Voltage reset circuits for a semiconductor memory device using option fuse circuit .

Voltage reset circuits for a semiconductor memory device using option fuse circuit

Номер патента: US7505350B2
Опубликовано: 17-03-2009
Автор(ы): Dae-Seok Byeon, Hee-Won Lee, Wook-ghee Hahn
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same

Номер патента: US6624457B2. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit for reducing test time and semiconductor memory device including the circuit

Номер патента: US20020056061A1. Автор: Katsumi Dosaka,Tetsushi Tanizaki,Masaru Haraguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Data read circuit for use in a semiconductor memory and a memory thereof

Номер патента: US6982913B2. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09799669B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: US7298199B2. Автор: Chi-wook Kim,Han-Gyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Circuit for generating negative voltage and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20100019810A1. Автор: Young Do Hur,Yeon Uk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Read and write methods for a resistance change non-volatile memory device

Номер патента: US09484090B2. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Ryotaro Azuma,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Timing control circuit for use of a semiconductor device

Номер патента: US20030048121A1. Автор: Tae Hyung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US11894042B2. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US20230162777A1. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Calibration circuit for controlling resistance of output driver circuit, memory device including the same, and operating method of the memory device

Номер патента: US20210027827A1. Автор: Junha Lee,Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Midpoint potential generating circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US20070216473A1. Автор: Atsushi Takeuchi,Masafumi Yamazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Improved sensing circuits for use in low power nanometer flash memory devices

Номер патента: WO2015134178A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Display driver circuit for high resolution and high frame rate and display device using the same

Номер патента: US11114011B1. Автор: Wen-Shian Shie,Li-Shen Chang,Chien-Hsien Lin,Ko-Ming Su. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Systems and methods for implementing a release film for a cleaning unit in an image forming device using digital offset lithographic printing techniques

Номер патента: US20150314589A1. Автор: Bruce Earl Thayer. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Dual current data bus clamp circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US5091886A. Автор: Masahumi Miyawaki,Tamihiro Ishimura,Yoshio Ohtsuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-25.

An arrangement of data input/output circuits for use in a semiconductor memory device

Номер патента: TW410410B. Автор: Chang-Ho Lee,Jun-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-01.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Signal delay control circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20040141383A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Signal delay control circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20030002356A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Chalcogenide semiconductor memory device with insulating dielectric

Номер патента: WO2008033203A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Read amplifier circuit for high-speed reading and semiconductor memory device employing the read amplifier circuit

Номер патента: US20010045574A1. Автор: Hiroaki Tanizaki,Mitsue Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and circuit for updating software register in semiconductor memory device

Номер патента: TW200617976A. Автор: Duk-Ju Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Method and circuit for updating software register in semiconductor memory device

Номер патента: TWI270081B. Автор: Duk-Ju Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Redundancy circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: FR2598549A1. Автор: Hyung-Kyu Lim,Jae-Yeong Do,Rustam Mehta. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-13.

REDUNDANCY CIRCUIT FOR USE IN A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2598549B1. Автор: Hyung-Kyu Lim,Jae-Yeong Do,Rustam Mehta. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-04.

Redundancy circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: GB2191614A. Автор: Hyung-Kyu Lim,Jae-Yeong Do,Rustam Mehta. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-16.

Address transition detector circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: DE4205578C2. Автор: Bon-Kyoung Kim,Woong-Mu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-06-01.

Non-volatile semiconductor memory device and operating method for a non-volatile semiconductor memory device and method for programming information into a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4311358C2. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-22.

Defect address storing circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100356774B1. Автор: 이병훈,임영호. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-10-18.

Input/output sense amplifier circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: KR20010092224A. Автор: 심재윤. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-24.

Data input circuit for use in a semiconductor memory device which provides various test data patterns in a test mode

Номер патента: KR20010105829A. Автор: 남경우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

A redundancy decoding circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: TW434502B. Автор: Tae-Kyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor read only memory device

Номер патента: CA1166747A. Автор: Jyoji Murakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US5198996A. Автор: Makoto Kojima,Takashi Takata. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Mitigating read disturb effects in memory devices

Номер патента: US20220291995A1. Автор: Mark Ish,James P. CROWLEY,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

METHOD AND CIRCUIT FOR CONTROL OF A SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: FR2335909A1. Автор: Wilfried Klein,Knut Najmann,Siegfried Wiedmann,Klaus Heuber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-07-15.

Semiconductor memory device and a circuit for redundant cell test of semiconductor memory device

Номер патента: KR100240884B1. Автор: 차기원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Test circuit for use in a semiconductor apparatus

Номер патента: US20090121733A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Test circuit for use in a semiconductor apparatus

Номер патента: US20110233548A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: EP2973570A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kaiman YUE. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: US09620235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kai Man Yue. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Decoding circuit for on die termination in semiconductor memory device and its method

Номер патента: US20050141327A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US4491859A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: US11776611B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: WO2023014739A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Burst length discriminating circuit for use in synchronous semiconductor memory and having a predetermined initialized state of power-up

Номер патента: US20020004879A1. Автор: Kazuhisa Saho. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

CIRCUIT FOR PARALLEL BIT TEST OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130235677A1. Автор: Park Il Sang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD OF PREVENTING PROGRAM-DISTURBANCES FOR A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043896A1. Автор: Kim Min-Su,PARK Sang-Hoon,Jeon Hee-Seog,Park Ji-Hoon,Kim Min-sup,Park Weon-Ho,Kwon Hyok-Ki,Kim Byoung-Ho,Kim Eui-Yeol,Sung Min-Jee,Sim Hyo-Soung,Jeon Chang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

REFRESH CONTROL CIRCUIT FOR TARGET REFRESH OPERATION OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180061476A1. Автор: Kim Jung-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Circuit for precharging bit line in semiconductor memory device

Номер патента: KR100320440B1. Автор: 김동석,박산하. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-01-16.

Circuit for Measuring ODT Resistor and Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100881131B1. Автор: 김택승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Circuit for protective cell data of semiconductor memory device

Номер патента: KR20020089990A. Автор: 박종훈,정태형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-30.

Circuit for controlling differential amplifier in semiconductor memory device

Номер патента: KR100665408B1. Автор: 강태진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-04.

Circuit for reducing standby current and semiconductor memory device having the same

Номер патента: KR100735677B1. Автор: 이영대. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-04.

Local databus precharge circuit for high speed operation of semiconductor memory device

Номер патента: KR100702767B1. Автор: 양선석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-03.

A circuit for discharging bit line of semiconductor memory device

Номер патента: KR100528453B1. Автор: 정승호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-17.

Start-up circuit for stable power-on of semiconductor memory device

Номер патента: KR960011205B1. Автор: 김명재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-08-21.

Circuit for generation internal voltage of semiconductor memory device

Номер патента: KR100419871B1. Автор: 김영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-25.

Circuit for varying sensing margin and semiconductor memory device comprising thereof

Номер патента: KR100712528B1. Автор: 오철웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Reference scheme for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7259993B2. Автор: Marco Redaelli,Luca De Ambroggi. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-08-21.

Test circuit for reducing test time in semiconductor memory device having multiple data input/output terminals

Номер патента: US6301678B1. Автор: Shigeki Ohbayashi,Hirotoshi Sato,Tomohisa Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Method and circuit for parallel bit test of semiconductor memory device

Номер патента: KR100506531B1. Автор: 김병철,조수인,고승범,신주원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-03.

Circuit for generating precharge voltage in semiconductor memory device

Номер патента: KR20000045330A. Автор: 허연철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-15.

A sense amplifier circuit for use in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100322471B1. Автор: 조성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-02-07.

Method and apparatus for high voltage operation for a high performance semiconductor memory device

Номер патента: US20070291550A1. Автор: Yonggang Wu,Nian Yang,Guowei Wang,Boon-Aik Ang,Fan Wan Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Circuit for controlling write mode in semiconductor memory device

Номер патента: KR100296920B1. Автор: 배성호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Decoding circuit for use in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: DE602005020066D1. Автор: Tae-gyun Kim,Jin-Yub Lee,Seok-Heon Lee,Young-Joon Choi,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Test circuit for chip reliability test and semiconductor memory device having same

Номер патента: KR950020753A. Автор: 장태성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-07-24.

Circuit for control of precharge and semiconductor memory device including the same

Номер патента: KR100925369B1. Автор: 이상희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-09.

Circuits for setting operation mode of semiconductor memory device and method for setting thereof

Номер патента: KR100315347B1. Автор: 정우섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-26.

Circuit for enabling sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: KR100655084B1. Автор: 김수환,박철성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Circuit for enabling sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: CN101004945A. Автор: 金秀焕,朴哲成. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-25.

Circuit for controlling auto precharge of semiconductor memory device

Номер патента: KR100680396B1. Автор: 김귀동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Circuit for generating internal voltage of semiconductor memory device

Номер патента: KR20020091958A. Автор: 조우영,오형록. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-11.

Method and circuit for updating software register in semiconductor memory device

Номер патента: KR100624297B1. Автор: 정덕주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8102704B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-24.

Start-Stop Circuit for Stable Power-On of Semiconductor Memory Devices

Номер патента: KR950015379A. Автор: 김명재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-06-16.

SUPPLY VOLTAGE CONVERSION CIRCUIT FOR A HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: FR2647250B1. Автор: Kim Chang-Hyun,Min Dong-Sun,Jin Dae-Je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-16.

Reducing effects of program disturb in a memory device

Номер патента: US20100188898A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Supply voltage conversion circuit for a high-density semiconductor memory

Номер патента: FR2647250A1. Автор: Dong-Sun Min,Chang-Hyun Kim,Dae-Je Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-11-23.

Reading circuit for a monolithic integrated semiconductor memory

Номер патента: EP0056433B1. Автор: Kurt Dr.-Ing. Hoffmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-01-17.

Reading circuit for a monolithic integrated semiconductor memory

Номер патента: HK76192A. Автор: Kurt Dr-Ing Hoffmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-10-09.

Voltage generating circuit for delay locked loop and semiconductor memory devce including the same and method for generating voltage for delay locked loop

Номер патента: KR100892726B1. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-10.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US11901014B2. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US11907580B2. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230360704A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230386578A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US12027211B2. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Data loading circuit for partial program of nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: KR970005645B1. Автор: 김진기,이성수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-18.

Circuit for controlling internal voltate in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100728903B1. Автор: 최향화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Circuit for Controlling Initial Voltage in Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100794991B1. Автор: 손종호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-16.

Circuit for generating read command of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100911200B1. Автор: 이형욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-06.

Circuit for reference voltage generator in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100907019B1. Автор: 이종천,김종삼,김제윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-08.

Circuit for generating reference voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100803362B1. Автор: 강길옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-13.

Data loading circuit for partial program of nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: KR960015593A. Автор: 김진기,이성수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-05-22.

Circuit for inputting/outputting data of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100766386B1. Автор: 김광현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-12.

Circuit for Controlling Column Address and Semiconductor Memory Apparatus Using the Same

Номер патента: KR100935598B1. Автор: 박낙규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-07.

Circuit for Generating Reference Voltage of Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100902053B1. Автор: 강동금. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-15.

Circuit for Controlling Initial Voltage in Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100748458B1. Автор: 손종호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-13.

Circuit for generating pumping voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100968466B1. Автор: 강길옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Circuit for generating internal clock of semiconductor memory

Номер патента: KR100266669B1. Автор: 이병주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Sensing scheme for a non-volatile semiconductor memory cell

Номер патента: CN1892905A. Автор: M·雷代利,L·德阿姆布洛吉. Владелец: Infineon Technologies Flash & CoKg GmbH. Дата публикации: 2007-01-10.

Circuit for generating pumping voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100915834B1. Автор: 권재관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-07.

Circuit for driving word line of semiconductor memory

Номер патента: JPH10199247A. Автор: カンチャン−マン,リーチャン−ジン,Kan Chan-Man,Rii Chan-Jin. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-31.

Sensing scheme for a non-volatile semiconductor memory cell

Номер патента: TW200731266A. Автор: Redaelli Marco,De Ambroggi Luca. Владелец: Qimonda Flash Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2007-08-16.

Circuit for Generating Internal Voltage in Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100992007B1. Автор: 옥승한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-11-04.

Circuit for Controlling Test Mode of Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100878308B1. Автор: 김기업. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-14.

Circuit for preventing system malfunction in semiconductor memory and method thereof

Номер патента: US20020175773A1. Автор: Jun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Techniques to change a mode of operation for a memory device

Номер патента: US20180348838A1. Автор: Uksong Kang,Christopher E. Cox. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Wear leveling for storage or memory device

Номер патента: US20170256305A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Kyung-Chang Ryoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US8942033B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-01-27.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US20240071491A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Voltage calibration scans to reduce memory device overhead

Номер патента: US20220293208A1. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Redundancy resource comparator for a bus architecture, bus architecture for a memory device implementing an improved comparison method and corresponding comparison method

Номер патента: US20220012191A1. Автор: Simone MAZZUCCHELLI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

High-efficiency driving stage for phase change non-volatile memory devices

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Antonino Conte,Maria GIAQUINTA,Loredana CHIARAMONTE. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

A substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: TW457775B. Автор: Hoon Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-01.

Duty cycle correction circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US7199632B2. Автор: Kee-won Kwon,Byung-Kwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-03.

Test circuit for use in a semiconductor apparatus

Номер патента: US8786302B2. Автор: Hong-Sok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-22.

Implementing timing alignment and synchronized memory activities of multiple memory devices accessed in parallel

Номер патента: US20130332680A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Paul W. Coteus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

ROW DECODER CIRCUIT FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130301348A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,Desandre Guido,Polizzi Salvatore,Castagna Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-14.

A single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: WO2015038427A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Circuit for supplying well voltages in nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329037A1. Автор: Gyo Soo Chu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

CALIBRATION CIRCUIT FOR CONTROLLING RESISTANCE OF OUTPUT DRIVER CIRCUIT, MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210027827A1. Автор: LEE Junha,KIM HWAPYONG,CHOI HUNDAE. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

SINGLE-SEMICONDUCTOR-LAYER CHANNEL IN A MEMORY OPENING FOR A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150076586A1. Автор: Alsmeier Johann,Rabkin Peter,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

READ TECHNIQUES FOR A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) MEMORY DEVICE WITH A CURRENT MIRROR

Номер патента: US20200105327A1. Автор: Gupta Gaurav,LIN Chung-Te,Chiang Katherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Apparatus and method for a thermal management of a memory device

Номер патента: US20110029150A1. Автор: David A. Wyatt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

Calibration circuit for controlling resistance of output driver circuit, memory device including the same, and operating method of the memory device

Номер патента: US11145355B2. Автор: Junha Lee,Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

METHOD OF USING MULTIPLEXING CIRCUIT FOR HIGH SPEED, LOW LEAKAGE, COLUMN-MULTIPLEXING MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130229879A1. Автор: Chen Yi-Tzu,Shieh Hau-Tai,LO Bin-Hau,Su C. K.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-05.

Row Decoding Architecture for a Phase-Change Non-Volatile Memory Device and Corresponding Row Decoding Method

Номер патента: US20190206488A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

HIGH THROUGHPUT PROGRAMMING SYSTEM AND METHOD FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150243356A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,"Di Martino Alberto Jose". Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Sensing Circuits for Use In Low Power Nanometer Flash Memory Devices

Номер патента: US20150255165A1. Автор: Tran Hieu Van,Ly Anh,Vu Thuan,Nguyen Hung Quoc. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-09-10.

Circuit for drain voltage pumping in a flash memory device

Номер патента: KR100642907B1. Автор: 이상용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-03.

A circuit for creating bias level in a flash memory device

Номер патента: KR100332114B1. Автор: 강한국. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

circuit for generating boost voltage of nonvolatile ferroelectric memory device and method for generating the same

Номер патента: KR100425160B1. Автор: 박제훈,김덕주,강희복,계훈우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

circuit for generating boost voltage of nonvolatile ferroelectric memory device and method for generating the same

Номер патента: KR20020090570A. Автор: 박제훈,김덕주,강희복,계훈우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-05.

Mode conversion process for a dual input/output port memory device

Номер патента: FR2661770A1. Автор: Jang-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-11-08.

Circuit for generating data strobe signal in DDR memory device and method therefor

Номер патента: US7983101B2. Автор: Kwang Jin Na,Young Bae Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Circuit for generating control signal and non-volatile memory device including the same

Номер патента: KR20160116864A. Автор: 김병렬. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2016-10-10.

Regulated voltage supply circuit for inducing tunneling current in floating gate memory devices

Номер патента: WO2000014747A1. Автор: Yu-Shen Lin,Ray-Lin Wan,Tzeng-Huei Shiau. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2000-03-16.

Row decoding circuit for use in a nor-type flash memory device

Номер патента: KR100355715B1. Автор: 임영호,이승근. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-10-12.

Regulated voltage supply circuit for inducing tunneling current in floating gate memory devices

Номер патента: CN1367927A. Автор: 余－申·林,曾－辉·绍,雷－林·万. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Data latching circuit for read-out operations of data from memory device

Номер патента: EP0809253A2. Автор: Masayoshi Hirata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-26.

Memory controller including control circuit for controlling output current driving capability of memory device and memory system using the same

Номер патента: KR20020073701A. Автор: 정대희. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-28.

Improved sensing circuit for use in low power nanometer flash memory devices

Номер патента: JP6208895B2. Автор: ヒューヴァントラン,ヒューヴァントラン,トゥアンヴー,フンクオックグエン,フンクオックグエン,アィンリー. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-04.

Control circuit for writing and reading data records for memory devices with circulating data memories

Номер патента: DE2921544C2. Автор: Yoshiaki Yamashita,Hiroyuki Hadano Kambara,Hiroaki Kampayashi,Yasuyuki Sagamihara Okada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-08-26.

Output buffer circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20060239084A1. Автор: Young-Man Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

A high-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: EP3192278A1. Автор: Matthew Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-19.

High-voltage reset mems microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US20170355594A1. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

High-voltage reset MEMS microphone network and method of detecting defects thereof

Номер патента: US09743203B2. Автор: Matthew A. Zeleznik. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method for a floating gate semiconductor memory device by forming cell slits

Номер патента: US5219775A. Автор: Kenji Toyoda,Osamu Matsumoto,Masayuki Yoshida,Yukihiro Saeki,Teruo Uemura,Tomohisa Shigematsu,Hiroyuki Takamura,Takahide Mizutani,Nobuyoshi Chida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-06-15.

An indicator system for a milk container and a milk storage device using the same

Номер патента: EP4072501A1. Автор: Coen Petrus Martinus CLAASSEN,Camiel GUBBELS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-10-19.

An indicator system for a milk container and a milk storage device using the same

Номер патента: US20220409492A1. Автор: Coen Petrus Martinus CLAASSEN,Camiel GUBBELS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-12-29.

Indicator system for a milk container and a milk storage device using the same

Номер патента: US11931319B2. Автор: Coen Petrus Martinus CLAASSEN,Camiel GUBBELS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Voltage reset circuits for a semiconductor memory device using option fuse circuit

Вам могут быть интересны следующие патенты