Defect address storing circuit for use in a semiconductor memory device
Номер патента: KR100356774B1
Опубликовано: 18-10-2002
Автор(ы): 이병훈, 임영호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-10-2002
Автор(ы): 이병훈, 임영호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Defective cell repairing circuit and method of semiconductor memory device
Номер патента: US5657280A. Автор: Choong-Sun Shin,Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.