Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 混合自旋转移矩磁性随机存取存储器(h-stt-mram)

混合自旋转移矩磁性随机存取存储器(h-stt-mram)

Номер патента: CN112652339A
Опубликовано: 13-04-2021
Автор(ы): 张瑞华, 霍素国
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetoresistive random access memory (MRAM) die including a magnetic field sensing structure

Номер патента: US09923025B2. Автор: Romney R. Katti,Bryan C. Westberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Spin orbit torque magnetic resistance type random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109698267B. Автор: 罗军,许静,李俊峰,杨美音,李彦如,杨腾智. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-09-27.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: WO2018038849A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: EP3504711A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: US20180061467A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Ultra-fast magnetic random access memory having a composite sot-mtj structure

Номер патента: US20210328134A1. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Spin transfer torque magnetic tunnel junction with off-centered current flow

Номер патента: US09853205B1. Автор: Rolf Allenspach,Anthony J. Annunziata,Daniel C. Worledge,See-Hun Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20090166773A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-07-02.

Spin-orbit torque magnetic random access memory circuit and layout thereof

Номер патента: US20230282261A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Jia-Rong Wu,Jen-Yu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Spin transfer torque magnetoresistive random access memory and design methods

Номер патента: CA2680752C. Автор: Seung H. Kang,Seong-Ook Jung,Mehdi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-26.

Design of spin-orbit torque magnetic random access memory

Номер патента: WO2019106436A1. Автор: Yin Zhang,Xiangrong Wang,Huaiyang YUAN. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-06.

Spin transfer torque magnetoresistive random access memory and design methods.

Номер патента: MX2009010756A. Автор: Seung H Kang,Seong-Ook Jung,Mehdi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20140127831A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

System and method for reducing critical current or magnetic random access memory

Номер патента: US20090046497A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Xiu Ye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Spin-orbit torque magnetic memory array and fabrication thereof

Номер патента: WO2020131893A3. Автор: Satoru Araki. Владелец: Spin Memory, Inc.. Дата публикации: 2020-07-30.

Deterministic voltage-controlled magnetic anisotropy (vcma) mram with spin-transfer torque (stt) mram assistance

Номер патента: US20230298646A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic random access memory, and write method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080225577A1. Автор: Toshihiko Nagase,Yoshiaki Asao,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US11963462B2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetically doped spin orbit torque electrode for perpendicular magnetic random access memory

Номер патента: US20200006636A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Gary Allen,Dmitri Nikonov,Kevin O?BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US20230301198A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Function switchable magnetic random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US11972786B2. Автор: Yu Sheng,Kaiyou Wang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Low variability reference parameter generation for magnetic random access memory

Номер патента: US20210193204A1. Автор: Akhilesh Jaiswal,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240177756A1. Автор: Hsin-Han Lee,Yu-Chen Hsin,Jeng-Hua Wei,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Thermally-assisted spin transfer torque memory with improved bit error rate performance

Номер патента: US09911483B1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Perpendicular spin transfer torque mram memory cell with in-stack thermal barriers

Номер патента: WO2020256777A1. Автор: Goran Mihajlovic,Tiffany Santos,Michael Grobis. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Combined spin-orbit torque and spin-transfer torque switching for magnetoresistive devices and methods therefor

Номер патента: WO2020023492A1. Автор: SHIMON,Jijun Sun,Han-Jong Chia. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

One transistor one magnetic tunnel junction multiple bit magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US12108610B2. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Magnon junction, magnon random access memory, magnon microwave oscillator and detector, electronic device

Номер патента: US20240274177A1. Автор: Tianyi Zhang,Wenqing He,Xiufeng Han,Leina JIANG. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

VERTICAL SPIN TRANSFER TORQUE MRAM STORAGE CELL

Номер патента: DE102019134288A1. Автор: Jui-Lung Li,Goran Mihajlovic,Tiffany Santos. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory with integrated diode

Номер патента: US11915734B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Decreased switching current in spin-transfer torque memory

Номер патента: EP2901454A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11793001B2. Автор: Oscar van der Straten,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: GB2624142A. Автор: Hashemi Pouya,Worledge Daniel,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: US12020736B2. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,John Kenneth Debrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Direct measurement test structures for measuring static random access memory static noise margin

Номер патента: US20200319243A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Mark Yao. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-08.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4240131A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory with domain wall

Номер патента: US7525862B1. Автор: Jonathan Z. Sun,Rudolf M. Tromp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US9047969B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Compound cell spin-torque magnetic random access memory

Номер патента: US20110110147A1. Автор: Thomas William Clinton,Werner Scholz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Spin-orbit torque and spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory stack

Номер патента: US12016251B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Spin transfer torque - magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: EP2436010A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US11942130B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282260A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Spin transfer torque random access memory

Номер патента: US8873280B2. Автор: Chung-Lin Huang,Tzung Han Lee,Ron Fu Chu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US20150006997A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional funnel-like spin transfer torque MRAM cell with a non-uniform thicknesses in each layer

Номер патента: US11917835B2. Автор: Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US20070223269A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Error recovery in magnetic random access memory after reflow soldering

Номер патента: US20200310930A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic random access memory and method of reducing critical current of the same

Номер патента: US20080205123A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Hsiu Ye. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2008-08-28.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Low power magnetic random access memory cell

Номер патента: US09886989B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Clarisse Ducruet,Celine Portemont. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US7511991B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Magnetic Random Access Memory Devices Including Multi-Bit Cells

Номер патента: US20120314487A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Lucian Prejbeanu,Guillaume Prenat,Lucien Lombard,Ricardo Alves Ferreira Costa E Sousa. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Stack with a high tunneling magnetoresistance ratio for a magnetic random access memory device

Номер патента: US20240290368A1. Автор: Robert Carpenter,Kiroubanand Sankaran,Xiaoyu Piao,Sofie MERTENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075631B2. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373649A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Equi-potential sensing magnetic random access memory (MRAM) with series diodes

Номер патента: US20040088471A1. Автор: James Eaton,Lung Tran,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20240062794A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20200098408A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US11842757B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1073062A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Write current reduction in spin transfer torque memory devices

Номер патента: US09754996B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Dmitri E. Nikonov,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Magnetic random-access memory

Номер патента: US11991933B2. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Daoqian Zhu,Zongxia GUO,Shouzhong PENG. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-21.

Perpendicular magnetic random-access memory (mram) formation by direct self-assembly method

Номер патента: US20160118577A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Chern-Yow Hsu,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

System and method to manufacture magnetic random access memory

Номер патента: EP2471098A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Kang,Ken Lee,Hari M. Rao,Sean Li,Matt M. Nowak,Robert J. Walden. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

High temperature data retention in magnetoresistive random access memory

Номер патента: WO2016057063A1. Автор: Jon Slaughter,Jason Allen Janesky. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-04-14.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11864466B2. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for recording of information in magnetic recording element and method for recording of information in magnetic random access memory

Номер патента: EP2206119A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Magnetic random access memory

Номер патента: US9548097B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Manufacturing method of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190139959A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Magnetic tunnel junction (mtj) devices with heterogeneous free layer structure, particularly suited for spin-torque-transfer (stt) magnetic random access memory (mram) (stt mram)

Номер патента: WO2017078877A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic random access memory (mram) with enhanced magnetic stiffness and method of making same

Номер патента: US20120148735A1. Автор: Yuchen Zhou. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Programmable logic sensing in magnetic random access memory

Номер патента: WO2013049186A1. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Tae Hyun Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-04-04.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190393265A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230269951A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265424A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200152701A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Write operations in spin transfer torque memory

Номер патента: US09978432B2. Автор: Helia Naeimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Write current reduction in spin transfer torque memory devices

Номер патента: US20140299953A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Dmitri E. Nikonov,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Spin-transfer torque magnetoresistive memory device with a free layer stack including multiple spacers and methods of making the same

Номер патента: US20210065761A1. Автор: Neil Smith,Tiffany Santos. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09882123B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Techniques for forming spin-transfer torque memory having a dot-contacted free magnetic layer

Номер патента: US09882121B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Techniques for forming spin-transfer torque memory (STTM) elements having annular contacts

Номер патента: US09779794B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Spin-transfer torque memory self-reference read and write assist methods

Номер патента: US7813168B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Yiran Chen,Wenzhong Zhu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-12.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetoresistive random access memory with data scrubbing

Номер патента: US20240087630A1. Автор: Heng Wu,Eric Raymond EVARTS,Krishna Thangaraj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

System architecture, structure and method for hybrid random access memory in a system-on-chip

Номер патента: US20240172456A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: WO2013090762A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: EP2791940A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: EP4334979A1. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20110012179A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with end of life margin sensor

Номер патента: US12094510B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy,Thomas Stephen Harp. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Destructive reads from spin transfer torque memory under read-write conditions

Номер патента: US20170092346A1. Автор: Helia A. Naeimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US20220013158A1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005807A1. Автор: Baeseong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Error rate reduction in a non-volatile memory (NVM), including magneto-resistive random access memories (MRAMS)

Номер патента: US11755411B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Destructive reads from spin transfer torque memory under read-write conditions

Номер патента: US9892775B2. Автор: Helia A. Naeimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: WO2016144609A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive random access device

Номер патента: US20240164220A1. Автор: Gawon LEE,Byoungjae Bae,Seungpil KO,Hyungjong Jeong,Manjin EOM,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Error rate reduction in a non-volatile memory (nvm), including magneto-resistive random access memories (mrams)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Destructive reads from spin transfer torque memory under read-write conditions

Номер патента: US20170213583A1. Автор: Helia A. Naeimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: EP3268967A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170170234A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Ki-Seok SUH,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Ground level precharge bit line scheme for read operation in spin transfer torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: CA2702487A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon. Владелец: Sei Seung Yoon. Дата публикации: 2009-04-23.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Data write in control circuit for toggle magnetic random access memory

Номер патента: US20090010087A1. Автор: Young-Shying Chen,Chien-Chung Hung,Chia-Pao Chang,Chung-Chih Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-08.

Programming method of magnetic random access memory

Номер патента: US7508702B2. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Reading methods and reading architectures for reading magnetic random access memory cells

Номер патента: TW201314684A. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2013-04-01.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: US20130121066A1. Автор: Xia Li,Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A3. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A2. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20140328117A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Magnetic random access memory

Номер патента: WO2006112049A1. Автор: Tsuneo Inaba,Yuui Shimizu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Spin-transfer torque memory non-destructive self-reference read method

Номер патента: EP2297737A1. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Hongyue Liu,Ran Wang,Dimitar Dimitrov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-03-23.

Spin-transfer torque memory self-reference read method

Номер патента: US20130215674A1. Автор: Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Hongyue Liu,Henry F. Huang,Kang Yong Kim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-22.

Test device and test method for resistive random access memory and resistive random access memory device

Номер патента: US20110019492A1. Автор: Kazushige Kanda,Kazuaki Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Resistance-based random access memory

Номер патента: US20140211537A1. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Non-destructive self-reference spin-transfer torque memory

Номер патента: US20130188420A1. Автор: Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Hongyue Liu,Ran Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-25.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Non-volatile magnetic random access memory

Номер патента: US5289410A. Автор: Jiin-Chuan Wu,Henry L. Stadler,Romney R. Katti. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-02-22.

Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof

Номер патента: US5732016A. Автор: Saied N. Tehrani,Eugene Chen,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Magneto-resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050036399A1. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Wan-jun Park,I-hun Song,Taek-Dong Lee,Byeong-kook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Magnetic film, multilayer magnetic film, method and mechanism of magnetization inversion of magnetic film, and magnetic random access memory

Номер патента: US20050047262A1. Автор: Takashi Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Magnetic random access memory and data read method thereof

Номер патента: EP1434231A3. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Magnetic non-volatile random access memory

Номер патента: US5396455A. Автор: Michael J. Brady,Richard J. Gambino,Lia Krusin-Elbaum,Ralph R. Ruf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Cross tie random access memory

Номер патента: US4803658A. Автор: Elizabeth H. Grimes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1989-02-07.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: EP3304562A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Adaptive control circuit of static random access memory

Номер патента: US12087355B2. Автор: Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A2. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-06-27.

Static random access memory unit cell structure and static random access memory unit cell layout structure

Номер патента: US20140241027A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Shu-Ru Wang,Po-Chao Tsao,Chia-Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20220365888A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20210357335A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: US20240194253A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2016191046A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: EP3186831A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: WO2016032642A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Memcapacitor, programming method for memcapacitor and capacitive random access memory

Номер патента: US20200143864A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Static random access memory cell and method

Номер патента: US20020085409A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Pulse generating circuit for dynamic random access memory device

Номер патента: US6114891A. Автор: Dae Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1297532A2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A3. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-08-02.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Layout pattern for static random access memory

Номер патента: US09780099B1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shu-Wei Yeh,Chih-Ming Su,Zhi-Xian Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Monostable memory cell and random access memory utilizing the same

Номер патента: CA1104721A. Автор: Kazumasa Shiga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-07.

Carrier injection dynamic random access memory having stacked depletion region in Mesa

Номер патента: US5321285A. Автор: Stanley N. Protigal,Ruojia Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-06-14.

Random access memory apparatus

Номер патента: US4794566A. Автор: John W. Richards,Derek P. Allsop. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-12-27.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: CA2573147C. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2013-03-26.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

A dynamic random access memory (dram) structure with adaptive body bias voltage depending on temperature limit

Номер патента: WO2021050020A1. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-03-18.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11800696B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: WO2006014558A9. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2007-03-08.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: US20090085787A1. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2009-04-02.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: WO2006014558A3. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2006-06-15.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: US20060017593A1. Автор: Michael Anthony,Lawrence Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2006-01-26.

Memory device for a dynamic random access memory

Номер патента: US20180102365A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-12.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3727196A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Layer structure of a memory cell for a dynamic random access memory device and method for producing the same

Номер патента: US4910566A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-03-20.

Nonvolative random access memory device

Номер патента: CA2124355C. Автор: John W. Palmour,Calvin H. Carter, Jr.,James A. Cooper, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-01-25.

Three-Dimensional Ferroelectric Random-Access Memory (FeRAM)

Номер патента: US20210020659A1. Автор: Yung-Tin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional ferroelectric random-access memory (feram)

Номер патента: US20200357822A1. Автор: Yung-Tin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-12.

Three-dimensional ferroelectric random-access memory (feram)

Номер патента: WO2020231848A1. Автор: Yung-Tin Chen. Владелец: Chen Yung Tin. Дата публикации: 2020-11-19.

Static random access memory including assist circuit

Номер патента: US20190027213A1. Автор: Ju Hyun PARK,Seong Ook Jung,Se Hyuk OH,Han Wool JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-01-24.

Phase random access memory with high density

Номер патента: US7838862B2. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20230253037A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Radiation hardened six transistor random access memory and memory device

Номер патента: AU4331899A. Автор: Robert C. Bertin. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 1999-12-20.

Static random access memory devices

Номер патента: WO2013150260A2. Автор: . Владелец: Silicon Basis Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Software programmable logic using spin transfer torque magnetoresistive devices

Номер патента: CA2680132C. Автор: Seung H. Kang,Lew G. Chua-Eoan,Matthew Michael Norwak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Spin-transfer torque type injection locking oscillator and design method thereof

Номер патента: US9407202B2. Автор: Chulsoon Park,Seongjun Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-08-02.

Spin-transfer torque type injection locking oscillator and design method thereof

Номер патента: US20150303873A1. Автор: Chulsoon Park,Seongjun Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-10-22.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: AU2011245710B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Alkali metal hybrid spin-exchange optical pumping

Номер патента: EP1015086A4. Автор: William Happer,Gordon D Cates Jr,Mikhail V Romalis,Christopher J Erickson. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-11-17.

Alkali metal hybrid spin-exchange optical pumping

Номер патента: EP1015086A2. Автор: Gordon D. Cates, Jr.,William Happer,Mikhail V. Romalis,Christopher J. Erickson. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-07-05.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: CN112599557A. Автор: 王裕平,朱中良,陈昱瑞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-02.

Vertical nano-size magneto random access memory using carbon nanotubes and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20020060331A. Автор: 최원봉,석중현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-07-18.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11805658B2. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380182A1. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: WO2010002634A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: EP2311071A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09786136B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734890B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cell Storage Configuration

Номер патента: US20090316505A1. Автор: Manoj Sachdev,Shah M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Random access memory data resetting method

Номер патента: US20090168579A1. Автор: Shu-Liang Nin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Global data line of multi-array synchronous random access memory (sram)

Номер патента: US20230352062A1. Автор: Bin Xie,Hee Choul PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and apparatuses to reduce power dissipation in a static random access memory (sram) device

Номер патента: US20190147943A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU,Kumar Shuvadeep. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Method and apparatus for testing error correcting code (ecc) function of fpga on-chip block random access memory (bram)

Номер патента: US20240275406A1. Автор: NIU Li,YUE Han,Zheng Wang,Qi Zhou,Yunjie Fan,Jingxiang Wang,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Static Random Access Memory Cell

Номер патента: US20130107609A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Lai-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-05-02.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Data sensing method for dynamic random access memory

Номер патента: US20090323433A1. Автор: Ling Wen Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US20210158850A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Layout einer static random access memory-zelle

Номер патента: DE102016117043B4. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347105A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US12040017B2. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09805788B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09773791B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Refresh cell for a random access memory

Номер патента: US4805152A. Автор: Grigory Kogan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television

Номер патента: CA2082133C. Автор: Paul Shen,Edward A. Krause,Woo H. Paik. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: WO2015081056A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Random access memory and method of adjusting read timing thereof

Номер патента: US20150117127A1. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3757998A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US20230343405A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-26.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

System and method for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: US20240185907A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-modal refresh of dynamic, random-access memory

Номер патента: US12001697B2. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-04.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: EP4204950A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Static random access memory structure and control method thereof

Номер патента: US20130028006A1. Автор: Chun-Yu Chiu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Random access memory

Номер патента: US20240144994A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ming-Hsiu Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Ferroelectric random access memory (feram) array with segmented plate lines

Номер патента: WO2018081403A1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: AUCMOS Technologies USA, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Static random access memory

Номер патента: US20210287740A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Static random access memory (sram) array power supply circuit

Номер патента: US20190035435A1. Автор: Chia Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang,Dong Xiang LUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Low power static random access memory

Номер патента: EP2948955A1. Автор: Micky Harris,Wasim Khaled. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-12-02.

Magnetoresistive random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074209A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Dynamic random access memory cell

Номер патента: US20020181271A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Static random access memory

Номер патента: US20080137398A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Chih Yeh,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Yi-Hsun Chung,Gia-Hua Hsieh. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20240331772A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for selective static random-access memory partition initialization

Номер патента: US12046275B2. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen Kumar Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Ferroelectric random access memory (FeRAM) array with segmented plate lines that are electrically-isolated from each other

Номер патента: US09972374B1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: Aucmos Technologies USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Static random access memory (SRAM) device for improving electrical characteristics and logic device including the same

Номер патента: US09935204B2. Автор: Dong-won Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Synchronous random access memory (SRAM) chip and two port SRAM array

Номер патента: US09911486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Hidden refresh control in dynamic random access memory

Номер патента: US09761297B1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High speed mos random access memory

Номер патента: US3706975A. Автор: Robert J Paluck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-12-19.

Dynamic random access memory and method for writing data thereto

Номер патента: US5014245A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama,Kazuyoshi Muroka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Dynamic random access memory refresh control system

Номер патента: CA1213675A. Автор: Ronald P. Kappeler,Robert C. Hughes. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-11-04.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: WO2020220280A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Shift register latch with embedded dynamic random access memory scan only cell

Номер патента: US20090010077A1. Автор: Vikas Agarwal,Sam Gat-Shang Chu,Saiful Islam,Philip George Shephard, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Fast column access memory

Номер патента: CA1241445A. Автор: Howard C. Kirsch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Dynamic random access memory device having static column mode of operation without destruction of data bit

Номер патента: US5295099A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Resistive random access memory with electric-field strengthened layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US9099178B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Peng Zhou,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-04.

Hiding error detecting/correcting latency in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US20040223395A1. Автор: Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US20240081036A1. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Self-storing and self-restoring non-volatile static random access memory

Номер патента: US20160284406A1. Автор: Shigeki Tomishima,Robert S. Chau,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Elijah V. Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: EP4266313A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-25.

Static random access memory device

Номер патента: US11875844B2. Автор: Younghwan Park,Sang-Yeop BAECK,Jaesung CHOI,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20190051335A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US10127976B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-13.

Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same

Номер патента: US11900987B2. Автор: Mohit Gupta,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-13.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and apparatus for accessing banked embedded dynamic random access momory devices

Номер патента: US20030005211A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US11915779B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Resistive memory subcell, resistive random access memory for in-memory-computing and in-memory-processor

Номер патента: EP4345823A1. Автор: Gerhard Kahmen,Marc REICHENBACH,Max Uhlmann,Philip Ostrovskyy,Markus Fritscher. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2024-04-03.

Static random access memory with a supplementary driver circuit and method of controlling the same

Номер патента: US11205475B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Random access memory including first and second voltage sources

Номер патента: US20070070683A1. Автор: Norbert Rehm,Dirk Fuhrmann,Rob Perry,Jan Zieleman,Rath Ung. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-29.

Layout pattern of static random access memory and the forming method thereof

Номер патента: US20240161818A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yu-Fang Chen,Tzu-Feng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamic random-access memory and operation method thereof

Номер патента: US20230135869A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Priority adjustment of dynamic random access memory (dram) transactions prior to issuing a per-bank refresh for reducing dram unavailability

Номер патента: WO2015167754A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-05.

Combined Write Assist and Retain-Till-Accessed Memory Array Bias

Номер патента: US20110261632A1. Автор: Vinod Menezes,Michael Patrick Clinton,Lakshmikantha V. Holla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Random access memory including nanotube switching elements

Номер патента: EP1792149A4. Автор: Thomas Rueckes,Claude L Bertin,Brent M Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2009-05-20.

Random access memory including nanotube switching elements

Номер патента: EP1792149A2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Brent M. Segal. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20180261277A1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: US20240055040A1. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2024-02-15.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20220093172A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20200273519A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory chip including control logic circuit with dynamic random-access memory and memory device including memory chips

Номер патента: US12016183B2. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of and apparatus for improved dynamic random access memory (dram) providing increased data bandwidth and addressing range for current dram devices and/or equivalent bandwidth and addressing range for smaller dram devices

Номер патента: CA2159953A1. Автор: Mukesh Chatter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-04-08.

MOSFET Random access memory chip

Номер патента: US4477739A. Автор: Robert J. Proebsting,Paul R. Schroeder. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Sense line charging system for random access memory

Номер патента: US4110840A. Автор: Kichio Abe,William L. Martino, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1978-08-29.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US8619459B1. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Junction field effect dynamic random access memory cell and content addressable memory cell

Номер патента: WO2008144227A1. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-27.

High-speed refreshing rechnique for highly-integrated random-access memory

Номер патента: US4819207A. Автор: Koji Sakui,Shigeyoshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Random access memory dual word line recovery circuitry

Номер патента: CA1177910A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells

Номер патента: US7369451B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20110128796A1. Автор: Hung-Yu Li,Wei Hwang,Jihi-Yu Lin,Ching-Te Chuang,Ming-Hsien Tu,Shyh-Jye Jou,Hao-I Yang,Shyh-Chyi Yang,Kun-Ti Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Green Transistor for Resistive Random Access Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110063888A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Method and apparatus for refreshing a selected portion of a dynamic random access memory

Номер патента: US5469559A. Автор: David S. Register,Terry J. Parks. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1995-11-21.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Dynamic random access memory

Номер патента: US6381186B1. Автор: Junichi Okamura,Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Coincident activation of pass transistors in a random access memory

Номер патента: US5384730A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Low-power static random access memory

Номер патента: WO2022269493A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether Ai Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Ferroelectric random access memory device and method for operating read and write thereof

Номер патента: US11790971B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-17.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: EP3311387A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

In-memory computing using a static random-access memory (sram)

Номер патента: US20210327495A1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Akhilesh Patil. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230420040A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-Dimensional Static Random Access Memory Device Structures

Номер патента: US20200388623A1. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Parity data in dynamic random access memory (dram)

Номер патента: US20220197737A1. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Dynamic Adjustment of Word Line Timing in Static Random Access Memory

Номер патента: US20230352082A1. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20240021237A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11818966B2. Автор: Chun-Hao Wang,Yu-Ru Yang,Chung Yi Chiu,Yi Yu Lin,Po Kai Hsu,Ju Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Runtime post package repair for dynamic random access memory

Номер патента: US20210311818A1. Автор: Vincent Zimmer,Anil Agrawal,Dujian WU,Shijian Ge,Zhenglong Wu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Random access memory and refresh controller thereof

Номер патента: US20130155782A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Resistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005868A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3821717A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1974-06-28.

Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source

Номер патента: WO2010026500A1. Автор: Roelof Herman Willem Salters. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-03-11.

Dynamic random access memory-based content-addressable memory (dram-cam) architecture for exact pattern matching

Номер патента: US20230385258A1. Автор: Kevin Skadron,Lingxi Wu. Владелец: University of Virginia UVA. Дата публикации: 2023-11-30.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11955170B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Dynamic adjustment of wordline timing in static random access memory

Номер патента: US11935587B2. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method and apparatus for forming a contact in a cell of a resistive random access memory to reduce a voltage required to program the cell

Номер патента: US20140104928A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Resistive random access memory and method of preparing the same

Номер патента: US20240023469A1. Автор: Xiaoyan Li,Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A3. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A2. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: EP3639265A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Low latency dynamic random access memory (dram) architecture with dedicated read-write data paths

Номер патента: EP4385017A1. Автор: Thomas Vogelsang,Christopher Haywood,Brent Haukness,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory control circuit and refresh method for dynamic random access memory array

Номер патента: US20240087635A1. Автор: Shu-Wei Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Dynamic Adjustment of Wordline Timing In Static Random Access Memory

Номер патента: US20230197146A1. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Read-write circuitry for one transistor per bit random access memory

Номер патента: US4004285A. Автор: Alan Richard Bormann,Robert Tapei Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1977-01-18.

Static random access memory

Номер патента: US5408437A. Автор: Won-Jung Cho,Kwang-Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Static random access memory with modulated loads

Номер патента: US5018106A. Автор: Mohammed E. Ul Haq,Kenneth R. Smits. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Random access memory device with dual charging circuits different in current driving capability

Номер патента: US5157631A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230395142A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Static random access memory and riving method thereof

Номер патента: US20150364184A1. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2015-12-17.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230395141A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Method and system for hiding refreshes in a dynamic random access memory

Номер патента: EP1328942A4. Автор: Brent Keeth,Charles H Dennison,Kevin J Ryan,Brian M Shirley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09767868B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Multiple simultaneous access memory

Номер патента: US4656614A. Автор: Naruhito Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-04-07.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20240170062A1. Автор: Darsen Duane Lu,Mohammed Aftab BAIG,Siao-Shan HUANG,Fu Yuan CHANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Non-volatile random access memory with a control circuit for preventing an initial resistance failure, a solid state drive, and a computer system including the same

Номер патента: US8111559B2. Автор: Jong-Chul Park,Dong Jun Shin,Sun-Mi Yoo,Min Cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

System and method to improve enterprise reliability through tracking I/O performance metrics in non-volatile random access memory

Номер патента: US09842660B1. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Ashish Singhai,Ashwin Narasimha,Muthugopalkrishnan Adiseshan,Viswesh Sankaran. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Random access memory apparatus for a waveform measuring apparatus

Номер патента: US4093995A. Автор: Steven R. Smith,Frederick A. Rose. Владелец: Norland Corp. Дата публикации: 1978-06-06.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (ram) array

Номер патента: US20240006012A1. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: US20170286214A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: EP3436957A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: WO2017172258A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Dynamic random access memory timing adjustments

Номер патента: WO2016048628A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Michael Drop,Raghu Sankuratri. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (ReRAM) cells

Номер патента: US12068028B2. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Programming of resistive random access memory for analog computation

Номер патента: US09842647B1. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Emmanuelle Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-12.

Controlling a refresh mode of a dynamic random access memory (DRAM) die

Номер патента: US09754655B2. Автор: Pratik Patel,Mosaddiq Saifuddin,Keunsoo ROH,Sankararao Kunapareddy,Chun Xiang HE,Nicholas AMBUR,Jeremy HAUGEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus for minimizing the performance degradation due to address translation in computer systems employing random access memory and paging

Номер патента: CA1191967A. Автор: John A. Celio. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Self-synchronizing method and apparatus for exiting dynamic random access memory from a low power state

Номер патента: US6112306A. Автор: Michael W. Williams,Andrew M. Volk. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Method and system for latching an address for accessing synchronous random access memory using a single address status signal control line

Номер патента: US6044432A. Автор: Vishal Anand. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

System on a chip with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021207236A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Dynamic random access memory device, operating method of the same, and memory module including the same

Номер патента: US20170062040A1. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (f-ram) for code space and a portion of the stack memory space

Номер патента: US20120294062A1. Автор: Franck Fillere. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Scannable-latch random access memory

Номер патента: US20200105360A1. Автор: Jason F. Ross,David D. Moser,Michael J. Frack, Jr.,Kevin Linger. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Dynamic redundancy for random access memory assemblies

Номер патента: MY117769A. Автор: Timothy Jay Dell,Mark William Kellogg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-08-30.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: EP3304559A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US20160358652A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US11755471B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20220253379A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: EP4147134A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20230350800A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase-change random access memory

Номер патента: US7961508B2. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Random access memory including switching elements to limit the number of energized data in pairs

Номер патента: US4855957A. Автор: Kazutaka Nogami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Random access memory and process for writing to and reading from the same

Номер патента: IL129310A. Автор: Cathal G Phelan,Simon J Lovett,Mathew R Arcoleo,Ashish Pancholy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-06-20.

Non-volatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5396461A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20240104036A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-03-28.

Dynamic random access memory (DRAM) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US11815940B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-14.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory repair circuit and repairable pseudo-dual port static random access memory

Номер патента: US20100014367A1. Автор: Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20240112707A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistance random access memory, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US20160372195A1. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Dynamic random access memory

Номер патента: NL1042100A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-06-07.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

Spin transfer torque device with oxide layer beneath the seed layer

Номер патента: US20200013429A1. Автор: Zheng Gao,James Mac Freitag,Masahiko Hashimoto,Susumu Okamura. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Embedded Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Номер патента: US20130302914A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Embedded magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8730716B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Video compression in removable storage device having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12135671B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Peer-to-peer non-volatile random-access memory

Номер патента: US20180095871A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20150248238A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: US20230289063A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: US20230333928A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for simulating a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US20040102943A1. Автор: Joseph Nahas. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-05-27.

Systems and Methods for Managing Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20200004691A1. Автор: Jani Kokkonen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Hardware signal logging in embedded block random access memory

Номер патента: US20160217021A1. Автор: Yang Wang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-07-28.

Method and system for secure management of backup copies of states of remote computing devices, with the function of encryption of random access memory on a central processing unit, using quantum key distribution

Номер патента: RU2739135C1. Автор: Олег Дмитриевич Гурин. Владелец: Олег Дмитриевич Гурин. Дата публикации: 2020-12-21.

Branch predictor using random access memory

Номер патента: CA1162313A. Автор: James E. Smith. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Random access memory assembly

Номер патента: US5819304A. Автор: William Schmidt,Kelvin D. Nilsen. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1998-10-06.

Random access memory systems

Номер патента: GB1496563A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

Method and Bus for Accessing Dynamic Random Access Memory

Номер патента: US20170262404A1. Автор: Hu Liu,Jun Liang,Zhiqiang Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2022031447A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory access management for low-power use cases of a system on chip via secure non-volatile random access memory

Номер патента: WO2019089155A1. Автор: Azzedine Touzni,Dexter Tamio Chun,Yanru Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-09.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (f-ram) for code space and a portion of the stack memory space having an instruction set optimized to minimize processor stack accesses

Номер патента: US20120297120A1. Автор: Franck Fillere. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and apparatus for a backup power controller for volatile random access memory

Номер патента: US5204963A. Автор: Eric S. Noya,Randy M. Arnott. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Random access memory with bit or byte addressing capability

Номер патента: US4099253A. Автор: Philip G. Dooley, Jr.. Владелец: DYNAGE Inc. Дата публикации: 1978-07-04.

Chipset Attached Random Access Memory

Номер патента: US20240053891A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Securing dynamic random access memory (dram) contents to non-volatile in a persistent memory module

Номер патента: US20230350603A1. Автор: Craig E. Hampel,Evan Lawrence Erickson,Taeksang Song. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-02.

Chipset attached random access memory

Номер патента: WO2024035452A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

High bandwidth, high capacity look-up table implementation in dynamic random access memory

Номер патента: US20070288690A1. Автор: Yuen Wong,Shingyu Wang. Владелец: Foundry Networks LLC. Дата публикации: 2007-12-13.

System and method for providing constrained transmission and storage in a random access memory

Номер патента: US8024642B2. Автор: Luis A. Lastras-Montano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

System for providing gapless data transfer from page-mode dynamic random access memories

Номер патента: US5278967A. Автор: Brian W. Curran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-01-11.

Time skewing arrangement for operating random access memory in synchronism with a data processor

Номер патента: US5572722A. Автор: Wilbur C. Vogley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Paging Memory From Random Access Memory To Backing Storage In A Parallel Computer

Номер патента: US20120079165A1. Автор: Charles J. Archer,Michael A. Blocksome,Joseph D. Ratterman,Brian E. Smith,Todd A. Inglett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

System and method for non-volatile random access memory emulation

Номер патента: US20140351492A1. Автор: Jyh-shing Chen. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Display driver integrated circuit having embedded resistive random access memory and display device having same

Номер патента: EP4014226A1. Автор: Ximeng Guan. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Neuromorphic computing in dynamic random access memory

Номер патента: US20200285945A1. Автор: Daniel WADDINGTON,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Optimizing data storage using non-volatile random access memory of a storage system

Номер патента: EP3920018A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Distributed integrated high-speed solid-state non-volatile random-access memory

Номер патента: WO2018067744A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2018-04-12.

System and method for performing layer optimization of stacked resistive random-access memory device by using artificial intelligence technology

Номер патента: US20240020511A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-01-18.

Enhanced dynamic random access memory (edram)-based computing-in-memory (cim) convolutional neural network (cnn) accelerator

Номер патента: US20230196079A1. Автор: Yajun Ha,Hongtu ZHANG,Yuhao SHU. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2023-06-22.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20150087080A1. Автор: Worledge Daniel C.,Gaidis Michael C.,Nowak Janusz J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20160218281A1. Автор: Worledge Daniel C.,Gaidis Michael C.,Nowak Janusz J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20150236252A1. Автор: Worledge Daniel C.,Gaidis Michael C.,Nowak Janusz J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20190221738A1. Автор: Worledge Daniel C.,Gaidis Michael C.,Nowak Janusz J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20170338407A1. Автор: Worledge Daniel C.,Gaidis Michael C.,Nowak Janusz J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Spin transfer torque cell for magnetic random access memory

Номер патента: US10326074B2. Автор: Michael C. Gaidis,Daniel C. Worledge,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Spin transfer torque cell for magnetic random access memory

Номер патента: US20160218281A1. Автор: Michael C. Gaidis,Daniel C. Worledge,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Spin transfer torque cell for magnetic random access memory

Номер патента: US20150236252A1. Автор: Michael C. Gaidis,Daniel C. Worledge,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Spin transfer torque cell for magnetic random access memory

Номер патента: US9793471B2. Автор: Michael C. Gaidis,Daniel C. Worledge,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Spin transfer torque cell for magnetic random access memory

Номер патента: US20170338407A1. Автор: Michael C. Gaidis,Daniel C. Worledge,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Perpendicular magnetic anisotrophy free layers with iron insertion and oxide interfaces for spin transfer torque magnetic random access memory

Номер патента: US09978935B2. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: EP4307871A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG, Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: US20240023458A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG,Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2016089535A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120273844A1. Автор: Yoshiaki Asao,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20220029087A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yen-Chun Liu,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Magnetic random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240298547A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240306514A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Reduced process degradation of spin torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09853210B2. Автор: Stephen M. Rossnagel,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Low Magnetic Moment Materials for Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory Devices

Номер патента: US20170229642A1. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20140284734A1. Автор: Kuniaki Sugiura,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Spin modulator and spin-transfer torque oscillators having phase tuning means and modulation method thereof

Номер патента: US9543971B2. Автор: Chulsoon Park,Inn Yeal Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Spin transfer torque memory (sttm), methods of forming the same using a non-conformal insulator, and devices including the same

Номер патента: EP3350850A1. Автор: Brian S. Doyle,Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-25.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Spin-transfer torque oscillator

Номер патента: EP2126938A1. Автор: Bernard Dieny,Ursula Ebels,Ioana Firastrau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-12-02.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Apparatus for transferring torque magnetically

Номер патента: CA2799860A1. Автор: Philip Corbin, Iii,Richard Peter Braun. Владелец: Flux Drive Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Spin transfer torque memory cells

Номер патента: US20160211446A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Spin transfer torque memory cells

Номер патента: US20150303374A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Spin transfer torque memory cells

Номер патента: US9660184B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Spin transfer torque memory cells

Номер патента: US9331269B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Four transistors static-random-access-memory and forming method

Номер патента: US20020094616A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US11152379B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Dynamic random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306372A1. Автор: Hsueh-Cheng Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

METHOD AND STRUCTURES PERTAINING TO IMPROVED FERROELECTRIC RANDOM-ACCESS MEMORY (FeRAM)

Номер патента: US20240357833A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Dynamic random access memory

Номер патента: US10998323B2. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947669B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Kazuaki TAKESAKO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Dynamic random access memory

Номер патента: US09887200B2. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive random access memory device with reduced power consumption

Номер патента: US09853214B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09754943B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US09691979B2. Автор: Shuo-Che Chang,Chia-Hua Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Conductive-bridging random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10181560B2. Автор: Chu-Jie HUANG,Tseung-Yuen Tseng,Chun-An Lin,Guang-Jyun DAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for manufacturing an internally shielded dynamic random access memory cell

Номер патента: US5352621A. Автор: Jae-Kap Kim,In-Sool Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882773B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistive random access memory

Номер патента: US20240107901A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200020696A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Four transistors static-random-access-memory

Номер патента: US6686635B2. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Three-dimensional nanoribbon-based dynamic random-access memory

Номер патента: US12058849B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Uygar E. Avci,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional dynamic random access memory with an ancillary electrode structure

Номер патента: US8357964B1. Автор: Chih-Yuan Chen,Chih-Wei Hsiung,Meng-Hsien Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: WO2000067321A3. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-26.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: EP1206801A2. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-05-22.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200321342A1. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for generating massive interrupts in random access memory (ram)

Номер патента: WO2002023942A3. Автор: Sandra Maria Frazier,Ben-Zur Raanan,Shi-Woang Wang. Владелец: Shi-Woang Wang. Дата публикации: 2003-01-09.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271042A1. Автор: Yi-Sheng Cheng,Chien-Chang Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive random access memory

Номер патента: US20150228895A1. Автор: Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12082388B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

개선된 FeRAM(Ferroelectric Random-Access Memory)에 관한 방법 및 구조

Номер патента: KR20240147973A. Автор: 쿠오-치 투,쯔-유 첸,솅-훙 시,푸-첸 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2024-10-10.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349477A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12127488B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US12063791B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240349515A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240373615A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

High performance and low power three-dimensional static random access memory and method of forming same

Номер патента: US20240373617A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-11-07.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240349616A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods and apparatus for resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09847478B2. Автор: Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Static random access memory

Номер патента: US09831250B2. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US09806255B1. Автор: LIANG Yi,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09773789B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Hardmask for a halo/extension implant of a static random access memory (SRAM) layout

Номер патента: US09761594B2. Автор: Randy Mann,Xusheng Wu,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

MOS random access memory having array of trench type one-capacitor/one-transistor memory cells

Номер патента: US5895946A. Автор: Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of and operating architectural enhancement for multi-port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM) systems, eliminating external control paths and random memory addressing, while providing zero bus contention for DRAM access

Номер патента: US6138219A. Автор: Subhasis Pal,Satish S. Soman. Владелец: Nexabit Networks Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US11758711B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Tightly-coupled random access memory interface shim die

Номер патента: US20240088084A1. Автор: Brent Keeth,Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11785756B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20190326296A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20220208770A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Stacked spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11251362B2. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Video on demand network, including a central video server and distributed video servers with random access read/write memories

Номер патента: US5550577A. Автор: Christophe D. G. Vermeulen,Frank O. Van der Putten,Bart F. Voeten,Willem J. A. Verbiest,Frank C. M. Defoort. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1996-08-27.

Method of forming dynamic random access memory circuitry and dynamic random access memory

Номер патента: US5977578A. Автор: Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of forming dynamic random access memory circuitry and dynamic random access memory

Номер патента: US5807776A. Автор: Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

One-bit memory cell in static random access memory device with PMOS thin film transistor load pair

Номер патента: US5404030A. Автор: Jhang-Rae Kim,Sung-Bu Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-04.

Method for manufacturing dynamic random access memory cell

Номер патента: US5200354A. Автор: Jae C. Om,In S. Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-06.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US20230301206A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11785755B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Three-Dimensional Ferroelectric Random-Access Memory (FeRAM)

Номер патента: US20200357821A1. Автор: Yung-Tin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-12.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028358A1. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-28.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10804465B2. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-13.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for manufacturing a resistive random access memory structure

Номер патента: US20210336133A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: US11791317B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1148545A3. Автор: Ulrike Gruening,Rainer Florian Schnabel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

Resistive random access memory (rram-) zellen und konstruktionsverfahren

Номер патента: DE112021007784T5. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming resistive random access memory structure

Номер патента: US20240074338A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11793095B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating embedded static random access memory

Номер патента: US20090023256A1. Автор: Chien-Li Kuo,Tung-Hsing Lee,Chih-Ming Su,Yun-San Huang,Buo-Chin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Three-Dimensional Ferroelectric Random-Access Memory (FeRAM)

Номер патента: US20230147421A1. Автор: Yung-Tin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US20220069218A1. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Resistive random access memory

Номер патента: US20170279041A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11316106B2. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240032439A1. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of dynamic random access memory

Номер патента: US20080233706A1. Автор: Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Resistive random access memory (RRAM) cells and methods of construction

Номер патента: US12010932B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Resistive random-access memory devices with engineered electronic defects and methods for making the same

Номер патента: EP4338207A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Al-w-o stack structure applicable to resistive random access memory

Номер патента: US20160072062A1. Автор: HE Qian,YUE BAI,Huaqiang Wu,Minghao WU. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20220216401A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for fabricating semiconductor device including embedded magnetic resistance random access memory

Номер патента: US20210126191A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of forming an integrated circuit structure including a resistive random access memory (rram) cell

Номер патента: US20240215464A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Random access with switching of parts of bandwidth

Номер патента: RU2739330C1. Автор: Чуньли ВУ,Бенуа СЕБИР,Самули ТУРТИНЕН. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-12-22.

Trench random access memory cell and method of formation

Номер патента: US5879971A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Ferroelectric random access memory (FRAM) capacitors and methods of construction

Номер патента: US11937434B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor material for resistive random access memory

Номер патента: US20210384419A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237660A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Ferroelectric random access memory (fram) capacitors and methods of construction

Номер патента: US20230345735A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

System for functional testing housed random-access memory microcircuit chips

Номер патента: RU2438164C2. Автор: Александр Анатольевич Сашов,Михаил Игоревич Краснов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2011-12-27.

Hinge to transfer torques and axial forces

Номер патента: RU2573538C2. Автор: Хисхам КАМАЛЬ,Штефан ВАЙГЛЬ,Кристиан БИНДИГ. Владелец: Неч Пумпен Унд Зистеме Гмбх. Дата публикации: 2016-01-20.

SPIN TRANSFER TORQUE CELL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20120326250A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Method of creating antivirus record when detecting malicious code in random-access memory

Номер патента: RU2592383C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Денис Александрович Назаров,Михаил Александрович Павлющик. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2016-07-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.