Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 고양된 온도에서의 반도체 소자의 급속테스팅장치및방법

고양된 온도에서의 반도체 소자의 급속테스팅장치및방법

Номер патента: KR100315605B1
Опубликовано: 19-02-2002
Автор(ы): 메르다드엠.모슬레히, 하워드엘.타이겔라
Принадлежит: 윌리엄 비. 켐플러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Test apparatus and method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210239753A1. Автор: Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Henrik Asendorf,Nicolas Lamielle. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing a semiconductor device on a substrate having an anisotropic expansion/contraction characteristic

Номер патента: US5283205A. Автор: Naoya Sakamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20070235371A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20040181938A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2610151A. Автор: Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: US20220221505A1. Автор: Aleksey S. Khenkin,John L. Melanson,John C. Tucker,Jeffrey A. Weintraub. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2603855A. Автор: L Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for producing a semiconductor device by means of computer-aided development of test scenarios

Номер патента: US10761140B2. Автор: Oliver Frank,Florian STARZER,Georg KREBELDER,Christoph Hazott,Bruno MARIACHER,Otto PFABIGAN,Sebastian POINTNER,Ralf REITERER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device

Номер патента: US5750421A. Автор: Kazuto Tsuji,Junichi Kasai,Masao Sakuma,Yoshiyuki Yoneda,Masashi Takenaka,Norio Taniguchi,Yukio Saigo,Takashi Mashiko. Владелец: Miyachi Systems Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Test apparatus and method for testing a semiconductor device

Номер патента: EP3859892B1. Автор: Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Henrik Asendorf,Nicolas Lamielle. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11361983B2. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US5566877A. Автор: Dave W. McCormack. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-10-22.

Inspection system and methods of fabricating and inspecting semiconductor device using the same

Номер патента: US20150355108A1. Автор: Bong Seok Kim,Kyung Hoon Lee,Woo-Young Choi,Jang Ik PARK,Jung Hoon BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

A sensor semiconductor device and method of producing a sensor semiconductor device

Номер патента: WO2017084817A1. Автор: Roel Daamen,Frederik Willem Maurits Vanhelmont,Hilco Suy,Agata Sakic,Nebojsa NENADOVIC,Micha IN'T ZANDT. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-05-26.

Method for analyzing a semiconductor device

Номер патента: US11626306B2. Автор: Jung Min Lee,Chang Hwan Lee,Jin Hee Han,Byoung Ho Lee,Seong Min MA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Method for fabricating a semiconductor device using a porous silicon region

Номер патента: US5445991A. Автор: Jong H. Lee. Владелец: Kyungpook National University KNU. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210033958A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,lnyong KANG,Eunsik JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220365415A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,Eunsik JANG,Inyong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040074515A1. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7311109B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US7034564B2. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

A method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step and a device produced thereby

Номер патента: WO1997036319A1. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: Abb Research Limited. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7186631B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Method for manufacturing a semiconductor device with Schottky electrodes

Номер патента: US5229323A. Автор: Tatsuo Akiyama,Kizashi Shimada,Yutaka Koshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for producing a semiconductor device having a LOCOS insulating film with at least two different thickness

Номер патента: US5128274A. Автор: Yasushi Naito,Masanori Fukumoto,Toshiki Yabu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-07-07.

Method for forming isolated semiconductor devices

Номер патента: US3695956A. Автор: Robert Ray Speers. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6723655B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step

Номер патента: US5674765A. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-10-07.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US20060001441A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned contact regions

Номер патента: US4830971A. Автор: Tadashi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-16.

Method for manufacturing MOS semiconductor devices

Номер патента: US4916084A. Автор: Hideki Shibata,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020119630A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3645807A. Автор: Minoru Ono,Toshimitu Momoi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-02-29.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Probe card, method for designing probe card, method for producing tested semiconductor device method for testing unpackaged semiconductor by probe card, device under test and probe system

Номер патента: US20240077519A1. Автор: Hao Wei,Yu-Hao Chen,Yang-Hung Cheng,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Socket board and method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US20240094244A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US10438816B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2002059939A3. Автор: Mark N Martin. Владелец: Mark N Martin. Дата публикации: 2003-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is mounted on a lead frame

Номер патента: US5612259A. Автор: Morihiko Ikemizu,Takayuki Okutomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Noncontacting electric power transfer apparatus, noncontacting signal transfer apparatus, split-type mechanical apparatus employing these transfer apparatus, and a control method for controlling same

Номер патента: US5798622A. Автор: Kenji Nomura,Kenji Hirose,Yoshiji Hiraga,Yuji Nitta,Junji Hirai,Hiroyuki Hamamoto. Владелец: Yaskawa Electric Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Knock control apparatus and knock control method for internal combustion engine

Номер патента: US20040084022A1. Автор: Kenichi Kinose. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

System for receiving and storing electronic device, and method for receiving and storing electronic device at time of trading

Номер патента: EP4325458A1. Автор: Chang Hwan Ji,Do Hyung Yoo. Владелец: Mintit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Inspection system and method for leads of semiconductor devices

Номер патента: US5956134A. Автор: Rajiv Roy,Michael D. Glucksman,Weerakiat Wahawisan,Paul Harris Hasten,Charles Kenneth Harris,George Charles Epp. Владелец: Semiconductor Technologies and Instruments Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Layout design system, semiconductor device fabricated by using the system and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US09576953B2. Автор: Tae-Joong Song,Gi-young Yang,Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Jin-Hyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09449919B2. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09459405B2. Автор: Jens Hofrichter,Heike Riel,Lukas Czornomaz,Mirja Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230258866A1. Автор: Houssein EL DIRANI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09916979B2. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09812356B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09847328B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for driving a semiconductor device having a reading transistor coupled to an oxide semiconductor writing transistor

Номер патента: US09734914B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09608091B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating a semiconductor device using a modeling algorithm to model the proximity effect from the sub-layer

Номер патента: US20120204135A1. Автор: No Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for forming resist pattern and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7723016B2. Автор: Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device, display device, and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20010019128A1. Автор: Zhang Hongyong,Tamotsu Sakai,Yasushi Kubota,Ichiro Shiraki,Jun Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of optimizing a mask using pixel-based learning and method for manufacturing a semiconductor device using an optimized mask

Номер патента: US10222690B2. Автор: Moon-gyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for fabricating photomask layout and method for fabricating of semiconductor device using the same

Номер патента: US20230244136A1. Автор: Sung-Yong Moon,Won-Chan LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US9329451B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device with a ferroelectric layer around the channel and method for forming the semiconductor device on a substrate

Номер патента: EP4352006A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US20150132877A1. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US11385276B2. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20220122916A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20200350249A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US11804437B2. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20240030141A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide layer with a concentration gradient of oxygen and an insulating layer with excess oxygen

Номер патента: US11817508B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210255234A1. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US8986560B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for manufacturing a semiconductor device, including optical inspection

Номер патента: US5229304A. Автор: Tao-Yuan Chang,Rubens da S. Miranda,Harry W. K. Tom. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210225704A1. Автор: Chia-Cheng Chang,Chien-yuan Chen,Ming-Jhih Kuo,Yuan-Yen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230260838A1. Автор: Chia-Cheng Chang,Chien-yuan Chen,Ming-Jhih Kuo,Yuan-Yen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6395457B1. Автор: Yong-Seok Park,Jong-Woo Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-05-28.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US20230387136A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara,Kosei Noda,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200075318A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Jieh-Jang Chen,Cheng-Che Chung,Yi Jen Tsai,Tsai-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190067002A1. Автор: Joy Cheng,Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Electronic apparatus and antenna setting method for electronic apparatus

Номер патента: US20180152214A1. Автор: Lin Wang,Hongyi Zhang,Peijie ZHAO,Degang Zhao. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Optical semiconductor device, optical module, and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20180090910A1. Автор: Kouji Nakahara,Takeshi Kitatani. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09660045B2. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Compound semiconductor device, power supply device, high-frequency amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20190043976A1. Автор: Hisao Shigematsu,Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2016056960A1. Автор: Yanting SUN. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-04-14.

Methods for scribing of semiconductor devices with improved sidewall passivation

Номер патента: WO2012057823A3. Автор: Marc Christophersen,Bernard F. Phlips,Vitaliy Fadeyev,Hartmut F.W. Sadrozinski. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA, SANTA CRUZ. Дата публикации: 2012-08-30.

Photonic semiconductor device for enhanced propagation of radiation and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170092787A1. Автор: Rainer Minixhofer,Guenther KOPPITSCH. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-30.

Photonic semiconductor device for enhanced propagation of radiation and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: WO2015176911A1. Автор: Rainer Minixhofer,Günther Koppitsch. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for making a semiconductor device by laser irradiation

Номер патента: WO2011073082A1. Автор: Simon Rack. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Electrode plate supporting device, laser cutting apparatus, and laser cutting method for electrode plate

Номер патента: EP4406691A1. Автор: Yong Wang,Shisong LI,Hongwu SHANG,Kaiwei ZHAO,Yuantian ZHENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Hydrogen supply apparatus and hydrogen supply method for measuring fuel consumption of hydrogen fuel vehicle

Номер патента: EP1447873A3. Автор: Satoshi Aoyagi,Takuya Shirasaka,Osamu Sukagawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Flexural testing apparatus for materials and method of testing materials

Номер патента: US09739696B2. Автор: Dale N. Memering,Victor Luzzato. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

System for Receiving and Storing Electronic Device, and Method for Receiving and Storing Electronic Device at Time of Trading

Номер патента: US20240253905A1. Автор: Chang Hwan Ji,Do Hyung Yoo. Владелец: Mintit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Contour measurement apparatus and contour measurement method for measuring contour of poultry carcass, and deboning device for poultry carcass

Номер патента: US09700060B2. Автор: Noriyuki Inoue,Noriyuki Takahashi,Shinji HANE,Kenichi Oka,Koji TAKANASHI,Naoki Toyoda,Hiroyuki SAKURAYAMA. Владелец: Mayekawa Manufacturing Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Color-matching apparatus and color-matching method for repair paint

Номер патента: US09964445B1. Автор: Makoto Ueno. Владелец: Car Conveni Club Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Suspension damper test apparatus, control system and method of controlling a suspension damper test apparatus

Номер патента: US09752963B2. Автор: Jinghong Yu,Kirk Rhoades,Keith Malarik. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Experimental apparatus and an experimental method for the negative bending moment zone of a continuous beam to bear load under chloride environment

Номер патента: US20230213422A1. Автор: LEI Jing,Xiaoxiao Wang,Ju Zhang,Shuguang LIU,Yanhai LIU,Changwang YAN,Liqiang Yin. Владелец: Inner Mongolia University of Technology. Дата публикации: 2023-07-06.

Optical measurement apparatus and optical measurement method for a liquid or molten material

Номер патента: US20090323071A1. Автор: Takayuki Shima,Michio Suzuki,Masahiro Susa,Junji Tominaga,Toshio Fukaya,Koichi Tsutsumi,Rie Endo,Masashi Kuwahara. Владелец: J A WOOLLAM JAPAN CORP. Дата публикации: 2009-12-31.

Information processing system, information processing apparatus, and information processing method for providing application information

Номер патента: US09661171B2. Автор: Atsuhisa Saitoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190384165A1. Автор: Jeong-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Misfire detection apparatus and misfire detection method for an internal combustion engine

Номер патента: US9243978B2. Автор: Shuichi Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Laser projection apparatus and dispersion correction method for projection image

Номер патента: US20240348758A1. Автор: Kaihua Liang,Dongdong Zhang,Yingkai ZHANG. Владелец: Qingdao Hisense Laser Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Display apparatus and visual displaying method for simulating a holographic 3D scene

Номер патента: US09983546B2. Автор: Wei Gao,Meihong Liu. Владелец: Shenzhen Magic Eye Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and computer-implemented method for generating a three-dimensional scene and non-transitory tangible computer readable medium thereof

Номер патента: US09760793B2. Автор: Hsin-Ti Chueh,Li-Cheng Chen,Huai-Che Lee,Yung-Chao Tseng,Jhih-Rong Chen. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Information processing apparatus and information processing method for accurately estimating a self location

Номер патента: US11508084B2. Автор: Mitsuru Nishibe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Apparatus, and an associated method, for forming a traffic route visualization

Номер патента: WO2009017847A1. Автор: Shi Yuhui,Kas Kasravi. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2009-02-05.

Systems and methods for controlling microphones of communication devices at a common location

Номер патента: US20240036808A1. Автор: Howard Locker,John W. Nicholson,Darryl C. Cromer. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Flexural testing apparatus for materials and method of testing materials

Номер патента: US20170059463A1. Автор: Dale N. Memering,Victor Luzzato. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Information processing system, information processing apparatus, and information processing method for facilitating job parameter setting

Номер патента: US09875068B2. Автор: Masafumi Tokiwa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Image photographing apparatus and image photographing method for generating a synthesis image from a plurality of images

Номер патента: US09813615B2. Автор: Hee-chul Han,Tae-Hee Lee,Hyun-Seok Hong,Sung-Ho Lee,Jae-Gon Kim,Kyoung-Young Kim,Seung-ryong JEON,Stepan TULIAKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device for particle measurement and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20230341311A1. Автор: Thomas Müller,Jens Pohl,Klaus Elian,Ludwig Heitzer,Matthias Eberl,Fabian Merbeler,Cyrus Ghahremani,Andreas Allmeier,Derek DEBIE,Christian Irrgang. Владелец: Infineon Tehcnlogies Ag. Дата публикации: 2023-10-26.

Image display apparatus and image display method for reducing power consumption

Номер патента: US09865193B2. Автор: Sung-Soo Kim,Sung-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Thz measuring apparatus and thz measuring method for detecting impurities in measured objects

Номер патента: CA3111034A1. Автор: Ralph Klose. Владелец: Inoex GmbH. Дата публикации: 2020-03-26.

Thz measuring apparatus and thz measuring method for detecting impurities in measured objects

Номер патента: CA3111034C. Автор: Ralph Klose. Владелец: Inoex GmbH. Дата публикации: 2024-04-16.

Contour measurement apparatus and contour measurement method for measuring contour of poultry carcass, and deboning device for poultry carcass

Номер патента: CA2953896C. Автор: Noriyuki Inoue,Noriyuki Takahashi,Shinji HANE,Kenichi Oka,Koji TAKANASHI,Naoki Toyoda,Hiroyuki SAKURAYAMA. Владелец: Mayekawa Manufacturing Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Spectrometer apparatus and a corresponding method for operating a spectrometer apparatus

Номер патента: US11946805B2. Автор: Thomas Buck,Christian Huber,Benedikt STEIN,Martin Husnik,Christoph Daniel Kraemmer,Marc Schmid. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-02.

Information processing apparatus and information processing method for autonomously controlling the supply of electric power

Номер патента: US7496775B2. Автор: Yoshiyuki Ono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Electronic apparatus and image processing method for image edge enhancement

Номер патента: US10586313B2. Автор: Wen-Tsung Huang,Ching-Ju Hsiao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Misfire detection apparatus and misfire detection method for an internal combustion engine

Номер патента: US20150075508A1. Автор: Shuichi Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Printing system, terminal apparatus and print setting method for setting the print settings by applying specific setting data set

Номер патента: US10942694B2. Автор: Atsushi Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Image processing system, information providing apparatus, and information providing method for simultaneously displaying environmental burden reductions in an image forming apparatus and an erasing apparatus

Номер патента: US8797585B2. Автор: Hiroyo Tanaka,Yoshikatsu Kamisuwa,Tsunehiro Motegi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Electronic apparatus and image processing method for image edge enhancement

Номер патента: US20190130549A1. Автор: Wen-Tsung Huang,Ching-Ju Hsiao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Data processing apparatus and data processing method for internet of things system

Номер патента: GB2578487A. Автор: LAI Ying-Hsun,Hsiao Yu-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2020-05-13.

Display apparatus and signal transmission method for display apparatus

Номер патента: US12015821B2. Автор: ZHEN Wang,Yuanyuan Huang,Guilan Wang,Huaipei LU. Владелец: Vidaa USA Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Angle controlling apparatus and angle controlling method for electronic device

Номер патента: EP4390535A1. Автор: Giseok SUNG,Sanghoon EUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Data processing apparatus and data processing method for foldable device

Номер патента: WO2021204574A1. Автор: Chang Xu. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-10-14.

Method, apparatus, and parameter training method for friction loss-based differential pressure flow rate measurement

Номер патента: US20240068851A1. Автор: Jongwoo Choi,Jinsoo Han,Wan Ki PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-02-29.

Control apparatus and recovery processing method for control apparatus

Номер патента: US20190057002A1. Автор: Masuo Ito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Image capturing apparatus and image capturing method for generating high-resolution image, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: US20240127398A1. Автор: Yusuke Kawai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and an associated method, for paging a mobile station operable in a radio communication system

Номер патента: EP1507430A3. Автор: Timucin Ozugur,Behcet Sarikaya. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-11-08.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Conductive paste and method for producing a semiconductor device using the same

Номер патента: WO2015108205A1. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Noriyuki Sakai,Maciej Patelka,Cathy Shaw Trumble,Raymond Dietz. Владелец: NAMICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09721853B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor manufacturing apparatus and film formation method for a semiconductor device

Номер патента: US20190229006A1. Автор: Hiroaki Tada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Structure and method for metallization of semiconductor devices

Номер патента: US5554889A. Автор: Gordon Grivna,John L. Freeman, Jr.,Clarence J. Tracy,Syd R. Wilson,Robert L. Duffin,Hank H. Shin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming a hard mask pattern and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09793472B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,Yoonjong Song,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Protective tape and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09741598B2. Автор: Hidekazu Yagi,Shingo Deguchi,Tomoyuki Ishimatsu,Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Systems and methods for coupling a semiconductor device of an automation device to a heat sink

Номер патента: US09570374B2. Автор: RUI Zhou,Paul Jerome Grosskreuz,Jeremiah John Kopiness,Kelly James Bronk. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220223554A1. Автор: Jens Hofrichter,Frank Fournel,Sylvain Maitrejean,Viorel Balan,Amandine JOUVE,Karl Rohracher,Manuel Kaschowitz,Bernhard Poelzl,Romain Crochemore. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for making the semiconductor device

Номер патента: US20220270980A1. Автор: Yi-Lii Huang,Chun-Wei Liao,Huei-Shan Wu,Yun-Jhen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160181441A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09406603B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Field device and method of operating high voltage semiconductor device applied with the same

Номер патента: US20140077866A1. Автор: Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang,Miao-Chun Chung,An-Li Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US9876150B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194538A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194539A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US20180108820A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US12033983B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor

Номер патента: US20030180985A1. Автор: Itaru Matsuo,Yoshiyuki Mishima,Kiyoharu Katou. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153528A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230282619A1. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09972704B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Helmut Oefner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09947800B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09899354B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09685560B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09627358B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030186491A1. Автор: Shunji Kubo,Atsushi Amoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of a bridge between a recess gate and a PLC plug

Номер патента: US7855109B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127215A1. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Jean Augustin Chan Sow Fook Yiptong,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210408241A1. Автор: Seokhoon Kim,Seung Hun Lee,Sihyung Lee,Jinyeong Joe,Jeongho Yoo,Seojin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120202346A1. Автор: Keiji Fujita,Toshinobu SAKANAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for preparing a semiconductor device with spacer over sidewall of bonding pad

Номер патента: US20210202416A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190259659A1. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170316973A1. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10325805B2. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170229301A9. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Ichiro Mizushima,Naoshi Sakuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US11638391B2. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-04-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010003675A1. Автор: Daisuke Komada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140308796A1. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240332090A1. Автор: Jin Woo Kim,Ju Youn Kim,Seul Gi YUN,Myung Soo SEO,Joong Gun OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09966455B2. Автор: Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US09929253B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for making strained semiconductor device and related methods

Номер патента: US09922883B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831339B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831244B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming a wafer structure, a method for forming a semiconductor device and a wafer structure

Номер патента: US09793167B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device including gate-to-bulk substrate isolation

Номер патента: US09748404B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09722062B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09698310B2. Автор: Jun Nakauchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming a semiconductor device having insulating parts or layers formed via anodic oxidation

Номер патента: US09570576B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09373510B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US7033918B2. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040155265A1. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09997595B2. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices, a fluid sensor and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09941432B2. Автор: Thomas Popp,Thomas Grille,Ursula Hedenig,Peter Irsigler,Bernhard Jakoby,Thomas Ostermann,Ventsislav M. Lavchiev,Stefan CLARA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20190348394A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20200266173A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09449968B2. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler,Markus Zundel,Peter Irsigler,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240282571A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jen Hung Wang,Shing-Chyang Pan,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893068B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09472655B1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060279021A1. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5928428A. Автор: Yasuhiko Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Adhesive composition, semiconductor device using the composition and method for producing a semiconductor device using the composition

Номер патента: US5844309A. Автор: Yukio Takigawa,Hiroyuki Ishiguro,Shigeaki Yagi,Masaaki Seki,Toshimi Kawahara,Shinya Nakaseko,Mitsunada Osawa,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Transistor array and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240172411A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device structures

Номер патента: US20140252557A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for producing a semiconductor device including connecting a functional wafer to a carrier substrate and selectively etching the carrier substrate

Номер патента: US8039313B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Friedrich Kroener,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-18.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20220140265A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11929426B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: WO2006016118A1. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2006-02-16.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345711A1. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140091320A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US10153339B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11817507B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tsutomu Murakawa,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20240145354A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device including first and second middle-voltage elements, display driving device including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240072069A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US10276655B2. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor Device Including Charged Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240986A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200321280A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240014137A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345893A1. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123193A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US9941402B2. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135925A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor Device Including Auxiliary Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240985A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US20150097185A1. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200135926A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1198226A. Автор: Eliezer Kinsbron,William T. Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-12-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230178511A1. Автор: Young Chul Shin,Su Min Kim,Il Young Han,Minwoo Rhee,Kyeong bin LIM,Nung Pyo HONG,Seung Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11842938B2. Автор: Wolfgang Bergner,Stefan KRAMP,Romain Esteve,Grzegorz Lupina,Andreas Voerckel,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan Woehlert,Florian Grasse,Richard Gaisberger,Stefan KRIVEC,Hiroshi Narahashi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240030323A1. Автор: Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Lead frame, resin sealing mold and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20030090877A1. Автор: Isao Ochiai,Kazumi Onda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230274935A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Power semiconductor device and methods of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20230197846A1. Автор: Manoj Chandrika Reghunathan,Eric GRAETZ,Devesh Kumar Datta,Soon Huat Niew. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for Protecting a Semiconductor Device Against Degradation and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device Protected Against Hot Charge Carriers

Номер патента: US20140070356A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Power Semiconductor Device, Method of Producing a Power Semiconductor Device and Method of Operating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240047457A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Roman Baburske,Daniel Schlögl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220122895A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240072122A1. Автор: Dethard Peters,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4300559A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

Methods for fusion bonding semiconductor devices to temporary carrier wafers with hydrophobic regions for reduced bond strength, and semiconductor device assemblies formed by the same

Номер патента: US20240047260A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210233769A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160322287A1. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Methods for fusion bonding semiconductor devices to temporary carrier wafers with cavity regions for reduced bond strength, and semiconductor device assemblies formed by the same

Номер патента: US20240063207A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Amy R. Griffin,Terrence B. Mcdaniel,Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Combined structure of flexible semiconductor device package and method of transporting the flexible semiconductor device

Номер патента: US20180261446A1. Автор: Maohua Du. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-13.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: US20200402943A1. Автор: Michael Zitzlsperger,Matthias Goldbach,Matthias Hien,Ludwig PEYKER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-24.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204082A1. Автор: Julien Ryckaert,Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Bilal Chehab,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391037A1. Автор: Julien Ryckaert,Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Bilal Chehab,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9847229B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device obtained thereby

Номер патента: GB1178208A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1970-01-21.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Method for fabricating a semiconductor device package

Номер патента: CA2762470C. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4491486A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate

Номер патента: US6468824B2. Автор: Chien-An Chen,Nai-Chuan Chen,Bor-Jen Wu,Yuan-Hsin Tzou,Nae-Guann Yih. Владелец: Uni Light Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7083899B2. Автор: Bong-Cheol Kim,Dae-Youp Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating CMOS semiconductor devices

Номер патента: US5382532A. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Morimoto,Masayasu Miyake,Hiroshi Inokawa,Yukio Okazaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230100846A1. Автор: Alim Karmous,Thorsten Arnold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP3471132A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-04-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

A method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: EP4273908A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4199112A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Power Semiconductor Device and Method of Processing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200266269A1. Автор: Steffen Schmidt,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Frank Umbach,Philip Christoph Brandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340234A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: US20230360929A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11362195B2. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-14.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210265351A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20230352556A1. Автор: Petri Raisanen,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device having a radio frequency circuit and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200227309A1. Автор: Yakov Roizin,Alexey Heiman,Alex Sirkis. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220140216A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for Manufacturing A Semiconductor Device and Optoelectronic Device

Номер патента: US20220254957A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120070970A1. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8518810B2. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8513075B2. Автор: Yonggen He,Jingang Wu,HaiBiao YAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20170301835A1. Автор: Frank Singer,Britta Goeoetz,David Racz,Matthias Sperl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4258360A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140057418A1. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Zuozhen Fu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US9190517B2. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20150054032A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing a semiconductor device having a capping layer covering a capacitor of the semiconductor device

Номер патента: US6893501B2. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Wan-Don Kim,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Yun-jung Lee,Jeong-hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for producing a semiconductor device, semiconductor device and support

Номер патента: US20190206713A1. Автор: Patrick Waltereit,Richard Reiner,Thomas Gerrer,Dirk Meder,Beatrix Weiss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-07-04.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20220359336A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Shinnosuke Soda,Tomohisa Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Optoelectronic semiconductor device and method of operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309459B2. Автор: Rainer Hartmann,Philipp Kreuter,Tobias Meyer,Michael Binder,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device resistant to soft errors and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020076913A1. Автор: Joo-hern Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190363095A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220093734A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor Devices and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240642A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11990574B2. Автор: Choo Kean Lim,Xiao Fen Hoo,Wan Leng Lim,Ai Cheng Chan. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-21.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for fabricating and semiconductor device having the second bit line contact higher than the top surface of the first bit line

Номер патента: US20210066308A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024094613A1. Автор: Adrian Avramescu. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-05-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200212199A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC

Номер патента: EP1258034A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2002-11-20.

A method for producing a semiconductor device of sic

Номер патента: AU2001230686A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2001-08-07.

Packaged semiconductor device and method of fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20170373016A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240096711A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha,Pauline Calka,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and optoelectronic device

Номер патента: WO2020239524A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing a semiconductor device having an improved disposable spacer

Номер патента: US20040266122A1. Автор: Huan-Tsung Huang,Ka-Hing Fung,Shui-Ming Cheng,W.P. Wang,K.L. Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: WO2022055632A3. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for simultaneously manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20090170266A1. Автор: Hee Bae Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160064253A1. Автор: Tohru Kumamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for making a semiconductor device having increased carrier mobility

Номер патента: US20040251480A1. Автор: Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20070170468A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20170271521A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Optoelectronic semiconductor device and method of operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20200044117A1. Автор: Rainer Hartmann,Philipp Kreuter,Tobias Meyer,Michael Binder,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160141256A1. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US12018387B2. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130122675A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Jhi-Cherng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240213343A1. Автор: Wolfgang Wagner,Bernd Bitnar,Franz Josef Niedernostheide,Frank Hille,Frank Pfirsch,Roland DIETMÜLLER,Marc Probst,Philip Christoph Brandt,Volodymyr Komarnitskyy,Andreas Korzenietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device, a mobile communication device, and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8890334B2. Автор: Toru Narita,Joichi Saito,Teruhito Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for manufacturing a semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5382539A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5427982A. Автор: Young K. Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US9558933B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5525532A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having interconnection layers

Номер патента: US5721157A. Автор: Takeshi Sunada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Method for making a semiconductor device having a metal gate electrode

Номер патента: US20050101113A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Turkot,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4506434A. Автор: Nobuo Toyokura,Tetsuya Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Methods for fabricating finfet semiconductor devices using ashable sacrificial mandrels

Номер патента: US20100267237A1. Автор: Frank S. Johnson,Catherine B. Labelle,Douglas J. Bonser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US7393761B2. Автор: Gert Leusink,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US6046114A. Автор: Toshiyuki Tohda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method for producing a semiconductor device comprising an implantation step

Номер патента: US5849620A. Автор: Christopher Harris,Kurt Rottner. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1998-12-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5378644A. Автор: Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US6780703B2. Автор: Randy D. Redd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-24.

Method for fabricating a semiconductor device for reducing a surface potential

Номер патента: US7449399B2. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US4742023A. Автор: Hitoshi Hasegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-05-03.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Method for fabricating a semiconductor device with laser programable fuses

Номер патента: US5641701A. Автор: Yoichi Miyai,David J. McElroy,Hideyuki Fukuhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3713910A. Автор: H Matino. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-01-30.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20240105713A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20120034780A1. Автор: Chieh-Te Chen,Wei-Hang Huang,Shin-Chi Chen,Hung-Ling Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for silicidation of semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US11869772B2. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20200395359A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150021734A1. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170358663A1. Автор: Chia-Ying Li,zong-han Li,Ching-Lun Lai,Ming-Shiou Kuo,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Comprising Etching a Semiconductor Material

Номер патента: US20180277391A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20170125405A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20180277533A1. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11881544B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Sandra Sobczyk,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor device with reduced variation of the impurity concentration near the surface of the semiconductor film

Номер патента: US11894447B2. Автор: Tetsuya Yamamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230377942A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11289335B2. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US20170263744A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170053828A1. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190348525A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US20160079183A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for fabricating a semiconductor device by using different connection methods for the semiconductor die and the clip

Номер патента: US11804424B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Lee Shuang Wang,Jo Ean Joanna Chye,Chii Shang Hong,Wei-Shan Wang,Hui Kin Lit,Ke Yan Tean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for preparing a semiconductor device with interconnect part

Номер патента: US11881453B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US20160284822A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220270929A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming a Semiconductor Device Having a Second Semiconductor Layer on a First Semiconductor Layer

Номер патента: US20230395394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170047257A1. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160064477A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180053820A1. Автор: Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA,Shinya Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11869800B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Manafacturing method for power MOSFET semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US11824113B2. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for fabricating a semiconductor device with air gaps

Номер патента: US20210320030A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140162417A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160197142A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Roman Knoefler,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Having Silicide Layers

Номер патента: US20170222010A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for Producing a Semiconductor Device with a Vertical Dielectric Layer

Номер патента: US20140220758A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for Forming a Semiconductor Device with an Integrated Poly-Diode

Номер патента: US20150056794A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160329404A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Shield plate, method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130249063A1. Автор: Etsuo Hamada,Hironobu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20090124059A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Ming Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device having multiple heat sinks

Номер патента: US20160071782A1. Автор: Takeshi Imamura,Yasunori Fujimoto,Nobutaka Shimizu. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming trench semiconductor device having schottky barrier structure

Номер патента: US20200044027A1. Автор: Michael Thomason,Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for making a semiconductor device with sidewall spacers for confining epitaxial growth

Номер патента: US9431540B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764296B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240006247A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming a semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug

Номер патента: US11778812B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing a semiconductor device, method for detecting a semiconductor substrate and semiconductor chip package

Номер патента: US20110241180A1. Автор: Susumu Harada,Kenichiro Hagiwara,Eiji Takano,Masahiro Sekiguchi,Masayuki Dohi,Tatsuhiko Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20190139971A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090098693A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6489201B2. Автор: Byoung-moon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US10002866B2. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for repair of semiconductor device

Номер патента: US20100029018A1. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US10825734B2. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for making a semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343367A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230170232A1. Автор: Hyun Woong Hwang,Kyoung Whan OH,Kyung-won Kang,Seok Heo,Hyeon Jun KANG,Ju Bong LEE,Sung Hun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US11929590B2. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for Forming a Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20230197525A1. Автор: Juergen Boemmels,Basoene Briggs,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180166543A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: lnfineon Technologies Austria AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device, a micro-electro-mechanical resonator and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160233299A1. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for fabricating a semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Номер патента: US20240186225A1. Автор: Thorsten Meyer,Frank Singer,Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US20210391526A1. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210134597A1. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

A method for forming a semiconductor device with a buried power rail

Номер патента: EP4379784A1. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso,Philippe Matagne,An DE KEERSGIETER,Rongmei Chen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11705336B2. Автор: Yunhyuck JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for producing a semiconductor device having SGTS

Номер патента: US9111794B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11769696B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

A semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP3675167A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Methods for processing a semiconductor device

Номер патента: US20150179507A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180151676A1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100151656A1. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220367280A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230377978A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062585A1. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for forming a semiconductor device comprising a selectively grown graphene layer

Номер патента: US10121872B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for forming a semiconductor device having a silicide layer

Номер патента: WO2005119752A1. Автор: Dharmesh Jawarani,Tab A. Stephens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153526A1. Автор: Koji Hamada,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2009111209A1. Автор: Nils J. Knall. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2009-09-11.

Method for forming trench semiconductor device having schottky barrier structure

Номер патента: US20200105877A1. Автор: Michael Thomason,Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Method for manufacturing a semiconductor device having a shileing feature for signal crosstalk suppression

Номер патента: US20230268193A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Chen-Lun TING,Yung-Chih Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7820476B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming a semiconductor device having a fin and structure thereof

Номер патента: WO2007127533A2. Автор: Marius K. Orlowski. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190355622A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for producing 3d semiconductor devices and structures with transistors and memory cells

Номер патента: US20240215267A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for cleaning a semiconductor device

Номер патента: US20130189835A1. Автор: Itaru Kanno,Masahiko Higashi,Yutaka Takeshima,Hirokazu Kurisu,Yusaku Hirota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204080A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240055260A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a semiconductor device including a hollow structure around an electrode of a semiconductor element

Номер патента: US9576845B2. Автор: Kazuhiro Maeda,Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240204081A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device having more than two conductive layers

Номер патента: US4935378A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor device having fine contact hole with high aspect ratio

Номер патента: US6114244A. Автор: Kazuyuki Hirose,Kuniko Kikuta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor

Номер патента: US8883554B2. Автор: Tadashi Serikawa,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for fabricating a semiconductor device having an epitaxially grown region

Номер патента: US3579814A. Автор: Frederick H Dill Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-05-25.

Method for forming a semiconductor device structure having an electrical connection structure

Номер патента: US20200395251A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130034964A1. Автор: HAIYANG Zhang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100062594A1. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140242771A1. Автор: Harry Yue Gee,Umesh Sharma,Sudhama C Shastri,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US20230386922A1. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section

Номер патента: US11798847B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods, apparatus, and system for reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US20200127120A1. Автор: Jagar Singh,Arkadiusz Malinowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130017661A1. Автор: Qingsong WEI,Chaowei Li,Yonggen He,Huanxin Liu,Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20130005090A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20190164746A1. Автор: Joy Cheng,Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing a semiconductor device having a conductor pattern side face provided with a separate conductive sidewall

Номер патента: US6344406B2. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955516B2. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10109718B2. Автор: Harry Yue Gee,Umesh Sharma,Sudhama C Shastri,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-10-23.

Methods, Apparatus, and System for Reducing Leakage Current in Semiconductor Devices

Номер патента: US20190326413A1. Автор: Jagar Singh,Arkadiusz Malinowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180366321A1. Автор: Tatsuya Usami,Tomoo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20220415658A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240136230A1. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080242068A1. Автор: Manabu Sakamoto,Yasuyoshi Mishima,Teruo Kurahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3198631A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11942553B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200135A1. Автор: Naoya Inoue,Hiroshi Sunamura,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210104632A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20200135454A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yahru CHENG,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204047A1. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050070089A1. Автор: Taikan Iinuma. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Surface processing apparatus and surface processing method for sic substrate

Номер патента: EP4099364A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi,Yasuo Ishihara,Kyohei Kotake,Shinji Mukota,Kazufumi AOKI,Yuya Kato,Naoki Maruno,Manabu Tomisaka,Shusaku Nakazawa,Bahman Soltani. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Power feeding apparatus and power feeding method for submerged pump

Номер патента: AU2022331162A1. Автор: Hayato Ikeda,Shuichiro Honda,Tetsuji KASATANI,Mitsutaka IWAMI,Kei WATAJI,Hyuga KIKUCHI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Power feeding apparatus and power feeding method for submersible pump

Номер патента: CA3229300A1. Автор: Hayato Ikeda,Shuichiro Honda,Tetsuji KASATANI,Mitsutaka IWAMI,Kei WATAJI,Hyuga KIKUCHI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Test method and test apparatus for testing a plurality of blocks in a circuit

Номер патента: US09664741B2. Автор: Fei Dong,Shu Gong,Hai Long Li,Yin Peng Lv,Liu Di Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Apparatus and an improved method for processing of digital information

Номер патента: WO1981000160A1. Автор: B Rothaar,T Stockham. Владелец: Soundstream. Дата публикации: 1981-01-22.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20150310939A1. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Systems, apparatus, and computer-implemented methods for monitoring packages in transit through a logistics network

Номер патента: CA3223305A1. Автор: George Richardson,Bala Vaidyanathan,Chinnatat Methapatara,Christopher Bochman,Gopal Narasimhan. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Systems, apparatus, and computer-implemented methods for monitoring packages in transit through a logistics network

Номер патента: EP4441678A1. Автор: George Richardson,Bala Vaidyanathan,Chinnatat Methapatara,Christopher Bochman,Gopal Narasimhan. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Logic processing apparatus and logic processing method for composite graphs in fixed layout document

Номер патента: US09727536B2. Автор: Xin Tao,Cao Shi,Zhi Tang,Canhui Xu. Владелец: Founder Apabi Technology Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Parking assistance apparatus and parking assistance method for vehicle

Номер патента: US09361803B2. Автор: Seong Soo Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for testing a polarization state, method for manufacturing a semiconductor device, and test substrate for testing a polarization state

Номер патента: US20060250615A1. Автор: Kazuya Fukuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Memory apparatus and data rearrangement method for computing in memory

Номер патента: US12045493B2. Автор: Kai-Chiang Wu,Shu-Ming Liu,Wen Li Tang. Владелец: Skymizer Taiwan Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Scaling management apparatus and scaling management method for storage system including storage nodes

Номер патента: US20240311002A1. Автор: Shinichi Hayashi,Yoshinori Ohira,Katsuto SATO. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated optical assembly apparatus and integrated fabrication method for coupling optical energy

Номер патента: US09746608B1. Автор: Payam Rabiei. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-transitory computer-readable medium storing programs for information processing apparatus, image recording apparatus, and information processing method for performing a manual dual-sided print process

Номер патента: US09639786B2. Автор: Mareyuki Murata. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Image recognition apparatus and image recognition method for identifying object

Номер патента: US09489566B2. Автор: Hiroshi Sato,Kotaro Yano,Ichiro Umeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Reinforcement learning apparatus and reinforcement learning method for optimizing position of object based on design data

Номер патента: US20230086563A1. Автор: Sung Min Lee,Dong Hyun Lee,Won Young Cho,Ye Rin MIN,Yeon Sang YU,Ba Da KIM. Владелец: Agilesoda Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Computer readable recording medium, information processing apparatus, and information processing method for displaying converted image data

Номер патента: US09501246B2. Автор: Norihiko Asai. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Information processing apparatus and information processing method for associating an image with related information

Номер патента: US09471982B2. Автор: Tomoyuki Shimizu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Apparatus and computer-implemented method for providing a trained policy configured to control a device, apparatus and method for controlling a device, and vehicle

Номер патента: EP4276708A1. Автор: Dotan Di Castro,Chana Ross,Yakov Miron,Chen Tessler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for removal of resist film and method for production of semiconductor device

Номер патента: US5952157A. Автор: Toshio Kato,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Method for overlay error correction and method for manufacturing a semiconductor device structure with overlay marks

Номер патента: US11796924B2. Автор: Shih-Yuan Ma. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Photoresist composition and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230384668A1. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for overlay error correction and method for manufacturing a semiconductor device structure with overlay marks

Номер патента: US20230213873A1. Автор: Shih-Yuan Ma. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Image processing apparatus and image processing method for identifying a landing location on the moon or planets

Номер патента: US6167144A. Автор: Kenichi Nishiguchi,Shoji Yoshikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US9202596B2. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor device and method of detecting abnormality on semiconductor device

Номер патента: US20110194360A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Information detection apparatus and information detection method for recording media

Номер патента: CA2206956C. Автор: Tsutomu Momose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Image forming apparatus and sheet conveying method for the image forming apparatus

Номер патента: US20100310261A1. Автор: Toshihiro Matsushima. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

System, apparatus, and information processing method for delivering event information indicating an event generated in an apparatus to one or more processors of the apparatus

Номер патента: US9747059B2. Автор: Ryoji Araki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Information processing system, information processing apparatus, and information processing method for managing print data

Номер патента: US11966653B2. Автор: Takashi Kojima,Masaharu Tonouchi. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory apparatus and data rearrangement method for computing in memory

Номер патента: US20240028245A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Shu-Ming Liu,Wen Li Tang. Владелец: Skymizer Taiwan Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and computer-implemented method for correcting inconsistent facts in a knowledge base

Номер патента: US20240028918A1. Автор: Trung Kien TRAN,Mohamed Gad-Elrab,Daria Stepanova,Hiba Arnaout. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-25.

Image forming apparatus, and memory control method for image forming apparatus

Номер патента: US20020097318A1. Автор: Isamu Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Recording medium recording program, information processing apparatus, and information processing method for transcription

Номер патента: US11798558B2. Автор: Satoru Sankoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Mobile terminal test apparatus and parameter replacement method for use in mobile terminal test apparatus

Номер патента: US09585035B2. Автор: Takayuki Awano,Yuki Higuchi,Daiki Kano. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mobile terminal testing apparatus and cell use method for use in the same

Номер патента: US20160277949A1. Автор: Satoshi Wakasa,Keiichiro Samejima,Takayuki Koguchi. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Mobile terminal testing apparatus and cell use method for use in the same

Номер патента: US09973948B2. Автор: Satoshi Wakasa,Keiichiro Samejima,Takayuki Koguchi. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for allocating, by a telecommunication device, at least a channel element of a group of channel elements of a channel resource to a destination

Номер патента: EP2156627A1. Автор: Damien Castelain,Loic Brunel,Nicolas Gresset. Владелец: Mitsubishi Electric Information Technology Center Europe BV Nederlands. Дата публикации: 2010-02-24.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Apparatus and an accompanying method for use in a long-haul echo control device for detecting changes in path length and compensating the performance of an echo canceller therein

Номер патента: US20030190040A1. Автор: Ronald Tegethoff. Владелец: NMS Communications Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Braking Control Apparatus and Braking Control Method For Electric Vehicle

Номер патента: US20080093916A1. Автор: Hideto Negoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Image acquiring apparatus and image acquiring method for detecting and recognizing size of scan target without using sensors

Номер патента: US8228569B2. Автор: Hsing-Lu Chen. Владелец: Avision Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Apparatus, and an associated method, for compensating for variable delay of packet data in a packet data communication system

Номер патента: WO2002028015A3. Автор: Janne Kallio,Jorma Vainikainen. Владелец: Nokia Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Apparatus, and an associated method, for compensating for variable delay of packet data in a packet data communication system

Номер патента: WO2002028015A2. Автор: Janne Kallio,Jorma Vainikainen. Владелец: Nokia Inc.. Дата публикации: 2002-04-04.

Drive control apparatus and drive control method for vibration wave driving apparatus

Номер патента: WO2011093060A1. Автор: Kiyoshi Nitto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-08-04.

Driving apparatus and a driving method for a single phase motor

Номер патента: US20080074066A1. Автор: Yi-Chen Chen,Yi-Chen Lin,Juh-Gua Shiau,Ying-Chen Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Radio communication system, radio communication apparatus, and radio communication method for radio communication system

Номер патента: US09392603B2. Автор: Hiroyuki Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Apparatus, and an associated method, for communicating text data in a radio communication system

Номер патента: EP1592270A1. Автор: Ian Melhuish. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Apparatus, and an associated method, for communicating text data in a radio communication system

Номер патента: CA2505228A1. Автор: Ian Melhuish. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2005-10-26.

Apparatus, and an associated method, for communicating text data in a radio communication system

Номер патента: US20050237980A1. Автор: Ian Melhuish. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Refrigeration cycle apparatus and leakage inspection method for refrigerant piping of refrigeration cycle apparatus

Номер патента: US20240310098A1. Автор: Kaoru Matsushita,Kazushi Takeuchi,Junichi Wakasugi. Владелец: Toshiba Carrier Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Interference mitigation apparatus and interference mitigation method for home network transmission line, and communication system using same

Номер патента: US09866271B2. Автор: Hyung-Jin Park,In-Taek JEONG,Nowook PARK. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Picture decoding apparatus and picture decoding method for decoding a current picture in direct mode

Номер патента: US09485516B2. Автор: Satoshi Kondo,Shinya Kadono,Kiyofumi Abe. Владелец: GODO KAISHA IP BRIDGE 1. Дата публикации: 2016-11-01.

Communication system, terminating apparatus, and pon virtualization method for use therein

Номер патента: SG146529A1. Автор: Ogushi Sadaichiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Apparatuses and wireless communication methods for group of sessions

Номер патента: WO2024167892A1. Автор: Tricci So. Владелец: Innopeak Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

ADSL modem apparatus and re-initialization method for ADSL modem apparatus

Номер патента: US7295600B2. Автор: Tatsuo Imai,Nobuhiko Noma,Keiichi Tomita. Владелец: Panasonic Communications Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single-crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: EP3930018A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-12-29.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Vacuum degassing apparatus and vacuum degassing method for molten glass

Номер патента: RU2449956C1. Автор: Хадзиме ИТОХ,Хиронобу ЯМАМИТИ,Тору НИСИКАВА,Тецуя КОЯМА,Юдзи ЭНДО. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2012-05-10.

Transmission apparatus, reception apparatus, and transmission/reception method for OFDM-based broadcasting system

Номер патента: US11876737B2. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Ik Park,Jae-Hyun Seo,Seok-Ki Ahn. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing a semiconductor device using a support layer to form a gate structure

Номер патента: US11700722B2. Автор: JaeWha PARK,Moonkeun Kim,Sukhoon KIM,Dongchan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Braking apparatus and braking control method for vehicle

Номер патента: US11014439B2. Автор: Jae Hoon Jung,Soung Jun PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Braking apparatus and braking control method for vehicle

Номер патента: US20190299768A1. Автор: Jae Hoon Jung,Soung Jun PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Image reading apparatus and a control method for an image reading apparatus

Номер патента: US20050168523A1. Автор: Yuji Takiguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Apparatus, and an associated method, for routing data through logical layers of a communication device

Номер патента: US7852876B2. Автор: Andrew John Farnsworth,Nicola M. Funnell. Владелец: M Stack Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Apparatus, and an associated method, for performing link layer paging of a mobile station operable in a radio communication system

Номер патента: EP1507429A3. Автор: Timucin Ozugur,Behcet Sarikaya. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-11-08.

Clothes treating apparatus and the control method for the same

Номер патента: US11821131B2. Автор: HAN Su Jung,Kwang Sik Kim,Ha Min Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Image forming apparatus and gradation correction method for the same

Номер патента: US20130148138A1. Автор: Hideaki Tanaka,Kazuhiro Saito,Katsuyuki Hirata,Takashi Harashima,Daiki Yamanaka. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-06-13.

Apparatus, and an associated method, for providing wlan service in a fixed wireless access communication system

Номер патента: AU2002225271A1. Автор: Paul F. Struhsaker. Владелец: Raze Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-30.

Apparatus, and an associated method, for providing wlan service in a fixed wireless access communication system

Номер патента: EP1364485A2. Автор: Paul F. Struhsaker. Владелец: Raze Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-26.

Apparatuses and wireless communication methods for data transfer

Номер патента: WO2024072878A1. Автор: Tricci So. Владелец: Iinnopeak Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Apparatus, and an associated method, for facilitating synchronization in a wireless mesh network

Номер патента: EP1456973A1. Автор: Mika Kasslin,Jori Arrakoski,David A. Beyer. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2004-09-15.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09550353B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09434150B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US09929203B1. Автор: Keng-Ying Liao,Yi-Hung Chen,Chih-Yu Wu,Chih-Wei SUNG,Yi-Fang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Wire bonding apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107070B2. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240234096A1. Автор: Sang Ki Nam,Jun Ho Lee,Sang Chul Han,Hyun Jae Lee,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20230299767A1. Автор: Kohei Hasegawa,Shusuke Kawai,Tsuguhiro TANAKA,Takenori Yasuzumi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

A film-like resin composition for semiconductor sealing and filling, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: TWI462959B. Автор: Akira Nagai,Tetsuya Enomoto,Kazutaka Honda,Emi Miyazawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-01.

Grinding apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230339071A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim,Jongguw KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Self-aligned patterning technique for semiconductor device features

Номер патента: US20150004800A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (finfet)

Номер патента: US20170148796A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Gate profile modulation for semiconductor device

Номер патента: US20230387251A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Sih-Jie Liu,wei-fu Wang,Tien-Shun Chang,Yi-Chao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09929163B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09659942B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20110240846A1. Автор: Yasutaka Takeuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4005972A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12134556B2. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing 1,4-bis(4‘phenoxybenzoylbenzene) at an elevated temperature

Номер патента: CA3061433A1. Автор: Guillaume Le,Julien Jouanneau,Jerome Amstutz. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2018-11-22.

Testing apparatus for respirators and method of using the same

Номер патента: US20230364451A1. Автор: David E. Cowgill,Robert Nickell Moran,Francisco Elias Hernandez. Владелец: Ator Labs Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Parking assist apparatus and parking assist method for vehicle

Номер патента: EP1462342A3. Автор: Toru Sugiyama,Akira Matsui,Yuichi Kubota,Seiji Kawakami,Hisashi Satonaka,Tomohiko Endo,Hiroaki Kataoka,Katsuhiko Iwazaki,Yuu Tanaka,Hideyuki Iwakiri,Yoshifumi Iwata. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-13.

Image recording apparatus and image recording method for the image recording apparatus image

Номер патента: US20080018923A1. Автор: Masahiro Nakanishi,Kenichi Okawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Flexible dot matrix bonding apparatus and adaptive clamping method for disk-type planar component

Номер патента: US11919115B2. Автор: Yuwen SUN,Shuyang YAN,Shutao QI,Jinting XU. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-03-05.

Automatically controlled cleaning apparatus and controlled cleaning method for MEMS chip

Номер патента: GB2615659A. Автор: Liu Yan,He Fang,ZHANG Na,Li Yongqing,ZHU YONGFENG,Xu Haining,Hu Yanli,Li Hongru,Jia Wenbo,Shan Henan. Владелец: Sinomach Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Flexible dot matrix bonding apparatus and adaptive clamping method for disk-type planar component

Номер патента: US20230286091A1. Автор: Yuwen SUN,Shuyang YAN,Shutao QI,Jinting XU. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and the associated methods for calibrating a wavefront sensor

Номер патента: EP1455639A1. Автор: Ronald J. Martino. Владелец: Bausch and Lomb Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

Inkjet assembly, inkjet printing apparatus and inkjet printing method for use in preparation of display component

Номер патента: US20220184945A1. Автор: XIAO Wu,Jinsong Zhang,Jin Cao,Zhiliang Wang,Xinguo LI,Limin YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Inkjet assembly, inkjet printing apparatus and inkjet printing method for use in preparation of display component

Номер патента: US11794471B2. Автор: XIAO Wu,Jinsong Zhang,Jin Cao,Zhiliang Wang,Xinguo LI,Limin YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Inkjet assembly, inkjet printing apparatus and inkjet printing method for use in preparation of display component

Номер патента: US20230391077A1. Автор: XIAO Wu,Jinsong Zhang,Jin Cao,Zhiliang Wang,Xinguo LI,Limin YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for production of mineral moldings

Номер патента: RU2248952C2. Автор: Роланд БАЙЕР,Вольфганг БУРЧЕР,Роланд БАЙЕР (DE),Вольфганг БУРЧЕР (DE). Владелец: Волфф Вальсроде Аг. Дата публикации: 2005-03-27.

Testing apparatus and testing method for telephone apparatus

Номер патента: US20140072110A1. Автор: Hsin-Chun Lee,Pei-Lin Chen,Shou-Jung Chang,Chia-Chien Feng. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of forming semiconductor devices in wafer assembly

Номер патента: US20110092046A1. Автор: Ami Chand. Владелец: Applied Nanostructures Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for delivering an intravascular device to the mitral annulus

Номер патента: SG11201900817XA. Автор: Oepen Randolf von,Francisco VALENCIA,Sean A McNiven. Владелец: Sean A McNiven. Дата публикации: 2019-02-27.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for formation of semiconductor device alloyed areas

Номер патента: RU2476955C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2013-02-27.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2431904C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдула Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for detection of semiconductor devices placed in rooms for unsanctioned recording of speech and visual information

Номер патента: RU2257012C1. Автор: В.Н. Световидов,В.И. Романов,П.П. Пастухов. Владелец: Пастухов Павел Петрович. Дата публикации: 2005-07-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.