Conductive chemical mechanical planarization polishing pad
Номер патента: US09415479B2
Опубликовано: 16-08-2016
Автор(ы): Chang-Sheng Lin, Hsin-Hsien Lu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-08-2016
Автор(ы): Chang-Sheng Lin, Hsin-Hsien Lu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
Номер патента: US20030060140A1. Автор: David Carlson. Владелец: Carlson David W.. Дата публикации: 2003-03-27.