Hideo Noguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20230187432A1. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Vertical type semiconductor devices

Номер патента: US20140197481A1. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Won-Seok Cho,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090090978A1. Автор: Masahiko Niwayama,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Masaaki Okita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170110562A1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Stacked layered type semiconductor memory device

Номер патента: US20050162946A1. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Fan-out type semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220344319A1. Автор: Yongjin PARK,Myungsam Kang,Youngchan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

P-type semiconductor composed of magnesium, silicon, tin, and germanium, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666782B2. Автор: Yukihiro Isoda,Satoki TADA,Hirofumi FUJIU. Владелец: Mitsuba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Thyristor type semiconductor device

Номер патента: CA1135875A. Автор: Yoshinori Yukimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Ball grid array type semiconductor device

Номер патента: US5596227A. Автор: Hiroshi Saito. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Bipolar type semiconductor device

Номер патента: US4080619A. Автор: Kunizo Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-03-21.

Turn off type semiconductor device, method of producing the same and the power conversion apparatus employing the same

Номер патента: US5324967A. Автор: Susumu MURAKAMI,Hideo Honma,Yukimasa Satou,Kenji Yagishita,Tsutomu Yatsuo,Isamu Sanpei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

GaN type semiconductor device

Номер патента: US6100545A. Автор: Jun Ito,Naoki Shibata,Shizuyo Noiri,Toshiaki Chiyo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Light emitting semiconductor device using nanocrystals

Номер патента: US6157047A. Автор: Atsushi Kurobe,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US5053847A. Автор: Shinichi Ito,Jiro Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-10-01.

Semiconductor device including mos field-effect transistor

Номер патента: EP1198011A1. Автор: Kazuhisa Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-04-17.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230317712A1. Автор: Kaku IGARASHI. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10770473B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Joon-Hee Lee,Jae-Duk Lee,Sung-Yun Lee,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-08.

Vertical type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060273351A1. Автор: Takaaki Aoki,Takeshi Fukazawa,Yoshifumi Okabe,Kimiharu Kayukawa,Shoji Ozoe,Tomofusa Shiga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Trench type Schottky junction semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9159562B2. Автор: Natsuki Yokoyama,Kumiko Konishi,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-10-13.

High withstand voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003699A1. Автор: Kazuo Matsuzaki,Hitoshi Fujiwara,Yasuharu Mikoshiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Nitride-type semiconductor element and process for production thereof

Номер патента: US20120168811A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Ryou Kato,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Silicon on insulator integrated high-current N type combined semiconductor device

Номер патента: US8754442B2. Автор: Shengli Lu,Longxing Shi,Weifeng Sun,Qinsong Qian,Changlong Huo. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140167159A1. Автор: Yasuhiro Takeda,Shinya Inoue,Yuzo Otsuru. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US8558393B2. Автор: Hiroshi Kuroda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8198697B2. Автор: Takeshi Fujii,Hitoshi Abe,Seiji Momota. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-12.

Semiconductor device with corner tie bars

Номер патента: US20150014831A1. Автор: Boon Yew Low,Ly Hoon Khoo,Weng Hoong Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Vacuum channel field effect transistor, producing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20210375571A1. Автор: Yoshiyuki Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertical type semiconductor device

Номер патента: US20100109079A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Vertical type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7420246B2. Автор: Takaaki Aoki,Takeshi Fukazawa,Yoshifumi Okabe,Kimiharu Kayukawa,Shoji Ozoe,Tomofusa Shiga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor device full-wave rectifier circuit and half-wave rectifier circuit

Номер патента: US20060131661A1. Автор: Yoshiyuki Fukuda,Hiroshi Saito,Tsutomu Nakazawa,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20080251811A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Pin junction photovoltaic element with p or n-type semiconductor layercomprising non-single crystal material containing zn, se, h in an amount of 1 to 4 atomic % and a dopant and i-type semiconductor layer comprising non-single crystal si(h,f) material

Номер патента: CA1299716C. Автор: Yasushi Fujioka,Masahiro Kanai,Katsumi Nakagawa,Kozo Arao,Akira Sakai,Shunichi Ishihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

n-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE, AND PRODUCT TAG

Номер патента: US20220158098A1. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US8698192B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Method for preparing a p-type semiconductor layer, enhanced device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143264A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Vertical cavity-type semiconductor light-emitting device and optical module using vertical cavity -type semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020038869A1. Автор: Keiji Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Vertical type light emitting diode having groove disposed under the first conductivity type semiconductor layer

Номер патента: US10290769B2. Автор: Joon Hee Lee,Jong Kyun You,Chang Yeon Kim,Ju Yong Park,Mi Hee Lee. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-14.

Surface emission type semiconductor laser

Номер патента: US5537666A. Автор: Hideaki Iwano,Katsumi Mori,Takayuki Kondo,Tatsuya Asaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, THERMOELECTRIC CONVERSION LAYER, THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE, AND COMPOSITION FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20190140156A1. Автор: Hiroki Sugiura,Kimiatsu Nomura,Yoshinori Kanazawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Fan-out type semiconductor package

Номер патента: US11721620B2. Автор: Jeongseok Kim,Myungsam Kang,Bongju Cho,Youngchan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

High withstand voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5804864A. Автор: Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor

Номер патента: US4011653A. Автор: Norio Kobayashi,Taketoshi Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20040256678A1. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Flip chip type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137057A1. Автор: Hirokazu Honda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20230317836A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Package-on-package type semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US10068881B2. Автор: Heungkyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-04.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US20220069244A1. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-03.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US11575093B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US8692309B2. Автор: Masayuki Terai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Package-on-package type semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20170194299A1. Автор: Heungkyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20050127450A1. Автор: Toshihiko Uno,Yasuhiro Takehana. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Stack-type semiconductor package

Номер патента: US20140246788A1. Автор: Keung Beum Kim,Yonghoon Kim,Inho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20100025755A1. Автор: Masayuki Terai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20120286347A1. Автор: Masayuki Terai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186968A1. Автор: Takeshi Kishida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240257751A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kouhei Toyotaka,Yuto Yakubo,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices with flexibility in capacitor design for power noise reduction

Номер патента: EP4084065A1. Автор: Chang Liang,Jinghao Chen,Yung-Ching Chen,Zhigang Duan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US20220238356A1. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240266238A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US12106975B2. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249368A1. Автор: Meng-Wei Hsieh,Kuo-Chang KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Insulated electrical inductor and insulated sealing arrangement thereof

Номер патента: WO2018037029A3. Автор: Michael Feller,Jim CLAERBOUT. Владелец: Danfoss Power Electronics A/S. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Integrated insulator seal and shield assemblies

Номер патента: US20210391102A1. Автор: Jeffrey Miller BUTLER,John Michael Schonewolf,Benjamin Joseph Ratliff,Anthony Michael Seaman. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing p-type region and its manufacture method

Номер патента: US20140017841A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Hisao Sudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Optical semiconductor device

Номер патента: US09564737B2. Автор: Go Sakaino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Optical semiconductor device

Номер патента: US12027822B2. Автор: Atsushi Nakamura,Ryosuke Nakajima,Shigetaka Hamada,Ryu Washino,Masatoshi Arasawa,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor ceramic and multilayered-type semiconductor ceramic capacitor

Номер патента: US20080248286A1. Автор: Mitsutoshi Kawamoto,Shinsuke Tani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Magnetic inductive semiconductor device

Номер патента: US3560806A. Автор: Shoei Kataoka,Hiroyuki Fujisada,Hideo Yamada,Shosan Iida. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1971-02-02.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150063391A1. Автор: Tatsuya Takeuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Array type semiconductor laser device

Номер патента: US20230054731A1. Автор: Masayuki Hata,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-02-23.

Surface light-emission type semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4047761A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Optical semiconductor device with a current blocking structure and method for making the same

Номер патента: US6134368A. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230402822A1. Автор: Ci-Ling Pan,Chi-Luen Wang,Hung-Sheng Lee,Li-Chang Tsou,Tzu-Neng Lin. Владелец: Turning Point Lasers Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase-shifted distributed feedback type semiconductor laser diode capable of improving wavelength chirping and external reflection return light characteristics and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030132451A1. Автор: Yidong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Bilateral cooling type semiconductor laser system for medical beauty use

Номер патента: US09510907B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Optical semiconductor device

Номер патента: US10374388B2. Автор: Eiji Nakai,Naoki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20180034238A1. Автор: Eiji Nakai,Naoki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Optical semiconductor device

Номер патента: US4907055A. Автор: Hidetoshi Shinada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-06.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20230327405A1. Автор: Naoki Nakamura,Keisuke Matsumoto,Ryoko Suzuki,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Optical semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20240128724A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Kazuyuki Onoe,Yohei HOKAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20160211650A1. Автор: Go Sakaino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Ridge-type semiconductor laser element fabrication method

Номер патента: US20050084997A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-04-21.

Socket apparatus particularly adapted for land grid array type semiconductor devices

Номер патента: US20030060073A1. Автор: James Forster,Scott Leavitt,Andrew Houbre. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Sealed-type battery

Номер патента: US20180145307A1. Автор: Tomohiro Ono,Yoichi Naruse,Yuta Nemoto,Naoto Kagami,Toshinori Okura,Tomotaka Hagino,Kaito Matsubara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Sealed type lead acid battery

Номер патента: US20020039678A1. Автор: Naoki Higa. Владелец: Japan Storage Battery Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Socket for testing a plug-in type semiconductor

Номер патента: US5170117A. Автор: Chuy-Nan Chio. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-08.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Current Protection-Type Semiconductor Device

Номер патента: US20240322558A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Use of a preparation for insulation/sealing and coating purposes and method for sealing manhole covers

Номер патента: CA2180199C. Автор: Franciscus Petrus Nooren. Владелец: Frans Nooren Afdichtingssystemen BV. Дата публикации: 2008-11-18.

Fused thiophene molecule and p-type semiconductor film and electronic device

Номер патента: US12091421B2. Автор: Masaru Sasago,Hideyuki Arai,Nobuyuki Matsuzawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device utilizing pulse generating semiconductor device

Номер патента: GB1319981A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1973-06-13.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US10305362B2. Автор: Hiroyuki Nakajima,Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US5502327A. Автор: Motohisa Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5677220A. Автор: Akira Asai,Masanori Fukumoto,Tomofumi Shono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-14.

Vertical nand flash type semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20240046080A1. Автор: Jong Ho Lee,Jong Won Back. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Silver-containing p-type semiconductor

Номер патента: WO2006036444A2. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Kuei-Fang Hsu. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-04-06.

Silver-containing p-type semiconductor

Номер патента: EP1794818A2. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Kuei-Fang Hsu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2007-06-13.

Silver-containing p-type semiconductor

Номер патента: CA2578214A1. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Kuei-Fang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Sealed and thermally insulating tank having anti-convection insulating seals

Номер патента: US12038136B2. Автор: Charles Gimbert,Bruno Deletre,Jean-Damien Capdeville,Vincent LORIN,Jean-Yves Le Stang,Edouard BRUGIERE. Владелец: Gaztransport et Technigaz SA. Дата публикации: 2024-07-16.

Bulkhead vibration insulating seal

Номер патента: RU2712535C1. Автор: Михаил Васильевич Куклин,Игорь Евгеньевич Горбунцов. Владелец: Акционерное общество "Производственное объединение "Северное машиностроительное предприятие". Дата публикации: 2020-01-29.

Beverage cup insulating seal member and associated insulated beverage cup assembly

Номер патента: US09585501B1. Автор: L. Robert Hamelink,Andrew Ruiter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Heat-insulating sealed tank

Номер патента: RU2758743C1. Автор: Микаел ХЕРРИ,Пьер ЖАН. Владелец: Газтранспорт Эт Технигаз. Дата публикации: 2021-11-01.

Method for placing semiconductor devices in consideration of distance information from macro device

Номер патента: US20240249060A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Heat-Insulating Sealing Device

Номер патента: US20090174155A1. Автор: A-Tzu Chen,Ming-Hui Yu,Chia-Jung Kao. Владелец: Tangteck Equipment Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Optical semiconductor device

Номер патента: US09690122B2. Автор: Makoto Okano,Masahiko Mori,Toshihiro Kamei,Youichi Sakakibara,Ryohei Takei. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device module

Номер патента: AU2012227357A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for the Selective Deposition of Germanium Nanofilm on a Silicon Substrate and Semiconductor Devices Made Therefrom

Номер патента: US20090302426A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,Narsingh Bahadur Singh,Andre Berghmans,David J. Knuteson,David Kahler,Anthony A. Margarella. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US10416481B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Method and apparatus for testing BGA-type semiconductor devices

Номер патента: US6924656B2. Автор: Chiaki Matsumoto. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180341165A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masaru Wakabayashi,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Polygon-type semiconductor detector for use in high-speed X-ray CT, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020123187A1. Автор: Masaki Misawa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2002-09-05.

Dynamic type semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050213395A1. Автор: Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Double-sealing type apparatus for collecting spray freeze ice ball particles and collecting method thereof

Номер патента: US20180073807A1. Автор: Jie Xiao,Xiaodong Chen,Shengyu ZHANG,Zhangxiong WU,Duo WU,Zhenkai LIAO. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-15.

Sealed type windshield wiper structure

Номер патента: US12043219B2. Автор: Che-Wei Chang,Chuan-Chih Chang,Cheng-Kai YANG. Владелец: Danyang UPC Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Liquid sealing type body mount

Номер патента: US20020038938A1. Автор: Hiroyuki Takabayashi,Naoki Yamaguchi,Yoshitaka Ishimoto. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Sealed type windshield wiper structure

Номер патента: US11766996B1. Автор: Che-Wei Chang,Chuan-Chih Chang,Cheng-Kai YANG. Владелец: Danyang UPC Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Imaging apparatus and process of forming image with electrophotographic photoreceptor having protective layer containing particulate P-type semiconductor

Номер патента: US09869942B2. Автор: Toshiyuki Fujita,Keiichi Inagaki,Daisuke Kodama,Kazuteru Ishizuka,Mari Ueda. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Easy opening plastic bag pack of the star-seal type

Номер патента: CA2271342C. Автор: Harry B. Wilfong, Jr.. Владелец: Sonoco Development Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for producing core/shell-type semiconductor nanoparticles, and semiconductor nanoparticle composite

Номер патента: EP4389700A1. Автор: Takeshi Yoshimura,Makoto Kido,Hirokazu Sasaki,Takafumi Moriyama,Yuko Mitsuka,Mako Nakamura. Владелец: Shoei Chemical Inc . Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Heat-insulating sealed wall of reservoir made of polymeric composite materials for compressed natural gas

Номер патента: RU2526870C1. Автор: Николай Николаевич Федонюк,Валерий Михайлович Шапошников,Андрей Владимирович Задумов,Анатолий Евгеньевич Рыжкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Charge storage type semiconductor device and method for producing same

Номер патента: CA1149952A. Автор: Masaharu Watanabe,Nobuo Suzuki,Hirokazu Sekine,Katuhiko Morimune. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2303314C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Metal semiconductor device

Номер патента: RU2559161C1. Автор: Василий Иванович Юркин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.