Sectional field effect devices and method of fabrication
Номер патента: TW200520222A
Опубликовано: 16-06-2005
Автор(ы): Bruce B Doris, Jakub Tadeusz Kedzierski, Meikei Leong, Thomas Safron Kanarsky, Ying Zhang
Принадлежит: Ibm
Опубликовано: 16-06-2005
Автор(ы): Bruce B Doris, Jakub Tadeusz Kedzierski, Meikei Leong, Thomas Safron Kanarsky, Ying Zhang
Принадлежит: Ibm
Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same
Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.