Field emission display with a sinking type gate electrode structure and method for fabricating the gate electrode structure
Номер патента: KR100879290B1
Опубликовано: 16-01-2009
Автор(ы): 황성연
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-01-2009
Автор(ы): 황성연
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plane emissive cathode structure of field emission display
Номер патента: US20080297025A1. Автор: Chih-Che Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.