Device of Semiconductor With Recess Channel Structure and Forming Method thereof
Номер патента: KR100526460B1
Опубликовано: 08-11-2005
Автор(ы): 김용택
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-11-2005
Автор(ы): 김용택
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor
Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.