Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Circuits for performing parallel write test in a semiconductor memory device

Circuits for performing parallel write test in a semiconductor memory device

Номер патента: GB9013159D0
Опубликовано: 01-08-1990
Автор(ы):
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Circuit for controlling an enabling time of an internal control signal according to an operating frequency of a memory device and the method thereof

Номер патента: USRE42202E1. Автор: Ji Hyun Kim,Young Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Circuit for controlling an enabling time of an internal control signal according to an operating frequency of a memory device and the method thereof

Номер патента: US20110109362A1. Автор: Ji Hyun Kim,Young Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Circuit for controlling an enabling time of an internal control signal according to an operating frequency of a memory device and the method thereof

Номер патента: US20050213400A1. Автор: Young Nam,Ji Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Method of fixing a read evaluation time or the difference between a read charge voltage and a read discriminating voltage in a non-volatile nand type memory device

Номер патента: US20080062767A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor memory device which can recover a memory fail

Номер патента: US6930933B2. Автор: Byung Deuk Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory test circuit and method for the same

Номер патента: US6389563B1. Автор: Young Hee Kim,Jin Keun Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090116300A1. Автор: Sung-Joo Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device for performing both of static test and dynamic test during wafer burn-in test and method for operating the same

Номер патента: US09520203B2. Автор: Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with function of carrying out logic judgement for correct recognition of memory operation

Номер патента: US5557574A. Автор: Masao Nakano,Yukihiro Senoo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Mode control circuit for semiconductor device and semiconductor memory device having the mode control circuit

Номер патента: US20020186603A1. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Column redundancy circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5325334A. Автор: Yong-Sik Seok,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

Parallel bit test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: US20070288812A1. Автор: Sang-Seok Kang,Sang-man Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

A circuit for controlling an enabling time of an internal control signal according to an operating frequency of a memory device and the method thereof

Номер патента: TW200532685A. Автор: Ji-Hyun Kim,Young-Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-01.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

High voltage level optimization circuit in a non-volatile semiconductor memory device and method therefor

Номер патента: TW391008B. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-21.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240047004A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20230040099A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US11935604B2. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: WO2022035986A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Word-line discharging circuit in a static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4611303A. Автор: Kouichi Kitano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for performing memory access management with aid of machine learning in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190347573A1. Автор: Po-Yi Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: WO2019147326A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Pinning magnetic domain walls in a magnetic domain shift register memory device

Номер патента: US20140003117A1. Автор: Michael C. Gaidis,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Out-of-order programming of first wordline in a physical unit of a memory device

Номер патента: US20230418742A1. Автор: Deping He,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase-to-phase mismatch reduction in a clock circuit of a memory device

Номер патента: US20240029779A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Fabien Funfrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: WO2019147326A9. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-09-26.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: EP3669367A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Circuit for reducing test time and semiconductor memory device including the circuit

Номер патента: US20020056061A1. Автор: Katsumi Dosaka,Tetsushi Tanizaki,Masaru Haraguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device witih a built-in self test circuit for adjusting a memory device property

Номер патента: US10629284B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device comprising variable delay unit

Номер патента: US20100271887A1. Автор: Young-Sik Kim,Seung-Jun Bae,Sang-hyup Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Managing defective blocks during multi-plane programming operations in memory devices

Номер патента: US20240071528A1. Автор: Robert W. Mason,Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Ekamdeep Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of operating memory device and methods of writing and reading data in memory device

Номер патента: US9589674B2. Автор: Chul-woo Park,Jung-hwan Choi,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Kyo-Min Sohn,Won-Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Error counters on a memory device

Номер патента: US10891185B2. Автор: Melvin K. Benedict,Lidia Warnes,Andrew C. Walton. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-01-12.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for operating a memory device

Номер патента: US8250321B2. Автор: Joern Boettcher,Jens Liebehenschel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor memory device including controller and fuse circuits for performing repair operation

Номер патента: US09514849B2. Автор: Jung-Taek You,Byeong-Chan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory redundancy circuit

Номер патента: GB8505764D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-04-11.

Semiconductor memory device and test method therefor

Номер патента: US20060056256A1. Автор: Yasuhiro Takai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US09484117B2. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020003279A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor memory device including flag cells

Номер патента: US09496055B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8040751B2. Автор: Shigeyuki Nakazawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Device and method for compensating defect in semiconductor memory

Номер патента: US20060203579A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device capable of generating variable clock signals according to modes of operation

Номер патента: US20040179421A1. Автор: Uk-Rae Cho,Yong-jin Yoon,Nam-Soeg Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20230413511A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US11785758B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor memory with improved write function

Номер патента: US4858188A. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-08-15.

Adaptive Program Verify Scheme For Performance Improvement

Номер патента: US20220254415A1. Автор: Nikhil ARORA,Lovleen Arora. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor read only memory device

Номер патента: CA1166747A. Автор: Jyoji Murakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Chalcogenide semiconductor memory device with insulating dielectric

Номер патента: WO2008033203A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2008-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Charge transfer device and a semiconductor circuit including the device

Номер патента: US6510193B1. Автор: Mamoru Miyawaki,Tetsunobu Kochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US5198996A. Автор: Makoto Kojima,Takashi Takata. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100027352A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Wiring configuration of a bus system and power wires in a memory chip

Номер патента: US09508407B2. Автор: Maksim Kuzmenka,Dirk Scheideler,Kai Schiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4539661A. Автор: Atushi Oritani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-09-03.

Memory control circuit for controlling memory device that operates in self-refresh mode, and method of controlling the same

Номер патента: US9761301B2. Автор: Junnosuke Kataoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US11809719B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US20220244863A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory control circuit for controlling memory device that operates in self-refresh mode, and method of controlling the same

Номер патента: US20170062041A1. Автор: Junnosuke Kataoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US20240111435A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory with an improved dummy cell arrangement and with a built-in error correcting code circuit

Номер патента: US4817052A. Автор: Takashi Shinoda,Osamu Sakai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-28.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US4491859A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Multiple power source memory control circuit for memory devices

Номер патента: US5490118A. Автор: Koichi Nishioka,Hidenobu Gochi,Kyoichi Shimakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US11735280B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Delay elements for command timing in a memory device

Номер патента: US20240320169A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-communication device in a memory system

Номер патента: US09934830B2. Автор: Jongmin Park,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko,Sungup Moon,Kyoyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09478299B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Reducing effects of program disturb in a memory device

Номер патента: US20100188898A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Timing control in semiconductor memory systems

Номер патента: CA1039851A. Автор: Donald J. Nelson,Samuel S. Wen. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1978-10-03.

Method controlling deep power down mode in multi-port semiconductor memory

Номер патента: US20130142000A1. Автор: Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Method and circuit for regulating the length of an ATD pulse signal

Номер патента: US6169423B1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Matteo Zammattio,Donato Ferrario. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-01-02.

Efficient reprogramming method for tightening a threshold voltage distribution in a memory device

Номер патента: US20150325297A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Wiring configuration of a bus system and power wires in a memory chip

Номер патента: US20140247681A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Dirk Scheideler,Kai Schiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

Memory device and precharging method thereof

Номер патента: US20240096398A1. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: WO2020050983A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US20210311642A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Mapping for Multi-State Programming of Memory Devices

Номер патента: US20200320009A1. Автор: Richard David Barndt,Henry Chin,James Fitzpatrick,Bernie Rub,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL,Ravi J. Kumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Mapping for Multi-State Programming of Memory Devices

Номер патента: US20220283950A1. Автор: Richard David Barndt,Henry Chin,James Fitzpatrick,Bernie Rub,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL,Ravi J. Kumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Mapping for multi-state programming of memory devices

Номер патента: US11372765B2. Автор: Richard David Barndt,Henry Chin,James Fitzpatrick,Bernie Rub,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL,Ravi J. Kumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: US11790998B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Mapping for multi-state programming of memory devices

Номер патента: US20200192807A1. Автор: Richard David Barndt,Henry Chin,James Fitzpatrick,Bernie Rub,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL,Ravi J. Kumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US20200081631A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: EP3847647A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-14.

Memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180052638A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Data erasure method in a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: DE69321685D1. Автор: Kenichi Oyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-26.

Copy redundancy in a key-value data storage system using content addressable memory

Номер патента: US11955175B2. Автор: Violante Moschiano,Tecla Ghilardi,Tyler L. Betz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Managing error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20230325273A1. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US20160035429A1. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory device

Номер патента: US11387251B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Toru Matsuda,Hanae ISHIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Memory device having a plurality of low power states

Номер патента: US11797203B2. Автор: Ki-Seok OH,Hye-Ran Kim,Seung-jun Shin,Yeon-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device

Номер патента: US20210082947A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Toru Matsuda,Hanae ISHIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Vertical memory device including substrate control circuit and memory system including the same

Номер патента: US20190139968A1. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Delay elements for command timing in a memory device

Номер патента: US12001356B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11837286B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Performing noise cancellation on a memory device using a neural network

Номер патента: US20210096751A1. Автор: Amit Berman,Evgeny BLAICHMAN,Elisha Halperin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US20170032844A1. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory device having a plurality of low power states

Номер патента: US20220413725A1. Автор: Ki-Seok OH,Hye-Ran Kim,Seung-jun Shin,Yeon-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device having a plurality of low power states

Номер патента: US20200356290A1. Автор: Ki-Seok OH,Hye-Ran Kim,Seung-jun Shin,Yeon-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device having a plurality of low power states

Номер патента: US20230004313A1. Автор: Ki-Seok OH,Hye-Ran Kim,Seung-jun Shin,Yeon-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20210398590A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11568930B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240221819A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US20240221846A1. Автор: ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024139206A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11825656B2. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Associative memory device returning search results of a plurality of memory groups successively upon one search instruction

Номер патента: US20040010657A1. Автор: Daisuke Namihira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-15.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US20170140833A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Controller and Method for Interfacing Between a Host Controller in a Host and a Flash Memory Device

Номер патента: US20140250348A1. Автор: Harari Eliyahou,Selinger Robert D.,Heye Richard R.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Generating a sampling clock signal in a communication block of a memory device

Номер патента: US7269093B2. Автор: Martin Streibl,Peter Gregorius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-09-11.

Controller and method for interfacing between a host controller in a host and a flash memory device

Номер патента: WO2011019596A3. Автор: Eliyahou Harari,Robert D. Selinger,Richard R. Heye. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-06-30.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: EP3669367A4. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-05.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126287A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Ivkovic Milos,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126288A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Ivkovic Milos,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126289A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton,Ivkovich Milos. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: EP2266036B9. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Clifton Williamson,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: CN101999116A. Автор: 小H·F·博格,M·伊威科维克,V·克拉琦科夫斯基,J·延,E·F·哈拉特施,A·维特雅一夫,C·威廉姆森. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-03-30.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: TWI533304B. Автор: 二世 哈利Ｆ 伯格,艾利希Ｆ 哈瑞區,米洛斯 伊夫柯維克,維克特 克拉契柯夫斯基,安德利 維堤亞夫,克利夫頓 威廉森,強森 言. Владелец: 艾基爾系統公司. Дата публикации: 2016-05-11.

Four vertically stacked memory layers in a non-volatile re-writeable memory device

Номер патента: US7847330B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Steve Kuo-Ren Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: EP2592552A2. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Clifton Williamson,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2013-05-15.

Pinning magnetic domain walls in a magnetic domain shift register memory device

Номер патента: US8787062B2. Автор: Michael C. Gaidis,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device, and read method and read circuit for the same

Номер патента: US20080008007A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20140204692A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20100039871A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040105339A1. Автор: Keiichi Higeta,Satoshi Iwahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010004329A1. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6385095B2. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US20040017699A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor memory device, and data transmitting/receiving system

Номер патента: US20070274148A1. Автор: Tadashi Nitta,Kazuyo Nishikawa,Masahiro Ueminami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5841729A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5517459A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor memory

Номер патента: US20180182444A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09570143B2. Автор: Jung-Hoon Park,Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20200233608A1. Автор: Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US7440349B2. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-21.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US20070133329A1. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8953390B2. Автор: Masatsugu Ogawa,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Output buffer circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20060239084A1. Автор: Young-Man Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor nonvolatile memory for performing read operations while performing write operations

Номер патента: US20030151951A1. Автор: Hajime Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5862084A. Автор: Yuji Muraoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device including a circuit for storing an operating state and semiconductor system having the same

Номер патента: US20160180915A1. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element

Номер патента: US09679647B2. Автор: Takashi Hase,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki,Masaharu Matsudaira,Koji MASUZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device with clock timing to activate memory cells for subsequent access

Номер патента: US5875486A. Автор: Haruki Toda,Shozo Saito,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor memory device including chalcogenide

Номер патента: US20230402095A1. Автор: Jong Ho Lee,Jun Ku AHN,Gwang Sun JUNG,Uk HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Auto refresh limiting circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20230260563A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Method and circuit for charging a signal voltage through a semiconductor memory device

Номер патента: US20040125668A1. Автор: Tomio Okuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method and circuit for charging a signal voltage through a semiconductor memory device

Номер патента: US6822915B2. Автор: Tomio Okuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-11-23.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Serializer clocking scheme for a memory device

Номер патента: US20240371430A1. Автор: Jongtae Kwak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device that performs an advance reading operation

Номер патента: US09620230B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502103B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device with triple metal layer

Номер патента: US5930166A. Автор: Jun-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307050A1. Автор: Ryota Suzuki,Kenta Yamada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device for performing read operation

Номер патента: US20240290394A1. Автор: Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160155504A1. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Wafer burn-in test circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5986917A. Автор: Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US11798624B2. Автор: Kyung Min Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220344307A1. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230262983A1. Автор: Hisashi Harada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including a NAND string

Номер патента: US09558828B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Dual current data bus clamp circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US5091886A. Автор: Masahumi Miyawaki,Tamihiro Ishimura,Yoshio Ohtsuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-25.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120281456A1. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor memory device with selective provision of boost voltage for programming

Номер патента: EP4134957A2. Автор: Koichi Takeda,Ken Matsubara,Akihiko Kanda,Tomoya Saito,Genta Watanabe,Takahiro Shimoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US20170186480A1. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140169071A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052855B2. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220302016A1. Автор: Kouji Matsuo,Fumitaka Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260271A1. Автор: Takuya Nishikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362A3. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030053360A1. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030072207A1. Автор: Takanobu Suzuki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292608A1. Автор: Jae Hong Park,Jung Ha Hwang,Jae-Wha Park,Moon Keun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125528B2. Автор: Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929171B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device having variable resistance elements provided at intersections of wiring lines

Номер патента: US09812502B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09804914B2. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US09786351B2. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09666262B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Doo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09564185B1. Автор: Kosuke Yanagidaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Data bus drive circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5742185A. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

Semiconductor memory device having circuit for monitoring set value of mode register

Номер патента: US5973988A. Автор: Takashi Itou,Miki Nakahira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210142849A1. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11398272B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10685689B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Refresh operation type semiconductor memory device capable of smoothly transferring special state to normal active state and its driving method

Номер патента: US20050232050A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Yoshiyuki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226013A1. Автор: Masakazu Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11711919B2. Автор: Daigo Ichinose. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103152A1. Автор: Koji Hosono,Masahiro Yoshihara,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324239A1. Автор: Kyunghwan Lee,Myunghun Woo,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transitstors and method including a write operation

Номер патента: US20240339139A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09947673B1. Автор: Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shih-Hao Liang,Shao-Hui Wu,Hung-Chan Lin,Ting-Chia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including refresh circuit for memory cell

Номер патента: US09922692B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09865656B2. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory in which source line voltage is applied during a read operation

Номер патента: US09672929B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150206580A1. Автор: Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including a clock generating circuit for generating an internal signal having a coarse delay line, a fine delay line and a selector circuit

Номер патента: US09472255B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory

Номер патента: RU2643629C2. Автор: Наоки СИМИДЗУ. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Semiconductor memory device having a decoding circuit for reducing electric field stress applied to memory cells

Номер патента: US5301144A. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

ROM type semiconductor memory device with large operating margin

Номер патента: US5717640A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Semiconductor memory device having high speed parallel transmission line operation and a method for forming parallel transmission lines

Номер патента: US5663913A. Автор: Hyun-Soon Jang,Ho-Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-09-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200091236A1. Автор: Hitoshi Iwai,Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device

Номер патента: US7505235B2. Автор: James Mac Freitag,Mustafa Michael Pinarbasi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-03-17.

Apparatus for performing a stress test to isolate and measure noise in a paired line and method for performing a stress test to isolate and measure noise in a paired line

Номер патента: EP2201392A1. Автор: Curtis Clifford Taylor,Edwin Glenn Yancey. Владелец: Greenlee Tools Inc. Дата публикации: 2010-06-30.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and circuit for a least recently used replacement mechanism and invalidated address handling in a fully associative many-way cache memory

Номер патента: US5809528A. Автор: Christopher Paul Miller,Dale Edward Pontius. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Measuring change in a channel characteristic to detect memory device attack

Номер патента: US20230063890A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Aaron Boehm,Max Vohra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device Having First and Second Demodulation Circuits For Wireless Communication

Номер патента: US20150092867A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Method and electronic circuit for reading the signals generated by one or more pixelated sensors

Номер патента: US9121949B2. Автор: Christoph Werner LERCHE,Jose María BENLLOCH BAVIERA,Filomeno SÁNCHEZ MARTÍNEZ,Angel Sebastia Cortes,Vicente Herrero Bosch. Владелец: Oncovision General Equipment for Medical Imaging SA. Дата публикации: 2015-09-01.

Method and apparatus for performing fast reduced coefficient discrete cosine transforms

Номер патента: WO1996013780A2. Автор: Bernd Girod,Staffan Ericsson. Владелец: Vivo Software, Inc.. Дата публикации: 1996-05-09.

Method and apparatus for performing fast reduced coefficient discrete cosine transforms

Номер патента: WO1996013780A3. Автор: Bernd Girod,Staffan Ericsson. Владелец: Vivo Software Inc. Дата публикации: 1996-11-28.

Tag control circuit for buffer storage

Номер патента: CA1241768A. Автор: Takashi Chiba,Miyuki Ishida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Intersection testing in a ray tracing system using ray coordinate system basis vectors

Номер патента: US11715256B2. Автор: Gregory Clark,Simon Fenney,Rostam King,Peter Smith-Lacey. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Intersection testing in a ray tracing system using ray coordinate system basis vectors

Номер патента: US20220351460A1. Автор: Gregory Clark,Simon Fenney,Rostam King,Peter Smith-Lacey. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Intersection testing in a ray tracing system

Номер патента: EP4099273A1. Автор: Gregory Clark,Simon Fenney,Rostam King,Peter Smith-Lacey. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method and system for performing data analysis for plant phenotyping

Номер патента: EP3692464A1. Автор: Christoph Bauer,Christian Jebsen,Ludmilla Dahl,Sabine GUBATZ. Владелец: KWS SAAT SE and Co KGaA. Дата публикации: 2020-08-12.

Method and system for performing data analysis for plant phenotyping

Номер патента: CA3077713A1. Автор: Christoph Bauer,Christian Jebsen,Ludmilla Dahl,Sabine GUBATZ. Владелец: KWS SAAT SE and Co KGaA. Дата публикации: 2019-04-11.

Method and system for performing data analysis for plant phenotyping

Номер патента: WO2019068835A1. Автор: Christoph Bauer,Christian Jebsen,Ludmilla Dahl,Sabine GUBATZ. Владелец: KWS SAAT SE. Дата публикации: 2019-04-11.

Apparatus, method and computer program product for performing a collective communication operation in a data communications network

Номер патента: EP3877863A1. Автор: Xuecang Zhang,Dmitry Sergeevich KOLMAKOV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Method and system for performing data analysis for plant phenotyping

Номер патента: US12119086B2. Автор: Christoph Bauer,Christian Jebsen,Ludmilla Dahl,Sabine GUBATZ. Владелец: KWS SAAT SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

SSD Operation in a Nonoptimal Memory Environment

Номер патента: US20210141539A1. Автор: Dmitry Vaysman,Man Lung Mui,Eran Erez,Grishma Shah,Daniel Edward Tuers,Eakta ANCHILA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

System and method for performing data striping

Номер патента: US11740804B1. Автор: Abel Alkon Gordon. Владелец: Lightbits Labs Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatus and method for performing vehicle communication service

Номер патента: EP3793226A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngkyo Baek,Jungje SON,Hoyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-17.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US12131066B2. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Stacked semiconductor package and method for performing bare die testing on a functional die in a stacked semiconductor package

Номер патента: US09995785B2. Автор: Lakshminarayana Pappu,Baruch Schnarch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and system for performing transactional updates in a key-value store

Номер патента: US09898501B2. Автор: Steven BOGRETT. Владелец: Neustar Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuit for converting temperature change amount into voltage change in motor drive system

Номер патента: US11824476B2. Автор: Wei Wang,Lei Han,Ke Wang,Jun Pan,Lixiang Xu,Lei QIU,Lixiang Wen,Dianwu LI. Владелец: Hefei Aichuangwei Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Circuit for Converting Temperature Change Amount into Voltage Change in Motor Drive System

Номер патента: US20230125761A1. Автор: Wei Wang,Lei Han,Ke Wang,Jun Pan,Lixiang Xu,Lei QIU,Lixiang Wen,Dianwu LI. Владелец: Hefei Aichuangwei Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for performing multiple pre-shared key based authentication at once and system for executing the method

Номер патента: EP1915837A1. Автор: Jun-Hyuk Song,Jin-Hyeock Choi,Ji-Cheol Lee,Emin Yegin Alper. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-30.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US12130748B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

System and method for performing workflow and performance analysis of medical procedure

Номер патента: WO2024046765A1. Автор: Jin Liu,Lucas de Melo OLIVEIRA,Puran Adesh BHAGAT. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2024-03-07.

People conveyor system and a method for updating software of a people conveyor component in a people conveyor system

Номер патента: US11733995B2. Автор: Tuukka Kauppinen,Risto Jokinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method and system for performance monitoring stalls to identify pipeline bottlenecks and stalls in a processing system

Номер патента: US5751945A. Автор: Frank Eliot Levine,Charles Philip Roth,Edward Hugh Welbon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Apparatus for performing consumer research and methods for using same

Номер патента: US9754340B2. Автор: Linda Grace Moore. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic device and method for performing ranging operation

Номер патента: EP4318039A1. Автор: Yi Yang,Hyunchul Kim,Mingyu Lee,Moonseok KANG,Jonghoon JANG,Sejong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for performing a parallel search, receiver, computer program product and non-volatile storage medium

Номер патента: US20230003902A1. Автор: Aku LEVOLA,Boming Jin. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2023-01-05.

Dynamic roll-over of source and target latency in a replication environment

Номер патента: US20190294723A1. Автор: Nirmal Kumar,Pravin Kailashnath KEDIA,Elaine Pang,James Spyker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Apparatus and method for providing data transmission/reception in a terminal using near field communication

Номер патента: US09600695B2. Автор: Sang-Su Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

In line inspection method and apparatus for performing in line inspections

Номер патента: WO2014100729A2. Автор: Gary LITTLESTAR,Chris LITTLESTAR. Владелец: SMART PIPE COMPANY, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Method and circuit for controlling RPMs in an electric motor driving a ventilating fan in a gaseous hot spa has a power input for an electrical energy source and a signal input for a sensor to detect noise, vibration or its mechanical load.

Номер патента: DE19938319A1. Автор: Ulrich Beerschwinger. Владелец: Motoren Ventilatoren Landshut Gmbh. Дата публикации: 2001-02-15.

Method for performing an alignment measurement of two patterns in different layers on a semiconductor wafer

Номер патента: US6908775B2. Автор: Sebastian Schmidt,Thorsten Schedel,Rolf Heine. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-21.

In line inspection method and apparatus for performing in line inspections

Номер патента: CA2932441A1. Автор: Gary LITTLESTAR,Chris LITTLESTAR. Владелец: Smart Pipe Co Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Circuitry and method for performing two operating instructions during a single clock in a processing device

Номер патента: US5598545A. Автор: Yutaka Takahashi,Seiichi Yamamoto,Peter Reinecke,Jim Childers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

System, method, and computer program for performing distributed outsourced computing

Номер патента: US11283859B1. Автор: Vladimir Tkach,Yuri Kroz. Владелец: Amdocs Development Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Method and apparatus for performing anchor based rendering for augmented reality media objects

Номер патента: US20230351705A1. Автор: Hyunkoo YANG,Eric Yip,Jaeyeon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and process for performing optical readings on packaged textile material subjected to dyeing

Номер патента: US20110271463A1. Автор: Mario Scatizzi. Владелец: Tecnorama Srl. Дата публикации: 2011-11-10.

Apparatus and process for performing optical readings on packaged textile material subjected to dyeing

Номер патента: EP2411573A1. Автор: Mario Scatizzi. Владелец: Tecnorama Srl. Дата публикации: 2012-02-01.

Apparatus and process for performing optical readings on packaged textile material subjected to dyeing.

Номер патента: WO2010109507A1. Автор: Mario Scatizzi. Владелец: Tecnorama S.R.L.. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus for performing a stress test to isolate and measure noise in a paired line and method for performing a stress test to isolate and measure noise in a paired line

Номер патента: EP2201392A4. Автор: Curtis Clifford Taylor,Edwin Glenn Yancey. Владелец: Textron Innovations Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Method and apparatus for performing anchor based rendering for augmented reality media objects

Номер патента: EP4189649A1. Автор: Hyunkoo YANG,Eric Yip,Jaeyeon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

SYSTEM AND METHOD FOR BOOTING UP A COMPUTER BASED ON DATA CAPTURED IN A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DURING A LEARN MODE

Номер патента: US20130219160A1. Автор: Zhao Qun,Kang Xinhai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-08-22.

System and method for performing backups of multiple versions of a file stored in a network attached storage system

Номер патента: US20240028476A1. Автор: Shelesh Chopra,Sunil Yadav. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for monitoring moisture content in a gasket material for use in a high-pressure cubic press and related nondestructive testing systems

Номер патента: US20160266053A1. Автор: C. Eugene McMurray,Reinhold Ludwig,Gene Bogdanov. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Distance measurements for localization of mobile terminals in a radio network

Номер патента: WO2012031816A1. Автор: William Michael MacDonald,Ingo Karla. Владелец: Xalcatel Lucent. Дата публикации: 2012-03-15.

Method and frequency discriminator circuit for determining whether the frequency of an input pulse signal is in a specific frequency range

Номер патента: DE3005713C2. Автор: Fukashi Yokohama Kanagawa Sugasawa. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-27.

Microprocessor circuit for data carriers and method for organizing access to data stored in a memory

Номер патента: DE10105284A1. Автор: Christian May,Holger Sedlak,Franz Josef Bruecklmayr,Hans Friedinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Method and apparatus for performing multiple load operations to the same memory location in a computer system

Номер патента: US5826109A. Автор: Andrew F. Glew,David B. Papworth,Glenn J. Hinton,Paul D. Madland,Haitham Akkary,Jeffery M. Abramson,Kris G. Konigsfeld,Robert W. Martell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Display circuit for voltage of power source and connection state for sensor wire in a receiver panel of fire alarm

Номер патента: KR950000975Y1. Автор: 최중한. Владелец: 박명수. Дата публикации: 1995-02-17.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US20230409239A1. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240143170A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

COMPUTER ARCHITECTURE FOR PERFORMING ERROR DETECTION AND CORRECTION USING DEMULTIPLEXERS AND MULTIPLEXERS IN A CORRELITHM OBJECT PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20200293600A1. Автор: Lawrence Patrick N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Address mapping in a synchronous memory controller

Номер патента: GB2372604A. Автор: Philip Eade. Владелец: Psion Digital Ltd. Дата публикации: 2002-08-28.

System and method for performing an assay for detecting or quantifying an analyte in a sample

Номер патента: JP6293399B1. Автор: エム． カリック ジェームス,エム． カリック ジェームス,ブランドン デイビス クリストファー,ブランドン デイビス クリストファー,イー． ハインツ ロバート,イー． ハインツ ロバート,ジェイ． ナイト バイロン,ジェイ． ナイト バイロン,ディー． ライアー ゲイリー,ディー． ライアー ゲイリー,エフ． リー フローレンス,エフ． リー フローレンス,ハイト リー,ピー． ライト ジェームス,ピー． ライト ジェームス,エー． マショスゼク イェジー,エー． マショスゼク イェジー,エヌ． グエン タン,エヌ． グエン タン,エフ． スカルス ロバート,エフ． スカルス ロバート. Владелец: ジェン−プロウブ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2018-03-14.

System and method for performing an assay for detecting or quantifying an analyte in a sample

Номер патента: JP6605172B2. Автор: エム． カリック ジェームス,ブランドン デイビス クリストファー,イー． ハインツ ロバート,ジェイ． ナイト バイロン,ディー． ライアー ゲイリー,エフ． リー フローレンス,ハイト リー,ピー． ライト ジェームス,エー． マショスゼク イェジー,エヌ． グエン タン,エフ． スカルス ロバート. Владелец: ジェン−プロウブ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2019-11-13.

System and method for performing an assay for detecting or quantifying an analyte in a sample

Номер патента: JP5800445B2. Автор: エム． カリック ジェームス,エム． カリック ジェームス,ブランドン デイビス クリストファー,ブランドン デイビス クリストファー,イー． ハインツ ロバート,イー． ハインツ ロバート,ジェイ． ナイト バイロン,ジェイ． ナイト バイロン,ディー． ライアー ゲイリー,ディー． ライアー ゲイリー,エフ． リー フローレンス,エフ． リー フローレンス,ハイト リー,ピー． ライト ジェームス,ピー． ライト ジェームス,エー． マショスゼク イェジー,エー． マショスゼク イェジー,エヌ． グエン タン,エヌ． グエン タン,エフ． スカルス ロバート,エフ． スカルス ロバート. Владелец: ジェン−プロウブ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2015-10-28.

Test device for performing positive-pressure water saturation on rock-like samples in a batch mode, and use method therefor

Номер патента: WO2018068381A1. Автор: 王伟,史海岭,朱其志. Владелец: 河海大学. Дата публикации: 2018-04-19.

Memory device command history management

Номер патента: US20240061616A1. Автор: Vipul Patel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Stacked memory device, optical proximity correction (opc) verifying method, method of designing layout of stacked memory device, and method of manufacturing stacked memory device

Номер патента: US20170250195A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Hyang-Ja Yang,Chang-Bum Kim,Woo-Joung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US11829224B2. Автор: Youngjae PARK,Reum Oh,Hyungjin Kim,Jinyong Choi,Dongyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Mechanism to support writing files into a file system mounted in a secure memory device

Номер патента: EP4288890A1. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US20230367719A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

System and method for performing network assurance checks on correct deployment of configurations in a fabric

Номер патента: CN110785965B. Автор: 桑查伊·哈尼娅. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-28.

Managing storage of multiple plane parity data in a memory sub-system

Номер патента: US11907066B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Harish R. Singidi,Lakshmi Kalpana Vakati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

MEMORY MANAGEMENT IN A NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130191704A1. Автор: Eleftheriou Evangelos S.,Haas Robert,Iliadis Ilias,Hu Xiaoyu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

MEMORY SYSTEM, OPERATING METHOD THEREOF AND COMPUTING SYSTEM FOR CLASSIFYING DATA ACCORDING TO READ AND WRITE COUNTS AND STORING THE CLASSIFIED DATA IN A PLURALITY OF TYPES OF MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200348871A1. Автор: KIM Yi-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Error detection and correction in a data storage system using memory devices with continuous transfer functions

Номер патента: EP0907127B1. Автор: Tsuyoshi C/O Nec Kofu Ltd. Kishino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-18.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Systems and methods for performing multiple precurser, neutral loss and product ion scans in a single ion trap

Номер патента: US12027355B2. Автор: Robert Graham Cooks,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for performing multiple precursor, neutral loss and product ion scans in a single ion trap

Номер патента: US20210175057A1. Автор: Robert Graham Cooks,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-06-10.

Systems and methods for performing multiple precurser, neutral loss and product ion scans in a single ion trap

Номер патента: US20190035614A1. Автор: Robert Graham Cooks,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-31.

Systems and methods for performing multiple precurser, neutral loss and product ion scans in a single ion trap

Номер патента: US20230298874A1. Автор: Robert Graham Cooks,Dalton Snyder. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for performing analog mode operations when transmitting audio and data in a wireless tdma system

Номер патента: CA2337927C. Автор: David James Thomson,Eric David Leonard. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-10-04.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: CA2823801C. Автор: Kyeong-In Jeong,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-12.

Method and apparatus for performing calculations for forward (alpha) and reverse (beta) metrics in a map decoder

Номер патента: US20020061069A1. Автор: Christopher Jones,Kelly Cameron,Ba-Zhong Shen,Hau Tran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Systems and methods for performing an action based on context of a feature in a media asset

Номер патента: US10701453B2. Автор: Glen E. Roe,Michael K. Mccarty. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Systems and methods for performing an action based on context of a feature in a media asset

Номер патента: US20180295425A1. Автор: Glen E. Roe,Michael K. Mccarty. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and apparatus for performing plural network attachment procedures to support plural connections in a wireless access system

Номер патента: US20140301308A1. Автор: Heejeong Cho,Hyeyoung Choi,Jaehoon Chung,Genebeck Hahn,Eunjong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-10-09.

Systems and methods for performing an action based on context of a feature in a media asset

Номер патента: US11818441B2. Автор: Glen E. Roe,Michael K. Mccarty. Владелец: Rovi Product Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Systems and methods for performing an action based on context of a feature in a media asset

Номер патента: US20200359103A1. Автор: Glen E. Roe,Michael K. Mccarty. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Systems and methods for performing an action based on context of a feature in a media asset

Номер патента: US20170251272A1. Автор: Glen E. Roe,Michael K. Mccarty. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Apparatus, and an associated method, for performing link layer paging of a mobile station operable in a radio communication system

Номер патента: EP1507429A3. Автор: Timucin Ozugur,Behcet Sarikaya. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-11-08.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: US9807736B2. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: WO2012112001A3. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: EP2676383A2. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-25.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: WO2012112001A2. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-23.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: US20130322408A1. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Control circuit for automatic circuit breaker of differential current

Номер патента: RU2695315C2. Автор: Даниеле НОВАТИ. Владелец: Бтичино Спа. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4394605A1. Автор: Taeyoung Oh,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor circuit and method in a safety concept for use in a motor vehicle

Номер патента: US09434379B2. Автор: Michael Pechtold,Volker Naegele. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit for realizing coding circuit

Номер патента: US7095895B2. Автор: Jun-Ichi Okamura,Tatsuo Tsujita. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of fabricating interconnect lines and plate electrodes of a storage capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6090662A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Control circuit for bridge mosfets

Номер патента: US20230127621A1. Автор: Gary Lin,Chung-Ping Ku,Nowa Wang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-04-27.

Converter circuit for a limiter receiver structure and method for converting a signal in a limiter receiver structure

Номер патента: US20060046675A1. Автор: Markus Hammes,Britta Felbecker,Michael Speth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

A circuit for and method of minimizing power consumption in an integrated circuit device

Номер патента: CA2713142C. Автор: Shankar Lakkapragada,Scott Te-Sheng Lien,Tetse Jang,Iv Jesse H. Jenkins,Mark Men Bon Ng. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Two color detector leveraging resonant cavity enhancement for performance improvement

Номер патента: EP3072161A1. Автор: Edward P. Smith,Justin Gordon Adams Wehner,Stephanie Bostwick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-09-28.

Two color detector leveraging resonant cavity enhancement for performance improvement

Номер патента: WO2015077089A1. Автор: Edward P. Smith,Justin Gordon Adams Wehner,Stephanie Bostwick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Method for performing location registration by remote ue in wireless communication system, and apparatus therefor

Номер патента: US20190182789A1. Автор: Sungduck Chun,Laeyoung Kim,Dongsoo Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and device for performing sensing procedure in wireless lan system

Номер патента: EP4425997A1. Автор: Sang Gook Kim,Dongguk Lim,Jinsoo Choi,Insun JANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for performing CoMP operation in wireless communication system and apparatus for the same

Номер патента: US09894668B2. Автор: Jian Xu,Kyungmin Park,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and apparatus for performing measurement in wireless communication system

Номер патента: US09661516B2. Автор: Kijun KIM,Eunsun Kim,Hanbyul Seo,Sukhyon Yoon,Byounghoon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and device for performing NIB CoMP transmission in wireless communication system

Номер патента: US09634741B2. Автор: Kijun KIM,Jonghyun Park,Hanbyul Seo,Hyungtae Kim,Byounghoon Kim,Hanjun PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer by successive implantations and heat treatments

Номер патента: US09536741B2. Автор: Claire Agraffeil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and device for performing sensing procedure in wireless lan system

Номер патента: EP4425998A1. Автор: Sang Gook Kim,Dongguk Lim,Jinsoo Choi,Insun JANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Method for performing antenna tuning control of wireless transceiver device in wireless communications system, and associated apparatus

Номер патента: US20240195451A1. Автор: Yen-Liang Chen,Kuo-Hao Chen,Po-Chung Hsiao,Chun-Hsiang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus and method for performing channel decoding operation based on effective noise in mobile communication system

Номер патента: US09860018B2. Автор: Min Goo Kim,Young Seok Jung,In Hyoung Kim,Chae Hag YI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for performing retransmission operation in device to device communication system

Номер патента: US09768933B2. Автор: Pil-Yong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and apparatus for performing ranging at M2M device in a wireless communication system

Номер патента: US09544124B2. Автор: Hangyu Cho,Jinsam Kwak,Kiseon Ryu,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Current control circuit for horizontal deflection coil of television receiver

Номер патента: CA1098618A. Автор: Yoshio Ishigaki,Tamiji Nagai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-03-31.

Circuit for correcting pass band flatness

Номер патента: EP1202456A3. Автор: Sang Won Yoon,Hee Yong Hwang. Владелец: Sang Won Yoon. Дата публикации: 2004-01-07.

Method and device for performing sounding procedure in wireless lan system

Номер патента: US20240235718A9. Автор: Dongguk Lim,Eunsung Park,Jinyoung Chun,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and device for performing sounding procedure in wireless lan system

Номер патента: US20240204949A1. Автор: Dongguk Lim,Eunsung Park,Jinyoung Chun,Jinsoo Choi,Insik Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for performing D2D specific access control in wireless communication system

Номер патента: US09867119B2. Автор: Youngdae Lee,Sunghoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Communications system, user equipment, mobility management entity and method thereof of transient handover for performing packet offloading

Номер патента: US09432899B2. Автор: Jiann-Ching Guey,Chao-Yuan Hsu,Tzu-Jane Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and apparatus for performing initial entry for device-to-device communication in a wireless communication system

Номер патента: US09713183B2. Автор: Seung-Hoon Park,Dae-Gyun Kim,Chi-Woo Lim,Young-Bin Chang,Kyung-Kyu Kim,Sang-Kyu Baek,Hyun-Seok Ryu,Young-Joong Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for oscillating and start up circuit for oscillator

Номер патента: US6011445A. Автор: Vaishali Nikhade,Khosrow Sadeghi. Владелец: Infineon ADMtek Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-04.

Braking circuit for an electric motor

Номер патента: US5449992A. Автор: Michael Bufe,August Geiger,Alexander Knappe. Владелец: Marquardt GmbH. Дата публикации: 1995-09-12.

Semiconductor non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5324972A. Автор: Masataka Takebuchi,Daisuke Tohyama,Hidemitsu Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Circuit for shifting fixed ground level to floating ground level in motor drive system

Номер патента: US11843336B2. Автор: Wei Wang,Lei Han,Ke Wang,Jun Pan,Lixiang Xu,Lei QIU,Lixiang Wen,Dianwu LI. Владелец: Hefei Aichuangwei Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Methods for performing lower layer triggered mobility in wireless network

Номер патента: WO2024091089A1. Автор: Vinay Kumar Shrivastava,Aby Kanneath ABRAHAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods for performing lower layer triggered mobility in wireless network

Номер патента: US20240147334A1. Автор: Vinay Kumar Shrivastava,Aby Kanneath ABRAHAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and device for performing pac code-based hybrid decoding in wireless communication system

Номер патента: US20240171308A1. Автор: Min Jang,DongHun Lee,Seho Myung,Juho Lee,Kwonjong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for performing PAC code-based hybrid decoding in wireless communication system

Номер патента: US12021619B2. Автор: Min Jang,DongHun Lee,Seho Myung,Juho Lee,Kwonjong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Transmit power control based on receiver gain setting in a wireless communication network

Номер патента: EP2353331A1. Автор: YING Wang,Junyi Li,Aleksandar Jovicic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Operating a hearing device to assist the user in engaging in a healthy living style

Номер патента: EP4387270A1. Автор: Thomas Wessel,Manuela Feilner,Melissa Lawrence,Eleftheria Georganti,Ulrike Lemke. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-06-19.

Transmit power control based on receiver gain setting in a wireless communication network

Номер патента: WO2010053688A1. Автор: YING Wang,Junyi Li,Aleksandar Jovicic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-14.

Method and apparatus for performing uplink transmissions for multiple transmission/reception points (trp) in a wireless communication system

Номер патента: US20220124759A1. Автор: Richard Lee-Chee Kuo,Ko-Chiang Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Peak optical power control circuit for laser driver

Номер патента: CA1236514A. Автор: Gregory Stephen Burley. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-05-10.

Method and apparatus for performing conditional cell change based on channel occupancy in wireless communication system

Номер патента: US20210045031A1. Автор: Youngdae Lee,Sangwon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-02-11.

Method and apparatus for performing retransmission operation in device to device communication system

Номер патента: US20140321293A1. Автор: Pil-Yong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Method and apparatus for performing dynamic cross-link interference measurement and reporting in next-generation mobile communication system

Номер патента: US11792670B2. Автор: Soenghun KIM,Seungri Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method and apparatus for performing transmission and reception based on spatial parameter in wireless communication system

Номер патента: US20230354301A1. Автор: Jiwon Kang,Jaehoon Chung,Hyungtae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for performing cell search procedure in wireless communication system

Номер патента: WO2009078664A3. Автор: Jin Sam Kwak,Seung Hee Han,Min Seok Noh,Yeong Hyeon Kwon,Hyun Woo Lee,Dong Cheol Kim,Ki Ho Nam,Sung Gu Cho,Seong Ho Moon. Владелец: Seong Ho Moon. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for performing, by terminal, random access procedure over network in which multiple communication systems interwork, and apparatus therefor

Номер патента: US20160323916A1. Автор: Heejeong Cho,Hyeyoung Choi,Jaehoon Chung,Genebeck Hahn,Eunjong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-03.

Method and apparatus for performing transmission and reception based on spatial parameter in wireless communication system

Номер патента: EP4270807A1. Автор: Jiwon Kang,Jaehoon Chung,Hyungtae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-01.

Method and apparatus for performing scheduling request

Номер патента: US11997705B2. Автор: ANIL Agiwal,Soenghun KIM,Sangkyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and device for performing sensing procedure in wireless lan system

Номер патента: EP4376535A1. Автор: Sang Gook Kim,Dongguk Lim,Jinsoo Choi,Insun JANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-29.

Method and apparatus for performing dynamic cross-link interference measurement and reporting in next-generation mobile communication system

Номер патента: US20240049034A1. Автор: Soenghun KIM,Seungri Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for performing dynamic cross-link interference measurement and reporting in next-generation mobile communication system

Номер патента: EP4022965A1. Автор: Soenghun KIM,Seungri Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

METHOD FOR PERFORMING CoMP OPERATION IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS FOR THE SAME

Номер патента: US20160353457A1. Автор: Jian Xu,Kyungmin Park,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for performing beam sweeping by terminal supporting sidelink in wireless communication system, and terminal therefor

Номер патента: US11849306B2. Автор: Heejin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for performing rrc connection or reestablishment in a communication system using carrier aggregation

Номер патента: US20120069819A1. Автор: Sung Jun Park,Sung Duck Chun,Seung June Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-03-22.

Back-end-of-line memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240032274A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and device for performing sounding procedure in wireless lan system

Номер патента: US20240137144A1. Автор: Dongguk Lim,Eunsung Park,Jinyoung Chun,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-25.

Process for the combustion of carbonaceous materials in a circulating fluidized bed, and fluidized bed furnace installation for performing the process

Номер патента: US4741290A. Автор: Ernst Krieger,Karl Ihne. Владелец: L&C Steinmueller GmbH. Дата публикации: 1988-05-03.

A device for performing two-stage nucleic acid amplification

Номер патента: CA2970005C. Автор: David E. Jones,Kirk M. Ririe,Gary Clark Kessler,Mark Aaron Poritz,Randy P. Rasmussen,Stewart Benjamin Smith,Michael R. Newswander. Владелец: Biofire Diagnostics LLC. Дата публикации: 2020-07-28.

CIRCUIT FOR THE DIGITAL DEFINITION OF THE FREQUENCY OF A OSCILATOR INSERTED IN A REGULATION CIRCUIT

Номер патента: IT971904B. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-05-10.

Method and apparatus for performing random access procedure for unlicensed band n wireless communication system

Номер патента: US20210212125A1. Автор: Sunyoung Lee,SeungJune Yi,Eunjong Lee,JaYeong KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-07-08.

Transmission of number of nan cluster users in a nan

Номер патента: WO2017051501A1. Автор: Yuki Yoshikawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-03-30.

Method and apparatus for performing d2d specific access control in wireless communication system

Номер патента: US20170094586A1. Автор: Youngdae Lee,Sunghoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Communications system, user equipment, mobility management entity and method thereof of transient handover for performing packet offloading

Номер патента: US20140177600A1. Автор: Jiann-Ching Guey,Chao-Yuan Hsu,Tzu-Jane Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and method for performing uplink communication by means of relay station in wireless communication system

Номер патента: US20120099492A1. Автор: Jae-Weon Cho,Young-Bin Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Method and device for performing sounding procedure in wireless lan system

Номер патента: EP4333527A1. Автор: Dongguk Lim,Eunsung Park,Jinyoung Chun,Jinsoo Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-06.

Method and device for performing sounding procedure in wireless lan system

Номер патента: EP4336763A1. Автор: Dongguk Lim,Eunsung Park,Jinyoung Chun,Jinsoo Choi,Insik Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-13.

Method and apparatus for performing d2d specific access control in wireless communication system

Номер патента: EP3123782A1. Автор: Youngdae Lee,Sunghoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-01.

Converter circuit for a limiter receiver structure and method for converting a signal in a limiter receiver structure

Номер патента: AU2003303786A8. Автор: Markus Hammes,Britta Felbecker,Michael Speth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-13.

Converter circuit for a limiter receiver structure and method for converting a signal in a limiter receiver structure

Номер патента: AU2003303786A1. Автор: Markus Hammes,Britta Felbecker,Michael Speth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-13.

Anti-reflection circuit for video and teletext signals with subdivision of the global filter in a plurality of filters with a reduced number of coefficients

Номер патента: EP0580224A2. Автор: Lucio Dassie'. Владелец: SELECO SpA. Дата публикации: 1994-01-26.

Method and system for performing an electrically operated function with a running tool in a subsea wellhead

Номер патента: GB2495001A. Автор: Ryan Robert Herbel. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2013-03-27.

Level shift circuit for converting a signal in an ecl level into a signal in a CMOS logic level

Номер патента: EP0318018A3. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-05-02.

Intervention robot sealed in a well

Номер патента: GB2376036A. Автор: Andrew Gould,Alan R Christie,Peter A Goode,Jr Charles E Vise. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2002-12-04.

Circuit for the generation of a pulse controlled coil current which flows in a magnetic coil system

Номер патента: EP1441371A2. Автор: Otto Dr.-Ing. Szenn,Walter Ing. Suchy. Владелец: Festo SE and Co KG. Дата публикации: 2004-07-28.

Method and circuit for a low-voltage supply line with its own voltage source in a modular battery

Номер патента: DE102019102306A1. Автор: Stefan Götz,Tomas Kacetl,Jan Kacetl. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2020-07-30.

High-order modulation-based burst mapping method and apparatus in a mobile communication system

Номер патента: EP1892871A3. Автор: Yan Xin,Ju-Ho Lee,Joon-Young Cho,Jong-Soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-08.

Method and circuit for monitoring electrode surfaces at the body tissue of a patient in a hf surgery device

Номер патента: CA2024660A1. Автор: Peter Kunecke,Uwe Hagen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-03-08.

METHOD FOR PERFORMING A PUCCH TRANSMISSION ON A DEACTIVATED PUCCH SCELL IN A CARRIER AGGREGATION SYSTEM AND A DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20180063830A1. Автор: Yi Seungjune,LEE Sunyoung. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-03-01.

SCHEME FOR PERFORMING A DATA SESSION VIA A WI-FI ACCESS IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20190141627A1. Автор: LEE Ju-Ho,Pattan Basavaraj Jayawant,INGALE Mangesh Abhimanyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SCHEME FOR PERFORMING A DATA SESSION VIA A WI-FI ACCESS IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20170188298A1. Автор: LEE Ju-Ho,Pattan Basavaraj Jayawant,INGALE Mangesh Abhimanyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

METHOD FOR PERFORMING MANAGEMENT OF LOCAL ID IDENTIFYING A REMOTE UE IN A RELAY UE IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND A DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20180287689A1. Автор: Lee Jaewook,HONG Jongwoo. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for performing controlled parallel operation of a DC voltage converter in a multi-voltage power supply of a vehicle

Номер патента: JP4235361B2. Автор: ディットマー ベルント,グロンバッハ ローマン,リーガー ラインハルト,シェットレ リヒャルト. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-03-11.

CIRCUIT FOR THE SUPPRESSION OF CONTAMINATION OF CHROMINANCE SIGNALS BY LUMINANCE SIGNALS IN A VIDEO SIGNAL PROCESSING SYSTEM

Номер патента: FR2411529A1. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-07-06.

Method for performing a random access procedure by a relay node in a wireless or radio communication network, corresponding relay node

Номер патента: CN102696275A. Автор: S·帕拉特,C·沃拉尔,S·S·利姆. Владелец: Alcatel Optical Networks Israel Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Scheme for performing a data session via a wi-fi access in a wireless communication system

Номер патента: EP3366066B1. Автор: MANGESH Abhimanyu Ingale,Ju-Ho Lee,Basavaraj Jayawant Pattan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-11.

Circuit for compensating the blue phosphor roll off at high drive levels in a projection television system

Номер патента: EP0613307A1. Автор: Thomas David Gurley,Charles Michael White. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1994-08-31.

Method for performing a random access procedure by a relay node in a wireless or radio communication network, corresponding relay node and base station

Номер патента: EP2362708A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2011-08-31.

APPLIANCE FOR USE IN A WELL HOLE, METHOD FOR PERFORMING A WELL HOLE OPERATION AND APPLIANCE FOR USE IN A WELL HOLE OPERATION

Номер патента: BRPI1016231B1. Автор: Francisco Galvan-Sanchez,Marcelo F. Civarolo,Jianghui Wu,Michael Shammai,Wade H. Bullock,Marvin L. Raney,Angus J. Simpson,Sefer B. Coskun. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2020-01-07.

Method, System and Device for Performing a Registration Procedure of a Mobile Terminal Device in A Mobile Communications Network

Номер патента: US20100081437A1. Автор: Florian Wolff,Jörg Brenner,Steffen Beckmann,Carl Mathias Cramer,Aleksej Dorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Reliability in a communication system

Номер патента: EP4359931A1. Автор: Devaki Chandramouli,Colin Kahn. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-01.

Circuit for stabilizing black level of an output signal ofa camera tube in a colour television camera

Номер патента: GB2007066A. Автор: . Владелец: Nippon Victor KK. Дата публикации: 1979-05-10.

Circuit for stabilizing black level of an output signal ofa camera tube in a colour television camera

Номер патента: GB2007066B. Автор: . Владелец: Nippon Victor KK. Дата публикации: 1982-05-26.

Method and system for performing an electrically operated function with a running tool in a subsea wellhead

Номер патента: US20130075103A1. Автор: Ryan Robert Herbel. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2013-03-28.

Method and apparatus for performing discontinuous reception operation by connected mode user equipment in a mobile communication system

Номер патента: US20130142178A1. Автор: Kyeong-In Jeong,Himke Van Der Velde,Ju-Ho Lee,Soeng-Hun Kim,Gert Jan VAN LlESHOUT. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERFORMING MULTIPLE PRECURSER, NEUTRAL LOSS AND PRODUCT ION SCANS IN A SINGLE ION TRAP

Номер патента: US20190035614A1. Автор: Cooks Robert Graham,Snyder Dalton. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD AND SYSTEM FOR PERFORMING RADIO RESOURCE MANAGEMENT (RRM) MEASUREMENTS BY A WTRU IN A 3GPP NETWORKS

Номер патента: US20220279445A1. Автор: MANNA Avijit,Shrivastava Vinay Kumar,Srivastav Ankit,DHULIPUDI KALYAN,DHABRIYA ANKIT. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERFORMING AN ACTION BASED ON CONTEXT OF A FEATURE IN A MEDIA ASSET

Номер патента: US20220295152A1. Автор: Roe Glen E.,McCarty Michael K.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DISCONTINUOUS RECEPTION OPERATION BY CONNECTED MODE USER EQUIPMENT IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20150195802A1. Автор: Jeong Kyeong-In,Van Lieshout Gert Jan,LEE Ju-Ho,Van Der Velde Himke,Kim Soeng-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method and apparatus for performing plural network attachment procedures to support plural connections in a wireless access system

Номер патента: US20140301308A1. Автор: Heejeong Cho,Hyeyoung Choi,Jaehoon Chung,Genebeck Hahn,Eunjong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-10-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERFORMING AN ACTION BASED ON CONTEXT OF A FEATURE IN A MEDIA ASSET

Номер патента: US20170251272A1. Автор: Roe Glen E.,McCarty Michael K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERFORMING AN ACTION BASED ON CONTEXT OF A FEATURE IN A MEDIA ASSET

Номер патента: US20180295425A1. Автор: Roe Glen E.,McCarty Michael K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERFORMING AN ACTION BASED ON CONTEXT OF A FEATURE IN A MEDIA ASSET

Номер патента: US20200359103A1. Автор: Roe Glen E.,McCarty Michael K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus for performing analog mode operations when transmitting audio and data in a wireless tdma system

Номер патента: KR100814738B1. Автор: 레오나르드에릭데이비드,톰슨데이비드제이. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 2008-03-19.

Apparatus, and an associated method, for performing link layer paging of a mobile station operable in a radio communication system

Номер патента: US7623876B2. Автор: Timucin Ozugur,Behcet Sarikaya. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for performing the multi shot using a general shot fuction in a mobile communication terminal

Номер патента: KR100600385B1. Автор: 이명재,신용식. Владелец: 주식회사 팬택. Дата публикации: 2006-07-18.

Apparatus and method for performing harq retransmission process to receiving e-mbs service in a multi-carrier system

Номер патента: KR101066842B1. Автор: 류기선,김정기,육영수. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2011-09-26.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: CN101584134B. Автор: 金成勋,郑景仁,格特-简·范利肖特. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-15.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: CA2823801A1. Автор: Kyeong-In Jeong,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for performing wireless communication between user equipment and base station in a wireless communication system supporting first user equipment using single frequency band and second user equipment using multiple frequency bands

Номер патента: US9054930B2. Автор: Dae Won Lee,Seung Hee Han,Yeong Hyeon Kwon,Jae Hoon Chung,Ki Jun Kim,Dong Youn Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-06-09.

Method of erasing data in a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: DE69324706T2. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-14.

Method and apparatus for performing analog mode operations when transmitting audio and data in a wireless tdma system

Номер патента: CA2337927A1. Автор: David James Thomson,Eric David Leonard. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-09-03.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: WO2008088168A1. Автор: Kyeong-In Jeong,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus for performing transmission and / or reception diversity using multiple antennas in a wireless communication system

Номер патента: JP4685789B2. Автор: ラジブ ラロイア,ムラリ スリニバサン,ジュンイ リ,サンディープ ランガン,フランク エイ． レーン,プラシャンス ハンデ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Method and system for performing radio resource management (rrm) measurements by a wtru in a 3gpp networks

Номер патента: WO2021020952A1. Автор: Vinay Kumar Shrivastava,Avijit Manna,Kalyan DHULIPUDI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.. Дата публикации: 2021-02-04.

System and method for efficient use of memory device bandwidth

Номер патента: WO2006071937A2. Автор: Rakefet Kol,Jacob M. Finkelstein,Asa Levinger. Владелец: Zoran Corporation. Дата публикации: 2006-07-06.

Resistive memory device by substrate reduction

Номер патента: US20180308900A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11837541B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107762A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220115322A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: US20120295616A1. Автор: Kyeong-In Jeong,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Apparatus and method for performing harq retransmission process to receive e-mbs service in a multi-carrier system

Номер патента: US20130136053A1. Автор: Youngsoo Yuk,Kiseon Ryu,Jeongki Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING INITIAL RANGING FOR MACHINE TO MACHINE COMMUNICATION SERVICE IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20130322408A1. Автор: YU Hyun-Kyu,LIM Chi-Woo,KANG Hyun-Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatus and method for performing cell selection to home cell or private network in a mobile communication system

Номер патента: US20140038610A1. Автор: Kyeong-In Jeong,Soeng-Hun Kim,Gert Jan VAN LlESHOUT. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DISCONTINUOUS RECEPTION OPERATION BY CONNECTED MODE USER EQUIPMENT IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20200068424A1. Автор: Van Lieshout Gert Jan,LEE Ju-Ho,Van Der Velde Himke,Kim Soeng-Hun,JEONG Kyeong-ln. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DISCONTINUOUS RECEPTION OPERATION BY CONNECTED MODE USER EQUIPMENT IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20160100453A1. Автор: Van Lieshout Gert Jan,LEE Ju-Ho,Van Der Velde Himke,Kim Soeng-Hun,JEONG Kyeong-ln. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Systems and methods for performing multiple precursor, neutral loss and product ion scans in a single ion trap

Номер патента: US20210175057A1. Автор: Cooks Robert Graham,Snyder Dalton. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DISCONTINUOUS RECEPTION OPERATION BY CONNECTED MODE USER EQUIPMENT IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20150195803A1. Автор: Jeong Kyeong-In,Van Lieshout Gert Jan,LEE Ju-Ho,Van Der Velde Himke,Kim Soeng-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING UPLINK TRANSMISSIONS FOR MULTIPLE TRANSMISSION/RECEPTION POINTS (TRP) IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20180199360A1. Автор: Kuo Richard Lee-Chee,Lin Ko-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING DISCONTINUOUS RECEPTION OPERATION BY CONNECTED MODE USER EQUIPMENT IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20140376436A1. Автор: Jeong Kyeong-In,Van Lieshout Gert Jan,LEE Ju-Ho,Van Der Velde Himke,Kim Soeng-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method and apparatus for performing handover using packet data convergence protocol (PDCP) reordering in a mobile communication system

Номер патента: JP5179503B2. Автор: キョン−イン・ジョン,ソン−フン・キム,ゲルト・ヤン・ヴァン・リースハウト,ヒムケ・ヴァン・デル・ヴェルデ. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-10.

Apparatuses and methods for performing initialization of the Packet Data Convergence Protocol PDCP in a mobile communication system

Номер патента: EP1928130A3. Автор: Kyeong-In Jeong,Himke Van Der Velde,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-18.

Method and apparatus for performing calculations for forward (alpha) and reverse (beta) metrics in a map decoder

Номер патента: US7012975B2. Автор: Christopher R. Jones,Ba-Zhong Shen,Hau Thien Tran,Kelly B. Cameron. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

SYSTEM FOR PERFORMANCE OF OPERATIONS RELATED TO THE USE OF ELECTROLYZERS IN A PLANT FOR THE PRODUCTION OF ALUMINUM BY ELECTROLYSIS

Номер патента: RU2016135644A. Автор: Жером ГЕРЭН. Владелец: Фив Эсл.. Дата публикации: 2018-04-25.

Method and apparatus for performing Discontinuous Reception operation by connected mode User Equipment in a mobile communication system

Номер патента: US9215681B2. Автор: Kyeong-In Jeong,Himke Van Der Velde,Ju-Ho Lee,Soeng-Hun Kim,Gert Jan Van Lieshout. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Method and apparatus for performing raw cell status report frequency mitigation on receive in a network node

Номер патента: US6212567B1. Автор: Robert E. Thomas,Wing Cheung,Peter J. Roman,Douglas M. Washabaugh. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Method and apparatus for performing handover using packet data convergence protocol (PDCP) reordering in a mobile communication system

Номер патента: JP5484433B2. Автор: キョン−イン・ジョン,ソン−フン・キム,ゲルト・ヤン・ヴァン・リースハウト,ヒムケ・ヴァン・デル・ヴェルデ. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for forming a self-aligned contact in a damascene structure used to form a memory device

Номер патента: US20160163593A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: EP2676383A4. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-14.

Method and apparatus for performing initial ranging for machine to machine communication service in a mobile communication system

Номер патента: EP2676383B1. Автор: Chi-Woo Lim,Hyun-Jeong Kang,Hyun-Kyu Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-06.

METHOD FOR PREDICTING A CHANGE IN A OPERATING STATE OF A MEMORY DEVICE FOR ELECTRICAL ENERGY

Номер патента: DE102007026134B4. Автор: Andrew M. Zettel,Anthony H. Heap. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Stacked type semiconductor memory device

Номер патента: US09716103B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620515B2. Автор: Tatsuya Kato,Satoshi Nagashima,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260253A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978770B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Atsushi Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748337B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Mitsuru Sato,Tomohiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748312B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052854B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09455269B1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11700723B2. Автор: Jaehoon Kim,Seungjae Jung,Kwangho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230187396A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268266A1. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324215A1. Автор: Koji Shirai,Takashi Kurusu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09997531B2. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Three dimensional vertical channel semiconductor memory device

Номер патента: US09935121B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240224494A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Huijung Kim,Minhee Cho,Sungwon Yoo,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4398693A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11127750B2. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210225842A1. Автор: Satoru Yamada,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Sungwon Yoo,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10672784B2. Автор: Shunsuke KASASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075607A1. Автор: Shunsuke KASASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315009A1. Автор: Jaejin Lee,Jihoon Kim,Youngjun Kim,Dohyung Kim,Yeonju OH,Dongju Chang,Taekjung Kim,Seohyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12137559B2. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09935118B1. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09887273B2. Автор: Hiroshi Kanno,Tatsuo Ishida,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09871197B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842856B2. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09754961B2. Автор: Hiroyuki Yamasaki,Makoto Fujiwara,Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728585B1. Автор: Takeshi Takagi,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075626A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237334A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220293620A1. Автор: Shigeru Kinoshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10381368B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320093A1. Автор: Masamichi Suzuki,Harumi SEKI,Yusuke Higashi,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075616A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Jun Nishimura,Ayaha HACHISUGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276264A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082418B2. Автор: Keisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324214A1. Автор: Karin TAKAYAMA,Kenta Shimomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240357796A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324189A1. Автор: Sena CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953996B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09929212B2. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837434B2. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Satoshi Nagashima,Koichi Sakata,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09761601B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09711518B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09704877B2. Автор: Hiroki Yamashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device with conductive columnar body

Номер патента: US09613896B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583506B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09553132B1. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200091171A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220093634A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240147739A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Ji Hong Kim,Tae-Seok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device having wiring line structure

Номер патента: US20200312830A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10672793B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory devices with arrays of vias and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12058868B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US20170263681A1. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276713A1. Автор: Kyunghwan Lee,Juho Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349490A1. Автор: Hyungki CHO,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357830A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09972635B2. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09893079B2. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US09831290B2. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device with first and second semiconductor films in first and second columnar bodies

Номер патента: US09831261B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09806091B2. Автор: Hidenori Miyagawa,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735167B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09711527B2. Автор: Kenji Sawamura,Kotaro Noda,Kyoko NODA,Aya Minemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666595B2. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627402B2. Автор: Masayuki Tanaka,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543321B1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09530697B1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12144180B2. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09425205B2. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240224502A1. Автор: Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9087770B2. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100006905A1. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12022657B2. Автор: Hiroshi Shinohara,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Keisuke Yonehama,Hideyuki Kamata,Teppei Higashitsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240196600A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Macrophage-Enhanced MRI (MEMRI) in a Single Imaging Session

Номер патента: US20120003160A1. Автор: Wolf Gerald L.,Lewis Jerome M.. Владелец: AMAG PHARMACEUTICALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING A TRI-STATE COMPARISON OF TWO INPUT SIGNALS IN A WINDOW COMPARATOR CIRCUIT, AND WINDOW COMPARATOR CIRCUIT FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: US20130207691A1. Автор: Buescher Kevin Scott. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN S.A.. Дата публикации: 2013-08-15.

Apparatus for performing rehabilitation exercises and measuring moment of a force in a knee joint

Номер патента: PL270802A1. Автор: Donat Tylman,Ryszard Kowalik,Józef Sitarz,Stefan Jakubiak,Kazimierz Fidelus,Alojzy Wojcikowski,Jerzy Barzykowski,Waclaw Bylina,Zdzislaw Nosarzewski,Michal Wychowanski,Wieslaw Siwek,Wojciech Marczynski. Владелец: Wojskowa Akad Tech. Дата публикации: 1989-09-04.

METHOD FOR PERFORMING A RANDOM ACCESS PROCEDURE BY A RELAY NODE IN A WIRELESS OR RADIO COMMUNICATION NETWORK, CORRESPONDING RELAY NODE AND BASE STATION

Номер патента: US20120307717A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

APPARATUS AND METHOD FOR PERFORMING CELL SELECTION TO HOME CELL OR PRIVATE NETWORK IN A MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120028639A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING AN OPERATION WITH A PLURALITY OF SUB-OPERATIONS IN A CONFIGURABLE IC

Номер патента: US20120098568A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD FOR PERFORMING WIRELESS COMMUNICATION BETWEEN USER EQUIPMENT AND BASE STATION IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM SUPPORTING FIRST USER EQUIPMENT USING SINGLE FREQUENCY BAND AND SECOND USER EQUIPMENT USING MULTIPLE FREQUENCY BANDS

Номер патента: US20120269136A1. Автор: . Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-10-25.

TRELLIS-CODED MODULATION IN A MULTI-LEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120240006A1. Автор: HU Xinde,WEATHERS Anthony D.,BARNDT Richard D.. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

MEMORY MANAGEMENT IN A NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130117600A1. Автор: Haas Robert,Eleftheriou Evangelos S,Iliadis Ilias,Hu Xiaoyu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

PINNING MAGNETIC DOMAIN WALLS IN A MAGNETIC DOMAIN SHIFT REGISTER MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140003117A1. Автор: Gaidis Michael C.,Annunziata Anthony J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

PINNING MAGNETIC DOMAIN WALLS IN A MAGNETIC DOMAIN SHIFT REGISTER MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140003119A1. Автор: Gaidis Michael C.,Annunziata Anthony J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLOW CONTROLLER ASSEMBLY FOR MICROFLUIDIC APPLICATIONS AND SYSTEM FOR PERFORMING A PLURALITY OF EXPERIMENTS IN PARALLEL

Номер патента: US20120003122A1. Автор: Bodenstaff Emilio René,Moonen Roelandus Hendrikus Wilhelmus. Владелец: AVANTIUM HOLDING B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRANGEMENT FOR SENSING WEIGHT OF AN OCCUPYING ITEM IN A VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20120001463A1. Автор: Breed David S.,Johnson Wendell C.,DuVall Wilbur E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MODULAR NUCLEIC ACID-BASED CIRCUITS FOR COUNTERS, BINARY OPERATIONS, MEMORY, AND LOGIC

Номер патента: US20120003630A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED EDGE TRIGGERING IN A TEST AND MEASUREMENT INSTRUMENT

Номер патента: US20120001657A1. Автор: SULLIVAN Stevens K.,BEALE Terrance R.,VEITH Kristie L.. Владелец: TEKTRONIX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FAVOR TRACKING IN A SOCIAL GAME ENVIRONMENT

Номер патента: US20120004038A1. Автор: Van Luchene Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROM CELL CIRCUIT FOR FINFET DEVICES

Номер патента: US20120001232A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Method for Performing a Coronary Blood Vessel Bypass

Номер патента: US20120004499A1. Автор: Ott Douglas E.. Владелец: Lexion Medical, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Quadratic Amplitude Control Circuit For Cosite Interference Cancellation

Номер патента: US20120003948A1. Автор: LACKEY RAYMOND J.. Владелец: BAE SYSTEMS Information And Electronic Systems Intergration Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit for photodetector with vertical colour separation and programmable digital processing of colour signals

Номер патента: RU2389152C2. Автор: Владимир Александрович Зимогляд,Юрий Иванович Тишин,Александр Сергеевич Осипенко,Андрей Владимирович Лепендин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2010-05-10.

METHOD AND APPARATUS FOR DEFINING AND UTILIZING PRODUCT LOCATION IN A VENDING MACHINE

Номер патента: US20120004771A1. Автор: Walker Jay S.,Tedesco Daniel E.,Jorasch James A.,Signorelli Paul D.,Lee Sih Y.. Владелец: WALKER DIGITAL, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.